JP2007056170A - Polyphenylene ether resin composition, prepreg, and laminate - Google Patents
Polyphenylene ether resin composition, prepreg, and laminate Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007056170A JP2007056170A JP2005244905A JP2005244905A JP2007056170A JP 2007056170 A JP2007056170 A JP 2007056170A JP 2005244905 A JP2005244905 A JP 2005244905A JP 2005244905 A JP2005244905 A JP 2005244905A JP 2007056170 A JP2007056170 A JP 2007056170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyphenylene ether
- ether resin
- resin composition
- prepreg
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
本発明は、低誘電率で絶縁信頼性に優れた積層体を得るためのポリフェニレンエーテル樹脂組成物、プリプレグ及びそれらを用いた積層体に関する。 The present invention relates to a polyphenylene ether resin composition, a prepreg, and a laminate using them for obtaining a laminate having a low dielectric constant and excellent insulation reliability.
近年の各種電子機器の小型化・高性能化に伴い、前記電子機器に用いられるプリント配線板には多層化及び高速大容量伝送化が求められており、特に、高周波領域における優れた誘電特性が求められている。 With recent miniaturization and performance enhancement of various electronic devices, printed wiring boards used in the electronic devices are required to have multiple layers and high-speed and large-capacity transmission. It has been demanded.
一方、前記電子機器は近年、あらゆる環境で用いられるようになり、過酷な環境で用いられる場合においても、電子機器の性能を維持することが求められており、そのような電子機器に用いられるプリント配線板には信頼性、特に絶縁信頼性が強く求められている。 On the other hand, the electronic device has recently been used in any environment, and even when used in a harsh environment, it is required to maintain the performance of the electronic device, and the print used in such an electronic device is required. Wiring boards are strongly required to have reliability, particularly insulation reliability.
前記高周波領域における優れた誘電特性を有するプリント配線板に用いられる絶縁板として、下記特許文献1には中空ガラス粒子を含有する熱硬化性樹脂を含浸させたシート状基材の熱硬化により得られる絶縁板において、前記中空ガラス粒子が0.5個/nm2以上の表面水酸基存在密度を有することを特徴とする高耐熱性、高強度、低誘電率のプリント配線板の製造に適した絶縁板が開示されている。 As an insulating plate used for a printed wiring board having excellent dielectric properties in the high frequency region, Patent Document 1 listed below is obtained by thermal curing of a sheet-like substrate impregnated with a thermosetting resin containing hollow glass particles. An insulating plate suitable for manufacturing a printed wiring board having high heat resistance, high strength, and low dielectric constant, wherein the hollow glass particles have a surface hydroxyl group density of 0.5 particles / nm 2 or more. Is disclosed.
しかしながら前記のような絶縁板を用いたプリント配線板においては高耐熱性、高強度、低誘電率のプリント配線板は得られるものの、前記絶縁信頼性が充分ではなかった。
本発明者らは、低誘電率のプリント配線板において求められている信頼性、特に絶縁信頼性が改良された低誘電率のプリント配線板を得るために用いられるポリフェニレンエーテル樹脂組成物、プリプレグ及びそれらを用いた積層体を提供することを課題とする。 The inventors of the present invention provide a polyphenylene ether resin composition, a prepreg, and a polyphenylene ether resin composition used for obtaining a low dielectric constant printed wiring board having improved reliability, particularly insulation reliability, which is required for a low dielectric constant printed wiring board. It aims at providing the laminated body using them.
本発明者らは前記課題を解決するために、低誘電率のプリント配線板の製造に用いられる積層体の絶縁材料であるポリフェニレンエーテル樹脂組成物において、前記樹脂組成物中に平均粒径が5μm以下のシリカバルーンを特定の割合で含有させることにより、低誘電率とともに高い信頼性を有する低誘電率のプリント配線板を製造することができることを見出した。 In order to solve the above problems, the inventors of the present invention provide a polyphenylene ether resin composition that is an insulating material of a laminate used in the manufacture of a printed circuit board having a low dielectric constant, wherein the resin composition has an average particle size of 5 μm. It has been found that a low dielectric constant printed wiring board having high reliability as well as a low dielectric constant can be produced by containing the following silica balloons at a specific ratio.
すなわち、本発明の請求項1のポリフェニレンエーテル樹脂組成物はポリフェニレンエーテル樹脂と平均粒径が5μm以下のシリカバルーンを含有するポリフェニレンエーテル樹脂組成物であって、前記ポリフェニレンエーテル樹脂組成物中に前記シリカバルーンが5〜50質量%含有されることを特徴とするポリフェニレンエーテル樹脂組成物である。このようなポリフェニレンエーテル樹脂組成物をプリプレグ形成基材に含浸させてプリプレグを作製し、前記プリプレグを金属箔と積層して得られる積層体は低誘電率のプリント配線板として用いられ、信頼性、特に絶縁信頼性に優れたプリント配線板として用いられる。 That is, the polyphenylene ether resin composition according to claim 1 of the present invention is a polyphenylene ether resin composition containing a polyphenylene ether resin and a silica balloon having an average particle size of 5 μm or less, wherein the silica resin is contained in the polyphenylene ether resin composition. A polyphenylene ether resin composition comprising 5 to 50% by mass of a balloon. A prepreg is prepared by impregnating a prepreg-forming base material with such a polyphenylene ether resin composition, and a laminate obtained by laminating the prepreg with a metal foil is used as a printed circuit board having a low dielectric constant, reliability, In particular, it is used as a printed wiring board having excellent insulation reliability.
また、請求項2のポリフェニレンエーテル樹脂組成物は、前記シリカバルーンの平均中空率が40〜60体積%であることを特徴とする請求項1に記載のポリフェニレンエーテル樹脂組成物である。前記シリカバルーンがこのような平均中空率を有することで、誘電特性を更に高めることができる。 The polyphenylene ether resin composition according to claim 2 is the polyphenylene ether resin composition according to claim 1, wherein the silica balloon has an average hollowness of 40 to 60% by volume. When the silica balloon has such an average hollowness, dielectric properties can be further enhanced.
また、請求項3のポリフェニレンエーテル樹脂組成物は、前記シリカバルーンがカップリング剤により処理されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のポリフェニレンエーテル樹脂組成物である。このような、カップリング剤で処理されたシリカバルーンを用いることにより、絶縁信頼性に加え、更に、吸湿時におけるはんだ耐熱性を向上させることができる。また、ガラス基材に浸漬してプリプレグを作製する際にポリフェニレンエーテル樹脂組成物をワニスにするときに、ワニス中でのシリカバルーンの分散性が改良される。 Moreover, the polyphenylene ether resin composition of Claim 3 is a polyphenylene ether resin composition of Claim 1 or Claim 2, wherein the silica balloon is treated with a coupling agent. By using such a silica balloon treated with a coupling agent, in addition to insulation reliability, solder heat resistance during moisture absorption can be improved. Moreover, when making a polyphenylene ether resin composition into a varnish at the time of immersing in a glass base material and producing a prepreg, the dispersibility of the silica balloon in a varnish is improved.
また、請求項4のポリフェニレンエーテル樹脂組成物は、ポリフェニレンエーテル樹脂組成物中に球状シリカを含むことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のポリフェニレンエーテル樹脂組成物であり、前記球状シリカを含むことにより熱膨張率を低下させることができ、寸法安定性に優れたプリント配線板を得ることができる。 The polyphenylene ether resin composition according to claim 4 is a polyphenylene ether resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the polyphenylene ether resin composition contains spherical silica. By containing the spherical silica, the coefficient of thermal expansion can be reduced, and a printed wiring board excellent in dimensional stability can be obtained.
また、請求項5のプリプレグは請求項1〜4に記載のポリフェニレンエーテル樹脂組成物をプリプレグ形成基材に含浸させて得られることを特徴とするものであり、このようなプリプレグを用いて積層体を製造することにより、低誘電率で絶縁信頼性に優れたプリント配線板として用いることができる積層体を得ることができる。 The prepreg according to claim 5 is obtained by impregnating the prepreg-forming base material with the polyphenylene ether resin composition according to claims 1 to 4, and a laminate using such a prepreg. As a result, it is possible to obtain a laminate that can be used as a printed wiring board having a low dielectric constant and excellent insulation reliability.
そして、請求項6の積層体は、請求項5に記載のプリプレグと金属箔とを積層し、加熱圧縮して形成されることを特徴とするものであり、低誘電率で絶縁信頼性に優れたプリント配線板として用いることができる積層体である。 A laminate of claim 6 is formed by laminating the prepreg according to claim 5 and a metal foil and heating and compressing the laminate, and has a low dielectric constant and excellent insulation reliability. It is a laminate that can be used as a printed wiring board.
本発明のポリフェニレンエーテル樹脂組成物及びプリプレグを用いることにより低誘電率で絶縁信頼性に優れたプリント配線板として用いることができる積層体を得ることができる。そして、得られた積層体は低誘電率で絶縁信頼性に優れたプリント配線板として用いることができるものである。 By using the polyphenylene ether resin composition and the prepreg of the present invention, a laminate that can be used as a printed wiring board having a low dielectric constant and excellent insulation reliability can be obtained. The obtained laminate can be used as a printed wiring board having a low dielectric constant and excellent insulation reliability.
