JP2006224591A - インクジェット記録ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＣＲＢＴＪ製法の工程短縮、信頼性向上。
【解決手段】 犠牲層を、配線／ヒーター／配線の三層構成として、Ｓｉ（１１０）基板に垂直エッチしたインク供給口を形成できるようにした。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液体に外部からエネルギーを加えることによって、所望の液体を吐出するインクジェット記録ヘッド、およびインクジェット記録ヘッドの製造方法に関する。

熱等のエネルギーをインクに与えることで、気泡の発生を促し、この体積変化を利用して吐出口からインクを吐出し、これを記録媒体上に付着させて画像形成を行うインクジェット記録方法が知られている。インクジェット方式の中で、基板に対し垂直にインクを吐出するサイドシューター型（特開平９−０１１４７９）が提案されている。また、このヘッドの製法として、エッチング犠牲層を用いてインク供給口の形状を成型する方法（特開平１０−１８１０３２）が開示されている。

これは、シリコン基板上に酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜を形成し、前記酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜上にインク吐出圧発生素子を形成し、前記シリコン基板表面にエッチング液に侵されやすい材料で薄膜を堆積しインク供給口の形状にパターン（エッチング犠牲層）を形成し、さらに前記供給口の形状のパターン上にエッチングストップ層を形成し、前記シリコン基板表面にインク吐出口部を形成し、前記酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜形成面の裏面に開口部を設け、異方性エッチングによりインク供給口となる部分のシリコンを除去し、インク供給口部に残ったエッチングストップ層の酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜またはその混合物を除去する工程によって形成されていた。
特開平９−１１４７９号公報 特開平１０−１８１０３２号公報

従来のサイドシューター型のインクジェット記録ヘッドでは、特開平１０−１８１０３２に示されたように、エッチング犠牲層はポリシリコンやＡｌ合金を用いた単層構造になっていた。この場合、エッチング犠牲層と配線など他の層との構成が異なるため、エッチング犠牲層を形成する工程を特別に設けるなど工程数が増えてしまうという問題点があった。

上記のような問題点は、シリコン基板上に畜熱層として酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜などの絶縁膜を形成する工程、前記膜上にインク吐出圧発生素子を形成する工程、前記シリコン基板表面にエッチング液に侵されやすい材料で薄膜を堆積しインク供給口の形状にパターン（エッチング犠牲層）を形成する工程、前記供給口の形状のパターン上に酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜またはその混合物のエッチングストップ層を形成する工程、前記酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜が形成された裏面に開口部を設け、異方性エッチングによりインク供給口となる部分のシリコンを除去する工程、インク供給口部に残ったエッチングストップ層の酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜またはその混合物を除去する工程を少なくとも含むインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、前記基板表面の供給口の形状の薄膜パターン（エッチング犠牲層）が異種の材料の層を三層積層したものであることを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法によって解決される。

（作用）
インク吐出圧発生用のヒーター配線を、高抵抗層と低抵抗層の三層構造にして、低抵抗配線の一部をエッチングして高抵抗部層を露出させることによりヒーター部を形成するプロセスを採用した場合のおいて、エッチング犠牲層を同様な三層構造とすることによって、インク吐出圧発生用のヒーター配線と同時に形成することが可能になり、工程の簡略化が達成される。

エッチング犠牲層を下層をヒーター、上層を配線として二層構成として形成すると、以下の実験に述べるようにエッチング能力が不足して、Ｓｉ（１１０）ウエハに垂直のインク供給口をあけるのには適用できない。

以上述べたように本発明によれば、エッチング犠牲層を薄いヒーター層と配線層の二層構成にすることにより、犠牲層と配線を同一プロセスで形成することが可能になり、プロセスの大幅な簡略化が達成された。また、配線プロセスの信頼性も向上した。

［実験１］
以下に、本発明に関わる実験について述べる。図３は実験に用いたサンプルの断面構造を示したものである。５インチΦ、厚さ６２５μｍのＳｉ（１１０）ウエハ１０１の表面にＡｌＣｕ膜（Ａｌ：Ｃｕ＝９９．５：０．５）１０００Å、ＴａＳｉＮ膜（Ｔａ：Ｓｉ：Ｎ＝４３：４２：１５）を２００〜１０００Å、ＡｌＣｕ膜（Ａｌ：Ｃｕ＝９９．５：０．５）を２０００Åを積層して堆積し平面図５のようにパターニングして犠牲層１０２とした。犠牲層の形状は狭角が７０．５度の平行四辺形で、長辺がＳｉ基板の（１１０）方位と平行になるようにした。大きさは幅１６０μｍ、長さ８ｍｍとした。その上にプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を８０００Å堆積してエッチングストップ層１０３とした。この時のＳｉＮ膜の成膜条件は、ＳｉＨ₄／ＮＨ₃／Ｎ₂＝５００／１５００／６３００ｓｃｃｍ、圧力１５０ｍｔｏｒｒ、基板温度３８０℃、ＲＦ １７００Ｗであった。また基板の裏面には、熱酸化膜を平面図６のようにパターニングした異方性エッチング用パターンが形成してある。これは、表面の犠牲層とは鏡像関係になっている。裏面の酸化膜の開口部には、平行四辺形の狭角近傍に基板を非貫通のエッチング先導孔１０５が加工されている。基板表面には耐アルカリ性のレジスト（ＯＢＣ 東京応化製）１０６が塗布してある。

犠牲層の中間層のＴａＳｉＮ膜の膜厚を２００〜２０００Åまで変化させた複数のサンプルを、テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドライド（ＴＭＡＨ）に浸漬して、裏面よりシリコンを異方性エッチングした。エッチング条件は、ＴＭＡＨ／Ｈ₂Ｏ＝２１％、液温度８３℃、エッチング時間は７時間であった。

ＴａＳｉＮ膜の膜厚が２００〜１０００Åの範囲では、図４のようにシリコンに開いた穴は犠牲層に到達し、犠牲層をエッチングしてエッチングストップ層で止まり、犠牲層残りは観察されなかった。ＴａＳｉＮ膜の厚さが１０００Å以上の時、犠牲層残りが発生した。

［実験２］
比較実験として、犠牲層を図９のように下層にＴａＳｉＮ膜の膜厚を５００Å、上層のＡｌＣｕ層を２０００Åの二層構造とし、他は実験１と同様の構成でサンプルを形成して同様に異方性エッチングした。すると、図１１のように犠牲層の狭角近傍に狭角から１５０〜２５０μｍにわたって犠牲層残りが発生した。

［実験３］
実験１と同様の構成で、中間層のＴａＳｉＮ膜の膜厚を５００Å、上層のＡｌＣｕ層を２０００Åに固定して、下層のＡｌＣｕの膜厚を２００〜８０００Åまで変化させたサンプルを作成して、同様に異方性エッチングした。ＡｌＣｕの膜厚が３００Å以上では犠牲層が全てエッチングされたが、それ以下では一部でエッチングされない犠牲層が残った。また、犠牲層が７０００Å以上では、一部のサンプルにエッチング後にエッチングストップ層の亀裂が観察された。

［実験４］
比較実験として、図８に示したように、犠牲層を一層として他の構成は実験１と同様のサンプルを作製して異方性エッチングを行った。この時ＡｌＣｕの犠牲層の厚みが薄いと図１１のように、犠牲層パターンの狭角近傍にエッチング残りが発生してしまった。図１２は、犠牲層の厚さと、犠牲層残りの部分の狭角からの長さＸの関係を示したものである。犠牲層の厚さが４００Å以下になると、犠牲層残りが急激に増加していることが判る。

［実施態様例］
図１は本発明による実施態様例を示すインクジェット記録ヘッドの製造工程途中のヒーターボード基板の模式図である。基板としては（１１０）のＳｉウエハ２０１が用いられる。ウエハの表面に配線層２０３／ヒーター層２０４／配線層２０５を三層積層して堆積しパターニングして犠牲層２０７とした。犠牲層の平面形状は、狭角が７０．５度の平行四辺形とする。また、犠牲層のヒーター層の膜厚は一般には８００Å以下、好ましくは７００Å、最適には６００Å以下である。一方、犠牲層の下層の配線層の膜厚は一般には３００〜７０００、好ましくは４００〜６０００Å、最適には５００〜５０００Åである。

その上にスパッター、蒸着やプラズマＣＶＤによって薄膜を堆積してエッチングストップ層３０４とした。このエッチンッグストップ層の膜厚は、一般には１０００〜２００００Å、好ましくは２０００〜１６０００Å、最適には３０００〜１３０００Åである。

犠牲層に隣接して、ヒーター層と配線層が積層されたパターンが配置されている。このパターの一部で配線層をエッチングしてヒーター部２０８を形成している。

また基板の裏面には、耐アルカリ性の膜をパターニングしてインク供給口開口部２１１が形成してあり、ここから異方性エッチングにより、表面の犠牲層へ向かって貫通口を開けインク供給口を形成する。

次に、本発明によるインクジェット記録ノズルのプロセスを図７を使って順を追って説明する。

（１）基板面方位（１１０）のシリコン基板３０１に、例えば熱酸化やＣＶＤ法などで絶縁膜３０２を形成し、フォトリソ技術によって図１０のようにインク供給口を設けるための所望のパターン３０３を形成する。

（２）配線材に適したＡｌやＣｕ等の抵抗が低く、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドライド）等の異方性エッチング用エッチャントに対するエッチング速度が大きな金属を堆積し、パターニングして、配線３０４と犠牲層３０５を形成する。エッチング犠牲層は、裏面からエッチングが進行してエッチャントが犠牲層に到達するとＳｉウエハよりエッチングレートが格段に速いので短時間にエッチングされ、犠牲層パターンに対応した開口部を開けることができるものである。この時のパターンは基板に対して垂直にエッチング穴があくように、図５のように狭角が７０．５度をなす平行四辺形とし、平行四辺形の長辺および短辺は（１１１）と等価の面に平行になるように配置する。ヒーター部が形成される位置の配線材料は、３０６のようにあらかじめエッチングして取り除いておく。

（３）抵抗の高いヒーター材３０７と配線用３０８の低抵抗材料を連続して堆積し、上層の配線材も一部エッチングして取り除きヒーター部３０９形成する。

（４）基板表面上にエッチングストップ層３１０として、プラズマＣＶＤ法によって、ＳｉＮまたはＳｉＯＮ膜を堆積する。エッチングストップ層は、膜応力を調整するために２種以上の膜を積層しても良い。

積層されたエッチングストップ膜のトータルの膜厚は、一般には２０００Å〜２μｍ、好ましくは３０００〜１５０００Å、最適には４０００〜１３０００Åである。また積層されたエッチングストップ膜のトータルの応力は、一般には２×１０ｅｘｐ−９dyne/cm²以下、より好ましくは１．８×１０ｅｘｐ−９dyne/cm²以下、最適には１．５×１０ｅｘｐ−９dyne/cm²以下である。

（５）ヒーターには耐久性の向上を目的としてプラズマＣＶＤでＳｉＮ膜３１１を堆積し保護膜とする。

（６）この上に、耐キャビテーション膜３１２としてスパッター等でＴａを堆積しパターニングする。この膜の膜厚は、好ましくは１０００〜５０００Å、さらに好ましくは２０００〜４０００Å、最適には２５００〜３５００Åである。

（７）樹脂製のノズルの密着性を上げるためと、裏面をアルカリ性エッチャントから保護するために、耐食性の高い樹脂膜３１３を形成する。そして、ヒーター部とインク供給口部をパターニングする。

（８）インク流路確保のために、強アルカリや有機溶剤等で溶解可能な樹脂でパターン３１４を形成する。このパターンは、印刷法や感光性樹脂によるパターニング等で形成する。

（９）インク流路のパターンの上に、ノズル形成のための被覆樹脂層３１５を形成する。この被覆樹脂層は微細パターンを形成するので感光性レジストが望ましく、さらに流路を形成した樹脂層を除去する際のアルカリや溶剤等によって変形変質しない性質が必要である。

（１０）次に流路の被覆樹脂層をパターニングして、ヒーター部３０９に対応したインク吐出口３１６と電極の外部接続部を形成する。この後、被覆樹脂層を光や熱等によって硬化する。

