JP2006310257A - Electro-optical device and method of manufacturing same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 277
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 36
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 26
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 50
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 49
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 153
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 153
- 239000000463 material Substances 0.000 description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 33
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 21
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 9
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- D—TEXTILES; PAPER
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- D05C9/00—Appliances for holding or feeding the base fabric in embroidering machines
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- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
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- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
Description
本発明は、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to an electro-optical device and a method for manufacturing the electro-optical device.
近年、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」という)を使用したディスプレイやプリンタの光書き込みヘッドといった電気光学装置の開発が盛んに行われている。 In recent years, electro-optical devices such as a display using an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as “organic EL element”) as a light emitting element and an optical writing head of a printer have been actively developed.
この種の電気光学装置は、有機EL素子を構成する発光材料(以下、「有機EL材料」という)が高分子系有機材料であるか、または低分子系有機材料であるかによってその製造方法が異なる。そして、有機EL材料が高分子系有機材料である場合は、該有機EL材料を所定の溶媒に溶解または分散させて液状組成物を形成し、その液状組成物を液滴吐出ヘッドのノズルから吐出して基板の所定の画素電極上に塗布させる、所謂液滴吐出法を使用して製造することが知られている。この場合、画素電極の周囲を隔壁で区画することで、塗布された有機材料液体が他の位置にある画素電極上に塗布された液状組成物と混ざり合うのを抑制することで高精細なパターニングを可能としている。 This type of electro-optical device has a manufacturing method depending on whether a light emitting material (hereinafter referred to as “organic EL material”) constituting an organic EL element is a high molecular organic material or a low molecular organic material. Different. When the organic EL material is a polymer organic material, the organic EL material is dissolved or dispersed in a predetermined solvent to form a liquid composition, and the liquid composition is discharged from the nozzle of the droplet discharge head. Then, it is known to manufacture using a so-called droplet discharge method in which coating is performed on a predetermined pixel electrode of a substrate. In this case, high-definition patterning is achieved by dividing the periphery of the pixel electrode with a partition wall to prevent the applied organic material liquid from being mixed with the liquid composition applied on the pixel electrode at another position. Is possible.
ところで、上記液滴吐出法では、画素電極上に塗布された液状組成物中の溶媒の蒸発は極めて速い。そして、基板上の端(上端、下端、右端、左端)では、基板中央に塗布された液状組成物より溶媒分子分圧が低いために、速く乾きはじめる。従って、基板の端に塗布された液状組成物と中央に塗布された液状組成物とでは、その乾燥時間に差が生じる。このような液状組成物の乾燥時間の差は、画素内、画素間での有機EL素子の各層の膜厚ムラを引き起こし、輝度ムラ等の表示ムラの原因となってしまう。そこで、基板上の端の周囲に表示には関係のないダミーの塗布領域を設けることで塗布領域を広げ、基板内の溶媒の蒸気圧均一にすることが提案されている(特許文献1)。 By the way, in the above-described droplet discharge method, the evaporation of the solvent in the liquid composition applied onto the pixel electrode is extremely fast. Then, at the ends (upper end, lower end, right end, left end) on the substrate, the solvent molecular partial pressure is lower than that of the liquid composition applied to the center of the substrate, so that it begins to dry quickly. Therefore, there is a difference in drying time between the liquid composition applied to the edge of the substrate and the liquid composition applied to the center. Such a difference in the drying time of the liquid composition causes unevenness in the thickness of each layer of the organic EL element within the pixel and between the pixels, causing display unevenness such as luminance unevenness. Thus, it has been proposed to provide a dummy coating region that is not related to display around the edge on the substrate to widen the coating region and make the vapor pressure of the solvent in the substrate uniform (Patent Document 1).
また、この種の電気光学装置や光書き込みヘッドには、有機EL素子の発光効率を高めるために、発光層と電極との間に正孔注入層や電子注入層を設けたものが知られている。
しかしながら、液状組成物の乾燥状態は、各隔壁の表面状態によっても影響を受けてしまう。従って、上記のようにダミーの塗布領域を設けても、各隔壁の表面状態が均一にならない場合、均一な膜を形成することは困難となるという問題があった。 However, the dry state of the liquid composition is also affected by the surface state of each partition wall. Accordingly, there is a problem that it is difficult to form a uniform film when the surface state of each partition wall is not uniform even when the dummy application region is provided as described above.
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、有機発光素子を構成する各層の膜厚のムラを防ぎ、この膜厚のムラに起因する輝度ムラや信頼性への影響を抑えた電気光学装置及び電気光学装置を製造する方法を提供することにある。更には、輝度ムラを抑えながら高密度に発光素子を配置し、また高精細な画像の描画を可能とする電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to prevent unevenness in the thickness of each layer constituting the organic light-emitting element, and to prevent unevenness in brightness and reliability due to the unevenness in thickness. It is an object to provide an electro-optical device and a method of manufacturing the electro-optical device with less influence on the operation. It is another object of the present invention to provide an electro-optical device and a method for manufacturing the electro-optical device, in which light-emitting elements are arranged with high density while suppressing luminance unevenness, and high-definition images can be drawn.
本発明の電気光学装置は、複数発光素子が配列してなる発光素子アレイと、前記発光素子アレイを共通して囲む隔壁とを有している。
これによれば、各発光素子は、各発光素子毎に隔壁に囲まれていない。従って、発光素子を構成する層を、たとえば、液滴吐出法によって形成する場合、吐出された液状組成物
の乾燥時間が、隔壁の表面状態によって発光素子毎に異なることはない。この結果、全ての発光素子の層の膜厚を均一に形成することができるので、輝度ムラ等の表示ムラが生じない電気光学装置を提供することができる。
The electro-optical device of the present invention includes a light emitting element array in which a plurality of light emitting elements are arranged, and a partition wall that surrounds the light emitting element array in common.
According to this, each light emitting element is not surrounded by the partition for each light emitting element. Therefore, when the layer constituting the light emitting element is formed by, for example, a droplet discharge method, the drying time of the discharged liquid composition does not differ for each light emitting element depending on the surface state of the partition wall. As a result, since the film thicknesses of all the light-emitting elements can be formed uniformly, an electro-optical device that does not cause display unevenness such as brightness unevenness can be provided.
この電気光学装置において、前記隔壁は、その形状が前記各発光素子の形状にならうようにして形成されていてもよい。ここで言う発光素子の形状にならうとは、隔壁に近い側に配列された発光素子の外周から隔壁までの距離がほぼ等しくなるようにすることである。 In this electro-optical device, the partition may be formed so that its shape follows the shape of each light emitting element. According to the shape of the light emitting element referred to here, the distance from the outer periphery of the light emitting element arranged on the side closer to the partition to the partition is made substantially equal.
これによれば、各発光素子から隔壁までの距離、即ち発光素子を囲う液状組成物の量が等しくなるため、各発光素子において、その各位置の層の乾燥条件は等しくなる。この結果、各発光素子内および発光素子間での膜厚にムラが生じない。 According to this, since the distance from each light emitting element to the partition, that is, the amount of the liquid composition surrounding the light emitting element is equal, in each light emitting element, the drying condition of the layer at each position is equal. As a result, there is no unevenness in the film thickness within each light emitting element and between light emitting elements.
この電気光学装置において、前記複数の発光素子は、液体プロセスで形成されていてもよい。
これによれば、発光素子の形成時においては、発光素子を構成する材料(たとえば、発光素子の発光層を構成する発光材料)を含んだ液状体が、隔壁で囲まれた領域内に塗布される。このとき、領域内には、隔壁が設けられていないので、領域内に塗布された液状体は、隔壁の表面状態の影響を受けることない。この結果、領域内の位置に関係なく、該領域内全域に渡って均一な量の液状体が塗布されるため、得られる発光素子を構成する層(たとえば、発光層)は、その膜厚が均一である。従って、画素内、画素間での各層の膜厚ムラがないので、輝度ムラ等の表示ムラの発生が抑制される。
In the electro-optical device, the plurality of light emitting elements may be formed by a liquid process.
According to this, at the time of forming the light emitting element, a liquid material containing a material constituting the light emitting element (for example, a light emitting material constituting the light emitting layer of the light emitting element) is applied in a region surrounded by the partition walls. The At this time, since the partition is not provided in the region, the liquid applied in the region is not affected by the surface state of the partition. As a result, since a uniform amount of liquid material is applied over the entire region regardless of the position in the region, the layer (for example, the light emitting layer) constituting the obtained light emitting element has a film thickness of It is uniform. Accordingly, since there is no film thickness unevenness of each layer within the pixel and between pixels, the occurrence of display unevenness such as brightness unevenness is suppressed.
この電気光学装置において、前記複数個の発光素子は、複数個の画素電極と前記複数個の画素電極の各々に対向配置される共通電極との間に少なくとも発光層を含む機能層を形成することによって形成され、前記発光層は、有機材料で構成されていてもよい。 In the electro-optical device, the plurality of light-emitting elements include a functional layer including at least a light-emitting layer between the plurality of pixel electrodes and a common electrode disposed to face each of the plurality of pixel electrodes. The light emitting layer may be made of an organic material.
これによれば、均一な膜厚を有する発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子を構成することが可能である。従って、輝度ムラ等の表示ムラを生じない電気光学装置を容易に実現することができる。 According to this, it is possible to constitute an organic electroluminescence element including a light emitting layer having a uniform film thickness. Therefore, an electro-optical device that does not cause display unevenness such as brightness unevenness can be easily realized.
この電気光学装置において、前記各発光素子は、千鳥格子状に配列されていてもよい。
これによれば、発光素子を高密度に形成することができる。この結果、輝度ムラ等の表示ムラが生じない高解像度の電気光学装置を提供することができる。
In the electro-optical device, the light emitting elements may be arranged in a staggered pattern.
