JP2006208136A - Collector for analyzing contaminant - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は電子製品の製造に影響を与える、気体中に浮遊する分子汚染物質が製造材料へ経時に付着した汚染物質を分析検出するための、気体−固体表面相互作用、化学的相互作用、物理的相互作用を利用した汚染物質を分析するための汚染物分析用捕集装置に関する。 The present invention relates to gas-solid surface interaction, chemical interaction, physics for analyzing and detecting contaminants that affect the manufacture of electronic products, and that molecular contaminants suspended in the gas adhere to the manufacturing material over time. The present invention relates to a pollutant analysis collection device for analyzing pollutants using mechanical interaction.
多くの電子製品、例えば、半導体、フラットパネルディスプレイや、医療、食品などの製造プロセスおよび技術は、その多くは、クリーンルームで作業が実施されている。従来、クリーンルームでは、粒子状のゴミ(浮遊パーティクル)が問題視され、物理的な固体形状で、一定の大きさを呈するものが制限の対象であった。近年、気体中の浮遊分子汚染物質または気相分子汚染物質(Air bone Molecular Contamination:AMC、以下AMCと表記)が製造材料表面に化学的相互作用によって付着し、表面分子汚染(Surface Molecular Contamination:SMC,以下SMCと表記)となり、性能劣化や製品不良の要因となる問題が発生している。このようなSMCの問題、例えば、半導体プロセスでは、例えばレジストのT―トッピング、不完全なエピタキシャル成長、不均質な酸化物層の成長、腐蝕工程の不均一腐食反応、配線材料の密着性不良などを引き起こし、電子製品として正常な電気的特性が得られなくなる原因となる。その他に、光学装置産業においてhazingなど光学的性能の劣化影響、ハードディスクドライブでは回転ディスクと読み取りプローブとの摩擦による摩耗劣化影響などの要因として挙げられる。 Many electronic products, such as semiconductors, flat panel displays, medical and food manufacturing processes and technologies, many of which work in a clean room. Conventionally, in a clean room, particulate dust (floating particles) has been regarded as a problem, and a physical solid shape having a certain size has been a target of restriction. In recent years, air-borne molecular contamination (AMC, hereinafter referred to as AMC) in a gas has adhered to the surface of a manufacturing material by chemical interaction, and surface molecular contamination (SMC). , Hereinafter referred to as SMC), causing problems that cause performance degradation and product defects. Such SMC problems such as resist T-topping, imperfect epitaxial growth, heterogeneous oxide layer growth, heterogeneous corrosion reaction in the corrosion process, poor adhesion of wiring materials, etc. This causes a failure to obtain normal electrical characteristics as an electronic product. In addition, it can be cited as factors such as optical performance degradation effects such as “hazing” in the optical device industry, and wear degradation effects due to friction between the rotating disk and the reading probe in hard disk drives.
有害なSMCを引き起こす種々のAMCは、クリーンルームではその存在が当該分野では公知であり、例えば半導体分野、例えば米国では、SEMI規格F21−95クラスA,B,C,Dにグループ分類されている。 Various AMCs that cause harmful SMCs are known in the art in the clean room and are grouped in SEMI standards F21-95 class A, B, C, D, for example, in the semiconductor field, for example in the United States.
AMCの供給源としては、クリーンルームの屋外から外気処理された供給気体については、外気に含まれる自動車の排気ガスを始め、種々の産業廃棄物や動植物からの蒸発散の分子汚染物質が十分に濾過処理されず、クリーンルーム内に流入する、又はクリーンルーム内においては、粒子捕集フィルターの構成材料、気密シーラント材からの分子汚染物質、又は設置された製造装置、使用する製造材料からのガス放出などが挙げられる。さらに別の供給源としては、クリーンルーム内の作業者からの呼吸による生理的活動排出物、又は衣服などからのガス放出が挙げられる。 As for the supply source of AMC, for the supply gas that has been treated outside from the clean room, the exhaust gas from automobiles contained in the outside air and various industrial waste and molecular contaminants of evapotranspiration from animals and plants are sufficiently filtered. It is not treated and flows into the clean room, or in the clean room, the constituent material of the particle collection filter, the molecular contaminants from the airtight sealant material, or the installed manufacturing equipment, the gas release from the manufacturing material used, etc. Can be mentioned. Still other sources include physiological activity emissions from breathing from workers in a clean room, or outgassing from clothing or the like.
