JP2006156462A - Surface-mounted light emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面実装型発光ダイオードに係り、特に、マザーボードに実装する際の半田接合を確実に行うための構造を備えた表面実装型発光ダイオードに関するものである。 The present invention relates to a surface-mounted light-emitting diode, and more particularly to a surface-mounted light-emitting diode having a structure for reliably performing solder bonding when mounted on a motherboard.
図7に従来の代表的な表面実装型発光ダイオードの構造を示す(特許文献1参照)。この表面実装型発光ダイオード(発光ダイオード)1は、矩形状のガラスエポキシ基板(基板)2の上面に一対の配線電極3a,3b(カソード電極とアノード電極)をパターン形成し、このそれぞれの配線電極3a,3b上に発光素子5を実装した後、この発光素子5を囲うようにして反射枠体6が配設された構造となっている。前記配線電極3a,3bは、基板2の両端部に設けられたスルーホール9a,9bを通じて裏面側に回り込み、裏面電極4a,4bがマザーボード8に設けられた図示しないプリント配線部と導通するようになっている。
FIG. 7 shows the structure of a typical conventional surface-mounted light emitting diode (see Patent Document 1). The surface-mount type light emitting diode (light emitting diode) 1 is formed by patterning a pair of
前記発光素子5は略立方体形状の微小チップであり、下面にP電極及びN電極からなる一対の素子電極部を有する。この素子電極部は、半田部材を介して前記配線電極3a,3bに接続される。また、この発光素子5は、保護及び集光作用を持たせるために、半球状の透光性樹脂材13で封止されている。反射枠体6は、すり鉢状の内周面を有するカップ部7が形成されており、前記発光素子5から発せられる光をカップ部7の内周面で反射させて上方向へ集光させために設けられている。
The
上記構造の発光ダイオード1は、図7に示したように、裏面電極4a,4bをマザーボード8に形成されているプリント配線部に載置し、このプリント配線部の上面からスルーホール9a,9bの側面にかけて半田10を塗布して導通接合させている。
しかしながら、上記従来例のようなスルーホール9a,9bの側面に半田10を塗布してマザーボード8上のプリント配線部と接合させるような構造にあっては、スルーホール9a,9bにおける半田10の塗布スペースが十分とれない場合がある。これは、発光ダイオードの小型化、薄型化に伴って、前記スルーホール9a,9bの表面スペースが狭くなっているからである。また、半田10の塗布形状(半田フィレット)10aが外部から確認しにくいといった問題もある。
However, in the structure in which the
前記発光素子5や反射枠体6などの直接的に発光の機能に関わる部分に関しては、高輝度化と共に小型化が可能となっているが、これに反して、スルーホール9a,9bとマザーボード8のプリント配線部に関係する実装部分については、前述したような物理的な制約があるため、コンパクトにしすぎると接合強度が弱くなるといった問題点を有していた。
The portions directly related to the light emitting function such as the
また、前記構造の発光ダイオード1を側面発光型として、マザーボード8上に立てて実装する場合にあっては、安定性が悪くなるため、前記スルーホール9a,9b及び裏面電極4a,4bに半田10を塗布しただけでは十分ではない。このため、反射枠体6を別の接着剤を用いて接合すると共に、電極間同士の導通部分には半田10の塗布量を多くしなければならず、実装に要する工数やコストが多くかかるといった問題があった。
Further, when the
そこで、本発明の目的は、フレキシブルプリント基板等の薄い基板上に半田実装する際に、半田との接合部分を十分広くとることができ、側面実装が可能であると共に、半田フィレットの確認が容易な外部接続電極を備えた表面実装型発光ダイオードを提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a sufficiently wide joint portion with solder when solder mounted on a thin substrate such as a flexible printed circuit board, enabling side mounting and easy confirmation of a solder fillet. It is an object of the present invention to provide a surface mount type light emitting diode having an external connection electrode.
上記課題を解決するために、本発明の表面実装型発光ダイオードは、表面に配線電極、裏面に前記配線電極と導通する外部接続電極が形成された薄板状の回路基板と、この回路基板の上面略中央部に実装される発光素子と、この発光素子の周囲を囲うようにして前記回路基板の上方に配設される反射枠体とを備えた表面実装型発光ダイオードにおいて、前記外部接続電極の一部が回路基板の少なくとも角部において凹設され、該凹設した部分を半田電極部として形成することによって、半田の塗布領域を回路基板の厚み方向に大きくしたことを特徴とする。 In order to solve the above problems, a surface-mounted light-emitting diode according to the present invention comprises a thin circuit board having a wiring electrode on the front surface and an external connection electrode connected to the wiring electrode on the back surface, and an upper surface of the circuit board. A surface-mounted light-emitting diode comprising a light-emitting element mounted at a substantially central portion and a reflection frame body disposed above the circuit board so as to surround the light-emitting element. Part of the circuit board is recessed at least at the corners, and the recessed part is formed as a solder electrode part, whereby the solder application area is increased in the thickness direction of the circuit board.
本発明に係る表面実装型発光ダイオードによれば、マザーボード上に導通接続される外部接続電極が、その一部を凹設して半田電極部として形成しているので、半田を立体的に塗布することができ、導通接合をより確実なものとすることができる。また、前記半田電極部が回路基板の少なくとも角部に設けられているため、前記外部接続電極がマザーボードに対して垂直となるような縦置型の実装形態をとった場合にあっても、半田との導通接合領域を前記半田電極部の厚み分確保することができる。このように、半田による導通接合部の強度が保たれることから、外部からの衝撃や経年変化に伴う半田接合部の劣化が抑えられ、導通不良や断線によって生ずるトラブルを未然に防ぐことができる。 According to the surface-mount type light emitting diode according to the present invention, the external connection electrode that is conductively connected on the motherboard is formed as a solder electrode portion with a part of the external connection electrode, so that the solder is three-dimensionally applied. It is possible to make the conductive bonding more reliable. Further, since the solder electrode portion is provided at least at a corner portion of the circuit board, even when a vertical mounting form in which the external connection electrode is perpendicular to the mother board is employed, This conductive junction region can be secured by the thickness of the solder electrode portion. As described above, the strength of the conductive joint portion due to the solder is maintained, so that deterioration of the solder joint portion due to external impact or aging can be suppressed, and troubles caused by poor conduction or disconnection can be prevented in advance. .
また、前記半田電極部が回路基板の左右両端の外部接続電極に沿って形成された凹溝部にすることで、半田の塗布領域を前記回路基板の幅方向に広がりを持たせることができる。このように、前記外部接続電極を回路基板の上面に平面的に実装した形態にあっても、導通接合の確実性がより高まる。さらに、前記半田電極部における半田フィレットの確認が容易となる。 In addition, by forming the solder electrode portions into recessed groove portions formed along the external connection electrodes on the left and right ends of the circuit board, the solder application region can be widened in the width direction of the circuit board. As described above, even when the external connection electrode is planarly mounted on the upper surface of the circuit board, the reliability of the conductive bonding is further increased. Furthermore, it becomes easy to confirm the solder fillet in the solder electrode portion.
さらに、前記回路基板をフレキシブル基板で構成することによって、前記半田電極部となる凹設部の形成が容易となる。 Furthermore, by forming the circuit board with a flexible substrate, it becomes easy to form the recessed portion to be the solder electrode portion.
以下、添付図面に基づいて本発明に係る表面実装型発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of a surface-mounted light emitting diode according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1に示すように、本実施形態の表面実装型発光ダイオード(発光ダイオード)21は、薄板状の回路基板22と、この回路基板22の上面略中央部に載置される発光素子25と、この発光素子25を取り囲むようにして前記回路基板22上に配設される反射枠体26とを備えた構成になっている。
As shown in FIG. 1, the surface-mounted light-emitting diode (light-emitting diode) 21 of the present embodiment includes a
前記回路基板22には、上面に発光素子25の各素子電極部と導通する一対の配線電極23a,23b(カソード電極とアノード電極)、下面に前記一対の配線電極23a,23bからスルーホール29a,29bを介してそれぞれ導通する外部接続電極24a,24bが形成されている。また、この回路基板22には、裏面の四隅において前記外部接続電極24a,24bの一部を上面側に凹設した半田電極部31a〜31dを設けている。本実施形態では、前記回路基板22にフレキシブル基板を用いており、前記半田電極部31a〜31dとなる凹設箇所は、フレキシブル基板を所定温度に加熱した上で、半田電極部31a〜31dの形状に合わせた金型を用いてプレス加工して成形される。
The
前記フレキシブル基板は、ベース部材となる薄いフィルムの表裏面に配線電極等がCuでパターン形成され、このCuパターン上にNi等のメッキが施されるが、このNiメッキを施した後では、半田電極部31a〜31dを形成するためのプレス加工が困難になる場合がある。そこで、本実施形態で使用するフレキシブル基板にあっては、フィルム上にCuパターンを形成した後、加熱条件の下で先にプレス加工を行う。これによって、約0.5mm程度の凹設が可能となる。そして、このプレス加工が終了した後、前記Cuパターン上にNiメッキあるいはNiにAuまたはAgを加えたメッキを施して形成する。
In the flexible substrate, wiring electrodes and the like are patterned with Cu on the front and back surfaces of a thin film serving as a base member, and Ni or the like is plated on the Cu pattern. Press processing for forming the
前記発光素子25は、略立方体形状の微小チップであり、下面に備わる一対の素子電極部(P電極とN電極)が前記配線電極23a,23bにそれぞれ半田部材を介して表面実装される。この発光素子25は、窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子、あるいは、4元系の発光素子で構成される。
The
前記反射枠体26は、前記回路基板22と略同じ大きさで一定の厚みを有した立方形状の枠部26aと、この枠部26aの内部をすり鉢状に刳り貫いたカップ部27とで構成されている。前記枠部26aはポリフタルアミド、液晶ポリマー等の樹脂材で形成され、カップ部27の内周面には高反射率を有する金属膜が蒸着等によって形成される。この反射枠体26は、カップ部27の底部に発光素子25が露出するようにして回路基板22上に載置され、絶縁性の接着剤を介して接合される。また、前記発光素子25は、集光性を持たせるための透光性樹脂材33によって半球状に封止されると共に、前記カップ部27内には、前記発光素子25及び配線電極23a,23bの接合部分を保護するための透光性を備えた封止樹脂材28が塗布される。なお、この反射枠体26には、回路基板22の四隅に設けた半田電極部31a〜31dによる突出部分を逃げて回路基板22上に密着させるための凹設加工が施される。
The
図2は、上記発光ダイオード21を側面発光型の光源として使用するための縦置き実装形態を示したものである。回路基板22の裏面には、カソード側の外部接続電極24aとアノード側の外部接続電極24bとが対向して形成され、前記外部接続電極24a,24bにはそれぞれ2つずつの半田電極部31a,31b及び半田電極部31c,31dが角部に形成されている。この実装形態では、前記反射枠体26の一側面をマザーボード32上に載置し、このマザーボード32と接する側の外部接続電極24a,24bの半田電極部31a,31cに半田30をそれぞれ塗布させた半田フィレット30aを形成して導通接続を図っている。なお、この実施形態の発光ダイオード21は、カソード側及びアノード側の外部接続電極24a,24bが左右対称であり、また、半田電極部31a,31bと半田電極部31c,31dとが回路基板22の角部において対称になっている。このため、半田電極部31b,31dの方をマザーボード32に実装することもできる。
FIG. 2 shows a vertical mounting form for using the light-emitting
また、前記発光ダイオード21は、上面発光型の光源として使用することもできる。この場合には、図3に示したように、外部接続電極24a,24bをマザーボード32上のプリント配線部に合わせて平面載置し、半田電極部31a〜31dに半田30を塗布して半田フィレット30aを形成する。このような横置き実装形態によれば、前記半田フィレット30aを半田電極部31a〜31dの4箇所に設けることができるので、より確実な導通接合を図ることが可能となる。また、前記半田電極部31a〜31dを設けたことによって、導通不要な箇所への半田30の流出を抑えることができる。
The
前述したように、発光ダイオード21を縦置き実装する場合は、外部接続電極24a,24bとマザーボード32との接触面が限定されるが、凹設された半田電極部31a〜31dを設けたことによって、導通接合面が広がると共に、半田30の塗布量を多くした場合でも周囲にはみ出したりすることがない。これは、横置き実装する場合においても同様である。これによって、縦置きあるいは横置きのいずれの場合にあっても、導通接続をより確実且つ安定した状態で行うことができる。また、半田30の広がりを抑えることができるので、ショート等を有効に防止することができる。
As described above, when the
上記実施形態の発光ダイオード21では、半田電極部31a〜31dを回路基板22の裏面の四隅に形成したが、これに限定されることはなく、図4に示す発光ダイオード41のように、外部接続電極44a,44bの幅方向に沿って延びる断面L字状の長溝による半田電極部51a,51bを形成してもよい。このような長溝状の半田電極部51a,51bを設けることによって、マザーボード32との半田30による接合部を広げることができるので、導通がより一層確実なものとなる。また、図3に示した縦置き実装においては、半田30を半田電極部51a,51bに沿って高さ方向に厚く塗布することができる。
In the
次に、上記図1及び図2に示した構造からなる発光ダイオード21の製造方法について説明する。この発光ダイオード21の製造においては、図5に示すように、個々の回路基板22が複数一括して切り出し可能な集合フレキシブル基板(集合FPC)61が用いられる。この集合FPC61には、一つの升目が前記回路基板22のX幅及びY幅となるように、複数のX軸切断ライン(X0,X1,・・・Xn)及びY軸切断ライン(Y0,Y1,・・・Yn)が設定されている。この集合FPC61に対して、最初に半田電極部31a〜31dとなる凹部63を複数形成する。この凹部63は、前記X軸切断ライン及びY軸切断ラインの各交点を中心にして、図6に示すように、集合FPC61の裏面から円形状にプレス加工して形成される。このプレス加工は、専用の金型を使用し、集合FPC61を加熱した状態で行われる。このようにして、凹部63が複数形成された集合FPC61の各升目(回路基板22)の中心部に発光素子25を半田部材によって表面接合する。次に、前記集合FPC61の上面に前記個々の反射枠体26が集合した集合反射枠体62を絶縁性接着剤によって接合する。なお、この集合反射枠体62は別工程においてカップ部27等が予め形成される。最後に前記集合FPC61及び集合反射枠体62をX軸切断ライン及びY軸切断ラインに沿ってダイシングすることで、図1に示したような単一の発光ダイオード21が完成する。
Next, a method for manufacturing the
なお、図4に示した長溝状の半田電極部51a,51bを備えた発光ダイオード41については、前記集合FPC61に形成する凹部63をX軸切断ラインあるいはY軸切断ラインの中心線に沿って所定幅プレスすることによって形成することができる。後の工程は同様であるので説明は省略する。
For the
以上説明したように、本発明の表面実装型発光ダイオードでは、回路基板の外部接続電極の一部に半田電極部を凹設形成しているので、上面発光型に対応した横置き、側面発光型に対応した縦置きのいずれの実装形態においても、半田を介した導通接合面を広く設定することができる。このため、自動車等の使用条件耐用条件の厳しい箇所においても搭載可能な高信頼性を備えた発光ダイオードを提供することができる。また、前記回路基板にフレキシブル基板を採用することによって、半田電極部の加工を最初の基板形成工程で一括して行うことができることから製品単価を低く抑えることができる。 As described above, in the surface mount type light emitting diode of the present invention, the solder electrode portion is formed in a concave portion on the external connection electrode of the circuit board. In any of the vertically mounted forms corresponding to the above, the conductive joint surface through the solder can be set widely. For this reason, the light emitting diode provided with the high reliability which can be mounted even in the location where use condition durability conditions, such as a motor vehicle, are severe can be provided. In addition, by adopting a flexible substrate as the circuit substrate, the processing of the solder electrode portion can be performed at a time in the first substrate formation step, so that the product unit price can be kept low.
21 発光ダイオード
22 回路基板(フレキシブル基板)
23a 配線電極(カソード)
23b 配線電極(アノード)
24a 外部接続電極
24b 外部接続電極
25 発光素子
26 反射枠体
26a 枠部
27 カップ部
28 封止樹脂材
29a スルーホール
29b スルーホール
30 半田
30a 半田フィレット
31a〜31d 半田電極部
32 マザーボード
33 透光性樹脂材
21 Light-emitting
23a Wiring electrode (cathode)
23b Wiring electrode (anode)
24a
Claims (5)
前記外部接続電極の一部が回路基板の少なくとも角部において凹設され、該凹設した部分を半田電極部として形成することによって、半田の塗布領域を回路基板の厚み方向に大きくしたことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。 A thin circuit board on which wiring electrodes are formed on the front surface and external connection electrodes that are electrically connected to the wiring electrodes are formed on the back surface, a light-emitting element mounted at a substantially central portion on the upper surface of the circuit board, and surrounding the light-emitting element Thus, in the surface-mounted light emitting diode provided with a reflective frame disposed above the circuit board,
A part of the external connection electrode is recessed at least at a corner portion of the circuit board, and the recessed portion is formed as a solder electrode portion, thereby increasing the solder application area in the thickness direction of the circuit board. Surface mount type light emitting diode.
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258548A (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Surface mount stand, surface mount led lamp, and led unit |
KR100882821B1 (en) * | 2006-12-26 | 2009-02-10 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode |
JP2013038167A (en) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device |
JP2013529841A (en) * | 2010-06-16 | 2013-07-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Optoelectronic element |
JP2014209580A (en) * | 2013-03-25 | 2014-11-06 | ソニー株式会社 | Light-emitting element assembly, process of manufacturing the same, and display device |
JP2015023162A (en) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
JP2015038963A (en) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
JP2016006821A (en) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting element and light emitting device using the same |
JP2018085442A (en) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | Semiconductor laser device |
JP2018093197A (en) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | Light emitting device |
US10128421B2 (en) | 2013-07-19 | 2018-11-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2019054248A (en) * | 2018-09-19 | 2019-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
US11309465B2 (en) | 2013-07-19 | 2022-04-19 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
EP4029424A1 (en) * | 2021-01-14 | 2022-07-20 | Richard Wolf GmbH | Ultra-miniaturized light-emitting unit for a medical endoscopic instrument |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0250464A (en) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nec Kyushu Ltd | Lattice array type semiconductor element package |
JPH06350206A (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Osaka Shinku Kagaku Kk | Solid circuit board and production thereof |
JP2001244508A (en) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Bunkyo So | Surface-mounted led package and method of manufacturing the same |
JP2002232015A (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device |
JP2003092009A (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lighting device |
JP2004507114A (en) * | 2000-08-23 | 2004-03-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Optoelectronic component, method of manufacturing the same, module with a plurality of optoelectronic components, and device with such a module |
JP2005109382A (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Citizen Electronics Co Ltd | Light emitting diode |
-
2004
- 2004-11-25 JP JP2004340575A patent/JP4673610B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0250464A (en) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Nec Kyushu Ltd | Lattice array type semiconductor element package |
JPH06350206A (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Osaka Shinku Kagaku Kk | Solid circuit board and production thereof |
JP2001244508A (en) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Bunkyo So | Surface-mounted led package and method of manufacturing the same |
JP2004507114A (en) * | 2000-08-23 | 2004-03-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Optoelectronic component, method of manufacturing the same, module with a plurality of optoelectronic components, and device with such a module |
JP2002232015A (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device |
JP2003092009A (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lighting device |
JP2005109382A (en) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Citizen Electronics Co Ltd | Light emitting diode |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100882821B1 (en) * | 2006-12-26 | 2009-02-10 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting diode |
JP2008258548A (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Surface mount stand, surface mount led lamp, and led unit |
JP2013529841A (en) * | 2010-06-16 | 2013-07-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Optoelectronic element |
US8759862B2 (en) | 2010-06-16 | 2014-06-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component |
JP2013038167A (en) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Nichia Chem Ind Ltd | Light emitting device |
JP2014209580A (en) * | 2013-03-25 | 2014-11-06 | ソニー株式会社 | Light-emitting element assembly, process of manufacturing the same, and display device |
US10128421B2 (en) | 2013-07-19 | 2018-11-13 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2015023162A (en) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
JP2015038963A (en) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device and manufacturing method of the same |
US11309465B2 (en) | 2013-07-19 | 2022-04-19 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
US10522729B2 (en) | 2013-07-19 | 2019-12-31 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2016006821A (en) * | 2014-06-20 | 2016-01-14 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting element and light emitting device using the same |
JP2018085442A (en) * | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | Semiconductor laser device |
JP2018093197A (en) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | Light emitting device |
KR20200067977A (en) * | 2016-12-01 | 2020-06-15 | 에피스타 코포레이션 | Light-emitting device |
JP7079599B2 (en) | 2016-12-01 | 2022-06-02 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | Light emitting device |
KR102506250B1 (en) | 2016-12-01 | 2023-03-03 | 에피스타 코포레이션 | Light-emitting device |
JP2019054248A (en) * | 2018-09-19 | 2019-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device |
EP4029424A1 (en) * | 2021-01-14 | 2022-07-20 | Richard Wolf GmbH | Ultra-miniaturized light-emitting unit for a medical endoscopic instrument |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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