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JP2006098798A - Manufacturing method of high polymer optical waveguide - Google Patents

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JP2006098798A JP2004285441A JP2004285441A JP2006098798A JP 2006098798 A JP2006098798 A JP 2006098798A JP 2004285441 A JP2004285441 A JP 2004285441A JP 2004285441 A JP2004285441 A JP 2004285441A JP 2006098798 A JP2006098798 A JP 2006098798A
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俊邦 戒能
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a simple manufacturing method of a high polymer optical waveguide, which has mirror surfaces, with a good production efficiency. <P>SOLUTION: The high polymer optical waveguide consists of a clad base section 11 on which a core pattern 12 is arranged in a recessed manner; a core 13 which is formed inside the core pattern 12; and a clad cover section 14 which is arranged on the surface of the clad base section 11 to cover the core 13. The mirror surface 15 is arranged on the inner surface of the core pattern 12. The core pattern 12 and the mirror surfaces 15 are arranged on the clad base section 11 in a recessed manner by a heating emboss processing method using a stamper. The stamper is formed using the masking member having a gradation region and by exposing and developing a photoresist material. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、光情報通信において、例えば光回折路、光分波路及び光合波路、光分岐路及び光合成路、光スイッチ、光回路等のような光信号を伝搬するための高分子光導波路の製造方法に関するものである。   The present invention relates to the manufacture of polymer optical waveguides for propagating optical signals such as optical diffraction paths, optical branching and optical multiplexing paths, optical branching paths and optical combining paths, optical switches, optical circuits, etc. in optical information communication. It is about the method.

従来、高分子光導波路は、コアと、同コアを取り囲むようにその周面を被覆するクラッドとを備えている。コアは透明な合成樹脂より形成されるとともに、クラッドはコアを形成する合成樹脂よりも屈折率の低い透明な合成樹脂より形成されている。この高分子光導波路に入射された光信号は、コアとクラッドとの境界面で繰り返し反射されながらコア内を伝搬される。また、コア内のみで光信号を伝搬させるに留まらず、光信号を高分子光導波路の外部へ出射したり、或いは光信号を外部から高分子光導波路の内部へ入射したりすべく、例えば特許文献1〜特許文献3に記載されるような、ミラー面を有する高分子光導波路も提供されている。このミラー面は、高分子光導波路のコアによって構成される光路、つまりはコアの延びる方向に対して所定角度(例えば45゜)をなすように、コアとクラッドとの境界面を斜面状に形成することによって設けられたものである。そして、コア内を伝搬される光信号は、ミラー面でこれまでとは異なる方向へ反射されることにより、光路が変換されるようになっている。   Conventionally, a polymer optical waveguide includes a core and a clad covering the peripheral surface so as to surround the core. The core is formed from a transparent synthetic resin, and the cladding is formed from a transparent synthetic resin having a lower refractive index than the synthetic resin forming the core. The optical signal incident on the polymer optical waveguide is propagated through the core while being repeatedly reflected at the interface between the core and the clad. In addition to propagating the optical signal only within the core, the optical signal is emitted to the outside of the polymer optical waveguide, or the optical signal is incident from the outside to the inside of the polymer optical waveguide. 1 to Patent Document 3, a polymer optical waveguide having a mirror surface is also provided. The mirror surface is formed with a slanted boundary surface between the core and the clad so as to form a predetermined angle (for example, 45 °) with respect to the optical path constituted by the core of the polymer optical waveguide, that is, the extending direction of the core. It is provided by doing. The optical signal propagated in the core is reflected in a different direction from the conventional mirror surface, thereby changing the optical path.

上記特許文献1〜特許文献3には、前記ミラー面を形成すべく、様々な高分子光導波路の製造方法が提案されている。例えば特許文献1では、V字型ダイヤモンドブレードを用いたダイシング加工によって高分子光導波路の製造している。即ち、特許文献1の製造方法は、まずコア及びクラッドからなる構造体を形成した後、同構造体をダイシング加工で切断し、その切断面がミラー面となるように切断された構造体を組み合わせて高分子光導波路としている。特許文献2では、コア及びクラッドを形成した後、反応性イオンエッチング(RIE)法により端面をエッチングしてミラー面を形成している。   In Patent Documents 1 to 3, various polymer optical waveguide manufacturing methods have been proposed in order to form the mirror surface. For example, in Patent Document 1, a polymer optical waveguide is manufactured by dicing using a V-shaped diamond blade. That is, in the manufacturing method of Patent Document 1, a structure composed of a core and a clad is first formed, then the structure is cut by dicing, and the structure is cut so that the cut surface becomes a mirror surface. This is a polymer optical waveguide. In Patent Document 2, after forming a core and a clad, a mirror surface is formed by etching an end face by a reactive ion etching (RIE) method.

特許文献3では、成形型(スタンパ)を用いることにより、コア、クラッド及びミラー面を形成している。即ち、特許文献3の製造方法は、まずコアに対応する凹部又は凸部が設けられた成形型を成形した後、同成形型から凹部又は凸部の形状を型取りすることにより、コア及びクラッドを成形している。さらに、前記凹部又は凸部には、レーザー加工によってミラー面に応じた斜め面が設けられており、コア及びクラッドを成形する際にミラー面も成形されるようになっている。
特開2003−114365号公報 特開2003−215371号公報 特開2003−240996号公報
In Patent Document 3, a core, a clad, and a mirror surface are formed by using a molding die (stamper). That is, in the manufacturing method of Patent Document 3, a core and a clad are first formed by molding a molding die provided with a recess or projection corresponding to the core, and then molding the shape of the recess or projection from the molding die. Is molded. Further, the concave portion or the convex portion is provided with an oblique surface corresponding to the mirror surface by laser processing, and the mirror surface is also formed when the core and the clad are formed.
JP 2003-114365 A JP 2003-215371 A JP 2003-240996 A

ところが、上記特許文献1及び特許文献2の製造方法は、コア及びクラッドを製造した後に、ミラー面を形成するための加工を必要としており、製造効率が好適であるとは言い難いものであった。一方、特許文献3の製造方法は、成形型を用いたことにより、コア、クラッド及びミラー面の成形については、製造効率が好適である。しかし、特許文献3の製造方法においては、レーザー加工に係る装置が大がかりな上、非常に高価であり、製造コストの高騰を招きやすいことが挙げられる。特許文献1に係るダイシング加工においても、特許文献3の製造方法と同様の理由から製造コストの高騰を招きやすくなる。加えて、特許文献1〜3の製造方法には、ミラー面の形成に位置的な制限があるとともに、一つの光路上に傾斜方向の異なるミラー面(例えば光路に対して45゜と−45゜)を形成し難く、一の工程で形成可能なミラー面の傾斜方向にも制限があり、ミラー面に係る設計の自由度に劣るという問題もある。なお、各ミラー面を複数の工程で一つずつ加工するならば、一つの光路上に傾斜方向の異なるミラー面を形成することも可能ではあるが、しかしこの場合には製造効率の低下をも招くこととなる。   However, the manufacturing methods of Patent Document 1 and Patent Document 2 described above require processing for forming the mirror surface after manufacturing the core and the cladding, and it is difficult to say that the manufacturing efficiency is suitable. . On the other hand, the manufacturing method of Patent Document 3 uses a molding die, so that the manufacturing efficiency is suitable for molding of the core, the clad, and the mirror surface. However, in the manufacturing method of Patent Document 3, the apparatus related to laser processing is large and very expensive, and the manufacturing cost is likely to increase. Also in the dicing process according to Patent Document 1, the manufacturing cost is likely to increase due to the same reason as the manufacturing method of Patent Document 3. In addition, the manufacturing methods of Patent Documents 1 to 3 have positional limitations on the formation of mirror surfaces, and mirror surfaces having different inclination directions on one optical path (for example, 45 ° and −45 ° with respect to the optical path). ) Is difficult to form, and there is a limit to the tilt direction of the mirror surface that can be formed in one step, and there is a problem that the degree of freedom in designing the mirror surface is poor. If each mirror surface is processed one by one in a plurality of steps, it is possible to form mirror surfaces with different inclination directions on one optical path, but this also reduces the manufacturing efficiency. Will be invited.

本発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、ミラー面を好適な製造効率で簡易に製造することができるとともに、ミラー面の形成に係る設計の自由度の向上を図ることができる高分子光導波路の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. The object is to provide a method of manufacturing a polymer optical waveguide that can easily manufacture a mirror surface at a suitable manufacturing efficiency and can improve the degree of freedom in designing the mirror surface. There is to do.

上記の目的を達成するために、請求項1に記載の高分子光導波路の製造方法の発明は、表面にコアパターンが凹設された合成樹脂製のクラッド基部と、該コアパターンの内部に形成されたコアと、該コアを被覆すべく該クラッド基部の表面に設けられた合成樹脂製のクラッド蓋部とを備え、前記コアパターンの内面の一部を斜面状とすることで光路を変換するためのミラー面を設けた高分子光導波路の製造方法であって、前記コアパターンに応じた形状をなす転写パターンが設けられたスタンパを製造するスタンパ製造工程と、該スタンパを使用した加熱エンボス加工法で前記コアパターンを形成する転写工程と、前記コア及びクラッド蓋部を設ける導波路形成工程とを備え、前記スタンパ製造工程は、フォトレジスト材料製のフォトレジスト層をマスキング部材で被覆する被覆段階と、フォトレジスト層を露光及び現像して前記転写パターンを形成するパターン形成段階とを含み、該被覆段階では、前記マスキング部材として前記パターン形成段階の露光時に用いる光に対する遮光率を所定方向で徐々に変化させる階調領域が設けられたものを使用し、該階調領域により遮光率を徐々に変化させる方向は前記転写パターン及びコアパターンにより形成される前記コアが延びる方向となるように設定し、該パターン形成段階では前記ミラー面に応じた形状とすべく前記マスキング部材の前記階調領域を利用して前記転写パターンに斜面部を形成することを要旨とする。   In order to achieve the above-mentioned object, the invention of the method for producing a polymer optical waveguide according to claim 1 includes a clad base portion made of a synthetic resin having a core pattern recessed on the surface, and formed inside the core pattern. And a synthetic resin clad lid provided on the surface of the clad base to cover the core, and converting the optical path by forming a part of the inner surface of the core pattern into a slope shape. A manufacturing method of a polymer optical waveguide provided with a mirror surface for manufacturing a stamper provided with a transfer pattern having a shape corresponding to the core pattern, and heat embossing using the stamper A transfer step of forming the core pattern by a method, and a waveguide forming step of providing the core and the clad lid, wherein the stamper manufacturing step includes a photoresist made of a photoresist material. A coating step of coating the layer with a masking member; and a pattern formation step of exposing and developing a photoresist layer to form the transfer pattern, wherein the masking member is used during the exposure of the pattern formation step. A light source having a gradation region that gradually changes the light shielding rate in a predetermined direction is used, and the direction in which the light shielding rate is gradually changed by the gradation region is formed by the transfer pattern and the core pattern. In the pattern forming stage, a slope portion is formed in the transfer pattern using the gradation region of the masking member so as to have a shape corresponding to the mirror surface. To do.

上記発明によれば、転写工程ではスタンパを使用した加熱エンボス加工法を用いており、そのスタンパには転写パターン及び斜面部が形成されている。このため、クラッド基部の表面に加熱したスタンパを押圧し、転写パターン及び斜面部をクラッド基部の表面に転写するのみで、コアパターン及びミラー面が簡易且つ迅速に成形される。一方、スタンパの製造時においては、フォトレジスト材料と階調領域が設けられたマスキング部材とが使用される。このマスキング部材を使用して露光を行う場合、階調領域で光量が調整されることにより、フォトレジスト材料からなるフォトレジスト層は、階調領域と対応する箇所が斜面部となるように現像される。このため、大掛かりな装置や、長時間を要せずとも、光を照射するという極めて単純且つ簡易な作業で斜面部を形成することができる。また、ミラー面を形成することとなる斜面部は、フォトレジスト層の何れの位置にも形成することが可能であることから、ミラー面の形成に位置的な制限はない。さらに、遮光率を徐々に変化させる方向の設定を各斜面部毎に変更すれば、一つの光路上に傾斜方向の異なる複数のミラー面を設けることも可能となる。なお、遮光率を徐々に変化させる方向の設定の変更は、各階調領域毎に階調を変化させる方向を変更するという極めて単純且つ簡易な作業で対応することができる。従って、ミラー面の形成位置、傾斜方向等が制限されにくく、ミラー面の形成に係る設計の自由度の向上を図ることができるとともに、斜面部を有するスタンパ及びミラー面を有するコアパターンの双方ともに簡易に製造できることから、ミラー面を有する高分子光導波路を好適な製造効率で簡易に製造することができる。   According to the above invention, the transfer process uses a heat embossing method using a stamper, and the stamper is formed with a transfer pattern and a slope portion. For this reason, the core pattern and the mirror surface are simply and quickly formed simply by pressing the heated stamper on the surface of the clad base and transferring the transfer pattern and the slope to the surface of the clad base. On the other hand, at the time of manufacturing the stamper, a photoresist material and a masking member provided with a gradation region are used. When exposure is performed using this masking member, the amount of light is adjusted in the gradation region, so that the photoresist layer made of the photoresist material is developed so that the portion corresponding to the gradation region becomes a slope portion. The For this reason, even if it does not require a large apparatus and a long time, a slope part can be formed by the very simple and simple operation | work which irradiates light. In addition, since the slope portion that forms the mirror surface can be formed at any position of the photoresist layer, there is no positional limitation on the formation of the mirror surface. Furthermore, if the setting of the direction in which the light shielding rate is gradually changed is changed for each slope portion, it is possible to provide a plurality of mirror surfaces having different inclination directions on one optical path. Note that changing the setting of the direction in which the light shielding rate is gradually changed can be handled by a very simple and simple operation of changing the direction in which the gradation is changed for each gradation region. Therefore, the mirror surface formation position, the tilt direction, etc. are not easily restricted, and the degree of freedom in design related to the mirror surface formation can be improved, and both the stamper having the inclined surface portion and the core pattern having the mirror surface are provided. Since it can be easily manufactured, a polymer optical waveguide having a mirror surface can be easily manufactured with suitable manufacturing efficiency.

請求項2に記載の高分子光導波路の製造方法の発明は、請求項1に記載の発明において、前記被覆段階で使用するフォトレジスト材料は、ネガ型のフォトレジスト材料であることを要旨とする。   The invention of the method for producing a polymer optical waveguide according to claim 2 is characterized in that, in the invention according to claim 1, the photoresist material used in the coating step is a negative photoresist material. .

上記発明によれば、ネガ型のフォトレジスト材料は、ポジ型のフォトレジスト材料に比べ、フォトレジスト材料に係る製造コストの高騰を抑えつつ、フォトレジスト層の厚み増加を図ることが可能である。このため、高分子光導波路のコア径の拡大を図るべく、フォトレジスト層の厚みを増す場合にも、好適な製造効率を維持することができる。なお、ポジ型のフォトレジスト材料でフォトレジスト層の厚み増加を図る場合、フォトレジスト材料の露光不足、露光過多等といった不具合の発生を抑制するには、ポジ型のフォトレジスト材料として、その露光にX線を用い、X線が照射された箇所が可溶化するX線可溶化型のものを使用することが好ましい。しかし、X線可溶化型のフォトレジスト材料を露光するためには、X線の照射に係る装置を使用する必要があり、このような装置は大がかりな上、非常に高価であり、製造コストの高騰を招きやすい。一方、ネガ型のフォトレジスト材料でフォトレジスト層の厚み増加を図る場合には、フォトレジスト材料として、その露光に紫外線を利用する紫外線硬化型のものを使用することが可能である。紫外線の照射に係る装置は、X線の照射に係る装置に比べ、構成が簡易であり、製造コストの高騰を抑えることが可能である。   According to the above invention, the negative photoresist material can increase the thickness of the photoresist layer while suppressing an increase in the manufacturing cost of the photoresist material as compared with the positive photoresist material. For this reason, even when the thickness of the photoresist layer is increased in order to increase the core diameter of the polymer optical waveguide, it is possible to maintain suitable manufacturing efficiency. In the case of increasing the thickness of the photoresist layer with a positive photoresist material, in order to suppress the occurrence of problems such as underexposure of the photoresist material, overexposure, etc. It is preferable to use an X-ray solubilization type that uses X-rays to solubilize a portion irradiated with X-rays. However, in order to expose an X-ray solubilized photoresist material, it is necessary to use an apparatus related to X-ray irradiation. Such an apparatus is large and very expensive, and the production cost is low. It is easy to invite soaring. On the other hand, when a negative photoresist material is used to increase the thickness of the photoresist layer, it is possible to use an ultraviolet curable material that uses ultraviolet light for the exposure as the photoresist material. An apparatus related to irradiation with ultraviolet rays has a simpler configuration than an apparatus related to irradiation with X-rays, and can suppress an increase in manufacturing cost.

請求項3に記載の高分子光導波路の製造方法の発明は、請求項1又は請求項2に記載の発明において、前記パターン形成段階の露光時に使用する光は、前記フォトレジスト層に対する吸光度が1以下となるものであることを要旨とする。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for producing a polymer optical waveguide according to the first or second aspect of the present invention, wherein the light used for the exposure in the pattern forming stage has an absorbance of 1 for the photoresist layer. The summary is as follows.

上記発明によれば、露光時におけるフォトレジスト材料の露光不足、露光過多等といった不具合の発生を好適に抑制することが可能となる。このため、フォトレジスト層の厚みを増しやすく、高分子光導波路のコア径の拡大を図ることができる。   According to the above invention, it is possible to suitably suppress the occurrence of problems such as underexposure and overexposure of the photoresist material during exposure. For this reason, it is easy to increase the thickness of the photoresist layer, and the core diameter of the polymer optical waveguide can be increased.

請求項4に記載の高分子光導波路の製造方法の発明は、請求項1から請求項3の何れか一項に記載の発明において、前記スタンパ製造工程は、前記転写パターンを型取りして複製パターンを得る型取り段階と、該複製パターンを使用して前記転写パターンを複製する複製段階とを含むことを要旨とする。   The invention of the method for producing a polymer optical waveguide according to claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the stamper producing step is performed by copying the transfer pattern. The gist includes a mold making step for obtaining a pattern and a duplication step for duplicating the transfer pattern using the duplication pattern.

上記発明によれば、原版となる転写パターンを加熱エンボス加工に使用することなく保管することができるとともに、複製パターンから転写パターンを大量に複製することができる。   According to the above invention, the transfer pattern serving as the original plate can be stored without being used for the heat embossing, and the transfer pattern can be replicated in large quantities from the replication pattern.

本発明によれば、ミラー面を有する高分子光導波路を簡易且つ好適な製造効率で製造することができる。   According to the present invention, a polymer optical waveguide having a mirror surface can be produced simply and with suitable production efficiency.

以下、本発明を具体化した一実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
まず、高分子光導波路の構成について説明する。なお、高分子光導波路は、光ファイバーのコネクタ、スプリッタ等のように、光信号を伝搬する際の光回折路、光分波路及び光合波路、光分岐路及び光合成路、光スイッチ、光回路等として使用されるものである。
Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, the configuration of the polymer optical waveguide will be described. Polymer optical waveguides, such as optical fiber connectors and splitters, are used as optical diffraction paths, optical branching and optical multiplexing paths, optical branching paths and optical combining paths, optical switches, optical circuits, etc. It is what is used.

図1(a),(b)に示すように、高分子光導波路は、クラッド基部11と、同クラッド基部11の表面に設けられた複数の凹部からなるコアパターン12と、同コアパターン12の内部に設けられたコア13と、クラッド蓋部14とを有している。クラッド基部11は、フィルム、板材等から矩形状に形成されている。コアパターン12は、スタンパを使用した加熱エンボス加工法によってクラッド基部11の表面に凹設されている。コア13は、コアパターン12の内部を埋めるように、コアパターン12に応じた形状に形成されている。クラッド蓋部14は、薄板状に形成され、コア13の露出部分を被覆するように、クラッド基部11の表面に取着されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the polymer optical waveguide includes a cladding base portion 11, a core pattern 12 including a plurality of concave portions provided on the surface of the cladding base portion 11, and the core pattern 12. It has a core 13 provided inside and a clad lid 14. The clad base 11 is formed in a rectangular shape from a film, a plate material or the like. The core pattern 12 is recessed on the surface of the clad base 11 by a hot embossing method using a stamper. The core 13 is formed in a shape corresponding to the core pattern 12 so as to fill the inside of the core pattern 12. The clad lid part 14 is formed in a thin plate shape, and is attached to the surface of the clad base part 11 so as to cover the exposed part of the core 13.

前記クラッド基部11、コア13及びクラッド蓋部14は、光信号として使用される光を透過すべく、全て透明な合成樹脂から形成されている。クラッド基部11及びクラッド蓋部14に使用する合成樹脂としては、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、ポリアリレート(PAr)、ポリスチレン(PS)等の熱可塑性樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂、紫外線硬化型アクリル樹脂、紫外線硬化型ビニル樹脂等の紫外線硬化樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。クラッド基部11においては、加熱エンボス加工法によるコアパターン12の形成を容易に行うという観点から、熱可塑性樹脂を使用することが好ましい。一方、コア13は、クラッド基部11及びクラッド蓋部14で使用する合成樹脂よりも屈折率の高い合成樹脂が使用される。コア13に使用する合成樹脂の具体例として、クラッド基部11及びクラッド蓋部14の材料として前に挙げた熱可塑性樹脂、紫外線硬化樹脂、フッ素樹脂等の他、ポリイミド等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。   The clad base 11, the core 13, and the clad lid 14 are all made of a transparent synthetic resin so as to transmit light used as an optical signal. Synthetic resins used for the clad base 11 and the clad lid 14 include thermoplastic resins such as polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyarylate (PAr), polystyrene (PS), and ultraviolet curable epoxy resins. UV curable resins such as UV curable acrylic resins and UV curable vinyl resins, and fluorine resins. In the clad base part 11, it is preferable to use a thermoplastic resin from the viewpoint of easily forming the core pattern 12 by a hot embossing method. On the other hand, the core 13 is made of a synthetic resin having a higher refractive index than the synthetic resin used in the clad base 11 and the clad lid 14. Specific examples of the synthetic resin used for the core 13 include thermoplastic resins, ultraviolet curable resins, fluororesins, and the like previously mentioned as materials for the clad base 11 and the clad lid 14, and thermosetting resins such as polyimide. Can be mentioned.

ここで、クラッド基部11、クラッド蓋部14及びコア13に使用する合成樹脂について、透明とは、高分子光導波路によって伝搬される光信号として使用される光の波長域で透明、つまりは光信号に使用する光を吸収しない色調であることを示す。従って、無色透明の合成樹脂に限らず、光信号に使用する光を吸収しなければ、有色透明の合成樹脂を使用してもよい。具体的に、光信号には400〜1600nmの波長域の光が使用され、主に650nm、850nm、1300nm及び1550nmの波長域の光が用途に応じて選択して使用される。このため、クラッド基部11、クラッド蓋部14及びコア13に使用する材料には、これらの波長域の光を吸収しない色調で透明な合成樹脂が使用される。   Here, regarding the synthetic resin used for the clad base 11, the clad lid 14 and the core 13, transparent means transparent in the wavelength range of light used as an optical signal propagated by the polymer optical waveguide, that is, an optical signal. Indicates that the color tone does not absorb the light used. Therefore, not only a colorless and transparent synthetic resin, but a colored transparent synthetic resin may be used as long as it does not absorb light used for an optical signal. Specifically, light having a wavelength range of 400 to 1600 nm is used for the optical signal, and light having a wavelength range of 650 nm, 850 nm, 1300 nm, and 1550 nm is selected and used depending on the application. For this reason, as a material used for the clad base 11, the clad lid 14 and the core 13, a transparent synthetic resin having a color tone which does not absorb light in these wavelength ranges is used.

高分子光導波路は、その端部からコア13に光信号が入射されると、同光信号をクラッド基部11又はクラッド蓋部14と、コア13との境界面で反射させる。この反射が繰り返されることにより、光信号は鋸歯状の軌跡を描きながらコア13内を進行し、高分子光導波路の内部を同コア13の延びる方向へ伝搬される。ここで、本実施形態の光路とは、高分子光導波路による光信号の伝搬方向を示すものとする。そして、前述のようにコア13内を伝搬される光信号の光路(図中で横向きの矢印方向)は、本実施形態ではコア13の延びる方向と一致する。   When an optical signal is incident on the core 13 from the end of the polymer optical waveguide, the optical signal is reflected at the boundary surface between the cladding base 11 or the cladding lid 14 and the core 13. By repeating this reflection, the optical signal travels in the core 13 while drawing a sawtooth locus, and propagates in the direction in which the core 13 extends in the polymer optical waveguide. Here, the optical path of the present embodiment indicates the propagation direction of the optical signal by the polymer optical waveguide. As described above, the optical path of the optical signal propagated in the core 13 (the direction of the arrow in the horizontal direction in the figure) coincides with the extending direction of the core 13 in the present embodiment.

当該高分子光導波路において、コア13の延びる方向で両端部(光路の両端)には、クラッド基部11とコア13との境界面にミラー面15がそれぞれ設けられている。各ミラー面15は、光路に対して所定角度(本実施形態では45゜)の斜面状をなしている。これらミラー面15は、コアパターン12の内面の一部である対向する一対の内側面を、クラッド蓋部14へ向かうにつれ互いに離間するテーパ状とすることによって形成されたものである。また、ミラー面15は、コアパターン12を加熱エンボス加工法で成形する際、同コアパターン12とともに前記スタンパを使用して成形される。   In the polymer optical waveguide, mirror surfaces 15 are provided at the boundary surfaces between the clad base 11 and the core 13 at both ends (both ends of the optical path) in the extending direction of the core 13. Each mirror surface 15 has an inclined surface with a predetermined angle (45 ° in this embodiment) with respect to the optical path. These mirror surfaces 15 are formed by forming a pair of opposing inner side surfaces, which are a part of the inner surface of the core pattern 12, into tapered shapes that are separated from each other toward the cladding lid portion 14. The mirror surface 15 is formed by using the stamper together with the core pattern 12 when the core pattern 12 is formed by the hot embossing method.

当該高分子光導波路内を伝搬される光信号は、ミラー面15で反射方向を変えられることにより、その進行方向が変換される。即ち、高分子光導波路の外部から図中で下向きの矢印方向に入射される光信号は、一方のミラー面15により、コア13内を伝搬される光信号へと変換される。また、コア13内を伝搬される光信号は、他方のミラー面15により、高分子光導波路の外部へ図中で上向きの矢印方向に出射される光信号へと変換される。従って、ミラー面15を設けた当該高分子光導波路は、光信号をコア13内のみで伝搬することに限らず、クラッド蓋部14を介して外部から光信号を入射することも、クラッド蓋部14を介して外部へ光信号を出射することも可能である。   The traveling direction of the optical signal propagating in the polymer optical waveguide is changed by changing the reflection direction at the mirror surface 15. That is, an optical signal incident from the outside of the polymer optical waveguide in the downward arrow direction in the figure is converted into an optical signal propagated through the core 13 by one mirror surface 15. The optical signal propagated in the core 13 is converted by the other mirror surface 15 into an optical signal emitted in the upward arrow direction in the drawing to the outside of the polymer optical waveguide. Therefore, the polymer optical waveguide provided with the mirror surface 15 is not limited to propagating an optical signal only in the core 13, but can receive an optical signal from the outside via the cladding lid 14. It is also possible to emit an optical signal to the outside via 14.

コアパターン12において、ミラー面15を含む内面の粗さは、光信号に使用する光の波長域の好ましくは10分の1以下であり、より好ましくは20分の1以下である。具体的には、JIS B0601−1994に規定される算術平均粗さ(Ra)が、好ましくは0.2μm以下であり、より好ましくは0.1μm以下である。Raが0.2μmを超える場合、コア13内での進行時に前記境界面で光の乱反射が生じやすく、ノイズが発生する等して光信号を正確に伝搬することができなくなるおそれがある。なお、算術平均粗さ(Ra)が小さくなるに従い、光の乱反射は生じにくくなり、光信号を正確に伝搬することができるようになる。しかし、算術平均粗さ(Ra)を過剰に小さくすれば、製造の長時間化、煩雑化等を招き、製造コストが高騰することから、算術平均粗さ(Ra)は、好ましくは0.01μm以上である。   In the core pattern 12, the roughness of the inner surface including the mirror surface 15 is preferably 1/10 or less, more preferably 1/20 or less of the wavelength range of light used for the optical signal. Specifically, the arithmetic average roughness (Ra) defined in JIS B0601-1994 is preferably 0.2 μm or less, more preferably 0.1 μm or less. When Ra exceeds 0.2 μm, irregular reflection of light is likely to occur at the boundary surface when traveling in the core 13, and there is a possibility that the optical signal cannot be accurately propagated due to noise or the like. Note that as the arithmetic average roughness (Ra) becomes smaller, irregular reflection of light is less likely to occur, and an optical signal can be accurately propagated. However, if the arithmetic average roughness (Ra) is excessively reduced, the manufacturing time is increased, the complexity is increased, and the manufacturing cost is increased. Therefore, the arithmetic average roughness (Ra) is preferably 0.01 μm. That's it.

コア13の径は、好ましくは3〜2000μmである。なお、本実施形態のコア13の径は、前記光路に直交する面内におけるコア13の一辺の長さで示す。すなわち、光ファイバーから高分子光導波路に光信号を入射したり、高分子光導波路から光ファイバーに光信号を出射したりする場合、結合損失を低減すべく、高分子光導波路のコア径を光ファイバーのコア径に対して最適化する必要がある。また、当該高分子光導波路は、光ファイバーを接続することを前提としており、その光ファイバーのコアの径は、一般に3〜2000μmである。そこで、種々の光ファイバーに対し、それぞれのコアの径と同程度に合わせることができるよう、コア13の径を3〜2000μmとすることが好ましく、50〜2000μmとすることがより好ましい。   The diameter of the core 13 is preferably 3 to 2000 μm. In addition, the diameter of the core 13 of this embodiment is shown by the length of one side of the core 13 in the plane orthogonal to the optical path. That is, when an optical signal is input from an optical fiber to a polymer optical waveguide or an optical signal is output from the polymer optical waveguide to an optical fiber, the core diameter of the polymer optical waveguide is reduced to reduce the coupling loss. Need to optimize for diameter. The polymer optical waveguide is premised on connecting an optical fiber, and the core diameter of the optical fiber is generally 3 to 2000 μm. Therefore, the diameter of the core 13 is preferably 3 to 2000 μm, and more preferably 50 to 2000 μm so that various optical fibers can be matched to the diameter of each core.

次に、高分子光導波路を形成するためのスタンパについて説明する。図3(a),(b)及び図4(a)に示すように、スタンパは、原版であるマスタスタンパ21と、該マスタスタンパ21から複製型31を使用して複製された複製スタンパ41とから構成されている。   Next, a stamper for forming the polymer optical waveguide will be described. As shown in FIGS. 3A, 3B, and 4A, the stamper includes a master stamper 21 that is an original, and a replication stamper 41 that is replicated from the master stamper 21 using a replication mold 31. It is composed of

まず、マスタスタンパ21について説明する。マスタスタンパ21は、マスキング部材としてのマスク基板22と、同マスク基板22の表面に設けられた転写パターン23とを有している。転写パターン23は、フォトレジスト材料を用い、前記コアパターン12に応じた形状、換言すればコアパターン12を逆転させた形状となるように形成されている。また、転写パターン23には、前記ミラー面15に応じた形状とすべく、斜面部24が形成されている。従って、転写パターン23及び斜面部24と、コアパターン12及びミラー面15とは所謂ネガ・ポジの関係にある。   First, the master stamper 21 will be described. The master stamper 21 has a mask substrate 22 as a masking member and a transfer pattern 23 provided on the surface of the mask substrate 22. The transfer pattern 23 is formed using a photoresist material so as to have a shape corresponding to the core pattern 12, in other words, a shape obtained by reversing the core pattern 12. Further, the transfer pattern 23 is formed with an inclined surface portion 24 so as to have a shape corresponding to the mirror surface 15. Therefore, the transfer pattern 23 and the inclined surface portion 24 and the core pattern 12 and the mirror surface 15 are in a so-called negative / positive relationship.

当該転写パターン23及び斜面部24は、それぞれの表面の荒れがコアパターン12の内面及びミラー面15に転写されるおそれがあることから、表面の粗さが前記光信号に使用する光の波長域の好ましくは10分の1以下、より好ましくは20分の1以下とされている。具体的には、当該表面の算術平均粗さ(Ra)が、好ましくは0.2μm以下、より好ましくは0.1μm以下とされている。Raが0.2μmを超える場合、前記コアパターン12の内面又はミラー面15のRaが0.2μmを超えてしまうおそれがある。なお、転写パターン23及び斜面部24の表面の算術平均粗さ(Ra)が小さくなるに従い、コアパターン12の内面及びミラー面15も平滑なものとなるが、Raを過剰に小さくすれば、製造の長時間化、煩雑化等を招き、製造コストが高騰する。このため、転写パターン23の表面及び斜面部24の算術平均粗さ(Ra)は、好ましくは0.01μm以上である。   Since the surface roughness of the transfer pattern 23 and the slope portion 24 may be transferred to the inner surface of the core pattern 12 and the mirror surface 15, the surface roughness is the wavelength range of light used for the optical signal. Is preferably 1/10 or less, more preferably 1/20 or less. Specifically, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface is preferably 0.2 μm or less, more preferably 0.1 μm or less. When Ra exceeds 0.2 μm, Ra on the inner surface of the core pattern 12 or the mirror surface 15 may exceed 0.2 μm. In addition, as the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the transfer pattern 23 and the inclined surface portion 24 becomes smaller, the inner surface of the core pattern 12 and the mirror surface 15 become smoother. As a result, the manufacturing cost increases. For this reason, the arithmetic average roughness (Ra) of the surface of the transfer pattern 23 and the inclined surface portion 24 is preferably 0.01 μm or more.

前記マスク基板22は、ベース板25と同ベース板25の表面に設けられたマスキングパターン26とから構成されている。ベース板25は、前記転写パターン23を形成すべくフォトレジスト材料の露光に使用する光を透過できるように、同露光に使用する光を吸収しない色調で透明な板材、例えばガラス板、合成樹脂板等から形成されている。このマスキングパターン26は、露光に使用する光を遮蔽する遮光パターン27と、露光に使用する光を透過させる透光パターン28と、遮光パターン27及び透光パターン28の間に設けられた階調パターン29とを備えている。   The mask substrate 22 includes a base plate 25 and a masking pattern 26 provided on the surface of the base plate 25. The base plate 25 is a transparent plate material, such as a glass plate or a synthetic resin plate, which does not absorb the light used for the exposure so that the light used for the exposure of the photoresist material can be transmitted to form the transfer pattern 23. Etc. are formed. The masking pattern 26 includes a light shielding pattern 27 that shields light used for exposure, a light transmitting pattern 28 that transmits light used for exposure, and a gradation pattern provided between the light shielding pattern 27 and the light transmitting pattern 28. 29.

階調パターン29は、露光に使用する光に対する遮光率を所定方向で徐々に変化させる階調領域を構成している。また、この階調領域は、露光に使用する光に対する遮光率を徐々に変化させる方向が遮光パターン27から透光パターン28へ向かう方向、つまりは前記コア13が延びる方向であり、高分子光導波路においてコア13内を伝搬される光信号の光路と同一方向となるように設定されている。   The gradation pattern 29 constitutes a gradation region in which the light shielding rate for light used for exposure is gradually changed in a predetermined direction. Further, in this gradation region, the direction in which the light shielding rate with respect to the light used for exposure is gradually changed is the direction from the light shielding pattern 27 toward the light transmitting pattern 28, that is, the direction in which the core 13 extends. Are set to be in the same direction as the optical path of the optical signal propagated in the core 13.

具体的に、本実施形態の遮光パターン27は、ベース板25の表面に薄膜を成膜することによって形成されている。この薄膜の色調は、露光に使用する光を吸収する又は反射する色調となっており、同薄膜が露光に使用する光を吸収又は反射することにより、露光に使用する光が遮蔽される。透光パターン28は、前記薄膜を設けることなく、ベース板25の表面を外部へ露出させることにより形成されており、露光に使用する光を透過させる。一方、階調パターン29は、前記薄膜の膜厚を徐々に変化させることによって形成されている。膜厚を徐々に変化させた薄膜の色調は、露光に使用する光を吸収する又は反射する色調であって、その濃淡が連続的に変化する色調となり、階調パターン29の色調は、遮光パターン27へ近づくにつれ濃くなり、透光パターン28へ近づくにつれ淡くなる。階調パターン29の遮光率は、遮光パターン27及び透光パターン28の遮光率に応じている。例えば、遮光パターン27の遮光率が100%、透光パターン28の遮光率が0%であれば、階調パターン29の遮光率は、遮光パターン27から透光パターン28へ向かう方向へ100〜0%の範囲で連続的に変化する。   Specifically, the light shielding pattern 27 of the present embodiment is formed by forming a thin film on the surface of the base plate 25. The color tone of the thin film is a color tone that absorbs or reflects light used for exposure, and the thin film absorbs or reflects light used for exposure, thereby shielding light used for exposure. The translucent pattern 28 is formed by exposing the surface of the base plate 25 to the outside without providing the thin film, and transmits light used for exposure. On the other hand, the gradation pattern 29 is formed by gradually changing the film thickness of the thin film. The color tone of the thin film whose film thickness is gradually changed is a color tone that absorbs or reflects light used for exposure, and its tone changes continuously. The tone of the gradation pattern 29 is a shading pattern. As it approaches 27, it becomes darker, and as it approaches the translucent pattern 28, it becomes lighter. The light shielding rate of the gradation pattern 29 corresponds to the light shielding rates of the light shielding pattern 27 and the light transmitting pattern 28. For example, if the light blocking rate of the light blocking pattern 27 is 100% and the light blocking rate of the light transmitting pattern 28 is 0%, the light blocking rate of the gradation pattern 29 is 100 to 0 in the direction from the light blocking pattern 27 toward the light transmitting pattern 28. % Continuously.

次いで、前記複製型31について説明する。複製型31は、前記マスタスタンパ21の表面部分、つまりは転写パターン23を型取りして製造されている。この複製型31は、シリコーンゴムから形成されている。複製型31の表面(図4(a)中で上面)には複製パターン32が設けられている。この複製パターン32は、転写パターン23に応じた形状、換言すれば転写パターン23を逆転させた形状とされており、複製パターン32と転写パターン23とは所謂ネガ・ポジの関係にある。従って、複製パターン32は、前記コアパターン12と同一の形状をなしている。   Next, the replication mold 31 will be described. The replication mold 31 is manufactured by molding the surface portion of the master stamper 21, that is, the transfer pattern 23. The replication mold 31 is made of silicone rubber. A replication pattern 32 is provided on the surface of the replication mold 31 (upper surface in FIG. 4A). The duplicate pattern 32 has a shape corresponding to the transfer pattern 23, in other words, a shape obtained by reversing the transfer pattern 23, and the duplicate pattern 32 and the transfer pattern 23 have a so-called negative / positive relationship. Accordingly, the duplicate pattern 32 has the same shape as the core pattern 12.

次いで、前記複製スタンパ41について説明する。複製スタンパ41は、基材42と、その基材42の表面(図4(a)中で底面)に設けられた転写部43とを有している。この転写部43の表面(図4(a)中で底面)には、前記転写パターン23及び前記斜面部24が複写されている。転写部43は、紫外線硬化型エポキシ樹脂、紫外線硬化型アクリル樹脂、紫外線硬化型ビニル樹脂等の紫外線硬化樹脂から形成されている。また、基材42には、転写部43を硬化させるべく使用される紫外線を吸収しない材料、例えばガラス板等が使用されている。   Next, the replication stamper 41 will be described. The replication stamper 41 includes a base material 42 and a transfer portion 43 provided on the surface (the bottom surface in FIG. 4A) of the base material 42. The transfer pattern 23 and the slope portion 24 are copied on the surface of the transfer portion 43 (the bottom surface in FIG. 4A). The transfer portion 43 is formed of an ultraviolet curable resin such as an ultraviolet curable epoxy resin, an ultraviolet curable acrylic resin, or an ultraviolet curable vinyl resin. In addition, the base material 42 is made of a material that does not absorb ultraviolet rays, such as a glass plate, which is used to cure the transfer portion 43.

この実施形態では、スタンパのうち、複製スタンパ41を使用して加熱エンボス加工法が行われている。これは、紫外線硬化樹脂からなる転写部43は、フォトレジスト材料からなる前記転写パターン23に比べ、加熱、加圧に対する強度を向上させやすく、加熱エンボス加工法を行う際にスタンパとして使用可能な回数の増加を図ることができるためである。従って、高分子光導波路を少量のみ製造する等、使用可能な回数の増加を図ることを目的としなければ、前記マスタスタンパ21を使用して加熱エンボス加工法を行ってもよい。なお、転写部43を形成する紫外線硬化樹脂には、加熱エンボス加工法で使用されることから、クラッド基部11の材料である合成樹脂よりもガラス転移点(Tg)が高いものを使用することが好ましく、より好ましくはカチオン重合タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂が使用される。   In this embodiment, the heating embossing method is performed using the replication stamper 41 among the stampers. This is because the transfer portion 43 made of an ultraviolet curable resin is easier to improve the strength against heating and pressurization than the transfer pattern 23 made of a photoresist material, and can be used as a stamper when performing the heat embossing method. This is because it is possible to increase the amount. Therefore, if the purpose is not to increase the number of usable times such as manufacturing only a small amount of polymer optical waveguide, the master stamper 21 may be used to perform the heat embossing method. In addition, since the ultraviolet curable resin which forms the transfer part 43 is used by the heating embossing method, it is necessary to use a resin having a glass transition point (Tg) higher than that of the synthetic resin which is the material of the cladding base 11. More preferably, a cationic polymerization type ultraviolet curable epoxy resin is used.

次に、高分子光導波路の製造工程について説明する。
高分子光導波路は、スタンパ製造工程と、転写工程と、導波路形成工程とを経て製造される。スタンパ製造工程では、スタンパとして前記マスタスタンパ21と前記複製スタンパ41とが製造される。転写工程では、複製スタンパ41を使用して加熱エンボス加工法を行うことにより、クラッド基部11の表面にコアパターン12が形成される。導波路形成工程では、コアパターン12が形成されたクラッド基部11の表面において、コアパターン12の内部にコア13を形成し、その後にクラッド蓋部14が形成される。
Next, the manufacturing process of the polymer optical waveguide will be described.
The polymer optical waveguide is manufactured through a stamper manufacturing process, a transfer process, and a waveguide forming process. In the stamper manufacturing process, the master stamper 21 and the duplicate stamper 41 are manufactured as stampers. In the transfer process, the core pattern 12 is formed on the surface of the clad base 11 by performing a heat embossing process using the replication stamper 41. In the waveguide forming step, the core 13 is formed inside the core pattern 12 on the surface of the cladding base 11 on which the core pattern 12 is formed, and then the cladding lid portion 14 is formed.

前記スタンパ製造工程について説明する。このスタンパ製造工程は、大きく分けてマスタスタンパ21を製造するマスタ製造段階と、複製スタンパ41を製造する複製製造段階との2つの段階に分けられる。   The stamper manufacturing process will be described. This stamper manufacturing process is roughly divided into two stages: a master manufacturing stage for manufacturing the master stamper 21 and a replica manufacturing stage for manufacturing the replica stamper 41.

まず、マスタ製造段階について説明する。このマスタ製造段階は、被覆段階とパターン形成段階とを備える。図2(a)に示すように、被覆段階では、マスク基板22の表面にフォトレジスト層23aが積層されて形成される。なお、この図2(a)は、ネガ型のフォトレジスト材料を使用した場合を示す。このフォトレジスト層23aの形成は、マスク基板22の表面に液状のフォトレジスト材料をキャスト(注入)した後、同フォトレジスト材料を加熱乾燥して溶媒成分を除去し、固化することにより行われる。このようにして形成されたフォトレジスト層23aは、その表面(図2(a)中で底面)がマスキング部材であるマスク基板22により被覆されることとなる。このマスク基板22においては、フォトレジスト材料がネガ型のものであることから、マスキングパターン26の透光パターン28が所望する転写パターン23と同一形状のものが使用される。   First, the master manufacturing stage will be described. The master manufacturing stage includes a covering stage and a pattern forming stage. As shown in FIG. 2A, a photoresist layer 23a is laminated on the surface of the mask substrate 22 in the covering step. FIG. 2A shows the case where a negative photoresist material is used. The formation of the photoresist layer 23a is performed by casting (injecting) a liquid photoresist material onto the surface of the mask substrate 22, and then heating and drying the photoresist material to remove the solvent component and solidify. The photoresist layer 23a formed in this way is covered with a mask substrate 22 that is a masking member on the surface (the bottom surface in FIG. 2A). In this mask substrate 22, since the photoresist material is a negative type, the transparent pattern 28 of the masking pattern 26 has the same shape as the desired transfer pattern 23.

前記パターン形成段階では、図2(a)中に矢印で示すように、まずマスク基板22を介してフォトレジスト層23aに露光に使用する光が図2(a)中で底面側から照射され、該フォトレジスト層23aが露光される。このとき、マスク基板22の階調パターン29においては、遮光パターン27側から透光パターン28側へ向かうに従い、露光に使用する光を透過させやすくなることから、同階調パターン29を透過した光の光強度が連続的に変化する。このように階調パターン29で光強度を連続的に変化させることにより、露光に使用する光による前記フォトレジスト材料の露光度も遮光パターン27と透光パターン28との間で連続的に変化することとなる。その結果、フォトレジスト層23aで階調パターン29と対応する箇所は、図2(a)中に点線で示すように、斜面状に露光されることとなる。その後、フォトレジスト層23aを現像し、同フォトレジスト層23aの一部を除去する。すると、図3(a)に示すように、マスク基板22の表面には転写パターン23が残るとともに、フォトレジスト層23aの斜面状に露光された箇所が斜面部24を形成することとなり、マスタスタンパ21が形成される。   In the pattern forming step, as shown by an arrow in FIG. 2A, first, light used for exposure is irradiated to the photoresist layer 23a through the mask substrate 22 from the bottom side in FIG. The photoresist layer 23a is exposed. At this time, in the gradation pattern 29 of the mask substrate 22, light used for exposure is easily transmitted from the light shielding pattern 27 side toward the light transmission pattern 28 side. The light intensity changes continuously. Thus, by continuously changing the light intensity in the gradation pattern 29, the exposure degree of the photoresist material by the light used for exposure also changes continuously between the light shielding pattern 27 and the light transmitting pattern 28. It will be. As a result, the portion corresponding to the gradation pattern 29 in the photoresist layer 23a is exposed in a sloped manner as indicated by the dotted line in FIG. Thereafter, the photoresist layer 23a is developed, and a part of the photoresist layer 23a is removed. Then, as shown in FIG. 3 (a), the transfer pattern 23 remains on the surface of the mask substrate 22, and the exposed portion of the photoresist layer 23a in the shape of a slope forms a slope portion 24, and the master stamper. 21 is formed.

ここで、ポジ型のフォトレジスト材料を使用する場合について説明する。図2(b)に示すように、ポジ型のフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層23aは、ベース板25の表面に積層され、同フォトレジスト層23aの表面は、マスキング部材としてのマスキングシート26aにより被覆される。このマスキングシート26aは、遮光パターン27と、透光パターン28と、階調パターン29とを有し、遮光パターン27は所望する転写パターン23と同一形状とされ、透光パターン28は転写パターン23と反転した形状とされる。そして、同マスキングシート26aの表面側からフォトレジスト層23aの露光を行った結果、図3(a)に示した転写パターン23と同形状の転写パターンが得られる。   Here, a case where a positive photoresist material is used will be described. As shown in FIG. 2B, a photoresist layer 23a made of a positive photoresist material is laminated on the surface of the base plate 25, and the surface of the photoresist layer 23a is formed by a masking sheet 26a as a masking member. Covered. The masking sheet 26 a has a light shielding pattern 27, a light transmission pattern 28, and a gradation pattern 29. The light shielding pattern 27 has the same shape as the desired transfer pattern 23, and the light transmission pattern 28 is the same as the transfer pattern 23. Inverted shape. Then, as a result of exposing the photoresist layer 23a from the surface side of the masking sheet 26a, a transfer pattern having the same shape as the transfer pattern 23 shown in FIG. 3A is obtained.

なお、コア13の径を拡大すべくフォトレジスト層23aの厚み増加を図る場合、製造コストの高騰を抑制できるという観点から、ネガ型のフォトレジスト材料を使用することが好ましい。これは、ネガ型のフォトレジスト材料であれば、フォトレジスト層23aの膜厚を厚くする場合でも紫外線硬化型のものを使用することができるためである。ポジ型のフォトレジスト材料でフォトレジスト層23aの厚み増加を図る場合、X線可溶化型のものを使用する必要性が高まり、前記パターン形成段階におけるフォトレジスト層23aの露光時に大掛かりで高価な装置を使用する可能性が高まる。   In order to increase the thickness of the photoresist layer 23a in order to increase the diameter of the core 13, it is preferable to use a negative photoresist material from the viewpoint of suppressing an increase in manufacturing cost. This is because an ultraviolet curable material can be used as long as the film thickness of the photoresist layer 23a is increased as long as it is a negative photoresist material. When a positive photoresist material is used to increase the thickness of the photoresist layer 23a, the need to use an X-ray solubilizing type increases, and a large and expensive apparatus is used for exposing the photoresist layer 23a in the pattern formation stage. The possibility of using is increased.

コア13の径を拡大すべく、前記フォトレジスト層23aの厚み増加を図る場合(具体的にはフォトレジスト層23aの膜厚を100μm以上とする場合)について説明する。この場合、マスク基板22の表面内でフォトレジスト層23aの膜厚を均一にするため、前記被覆段階では次に記載するような方法を採用することが好ましい。すなわち、まず所望するフォトレジスト層23aの厚みと同じ高さのスペーサを用意し、同スペーサをマスク基板22の表面に設置する。次いで、マスク基板22の表面にフォトレジスト材料を前記スペーサよりも盛り上がるようにキャストし、フォトレジスト材料を固化する。この後、表面が平坦な押圧部材を用い、フォトレジスト材料を加熱しつつ、同フォトレジスト材料の表面を押圧部材で押圧する。すると、フォトレジスト材料は、その表面がスペーサよりも盛り上がった状態から平坦な状態とされることから、フォトレジスト層23aの膜厚が均一となる。   A case where the thickness of the photoresist layer 23a is increased in order to increase the diameter of the core 13 (specifically, the case where the thickness of the photoresist layer 23a is 100 μm or more) will be described. In this case, in order to make the film thickness of the photoresist layer 23a uniform within the surface of the mask substrate 22, it is preferable to employ the following method in the covering step. That is, first, a spacer having the same height as the desired thickness of the photoresist layer 23 a is prepared, and the spacer is placed on the surface of the mask substrate 22. Next, a photoresist material is cast on the surface of the mask substrate 22 so as to rise above the spacer, and the photoresist material is solidified. Thereafter, using a pressing member having a flat surface, the surface of the photoresist material is pressed by the pressing member while heating the photoresist material. Then, since the surface of the photoresist material is changed from a state where the surface is raised more than the spacer to a flat state, the film thickness of the photoresist layer 23a becomes uniform.

また、被覆段階で押圧部材を使用する場合、前記フォトレジスト材料には、押圧時の温度でフォトレジスト層23aを変形できるものが使用される。なお、押圧時において、押圧部材、フォトレジスト層23a及びマスク基板22は、未露光状態にあるフォトレジスト材料のガラス転移点(Tg)以上の温度となるように加熱される。フォトレジスト層23aの厚みは、前記コア13の径と同じであり、3〜2000μmである。   Further, when a pressing member is used in the covering step, a material that can deform the photoresist layer 23a at the pressing temperature is used as the photoresist material. At the time of pressing, the pressing member, the photoresist layer 23a, and the mask substrate 22 are heated so as to have a temperature equal to or higher than the glass transition point (Tg) of the unexposed photoresist material. The thickness of the photoresist layer 23a is the same as the diameter of the core 13 and is 3 to 2000 μm.

フォトレジスト層23aは、その厚みを、例えば100〜2000μmのように厚く形成した場合、表面部と底部(マスク基板22の表面)とで露光条件が異なることにより、転写パターン23が正確に形成されなくなる可能性が高くなる。従って、露光に使用する光には、フォトレジスト層23aに対する吸光度が、1以下となる光を使用することが好ましく、0.02〜1となる光を使用することがより好ましい。なお、吸光度が1以下となる光とは、フォトレジスト層23aを所望の厚み(所望とするコア13の径と同じ長さ)に形成した状態で、自記分光光度計(島津製作所製のUV−3100PC)を用いて同フォトレジスト層23aの吸光度を測定したとき、その吸光度が1以下となる光を示すものとする。露光に使用する光として吸光度が1を超える波長域の光を使用した場合、光の多くがフォトレジスト層23aの表面部で吸収され、同フォトレジスト層23aの底部まで光が達しない可能性が高くなる。この場合、フォトレジスト層23aの表面部と底部とで光強度の差が大きくなり、表面部と底部とで最適な露光条件が異なってしまう。   When the photoresist layer 23a is formed to have a thickness of, for example, 100 to 2000 μm, the transfer pattern 23 is accurately formed because the exposure condition is different between the surface portion and the bottom portion (the surface of the mask substrate 22). The possibility of disappearing is increased. Therefore, the light used for exposure is preferably light having an absorbance of 1 or less with respect to the photoresist layer 23a, and more preferably light having 0.02-1. The light having an absorbance of 1 or less means a self-recording spectrophotometer (UV-manufactured by Shimadzu Corporation) in a state in which the photoresist layer 23a is formed in a desired thickness (the same length as the desired diameter of the core 13). 3100PC), the absorbance of the photoresist layer 23a is measured, and the light whose absorbance is 1 or less is shown. When light having a wavelength region with an absorbance exceeding 1 is used as light used for exposure, most of the light is absorbed by the surface portion of the photoresist layer 23a, and the light may not reach the bottom of the photoresist layer 23a. Get higher. In this case, the difference in light intensity between the surface portion and the bottom portion of the photoresist layer 23a becomes large, and optimum exposure conditions differ between the surface portion and the bottom portion.