According to this, light emitting elements can be formed with high density. As a result, it is possible to provide a high-resolution electro-optical device that does not cause display unevenness such as brightness unevenness.
この電気光学装置において、前記機能層の電気抵抗値は、前記複数の画素電極の間に配置された前記機能層の電気抵抗値が前記画素電極と前記共通電極に挟持される領域に配置された前記機能層の電気抵抗値に比べて高くてもよい。 In this electro-optical device, the electrical resistance value of the functional layer is disposed in a region where the electrical resistance value of the functional layer disposed between the plurality of pixel electrodes is sandwiched between the pixel electrode and the common electrode. It may be higher than the electric resistance value of the functional layer.
これによれば、複数の画素電極の各々の周囲に配置に配置された機能層の電気抵抗値は画素電極と共通電極との間に配置された機能層より高いので、各画素電極から供給されたキャリアは、隣接する他の画素電極に相対向した機能層に流れ込まず、各画素電極に相対向した領域内にある機能層に集中して流れ込む。従って、ある画素電極に供給されたキャリアがその画素電極の周囲の機能層に流れ込み同時に発光してしまう、所謂発光のクロストークは生じない。この結果、高精細な表示を可能とする発光部ユニットを備えた電気光学装置を実現することができる。 According to this, since the electrical resistance value of the functional layer disposed in the periphery of each of the plurality of pixel electrodes is higher than that of the functional layer disposed between the pixel electrode and the common electrode, it is supplied from each pixel electrode. The carriers do not flow into the functional layer opposite to the other adjacent pixel electrodes, but concentrate and flow into the functional layer in the region facing each pixel electrode. Accordingly, there is no so-called light emission crosstalk in which carriers supplied to a certain pixel electrode flow into a functional layer around the pixel electrode and emit light simultaneously. As a result, an electro-optical device including a light emitting unit that enables high-definition display can be realized.
この電気光学装置において、前記機能層は、有機導電性層を備え、前記複数の画素電極の間に配置された前記有機導電性層の電気抵抗値は、前記複数の画素電極と前記共通電極に挟持される領域に配置された前記有機導電性層の電気抵抗値に比べて高くてもよい。 In this electro-optical device, the functional layer includes an organic conductive layer, and an electrical resistance value of the organic conductive layer disposed between the plurality of pixel electrodes is applied to the plurality of pixel electrodes and the common electrode. It may be higher than the electric resistance value of the organic conductive layer disposed in the sandwiched region.
これによれば、有機導電性層を設けることで、有機導電性層が導電性の高い材料(低電気抵抗材料)であっても、各画素電極の周囲に配置形成された有機導電性層にはキャリアが流れ込まず、画素電極に相対向する領域内に配置形成された有機導電性層に集中して流れ込ませることができる。この結果、高精細な表示を可能とする電気光学装置を実現することができる。 According to this, by providing the organic conductive layer, even if the organic conductive layer is a highly conductive material (low electrical resistance material), the organic conductive layer disposed around each pixel electrode is formed on the organic conductive layer. Can flow in a concentrated manner in the organic conductive layer arranged and formed in a region opposite to the pixel electrode. As a result, an electro-optical device that enables high-definition display can be realized.
この電気光学装置において、前記有機導電性層は、ポリエチレンジオキシチオフェンを含んでいてもよい。
これによれば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)を含んだ有機導電性層は、高い導電性と発光層に対する高い正孔の注入効率を得ることができる。従って、低い駆動電圧で、高い発光効率を有する発光部ユニットが実現される。この結果、高効率で、かつ、高精細な描画を可能とする発光部ユニットを備えた電気光学装置を実現することができる。
In this electro-optical device, the organic conductive layer may contain polyethylene dioxythiophene.
According to this, the organic conductive layer containing polyethylene dioxythiophene (PEDOT) can obtain high conductivity and high hole injection efficiency for the light emitting layer. Therefore, a light emitting unit having high light emission efficiency with a low driving voltage is realized. As a result, it is possible to realize an electro-optical device including a light emitting unit that enables high-efficiency and high-definition drawing.
この電気光学装置において、前記有機導電性層は、ポリアニリンを含んでいてもよい。
これによれば、ポリアニリンを含んだ有機導電性層は、導電性の高い材料(低電気抵抗材料)であり、正孔注入層としても作用する。従って、ポリアニリンを含んだ有機導電性層を設けることで、高い発光効率を有する発光部ユニットが実現される。この結果、高効率で、かつ、高精細な表示を可能とする発光部ユニットを備えた電気光学装置を実現することができる。
In this electro-optical device, the organic conductive layer may include polyaniline.
According to this, the organic conductive layer containing polyaniline is a highly conductive material (low electrical resistance material) and also functions as a hole injection layer. Therefore, by providing the organic conductive layer containing polyaniline, a light emitting unit having high luminous efficiency is realized. As a result, it is possible to realize an electro-optical device including a light emitting unit that enables high-efficiency and high-definition display.
この電気光学装置において、前記発光素子アレイは、感光体上に選択的に光を照射してもよい。
これによれば、感光体上に輝度ムラの少ない高解像で高強度の光書き込みを行うことができる。
In the electro-optical device, the light-emitting element array may selectively irradiate light on the photoconductor.
According to this, high-intensity optical writing can be performed on the photosensitive member with high resolution with little luminance unevenness.
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の画素電極を形成する工程と、前記複数の画素電極全体を共通して囲む隔壁を形成する工程と、前記隔壁によって囲まれた領域に、機能層を形成する工程とを備えている。 The electro-optical device manufacturing method of the present invention includes a step of forming a plurality of pixel electrodes, a step of forming a partition wall that surrounds the entire plurality of pixel electrodes in common, and a functional layer in a region surrounded by the partition wall. Forming a step.
これによれば、各発光素子は、各発光素子毎に隔壁に囲まれていない。従って、発光素子を構成する層を、たとえば、液滴吐出法によって形成する場合、吐出された液状組成物の乾燥時間が、画素の位置や隔壁の表面状態によって発光素子毎に異なることはない。この結果、1つの隔壁内に形成される全ての発光素子の層の膜厚を均一に形成することができるので、輝度ムラ等の表示ムラが生じない電気光学装置を製造することができる。 According to this, each light emitting element is not surrounded by the partition for each light emitting element. Therefore, when the layer constituting the light-emitting element is formed by, for example, a droplet discharge method, the drying time of the discharged liquid composition does not differ for each light-emitting element depending on the position of the pixel and the surface state of the partition wall. As a result, since the film thicknesses of all the light emitting elements formed in one partition wall can be formed uniformly, an electro-optical device that does not cause display unevenness such as brightness unevenness can be manufactured.
この電気光学装置の製造方法において、前記機能層は、液滴吐出法によって行われるようにしてもよい。
これによれば、真空装置等を使用すること無く所望の膜厚の層を形成することができる。
In the method of manufacturing the electro-optical device, the functional layer may be performed by a droplet discharge method.
According to this, a layer having a desired film thickness can be formed without using a vacuum device or the like.
この電気光学装置の製造方法において、前記機能層に選択的に光を照射する工程を更に備えてもよい。
これによれば、ある画素電極に供給されたキャリアが周囲の機能層に流れ込むことで、その画素電極の周囲の機能層が同時に発光してしまう、所謂発光のクロストークの発生を防ぐことができる。
The method for manufacturing the electro-optical device may further include a step of selectively irradiating the functional layer with light.
According to this, since the carrier supplied to a certain pixel electrode flows into the surrounding functional layer, it is possible to prevent the so-called light emission crosstalk that the functional layer around the pixel electrode emits light at the same time. .
この電気光学装置の製造方法において、前記画素電極と画素電極との間の領域に配置された前記機能層に選択的に光を照射してもよい。 これによれば、ある画素電極に供給さ
れたキャリアが周囲の機能層に流れ込むことで、その画素電極の周囲の機能層が同時に発光してしまう、所謂発光のクロストークの発生を防ぐことができる。
In this method of manufacturing an electro-optical device, the functional layer disposed in a region between the pixel electrode may be selectively irradiated with light. According to this, since the carrier supplied to a certain pixel electrode flows into the surrounding functional layer, it is possible to prevent the so-called light emission crosstalk that the functional layer around the pixel electrode emits light at the same time. .
この電気光学装置の製造方法において、前記光は、紫外光であってもよい。
これによれば、容易に、複数の画素電極の各々の周囲に配置形成された機能層の電気抵抗値を高くすることができる。
In the method for manufacturing the electro-optical device, the light may be ultraviolet light.
According to this, the electrical resistance value of the functional layer disposed and formed around each of the plurality of pixel electrodes can be easily increased.
この電気光学装置の製造方法において、前記光を照射後に、前記機能層に熱処理を行ってもよい。
これによれば、機能層に光を照射した後、熱処理を行うことで光を照射した領域の電気抵抗を再現性良く高くすることができる。
In this electro-optical device manufacturing method, the functional layer may be heat-treated after the light irradiation.
According to this, after irradiating light to a functional layer, the electrical resistance of the region irradiated with light can be increased with good reproducibility by performing heat treatment.
(第1実施形態)
以下、本発明の一実施形態としての光書き込みヘッドを備えた電気光学装置としての光プリンタについて各図に従って説明する。尚、以下に説明する光プリンタは、フルカラー表示が可能なタンデム方式の光プリンタである。
(First embodiment)
Hereinafter, an optical printer as an electro-optical device including an optical writing head according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The optical printer described below is a tandem optical printer capable of full color display.
図1は、光プリンタの主要断面図である。
図1に示すように、光プリンタ1は、光書き込みヘッド及び発光部ユニットとしてのブラック用有機EL露光ヘッド2K、シアン用有機EL露光ヘッド2C、マゼンダ用有機EL露光ヘッド2M、及びイエロ用有機EL露光ヘッド2Yを備えている。また、光プリンタ1は、各露光ヘッド2K,2C,2M,2Yの下方に、ブラック用感光ドラム3K、シアン用感光ドラム3C、マゼンダ用感光ドラム3M、イエロ用感光ドラム3Yをそれぞれ備えている。
FIG. 1 is a main cross-sectional view of an optical printer.
As shown in FIG. 1, the optical printer 1 includes a black organic EL exposure head 2K, a cyan organic EL exposure head 2C, a magenta organic
さらに、光プリンタ1は、駆動ローラ4、従動ローラ5、テンションローラ6、及び該テンションローラ6によりテンションを加えられて張架されながら図1において反時計周り方向へ循環駆動される中間転写ベルト7を備える。そして、各感光ドラム3K,3C,3M,3Yは、中間転写ベルト7に対して所定間隔に配置されている。
Further, the optical printer 1 includes a driving
各感光ドラム3K,3C,3M,3Yは、中間転写ベルト7の駆動と同期して図1において時計周り方向へ回転駆動されるようになっている。そして、各露光ヘッド2K,2C,2M,2Yは、各感光ドラム3K,3C,3M,3Yの外周面を各感光ドラム3K,3C,3M,3Yの回転に同期して順次ライン走査することで、描画データに応じた静電潜像を対応する感光ドラム3K,3C,3M,3Y上に形成する。
The
また、各感光ドラム3K,3C,3M,3Yの周囲には、該感光ドラム3K,3C,3M,3Yの各外周面を一様に帯電させるコロナ帯電器8K,8C,8M,8Yが設けられている。
また、光プリンタ1は、ブラック用感光ドラム3Kの周囲にブラック用現像装置9Kを、シアン用感光ドラム3Cの周囲にシアン用現像装置9Cを、マゼンダ用感光ドラム3Mの周囲にマゼンダ用現像装置9Mを、イエロ用感光ドラム3Yの周囲にイエロ用現像装置9Yをそれぞれ備えている。この各現像装置9K,9C,9M,9Yは、対応する有機EL露光ヘッド2K,2C,2M,2Yによって各感光ドラム3K,3C,3M,3Y上に形成された静電潜像に対応する色の現像剤であるトナーを付与して可視像(トナー像)を形成するものである。例えば、シアン用現像装置9Cは、シアン用有機EL露光ヘッド2Cによってシアン用感光ドラム3C上に形成された静電潜像にシアン色のトナーを付与して可視像(トナー像)を形成する。
The optical printer 1 also includes a black developing
詳しくは、各現像装置9K,9C,9M,9Yは、例えば、トナーとして非磁性一成分トナーを用いるもので、その一成分現像剤を、例えば供給ローラで現像ローラへ搬送し、現像ローラ表面に付着したトナーの膜厚を規制ブレードで規制する。この規制により、現像ローラを各感光ドラム3K,3C,3M,3Yに接触或いは押圧させることにより、各感光ドラム3K,3C,3M,3Y上に形成された静電潜像の電位レベルに応じて現像剤を付着させて可視像(トナー像)として現像する。
Specifically, each of the developing
さらに、光プリンタ1は、各感光ドラム3K,3C,3M,3Yの周囲に、各現像装置9K,9C,9M,9Yで現像された可視像(トナー像)を一次転写対象である中間転写ベルト7に順次転写する一次転写ローラ10K,10C,10M,10Yを備えている。さらにまた、光プリンタ1は、各感光ドラム3K,3C,3M,3Yの周囲に、クリーニング装置11K,11C,11M,11Yを備えている。クリーニング装置11K,11C,11M,11Yは、一次転写の後に、各感光ドラム3K,3C,3M,3Yの表面に残留しているトナーを除去するためのものである。
Further, the optical printer 1 performs intermediate transfer on which the visible images (toner images) developed by the developing
このような各感光ドラム3K,3C,3M,3Y上に形成されたブラック,シアン,マゼンタ,イエロの各可視像(トナー像)は、一次転写ローラ10K,10C,10M,10Yによって中間転写ベルト7上に順次一次転写される。この一次転写により中間転写ベルト7上で順次重ね合わされてフルカラーとなった可視像(トナー像)は、二次転写ローラによって用紙等の記録媒体P上に二次転写され、一対の定着ローラ12を通ることで記録媒体P上に定着される。可視像(トナー像)が定着した記録媒体Pは、排紙ローラ13によって案内されて光プリンタ1の上部に形成された排紙トレイ14上へ排出される。
The visible images (toner images) of black, cyan, magenta, and yellow formed on the
また、光プリンタ1は、多数枚の記録媒体Pを保持する給紙カセット15、該給紙カセット15から記録媒体Pを一枚ずつ給送するピックアップローラ16、二次転写ローラ66の二次転写部への記録媒体Pの供給タイミングを規定するゲートローラ17を備えている。さらに、光プリンタ1は、中間転写ベルト7とで二次転写部を形成する二次転写ローラ18、及び二次転写後に中間転写ベルト7の表面に残留しているトナーを除去するクリーニングブレード19を備えている。
The optical printer 1 also includes a
次に、有機EL露光ヘッド2K,2C,2M,2Yの詳細について説明する。尚、ブラック用有機EL露光ヘッド2K、シアン用有機EL露光ヘッド2C、マゼンダ用有機EL露光ヘッド2M、及びイエロ用有機EL露光ヘッド2Yは、全て同じ構造をしているので、説明の便宜上、ブラック用有機EL露光ヘッド2Kについて説明し、他の有機EL露光ヘッド2C,2M,2Yについては、その詳細な説明を省略する。
Next, details of the organic EL exposure heads 2K, 2C, 2M, and 2Y will be described. The black organic EL exposure head 2K, the cyan organic EL exposure head 2C, the magenta organic
図2は、ブラック用有機EL露光ヘッド2Kの斜視図である。ブラック用有機EL露光ヘッド2Kは、一方向、即ち中間転写ベルト7の搬送方向に対して直交する方向に配設された箱体21と、箱体21とブラック用感光ドラム3Kとの間に位置するように箱体21に支持固定された光学部材23とを備えている。箱体21は、ブラック用感光ドラム3K側に開口部を有しており、その開口部に向かって光が出射するように発光素子アレイ22を固定している。
FIG. 2 is a perspective view of the organic EL exposure head 2K for black. The black organic EL exposure head 2K is positioned between the
図3(a)は、発光素子アレイ22の上面図であり、図3(b)は、図3(a)中a−a線断面図であり、図3(c)は、図3(a)中b−b線断面図である。
図3(a)に示すように、発光素子アレイ22は、基板S上に発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」という)24を複数個配列している。本実施形態の発光素子アレイ22は、縦一列に等ピッチに配列された複数個(本実施形態では、10個)の有機EL素子24が2列配列されている。そして、各有機EL素子
24は、隣接する他の列の有機EL素子24と縦方向に半ピッチだけずれるようにして配置されている。つまり、各有機EL素子24は、千鳥格子状に配列されている。
3A is a top view of the light-emitting
As shown in FIG. 3A, the light emitting
また、複数の有機EL素子24の周囲には、その複数の有機EL素子24全体を囲むように隔壁としてのバンク25が形成されている。本実施形態におけるバンク25は、図3(a)に示すように、複数の有機EL素子24全体を囲むように略四角形状を成している。
A
図3(b),(c)に示すように、バンク25は、基板S上に形成された親液性バンク25aと、該親液性バンク25a上に形成された撥液性バンク25bとから構成されている。親液性バンク25aの一部は、撥液性バンク25bより基板S中央側に張り出すようにして形成されている。親液性バンク25aは、元来、親液性を備えた材料であって、例えば、酸化珪素(SiO2)で構成されたものである。また、親液性を備えていないものであっても、通常用いられる公知の親液化処理を施すことで表面を親液化したものであってもよい。一方、撥液性バンク25bは、元来、撥液性を備えた材料、例えば、フッ素系樹脂で構成されたものであってもよい。また、撥液性を備えていないものであっても、通常用いられるアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をパターン形成し、CF4プラ
ズマ処理等により表面を撥液化したものであってもよい。
As shown in FIGS. 3B and 3C, the
また、図3(b),(c)に示すように、バンク25によって基板S中央には素子形成領域としての凹状領域26が形成されている。凹状領域26の底部には、陽極としての画素電極27が形成されている。本実施形態の画素電極27は、円形形状である。また、本実施形態の画素電極27は、縦一列に等ピッチに配列された複数個(本実施形態では、10個)形成されるとともに、横方向に2列配列されている。そして、各画素電極27は、隣接する他の列の画素電極27と縦方向に半ピッチだけずれるようにして配置されている。各画素電極27は、それぞれに独立した配線を介して図示しないデータ信号出力駆動回路に接続されている。そして、このデータ信号出力駆動回路から出力された描画データ信号が画素電極27に供給されるようになっている。
Further, as shown in FIGS. 3B and 3C, the
また、凹状領域26の底部には、その全面を覆うようにして発光層28が形成されている。これにより、各画素電極27上にも発光層28が積層される。また、撥液性バンク25b及び発光層28上全面に渡って共通電極としての陰極29が形成されている。この陰極29は、前記データ信号出力駆動回路に接続されている。さらに、陰極29上全体に、封止部材30が形成されている。そして、前記した画素電極27と、前記画素電極27と相対して形成した陰極29と、前記画素電極27と前記陰極29との間に形成した発光層28とで有機EL素子24が構成される。
A
このような構成を有する有機EL露光ヘッド2Kは、図3(b),(c)に示すように、発光層28の膜厚が凹状領域26内全域に渡って均一になっている。従って、各画素電極27上には均一な膜厚の発光層28が形成される。また、所定の画素電極27上に形成される発光層28の膜厚と、他の画素電極27上に形成される発光層28の膜厚とは均一である。
In the organic EL exposure head 2K having such a configuration, as shown in FIGS. 3B and 3C, the film thickness of the
図4に示すように、光学部材23は、発光素子アレイ22と対向する位置に備えられている。この光学部材23は、内部に複数のレンズ31を備えており、有機EL素子24から出射した光を集光し、その後、その他端側から出射してブラック用感光ドラム3Kに照射(描画)する。
As shown in FIG. 4, the
他の有機EL露光ヘッド2C,2M,2Yも同様に、その各発光素子アレイに設けられた有機EL素子の発光層の膜厚は、均一になっている。また、他の有機EL露光ヘッド2
C,2M,2Yは、その光学部材23の他端から対応する各感光ドラム3C,3M,3Yに向かって出射される。そして、各感光ドラム3K,3C,3M,3Y上の電位レベルが出射された光に応じて変化することでトナーの付着力が制御されて各感光ドラム3K,3C,3M,3Y上に前記描画データ信号に基づいた可視像(トナー像)が現像される。このとき、各有機EL露光ヘッド2K,2C,2M,2Yに設けられた各有機EL素子24の発光層の膜厚は、均一になっているので、各感光ドラム3K,3C,3M,3Y上に現像される可視像(トナー像)は、輝度ムラ等の表示ムラの無い可視像(トナー像)である。
Similarly, in the other organic EL exposure heads 2C, 2M, and 2Y, the film thickness of the light emitting layer of the organic EL element provided in each light emitting element array is uniform. Other organic EL exposure heads 2