本発明のポリフェニレンエーテル樹脂組成物はポリフェニレンエーテル樹脂と平均粒径が5μm以下のシリカバルーンを含有するポリフェニレンエーテル樹脂組成物であって、前記ポリフェニレンエーテル樹脂組成物中に前記シリカバルーンが5〜50質量%含有されることを特徴とするものである。 The polyphenylene ether resin composition of the present invention is a polyphenylene ether resin composition containing a polyphenylene ether resin and a silica balloon having an average particle size of 5 μm or less, wherein the silica balloon is 5 to 50 mass in the polyphenylene ether resin composition. % Content.
本発明で用いられるポリフェニレンエーテル樹脂は、次の一般式(1)の構造で表される高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂を後述する分子量低減方法により分子量を低減されて得られるものである。 The polyphenylene ether resin used in the present invention is obtained by reducing the molecular weight of the high molecular weight polyphenylene ether resin represented by the structure of the following general formula (1) by a molecular weight reduction method described later.
(式中、nは繰り返し単位を表わし、200〜400の整数である。RはHまたは炭素数1〜3の炭化水素基であり、Rは同じ基でも異なる基でもよい。) (In the formula, n represents a repeating unit and is an integer of 200 to 400. R is H or a hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, and R may be the same group or different groups.)
前記一般式(1)で表される高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂としては、ポリ(2,6−ジメチル−1,4−フェニレンオキサイド)等が挙げられる。 Examples of the high molecular weight polyphenylene ether resin represented by the general formula (1) include poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene oxide).
本発明で用いられるポリフェニレンエーテル樹脂は、例えば、米国特許第4059568号明細書に開示されている方法で合成した数平均分子量(Mn)が13000〜25000程度の前記高分子量ポリフェニレンエーテルを、成形に適した溶融粘度に調整するために数平均分子量が2000〜10000程度に分子量を低減させることにより得られる。 The polyphenylene ether resin used in the present invention is suitable for molding, for example, the high molecular weight polyphenylene ether having a number average molecular weight (Mn) of about 13,000 to 25,000 synthesized by the method disclosed in US Pat. No. 4,059,568. In order to adjust the melt viscosity, the number average molecular weight can be obtained by reducing the molecular weight to about 2000 to 10,000.
分子量を低減させたポリフェニレンエーテル樹脂を得る方法としては、公知の分子量を低減させる方法、具体的には、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂にフェノール種を反応させることにより分子量を低減させる「The Journal of Organic Chemistry,34,297-303(1969)」に記載の方法及びその改良された公知の方法等を用いることができる。 As a method for obtaining a polyphenylene ether resin having a reduced molecular weight, a known method for reducing the molecular weight, specifically, for example, the method of reducing the molecular weight by reacting a phenol species with a polyphenylene ether resin, “The Journal of Organic Chemistry. , 34,297-303 (1969) ", an improved known method thereof, and the like can be used.
前記方法としては、例えば、数平均分子量が13000〜25000程度の前記高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂をフェノール種、分解過酸化物及び必要に応じて分解反応を促進するナフテン酸コバルト等の脂肪酸金属塩とともに溶剤中で反応させることにより数平均分子量が2000〜10000程度にまで分解させる方法等が挙げられる。 As the method, for example, the high molecular weight polyphenylene ether resin having a number average molecular weight of about 13,000 to 25,000 is a solvent together with a phenol species, a decomposition peroxide and, if necessary, a fatty acid metal salt such as cobalt naphthenate for promoting a decomposition reaction. The method of decomposing even the number average molecular weight to about 2000-10000 by making it react in is mentioned.
前記フェノール種としては、例えば、フェノール,クレゾール,キシレノール,ヒドロキノン,ビスフェノールA,2,6−ジメチルフェノール,4,4′−ジヒドロキシジフェニルエーテル等が挙げられる。 Examples of the phenol species include phenol, cresol, xylenol, hydroquinone, bisphenol A, 2,6-dimethylphenol, 4,4′-dihydroxydiphenyl ether, and the like.
また、前記分解過酸化物としては、例えば、ジ(t−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン,過酸化ベンゾイル,3,3′,5,5′−テトラメチル−1,4−ジフェノキノンクロラニル,2,4,6−トリ−t−ブチルフェノキシル,t−ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネート,アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。 Examples of the decomposed peroxide include di (t-butylperoxyisopropyl) benzene, benzoyl peroxide, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-1,4-diphenoquinone chloranil, 2 4,6-tri-t-butylphenoxyl, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, azobisisobutyronitrile and the like.
なお、本発明に用いられるポリフェニレンエーテル樹脂としては、特に、下記一般式(2)で示される構造を有するように末端修飾され、且つ数平均分子量が1000〜7000であるポリフェニレンエーテル樹脂であることが好ましい。 The polyphenylene ether resin used in the present invention is particularly a polyphenylene ether resin that is end-modified so as to have a structure represented by the following general formula (2) and has a number average molecular weight of 1000 to 7000. preferable.
(式中、Xはアリール基を示し、(Y)mはポリフェニレンエーテル部分を示し、Zはフェニレン基,酸素原子または硫黄原子を示し、R1〜R3は独立して水素原子,アルキル基,アルケニル基またはアルキニル基を示し、mは1〜100の整数を示し、nは1〜6の整数を示し、qは1〜4の整数を示す。) (Wherein X represents an aryl group, (Y) m represents a polyphenylene ether moiety, Z represents a phenylene group, an oxygen atom or a sulfur atom, R 1 to R 3 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, An alkenyl group or an alkynyl group, m represents an integer of 1 to 100, n represents an integer of 1 to 6, and q represents an integer of 1 to 4.
前記Xで示されるアリール基は前記フェノール種に由来するものである。前記アリール基としては、例えば、フェニル基,ビフェニル基,インデニル基,ナフチル基を挙げることができ、好適にはフェニル基である。また、これらアリール基が酸素原子で結合されているジフェニルエーテル基等や、カルボニル基で結合されたベンゾフェノン基等、アルキレン基により結合された2,2−ジフェニルプロパン基等も、本発明のアリール基の定義に含まれる。また、これらアリール基は、アルキル基(好適にはC1〜C6アルキル基、特にメチル基),アルケニル基,アルキニル基やハロゲン原子など、一般的な置換基によって置換されていてもよい。 The aryl group represented by X is derived from the phenol species. Examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, an indenyl group, and a naphthyl group, and a phenyl group is preferable. In addition, the aryl group of the present invention also includes a diphenyl ether group in which these aryl groups are bonded by an oxygen atom, a benzophenone group bonded by a carbonyl group, and a 2,2-diphenylpropane group bonded by an alkylene group. Included in the definition. Further, these aryl groups may be substituted with a general substituent such as an alkyl group (preferably a C1 to C6 alkyl group, particularly a methyl group), an alkenyl group, an alkynyl group or a halogen atom.
また、さらには前記一般式(2)中の下記一般式(3)で示される部分のZがフェニレン基であり、且つ、nが1であり、その数平均分子量が3000〜7000であるポリフェニレンエーテル樹脂が特に好ましい。 Furthermore, in the general formula (2), a polyphenylene ether in which Z in the portion represented by the following general formula (3) is a phenylene group, n is 1, and the number average molecular weight is 3000 to 7000. Resins are particularly preferred.
(式中、R1〜R3は独立して水素原子,アルキル基,アルケニル基またはアルキニル基を示し、Zはフェニレン基,酸素原子または硫黄原子を示し、nは1〜6の整数を示す。) (Wherein R 1 to R 3 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group, Z represents a phenylene group, an oxygen atom or a sulfur atom, and n represents an integer of 1 to 6). )
このようなポリフェニレンエーテル樹脂を本発明の樹脂組成物に用いることにより、得られるプリプレグの成形性に優れ、また、得られる積層体のはんだ耐熱性等の耐熱性も高くなり、さらに伝送速度に影響する誘電正接が低くなる傾向がある。 By using such a polyphenylene ether resin in the resin composition of the present invention, the resulting prepreg has excellent moldability, and the resulting laminate has improved heat resistance such as solder heat resistance, and further affects the transmission speed. Tends to be low.
前記一般式(3)で示される部分構造は、前記部分構造を有する化合物のハロゲン化物、例えば、ハロゲン化メチルスチレン等と前記低分子量化されたポリフェニレンエーテル樹脂とをアルカリ金属水酸化物の存在下で反応させることによって行うことができる。 In the partial structure represented by the general formula (3), a halide of a compound having the partial structure, for example, halogenated methylstyrene, and the polyphenylene ether resin reduced in molecular weight are present in the presence of an alkali metal hydroxide. It can be performed by reacting with.
