JP2006310588A - Substrate-holding device and exposure device, and device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を保持する基板保持装置、液体を介して基板を露光する露光装置、並びにデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate holding apparatus that holds a substrate, an exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid, and a device manufacturing method.
半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投影露光する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを保持するマスクステージと基板を保持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に投影露光するものである。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれており、その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献に開示されているような、基板上に液体の液浸領域を形成し、その液浸領域の液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
液体が基板と基板ステージとの間のギャップ等を介して基板の裏面側に浸入すると、様々な不具合が発生する可能性がある。例えば基板の裏面側に浸入した液体によって基板の裏面が濡れると、基板ホルダ(基板保持装置)で基板を良好に保持できなくなる虞がある。あるいは、所定の搬送系を使って基板ホルダから基板を搬出(アンロード)する際、濡れた基板の裏面を保持した搬送系に液体が付着したり、搬送経路に液体が飛散する等、被害が拡大する虞もある。 If the liquid enters the back side of the substrate through a gap between the substrate and the substrate stage, various problems may occur. For example, when the back surface of the substrate is wetted by the liquid that has entered the back surface of the substrate, the substrate holder (substrate holding device) may not be able to hold the substrate satisfactorily. Alternatively, when unloading the substrate from the substrate holder using a predetermined transport system, liquid may adhere to the transport system that holds the back side of the wet substrate, or liquid may be scattered on the transport path. There is also a risk of expansion.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板の裏面側に液体が浸入することを抑制することができる基板保持装置及び露光装置、その露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and includes a substrate holding apparatus and an exposure apparatus that can prevent liquid from entering the back side of the substrate, and a device manufacturing method using the exposure apparatus. The purpose is to provide.
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。 In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following configurations corresponding to the respective drawings shown in the embodiments. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
本発明の第1の態様に従えば、露光光(EL)が照射される基板(P)を保持する基板保持装置であって、基材(PHB)と、基材(PHB)上に形成され、基板(P)の裏面(Pb)を支持する支持部(30)と、基材(PHB)上に形成され、基板(P)の裏面(Pb)に対向し、支持部(30)を囲むように設けられた第1周壁部(31)と、基材(PHB)上に形成され、基板(P)の裏面(Pb)に対向し、第1周壁部(31)を囲むように設けられた第2周壁部(34)と、第1周壁部(31)と第2周壁部(34)と基板(P)の裏面(Pb)とで囲まれた所定空間(V3)に気体を供給する給気口(42)と、所定空間(V3)の気体を排出する排気口(52)とを備えた基板保持装置(PH)が提供される。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate holding device for holding a substrate (P) irradiated with exposure light (EL), which is formed on a base material (PHB) and a base material (PHB). The support part (30) that supports the back surface (Pb) of the substrate (P) and the base material (PHB) are formed, face the back surface (Pb) of the substrate (P), and surround the support part (30). Formed on the base material (PHB), facing the back surface (Pb) of the substrate (P) and surrounding the first peripheral wall portion (31). The gas is supplied to a predetermined space (V3) surrounded by the second peripheral wall (34), the first peripheral wall (31), the second peripheral wall (34), and the back surface (Pb) of the substrate (P). There is provided a substrate holding device (PH) including an air supply port (42) and an exhaust port (52) for discharging gas in a predetermined space (V3).
本発明の第1の態様によれば、第1周壁部と第2周壁部と基板の裏面とで囲まれた所定空間に気体を供給する給気口と、所定空間の気体を排出する排気口とを設けたので、基板の裏面側に液体が浸入することを抑制することができる。 According to the first aspect of the present invention, the air supply port that supplies gas to the predetermined space surrounded by the first peripheral wall portion, the second peripheral wall portion, and the back surface of the substrate, and the exhaust port that discharges the gas in the predetermined space Therefore, it is possible to prevent liquid from entering the back side of the substrate.
本発明の第2の態様に従えば、上記態様の基板保持装置(PH)を有し、該基板保持装置(PH)に保持された基板(P)を液体(LQ)を介して露光する露光装置(EX)が提供される。 According to the second aspect of the present invention, the exposure includes the substrate holding device (PH) of the above aspect and exposes the substrate (P) held by the substrate holding device (PH) through the liquid (LQ). An apparatus (EX) is provided.
本発明の第2の態様によれば、基板の裏面側に液体が浸入することを抑制することができるので、基板を良好に露光することができる。 According to the second aspect of the present invention, since the liquid can be prevented from entering the back side of the substrate, the substrate can be exposed satisfactorily.
本発明の第3の態様に従えば、上記態様の露光装置(EX)を用いるデバイス製造方法が提供される。 According to the third aspect of the present invention, a device manufacturing method using the exposure apparatus (EX) of the above aspect is provided.
本発明の第3の態様によれば、基板を良好に露光することができる露光装置を使ってデバイスを製造することができる。 According to the third aspect of the present invention, a device can be manufactured by using an exposure apparatus that can satisfactorily expose a substrate.
本発明によれば、基板の裏面側に液体が浸入することを抑制することができ、基板を良好に露光することができる。 According to the present invention, liquid can be prevented from entering the back side of the substrate, and the substrate can be exposed satisfactorily.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto.
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージMSTと、基板Pを保持する基板ホルダPHと、基板Pを保持した基板ホルダPHを移動可能な基板ステージPSTと、マスクステージMSTに保持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターン像を基板P上に投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置CONTとを備えている。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX according to the first embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX includes a mask stage MST that can move while holding a mask M, a substrate holder PH that holds a substrate P, a substrate stage PST that can move a substrate holder PH that holds a substrate P, Illumination optical system IL for illuminating mask M held on mask stage MST with exposure light EL, projection optical system PL for projecting a pattern image of mask M illuminated with exposure light EL onto substrate P, and exposure apparatus And a control device CONT for controlling the overall operation of EX.
本実施形態の露光装置EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系PLの像面近傍における露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすための液浸機構1を備えている。液浸機構1は、光路空間K1の近傍に設けられ、液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22を有するノズル部材70と、供給管13、及びノズル部材70に設けられた供給口12を介して液体LQを供給する液体供給装置11と、ノズル部材70に設けられた回収口22、及び回収管23を介して液体LQを回収する液体回収装置21とを備えている。ノズル部材70は、基板P(基板ホルダPH)の上方において、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い最終光学素子LS1を囲むように環状に形成されている。
The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which an immersion method is applied in order to substantially shorten the exposure wavelength to improve the resolution and substantially widen the depth of focus. A
また、本実施形態の露光装置EXは、投影光学系PLの投影領域ARを含む基板P上の一部の領域に、投影領域ARよりも大きく且つ基板Pよりも小さい液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板Pに転写している間、液浸機構1を使って、投影光学系PLの像面に最も近い最終光学素子LS1と、最終光学素子LS1と対向する位置に配置された基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たすことによって、基板P上に液体LQの液浸領域LRを形成し、投影光学系PLと液浸領域LRの液体LQとを介してマスクMを通過した露光光ELを基板P上に照射することによって、マスクMのパターン像を基板Pに投影する。制御装置CONTは、液浸機構1の液体供給装置11を使って液体LQを所定量供給するとともに、液体回収装置21を使って液体LQを所定量回収することで、光路空間K1を液体LQで満たし、基板P上の一部の領域に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。
Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment has an immersion region LR of the liquid LQ that is larger than the projection region AR and smaller than the substrate P in a part of the region on the substrate P including the projection region AR of the projection optical system PL. The local liquid immersion method is used to form the surface locally. The exposure apparatus EX uses the
なお、本実施形態においては、液浸領域LRは基板P上に形成されるものとして説明する場合があるが、投影光学系PLの像面側において、最終光学素子LS1と対向する位置に配置された物体上、例えば基板ホルダPHの一部や基板ステージPSTの一部などにも形成可能である。 In the present embodiment, the liquid immersion region LR may be described as being formed on the substrate P. However, the liquid immersion region LR is disposed at a position facing the final optical element LS1 on the image plane side of the projection optical system PL. For example, it can be formed on a part of the substrate holder PH or a part of the substrate stage PST.
本実施形態では、露光装置EXとしてマスクMと基板Pとを走査方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)をY軸方向、水平面内においてY軸方向と直交する方向をX軸方向(非走査方向)、X軸及びY軸方向に垂直で投影光学系PLの光軸AXと一致する方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材(レジスト)を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。 In the present embodiment, the exposure apparatus EX uses a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that exposes a pattern formed on the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in the scanning direction. An example will be described. In the following description, the synchronous movement direction (scanning direction) of the mask M and the substrate P in the horizontal plane is the Y-axis direction, the direction orthogonal to the Y-axis direction in the horizontal plane is the X-axis direction (non-scanning direction), the X-axis, and A direction perpendicular to the Y-axis direction and coincident with the optical axis AX of the projection optical system PL is defined as a Z-axis direction. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively. Here, the “substrate” includes a substrate in which a photosensitive material (resist) is coated on a base material such as a semiconductor wafer, and the “mask” includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate is formed.
照明光学系ILは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。照明光学系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。本実施形態においてはArFエキシマレーザ光が用いられる。 The illumination optical system IL includes an exposure light source, an optical integrator that equalizes the illuminance of a light beam emitted from the exposure light source, a condenser lens that collects the exposure light EL from the optical integrator, a relay lens system, and the exposure light EL. A field stop for setting an illumination area on the mask M is provided. A predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. The exposure light EL emitted from the illumination optical system IL is, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as bright lines (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp. Alternatively, vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used. In this embodiment, ArF excimer laser light is used.
本実施形態においては、液体LQとして純水が用いられている。純水は、ArFエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。 In the present embodiment, pure water is used as the liquid LQ. Pure water is not only ArF excimer laser light, but also, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as emission lines (g-line, h-line, i-line) emitted from a mercury lamp and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm). It can be transmitted.
マスクステージMSTは、マスクMを保持して移動可能である。マスクステージMSTは、マスクMを真空吸着(又は静電吸着)により保持する。マスクステージMSTは、制御装置CONTにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置MSTDの駆動により、マスクMを保持した状態で、投影光学系PLの光軸AXに垂直な平面内、すなわちXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微少回転可能である。マスクステージMST上には移動鏡91が設けられている。また、所定の位置にはレーザ干渉計92が設けられている。マスクステージMST上のマスクMの2次元方向の位置、及びθZ方向の回転角(場合によってはθX、θY方向の回転角も含む)は移動鏡91を使ってレーザ干渉計92によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計92の計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計92の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動し、マスクステージMSTに保持されているマスクMの位置制御を行う。
Mask stage MST is movable while holding mask M. Mask stage MST holds mask M by vacuum suction (or electrostatic suction). The mask stage MST is in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL in a state where the mask M is held by driving a mask stage driving device MSTD including a linear motor controlled by the control device CONT, that is, XY. It can move two-dimensionally in the plane and can rotate slightly in the θZ direction. A
投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率βで基板Pに投影するものであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。本実施形態において、投影光学系PLは、投影倍率βが例えば1/4、1/5、あるいは1/8の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、本実施形態においては、投影光学系PLを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い最終光学素子LS1は鏡筒PKより露出している。 The projection optical system PL projects the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification β, and is composed of a plurality of optical elements, which are held by a lens barrel PK. In the present embodiment, the projection optical system PL is a reduction system having a projection magnification β of, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. The projection optical system PL may be any one of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. In the present embodiment, among the plurality of optical elements constituting the projection optical system PL, the final optical element LS1 closest to the image plane of the projection optical system PL is exposed from the lens barrel PK.
基板ステージPSTは、基板Pを保持する基板ホルダPHを投影光学系PLの像面側において移動可能である。基板ステージPSTは、基板ホルダPHを支持した状態で、ベース部材BP上に移動可能に設けられている。基板ステージPSTは基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。基板ステージ駆動装置PSTDは制御装置CONTにより制御される。基板ステージ駆動装置PSTDは、例えばリニアモータ等を含んで構成され、基板ホルダPHをX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向に移動するXY駆動装置と、例えばボイスコイルモータ等を含んで構成され、基板ホルダPHをZ軸方向、θX方向、及びθY方向に移動するZ駆動装置とを備えている。基板ステージPSTの駆動により、基板ホルダPHに保持された基板Pの上面(表面)は、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6自由度の方向に移動可能である。 Substrate stage PST can move substrate holder PH holding substrate P on the image plane side of projection optical system PL. The substrate stage PST is movably provided on the base member BP while supporting the substrate holder PH. The substrate stage PST is driven by a substrate stage driving device PSTD. The substrate stage driving device PSTD is controlled by the control device CONT. The substrate stage driving device PSTD includes, for example, a linear motor, and includes an XY driving device that moves the substrate holder PH in the X axis direction, the Y axis direction, and the θZ direction, and a voice coil motor, for example. And a Z driving device for moving the substrate holder PH in the Z-axis direction, the θX direction, and the θY direction. By driving the substrate stage PST, the upper surface (front surface) of the substrate P held by the substrate holder PH is movable in directions of six degrees of freedom in the X axis, Y axis, Z axis, θX, θY, and θZ directions. .
基板ホルダPHの側面には移動鏡93が設けられている。また、所定の位置にはレーザ干渉計94が設けられている。基板ホルダPH上の基板Pの2次元方向の位置、及び回転角は移動鏡93を使ってレーザ干渉計94によりリアルタイムで計測される。また、図示はされていないが、露光装置EXは、基板Pの上面(表面)の面位置情報を検出するフォーカス・レベリング検出系を備えている。フォーカス・レベリング検出系は、基板Pの上面(表面)の面位置情報(Z軸方向の位置情報、及びθX及びθY方向の傾斜情報)を検出する。レーザ干渉計94の計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置PSTDを駆動し、基板Pのフォーカス位置(Z位置)及び傾斜角(θX、θY)を制御して基板Pの上面(表面)と投影光学系PL及び液体LQを介した像面との位置関係を調整するとともに、レーザ干渉計94の計測結果に基づいて、基板PのX軸方向、Y軸方向、及びθZ方向における位置制御を行う。
A
次に、液浸機構1について説明する。液浸機構1の液体供給装置11は、液体LQを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体LQの温度を調整する温度調整装置、供給する液体LQの気体成分を低減する脱気装置、及び液体LQ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給装置11には供給管13の一端部が接続されており、供給管13の他端部はノズル部材70に接続されている。液体供給装置11の液体供給動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは、液体供給装置11を制御することで、供給口12からの単位時間当たりの液体供給量を調整可能である。なお、液体供給装置11のタンク、加圧ポンプ、温度調整装置、脱気装置、フィルタユニット等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。
Next, the
液浸機構1の液体回収装置21は、真空ポンプ等の真空系、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。液体回収装置21には回収管23の一端部が接続されており、回収管23の他端部はノズル部材70に接続されている。液体回収装置21の液体回収動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは、液体回収装置21を制御することで、回収口22を介した単位時間当たりの液体回収量を調整可能である。なお、液体回収装置21の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置EXが備えている必要はなく、露光装置EXが設置される工場等の設備を代用してもよい。
The
液体LQを供給する供給口12及び液体LQを回収する回収口22はノズル部材70の下面70Aに形成されている。ノズル部材70の下面70Aは、基板Pの上面と対向する位置に設けられている。ノズル部材70は、最終光学素子LS1の側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口12は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、投影光学系PLの最終光学素子LS1(投影光学系PLの光軸AX)を囲むように複数設けられている。また、回収口22は、ノズル部材70の下面70Aにおいて、最終光学素子LS1に対して供給口12よりも外側に設けられており、最終光学素子LS1及び供給口12を囲むように設けられている。
The
そして、制御装置CONTは、液体供給装置11を使って光路空間K1に液体LQを所定量供給するとともに、液体回収装置21を使って光路空間K1の液体LQを所定量回収することで、投影光学系PLと基板Pとの間の露光光ELの光路空間K1を液体LQで満たし、基板P上に液体LQの液浸領域LRを局所的に形成する。液体LQの液浸領域LRを形成する際、制御装置CONTは、液体供給装置11及び液体回収装置21のそれぞれを駆動する。制御装置CONTの制御のもとで液体供給装置11から液体LQが送出されると、その液体供給装置11から送出された液体LQは、供給管13を流れた後、ノズル部材70の内部に形成された供給流路を介して、供給口12より投影光学系PLの像面側に供給される。また、制御装置CONTのもとで液体回収装置21が駆動されると、投影光学系PLの像面側の液体LQは、回収口22を介してノズル部材70の内部に形成された回収流路に流入し、回収管23を流れた後、液体回収装置21に回収される。
The control device CONT supplies a predetermined amount of the liquid LQ to the optical path space K1 using the liquid supply device 11, and collects a predetermined amount of the liquid LQ in the optical path space K1 using the
次に、図2及び図3を参照しながら基板ホルダPHについて説明する。図2は基板Pを保持した状態の基板ホルダPHの側断面図、図3は基板Pを保持した状態の基板ホルダPHを上方から見た平面図である。 Next, the substrate holder PH will be described with reference to FIGS. 2 is a side sectional view of the substrate holder PH in a state where the substrate P is held, and FIG. 3 is a plan view of the substrate holder PH in a state where the substrate P is held as viewed from above.
図2において、基板ホルダPHは、基材PHBと、基材PHBに形成され、基板Pを脱着(交換)可能に吸着保持する第1保持部PH1と、基材PHBに形成され、第1保持部PH1に保持された基板Pの周囲に、基板Pの上面(表面)Paとほぼ面一の上面Taを形成するプレート部材Tを吸着保持する第2保持部PH2とを備えている。プレート部材Tは、基材PHBとは別の部材であって、基板ホルダPHの基材PHBに対して脱着(交換)可能に設けられている。また、図3に示すように、プレート部材Tの中央部には、基板Pを配置可能な略円形状の穴部THが形成されている。そして、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tは、第1保持部PH1に保持された基板Pの周囲を囲むように配置される。第1保持部PH1に保持された基板Pの外側のエッジ(側面)Pcと、その基板Pの外側に配置され、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの内側(穴部TH側)のエッジ(内側面)Tcとの間には、0.1〜1.0mm程度のギャップAが形成される。また、プレート部材Tの外形は平面視矩形状に形成されており、本実施形態においては、基材PHBの外形とほぼ同じ大きさに形成されている。 In FIG. 2, the substrate holder PH is formed on the base material PHB and the base material PHB, and is formed on the base material PHB and the first holding portion PH1 that holds the substrate P so as to be detachable (replaceable), and the first holding portion. Around the substrate P held by the portion PH1, there is provided a second holding portion PH2 that sucks and holds the plate member T that forms an upper surface Ta that is substantially flush with the upper surface (front surface) Pa of the substrate P. The plate member T is a member different from the base material PHB, and is provided so as to be detachable (exchangeable) with respect to the base material PHB of the substrate holder PH. As shown in FIG. 3, a substantially circular hole portion TH in which the substrate P can be placed is formed in the central portion of the plate member T. And the plate member T hold | maintained at 2nd holding | maintenance part PH2 is arrange | positioned so that the circumference | surroundings of the board | substrate P hold | maintained at 1st holding | maintenance part PH1 may be enclosed. The outer edge (side surface) Pc of the substrate P held by the first holding portion PH1 and the inner side (the hole TH side) of the plate member T which is disposed outside the substrate P and held by the second holding portion PH2. A gap A of about 0.1 to 1.0 mm is formed between the edge (inner side surface) Tc. Further, the outer shape of the plate member T is formed in a rectangular shape in plan view, and in the present embodiment, the outer shape of the plate member T is approximately the same as the outer shape of the base material PHB.
図4には、第1、第2保持部PH1、PH2のそれぞれより基板P及びプレート部材Tを外した状態が示されている。 FIG. 4 shows a state in which the substrate P and the plate member T are removed from the first and second holding portions PH1 and PH2, respectively.
プレート部材Tは、液体LQに対して撥液性を有している。プレート部材Tは、例えばポリ四フッ化エチレン(テフロン(登録商標))等のフッ素系樹脂やアクリル系樹脂等の撥液性を有する材料によって形成されている。なお、プレート部材Tを金属等で形成し、その表面にフッ素系樹脂などの撥液性材料を被覆するようにしてもよい。 The plate member T has liquid repellency with respect to the liquid LQ. The plate member T is made of a material having liquid repellency such as a fluorine resin such as polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)) or an acrylic resin. The plate member T may be formed of metal or the like, and the surface thereof may be covered with a liquid repellent material such as a fluorine-based resin.
図2において、プレート部材Tの上面Ta及び下面Tbのそれぞれはほぼ平坦面(平坦部)となっている。そして、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの上面Taと、第1保持部PH1に保持された基板Pの上面Paとはほぼ面一となる。これにより、液浸機構1による液体LQの供給及び回収を行いつつ投影光学系PLに対して基板ホルダPH(基板ステージPST)をXY方向に移動することで、光路空間K1を液体LQで満たしつつ、基板Pの上面Paとプレート部材Tの上面Taとの間で液浸領域LRを円滑に移動することができる。なお、光路空間K1を液体LQで満たし続けることができるならば、第1保持部PH1に保持された基板Pの上面Paと第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの上面Taとの間に段差があっても構わない。
In FIG. 2, each of the upper surface Ta and the lower surface Tb of the plate member T is a substantially flat surface (flat portion). The upper surface Ta of the plate member T held by the second holding part PH2 is substantially flush with the upper surface Pa of the substrate P held by the first holding part PH1. Thus, the optical path space K1 is filled with the liquid LQ by moving the substrate holder PH (substrate stage PST) in the XY direction with respect to the projection optical system PL while supplying and collecting the liquid LQ by the
図2、図3、及び図4において、基板ホルダPHの第1保持部PH1は、基材PHB上に形成され、基板Pの下面(裏面)Pbを支持する第1支持部30と、基材PHB上に形成され、基板Pの下面Pbに対向し、第1支持部30を囲むように環状に設けられた第1周壁部31とを備えている。第1支持部30は複数の凸状部材によって構成されている。
2, 3, and 4, the first holding portion PH <b> 1 of the substrate holder PH is formed on the base material PHB, and the
第1周壁部31は、基板Pの形状に応じて平面視略円環状に形成されており、その第1周壁部31の上面31Aは、基板Pの下面Pbの周縁領域(エッジ領域)に対向するように形成されている。第1保持部PH1に保持された基板Pの下面Pb側には、基板Pの下面Pbと第1周壁部31と基材PHBとで囲まれた第1空間V1が形成される。
The first
第1周壁部31の内側の基材PHB上には第1吸引口33が形成されている。第1吸引口33は基板Pを吸着保持するためのものであって、第1周壁部31の内側において基材PHBの上面のうち第1支持部30以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。第1吸引口33のそれぞれは、不図示の第1真空系に接続されている。制御装置CONTは、第1真空系を駆動し、基板Pと第1周壁部31と基材PHBとで囲まれた第1空間V1内部のガス(空気)を吸引してこの第1空間V1を負圧にすることによって、基板Pの下面Pbを第1支持部30で吸着保持する。また、第1真空系による吸引動作を解除することにより、第1保持部PH1より基板Pを外すことができる。本実施形態における第1保持部PH1は所謂ピンチャック機構を構成している。
A
また、基材PHB上には、基板Pの下面Pbに対向し、第1周壁部31を囲むように設けられた第2周壁部34が形成されている。本実施形態における第2周壁部34の上面34Aの幅は大きく(幅広に)形成されている。第2周壁部34は第1周壁部31の外側において平面視円環状に形成されている。
Further, a second
基板ホルダPHの第2保持部PH2は、第2周壁部34を囲むように基材PHB上に形成された略円環状の第3周壁部36と、第3周壁部36の外側に設けられ、第3周壁部36を囲むように基材PHB上に形成された環状の第4周壁部37と、第3周壁部36と第4周壁部37との間の基材PHB上に形成された複数の第2支持部38とを備えている。第2支持部38は複数の凸状部材によって構成されている。
The second holding portion PH2 of the substrate holder PH is provided on the outer side of the substantially annular third
第2支持部38は、プレート部材Tの下面Tbを支持する。第3周壁部36は、プレート部材Tの穴部THの形状に応じて平面視略円環状に形成されている。第4周壁部37は、プレート部材Tの外形に応じて、平面視略矩形環状に形成されている。第3周壁部36の上面36Aは、プレート部材Tの下面Tbのうち、穴部TH近傍の内縁領域(内側のエッジ領域)に対向するように形成されている。第4周壁部37の上面37Aは、プレート部材Tの下面Tbのうち、外縁領域(外側のエッジ領域)に対向するように形成されている。第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの下面Tb側には、プレート部材Tの下面Tbと第3、第4周壁部36、37と基材PHBとで囲まれた第2空間V2が形成される。
The
第3周壁部36と第4周壁部37との間における基材PHB上には第2吸引口39が形成されている。第2吸引口39はプレート部材Tを吸着保持するためのものであって、第3周壁部36と第4周壁部37との間において基材PHBの上面のうち第2支持部38以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。第2吸引口39のそれぞれは、不図示の第2真空系に接続されている。制御装置CONTは、第2真空系を駆動し、プレート部材Tと第3、第4周壁部36、37と基材PHBとで囲まれた第2空間V2内部のガス(空気)を吸引してこの第2空間V2を負圧にすることによって、プレート部材Tの下面Tbを第2支持部38で吸着保持する。また、第2真空系による吸引動作を解除することにより、第2保持部PH2よりプレート部材Tを外すことができる。本実施形態においては、第2保持部PH2も所謂ピンチャック機構を構成している。
A
また、本実施形態においては、第2周壁部34の上面34Aは、第1周壁部31の上面31Aよりも低く形成されている。同様に、第2周壁部34の上面34Aは、第3周壁部36の上面36Aよりも低く形成されている。
In the present embodiment, the
図5、図6はギャップA近傍を示す図、図7は第1、第2、第3周壁部31、34、36近傍を上方から見た拡大平面図である。図5は図4のS1−S1線矢視断面図に相当し、図6は図4のS2−S2線矢視断面図に相当する。
5 and 6 are views showing the vicinity of the gap A, and FIG. 7 is an enlarged plan view of the vicinity of the first, second, and third
図5及び図6において、基板ホルダPHは、第1周壁部31と第2周壁部34と基板Pの下面Pbとで囲まれた第3空間V3に気体を供給する給気口42と、第3空間V3の気体を排気する排気口52とを備えている。
5 and 6, the substrate holder PH includes an
図5に示すように、給気口42は、第1周壁部31と第2周壁部34との間の基材PHB上に設けられている。また、図4や図7等に示すように、給気口42は、第1周壁部31に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、複数の給気口42は、第1周壁部31に沿って所定間隔で設けられている。なお、本実施形態においては、給気口42のそれぞれは平面視ほぼ円形状であるが、例えば多角形状など任意の形状でよい。
As shown in FIG. 5, the
給気口42には、流路43を介して給気装置41が接続されている。給気装置41は、気体を送出可能なポンプ、供給する気体の温度を調整する温度調整装置、及び供給する気体中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。給気装置41の気体供給動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは、給気装置41を制御することで、給気口42からの単位時間当たりの気体供給量を調整可能である。
An
図6に示すように、排気口52は、第1周壁部31と第2周壁部34との間の基材PHB上に設けられている。また、図4や図7等に示すように、排気口52は、給気口42に対して所定の位置関係で設けられている。本実施形態においては、排気口52は、第1周壁部31に沿って、互いに隣り合う給気口42どうしの間に設けられている。なお、本実施形態においては、排気口52のそれぞれは平面視多角形状(ほぼ六角形状)であるが、例えば円形状など任意の形状でよい。
As shown in FIG. 6, the
排気口52には、流路53を介して第1吸引装置51が接続されている。第1吸引装置51は、排気口52を介して第3空間V3の流体を吸引可能である。第3空間V3の流体は、第3空間V3の気体、及び第3空間V3に浸入した液体LQを含み、第1吸引装置51は、気体を吸引可能であるとともに、液体LQを吸引回収可能である。第1吸引装置51は、真空ポンプ等の真空系、回収された液体LQと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体LQを収容するタンク等を備えている。第1吸引装置51の吸引動作は制御装置CONTにより制御される。
A
また、流路53の途中には、分岐流路54が接続されている。分岐流路54の一端部は流路53に接続され、他端部は、第3空間V3に対して外部の空間(外部空間)に接続されている。本実施形態においては、外部空間は大気空間であって、分岐流路54の他端部は大気空間と接続されている。
A
分岐流路54の途中にはバルブ機構55が設けられている。バルブ機構55の動作は制御装置CONTに制御される。バルブ機構55によって分岐流路54が開けられることにより、排気口52と大気空間(外部空間)とが、流路53及び分岐流路54を介して接続される。すなわち、分岐流路54が開けられているときには、排気口52は、第3空間V3と大気空間とを接続し、第3空間V3は大気開放された状態となる。一方、制御装置CONTは、バルブ機構55によって分岐流路54を閉じるとともに、第1吸引装置51を駆動することによって、排気口52を介して第3空間V3の流体を第1吸引装置51によって吸引することができる。
A
また、基板ホルダPHは、第2周壁部34と第3周壁部36との間に設けられた吸引口62と、吸引口62に流路63を介して接続された第2吸引装置61とを備えている。第2吸引装置61は、第1吸引装置51と同等の構成を有している。吸引口62は、第2周壁部34と第3周壁部36との間の基材PHB上に設けられている。本実施形態においては、複数の吸引口62は、第2周壁部34に沿って所定間隔で設けられている。なお、本実施形態においては、吸引口62のそれぞれは平面視多角形状(ほぼ六角形状)であるが、例えば円形状など任意の形状でよい。
The substrate holder PH includes a
第1吸引装置51と、第1空間V1を負圧にするための第1真空系とは互いに独立しているとともに、第2吸引装置61と、第2空間V2を負圧にするための第2真空系とは互いに独立している。制御装置CONTは、第1、第2吸引装置51、61、及び第1、第2真空系それぞれの動作を個別に制御可能であり、第1、第2吸引装置51、61による吸引動作と、第1、第2真空系による吸引動作とをそれぞれ独立して行うことができる。
The
また、図5及び図6に示すように、第1保持部PH1に保持された基板Pの下面Pbと第2周壁部34の上面34Aの一部の領域とが対向するとともに、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの下面Tbと第2周壁部34の上面34Aの他の領域とが対向するようになっている。すなわち、基板Pとプレート部材Tとの間に形成されるギャップAの直下に、第2周壁部34の上面34Aが配置される。また、第2周壁部34は、その上面34Aと基板Pの下面Pbとの間に所定のギャップCを形成している。また、第2周壁部34は、その上面34Aとプレート部材Tの下面Tbとの間に所定のギャップGを形成している。本実施形態においては、ギャップC及びギャップGは1〜10μm程度に設定されている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the lower surface Pb of the substrate P held by the first holding portion PH1 and a partial region of the
ギャップCは、基材PHBと第1周壁部31と第2周壁部34と基板Pの下面Pbとによって形成された第3空間V3と、その第3空間V3の外側の空間とを流通する流路を形成している。第3空間V3は、ギャップA及びギャップCを介して外部空間(大気空間)と接続され、ギャップA及びギャップCを介して大気開放された構成となっている。
The gap C is a flow that circulates through the third space V3 formed by the base material PHB, the first
ギャップGは、基材PHBと第2周壁部34と第3周壁部36とプレート部材Tの下面Tbとによって形成された第4空間V4と、その第4空間V4の外側の空間とを流通する流路を形成している。第4空間V4は、ギャップA及びギャップGを介して外部空間(大気空間)と接続され、ギャップA及びギャップGを介して大気開放された構成となっている。
The gap G circulates through the fourth space V4 formed by the base material PHB, the second
第1保持部PH1に保持された基板Pの下面Pbは、第1空間V1に対して第1周壁部31よりも外側に所定量オーバーハングしている。そして、給気口42及び排気口52は、その基板Pの下面Pbのオーバーハングした領域と対向する位置に設けられている。また、第1保持部PH1に保持された基板Pの下面Pbは、第1周壁部31の上面31Aと接触している。
The lower surface Pb of the substrate P held by the first holding part PH1 overhangs a predetermined amount outside the first
また、第2保持部PH2のうち環状の第3周壁部36の内径は、プレート部材Tの穴部THの内径よりも大きく形成されており、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの下面Pbの内縁領域は、第3周壁部36よりも内側(基板P側)に所定量オーバーハングしている。そして、吸引口62は、そのプレート部材Tの下面Tbのオーバーハングした領域と対向する位置に設けられている。また、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの下面Tbは、第3周壁部36の上面36Aと接触している。
Further, the inner diameter of the annular third
次に、露光装置EXの動作及び基板ホルダPHの液体回収作用について説明する。 Next, the operation of the exposure apparatus EX and the liquid recovery action of the substrate holder PH will be described.
基板ホルダPHの第1保持部PH1に保持された基板Pを液浸露光するために、制御装置CONTは、液浸機構1を使って基板P上に液体LQの液浸領域LRを形成する。また、基板Pを液浸露光するとき、制御装置CONTは、給気装置41を駆動し、給気口42を介して第3空間V3に対する気体の供給を開始する。また、制御装置CONTは、バルブ機構55を制御して、分岐流路54を開け、排気口52を介して第3空間V3と大気空間とを接続し、第3空間V3を大気開放する。そして、制御装置CONTは、基板P上に形成された液浸領域LRの液体LQを介して基板Pの上面Paに露光光ELを照射する。
In order to perform immersion exposure on the substrate P held by the first holder PH1 of the substrate holder PH, the control device CONT forms an immersion region LR of the liquid LQ on the substrate P using the
基板Pに露光光ELが照射されている間(基板Pが基板ホルダPHに保持されている間)、制御装置CONTは、給気装置41を駆動して、給気口42からの第3空間V3に対する気体の供給を継続する。制御装置CONTは、給気口42から第3空間V3に対して気体を供給することによって、第3空間V3を陽圧にすることができる。また、露光光ELが照射されている間、第1、第2吸引装置51、61の駆動は停止されている。
While the exposure light EL is being applied to the substrate P (while the substrate P is held by the substrate holder PH), the control device CONT drives the
例えば基板Pの上面Paのエッジ領域を液浸露光するとき、図5に示すように、投影光学系PLの像面側に形成された液浸領域LRの一部が基板Pの外側に形成される状態が生じ、その状態においては、ギャップAの上に液体LQの液浸領域LRが形成される。その場合、第1保持部PH1で保持された基板Pと第2保持部PH2で保持されたプレート部材Tとの間のギャップAは、0.1〜1.0mm程度に設定されているので、液体LQの表面張力によって、ギャップAに液体LQが浸入することが抑制されている。また、プレート部材Tは撥液性を備えているので、ギャップAに液体LQが浸入することが抑制されている。したがって、基板Pのエッジ領域を露光する場合にも、プレート部材Tの上面Tcにより投影光学系PLの下に液体LQを保持することができる。 For example, when the edge region of the upper surface Pa of the substrate P is subjected to immersion exposure, a part of the immersion region LR formed on the image plane side of the projection optical system PL is formed outside the substrate P as shown in FIG. In this state, an immersion region LR of the liquid LQ is formed on the gap A. In that case, the gap A between the substrate P held by the first holding part PH1 and the plate member T held by the second holding part PH2 is set to about 0.1 to 1.0 mm. The liquid LQ is prevented from entering the gap A by the surface tension of the liquid LQ. Further, since the plate member T has liquid repellency, the liquid LQ is prevented from entering the gap A. Therefore, even when the edge region of the substrate P is exposed, the liquid LQ can be held under the projection optical system PL by the upper surface Tc of the plate member T.
このように、ギャップAを小さくしたり、プレート部材Tを撥液性にするなどして、ギャップAからの液体LQの浸入を抑制するようにしているが、基板ホルダPHの移動や液浸領域LRを形成している液体LQの圧力変化などに起因して、基板Pの周囲に形成されているギャップAを介して、基板ホルダPHの第3空間V3に液体LQが浸入する可能性がある。 In this way, the gap A is reduced or the plate member T is made liquid repellent to suppress the intrusion of the liquid LQ from the gap A. The liquid LQ may enter the third space V3 of the substrate holder PH through the gap A formed around the substrate P due to a pressure change of the liquid LQ forming the LR. .
本実施形態においては、給気口42から気体を供給することによって、第3空間V3を陽圧にしているので、ギャップAを介して第3空間V3に液体LQが浸入することを抑制することができる。図5に示すように、第3空間V3を陽圧にすることによって、ギャップAを介して液体LQが浸入しても、その液体LQが、基板Pの下面Pbと第2周壁部34の上面34Aとの間のギャップCよりも第3空間V3側に移動することを抑制することができる。したがって、基板Pの下面Pb側に液体LQが浸入することを抑制することができ、基板Pの下面Pbが濡れることを防止することができる。
In the present embodiment, since the third space V3 is set to a positive pressure by supplying gas from the
また、露光光ELが照射されている間、第3空間V3は排気口52を介して大気開放されているため、第3空間V3の気体は大気空間(外部空間)に排気される。したがって、給気口42を介して第3空間V3に気体を供給しても、第3空間V3の圧力が過剰に高まることを防止することができる。したがって、第3空間V3の気体がギャップC及びギャップAを介して液浸領域LRの液体LQ中に混入したり、あるいは第3空間V3の圧力が高まることに起因して基板Pの周縁部が変形(反りなど)する等の不都合の発生を防止することができる。
Further, since the third space V3 is opened to the atmosphere through the
また、第1周壁部31の上面31Aは、基板Pの下面Pbと接触(密着)しているため、第1空間V1への液体LQの浸入を確実に防止することができる。
In addition, since the
また、ギャップA及びギャップGを介して、第4空間V4に液体LQが浸入する可能性があるが、第3周壁部36の上面36Aは、プレート部材Tの下面Tbと接触(密着)しているため、第2空間V2への液体LQの浸入を確実に防止することができる。
Further, there is a possibility that the liquid LQ may enter the fourth space V4 through the gap A and the gap G. However, the
基板Pの液浸露光処理が終了後、すなわち、露光光ELの照射を停止後、制御装置CONTは、基板ホルダPHの第1保持部PH1に基板Pを保持した状態で、給気装置41の駆動を停止するとともに、第1吸引装置51及び第2吸引装置61の少なくとも一方の駆動を開始する。ここで、第1吸引装置51の駆動を開始するときには、制御装置CONTは、バルブ機構55を制御して分岐流路54を閉じる。
After the immersion exposure processing of the substrate P is completed, that is, after the irradiation of the exposure light EL is stopped, the control device CONT holds the substrate P in the first holding portion PH1 of the substrate holder PH and While stopping the drive, the drive of at least one of the
制御装置CONTは、露光光ELの照射が停止されているときに、第1吸引装置51を駆動することによって、その第1吸引装置51により、排気口52を介して、第3空間V3の流体を吸引する。
When the exposure of the exposure light EL is stopped, the control device CONT drives the
第1吸引装置51が駆動されると、図6や図7に示すように、排気口52の周囲の気体(すなわち第3空間V3の気体)は、排気口52に吸引される。すなわち、第1吸引装置51が排気口52を介して、第3空間V3の気体を吸引することによって、基板Pの下面Pbと第2周壁部34の上面34Aとの間のギャップCには、外部空間から第3空間V3へ向かう気体の流れが生成されるとともに、第1周壁部31の側面と第2周壁部34の内側面との間のギャップBには、排気口52に向かう気体の流れが生成される(矢印y1参照)。
When the
これにより、仮にギャップAを介して第3空間V3に液体LQが浸入したり、あるいは、基板Pの下面Pbのうち、第1周壁部31よりも外側にオーバーハングした領域に液体LQが付着しても、上述の気体の流れによって液体LQを排気口52まで移動することができ、その排気口52を介して液体LQを第1吸引装置51によって吸引回収することができる。
As a result, the liquid LQ enters the third space V3 via the gap A, or the liquid LQ adheres to a region of the lower surface Pb of the substrate P that overhangs outside the first
また、制御装置CONTは、露光光ELの照射が停止されているときに、第2吸引装置61を駆動することによって、その第2吸引装置61により、吸引口62を介して、第4空間V4の流体を吸引することができる。
Further, the control device CONT drives the
第2吸引装置61が駆動されると、図6や図7に示すように、吸引口62の周囲の気体(すなわち第4空間V4の気体)は、吸引口62に吸引される。すなわち、第2吸引装置61が吸引口62を介して、第4空間V4の気体を吸引することによって、プレート部材Tの下面Tbと第2周壁部34の上面34Aとの間のギャップGには、外部空間から第4空間V4へ向かう気体の流れが生成されるとともに、第2周壁部34の側面と第3周壁部36の内側面との間のギャップJには、吸引口62に向かう気体の流れが生成される(矢印y2参照)。
When the
これにより、仮にギャップAを介して第4空間V4に液体LQが浸入したり、あるいは、プレート部材Tの下面Tbのうち、第3周壁部36に対してオーバーハングした領域に液体LQが付着しても、上述の気体の流れによって液体LQを吸引口62まで移動することができ、その吸引口62を介して液体LQを第2吸引装置61によって吸引回収することができる。
As a result, the liquid LQ enters the fourth space V4 via the gap A, or the liquid LQ adheres to a region of the lower surface Tb of the plate member T that overhangs the third
また、第1周壁部31の側面と第2周壁部34の内側面とのギャップBを、例えば0.5〜1.5mm程度に設定しておくことにより、溝状の第3空間V3において、排気口52に向かう気体の流れの流速を高めることができる。同様に、第2周壁部34と第3周壁部36とのギャップJを、例えば0.5〜1.5mm程度に設定しておくことにより、溝状の第4空間V4において、吸引口62に向かう気体の流れを高めることができる。
Further, by setting the gap B between the side surface of the first
なお、ギャップGへの液体LQの吸引力が、ギャップCへの液体LQの吸引力よりも大きくなるようにギャップC、ギャップG、吸引口62を介した吸引力、及び排気口52を介した吸引力を設定するようにしてもよい。こうすることにより、ギャップAから浸入した液体LQをプレート部材Tの下面Tb側に円滑に引き込むことができるので、ギャップAから浸入した液体LQが、基板Pの下面Pb側に回り込む不都合を防止することができる。
Note that the suction force of the liquid LQ to the gap G is larger than the suction force of the liquid LQ to the gap C, and the suction force via the gap C, the gap G, the
なお、制御装置CONTは、基板Pの露光終了後、排気口52を用いた吸引動作と、吸引口62を用いた吸引動作とを並行して行うことができるし、第2吸引装置61を駆動して吸引口62を用いた吸引動作を行った後、第1吸引装置51を駆動して排気口52を用いた吸引動作を行うこともできる。あるいは、制御装置CONTは、排気口52を用いた吸引動作を行った後、吸引口62を用いた吸引動作を行うこともできる。
The control device CONT can perform the suction operation using the
また、ギャップAに浸入した液体LQを回収するのみならず、例えば液浸領域LRの液体LQを全て回収するときに、ギャップA上に形成されている液浸領域LRの液体LQを、ギャップAを介して積極的に回収することもできる。液浸領域LRの液体LQを全て回収したいときにおいては、制御装置CONTは、液浸機構1の液体回収装置21を用いた回収動作と、基板ホルダPHに設けられた排気口52及び吸引口62を用いた回収動作とを併用することができる。