C, 2M, and 2Y are emitted from the other end of the
次に、有機EL露光ヘッド2K,2C,2M,2Yの製造方法を図5に従って説明する。尚、ブラック用有機EL露光ヘッド2K、シアン用有機EL露光ヘッド2C、マゼンダ用有機EL露光ヘッド2M、及びイエロ用有機EL露光ヘッド2Yは、全て同じ方法によって製造される。従って、説明の便宜上、ブラック用有機EL露光ヘッド2Kの製造方法のみを説明し、他の有機EL露光ヘッド2C,2M,2Yについては、その詳細な説明を省略する。
Next, a method for manufacturing the organic EL exposure heads 2K, 2C, 2M, and 2Y will be described with reference to FIG. The black organic EL exposure head 2K, the cyan organic EL exposure head 2C, the magenta organic
先ず、基板S上の略中央に、公知の方法によって千鳥格子状に配置されるように複数の画素電極27をパターニングする。続いて、図5(a)に示すように、基板S上であって、複数個の画素電極27の周囲に、複数の画素電極27全体を囲むように酸化珪素(SiO2をパターニングして親液性バンク25aを形成する。その後、形成した親液性バンク25a上に、親液性バンク25aの一部が基板S中央側に張り出すようにフッ素系樹脂を、例えば高さが1〜2μmになるようにパターニングして撥液性バンク25bを形成する。これにより、基板S上には、複数個の画素電極27の周囲に複数の画素電極27全体を囲むようにバンク25が形成される(バンク形成工程)。この結果、画素電極27が形成された基板S中央には凹状領域26が形成される。
First, the plurality of
続いて、凹状領域26内に発光層28を液体プロセスとしての液滴吐出法によって形成する(素子形成工程)。即ち、図5(b)に示すように、発光層28を構成する組成物としての発光材料をキシレンといった所定の溶媒に溶解または分散させて形成された液状組成物Lを吐出ヘッド40のノズルNから吐出させる。このとき、吐出ヘッド40に設けられた、紙面手前及び奥に沿って延設されるガイドレール41に沿って吐出ヘッド40を基板Sに対して相対移動させながら液状組成物Lを順次吐出することで凹状領域26内に複数回液状組成物Lを吐出する。これにより、凹状領域26内全面に液状組成物Lを塗布させる。
Subsequently, the
次に、基板Sを、例えばホットプレート上に載置することによって加熱して液状組成物L中の溶媒を蒸発させ、凹状領域26の全面に発光層28を形成する(図5(c)参照)。
Next, the substrate S is heated, for example, by placing it on a hot plate to evaporate the solvent in the liquid composition L, thereby forming the
このとき、各画素電極27の間にはバンクが無いので、従来のように、各画素電極27の間に形成されたバンクの表面状態によって吐出された液状組成物Lの乾燥時間が各画素電極27毎に異なることはない。従って、乾燥後においては、凹状領域26上全面に渡って発光層28が形成されるが、この発光層28は、凹状領域26の全面に渡って均一な膜厚となる。
At this time, since there is no bank between the
その後、バンク25及び発光層28上に、LiF層、Ca層、Al層等を蒸着方法等により積層し、陰極29を形成する。続いて、陰極29全面に光透過性を有する、例えば樹脂等で構成された封止部材30を形成する(図5(d)参照)。
Thereafter, a LiF layer, a Ca layer, an Al layer, and the like are stacked on the
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)本実施形態によれば、基板S上であって、複数個の有機EL素子24の画素電極27全てを囲むバンク25を形成した。そして、バンク25によって形成された基板S中央に形成された凹状領域26内全域に液状組成物Lを塗布して発光層28を形成するようにした。
As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(1) According to the present embodiment, the
従って、各画素電極27(有機EL素子24)毎にバンクが無いので、従来のように、各画素電極27(有機EL素子24)毎にバンクの表面状態によって吐出された液状組成物Lの乾燥時間が各画素電極27内で異なるということはない。従って、発光層28は、凹状領域26上全面に渡って均一な膜厚となる。この結果、バンク25内で形成された各有機EL素子24は、互いに輝度ムラ等の表示ムラの無い可視像(トナー像)を形成することができる。
(2)本実施形態によれば、各有機EL露光ヘッド2K,2C,2M,2Yは、有機EL素子24を複数個備えた発光素子アレイ22と、発光素子アレイ22とに対向する位置に備えられた光学部材23とを備えている。そして、各有機EL素子24から出射した光は、光学部材23によって集光され、対応する各感光ドラム3K,3C,3M,3Y上に照射される。このとき、各有機EL素子24の発光層28は、均一な膜厚であるので、各感光ドラム3K,3C,3M,3Y上に現像されるトナー像は、輝度ムラ等の表示ムラの無い像となる。この結果、表示品位の優れた画像を印刷することのできる光プリンタ1を提供することができる。
(3)本実施形態によれば、液滴吐出法によって、凹状領域26内に発光層28を形成するようにした。従って、真空装置等を使用することなく、所望の膜厚の発光層28を形成することができる。また、液滴吐出法では、発光層28を構成する組成物としての発光材料を所定の溶媒(例えば、キシレン)に溶解または分散させて形成された液状組成物Lを凹状領域26に吐出して、その後、乾燥することで発光層28を形成するので、凹状領域26の形状に関係なく、高精細なパターニングが可能となる。
(第2実施形態)
次に、本発明を具体化した第2実施形態を図6に従って説明する。この第2実施形態においては、前記第1実施形態と同じ構成部材についてはその符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
Accordingly, since there is no bank for each pixel electrode 27 (organic EL element 24), the liquid composition L ejected according to the surface state of the bank for each pixel electrode 27 (organic EL element 24) is dried as in the prior art. The time does not differ within each
(2) According to the present embodiment, each of the organic EL exposure heads 2K, 2C, 2M, 2Y is provided at a position facing the light emitting
(3) According to the present embodiment, the
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are given the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図6は、第2実施形態に係る発光素子アレイ22Aの上面図であり、図6(b)は、図6(a)中a−a線断面図であり、図6(c)は、図6(a)中b−b線断面図である。
図6(a)に示すように、発光素子アレイ22Aは、上記第1実施形態と同様に、基板S上に有機EL素子24を複数個配列された構造を有しており、撥液性バンク25bは、発光素子アレイ22Aを共通して囲むようにして配置されている。一方、親液性バンク45は、本実施形態においては、各画素電極27を区画するようにして配置されている。
FIG. 6 is a top view of the light emitting
As shown in FIG. 6A, the light emitting
この親液性バンク45は、例えば、膜厚が50〜150nmであって、酸化珪素(SiO2)で構成されたものである。また、親液性バンク45は、親液性を備えていないものであっても、通常用いられる公知の親液化処理を施すことで表面を親液化したものであってもよい。
The
このようにすることで、画素電極27の端部での電界の集中が避けられる。この結果、有機EL素子24の寿命を延ばすことができる。
(第3実施形態)
次に、本発明を具体化した第3実施形態を図7に従って説明する。この第3実施形態においては、前記第1及び第2実施形態と同じ構成部材についてはその符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
By doing so, concentration of the electric field at the end of the
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the third embodiment, the same constituent members as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図7は、第3実施形態の発光素子アレイ22Bの上面図である。図7に示すように、発
光素子アレイ22Bは、上記第1実施形態と同様に、1つのバンク50で複数の有機EL素子24全体を囲むようにして形成されている。そして、本実施形態の発光素子アレイ22Aは、基板S上に形成されるバンク50の形状のみが上記第1実施形態のバンク25と異なっている。即ち、図7に示すように、本実施形態のバンク50は、凹状領域26の基板中央側の形状が有機EL素子24の画素電極27の形状にならうようにして形成されている。本実施形態では、画素電極27は、円形形状であるので、バンク50の凹状領域26の内側の形状が画素電極27の形状にならうように円形形状に形成されている。従って、各画素電極27の中心位置からバンク50までの距離が等しくなる。すると、液滴吐出法によって液状組成物Lを凹状領域26内に塗布した後、基板Sを、例えばホットプレートを使用することで乾燥させるが、その際、基板S上の端(上端、下端、右端、左端)では、基板S中央に塗布された液状組成物Lより溶媒分子分圧が低いために、基板S上の端側から乾きはじめる。このとき、各画素電極27の中心位置からバンク50までの距離が等しいので、画素電極27上での乾燥ムラを低減させることができる。
FIG. 7 is a top view of the light emitting
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)本実施形態によれば、バンク50の凹状領域26の内側の形状を、有機EL素子24の画素電極27の形状にならうようにして形成した。従って、各画素電極27の中心位置からバンク50までの距離が等しい。この結果、画素電極27上での乾燥ムラを低減させることができるので、より膜厚の均一な発光層28を有する有機EL素子24を形成することができる。
(第4実施形態)
次に、本発明を具体化した第4実施形態を図8〜図11に従って説明する。この第4実施形態においては、前記第1実施形態と同じ構成部材についてはその符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(1) According to the present embodiment, the inner shape of the recessed
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS. In the fourth embodiment, the same constituent members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図8(a)は、発光素子アレイ22Cの上面図であり、図8(b)は、図8(a)中a−a線断面図である。
発光素子アレイ22Cの有機EL素子24は、その機能層に発光層28以外に正孔注入層61及び電子注入層62を備えている。
8A is a top view of the light emitting
The
詳しくは、図8(b)に示すように、凹状領域26の底部には、各画素電極27上を被覆するように、正孔注入層61が形成されている。この正孔注入層61は、ポリエチレンジオキシチオフェン(以下、「PEDOT」と書く)及びポリスチレンスルフォン酸(以下、「PSS」と記載)の混合物で構成されている。尚、説明の便宜上、正孔注入層61のうち、画素電極27と陰極29に挟持される領域Q1に配置された(画素電極27上の領域Q1に形成された)正孔注入層61を符号「61L」とし、複数の画素電極27の間の領域Q2に配置された正孔注入層61を符号「61H」とする。
Specifically, as shown in FIG. 8B, a
各領域Q1に形成された正孔注入層61Lは、数十Ω/□〜数千Ω/□程度のシート抵抗値を有している。一方、領域Q2に形成された正孔注入層61Hは、通常の正孔注入層材料に比べて高い数MΩ/□〜数百MΩ/□のシート抵抗値を有している。従って、画素電極27から供給されたキャリア(正孔)は、正孔注入層61Hにはほとんど流れ込まずに各正孔注入層61Lに集中的に流れ込む。
The
正孔注入層61上には、発光層28が形成されている。発光層28上には、電子注入層62が形成されている。また、電子注入層62上には、各画素電極27と撥液性バンク25bを共通して覆うように陰極29が形成されている。
A
この電子注入層62は、有機導電性層であって、ポリフェニレンビニレン系のポリマーで構成された公知の電子注入層材料である。尚、説明の便宜上、電子注入層62のうち、
画素電極27と陰極29に挟持される領域Q1に配置された(画素電極27上の領域Q1に形成された)電子注入層62を符号「62L」とし、複数の画素電極27の間の領域Q2に配置された電子注入層62を符号「62H」とする。
The
The
各領域Q1に形成された電子注入層62Lは、本来のポリフェニレンビニレン系のポリマーを含んだ電子注入材料の電気抵抗値を有している。一方、領域Q2に形成された電子注入層62Hは、本来のポリフェニレンビニレン系のポリマーを含んだ電子注入層62に比べて高い電気抵抗値を有している。従って、陰極29から供給されたキャリア(電子)は、電子注入層62Hにはほとんど流れ込まずに各電子注入層62Lに集中的に流れ込む。
The
陰極29の上面全体に、前記封止部材30が形成されている。そして、正孔注入層61L、発光層28及び電子注入層62Lで、機能層が構成される。また、画素電極27および陰極29と、これらの間に挟持される機能層により発光素子である有機EL素子24が構成される。
The sealing
このような構成を有する有機EL露光ヘッド2Kは、図8(b)に示すように、正孔注入層61、発光層28、電子注入層62の各膜厚が凹状領域26内全域に渡って均一になっている。従って、各画素電極27上には均一な膜厚の発光層28が形成される。
In the organic EL exposure head 2K having such a configuration, as shown in FIG. 8B, the film thicknesses of the
次に、有機EL露光ヘッド2K,2C,2M,2Yの製造方法を図9〜図11に従って説明する。尚、ブラック用有機EL露光ヘッド2K、シアン用有機EL露光ヘッド2C、マゼンダ用有機EL露光ヘッド2M、及びイエロ用有機EL露光ヘッド2Yは、全て同じ方法によって製造される。従って、説明の便宜上、ブラック用有機EL露光ヘッド2Kの製造方法のみを説明し、他の有機EL露光ヘッド2C,2M,2Yについては、その詳細な説明を省略する。
Next, a method for manufacturing the organic EL exposure heads 2K, 2C, 2M, and 2Y will be described with reference to FIGS. The black organic EL exposure head 2K, the cyan organic EL exposure head 2C, the magenta organic
先ず、基板S上の略中央に、上記第1実施形態と同様に、公知の方法によって千鳥格子状に20個の画素電極27をパターニングする。続いて、図9(a)に示すように、基板S上であって、各画素電極27全体を囲むように酸化珪素(SiO2)をパターニングして親液性バンク25aを形成する。その後、形成した親液性バンク25a上に、親液性バンク25aの一部が基板S中央側に張り出すようにフッ素系樹脂を、例えば高さが1〜2μm程度になるようにパターニングして撥液性バンク25bを形成する。これにより、基板S上には、各画素電極27全体を囲むようにバンク25が形成される(バンク形成工程)。この結果、各画素電極27が形成された基板S中央には凹状領域26が形成される。
First, 20
続いて、凹状領域26内に正孔注入層61を、液体プロセスの1種である液滴吐出法によって形成する。即ち、図9(b)に示すように、PEDOT/PSSを主体とした正孔注入層材料をエチレングリコールといった所定の溶媒に溶解または分散させて形成された液状組成物LAを吐出ヘッド65のノズルNから吐出させる。このとき、吐出ヘッド65に設けられた、紙面手前及び奥に沿って延設されるガイドレール65Aに沿って吐出ヘッド65を基板Sに対して紙面手前及び奥方向に移動させながら液状組成物LAを凹状領域26内に複数回吐出する。これにより、液状組成物LAが凹状領域26内全面に塗布される(機能層形成工程)。
Subsequently, the
本実施形態では、正孔注入材料であるPEDOT/PSSを混合する比率としてPEDOT:PSS=1:5〜1:10のものを使用している。この様にPEDOTの比率を高くすると、電気抵抗が低下すると共に、形成した発光素子の発光電圧の低電圧化や高効率化、長寿命化を図ることができる。ただし、正孔注入材料の抵抗を低くすると、正孔注入層の一部が電極としても作用する様になるため、発光させる発光素子の周辺部が発光した
り、複数の発発光素子を発光させた場合にその間に配置された発光素子が発光する所謂発光のクロストークが発生し易くなる。このため、通常はPEDOT:PSS=1:20程度のものが使用されていることが多い。本実施形態では、この正孔注入層61の一部を高抵抗化する工程を有しているため、この様に電気抵抗の低い正孔注入材料を使用することができる。
In this embodiment, the ratio of PEDOT: PSS = 1: 5 to 1:10 is used as a mixing ratio of PEDOT / PSS which is a hole injection material. When the ratio of PEDOT is increased in this manner, the electrical resistance is lowered, and the light emission voltage of the formed light emitting element can be lowered, the efficiency can be increased, and the life can be increased. However, if the resistance of the hole injecting material is lowered, a part of the hole injecting layer also acts as an electrode, so that the periphery of the light emitting element that emits light emits light, or multiple light emitting elements emit light. In this case, so-called light emission crosstalk is likely to occur, in which light emitting elements arranged between them emit light. For this reason, usually PEDOT: PSS = 1: 20 is often used. In this embodiment, since there is a step of increasing the resistance of a part of the
次に、基板Sを密閉容器内に搬送し、容器内を減圧することにより基板S上に配置した液状組成物LAから溶媒を除去し、膜化する。減圧は、大気圧から1Torrまでを30秒から数分程度の時間で行うと、より平坦性の高い正孔注入層61を形成することができる。また、複数の種類の溶媒を使用する場合は、使用する各溶媒の蒸気圧に合わせて、その溶媒の蒸気圧付近で圧力を保持する様に複数のステップで減圧を行っても良い。この様にすることで、配置した液状組成物LA全面での乾燥の速度をより均一にすることが可能となり、より平坦性の高い膜を形成することができる。本発明では、各画素電極27がバンク25からある程度離れた領域に配置されているため、その上に配置された液状組成物LAの乾燥状態に対するバンク25の影響が低減され、全ての画素電極27上に平坦で、膜厚の均一性の高い正孔注入層61を形成することができる。
Next, the solvent is removed from the liquid composition LA disposed on the substrate S by transporting the substrate S into the sealed container and depressurizing the container to form a film. When the pressure is reduced from atmospheric pressure to 1 Torr in a time of about 30 seconds to several minutes, the
また、第1の実施形態と同様に基板Sを、例えばホットプレート上に載置することによって加熱して液状組成物LA中の溶媒を蒸発させ、凹状領域26上全面に正孔注入層61を形成しても良い(図9(c)参照)。
Similarly to the first embodiment, the substrate S is heated, for example, by placing it on a hot plate to evaporate the solvent in the liquid composition LA, and the
続いて、図10(a)に示すように、正孔注入層61上にマスクM1を載置する。マスクM1は、正孔注入層61の全面を覆う大きさのものであって、紫外光に対して透過性を有する透過領域Taと、紫外光の透過を遮断する非透過領域Tbとを備えている。マスクM1は、縦一列に等ピッチに10箇所配列された円形形状の非透過領域Tbが2列配列されている。そして、各非透過領域Tbは、隣接する他の列の非透過領域Tbと縦方向に半ピッチだけずれるようにして配置されている。つまり、マスクM1の各非透過領域Tbは、画素電極27上の領域Q1に相対向する位置に配置され、透過領域Taは、画素電極27以外の領域Q2に相対向する位置に配置されている。従って、各画素電極27上の領域Q1に形成された正孔注入層61には非透過領域Tbが、また、各画素電極27上の領域Q2に形成された正孔注入層61には透過領域Taが配置される。
Subsequently, as shown in FIG. 10A, a mask M <b> 1 is placed on the
そして、図6(a)に示すように、マスクM1を介して正孔注入層61全面に対して紫外光Rを照射する(光照射工程)。照射する紫外光は、350nm以下、好ましくは250〜300nmの波長のものがのぞまし。この結果、領域Q1に位置する正孔注入層61には紫外光Rが照射されず、領域Q2に位置する正孔注入層61にのみ紫外光Rが照射される。紫外光Rが照射された領域Q2に位置する正孔注入層61は、その結晶性が変性し、電気抵抗値が高くなる。一方、紫外光Rが照射されなかった領域Q1に位置する正孔注入層61は、その結晶性は変性せず、電気抵抗値は低い。このようにして、低い電気抵抗値を有する正孔注入層61Lと、高い電気抵抗値を有する正孔注入層61Hとを備えた正孔注入層61が形成される。
Then, as shown in FIG. 6A, the entire surface of the
更には、100℃〜150℃で1分〜数分の加熱処理を実施する。加熱処理を行うことで、紫外光で露光された領域の反応がより安定して進行し、再現性良く紫外光を照射した領域の電気抵抗を高くすることができる。 Furthermore, heat treatment is performed at 100 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to several minutes. By performing the heat treatment, the reaction of the region exposed to ultraviolet light proceeds more stably, and the electric resistance of the region irradiated with ultraviolet light can be increased with high reproducibility.