具体的な一例としては、例えば、末端にフェノール基を有するポリフェニレンエーテル樹脂及びハロゲン化メチルスチレンをトルエン等の有機溶剤に溶解させ、この溶液にアルカリ金属水酸化物の水溶液を滴下することによって、前記構造の一例であるエテニルベンジル化による末端修飾されたポリフェニレンエーテル樹脂が得られる。このとき、アルカリ金属水酸化物は脱ハロゲン化水素剤(例えば、脱塩酸剤)として機能し、このアルカリ金属水酸化物がフェノール基とハロゲン化メチルスチレンからハロゲン化水素を脱離させることによって、ポリフェニレンエーテル樹脂の末端のフェノール基(−OH)のHの代わりに前記一般式(2)で示される構造がOに結合することとなる。なお、反応温度は30〜100℃、反応時間は0.5〜20時間であることが好ましい。 As a specific example, for example, by dissolving a polyphenylene ether resin having a phenol group at the terminal and halogenated methylstyrene in an organic solvent such as toluene, and dropping an aqueous solution of an alkali metal hydroxide into this solution, An end-modified polyphenylene ether resin by ethenyl benzylation, which is an example of the structure, is obtained. At this time, the alkali metal hydroxide functions as a dehydrohalogenating agent (for example, a dehydrochlorinating agent), and this alkali metal hydroxide desorbs the hydrogen halide from the phenol group and halogenated methylstyrene, The structure represented by the general formula (2) is bonded to O instead of H of the phenol group (—OH) at the terminal of the polyphenylene ether resin. In addition, it is preferable that reaction temperature is 30-100 degreeC and reaction time is 0.5 to 20 hours.
前記ハロゲン化メチルスチレンとしては、例えば、p−クロロメチルスチレン,m−クロロメチルスチレン,p−クロロメチルスチレンとm−クロロメチルスチレンとの混合体,p−ブロモメチルスチレン,m−ブロモメチルスチレン,p−ブロモメチルスチレンとm−ブロモメチルスチレンとの混合体等を用いることができる。特に、ハロゲン化メチルスチレンが、p−クロロメチルスチレン及びm−クロロメチルスチレンからなる群から選ばれる少なくとも1種のものであることが好ましい。このようなハロゲン化メチルスチレンを用いると、前記一般式(3)で示される部分構造がp−エテニルベンジル基及びm−エテニルベンジル基からなる群から選ばれる少なくとも1種のものとなり、ポリフェニレンエーテル樹脂の融点や軟化点を任意に変化させることができる。例えば、p−クロロメチルスチレンを使用すると、対称性が良好となり、高融点、高軟化点のポリフェニレンエーテル樹脂を得ることができ、また、p−クロロメチルスチレンとm−クロロメチルスチレンとの混合体を使用すると、低融点、低軟化点のポリフェニレンエーテル樹脂を得ることができ、成形時における作業性が良好となるものである。 Examples of the halogenated methylstyrene include p-chloromethylstyrene, m-chloromethylstyrene, a mixture of p-chloromethylstyrene and m-chloromethylstyrene, p-bromomethylstyrene, m-bromomethylstyrene, A mixture of p-bromomethylstyrene and m-bromomethylstyrene or the like can be used. In particular, the halogenated methylstyrene is preferably at least one selected from the group consisting of p-chloromethylstyrene and m-chloromethylstyrene. When such a halogenated methylstyrene is used, the partial structure represented by the general formula (3) becomes at least one selected from the group consisting of a p-ethenylbenzyl group and an m-ethenylbenzyl group. The melting point and softening point of the ether resin can be arbitrarily changed. For example, when p-chloromethylstyrene is used, the symmetry becomes good, and a polyphenylene ether resin having a high melting point and a high softening point can be obtained. Also, a mixture of p-chloromethylstyrene and m-chloromethylstyrene Can be used to obtain a polyphenylene ether resin having a low melting point and a low softening point, and the workability during molding is improved.
また、上記のアルカリ金属水酸化物としては、特に限定されるものではないが、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、これらの混合物等を用いることができる。なお、アルカリ金属水酸化物の配合割合はフェノール基1モルに対して1.1〜2.0倍モル程度であることが好ましい。 The alkali metal hydroxide is not particularly limited, and for example, potassium hydroxide, sodium hydroxide, a mixture thereof, and the like can be used. In addition, it is preferable that the mixture ratio of an alkali metal hydroxide is about 1.1-2.0 times mole with respect to 1 mol of phenol groups.
エテニルベンジル化を行うにあたっては、相間移動触媒を用いるようにしてもよい。相間移動触媒は、アルカリ金属水酸化物を取り込む機能をもち、水のような極性溶剤からなる相と有機溶剤のような非極性溶剤からなる相の両方の相に可溶で、これらの相間を移動することができる触媒である。相間移動触媒を用いない場合においては、アルカリ金属水酸化物のみを非極性溶剤に可溶化するのは困難であるため、非極性溶剤に溶解しているポリフェニレンエーテル樹脂及びハロゲン化メチルスチレンからハロゲン化水素を脱離するのに長時間を要するおそれがある。しかし、相間移動触媒の存在下においては、極性溶剤に溶解しているアルカリ金属水酸化物は相間移動触媒に取り込まれた後にこの相間移動触媒によって非極性溶剤中に移送されることから、アルカリ金属水酸化物を非極性溶剤に容易に可溶化することができ、エテニルベンジル化を促進することができるものである。相間移動触媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、テトラ−n−ブチルアンモニウムブロマイド等の第4級アンモニウム塩を用いることができる。なお、相間移動触媒の存在下においては、100℃以下の温度でエテニルベンジル化の反応を行うのが好ましい。 In carrying out ethenyl benzylation, a phase transfer catalyst may be used. The phase transfer catalyst has a function of incorporating an alkali metal hydroxide and is soluble in both a phase composed of a polar solvent such as water and a phase composed of a nonpolar solvent such as an organic solvent. It is a catalyst that can move. When a phase transfer catalyst is not used, it is difficult to solubilize only alkali metal hydroxide in a nonpolar solvent, so halogenation is performed from polyphenylene ether resin and halogenated methylstyrene dissolved in the nonpolar solvent. It may take a long time to desorb hydrogen. However, in the presence of the phase transfer catalyst, the alkali metal hydroxide dissolved in the polar solvent is taken into the phase transfer catalyst and then transferred into the nonpolar solvent by the phase transfer catalyst. Hydroxides can be easily solubilized in nonpolar solvents, and ethenylbenzylation can be promoted. The phase transfer catalyst is not particularly limited, and for example, a quaternary ammonium salt such as tetra-n-butylammonium bromide can be used. In the presence of a phase transfer catalyst, the ethenyl benzylation reaction is preferably performed at a temperature of 100 ° C. or lower.
上述した方法により、分子末端に前記一般式(2)で示される構造を少なくとも1つ以上(実質上の上限は4個)有するポリフェニレンエーテル樹脂を製造することができる。 By the method described above, a polyphenylene ether resin having at least one structure (substantially upper limit of 4) represented by the general formula (2) at the molecular end can be produced.
ポリフェニレンエーテル樹脂組成物に含まれる樹脂を形成する成分としては、前記ポリフェニレンエーテル樹脂のほか、架橋性硬化剤及びその他の樹脂を含んでもよい。 In addition to the polyphenylene ether resin, the component forming the resin contained in the polyphenylene ether resin composition may contain a crosslinkable curing agent and other resins.
前記架橋性硬化剤としてはトリアリルイソシアヌレート(TAIC),トリアリルシアヌレート,ジアリルフタレート,ジアリルイソフタレート,ジアリルマレエート,ジアリルフマレート,ジエチレングリコールジアリルカーボネート,トリアリルホスフェート,エチレングリコールジアリルエーテル,トリメチロールプロパンのアリルエーテル,ペンタエリトリットの部分的アリルエーテル,ジアリルセバケート,アリル化ノボラック,アリル化レゾール樹脂のような化合物が用いられる。これらの中ではトリアリルイソシアネートが伝送時間のバラツキに影響を及ぼす誘電正接を低くすることができる点から好ましい。 Examples of the crosslinkable curing agent include triallyl isocyanurate (TAIC), triallyl cyanurate, diallyl phthalate, diallyl isophthalate, diallyl maleate, diallyl fumarate, diethylene glycol diallyl carbonate, triallyl phosphate, ethylene glycol diallyl ether, trimethylol Compounds such as allyl ether of propane, partially allyl ether of pentaerythritol, diallyl sebacate, allylated novolak, allylated resole resin are used. Among these, triallyl isocyanate is preferable from the viewpoint that the dielectric loss tangent which affects the variation in transmission time can be lowered.
また、前記その他の樹脂としては、特に限定されないが、エポキシ系樹脂が積層体における層間密着性に優れている点から好ましく用いられる。 Further, the other resin is not particularly limited, but an epoxy resin is preferably used since it has excellent interlayer adhesion in the laminate.
なお、前記その他の樹脂としてエポキシ系樹脂を含む場合には、前記樹脂成分中に10質量%以下、さらには5質量%以下であることが好ましい。 In addition, when an epoxy-type resin is included as said other resin, it is preferable that it is 10 mass% or less in the said resin component, Furthermore, it is preferable that it is 5 mass% or less.
