JP2006190972A

JP2006190972A - 電力用半導体装置

Info

Publication number: JP2006190972A
Application number: JP2005300261A
Authority: JP
Inventors: Naoki Yoshimatsu; 直樹吉松; Takanobu Yoshida; 貴信吉田; Toshiaki Shinohara; 利彰篠原
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2004-12-08
Filing date: 2005-10-14
Publication date: 2006-07-20
Also published as: US7656016B2; DE102005057981A1; US20060119512A1

Abstract

【課題】冷却フィンを取り付ける電力用半導体装置の全体形状をコンパクト化する。
【解決手段】第１の主面に樹脂モールドされたモールド面を備えその裏側の第２の主面に放熱面を備える少なくとも２個のパワーモジュールと、２個の冷却フィンを有する電力用半導体装置を提供する。その電力用半導体装置は、上記パワーモジュールは２個の対の単位で配置され、対になる２個のパワーモジュールにおいては互いにモールド面を向かい合わせて設置され、対になる２個のパワーモジュールの設置によって外部の逆方向を向く放熱面が上記冷却フィンの吸熱部位に圧接されると共に、複数の上記パワーモジュールが上記２個の冷却用フィンで挟み込まれることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、電力用半導体装置に関し、特に電気自動車等のモータを制御するインバータに使用する電力用半導体装置に関する。

エンジンとモータを併用するハイブリッド電気自動車では、自動車固有のエンジンシステムに加えて、モータ、インバータ、電池等のハイブリッドシステムをエンジンルームやトランクルームなどの限られた空間内に配置する必要がある。このため、各々の部品を小型化する要請は強く、このことは電力用半導体装置についても同様である。

しかし、電力用半導体装置を構成するパワーモジュールは、その発熱量の大きさから冷却フィンに取り付けられることが不可欠である。通常複数のパワーモジュールを使用する場合、広い面積の冷却フィンにパワーモジュールを平面的に配置する。しかし、こうすると全体レイアウトの自由度がなくなり電力用半導体装置の小型化も困難になる。

また、パワーモジュールの放熱面を冷却フィンに密着させる際、通常ネジで直接モールド樹脂部分を締め付ける。ここで、樹脂にクリープが発生して上記締め付けが緩むことがあるため、剛性の高い金属板をパワーモジュールと冷却フィンとの間に挟み込んでネジを締め込み、ネジの軸力による樹脂への応力を分散させている。しかし、この方法では樹脂のクリープによる圧接力の低下を防止するのには十分ではない。

なお、特許文献１は放熱板にモジュールが装着された電気自動車用冷却装置の例を開示している。特許文献２は放熱体の外側に半導体素子が装着された電動機の制御装置の例を開示している。特許文献３はコ字形の放熱板にモジュールが装着されたパワーモジュール設置構造の例を開示している。特許文献４は円筒状の冷却ジャケットの例を開示している。更に、特許文献５はモジュール本体と制御基板の間にコイルバネが設けられた半導体モジュールの例を開示している。
特開平０６−０２４２７９号公報特開２００３−３３３７０２公報特開２００４−２１５３４０公報特開２００２−２１６８６０公報特開２００３−３３８５９２公報

本発明は、冷却フィンを取り付ける電力用半導体装置の全体形状をコンパクト化することを目的とする。

本発明は、上記目的を達成するためになされたものである。本発明に係る電力用半導体装置は、
モールド樹脂でカバーされたモールド面と、これに対向する放熱面とを有する少なくとも一対のパワーモジュールと、
前記パワーモジュールのそれぞれの前記モールド面が互いに当接し、前記放熱面が当接するように、前記パワーモジュールを挟持する一対の冷却フィンとを備えたことを特徴とする。

本発明を利用することにより、冷却フィンを取り付けることを必須とする電力用半導体装置において、全体形状をコンパクト化できる。

以下、図面を参照して本発明に係る好適な実施の形態を説明する。

実施の形態１

図１は、本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置１の斜視図である。但し、内部構造をわかりやすくするため、一部（冷却フィンの一部）を除いて示している。図２は、本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置１で利用されるトランスファーモールド型パワーモジュール２の斜視図である。

まず図１０において、ハイブリッド電気自動車などで利用される一般的な電力用半導体装置１の斜視図を示す。図１０に示すように、トランスファーモールド型パワーモジュール２は、放熱面を平坦な冷却装置（冷却フィン１６）の上面に接合させて、冷却装置（冷却フィン１６）上面に複数配置される。冷却装置内部には適宜水路が形成されており、冷却液が入水口１８から注入され水路を通過し出水口２０から排出される。放熱面を冷却装置上面に接合するパワーモジュール２で発生する熱は、水路を通過する冷却液により冷却される。しかし、図１０に示されるように、冷却装置（冷却フィン１６）が平面方向に大きな面積を有するため、コンパクト化が要請される場面では図１０に示されるような形状は好ましいものでない。このことを踏まえて実施の形態１を説明する。

図２に示すように実施の形態１に係る電力用半導体装置１で利用されるパワーモジュール２は、平坦な直方体であり二つの平坦な主面を備える。平坦面（第１の主面）の一方及び側面は樹脂モールドされており、もう一方の平坦面（第２の主面）は熱伝導率の高い金属板で略覆われている。パワーモジュール２は主端子８と信号端子１０を備える。主端子８はＣ端子（コレクタ端子）とＥ端子（エミッタ端子）である。

実施の形態１に係る電力用半導体装置１では、このようなパワーモジュール２を２個の対の単位で利用する。即ち、２個のパワーモジュール２において、樹脂の露出する平坦面（即ち、モールド面）６を向かい合わせに金属板の露出する平坦面（即ち、放熱面）４を外向けにして、対にして利用する。図１に示すように、トランスファーモールド型パワーモジュール２の２個ずつの対を、放熱面４を揃えて３対並べる。対の数は３対より多くても少なくてもよい。このとき後で説明するように、信号端子１０がパワーモジュール２の側面から上方に突出し主端子８が逆の側面から下方に突出するようにパワーモジュール２の向きが揃えられている。そして、２つの冷却フィン１６により３対の（６個の）トランスファーモールド型パワーモジュール２を挟む。このとき、パワーモジュール２の放熱面４、若しくはパワーモジュール２の放熱面４に対向する冷却フィン１６の吸熱部位（図示せず。）には、熱伝導性の高いシリコーングリースが塗布される。その上で２つの冷却フィン１６の吸熱部位（図示せず。）がそれぞれの放熱面４に圧接されて、３対のトランスファーモールド型パワーモジュール２を挟むようにして固定される。圧接・固定の手段は図示していないが、２つの冷却フィン１６が３対のトランスファーモールド型パワーモジュール２を挟み放熱面４を圧接した上で装置全体を固定するものであればよく、例えば螺着のための適当なネジ穴を冷却フィン１６若しくはパワーモジュール２に設けそこにネジを通し締めて固定するというものでもよい。

図１に示されるように冷却フィン１６は略同一の形状である。また、図１の一部除去部分に示されるように冷却フィン１６の内部の略全体には、適切な水路２４が複数形成されている。さらに、いずれか一方の冷却フィン１６には入水口１８が設けられその近傍に出水口２０が設けられている。パイプ２２は外部に開口する水路同士を繋いでおり、冷却フィン間にて若しくはそれぞれの冷却フィンにて設けられている。そして、冷却液が入水口１８から入り水路２４及びパイプ２２を通過し出水口２０から排出されるように、入水口１８、水路２４、パイプ２２及び出水口２０が接続されている。更にこのとき、水路２４の冷却液が効率よく且つ均等に６面の放熱面４から発熱を奪うように水路２４及びパイプ２２が構成されている。

図１に示す電力用半導体装置１においては、冷却液は図面下方の入水口１８から注入され、図面左下方の冷却フィン１６の上部の水路２４を通過し、パイプ２２ａを通過し、図面右上方の冷却フィン１６の上部の水路２４を通過し、パイプ２２ｃを通過し、図面右上方の冷却フィン１６の下部の水路２４を通過し、パイプ２２ｂを通過し、図面左下方の冷却フィン１６の上部の水路２４を通過し、そして図面下方の出水口２０から排出される。

一般に、半導体素子などの内部構成部品を樹脂でトランスファーモールド成形する場合、構成部品の配置、材料、および線膨張係数が異なることに起因して、モールド樹脂は不均一に硬化することがある。これにより、放熱面４およびモールド面６にうねりや反りが生じ、放熱面４と冷却フィン１６の間に隙間が生じて、パワーモジュールの冷却性が損なわれ得る。
しかし、本実施形態によれば、一対の冷却フィン１６が放熱面４全体にかかる固定圧力でパワーモジュール２を確実に圧接することにより、こうしたうねりや反りを容易に矯正するとともに、パワーモジュール２を効率よく冷却することができる。

また、図２に示すように、信号端子１０がパワーモジュール２の一つの側面（第１の側面）から突出し主端子８がその裏側の側面（第２の側面）から突出しているが、主端子８は放熱面４側に略垂直に曲げられている。

図３は、制御基板２８を信号端子１０に接続し平行配線板２６を主端子８に配線した（平行配線板２６により主回路配線した）状態の電力用半導体装置１の側面図及び一部断面図である（冷却フィン１６部分を断面図で示している）。図４は、図１に示される電力用半導体装置１の底面図である。図１、図３及び図４に示すように、６個のパワーモジュール２において信号端子１０は外向きの同一の方向（第１の方向、図１・図３の上方）から取り出されており、主端子８も外向きの同一の方向（第２の方向、図１・図３の下方）から取り出されている。端子（主端子８、信号端子１０）が同じ方向から取り出されていることにより、主回路配線や信号配線が容易になる。

ここで一対の冷却フィン１６には以下のような機能も備わる。主端子８に流れる大容量の直流電流がスイッチングされるとき、電磁障害（ＥＭＩ）が発生し、制御回路が誤作動する可能性がある。この点に関して、主端子８から生じる電磁ノイズ、とりわけパッケージ樹脂でカバーされた主端子の一部から生じる電磁ノイズを、好都合にも、パワーモジュール２を挟持する冷却フィン１６により遮断して、制御基板２８上の制御回路が誤作動することを防止することができる。すなわち、一対の冷却フィン１６は、電磁ノイズのシールドプレート（遮蔽板）として機能し、別体の遮蔽板を設ける必要がない。これにより、電力用半導体装置の製造コストを低減し、その構成を簡略化することができる。

更に図３に示す電力用半導体装置１において、信号端子１０と接続している制御基板２８は、パワーモジュール２の主面と垂直方向に配置されている。このように制御基板２８を配置すると信号端子１０を短くできる。信号端子１０を短くすることで、制御基板２８の耐ノイズ性の向上、装置全体の小型化、及び低コスト化を図ることができる。制御基板２８と信号端子１０との接続には、はんだによる接合やコネクタが利用される。

主端子８は平行配線板２６と接続するように冷却フィン１６側に直角に曲げられその曲げられた部分に穴が設けられ、その穴を介して平行配線板２６にボルト３４及びナット３６で固定されている。主端子８が直角に曲げられることにより平行配線板２６やバスバーへの接続が容易になっている。

平行配線板２６は、モールド面６側を向かい合わせにして配置される２個のパワーモジュール２において向かい合うＣ（コレクタ）端子とＥ（エミッタ）端子（及びＥ端子とＣ端子）を接続する（図４参照）。先ず１枚の平行配線板２６がＣ端子とＥ端子を接続した上でＡＣ出力端子４０と接続している。別の１枚の平行配線板２６は残りのＥ端子とＣ端子をそれぞれ裏面と表面の別々の配線に接続しＤＣ入力端子３８に別々にそれら配線を接続している。図３に示す電力用半導体装置１では、更にＥ端子・Ｃ端子とＤＣ入力端子３８の配線の途中に平滑コンデンサ３０が接続されている。

図５（ａ）は、平行配線板２６の平面図であって、上側および下側の導電性パターンと、図４に示す一対のパワーモジュール２とを示す。なお、図４が底面図で、図５（ａ）が平面図であるので、Ｃ端子とＥ端子が逆に図示されていることに留意されたい。図５（ｂ）および図５（ｃ）は、図５（ａ）の５Ｂ−５Ｂ線および５Ｃ−５Ｃ線で切断された断面図である。

とりわけ、平行配線板２６は、例えば、Ｕ−，Ｖ−，Ｗ−出力などの１つのＡＣ出力端子に電気的に接続された導電性材料からなるＡＣパターンを表面上に有している。また、平行配線板２６は、負極および正極のＤＣ入力端子（図示せず）にそれぞれ接続された導電性材料からなるＤＣ負極パターン５６およびＤＣ正極パターン５８を有する。ＤＣ負極パターン５６およびＤＣ正極パターン５８は、互いに対向するように、平行配線板２６の表面および裏面上に形成されている。すなわち、図４に示す一対のパワーモジュール２が平行配線板２６上に実装されたとき、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、第１のパワーモジュールのＣ端子（１−Ｃ）と第２のパワーモジュールのＥ端子（２−Ｅ）が、導電性材料からなるねじとナットを用いて、平行配線板２６の表面上のＡＣパターン５４に電気的に接続される。同様に、図５（ａ）および図５（ｃ）に示すように、第１のパワーモジュールのＥ端子（１−Ｅ）は、導電性材料からなるねじとナットを用いて、正極パターン５８に電気的に接続される一方、第２のパワーモジュールのＣ端子（２−Ｃ）は、例えば、絶縁性材料からなるねじと導電性材料からなるナットを用いて、負極パターン５６に電気的に接続される。

一般に、電力用半導体装置において、大容量のＤＣ電流が対向する負極パターン５６および正極パターン５８を流れるので、負極パターン５６および正極パターン５８のインダクタンスを極力抑えて、電力損失を低減することが求められる。インダクタンスを極力抑えるためには、例えば、平滑コンデンサ３０に至るまでの負極パターン５６および正極パターン５８の配線長を低減するか、負極パターン５６および正極パターン５８の断面領域の周囲長さを増大させるか、あるいは負極パターン５６および正極パターン５８の間のギャップを小さくすることが求められる。この実施形態によれば、負極パターン５６および正極パターン５８は、平行配線板２６の表面および裏面に互いに対向するように形成されているので、負極パターン５６および正極パターン５８の間のギャップを極力低減して、電力用半導体装置のインダクタンスを低減することができる。

実施の形態２

図６は、本発明の実施の形態２に係る電力用半導体装置１の底面図である。なお、実施の形態２に係る電力用半導体装置１は、実施の形態１に係る電力用半導体装置１と略同一であり、同一部位には同一符号を付して説明を省略する。

図４の底面図に示されるように、実施の形態１に係る電力用半導体装置１では対になる２個のパワーモジュール２において、Ｃ端子とＥ端子（若しくはＥ端子とＣ端子）が対向するようにパワーモジュール２が配置されている。ここで対になる２個のパワーモジュール２は同一の形態（同一の形状及び同一の回路構成）のものである。

実施の形態２に係る電力用半導体装置１では、図６に示すように、対になる２個のパワーモジュール２のＣ端子とＣ端子、及びＥ端子とＥ端子が対向するように、即ち、同種類の主端子同士が対向するようにパワーモジュールが形成されている。即ち、対になる２個のパワーモジュール２は主端子８の配置が逆になっており、モールド面６同士を合わせることで、Ｃ端子とＣ端子、及びＥ端子とＥ端子が対向する。

実施の形態２に係る電力用半導体装置１では、対になる２個のパワーモジュール２にて同種類の主端子同士をバスバーなどで接続することにより電流容量を容易に２倍にすることができる。

実施の形態３

図７は、本発明の実施の形態３に係る電力用半導体装置１の側面図及び一部断面図である（冷却フィン１６部分を断面図で示している）。なお、実施の形態３に係る電力用半導体装置１は、実施の形態１に係る電力用半導体装置１と略同一であり、同一部位には同一符号を付して説明を省略する。

図３に示される実施の形態１に係る電力用半導体装置１を利用する回路構成の例では、平行配線板２６上に平滑コンデンサ３０を接続している。実施の形態３に係る電力用半導体装置１では、図７に示すように、平滑コンデンサが平坦な平滑用セラミックコンデンサ４２で構成され、該平滑用セラミックコンデンサ４２は対となる２個のパワーモジュール１６の間に挟み込まれる。その上で２つの冷却フィン１６がそれぞれのパワーモジュール２の放熱面４を圧接し３対のパワーモジュール２を挟むようにして、装置全体を固定する。セラミックコンデンサ４２の端子４４はパワーモジュール２の主端子８と同様に、直角に曲げられその曲げられた部分に穴が設けられ、その穴を介して平行配線板２６にボルト３４及びナット３６で固定される。セラミックコンデンサ４４をパワーモジュール２に挟んで設置することにより、電力用半導体装置１を利用する回路のインダクタンスを低減することができる。ここでの平滑用セラミックコンデンサ４２にて、２個のパワーモジュール２のモールド面６に圧接される２つの面は平行且つ平面であることが好ましい。

対になる２個のトランスファーモールド型パワーモジュール２の間には、目的に応じて別のものを挟んでもよい。図８には、対になるパワーモジュール２の間に板バネ５０を挟む形態を示している。対になるパワーモジュール２の間に板バネ５０を挟むことにより、パワーモジュール２の厚みの差により生じる冷却フィン１６とパワーモジュール２の間の隙間がなくなり、どの放熱面４からも略均一に冷却を行なうことができる。

また、ネジでパワーモジュール２のモールド樹脂部分を挟んで締め付ける場合、樹脂にクリープが発生してネジの締め付けが緩むことがあるが、対になるパワーモジュール２の間に板バネ５０を挟めば、ネジの軸力による樹脂への応力を分散させることができ、樹脂のクリープによる圧接力の低下を防止することができる。

実施の形態４

図９は、本発明の実施の形態４に係る電力用半導体装置１を構成するトランスファーモールド型パワーモジュール２の斜視図である。なお、実施の形態４に係る電力用半導体装置１は、実施の形態１に係る電力用半導体装置１と略同一であり、同一部位には同一符号を付して説明を省略する。

図９に示されるパワーモジュール２のモールド面６には、モールド面６の中心線（鉛直方向）４８に関して線対称の位置に突起１２と凹部１４とが設けられている。突起１２と凹部１４とは、対になる２個のパワーモジュールのモールド面を向かい合わせて設置したとき、対向する突起１２と凹部１４が嵌合するような、形状・サイズとされている。このようにすることで、対になる２個のパワーモジュール２の相対的な位置がずれることがなく、装置全体の組み立てが容易になる。

なお、上記の中心線は（図９における）鉛直方向のものであるが、線対称な図形をなしているモールド面６が有する別の対称軸を中心線としてもよい。例えば、長方形たるモールド面６の中心を通り且つ（図９における）水平方向のものを中心線としてもよく、この中心線を基準として突起と凹部が設けられてもよい。

本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の斜視図である。但し、内部構造をわかりやすくするため、一部（冷却フィンの一部）を除いて示している。本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置で利用されるトランスファーモールド型パワーモジュールの斜視図である。制御基板を信号端子に接続し平行配線板を主端子に配線した状態の電力用半導体装置の側面図及び一部断面図である。冷却フィン部分を断面図で示している。本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置の底面図である。本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置における平行配線板の平面図（図５（ａ））である。更に、図５（ａ）の５Ｂ−５Ｂ線および５Ｃ−５Ｃ線で切断された断面図（図５（ｂ）、図５（ｃ））である。本発明の実施の形態２に係る電力用半導体装置の底面図である。本発明の実施の形態３に係る電力用半導体装置の側面図及び一部断面図である。冷却フィン部分を断面図で示している。本発明の実施の形態３に係る電力半導体装置の別例の側面図及び一部断面図である。冷却フィン部分を断面図で示している。本発明の実施の形態４に係る電力用半導体装置を構成するトランスファーモールド型パワーモジュールの斜視図である。一般的な電力用半導体装置の斜視図である。

符号の説明

２トランスファーモールド型パワーモジュール、４放熱面、６モールド面、８主端子、１０信号端子、１２突起、１４凹部、１６冷却フィン、１８入水口、２０出水口、２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃパイプ、２４水路、２６平行配線板、２８制御基板、３０平滑コンデンサ、３２電子部品、３４ボルト、３６ナット、３８ＤＣ入力端子、４０ＡＣ出力端子、４２セラミックコンデンサ、４４端子、４８中心線、５０板バネ、５４ＡＣパターン、５６ＤＣ負極パターン、５８ＤＣ正極パターン。

Claims

電力用半導体装置であって、
モールド樹脂でカバーされたモールド面と、これに対向する放熱面とを有する少なくとも一対のパワーモジュールと、
前記パワーモジュールのそれぞれの前記モールド面が互いに当接し、前記放熱面が当接するように、前記パワーモジュールを挟持する一対の冷却フィンとを備えたことを特徴とする電力用半導体装置。
請求項１に記載の電力用半導体装置であって、
前記パワーモジュールのそれぞれは、一対の主端子と、少なくとも１つの信号端子とを有し、更に互いに対向する第１及び第２の側面を含み、
前記パワーモジュールの主端子が前記第１の側面から延び、信号端子が前記第２の側面から延びることを特徴とする電力用半導体装置。
請求項２に記載の電力用半導体装置であって、
前記一対のパワーモジュールは、第１及び第２のパワーモジュールからなり、
前記主端子は、エミッタ端子及びコレクタ端子からなり、
前記第１のパワーモジュールの前記エミッタ端子が前記第２のパワーモジュールの前記コレクタ端子と対向し、
前記第１のパワーモジュールの前記コレクタ端子が前記第２のパワーモジュールの前記エミッタ端子と対向することを特徴とする電力用半導体装置。
請求項３に記載の電力用半導体装置であって、
一対の端子を有する平滑コンデンサと、
前記パワーモジュール及び前記平滑コンデンサを実装するための配線基板とを更に有し、
前記配線基板は、前記平滑コンデンサの一方の前記端子を前記第１のパワーモジュールの前記エミッタ端子に電気的に接続するための正極パターンと、前記平滑コンデンサの他方の前記端子を前記第２のパワーモジュールの前記コレクタ端子に電気的に接続するための負極パターンとを有し、前記正極パターン及び前記負極パターンが互いに対向するように配線基板の下面及び上面に形成されていることを特徴とする電力用半導体装置。
請求項２に記載の電力用半導体装置であって、
前記一対のパワーモジュールは、第１及び第２のパワーモジュールからなり、
前記主端子は、エミッタ端子及びコレクタ端子からなり、
前記第１のパワーモジュールの前記エミッタ端子が前記第２のパワーモジュールの前記エミッタ端子と対向し、
前記第１のパワーモジュールの前記コレクタ端子が前記第２のパワーモジュールの前記コレクタ端子と対向することを特徴とする電力用半導体装置。
請求項２に記載の電力用半導体装置であって、
前記信号端子に電気的に接続された制御基板を更に有することを特徴とする電力用半導体装置。
請求項２に記載の電力用半導体装置であって、
前記パワーモジュールの各主端子は、配線基板に実装するための折曲部を有することを特徴とする電力用半導体装置。
請求項１に記載の電力用半導体装置であって、
前記一対のパワーモジュールの前記モールド面の間に挟持された平滑コンデンサを更に有することを特徴とする電力用半導体装置。
請求項１に記載の電力用半導体装置であって、
前記一対の冷却フィンは第１及び第２の冷却フィンからなり、各冷却フィンは一対の冷却路を有し、
前記一対の冷却フィンの一方の冷却路が第１のパイプを介して互いに流体連通し、
前記一対の冷却フィンの他方の冷却路が第２のパイプを介して互いに流体連通し、
前記第１の冷却フィンが入水口及び出水口を有し、
前記第２の冷却フィンがその一方の冷却路から他方の冷却路に流体連通させる第３のパイプを有し、
これにより冷却液は、前記冷却路及び前記第１、第２、第３のパイプを介して、前記入水口から前記出水口まで循環することを特徴とする電力用半導体装置。
請求項１に記載の電力用半導体装置であって、
前記一対のパワーモジュールの前記モールド面の間に挟持されたばねを更に有することを特徴とする電力用半導体装置。
請求項１に記載の電力用半導体装置であって、
前記一対のパワーモジュールは、第１及び第２のパワーモジュールからなり、
前記第１及び第２のパワーモジュールは、モールド面に突起部と凹部を有し、
前記第１のパワーモジュールの突起部及び凹部が前記第２のパワーモジュールの凹部及び突起部にそれぞれ嵌合するように、前記突起部及び前記凹部が形成されていることを特徴とする電力用半導体装置。
請求項１１に記載の電力用半導体装置であって、
前記突起部及び前記凹部は、モールド面の中心点を通る任意の中心線に対して線対称の位置に配置されることを特徴とする電力用半導体装置。