これらのSMCの監視については、その分析やモニタリングが考案されている。しかし、例えば、上記で例示したSEMI規格F21−95クラスA,B,C,Dの分類すべてを分析、又はモニタする単一機器や装置は存在しない。現在の技術は、有機物、無機物など特定の物性種のみを検出する装置のみで、問題がある。 Analysis and monitoring have been devised for monitoring these SMCs. However, for example, there is no single device or apparatus that analyzes or monitors all the classifications of the SEMI standards F21-95 classes A, B, C, and D exemplified above. The current technology has a problem only with a device that detects only specific physical species such as organic matter and inorganic matter.
一般に、気相中に含まれる分子レベルの成分は蒸気圧や分子構造など、その物質のもつ物理化学的特性と固体表面の分子結合状態や温度などに関係して固体表面に吸着・付着する。吸着・付着量は、その一部の物質は気体中の濃度に比例して平衡吸着するため、固体表面への極微量吸着量を計測することで気相中の濃度を逆算して求めることが出来る。 In general, components at the molecular level contained in the gas phase are adsorbed and adhered to the solid surface in relation to the physicochemical properties of the substance, such as vapor pressure and molecular structure, and the molecular bonding state and temperature of the solid surface. Adsorption / adhesion amount can be obtained by back-calculating the concentration in the gas phase by measuring the very small amount adsorbed on the solid surface because some of the substance is in equilibrium adsorbed in proportion to the concentration in the gas. I can do it.
現存のモニタリング技術においては、化学種の特定情報を得る方法として分析用気体のサンプルを吸着媒体に一旦捕集し、クロマトグラム分析する手法を利用したものや、水晶振動子マイクロバランス(Quartz Crystal Microbalance:
QCM)や表面弾性波(Surface Acoustic Wave:SAW)を利用した技術がある。この方法は、センサ表面に蓄積された物質量の多少に応じた周波数変化を汚染量として換算する原理である。
In the existing monitoring technology, as a method for obtaining specific information on chemical species, a sample of an analysis gas is temporarily collected on an adsorption medium and a method of performing chromatogram analysis or a quartz crystal microbalance (Quartz Crystal Microbalance) is used. :
There is a technique using QCM) or surface acoustic wave (SAW). This method is based on the principle of converting the frequency change corresponding to the amount of the substance accumulated on the sensor surface as the amount of contamination.
また、現存の装置では、センサ表面への付着物質選択方法として、熱的作用をその原理とし、センサ上流部に気体加熱器を備えた出願(特許文献1参照)もある。しかしながら、気体の加熱では汚染物の沸点を利用した選択性の観点からは選択性が不十分である。なぜならば、汚染物選択を行うべきはセンサ表面の温度である。センサ表面に沸点選択性を有することが本質であり、センサ表面温度が該汚染物質の沸点であることが必要である。 In addition, in the existing apparatus, there is an application (see Patent Document 1) in which a thermal action is used as a principle for selecting a substance to be attached to the sensor surface and a gas heater is provided in the upstream part of the sensor. However, gas heating is insufficient in terms of selectivity utilizing the boiling point of contaminants. This is because the temperature of the sensor surface should be selected for contaminant selection. It is essential that the sensor surface has boiling point selectivity, and the sensor surface temperature needs to be the boiling point of the contaminant.
他のセンサ表面への付着物質制御方法としては、半導体製造業界では、雰囲気汚染から材料を隔離すべく、材料を容器内に格納することが行われていて、その容器の材質から発生する脱ガス成分に着目し、該脱ガス成分のみを検出するセンサを容器内に装着し、容器内にセンサ内臓させた出願(特許文献2参照)がある。 As another method for controlling substances adhering to the sensor surface, in the semiconductor manufacturing industry, in order to isolate the material from atmospheric contamination, the material is stored in a container, and degassing generated from the material of the container is performed. There is an application (see Patent Document 2) in which a sensor that detects only the degassed component is mounted in a container and the sensor is built in the container.
上述の特許文献1、又は2はいずれも分析方法が固定・限定されている。また、該SMC物質の選択性について不十分である。また、さらに気体が例えば特定波長の光源や電子線、放射線環境下に存在する場合における、汚染物質との反応生成物質の捕集については網羅していない。以上の種々の問題がある。 In any of the above-mentioned Patent Documents 1 and 2, the analysis method is fixed and limited. Also, the selectivity of the SMC material is insufficient. Furthermore, it does not cover collection of reaction products with pollutants when a gas is present in a light source, electron beam, or radiation environment of a specific wavelength, for example. There are various problems as described above.
以下に、公知文献を記す。
本発明の課題は、フォトマスクの表面汚染物質の分析をするため、フォトマスクを使うのでなく、フォトマスクの表面と同一の物質を形成した基材を捕集部に設けて、分析方法が固定・限定されずに、分析用気体から分子状化学汚染物質の捕集が選択的であり、経時的に汚染物質の捕集を行うことを可能とする汚染物分析用捕集装置を提供すること。 The object of the present invention is not to use a photomask to analyze the surface contaminants of the photomask, but to provide a base material on which the same material as the surface of the photomask is formed in the collecting part, and the analysis method is fixed -To provide a collection device for contaminant analysis, which is not limited and can selectively collect molecular chemical pollutants from an analysis gas and can collect contaminants over time. .
本発明の請求項1に係る発明は、分析用の気体中(以下分析用気体と記す)から分子状化学汚染物質を経時的に吸引する吸引部と、該吸引部により吸引された分子状汚染物質を経時的に捕集する捕集部を備えた汚染物質分析用捕集装置であって、捕集部は、基材と、その表面に表面物質層を形成し、前記表面物質層は、所望の材料表面と同一物質からなることを特徴とする汚染物分析用捕集装置である。 The invention according to claim 1 of the present invention includes a suction part for sucking molecular chemical contaminants in an analysis gas (hereinafter referred to as analysis gas) over time, and molecular contamination sucked by the suction part. A pollutant analysis collection device including a collection unit for collecting substances over time, the collection unit forming a substrate and a surface material layer on the surface, the surface material layer, It is a collection device for contaminant analysis characterized by comprising the same substance as the desired material surface.
本発明の請求項2に係る発明は、前記基材は、金属よりなることを特徴とする請求項1記載の汚染物分析用捕集装置である。 The invention according to claim 2 of the present invention is the contaminant analysis collection apparatus according to claim 1, wherein the substrate is made of metal.
本発明では、捕集部の基材上に、形成する表面物質層が、所望の材料表面と同一物質からなる等、任意に、複数種類の表面物質層を選択することが可能となる。 In the present invention, it is possible to arbitrarily select a plurality of types of surface material layers such that the surface material layer to be formed is made of the same material as the desired material surface on the base material of the collection part.
本発明の請求項3に係る発明は、前記捕集部が、物理、又は化学的反応により汚染物質を選択的に捕集する手段と、分析用気体以外の気体による汚染を受けないようにする防護手段とを備えることを特徴とする請求項1、又は2記載の汚染物分析用捕集装置である。 The invention according to claim 3 of the present invention is such that the collection part does not receive contamination by a gas other than a gas for analysis and means for selectively collecting a contaminant by physical or chemical reaction. The contaminant analysis collection device according to claim 1, further comprising a protection means.