前記エポキシ系樹脂が10質量%をこえて含有される場合には伝送速度に影響する誘電正接が高くなる傾向があるため好ましくない。 When the epoxy resin is contained in an amount exceeding 10% by mass, the dielectric loss tangent that affects the transmission speed tends to increase, which is not preferable.
本発明におけるポリフェニレンエーテル樹脂組成物中には誘電特性を向上させる成分として、平均粒径が5μm以下のシリカバルーンが含有される。 In the polyphenylene ether resin composition of the present invention, a silica balloon having an average particle size of 5 μm or less is contained as a component for improving dielectric properties.
シリカバルーンとはシリカ(SiO2)を主成分とする材質からなる中空状の粒子であり、中空粒子の内部の空間には窒素、酸素や、アルゴン等の不活性ガス、或いは空気のような混合ガスを含むものである。 Silica balloons are hollow particles made of silica (SiO 2 ) as the main component, and the internal space of the hollow particles is a mixture such as nitrogen, oxygen, inert gas such as argon, or air. It contains gas.
なお、前記シリカを主成分とするとはシリカバルーンを形成する材質の98%以上がシリカであることを意味する。 The term “mainly composed of silica” means that 98% or more of the material forming the silica balloon is silica.
本発明に用いられるシリカバルーンは平均粒径が5μm以下、好ましくは4μm以下の大きさのシリカバルーンであり、このような平均粒径のシリカバルーンを含有するポリフェニレンエーテル樹脂組成物を絶縁体として用いることにより、低誘電率と絶縁信頼性を兼ね備える積層体を得ることができる。なお、前記平均粒径の下限は、製造可能な範囲であれば特に限定されない。 The silica balloon used in the present invention is a silica balloon having an average particle size of 5 μm or less, preferably 4 μm or less, and a polyphenylene ether resin composition containing such an average particle size silica balloon is used as an insulator. As a result, a laminate having both a low dielectric constant and insulation reliability can be obtained. The lower limit of the average particle diameter is not particularly limited as long as it can be produced.
前記平均粒径が5μmをこえる場合には絶縁信頼性が低下しやすくなる。 When the average particle size exceeds 5 μm, the insulation reliability tends to be lowered.
前記平均粒径はレーザー回折式粒度分布測定法により、例えば、CILAS Model 920Lレーザー回折式粒度分布測定装置等用いて測定される。 The average particle diameter is measured by a laser diffraction particle size distribution measuring method, for example, using a CILAS Model 920L laser diffraction particle size distribution measuring apparatus or the like.
前記シリカバルーンに含有される中空部の比率(以下、平均中空率ともいう)としては40〜60体積%、さらには50〜60体積%であることが好ましい。前記平均中空率が40体積%未満の場合にはシリカバルーン中の中空部の比率が少なすぎて充分に低誘電率化することが困難になる傾向があり、また、60体積%をこえる場合にはシリカバルーンが積層体の製造時に割れて低誘電率化することが困難になる傾向がある。 The ratio of the hollow parts contained in the silica balloon (hereinafter also referred to as average hollow ratio) is preferably 40 to 60% by volume, and more preferably 50 to 60% by volume. When the average hollow ratio is less than 40% by volume, the ratio of hollow parts in the silica balloon tends to be too small to make it difficult to sufficiently reduce the dielectric constant, and when it exceeds 60% by volume. The silica balloon tends to crack during the production of the laminate, making it difficult to reduce the dielectric constant.
なお、前記平均中空率はピクノメータ法により平均比重を測定し、シリカバルーンを形成する材質の比重との比から
(1−(平均比重/シリカバルーンを形成する材質の比重))×100(体積%)
により算出される。
The average hollowness is measured by the pycnometer method and the ratio of the average specific gravity to the specific gravity of the material forming the silica balloon (1- (average specific gravity / specific gravity of the material forming the silica balloon)) × 100 (volume%) )
Is calculated by
また、前記シリカバルーンの比重は0.9〜1.3、さらには0.9〜1.1程度のものである。 The specific gravity of the silica balloon is about 0.9 to 1.3, and further about 0.9 to 1.1.
このようなシリカバルーンの具体例としては、例えば、電気化学工業(株)製のDBSシリーズ等が挙げられる。 Specific examples of such a silica balloon include DBS series manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
なお、本発明に用いられるシリカバルーンは、更に、カップリング剤処理されていることが絶縁信頼性に加え、吸湿時におけるはんだ耐熱性を向上させ、また、ポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスを調整する際の分散性を向上させる点から好ましい。 In addition, the silica balloon used in the present invention is further treated with a coupling agent, in addition to insulation reliability, improves solder heat resistance during moisture absorption, and adjusts the varnish of the polyphenylene ether resin composition. This is preferable from the viewpoint of improving dispersibility.
前記シランカップリング剤処理に用いられるカップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤,チタネートカップリング剤,アルミニウム系カップリング剤,ジルコアルミネートカップリング剤等が用いられる。これらの中では、特に、シリカバルーン表面のシラノール基を低減させ、その表面を疎水性にするシランカップリング剤、具体的には、例えばビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シラザン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等のシランカップリング剤が特に好ましい。 As a coupling agent used for the silane coupling agent treatment, for example, a silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aluminum coupling agent, a zircoaluminate coupling agent, or the like is used. Among these, in particular, a silane coupling agent that reduces silanol groups on the surface of the silica balloon and makes the surface hydrophobic, specifically, for example, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, silazane, γ-glycol. Silane coupling agents such as sidoxypropylmethyldiethoxysilane are particularly preferred.
本発明のポリフェニレンエーテル樹脂組成物中には前記シリカバルーンが5〜50質量%、好ましくは10〜40質量%含有される。前記割合が5質量%未満の場合には低誘電率化の効果が充分に発揮されず、50質量%をこえる場合には機械強度の低下や樹脂の流れ性が悪くなるために好ましくない。 In the polyphenylene ether resin composition of the present invention, the silica balloon is contained in an amount of 5 to 50% by mass, preferably 10 to 40% by mass. When the ratio is less than 5% by mass, the effect of reducing the dielectric constant is not sufficiently exhibited, and when it exceeds 50% by mass, the mechanical strength is lowered and the resin flowability is deteriorated.
本発明のポリフェニレンエーテル樹脂組成物には、フィラー成分として前記シリカバルーンの他に、必要に応じて用いられるその他の充填材及びその他の成分が含まれてもよい。 The polyphenylene ether resin composition of the present invention may contain other fillers and other components used as necessary in addition to the silica balloon as a filler component.
前記その他の充填材の具体例としては、例えば、球状シリカ等のシリカやアルミナ,タルク,マイカ,クレー,ベントナイト,カオリン,炭酸カルシウム,酸化カルシウム,硫酸カルシウム,硫酸バリウム,酸化亜鉛,酸化マグネシウム,ハイドロタルサイト,雲母,ガラスビーズ等の無機系充填材やアラミド繊維,液晶ポリエステル繊維,フェノール樹脂繊維等有機系の充填材等が挙げられる。 Specific examples of the other filler include, for example, silica such as spherical silica, alumina, talc, mica, clay, bentonite, kaolin, calcium carbonate, calcium oxide, calcium sulfate, barium sulfate, zinc oxide, magnesium oxide, hydro Examples thereof include inorganic fillers such as talcite, mica, and glass beads, and organic fillers such as aramid fibers, liquid crystal polyester fibers, and phenol resin fibers.
前記充填材の中では球状シリカが得られる積層体の熱膨張率を低下させ、寸法安定性に優れた積層体を得ることができる点から好ましい。 Among the fillers, it is preferable from the viewpoint that the thermal expansion coefficient of a laminate from which spherical silica is obtained can be reduced, and a laminate excellent in dimensional stability can be obtained.
本発明のポリフェニレンエーテル樹脂組成物はプリプレグの製造の際にプリプレグ形成基材に含浸する目的でワニスに調製される。以下にワニスの調製方法について説明する。 The polyphenylene ether resin composition of the present invention is prepared into a varnish for the purpose of impregnating the prepreg-forming substrate during the production of the prepreg. The method for preparing the varnish will be described below.
前記ポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスは、例えば、加熱した有機溶媒に、ポリフェニレンエーテル樹脂を含む樹脂成分を溶解し、さらに反応開始剤等その他の成分を添加し、攪拌混合して得られる樹脂ワニスを調製して冷却した後、前記シリカバルーン、その他の充填材、難燃剤、相溶化剤、その他の添加剤を添加して攪拌・混合すること等により得られる。 The varnish of the polyphenylene ether resin composition is, for example, a resin varnish obtained by dissolving a resin component containing a polyphenylene ether resin in a heated organic solvent, further adding other components such as a reaction initiator, and stirring and mixing. After preparing and cooling, the silica balloon, other fillers, flame retardants, compatibilizing agents, and other additives are added and stirred and mixed.
はじめに、樹脂成分を含有する樹脂ワニスを調製する。 First, a resin varnish containing a resin component is prepared.
前記有機溶媒としては、樹脂成分を溶解し、かつ反応に悪影響を及ぼすものでなければ特に限定されず、例えば、メチルエチルケトン等のケトン類,ジブチルエーテル等のエーテル類,酢酸エチル等のエステル類,ジメチルホルムアミド等のアミド類,ベンゼン,トルエン,キシレン等の芳香族炭化水素類,トリクロロエチレン等の塩素化炭化水素等の適当な有機溶媒を一種あるいは二種以上を混合して用いられる。前記樹脂ワニスの樹脂固形分の濃度は、プリプレグ形成基材に含浸する作業に応じて適当に調整すればよく、例えば20〜80質量%が適当である。 The organic solvent is not particularly limited as long as it does not dissolve the resin component and adversely affects the reaction. For example, ketones such as methyl ethyl ketone, ethers such as dibutyl ether, esters such as ethyl acetate, dimethyl A suitable organic solvent such as amides such as formamide, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene, and chlorinated hydrocarbons such as trichloroethylene may be used singly or in combination. What is necessary is just to adjust suitably the density | concentration of the resin solid content of the said resin varnish according to the operation | work which impregnates a prepreg formation base material, for example, 20-80 mass% is suitable.
前記反応開始剤としてはα,α'−ビス(t−ブチルパーオキシ−m−イソプロピル)ベンゼン,2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)−3−ヘキシン,過酸化ベンゾイル,3,3',5,5'−テトラメチル−1,4−ジフェノキノンクロラニル,2,4,6−トリ−t−ブチルフェノキシル,t−ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネート,アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。これらの中では、α,α'−ビス(t−ブチルパーオキシ−m−イソプロピル)ベンゼンは、熱分解温度が比較的高いため、プリプレグの乾燥時等、硬化が必要でない時点での硬化促進を抑制でき、ポリフェニレンエーテル樹脂組成物の保存安定性が高く、また、揮発性が低いためにプリプレグの乾燥時や保存時に揮発せず、安定性が良好である点から好ましい。 Α, α′-bis (t-butylperoxy-m-isopropyl) benzene, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) -3-hexyne, peroxide Benzoyl, 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl-1,4-diphenoquinone chloranil, 2,4,6-tri-t-butylphenoxyl, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, azobisisobuty Examples include rhonitrile. Among these, α, α′-bis (t-butylperoxy-m-isopropyl) benzene has a relatively high thermal decomposition temperature, and therefore accelerates curing at a time when curing is not required, such as when the prepreg is dried. This is preferable because the polyphenylene ether resin composition has high storage stability and low volatility, and therefore does not volatilize when the prepreg is dried or stored, and is stable.
また、必要に応じてカルボン酸金属塩などを更に添加することにより、硬化反応を一層促進することもできる。 Moreover, the curing reaction can be further accelerated by further adding a carboxylic acid metal salt or the like as required.
次に、得られた前記樹脂ワニスに、前記シリカバルーン及び必要に応じて用いられる、その他の充填材、難燃剤や相溶化剤等を添加して攪拌・混合することによりポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスが得られる。 Next, to the obtained resin varnish, the silica balloon and other fillers used as necessary, a flame retardant, a compatibilizing agent, and the like are added and stirred and mixed to obtain a polyphenylene ether resin composition. A varnish is obtained.
前記攪拌・混合する方法としては、前記成分を溶媒中に均一に溶解又は分散させる方法であれば特に限られないが、具体的には、プラネタリーミキサー,ボールミル又はビーズミル,ロールミル等を用いることが好ましい。 The stirring / mixing method is not particularly limited as long as the components are uniformly dissolved or dispersed in a solvent. Specifically, a planetary mixer, a ball mill, a bead mill, a roll mill, or the like is used. preferable.
なお、前記難燃剤は主として、通常難燃剤として使用されている公知の臭素化有機化合物が用いられる。具体的には例えば、ヘキサブロモベンゼン,ペンタブロモトルエン,ヘキサブロモビフェニル,デカブロモジフェニルエタン,ヘキサブロモシクロデカン,デカブロモジフェニルエーテル,オクタブロモジフェニルエーテル,ヘキサブロモジフェニルエーテル,ビス(ペンタブロモフェノキシ)エタン,エチレンビス(テトラブロモフタルイミド),テトラブロモビスフェノールAを原料として製造されたポリカーボネートオリゴマーあるいはそのビスフェノールとの共重合物、臭素化エポキシ化合物(例えば臭素化ビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの反応によって得られるモノエポキシ化合物),ポリ(臭素化ベンジルアクリレート),臭素化ポリフェニレンエーテル,臭素化ビスフェノールAシアヌルおよび臭素化フェノールの縮合物、臭素化ポリスチレン,架橋臭素化ポリスチレン,架橋臭素化ポリα−メチルスチレン等のハロゲン化されたポリマーやオリゴマー等の芳香族臭素化合物が挙げられる。これらの中では、デカブロモジフェニルエタンがポリフェニレンエーテルを含む樹脂成分と非反応の臭素化有機化合物であり、かつ、前記溶剤に溶解せず、分散することにより、樹脂中に非相溶の状態で存在するため、耐湿信頼性及び吸湿耐熱性を向上させる点から好ましく用いられる。 In addition, the well-known brominated organic compound normally used as a flame retardant is mainly used for the said flame retardant. Specifically, for example, hexabromobenzene, pentabromotoluene, hexabromobiphenyl, decabromodiphenyl ethane, hexabromocyclodecane, decabromodiphenyl ether, octabromodiphenyl ether, hexabromodiphenyl ether, bis (pentabromophenoxy) ethane, ethylene bis (Tetrabromophthalimide), a polycarbonate oligomer produced from tetrabromobisphenol A or a copolymer thereof with bisphenol, a brominated epoxy compound (for example, a monoepoxy compound obtained by reaction of brominated bisphenol A and epichlorohydrin), Poly (brominated benzyl acrylate), brominated polyphenylene ether, brominated bisphenol A cyanuric and brominated phenol Compounds, brominated polystyrene, crosslinked brominated polystyrene, aromatic bromine compounds such as halogenated polymers and oligomers such as crosslinked brominated poly α- methyl styrene. Among these, decabromodiphenylethane is a non-reacted brominated organic compound containing a resin component containing polyphenylene ether, and does not dissolve in the solvent, but disperses it in an incompatible state in the resin. Since it exists, it is preferably used from the viewpoint of improving moisture resistance reliability and moisture absorption heat resistance.
さらにポリフェニレンエーテル樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じてその他通常の熱硬化性樹脂組成物に含まれる物質、例えば熱安定剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、染料や顔料、滑剤等を配合してもよい。 Furthermore, in the polyphenylene ether resin composition, as long as the effects of the present invention are not impaired, other substances contained in the usual thermosetting resin composition as necessary, for example, a heat stabilizer, an antistatic agent, an ultraviolet absorber, You may mix | blend a flame retardant, dye, a pigment, a lubricant, etc.
本発明のプリプレグは前記ポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスをプリプレグ形成基材に含浸し、さらに加熱乾燥して有機溶媒を蒸発させるとともに基材中のポリフェニレンエーテル樹脂を半硬化させることにより得ることができる。 The prepreg of the present invention can be obtained by impregnating a prepreg-forming base material with the varnish of the polyphenylene ether resin composition and further drying by heating to evaporate the organic solvent and semi-curing the polyphenylene ether resin in the base material. .
プリプレグ形成基材としては、ガラス繊維からなるガラスクロスや有機繊維の織布等を用いることができるが、寸法安定性に優れており、剛性が高い等性能のバランスに優れているためガラスクロスを用いることが好ましい。 As the prepreg-forming substrate, glass cloth made of glass fiber or woven fabric of organic fiber can be used, but glass cloth is used because it has excellent dimensional stability and high balance of performance such as high rigidity. It is preferable to use it.
プリプレグ形成基材へのポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスの含浸量は、プリプレグ中のポリフェニレンエーテル樹脂組成物の含有量が40〜95質量%になるようにするのが好ましい。前記割合が40質量%未満の場合には、成形時にボイド・カスレを生じる危険性があり、95質量%以上を得ることは困難なため、実質的な上限はこの値となる。 The prepreg-forming base material is preferably impregnated with the varnish of the polyphenylene ether resin composition so that the content of the polyphenylene ether resin composition in the prepreg is 40 to 95% by mass. If the proportion is less than 40% by mass, there is a risk of voids and scumming during molding, and it is difficult to obtain 95% by mass or more, so the substantial upper limit is this value.
本発明のプリプレグを製造する方法としては、例えば、前記ポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスをプリプレグ形成基材に含浸させた後乾燥する方法が挙げられる。含浸は浸漬(ディッピング)、塗布等によって行われる。含浸は必要に応じて複数回繰り返すことも可能であり、またこの際組成や濃度の異なる複数の溶液を用いて含浸を繰り返し、最終的に希望とする組成及び樹脂量に調整することも可能である。 Examples of the method for producing the prepreg of the present invention include a method in which a prepreg-forming base material is impregnated with a varnish of the polyphenylene ether resin composition and then dried. Impregnation is performed by dipping or coating. Impregnation can be repeated a plurality of times as necessary.In this case, the impregnation can be repeated using a plurality of solutions having different compositions and concentrations, and finally the desired composition and resin amount can be adjusted. is there.
前記ポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスが含浸された基材は、所望の加熱条件、例えば、80〜150℃で1〜10分間加熱されることによりプリプレグとなる。 The base material impregnated with the varnish of the polyphenylene ether resin composition becomes a prepreg by being heated at a desired heating condition, for example, at 80 to 150 ° C. for 1 to 10 minutes.
本発明の積層体は前記プリプレグを用いて製造される。すなわち、前記プリプレグを一枚または複数枚重ね、さらにその上下の両面又は片面に銅箔等の金属箔を重ね、これを加熱加圧成形して積層一体化することによって、両面金属箔張り又は片面金属箔張りの積層体を作製することができるものである。 The laminate of the present invention is produced using the prepreg. That is, one or a plurality of the prepregs are stacked, and a metal foil such as a copper foil is stacked on both upper and lower surfaces or one surface of the prepreg. A metal foil-clad laminate can be produced.
そしてこのようにして作製した積層体の表面の金属箔をエッチング加工等して回路形成をすることによって、積層体の表面に回路として導体パターンを設けたプリント配線板を得ることができるものである。このように得られるプリント配線板は、上記の積層体を用いて形成されているので、誘電特性に優れており、また、信頼性、特に絶縁信頼性が改良されたものである。 Then, by forming a circuit by etching the metal foil on the surface of the laminate thus produced, a printed wiring board having a conductor pattern as a circuit on the surface of the laminate can be obtained. . Since the printed wiring board thus obtained is formed using the above laminate, it has excellent dielectric characteristics and improved reliability, particularly insulation reliability.
さらに、本発明の積層体を内層用のプリント配線板として用い、導体パターンの金属箔に表面処理を施した後、本発明のプリプレグを介して複数枚のプリント配線板を重ねると共に、その最外層に本発明のプリプレグを介して金属箔を重ね、これを加熱加圧成形して積層一体化することによって、誘電特性に優れており、絶縁信頼性に優れた多層プリント配線板が得られる。 Furthermore, after using the laminate of the present invention as a printed wiring board for an inner layer, and applying a surface treatment to the metal foil of the conductor pattern, a plurality of printed wiring boards are stacked through the prepreg of the present invention, and the outermost layer thereof A multilayer printed wiring board having excellent dielectric characteristics and excellent insulation reliability can be obtained by stacking metal foils through the prepreg of the present invention and then heat-pressing and laminating and integrating them.
以下に本発明を実施例により、さらに具体的に説明する。なお、本発明は実施例になんら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. The present invention is not limited to the examples.
なお、本実施例で用いられた主な原材料を以下にまとめて示す。 The main raw materials used in this example are summarized below.
高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂:数平均分子量14000のポリフェニレンエーテル(日本ジーイープラスチックス(株)製の「ノリルPX9701」)
フェノール種:ビスフェノールA
分解過酸化物:t−ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネート(日本油脂(株)製の「パーブチルI」)
ナフテン酸コバルト溶液:トルエンに溶解された8%溶液
反応開始剤:ジ(t−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン(日本油脂(株)製の「パーブチル P」)
プリプレグ形成基材:日東紡績(株)製のガラスクロス「WEA116E」
シリカバルーン:平均粒径3μm、SiO2含有率 98質量%以上、平均中空率50質量%のシリカバルーンである電気化学工業(株)製のサンプル名「DBS−0340」
ガラスバルーンI:平均粒径10μm、SiO2含有率55質量%、平均中空率50体積%のガラスバルーンであるポッターズバロティーニ社製の品番「HSC110」
ガラスバルーンII:平均粒径40μm、SiO2含有率70質量%、平均中空率80体積%のガラスバルーンである住友スリーエム(株)製の商品名「グラスバブルスS38」
球状シリカ:平均粒径0.5μmのアドマテックス製の品番「SO25R」
High molecular weight polyphenylene ether resin: Polyphenylene ether having a number average molecular weight of 14,000 (“Noryl PX9701” manufactured by GE Plastics, Inc.)
Phenol species: bisphenol A
Decomposed peroxide: t-butylperoxyisopropyl monocarbonate (“Perbutyl I” manufactured by NOF Corporation)
Cobalt naphthenate solution: 8% solution dissolved in toluene Reaction initiator: Di (t-butylperoxyisopropyl) benzene ("Perbutyl P" manufactured by NOF Corporation)
Prepreg forming substrate: Glass cloth “WEA116E” manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd.
Silica balloon: Sample name “DBS-0340” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., which is a silica balloon having an average particle diameter of 3 μm, an SiO 2 content of 98% by mass or more, and an average hollowness of 50% by mass.
Glass balloon I: Product number “HSC110” manufactured by Potters Ballotini, which is a glass balloon having an average particle size of 10 μm, an SiO 2 content of 55% by mass, and an average hollowness of 50% by volume
Glass balloon II: trade name “Glass Bubbles S38” manufactured by Sumitomo 3M Limited, which is a glass balloon having an average particle size of 40 μm, an SiO 2 content of 70% by mass and an average hollowness of 80% by volume.
Spherical silica: Product number “SO25R” manufactured by Admatechs with an average particle size of 0.5 μm
また、本実施例における評価方法を以下にまとめて示す。
(誘電率・誘電正接)
JIS C6481に基づいて後述する両面銅張積層体Iの1GHzにおける誘電特性を測定した。
(熱膨張率)
後述する両面銅張積層体Iの表裏の銅箔をエッチングして試験片を作製し、前記試験片を用いてTMA測定装置(セイコーインスツルメント(株)製)を用いて75〜120℃の昇温時における熱膨張率を測定した。
(難燃性)
UL−94の難燃性試験方法に準じて、難燃性を評価した。
(PCTはんだ耐熱性)
後述する両面銅張積層体Iの表裏の銅箔をエッチングし、それをプレッシャークッカ−処理(121℃、湿度100%、2〜4時間処理)した。そして前記処理後の両面銅張積層体を260℃のはんだ浴に20秒間浸漬した後、膨れ等の外観異常が発生しない時間を評価した。
(絶縁信頼性)
後述する両面銅張積層体IIをプレッシャークッカ−処理(110℃、湿度85%、100時間処理)した。
そして前記処理後の両面銅張積層体を抵抗値測定し、抵抗値が108Ω以上の場合を○、抵抗値が108未満の場合を×と評価した。
(プリプレグの外観観察)
得られたプリプレグの外観を目視で観察し、凹凸が全く発生しなかったものを○、凹凸が少し発生したものを△、凹凸が多く発生したものを×と評価した。
Moreover, the evaluation method in a present Example is shown collectively below.
(Dielectric constant / dielectric loss tangent)
Based on JIS C6481, the dielectric property in 1 GHz of the double-sided copper clad laminated body I mentioned later was measured.
(Coefficient of thermal expansion)
A test piece is prepared by etching the copper foils on the front and back sides of a double-sided copper clad laminate I, which will be described later, and the test piece is used at a temperature of 75 to 120 ° C. using a TMA measuring device (manufactured by Seiko Instruments Inc.). The coefficient of thermal expansion at the time of temperature increase was measured.
(Flame retardance)
Flame retardancy was evaluated according to the flame retardancy test method of UL-94.
(PCT solder heat resistance)
The copper foils on the front and back sides of the double-sided copper clad laminate I described later were etched and subjected to pressure cooker treatment (121 ° C., humidity 100%, treatment for 2 to 4 hours). Then, after the treated double-sided copper clad laminate was immersed in a solder bath at 260 ° C. for 20 seconds, the time during which no abnormal appearance such as swelling occurred was evaluated.
(Insulation reliability)
A double-sided copper clad laminate II described later was subjected to a pressure cooker treatment (110 ° C., humidity 85%, treatment for 100 hours).
And the resistance value of the double-sided copper clad laminate after the treatment was measured, and the case where the resistance value was 10 8 Ω or more was evaluated as “◯”, and the case where the resistance value was less than 10 8 was evaluated as “X”.
(Appearance observation of prepreg)
The appearance of the obtained prepreg was visually observed. The case where no unevenness was generated was evaluated as “◯”, the case where a small amount of unevenness was generated as “Δ”, and the case where many unevenness was generated as “X”.
〈実施例1〉
(高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂の低分子化)
トルエン200gを攪拌装置及び攪拌羽根を装備した2000mLのフラスコに入れた。前記フラスコを内温80℃に制御しながら、高分子量ポリフェニレンエーテル樹脂100g、ビスフェノールA 4.3g、分解過酸化物「パーブチルI」 2.94g及びナフテン酸コバルト溶液0.0042gを入れ、高分子量ポリフェニレンエーテルが完全に溶解するまで攪拌することにより、低分子量ポリフェニレンエーテル樹脂を調製した。
<Example 1>
(Low molecular weight high molecular weight polyphenylene ether resin)
200 g of toluene was placed in a 2000 mL flask equipped with a stirrer and a stirring blade. While controlling the flask at an internal temperature of 80 ° C., 100 g of high molecular weight polyphenylene ether resin, 4.3 g of bisphenol A, 2.94 g of decomposed peroxide “Perbutyl I” and 0.0042 g of cobalt naphthenate solution were added. A low molecular weight polyphenylene ether resin was prepared by stirring until the ether was completely dissolved.
前記得られた低分子量ポリフェニレンエーテルを多量のメタノールで再沈殿させ、不純物を除去して、減圧下80℃で3時間乾燥してトルエンを完全に除去した。 The low molecular weight polyphenylene ether obtained was reprecipitated with a large amount of methanol to remove impurities, and dried at 80 ° C. under reduced pressure for 3 hours to completely remove toluene.
(低分子量ポリフェニレンエーテル樹脂のエテニルベンジル化)
温度調節器、撹拌装置、冷却設備及び滴下ロートを備えた1Lの3つ口フラスコに前記低分子量ポリフェニレンエーテル樹脂を200g、クロロメチルスチレン(p−クロロメチルスチレンとm−クロロメチルスチレンの比が1:1;東京化成工業(株)製)15g、テトラ−n−ブチルアンモニウムブロマイド0.8g、トルエン400gを仕込み、撹拌溶解し、液温を75℃にし、水酸化ナトリウム水溶液(水酸化ナトリウム10g/水10g)を20分間で滴下し、さらに75℃で4時間撹拌を続けた。次に、10%塩酸水溶液でフラスコ内容物を中和した後、多量のメタノールを追加し、エテニルベンジル化したポリフェニレンエーテルを沈殿物として得た。前記沈殿物のろ過物をメタノール80と水20の比率の混合液で3回洗浄した後、減圧下80℃/3時間処理することで、溶剤や水分を除去したエテニルベンジル化されたポリフェニレンエーテル樹脂を取り出した。
(Ethenylbenzylation of low molecular weight polyphenylene ether resin)
200 g of the low-molecular-weight polyphenylene ether resin in a 1 L three-necked flask equipped with a temperature controller, a stirrer, a cooling facility, and a dropping funnel, chloromethylstyrene (ratio of p-chloromethylstyrene and m-chloromethylstyrene is 1) : 1; Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. (15 g), tetra-n-butylammonium bromide 0.8 g and toluene 400 g were charged, dissolved by stirring, the liquid temperature was adjusted to 75 ° C., and an aqueous sodium hydroxide solution (sodium hydroxide 10 g / Water (10 g) was added dropwise over 20 minutes, and stirring was further continued at 75 ° C. for 4 hours. Next, after neutralizing the contents of the flask with a 10% aqueous hydrochloric acid solution, a large amount of methanol was added to obtain ethenylbenzylated polyphenylene ether as a precipitate. The precipitate filtrate is washed three times with a mixture of methanol 80 and water 20 and then treated at 80 ° C. for 3 hours under reduced pressure to remove ethenylbenzylated polyphenylene ether from which solvent and water have been removed. The resin was removed.
得られたエテニルベンジル化されたポリフェニレンエーテル樹脂の数平均分子量をGPCで測定したところ、数平均分子量(Mn)が4200であり、分子量分布(Mw/Mn)は1.5であった。なお、前記数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフ(GPC)により、TSK guard column HXL-4 G4000HXL 1本、G3000HXL 1本、G2000HXL 1本、 G1000HXL 2本のカラムを用いて測定した。 When the number average molecular weight of the obtained ethenylbenzylated polyphenylene ether resin was measured by GPC, the number average molecular weight (Mn) was 4200 and the molecular weight distribution (Mw / Mn) was 1.5. Incidentally, the number average molecular weight by gel permeation chromatography (GPC), TSK guard column H XL -4 G4000HXL 1 present, one G3000HXL, one G2000HXL, was measured using a column of two G1000HXL.
(プリプレグの製造)
前記エテニルベンジル化されたポリフェニレンエーテル樹脂 70質量部を70℃に制御されたトルエン100質量部中で30分間撹拌して溶解させた。その後、反応開始剤「パーブチル P」 2質量部、トリアリルイソシアヌレート(TAIC) 30質量部を添加して室温まで冷却した。次に、シリカバルーン 15質量部及び難燃剤「デカブロモジフェニルエタン」(アルベマール浅野(株)製、商品名「SAYTEX 8010」、Br含有量82質量%) 18質量部を添加して、30分間3000rpmで撹拌して樹脂ワニスを作製した。
次に得られた樹脂ワニスをプリプレグ形成基材に含浸させた後、130℃で3分間の条件で加熱乾燥することにより溶媒を除去し、樹脂含有量51質量%のプリプレグを得た。
(Manufacture of prepreg)
70 parts by mass of the ethenylbenzylated polyphenylene ether resin was dissolved in 100 parts by mass of toluene controlled at 70 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 2 parts by mass of a reaction initiator “perbutyl P” and 30 parts by mass of triallyl isocyanurate (TAIC) were added and cooled to room temperature. Next, 15 parts by mass of silica balloon and 18 parts by mass of flame retardant “decabromodiphenylethane” (manufactured by Albemarle Asano Co., Ltd., trade name “SAYTEX 8010”, Br content 82 mass%) are added, and 3000 rpm for 30 minutes. The resin varnish was prepared by stirring at
Next, after impregnating the obtained resin varnish into the prepreg-forming substrate, the solvent was removed by heating and drying at 130 ° C. for 3 minutes to obtain a prepreg having a resin content of 51 mass%.
(積層体の製造)
得られたプリプレグを6枚重ね、その両面に35μm厚の銅箔(ST箔)を配して、温度200℃、圧力3.0MPa(30kg/cm2)、180分間の成形条件で加熱加圧し、厚さ0.75mmの両面銅張積層板Iを得た。
(Manufacture of laminates)
Six prepregs obtained were stacked, 35 μm thick copper foil (ST foil) was placed on both sides, and heated and pressurized under the molding conditions of temperature 200 ° C., pressure 3.0 MPa (30 kg / cm 2 ), 180 minutes. A double-sided copper-clad laminate I having a thickness of 0.75 mm was obtained.
一方、得られたプリプレグ1枚の両面に35μm厚の銅箔(ST箔)を配して、温度200℃、圧力3.0MPa(30kg/cm2)、180分間の成形条件で加熱加圧し、厚さ0.13mmの両面銅張積層板IIを得た。 On the other hand, a 35 μm-thick copper foil (ST foil) was placed on both surfaces of one prepreg obtained, and heated and pressed under molding conditions of a temperature of 200 ° C., a pressure of 3.0 MPa (30 kg / cm 2 ), and 180 minutes, A double-sided copper-clad laminate II having a thickness of 0.13 mm was obtained.
得られたポリフェニレンエーテル樹脂組成物、両面銅張積層板I及び両面銅張積層板IIを用いて、前述の評価方法にしたがって評価した。結果を表1に示す。 The obtained polyphenylene ether resin composition, double-sided copper-clad laminate I and double-sided copper-clad laminate II were evaluated according to the evaluation method described above. The results are shown in Table 1.
〈実施例2,3及び比較例1,2〉
表1の配合比率でポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスを得た以外は実施例1と同様の方法でプリプレグ及び積層体を作製し、評価した。結果を表1に示す。
<Examples 2 and 3 and Comparative Examples 1 and 2>
A prepreg and a laminate were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the varnish of the polyphenylene ether resin composition was obtained at the blending ratio in Table 1. The results are shown in Table 1.
〈実施例4,5〉
表1の配合比率でポリフェニレンエーテル樹脂組成物のワニスを得た以外は実施例1と同様の方法でプリプレグ及び積層体を作製し、評価した。結果を表1に示す。
<Examples 4 and 5>
A prepreg and a laminate were prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the varnish of the polyphenylene ether resin composition was obtained at the blending ratio in Table 1. The results are shown in Table 1.
なお、実施例4で用いたシリカバルーンはシリカバルーンをシランカップリング剤のビニルトリメトキシシラン(信越化学工業(株)製の品番「KBM−1003」)で、実施例5で用いたシリカバルーンはシリカバルーンをシランカップリング剤のビニルトリエトキシシラン(信越化学工業(株)製の品番「KBE1003」)を用いて表面処理した。 The silica balloon used in Example 4 is vinyltrimethoxysilane (product number “KBM-1003” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a silane coupling agent, and the silica balloon used in Example 5 is The silica balloon was surface-treated using vinyltriethoxysilane (product number “KBE1003” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as a silane coupling agent.
表1の結果より平均粒径が3μmのシリカバルーンを含有するポリフェニレンエーテル樹脂組成物を用いて得られた実施例1〜5の両面銅張積層体の絶縁信頼性は全て○であったのに対し、平均粒径が10μmのガラスバルーンを用いた比較例1及び平均粒径が40μmのガラスバルーンを用いた比較例2の絶縁信頼性はどちらも×であった。このことから、本発明のポリフェニレンエーテル樹脂組成物を用いて得られる積層体の絶縁信頼性が優れていることがわかる。 Although the insulation reliability of the double-sided copper-clad laminates of Examples 1 to 5 obtained using the polyphenylene ether resin composition containing a silica balloon having an average particle diameter of 3 μm was all good from the results of Table 1, the insulation reliability was ○. On the other hand, the insulation reliability of Comparative Example 1 using a glass balloon having an average particle diameter of 10 μm and Comparative Example 2 using a glass balloon having an average particle diameter of 40 μm was x. This shows that the insulation reliability of the laminated body obtained using the polyphenylene ether resin composition of this invention is excellent.
また、実施例4,5のポリフェニレンエーテル樹脂組成物に含有されるシリカバルーンは表面がシランカップリング剤で処理されたものであるが、これらを用いた積層体は前記処理がされていないシリカバルーンを用いた実施例1〜3のポリフェニレンエーテル樹脂組成物を用いた積層体に比べてPCTはんだ耐熱性及びプリプレグ外観が優れていることがわかる。 Further, the silica balloons contained in the polyphenylene ether resin compositions of Examples 4 and 5 are those whose surfaces are treated with a silane coupling agent, but the laminate using these is a silica balloon that has not been treated. It can be seen that the heat resistance of the PCT solder and the appearance of the prepreg are superior to the laminates using the polyphenylene ether resin compositions of Examples 1 to 3.
Claims (6)
The laminated body formed by laminating | stacking the prepreg of Claim 5, and metal foil, and heat-compressing.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005244905A JP4561534B2 (en) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | Polyphenylene ether resin composition, prepreg and laminate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005244905A JP4561534B2 (en) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | Polyphenylene ether resin composition, prepreg and laminate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007056170A true JP2007056170A (en) | 2007-03-08 |
JP4561534B2 JP4561534B2 (en) | 2010-10-13 |
Family
ID=37919929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005244905A Active JP4561534B2 (en) | 2005-08-25 | 2005-08-25 | Polyphenylene ether resin composition, prepreg and laminate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4561534B2 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008031409A (en) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Low dielectric resin composition, prepreg, metal-clad laminate, printed circuit board |
US9051465B1 (en) | 2012-02-21 | 2015-06-09 | Park Electrochemical Corporation | Thermosetting resin composition containing a polyphenylene ether and a brominated fire retardant compound |
US9243164B1 (en) | 2012-02-21 | 2016-01-26 | Park Electrochemical Corporation | Thermosetting resin composition containing a polyphenylene ether and a brominated fire retardant compound |
JP2017075270A (en) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Prepreg |
JP2017141314A (en) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Prepreg |
JP2020023669A (en) * | 2018-08-03 | 2020-02-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Resin composition, and prepreg, film with resin, metal foil with resin, metal-clad laminate and wiring board using the same |
KR20200079508A (en) | 2017-11-24 | 2020-07-03 | 나믹스 가부시끼가이샤 | Thermosetting resin composition, insulating film, interlayer insulating film, multilayer wiring board, and semiconductor device |
CN113603883A (en) * | 2021-08-03 | 2021-11-05 | 珠海宏昌电子材料有限公司 | Modified polyphenyl ether, preparation method and application in high-frequency circuit board |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62121759A (en) * | 1985-08-27 | 1987-06-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Polyphenylene oxide resin composition and sheet composed of said resin composition |
JPH01263163A (en) * | 1988-04-15 | 1989-10-19 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Solar heat-shielding coating composition and structure coated therewith |
JPH02255860A (en) * | 1988-12-26 | 1990-10-16 | Nippon G Ii Plast Kk | Polyphenylene ether resin composition |
JPH03275761A (en) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Polyphenylene oxide resin composition and metal-plated laminate board |
JPH0491160A (en) * | 1990-08-07 | 1992-03-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Curable polyphenylene ether resin composition and composite material and laminated material using the same composition |
JPH0652716A (en) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Matsushita Electric Works Ltd | Complex dielectric and substrate for circuit |
JPH09111004A (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-28 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of composite material |
JP2000226509A (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Thermoplastic resin composition and laminate |
JP2001081305A (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-27 | Asahi Kasei Corp | Curable polyphenylene ether resin composition |
JP2003160726A (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Polyphenylene oxide resin composition, its production method, prepreg, laminated board, printed wiring board and multi-layered printed wiring board |
-
2005
- 2005-08-25 JP JP2005244905A patent/JP4561534B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62121759A (en) * | 1985-08-27 | 1987-06-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Polyphenylene oxide resin composition and sheet composed of said resin composition |
JPH01263163A (en) * | 1988-04-15 | 1989-10-19 | Nippon Steel Chem Co Ltd | Solar heat-shielding coating composition and structure coated therewith |
JPH02255860A (en) * | 1988-12-26 | 1990-10-16 | Nippon G Ii Plast Kk | Polyphenylene ether resin composition |
JPH03275761A (en) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Polyphenylene oxide resin composition and metal-plated laminate board |
JPH0491160A (en) * | 1990-08-07 | 1992-03-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Curable polyphenylene ether resin composition and composite material and laminated material using the same composition |
JPH0652716A (en) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Matsushita Electric Works Ltd | Complex dielectric and substrate for circuit |
JPH09111004A (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-28 | Matsushita Electric Works Ltd | Production of composite material |
JP2000226509A (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Thermoplastic resin composition and laminate |
JP2001081305A (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-27 | Asahi Kasei Corp | Curable polyphenylene ether resin composition |
JP2003160726A (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Polyphenylene oxide resin composition, its production method, prepreg, laminated board, printed wiring board and multi-layered printed wiring board |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008031409A (en) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Low dielectric resin composition, prepreg, metal-clad laminate, printed circuit board |
US9051465B1 (en) | 2012-02-21 | 2015-06-09 | Park Electrochemical Corporation | Thermosetting resin composition containing a polyphenylene ether and a brominated fire retardant compound |
US9243164B1 (en) | 2012-02-21 | 2016-01-26 | Park Electrochemical Corporation | Thermosetting resin composition containing a polyphenylene ether and a brominated fire retardant compound |
JP2017075270A (en) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Prepreg |
JP2017141314A (en) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Prepreg |
KR20200079508A (en) | 2017-11-24 | 2020-07-03 | 나믹스 가부시끼가이샤 | Thermosetting resin composition, insulating film, interlayer insulating film, multilayer wiring board, and semiconductor device |
KR102657819B1 (en) | 2017-11-24 | 2024-04-15 | 나믹스 가부시끼가이샤 | Thermosetting resin composition, insulating film, interlayer insulating film, multilayer wiring board, and semiconductor device |
JP2020023669A (en) * | 2018-08-03 | 2020-02-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Resin composition, and prepreg, film with resin, metal foil with resin, metal-clad laminate and wiring board using the same |
JP7300613B2 (en) | 2018-08-03 | 2023-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Resin composition, and prepreg, resin-coated film, resin-coated metal foil, metal-clad laminate, and wiring board using the same |
CN113603883A (en) * | 2021-08-03 | 2021-11-05 | 珠海宏昌电子材料有限公司 | Modified polyphenyl ether, preparation method and application in high-frequency circuit board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4561534B2 (en) | 2010-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5199569B2 (en) | Low dielectric resin composition, prepreg, metal-clad laminate, printed wiring board | |
JP4900314B2 (en) | Polyphenylene ether resin composition, prepreg, laminate | |
US11401393B2 (en) | Prepreg, metal-clad laminate, and wiring board | |
JP5465854B2 (en) | Polyphenylene ether resin composition, prepreg, metal-clad laminate, and printed wiring board | |
WO2016009611A1 (en) | Metal-clad laminate, method for producing same, metal foil with resin, and printed wiring board | |
US11820105B2 (en) | Prepreg, metal-clad laminate, and wiring board | |
JP2019023263A (en) | Resin composition, prepreg, film with resin, metal foil with resin, metal-clad laminate, and wiring board | |
JP2014152283A (en) | Resin composition, resin varnish, prepreg, metal-clad laminate and printed wiring board | |
JP6623640B2 (en) | Prepreg | |
JP6064275B2 (en) | Resin composition, resin varnish, prepreg, metal-clad laminate and printed wiring board | |
JP5297609B2 (en) | Polyphenylene ether resin composition, prepreg, and laminate | |
JP7082454B2 (en) | Prepregs, laminates and printed wiring boards | |
JP2014001277A (en) | Curable resin composition | |
JP4561534B2 (en) | Polyphenylene ether resin composition, prepreg and laminate | |
JP4747608B2 (en) | Prepreg and laminate containing polyphenylene resin composition | |
JP7054840B2 (en) | Polyphenylene ether resin composition, and prepregs, metal-clad laminates, and wiring boards using it. | |
WO2019065942A1 (en) | Prepreg, and metal-clad laminated board and wiring substrate obtained using same | |
JP2017141314A (en) | Prepreg | |
JP4300905B2 (en) | Polyphenylene ether resin composition, prepreg, laminate | |
JP5123477B2 (en) | Resin composition, prepreg, laminate | |
JP6724305B2 (en) | Prepreg | |
JP2003160726A (en) | Polyphenylene oxide resin composition, its production method, prepreg, laminated board, printed wiring board and multi-layered printed wiring board | |
JP2017047648A (en) | Copper-clad laminated sheet | |
JP2017157783A (en) | Printed wiring board | |
JP7422046B2 (en) | prepreg |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100706 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100719 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4561534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |