JP2006213634A - フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006213634A JP2006213634A JP2005027732A JP2005027732A JP2006213634A JP 2006213634 A JP2006213634 A JP 2006213634A JP 2005027732 A JP2005027732 A JP 2005027732A JP 2005027732 A JP2005027732 A JP 2005027732A JP 2006213634 A JP2006213634 A JP 2006213634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- formula
- same
- general formula
- integers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 O*1C=CC(C(c2ccccc2)(c2ccccc2-c2ccccc22)C2=O)=CC=C1 Chemical compound O*1C=CC(C(c2ccccc2)(c2ccccc2-c2ccccc22)C2=O)=CC=C1 0.000 description 1
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
Description
Polymer Preprints, Japan Vol.53, No.2, 1Pc117
すなわち本発明は、下記の[1]〜[2]の化合物、[3]の製造方法に関するものである。
(式(1)中、
R1、R2は、炭素数1〜6のアルキル基であり;
m0、n0は1〜3の整数であり;
m1、n1は0〜3の整数であり;
2≦m0+m1≦5 、2≦n0+n1≦5の条件を満たす。但し、複数個のR1、R2は、各々同一でも異なっていても良い。)
化合物(A)において、2つのフェニル基の置換基(アルキル基および水酸基)の数と位置は異なっていてもよいが、同一であるのが好ましい。
水酸基の数を示すn0、m0はともに1が好ましく、置換位置は、フェナントレン環に結合するベンゼン環の位置番号4が好ましい。
R1及びR2の置換位置は、フェナントレン環に結合するベンゼン環の位置番号2および/または5が好ましい。
化合物(A)は、好ましくは一般式(2)で示される化合物である。
特にフェノール、レゾルシノール、カテコール、ピロガロール、o−クレゾール、2,6−キシレノールが好ましい。
フェノール化合物として1種類または2種類以上を用いることができる。
反応の終点は、9,10−フェナントレンキノンの残存量をガスクロマトグラフィーで追跡し、残存量を示すピーク面積が減少しなくなった時点を以って反応の終点と判断できる。
反応終了後、例えば,反応液にメタノールもしくはイソプロピルアルコールを加えて60℃まで加温し1時間撹拌を継続し、次に純水を加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って一般式(1)の化合物を主成分とする固形物を分離できる。得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、目的化合物が得られる。
本発明の一般式(2)の化合物は、フェノール化合物としてフェノール、o−クレゾール、2,6−キシレノールから選ばれる1種以上を用いることにより、一般式(1)の化合物と同様に製造できる。
なお、化合物の評価方法は次の通りである。
<ガラス転移温度の測定>
島津製作所製DSC/TA−50WSを使用し、試料約10mgをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス(30ml/min)気流中昇温速度20℃/minで250℃まで昇温した。アルミニウム製非密封容器を急冷後、再び窒素ガス(30ml/min)気流中昇温速度20℃/minで250℃まで昇温することにより、DSC測定を行った。その際、ベースラインに不連続的部分が現れる領域の中点(比熱が半分に変化したところ)の温度をガラス転移点(Tg)とし、吸熱ピークの極小値を示す温度を融点(Tm)とした。
攪拌機、冷却管及びビュレットを備えた内容積100mlの容器に9,10−フェナントレンキノン(アクロスオーガニックス製)10.4g(0.05mol)とフェノール(関東化学工業製)18.8g(0.2mol)を仕込み、β−メルカプトプロピオン酸5mlと95%の硫酸5mlを加えて、反応液を85℃で6時間撹拌して反応を完結させた。反応終了後、反応液にメタノールもしくはイソプロピルアルコール50gを加えて60℃まで加温し、1時間撹拌を継続した。次に純水90gを加えて反応生成物を析出させ、室温まで冷却した後、濾過を行って分離した。得られた固形物を濾過し、乾燥させた後、目的化合物(1−1)が得られた。400MHz-1H−NMRにより式(1−1)の化学構造を有することを確認した。目的化合物(1−1)のガラス転移温度を測定したところ119℃であり、融点を持たなかった。
1H−NMR:(400MHz、d-DMSO、内部標準TMS)
δ(ppm)9.4(2H O−H)、8.2〜7.3(8H PhH−PhH)、6.6(8H Ph−H)
フェノールをo−クレゾール21.6g(0.2mol)に代え、β−メルカプトプロピオン酸5mlをチオ酢酸3mlに代えた以外は実施例1と同様に行い、目的化合物(1−2)を得た。400MHz-1H−NMRにより式(1−2)の化学構造を有することを確認した。目的化合物(1−2)のガラス転移温度を測定したところ120℃であり、融点を持たなかった。
1H−NMR:(400MHz、d-DMSO、内部標準TMS)
δ(ppm)9.4(2H O−H)、8.2〜6.7(8H PhH−PhH)、6.7〜6.4(6H Ph−H)、2.0(6H Ph−CH 3)
フェノールを2,6−キシレノール24.4g(0.2mol)に代えた以外は実施例1と同様に行い、目的化合物(1−3)を得た。400MHz-1H−NMRにより式(1−3)の化学構造を有することを確認した。目的化合物(1−3)のガラス転移温度を測定したところ130℃であり、融点は282℃であった。
1H−NMR:(400MHz、d-DMSO、内部標準TMS)
δ(ppm)8.3(2H O−H)、8.2〜6.7(8H PhH−PhH)、6.3(4H Ph−H)、2.0(12H Ph−CH 3)
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005027732A JP4678195B2 (ja) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005027732A JP4678195B2 (ja) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006213634A true JP2006213634A (ja) | 2006-08-17 |
JP4678195B2 JP4678195B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=36977163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005027732A Expired - Fee Related JP4678195B2 (ja) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4678195B2 (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008016097A1 (fr) | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Panasonic Corporation | dispositif de codage audio stéréo, dispositif de décodage audio stéréo et procédé de ceux-ci |
WO2008016161A1 (fr) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Résine polycarbonate et corps photosensible électrophotographique l'utilisant |
US8338027B2 (en) | 2007-03-08 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Phenanthrenequinone compound, electrode active material, and power storage device |
US9316913B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Underlayer film-forming material for lithography, underlayer film for lithography, and pattern formation method |
EP3051350A2 (en) | 2011-08-12 | 2016-08-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Alcoholic compound and method for producing alcoholic compound |
US9809601B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
US9828355B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
KR20170131667A (ko) | 2015-03-31 | 2017-11-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 레지스트 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 및 이것에 이용하는 폴리페놀 화합물 |
US20170349564A1 (en) | 2014-12-25 | 2017-12-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
KR20180050665A (ko) | 2015-09-10 | 2018-05-15 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 레지스트 조성물 또는 감방사선성 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 아몰퍼스막의 제조방법, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 회로패턴의 형성방법 및 정제방법 |
US10377734B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition |
US11137686B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method |
US11143962B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method |
US11256170B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0486665A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
JPH04130322A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JPH04296755A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JPH05127374A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
JPH05232697A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JPH0659446A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-04 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2000063309A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-02-29 | Honshu Chem Ind Co Ltd | 新規なビスフェノール化合物 |
JP2001206862A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-07-31 | Osaka Gas Co Ltd | フルオレン化合物およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-03 JP JP2005027732A patent/JP4678195B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0486665A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
JPH04130322A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JPH04296755A (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JPH05127374A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
JPH05232697A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JPH0659446A (ja) * | 1992-08-11 | 1994-03-04 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2000063309A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-02-29 | Honshu Chem Ind Co Ltd | 新規なビスフェノール化合物 |
JP2001206862A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-07-31 | Osaka Gas Co Ltd | フルオレン化合物およびその製造方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008016161A1 (fr) * | 2006-08-02 | 2008-02-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Résine polycarbonate et corps photosensible électrophotographique l'utilisant |
US8283433B2 (en) | 2006-08-02 | 2012-10-09 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate resin and electrophotographic photosensitive body using the same |
WO2008016097A1 (fr) | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Panasonic Corporation | dispositif de codage audio stéréo, dispositif de décodage audio stéréo et procédé de ceux-ci |
US8338027B2 (en) | 2007-03-08 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Phenanthrenequinone compound, electrode active material, and power storage device |
EP3062151A1 (en) | 2011-08-12 | 2016-08-31 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenolic compound for use in the composition, and alcoholic compound that can be derived therefrom |
EP3051350A2 (en) | 2011-08-12 | 2016-08-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Alcoholic compound and method for producing alcoholic compound |
KR20190032618A (ko) | 2011-08-12 | 2019-03-27 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 이에 이용되는 폴리페놀 화합물 및 이로부터 유도될 수 있는 알코올 화합물 |
US9540339B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-01-10 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenolic compound for use in the composition, and alcoholic compound that can be derived therefrom |
US9598392B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-03-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenolic compound for use in the composition, and alcoholic compound that can be derived therefrom |
US9316913B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-04-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Underlayer film-forming material for lithography, underlayer film for lithography, and pattern formation method |
US9908831B2 (en) | 2011-08-12 | 2018-03-06 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenolic compound for use in the composition, and alcoholic compound that can be derived therefrom |
KR20190032616A (ko) | 2011-08-12 | 2019-03-27 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 이에 이용되는 폴리페놀 화합물 및 이로부터 유도될 수 있는 알코올 화합물 |
US9809601B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
US9828355B2 (en) | 2013-02-08 | 2017-11-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and pattern forming method |
US10377734B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition |
US20170349564A1 (en) | 2014-12-25 | 2017-12-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
US10745372B2 (en) | 2014-12-25 | 2020-08-18 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and purification method |
KR20170131667A (ko) | 2015-03-31 | 2017-11-29 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 레지스트 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 및 이것에 이용하는 폴리페놀 화합물 |
US11256170B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-02-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it |
US11480877B2 (en) | 2015-03-31 | 2022-10-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resist composition, method for forming resist pattern, and polyphenol compound used therein |
US11137686B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-05 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, and resist pattern forming method |
US11143962B2 (en) | 2015-08-31 | 2021-10-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Material for forming underlayer film for lithography, composition for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography and production method thereof, pattern forming method, resin, and purification method |
KR20180050665A (ko) | 2015-09-10 | 2018-05-15 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 화합물, 수지, 레지스트 조성물 또는 감방사선성 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 아몰퍼스막의 제조방법, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 회로패턴의 형성방법 및 정제방법 |
US11243467B2 (en) | 2015-09-10 | 2022-02-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
US11572430B2 (en) | 2015-09-10 | 2023-02-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, resin, resist composition or radiation-sensitive composition, resist pattern formation method, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, method for forming circuit pattern, and purification method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4678195B2 (ja) | 2011-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4678195B2 (ja) | フェナントレンキノン誘導体及びその製造方法 | |
WO2016104788A1 (ja) | エポキシ樹脂成形材料、成形物、成形硬化物及び成形物の製造方法 | |
JP2007326847A (ja) | 新規な多核体ポリフェノール化合物 | |
JP6989486B2 (ja) | エポキシ樹脂成形材料、成形物、成形硬化物、及び成形硬化物の製造方法 | |
JP5100646B2 (ja) | 新規なトリス(ホルミルフェニル)類及びそれから誘導される新規な多核ポリフェノール類 | |
JP5613284B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびその硬化物 | |
TW201736469A (zh) | 酚樹脂組成物 | |
JP4395184B2 (ja) | 新規なビス(ヒドロキシベンズアルデヒド)化合物及びそれらから誘導される新規な多核体ポリフェノール化合物及びその製造方法 | |
JP4878486B2 (ja) | 1,3−ビス(3−ホルミル−4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン類及びそれから誘導される多核体ポリフェノール類 | |
JP5580712B2 (ja) | アントラセン誘導体、硬化性組成物及び硬化物 | |
JP6669080B2 (ja) | エポキシ樹脂成形材料、成形物及び成形硬化物 | |
JP6190256B2 (ja) | 新規なビス(ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾール化合物 | |
JP5064405B2 (ja) | 新規なビス(ホルミルフェニル)アルカン類及びそれから誘導される新規な多核フェノール類 | |
JP2004277358A (ja) | ビスフェノールモノアルデヒド化合物及びその製造方法並びにこれを用いたテトラキスフェノール化合物及びその製造方法 | |
JP2004238437A (ja) | ナフトール系フェノール樹脂及びその製造法 | |
JP5762977B2 (ja) | 新規な多核ポリ(フェノール)類 | |
JP2011084481A (ja) | 新規ビス(ヒドロキシホルミルフェニル)化合物及びそれから誘導される新規ビス(ホルミルフェニル)化合物並びに多核ポリフェノール化合物 | |
TW201119985A (en) | Method for producing trans-cyclic polyphenol compound | |
KR20100108350A (ko) | 신규한 비스(포르밀페닐) 화합물 및 그것으로부터 유도되는 신규한 다핵체 폴리페놀 화합물 | |
JPH08277235A (ja) | 新規なポリフェノール化合物及びその製造方法 | |
JP2007269727A (ja) | ビアダマンタン化合物 | |
JP2005239743A (ja) | フェノールノボラック樹脂 | |
JP2011042637A (ja) | 新規なビスシクロヘキセニルアルカン類 | |
JP2005139087A (ja) | フェノール誘導体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110118 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4678195 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |