JP2006318192A - Electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、内部のメモリ等の負荷回路に電圧を供給する定電圧レギュレータを備えた、電子機器に関する。 The present invention relates to an electronic apparatus including a constant voltage regulator that supplies a voltage to a load circuit such as an internal memory.
携帯電話機等の電子機器に関しては、主電源を用いることができない場合であっても一時的に電力を供給することが可能な予備電源等が設けられている。たとえば、停電等により主電源を用いることができない場合には、予備電源に切り替えられてメモリ等に格納されたデータが消失しないようにする方式が採用されている。この点で、予備電源にも電力の限りがあるため停電等により供給する電源が停止するような場合には、メモリに格納されたデータを別の場所に退避させる技術が提案されている(特許文献1および2)。 For electronic devices such as mobile phones, there is a standby power supply that can temporarily supply power even when the main power supply cannot be used. For example, when the main power source cannot be used due to a power failure or the like, a method is adopted in which data stored in a memory or the like is not lost by switching to a standby power source. In this regard, a technology has been proposed in which the data stored in the memory is saved to another location when the power to be supplied is stopped due to a power failure or the like because the power of the standby power is also limited (patent) References 1 and 2).
一方、携帯電話機等の電子機器の電源等の消費電力の向上も重要な問題となっている。特に携帯電話機等においては、主電源および予備電源等に用いるスペース等にも限りがあるため低消費電力な機器が求められ、現在の携帯電話機等の電子機器においては従来と比べて飛躍的に電力の寿命が向上している。
しかしながら、低消費電力な機器は、低電圧動作あるいは低消費電流の回路構成であるため高速な動作が困難となる場合がある。 However, a device with low power consumption may be difficult to operate at high speed because of a circuit configuration with low voltage operation or low current consumption.
図3は、メモリ等を駆動するための電源系統を説明する概念図である。
図3を参照して、本例においては、負荷回路としてたとえばバックアップSRAM5(メモリ)が示されている。そして、メモリに安定的に電圧を供給する定電圧レギュレータ10が設けられている。また、主電源V0と予備電源V1とがそれぞれ独立に設けられており、スイッチSWにおいて制御信号CNの入力を受けて主電源V0と予備電源V1との切り替えが制御される。また、システム電源20は、主電源V0を受けて各回路に対して必要とされる電圧をそれぞれ供給する。ここでは、バックアップSRAM5であるメモリを駆動するための電圧(2.85V)を定電圧レギュレータ10に供給する場合が示されている。なお、定電圧レギュレータ10は、2.85Vの電圧の供給を受けて、降圧して1.8Vの定電圧となるように設計されているものとする。なお、キャパシタC0〜C2は、それぞれノイズキャンセラとして設けられている。
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a power supply system for driving a memory or the like.
Referring to FIG. 3, in this example, for example, a backup SRAM 5 (memory) is shown as a load circuit. A
図4は、定電圧レギュレータ10の回路構成図である。
図4を参照して、定電圧レギュレータ10は、トランジスタTR1と、コンパレータCPと、抵抗R0,R1とを含む。トランジスタTR1は、一例としてP型電界効果型トランジスタとする。
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of the
Referring to FIG. 4,
トランジスタTR1のソース側は、システム電源20からの高電圧(2.85V)を受ける。また、ドレイン側は定電圧が供給される電源ノードNdと接続される。ゲート側はコンパレータCPの出力ノードと接続される。コンパレータCPは、基準電圧Vrefと、抵抗R0,R1による定電圧の抵抗分割に基づく電圧とを比較して比較結果に応じてトランジスタTR1のゲートに対してゲート電圧を出力する。
The source side of the transistor TR1 receives a high voltage (2.85 V) from the
ここで、この定電圧レギュレータ10においては、低消費電力型の定電圧レギュレータが用いられているものとし、その動作について説明する。本例においては1μA程度の動作電流で動作するものとする。
Here, in this
このような1μA程度の低消費電力型の定電圧レギュレータの場合にバックアップSRAM5に電源供給する場合を考える。
Consider a case where power is supplied to the
バックアップSRAMであるメモリに対してアクセスを開始すると駆動電流が必要になり、SRAM入力電圧である電源ノードNdの電圧レベルが降下する。これに伴い、定電圧レギュレータ10は電流供給を開始して電圧の復元をしに行くが、定電圧レギュレータ10の電流供給の開始、停止にそれぞれ応答速度があるためSRAM入力電圧(電圧Vout)を復元しに行く場合に規定の1.8Vを越えて1.9V付近にまで電圧が浮き上がるという問題が生じる。
When access to the memory that is the backup SRAM is started, a drive current is required, and the voltage level of the power supply node Nd that is the SRAM input voltage drops. Along with this, the
図5は、SRAM入力電圧が1.8Vと1.9Vの場合にバックアップSRAM5に対するアクセス時の動作を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining the operation when accessing the
図5に示されるようにこの浮き上がりは、SRAM入力電圧が1.9V程度付近のままメモリのアクセスが開始されると、定電圧レギュレータ10の電流供給の開始タイミングの遅れの度合が大きくなる。
As shown in FIG. 5, when the memory access is started while the SRAM input voltage is in the vicinity of about 1.9 V, the degree of delay in the current supply start timing of the
図6は、電流供給開始遅延時間について説明する図である。
図6に示されるように1.9Vの方が1.8Vの場合と比較して遅延時間が延びることが示されている。
FIG. 6 is a diagram for explaining the current supply start delay time.
As shown in FIG. 6, it is shown that the delay time is longer at 1.9V than at 1.8V.
図7は、定電圧レギュレータ10の出力電圧Voutおよびゲート電圧Gの変化を説明する図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining changes in the output voltage Vout and the gate voltage G of the
図7(a),(b)に示されるようにたとえば、ゲート電圧Gは、2.15Vから2.0Vにするまでにそれほど時間はかからないが、2.85Vから2.0Vにする場合には、より長い時間がかかるからである。これは、ソース−ゲート間の寄生容量が影響するものである。 As shown in FIGS. 7A and 7B, for example, the gate voltage G does not take much time from 2.15V to 2.0V, but in the case of 2.85V to 2.0V. Because it takes longer time. This is affected by the parasitic capacitance between the source and the gate.
具体的には、定電圧レギュレータの電流供給の開始タイミングが120μS程度となり、電圧の下降に追いつかないため、SRAM入力電圧が下限値(1.295V)より低下し、CPUへのデータ読込が不可能となる可能性がある。 Specifically, the current supply start timing of the constant voltage regulator is about 120 μS and cannot catch up with the voltage drop, so the SRAM input voltage falls below the lower limit (1.295 V), and data cannot be read into the CPU. There is a possibility.
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであって、低消費型の定電圧レギュレータを用いた場合であっても浮き上がりを抑制し、適切な回路動作を補償する電子機器を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and suppresses floating even when a low-consumption type constant voltage regulator is used, thereby compensating for appropriate circuit operation. The purpose is to provide.
本発明に係る電子機器は、メモリと、システム電源と接続されて高電圧の供給を受け、降圧してメモリを駆動するための駆動電圧を電源ノードに対して安定的に供給するように制御する定電圧レギュレータとを備える。定電圧レギュレータは、消費電力を低くするために動作電流を小さくした低消費電力型低電圧レギュレータである。定電圧レギュレータの制御に伴う電源ノードに供給される電圧の浮き上がりを調整するための調整回路と、メモリに対してアクセスするとともに、メモリに対してアクセスする前に調整回路に電源ノードの電圧を調整するように指示する制御回路とをさらに備える。 The electronic device according to the present invention is connected to a memory and a system power supply to receive a high voltage, and controls to stably supply a driving voltage for driving the memory by stepping down the voltage. And a constant voltage regulator. The constant voltage regulator is a low power consumption type low voltage regulator in which an operating current is reduced in order to reduce power consumption. An adjustment circuit for adjusting the rise of the voltage supplied to the power supply node when the constant voltage regulator is controlled, and accessing the memory and adjusting the voltage of the power supply node to the adjustment circuit before accessing the memory And a control circuit for instructing to do so.
好ましくは、ソース側がシステム電源と接続され、ドレイン側が電源ノードと接続された電界効果型トランジスタと、電源ノードに供給される電圧と基準電圧との比較に基づいて電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御するコンパレータとを含む。 Preferably, the field effect transistor whose source side is connected to the system power supply and whose drain side is connected to the power supply node, and the gate voltage of the field effect transistor is controlled based on the comparison between the voltage supplied to the power supply node and the reference voltage Comparator.
好ましくは、調整回路は、制御回路からの制御信号に応答して電源ノードと固定電圧との間を電気的に結合するスイッチ素子を含む。 Preferably, the adjustment circuit includes a switch element that electrically couples between the power supply node and the fixed voltage in response to a control signal from the control circuit.
本発明に係る電子機器は、メモリに対してアクセスする前に調整回路に電源ノードの電圧を調整するように指示する制御回路を備える。したがって、電源ノードに供給される電圧の浮き上がりを調整することが可能となり、浮き上がりによる動作の遅延等を抑制して適切な回路動作を補償することが可能となる。 The electronic apparatus according to the present invention includes a control circuit that instructs the adjustment circuit to adjust the voltage of the power supply node before accessing the memory. Therefore, it is possible to adjust the rise of the voltage supplied to the power supply node, and it is possible to compensate for an appropriate circuit operation by suppressing an operation delay caused by the rise.
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付し、その説明は繰返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
図1は、本発明の実施の形態に従う電源系統を説明する図である。
図1を参照して、本発明の実施の形態に従う電源系統は、図3で説明した電源系統と比較して調整回路15をさらに設けた点が異なる。その他の点は図3で説明したのと同様であるのでその詳細な説明は繰り返さない。
FIG. 1 is a diagram illustrating a power supply system according to an embodiment of the present invention.
Referring to FIG. 1, the power supply system according to the embodiment of the present invention is different from the power supply system described in FIG. 3 in that
具体的には、調整回路15は、抵抗16と、トランジスタ17とを含む。トランジスタ17のソース側は抵抗16を介して電源ノードNdと接続される。また、ドレイン側は接地(固定)電圧GNDと接続される。そして、ゲート側は、CPU7からの制御信号ENの入力を受ける。
Specifically, the
調整回路15は、CPU7からの制御信号EN(「H」レベル)の入力に応答して動作する。具体的には、トランジスタ17がオンして抵抗16を介して電源ノードNdと接地電圧GNDとが電気的に結合される。したがって、たとえば、電源ノードNdにおいて上述した1.9V等の浮き上がりが生じる場合であっても制御信号ENを調整回路15に入力することにより放電されて電源ノードNdを所望の電圧レベルに下げることが可能となる。
The
図2は、CPU7がバックアップSRAM5をアクセスする場合のタイミングチャート図である。
FIG. 2 is a timing chart when the
図2を参照して、たとえば時刻T1において、CPU7がアクセスするものとする。すなわち、CPU7がアクセスコマンドを実行しているものとする。ここでは、時刻T1〜T3までの期間(コマンドASが「H」レベルの期間)、バックアップSRAM5であるメモリに対してアクセスされている場合が示されている。
Referring to FIG. 2, for example, at time T1,
そして、バックアップSRAMのアクセスに伴い駆動電流としてSRAM電流が流れる。 Then, an SRAM current flows as a drive current with access to the backup SRAM.
これに伴い、定電圧レギュレータ10の出力電圧Voutが1.8Vから降下する。降下し始めてから60μs後の時刻T2においてレギュレータ供給電流が流れてレギュレータの出力電圧が所期の値となるように制御される。なお、ここで60μsは、定電圧レギュレータの電流供給の開始に対する応答速度の遅延によるものである。
Along with this, the output voltage Vout of the
時刻T3において、バックアップSRAM5へのアクセスが終了するが、その後、定電圧レギュレータの停止に対する応答速度の遅延があるためレギュレータの出力電圧は1.9Vに浮き上がることになる。ここまでは、従来構成と同様である。
At time T3, access to the
そして、次に時刻T5において、バックアップSRAM5へのアクセスが終了後、次にバックアップSRAMにアクセスする前にCPU7は、制御信号EN(「H」レベル)を出力する。これに伴い、時刻T6において、電源ノードNdは接地電圧GNDと電気的に結合されて放電される。具体的には、調整回路電流が流れて定電圧レギュレータ10の出力電圧Voutが所期の1.8Vにまで降下することになる。これにより次回、CPU7によるバックアップSRAM5のアクセスがある場合においても、レギュレータ出力電圧Voutは所期の値である1.8Vに調整されているためバックアップSRAM5をアクセスした場合であっても従来構成で説明したように下限値を下回ることもなく、CPUへの読込動作も可能となるため適切な回路動作を補償することが可能となる。なお、次のバックアップSRAMのアクセスの際にも同様の手順で処理することが可能である。
Next, at time T5, after the access to the
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
5 バックアップSRAM、7 CPU、10 定電圧レギュレータ、15 調整回路、16 抵抗、17 トランジスタ、20 システム電源。 5 Backup SRAM, 7 CPU, 10 constant voltage regulator, 15 adjustment circuit, 16 resistor, 17 transistor, 20 system power supply.
Claims (3)
システム電源と接続されて高電圧の供給を受け、降圧して前記メモリを駆動するための駆動電圧を電源ノードに対して安定的に供給するように制御する定電圧レギュレータとを備え、
前記定電圧レギュレータは、消費電力を低くするために動作電流を小さくした低消費電力型低電圧レギュレータであり、
前記定電圧レギュレータの制御に伴う前記電源ノードに供給される電圧の浮き上がりを調整するための調整回路と、
前記メモリに対してアクセスするとともに、前記メモリに対してアクセスする前に前記調整回路に前記電源ノードの電圧を調整するように指示する制御回路とをさらに備える、電子機器。 Memory,
A constant voltage regulator that is connected to a system power supply, receives a high voltage supply, and controls the power supply node to stably supply a drive voltage for driving the memory by reducing the voltage;
The constant voltage regulator is a low power consumption type low voltage regulator in which an operating current is reduced in order to reduce power consumption,
An adjustment circuit for adjusting the rise of the voltage supplied to the power supply node accompanying the control of the constant voltage regulator;
An electronic device further comprising: a control circuit that accesses the memory and instructs the adjustment circuit to adjust a voltage of the power supply node before accessing the memory.
前記電源ノードに供給される電圧と基準電圧との比較に基づいて前記電界効果型トランジスタのゲート電圧を制御するコンパレータとを含む、請求項1記載の電子機器。 A field effect transistor having a source side connected to the system power supply and a drain side connected to the power supply node;
The electronic apparatus according to claim 1, further comprising: a comparator that controls a gate voltage of the field effect transistor based on a comparison between a voltage supplied to the power supply node and a reference voltage.
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