In addition to recovering the liquid LQ that has entered the gap A, for example, when all the liquid LQ in the liquid immersion region LR is recovered, the liquid LQ in the liquid immersion region LR formed on the gap A is changed to the gap A. It can also be actively collected via When it is desired to collect all the liquid LQ in the liquid immersion region LR, the control device CONT performs a recovery operation using the
以上説明したように、第1周壁部31と第2周壁部34と基板Pの裏面Pbとで囲まれた第3空間V3に気体を供給する給気口42と、第3空間V3の気体を排出する排気口52とを設けたので、基板Pの裏面Pb側に液体が浸入することを抑制することができる。
As described above, the
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について図8〜図11を参照しながら説明する。図8は第2実施形態に係る基板ホルダ(基板ステージ)の側断面図、図9は基板ホルダ(基板ステージ)を上方から見た図、図10、図11はギャップA近傍を示す図であって、図10は図9のS1−S1線矢視断面図に相当し、図11は図9のS2−S2線矢視断面図に相当する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. 8 is a side sectional view of the substrate holder (substrate stage) according to the second embodiment, FIG. 9 is a view of the substrate holder (substrate stage) as viewed from above, and FIGS. 10 and 11 are views showing the vicinity of the gap A. 10 corresponds to a cross-sectional view taken along line S1-S1 in FIG. 9, and FIG. 11 corresponds to a cross-sectional view taken along line S2-S2 in FIG. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
上述の第1実施形態の基板ホルダPHは、プレート部材Tを脱着可能に保持する第2保持部PH2を有している構成であるが、第2実施形態の基板ホルダPHはプレート部材T及び第2保持部PH2を有していない。 The substrate holder PH of the first embodiment described above has a second holding portion PH2 that detachably holds the plate member T, but the substrate holder PH of the second embodiment includes the plate member T and the second member. 2 The holding part PH2 is not provided.
基板ホルダPHは、基板ステージPSTに設けられた凹部96の内側に設けられている。基板ステージPSTの凹部96の内側には、基板ホルダPHの下面を支持する支持面98が設けられており、基板ホルダPHは支持面98に対して脱着(交換)可能に設けられている。また、基板ステージPSTの側面には移動鏡93が設けられている。
The substrate holder PH is provided inside a
そして、基板ステージPSTのうち凹部96以外の上面97は、基板ホルダPHに保持された基板Pの上面Paとほぼ同じ高さ(面一)になるような平坦面(平坦部)となっている。なお、投影光学系PLの像面側の光路空間K1を液体LQで満たし続けることができるならば、基板ホルダPHに保持された基板Pの上面Paと基板ステージPSTの上面97との間に段差があっても構わない。このように、本実施形態の基板ホルダPHは、基板Pを保持するための第1保持部PH1のみを有した構成となっている。
The
基板ホルダPHは、基材PHBと、基材PHB上に形成され、基板Pの下面Pbを支持する第1支持部30と、基材PHB上に形成され、基板Pの下面Pbに対向し、第1支持部30を囲むように設けられた第1周壁部31と、基材PHB上に形成され、基板Pの下面Pbに対向し、第1周壁部31を囲むように設けられた第2周壁部34とを備えている。第2周壁部34Aの上面34Aは第1周壁部31の上面31Aよりも低く、第1周壁部31の上面31Aと基板Pの下面Pbとは接触しており、第2周壁部34の上面34Aと基板Pの裏面Pbとの間には所定のギャップCが設けられている。
The substrate holder PH is formed on the base material PHB, the base material PHB, the
そして、給気口42及び排気口52は、第1周壁部31と第2周壁部34との間の基材PHB上に設けられている。また、基板ホルダPHの側面(第2周壁部34の側面)と基板ステージPSTの凹部96の内側面との間には所定のギャップDが設けられており、吸引口62は、ギャップDの内側の支持面98に設けられている。
The
基板Pを液浸露光するときには、上述の実施形態同様、制御装置CONTは、少なくとも露光光ELが照射されている間、給気口42からの気体の供給を継続する。第3空間V3を陽圧にすることによって、図10に示すように、ギャップAを介して浸入した液体LQが、基板Pの下面Pbと第2周壁部34の上面34Aとの間のギャップCよりも第3空間V3側に移動することが抑制される。したがって、基板ホルダPHに保持された基板Pと基板ステージPSTの上面97との間のギャップAを介して、基板Pの下面Pb側に液体LQが浸入することを防止することができる。
When the substrate P is subjected to immersion exposure, as in the above-described embodiment, the control device CONT continues to supply gas from the
また、露光光ELの照射が停止されているときには、上述の実施形態同様、制御装置CONTは、第1吸引装置51及び第2吸引装置61を適宜駆動し、排気口52を介した吸引動作と、吸引口62を介した吸引動作とを必要に応じて行う。
When the exposure light EL irradiation is stopped, the control device CONT appropriately drives the
なお、上述の第1、第2実施形態においては、第2周壁部34の上面34Aと基板Pの下面Pbとの間には所定のギャップCが形成されているが、第2周壁部34の上面34Aと基板Pの下面Pbとは接触していてもよい。
In the first and second embodiments described above, a predetermined gap C is formed between the
なお、上述の第1、第2実施形態においては、排気口52を介した吸引動作と吸引口62を介した吸引動作との両方を行っているが、排気口52を介した吸引動作と吸引口62を介した吸引動作との両方を必ずしも行わなくてもよい。例えば、基板Pの露光終了後、排気口52を介した吸引動作を実行し、吸引口62を介した吸引動作は必要に応じて実行すればよい。あるいは、基板Pの露光終了後、吸引口62を介した吸引動作を実行し、排気口52を介した吸引動作は必要に応じて実行すればよい。あるいは、基板Pの露光終了後、排気口52を介した吸引動作と、吸引口62を介した吸引動作との両方を省略してもよい。
In the first and second embodiments described above, both the suction operation through the
なお、上述の第1、第2実施形態において、第2周壁部34の上面34Aに、液体LQ対して撥液性を有する撥液化処理を施してもよい。撥液化処理としては、例えばフッ素系樹脂やアクリル系樹脂等の撥液性を有する材料を被覆する処理が挙げられる。また、第1周壁部31の少なくとも一部や、第3周壁部36の少なくとも一部に撥液化処理を施すようにしてもよい。
In the first and second embodiments described above, the
上述したように、本実施形態における液体LQは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板P上のフォトレジストや光学素子(レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Pの表面、及び投影光学系PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。 As described above, the liquid LQ in the present embodiment is composed of pure water. Pure water has an advantage that it can be easily obtained in large quantities at a semiconductor manufacturing factory or the like, and has no adverse effect on the photoresist, optical element (lens), etc. on the substrate P. In addition, pure water has no adverse effects on the environment, and since the impurity content is extremely low, it can be expected to clean the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL. . When the purity of pure water supplied from a factory or the like is low, the exposure apparatus may have an ultrapure water production device.
そして、波長が193nm程度の露光光ELに対する純水(水)の屈折率nはほぼ1.44程度と言われており、露光光ELの光源としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)を用いた場合、基板P上では1/n、すなわち約134nmに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約n倍、すなわち約1.44倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系PLの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。 The refractive index n of pure water (water) with respect to the exposure light EL having a wavelength of about 193 nm is said to be about 1.44, and when ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source of the exposure light EL On the substrate P, the wavelength is shortened to 1 / n, that is, about 134 nm, and a high resolution can be obtained. Furthermore, since the depth of focus is enlarged by about n times, that is, about 1.44 times compared with that in the air, the projection optical system PL can be used when it is sufficient to ensure the same depth of focus as that in the air. The numerical aperture can be further increased, and the resolution is improved in this respect as well.
本実施形態では、投影光学系PLの先端に光学素子LS1が取り付けられており、この光学素子により投影光学系PLの光学特性、例えば収差(球面収差、コマ収差等)の調整を行うことができる。なお、投影光学系PLの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ELを透過可能な平行平面板であってもよい。 In the present embodiment, the optical element LS1 is attached to the tip of the projection optical system PL, and the optical characteristics of the projection optical system PL, for example, aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) can be adjusted by this optical element. . The optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Alternatively, it may be a plane parallel plate that can transmit the exposure light EL.
なお、液体LQの流れによって生じる投影光学系PLの先端の光学素子と基板Pとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。 When the pressure between the optical element at the tip of the projection optical system PL generated by the flow of the liquid LQ and the substrate P is large, the optical element is not exchangeable but the optical element is moved by the pressure. It may be fixed firmly so that there is no.
なお、本実施形態では、投影光学系PLと基板P表面との間は液体LQで満たされている構成であるが、例えば基板Pの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体LQを満たす構成であってもよい。 In the present embodiment, the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid LQ. However, for example, the liquid with the cover glass made of a plane-parallel plate attached to the surface of the substrate P is used. The structure which satisfy | fills LQ may be sufficient.
また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。 In the projection optical system of the above-described embodiment, the optical path space on the image plane side of the optical element at the tip is filled with the liquid, but as disclosed in International Publication No. 2004/019128, the optical at the tip. It is also possible to employ a projection optical system in which the optical path space on the object plane side of the element is filled with liquid.
なお、本実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体LQと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。 The liquid LQ of the present embodiment is water, but may be a liquid other than water. For example, when the light source of the exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser light does not pass through water. The liquid LQ may be, for example, a fluorinated fluid such as perfluorinated polyether (PFPE) or fluorinated oil that can transmit F 2 laser light. In this case, the lyophilic treatment is performed by forming a thin film with a substance having a molecular structure having a small polarity including fluorine, for example, at a portion in contact with the liquid LQ. In addition, as the liquid LQ, the liquid LQ is transmissive to the exposure light EL, has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to the photoresist applied to the projection optical system PL and the surface of the substrate P (for example, Cedar). Oil) can also be used.
また、液体LQとしては、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で光学素子LS1を形成してもよい。 Moreover, as the liquid LQ, a liquid having a refractive index of about 1.6 to 1.8 may be used. Furthermore, the optical element LS1 may be formed of a material having a refractive index higher than that of quartz or fluorite (for example, 1.6 or more).
なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 The substrate P in each of the above embodiments is not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.
また、露光装置EXとしては、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第1パターンの縮小像を投影光学系(例えば1/8縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系)を用いて基板P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で第2パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。 Further, as the exposure apparatus EX, a reduced image of the first pattern is projected with the first pattern and the substrate P being substantially stationary (for example, a refraction type projection optical system that does not include a reflecting element at 1/8 reduction magnification). The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs batch exposure on the substrate P using the above. In this case, after that, with the second pattern and the substrate P substantially stationary, a reduced image of the second pattern is collectively exposed onto the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus. Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
また、本発明は、特開平10−163099号公報、特開平10−214783号公報、特表2000−505958号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。 The present invention also relates to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in JP-A-10-163099, JP-A-10-214783, JP-T 2000-505958, and the like. It can also be applied to.
更に、特開平11−135400号公報や特開2000−164504号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材や各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in JP-A-11-135400 and JP-A-2000-164504, a measurement stage equipped with a substrate stage for holding a substrate, a reference member on which a reference mark is formed, and various photoelectric sensors. The present invention can also be applied to an exposure apparatus including the above.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ) Or an exposure apparatus for manufacturing reticles or masks.
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。 In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6,778,257, an electronic mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed may be used.
また、国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。 Further, as disclosed in International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line-and-space pattern on a substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied.
本願実施形態の露光装置EXは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The exposure apparatus EX according to the embodiment of the present application is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Is done. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図12に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置EXによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
As shown in FIG. 12, a microdevice such as a semiconductor device includes a
1…液浸機構、30…第1支持部(支持部)、31…第1周壁部、31A…上面、34…第2周壁部、34A…上面、41…給気装置、42…給気口、51…第1吸引装置(吸引装置)、52…排気口、EL…露光光、EX…露光装置、LQ…液体、P…基板、Pa…上面(表面)、Pb…下面(裏面)、PH…基板ホルダ(基板保持装置)、PHB…基材、V1…第1空間、V2…第2空間、V3…第3空間(所定空間)、V4…第4空間
DESCRIPTION OF
Claims (17)
基材と、
前記基材上に形成され、前記基板の裏面を支持する支持部と、
前記基材上に形成され、前記基板の裏面に対向し、前記支持部を囲むように設けられた第1周壁部と、
前記基材上に形成され、前記基板の裏面に対向し、前記第1周壁部を囲むように設けられた第2周壁部と、
前記第1周壁部と前記第2周壁部と前記基板の裏面とで囲まれた所定空間に気体を供給する給気口と、
前記所定空間の気体を排出する排気口とを備えた基板保持装置。 A substrate holding device for holding a substrate irradiated with exposure light,
A substrate;
A support part formed on the base material and supporting the back surface of the substrate;
A first peripheral wall formed on the base material, facing the back surface of the substrate, and surrounding the support;
A second peripheral wall formed on the base material, facing the back surface of the substrate, and surrounding the first peripheral wall;
An air supply port for supplying gas to a predetermined space surrounded by the first peripheral wall portion, the second peripheral wall portion, and the back surface of the substrate;
A substrate holding device comprising an exhaust port for discharging the gas in the predetermined space.
前記吸引装置は、前記液体を吸引回収可能である請求項9記載の基板保持装置。 The fluid in the predetermined space includes at least a part of the gas in the predetermined space and the liquid that has entered the predetermined space;
The substrate holding device according to claim 9, wherein the suction device is capable of sucking and collecting the liquid.
A device manufacturing method using the exposure apparatus according to claim 16.
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