本実施形態では、紫外光を選択的に照射する方法として、直接基板Sに密着或いは近接させるマスク使用する方式を記載したが、投影型の露光装置を用いて、ガラスマスク上に形成したマスクを用いて選択的に紫外光を照射する様にしても良い。 In this embodiment, as a method of selectively irradiating ultraviolet light, a method of using a mask that is in direct contact with or close to the substrate S is described. However, a mask formed on a glass mask using a projection exposure apparatus is used. It is also possible to selectively irradiate with ultraviolet light.
続いて、発光層28を上記第1実施形態と同様に、液滴吐出法によって形成する。即ち、図10(c)に示すように、発光層28を構成する組成物としての発光材料をキシレンといった所定の溶媒に溶解または分散させて形成された液状組成物Lを吐出ヘッド40のノズルNから吐出させる。このとき、吐出ヘッド40に設けられた前記ガイドレール41に沿って吐出ヘッド40を基板Sに対して紙面手前及び奥方向に移動させながら液状組成物Lを順次吐出することで正孔注入層61の全面に液状組成物Lを吐出する。これにより、正孔注入層61の上全面に液状組成物Lが塗布される。
Subsequently, the
次に、正孔注入層61を形成する工程と同様に、基板Sを密閉容器内に搬送し、容器内を減圧することにより基板S上に配置した液状組成物Lから溶媒を除去し、膜化する。各画素電極27がバンク25からある程度離れた領域に配置されているため、全ての画素電極27上に平坦で、膜厚の均一性の高い発光層28を形成することができる。
Next, similarly to the step of forming the
また、基板Sを、例えばホットプレート上に載置することによって加熱して液状組成物L中の溶媒を蒸発させ、発光層28を形成しても良い。このとき、正孔注入層61は、凹状領域26の全面に渡って均一な膜厚となっているので、蒸発後においては、この発光層28は凹状領域26の全面に渡って均一な膜厚となる。
Alternatively, the
続いて、発光層28上に電子注入層62を液滴吐出法によって形成する。即ち、電子注入層62を構成する組成物としてのポリフェニレンビニレン系のポリマーを含んだ電子注入層材料をキシレンといった所定の溶媒に溶解または分散させて形成された液状組成物を吐出ヘッドのノズルから吐出させ発光層28の全面に電子注入層材料を所定の溶媒に溶解又は分散した液状組成物を吐出する。その後、基板Sを、密閉容器中に搬送し、容器内を減圧することで、液状組成物中の溶媒を蒸発させ、基板S上に配置した液状組成物を膜化する。また、例えばホットプレート上に載置することによって加熱して前記電子注入層材料の液状組成物中の溶媒を蒸発させても良い。このとき、図11(a)に示すように、発光層28は全面に渡って均一な膜厚であるので、電子注入層62は、凹状領域26の全面に渡って均一な膜厚となる。
Subsequently, an
次に、図11(a)に示すように、電子注入層62上にマスクM2を載置する。マスクM2は、電子注入層62上全面を覆う大きさのものであって、前記したマスクM1と同じ形状をしている。即ち、紫外光に対して透過性を有する透過領域Taと、紫外光の透過を遮断する非透過領域Tbとを備え、非透過領域Tbは、各画素電極27上の領域Q1に相対向する位置に配置され、透過領域Taは、画素電極27以外の領域Q2に相対向する位置に配置されている。従って、各画素電極27上の領域Q1に形成された電子注入層62には非透過領域Tbが、また、各画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2に形成された電子注入層62には透過領域Taが配置される。
Next, as shown in FIG. 11A, a mask M <b> 2 is placed on the
そして、図11(a)に示すように、マスクM2を介して電子注入層62全面に対して紫外光Rを照射する(光照射工程)。照射する紫外光は、前記と同様に、350nm以下、好ましくは250〜300nmの波長のものがのぞまし。この結果、領域Q1に位置する電子注入層62には紫外光Rが照射されず、領域Q2に位置する電子注入層62にのみ紫外光Rが照射される。この結果、紫外光Rが照射された領域Q2に位置する電子注入層62は、その結晶性が変性し、電気抵抗値が高くなる。一方、紫外光Rが照射されなかった領域Q1に位置する電子注入層62は、その結晶性は変性せず、電気抵抗値は低い。このようにして、低い電気抵抗値を有する電子注入層62Lと、高い電気抵抗値を有する電子注入層62Hとを備えた電子注入層62が形成される。
And as shown to Fig.11 (a), the ultraviolet-ray R is irradiated with respect to the
更には、100℃〜150℃で1分〜数分の加熱処理を実施する。加熱処理を行うことで、紫外光で露光された領域の反応がより安定して進行し、再現性良く紫外光を照射した
領域の電気抵抗を高くすることができる。
Furthermore, heat treatment is performed at 100 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to several minutes. By performing the heat treatment, the reaction of the region exposed to ultraviolet light proceeds more stably, and the electric resistance of the region irradiated with ultraviolet light can be increased with high reproducibility.
本実施形態では、紫外光を選択的に照射する方法として、直接基板Sに密着或いは近接させるマスク使用する方式を記載したが、投影型の露光装置を用いて、ガラスマスク上に形成したマスクを用いて選択的に紫外光を照射する様にしても良い。 In this embodiment, as a method of selectively irradiating ultraviolet light, a method of using a mask that is in direct contact with or close to the substrate S is described. However, a mask formed on a glass mask using a projection exposure apparatus is used. It is also possible to selectively irradiate with ultraviolet light.
続いて、図11(b)に示すように、正孔注入層61からマスクM2を除去する。その後、バンク25及び電子注入層62上に、LiF層、Ca層、Al層等を公知の蒸着方法等により積層し、陰極29を形成する。続いて、上記第1実施形態と同様にして、陰極29全面に光透過性を有する、例えば樹脂等で構成された封止部材30を形成する(図11(c)参照)。
Subsequently, the mask M2 is removed from the
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)本実施形態によれば、液滴吐出法によって、凹状領域26内に、正孔注入層61、発光層28、電子注入層62を形成した。従って、真空装置等を使用することなく、所望の膜厚の正孔注入層61、発光層28、電子注入層62を形成することができる。また、凹状領域26内に複数の画素電極27を配置することで、各画素電極上に形成する正孔注入層61、発光層28、電子注入層62の膜厚を各画素電極に渡って均一にすることができる。
(2)本実施形態によれば、各画素電極27から供給された正孔、及び、陰極29から供給された電子は、各画素電極27と陰極29に挟持された領域Q1以外の領域Q2に流れ込まない。この結果、所定の画素電極27上の発光層28に対して正孔、及び、電子を供給した際に、その周辺の発光層や、隣接する他の画素電極27上の発光層28が同時に発光してしまう、所謂発光のクロストークの発生を抑制することができる。このため、より高精細な描画を可能とする有機EL露光ヘッド2K,2C,2M,2Yを実現することができる。この結果、高精細な画像を印刷することのできる光プリンタ1を実現することができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.
(1) According to the present embodiment, the
(2) According to the present embodiment, the holes supplied from each
特に電子写真プリンター用の光書き込みヘッドにおいては、各画素の発光光の周辺部への広がりが、感光体上に結像された場合のコントラストの低下につながる。画素周辺に遮光層を設けることで、この画素周辺部の光を防ぐ方法が提案されているが、発光光が有効に使用されないため、光の利用効率が低下する。本発明の場合、画素電極27上の発光層28に電荷を集中させることで発光領域を絞り込むため、高い光の利用効率と、結像させた場合の高い解像度を両立することができる。
(3)本実施形態によれば、選択的に紫外光を照射することで、正孔注入層61或いは電子注入層62に電気抵抗の高い領域と、電気抵抗の低い領域を作り分けることができる。このため、製造工程を複雑化することなく発光素子の発光効率の向上と、高精細化を達成することができる。
(4)本実施形態によれば、シート抵抗値の低い正孔注入材料や、電子注入材料を用いた場合でも、発光のクロストークを抑制することができる。シート抵抗の低い正孔注入材料や電子注入材料を用いることは、発光電圧の低電圧化や発光効率の向上、発光素子の寿命の向上を期待することできる。従って、本発明を用いることにより、これらのシート抵抗値の低い正孔注入材料や、電子注入材料を用いて、発光装置の解像度や光の利用効率を低下させること無く、低電圧化や、発光効率の向上、素子寿命の向上を図ることができる。尚、本実施形態では、画素電極27を陽極として用いる構造を紹介したが、画素電極27を陰極として用いる構造においても、本発明は有効である。その場合、電子注入/輸送層に選択的に紫外光を照射することにより、各画素電極27の電子注入/輸送層を高抵抗化することで高い効果を発揮させることができる。
(第5実施形態)
次に、本発明を具体化した第5実施形態を図12に従って説明する。この第5実施形態
においては、そのバンクの構造以外は、前記第4実施形態と同じである。従って、上記第4実施形態と同じ構成部材についてはその符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
In particular, in an optical writing head for an electrophotographic printer, the spread of the emitted light of each pixel to the peripheral portion leads to a decrease in contrast when an image is formed on the photoreceptor. A method for preventing light around the pixel by providing a light-shielding layer around the pixel has been proposed. However, since the emitted light is not used effectively, the light use efficiency decreases. In the case of the present invention, since the light emitting region is narrowed by concentrating charges on the
(3) According to the present embodiment, by selectively irradiating with ultraviolet light, the
(4) According to the present embodiment, even when a hole injection material having a low sheet resistance value or an electron injection material is used, light emission crosstalk can be suppressed. Use of a hole injection material or an electron injection material having a low sheet resistance can be expected to lower the light emission voltage, improve the light emission efficiency, and improve the lifetime of the light emitting element. Therefore, by using the present invention, a hole injection material or electron injection material having a low sheet resistance value can be used to reduce the voltage and light emission without reducing the resolution of the light emitting device and the light use efficiency. The efficiency can be improved and the device life can be improved. In the present embodiment, the structure in which the
(Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The fifth embodiment is the same as the fourth embodiment except for the bank structure. Therefore, the same components as those in the fourth embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図12は、第5実施形態に係る発光素子アレイ22Dの上面図であり、図12(b)は、図12(a)中a−a線断面図である。
図12(a)に示すように、発光素子アレイ22Dは、上記第4実施形態と同様に、基板S上に発光層28以外に正孔注入層61及び電子注入層62を備えた有機EL素子24を複数個配列された構造を有しており、撥液性バンク25bは、発光素子アレイ22Dを共通して囲むようにして配置されている。そして、画素電極27の上方の領域Q1に位置する正孔注入層61L及び電子注入層62Lは、画素電極27の上方以外の領域Q2に位置する正孔注入層61H及び電子注入層62Hに比べて、それぞれ電気抵抗が低い層である。
FIG. 12 is a top view of a light emitting
As shown in FIG. 12A, the light emitting
一方、親液性バンク45は、本実施形態においては、各画素電極27を区画するようにして配置されている。この親液性バンク45は、例えば、膜厚が50〜150nmであって、酸化珪素(SiO2)で構成されたものである。また、親液性バンク45は、親液性を備えていないものであっても、通常用いられる公知の親液化処理を施すことで表面を親液化したものであってもよい。
On the other hand, the
このようにすることで、画素電極27の端部での電界の集中が避けられる。この結果、有機EL素子24の寿命を延ばすことができる。
尚、発明の実施形態は、上記第1〜第5実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
By doing so, concentration of the electric field at the end of the
In addition, embodiment of invention is not limited to the said 1st-5th embodiment, You may implement as follows.
上述した実施形態では、主に電子写真プリンター用の光書き込みヘッドに適用する場合について説明したが、連続した正孔注入層、電子注入層を有する構造のものであれば本発明は有効に適用することができる。例えば、マトリックス状の白色の発光素子にカラーフィルターを組み合わせることによりカラー化を行う表示装置等にも使用することが可能である。 In the above-described embodiment, the case where it is mainly applied to an optical writing head for an electrophotographic printer has been described. However, the present invention is effectively applied to a structure having a continuous hole injection layer and electron injection layer. be able to. For example, it can be used for a display device that performs colorization by combining a white light emitting element in a matrix form with a color filter.
○上記各実施形態では、液滴吐出法を使用して正孔注入層61、電子注入層62及び発光層28を形成するようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、正孔注入層材料、電子注入層材料及び発光層材料を含んだ各液状組成物をディスペンサーを使用して塗布するようにしてもよい。このようにすることで、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
In each of the above embodiments, the
○上記各実施形態では、画素電極27は、円形形状を成していたが、そうではなく、例えば略四角形状であってもよい。この場合、上記実施形態のような四角形状を成したバンク25を使用することで、より膜厚の均一な正孔注入層61、電子注入層62及び発光層28を有する有機EL素子24を形成することができる。
In each of the above embodiments, the
○上記各実施形態では、正孔注入層61はPEDOTを含んだ有機導電性層であったが、PEDOTを含んでいない有機導電性層であっても適用できる。また、電子注入層62はポリフェニレンビニレン系のポリマーを含んだ有機導電性層であったが、ポリアニリンを含んでいない有機導電性層であっても適用できる。
In each of the above embodiments, the
○上記各実施形態では、発光素子として有機EL素子を使用したが、これに限定されるものではない。要は、少なくとも一部の層が液状組成物によって形成される発光素子であればどんな発光素子であってもよい。 In each of the above embodiments, an organic EL element is used as a light emitting element, but the present invention is not limited to this. In short, any light emitting element may be used as long as at least a part of the layers is formed of a liquid composition.
○上記第4及び第5実施形態では、有機EL素子24を、画素電極27、正孔注入層61、発光層28、電子注入層62及び陰極29で構成したが、本発明はこれに限定されない。たとえば、有機EL素子24を、画素電極27、正孔注入層61、発光層28、電子注入層62及び陰極29以外に、正孔注入層61と発光層28との間に正孔輸送層を、また、電子注入層62と陰極29との間に電子輸送層を設けてもよい。
In the fourth and fifth embodiments, the
また、各正孔輸送層及び電子輸送層を設けた場合、その画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2にある各正孔輸送層及び電子輸送層の電気抵抗値を高くすることで、各画素電極27から供給された正孔を、各画素電極27上の領域Q1に形成された正孔注入層61Lに集中して供給させることができる。従って、所謂発光のクロストークの発生を抑制することができる。
Further, when each hole transport layer and electron transport layer are provided, by increasing the electrical resistance value of each hole transport layer and electron transport layer in the region Q2 other than the region Q1 on the
○上記第4及び第5実施形態では、画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2の全てにある正孔注入層61H及び電子注入層62Hの各電気抵抗値を高くした。これを、画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2の全てではなく、各画素電極27上の領域Q1の周囲近傍の領域Q2にある正孔注入層61及び電子注入層62のみの電気抵抗値を高くするようにしてもよい。このようにすることで、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
In the fourth and fifth embodiments, the electrical resistance values of the
○上記第4及び第5実施形態では、基板S上に、画素電極27、正孔注入層61、発光層28、電子注入層62及び陰極29を積層し、画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2にある正孔注入層61及び電子注入層62の電気抵抗値を高くしたが、高い電気抵抗値を形成する層は、正孔注入層61及び電子注入層62に限定されない。たとえば、基板S上に、画素電極27、発光層28及び陰極29を積層し、画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2にある発光層28の電気抵抗値を高くしてもよい。このようにすることで、各画素電極27から供給された正孔を、各画素電極27上の領域Q1に形成された発光層28に集中して供給させることができるので、所謂発光のクロストークの発生を抑制することができる。
In the fourth and fifth embodiments, the
また、有機EL素子24を、画素電極27、正孔注入層61、発光層28、電子注入層62及び陰極29以外に、正孔注入層61と発光層28との間に正孔輸送層を、また、電子注入層62と陰極29との間に電子輸送層を設け、その画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2にある各正孔輸送層及び電子輸送層の電気抵抗値を高くしてもよい。要は、画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2にある各層の電気抵抗値が、画素電極27上の領域Q1にある各層の電気抵抗値よりも高ければよい。
In addition to the
○上記各実施形態では、正孔注入層61はPEDOTを含んだ有機導電性層であったが、ポリアニリンを含んだ有機導電性層であっても上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
In each of the above embodiments, the
○上記第4及び第5実施形態では、光として紫外光Rを使用した化学反応により電気抵抗値を高くするようにしているが、紫外光R以外の光を使用して電気抵抗値を高くするようにしてもよい。例えば、炭酸レーザ、エキシマーレーザ、YAGレーザ等を利用して照射した領域を熱的に変性させて高抵抗する様にしても良い。また、更に高いエネルギーでレーザ照射を行うことで、レーザアブレーションにより照射した領域の膜を除去する様にしてもよい。更には、高抵抗化させたい領域に予め照射するレーザ光の吸収率の高い材料を選択的に配置しておき、適当な値で膜を形成した面全面にレーザを照射する様な工程を使用しても良い。この様なレーザによる加工は、現圧雰囲気中或いは不活性気体の雰囲気中で行うことが、汚染や機能層の劣化を防止する上で望ましい。特にレーザによる加工は、発光層の形成前の工程で行うことが、発光層の劣化を防止するために望ましい。例えば
、正孔注入層上に発光層を形成する構成の場合、正孔注入層に対してレーザによる加工を行うことが有効である。
In the fourth and fifth embodiments, the electrical resistance value is increased by a chemical reaction using ultraviolet light R as light, but the electrical resistance value is increased using light other than ultraviolet light R. You may do it. For example, a region irradiated by using a carbonic acid laser, an excimer laser, a YAG laser or the like may be thermally denatured so as to have a high resistance. Further, the film in the region irradiated by laser ablation may be removed by performing laser irradiation with higher energy. In addition, a material that has a high absorption rate of laser light to be irradiated in advance on the region to be increased in resistance is selectively placed, and a process that irradiates the entire surface of the film with an appropriate value is used. You may do it. Such laser processing is preferably performed in the current pressure atmosphere or in an inert gas atmosphere in order to prevent contamination and functional layer deterioration. In particular, it is desirable that the processing with a laser be performed in a step before the formation of the light emitting layer in order to prevent deterioration of the light emitting layer. For example, when the light emitting layer is formed on the hole injection layer, it is effective to process the hole injection layer with a laser.
○上記第4及び第5実施形態では、基板S上に、画素電極27、正孔注入層61、発光層28、電子注入層62及び陰極29を積層し、画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2にある正孔注入層61及び電子注入層62に紫外光Rを照射することで、領域Q2内の正孔注入層61及び電子注入層62の電気抵抗値を高くした。これを、画素電極27が形成された区画領域を除いた正孔注入層61の直下にある基板S上に紫外光Rを吸収する所定の材料からなる層を設ける。また、同様に、電子注入層62の直下にある画素電極27上の領域Q1以外の全領域Q2の発光層28上に基板S上に紫外光Rを吸収する所定の材料からなる層を設ける。そして、マスクM1,M2を使用して紫外光Rを照射するようにしてもよい。このようにすることで、画素電極27上の領域Q1以外の全領域Q2にある正孔注入層61及び電子注入層62に紫外光Rを効率良く吸収させることができるので、確実に前記領域Q2内の正孔注入層61及び電子注入層62の電気抵抗値を高くすることができる。
In the fourth and fifth embodiments, the
○上記第4及び第5実施形態では、画素電極27上に正孔注入層61を設けるとともに、陰極29の直下に電子注入層62を設けたが、本発明はこれに限定されない。画素電極27上に電子注入層が形成され、陰極29の直下に正孔注入層が形成された構造をしたものに対しても適用可能である。つまり、画素電極27を陰極とし、陰極29を陽極とした場合であっても、その画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2にある電子注入層の電気抵抗値を領域Q1に比べて高くする。また、画素電極27上の領域Q1以外の領域Q2にある正孔注入層の電気抵抗値を領域Q1に比べて高くする。このようにすることでも、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
In the fourth and fifth embodiments, the
S…基板、1…電気光学装置としての光プリンタ、2C,2K,2M,2Y…光書き込みヘッド及び発光部ユニットとしてシアン用有機EL露光ヘッド、ブラック用有機EL露光ヘッド、マゼンダ用有機EL露光ヘッド、及びイエロ用有機EL露光ヘッド、22,2
2A,22B,22C,22D…発光素子アレイ、23…光学部材、24…発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、25…バンク、27…画素電極、28…発光層、29…共通電極としての陰極、61…有機導電性層としての正孔注入層、62…有機導電性層としての電子注入層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS S ... Substrate, 1 ... Optical printer as electro-optical device, 2C, 2K, 2M, 2Y ... Optical writing head and organic EL exposure head for cyan as light emitting unit, organic EL exposure head for black, organic EL exposure head for magenta , And organic EL exposure heads for yellow, 22, 2
2A, 22B, 22C, 22D ... light emitting element array, 23 ... optical member, 24 ... organic electroluminescence element as light emitting element, 25 ... bank, 27 ... pixel electrode, 28 ... light emitting layer, 29 ... cathode as common electrode, 61: a hole injection layer as an organic conductive layer, 62: an electron injection layer as an organic conductive layer.
Claims (16)
前記発光素子アレイを共通して囲む隔壁と
を有することを特徴とする電気光学装置。 A light emitting element array in which a plurality of light emitting elements are arranged;
An electro-optical device having a partition wall that commonly surrounds the light-emitting element array.
前記隔壁は、その形状が前記各発光素子の形状にならうようにして形成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1.
The electro-optical device, wherein the partition wall is formed so that its shape follows the shape of each light emitting element.
前記複数の発光素子は、液体プロセスで形成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1.
The electro-optical device, wherein the plurality of light emitting elements are formed by a liquid process.
前記複数個の発光素子は、複数個の画素電極と前記複数個の画素電極の各々に対向配置される共通電極との間に少なくとも発光層を含む機能層を形成することによって形成され、
前記発光層は、有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 3.
The plurality of light emitting elements are formed by forming a functional layer including at least a light emitting layer between a plurality of pixel electrodes and a common electrode disposed to face each of the plurality of pixel electrodes.
The electro-optical device is characterized in that the light emitting layer is made of an organic material.
前記各発光素子は、千鳥格子状に配列されていることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 4,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the light emitting elements are arranged in a staggered pattern.
前記機能層の電気抵抗値は、前記複数の画素電極の間に配置された前記機能層の電気抵抗値が前記画素電極と前記共通電極に挟持される領域に配置された前記機能層の電気抵抗値に比べて高いことを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 4 and 5,
The electrical resistance value of the functional layer is the electrical resistance of the functional layer disposed in a region where the electrical resistance value of the functional layer disposed between the plurality of pixel electrodes is sandwiched between the pixel electrode and the common electrode. An electro-optical device characterized by being higher than the value.
前記機能層は、有機導電性層を備え、
前記複数の画素電極の間に配置された前記有機導電性層の電気抵抗値は、前記複数の画素電極と前記共通電極に挟持される領域に配置された前記有機導電性層の電気抵抗値に比べて高いことを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 6.
The functional layer includes an organic conductive layer,
The electrical resistance value of the organic conductive layer disposed between the plurality of pixel electrodes is equal to the electrical resistance value of the organic conductive layer disposed in a region sandwiched between the plurality of pixel electrodes and the common electrode. An electro-optical device characterized by being expensive.
前記有機導電性層は、ポリエチレンジオキシチオフェンを含んでいることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 7.
The electro-optical device, wherein the organic conductive layer contains polyethylene dioxythiophene.
前記有機導電性層は、ポリアニリンを含んでいることを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 7.
The electro-optical device, wherein the organic conductive layer contains polyaniline.
前記発光素子アレイは、感光体上に選択的に光を照射することを特徴とする電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1,
The electro-optical device, wherein the light emitting element array selectively irradiates light onto a photoconductor.
複数の画素電極を形成する工程と、
前記複数の画素電極全体を共通して囲む隔壁を形成する工程と、
前記隔壁によって囲まれた領域に、機能層を形成する工程と
を備えていることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 In the method of manufacturing the electro-optical device,
Forming a plurality of pixel electrodes;
Forming a partition wall that surrounds the entire plurality of pixel electrodes in common;
And a step of forming a functional layer in a region surrounded by the partition wall.
前記機能層は、液滴吐出法によって行われるようにしたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 11.
The method of manufacturing an electro-optical device, wherein the functional layer is formed by a droplet discharge method.
前記機能層に選択的に光を照射する工程を更に備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 11 or 12,
The method of manufacturing an electro-optical device, further comprising a step of selectively irradiating the functional layer with light.
前記画素電極と画素電極との間の領域に配置された前記機能層に選択的に光を照射することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 The method of manufacturing an electro-optical device according to any one of claims 11 to 13,
A method of manufacturing an electro-optical device, wherein the functional layer disposed in a region between the pixel electrodes is selectively irradiated with light.
前記光は、紫外光であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 The method of manufacturing the electro-optical device according to claim 14.
The method of manufacturing an electro-optical device, wherein the light is ultraviolet light.
前記光を照射後に、前記機能層に熱処理を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 14 or 15,
A method of manufacturing an electro-optical device, wherein the functional layer is heat-treated after the light irradiation.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005286395A JP4539518B2 (en) | 2005-03-31 | 2005-09-30 | Electro-optical device and method of manufacturing electro-optical device |
US11/378,313 US7772759B2 (en) | 2005-03-31 | 2006-03-20 | Electrooptical apparatus and method of manufacturing electrooptical apparatus |
KR1020060026839A KR100763984B1 (en) | 2005-03-31 | 2006-03-24 | Electrooptical apparatus and method of manufacturing electrooptical apparatus |
TW095111000A TWI342720B (en) | 2005-03-31 | 2006-03-29 | Electrooptical apparatus and method of manufacturing electrooptical apparatus |
EP06006722A EP1708294B1 (en) | 2005-03-31 | 2006-03-30 | Electrooptical apparatus and method of manufactuing electrooptical apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005104976 | 2005-03-31 | ||
JP2005286395A JP4539518B2 (en) | 2005-03-31 | 2005-09-30 | Electro-optical device and method of manufacturing electro-optical device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310257A true JP2006310257A (en) | 2006-11-09 |
JP4539518B2 JP4539518B2 (en) | 2010-09-08 |
Family
ID=36204756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005286395A Expired - Fee Related JP4539518B2 (en) | 2005-03-31 | 2005-09-30 | Electro-optical device and method of manufacturing electro-optical device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7772759B2 (en) |
EP (1) | EP1708294B1 (en) |
JP (1) | JP4539518B2 (en) |
KR (1) | KR100763984B1 (en) |
TW (1) | TWI342720B (en) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100763984B1 (en) | 2007-10-08 |
EP1708294B1 (en) | 2012-01-18 |
US7772759B2 (en) | 2010-08-10 |
TWI342720B (en) | 2011-05-21 |
US20060220532A1 (en) | 2006-10-05 |
KR20060106701A (en) | 2006-10-12 |
JP4539518B2 (en) | 2010-09-08 |
TW200704271A (en) | 2007-01-16 |
EP1708294A2 (en) | 2006-10-04 |
EP1708294A3 (en) | 2010-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4539518 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |