JP2006114731A - Display device and its manufacturing method - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 274
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 84
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 84
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- -1 phenylene vinylene group Chemical group 0.000 claims description 23
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 8
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 2
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 56
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 54
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 230000006870 function Effects 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 5
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKJVMGQSGCSQBU-UHFFFAOYSA-N zinc azanidylidenezinc Chemical compound [Zn++].[N-]=[Zn].[N-]=[Zn] AKJVMGQSGCSQBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000600 Ba alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017563 LaCrO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012465 LiTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001278 Sr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDADSACUMGYURZ-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Fe+2].[Bi+3] Chemical compound [O-2].[Fe+2].[Bi+3] YDADSACUMGYURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRLYUMPZTCHRDL-UHFFFAOYSA-N [Si].[Eu].[La] Chemical compound [Si].[Eu].[La] WRLYUMPZTCHRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVGGZXXPVMJCCL-UHFFFAOYSA-N [Si].[La] Chemical compound [Si].[La] TVGGZXXPVMJCCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229920006125 amorphous polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCLQZCOGUCNIOC-UHFFFAOYSA-N azanylidynelanthanum Chemical compound [La]#N QCLQZCOGUCNIOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#N AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N barium(2+);diborate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNWNZRZGKVWORZ-UHFFFAOYSA-N calcium oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [Ca+2].[O-][V](=O)=O.[O-][V](=O)=O DNWNZRZGKVWORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- IPTFSOBNZSRSSI-UHFFFAOYSA-L dihydroxy(dioxo)chromium vanadium Chemical compound [V].[Cr](=O)(=O)(O)O IPTFSOBNZSRSSI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DTDCCPMQHXRFFI-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)chromium lanthanum(3+) Chemical compound [La+3].[La+3].[O-][Cr]([O-])(=O)=O.[O-][Cr]([O-])(=O)=O.[O-][Cr]([O-])(=O)=O DTDCCPMQHXRFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001506 inorganic fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 description 1
- PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N iron vanadium Chemical compound [V].[Fe] PNXOJQQRXBVKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- JQNHKGDOVBECBO-UHFFFAOYSA-N lanthanum vanadium Chemical compound [V].[La] JQNHKGDOVBECBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- CMZUMMUJMWNLFH-UHFFFAOYSA-N sodium metavanadate Chemical compound [Na+].[O-][V](=O)=O CMZUMMUJMWNLFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- FKHIFSZMMVMEQY-UHFFFAOYSA-N talc Chemical compound [Mg+2].[O-][Si]([O-])=O FKHIFSZMMVMEQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- JRFBNCLFYLUNCE-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zn+2] JRFBNCLFYLUNCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000166 zirconium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表示装置およびその製造方法に係り、特に発光層を高分子材料で構成した有機エレクトロルミネッセント素子(以下有機EL素子)を用いた表示装置に関するものである。 The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof, and more particularly to a display device using an organic electroluminescent element (hereinafter referred to as an organic EL element) in which a light emitting layer is formed of a polymer material.
エレクトロルミネッセンス素子は、固体蛍光性物質の電界発光を利用した発光デバイスであり、現在無機系材料を発光体として用いた無機エレクトロルミネッセンス素子が実用化され、液晶ディスプレイのバックライトやフラットディスプレイ等への応用展開がなされている。しかし、無機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧が数十Vと高く、ま
た交流による駆動が必須となるため、駆動回路が複雑化となる上、消費電力が大きいために携帯機器への適用は困難である。
An electroluminescent element is a light emitting device using electroluminescence of a solid fluorescent substance. At present, an inorganic electroluminescent element using an inorganic material as a light emitter has been put into practical use, and it is applied to a backlight or a flat display of a liquid crystal display. Application development has been made. However, inorganic electroluminescent elements have a high driving voltage of several tens of volts and must be driven by alternating current, which complicates the driving circuit and consumes a large amount of power, making it difficult to apply to portable devices. is there.
一方、有機材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子に関する研究も古くから注目されており、様々な検討が行われており、近年、実用化が進んでいるものもある。 On the other hand, research on electroluminescent elements using organic materials has been attracting attention for a long time, and various studies have been conducted, and some have been put into practical use in recent years.
有機EL素子は発光層に用いられる材料の違いからいくつかのグループに分類することが出来る。代表的なもののひとつは発光層に低分子量の有機化合物を用いる素子で、主に真空蒸着を用いて作製される。そして今一つは本発明が関与するところの発光層に高分子化合物を用いる高分子有機EL素子である。 Organic EL elements can be classified into several groups based on the difference in materials used for the light emitting layer. One of the typical ones is an element using a low molecular weight organic compound for the light emitting layer, which is mainly produced by vacuum deposition. The other is a polymer organic EL device using a polymer compound in the light emitting layer, to which the present invention relates.
高分子有機EL素子は各機能層を構成する材料を溶解した溶液を用いることでスピンコート法やインクジェット法、印刷法等による薄膜作製が可能であり、その簡便なプロセスから低コスト化や大面積化が期待できる技術として注目されている。 Polymer organic EL devices can be made into thin films by spin coating, ink jet, printing, etc. by using a solution in which the material constituting each functional layer is dissolved. It is attracting attention as a technology that can be expected.
典型的な高分子有機EL素子は、陽極および陰極の間に電荷注入層、発光層等の複数の機能層を積層することで作製される。以下に代表的な高分子有機EL素子の構成およびその作製手順を説明する。 A typical polymer organic EL device is produced by laminating a plurality of functional layers such as a charge injection layer and a light emitting layer between an anode and a cathode. The structure of a typical polymer organic EL element and its production procedure will be described below.
まず陽極としてのITO(インジウム錫酸化物)を成膜したガラス基板上に電荷注入層としてのPEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物:以下PEDOTと記載する)薄膜をスピンコートなどによって成膜する。PEDOTは電荷注入層として事実上の標準となっている材料であり、陽極側に配置されることでホール注入層として機能する。 First, a PEDOT: PSS (mixture of polythiophene and polystyrenesulfonic acid: hereinafter referred to as PEDOT) thin film as a charge injection layer is formed by spin coating or the like on a glass substrate on which ITO (indium tin oxide) as an anode is formed. To do. PEDOT is a material that has become a de facto standard as a charge injection layer, and functions as a hole injection layer by being disposed on the anode side.
PEDOT層の上に発光層としてポリフェニレンビニレン(以下PPVと表す)およびその誘導体、またはポリフルオレンおよびそれらの誘導体がスピンコート法などによって成膜される。そしてこれら発光層上に真空蒸着によって陰極としての金属電極が成膜され素子が完成する。 On the PEDOT layer, polyphenylene vinylene (hereinafter referred to as PPV) and a derivative thereof, or polyfluorene and a derivative thereof are formed as a light emitting layer by a spin coating method or the like. Then, a metal electrode as a cathode is formed on these light emitting layers by vacuum deposition to complete the device.
このように高分子有機ELは簡易なプロセスで作製することが出来るという優れた特徴を持っており、様々な用途への応用が期待されているが、十分に大きな発光強度を得ることが出来ない点、および長時間駆動する際、寿命が十分でない点、この2つが改善すべき課題となっている。 As described above, the polymer organic EL has an excellent feature that it can be produced by a simple process, and is expected to be applied to various uses, but it cannot obtain a sufficiently large emission intensity. These two points are problems to be improved, that is, the point that the life is not sufficient when driving for a long time.
高分子有機EL素子の発光強度の低下、すなわち劣化は通電時間と素子を流れた電流の積に比例して進行するが、その詳細については未だ明らかになっておらず鋭意研究が進め
られているところである。
The decrease in the emission intensity of the polymer organic EL device, that is, the deterioration proceeds in proportion to the product of the energization time and the current flowing through the device, but the details have not been clarified yet and intensive research is ongoing. By the way.
発光強度の低下の原因については様々な推測がなされているが、PEDOTの劣化はその主なものの一つとして考えられている。PEDOTは前述したようにポリスチレンスルホン酸とポリチオフェンという二つの高分子物質の混合物であって、前者はイオン性、後者は高分子鎖に局所的な極性がある。このような電荷の異方性に起因するクーロン相互作用により両者は緩やかな結合をし、それにより優れた電荷注入特性を発揮している。 Various speculations have been made about the cause of the decrease in the emission intensity, but the deterioration of PEDOT is considered as one of the main ones. As described above, PEDOT is a mixture of two polymer substances, polystyrene sulfonic acid and polythiophene, the former being ionic and the latter having local polarity in the polymer chain. Due to the Coulomb interaction resulting from such charge anisotropy, the two are loosely coupled, thereby exhibiting excellent charge injection characteristics.
PEDOTが優れた特性を発揮する為には両者の密な相互作用が不可欠であるが、一般に高分子物質の混合物は溶媒に対する微妙な溶解性の違いにより相分離を起こしやすいものである。これはPEDOTについても例外ではない(非特許文献1)。相分離を生じるということは2つの高分子の緩やかな結合は比較的容易に外れてしまうということを意味しており、PEDOTが有機EL素子中にあって駆動される際に不安定である可能性や、相分離の結果結合に寄与しなかった成分、特にイオン性の成分が通電に伴う電場によって拡散し、他の機能層に望ましくない作用を及ぼす可能性があることを示している。このようにPEDOTは優れた電荷注入特性を持っているが、決して安定な物質であるとは言えない。 In order for PEDOT to exhibit excellent properties, close interaction between the two is indispensable. In general, however, a mixture of polymer substances tends to cause phase separation due to a subtle difference in solubility in a solvent. This is no exception for PEDOT (Non-Patent Document 1). The occurrence of phase separation means that the loose bond between the two polymers can be easily removed and can be unstable when the PEDOT is driven in an organic EL device. This indicates that components that have not contributed to bonding as a result of phase separation, particularly ionic components, may be diffused by an electric field accompanying energization and have an undesirable effect on other functional layers. Thus, although PEDOT has excellent charge injection characteristics, it cannot be said that it is a stable substance.
このようなPEDOTに関連する懸念に対し、PEDOTそのものを廃してしまうという提案がなされている(非特許文献1)。この非特許文献1ではPEDOT層に代えて電子ブロック作用を有する酸化シリコン(SiO2)層が用いられており、これはITO電
極と発光層の間に何も無い場合と比較すると確かに効率は向上しているが、PEDOT層を備えた素子に比較するとかえって特性は悪化している。
In response to such concerns related to PEDOT, a proposal has been made to eliminate PEDOT itself (Non-Patent Document 1). In this
また、PEDOT層を備えたままで、電子ブロック機能を持ったバッファ層をPEDOT層と発光層の間に挿入するという提案もなされている(非特許文献2)。電子ブロック層を挿入すると、発光層と電子ブロック層の界面近傍のキャリア密度が増して発光効率が向上する。発光効率の向上は投入電力に対する発光強度の増大を意味するので、同一の光量を得る為に素子を通過する電流量は減少し、その結果PEDOT層の劣化は低減され、寿命特性が改善されるというものである。しかしながら、電流密度を更に増大していくと、それ以上電流密度を増大しても発光強度の増大を得ることができない領域に入る。このため、得られる輝度に限界があり、それ以上高輝度を得ることが出来ず、十分に満足できる輝度レベルに至っているとはいえないだけでなく、寿命についても十分ではない。
特に、屋外の大型表示パネルなどに用いられる場合には、高輝度特性が求められており、更なる高輝度化を求めて鋭意研究がなされている。
In addition, a proposal has been made to insert a buffer layer having an electronic blocking function between the PEDOT layer and the light emitting layer while the PEDOT layer is provided (Non-patent Document 2). When the electron blocking layer is inserted, the carrier density in the vicinity of the interface between the light emitting layer and the electron blocking layer is increased and the light emission efficiency is improved. An increase in luminous efficiency means an increase in emission intensity with respect to input power, so that the amount of current passing through the element is reduced in order to obtain the same amount of light, and as a result, the degradation of the PEDOT layer is reduced and the life characteristics are improved. That's it. However, when the current density is further increased, even if the current density is further increased, the light emission intensity cannot be increased. For this reason, there is a limit to the luminance that can be obtained, and it cannot be said that high luminance can be obtained any more and the luminance level is sufficiently satisfactory, and the lifetime is not sufficient.
In particular, when used in a large outdoor display panel or the like, high luminance characteristics are required, and intensive research has been conducted to further increase the luminance.
以上、高分子有機ELに対する例について説明したが、先に述べたように有機EL素子には低分子材料を発光層に使用したいわゆる低分子有機EL素子というグループがあり、こちらでも発光特性改善の為の様々な提案がなされている。 As described above, examples of polymer organic EL have been described. As described above, there is a group of so-called low molecular organic EL elements in which a low molecular material is used for a light emitting layer in organic EL elements. Various proposals have been made.
たとえば特許文献1および非特許文献3では、ITO電極に代えてあるいはITO電極上に、バナジウム(V)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)等の酸化物薄膜を積層す
ることで素子の駆動電圧の低減を図っている。この例では、素子の耐久性が乏しい理由を電極とホール輸送層あるいは発光層との障壁が高く、この障壁に無理な電圧がかかることに起因するものと考え、仕事関数が従来の陽極材料であるITOよりも大きい金属酸化物薄膜を用いることにより、電極とホール輸送層あるいは発光層との障壁を低くし、駆動電圧の低減および耐久性の向上を図っている(特許文献1および非特許文献3)。
For example, in
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、低輝度から光源用途等の高輝度まで幅広い範囲で駆動可能であって、幅広い輝度の範囲にわたって安定に動作し、かつ寿命特性に優れた有機EL素子を用いた表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and can be driven in a wide range from a low luminance to a high luminance such as a light source, and can operate stably over a wide luminance range and has excellent life characteristics. It is an object to provide a display device using an EL element.
本発明の表示装置に用いられる、有機エレクトロルミネッセント素子は、少なくとも一組の電極と、前記電極間に形成された複数の機能層とを具備し、前記機能層は少なくとも1種類の樹木状多分岐構造をもつ高分子物質からなる発光機能を有した層と、少なくとも1種類のバッファ層と、少なくとも1種類の無機物からなる電荷注入層とを含む。 The organic electroluminescent element used in the display device of the present invention includes at least one pair of electrodes and a plurality of functional layers formed between the electrodes, and the functional layer is at least one kind of tree-like shape. It includes a layer having a light emitting function made of a polymer material having a multi-branched structure, at least one buffer layer, and a charge injection layer made of at least one inorganic substance.
この構成によれば、電荷注入層として無機物を用いることにより、発光強度が極めて大きく特性の安定な表示装置を得ることができる。これは、2種類の高分子材料のクーロン相互作用による緩やかな結合が外れ易いPEDOTのように電流密度の増大に際しても、不安定となったりすることなく、安定な特性を維持することができ、発光強度を増大することができるためと考えられる。このように少なくとも1種類の無機物からなる電荷注入層を備えることで、広範囲の電流密度に亘って素子の発光強度および、発光効率を高レベルに維持することができ、また、寿命も向上する。従って、高輝度に至るまで、幅広い輝度範囲にわたって安定に動作し、かつ寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセント素子を備えた表示装置を実現することができる。ここで、発光層は共役系高分子であるのが望ましい。 According to this configuration, by using an inorganic substance as the charge injection layer, a display device with extremely high emission intensity and stable characteristics can be obtained. It is possible to maintain stable characteristics without becoming unstable even when the current density is increased, such as PEDOT in which loose coupling due to Coulomb interaction between two kinds of polymer materials is easily released. This is because the emission intensity can be increased. By providing the charge injection layer made of at least one inorganic material in this way, the light emission intensity and light emission efficiency of the device can be maintained at a high level over a wide range of current densities, and the lifetime is also improved. Therefore, it is possible to realize a display device including an organic electroluminescent element that operates stably over a wide luminance range up to high luminance and has excellent lifetime characteristics. Here, the light emitting layer is preferably a conjugated polymer.
また、発光機能を有した層として用いる樹木状多分岐構造をもつ有機化合物は、発光性の構造単位を3次元的に複数の外部構造単位が取り巻いた樹木状多分岐高分子構造または樹木状多分岐低分子構造を有するため、発光性の構造単位が3次元的に孤立した状態となり、有機化合物自体が微粒子状の形態をとる。このため、薄膜状に形成したとき、この有機化合物の集合体は、外部構造単位の存在によって、隣り合う発光性の構造単位が近接することが阻害され、発光性の構造単位が薄膜内に均一に分布し、高強度で、長寿命の発光を維持することができる。 An organic compound having a tree-like multi-branched structure used as a layer having a light-emitting function is a tree-like multi-branched polymer structure or a tree-like multi-branch structure in which a plurality of external structural units surround a light-emitting structural unit three-dimensionally. Since it has a branched low molecular structure, the luminescent structural unit is three-dimensionally isolated, and the organic compound itself takes the form of fine particles. For this reason, when the organic compound aggregate is formed in a thin film shape, the presence of the external structural unit hinders adjacent light emitting structural units from coming close to each other, and the light emitting structural unit is uniform in the thin film. It is possible to maintain light emission with high intensity and long life.
また本発明の表示装置は、前記発光機能を有した層が、発光性の構造単位を中心に有する樹木状多分岐高分子構造からなるものを含む。 In the display device of the present invention, the layer having a light emitting function includes a layer having a dendritic multi-branched polymer structure mainly having a light emitting structural unit.
また本発明の表示装置は、前記発光機能を有した層は、発光性の構造単位を中心に有する樹木状多分岐低分子構造からなるものを含む。 In the display device of the invention, the layer having a light emitting function includes a layer having a dendritic multi-branched low molecular structure mainly having a light emitting structural unit.
なお、この樹木状多分岐高分子構造または樹木状多分岐低分子構造をもつ有機化合物は、上記構造のために、連続的に電圧を印加したりあるいは熱を加えたときにも、発光性の構造単位の均一分布状態が変わらず、時間経過によっても安定した構造を維持することができる。 The organic compound having a dendritic multi-branched polymer structure or a dendritic multi-branched low molecular structure has a light emitting property even when a voltage is applied or heat is continuously applied due to the above structure. The uniform distribution state of the structural units does not change, and a stable structure can be maintained over time.
したがって、このような有機化合物を発光材料として用いて発光層を形成した場合、形成方法に関わらず、発光性の構造単位が発光層中に均一に分散され、各構造単位が相互作
用をしながら、全体として発光することになり、高い発光効率と長寿命を有する発光層を得ることができる。
Therefore, when a light-emitting layer is formed using such an organic compound as a light-emitting material, the light-emitting structural units are uniformly dispersed in the light-emitting layer regardless of the formation method, and each structural unit interacts. As a whole, light is emitted, and a light emitting layer having high light emission efficiency and long life can be obtained.
また、本発明の表示装置は、前記電極が所定の間隔を隔てて形成されたストライプ状の電極で構成され、少なくともひとつのスイッチング素子を介して走査されることで画像表示配列を形成するようにしたものを含む。 In the display device of the present invention, the electrodes are formed of striped electrodes formed at a predetermined interval, and an image display array is formed by scanning through at least one switching element. Including
また、本発明の表示装置は、前記電極対を構成する各電極が、それぞれ、所定の間隔を隔てて配列されたストライプ状の陽極と、前記陽極のストライプと直交する方向に配列されたストライプ状の陰極とで構成されるものを含む。 In the display device of the present invention, each electrode constituting the electrode pair has a striped anode in which the electrodes are arranged at a predetermined interval, and a stripe shape in which the electrodes are arranged in a direction orthogonal to the stripe of the anode. Including the cathode of the above.
また、本発明の表示装置は、前記電極対を構成する各電極のいずれかが、画素毎に電気的に分離されて構成され、前記分離された電極は少なくともひとつのスイッチング素子を介して走査されることで画像表示配列を形成するようにしたものを含む。 In the display device of the present invention, any one of the electrodes constituting the electrode pair is electrically separated for each pixel, and the separated electrode is scanned via at least one switching element. In this way, an image display array is formed.
また、本発明の表示装置は、前記機能層は少なくとも一つのバッファ層を含む。 In the display device of the present invention, the functional layer includes at least one buffer layer.
この構成により、少なくとも1種類のバッファ層を用いることで、例えば電子の陽極への抜けを防止することができ、発光に寄与することなく電流が流れるのを防止することができる。 With this configuration, by using at least one type of buffer layer, for example, the escape of electrons to the anode can be prevented, and current can be prevented from flowing without contributing to light emission.
また、本発明の表示装置は、前記バッファ層が高分子層で構成されるものを含む。 The display device of the present invention includes one in which the buffer layer is composed of a polymer layer.
また、本発明の表示装置は、前記バッファ層が有機溶媒を含む。 In the display device of the present invention, the buffer layer contains an organic solvent.
この構成により、バッファ層を塗布法で形成することができるため、真空工程を経ることなく形成することができる。 With this configuration, since the buffer layer can be formed by a coating method, it can be formed without going through a vacuum process.
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層がフルオレン環を含む高分子化合物を含む。ここでフルオレン環を含む高分子化合物とは、フルオレン環に所望の基が結合してポリマーを構成しているものをいう。種々の基を結合した高分子化合物が市販されているが、詳細はわからないものが多いためここでは説明を省略する。 Moreover, the organic electroluminescent element of the display apparatus of this invention contains the high molecular compound in which the layer which has the said light emission function contains a fluorene ring. Here, the polymer compound containing a fluorene ring refers to a compound in which a desired group is bonded to the fluorene ring to form a polymer. Although high molecular compounds having various groups bonded thereto are commercially available, the details are not described here because many details are not known.
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層が下記一般式(I)で表されるポリフルオレンおよびその誘導体(R1、R2はそれぞれ置換基を表す)を含む。
本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層がフェニレンビニレン基を含む。 In the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, the layer having the light emitting function contains a phenylene vinylene group.
本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記発光機能を有した層が下記一般式(II)で表されるポリフェニレンビニレンおよびその誘導体(R3、R4はそれぞれ置換基を表す)を含む。 In the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, the layer having the light emitting function includes polyphenylene vinylene represented by the following general formula (II) and derivatives thereof (R3 and R4 each represent a substituent). .
本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、バッファ層が、バッファ層の電子親和力をあらわすエネルギー値の絶対値(以下電子親和力と表現する)が前記発光機能を有した層の電子親和力よりも小さい材料を使用したものを含む。
この構成により、電荷の抜けをブロックすることができ、電荷が発光層内で有効に発光に寄与するようにすることができる。
In the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, the buffer layer has an absolute value of energy value representing the electron affinity of the buffer layer (hereinafter referred to as electron affinity) from the electron affinity of the layer having the light emitting function. Including those using small materials.
With this configuration, the loss of charge can be blocked, and the charge can effectively contribute to light emission in the light emitting layer.
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、電荷注入層が、酸化物を含むものを含む。
なお、ここで用いられる酸化物としては、クロム(Cr)、タングステン(W)、バナジ
ウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフ
ニウム(Hf)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、トリウム(Tr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni
)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、錫(Sn)、鉛(Pb)、アンチ
モン(Sb)、ビスマス(Bi)あるいは、ランタン(La)からルテチウム(Lu)までのいわゆる希土類元素などの酸化物を挙げることができる。なかでも酸化アルミニウム(AlO)
、酸化銅(CuO)、酸化シリコン(SiO)は、特に長寿命化に有効である。
Moreover, the organic electroluminescent element of the display apparatus of this invention contains the charge injection layer containing an oxide.
As oxides used here, chromium (Cr), tungsten (W), vanadium (V), niobium (Nb), tantalum (Ta), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf) , Scandium (Sc), yttrium (Y), thorium (Tr), manganese (Mn), iron (Fe), ruthenium (Ru), osmium (Os), cobalt (Co), nickel (Ni
), Copper (Cu), zinc (Zn), cadmium (Cd), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), lead (Pb) ), Antimony (Sb), bismuth (Bi), or oxides of so-called rare earth elements from lanthanum (La) to lutetium (Lu). Above all, aluminum oxide (AlO)
Copper oxide (CuO) and silicon oxide (SiO) are particularly effective for extending the life.
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、電荷注入層が、遷移金属の酸化物を含む。 In the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, the charge injection layer contains an oxide of a transition metal.
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、電荷注入層が、モリブデンまたはバナジウムの酸化物からなるものを含む。 The organic electroluminescent element of the display device of the present invention includes one in which the charge injection layer is made of an oxide of molybdenum or vanadium.
このように特に、電荷注入層は、モリブデン、バナジウムなどをはじめとする遷移金属の酸化物や窒化物の中から選択して使用することが出来る。
例えば遷移金属の化合物は、複数の酸化数をとるため、これにより、複数の電位レベルをとることができ、電荷注入が容易となり、駆動電圧を低減することができる。
In particular, the charge injection layer can be selected and used from oxides or nitrides of transition metals such as molybdenum and vanadium.
For example, since a transition metal compound has a plurality of oxidation numbers, it can take a plurality of potential levels, facilitate charge injection, and reduce driving voltage.
また、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子では、電荷注入層が、窒化物を含む。 In the organic electroluminescent device of the present invention, the charge injection layer contains a nitride.
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子では、電荷注入層が、遷移金属の窒化物を含む。 In the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, the charge injection layer contains a transition metal nitride.
また、窒化物には非常に多くの種類があり、その多くが機能材料として活用されている。主にスパッタリングやCVD法によって成膜を行うことができる。半導体として用いられ
るものから、非常に絶縁性の高いものまでさまざまな化合物が知られているが、種々の実験の結果、絶縁性の高い化合物については成膜の際にその膜厚をおおむね5nm付近以下にすることでキャリア注入が可能になることがわかった。具体的な化合物として以下のものを挙げることができ、好ましくは窒化チタン(TiN)である。TiNは非常に堅牢な材料として知られており、熱に対して安定である。
In addition, there are very many types of nitrides, and many of them are used as functional materials. Films can be formed mainly by sputtering or CVD. Various compounds are known, ranging from those used as semiconductors to those with very high insulation properties. However, as a result of various experiments, the film thickness of highly insulating compounds is about 5 nm during film formation. It was found that carrier injection becomes possible by making the following. Specific examples of the compound include the following, and titanium nitride (TiN) is preferable. TiN is known as a very robust material and is stable to heat.
この他、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)、窒化アルミニウム(AlN)、
窒化ホウ素(BN)、窒化珪素(SiN)、窒化マグネシウム(MgN)、窒化モリブデン(MoN
)、窒化カルシウム(CaN)、窒化ニオブ(NbN)、窒化タンタル(TaN)、窒化バナジウ
ム(BaN)、窒化亜鉛(ZnN)、窒化ジルコニウム(ZrN)、窒化鉄(FeN)、窒化銅(CuN
)、窒化バリウム(BaN)、窒化ランタン(LaN)、窒化クロム(CrN)、窒化イットリウ
ム(YN)、窒化リチウム(LiN)、窒化チタン(TiN)、およびこれらの複合窒化物等も適用可能である。
In addition, gallium nitride (GaN), indium nitride (InN), aluminum nitride (AlN),
Boron nitride (BN), silicon nitride (SiN), magnesium nitride (MgN), molybdenum nitride (MoN)
), Calcium nitride (CaN), niobium nitride (NbN), tantalum nitride (TaN), vanadium nitride (BaN), zinc nitride (ZnN), zirconium nitride (ZrN), iron nitride (FeN), copper nitride (CuN)
), Barium nitride (BaN), lanthanum nitride (LaN), chromium nitride (CrN), yttrium nitride (YN), lithium nitride (LiN), titanium nitride (TiN), and composite nitrides thereof are also applicable. .
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子では、電荷注入層が、酸窒化物を含む。 In the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, the charge injection layer contains an oxynitride.
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、電荷注入層が、遷移金属の酸窒化物を含む。
例えば、ルテニウム(Ru)の酸窒化物結晶Ru4Si2O7N2等も極めて耐熱性(1500℃)が高く安定な物質であることから薄く成膜することにより、電荷注入層として適用可能である。この場合はゾルゲル法で成膜した後、熱処理を行なうことにより成膜することができる。
In the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, the charge injection layer includes an oxynitride of a transition metal.
For example, ruthenium (Ru) oxynitride crystal Ru 4 Si 2 O 7 N 2 etc. is a highly stable material with high heat resistance (1500 ° C), so it can be applied as a charge injection layer by forming a thin film. It is. In this case, the film can be formed by performing a heat treatment after forming the film by a sol-gel method.
この他、バリウムサイアロン(BaSiAlON)、カルシウムサイアロン(CaSiAlON)、セリウムサイアロン(CeSiAlON)、リチウムサイアロン(LiSiAlON)、マグネシウムサイアロン(MgSiAlON)、スカンジウムサイアロン(ScSiAlON)、イットリウムサイアロン(YSiA
lON)、エルビウムサイアロン(ErSiAlON)、ネオジムサイアロン(NdSiAlON)などのIA
、IIA、IIIB族のサイアロン、または多元サイアロン等の酸窒化物が適用可能である。こ
れらはCVD法、スパッタリング法などで形成可能である。この他、窒化珪素酸ランタン(LaSiON)、窒化珪素酸ランタンユーロピウム(LaEuSi2O2N3)、酸窒化珪素(SiON3)等も
適用可能である。これらはおおむね絶縁体であることが多いため、膜厚は1nmから5nm程度と薄くする必要がある。またこれらの化合物はエキシトンの閉じ込め効果が大であり、電子注入を行なう側に形成してもよい。
In addition, barium sialon (BaSiAlON), calcium sialon (CaSiAlON), cerium sialon (CeSiAlON), lithium sialon (LiSiAlON), magnesium sialon (MgSiAlON), scandium sialon (ScSiAlON), yttrium sialon (YSiA)
lON), erbium sialon (ErSiAlON), neodymium sialon (NdSiAlON), etc.
Oxynitrides such as IIA, IIIB sialon, or multi-element sialon are applicable. These can be formed by CVD, sputtering, or the like. In addition, lanthanum silicon nitride (LaSiON), lanthanum europium silicon nitride (LaEuSi 2 O 2 N 3 ), silicon oxynitride (SiON 3 ), and the like are also applicable. Since these are mostly insulators, it is necessary to reduce the film thickness to about 1 nm to 5 nm. These compounds have a large exciton confinement effect and may be formed on the side where electrons are injected.
また、本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、電荷注入層が、遷移金属を含む複合酸化物を含む。 In the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, the charge injection layer includes a composite oxide containing a transition metal.
理由は明らかではないが、電荷注入層に、遷移金属の複合酸化物を用いた場合、発光強度を大きく向上することができた。
また、複合酸化物には非常に多くの種類があり、そのうち多くのものが電子的に興味深い物性を持っている。具体的には以下のような化合物を挙げることができるが、これらはあくまでその一例である。
The reason is not clear, but when a transition metal composite oxide was used for the charge injection layer, the emission intensity could be greatly improved.
In addition, there are a great many types of complex oxides, and many of them have electronically interesting properties. Specific examples include the following compounds, but these are merely examples.
例えば、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)の他、チタン酸カルシウム(CaTiO3)、ニオブ酸カリウム(KNbO3)、ビスマス酸化鉄(BiFeO3)、
ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、バナジウム酸ナトリウム(Na3VO4)、バナジウム酸鉄(FeVO3)、チタン酸バナジウム(TiVO3)、クロム酸バナジウム(CrVO3)、バナジウム酸ニ
ッケル(NiVO3)、バナジウム酸マグネシウム(MgVO3)、バナジウム酸カルシウム(CaVO3)、バナジウム酸ランタン(LaVO3)、モリブデン酸バナジウム(VMoO5)、モリブデン
酸バナジウム(V2MoO8)、バナジウム酸リチウム(LiV2O5)、珪酸マグネシウム(Mg2SiO4)、珪酸マグネシウム(MgSiO3)、チタン酸ジルコニウム(ZrTiO4)、チタン酸ストロ
ンチウム(SrTiO3)、マグネシウム酸鉛(PbMgO3)、ニオブ酸鉛(PbNbO3)、ホウ酸バリウム(BaB2O4)、クロム酸ランタン(LaCrO3)、チタン酸リチウム(LiTi2O4)、銅酸ラ
ンタン(LaCuO4)、チタン酸亜鉛(ZnTiO3)、タングステン酸カルシウム(CaWO4)等が
可能となる。
For example, barium titanate (BaTiO 3 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), calcium titanate (CaTiO 3 ), potassium niobate (KNbO 3 ), bismuth iron oxide (BiFeO 3 ),
Lithium niobate (LiNbO 3), sodium vanadate (Na 3 VO 4), vanadium iron (FeVO 3), titanate vanadium (TiVO 3), chromic acid vanadium (CrVO 3), vanadium, nickel (NiVO 3), magnesium vanadate (MgVO 3), calcium vanadate (CaVO 3), vanadium lanthanum (LaVO 3), molybdate vanadium (VMoO 5), molybdate vanadium (V 2 MoO 8), lithium vanadate (LiV 2 O 5 ), Magnesium silicate (Mg 2 SiO 4 ), magnesium silicate (MgSiO 3 ), zirconium titanate (ZrTiO 4 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), lead magnesium acid (PbMgO 3 ), lead niobate (PbNbO 3 ), Barium borate (BaB 2 O 4 ), lanthanum chromate (LaCrO 3 ), lithium titanate (LiTi 2 O 4 ), lanthanum cuprate (LaCuO 4 ), zinc titanate (ZnTiO 3 ), calcium tungstate (CaWO 4 ) and the like are possible.
これらのいずれを用いることでも本発明を実施することができるが、好ましくはたとえばチタン酸バリウム(BaTiO3)を挙げることができる。BaTiO3は代表的な誘電体であって、高い絶縁性を持つ複酸化物であるが、種々の実験を行なった結果から薄い膜で用いられる場合にはキャリア注入を行うことが可能であることがわかった。BaTiO3やチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)は化合物として安定であり、かつ誘電率が非常に大きいので効率的なキャリア注入を行うことが可能である。成膜に際してはスパッタリング法、ゾルゲル法、CVD法など適宜選択可能である。 Although any of these can be used to carry out the present invention, barium titanate (BaTiO 3 ) is preferably used. BaTiO 3 is a typical dielectric and is a complex oxide with high insulating properties, but it is possible to inject carriers when used in thin films based on the results of various experiments. I understood. BaTiO 3 and strontium titanate (SrTiO 3 ) are stable as compounds and have a very large dielectric constant, so that efficient carrier injection can be performed. For film formation, a sputtering method, a sol-gel method, a CVD method, or the like can be selected as appropriate.
また本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、前記バッファ層が、ホール注入側に配置された電荷注入層と発光機能を有した層との間に配置されるものを含む。
この構成により、電子の抜けをブロックすることができ、電子が発光機能を有した層内で有効に発光に寄与するようにすることができる。
Moreover, the organic electroluminescent element of the display device of the present invention includes one in which the buffer layer is disposed between the charge injection layer disposed on the hole injection side and the layer having a light emitting function.
With this configuration, the escape of electrons can be blocked, and the electrons can effectively contribute to light emission in the layer having a light emitting function.
また本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子は、透光性基板上に形成された陽極と、前記陽極上に形成されたホール注入層と、前記ホール注入層上に形成されたバッファ層と、前記発光機能を有した層を介して前記ホール注入層に対向するように、前記発光機能を有した層上に形成された電子注入層と、陰極とで構成されたものを含む。
この構成により、電子の抜けを生じ易いホール注入層側に電子ブロック層等のバッファ層が形成されており、かつこれらの層の上に発光機能を有した層が形成されるため、発光
機能を有した層がホール注入層の成膜時にダメージを受けるのを防止することができる。
ここで陰極としては、電子の注入を容易にするためのカルシウム(Ca)層やバリウム(Ba)層など仕事関数の小さい層を発光層側に配した多層構造体として形成するのが望ましい。
The organic electroluminescent element of the display device of the present invention includes an anode formed on a light-transmitting substrate, a hole injection layer formed on the anode, and a buffer layer formed on the hole injection layer. And an electron injecting layer formed on the layer having the light emitting function so as to face the hole injecting layer through the layer having the light emitting function, and a cathode.
With this configuration, a buffer layer such as an electron blocking layer is formed on the hole injection layer side where electrons are likely to escape, and a layer having a light emitting function is formed on these layers. It is possible to prevent the layer having damage from being damaged during the formation of the hole injection layer.
Here, the cathode is preferably formed as a multilayer structure in which a layer having a low work function such as a calcium (Ca) layer or a barium (Ba) layer for facilitating electron injection is arranged on the light emitting layer side.
また本発明の表示装置の製造方法は、有機エレクトロルミネッセント素子の発光機能を有した層が、湿式法で形成されることを特徴とする。
これにより、真空工程を必要とすることなく形成できるため、設備が簡単で大面積基板への形成が容易となる。
Moreover, the manufacturing method of the display device of the present invention is characterized in that the layer having the light emitting function of the organic electroluminescent element is formed by a wet method.
Thereby, since it can form, without requiring a vacuum process, an installation is simple and formation to a large area board | substrate becomes easy.
なお、上記化合物においては価数の異なる化合物も存在し易く、例示したもの以外にも価数の異なる化合物の形をとるものも含むものとする。 In addition, in the said compound, the compound from which a valence differs easily exists, and what takes the form of the compound from which a valence differs other than what was illustrated is included.
また、発光機能を有した層とは、単に発光機能のみを有した層に限定されるものではなく、電荷輸送機能など、他の機能を有しているものを含むものとする。なお以下実施の形態では発光層と簡略化する。 Further, the layer having a light emitting function is not limited to a layer having only a light emitting function, but includes a layer having other functions such as a charge transport function. In the following embodiments, the light emitting layer is simplified.
本発明の表示装置の有機エレクトロルミネッセント素子によれば、従来達成し得なかった高輝度に至るまで幅広い輝度範囲にわたって安定に動作し、かつ寿命特性に優れているため、表示用途の温和な駆動条件域から、強電界、大電流、高輝度という厳しい駆動条件下に至るまで安定した電荷注入と発光効率の維持を実現することが可能となる。 According to the organic electroluminescent element of the display device of the present invention, since it operates stably over a wide luminance range up to high luminance, which could not be achieved conventionally, and has excellent life characteristics, it is mild for display applications. It is possible to realize stable charge injection and maintenance of light emission efficiency from a driving condition region to a severe driving condition of a strong electric field, a large current, and a high luminance.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1に本発明の実施の形態における高分子有機EL素子を用いた表示装置の概略斜視図、図2にこの有機EL素子の要部断面図を示す。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic perspective view of a display device using a polymer organic EL element according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of an essential part of the organic EL element.
本実施の形態では、ストライプ状にパターニングされた陽極2と陰極5とを互いに直交する方向に配置し、この交差領域が各画素領域を構成するようになっている。この表示装置に直流電圧または直流電流を印加することにより、直交する領域の発光層4が発光し、単純マトリックス方式の表示装置を提供するものである。
In the present embodiment, the
本実施の形態の有機エレクトロルミネッセント素子は、図2に示すように、透光性のガラス材料からなる基板1と、この基板1上に形成された陽極2としてのITO(インジウム錫酸化物)、更にこの上層に形成された電荷注入層3としての金属酸化物薄膜、バッファ層Bとしての高分子材料からなる電子ブロック層と、高分子材料からなる発光層4と、金属材料で形成された陰極5とで構成される。
As shown in FIG. 2, the organic electroluminescent element of the present embodiment includes a
上記有機エレクトロルミネッセント素子の陽極2をプラス極として、また陰極5をマイナス極として直流電圧または直流電流を印加すると、発光層4には、陽極2から電荷注入層3、バッファ層Bを介してホールが注入されるとともに、陰極5から電子が注入される
。発光層4では、このようにして注入されたホールと電子とが再結合し、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が起る。この発光を表示装置に適用するものである。
When a direct current voltage or direct current is applied with the
本実施の形態の有機エレクトロルミネッセント素子によれば、電荷注入層3が金属酸化物薄膜で構成されており、ホールを容易に注入することができる上、バッファ層Bによっ
て電子の抜けをブロックすることができ、電子が発光機能を有した層内で有効に発光に寄与するようにすることができる。従って、長寿命で、信頼性の高い発光特性を持つ有機エレクトロルミネッセント素子を得ることができる。
According to the organic electroluminescent element of the present embodiment, the
次に本発明の表示装置の製造工程について説明する。
まずガラス基板1上にスパッタリング法によりITO薄膜、続いて真空蒸着法により、金属酸化物薄膜を形成し、これらをフォトリソグラフィによりパターニングすることにより、陽極2および電荷注入層3を形成する。
この後、塗布法により高分子材料からなるバッファ層Bおよび発光層4を塗布形成する。
そして最後に陰極5を形成する。
このように本発明の方法によれば、バッファ層Bおよび発光層4が高分子材料を塗布することにより形成されるため、製造が容易でかつ大面積化が可能である。
Next, the manufacturing process of the display device of the present invention will be described.
First, an ITO thin film is formed on a
Thereafter, the buffer layer B and the
Finally, the
As described above, according to the method of the present invention, since the buffer layer B and the
次に本発明の実施例について説明する。
構造としては図1および2に示したものと同様であり、図1および2を参照しつつ説明する。
本実施例1の有機エレクトロルミネッセント素子は、厚さ1mmのコーニング7029#と指称されているガラス製の基板1と、この上層に形成された厚さ20nmのITO薄膜からなる陽極2と、この陽極2の上層に形成された厚さ20nmの酸化モリブデン薄膜からなる電荷注入層3と、電荷注入層3上に形成された、厚さ20nmのポリフルオレン系化合物であるバッファ層Bとしてのポリ[(9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-アルト-コ-(N,N'-ジフェニル)-N,N'ジ(p-ブチル-オキシフェニル)-1,4-ジアミノベンゼン)]、すなわちPoly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-co-(N,N'-diphenyl)-N,N’di(p-butyl-oxyphenyl)-1,4-diaminobenzene)]と、厚さ80nmのIr(ppy)3構造式:トリス[2-(2-ピリジニル)フェニル-C,N]-イリジウム、すなわちTris[2-(2-pyridinyl)phenyl-C,N]-iridiumをコアとする樹木状多分岐構造からなる発光層4と、発光層4上に形成された厚さ20nmのカルシウム(Ca)層5aと厚さ100nmのアルミニウム(Al)層5bとからなる陰極5とで構成されている。ここで陽極2と電荷注入層3とはストライプ状にパターニングされており、更にこれに直交するように陰極5がストライプ状にパターニングされている。
Next, examples of the present invention will be described.
The structure is the same as that shown in FIGS. 1 and 2, and will be described with reference to FIGS.
The organic electroluminescent element of Example 1 includes a
ここで、発光層としては、この他、下記式に示す基本構造を有する樹木状多分岐高分子あるいは樹木状多分岐低分子も適用可能である。ここで、分岐数nは、2以上が好ましい。また、下記式では1つの分枝であるカッコ内のXの分岐回数として2回(2段階)を例示しているが、合成が容易な範囲内であれば分岐回数には特に上限はない。また、Xは、分岐回数が0回、すなわち、直鎖状でもよい。 Here, as the light emitting layer, a tree-like multibranched polymer or a tree-like multibranched low molecule having a basic structure represented by the following formula is also applicable. Here, the number of branches n is preferably 2 or more. In the following formula, the number of branches of X in parentheses, which is one branch, is exemplified as two (two stages). However, the number of branches is not particularly limited as long as it is within the range where synthesis is easy. X may have 0 branching, that is, linear.
また、この有機化合物は、燐光成分からなる発光性の構造単位を中心(コア)として3次元的に他の化学構造が周辺を取り巻いた樹木状多分岐高分子構造または樹木状多分岐低分子を有する。ここで有機化合物は、樹木状多分岐高分子の場合、分子量が800以上であると、好適である。 In addition, this organic compound has a tree-like multibranched polymer structure or a tree-like multibranched low molecule in which other chemical structures surround the periphery three-dimensionally with a luminescent structural unit composed of a phosphorescent component as a center (core). Have. Here, in the case of a dendritic multi-branched polymer, the organic compound preferably has a molecular weight of 800 or more.
なお、発光性の構造単位(燐光性発光単位)の周辺を取り巻く他の化学構造、言い換えれば、分岐した分枝単位(以下、これを外部構造単位という。)は、荷電キャリア輸送成分を構造内に有する。さらに、外部構造単位は発光性の構造単位との間を後述するように−O−、−CH2−、−CH2−CH2−あるいは−O−CH2−等で結ばれているのが、より好ましい。
この構造を有する有機化合物は、発光性の構造単位および外部構造単位の荷電キャリア輸送成分が、および荷電キャリア輸送成分同士が、それぞれ非共役、すなわち1または2以上の単結合で結ばれ、また、荷電キャリア輸送成分が発光性の構造単位よりも電子構造的に大きな光学ギャップ(最低非占有分子軌道と最高占有分子軌道とのエネルギ差)および大きな三重項エネルギレベルを有することが好ましい。
It should be noted that other chemical structures surrounding the light-emitting structural unit (phosphorescent light-emitting unit), in other words, a branched branch unit (hereinafter referred to as an external structural unit) contains a charge carrier transport component in the structure. Have. Furthermore, -O as external structural units will be described later between the structural units of the luminescent -, - CH 2 -, - CH 2 -CH 2 - or -O-CH 2 - that are connected by such More preferable.
In the organic compound having this structure, the charge carrier transport component of the luminescent structural unit and the external structural unit, and the charge carrier transport components are each non-conjugated, that is, linked by one or more single bonds, It is preferred that the charge carrier transport component has an optically larger optical gap (energy difference between the lowest unoccupied molecular orbital and the highest occupied molecular orbital) and a higher triplet energy level than the luminescent structural unit.
また、この有機化合物は、発光性の構造単位を3次元的に複数の外部構造単位が取り巻いた樹木状多分岐高分子構造または樹木状多分岐低分子構造を有するため、発光性の構造単位が3次元的に孤立した状態となり、有機化合物自体が微粒子状の形態をとる。このため、例えば薄膜固体に形成するとき、有機化合物の集合体は、外部構造単位の存在によって、隣り合う発光性の構造単位が近接することが阻害され、発光性の構造単位が薄膜固体内に均一に分布する。 The organic compound has a dendritic multi-branched polymer structure or a dendritic multi-branched low molecular structure in which a plurality of external structural units are three-dimensionally surrounded by a light-emitting structural unit. It becomes a three-dimensionally isolated state, and the organic compound itself takes the form of fine particles. For this reason, for example, when an organic compound aggregate is formed into a thin film solid, adjacent light emitting structural units are prevented from adjoining due to the presence of external structural units, and the light emitting structural units are contained in the thin film solid. Evenly distributed.
また、この有機化合物は、上記構造のために、連続的に電圧を印加したりあるいは熱を加えたときにも、発光性の構造単位の均一分布状態が変わらず、時間経過によっても安定した構造を維持することができる。 In addition, because of the above structure, this organic compound has a structure in which the uniform distribution state of the light-emitting structural units does not change even when voltage is applied continuously or heat is applied, and the structure is stable over time. Can be maintained.
したがって、電荷注入層としてのモリブデン酸化物を備えた有機EL素子において、このような有機化合物を発光材料として用いて発光層を形成した場合、発光性の構造単位が発光層中に均一に分散され、各構造単位が相互作用をしながら、全体として発光することになり、高い発光効率と長寿命を有する発光層を得ることができる。 Therefore, in an organic EL device having a molybdenum oxide as a charge injection layer, when such an organic compound is used as a light emitting material to form a light emitting layer, the light emitting structural units are uniformly dispersed in the light emitting layer. Each structural unit interacts to emit light as a whole, and a light emitting layer having high luminous efficiency and long life can be obtained.
このようにして形成された電荷注入層としてモリブデン酸化物を用いた表示装置用の有機エレクトロルミネッセント素子(図1、2)(以下「モリブデン酸化物素子」とする)を直流電源に接続し、印加した電圧とその時に流れた電流値を単位面積あたりの値に換算したものの関係をプロットし、このときの電流密度‐印加電圧曲線を測定した。縦軸は発光強度(cd/m2)、横軸は電流密度(mA/cm2)とした。またこのとき、上記の素子の上記電流密度と、モリブデン酸化物素子から取り出された光の強度の関係を測定し発光強度‐電流密度曲線を求めた。そして比較のために図1の素子のモリブデン酸バナジウムモリブデン酸化物薄膜をPEDOTに代えた比較例1の素子(PEDOT素子とする)について同時にプロットした。また、さらに比較の為に比較例1のPEDOT素子に加えて図1の素子からバッファ層薄膜を除いた比較例2の素子(バッファ層をもたない素子とする)を同時にプロットした。 An organic electroluminescent device (FIGS. 1 and 2) for a display device using molybdenum oxide as a charge injection layer formed in this manner (FIGS. 1 and 2) (hereinafter referred to as “molybdenum oxide device”) is connected to a DC power source. The relationship between the applied voltage and the value of the current flowing at that time converted to a value per unit area was plotted, and the current density-applied voltage curve at this time was measured. The vertical axis represents emission intensity (cd / m 2 ), and the horizontal axis represents current density (mA / cm 2 ). At this time, the relationship between the current density of the element and the intensity of light extracted from the molybdenum oxide element was measured to obtain a light emission intensity-current density curve. For comparison, an element of Comparative Example 1 (referred to as a PEDOT element) in which the vanadium molybdate oxide thin film of the element of FIG. 1 was replaced with PEDOT was plotted simultaneously. Further, for comparison, in addition to the PEDOT element of Comparative Example 1, the element of Comparative Example 2 in which the buffer layer thin film was removed from the element of FIG. 1 (referred to as an element having no buffer layer) was plotted simultaneously.
その結果、比較例1に比べ本発明の実施例1のモリブデン酸化物素子の場合、立ち上がりがより早く、傾きが急峻であり、電流密度800(mA/cm2)を超えてもIV特性
はほぼ直線性を維持することができることがわかった。
As a result, in the case of the molybdenum oxide element of Example 1 of the present invention as compared with Comparative Example 1, the rise is quicker and the slope is steep, and the IV characteristics are almost equal even when the current density exceeds 800 (mA / cm 2 ). It was found that linearity can be maintained.
そして、驚くべきことに、発光強度が一桁から40000(cd/m2)を超える極め
て広範囲で良好な直線性を維持していることがわかる。これに対し、比較例1のPEDOT素子では、発光強度―電流密度曲線が直線性を示すのはせいぜい40000(cd/m2)までであり、それ以上の発光強度を得ることはできなかった。一方比較例2のバッファ層をもたない素子では、電流密度に対して得られる発光強度が小さく、電流が有効に発光に寄与していないことがわかる。
これらの結果から、本発明の実施例1の有機エレクトロルミネッセント素子であるモリブデン酸化物素子は、幅広い発光強度範囲にわたり安定に動作し、高効率の発光強度を得ることができることがわかる。
Surprisingly, it can be seen that good linearity is maintained in an extremely wide range where the emission intensity exceeds one digit to 40000 (cd / m 2 ). On the other hand, in the PEDOT element of Comparative Example 1, the emission intensity-current density curve showed linearity up to 40000 (cd / m 2 ) at the most, and the emission intensity higher than that could not be obtained. On the other hand, in the element having no buffer layer of Comparative Example 2, the light emission intensity obtained with respect to the current density is small, and it can be seen that the current does not contribute to the light emission effectively.
From these results, it can be seen that the molybdenum oxide element, which is the organic electroluminescent element of Example 1 of the present invention, operates stably over a wide range of emission intensity and can obtain high-efficiency emission intensity.
また、実施例1のモリブデン酸化物素子を一定電流値(140mA/cm2)で駆動し
た際の発光輝度の時間変化、ならびに電流値を一定に保つ為に必要となる印加電圧の時間変化を測定した。ここでも比較の為に比較例1のPEDOT素子の値を同時にプロットしている。その結果、実施例1のモリブデン酸化物素子によれば長時間にわたって印加電圧の上昇もなく信頼性の高い駆動を実現することができることがわかった。また実施例1のモリブデン酸化物素子および比較例1のPEDOT素子の経過時間と発光強度との関係を測定した結果、実施例1のモリブデン酸化物素子によれば長時間にわたって発光強度の低下がより少なくてすみ、より長寿命である事がわかる。
In addition, the time variation of the light emission luminance when the molybdenum oxide element of Example 1 was driven at a constant current value (140 mA / cm 2 ) and the time variation of the applied voltage necessary to keep the current value constant were measured. did. Again, the values of the PEDOT elements of Comparative Example 1 are plotted at the same time for comparison. As a result, it was found that according to the molybdenum oxide element of Example 1, it was possible to realize highly reliable driving without increasing the applied voltage for a long time. In addition, as a result of measuring the relationship between the elapsed time and the emission intensity of the molybdenum oxide element of Example 1 and the PEDOT element of Comparative Example 1, the molybdenum oxide element of Example 1 showed a further decrease in emission intensity over a long period of time. It can be seen that it requires less and has a longer life.
以上のように、比較例1のPEDOT素子は比較的低い電圧から電流が流れはじめるものの、PEDOT膜の抵抗が高いために電圧を上げてもあまり電流密度が上昇しない。また、高い電圧域、即ち大電流密度の領域では飽和傾向が観察され、それ以上電流密度の増大を図ることは不可能であることがわかる。これに対して本発明の実施例1のモリブデン酸化物素子は、低い電流値から電流が流れ、かつモリブデン酸化物薄膜の抵抗が低い為にその電圧に対する上昇は速やかかつ直線的である。これはモリブデン酸化物薄膜が電荷注入層としてPEDOTを上回るきわめて良好な特性を有していることを示している。さらに、本発明の実施例1のモリブデン酸化物素子は大電流領域においてもPEDOT素子のような飽和は一切観察されない。このような特性は有機EL素子の電圧−電流密度特性として理想的なものである。モリブデン酸化物素子のこのような優れた特性は次に説明する発光強度においても同様な傾向である。 As described above, although the current starts to flow from a relatively low voltage in the PEDOT element of Comparative Example 1, the current density does not increase much even if the voltage is increased because the resistance of the PEDOT film is high. In addition, a saturation tendency is observed in a high voltage region, that is, a region with a large current density, and it can be understood that the current density cannot be further increased. On the other hand, in the molybdenum oxide element of Example 1 of the present invention, the current flows from a low current value, and the resistance of the molybdenum oxide thin film is low, so the increase with respect to the voltage is quick and linear. This indicates that the molybdenum oxide thin film has very good characteristics over PEDOT as a charge injection layer. Further, the saturation of the molybdenum oxide element of Example 1 of the present invention as in the PEDOT element is not observed even in the large current region. Such characteristics are ideal as voltage-current density characteristics of the organic EL element. Such excellent characteristics of the molybdenum oxide element have the same tendency in the emission intensity described below.
このように、PEDOT素子は、電流密度が低い領域では電流に比例して発光強度が増大していくがその傾向は速やかに頭打ちになり、飽和傾向が観察された大電流領域では急
激に輝度が低下している。これは高い電流密度によって劣化が急激に進行したものと考えられる。評価後の素子表面は目視でも分かる程度の変色を呈しており不可逆な変化を受けている。実際、評価後の素子を再び評価しても初期の特性は一切再現しない。また、バッファ層をもたない素子はPEDOT素子のような頭打ちの傾向こそ見られないものの、ほとんどの領域に渡ってPEDOT素子よりも発光強度が低い。これはバッファ層をもたない素子がバッファ層による電子ブロック機能を欠いているため、陰極から発光層に注入された電子の一部が発光に寄与しないままモリブデン酸化物薄膜へ抜けてしまっているためと考えられる。
Thus, in the PEDOT element, the emission intensity increases in proportion to the current in the region where the current density is low, but the tendency quickly reaches a peak, and the luminance rapidly increases in the large current region where the saturation tendency is observed. It is falling. This is thought to be due to the rapid progress of deterioration due to the high current density. The surface of the element after the evaluation is discolored to such an extent that it can be seen by visual observation, and has undergone an irreversible change. Actually, even if the element after evaluation is evaluated again, the initial characteristics are not reproduced at all. Moreover, although the element which does not have a buffer layer does not show the tendency of a peak like a PEDOT element, light emission intensity is lower than a PEDOT element over most areas. This is because an element that does not have a buffer layer lacks an electron blocking function by the buffer layer, so that some of the electrons injected from the cathode into the light emitting layer escape to the molybdenum oxide thin film without contributing to light emission. This is probably because of this.
これに対してモリブデン酸化物素子の優位性は明らかである、低い電流密度域でもPEDOT素子と同等、そして高い電流密度域まで電流に比例した発光強度の増大を示している。発光強度の増大は電流密度に比例しており幅広い電流域においてその発光の効率が一定であることを示している。また、評価後の素子は非常に大きな電流を流したにもかかわらずほとんど劣化は観察されず繰り返し評価を行っても同様の特性を得ることができる。 On the other hand, the superiority of the molybdenum oxide element is clear, and even in a low current density region, it is equivalent to the PEDOT element and shows an increase in emission intensity proportional to the current up to a high current density region. The increase in emission intensity is proportional to the current density, indicating that the emission efficiency is constant over a wide current range. In addition, the element after the evaluation hardly deteriorates even though a very large current flows, and the same characteristics can be obtained even if repeated evaluation is performed.
この事実は実に驚くべきことである。評価に用いられた素子の発光部分の面積は10mm2であり、その厚みは高々数百nmである。例えば印加電圧を7Vとすると、素子には
50mAつまり500mA/cm2の電流密度で電流が流れるが、このとき、この極めて
小さく薄い素子に対して実に300mW以上ものエネルギーが投入されていることになる。有機EL素子は投入した電力の光への変換比率である発光効率が高いが、それでもなお熱の発生は避けられないものであって、モリブデン酸化物素子も評価後は素手では触れぬほどに高温になっている。しかも、これはガラス基板を介してのことであり、発光時の素子そのものの温度はきわめて高くなっていることが容易に推測できるものである。
This fact is amazing. The area of the light emitting portion of the element used for the evaluation is 10 mm 2 , and the thickness is at most several hundred nm. For example, if the applied voltage is 7 V, a current flows through the element at a current density of 50 mA, that is, 500 mA / cm 2. At this time, energy of 300 mW or more is actually applied to this extremely small and thin element. . The organic EL device has high luminous efficiency, which is the conversion ratio of input electric power to light, but heat generation is still unavoidable, and the molybdenum oxide device is too hot to be touched with bare hands after evaluation. It has become. Moreover, this is through a glass substrate, and it can be easily estimated that the temperature of the element itself during light emission is extremely high.
このように、モリブデン酸化物薄膜を電荷注入層として用いることにより優れた特性を示す理由については、明確には理解されていないが、一般的な電荷注入機構のモデルをもとに推測して解釈すると以下のようになる。以下の説明はあくまで推測に過ぎず実際の現象はまだ解明されていない。
図3はもっとも単純な有機EL素子の電荷のエネルギー状態を説明するための概略説明図である。また、図4は図3の素子構成に電荷注入層としてのPEDOT層を追加した素子の電荷のエネルギー状態を説明するための簡易説明図、図5は図3の素子構成に電荷注入層としてのモリブデン酸化物層を追加した素子の電荷のエネルギー状態を説明するための概略説明図である。
As described above, the reason why the molybdenum oxide thin film exhibits excellent characteristics by using the thin film as a charge injection layer is not clearly understood, but is presumed and interpreted based on a model of a general charge injection mechanism. Then it becomes as follows. The following explanation is only a guess, and the actual phenomenon has not been clarified yet.
FIG. 3 is a schematic explanatory diagram for explaining the energy state of the electric charge of the simplest organic EL element. 4 is a simplified explanatory diagram for explaining the energy state of the charge of an element obtained by adding a PEDOT layer as a charge injection layer to the element configuration of FIG. 3, and FIG. It is a schematic explanatory drawing for demonstrating the energy state of the electric charge of the element which added the molybdenum oxide layer.
図3において、120は陽極のエネルギーレベルを示す線、121は陰極のエネルギーレベルを示す線、122は陽極と発光を司る機能層(以下発光層とする)との界面を示す線、123は陰極と発光層との界面を示す線、124は発光層の最高占有軌道(以下HOMO)、125は最低非占有軌道(以下LUMO)、126は陽極上のホール、127は発光層に注入されたホール、128は陰極上の電子、129は発光層に注入された電子、30は発光層に注入されたホール127と発光層に注入された電子129の再結合を表す線である。
In FIG. 3, 120 is a line indicating the energy level of the anode, 121 is a line indicating the energy level of the cathode, 122 is a line indicating the interface between the anode and a functional layer that controls light emission (hereinafter referred to as a light emitting layer), and 123 is a cathode. A line indicating the interface between the light emitting layer and the light emitting layer, 124 is the highest occupied orbit (hereinafter referred to as HOMO) of the light emitting layer, 125 is the lowest unoccupied orbit (hereinafter referred to as LUMO), 126 is a hole on the anode, and 127 is a hole injected into the light emitting layer. , 128 are electrons on the cathode, 129 is an electron injected into the light emitting layer, and 30 is a line representing the recombination of
また、図4において、160は電荷注入層としてのPEDOTの部位を表し、161は陽極とPEDOT層の界面を示す線、162はPEDOT層と発光層の界面を示す線、163はPEDOT層内のホール、164はPEDOT内の準位のエネルギーレベルを示す線である。また、図5において、150は電荷注入層としてのモリブデン酸化物薄膜の部位を表し、151は陽極とモリブデン酸化物薄膜の界面を示す線、152はモリブデン酸化物薄膜と発光層の界面を示す線、153はモリブデン酸化物薄膜内のホール、154はモリブデン酸化物薄膜内の準位のエネルギーレベルを示す線である。
In FIG. 4, 160 represents a portion of PEDOT as the charge injection layer, 161 represents a line indicating the interface between the anode and the PEDOT layer, 162 represents a line indicating the interface between the PEDOT layer and the light emitting layer, and 163 represents a position in the PEDOT layer. A
説明に先立ち、図3および4、5はあくまで簡略化、モデル化された図であることを注記する。これらは現象の説明のために最低限必要となる概念を示したものであり、実際の素子動作過程はより複雑なものであることは言うまでもない。 Prior to the description, it should be noted that FIGS. 3, 4, and 5 are simplified and modeled views. These show the concepts necessary for explaining the phenomenon, and it goes without saying that the actual device operation process is more complicated.
まず、図3を用いてもっとも単純な有機EL素子の動作について説明する。
有機EL素子の発光は無機LEDなどと同様にホールと電子の再結合エネルギーが光の形で解放されることで生じる。まず、図3に示すように、陽極上のホール126が発光層のHOMO124に注入され、また陰極上の電子128が発光層のLUMOに注入される。発光層に注入されたホール127および電子129は印加された電界にしたがって発光層内を対極側に互いに逆方向に移動する。それぞれの電荷は発光層を移動する途中で一定の確率で対電荷と出会いホール-電子対、いわゆるエキシトンを生成する。エキシトンは
いわばエネルギーの塊であって、このエネルギーが光の形で開放されると素子は発光を生じる。
First, the simplest operation of the organic EL element will be described with reference to FIG.
The light emission of the organic EL element is generated when the recombination energy of holes and electrons is released in the form of light as in the case of inorganic LEDs. First, as shown in FIG. 3, holes 126 on the anode are injected into the
次に本発明における電荷の注入について詳細に説明する。
図3において陽極のエネルギーレベルを示す線120と発光層のHOMOを示す線127に注目する。図4中におけるこれらの線の位置はそのまま電場のエネルギーを示しており、線120と線127の高さの違いはそのまま両者のエネルギーレベルの違いを示しているものとする。エネルギーレベルが異なるということはそれぞれのエネルギーレベルにあるホールは異なるエネルギーを持っていることを意味しており、一般に図2のような表現においてホールはより下方にあるものが高いエネルギーを持ち、電子はより上方にあるものが高いエネルギーを持つと定義されている。よって、発光層内のホール127は陽極上のホール126よりも高いエネルギーを持っていることになる。このとき、よりエネルギーの低い陽極上のホール126を発光層内に注入するためにはホール126とホール127の差に見合ったエネルギーを外部より与える必要があり、素子に印加される電圧の一部がこれに充当される。
Next, charge injection in the present invention will be described in detail.
In FIG. 3, attention is paid to a
上記から、キャリアの注入を行うには単にエネルギーレベルの差に相当する電圧を印加すれば良いだけであるかのように思われるが、実際には電荷注入層を用いることによって、実質的にはより低い電圧でキャリアの注入が可能になる。これは陽極、陰極いずれにおいても同様であるが、ここでは本発明に関係するところである陽極側の現象に絞ってさらに説明を加える。 From the above, it seems that it is only necessary to apply a voltage corresponding to the difference in energy level in order to inject carriers, but in practice, by using a charge injection layer, it is practically practical. Carrier injection is possible at a lower voltage. This is the same for both the anode and the cathode, but here, further explanation will be given focusing on the phenomenon on the anode side which is related to the present invention.
図4は図3に示した最も単純な有機EL素子の陽極側に電荷注入層としてのPEDOT60を設けた素子のエネルギーレベルを説明するための図である。PEDOTのもつエネルギーレベルは実質的に1つと考えてよく、それは陽極と発光層のエネルギーレベルの中間に位置するように構成されるのが一般的である。 FIG. 4 is a diagram for explaining the energy level of an element provided with PEDOT 60 as a charge injection layer on the anode side of the simplest organic EL element shown in FIG. PEDOT may be considered to have substantially one energy level, which is generally configured to be located between the energy levels of the anode and the light emitting layer.
さて、ホールの注入が行われるとき、ホールは陽極から発光層へエネルギーレベルを飛び越えて遷移するが、その遷移確率はホールの持つ平均的なエネルギーと遷移するエネルギーレベルの差に依存する。ホールの持つ平均エネルギーが大きく、エネルギーレベルの差が小さいほどより多くのホールが発光層へ注入される。このとき図3の構成の素子よりも図4の構成の素子のほうがよりホール注入が容易になるのは、PEDOTのエネルギーレベル164が陽極のエネルギーレベル120と発光層のエネルギーレベル124の中間にあるからである。図3および4の構成の素子において同一の印加電圧、即ち同一のエネルギーがホールに与えられた場合、図4の素子では発光層のエネルギーレベル127に比較してより小さなエネルギーレベルの差のところにPEDOTのエネルギーレベル164があるためここにはきわめて容易に遷移が生じる。また、PEDOTのエネルギーレベル164に到達したホールは同様の理由で容易に発光層のエネルギーレベル124に遷移する。
Now, when holes are injected, the holes transition from the anode to the light emitting layer over the energy level, and the transition probability depends on the difference between the average energy of the holes and the transition energy level. The larger the average energy of the holes and the smaller the difference in energy level, the more holes are injected into the light emitting layer. In this case, the
この様子は擬人化して考えるとより直感的な理解を得やすいものである。即ち、人間が高い段差を登るときの様子を考えてみる。このとき、大きな段差を一気に登るよりは、中間に一段踊り場があって、二段階に分けて登ったほうが楽である。これと同じことが注入されるホールにも言えるということである。段差を登るという行為で最終的に獲得される位置エネルギーは踊場の有無にかかわらず同じであるが、そこにいたるまでの過程がより容易に行われるようになる。 This situation makes it easier to obtain a more intuitive understanding when anthropomorphic. That is, consider the situation when a human climbs a high step. At this time, it is easier to climb in two stages, with a one-step landing in the middle than to climb a large step at once. The same can be said for the injected holes. The potential energy finally obtained by the act of climbing the steps is the same regardless of the presence or absence of the landing, but the process up to that point is made easier.
さて、本実施の形態で説明しているモリブデン酸化物薄膜はPEDOTよりもより容易に電荷注入を実現できるものである。その理由を再度擬人化した類推を引用するならば、PEDOTでは踊場が設けられたのに対し、モリブデン酸化物薄膜では階段を設けたに等しくなり、より段差を登るのが楽になったと表現できる。 The molybdenum oxide thin film described in this embodiment can realize charge injection more easily than PEDOT. To quote the analogy that anthropomorphizes the reason again, it can be said that PEDOT has a dance hall, but the molybdenum oxide thin film is equivalent to a staircase, making it easier to climb the steps.
図5においてモリブデン酸化物薄膜150内には複数のエネルギーレベル154がある。これが階段として表現されたエネルギーレベルである。陽極120から発光層124にいたるエネルギーレベルがより細分化されることによりモリブデン酸化物薄膜内を移動するホール153にとって複数の互いに差の小さなエネルギーレベル153間を遷移することはきわめて容易なことになる。
In FIG. 5, there are a plurality of
では、なぜモリブデン酸化物薄膜内には、階段と表現される複数のエネルギーレベル154が生じるのであろうか。これはモリブデン酸化物薄膜の組成に由来するものと解釈できる。
So why are there
本実施の形態におけるモリブデン酸化物薄膜は、真空蒸着で作製された非晶質の薄膜である。真空蒸着時の環境は還元的雰囲気であり、その中で加熱昇華して基板上に堆積する過程でモリブデン酸化物は還元を受ける。還元を受けたモリブデン酸化物は、6価のMoO3の他に、より小さい酸化数を持ついくつかの酸化物を生じる。それらはたとえば4価
のMoO2や3価のMo2O3などである。還元を受けるということは電子を受け取るとい
うことに等しいため、還元され価数が小さくなった酸化物は価数が大きな酸化物よりも電子を放しやすい状態、即ちホールを受け取りやすい状態になる。これは即ち図3から5で表現されるところのより上方のエネルギーレベルを持つということに等しい。
The molybdenum oxide thin film in this embodiment is an amorphous thin film manufactured by vacuum deposition. The environment during vacuum deposition is a reducing atmosphere, and molybdenum oxide undergoes reduction in the process of being heated and sublimated and deposited on the substrate. The reduced molybdenum oxide yields several oxides with smaller oxidation numbers in addition to hexavalent MoO 3 . They are, for example, tetravalent MoO 2 and trivalent Mo 2 O 3 . Since receiving is equivalent to receiving electrons, an oxide having a reduced valence is more likely to release electrons than an oxide having a higher valence, that is, more likely to receive holes. This is equivalent to having a higher energy level as represented in FIGS.
結果的に、図5のモリブデン酸化物のエネルギーレベル154として示しているような複数の値からなるエネルギーレベルの段状構造を生じることになる。図5のモリブデン酸化物のエネルギーレベル154は最も下方にあるエネルギーレベルが6価のものに相当し、上方に向かって価数が小さくなっていくものと解釈できる。
As a result, a step-like structure having a plurality of energy levels as shown as the
このようにして前述した階段と表現される複数のエネルギーレベル154が生じると考えられる。また、より正確には、価数の異なる酸化物によるもののほか、非晶質膜に起因するエネルギーレベルの多様化も考慮されるべきである。酸化物や窒化物で通常議論されるところのエネルギーレベルは結晶状態を基準にしたものであり、非晶質膜のようなダングリングボンドの多い複雑な構造においては、あらゆる化合物が多かれ少なかれここで説明したような複数のエネルギーレベルを持った薄膜となっていることが多い。
In this way, it is considered that a plurality of
以上説明してきたように、駆動電圧の低減をはかるとともに、後述するように陽極側での電子の抜けを防止し無効電流を低減することにより高効率化をはかることができるが、発光強度を得るためには大電流となる。大電流域においてPEDOT素子の劣化が急激に進むのは発生する熱による劣化の促進が顕著に表れることが大きな原因と考えられる。これに対し、モリブデン酸化物は無機物質であり、本質的に熱に対して非常に堅牢であることから、幅広い電流密度域にわたって安定した特性を維持しつづけるという結果が得られ
ているものと考えられる。
As described above, the drive voltage can be reduced and, as will be described later, it is possible to achieve high efficiency by preventing the escape of electrons on the anode side and reducing the reactive current, but the emission intensity is obtained. Therefore, a large current is required. The rapid deterioration of the PEDOT element in the large current region is considered to be caused by the remarkable acceleration of the deterioration caused by the generated heat. On the other hand, molybdenum oxide is an inorganic substance and is inherently very robust to heat. Therefore, it is considered that the result of maintaining stable characteristics over a wide current density range is obtained. It is done.
このようなモリブデン酸化物の熱に対して堅牢であるという特徴は、高分子有機EL素子に応用された時にその優位性を最大限に発揮するものである。一般に低分子有機EL素子は機能層を構成する低分子有機化合物群が真空蒸着によって成膜され、基板上でアモルファス薄膜となっているという構成上、高温環境に弱い。これは、機能層が高温にさらされた時に低分子有機化合物の結晶化が進行してしまい素子の特性が劣化するからである。
結晶化温度は高々百℃台であって、この結晶化温度を蒸着に必要な昇華特性を保ったままいかに高く出来るかが低分子有機EL材料の一つの課題となっている。つまり、発光層などの有機物質からなる機能層が熱に対して弱い為に、電荷注入層であるモリブデン酸化物が熱に対して堅牢であっても、その特性を活かしきれないのである。
Such a characteristic of molybdenum oxide that is robust against heat exhibits its superiority to the maximum when applied to a polymer organic EL element. In general, a low molecular organic EL element is vulnerable to a high temperature environment due to a structure in which a low molecular organic compound group constituting a functional layer is formed by vacuum deposition and is an amorphous thin film on a substrate. This is because when the functional layer is exposed to a high temperature, the crystallization of the low molecular weight organic compound proceeds and the device characteristics deteriorate.
The crystallization temperature is at most 100 ° C., and how to raise the crystallization temperature while maintaining the sublimation characteristics necessary for vapor deposition is one of the problems of the low molecular organic EL material. That is, since a functional layer made of an organic material such as a light emitting layer is weak against heat, even if molybdenum oxide as a charge injection layer is robust against heat, the characteristics cannot be fully utilized.
これに対し、高分子有機EL材料は高温環境に強い。それは、高分子材料が長い分子鎖を複雑に絡み合わせることで薄膜を構成しているからである。高分子材料には明確な結晶化温度は存在せず、ガラス転移点という軟化開始温度とも言うべき指標があるのみである。さらに、多くの高分子有機EL材料では明確なガラス転移点すら観察されないことがある。つまり、別の表現をすれば、高分子有機EL材料は高温にさらされてもその絡み合った構成上、自由に動いて結晶化することが出来ないのである。このような高分子材料に一般的な特徴は、高分子材料が有機EL素子に応用される時、耐熱性という大きな優位性となって現れる。 In contrast, polymer organic EL materials are resistant to high temperature environments. This is because a polymer material forms a thin film by intertwining long molecular chains in a complicated manner. There is no clear crystallization temperature in the polymer material, and there is only an index that can be called a softening start temperature called a glass transition point. Furthermore, even a clear glass transition point may not be observed in many polymer organic EL materials. That is, in other words, the polymer organic EL material cannot move freely and crystallize due to its intertwined structure even when exposed to high temperatures. A general characteristic of such a polymer material appears as a great advantage of heat resistance when the polymer material is applied to an organic EL element.
このように、本実施例のモリブデン酸化物素子を用いた表示装置は、本質的に熱に強いモリブデン薄膜と高分子有機EL材料が組み合わさることで、大電流密度下のきわめて厳しい条件においてもなお安定な素子を構成できており、本来モリブデン酸化物に期待された良好な電荷注入特性という機能以上の大きな効果を実現している。 As described above, the display device using the molybdenum oxide element of this example is a combination of a heat-resistant molybdenum thin film and a polymer organic EL material, so that it can still be used under extremely severe conditions under a large current density. A stable element can be constructed, and a great effect more than the function of good charge injection characteristics originally expected for molybdenum oxide is realized.
ここで、PEDOTも高分子であるのになぜPEDOT素子は急激に劣化するのかという疑問が生じるが、これは高分子の熱に対する安定性と矛盾するものではない。 Here, although PEDOT is also a polymer, a question arises as to why the PEDOT element deteriorates rapidly. This is not inconsistent with the stability of the polymer to heat.
すでに述べたように、PEDOT素子の良好な電荷注入特性は2種類の高分子が微妙に相互作用することで得られている。大電流密度下でのPEDOT素子の急激な劣化はPEDOTを構成する高分子材料そのものが劣化しているのではなく、その物理的な構造が変化している為に生じているものである。つまり、変化は2種類の高分子材料のクーロン相互作用による緩やかな結合が外れたり、生じている相分離の状態が変化したりしているのである。PEDOTの特性はその構造によるところが大であり構造が変化するとその特性は失われてしまう。 As described above, the good charge injection characteristics of the PEDOT element are obtained by the delicate interaction of two kinds of polymers. The rapid deterioration of the PEDOT element under a large current density is caused not by the deterioration of the polymer material itself constituting PEDOT but by the change in the physical structure thereof. That is, the change is that the loose coupling due to the Coulomb interaction between the two types of polymer materials is broken, or the state of phase separation that occurs is changed. The characteristics of PEDOT depend largely on the structure. When the structure changes, the characteristics are lost.
さて、このようにモリブデン酸化物素子は優れた特性を有しているが、前述したような大電流領域での有機EL素子の駆動は現在ではまだ一般的なものではなく、一見すると実用上の意味は大きくないように思われる。しかしながら、屋外で用いられる表示装置などの大型表示装置に光源として用いる場合には高輝度のものが必要となる。また、小型の表示装置で用いられるような低輝度の温和な駆動条件下においても緩慢ながら劣化が進行するのは事実であり、これは熱によって促進されることが明らかになっている。即ち、有機EL素子の劣化も他の多くの化学現象と同様活性化エネルギーに基づく反応速度論に支配されているのである。これはつまり、温和な駆動条件下での劣化は厳しい条件下で進行する現象をゆっくりと観察していることに他ならないということを示している。したがって、本実施の形態で示すところのモリブデン酸化物素子のように大電流密度という厳しい条件下でも安定でPEDOT素子よりも優れている素子は温和な駆動条件でも同様に優れた特性を持っていることは明らかである。 As described above, the molybdenum oxide element has excellent characteristics. However, the driving of the organic EL element in the large current region as described above is not yet general, and at first glance, it is practical. The meaning does not seem great. However, when used as a light source for a large-sized display device such as a display device used outdoors, a high-brightness one is required. In addition, it is a fact that deterioration gradually proceeds even under a low-brightness mild driving condition such as that used in a small display device, and it has been revealed that this is promoted by heat. In other words, the deterioration of the organic EL element is governed by the reaction kinetics based on the activation energy as well as many other chemical phenomena. This means that deterioration under mild driving conditions is nothing but a slow observation of a phenomenon that proceeds under severe conditions. Therefore, like the molybdenum oxide element shown in the present embodiment, an element that is stable and superior to the PEDOT element even under severe conditions of high current density has excellent characteristics even under mild driving conditions. It is clear.
モリブデン酸化物素子がその寿命特性においてもPEDOT素子を大きく上回っていることは明らかである。また素子の状態変化の一指標となる印加電圧の時間変化もPEDOT素子と比較してモリブデン酸化物素子のそれは緩慢であり、素子の安定性を良く表しているといえる。この両者の関係はディスプレイなどで要求されるようなより温和な条件でも反転するようなことは無い。 It is clear that the molybdenum oxide element greatly exceeds the PEDOT element in its life characteristics. In addition, the time change of the applied voltage, which is an index of the state change of the element, is slower than that of the PEDOT element, and it can be said that the stability of the element is well represented. The relationship between the two is not reversed even under milder conditions as required for displays and the like.
次に本発明の実施例2について説明する。
前記実施例1では発光層としてIr(ppy)3をコアとするデンドリマを用いたが、この例では発光層4としてジフェニルアントラセンをコアとする樹木状多分岐構造を用いたことを特徴とする。
他の構造については前記実施例1と同様に構成した。
この場合、実施例1の場合よりもさらに発光強度の高い有機エレクトロルミネッセント素子を形成することができ、屋外用の表示装置として有効である。
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment, a dendrimer having Ir (ppy) 3 as the core is used as the light emitting layer. In this example, a dendritic multi-branch structure having diphenylanthracene as the core is used as the
Other structures were the same as in Example 1.
In this case, it is possible to form an organic electroluminescent element with higher emission intensity than in the case of Example 1, which is effective as an outdoor display device.
なお前記実施例1および実施例2では、基板1としてはガラス基板を用いたが、ガラスに限定されるものではない。一般的にガラスが用いられる。本実施例でもガラス基板を採用している。基板材料としてはガラスのほかにプラスチックフィルム等をはじめとする多くの材料が提案されているが、そのいずれも本発明における基板1として採用可能である。また、光放出方向を基板と反対側の面方向とするならば、セラミック基板あるいは金属基板など遮光性の基板を用いてもよい。
In Example 1 and Example 2, a glass substrate was used as the
基板1としては、例えば、透光性または半透光性のソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の、無機酸化物ガラス、無機フッ化物ガラス、等の無機ガラス、或いは、透光性または半透光性のポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂等の高分子フィルム等、或いは、透光性または半透光性のAs2S3、As40S10、S40Ge10等のカルコゲノイドガラス、ZnO、Nb2O、Ta2O5、SiO、Si3N4、HfO2、TiO2等の金属酸化物および窒化物等の材料、或いは、遮光性のシリコン、ゲルマニウム
、炭化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体材料、或いは、顔料等を含んだ前述の透光性基板材料、表面に絶縁処理を施した金属材料、等から適宜選択して用いることができ、複数の基板材料を積層した積層基板を用いることもできる。
Examples of the
また、陽極2としてはITOからなる電極が用いられる。ITOは導電性が高くかつ光の透過性が良い為、光取り出し側の電極として多く用いられる。前記実施例におけるITOはスパッタリングによって基板上に成膜された後、フォトリソグラフィ技術を用いて適切にパターニングされたものである。また、陽極側に光を取り出さない場合には遮光性の金属材料で構成することも可能である。電極材料としては、ITO、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)等の透明導電膜の他、クロム(Cr),ニッケル(Ni),銅(Cu),錫(Sn
),タングステン(W),金(Au)など、仕事関数の大きな金属あるいはその合金、酸化
物などを用いることができる。また、安定で信頼性の高い電荷注入層を用いているため、電極としては低抵抗でかつ必要とする物性を備えた材料で構成すればよく、選択の自由度が高い。これにより電極自体の劣化を防止することができる。
As the
), Tungsten (W), gold (Au), or other metals having a high work function, alloys thereof, oxides, or the like can be used. In addition, since a stable and highly reliable charge injection layer is used, the electrode may be made of a material having a low resistance and necessary physical properties, and the degree of freedom of selection is high. Thereby, deterioration of the electrode itself can be prevented.
前記実施例において電荷注入層3として機能するモリブデン酸化物薄膜は、陽極2としてのITOがパターニングされた基板1上に真空蒸着によって成膜されている。前記実施例ではモリブデン酸化物薄膜の膜厚は20nmである。モリブデン酸化物薄膜の膜厚は特に制限は無いが、均一な膜質を得ることができれば、極端に薄いものも有効である。一般
的に極端に薄い膜あるいは厚い膜は該して均一な膜質が得られなくなる場合が多いので注意が必要である。また、モリブデン酸化物薄膜は若干着色している為あまりに厚くすると光の取り出し効率が低下するが、用途によっては多少の着色はむしろ発光/非発光のコントラスト比を大きくするという効果があり好都合な場合もある。モリブデン酸化物薄膜の厚さの範囲は概ね1nmから200nmの範囲が本発明の実施に適している。
In the embodiment, the molybdenum oxide thin film functioning as the
なお、図1に示した無機物からなる電荷注入層3としては前述したようにモリブデン酸化物のほかにバナジウム(V)や銅(Cu)、ニッケル(Ni)、ルテニウム(Ru)、チタン
(Ti)、ジルコニウム(Zr)、タングステン(W)、イットリウム(Y)、ランタン(La)等多くの遷移金属の酸化物が同様の特性を示す。また、やや注入特性が劣るものの上記金属を含む多くの遷移金属の窒化物においても有効である。
As described above, the
また、良好な電子ブロック機能を得るために、本発明におけるバッファ層Bの電子親和力は発光層の電子親和力よりも小さいものを用いるのが望ましい。一例としてポリ[9,98-ジオクチルフルオレン−コ−N−(4-ブチルフェニル)-ジフェニルアミン)](poly[9,98−dioctylfluorene−co−N−(4−butylphenyl)−diphenylamine])などのポリフルオレン系化合物などがあげられるが、バッファ層材料は発光層材料によって制限を受けることになる。本実施例で用いられたバッファ層は発光材料に対して十分小さな電子親和力を持っており、要件を満たしている。本実施例におけるバッファ層の膜厚は10nmであってスピンコート法によってモリブデン酸化物薄膜上に積層される。バッファ層薄膜は10nmで電子ブロックの機能を供することが出来る。バッファ層薄膜の膜厚を増すことは結果的に素子の駆動電圧を上昇させることになるため厚すぎるのは好ましいことではない。概ね50nm以下が望ましいものである。またバッファ層としては、電子ブロック機能のみならず、密着性の向上、あるいは電荷注入層と、発光層との間のエネルギー順位を持つような材料であってもよい。さらにはスピンコート法によって形成するものだけでなく、電荷注入層を真空蒸着などのドライプロセスで形成する場合にはバッファ層についても無機物で構成し、順次連続的に成膜するようにしてもよい。 In order to obtain a good electron blocking function, it is desirable to use a buffer layer B having an electron affinity smaller than that of the light emitting layer in the present invention. As an example, poly [9,98-dioctylfluorene-co-N- (4-butylphenyl) -diphenylamine)] (poly [9,98-dioctylfluorene-co-N- (4-butylphenyl) -diphenylamine]) Examples include fluorene compounds, but the buffer layer material is limited by the light emitting layer material. The buffer layer used in this example has a sufficiently small electron affinity for the light emitting material and satisfies the requirements. In this embodiment, the buffer layer has a thickness of 10 nm and is stacked on the molybdenum oxide thin film by a spin coating method. The buffer layer thin film can serve as an electronic block at 10 nm. Increasing the thickness of the buffer layer thin film results in an increase in the driving voltage of the device, so that it is not preferable to be too thick. A thickness of about 50 nm or less is desirable. The buffer layer may be made of a material having not only an electronic blocking function but also improved adhesion or an energy ranking between the charge injection layer and the light emitting layer. Furthermore, when the charge injection layer is formed by a dry process such as vacuum deposition as well as the one formed by spin coating, the buffer layer may also be made of an inorganic material and sequentially formed into a film. .
さらにまた、高分子有機EL材料のような特別な電気的特性を備えていない、一般にプラスチックと呼ばれているような物質、即ちポリスチレン系化合物やポリカーボネート系化合物、アクリル系化合物等を用いることも可能である。これらの物質は絶縁性が高いが、絶縁性が高いということは即ちバンドギャップが大きいということを意味し、一般にこれらプラスチックの電子親和力は小さい。もちろん絶縁性が高いので膜厚を大きくすると素子の駆動電圧が上昇することになり望ましいことではないが、膜厚を適切に設定することで本発明を実現することが出来るものである。 Furthermore, it is also possible to use a material generally called a plastic that does not have special electrical characteristics such as a polymer organic EL material, that is, a polystyrene compound, a polycarbonate compound, an acrylic compound, or the like. It is. These materials have high insulating properties, but high insulating properties mean that the band gap is large, and generally the electron affinity of these plastics is small. Of course, since the insulating property is high, increasing the film thickness increases the drive voltage of the element, which is not desirable, but the present invention can be realized by setting the film thickness appropriately.
このように、バッファ層Bとしては、高分子化合物のほか、無機物でもよく、機能としても前記実施例のように電子ブロック機能をもたなくてもよい。例えば、発光層と電荷注入層との密着性の向上を図ることのできる材料、電子のもれを抑制しうる程度にホールの注入障壁を低くするような材料であればよい。発光層の樹状構造がポリフルオレンのように電子輸送性の高い材料である場合には電子ブロック機能をもつバッファ層を持つことは必須であるが、PPVのように電子輸送性の低い材料である場合には、電子ブロック機能が
無くてもよい場合もある。
As described above, the buffer layer B may be an inorganic substance in addition to the polymer compound, and may not have an electronic block function as in the above embodiment. For example, a material that can improve the adhesion between the light emitting layer and the charge injection layer, or a material that can lower the hole injection barrier to the extent that electron leakage can be suppressed may be used. If the dendritic structure of the light emitting layer is a material with high electron transport properties such as polyfluorene, it is essential to have a buffer layer with an electron blocking function, but it is a material with low electron transport properties such as PPV. In some cases, the electronic block function may be omitted.
また、バッファ層Bについては前述したように発光層4を構成する高分子有機EL材料にあわせて適宜選択される必要がある。前記実施例では、バッファ層Bの要件は発光層4の電子親和力よりも小さな電子親和力を有することであるので、たとえば本来発光層として利用できるような化合物を用いることも可能である。したがって、化学式(I)および化学式(II)に示したような化合物およびそれらの誘導体を含む多くの物質が選択可能である。
Further, the buffer layer B needs to be appropriately selected according to the polymer organic EL material constituting the
前記実施例1および2では、発光層4としてはスピンコートで成膜されたデンドリマを用い膜厚は約80nmとした。発光層4の膜厚は素子の使用条件に合わせて適宜変更されるべきものである。本発明の実施の為には50〜200nmの範囲の膜厚が適している。
これについても他の薄膜と同様、あまりに膜厚が薄いと均一な膜が得られにくくなり、また膜厚が厚い場合は駆動の為に必要となる電圧が高くなりすぎるので好ましくない。
In Examples 1 and 2, as the
As in the case of other thin films, it is difficult to obtain a uniform film if the film thickness is too thin. On the other hand, if the film thickness is large, the voltage required for driving becomes too high.
なお、発光層4としてはデンドリマのみならず、デンドリマとポリフルオレン系化合物やPPV系化合物及びこれらの誘導体、また低分子系の発光材料を高分子骨格に化学的に結合したいわゆるペンダントタイプの高分子化合物、高分子有機EL材料あるいは低分子有機EL材料との混合物、さらにはそれらをブレンドして用いる等適宜変更可能である。
The
ポリフルオレンおよびPPVの構造はそれぞれ化学式(I)と化学式(II)に示されているが、これらを基本骨格とする誘導体はきわめて数多くのものが提案されている。たとえば、(WO9813408)あるいは(WO0228983)にPPVおよびポリフルオレンの誘導体の例と詳細な説明がなされている。これらの化合物群はいずれも共役系高分子化合物といわれる物質群であり、適切なバッファ材料と組み合わせることで発光層として用いることができ、本発明の効果を実現できるものである。 The structures of polyfluorene and PPV are shown in chemical formula (I) and chemical formula (II), respectively, and a large number of derivatives having these as the basic skeleton have been proposed. For example, examples of PPV and polyfluorene derivatives and detailed explanations are given in (WO9813408) or (WO0228983). Any of these compound groups is a substance group called a conjugated polymer compound, and can be used as a light-emitting layer in combination with an appropriate buffer material, thereby realizing the effects of the present invention.
ここで発光層としてホール輸送性が高い材料を用いる場合はホールブロック機能を持つバッファ層を陰極側に配置することによりより発光効率を高めることができる。 Here, when a material having a high hole transport property is used as the light emitting layer, the light emission efficiency can be further increased by disposing a buffer layer having a hole blocking function on the cathode side.
なお、発光層をデンドリマを含む高分子材料(ポリマー材料)で構成することにより、大面積でも均一な膜厚で製膜できることから大面積の有機EL素子の作成が可能となる。
また、発光層の熱に対する安定性が高くなるとともに、層間の界面における欠陥やピンホールの発生を抑制することができるため、安定性の高い有機EL素子を形成することができる。
In addition, since the light emitting layer is made of a polymer material (polymer material) containing a dendrimer, a film can be formed with a uniform film thickness even in a large area, so that a large area organic EL element can be produced.
In addition, the stability of the light-emitting layer to heat is increased, and defects and pinholes at the interface between layers can be suppressed, so that a highly stable organic EL element can be formed.
なお、これらの機能層(発光層、或いは、必要に応じて形成されるホール注入層、電子注入層)を高分子材料で形成する場合、スピンコーティング法や、キャスティング法や、ディッピング法や、バーコード法や、ロールコート法等の湿式成膜法であってもよい。これにより、大規模な真空装置が不要であるため、安価な設備で製膜が可能となるとともに、容易に大面積な有機EL素子の作成が可能となるとともに、有機EL素子の各層間の密着性が向上するため、素子における短絡を抑制することができ、安定性の高い有機EL素子を形成できる。 When these functional layers (light emitting layer, or hole injection layer or electron injection layer formed as necessary) are formed of a polymer material, spin coating, casting, dipping, bar A wet film forming method such as a code method or a roll coating method may be used. This eliminates the need for a large-scale vacuum apparatus, so that it is possible to form a film with inexpensive equipment, and it is possible to easily create a large-area organic EL element and to adhere between each layer of the organic EL element. Therefore, short circuit in the element can be suppressed, and a highly stable organic EL element can be formed.
また、カラーの表示装置などに用いる場合にはRGBの各色の発光を実現する発光層の塗り分けが必要となるが、インクジェット法などを用いることにより、容易に塗り分けを実現することができる。 In addition, when used in a color display device or the like, it is necessary to separately coat the light emitting layer that realizes light emission of each color of RGB. However, by using an ink jet method or the like, it is possible to easily realize the coloring.
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極5としては、仕事関数の低い金属もしくは合金が用いられ、Ca-Alの2層構造の他、Ba-Alの2層構造、あるいはCa、Ba、In、Mg、Ti等の金属や、Mg−Ag合金、Mg−In合金等のMg合金や、Al−Li合金、Al−Sr合金、Al−Ba合金等のAl合金等が用いられる。あるいはLiO2/AlやLiF/Al等の積層構造は陰極材料
として好適である。
Further, as the
仕事関数の小さい金属を用いた光透過性の高い超薄膜を形成し、その上部に透明電極を積層することで、透明陰極を形成することもできる。この透明陰極を用いることで、いわ
ゆるトップエミッションと呼ばれる素子構成をとることができる。
A transparent cathode can also be formed by forming an ultrathin film with high light transmittance using a metal having a small work function and laminating a transparent electrode on the ultrathin film. By using this transparent cathode, an element configuration called a so-called top emission can be taken.
このように、電荷注入層としての無機化合物とバッファ層としての高分子物質を有する高分子有機EL素子は、電流密度の広い範囲に亘って素子の発光強度、発光効率が高いレベルで維持され、また、良好な寿命特性を示す。従って、幅広い輝度の範囲にわたって安定に動作し、かつ寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセント素子を実現することができる。 Thus, the polymer organic EL device having the inorganic compound as the charge injection layer and the polymer material as the buffer layer is maintained at a high level of light emission intensity and light emission efficiency of the device over a wide range of current density, In addition, it exhibits good life characteristics. Therefore, it is possible to realize an organic electroluminescent element that operates stably over a wide range of luminance and has excellent lifetime characteristics.
(実施の形態2)
以上本発明の実施の形態1に従い単純マトリックス型の表示装置について説明したが、
本発明の有機EL素子を用いた表示装置は、各画素ごとに駆動回路を形成したアクティブマトリックス型の表示装置にも適用可能である。図6にこのアクティブマトリックス型の表示装置の等価回路図、図7にレイアウト説明図、図8に斜視図を示す。
(Embodiment 2)
The simple matrix display device has been described according to the first embodiment of the present invention.
The display device using the organic EL element of the present invention can also be applied to an active matrix display device in which a drive circuit is formed for each pixel. FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the active matrix display device, FIG. 7 is a layout explanatory diagram, and FIG. 8 is a perspective view.
この表示装置は図6に等価回路図、図7にレイアウト説明図を示すように、画素を形成する有機EL素子(EL)および2つのTFT(T1,T2)とコンデンサCとからなる駆動回路を上下左右に複数個配列し、左右方向に並んだ各駆動回路の第1のTFT(T1)のゲート電極を走査線に接続して走査信号を与え、また上下方向に並んだ各駆動回路の第1のTFTのドレイン電極をデータ線に接続し、発光信号を供給するように構成されている。EL素子(EL)の一端には駆動用電源(図示せず)が接続され、コンデンサCの一端は接地されている。 As shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 6 and the layout explanatory diagram of FIG. 7, this display device includes an organic EL element (EL) forming a pixel, two TFTs (T1, T2), and a drive circuit including a capacitor C. A plurality of electrodes are arranged vertically and horizontally, and the gate electrodes of the first TFTs (T1) of the respective drive circuits arranged in the left-right direction are connected to the scanning lines to give scanning signals. A drain electrode of one TFT is connected to a data line, and a light emission signal is supplied. A driving power supply (not shown) is connected to one end of the EL element (EL), and one end of the capacitor C is grounded.
図8はこの表示装置の要部破断斜視図であり、駆動用の薄膜トランジスタ(図示せず)を形成したガラス基板11上に、上部に陽極(ITO)12、電荷注入層13、バッファ層B、発光層14、陰極15を形成して有機EL素子を形成している。構造としては、陽極
および電荷注入層は個別に形成されており、バッファ層から発光層は一体形成、陰極はストライプ状に形成されている。なおこの駆動用の薄膜トランジスタは、例えばガラス基板11上に有機半導体層(高分子層)を形成しこれを、ゲート絶縁膜で被覆しこの上にゲート電極を形成すると共にゲート絶縁膜に形成したスルーホールを介してソース・ドレイン電極を形成してなるものである。そして、この上にポリイミド膜などを塗布して絶縁層(平坦層)を形成し、その上部に陽極(ITO)12、有機半導体層14および陰極15を形成して有機EL素子を形成した構造を有している。なお、図11には、コンデンサや配線については省略したが、これらも同じガラス基板上に形成されている。このようなTFTと有機EL素子からなる画素が同一基板上に複数個マトリクス状に形成されてアクティブマトリクス型の表示装置を構成している。
FIG. 8 is a cutaway perspective view of the main part of the display device. On the
この構成によれば、高速駆動が可能で信頼性の高い表示装置を提供することができる。 According to this configuration, a display device that can be driven at high speed and has high reliability can be provided.
なお、薄膜トランジスタを有機トランジスタで構成してもよい。また薄膜トランジスタ上に有機EL素子を積層した構造、あるいは有機EL素子上に薄膜トランジスタを積層した構造なども有効である。 Note that the thin film transistor may be an organic transistor. A structure in which an organic EL element is stacked on a thin film transistor or a structure in which a thin film transistor is stacked on an organic EL element is also effective.
加えて、高画質のEL表示装置を得るために、有機EL素子を形成したEL基板と、TFT、コンデンサ、配線などを形成したTFT基板とを、EL基板の電極とTFT基板の電極とが接続バンクを用いて接続されるように貼り合わせるようにしてもよい。 In addition, in order to obtain a high-quality EL display device, the EL substrate electrode and the TFT substrate electrode are connected to an EL substrate on which an organic EL element is formed and a TFT substrate on which a TFT, capacitor, wiring, etc. are formed. You may make it stick together so that it may connect using a bank.
(実施の形態3)
図9は本発明の実施の形態3における表示装置に用いられる有機EL素子の要部を示す断面図である。なお、本実施の形態において、表示装置の装置構成は実施の形態1において用いものと同様になっている。
(Embodiment 3)
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the main part of the organic EL element used in the display device according to
図示する有機EL素子が、前記実施の形態1と異なるのは、バッファ層Bを持たない点である。 The illustrated organic EL element is different from the first embodiment in that it does not have the buffer layer B.
以上の説明において、有機EL素子は直流駆動としたが、交流電圧または交流電流、あるいはパルス波で駆動してもよい。 In the above description, the organic EL element is driven by DC, but may be driven by AC voltage, AC current, or pulse wave.
また、有機EL素子で発光した光は基板側から取り出すようになっているが、基板と反対面(ここでは陰極)側から、あるいは側面から取り出すようにしてもよい。 The light emitted from the organic EL element is taken out from the substrate side, but may be taken out from the side opposite to the substrate (here, the cathode) or from the side.
なお、本発明の有機エレクトロルミネッセント素子を構成する各層の成膜については上記方法に限定されるものではなく、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、分子線エピタキシー法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、熱CVD法、プラズマCVD法、MOCVD法などの真空法、あるいはゾルゲル法
、ラングミュア・ブロジェット法(LB法)、レイヤーバイレイヤー法、スピンコート法、インクジェット法、ディップコーティング法、スプレー法などの湿式法などから適宜選択可能であり、結果的に本発明の効果を奏効し得るように形成可能な方法であれば、いかなるものでもよいことはいうまでもない。
The film formation of each layer constituting the organic electroluminescent device of the present invention is not limited to the above method, but vacuum deposition method, electron beam deposition method, molecular beam epitaxy method, sputtering method, reactive sputtering. Method, ion plating method, laser ablation method, thermal CVD method, plasma CVD method, MOCVD method and other vacuum methods, or sol-gel method, Langmuir-Blodget method (LB method), layer-by-layer method, spin coating method, inkjet Needless to say, any method may be used as long as it can be appropriately selected from a wet method such as a method, a dip coating method, and a spray method, and can be formed so that the effect of the present invention can be obtained as a result. Absent.
本発明にかかる有機EL素子を用いた表示装置は、高輝度化が可能で、幅広い輝度の範囲にわたって安定に動作するとともに、寿命特性に優れているため、フラットパネルディスプレイや表示素子を含む広範な応用において有用である。 A display device using an organic EL element according to the present invention can increase brightness, operate stably over a wide range of brightness, and has excellent lifetime characteristics, and thus includes a wide range including flat panel displays and display elements. Useful in application.
1 基板
2 陽極
3 電荷注入層
B バッファ層
4 発光層
5 陰極
DESCRIPTION OF
Claims (25)
前記電極対を構成する電極間に形成された複数の機能層とを具備し、
前記機能層は、樹木状多分岐構造をもつ少なくとも1種類の高分子物質からなる発光機能を有した層と、少なくとも1種類の無機物からなる電荷注入層とを含み、
前記相対向する領域を単位画素とする有機エレクトロルミネッセント素子が
画像表示配列を形成するようにした表示装置。 A pair of electrodes at least one of which is electrically divided and arranged to have opposing regions;
A plurality of functional layers formed between the electrodes constituting the electrode pair,
The functional layer includes a layer having a light emitting function made of at least one polymer substance having a tree-like multi-branched structure, and a charge injection layer made of at least one kind of inorganic substance,
A display device in which organic electroluminescent elements having the opposing regions as unit pixels form an image display array.
前記発光機能を有した層は、発光性の構造単位を中心に有する樹木状多分岐高分子構造からなる表示装置。 The display device according to claim 1,
The layer having a light emitting function is a display device having a tree-like multi-branched polymer structure centered on a light emitting structural unit.
前記発光機能を有した層は、発光性の構造単位を中心に有する樹木状多分岐低分子構造からなる表示装置。 The display device according to claim 1,
The layer having a light emitting function is a display device having a dendritic multi-branched low molecular structure having a light emitting structural unit as a center.
前記電極は所定の間隔を隔てて形成されたストライプ状の電極で構成され、少なくともひとつのスイッチング素子を介して走査されることで画像表示配列を形成するようにした表示装置。 The display device according to any one of claims 1 to 3,
The display device is configured such that the electrodes are formed of stripe-like electrodes formed at a predetermined interval, and an image display array is formed by scanning through at least one switching element.
前記電極対を構成する各電極はそれぞれ、所定の間隔を隔てて配列されたストライプ状の陽極と、前記陽極のストライプと直交する方向に配列されたストライプ状の陰極とで構成される表示装置。 The display device according to claim 4,
Each of the electrodes constituting the electrode pair is a display device comprising a striped anode arranged at a predetermined interval and a striped cathode arranged in a direction perpendicular to the stripe of the anode.
前記電極対を構成する各電極のいずれかが、画素毎に電気的に分離されて構成され、前記分離された電極は少なくともひとつのスイッチング素子を介して走査されることで画像表示配列を形成するようにした表示装置。 The display device according to any one of claims 1 to 3,
Any one of the electrodes constituting the electrode pair is electrically separated for each pixel, and the separated electrodes are scanned through at least one switching element to form an image display array. Display device.
前記機能層は少なくとも一つのバッファ層を含む表示装置。 The display device according to any one of claims 1 to 6,
The display device, wherein the functional layer includes at least one buffer layer.
前記バッファ層が高分子層で構成される表示装置。 The display device according to claim 7,
A display device in which the buffer layer is formed of a polymer layer.
前記バッファ層が有機溶媒を含む表示装置。 The display device according to claim 8,
A display device in which the buffer layer contains an organic solvent.
前記発光機能を有した層がフルオレン環を含む高分子化合物を含む表示装置。 A display device according to any one of claims 1 to 9,
The display device in which the layer having a light emitting function includes a polymer compound including a fluorene ring.
前記発光機能を有した層が下記一般式(I)で表されるポリフルオレンおよびその誘導体(R1、R2はそれぞれ置換基を表す)を含むことを特徴とする表示装置。
The display device, wherein the layer having a light emitting function includes polyfluorene represented by the following general formula (I) and derivatives thereof (R1 and R2 each represent a substituent).
前記発光機能を有した層がフェニレンビニレン基を含む表示装置。 A display device according to any one of claims 1 to 10,
The display device, wherein the layer having a light emitting function includes a phenylene vinylene group.
前記発光機能を有した層が下記一般式(II)で表されるポリフェニレンビニレンおよびその誘導体(R3、R4はそれぞれ置換基を表す)を含むことを特徴とする表示装置。
The display device, wherein the layer having a light emitting function includes polyphenylene vinylene represented by the following general formula (II) and a derivative thereof (R3 and R4 each represent a substituent).
前記バッファ層の電子親和力をあらわすエネルギー値の絶対値が前記発光機能を有した層の電子親和力をあらわすエネルギー値の絶対値よりも小さい表示装置。 The display device according to any one of claims 7 to 11,
A display device in which an absolute value of an energy value representing an electron affinity of the buffer layer is smaller than an absolute value of an energy value representing an electron affinity of the layer having the light emitting function.
前記電荷注入層が酸化物を含む表示装置。 The display device according to claim 1,
A display device in which the charge injection layer contains an oxide.
前記電荷注入層が遷移金属の酸化物を含む表示装置。 A display device according to claim 15,
The display device, wherein the charge injection layer includes an oxide of a transition metal.
前記電荷注入層がモリブデンまたはバナジウムの酸化物を含むことを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 16, wherein
The display device, wherein the charge injection layer contains molybdenum or vanadium oxide.
前記電荷注入層が窒化物を含む表示装置。 The display device according to claim 1,
A display device in which the charge injection layer contains nitride.
前記電荷注入層が遷移金属の窒化物を含む表示装置。 The display device according to claim 18, wherein
The display device, wherein the charge injection layer includes a transition metal nitride.
前記電荷注入層が酸窒化物を含む表示装置。 The display device according to claim 1,
The display device, wherein the charge injection layer includes oxynitride.
前記電荷注入層が遷移金属の酸窒化物を含む表示装置。 The display device according to claim 20, wherein
The display device, wherein the charge injection layer includes a transition metal oxynitride.
前記電荷注入層が遷移金属を含む複合酸化物を含む表示装置。 The display device according to claim 1,
The display device, wherein the charge injection layer includes a composite oxide containing a transition metal.
前記バッファ層は、ホール注入側に配置された電荷注入層と発光機能を有した層との間に配置される表示装置。 The display device according to any one of claims 7 to 22,
The buffer layer is a display device disposed between a charge injection layer disposed on a hole injection side and a layer having a light emitting function.
透光性基板上に形成された陽極と、
前記陽極上に形成された、ホール注入層と、
前記ホール注入層上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された発光機能を有した層と
前記発光機能を有した層上に形成された電子注入層と、
前記電子注入層上に形成された陰極とを含む表示装置。 A display device according to any one of claims 1 to 23,
An anode formed on a translucent substrate;
A hole injection layer formed on the anode;
A buffer layer formed on the hole injection layer;
A layer having a light emitting function formed on the buffer layer; an electron injection layer formed on the layer having the light emitting function;
A display device including a cathode formed on the electron injection layer.
前記有機エレクトロルミネッセント素子の前記発光機能を有した層は、湿式法で形成される表示装置の製造方法。 A method of manufacturing a display device according to any one of claims 1 to 24,
The layer having the light emitting function of the organic electroluminescent element is a method for manufacturing a display device formed by a wet method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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JP2006114731A5 JP2006114731A5 (en) | 2007-11-29 |
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