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JP2006197393A - 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents

固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法 Download PDF

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JP2006197393A JP2005008182A JP2005008182A JP2006197393A JP 2006197393 A JP2006197393 A JP 2006197393A JP 2005008182 A JP2005008182 A JP 2005008182A JP 2005008182 A JP2005008182 A JP 2005008182A JP 2006197393 A JP2006197393 A JP 2006197393A
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Abstract

【課題】 広いダイナミックレンジを確保しつつ、高速に信号を読み出すことができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 光電変換部201から浮遊拡散部205に溢れた電荷の一部分に基づく信号をADコンバータ206の上位ビットに割り当て、光電変換部201に蓄積された電荷に基づく信号をADコンバータ206の下位ビットに割り当てることにより、ダイナミックレンジの広い多ビットのデータを、素子の数を増加させることなく可及的に高速に取り出せるようにする。
【選択図】 図2

Description

本発明は、固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法に関し、特に、CMOSエリアセンサに用いて好適なものである。
従来から、画像信号を電気信号に変換する固体撮像素子として、CCD(Charge Coupled Device)が知られている。このCCDは、フォトダイオードアレイを有し、各フォトダイオードに蓄積された電荷にパルス電圧を印加して、蓄積された電荷を電気信号として読み出すようになっている。
また、近年、フォトダイオードとMOSトランジスタとを1チップ化したCMOSエリアセンサが固体撮像素子として用いられている。CMOSエリアセンサは、CCDと比較して、消費電力が小さくなる、駆動電力が低くなる、高速化が可能になるなどの利点を有している。したがって、今後は、CMOSエリアセンサの需要が拡大することが予想される。
そして、このようなCMOSエリアセンサを利用して、固体撮像素子のダイナミックレンジを拡大するという提案がなされている(特許文献1を参照)。
かかる提案におけるCMOSエリアセンサは、各画素が、フォトダイオードと、フローティングディフュージョン(floating diffusion;浮遊拡散、以下では必要に応じてFDと略称する)領域と、前記フォトダイオードから前記FD領域に電荷を転送するための転送トランジスタと、前記FD領域を所定の電位にリセットするためのリセットトランジスタとを有する複数の画素を、マトリックス(行列)状に形成して構成される。
このCMOSエリアセンサでは、まず、前記フォトダイオードに蓄積された電荷に基づく信号を読み出した後に、前記フォトダイオードから溢れて前記FD領域に蓄積された電荷に基づく信号とを読み出す。そして、読み出した信号を、アナログアンプを通して出力するようにしている。
特開2001−186414号公報
しかしながら、前述した従来の技術では、信号の読み出しが2回必要になり、且つそれらの信号を、アナログアンプを通して出力している。このため、CMOSエリアセンサの動作速度に過大な制限が生じてしまう。したがって、前述した従来の技術を用いた場合、リアルタイムで高速の読み出しが必要になる動画を適切に撮像することが困難であるという問題点があった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、広いダイナミックレンジを確保しつつ、高速に信号を読み出すことができる固体撮像装置及びその駆動方法、並びにその固体撮像装置を用いたカメラを提供することを目的とする。
本発明の固体撮像装置は、光電変換部を含む複数の画素部と、前記光電変換部で光電変換された電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換部とを有し、前記AD変換部は、前記光電変換部から溢れた電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するに際し、そのデジタル信号を、前記光電変換部に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットよりも上位ビットに割り当てるようにしたことを特徴とする。
本発明のカメラは、前記固体撮像装置と、前記固体撮像装置に光学像を結像させるためのレンズと、前記レンズを通る光量を可変するための絞りとを有することを特徴とする。
本発明の固体撮像装置の駆動方法は、光電変換部を含む複数の画素部と、前記光電変換部で光電変換された電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換部とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、前記光電変換部から溢れた電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するに際し、そのデジタル信号を、前記光電変換部に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットよりも上位ビットに割り当てるようにしたことを特徴とする。
本発明によれば、光電変換部から溢れた電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するに際し、そのデジタル信号を、前記光電変換部に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットよりも上位ビットに割り当てるようにしたので、光電変換された電荷に基づく信号の読み出しを従来よりも簡単に行うことが可能になる。これにより、可及的に広いダイナミックレンジを確保しつつ、可及的に高速に信号を読み出すことができる。
(第1の実施形態)
次に、図面を参照しながら、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態の固体撮像装置の概略構成の一例を示す図である。
図1において、画素エリア100は、光電変換部(例えばフォトダイオード)201と、トランジスタ202〜205と、ADコンバータ(AD変換器)206とを備えて形成された複数のCMOSセンサー部(画素)101a〜101iを、3行×3列の2次元マトリックス状に配置して構成されている。
なお、図1では、複数のCMOSセンサー部(画素)101a〜101iを3行×3列の2次元マトリクス状に配置するようにしたが、CMOSセンサー部(画素)101の配置数はこれに限定されるものではない。例えば、1080行×1960列の2次元マトリクス状に複数のCMOSセンサー部(画素)101を配置して、光電変換部201の数を増加させることで、解像度を向上させるようにしてもよい。
図2は、CMOSセンサー部101の等価回路の一例を示す図である。
図2において、光電変換部201は、転送スイッチ202を介して、浮遊拡散(FD領域)部205に接続されている。リセットスイッチ203は、浮遊拡散部205の電位を電源電位VDDにリセットするためのものである。浮遊拡散部205は、容量を含み、ソースフォロアMOSトランジスタ207のゲートに接続される。ソースフォロアMOSトランジスタ207は、浮遊拡散部205で得られたアナログ信号を増幅し、ADコンバータ(ADC)206に伝達するためのものである。
ADコンバータ206は、ソースフォロアMOSトランジスタ207から伝達されたアナログ信号をデジタル信号に変換するためのものである。このように、本実施形態では、光電変換されたアナログ信号を画素毎にデジタル信号に変換するようにしている。選択スイッチ204は、CMOSセンサー部(画素)101の選択及び非選択の制御を行うためのものである。
本実施形態では、転送スイッチ202、リセットスイッチ203、及び選択スイッチ204を、MOSトランジスタで構成しており、各MOSトランジスタのゲートに供給されるゲート信号により制御される。具体的に、転送スイッチ202のゲートには、制御信号TX1が供給され、リセットスイッチ203のゲートには、制御信号Resが供給され、選択スイッチ204のゲートには、制御信号Selが供給される。
ここで、制御信号TX1は、光電変換部201からの電荷を浮遊拡散部205に転送するための制御信号である。また、制御信号Resは、浮遊拡散部205をリセットするための制御信号である。さらに、制御信号Selは、CMOSセンサー部101を選択するための制御信号である。
図1に戻り、垂直走査回路105は、画素エリア100内に配置されているCMOSセンサー部101を行単位で順次選択するための回路である。
また、図1には示していないが、本実施形態の固体撮像装置には、行メモリ回路が設けられている。この行メモリ回路は、例えば、光電変換部201に蓄積された信号レベル(S)を保持する信号レベル保持容量と、光電変換部201から溢れた信号レベル(BS)を保持する信号レベル保持容量と、リセットレベル(N)を保持するリセットレベル保持容量とを有している。
なお、本実施形態では、制御信号Sにより信号レベル(S)の保持動作を行い、制御信号BSにより信号レベル(BS)の保持動作を行い、制御信号Nによりリセットレベル(N)の保持動作を行うものとする。
水平走査回路104は、前記行メモリ回路で保持された1行分の信号レベル(S)、(BS)と、リセットレベル(N)とを転送するための回路である。
ここで、図3のタイミングチャートを参照しながら、本実施形態の固体撮像装置の動作の一例について説明する。
まず、浮遊拡散部205と光電変換部201とを、転送スイッチ202と、リセットスイッチ203とを導通させることによりリセットした後に(時刻T1〜T2)、転送スイッチ202を閉じ(時刻T3)、光電変換部201に電荷の蓄積を始める。光電変換部201に入射される光量が多く、光電変換部201で蓄積可能な光量以上の光量が光電変換部201に入射されると、光電変換部201から電荷が溢れだし、その電荷の一部分が浮遊拡散部205にたまる(時刻T4〜T6)。
次いで、浮遊拡散部205にたまった電荷に基づく信号を、ADコンバータ206の上位ビットに格納して読み出す(時刻T5〜T6)。ここで、上位ビットとは、光電変換部201に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットよりも上位のビットを言う。例えば、光電変換部201に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットが8ビットであるとすると、上位ビットとは9ビット以降のビットを言う。
次いで、リセットスイッチ203を導通させることで浮遊拡散部205を再びリセットし(時刻T7〜T8)、リセットレベル(N)の信号をノイズ信号として読み出す(時刻T8〜T9)。その後、転送スイッチ202を開けて光電変換部201に蓄積された電荷に基づく通常の信号を読み出し、ADコンバータ206の下位ビットの信号を読み出す(時刻T9〜T11)。
この下位ビットの信号は、リセットノイズ等が除去されたものとなる。このため、本実施形態の固体撮像装置では、高いSN比の信号を取り出すことが可能となる。また、光電変換部201から溢れる電荷が無い場合は、光電変換部201に蓄積された電荷に基づく通常の信号を読み出す動作によりノイズの少ない信号をそのまま得ることができる。
次いで、ADコンバータ206に割り当てられた信号をデジタル信号として外部に出力する。
次に、光電変換部201から浮遊拡散部205に溢れた電荷(の一部分)に基づく信号を実際の光量に換算する方法の一例について説明する。
光電変換部201から浮遊拡散部205に電荷が溢れる割合をY、実際に検出される電子数をZ、飽和電子数をP、光電変換部201で光電変換された実際の電子数をXとすると、以下の(1式)が成立する。
(X−P)×Y×(t0−t1)/t0=Z ・・・(1式)
ここで、t1は、光電変換部201における電荷の蓄積終了時間(例えば図3の時刻T10)と、光電変換部201から溢れだした電荷の蓄積終了時間(例えば図3の時刻T6)との差である。また、t0は、光電変換部201における電荷の蓄積時間(例えば図3の時刻T10と時刻T3との差)である。
そうすると、光電変換部201で光電変換された実際の電子数Xは、以下の(2式)で表される。
X=Z×t0/(Y×(t0−t1))+P ・・・(2式)
よって、光電変換部201から浮遊拡散部205に電荷が溢れる割合Yや、{(t0−t1)/t0}を調節することで、ADコンバータ206に信号を機械的に振り分けることができる。
そして、光電変換部201に入射する光量が大きい場合には、(t0−t1)を短くするのが好ましいことが分かる。
例えば、Y=0.01(=1%)、(t0−t1)/t0=0.5とすると、光電変換部201で光電変換された実際の電子数Xは、以下の(3式)で表される。
X=200Z+P ・・・(3式)
ここで、飽和電子数Pが10000個であるとすると、30000個の電子が光電変換される光量の光が光電変換部201に入射された場合(すなわち、光電変換部201で光電変換された実際の電子数Xが30000個の場合)、実際に検出される電子数Zは、100個となる。
一方、Y=0.01(=1%)で、(t0−t1)/t0=0.01とし、飽和電子数Pが10000個、光電変換部201で光電変換された実際の電子数Xが30000個とすると、実際に検出される電子数Zは、2個となる。この場合、光電変換部201で光電変換された実際の電子数Xが300000個であっても、実際に検出される電子数Zは、29個となる。
以上のように、光電変換部201に入射する光量が大きい場合には、(t0−t1)を短くするように調整すると、実際に検出される電子数Zを少なくでき好ましい。
また、8ビットで飽和電子数Pが10000個とすると、1LSB(Least Significant Bit)は約10個となる。そうすると、9ビット目は20000なので、光電変換部201から浮遊拡散部205に溢れた電荷が10個のとき、光電変換部201で光電変換された実際の電子数Xが20000個とすると、光電変換部201から浮遊拡散部205に電荷が溢れる割合Yは0.01(=1%)、{(t0−t1)/t0}は0.1となる。このような設定を行うと、9ビット目以上の検出(溢れた電荷の検出)が、1〜8ビット目(光電変換部201に蓄積された電荷)と同様な振り分けで行うことができる。また、時間が分かっているので、信号を取り出した後で以上のような設定に換算することも当然可能である。
以上のように本実施形態では、光電変換部201から浮遊拡散部205に溢れた電荷の一部分に基づく信号をADコンバータ206の上位ビットに割り当てるようにしたので、ダイナミックレンジの広い多ビットのデータを、単純な構成で可及的に高速に取り出すことが可能となる。したがって、例えば、動画撮影を行うに際し、光電変換部201に蓄積された電荷に基づく信号の読み出しと、光電変換部201から溢れた電荷に基づく信号の読み出しとを1フレーム内で行うようにすれば、従来よりも適切に動画撮影を行うことができる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。前述した第1の実施形態では、画素毎にADコンバータ206を設けるようにして、画素毎にアナログ信号をデジタル信号に変換するようにした。これに対し、本実施形態では、列毎にアナログ信号をデジタル信号に変換するようにしている。このように、本実施形態と第1の実施形態とは、アナログ信号をデジタル信号に変換する方法が異なるだけであるので、以下の説明において第1の実施形態と同一の部分については、図1〜図3に付した符号と同一の符号を付すなどして詳細な説明を省略する。
図4は、本実施形態の固体撮像装置の概略構成の一例を示す図である。
図4において、画素エリア400は、第1の実施形態における画素エリア100からADコンバータ206を除いたものと同じである。すなわち、画素エリア400は、光電変換部201と、トランジスタ202〜205とを備えて形成されたCMOSセンサー部(画素)401を、3行×3列の2次元マトリックス状に複数配置して構成されている。なお、図1では、複数のCMOSセンサー部(画素)401を3行×3列の2次元マトリクス状に配置するようにしたが、CMOSセンサー部(画素)401の配置数はこれに限定されるものではない。
垂直走査回路105からの信号により各画素401から出力されたアナログ信号は、CDS(相関2重サンプリング)回路部402に入力される。そして、CDS回路部402から出力された各列のアナログ信号は、列毎のADコンバータ403によりデジタル信号に変換される。そして、水平走査回路104により信号が順次取り出される。このように、本実施形態では、アナログ信号を列毎にデジタル信号に変換するので、第1の実施形態よりも高速に動作することが可能となる。
図5は、列毎のADコンバータ403の回路構成の一例を示す図である。
図5に示すようにADコンバータ403は、演算器である比較器501a〜501cと、記憶部503a〜503cと、転送スイッチ502a〜502c、読み出しスイッチ504a〜504cと、カウンター505とを備えて構成されている。
本実施形態の比較器501a〜501cは電圧比較器であり、図5に示すように各列に設けられている。本実施形態の記憶部503a〜503cはデジタルメモリーである。このデジタルメモリーとしては、センサーで共通のカウンター117に接続されている、ランプ型ADCアーキテクチャが主に用いられる。このランプ型ADCアーキテクチャにおいては、電圧比較器501a〜501cの一端には画素401からCDS回路部402を介して入力された信号を、他端には三角波をそれぞれ印加し、各列の電圧比較器501a〜501cが反転した時のカウンター505の値を各列の記憶部(デジタルメモリー)503a〜503cに保持することでAD変換を行う。
本実施形態ではまず、第1の実施形態と同様に、光電変換部201から溢れた電荷に基づく信号(信号レベル(BS))を上位ビットとしてADコンバータ403で読み出す。さらに、光電変換部201に蓄積された電荷に基づく信号(信号レベル(S))とノイズ信号(リセットレベル(N))とを読み出し、読み出した信号を下位ビットとしてADコンバータ403に入力する。
ここで、図6を用いて信号を読み出すタイミングの一例を説明する。
図6において、Bは光電変換部201から溢れた電荷(信号レベル(BS))の読み出しを意味する。また、S−Nは、信号レベル(S)とリセットレベル(N)の読み出しを示している。
まず、N行目において、光電変換部201から溢れた電荷の読み出し、その電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換している間に、光電変換部201からの信号レベル(S)とリセットレベル(N)とを読み出す。このように、N行目の上位ビットの読み出し動作と下位ビットの読み出し動作とを並列に行えるので、高速に動作することが可能となる。
ここで、光電変換部201から溢れた電荷の読み出し時間(図6のB)と、光電変換部201からの信号レベル(S)とリセットレベル(N)との読み出し時間(図6のS−N)とを等しくすると、水平走査回路104による水平転送の時間(図6の水平転送)や、AD変換の時間(図6のADC)も等しく設定でき、有効に時間を使用することができるというメリットがあるが、このような駆動法に特に限定されないのは言うまでもない。
また、フレーム速度が60フレーム/sのような動画を撮像する場合には、例えば120Hzの倍速でADコンバータ403等を動作することで、より広いダイナミックレンジでの撮像が可能になる。
また、前のフレームの信号を参照し、ある部分は溢れた電子を検出して、広いダイナミックレンジで撮影し、ある領域は通常動作で撮影することも可能である。
さらに、本実施形態では、浮遊拡散部205に電荷をためる場合を例に挙げて説明しているが特に限定せず、他の場所に電子やホールをためる場合でも前述したのと全く同様にしてAD変換することができる。また、本実施形態では、上位ビットの読み出しと下位ビットの読み出しとを同じADコンバータ403を用いて行ったが同じADコンバータ403を用いることに限定されない。ノイズ等によってADコンバータ毎のばらつきが生じてしまう点では、同じADコンバータを用いることが有利であるが、例えば全く異なる複数のADコンバータを用いてもよい。この場合は、複数のADコンバータから信号を並列に読み出すことも可能である。このようにすれば、より一層信号を速く読み出すことが可能となる。
さらに、溢れた電子が存在する場合には、下位ビットの読み出しを行わずに下位ビットを固定してもよい。こうすることで、下位ビットの信号についてはAD変換処理を行わないようにすることも可能であり、低消費電力化が可能になる。このときの固定値は、フルの値でも、0でも、中間の値でも良く、特に限定されない。また、この固定値を設定することが可能な設計にしても構わない。さらに、この固定値を経時的に変化させることも可能である。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態では、列毎のADコンバータとして、Multi-Slope integrating AD Converter(多重積分型ADコンバータ)を用いており、本実施形態と第2の実施形態とは、ADコンバータの構成が異なるだけである。したがって、第1及び第2の実施形態と同一の部分については、図1〜図6に付した符号と同一の符号を付すなどして詳細な説明を省略する。
図7は、本実施形態のADコンバータの回路構成の一例を示す図である。なお、比較器501a〜501c以降は、スイッチを介してメモリ部を2種類以上持つ以外は基本的に第2の実施形態と同様の回路である。したがって、図7では、ADコンバータの回路の一部を省略するとともに、以下では、その省略した部分の詳細な説明を省略する。
図7において、701a〜701cは、積分器であり、出力信号に依存して電圧の積分値を出力するための回路である。702a〜702cは、スイッチであり、積分器701a〜701cに対する2種類の基準電圧V1、V2、及び画素401からCDS回路部402を介して出力された信号(電圧)の何れかを選択するためのものである。
ここで、図8を用いて本実施形態のADコンバータの動作を説明する。
スイッチ702a〜702cにより選択された画素401からの出力値を、積分器701a〜701cにより一定期間(入力電圧積分期間)積分する。そうすると、積分した信号が電圧比較器501a〜501cに入力する。
次に、積分器701a〜701cへの入力を、画素401の信号から基準電圧V1に変更し、画素401からの信号の上位ビットの判定を行う。この判定は、例えば、積分器701a〜701cから出力された電圧が、比較用参照電圧である基準電圧V3を超えたところでのカウンター505の値を上位ビット用のデジタルメモリーに記憶することで実現する。
次に、画素401からの信号の下位ビットを判定するために、積分器701a〜701cへの入力を基準電圧V2に変更して、積分器701a〜701cにて積分を行う。このとき、下位ビット用のデジタルメモリーを使用する。こうすることで、例えば12ビットのAD変換を行う場合に212ステップではなく、上位ビットでの26ステップと下位ビットでの26ステップとを加算した27ステップでAD変換が終了する。したがって、AD変換の高速化が可能である。また、多ビット化にも対応できる。
さらに、本実施形態の回路では、画素401毎に大きな容量を必要としない。このため、チップサイズを小さくすることができ、且つ高性能な固体撮像素子を形成することができる。このような本実施形態の固体撮像装置では、光電変換部であるセンサー、読み出し部、及びADコンバータをCMOSで構成することができ、分割や、スイッチ含めた複数の演算器との接続を容易に行うことができ、アクティブマトリクス動作とあわせて非常に効果的な固体撮像素子を構成することができる。
このような本実施形態のADコンバータを用いれば、溢れた電荷に基づく信号をより一層上位のビットの信号として出力することで、より一層広いダイナミックレンジを確保することが可能となる。
(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施形態では、Multi-Slope integrating AD Converterに積分器を2種類設けるようにしており、本実施形態と、第3の実施形態とは、ADコンバータの構成の一部が異なるだけである。したがって、第1及び第2の実施形態と同一の部分については、図1〜図8に付した符号と同一の符号を付すなどして詳細な説明を省略する。
図9は、本実施形態のADコンバータの回路構成の一例を示す図である。なお、図9では、ADコンバータの回路の一部を省略するとともに、以下では、前記省略した部分の詳細な説明を省略する。
図9において、まず画素401からCDS回路部402を介して出力された信号の電圧は、スイッチ901aより積分器161に入力される。この電圧は出力電圧の全てに対応していなければいけない。このため、積分器161は、広いダイナミックレンジの積分器である必要がある。
次に、積分器161への入力を、画素401の信号から基準電圧V1に変更し、画素401からの信号の上位ビットの判定を行う。この判定は、比較用参照電圧である基準電圧V3を超えたところでのカウンター505の値を記憶することで実現する。この場合も、出力電圧の全てに対応していなければいけないため、積分器161は、広いダイナミックレンジである必要がある。
次に、画素401からの信号の下位ビットを判定するために、積分器への入力を基準電圧V2に変更して積分を行う。このとき、スイッチ901により、積分器903が選択されるようにする。積分器903への入力電圧は、参照電圧付近である。このため、積分器902のダイナミックレンジは狭くてよく、より高精度な積分器を用いて固体撮像装置を構成することができる。
こうすることで、高精度なAD変換機能を持つ固体撮像素子を形成することができ、ビット数の増加にも対応できる。
なお、本実施形態では、画素401からの信号を入力する積分器と、基準電圧V1を入力する積分器とを同一にしたが特に限定されることは無い。また、3つの積分器が異なっても良い。また、基準電圧が3種類以上であっても構わないし、それぞれの組み合わせも設計事項の1つであり特に限定されない。
(他の実施形態)
図10に基づいて、前述した各実施形態の固体撮像装置をスチルカメラに適用した場合の一実施形態について詳述する。
図10は、前述した各実施形態の固体撮像装置を「スチルビデオカメラ」に適用した場合を示すブロック図である。
図10において、1001は、レンズのプロテクトとメインスイッチを兼ねるバリアであり、1002は、被写体の光学像を固体撮像素子1004に結像させるレンズであり、1003は、レンズ1002を通った光量を可変するための絞りであり、1004は、レンズ1002で結像された被写体を画像信号として取り込むための固体撮像素子であり、1006は、固体撮像素子1004より出力される画像信号のアナログ−ディジタル変換を行うA/D変換器である。
1007は、A/D変換器1006より出力された画像データに各種の補正を行ったりデータを圧縮したりする信号処理部であり、1008は、固体撮像素子1004、撮像信号処理回路1005、A/D変換器1006、及び信号処理部1007に、各種タイミング信号を出力するタイミング発生部であり、1009は、各種演算とスチルビデオカメラ全体を制御する全体制御・演算部であり、1010は、画像データを一時的に記憶する為のメモリ部であり、1011は、記録媒体に記録または読み出しを行うためのインターフェース部であり、1012は、画像データの記録または読み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体であり、1013は、外部コンピュータ等と通信する為のインターフェース部である。
次に、前述の構成における撮影時のスチルビデオカメラの動作について説明する。
バリア1001がオープンされるとメイン電源がオンされ、次にコントロール系の電源がオンし、更にA/D変換器1006などの撮像系回路の電源がオンされる。
それから、露光量を制御する為に、全体制御・演算部1009は絞り1003を開放にし、固体撮像素子1004から出力された信号はA/D変換器1006で変換された後、信号処理部1007に入力される。
そのデータを基に露出の演算を全体制御・演算部1009で行う。
この測光を行った結果により明るさを判断し、その結果に応じて全体制御・演算部1009は絞りを制御する。
固体撮像素子1004から出力された信号をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演算を全体制御・演算部1009で行う。その後、レンズを駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断した時は、再びレンズを駆動し測距を行う。
そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。
露光が終了すると、固体撮像素子1004から出力された画像信号はA/D変換器1006でA/D変換され、信号処理部1007を通り全体制御・演算部1009によりメモリ部に書き込まれる。
その後、メモリ部1010に蓄積されたデータは、全体制御・演算部1009の制御により記録媒体制御I/F部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体1012に記録される。また、外部I/F部1013を通り直接コンピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
次に、図11に基づいて、前述した各実施形態の固体撮像装置をビデオカメラに適用した場合の一実施例について詳述する。
図11は、前述した各実施形態の固体撮像装置を「ビデオカメラ」に適用した場合を示すブロック図である。図11において、1101は撮影レンズであり、焦点調節を行うためのフォーカスレンズ1101A、ズーム動作を行うズームレンズ1101B、及び結像用のレンズ1101Cを備えている。
1102は絞りであり、1103は、撮像面に結像された被写体像を光電変換して電気的な撮像信号に変換する固体撮像素子であり、1104は、固体撮像素子3より出力された撮像信号をサンプルホールドし、さらに、レベルをアンプするサンプルホールド回路(S/H回路)であり、映像信号を出力する。
1105は、サンプルホールド回路1104から出力された映像信号にガンマ補正、色分離、ブランキング処理等の所定の処理を施すプロセス回路であり、輝度信号Yおよびクロマ信号Cを出力する。プロセス回路1105から出力されたクロマ信号Cは、色信号補正回路1121で、ホワイトバランス及び色バランスの補正がなされ、色差信号R−Y,B−Yとして出力される。
また、プロセス回路1105から出力された輝度信号Yと、色信号補正回路1121から出力された色差信号R−Y,B−Yとは、エンコーダ回路(ENC回路)1124で変調され、標準テレビジョン信号として出力される。そして、図示しないビデオレコーダ、あるいはモニタEVF(Electric View Finder)等の電子ビューファインダへと供給される。
1106はアイリス制御回路であり、サンプルホールド回路1104から供給される映像信号に基づいてアイリス駆動回路1107を制御し、映像信号のレベルが所定レベルの一定値となるように、絞り1102の開口量を制御すべくigメータを自動制御するものである。
1113、1114は、サンプルホールド回路1104から出力された映像信号中より合焦検出を行うために必要な高周波成分を抽出する異なった帯域制限のバンドパスフィルタ(BPF)である。第一のバンドパスフィルタ1113(BPF1)、及び第2のバンドパスフィルタ1114(BPF2)から出力された信号は、ゲート回路1115及びフォーカスゲート枠信号で各々ゲートされ、ピーク検出回路1116でピーク値が検出されてホールドされると共に、論理制御回路1117に入力される。
この信号を焦点電圧と呼び、この焦点電圧によってフォーカスを合わせている。
また、1118はフォーカスレンズ1101Aの移動位置を検出するフォーカスエンコーダであり、1119はズームレンズ1101Bの焦点距離を検出するズームエンコーダであり、1120は絞り1102の開口量を検出するアイリスエンコーダである。これらのエンコーダの検出値は、システムコントロールを行う論理制御回路1117へと供給される。
論理制御回路1117は、設定された合焦検出領域内に相当する映像信号に基づいて、被写体に対する合焦検出を行い、焦点調節を行う。即ち、各々のバンドパスフィルタ1113、1114より供給された高周波成分のピーク値情報を取り込み、高周波成分のピーク値が最大となる位置へとフォーカスレンズ1101Aを駆動すべくフォーカス駆動回路1109にフォーカスモータ1110の回転方向、回転速度、回転/停止等の制御信号を供給し、これを制御する。
なお、前述した各実施形態は、何れも本発明を実現するにあがっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されていはならない。
本発明の第1の実施形態を示し、固体撮像装置の概略構成の一例を示す図である。 本発明の第1の実施形態を示し、CMOSセンサー部の等価回路の一例を示す図である。 本発明の第1の実施形態を示し、固体撮像装置の動作の一例を説明するタイミングチャートである。 本発明の第2の実施形態を示し、固体撮像装置の概略構成の一例を示す図である。 本発明の第2の実施形態を示し、ADコンバータの回路構成の一例を示す図である。 本発明の第2の実施形態を示し、信号を読み出すタイミングの一例を説明する図である。 本発明の第3の実施形態を示し、ADコンバータの回路構成の一例を示す図である。 本発明の第3の実施形態を示し、ADコンバータの動作を説明する図である。 本発明の第4の実施形態を示し、ADコンバータの回路構成の一例を示す図である。 本発明の他の実施形態を示し、スチルビデオカメラの構成の一例を示すブロック図である。 本発明の他の実施形態を示し、ビデオカメラの構成の一例を示すブロック図である。
符号の説明
101、401 画素
201 光電変換部
202 転送スイッチ
203 リセットスイッチ
204 選択スイッチ
205 浮遊拡散部
206、403 ADコンバータ
1002 レンズ
1003 絞り
1004 固体撮像素子

Claims (11)

  1. 光電変換部を含む複数の画素部と、前記光電変換部で光電変換された電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換部とを有し、
    前記AD変換部は、前記光電変換部から溢れた電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するに際し、そのデジタル信号を、前記光電変換部に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットよりも上位ビットに割り当てるようにしたことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記AD変換部は、前記光電変換部に蓄積された電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するに際し、そのデジタル信号を、前記光電変換部に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットに割り当てるようにしたことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記複数の画素部をマトリクス状に配置し、
    前記AD変換部は、前記マトリクスの列ごとに設けられたAD変換器を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
  4. 前記マトリクスの列ごとに設けられたAD変換器は、それぞれ多重積分型AD変換器(Multi-Slope integrating AD Converter)であることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
  5. 前記多重積分型AD変換器は、複数の基準電圧に対して複数の積分器を有することを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
  6. 前記AD変換部は、前記光電変換部から溢れた電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換することと、前記光電変換部に蓄積された電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換することとを同一のAD変換器で行うことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記光電変換部から電荷が溢れた場合には、前記光電変換部に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットを一定値に固定することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の固体撮像装置。
  8. 前記複数の画素部は、CMOSセンサーで構成されていることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の固体撮像装置。
  9. 前記AD変換部は、前記光電変換部から浮遊拡散部に転送された電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の固体撮像装置。
  10. 前記請求項1〜9の何れか1項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置に光学像を結像させるためのレンズと、
    前記レンズを通る光量を可変するための絞りとを有することを特徴とするカメラ。
  11. 光電変換部を含む複数の画素部と、前記光電変換部で光電変換された電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換部とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
    前記光電変換部から溢れた電荷に基づくアナログ信号をデジタル信号に変換するに際し、そのデジタル信号を、前記光電変換部に蓄積可能な電荷の容量に対応するビットよりも上位ビットに割り当てるようにしたことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
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