本発明の請求項4に係る発明は、前記汚染物質を選択的に捕集する手段は、前記表面物質層の表面を特定温度に加熱、又は冷却することにより、前記表面物質層の表面に汚染物質を選択的に捕集することを特徴とする請求項3記載の汚染物分析用捕集装置である。 The invention according to claim 4 of the present invention is characterized in that the means for selectively collecting the contaminants contaminates the surface of the surface material layer by heating or cooling the surface of the surface material layer to a specific temperature. 4. The contaminant analysis collection apparatus according to claim 3, wherein the substance is selectively collected.
本発明の請求項5に係る発明は、前記汚染物質を選択的に捕集する手段は、前記表面物質層の表面近傍の分析用気体へ特定波長の光線の照射することにより、前記表面物質層の表面に汚染物質を選択的に捕集することを特徴とする請求項3記載の汚染物分析用捕集装置である。 The invention according to claim 5 of the present invention is characterized in that the means for selectively collecting the contaminant is the surface material layer by irradiating the analysis gas near the surface of the surface material layer with a light beam having a specific wavelength. 4. The contaminant analysis collection apparatus according to claim 3, wherein contaminants are selectively collected on the surface of the contaminant analysis apparatus.
本発明の請求項6に係る発明は、前記汚染物質を選択的に捕集する手段は、前記表面物質層の表面近傍の分析用気体へ特定波長の放射線の照射することにより、前記表面物質層の表面に汚染物質を選択的に捕集することを特徴とする請求項3記載の汚染物分析用捕集装置である。 The invention according to claim 6 of the present invention is characterized in that the means for selectively collecting the contaminant is the surface material layer by irradiating the analysis gas near the surface of the surface material layer with radiation of a specific wavelength. 4. The contaminant analysis collection apparatus according to claim 3, wherein contaminants are selectively collected on the surface of the contaminant analysis apparatus.
本発明では、表面物質層の表面を特定温度に加熱、若しくは冷却、又は特定波長の光線の照射することにより、表面物質層の表面に汚染物質を選択的に捕集することが可能となる。 In the present invention, it is possible to selectively collect contaminants on the surface of the surface material layer by heating or cooling the surface of the surface material layer to a specific temperature, or by irradiating light of a specific wavelength.
本発明の汚染物分析用捕集装置を用いれば、分析用気体中に存在する分子汚染物質(AMC)より、汚染される材料表面と同一とした表面物質層を形成した捕集部に付着する物質(SMC)の組成のうちの特定の成分毎に、その沸点温度に表面物質層を加熱若しくは冷却、又は特定の放射線を照射下の環境等、任意に設定することにより、所定の汚染物質のみを経時的、かつ、選択的に捕集することができ、分析用気体の種々の成分の捕集を総合的に行い、分析用気体中の分子汚染物質の分析・評価に利用可能となる。 If the collection device for contaminant analysis of the present invention is used, it adheres to the collection part which formed the same surface material layer as the contaminated material surface from the molecular contaminant (AMC) present in the analysis gas. For each specific component of the composition of the substance (SMC), by heating or cooling the surface material layer to its boiling temperature, or arbitrarily setting the environment under irradiation with specific radiation, etc., only predetermined pollutants Can be selectively collected over time, and various components of the analysis gas can be collected comprehensively and used for analysis and evaluation of molecular contaminants in the analysis gas.
請求項1に係る本発明によれば、捕集部の表面物質層にフォトマスクの表面と同じ材質を形成することにより、フォトマスクを使うのでなく、前記表面物質層に、複数個の材質、例えば石英材と遮光膜材等を用いて、経時的に汚染物質の捕集を行うことができる。 According to the present invention according to claim 1, by forming the same material as the surface of the photomask on the surface material layer of the collection part, a plurality of materials can be formed on the surface material layer instead of using a photomask. For example, contaminants can be collected over time using a quartz material and a light shielding film material.
