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JP2006267471A - 表示装置 - Google Patents

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JP2006267471A JP2005084774A JP2005084774A JP2006267471A JP 2006267471 A JP2006267471 A JP 2006267471A JP 2005084774 A JP2005084774 A JP 2005084774A JP 2005084774 A JP2005084774 A JP 2005084774A JP 2006267471 A JP2006267471 A JP 2006267471A
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Takanori Maehara
孝則 前原
Katsutoshi Kobayashi
勝敏 小林
Daiichi Sawabe
大一 澤辺
Kenichi Iwamoto
健一 岩本
Yoshiki Takada
良樹 鷹田
Toshifumi Yagi
敏文 八木
Shunei Tsubata
俊英 津幡
Takeshi Tokuda
剛 徳田
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Abstract

【課題】 互いに隣接する画素間において、人間の視覚に与える違和感を改善する。
【解決手段】 TFT基板20は、カラーフィルタ31a〜31cよりも表示面DS側に設けられた遮光層25を有する。遮光層25は、カラーフィルタ31a〜31cを透過したバックライト光BLを部分的に遮光する。これにより、画素内の中央部の輝度よりも周辺部の輝度の方が低い輝度勾配が形成される。したがって、互いに隣接する画素間において輝度を漸次変化させることができる。
【選択図】 図1

Description

本発明はアクティブマトリクス型表示装置などの表示装置に関する。例えば、TFT(薄膜トランジスタ)によりアクティブマトリクス駆動される液晶表示装置に関する。
従来、コンピュータ装置のディスプレイやテレビジョン放送受信機等の表示装置として、陰極線管(CRT) や液晶表示装置が広く用いられていたが、近年においては、液晶表示装置等のアクティブマトリクス型表示装置の利用が増加している(例えば、特許文献1を参照)。
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、典型的には、TFT基板と、これに対向配置されたカラーフィルタ基板と、両基板間に介在する液晶層とを有する。図14は従来のTFT基板を模式的に示す平面図であり、図15は図14中のX−X’線断面図である。また図16は従来のカラーフィルタ基板を模式的に示す平面図であり、図17は図16中のY−Y’線断面図である。
図14および図15に示すように、TFT基板には、複数の画素電極51がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極51の周囲には、互いに交差する走査信号線52とデータ信号線53とが設けられている。また、これらの走査信号線52とデータ信号線53との交差部分において、画素電極51に接続されたTFT54が設けられている。このTFT54のゲート電極62には走査信号線52が接続され、ゲート電極62に入力される走査信号によってTFT54が駆動制御される。また、TFT54のソース電極66aにはデータ信号線53が接続され、TFT54のソース電極66aにデータ信号が入力される。さらに、ドレイン電極66bは、ドレイン引き出し電極55を介して上側保持容量電極55aに接続され、さらに層間絶縁膜68に形成されたコンタクトホール56を介して画素電極51に接続されている。透明絶縁性基板61上には保持容量配線57が設けられている。保持容量配線57と上側保持容量電極55aとがゲート絶縁膜63を挟むことにより、保持容量素子が形成される。
図16および図17に示すように、カラーフィルタ基板は、透明絶縁性基板70上に形成された赤、緑、青各色のカラーフィルタ71a,71b,71cと、各色のカラーフィルタ71a,71b,71cの間に介在する遮光層(ブラックマトリクス)72と、対向電極73とを有する。
特開2002-228824 号公報
図18は液晶表示装置(LCD) および陰極管線(CRT) の画像表示における輝度変化を示す図である。これまで広く用いられてきた陰極管線(CRT) での画像表示では、画面上に電子ビームが当った瞬間だけ情報を表示し、他の期間は何も表示しない黒表示となる。また、CRT を用いた表示装置においては、画素内において電子ビームの当った部分が強く発光し、その周囲では発光が弱くなっているので、図18中の破線で囲まれた部分に示されるように、隣接する画素との輝度変化が緩やかである。
それに対し、液晶表示装置などの一般的なアクティブマトリクス型表示装置では、走査信号線GL毎に選択され、データ信号線SLを介して映像信号VSが入力された画素PEは、次の電圧情報(映像信号VS)が書き込まれるまでの一垂直走査期間、画素電極と画素電極に対向する対向電極との間の画素容量により、電圧情報(映像信号VS)を所定期間保持する。
このような表示装置においては、一画素内の輝度がほぼ均一であるので、図18中の破線で囲まれた部分に示されるように、隣接する画素との輝度変化が急峻である。したがって、LCD とCRT とで輝度変化に差異が生じるので、これまでCRT を用いた表示装置に見なれた人間の視覚に対し違和感を与えてしまう。
本発明の目的は、互いに隣接する画素間において、その輝度変化を抑制することによって、人間の視覚に与える違和感を改善すること、さらには高品位な映像を提供することである。
本発明では、CRT で実施されているインパルスモードに近い表示方式を意図的に行うことで、CRT のような自然な映像を表示し、人間の視覚に与える違和感が低減された映像を実現することができる。
本発明の第1の局面による表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素を有しており、前記複数の画素のうち互いに隣接する画素間において輝度が漸次変化する。この表示装置によれば、互いに隣接する画素間における輝度の変化が緩やかになる。言い換えれば、一方の画素の外周部と、これに隣接する他方の画素の外周部との間で曲線状に輝度が変化する。したがって、人間の視覚に与える違和感が低減された映像を実現することができる。
なお、本明細書においては、表示の最小単位を画素と呼ぶ。カラー表示装置においては、例えば、赤、緑および青それぞれの絵素(サブピクセル)から1つの画素が構成される。しかし、便宜上、本明細書における画素は絵素の概念を包含する。例えば、一画素内の赤絵素とこれに隣接する緑絵素との間において輝度が漸次変化する場合や、一方の画素内の赤絵素と隣接する他方の画素内の赤絵素との間において輝度が漸次変化する場合が包含される。
本発明の第2の局面による表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素を有しており、前記複数の画素のうち少なくとも1つの画素は、中央部の輝度よりも周辺部の輝度の方が低い輝度勾配を有する。この表示装置によれば、画素内を光が透過する際に、中央部から周辺部へ輝度傾斜が形成されるので、互いに隣接する画素との輝度傾斜が緩やかとなり、CRT に近い特性を再現した連続性のある映像表示を実現することができる。
本発明の第3の局面による表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに対応するカラーフィルタとを有する。また、前記画素に対応する前記カラーフィルタの周辺部を部分的に遮光する遮光層をさらに有する。この表示装置によれば、画素に対応するカラーフィルタの外周よりも狭い範囲で部分的に遮光が行なわれるので、一画素内において、周辺部の輝度を中央部の輝度よりも低下させることができる。したがって、互いに隣接する画素との輝度傾斜が緩やかとなり、人間の視覚に違和感のないCRT に近い特性を再現し、連続性のある映像表示を実現することができる。
本発明の第4の局面による表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに対応するカラーフィルタとを有する。前記画素に対応する前記カラーフィルタは、中央部の膜厚よりも周辺部の膜厚の方が厚い。この表示装置によれば、画素に対応するカラーフィルタを光が透過する際に、中央部の輝度よりも周辺部の輝度の方が低い輝度勾配が形成されるので、互いに隣接する画素との輝度変化が緩やかとなる。
本発明の第5の局面による表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに対応するカラーフィルタとを有する。前記画素に対応する前記カラーフィルタは、明度の異なる材料を用いて中央部と周辺部とが形成され、前記中央部の輝度よりも前記周辺部の輝度の方が低い輝度勾配を有する。なお、中央部を形成する材料と周辺部を形成する材料は、明度(Y値)が異なるが、色度(x,y )が同等であることが好ましい。
本発明の第6の局面による表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素を有しており、表示面上または表示面よりも観察者側に設けられ、前記画素の輪郭をぼやかす層をさらに有する。この表示装置によれば、既存のアクティブマトリクス型表示装置に対して大きな変更を伴わずに、互いに隣接する画素との輝度変化を緩やかにすることができる。
本発明の第7の局面による表示装置は、一方向に順次配置された第1、第2および第3画素を有しており、前記第2画素は、前記第1画素と前記第3画素との平均輝度以下の輝度を有する。言い換えれば、映像信号が書き込まれる第1画素と、その周囲に配置され、映像信号が書き込まれる第3画素との間に、中間の輝度の電圧情報が書き込まれる第2画素を配置する。映像信号が書き込まれる2つの画素の間に、中間の輝度を表示する画素を配置することで、映像信号が書き込まれる複数の画素間における輝度変化を緩やかにすることができる。
本発明の第7の局面による表示装置において、前記第2画素に書き込まれる電圧情報が、前記第1画素および前記第3画素にそれぞれ書き込まれる電圧情報から抵抗分割により決定されても良い。言い換えれば、映像信号が書き込まれる2つの画素間に設けられ、中間の輝度を選択する画素に書き込まれる電圧情報は、周囲の画素に書き込まれる電圧情報から抵抗分割によって決定されても良い。
また、前記第2画素に書き込まれる電圧情報が、前記第1画素および前記第3画素にそれぞれ書き込まれる電圧情報に基づいて複数のフレームサイクルで順次変化することによって、前記第2画素が、前記第1画素と前記第3画素との平均輝度以下の輝度を表示しても良い。言い換えれば、映像信号が書き込まれる2つの画素間に設けられ、中間の輝度を選択する画素に書き込まれる電圧情報が、周囲の画素の電圧情報に基づいて数フレームごとに順次表示される。したがって、人間の視覚特性を利用することにより、中間の輝度が表示される。
さらに、本発明の第7の局面による表示装置は、前記第1画素および前記第3画素にそれぞれ書き込まれる電圧情報に基づいて前記第2画素に書き込まれる電圧情報を演算する外部回路をさらに有していても良い。言い換えれば、中間の輝度を選択する画素に書き込まれる電圧情報が、外部回路によって、周囲の画素に書き込まれる電圧情報から演算され決定される。
本発明によれば、互いに隣接する画素間において輝度が漸次変化するので、人間の視覚に与える違和感を改善することができる。したがって、CRT のような高品位な映像を実現することができる。
以下、図面を参照しながら、透過型液晶表示装置を例にして本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されない。なお、同族的な構成要素を総括的に表すために、参照符号の英字を省略して、参照符号の数字のみを表記することがある。例えば、赤色のカラーフィルタ31aと、緑色のカラーフィルタ31bと、青色のカラーフィルタ31cとを総括的にカラーフィルタ31と表記することがある。
(実施形態1)
図1は本実施形態の透過型液晶表示装置を模式的に示す断面図である。液晶表示装置は、TFT基板20と、TFT基板20に対向配置されたカラーフィルタ基板(以下、CF基板と言う)30と、両基板20,30間に介在する液晶層10と、液晶層10を封止するシール材40とを有する。CF基板30は、透明絶縁性基板上に形成された赤、緑、青各色のカラーフィルタ31a,31b,31cと、各色のカラーフィルタ31a,31b,31cの間に介在する遮光層(ブラックマトリクス)32と、液晶層10側に設けられた対向透明電極(不図示)とを有する。本実施形態の液晶表示装置はマトリクス状に配列された複数の画素を有する。TFT基板20上に設けられた後述の画素電極11と、CF基板30上のカラーフィルタ71とが重なる領域により、画素が規定される。なお、厳密には、表示すべき状態に応じて電圧が印加される領域のうち、遮光層32の開口部に対応する領域が画素に対応することになる。
図2はTFT基板20の一画素を拡大して示す平面図であり、図3は図2中のA−A’線断面図である。TFT基板20には、複数の画素電極11がマトリクス状に設けられている。画素電極11の周囲には、走査信号を供給するための走査信号線12が行方向に延びて設けられるとともに、データ信号を供給するためのデータ信号線13が列方向に延びて設けられている。また、走査信号線12とデータ信号線13との交差部分には、スイッチング素子としてのTFT14が設けられている。TFT14のゲート電極22には走査信号線12が接続され、ゲート電極に入力される走査信号によって、TFT14が駆動制御される。また、TFT14のソース電極26aにはデータ信号線13が接続され、TFT14のソース電極26aにデータ信号が入力される。ドレイン電極26bは、ドレイン引き出し配線15を介して上側保持容量電極15aに接続され、層間絶縁膜28に形成されたコンタクトホール16を介して画素電極11に接続されている。TFT基板20上に設けられた保持容量配線17と上側保持容量電極15aとがゲート絶縁膜23を挟むことにより、保持容量素子が形成される。
図3を参照しながら、TFT基板20の断面構造を説明する。ガラスやプラスチック等からなる透明絶縁性基板としてのTFT基板20上に、走査信号線12に接続されたゲート電極22と、保持容量配線17と、遮光層25とが設けられている。走査信号線12、ゲート電極22、保持容量配線17および遮光層25は、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン等からなる金属膜や、それらの合金、積層膜をパターニングすることにより形成される。これらを覆うゲート絶縁膜23は、窒化シリコンや酸化シリコン等からなる絶縁膜により形成される。その上には、ゲート電極22と重なるように、アモルファスシリコンやポリシリコン等からなる高抵抗半導体層24と、更にリン等の不純物がドープされたn+ アモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層とが設けられている。なお、低抵抗半導体層がソース電極26aおよびドレイン電極26bとなる。
また、ソース電極26aと接続するようにデータ信号線13が形成され、ドレイン電極26bと接続するように、ドレイン引き出し配線15とともに上側保持容量電極15aが形成されている。上側保持容量電極15aは、コンタクトホール16を介して、画素電極11に接続されている。
データ信号線13、ドレイン引き出し配線15、上側保持容量電極15aは、典型的には同一材料から形成され、例えばチタン、クロム、アルミニウム、モリブデン等からなる金属膜や、それらの合金、積層膜から形成される。データ信号線13やTFT14等を覆う層間絶縁膜38は、例えば、アクリル樹脂、窒化シリコン、酸化シリコン等を用いて形成される。画素電極11は、例えば、ITO(インジウム錫酸化物)、IZO(インジウム亜鉛酸化物)、酸化亜鉛、酸化スズ等の透明性を有する導電膜から形成される。
本実施形態に示すTFT基板20はプラズマCVD(化学気相成長)法やフォトリソグラフィ法などの既知の方法により、またCF基板30は印刷法などの既知の方法により製造することができるので、これらの製造方法についての詳細な説明は省略する。
本実施形態に示すTFT基板20は、カラーフィルタ31よりも表示面DS側に設けられ、画素の周辺部を部分的に遮光する遮光層25を有する。遮光層25は、平面視において略正方形であり、画素の周辺部に沿ってドット状のパターンを形成している。遮光層25は、隣接する画素との間の輝度変化が滑らになるように配置されることが望ましい。例えば、遮光層25の配置密度が画素の中央から周辺部にかけて次第に高くなるように遮光層25を配置する。なお、遮光層25の形状や密度は図2に示すものに限定されない。例えば、遮光層25の形状がスリット状であっても良い。
本実施形態に示すTFT基板20は、画素の周辺部に遮光層25を有するので、カラーフィルタ31を透過したバックライト光BLが画素の周辺部において部分的に遮光され、画素の周辺部が中央部(遮光層25のない領域)に比して輝度が低くなる。しかし、遮光層25がドットパターン状に形成されているので、画素の周辺部は、略完全に遮光されている領域(CF基板30の遮光層32に対応する領域)に比して輝度が高い。このように、画素の周辺部において、実質的な開口面積を低下させることで、明度(透過光量)を低下させることができる。すなわち、遮光層25により画素の周辺部が部分的に遮光されるので、画素内の中央部の輝度よりも周辺部の輝度の方が低い輝度勾配が形成される。したがって、互いに隣接する画素間において輝度を漸次変化させることができる。
本実施形態では、ドットパターン状に形成された遮光層25の大きさが略同じであるが、画素の中央により近い遮光層と画素の周辺により近い遮光層(言い換えれば画素の中央からより遠い遮光層)とで大きさが異なっていても良い。例えば、画素の中央により近い遮光層が画素の周辺により近い遮光層よりも小さくても良い。このように、ドット状の遮光層を連続的に変化させることによって、より滑らかな(より緩やかな)輝度勾配を形成することができる。
また、本実施形態では、走査信号線12や保持容量配線17を形成するための導電膜を用いて遮光層25が形成されているが、遮光層25の形成材料はこれに限定されない。例えば、データ信号線13を形成するための導電膜を用いて遮光層25を形成しても良い。あるいは、遮光層25のみを形成するための専用の膜(例えば、ブラックマトリクス)を用いて遮光層25を形成しても良い。但し、製造工程の簡略化や製造コストの低減の観点から、走査信号線12やデータ信号線13などをパターニング形成する際に、遮光層25を形成することが好ましい。
(実施形態2)
実施形態1では、TFT基板20に遮光層25を形成することによって、画素内で輝度勾配を形成しているが、カラーフィルタを透過する光量を画素の中央部と周辺部とで異ならせることによって、画素内で輝度勾配を形成しても良い。本実施形態では、カラーフィルタの膜厚を中央部と周辺部とで異ならせることによって、画素内で輝度勾配を形成する例について説明する。
本実施形態の液晶表示装置は、実施形態1の液晶表示装置と同様に、TFT基板と、TFT基板に対向配置されたCF基板30と、両基板20,30間に介在する液晶層とを有する。図4は本実施形態におけるCF基板30を模式的に示す断面図である。なお、TFT基板は、遮光層25がないことを除いて実施形態1のTFT基板20と同様であるので、TFT基板の説明を省略する。
本実施形態のCF基板30は、透明絶縁性基板上に形成された赤、緑、青各色のカラーフィルタ31a,31b,31cと、各色のカラーフィルタ31a,31b,31cの間に介在する遮光層(ブラックマトリクス)32と、液晶層側に設けられた対向透明電極(不図示)とを有する。画素に対応するカラーフィルタ31、言い換えればTFT基板の画素電極と平面視において重なるカラーフィルタ31は、画素内の中央部CPと周辺部PPとで膜厚が異なる。具体的には、中央部CPにおける膜厚よりも周辺部PPにおける膜厚の方が厚く形成されている。
カラーフィルタ31の膜厚を中央部CPと周辺部PPとで異ならせる方法としては、一部の透過率が連続的もしくは段階的に変化する遮光部を有するハーフトーンマスクを用いたハーフトーン露光法が挙げられる。本実施形態に用いられるハーフトーンマスクは、ポジ型のカラーフィルタ31を用いる場合には、画素に対応する領域の中央部から周辺部へ透過率が漸次低下する半透過部分を有する。このハーフトーンマスクを用いて露光を行なうことにより、ポジ型のカラーフィルタ31の中央部CPが周辺部PPよりも溶解され易くなるので、中央部CPにおける膜厚よりも周辺部PPにおける膜厚の方が厚く形成される。なお、ハーフトーンマスクについては、特開2002-229040 号公報などに開示されている。
本実施形態に示すカラーフィルタ31は、中央部CPにおける膜厚よりも周辺部PPにおける膜厚の方が厚く形成されているので、カラーフィルタ31の中央部CPを透過するバックライト光の光量が周辺部PPを透過するバックライト光の光量よりも多くなる。言い換えれば、カラーフィルタ31の中央部CPの明度が周辺部PPの明度よりも高くなる。したがって、画素に対応するカラーフィルタ31を光が透過する際に、画素の中央部の輝度よりも周辺部の輝度の方が低い輝度勾配が形成されるので、互いに隣接する画素との輝度変化が緩やかとなる。
本実施形態のカラーフィルタ31は、図4に示すように、断面視において、上面が凹状に曲線を描いているが、上面が階段状に形成されていても良い。
(実施形態3)
実施形態2では、カラーフィルタ31の膜厚を中央部CPと周辺部PPとで異ならせることによって、画素内で輝度勾配を形成しているが、本実施形態では、中央部と周辺部とで明度の異なる材料を用いることによって、画素内で輝度勾配を形成する例について説明する。
図5は本実施形態におけるCF基板を模式的に示す平面図である。図5に示すCF基板は、TFT基板の走査信号線やデータ信号線に対応する領域に遮光層(ブラックマトリクス)32を有するとともに、TFT基板のTFTに対応する領域にも遮光層(ブラックマトリクス)32aを有する。これらの遮光層32,32aに平面視において囲まれたカラーフィルタ31は、明度の異なる材料を塗り分けて形成されている。具体的には、画素に対応するカラーフィルタ31は、明度が順次低くなる材料を用いてそれぞれ形成された複数のカラーフィルタ部分310,311,312,313から構成されるので、カラーフィルタ31の中央部から周辺部にかけて明度が次第に低下する。したがって、カラーフィルタ31を透過する光の輝度が中央部から周辺部にかけて次第に低下する輝度勾配が形成されるので、互いに隣接する画素との輝度変化が緩やかとなる。
本実施形態では、カラーフィルタ31が4種のカラーフィルタ部分310,311,312,313から構成されている。しかし、カラーフィルタ31を構成するカラーフィルタ部分の数はこれに限定されず、中央部のカラーフィルタ部分と周辺部のカラーフィルタ部分の少なくとも2種のカラーフィルタ部分からカラーフィルタ31が構成されていれば良い。
(実施形態4)
実施形態2および3では、カラーフィルタの一般的な製造工程に対して、新たな工程を付加することにより、画素内で輝度勾配を形成しているが、本実施形態では、新たな工程を付加せずに画素内で輝度勾配を形成する例について説明する。
図6は本実施形態におけるCF基板を模式的に示す平面図であり、図7は図6中のC−C’線断面図である。本実施形態に示すCF基板30は、透明絶縁性基板上に形成された赤、緑、青各色のカラーフィルタ31a,31b,31cと、各色のカラーフィルタ31a,31b,31cの間に介在する遮光層(ブラックマトリクス)32,32aと、液晶層側に設けられた対向透明電極33とを有する。さらに、画素の周辺部にストライプ状の遮光層(ブラックマトリクス)32bを有する。
本実施形態のCF基板30は、画素の周辺部にストライプ状の遮光層32bを有するので、実施形態1と同様に、中央部の輝度よりも周辺部の輝度の方が低い輝度勾配が形成される。したがって、互いに隣接する画素間において輝度を漸次変化させることができる。また、遮光層32bは、他の遮光層32,32aの形成とともに形成することができるので、新たな工程を付加する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。
本実施形態では、遮光層32bがストライプ状であるが、遮光層32bの形状や密度は図6に示すものに限定されない。図8は遮光層の他の態様を模式的に示す平面図である。図8に示すように、遮光層32cがドット状であっても良い。
(実施形態5)
実施形態1〜4では新規なTFT基板やCF基板を用いているが、本実施形態では、既存の液晶モジュールに対して、互いに隣接する画素間において輝度が漸次変化する機能を付加する例について説明する。
図9は本実施形態の透過型液晶表示装置を模式的に示す断面図である。本実施形態の液晶表示装置は、既存の液晶モジュールLCDと、表示面DS上に設けられ、画素の輪郭をぼやかすための拡散層DLとを有する。具体的には、液晶モジュールLCDの観察者側の表示面DS上であって、隣接する画素P間および画素Pの周辺部に重なる領域に拡散層DLが形成されている。拡散層DLは、ジェル状または液状の材質を隣接する画素P間および画素Pの周辺部に重なる領域に塗布した後、固化させることにより形成される。これにより、拡散層DLの形成された領域の透過率が拡散層DLの形成されていない領域の透過率よりも低下するので、画素Pの輪郭がぼやかされる。
言い換えれば、液晶モジュールLCDを透過したバックライト光BLが拡散層DLにより拡散されるので、互いに隣接する画素P間の境界が不明瞭となり、画素間の輝度格差による違和感が低減された映像を実現することができる。塗布後に固化するジェル状または液状の材質としては、アクリル系紫外線硬化樹脂などが挙げられる。
本実施形態では拡散層DLが液晶モジュールLCDの表示面DSに接して形成されているが、拡散層DLは、液晶モジュールLCDの表示面DSに接している必要は特になく、表示面DSよりも上方(観察者側)に拡散層DLが配置され、拡散層DLと表示面DSとの間に隙間があってもよい。
また、輪郭をぼかすための拡散層DLを形成するにあたり、画素Pの周辺部の膜厚が中央部の膜厚よりも大きくなるように、ジェル状または液状の材質の塗布量を変えて表示面DS全面に対して拡散層DLを形成しても良い。これにより、液晶モジュールLCDの観察者側に設けられた偏光板(不図示)を透過した光は、画素Pの周辺部と中央部とで透過率が異なるので、画素Pの輪郭がぼやかされる。
(実施形態6)
本実施形態では、映像信号が書き込まれる2つの画素間に、これら2つの画素間の輝度格差を抑えるための別の画素を設ける例について説明する。
図10は本実施形態の液晶表示装置の画素配列を模式的に示す平面図である。本実施形態の液晶表示装置は、図10に示すように、行方向に延びる複数の走査信号線GLと、列方向に延びるデータ信号線SLと、マトリクス状に配列された複数の画素PEとを有する。また、各画素PEは行方向に隣接する3つの絵素からそれぞれ構成されている。
本実施形態の液晶表示装置は、映像信号VSが書き込まれる画素Aと行方向に隣接する画素Bとの間に、中間画素MPを有する。中間画素MPは、外部から演算信号OSが入力されることにより、両画素A,Bの平均輝度以下の輝度(典型的には両画素A,Bの中間の輝度)を表示する。このように、互いに隣接する画素A,B間に中間画素MPを配置することにより、画素A,B間において輝度が漸次変化するように視認される。
本実施形態では、中間画素MPが行方向に隣接する画素A,B間に配置されているが、列方向に隣接する画素間に配置されていても良く、あるいは斜め方向に隣接する画素間に配置されていても良い。
(実施形態7)
実施形態6では、中間画素MPが外部からの演算信号OSにより書き込まれているが、本実施形態では、中間画素MPの周囲の画素に書き込まれる電圧情報を抵抗分割して決定する例について説明する。
図11は本実施形態の液晶表示装置の画素配列を模式的に示す平面図である。本実施形態に示す画素はRGB の3つの絵素から構成されている。映像信号VSが書き込まれる両画素A,Bの間に配置された中間画素MPには、同色の絵素に入力される映像信号VSが抵抗分割されて入力される。具体的には、中間画素MP中の赤絵素には、画素A中の赤絵素への電圧情報と画素B中の赤絵素への電圧情報とを抵抗R1および抵抗R2により抵抗分割した電圧情報が書き込まれる。同様に、中間画素MP中の緑絵素には、画素A,B中の緑絵素への電圧情報を抵抗R3および抵抗R4により抵抗分割した電圧情報が書き込まれ、中間画素MP中の青絵素には、画素A,B中の青絵素への電圧情報を抵抗R5および抵抗R6により抵抗分割した電圧情報が書き込まれる。各抵抗の抵抗値を適宜設定することにより、中間画素MP中の各絵素に書き込まれる電圧情報が決定される。これにより、映像信号VSが書き込まれる画素A,B間の輝度変化を抑えることができる。
なお、同色の絵素への電圧情報を抵抗分割する一方の抵抗R1,R3,R5と他方の抵抗R2,R4,R6は、同じ抵抗値であっても良く、あるいは異なる抵抗値であっても良い。また、抵抗R1,R3,R5(または抵抗R2,R4,R6)は絵素の色ごとに異なっていても良く、あるいは同じであっても良い。
(実施形態8)
実施形態6および7では、行方向に隣接する画素間に中間画素MPが配置されているが、本実施形態では、行方向、列方向および斜め方向に隣接する絵素間に中間絵素が配置されている例、言い換えれば映像信号が書き込まれる絵素の周囲に中間絵素が配置されている例について説明する。
図12(a)は各絵素SPに入力される信号を示す図であり、図12(b)は中間絵素に入力される信号をフレーム毎に示す図である。図12(a)には12個の絵素が示されており、以下の説明では映像信号Fが入力される絵素を中心に説明する。
映像信号Fが書き込まれる絵素の周囲に配置された中間絵素1〜8のうち、中間絵素1〜4は、行方向および列方向に隣接する他の絵素に書き込まれた電圧情報に基づいて、書き込まれる電圧情報が決定され、2フレームごとに表示する。例えば、絵素1においては、1および3フレーム目に、映像信号Fが入力される絵素の半分の輝度に相当する電圧情報が書き込まれ、2および4フレーム目に、映像信号Eが入力される絵素の半分の輝度に相当する電圧情報が書き込まれる。
一方、中間絵素5〜8は、近接する絵素(映像信号A,B,C,E,F,G,I,J,Kがそれぞれ書き込まれる絵素)のうち4つの絵素における電圧情報の4分の1の電圧情報が1フレームごとに順次書き込まれ、表示を行う。この4フレームの表示サイクルを繰り返し行い、人間の視覚を利用することで、絵素間の輝度変化を抑える効果が得られる。
なお、1サイクルのフレーム数は4である必要はない。また、本実施形態においては、周囲8絵素の電圧情報に基づいて中間絵素の電圧情報が決定され、書き込まれているが、中間絵素の電圧情報を決定するための周囲の絵素数は8に限定されない。さらに、中間絵素に書き込まれる電圧情報は、周囲の絵素に書き込まれる電圧情報に対して2分の1や4分の1に限定されない。
図13は中間絵素に書き込まれる電圧情報を演算する外部回路を模式的に示すブロック図である。図13を参照しながら、外部回路の動作を簡潔に説明する。まず、入力信号として、例えば1920×1080絵素の信号が信号入力部に入力されると想定する。信号入力部は、データの開始点を検出して、フレームの開始点のデータ(フレーム同期信号)を4進カウンタに送る。また、信号入力部は、同期信号とデータをデータ変換ブロックに送る。4進カウンタは、フレームのカウントを行い、そのカウンタ値をデータ変換ブロックに送信する。本実施形態では1920×1080絵素のデータを3839×2159の絵素のデータに変換する。そのため、データ変換ブロックは、図12(a)に示す絵素の2行のデータをラインメモリに保存し、参照して、図12(b)に示すようにデータを変換する。データ変換ブロックは、このように変換したデータを表示装置に送信する。
以上の処理によって、映像信号が書き込まれる絵素は明るく表示され、中間絵素は暗く表示される。中間絵素は、隣接する絵素に書き込まれるデータがフレーム毎に切り替えられて表示されるので、隣接する絵素に書き込まれるデータの平均値以下の輝度を表示する。これにより、輝度に連動して、隣接する絵素間の輝度格差を滑らかにつなぐことができ、自然な画像を得ることができる。互いに隣接する絵素間の輝度格差を緩和するために、輝度変化を滑らかにするための中間絵素を2つの絵素の間に配置しているので、動きのある映像であっても、自然な画像を得ることができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲に限定されない。上記実施形態が例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せに、さらにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
例えば、上記実施形態では、透過型のアクティブマトリクス型液晶表示装置を例にして説明したが、反射型や透過反射両用型の液晶表示装置であっても良い。また、上記実施形態では、スイッチング素子としてTFTが用いられているが、MIM(Metal Insulator Metal) などの他のアクティブ駆動素子を用いても良く、あるいは駆動素子を用いないパッシブ(マルチプレックス)駆動でも良いことは当業者に理解されるところである。
本発明の表示装置は、液晶表示装置、無機または有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイパネルなどに利用することができる。より具体的には、携帯電話機、PDA(Personal Digital Assistance )、パーソナルコンピュータ、薄型テレビ、医療用ディスプレイ、カーナビゲーションシステム、アミューズメント機器などに利用することができる。
実施形態1の透過型液晶表示装置を模式的に示す断面図である。 TFT基板20の一画素を拡大して示す平面図である。 図2中のA−A’線断面図である。 実施形態2におけるCF基板30を模式的に示す断面図である。 実施形態3におけるCF基板を模式的に示す平面図である。 実施形態4におけるCF基板を模式的に示す平面図である。 図6中のC−C’線断面図である。 遮光層の他の態様を模式的に示す平面図である。 実施形態5の透過型液晶表示装置を模式的に示す断面図である。 実施形態6の液晶表示装置の画素配列を模式的に示す平面図である。 実施形態7の液晶表示装置の画素配列を模式的に示す平面図である。 図12(a)は各絵素SPに入力される信号を示す図であり、図12(b)は中間絵素に入力される信号をフレーム毎に示す図である。 中間絵素に書き込まれる電圧情報を演算する外部回路を模式的に示すブロック図である。 従来のTFT基板を模式的に示す平面図である。 図14中のX−X’線断面図である。 従来のカラーフィルタ基板を模式的に示す平面図である。 図16中のY−Y’線断面図である。 液晶表示装置(LCD) および陰極管線(CRT) の画像表示における輝度変化を示す図である。
符号の説明
10 液晶層
11 画素電極
12 走査信号線
13 データ信号線
14 TFT
15 配線
15a 上側保持容量電極
16 コンタクトホール
17 保持容量配線
20 TFT基板
22 ゲート電極
23 ゲート絶縁膜
24 高抵抗半導体層
25 遮光層
26a ソース電極
26b ドレイン電極
28 層間絶縁膜
30 CF基板
31a 赤色カラーフィルタ
31b 緑色カラーフィルタ
31c 青色カラーフィルタ
32,32b,32c 遮光層
33 対向透明電極
38 層間絶縁膜
40 シール材
51 画素電極
52 走査信号線
53 データ信号線
54 TFT
55 電極
55a 上側保持容量電極
56 コンタクトホール
57 保持容量配線
61 透明絶縁性基板
62 ゲート電極
63 ゲート絶縁膜
66a ソース電極
66b ドレイン電極
68 層間絶縁膜
70 透明絶縁性基板
71a,71b,71c カラーフィルタ
73 対向電極
R1,R2,R3,R4,R5,R6 抵抗
310,311,312,313 カラーフィルタ部分

Claims (10)

  1. マトリクス状に配列された複数の画素を有する表示装置であって、
    前記複数の画素のうち互いに隣接する画素間において輝度が漸次変化する表示装置。
  2. マトリクス状に配列された複数の画素を有する表示装置であって、
    前記複数の画素のうち少なくとも1つの画素は、中央部の輝度よりも周辺部の輝度の方が低い輝度勾配を有する表示装置。
  3. マトリクス状に配列された複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに対応するカラーフィルタとを有する表示装置であって、
    前記画素内における前記カラーフィルタの周辺部を部分的に遮光する遮光層をさらに有する表示装置。
  4. マトリクス状に配列された複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに対応するカラーフィルタとを有する表示装置であって、
    前記画素に対応する前記カラーフィルタは、中央部の膜厚よりも周辺部の膜厚の方が厚い表示装置。
  5. マトリクス状に配列された複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれに対応するカラーフィルタとを有する表示装置であって、
    前記画素に対応する前記カラーフィルタは、明度の異なる材料を用いて中央部と周辺部とが形成され、前記中央部の輝度よりも前記周辺部の輝度の方が低い輝度勾配を有する表示装置。
  6. マトリクス状に配列された複数の画素を有する表示装置であって、
    表示面上または表示面よりも観察者側に設けられ、前記画素の輪郭をぼやかす層を有する表示装置。
  7. 一方向に順次配置された第1、第2および第3画素を有する表示装置であって、
    前記第2画素は、前記第1画素と前記第3画素との平均輝度以下の輝度を有する表示装置。
  8. 前記第2画素に書き込まれる電圧情報は、前記第1画素および前記第3画素にそれぞれ書き込まれる電圧情報から抵抗分割により決定される請求項7に記載の表示装置。
  9. 前記第2画素に書き込まれる電圧情報が、前記第1画素および前記第3画素にそれぞれ書き込まれる電圧情報に基づいて複数のフレームサイクルで順次変化することによって、前記第2画素が、前記第1画素と前記第3画素との平均輝度以下の輝度を表示する請求項7に記載の表示装置。
  10. 前記第1画素および前記第3画素にそれぞれ書き込まれる電圧情報に基づいて前記第2画素に書き込まれる電圧情報を演算する外部回路をさらに有する請求項7に記載の表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015079038A (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
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EP2650162A4 (en) * 2010-12-08 2018-04-25 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Information conveyance device for use in vehicle

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