JP2006165174A - 基板処理装置及び基板処理装置の基板搬送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 カセット容器からのウエハ搬送タイミングを各処理室の処理時間に合わせることにより，各処理室での稼働率を向上させて装置全体のスループットを向上させる。
【解決手段】 ウエハに所定の処理を施すための複数の処理室１４０Ａ，１４０Ｂ（Ｐ１，Ｐ２）を有する処理ユニット１１０と，この処理ユニットに接続される搬送ユニット１２０と，カセット容器１３４Ａ，１３４Ｂに収容されるウエハを処理ユニットへ搬送する搬送ユニット側搬送機構１７０と，搬送ユニットから搬送されるウエハを処理室へ搬送する処理ユニット側搬送機構１８０とを備える基板処理装置１００であって，各処理室Ｐ１，Ｐ２におけるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐ２に基づいて，各処理室ごとにカセット容器から各処理室へ向けて搬送されるウエハの搬送タイミングを求め，この搬送タイミングに従ってカセット容器からを搬出する制御部１９０を備えた。
【選択図】 図１

Description

本発明は，例えば半導体ウエハ，ガラス基板（例えば液晶基板）などの被処理基板に対して所定の処理を施すための基板処理装置及び基板処理装置の基板搬送方法に関する。

この種の基板処理装置は，一般に，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する）に対して所定の処理を行う複数の処理室を有する処理ユニットと，この処理ユニットにロードロック室を介して接続される搬送ユニットを備える（例えば特許文献１参照）。

例えばクラスタツール型の基板処理装置であれば，上記処理ユニットは，例えば特許文献１の図６に記載されているように，多角形に形成された共通搬送室の周囲に上記複数の処理室及びロードロック室を気密に接続して構成される。共通搬送室内には搬送アームなどで構成される処理ユニット側搬送機構が設けられ，この処理ユニット側搬送機構によって複数の処理室及びロードロック室との間でウエハの搬出入が行われる。搬送ユニットにおいても，搬送アームなどで構成される搬送ユニット側搬送機構が設けられ，この搬送ユニット側搬送機構によって，ウエハが収容されるカセット容器（基板収納容器）と上記ロードロック室との間でウエハの搬出入が行われる。

このような基板処理装置において，カセット容器に収納されたウエハに対して所定の処理を施す場合には，先ず搬送ユニットにおいて搬送ユニット側搬送機構によってカセット容器から未処理ウエハが搬出される。カセット容器から搬出された未処理ウエハは，ロードロック室へ搬入される前に，搬送ユニットに設けられた位置決め装置（例えばオリエンタ，プリアライメントステージ）へ搬入されて位置決めされる。位置決めされた未処理ウエハは，位置決め装置から搬出されてロードロック室へ搬入される。

ロードロック室へ搬入された未処理ウエハは，処理ユニット側搬送機構によりロードロック室から搬出され，処理室へ搬入されて所定の処理が施される。処理室での処理が完了した処理済ウエハは，処理ユニット側搬送機構により処理室から搬出され，ロードロック室へ戻される。ロードロック室へ戻された処理済ウエハは，搬送ユニット側搬送機構によりカセット容器に戻される。

このような基板処理装置における各処理室での処理のスループットを向上させるためには未処理ウエハを処理室にできる限り接近させて待機させることが望ましいことから，処理室での処理を行っている間でもカセット容器から未処理ウエハを次々と搬出させて，これらのウエハを共通搬送室，ロードロック室，位置決め装置などで待機させるようになっている。そして，処理室で１枚のウエハの処理が完了すると，処理済ウエハは直ちにカセット容器へ収容させ，上記各待機中の未処理ウエハを順送りして次の未処理ウエハを直ちに処理室へ搬入させるようになっている。

また，各処理室で並行してウエハの処理を行う場合には，各処理室の稼働率を向上させるためにも，各処理室で処理されるウエハをどのような搬送タイミングでカセット容器から搬出するかを決めることが重要である。この点，従来は，カセット容器から次の未処理ウエハを搬出する際に，各処理室で行われている処理の残存時間を比較して，その残存時間が最短である処理室で処理される未処理ウエハをカセット容器から検出して搬出していた。これによれば，例えば処理の残存時間が短い処理室ほど早く次のウエハの処理が可能となるため，その残存時間が短い順にカセット容器からウエハを搬出することにより，各処理室の稼働率を向上させることができる。

特開２００２−２３７５０７号公報

ところで，各処理室では例えばエッチング処理や成膜処理など異種の処理が行われたり，同種の処理でもその処理条件が異なる処理が行われたりすることが多いので，各処理室におけるウエハの処理時間（例えばウエハが搬入されてからそのウエハの処理が終了して搬出され次のウエハが搬入可能となるまでの時間）は互いに相違する場合が多い。

しかしながら，上述したような従来のものでは，カセット容器から次の未処理ウエハを搬出する際に専ら各処理室の処理の残存時間のみに着目して，その残存時間の短い順にカセット容器から次の未処理ウエハを搬出するような搬送タイミングであったため，上述したような各処理室の処理時間の相違までは考慮されていなかった。

このため，例えば処理時間が長い処理室の方が，処理時間が短い処理室よりもウエハ処理の残存時間が短ければ，処理時間が長い処理室のウエハの方が先にカセット容器から搬出されてそのようなウエハが共通搬送室，ロードロック室，位置決め装置などで長い間待機し，処理時間が短い処理室のウエハをカセット容器から搬出することができない事態が生じ，かえって処理室の稼働率が低下して基板処理装置全体のスループットが低下してしまうという問題があった。

より具体的に説明すると，例えば処理時間が長い処理室Ｐ１の処理と処理時間が短い処理室Ｐ２の処理とが並行して実行されている場合，処理時間が長い処理室Ｐ１の方が処理の残存時間が短ければ，その処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１が次にカセット容器から取出される対象となってしまう。

この場合には，例えば共通搬送室では既に処理室Ｐ１で次に処理される別のウエハが待機しているため，処理室Ｐ１の処理が終了してカセット容器からウエハＷ_Ｐ１が搬出されたとしてもそのウエハＷ_Ｐ１は直ぐには処理できない。これは，既に共通搬送室，ロードロック室，位置決め装置などで待機されているウエハが順送りされても，処理室Ｐ１に先に搬入された別のウエハの処理が終了するまでは，カセット容器から搬出されたウエハＷ_Ｐ１は共通搬送室，ロードロック室，位置決め装置などに待機することになるからである。

これでは，処理時間が短い処理室Ｐ２での処理が直ぐに終了して未稼働となっていても，処理時間が短い処理室Ｐ２で処理されるウエハＷ_Ｐ２をカセット容器から搬出することができなくなる。このため，処理時間が短い処理室Ｐ２に余計な待ち時間が生じてしまうので，処理室Ｐ２の稼働率が低下して基板処理装置全体のスループットが低下してしまう。

そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，各処理室で被処理基板を並行して処理する際に，基板収納容器からの被処理基板の搬送タイミングを各処理室の処理時間に合わせることができ，これにより各処理室での稼働率を向上させ，基板処理装置全体のスループットを向上させることができる基板処理装置及び基板処理装置の基板搬送方法を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，被処理基板に所定の処理を施すための複数の処理室を有する処理ユニットと，この処理ユニットに接続される搬送ユニットと，前記搬送ユニットに設けられ，基板収納容器に収容される前記被処理基板を前記処理ユニットへ搬送する搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニットに設けられ，前記搬送ユニットから搬送される前記被処理基板を前記処理室へ搬送する処理ユニット側搬送機構とを備える基板処理装置であって，前記各処理室における前記被処理基板の処理時間に基づいて，前記各処理室ごとに前記基板収納容器から前記各処理室へ向けて搬送される前記被処理基板の搬送タイミングを求め，この搬送タイミングに従って前記基板収納容器から前記被処理基板を搬出する制御手段を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に所定の処理を施すための複数の処理室を有する処理ユニットと，この処理ユニットに接続される搬送ユニットと，前記搬送ユニットに設けられ，基板収納容器に収容される前記被処理基板を前記処理ユニットへ搬送する搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニットに設けられ，前記搬送ユニットから搬送される前記被処理基板を前記処理室へ搬送する処理ユニット側搬送機構とを備える基板処理装置の基板搬送方法であって，前記各処理室における前記被処理基板の処理時間に基づいて，前記各処理室ごとに前記基板収納容器から前記各処理室へ向けて搬送される前記被処理基板の搬送タイミングを求め，前記被処理基板への処理を行う際には，前記搬送タイミングに従って前記基板収納容器から前記被処理基板を搬出することを特徴とする基板処理装置の基板搬送方法が提供される。

上記装置又は方法によれば，各処理室における被処理基板の処理時間に基づいて前記各処理室ごとに予め求められた搬送タイミングに従って基板収納容器から被処理基板を搬出させるので，各処理室で被処理基板を並行して処理する際に，基板収納容器からの被処理基板の搬送タイミングを各処理室の処理時間に合わせることができ，これにより各処理室での稼働率を向上させ，基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。例えば処理時間が長い処理室で処理される被処理基板は長い間隔で基板収納容器から搬出し，処理時間が短い処理室で処理される被処理基板は短い間隔で基板収納容器から搬出させることができる。これにより，従来のように処理時間が長い処理室の被処理基板が共通搬送室，ロードロック室，位置決め装置などで長い間待機して，処理時間が短い処理室の被処理基板を基板収納容器から搬出することができない事態をなくすことができるので，各処理室での稼働率を向上させ，基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。

また，上記装置又は方法において，前記被処理基板の搬送タイミングは，例えば前記基板収納容器から前記被処理基板を搬出する際における各処理室ごとの前記被処理基板の搬出数比及び搬出間隔である。ここで，被処理基板の搬出数比とは基板収納容器から搬出される各処理室ごとの被処理基板の搬出数比であり，また被処理基板の搬出間隔とは基板収納容器から搬出される各処理室ごとの被処理基板の搬出間隔である。

この場合，上記被処理基板の搬出数比は，前記各処理室の前記被処理基板の処理時間に基づいて決定された基準搬出間隔の各区間内に各処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数に基づいて求め，前記被処理基板の搬出間隔は，前記各処理室ごとに前記基準搬出間隔で前記被処理基板の搬出数比の枚数を，前記各処理室の前記被処理基板の処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とすることが望ましい。

このような方法で基板収納容器からの被処理基板の搬送タイミングを求めることによって，例えばある処理室で被処理基板の処理を行っている時間内に，別の処理室で処理可能な最大の枚数だけ被処理基板の処理を行うことができるので，各処理室の処理待ち時間を減少させて，各処理室の稼働率を向上させることができる。また，各処理室ごとに同じ基準搬出間隔で１枚ずつ又は複数枚ずつ被処理基板を基板収納容器から搬出することにより，基板収納容器から搬出されるタイミングは各処理室の被処理基板ごとに，例えば各処理室の被処理基板ごとに最初の１枚を搬送するときに生じるスタートタイミングのずれ時間の分だけ常にずれるので，被処理基板が搬出されるタイミングが同時になることはない。これにより，各処理室においてウエハ搬出待ちによる待ち時間が生じないようにすることができる。

また，上記装置又は方法において，前記被処理基板の搬出数比は，例えば前記各処理室の前記被処理基板の処理時間に基づいて，仮に前記各処理室のうち処理時間が最も長い処理室の処理時間を前記基準搬出間隔とした場合に，その基準搬出間隔の区間内に他の処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数に基づいて求める。このように，被処理基板の搬出数比を処理時間が最も長い処理室の処理時間に基づいて基準搬出間隔を決定することにより，基準搬出間隔の決め方が容易となるので，被処理基板の搬出数比を算出し易くすることができる。

また，上記装置又は方法において，前記基準搬出間隔は，前記各処理室における基準搬出間隔の各区間内の待ち時間に基づいて，その待ち時間が短くなるように決定することが望ましい。これにより，各処理室の待ち時間を最適化することができるので，基板搬送装置全体のスループットをより一層向上させることができる。

上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板収納容器に収容される複数の前記被処理基板をそれぞれ，処理されるべき処理室へ向けて，予め求められた搬送タイミングで順次搬送することによって，複数の処理室で並行して前記被処理基板に対する処理を施す基板処理装置の基板搬送方法であって，前記搬送タイミングは，前記各処理室における前記被処理基板の処理時間に基づいて決定される基準搬出間隔の区間内における前記各処理室ごとの前記被処理基板の搬出数比を求める工程と，前記被処理基板の搬出数比に基づいて前記各処理室ごとの前記被処理基板の搬出間隔を求める工程とを有することを特徴とする基板処理装置の基板搬送方法が提供される。

また，上記方法において，上記被処理基板の搬出数比を求める工程は，仮に前記各処理室のうち処理時間が最も長い処理室において１枚の前記被処理基板を処理する処理時間を前記基準搬出間隔とした場合に，その基準搬出間隔の区間内に他の処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数ｎを求める工程と，仮に前記処理時間が最も長い処理室において１枚の被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合の前記基準搬出間隔の区間内における前記他の処理室の待ち時間を求める工程と，仮に前記他の処理室においてｎ＋１枚の前記被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合の前記基準搬出間隔の区間内における前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間を求める工程と，これらの待ち時間を比較して，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が前記他の処理室の待ち時間以下の場合には，前記基準搬出間隔を前記処理時間が最も長い処理室において１枚の被処理基板を処理する処理時間に決定するとともに前記被処理基板の搬出数比を１：ｎとし，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が前記他の処理室の待ち時間より大きい場合には，前記基準搬出間隔を前記他の処理室においてｎ＋１枚の前記被処理基板を処理する処理時間に決定するとともに前記被処理基板の搬出数比を１：ｎ＋１とする工程とを有してもよい。

この場合，上記被処理基板の搬出間隔を求める工程は，前記被処理基板の搬出数比が１：ｎの場合には，前記処理時間の最も長い処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔で１枚ずつ搬出する間隔とし，前記他の処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｎ枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とし，前記被処理基板の搬出数比が１：ｎ＋１の場合には，前記処理時間の最も長い処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔で１枚ずつ搬出する間隔とし，前記他の処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｎ＋１枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とする工程を有してもよい。

このように，被処理基板の搬出数比を処理時間が最も長い処理室の処理時間に基づいて基準搬出間隔を決定することにより，基準搬出間隔の決め方が容易となるので，被処理基板の搬出数比を算出し易くすることができる。さらに，処理時間が最も長い処理室と他の処理室のいずれかの待ち時間が最も短くなるように基準搬出間隔を決定し，基準搬出間隔に基づいて，基板収納容器からの被処理基板の搬送タイミング（例えば被処理基板の搬出数比及び被処理基板の搬出間隔）を求めので，各処理室の待ち時間を最適化することができるため，基板搬送装置全体のスループットをより一層向上させることができる。

また，上記方法において，前記被処理基板の搬出数比を求める工程は，仮に前記各処理室のうち処理時間が最も長い処理室においてｍ枚の前記被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合に，その基準搬出間隔の区間内に他の処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数ｎを求める工程と，仮に前記処理時間が最も長い処理室においてｍ枚の被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合の前記基準搬出間隔の区間内における前記他の処理室の待ち時間を求める工程と，仮に前記他の処理室においてｎ＋１枚の前記被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合の前記基準搬出間隔の区間内における前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間を求める工程と，前記ｍを変えて前記被処理基板の最大枚数ｎ，前記他の処理室の待ち時間，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間を求め，前記他の処理室の待ち時間及び前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が最小となるようなｍ，ｎを決定する工程と，決定したｍ，ｎのときの前記他の処理室の待ち時間及び前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間を比較して，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が前記他の処理室の待ち時間以下の場合には前記基準搬出間隔を前記処理時間が最も長い処理室においてｍ枚の被処理基板を処理する処理時間に決定するとともに前記被処理基板の搬出数比をｍ：ｎとし，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が前記他の処理室の待ち時間より大きい場合には，前記基準搬出間隔を前記他の処理室においてｎ＋１枚の前記被処理基板を処理する処理時間に決定するとともに前記被処理基板の搬出数比をｍ：ｎ＋１とする工程とを有してもよい。

この場合，前記被処理基板の搬出間隔を求める工程は，前記被処理基板の搬出数比がｍ：ｎの場合には，前記処理時間の最も長い処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｍ枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とし，前記他の処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｎ枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とし，前記被処理基板の搬出数比がｍ：ｎ＋１の場合には，前記処理時間の最も長い処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｍ枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とし，前記他の処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｎ＋１枚ずつを，その処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とする工程を有してもよい。

これによれば，被処理基板の搬出数比を処理時間が最も長い処理室の処理時間のｍ倍の時間に基づいて基準搬出間隔を決定することにより，基準搬出間隔の決め方が容易となるので，被処理基板の搬出数比を算出し易くすることができる。さらに，処理時間が最も長い処理室と他の処理室のいずれかの待ち時間が最小となるように基準搬出間隔を決定し，基準搬出間隔に基づいて，基板収納容器からの被処理基板の搬送タイミング（例えば被処理基板の搬出数比及び被処理基板の搬出間隔）を求めるので，各処理室の待ち時間を最適化することができるため，基板搬送装置全体のスループットをより一層向上させることができる。

以上説明したように本発明によれば，各処理室で被処理基板を並行して処理する際に，基板収納容器からの被処理基板の搬送タイミングを各処理室の処理時間に合わせることができ，これにより各処理室での稼働率を向上させ，基板処理装置全体のスループットを向上させることができる基板処理装置及び基板処理装置の基板搬送方法を提供できるものである。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す図である。この基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う複数の処理ユニット１１０と，この処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。搬送ユニット１２０は，ウエハＷを搬送する際に共用される搬送室１３０を有している。

搬送ユニット１２０の搬送室１３０は，例えばＮ_２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される断面略多角形状の箱体により構成されている。搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３２（ここでは１３２Ａ及び１３２Ｂ）が並設されている。これらカセット台１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ，基板収納容器の１例としてのカセット容器１３４Ａ，１３４Ｂを載置可能に構成されている。

各カセット容器１３４Ａ，１３４Ｂには，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ_２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へゲートバルブ１３６Ａ，１３６Ｂを介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。

ここでは，カセット容器１３４Ａ，１３４Ｂにはそれぞれ，後述する処理室１４０Ａ，１４０Ｂで処理されるウエハが収納される。但し，どのウエハがどの処理室で処理されるかがわかっていれば，必ずしも各処理室１４０Ａ，１４０Ｂで処理されるウエハがそれぞれカセット容器１３４Ａ，１３４Ｂに分けて収納されている必要はない。例えばカセット容器１３４Ａ又は１３４Ｂの一方又は両方に各処理室１４０Ａ，１４０Ｂで処理されるウエハが混在していてもよい。また，図１では例えば各カセット台１３２Ａ，１３２Ｂに２台のカセット容器１３４Ａ，１３４Ｂをそれぞれ１台ずつ載置することができる例を挙げているが，カセット台とカセット容器の数はこれに限られず，例えば３台以上であってもよい。

搬送室１３０の端部，すなわち断面略多角形状の短辺を構成する一測面には，内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備えた位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３７が設けられている。このオリエンタ１３７は，ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行うものである。

処理ユニット１１０は，ウエハに例えば成膜処理（例えばプラズマＣＶＤ処理）やエッチング処理（例えばプラズマエッチング処理）などの所定の処理を施すための処理室１４０（１４０Ａ，１４０Ｂ）を有している。各処理室１４０Ａ，１４０Ｂで行われる処理は同種の処理であってもよく，また異なる処理であってもよい。各ウエハは予め制御部のメモリなどに記憶されたエッチング処理などの処理工程等を示す情報（プロセス・レシピ）に基づいて各処理室１４０Ａ，１４０Ｂにおいて所定の処理が施される。各ウエハがどの処理室で処理されるものかについては，例えば上記プロセス・レシピにより判断してもよい。処理ユニット１１０は，処理室１４０Ａ，１４０Ｂにウエハを搬出入する共通搬送室１５０を備える。共通搬送室１５０は多角形（例えば六角形）に形成されており，その周りに上記各処理室１４０Ａ，１４０Ｂがそれぞれゲートバルブ１４４Ａ，１４４Ｂを介して配設されている。

上記各処理室１４０Ａ，１４０Ｂは，ウエハＷに対して例えば同種の処理または互いに異なる異種の処理を施すようになっている。各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内には，ウエハＷを載置するための載置台１４２Ａ，１４２Ｂがそれぞれ設けられている。なお，処理室１４０は２つに限定されるものではなく，さらに追加して設けてもよい。

共通搬送室１５０の周りには，上記搬送ユニット１２０と接続する真空準備室の１例としての第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎが配設されている。具体的には，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの先端は，共通搬送室１５０の周りにゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）１５４Ｍ，１５４Ｎをそれぞれ介して接続されており，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの基端は，搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する他側面にゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）１６２Ｍ，１６２Ｎをそれぞれ介して接続されている。

第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎは，真空引き可能に構成されており，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスさせる機能を有している。なお，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎは，さらに冷却機構や加熱機構を有するように構成してもよい。

このように，共通搬送室１５０と各処理室１４０Ａ，１４０Ｂとの間及び共通搬送室１５０と上記各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され，クラスタツール化されており，必要に応じて共通搬送室１５０内と連通可能になっている。また，上記第１及び第２の各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎと上記搬送室１３０との間も，それぞれ気密に開閉可能に構成されている。

共通搬送室１５０内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる処理ユニット側搬送機構１８０が設けられている。この処理ユニット側搬送機構１８０は各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及び各処理室１４０Ａ，１４０Ｂにアクセス可能となっている。例えば上記各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎへウエハが搬入されると，そのウエハは処理ユニット側搬送機構１８０によりそのウエハが処理される処理室１４０Ａ又は１４０Ｂに搬入される。

処理ユニット側搬送機構１８０は，２つのピックを有するダブルアーム機構より構成されており，一度に２枚のウエハを取り扱うことができるようになっている。これにより，例えば各処理室１４０Ａ，１４０Ｂに対してウエハを搬出入する際に，処理済ウエハと未処理ウエハとを交換することができる。なお，処理ユニット側搬送機構１８０のピックの数は上記のものに限られず，例えば１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。

上記搬送室１３０内には，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する搬送ユニット側搬送機構１７０が設けられている。搬送ユニット側搬送機構１７０が固定される基台１７２は，搬送室１３０内の中心部を長さ方向に沿って設けられた案内レール１７４上にスライド移動可能に支持されている。この基台１７２と案内レール１７４にはそれぞれ，リニアモータの可動子と固定子とが設けられている。案内レール１７４の端部には，このリニアモータを駆動するためのリニアモータ駆動機構１７６が設けられている。リニアモータ駆動機構１７６には，制御部１９０が接続されている。これにより，制御部１９０からの制御信号に基づいてリニアモータ駆動機構１７６が駆動し，搬送ユニット側搬送機構１７０が基台１７２とともに案内レール１７４に沿って矢印方向へ移動するようになっている。

搬送ユニット側搬送機構１７０についても，処理ユニット側搬送機構１８０と同様に，２つのピックを有するダブルアーム機構より構成されており，一度に２枚のウエハを取り扱うことができるようになっている。これにより，例えばカセット容器１３４，オリエンタ１３７，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎなどに対してウエハを搬出入する際に，ウエハを交換するように搬出入することができる。なお，処理ユニット側搬送機構１８０のピックの数は上記のものに限られず，例えば１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。

上記基板処理装置１００には，上記各搬送機構１７０，１８０，各ゲートバルブ１３６，１４４，１５４，１６２，オリエンタ１３７などの制御の他，後述するカセット容器１３４からのウエハの搬送タイミングを求める処理やそのウエハ搬送タイミングに基づいてカセット容器１３４からウエハを搬出する制御なども含めてこの基板処理装置全体の動作を制御する制御部１９０が設けられている。制御部１９０は，例えばこの制御部１９０の本体を構成するマイクロコンピュータ，各種のデータ等を記憶するメモリなどを備える。

（基板処理装置の動作）
次に，上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。搬送ユニット側搬送機構１７０によりカセット容器１３４Ａ又は１３４Ｂから搬出されたウエハＷは，オリエンタ１３７まで搬送されてオリエンタ１３７の回転載置台１３８に移載され，ここで位置決めされる。位置決めされたウエハは，オリエンタ１３７から搬出されてロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内へ搬入される。このとき処理済ウエハがロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎにあれば，処理済ウエハを搬出してから，未処理ウエハを搬入する。

ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ搬入されたウエハは，処理ユニット側搬送機構１８０によりロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎから搬出され，そのウエハが処理される処理室１４０Ａ又は１４０Ｂへ搬入されて所定の処理が施される。処理室１４０Ａ又は１４０Ｂでの処理が完了した処理済ウエハは，処理ユニット側搬送機構１８０により処理室１４０Ａ又は１４０Ｂから搬出され，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ戻される。ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ戻された処理済ウエハは，搬送ユニット側搬送機構１７０によりカセット容器１３４Ａ又は１３４Ｂに戻される。

そして，処理室１４０Ａ又は１４０Ｂでの処理のスループットを向上させるためには未処理ウエハを処理室にできる限り接近させて待機させることが望ましいことから，処理室１４０Ａ又は１４０Ｂでの処理を行っている間でもカセット容器１３４Ａ又は１３４Ｂから未処理ウエハを次々と搬出させて，これらのウエハを共通搬送室１５０，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ，オリエンタ１３７などで待機させる。処理室１４０Ａ又は１４０Ｂで１枚のウエハの処理が完了すると，処理済ウエハは直ちにカセット容器１３４Ａ又は１３４Ｂへ戻し，上記各待機中の未処理ウエハを順送りして共通搬送室１５０で待機している次の未処理ウエハを直ちに処理室１４０Ａ又は１４０Ｂへ搬入させる。

このような基板処理装置１００において，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂで並行してウエハの処理を行う場合には，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂの稼働率を向上させるためにも，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂで処理されるウエハをどのような搬送タイミングでカセット容器１３４Ａ又は１３４Ｂから搬出するかを決めることが重要である。そこで，このような搬送タイミングを求める処理を含めた本実施形態にかかる基板搬送方法について以下に説明する。

（基板処理装置の基板搬送方法）
本実施形態にかかる基板搬送方法は，各処理室の処理時間に基づいて予め求められたウエハ搬送タイミングに基づいて，搬送ユニット側搬送機構１７０により各カセット容器１３４からウエハを搬出する点に特徴がある。このように，各処理室の処理時間に応じたウエハ搬送タイミングで各カセット容器１３４からウエハが搬出されるので，処理時間が互いに相違する複数の処理室においてウエハの連続処理が並行して行われる場合でも，各処理室に処理時間の相違による余計な待ち時間が生じることはないため，基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。なお，ここでいう各処理室の処理時間とは，１枚のウエハの処理に必要な時間（例えばプロセス時間を含む）をいい，例えば各処理室において１枚のウエハが搬入された時点から，そのウエハの処理が終了して搬出され，次のウエハが搬入可能となるまでの時間をいう。

上記ウエハ搬送タイミングは，例えばウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔により決定される。ここで，ウエハ搬出数比とはカセット容器１３４から搬出される各処理室ごとのウエハ搬出数の比であり，またウエハ搬出間隔とはカセット容器１３４から搬出される各処理室ごとのウエハ搬出間隔である。例えばウエハ１枚当たりの処理時間が最も長い処理室をＰ１とするとともに他の処理室をＰｋ（ｋ＝２，３…）とし，処理室Ｐ１におけるウエハ１枚当たりの処理時間をＴ_Ｐ１とするとともに他の処理室Ｐｋにおけるウエハ１枚当たりの処理時間をＴ_Ｐｋとし，処理室Ｐ１で処理されるウエハをＷ_Ｐ１とするとともに他の処理室Ｐｋで処理されるウエハをＷ_Ｐｋとすると，ウエハ搬出数比は各処理室Ｐ１，Ｐｋの各処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋに応じてカセット容器１３４から搬出されるウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐｋとの搬出数比である。また，ウエハ搬出間隔は，上記ウエハ搬出数比でカセット容器１３４から搬出されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの各搬出間隔である。

なお，基板処理装置が備える処理室の数が３つ以上の場合においては，他の処理室Ｐｋごとにそれぞれ，ウエハの処理時間が最も長い処理室Ｐ１との関係でウエハ搬送タイミングを求める。具体的には例えば３つの処理室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を備える基板処理装置であれば，処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との関係でウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求める。また，ウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングは，処理室Ｐ１と処理室Ｐ３との関係で求める。このように，ウエハの処理時間が最も長い処理室Ｐ１と他の処理室Ｐｋとの関係でウエハ搬送タイミングを求めるのは，最も長い処理時間Ｔ_Ｐ１を基準にした方が各処理室で処理されるウエハの最適な搬送タイミングを求め易いからである。

次に，上記ウエハ搬送タイミングの求め方について説明する。ウエハ搬送タイミングは各処理室Ｐ１，Ｐｋの各処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋに応じて，次のように求めることができる。ここでは，例えば図１に示すように２つの処理室を備える基板処理装置１００を例に挙げて説明する。基板処理装置１００の処理室１４０Ａ，１４０Ｂのうち，処理時間が最も長い処理室をＰ１，他の処理室をＰ２とする。

例えば各処理室Ｐ１，Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐ２の比（Ｔ_Ｐ１：Ｔ_Ｐ２）が２：１であるとすれば，処理室Ｐ１における１枚のウエハＷ_Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１内に処理室Ｐ２では２枚のウエハＷ_Ｐ２の処理を行うことができる。このため，ウエハ搬出数比を１：２とする。この場合，各処理室Ｐ１，Ｐ２での処理が終了してから次のウエハの処理が行われることから，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２のウエハ搬出間隔は各処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐ２ごととする。

これにより，各処理室Ｐ１，Ｐ２でそれぞれ処理されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２は，それぞれ処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐ２ごとの搬出間隔で１枚ずつ搬出される。このとき，処理時間Ｔ_Ｐ１は処理時間Ｔ_Ｐ２の２倍であるから，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１が１枚搬出されるごとに，処理室Ｐ２で処理されるウエハＷ_Ｐ２は２枚搬出される。

このように，本実施形態ではカセット容器１３４からのウエハ搬送タイミングを各処理室Ｐ１，Ｐｋの各処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋに応じて求めるため，このようなウエハ搬送タイミングによれば，処理時間が長い処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１は処理時間Ｔ_Ｐ１に応じた長い間隔でカセット容器１３４から搬出させるとともに，処理時間が短い処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋは処理時間Ｔ_Ｐｋに応じた短い間隔でカセット容器１３４から搬出させることができる。これにより，従来のように処理時間が長い処理室Ｐ１のウエハＷ_Ｐ１が共通搬送室１５０，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ，オリエンタ１３７などで長い間待機して，処理時間が短い処理室ＰｋのウエハＷ_Ｐｋをカセット容器１３４から搬出することができない事態をなくすことができるので，各処理室Ｐ１，Ｐｋでの稼働率を向上させ，基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。

ところで，搬送ユニット側搬送機構１７０は１つしかないので，例えば図１に示すような２つの処理室を備える基板処理装置１００では，例えば図５に示すように処理室Ｐ１で処理する最初のウエハＷ_Ｐ１が搬出されるスタートタイミングｔ_１１から，他の処理室Ｐ２で処理される最初のウエハＷ_Ｐ２が搬出されるスタートタイミングｔ_１２まで，搬送ユニット側搬送機構１７０の動作サイクル分だけずれ時間Ｔ_Ｓ２が生じる。搬送ユニット側搬送機構１７０の動作サイクルとは例えば次のような一連の動作を示す。先ず搬送ユニット側搬送機構１７０によりカセット容器１３４からウエハを搬出してオリエンタ１３７へ向けて搬送する。次いで，オリエンタ１３７にアクセスしてそのウエハを位置決め済ウエハと交換する。次いで，位置決め済ウエハをロードロック室１６０Ｎ又は１６０Ｍへ向けて搬送し，ロードロック室１６０Ｎ又は１６０Ｍで位置決め済ウエハを処理済ウエハと交換する。最後に，処理済ウエハをカセット容器１３４へ戻す。図５に示す具体例ではこのような一連の動作にかかる時間，すなわちスタートタイミングのずれ時間Ｔ_Ｓ２を例えば２０ｓｅｃとしている。

しかも，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１が１枚ずつ搬出される搬出間隔と，処理室Ｐ２で処理されるウエハＷ_Ｐ２が２枚ずつ搬出される搬出間隔とは等しいため，これらの搬出間隔の各区間は上述したスタートタイミングのずれ時間Ｔ_Ｓｋの分だけ常にずれることになる。このため，ウエハＷ_Ｐ１がカセット容器１３４から搬出されるタイミングと，ウエハＷ_Ｐ２がカセット容器１３４から搬出されるタイミングとが同時になることはない。従って，このようなウエハ搬送タイミングでカセット容器１３４からウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋが搬出されれば，各処理室Ｐ１，Ｐ２においてはウエハ搬出待ちによる待ち時間が生じることはない。

このように，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が，ちょうど処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋの整数倍（例えばｎ倍）となる場合には，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１が１枚ずつ搬出される搬出間隔と，処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋが上記整数倍の枚数（例えばｎ枚）ずつ搬出される搬出間隔とは等しいので，これら搬出間隔は上述したスタートタイミングのずれ時間Ｔ_Ｓｋの分だけ常にずれることになる。このため，各処理室Ｐ１，Ｐｋにおいてウエハ搬出待ちによる待ち時間が生じることはない。なお，この場合のウエハ搬送タイミングとしては，各処理室Ｐ１，Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋについてのウエハ搬出間隔をそれぞれ各処理室Ｐ１，Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋごととすれば足りる。これによって自ずとウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋについてのウエハ搬出数比が決まってくるからである。

ところが，実際にウエハ処理を行う際には，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が，ちょうど処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋの整数倍にならない場合が多い。このような場合には，たとえウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの搬出に上述したようなスタートタイミングのずれ時間が生じても，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの各搬出間隔は異なるので，ウエハＷ_Ｐ１がカセット容器１３４から搬出されるタイミングと，ウエハＷ_Ｐｋがカセット容器１３４から搬出されるタイミングとが同時になる場合が生じる。この場合には，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２のいずれかにウエハ搬出待ちが生じるので，結果として各処理室Ｐ１，Ｐ２のいずれかの処理に待ち時間が生じてしまい，その分だけ基板搬送装置全体のスループットが低下してしまう。

そこで，本発明では，カセット容器１３４からウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２が搬出される際にウエハ搬出待ちが生じないように，カセット容器１３４からウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋを１枚ずつ又は複数枚ずつ同じ基準搬出間隔Ｔｘで搬出されるように搬送タイミングを求める。

具体的には，先ず，各処理室Ｐ１，Ｐｋの各処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋに基づいて，カセット容器１３４からウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋを搬出する際の基準となる基準搬出間隔Ｔｘを決定する。そして，この基準搬出間隔Ｔｘの区間内で処理可能なウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの最大枚数ｍ，ｎをそれぞれ求める。

この場合，例えばウエハ搬送タイミングとして，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出数比をｍ：ｎ，ウエハ搬出間隔をそれぞれ処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋとする。これにより，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１については基準搬出間隔Ｔｘでｍ枚ずつが，処理時間Ｔ_Ｐ１ごとに１枚ずつカセット容器１３４から搬出されるとともに，処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋについては上記と同じ基準搬出間隔Ｔｘでｎ枚ずつが，処理時間Ｔ_Ｐｋごとに１枚ずつカセット容器１３４から搬出される。この場合，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋは，基準搬出間隔Ｔｘの各区間内にそれぞれｍ枚，ｎ枚搬出するタイミングが各処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋごとであれば，連続して搬出されるようにしてもよいし，必ずしも連続して搬出されなくてもよい。

このように，各処理室Ｐ１，ＰｋでウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋを並行して処理する際に，カセット容器１３４からのウエハ搬送タイミングを各処理室Ｐ１，Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋに合わせることができる。しかも，上述したようなウエハ搬送タイミングによれば，例えば処理室Ｐ１でウエハＷ_Ｐ１の処理を行っている時間内に，別の処理室Ｐｋで処理可能な最大の枚数だけウエハＷ_Ｐｋの処理を行うことができるので，各処理室Ｐ１，Ｐｋの処理待ち時間を減少させて，各処理室の稼働率を向上させることができる。これにより基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。

さらに，カセット容器１３４からウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋを１枚ずつ又は複数枚ずつ同じ基準搬出間隔Ｔｘのタイミング（サイクル）で搬出することにより，カセット容器１３４からウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋが搬出される各タイミングは，上述したスタートタイミングのずれ時間Ｔ_Ｓｋの分だけ常にずれるので，カセット容器１３４からウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋが搬出されるタイミングが同時になることはない。これにより，各処理室Ｐ１，Ｐ２においてウエハ搬出待ちによる待ち時間が生じないようにすることができる。

また，上記の場合，基準搬出間隔ＴｘからウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの枚数ｍ，ｎの処理時間を引いた残り時間はそれぞれ，各基準搬出間隔Ｔｘにおける各処理室Ｐｋ，Ｐ１の待ち時間となる。従って，この待ち時間ができる限り少なくなるように，基準搬出間隔Ｔｘを決定することが好ましい。例えば処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１をｍ倍したＴ_Ｐ１・ｍを基準搬出間隔Ｔｘとすれば，処理室Ｐ１の待ち時間をなくすことができ，また処理時間Ｔ_Ｐｋ×ｎ又は処理時間Ｔ_Ｐｋを（ｎ＋１）倍したＴ_Ｐｋ・（ｎ＋１）を基準搬出間隔Ｔｘとすれば処理室Ｐｋの待ち時間をなくすことができる。

このように，処理室Ｐ１，Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐ２の組合せに応じて，処理室Ｐ１，Ｐ２のいずれかの待ち時間が最も短くなるように基準搬出間隔Ｔｘを決定し，基準搬出間隔Ｔｘに基づいて，カセット容器１３４からのウエハの搬送タイミング（例えばウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔）を求める。これにより，各処理室Ｐ１，Ｐ２の待ち時間を最適化することができるので，基板搬送装置全体のスループットをより一層向上させることができる。なお，このようなウエハ搬送タイミングの求め方は，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が，ちょうど処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋの整数倍になるか否かにかかわらず適用できる。

なお，基板処理装置が備える処理室の数が３つ以上の場合においては，他の処理室Ｐｋごとにそれぞれ，ウエハの処理時間が最も長い処理室Ｐ１との関係でウエハ搬送タイミングを求める。但し，この場合，基準搬出間隔Ｔｘを統一するため，例えば最初に他の処理室Ｐ２についてのウエハ搬送タイミングを求める際に基準搬出間隔Ｔｘが決定されると，その他の処理室Ｐ３，Ｐ４，…，Ｐｋ_ｅｎｄについてのウエハ搬送タイミングを求める場合には，既に決定された上記基準搬出間隔Ｔｘを用いる。なお，他の処理室Ｐｋごとに処理室Ｐ１との関係で待ち時間を求め，この待ち時間が最小となるように基準搬出間隔Ｔｘを求めるようにしてもよい。

（ウエハ搬送タイミングを求める処理の具体例）
次に，上述したウエハ搬送タイミングの求め方に基づいて行われるウエハ搬送タイミングを求める処理の具体例について図面を参照しながら説明する。図２は，本実施形態にかかるウエハ搬送タイミングを求める処理を示すフローチャートである。なお，ウエハ搬送タイミングを求める処理は，例えば所定のプログラムにより構成され，このプログラムに基づいて制御部１９０により実行される。例えば上記プログラムは制御部１９０のメモリや外部接続されたホスト装置のハードディスク装置などの記憶媒体に予め記憶され，制御部１９０は上記記録媒体からこれらのプログラムを読取って実行する。

ウエハ搬送タイミングを求める処理としては，図２に示すように，先ずステップＳ１１０にて各処理室でのウエハ処理時間を比較して，ウエハ１枚当りの処理時間が最も長い処理室をＰ１とし，他の処理室をＰｋ（ｋ＝２，３，…，ｋ_ｅｎｄ）とする。ここで，ｋ_ｅｎｄは基板処理装置１００が備える処理室数である。例えば図１に示す基板処理装置１００は２つの処理室１４０Ａ，１４０Ｂを備えるので，ウエハ１枚当りの処理時間が最も長いのが処理室１４０Ａであるとすれば，処理室１４０Ａを処理室Ｐ１とし，処理室１４０Ｂを処理室Ｐ２とする。

続いて，ステップＳ１２０にて処理室Ｐ１でのウエハ１枚当りの処理時間をＴ_Ｐ１とし，他の処理室Ｐｋでのウエハ１枚当りの処理時間をＴ_Ｐｋとする。なお，処理室Ｐ１及び他の処理室Ｐｋ（ｋ＝２，３，…，ｋ_ｅｎｄ）の順番は，処理時間が長い処理室の順とすることが望ましい。例えば３つの処理室を備える基板処理装置において，ウエハ１枚当りの処理時間が長い順に，処理室Ｐ１，処理室Ｐ２，処理室Ｐ３とする。

次いで，ステップＳ１３０，Ｓ１４０にてウエハ搬送タイミングを求める処理を行う。すなわち，ステップＳ１３０にてウエハ搬出数比を求める処理を行い，ステップＳ１４０にてウエハ搬出間隔を求める処理を行う。ここで，ステップＳ１３０におけるウエハ搬出数比を求める処理の具体例を図３に示し，ステップＳ１４０におけるウエハ搬出間隔を求める処理の具体例を図４に示す。図３，図４の処理は，基準搬出間隔Ｔｘで処理可能なウエハＷ_Ｐ１の最大枚数ｍを１とした場合，すなわちウエハ１枚当りの処理時間が最も長い処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１を基準として基準搬出間隔Ｔｘを決定する場合の処理である。図５は，図２〜図４により求められたウエハ搬送タイミングによってカセット容器１３４からウエハが搬出された場合に各処理室Ｐ１，Ｐ２で処理されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の処理スケジュールを示す図である。図５は，横軸に時間をとり，２つの処理室Ｐ１，Ｐ２で処理されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の処理スケジュールをそれぞれ棒グラフにより表したものである。

（ウエハ搬出枚数比を求める処理の具体例）
ここで，先ず上記ウエハ搬出数比を求める処理の具体例について図３を参照しながら説明する。図３に示すように，ステップＳ２１０にて仮にウエハ１枚当りの処理時間が最も長い処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１を基準搬出間隔Ｔｘとした場合に，その基準搬出間隔Ｔｘの区間内（ここでは処理時間Ｔ_Ｐ１内）に他の処理室Ｐｋで処理可能なウエハＷ_Ｐｋの最大枚数ｎを求める。処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１内に，他の処理室Ｐｋで処理可能な枚数だけウエハＷ_Ｐｋをカセット容器から搬出することによって，処理室Ｐｋの待ち時間を可能な限り少なくするためである。

具体的には例えば下記の数式（１−１）及び（１−２）がともに成立するように，ウエハＷ_Ｐｋの枚数ｎを求める。なお，下記数式（１−１）及び（１−２）において，Ｔ_Ｐ１は処理室Ｐ１における１枚当たりのウエハＷ_Ｐ１の処理時間，Ｔ_Ｐｋは他の処理室Ｐｋにおける１枚当たりのウエハＷ_Ｐｋの処理時間，ｎはｎ≧１を満たす整数であり，ｋは上述したようにｋ≧２を満たす整数である。また，下記数式（１−１），（１−２）等におけるドット「・」は積記号を示す（以下同様）。

Ｔ_Ｐ１≧Ｔ_Ｐｋ・ｎ …（１−１）

Ｔ_Ｐ１＜Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１） …（１−２）

以下のステップＳ２２０〜Ｓ２８０にて処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１と処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）のうち，待ち時間が短くなる方（基準搬出間隔Ｔｘが短くなる方）を基準搬出間隔Ｔｘとして決定し，各処理室Ｐ１，Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出数比を求める。このように，基準搬出間隔Ｔｘとして処理室Ｐ１，Ｐｋの待ち時間が短い方を採用することにより，処理室Ｐ１，Ｐｋのすべてにおいて，処理の待ち時間を短くすることができる。これにより，基板処理装置全体で待ち時間の最適化を図ることができる。

具体的には，ステップＳ２２０にて仮に処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１を基準搬出間隔Ｔｘとした場合の他の処理室Ｐｋの待ち時間Ｔ_Ｗｋを下記数式（１−３）により求め，ステップＳ２３０にて仮に処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）を基準搬出間隔Ｔｘとした場合の処理室Ｐ１の待ち時間Ｔ_Ｗ１を下記数式（１−４）により求める。

Ｔ_Ｗｋ＝Ｔ_Ｐ１−Ｔ_Ｐｋ・ｎ …（１−３）

Ｔ_Ｗ１＝Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）−Ｔ_Ｐ１ …（１−４）

次いで，ステップＳ２４０にて上記各待ち時間Ｔ_Ｗ１，Ｔ_Ｗｋを比較して，どちらの待ち時間の方が短いか判断する。具体的には例えば待ち時間Ｔ_Ｗｋが待ち時間Ｔ_Ｗ１以下（Ｔ_Ｗｋ≦Ｔ_Ｗ１）か否かを判断する。ステップＳ２４０にてＴ_Ｗｋ≦Ｔ_Ｗ１であると判断した場合，すなわち待ち時間Ｔ_Ｗｋの方が短い（又は待ち時間Ｔ_Ｗ１，Ｔ_Ｗｋがともに等しい）と判断した場合には，ステップＳ２５０にて各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの基準搬出間隔Ｔｘを下記数式（１−５）に示すように処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１に決定し，ステップＳ２６０にて各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）を１：ｎとする。

Ｔｘ＝Ｔ_Ｐ１＝Ｔ_Ｐｋ・ｎ＋Ｔ_Ｗｋ …（１−５）

こうして得られた基準搬出間隔Ｔｘ（＝Ｔ_Ｐ１＝Ｔ_Ｐｋ・ｎ＋Ｔ_Ｗｋ）によれば，その区間ごとにおいて，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１は１枚搬出されて，処理室Ｐ１の待ち時間は０となるとともに，処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋはｎ枚搬出されて，処理室Ｐｋの待ち時間はＴ_Ｗｋとなる。

これに対して，ステップＳ２４０にてＴ_Ｗｋ≦Ｔ_Ｗ１でないと判断した場合，すなわち待ち時間Ｔ_Ｗ１の方が短いと判断した場合には，ステップＳ２７０にて各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの基準搬出間隔Ｔｘを下記数式（１−６）に示すように処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）に決定し，ステップＳ２８０にて各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）を１：ｎ＋１とする。

Ｔｘ＝Ｔ_Ｐ１＋Ｔ_Ｗ１＝Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１） …（１−６）

こうして得られた基準搬出間隔Ｔｘ（＝Ｔ_Ｐ１＋Ｔ_Ｗ１＝Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１））によれば，その区間ごとにおいて，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１は１枚搬出され，処理室Ｐ１の待ち時間はＴ_Ｗ１となるとともに，処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋはｎ＋１枚搬出され，処理室Ｐｋの待ち時間は０となる。なお，図３に示す処理で得られた基準搬出間隔Ｔｘ及びウエハ搬出数比などは，制御部１９０のメモリなどに記憶される。

（ウエハ搬出間隔を求める処理の具体例）
次に，ウエハ搬出間隔を求める処理の具体例について図４を参照しながら説明する。ここでは，図３に示すウエハ搬出数比を求める処理により決定された基準搬出間隔Ｔｘによるウエハ搬出数比に基づいて，実際にカセット容器１３４からウエハを搬出する際の，各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出間隔を求める。

具体的には先ず図４に示すようにステップＳ３１０にて図３に示す処理で求められたウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）を制御部１９０のメモリなどから取出して，ウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）が１：ｎであるか又は１：ｎ＋１であるかを判断する。

ステップＳ３１０にてウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）が１：ｎであると判断した場合は，ステップＳ３２０にて処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔を，基準搬出間隔Ｔｘで１枚ずつ搬出する間隔とする。これにより，ウエハＷ_Ｐ１の方は例えば基準搬出間隔Ｔｘで１枚ずつ，すなわち処理時間Ｔ_Ｐ１ごとに１枚ずつカセット容器１３４から搬出される。この場合には，基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１となるので，例えば図５（ａ）の上側の処理スケジュールに示すように，処理室Ｐ１では待ち時間０でウエハＷ_Ｐ１が連続して処理される。

次いで，ステップＳ３３０にて処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋについてのウエハ搬出間隔を，基準搬出間隔Ｔｘにｎ枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐｋごとに１枚ずつ搬出する間隔とする。これにより，ウエハＷ_Ｐｋの方は例えば基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに，ｎ枚ずつ連続してカセット容器１３４から搬出されるとともに待ち時間Ｔ_Ｗｋだけ搬出待ちとなる。すなわち，ｎ枚が連続してカセット容器１３４から搬出された後に待ち時間Ｔ_Ｗｋだけ待ってから次のｎ枚が連続してカセット容器１３４から搬出される。この場合には，基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・ｎ＋Ｔ_Ｗｋとなるので，例えば図５（ａ）の下側の処理スケジュールに示すように，処理室Ｐｋでは基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに待ち時間Ｔ_ＷｋでウエハＷ_Ｐｋがｎ枚ずつ連続して処理される。なお，図５（ａ）は，ｋ＝２，ｎ＝３の場合の具体例である。

これに対して，ステップＳ３１０にてウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）が１：ｎ＋１であると判断した場合は，ステップＳ３４０にて処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔を，基準搬出間隔Ｔｘに１枚ずつ搬出する間隔とする。これにより，ウエハＷ_Ｐ１の方は例えば基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに，１枚ずつカセット容器１３４から搬出されるとともに待ち時間Ｔ_Ｗ１だけ搬出待ちとなる。すなわち，１枚がカセット容器１３４から搬出された後に待ち時間Ｔ_Ｗ１だけ待ってから次の１枚がカセット容器１３４から搬出される。この場合には，基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１＋Ｔ_Ｗ１となるので，例えば図５（ｂ）の上側の処理スケジュールに示すように，処理室Ｐ１では基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに待ち時間Ｔ_Ｗ１でウエハＷ_Ｐ１が１枚ずつ処理される。

次いで，ステップＳ３５０にて処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋについてのウエハ搬出間隔を，基準搬出間隔Ｔｘにｎ＋１枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐｋごとに１枚ずつ搬出する間隔とする。これにより，ウエハＷ_Ｐｋの方は例えば基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに，ｎ＋１枚ずつ連続してカセット容器１３４から搬出される。この場合，基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）となるので，例えば図５（ｂ）の下側の処理スケジュールに示すように，処理室Ｐｋでは基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに待ち時間０でウエハＷ_Ｐｋがｎ＋１枚ずつ連続して処理される。図５（ｂ）は，ｋ＝２，ｎ＝２の場合の具体例である。

こうして，図３，図４に示す処理で求められたウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔は，制御部１９０によりそのメモリなどに記憶される。そして，実際にウエハの処理を行う場合には，制御部１９０により図３，図４で求められたウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔をメモリなどから取得し，このウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔に基づいて，搬送ユニット側搬送機構１７０を制御し，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋをカセット容器１３４からそれぞれ搬出させる。

これにより，例えば処理時間が長い処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１はその処理時間Ｔ_Ｐ１に応じた長い間隔でカセット容器１３４から搬出され，処理時間が短い処理室Ｗ_Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋはその処理時間Ｔ_Ｐｋに応じて短い間隔でウエハから搬出されるので，従来のように処理時間が長い処理室Ｐ１のウエハＷ_Ｐ１が共通搬送室１５０，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ，オリエンタ１３７などで長い間待機して，処理時間が短い処理室Ｔ_ＰｋのウエハＷ_Ｐｋをカセット容器１３４から搬出することができなくなる事態が生じることはない。従って，各処理室Ｐ１，Ｐｋでの稼働率を向上させ，基板処理装置全体のスループットを従来以上に向上させることができる。

また，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋについては，それぞれ同じ基準搬出間隔Ｔｘのタイミング（サイクル）でカセット容器１３４から搬出されるので，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋにおける基準搬出間隔Ｔｘの各区間は，最初に処理されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋが搬出されるときに生じるスタートタイミングのずれ時間Ｔ_Ｓｋの分だけずれることになる。このため，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋが搬出されるタイミングが同時となることはない。なお，図３，図４に示す処理は，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が，ちょうど処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋの整数倍とならない場合のみならず，図５（ｃ）の処理スケジュールに示すように，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が，ちょうど処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋの整数倍となる場合であっても適用可能である。

（２つの処理室を備える基板処理装置に適用した場合）
次に，図１に示すような２つの処理室を備える基板処理装置において，図２〜図４に示すような搬送タイミングを求める処理を行った場合について，図５を参照しながら具体的な数値を挙げて説明する。図５では，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂにおける１枚当りのウエハの処理時間が２００ｓｅｃ，６０ｓｅｃの場合を同図（ａ）に示し，２００ｓｅｃ，７０ｓｅｃの場合を同図（ｂ）に示し，２００ｓｅｃ，５０ｓｅｃの場合を同図（ｃ）に示す。これらの場合はいずれも処理時間が最も長い処理室は処理室１４０Ａであるので，図２のステップＳ１１０，Ｓ１２０によれば，処理室１４０Ａが処理室Ｐ１，その処理時間がＴ_Ｐ１となり，他の処理室１４０Ｂが処理室Ｐ２，その処理時間がＴ_Ｐ２となる。

そして，図２のステップＳ１３０（例えば図３に示す処理）及びステップＳ１４０（例えば図４に示す処理）にて搬送タイミングを求める場合には，各処理室の処理時間によるので，以下，図５（ａ），（ｂ），（ｃ）に分けて説明する。

先ず，図５（ａ）の具体例について説明する。この具体例は，基準搬出間隔Ｔｘを処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１とした方が処理室の待ち時間が短くなる場合である。図５（ａ）に示す場合は，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が２００ｓｅｃであり，処理室Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ２が６０ｓｅｃであるので，図３に示すステップＳ２１０により，ｋ＝２として数式（１−１），（１−２）に当てはめると，これらの数式を満たすのはｎ＝３である。

続いて，ステップＳ２２０及びステップＳ２３０により，ｋ＝２として数式（１−３），（１−４）にそれぞれ数値を当てはめると，処理室Ｐ２の待ち時間Ｔ_Ｗ２＝２００−６０×３＝２０ｓｅｃ，処理室Ｐ１の待ち時間Ｔ_Ｗ１＝６０×４−２００＝４０ｓｅｃとなる。処理室Ｐ２の待ち時間Ｔ_Ｗ２（＝２０ｓｅｃ）の方が処理室Ｐ１の待ち時間Ｔ_Ｗ１（＝４０ｓｅｃ）よりも少ないため，ステップＳ２４０，Ｓ２５０，Ｓ２６０により，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１（＝２００ｓｅｃ）となり，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１，処理室Ｐ２で処理されるＷ_Ｐ２のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ２）は１：３となる。

次いで，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３２０，Ｓ３３０により，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）に１枚ずつ搬出する間隔となり，処理室Ｐ２で処理されるウエハＷ_Ｐ２についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）に３枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ２（＝６０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

このようなウエハ搬送タイミングによってカセット容器１３４から各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２が搬出されると，各処理室Ｐ１，Ｐ２の処理スケジュールは図５（ａ）に示すようになる。この場合には，処理室Ｐ１では待ち時間０でウエハＷ_Ｐ１が連続して処理される。一方，処理室Ｐ２では基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）ごとに待ち時間Ｔ_Ｗ２（＝２０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ２が３枚ずつ連続して処理される。

次に，図５（ｂ）の具体例について説明する。この具体例は，基準搬出間隔Ｔｘを処理室Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ２・（ｎ＋１）とした方が処理室の待ち時間が短くなる場合である。図５（ｂ）に示す場合は，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が２００ｓｅｃであり，処理室Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ２が７０ｓｅｃであるので，図３に示すステップＳ２１０により，ｋ＝２として数式（１−１），（１−２）に当てはめると，これらの数式を満たすのはｎ＝２である。

続いて，ステップＳ２２０及びステップＳ２３０によれば，ｋ＝２として数式（１−３），（１−４）にそれぞれ数値を当てはめると，処理室Ｐ２の待ち時間Ｔ_Ｗ２＝２００−７０×２＝６０ｓｅｃ，処理室Ｐ１の待ち時間Ｔ_Ｗ１＝７０×３−２００＝１０ｓｅｃとなる。処理室Ｐ１の待ち時間Ｔ_Ｗ１（＝１０ｓｅｃ）の方が処理室Ｐ２の待ち時間Ｔ_Ｗ２（＝６０ｓｅｃ）よりも少ないため，ステップＳ２４０，Ｓ２７０，Ｓ２８０により，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ２の処理時間７０ｓｅｃ×３（＝２１０ｓｅｃ）となり，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ２）は１：３となる。

次いで，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３４０，Ｓ３５０により，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）に１枚ずつ搬出する間隔となり，処理室Ｐ２で処理されるウエハＷ_Ｐ２についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）に３枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ２（＝７０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

このようなウエハ搬送タイミングによってカセット容器１３４から各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２が搬出されると，各処理室Ｐ１，Ｐ２の処理スケジュールは図５（ｂ）に示すようになる。この場合には，処理室Ｐ１では基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）ごとに待ち時間Ｔ_Ｗ１（＝１０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ１が連続して処理される。一方，処理室Ｐ２では基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）ごとに待ち時間０でウエハＷ_Ｐ２が３枚ずつ連続して処理される。

次に，図５（ｃ）の具体例について説明する。この具体例は，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１と処理室Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ２・ｎとが等しくなる場合である。この場合には，処理室Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ２・ｎ（又は処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１）を基準搬出間隔Ｔｘとすることにより，各処理室の待ち時間ともに０となる。図５（ｃ）に示す場合は，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が２００ｓｅｃであり，処理室Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ２が５０ｓｅｃであるので，図３に示すステップＳ２１０によれば，ｋ＝２として数式（１−１），（１−２）に当てはめると，これらの数式を満たすのはｎ＝４である。

続いて，ステップＳ２２０及びステップＳ２３０により，ｋ＝２として数式（１−３），（１−４）にそれぞれ数値を当てはめると，処理室Ｐ２の待ち時間Ｔ_Ｗ２＝２００−５０×４＝０ｓｅｃ，処理室Ｐ１の待ち時間Ｔ_Ｗ１＝５０×５−２００＝５０ｓｅｃとなる。処理室Ｐ１の待ち時間Ｔ_Ｗ１（＝０ｓｅｃ）の方が処理室Ｐ２の待ち時間Ｔ_Ｗ２（＝５０ｓｅｃ）よりも少ないため，ステップＳ２４０，Ｓ２７０，Ｓ２８０により，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ２の処理時間Ｔ_Ｐ２・ｎ（＝２００ｓｅｃ）となり，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ２）は１：４となる。

次いで，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３４０，Ｓ３５０により，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）に１枚ずつ搬出する間隔となり，処理室Ｐ２で処理されるウエハＷ_Ｐ２についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）に４枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ２（＝５０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

このようなウエハ搬送タイミングによってカセット容器１３４から各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２が搬出されると，各処理室Ｐ１，Ｐ２の処理スケジュールは図５（ｃ）に示すようになる。この場合には，処理室Ｐ１では基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）ごとに待ち時間０でウエハＷ_Ｐ１が連続して処理される。一方，処理室Ｐ２では基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）ごとに待ち時間０でウエハＷ_Ｐ２が４枚ずつ連続して処理される。

（３つ以上の処理室を備える基板処理装置に適用した場合）
次に，３つ以上の処理室を備える基板処理装置について，図２〜図４に示すような搬送タイミングを求める処理を行った場合について説明する。図６は３つ又は４つの処理室を備える基板処理装置の概略構成を示す図である。図６に示す基板処理装置２００は，図１に示す基板処理装置１００とほぼ同様の構成で，さらに室１４０Ｃ，１４０Ｄを共通搬送室１５０の両側部にゲートバルブ１４４Ｃ，１４４Ｄを介して接続したものである。ここで，例えば室１４０Ｃをウエハの処理を行う処理室として構成するとともに，室１４０Ｄを処理済ウエハの処理結果の測定など各種の検査を行う検査室として構成する場合には，３つの処理室を備える基板処理装置２００となり，室１４０Ｃ，１４０Ｄをともにウエハの処理を行う処理室として構成する場合には，４つの処理室を備える基板処理装置２００となる。なお，図６に示す基板処理装置２００では，さらにカセット台１３２Ｃを搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する一側面に設け，もう１つのカセット容器１３４Ｃを載置可能に構成している。例えばカセット容器１３４Ｃには処理室として構成される室１４０Ｃや室１４０Ｄで処理されるウエハを収納するようにしてもよい。

先ず，図６に示す基板処理装置２００を３つの処理室を備える基板処理装置として構成して，図２〜図４に示す搬送タイミングを求める処理を行った場合について，図７を参照しながら具体的な数値を挙げて説明する。図７は，図２〜図４によって求められた搬送タイミングによって処理される各処理室でのウエハの処理スケジュールを示す。図７は，横軸に時間をとり，３つの処理室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３で処理されるウエハの処理スケジュールをそれぞれ棒グラフにより表したものである。図７は，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ，１４０Ｃにおける１枚当りのウエハの処理時間が２００ｓｅｃ，７０ｓｅｃ，５０ｓｅｃの場合である。

この場合は処理時間が最も長い処理室は処理室１４０Ａであるので，図２のステップＳ１１０，Ｓ１２０によれば，処理室１４０Ａが処理室Ｐ１，その処理時間がＴ_Ｐ１となり，処理室１４０Ｂが処理室Ｐ２，その処理時間がＴ_Ｐ２となり，処理室１４０Ｃが処理室Ｐ３，その処理時間がＴ_Ｐ３となる。従って，この場合には，処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との関係でウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求め，ウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングは，処理室Ｐ１と処理室Ｐ３との関係で求める。但し，ウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングを求める場合には，基準搬出間隔Ｔｘを統一するため，ウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求める際に決定された基準搬出間隔Ｔｘを用いる。このようなウエハ搬送タイミングの求め方の詳細を以下に説明する。

先ず，処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との関係でウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求める。この場合は，図５（ｂ）の具体例と同様となるので，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ２の処理時間７０ｓｅｃ×３（＝２１０ｓｅｃ）となり，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ２）は１：３となる。ウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に１枚ずつ搬出する間隔となり，ウエハＷ_Ｐ２についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に３枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ２（＝７０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

次いで，処理室Ｐ１と処理室Ｐ３との関係で，処理室Ｐ３で処理されるウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングを求める。この場合，既に基準搬出間隔はＴｘ＝２１０ｓｅｃに決定されているので，これを用いてウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングを求める。具体的には例えば基準搬出間隔をＴｘ＝２１０ｓｅｃに固定して図３に示すステップＳ２１０，Ｓ２２０，Ｓ２６０の処理を行い，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３３０を行う。

すなわち，ステップＳ２１０により，ｋ＝３として数式（１−１），（１−２）に当てはめると，これらの数式を満たすのはｎ＝４である。続いてステップＳ２２０により，ｋ＝３として数式（１−３）にそれぞれ数値を当てはめると，処理室Ｐ３の待ち時間Ｔ_Ｗ３＝２１０−５０×４＝１０ｓｅｃとなり，ステップＳ２６０により，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１，処理室Ｐ３で処理されるＷ_Ｐ３のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ３）は１：４となる。次いで，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３３０により，処理室Ｐ３で処理されるウエハＷ_Ｐ３についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に４枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ３（＝５０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

このようなウエハ搬送タイミングによってカセット容器１３４から各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２，Ｗ_Ｐ３が搬出されると，各処理室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の処理スケジュールは図７に示すようになる。この場合には，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）ごとに，処理室Ｐ１では待ち時間Ｔ_Ｗ１（＝１０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ１が連続して処理され，処理室Ｐ２では待ち時間０でウエハＷ_Ｐ２が３枚ずつ連続して処理され，処理室Ｐ３では待ち時間Ｔ_Ｗ３（＝１０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ３が４枚ずつ連続して処理される。

次に，図６に示す基板処理装置２００を４つの処理室を備える基板処理装置として構成して，図２〜図４に示す搬送タイミングを求める処理を行った場合について，図８を参照しながら具体的な数値を挙げて説明する。図８は，図２〜図４によって求められた搬送タイミングによって処理される各処理室でのウエハの処理スケジュールを示す。図８は，横軸に時間をとり，４つの処理室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４で処理されるウエハの処理スケジュールをそれぞれ棒グラフにより表したものである。図８は，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ，１４０Ｃ，１４０Ｄにおける１枚当りのウエハの処理時間が２００ｓｅｃ，７０ｓｅｃ，６０ｓｅｃ，５０ｓｅｃの場合である。

この場合は処理時間が最も長い処理室は処理室１４０Ａであるので，図２のステップＳ１１０，Ｓ１２０によれば，処理室１４０Ａが処理室Ｐ１，その処理時間がＴ_Ｐ１となり，処理室１４０Ｂが処理室Ｐ２，その処理時間がＴ_Ｐ２となり，処理室１４０Ｃが処理室Ｐ３，その処理時間がＴ_Ｐ３となり，処理室１４０Ｄが処理室Ｐ４，その処理時間がＴ_Ｐ４となる。従って，この場合には，処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との関係でウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求め，ウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングは処理室Ｐ１と処理室Ｐ３との関係で求め，ウエハＷ_Ｐ４の搬送タイミングは処理室Ｐ１と処理室Ｐ４との関係で求める。但し，ウエハＷ_Ｐ３，Ｗ_Ｐ４の搬送タイミングを求める場合には，基準搬出間隔Ｔｘを統一するため，ウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求める際に決定された基準搬出間隔Ｔｘを用いる。このようなウエハ搬送タイミングの求め方の詳細を以下に説明する。

先ず，処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との関係でウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求める。この場合は，図５（ｂ）の具体例と同様となるので，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ２の処理時間７０ｓｅｃ×３（＝２１０ｓｅｃ）となり，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ２）は１：３となる。ウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に１枚ずつ搬出する間隔となり，ウエハＷ_Ｐ２についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に３枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ２（＝７０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

次いで，処理室Ｐ１と処理室Ｐ３との関係で，処理室Ｐ３で処理されるウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングを求める。この場合，既に基準搬出間隔はＴｘ＝２１０ｓｅｃに決定されているので，これを用いてウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングを求める。具体的には例えば基準搬出間隔をＴｘ＝２１０ｓｅｃに固定して図３に示すステップＳ２１０，Ｓ２２０，Ｓ２６０の処理を行い，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３３０を行う。

すなわち，ステップＳ２１０により，ｋ＝３として数式（１−１），（１−２）に当てはめると，これらの数式を満たすのはｎ＝３である。続いてステップＳ２２０により，ｋ＝３として数式（１−３）にそれぞれ数値を当てはめると，処理室Ｐ３の待ち時間Ｔ_Ｗ３＝２１０−６０×３＝３０ｓｅｃとなり，ステップＳ２６０により，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１，処理室Ｐ３で処理されるＷ_Ｐ３のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ３）は１：３となる。次いで，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３３０により，処理室Ｐ３で処理されるウエハＷ_Ｐ３についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に３枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ３（＝５０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

次いで，処理室Ｐ１と処理室Ｐ４との関係で，処理室Ｐ４で処理されるウエハＷ_Ｐ４の搬送タイミングを求める。この場合についても，既に基準搬出間隔はＴｘ＝２１０ｓｅｃに決定されているので，これを用いてウエハＷ_Ｐ４の搬送タイミングを求める。具体的には例えば基準搬出間隔をＴｘ＝２１０ｓｅｃに固定して図３に示すステップＳ２１０，Ｓ２２０，Ｓ２６０の処理を行い，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３３０を行う。

すなわち，ステップＳ２１０により，ｋ＝４として数式（１−１），（１−２）に当てはめると，これらの数式を満たすのはｎ＝４である。続いてステップＳ２２０により，ｋ＝４として数式（１−３）にそれぞれ数値を当てはめると，処理室Ｐ４の待ち時間Ｔ_Ｗ４＝２１０−５０×４＝１０ｓｅｃとなり，ステップＳ２６０により，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１，処理室Ｐ３で処理されるＷ_Ｐ４のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ４）は１：４となる。次いで，図４に示すステップＳ３１０，Ｓ３３０により，処理室Ｐ４で処理されるウエハＷ_Ｐ４についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に４枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ４（＝５０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

このようなウエハ搬送タイミングによってカセット容器１３４から各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２，Ｗ_Ｐ３，Ｗ_Ｐ４が搬出されると，各処理室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の処理スケジュールは図８に示すようになる。この場合には，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）ごとに，処理室Ｐ１では待ち時間Ｔ_Ｗ１（＝１０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ１が連続して処理され，処理室Ｐ２では待ち時間０でウエハＷ_Ｐ２が３枚ずつ連続して処理され，処理室Ｐ３では待ち時間Ｔ_Ｗ３（＝３０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ３が３枚ずつ連続して処理され，処理室Ｐ４では待ち時間Ｔ_Ｗ４（＝１０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ４が４枚ずつ連続して処理される。

（ウエハ搬送タイミングを求める処理の他の具体例）
次に，上述した本発明の原理に基づいて行われるウエハ搬送タイミングを求める処理の他の具体例について図面を参照しながら説明する。この他の具体例のメインルーチンは図２に示すものと同様であるので，その詳細な説明は省略する。図９には図２に示すステップＳ１３０のウエハ搬出数比を求める処理の他の具体例を示し，図１０には図２に示すステップＳ１４０のウエハ搬出間隔を求める処理の他の具体例を示す。図９，図１０の処理は，ウエハ１枚当りの処理時間が最も長い処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１・ｍを基準としてウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔を求める場合，すなわち基準搬出間隔Ｔｘで処理可能なウエハＷ_Ｐ１の枚数をｍとした場合である。なお，ｍは１であってもよい。ｍ＝１とした場合のウエハ搬送タイミングは図３，図４に示す処理により求められた結果と同様となる。

（ウエハ搬出枚数比を求める処理の他の具体例）
ここで，先ず上記ウエハ搬出数比を求める処理の他の具体例について図９を参照しながら説明する。図９に示すように，ステップＳ４１０にて仮にウエハ１枚当りの処理時間が最も長い処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１・ｍを基準搬出間隔Ｔｘとした場合に，その基準搬出間隔Ｔｘの区間内（ここでは処理時間Ｔ_Ｐ１・ｍ内）に他の処理室Ｐｋで処理可能なウエハＷ_Ｐｋの最大枚数ｎを求める。処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１・ｍ内に，他の処理室Ｐｋで処理可能な枚数だけウエハＷ_Ｐｋをカセット容器から搬出することによって，処理室Ｐｋの待ち時間を可能な限り少なくするためである。

具体的には例えば下記の数式（２−１）及び（２−２）がともに成立するように，ウエハＷ_Ｐｋの枚数ｎを求める。なお，下記数式（２−１）及び（２−２）において，Ｔ_Ｐ１は処理室Ｐ１における１枚当たりのウエハＷ_Ｐ１の処理時間，Ｔ_Ｐｋは他の処理室Ｐｋにおける１枚当たりのウエハＷ_Ｐｋの処理時間，ｎはｎ≧１を満たす整数であり，ｍは≧１を満たす整数であり，ｋは上述したようにｋ≧２を満たす整数である。

Ｔ_Ｐ１・ｍ≧Ｔ_Ｐｋ・ｎ …（２−１）

Ｔ_Ｐ１・ｍ＜Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１） …（２−２）

以下のステップＳ４２０〜Ｓ４９０にて，各処理室の待ち時間が最も短くなるようなｍ，ｎを決定するとともに，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１と処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）のうち，待ち時間が短くなる方（基準搬出間隔Ｔｘが短くなる方）を基準搬出間隔Ｔｘとして決定し，各処理室Ｐ１，Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出数比を求める。これにより，処理室Ｐ１，Ｐｋのすべてにおいて，処理の待ち時間を短くすることができる。このため，基板処理装置全体で待ち時間の最適化を図ることができる。

具体的には，ステップＳ４２０にて仮に処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１・ｍを基準搬出間隔Ｔｘとした場合の他の処理室Ｐｋの待ち時間Ｔ_Ｗｋを下記数式（２−３）により求め，ステップＳ４３０にて仮に処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）を基準搬出間隔Ｔｘとした場合の処理室Ｐ１の待ち時間Ｔ_Ｗ１を下記数式（２−４）により求める。

Ｔ_Ｗｋ＝Ｔ_Ｐ１・ｍ−Ｔ_Ｐｋ・ｎ …（２−３）

Ｔ_Ｗ１＝Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）−Ｔ_Ｐ１・ｍ …（２−４）

続いて，ステップＳ４４０にて，さらにｍの値を変えながら（例えばｍの値を１ずつ増やしながら），それぞれのｍの場合についてステップＳ４１０，Ｓ４２０，Ｓ４３０にて最大枚数ｎ及び待ち時間Ｔ_Ｗｋ，Ｔ_Ｗ１を求め，待ち時間Ｔ_Ｗｋ，Ｔ_Ｗ１のいずれかが最小となるようにｍ，ｎを決定する。

次いで，ステップＳ４５０にて上記ステップＳ４４０において決定されたｍ，ｎの場合の各待ち時間Ｔ_Ｗ１，Ｔ_Ｗｋを比較して，どちらの待ち時間の方が短いか判断する。具体的には例えば待ち時間Ｔ_Ｗｋが待ち時間Ｔ_Ｗ１以下（Ｔ_Ｗｋ≦Ｔ_Ｗ１）か否かを判断する。ステップＳ４５０にてＴ_Ｗｋ≦Ｔ_Ｗ１であると判断した場合，すなわち待ち時間Ｔ_Ｗｋの方が短い（又は待ち時間Ｔ_Ｗ１，Ｔ_Ｗｋがともに等しい）と判断した場合には，ステップＳ４６０にて各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの基準搬出間隔Ｔｘを下記数式（２−５）に示すように処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１・ｍに決定し，ステップＳ４７０にて各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）をｍ：ｎとする。

Ｔｘ＝Ｔ_Ｐ１・ｍ＝Ｔ_Ｐｋ・ｎ＋Ｔ_Ｗｋ …（２−５）

こうして得られた基準搬出間隔Ｔｘ（＝Ｔ_Ｐ１・ｍ＝Ｔ_Ｐｋ・ｎ＋Ｔ_Ｗｋ）によれば，その区間ごとにおいて，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１はｍ枚搬出されて，処理室Ｐ１の待ち時間は０となるとともに，処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋはｎ枚搬出されて，処理室Ｐｋの待ち時間はＴ_Ｗｋとなる。

これに対して，ステップＳ４５０にてＴ_Ｗｋ≦Ｔ_Ｗ１でないと判断した場合，すなわち待ち時間Ｔ_Ｗ１の方が短いと判断した場合には，ステップＳ４８０にて各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの基準搬出間隔Ｔｘを下記数式（２−６）に示すように処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）に決定し，ステップＳ４９０にて各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）をｍ：ｎ＋１とする。

Ｔｘ＝Ｔ_Ｐ１・ｍ＋Ｔ_Ｗ１＝Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１） …（２−６）

こうして得られた基準搬出間隔Ｔｘ（＝Ｔ_Ｐ１・ｍ＋Ｔ_Ｗ１＝Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１））によれば，その区間ごとにおいて，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１はｍ枚搬出され，処理室Ｐ１の待ち時間はＴ_Ｗ１となるとともに，処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋはｎ＋１枚搬出され，処理室Ｐｋの待ち時間は０となる。なお，図３に示す処理で得られた基準搬出間隔Ｔｘ及びウエハ搬出数比などは，制御部１９０のメモリなどに記憶される。

（ウエハ搬出間隔を求める処理の他の具体例）
次に，ウエハ搬出間隔を求める処理の他の具体例について図１０を参照しながら説明する。ここでは，図９に示すウエハ搬出数比を求める処理により決定された基準搬出間隔Ｔｘによるウエハ搬出数比に基づいて，実際にカセット容器１３４からウエハを搬出する際の，各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋのウエハ搬出間隔を求める。

具体的には先ず図１０に示すようにステップＳ５１０にて図９に示す処理で求められたウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）を制御部１９０のメモリなどから取出して，ウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）がｍ：ｎであるか又はｍ：ｎ＋１であるかを判断する。

ステップＳ５１０にてウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）がｍ：ｎであると判断した場合は，ステップＳ５２０にて処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔を，基準搬出間隔Ｔｘにｍ枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ１ごとに１枚ずつ搬出する間隔とする。これにより，ウエハＷ_Ｐ１の方は例えば基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに，ｍ枚ずつ連続してカセット容器１３４から搬出される。この場合，基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１・ｍとなるので，処理室Ｐ１では基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに，待ち時間０でウエハＷ_Ｐ１がｍ枚ずつ連続して処理される。

次いで，ステップＳ５３０にて処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋについてのウエハ搬出間隔を，基準搬出間隔Ｔｘにｎ枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐｋごとに１枚ずつ搬出する間隔とする。これにより，ウエハＷ_Ｐｋの方は例えば基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに，ｎ枚ずつ連続してカセット容器１３４から搬出されるとともに待ち時間Ｔ_Ｗｋだけ搬出待ちとなる。すなわち，ｎ枚が連続してカセット容器１３４から搬出された後に待ち時間Ｔ_Ｗｋだけ待ってから次のｎ枚が連続してカセット容器１３４から搬出される。この場合には，基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・ｎ＋Ｔ_Ｗｋとなるので，処理室Ｐｋでは基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに待ち時間Ｔ_ＷｋでウエハＷ_Ｐｋがｎ枚ずつ連続して処理される。

これに対して，ステップＳ５３０にてウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐｋ）がｍ：ｎ＋１であると判断した場合は，ステップＳ５４０にて処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔を，基準搬出間隔Ｔｘにｍ枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ１ごとに１枚ずつ搬出する間隔とする。これにより，ウエハＷ_Ｐ１の方は例えば基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに，ｍ枚ずつカセット容器１３４から搬出されるとともに待ち時間Ｔ_Ｗ１だけ搬出待ちとなる。すなわち，ｍ枚が処理時間Ｔ_Ｐ１ごとに連続してカセット容器１３４から搬出された後に待ち時間Ｔ_Ｗ１だけ待ってから次のｍ枚が処理時間Ｔ_Ｐ１ごとにカセット容器１３４から連続して搬出される。この場合には，基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１・ｍ＋Ｔ_Ｗ１となるので，処理室Ｐ１では基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに待ち時間Ｔ_Ｗ１でウエハＷ_Ｐ１がｍ枚ずつ処理される。

次いで，ステップＳ５５０にて処理室Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋについてのウエハ搬出間隔を，基準搬出間隔Ｔｘにｎ＋１枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐｋごとに１枚ずつ搬出する間隔とする。これにより，ウエハＷ_Ｐｋの方は例えば基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに，ｎ＋１枚ずつ連続してカセット容器１３４から搬出される。この場合，基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋ・（ｎ＋１）となるので，処理室Ｐｋでは基準搬出間隔Ｔｘの各区間ごとに待ち時間０でウエハＷ_Ｐｋがｎ＋１枚ずつ連続して処理される。

こうして，図９，図１０に示す処理で求められたウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔は，制御部１９０によりそのメモリなどに記憶される。そして，実際にウエハの処理を行う場合には，制御部１９０により図９，図１０で求められたウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔をメモリなどから取得し，このウエハ搬出数比及びウエハ搬出間隔に基づいて，搬送ユニット側搬送機構１７０を制御し，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋをカセット容器１３４からそれぞれ搬出させる。

これにより，例えば処理時間が長い処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１はその処理時間Ｔ_Ｐ１に応じた長い間隔でカセット容器１３４から搬出され，処理時間が短い処理室Ｗ_Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋはその処理時間Ｔ_Ｐｋに応じて短い間隔でウエハから搬出されるので，従来のように処理時間が長い処理室Ｐ１のウエハＷ_Ｐ１が共通搬送室１５０，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ，オリエンタ１３７などで長い間待機して，処理時間が短い処理室Ｔ_ＰｋのウエハＷ_Ｐｋをカセット容器１３４から搬出することができなくなる事態が生じることはない。従って，各処理室Ｐ１，Ｐｋでの稼働率を向上させ，基板処理装置全体のスループットを従来以上に向上させることができる。

また，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋについては，それぞれ同じ基準搬出間隔Ｔｘのタイミング（サイクル）でカセット容器１３４から搬出されるので，各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋにおける基準搬出間隔Ｔｘの各区間は，最初に処理されるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋが搬出されるときに生じるスタートタイミングのずれ時間Ｔ_Ｓｋの分だけずれることになる。このため，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋが搬出されるタイミングが同時となることはない。なお，図９，図１０に示す処理は，処理室Ｐ１の処理時間Ｔ_Ｐ１が，ちょうど処理室Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐｋの整数倍とならない場合のみならず，整数倍となる場合であっても適用可能である。

次に，図６に示す基板処理装置２００を４つの処理室を備える基板処理装置として構成した場合において，図２，図９，図１０に示す搬送タイミングを求める処理を行った場合について，より具体的な数値を挙げて説明する。図１１は，図２，図９，図１０によって求められた搬送タイミングによって処理される各処理室でのウエハの処理スケジュールを示す。図１１は，横軸に時間をとり，４つの処理室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４で処理されるウエハの処理スケジュールをそれぞれ棒グラフにより表したものである。図１１は，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ，１４０Ｃ，１４０Ｄにおける１枚当りのウエハの処理時間が１００ｓｅｃ，７０ｓｅｃ，６０ｓｅｃ，５０ｓｅｃの場合である。

この場合は処理時間が最も長い処理室は処理室１４０Ａであるので，図２のステップＳ１１０，Ｓ１２０によれば，処理室１４０Ａが処理室Ｐ１，その処理時間がＴ_Ｐ１となり，処理室１４０Ｂが処理室Ｐ２，その処理時間がＴ_Ｐ２となり，処理室１４０Ｃが処理室Ｐ３，その処理時間がＴ_Ｐ３となり，処理室１４０Ｄが処理室Ｐ４，その処理時間がＴ_Ｐ４となる。従って，この場合には，処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との関係でウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求め，ウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングは処理室Ｐ１と処理室Ｐ３との関係で求め，ウエハＷ_Ｐ４の搬送タイミングは処理室Ｐ１と処理室Ｐ４との関係で求める。但し，ウエハＷ_Ｐ３，Ｗ_Ｐ４の搬送タイミングを求める場合には，基準搬出間隔Ｔｘを統一するため，ウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求める際に決定された基準搬出間隔Ｔｘを用いる。このようなウエハ搬送タイミングの求め方の詳細を以下に説明する。

先ず，処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との関係でウエハＷ_Ｐ１とウエハＷ_Ｐ２の搬送タイミングを求める。すなわち，図９に示すステップＳ４１０〜Ｓ４４０により，待ち時間Ｔ_Ｗｋ，Ｔ_Ｗ１が最小となるｍ，ｎを求めると，ｍ＝２，ｎ＝３となる。続いて，ステップＳ４５０〜ステップＳ４７０により，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２の基準搬出間隔Ｔｘは処理室Ｐ２の処理時間７０ｓｅｃ×３（＝２１０ｓｅｃ）となり，ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ２）は２：３となる。ウエハＷ_Ｐ１についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に２枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ１（＝１００ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となり，ウエハＷ_Ｐ２についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２００ｓｅｃ）に３枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ２（＝７０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

次いで，処理室Ｐ１と処理室Ｐ３との関係で，処理室Ｐ３で処理されるウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングを求める。この場合，既に基準搬出間隔はＴｘ＝２１０ｓｅｃに決定されているので，これを用いてウエハＷ_Ｐ３の搬送タイミングを求める。具体的には図８に示す場合と同様である。従って，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１，処理室Ｐ３で処理されるＷ_Ｐ３のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ３）は１：３となり，ウエハＷ_Ｐ３についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に３枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ３（＝３０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

次いで，処理室Ｐ１と処理室Ｐ４との関係で，処理室Ｐ４で処理されるウエハＷ_Ｐ４の搬送タイミングを求める。この場合にも，既に基準搬出間隔はＴｘ＝２１０ｓｅｃに決定されているので，これを用いてウエハＷ_Ｐ４の搬送タイミングを求める。具体的には図８に示す場合と同様である。従って，処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１，処理室Ｐ４で処理されるＷ_Ｐ４のウエハ搬出数比（Ｗ_Ｐ１：Ｗ_Ｐ４）は１：４となり，ウエハＷ_Ｐ４についてのウエハ搬出間隔は，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）に４枚ずつを処理時間Ｔ_Ｐ４（＝５０ｓｅｃ）ごとに１枚ずつ搬出する間隔となる。

このようなウエハ搬送タイミングによってカセット容器１３４から各ウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐ２，Ｗ_Ｐ３，Ｗ_Ｐ４が搬出されると，各処理室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の処理スケジュールは図１１に示すようになる。この場合には，基準搬出間隔Ｔｘ（＝２１０ｓｅｃ）ごとに，処理室Ｐ１では待ち時間Ｔ_Ｗ１（＝１０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ１が２枚ずつ連続して処理され，処理室Ｐ２では待ち時間０でウエハＷ_Ｐ２が３枚ずつ連続して処理され，処理室Ｐ３では待ち時間Ｔ_Ｗ３（＝３０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ３が３枚ずつ連続して処理され，処理室Ｐ４では待ち時間Ｔ_Ｗ４（＝１０ｓｅｃ）でウエハＷ_Ｐ４が４枚ずつ連続して処理される。

以上詳細に説明したように，本実施形態によれば，各処理室Ｐ１，ＰｋにおけるウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋに基づいて各処理室Ｐ１，Ｐｋごとに予め求められたウエハ搬送タイミングに従ってカセット容器１３４からウエハＷ_Ｐ１，Ｗ_Ｐｋを搬出させるので，各処理室Ｐ１，Ｐｋで並列してウエハの処理を行う際に，カセット容器１３４からのウエハの搬送タイミングを各処理室Ｐ１，Ｐｋの処理時間Ｔ_Ｐ１，Ｔ_Ｐｋに合わせて最適化することができる。例えば処理時間が長い処理室Ｐ１で処理されるウエハＷ_Ｐ１はその処理時間Ｔ_Ｐ１に応じた長い間隔でカセット容器１３４から搬出し，処理時間が短い処理室Ｗ_Ｐｋで処理されるウエハＷ_Ｐｋはその処理時間Ｔ_Ｐｋに応じて短い間隔でウエハから搬出させることができる。

このため，従来のように処理時間が長い処理室Ｐ１のウエハＷ_Ｐ１が共通搬送室１５０，ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ，オリエンタ１３７などで長い間待機して，処理時間が短い処理室Ｔ_ＰｋのウエハＷ_Ｐｋをカセット容器１３４から搬出することができなくなる事態をなくすことができる。これにより，各処理室Ｐ１，Ｐｋでの稼働率を向上させ，基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。

なお，上述したような本実施形態にかかるウエハ搬送タイミングを求める処理は，実際のウエハ処理に先立って行われる。例えば基板処理装置の電源が投入されたときのウオームアップ処理の中で行われる。また，その後も基板処理装置について部品交換やクリーニングなどのメンテナンスを行う場合には，そのメンテナンス後に行ってもよい。

また，本実施形態では，ウエハ搬送タイミングを各処理室の処理時間に応じて求めるため，実際のウエハ処理を行う前にウエハ搬送タイミングを求める際には，各処理室の処理時間の予測値に基づいて求める。ところが，処理室内に付着したパーティクルなど処理環境によっては，実際のウエハの処理時間が上記予測値とずれることも考えられる。また，処理によっては，基本となる処理条件（例えば処理室内圧力，温度，処理ガスの流量比，電極への印加電圧などのパラメータ等）の一部を変えて処理する場合や，新たな処理条件（パラメータ等）を追加する場合も考えられる。このような場合においても処理時間が上記予測値とずれる虞がある。

このように，各処理室の処理時間が予測値と異なるようになった場合には，ウエハ搬送タイミングを再度求め直すようにする。これにより，各処理室の実際の処理時間に応じてウエハ搬送タイミングを求めることができ，各処理室に実際の処理時間とのずれによる不測の待ち時間が生じることを防止することができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば上記実施形態では，処理ユニットを共通搬送室の周りに複数の処理室を接続した所謂クラスタツール型の基板処理装置を例に挙げて説明したが，例えば処理ユニットを処理室にロードロック室を接続し，搬送ユニットに複数の処理ユニットを並列に接続した所謂タンデム型の基板処理装置など他，複数の処理室を備えて並行処理を行う様々なタイプの基板処理装置に本発明を適用可能である。

本発明は，被処理基板に対して所定の処理を施すための基板処理装置及び基板処理装置の基板搬送方法に適用可能である。

本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す図である。 同実施形態においてウエハ搬送タイミングを求める処理を示す流れ図である。 図２におけるウエハ搬出数比を求める処理の具体例を示す流れ図である。 図２におけるウエハ搬出間隔を求める処理の具体例を示す流れ図である。 ２つの処理室におけるウエハの処理スケジュールを示す図である。 本発明の実施形態にかかる基板処理装置の他の構成例を示す図である。 ３つの処理室におけるウエハの処理スケジュールを示す図である。 ４つの処理室におけるウエハの処理スケジュールを示す図である。 図２におけるウエハ搬出数比を求める処理の他の具体例を示す流れ図である。 図２におけるウエハ搬出間隔を求める処理の他の具体例を示す流れ図である。 ４つの処理室におけるウエハの処理スケジュールを示す図である。

符号の説明

１００，２００ 基板処理装置
１１０ 処理ユニット
１２０ 搬送ユニット
１３０ 搬送室
１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ） カセット台
１３４（１３４Ａ〜１３４Ｃ） カセット容器
１３６（１３６Ａ〜１３６Ｃ） ゲートバルブ
１３７ オリエンタ
１３８ 回転載置台
１３９ 光学センサ
１４０（１４０Ａ〜１４０Ｃ） 処理室
１４０Ｄ 処理室又は検査室
１４２（１４２Ａ〜１４２Ｄ） 載置台
１４４（１４４Ａ〜１４４Ｄ） ゲートバルブ
１５０ 共通搬送室
１６０（１６０Ｍ，１６０Ｎ） ロードロック室
１７０ 搬送ユニット側搬送機構
１７２ 基台
１７４ 案内レール
１７６ リニアモータ駆動機構
１８０ 処理ユニット側搬送機構
１９０ 制御部

Claims (13)

1. 被処理基板に所定の処理を施すための複数の処理室を有する処理ユニットと，この処理ユニットに接続される搬送ユニットと，前記搬送ユニットに設けられ，基板収納容器に収容される前記被処理基板を前記処理ユニットへ搬送する搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニットに設けられ，前記搬送ユニットから搬送される前記被処理基板を前記処理室へ搬送する処理ユニット側搬送機構とを備える基板処理装置であって，
   前記各処理室における前記被処理基板の処理時間に基づいて，前記各処理室ごとに前記基板収納容器から前記各処理室へ向けて搬送される前記被処理基板の搬送タイミングを求め，この搬送タイミングに従って前記基板収納容器から前記被処理基板を搬出する制御手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記被処理基板の搬送タイミングは，前記基板収納容器から前記被処理基板を搬出する際における各処理室ごとの前記被処理基板の搬出数比及び搬出間隔であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記被処理基板の搬出数比は，前記各処理室の前記被処理基板の処理時間に基づいて決定された基準搬出間隔の各区間内に各処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数に基づいて求め，前記被処理基板の搬出間隔は，前記各処理室ごとに前記基準搬出間隔で前記被処理基板の搬出数比の枚数を，前記各処理室の前記被処理基板の処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とすることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記被処理基板の搬出数比は，前記各処理室の前記被処理基板の処理時間に基づいて，仮に前記各処理室のうち処理時間が最も長い処理室の処理時間を前記基準搬出間隔とした場合に，その基準搬出間隔の区間内に他の処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数に基づいて求めることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記基準搬出間隔は，前記各処理室における基準搬出間隔の各区間内の待ち時間に基づいて，その待ち時間が短くなるように決定することを特徴とする請求項３又は４に記載の基板処理装置。
6. 被処理基板に所定の処理を施すための複数の処理室を有する処理ユニットと，この処理ユニットに接続される搬送ユニットと，前記搬送ユニットに設けられ，基板収納容器に収容される前記被処理基板を前記処理ユニットへ搬送する搬送ユニット側搬送機構と，前記処理ユニットに設けられ，前記搬送ユニットから搬送される前記被処理基板を前記処理室へ搬送する処理ユニット側搬送機構とを備える基板処理装置の基板搬送方法であって，
   前記各処理室における前記被処理基板の処理時間に基づいて，前記各処理室ごとに前記基板収納容器から前記各処理室へ向けて搬送される前記被処理基板の搬送タイミングを求め，
   前記被処理基板への処理を行う際には，前記搬送タイミングに従って前記基板収納容器から前記被処理基板を搬出することを特徴とする基板処理装置の基板搬送方法。
7. 前記被処理基板の搬送タイミングは，前記基板収納容器から前記被処理基板を搬出する際における各処理室ごとの前記被処理基板の搬出数比及び搬出間隔であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置の基板搬送方法。
8. 前記被処理基板の搬出数比は，前記各処理室の前記被処理基板の処理時間に基づいて決定された基準搬出間隔の各区間内に各処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数に基づいて求め，
   前記被処理基板の搬出間隔は，前記各処理室ごとに前記基準搬出間隔で前記被処理基板の搬出数比の枚数を，前記各処理室の前記被処理基板の処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とすることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置の基板搬送方法。
9. 前記被処理基板の搬出数比は，前記各処理室の前記被処理基板の処理時間に基づいて，仮に前記各処理室のうち処理時間が最も長い処理室の処理時間を前記基準搬出間隔とした場合に，その基準搬出間隔の区間内に他の処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数に基づいて求めることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置の基板搬送方法。
10. 前記基準搬出間隔は，前記各処理室における基準搬出間隔の各区間内の待ち時間に基づいて，その待ち時間が短くなるように決定することを特徴とする請求項８又は９に記載の基板処理装置の基板搬送方法。
11. 基板収納容器に収容される複数の前記被処理基板をそれぞれ，処理されるべき処理室へ向けて，予め求められた搬送タイミングで順次搬送することによって，複数の処理室で並行して前記被処理基板に対する処理を施す基板処理装置の基板搬送方法であって，
    前記搬送タイミングは，前記各処理室における前記被処理基板の処理時間に基づいて決定される基準搬出間隔の区間内における前記各処理室ごとの前記被処理基板の搬出数比を求める工程と，
    前記被処理基板の搬出数比に基づいて前記各処理室ごとの前記被処理基板の搬出間隔を求める工程と，
    を有することを特徴とする基板処理装置の基板搬送方法。
12. 前記被処理基板の搬出数比を求める工程は，
    仮に前記各処理室のうち処理時間が最も長い処理室において１枚の前記被処理基板を処理する処理時間を前記基準搬出間隔とした場合に，その基準搬出間隔の区間内に他の処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数ｎを求める工程と，
    仮に前記処理時間が最も長い処理室において１枚の被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合の前記基準搬出間隔の区間内における前記他の処理室の待ち時間を求める工程と，
    仮に前記他の処理室においてｎ＋１枚の前記被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合の前記基準搬出間隔の区間内における前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間を求める工程と，
    これらの待ち時間を比較して，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が前記他の処理室の待ち時間以下の場合には，前記基準搬出間隔を前記処理時間が最も長い処理室において１枚の被処理基板を処理する処理時間に決定するとともに前記被処理基板の搬出数比を１：ｎとし，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が前記他の処理室の待ち時間より大きい場合には，前記基準搬出間隔を前記他の処理室においてｎ＋１枚の前記被処理基板を処理する処理時間に決定するとともに前記被処理基板の搬出数比を１：ｎ＋１とする工程とを有し，
    前記被処理基板の搬出間隔を求める工程は，
    前記被処理基板の搬出数比が１：ｎの場合には，前記処理時間の最も長い処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔で１枚ずつ搬出する間隔とし，前記他の処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｎ枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とし，
    前記被処理基板の搬出数比が１：ｎ＋１の場合には，前記処理時間の最も長い処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔で１枚ずつ搬出する間隔とし，前記他の処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｎ＋１枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とする工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置の基板搬送方法。
13. 前記被処理基板の搬出数比を求める工程は，
    仮に前記各処理室のうち処理時間が最も長い処理室においてｍ枚の前記被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合に，その基準搬出間隔の区間内に他の処理室において処理可能な前記被処理基板の最大枚数ｎを求める工程と，
    仮に前記処理時間が最も長い処理室においてｍ枚の被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合の前記基準搬出間隔の区間内における前記他の処理室の待ち時間を求める工程と，
    仮に前記他の処理室においてｎ＋１枚の前記被処理基板を処理する処理時間を基準搬出間隔とした場合の前記基準搬出間隔の区間内における前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間を求める工程と，
    前記ｍを変えて前記被処理基板の最大枚数ｎ，前記他の処理室の待ち時間，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間を求め，前記他の処理室の待ち時間及び前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が最小となるようなｍ，ｎを決定する工程と，
    決定したｍ，ｎのときの前記他の処理室の待ち時間及び前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間を比較して，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が前記他の処理室の待ち時間以下の場合には前記基準搬出間隔を前記処理時間が最も長い処理室においてｍ枚の被処理基板を処理する処理時間に決定するとともに前記被処理基板の搬出数比をｍ：ｎとし，前記処理時間が最も長い処理室の待ち時間が前記他の処理室の待ち時間より大きい場合には，前記基準搬出間隔を前記他の処理室においてｎ＋１枚の前記被処理基板を処理する処理時間に決定するとともに前記被処理基板の搬出数比をｍ：ｎ＋１とする工程とを有し，
    前記被処理基板の搬出間隔を求める工程は，
    前記被処理基板の搬出数比がｍ：ｎの場合には，前記処理時間の最も長い処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｍ枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とし，前記他の処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｎ枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とし，
    前記被処理基板の搬出数比がｍ：ｎ＋１の場合には，前記処理時間の最も長い処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｍ枚ずつをその処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とし，前記他の処理室における前記被処理基板の搬出数間隔は，前記基準搬出間隔でｎ＋１枚ずつを，その処理時間ごとに１枚ずつ搬出する間隔とすることを特徴とする工程を有する請求項１１に記載の基板処理装置の基板搬送方法。
    

Images