以下、本発明の汚染物分析用捕集装置の構造概略を図1に示す。図1は斜視図であり、捕集装置100は、巻き取り状とした捕集リール10とリール駆動装置20の捕集部と、吸引部の、排気ポンプ30、吸引管40、吸引口50、吸気バルブ60、排気口70、排気バルブ80で構成される。汚染物質を含んだ気体(分析用気体)900は、排気ポンプ30により、吸引口50から吸引され、吸引管40に設けられた開口部41A,41Bを貫通する捕集リール10の表面の一部である暴露表面10Aに到達し、汚染物質付着後、排気口70から排出される。リール駆動装置20により捕集リール10は図中矢印で示すように所定の速度で連続的に掃引、又は一定時間間隔で断続的に巻き取られ、経時変化する汚染物質の捕集動作が行われる。また、リール駆動装置20、排気ポンプ30、吸気バルブ60、排気バルブ80はそれぞれリール駆動制御器310、排気ポンプ制御器320、バルブ開閉制御器330で制御され、装置全体では、中央制御器300で統合制御される。
FIG. 1 shows a schematic structure of the contaminant analysis collection apparatus of the present invention. FIG. 1 is a perspective view, and a
図1の参考図に示すように、捕集リール10の基材1の表面の少なくとも片面は表面物質層2が形成され、該表面物質層は汚染分析したい材料と同一の物質で構成されていることが望ましい。例えばフォトマスクの表面汚染を分析したい場合は、フォトマスクには無機物、無機酸化物、金属、金属酸化物または、複数以上の混合物質が形成されており、前記表面物質層2は、珪素、SiO,Cr,CrO,Ta,TaSi,TaSiO,TaSiN,TaBN,CrN,CrON,Mo,MoSi,Zr,ZrSi,MoZrSi等
で形成される。表面物質層の形成にはスパッタリング、蒸着、原子層蓄積、コーティングなどが利用可能である。
As shown in the reference diagram of FIG. 1, a surface material layer 2 is formed on at least one surface of the substrate 1 of the
図2A、図2Bに捕集リール10の詳細の一例の平面図を示す。なお、参考図は、側断面図である。図2Aは、捕集リール10の片側面に突起11が連続して形成されており、巻き取り時に表裏が密着して反対面に付着物質が転写することを防ぐスペーサーとして機能する。図2Bは、連続したリブ状様とした事例である。
2A and 2B are plan views showing an example of the details of the
図3は、図1上のY−Y‘面の部分拡大図であり、該汚染物質の選択性を任意の沸点温度に設定することにより可能とする構造断面であり、以下図3にて説明する。沸点制御手段は、例えば暴露表面10Aの加熱・冷却両方が可能なペルチェ素子210であり、吸引管40内に導かれた捕集リール10の暴露表面10Aの直上片面(図3A)もしくは上下両面(図3B)に設置した温調ユニット200の内部に設置する。暴露表面10Aでの温度はペルチェ素子210と暴露表面10Aと等距離αの位置に設置した、捕集リール10と同一材料とした測定面を温度計220で測定する。温度計220はペルチェ素子210を所定の温度となるよう、温度制御器230にフィードバックし、その温度を制御する。沸点制御が加熱のみで良い場合はペルチェ素子210に代わり熱線ヒータや赤外線ランプヒータ、でも良い。
FIG. 3 is a partially enlarged view of the YY ′ plane in FIG. 1, which is a structural cross section that enables the selectivity of the contaminant to be set to an arbitrary boiling point temperature, and will be described below with reference to FIG. 3. To do. The boiling point control means is, for example, a
沸点選択性を利用する場合、基板1及び表面物質層2は、加熱、又は冷却をうける。ステンレスはその表面を電界研磨などで平滑化が可能であり、実効表面積を少なく出来ることが知られている。捕集リール10の基材1にステンレスを用いた場合、その基材1は実効表面積が低減され、加熱・冷却による材質自身からのアウトガス放出を低減できる効果があり、捕集物質に対する影響が少なく好都合である。
When utilizing the boiling point selectivity, the substrate 1 and the surface material layer 2 are heated or cooled. It is known that the surface of stainless steel can be smoothed by electropolishing or the like, and the effective surface area can be reduced. When stainless steel is used for the base material 1 of the
さらに、汚染物質の磁性を選択性として利用する場合、ステンレスの場合、それぞれ非磁性、着磁性が基材自身で選択できる利点がある。 Furthermore, when using the magnetic properties of contaminants as selectivity, stainless steel has the advantage that non-magnetic and magnetic properties can be selected by the substrate itself.
さらに、ステンレスなどの金属は静電気の帯電が無いことから、汚染物質の帯電電荷(正負)に対して反発・吸引作用を与えない利点がある。 Furthermore, since metals such as stainless steel have no electrostatic charge, there is an advantage that no repulsion or suction action is given to the charged charges (positive and negative) of the contaminants.
ステンレス以外の金属では、選択性の一候補として、触媒性を示すTiOや、腐食性物質に対してはAg,Auなどが挙げられる。 For metals other than stainless steel, examples of selectivity include TiO exhibiting catalytic properties, and Ag, Au, etc. for corrosive substances.
図4に図3同様の断面図を示す。図4は該汚染物質がさらに特定波長の光源や電子線、放射線環境下にある場合における捕集リール10材質との反応生成物質の捕集を意図して行う実施例を示す。光源410や電子線源420、放射線源430は暴露表面10Aの領域に照射されれば良い。本実施例では吸引管40に照射ユニット400を設置し、内部に光源410または電子線源420、放射線源430を設置した。照射ユニット400は図3A,図3B同様、暴露表面10Aの直上片面もしくは両面に配置する。光源410の線源にはレーザー発振器、又は一般に真空紫外線領域に輝線スペクトルを有する重水素ランプ、又は遠紫外線領域に輝線スペクトルを有するキセノンランプ、又は近紫外線から可視光、又は近赤外線領域に連続波長帯を有するハロゲンランプなどが適用可能である。光源410,電子線源420,放射線源430には、さらにその内部にフィルター440もしくは回折格子光学系450など波長選択手段をさらに有しても良い。照射ユニット400は図3(B)同様上下両面に配置しても良い。
FIG. 4 shows a cross-sectional view similar to FIG. FIG. 4 shows an embodiment in which collection of a reaction product with the material of the
図5A〜Bに、捕集済の捕集リール10が捕集前後で汚染を受けないように防護手段を備える場合の実施例を示す。なお、図5Aは上面図で、5Bは、その側断面図である。吸引管40に気密構造とする送り側カセット510A、受け側カセット510Bを脱着可能
なように気密接続する。吸引管40には両カセット510A,510Bを気密接続可能とする気密ポート42A,42Bをそれぞれ設置する。両カセット510A,510Bには開閉扉520A,520Bを設ける。開閉扉520A、520BはOリング590を用いて気密を確保する。両カセット510A、510Bには不純物を含まず、かつ捕集物質に化学的反応を示さない不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する。供給されるガスは流量調整器530で流量調整し、捕集物質の熱脱離を防ぐために少なくとも沸点以下に温度調整する熱交換器540を介し、バルブ550A、550Bから供給する。供給ガスは流量と同時に圧力計560A,560Bにて両カセット510A,510B内を外部に対して正圧に保つように制御を行う。正圧が保たれた時点で開閉扉520A,520Bを開く。捕集リールが送り側カセット510Aからリール駆動装置20にて送出され、気密ポート42A,42Bを通過して反対側の受け側カセット510Bに捕集リール10が巻き取り、格納され捕集が完了する。両カセット510A,510Bの取り外しは、開閉扉520A、520B、バルブ550A、550Bを閉じる。次に接続バルブ570A、570Bを閉じると送り側カセット510A,受け側カセット510Bが気密封止される。接続継ぎ手580A,580Bから両カセット510A,510Bを取り外せば良い。
FIGS. 5A and 5B show an embodiment in which protective means is provided so that the collected
図5に示した上記実施例では本発明の汚染物分析用捕集装置を大気圧下で使用する事例を説明したが、減圧装置に接続して減圧気体中に浮遊する汚染物質を捕集する場合について同様に図6を用いて説明する。減圧下の気体を吸入する場合は吸気口50を減圧装置710にゲートバルブ720などを介して気密接続すればよい。送り側カセット510A、受け側カセット510Bは前述の通り吸引管40に気密接続されているから、気密ポート42A、42Bを通じて同圧密閉となる。従って減圧装置710外部の周辺気体が捕集リール10に接触することは無い。捕集リール10が送り側カセット510Aから受け側カセット510Bに巻き取りが完了したら気密ポート42A、42B、開閉扉520A、520Bを閉じる。次に受け側カセット510Bを吸引管40から取り外す。取り外した段階では受け側カセット510B内は真空である。窒素などの不活性ガスで充填したい場合は図5での説明通り熱交換器540、550B、接続継ぎ手580B、接続バルブ570Bを介して、差圧計560Bが大気圧以上になるまで供給すれば良い。