（１１）この基板のノズル形成面側を保護するためレジストで保護膜３１７を形成する。

（１２）裏面のＳｉＮまたはＳｉＯ₂などをフォトリソ技術を使って、裏面のインク供給口のパターン部分３１８を除去しウエハ面を露出させる。裏面のエッチングマスク膜の製法は、プラズマＣＶＤに限定されるものではなく、ＬＰＣＶＤ法や常圧ＣＶＤ、熱酸化法などでも良い。

（１３）次に裏面の平行四辺形の狭角の近傍部分（裏面の平面図６参照）に、エッチング先導孔３１９をあける。一般的には、レーザー加工などが用いられるが、放電加工、ブラスト等でも良い。

この先導孔は、エッチングストップ層に限りなく近くまであける。先導孔の深さは、一般には基板厚さの６０％以上、好ましくは７０％以上、最適には８０％以上である。また、基板を貫通してはならない。この先導孔によって、平行四辺形の狭角から発生する斜めの（１１１）面が抑制される。

（１５）この基板をアルカリ系エッチャント（ＫＯＨ、ＴＭＡＨ、ヒドラジン等）に浸け、（１１１）面が出るように異方性エッチングすると、貫通穴が形成される。

（１６）エッチングストップ層のＳｉＮ等の膜をフッ酸等の薬液または、ドライエッチ等で部分的に除去してインク供給口を開口する。最後にインク流路形成材を除去し、インクの流路３２０を確保する。

上記プロセスにおいて、基板の加工手順は特に限定されるものではなく、任意に選ぶことができる。

以下に、本発明によるインクジェット記録ヘッドの基板の実施例について説明する。

図１は本発明による実施態様例を示すインクジェット記録ヘッドの製造工程途中のヒーターボード基板の模式図である。基板として５インチΦＳｉ（１１０）ウエハ２０１を用いた。

パターニングされた酸化膜２０２の上に、下層にＡｕＣｕ（Ａｌ：Ｃｕ＝９９．５：０．５）を１０００Å、ＴａＳｉＮ膜（Ｔａ：Ｓｉ：Ｎ＝４３：４２：１５）を４００Å、上層にＡｌＣｕ膜（Ａｌ：Ｃｕ＝９９．５：０．５）を１０００Åを積層して堆積しパターニングして犠牲層２０６と配線層２０３〜２０５を形成した。犠牲層の平面形状は図５のように、狭角が７０．５度の平行四辺形とした。犠牲層の幅は１５０μｍ、長さは１０ｍｍとした。

その上にＳｉＮ膜を８０００Å堆積してエッチングストップ層２０７とした。

また基板の裏面には、酸化膜５０００Åの上に耐アルカリ性の膜（HIMAL日立化成製）２１０を犠牲層と鏡像になるようにパターニングしてエッチングパターン２１１を形成した。

ここから異方性エッチングにより、表面の犠牲層へ向かって貫通口を開けインク供給口を形成する。

テスターを用いて、このインクジェット記録ヘッドの配線のオープンショートチェックを行ったところ、欠陥率は０．０１％であった。

（比較例）
他の部分は実施例１と同様で、図１０のように下層のＴａＳｉＮ膜（Ｔａ：Ｓｉ：Ｎ＝４３：４２：１５）を４００Å、上層にＡｌＣｕ膜（Ａｌ：Ｃｕ＝９９．５：０．５）を２０００Åを積層して堆積しパターニングし配線およびヒーターを形成した基板を作製した。この基板をテスターを用いて、配線のオープンショートチェックを行ったところ、欠陥率は０．０５％であった。

このことから、ＡｌＣｕを二層用いた三層配線の方が、二層配線よりも信頼性が高いことが判った。

本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法について、図７を使って順を追って説明する。

図７（１）のように、厚さ６３０μｍで５インチΦの（１１０）面のＳｉウエハ３０１を熱酸化して、ＳｉＯ₂層３０２を１２０００Å形成した。次に、ＳｉＯ₂をパターニングして供給口開口部３０３を形成した。スパッターでＡｌＣｕ膜（Ａｌ：Ｃｕ＝９９．５：０．５）を１２００Å堆積した。フォトリソ技術によって図７（２）のようにパターニングして犠牲層３０５と電極配線３０４を形成した。ヒーター部が形成される位置の配線材料は、３０６のようにあらかじめエッチングして取り除いた。犠牲層の幅は１４０μｍ、長辺方向は１５ｍｍとした。

次に、中間層にＴａＳｉＮ３０７を４００Å、上層にＡｌＣｕ３０８を１０００Å連続堆積し、インク供給口に合わせて、上層の配線材を一部エッチングして取り除き下層のＴａＳｉＮを露出させヒーター部３０９形成した。（平面図２参照）ヒーター部の大きさは２４Ｘ２４μｍとした。配線は図２のように平面上で折り返し、個別信号供給線と下流のグラウンド電源部を同一配線で形成した。

エッチングストップ層として、図７（４）のようにプラズマＣＶＤでＳｉＮ膜３１０を８０００Å堆積した。この時のＳｉＮ膜の成膜条件は、ＳｉＨ₄／ＮＨ₃／Ｎ₂＝５００／１５００／６３００ｓｃｃｍ、圧力１５０ｍｔｏｒｒ、基板温度３８０℃、ＲＦ １７００Ｗであった。

ヒーターには耐久性の向上を目的としてプラズマＣＶＤでＳｉＮ膜３１１を堆積し保護膜とした。この時のＳｉＮ膜の成膜条件は、ＳｉＨ₄／ＮＨ₃＝５００／２０００ｓｃｃｍ、圧力１５０ｍｔｏｒｒ、基板温度３６０℃、ＲＦ １７００Ｗであった。

この上に、耐キャビテーション膜３１２としてスパッターでＴａを２３００Å堆積しパターニングした。

樹脂製のノズルの密着性を上げるためと、裏面をアルカリ性エッチャントから保護するために、耐アルカリ性の膜（HIMAL日立化成製）３１３を形成する。そして、ヒーター部パターニングする。

感光性樹脂としてポリメチルイソプロペニルケトン（東京応化ＯＤＵＲ−１０１０）を２０μｍ塗布してパターニングして、図７（８）のようにインク流路型材３１４を形成した。さらに表１に示した感光性樹脂層３１５を１２μｍ塗布しパタ−ニングして、図７（１０）のようにインク吐出口３１６を形成した。

ノズル形成面側を保護するために、ゴム系レジスト（東京応化製 ＯＢＣ）で保護膜３１７を形成した。ノズルの裏面側のHIMAL膜とＳｉＯ₂をパターニングして、裏面インク供給口３１８を形成した。このパターンは、表面の犠牲層と鏡像関係の平行四辺形とした。

次に裏面のインク供給口パターン部の平行四辺形の窓の狭角に隣接した部分に、図７（１２）のようにＹＡＧレーザーの２倍高調波で非貫通のエッチング先導孔３１９を開けた。この時の穴の径は２５〜３０μｍ、深さは５００〜５８０μｍであった。

この基板を２１％のＴＭＡＨ水溶液に浸漬して異方性エッチングした。エッチャント温度は８３℃、エッチング時間は７時間２０分とした。これは基板の厚み６３０μｍをジャストエッチする時間に対して１０％のオーバーエッチ時間とした。

エッチングは図７（１３）のようにＡｌＣｕの犠牲層まで進み、エッチングストップ層の前で止まっている。この時、エッチングストップ層に亀裂はなく、流路形成樹脂層やノズル部へのエッチング液の浸入は見られなかった。

次に、図７（１４）のようにエッチングストップ層のＳｉＮをＣＤＥ法によって除去した。エッチング条件は、ＣＦ₄／Ｏ₂＝３００／２５０ｓｃｃｍ、ＲＦ８００Ｗ、圧力２５０ｍｔｏｒｒであった。

図７（１５）のように、乳酸メチル中で超音波を掛け流路形成樹脂を除去して、インク流路３２０を形成した。最後に、メチルイソブチルケトンに浸漬後、キシレン中で超音波を掛け保護膜を除去してインクジェット記録ヘッドが完成した。

このインクジェット記録ヘッドを使って、吐出周波数１４ＫＨｚで印字テストを行ったが、１５ｍｍ幅全域にわたって、印字のカスレ、濃度ムラ、インクの不吐出のない高品位な印字物が得られた。

本発明によるインクジェット記録ヘッドの製造工程途中の基板断面を示す概略図。 本発明によるインクジェット記録ヘッドの製造工程途中の基板平面を示す概略図。 本発明に至る実験に用いた基板の断面概略図。 本発明に至る実験に用いた基板の実験経過を示す概略図。 本発明によるインクジェット記録ヘッドのベース基板の上面を示す概略。 本発明によるインクジェット記録ヘッドのベース基板の裏面を示す概略。 本発明によるインクジェット記録ヘッドの製造工程フローを示す図。 本発明に至る実験に用いた基板の断面概略図。 本発明に至る実験に用いた基板の断面概略図。 比較例のインクジェット記録ヘッドの製造工程途中の基板断面。 本発明に至る実験に用いた基板の犠牲層残りを示す概略図。 本発明に至る実験の結果を示す図。

符号の説明

１０１ Ｓｉ基板
１０２ 犠牲層
１０３ エッチングストップ層
１０４ インク供給口開口部
１０５ エッチング先導孔
１０６ 耐アルカリ性レジスト
２０１ Ｓｉ基板
２０２ 酸化膜
２０３ 下層配線層
２０４ ヒーター層
２０５ 上層配線層
２０６ 犠牲層
２０７ エッチングストップ層
２０８ ヒーター
２０９ 酸化膜
２１０ 耐アルカリ性樹脂膜
３０１ シリコンウエハ基板
３０２ 絶縁膜
３０３ インク供給口パターン
３０４ 下層配線
３０５ 犠牲層
３０６ ヒーター形成部
３０７ ヒーター材
３０８ 上層配線
３０９ ヒーター
３１０ エッチングストップ層
３１１ ヒーター保護膜
３１２ 耐キャビテーション膜
３１３ 耐アルカリ性樹脂膜
３１４ インク流路形成材
３１５ ノズル形成材
３１６ 吐出口
３１７ 異方性エッチング用保護膜
３１８ 裏面供給口
３１９ レーザー加工エッチング先導孔
３２０ インク流路

Claims (8)

1. シリコン基板上に畜熱層として酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜などの絶縁膜を形成する工程、前記膜上にインク吐出圧発生素子を形成する工程、前記シリコン基板表面にエッチング液に侵されやすい材料で薄膜を堆積しインク供給口の形状にパターン（エッチング犠牲層）を形成する工程、前記供給口の形状のパターン上に酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜またはその混合物のエッチングストップ層を形成する工程、前記酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜が形成された裏面に開口部を設け、異方性エッチングによりインク供給口となる部分のシリコンを除去する工程、インク供給口部に残ったエッチングストップ層の酸化シリコン膜あるいは窒化シリコン膜またはその混合物を除去する工程を少なくとも含むインクジェット記録ヘッドの製造方法であって、前記基板表面の供給口の形状の薄膜パターン（エッチング犠牲層）が異種の材料の層を三層積層したものであることを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
2. 前記エッチング犠牲層は、最下層が配線材で中間層がヒーター材で上層が配線材であることを特徴とする請求項第一項記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
3. 前記エッチング犠牲層は、最下層がＡｌまたはＡｌを含む合金、中間層がＴａ、Ｓｉ，Ｎの内、少なくとも二種を含む合金層で、上層がＡｌまたはＡｌを含む合金であることを特徴とする請求項第一項記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
4. 前記エッチング犠牲層の最下層は、ＡｌとＣｕを含む合金であることを特徴とする請求項第一項記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
5. 前記エッチング犠牲層の最下層は、ＡｌとＳｉを含む合金であることを特徴とする請求項第一項記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
6. 前記エッチング犠牲層の最下層の配線層は４００Å以上の厚さであることを特徴とする請求項第一項記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
7. 前記エッチング犠牲層の中間層のヒーター層は１０００Å以下の厚さであることを特徴とする請求項第一項記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
8. 前記異方性エッチングに用いるエッチング液はテトラ・メチル・アンモニウム・ハイドライド（ＴＭＡＨ）であることを特徴とする請求項第一項記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。

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