In the above embodiment shown in FIG. 5, the case of using the pollutant analysis collecting apparatus of the present invention under atmospheric pressure has been described. However, the pollutant floating in the decompressed gas is collected by connecting to the decompressing apparatus. The case will be described with reference to FIG. When inhaling gas under reduced pressure, the
一般に減圧環境は平均自由工程を基準に粘性流、中間流、分子流に区分される。減圧環境中の気体分子の動きは分子速度が真空度によって異なることから、捕集に費やした気体容積は大気圧とは異なり、汚染物質が捕集リール10の暴露表面10Aへの接触機会(効率)を考慮すべきである。排気ポンプ30は減圧装置710の真空度以下に排気能力を備えたものを選択する必要があり、接触機会(効率)は捕集リール10の巻き取り時間で調整すればよい。
Generally, the decompression environment is divided into viscous flow, intermediate flow, and molecular flow based on the mean free process. Since the movement of gas molecules in a reduced-pressure environment has a different molecular velocity depending on the degree of vacuum, the volume of gas consumed for collection is different from atmospheric pressure, and the opportunity for contaminants to contact the exposed
上述の説明によって、気体中に存在する分子汚染(AMC)のうち、所望の材料表面と同一とした捕集媒体の表面物質層に付着する物質(SMC)を捕集するため、表面物質層の表面温度を任意に設定することで分子状化学汚染物質を連続、かつ、選択的に捕集し、種々の分析・評価手段に利用可能な汚染物分析用捕集装置が実現した。 According to the above description, in order to collect the substance (SMC) adhering to the surface material layer of the collection medium that is the same as the desired material surface among the molecular contamination (AMC) existing in the gas, By setting the surface temperature arbitrarily, molecular chemical contaminants can be collected continuously and selectively, and a contaminant analysis collection device that can be used for various analysis and evaluation means has been realized.
1…基材
2…表面物質
10…捕集リール
10A…暴露表面
20…リール駆動装置
30…排気ポンプ
40…吸引管
41A…開口部
41B…開口部
42A…気密ポート
42B…気密ポート
50…吸引口
60…吸気バルブ
70…排気口
80…排気バルブ
100…捕集装置
200…温調ユニット
210…ペルチェ素子
220…温度計
230…温度制御器
300…中央制御器
310…リール駆動装置
320…排気ポンプ制御器
330…バルブ開閉器
340…温度制御器
400…照射ユニット
410…光源
420…電子線源
430…放射線源
440…フィルター
450…回折格子光学系
510A…送り側カセット
510B…受け側カセット
520A…開閉扉
520B…開閉扉
530…流量調整器
540…熱交換器
550A…バルブ
550B…バルブ
560A…圧力計
560B…圧力計
570A…バルブ
570B…バルブ
580A…接続継ぎ手
580B…接続継ぎ手
590…Oリング
710…減圧装置
720…ゲートバルブ
900…汚染物質を含んだ気体
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