例えば、露光に使用する光として底部に最適な露光条件となる波長域の光を使用すれば、表面部では露光過多となるため、転写パターンは表面部と底部とで幅の異なるものとなってしまう。具体例として、吸光度が1を超える波長域の光を使用し、ネガ型のフォトレジスト層23aで転写パターンを形成しようとした場合、転写パターンの表面部が底部に比べて幅広となる。これに対し、露光に使用する光として表面部に最適な露光条件となる波長域の光を使用すれば、底部では露光不足となり、前例のように転写パターンは表面部と底部とで幅の異なるものとなってしまう。さらには、ネガ型のフォトレジスト材料を使用した場合には現像時に転写パターンが基板から剥離してしまったり等の不具合を生じるおそれがある。   For example, if light in the wavelength range that is the optimum exposure condition for the bottom is used as light used for exposure, the surface portion is overexposed, so the transfer pattern has a different width between the surface portion and the bottom portion. End up. As a specific example, when light having a wavelength range exceeding 1 is used and a transfer pattern is formed with a negative photoresist layer 23a, the surface portion of the transfer pattern is wider than the bottom portion. On the other hand, if light having a wavelength range that is an optimal exposure condition for the surface portion is used as light used for exposure, the bottom portion is underexposed, and the transfer pattern has a different width between the surface portion and the bottom portion as in the previous example. It becomes a thing. Furthermore, when a negative type photoresist material is used, there is a risk that a transfer pattern may be peeled off from the substrate during development.

なお、露光に使用する光の光源には、特定の波長域でのみ発光するものを用いてもよく、また、高圧水銀灯やキセノン灯などの多波長の光を発光するものを用いてもよい。但し、特定の波長域でのみ発光する光源を使用する場合には、吸光度が0.02未満となるような波長域の光のみ発光するものは避けることが好ましい。フォトレジスト層23aは、その吸光度が0.02未満の波長域の光のみで露光した場合、フォトレジスト層23aに吸収される光量が少なくなり、転写パターン23を形成できなくなるおそれがある。一方、多波長の光を発光する光源を使用する場合には、吸光度が0.02未満となるような波長域の光が含まれていてもよいが、吸光度が1を超えるような波長域の光は遮蔽することができるようにフィルター等を併用することが好ましい。   The light source used for the exposure may be a light source that emits light only in a specific wavelength region, or a light source that emits light of multiple wavelengths, such as a high-pressure mercury lamp or a xenon lamp. However, when a light source that emits light only in a specific wavelength range is used, it is preferable to avoid light that emits only light in a wavelength range where the absorbance is less than 0.02. When the photoresist layer 23a is exposed only to light having a wavelength region with an absorbance of less than 0.02, the amount of light absorbed by the photoresist layer 23a decreases, and the transfer pattern 23 may not be formed. On the other hand, when using a light source that emits light of multiple wavelengths, light in a wavelength range where the absorbance is less than 0.02 may be included, but in a wavelength range where the absorbance exceeds 1. It is preferable to use a filter or the like together so that the light can be shielded.

次いで、前記複製製造段階について説明する。この複製製造段階は、型取り段階と複製段階とを備える。型取り段階では、前記マスタ製造段階で得られたマスタスタンパ21を用い、同マスタスタンパ21から転写パターン23を型取りする。この型取りは、図3(b)に示すように、マスタスタンパ21の表面に液状のシリコーンゴムを塗布し、同シリコーンゴムを硬化させ、複製型31を形成することにより行われる。そして、型取り段階で得られた複製型31には、前記転写パターン23を型取りして得られた複製パターン32が形成されることとなる。また、この複製パターン32は、前記斜面部24を型取りした複製斜面部33を有している。型取り段階の後、複製型31はマスタスタンパ21の表面から剥離され、前記複製段階で使用される。なお、シリコーンゴムには、縮合反応型のものと、付加反応型のものとがあり、何れを使用してもよいが、付加反応型のシリコーンゴムを使用することがより好ましい。これは、付加反応型のものは、その硬化時に副生成物が発生せず、また硬化時の体積収縮率も小さいため、転写パターン23をより精密な寸法精度で型取りすることができるためである。   Next, the replica manufacturing stage will be described. This replica manufacturing stage includes a mold making stage and a replica stage. In the mold making stage, the master stamper 21 obtained in the master manufacturing stage is used to mold the transfer pattern 23 from the master stamper 21. As shown in FIG. 3B, the mold is formed by applying a liquid silicone rubber to the surface of the master stamper 21 and curing the silicone rubber to form a replication mold 31. A replica pattern 32 obtained by stamping the transfer pattern 23 is formed on the replica mold 31 obtained in the mold making stage. Further, the duplicate pattern 32 has a duplicate slope portion 33 obtained by shaping the slope portion 24. After the mold making stage, the replication mold 31 is peeled off from the surface of the master stamper 21 and used in the replication stage. Silicone rubber includes a condensation reaction type and an addition reaction type, and any of these may be used, but it is more preferable to use an addition reaction type silicone rubber. This is because the addition reaction type does not generate a by-product at the time of curing, and the volume shrinkage rate at the time of curing is small, so that the transfer pattern 23 can be molded with more precise dimensional accuracy. is there.

また、マスタスタンパ21から複製型31を離型する際、転写パターン23の傷つき、破損等を抑制し、離型性を向上させるため、シリコーンゴムを塗布する前に該マスタスタンパ21の表面に離型剤を予め塗布する等の離型向上処理を施してもよい。或いは、フォトレジスト層23aから押圧部材を取り除く、複製型31から複製スタンパ41を離型する等の際において、離型向上処理を施してもよい。さらには、マスタスタンパ21又は複製スタンパ41からクラッド基部11を離型する等の際において、離型向上処理を施してもよい。このような離型向上処理としては、フッ素樹脂、フッ素化合物、シリコーン樹脂、シリコーン化合物等の離型剤を塗布する湿式処理、フッ素含有ガス等を用いるCVD処理、無機化合物をスパッタリングしたり、金属を真空蒸着したり等する乾式処理等が挙げられる。   Further, when the replication mold 31 is released from the master stamper 21, the transfer pattern 23 is prevented from being damaged or damaged, and the release property is improved. You may perform a mold release improvement process, such as apply | coating a type | mold agent previously. Alternatively, when the pressing member is removed from the photoresist layer 23a, or when the replication stamper 41 is released from the replication mold 31, a mold release improving process may be performed. Furthermore, when the clad base 11 is released from the master stamper 21 or the replica stamper 41, a release improvement process may be performed. Examples of such mold release improving treatment include wet treatment for applying a release agent such as fluorine resin, fluorine compound, silicone resin, and silicone compound, CVD treatment using a fluorine-containing gas, sputtering of an inorganic compound, Examples include dry processing such as vacuum deposition.

前記複製段階では、前記型取り段階で得られた複製型31を用い、複製スタンパ41が形成される。すなわち、図4(a)に示すように、まず複製型31の表面に紫外線硬化樹脂が塗布され、同紫外線硬化樹脂に接触するように基材42が載置される。この後、図中に矢印で示すように、基材42を介して上方から紫外線が照射される。すると、紫外線硬化樹脂が硬化して前記転写部43が形成される。そして、複製型31から転写部43を剥離することにより、その表面に前記マスタスタンパ21と同様の転写パターン23及び斜面部24が複写された複製スタンパ41が得られる。   In the replication stage, a replication stamper 41 is formed using the replication mold 31 obtained in the mold making stage. That is, as shown in FIG. 4A, first, an ultraviolet curable resin is applied to the surface of the replication mold 31, and the base material 42 is placed so as to be in contact with the ultraviolet curable resin. Thereafter, as indicated by arrows in the drawing, ultraviolet rays are irradiated from above through the base material 42. Then, the ultraviolet curable resin is cured and the transfer portion 43 is formed. Then, the transfer portion 43 is peeled from the replication mold 31 to obtain a replication stamper 41 having a transfer pattern 23 and a slope portion 24 similar to the master stamper 21 copied on the surface thereof.

続いて、前記転写工程について説明する。転写工程は、加熱エンボス加工法で行われる。すなわち、まず前記複製スタンパ41及び前記クラッド基部11が加熱され、クラッド基部11を形成する合成樹脂のガラス転移点(Tg)以上の温度とされる。次いで、図5(a)に示すように、加熱された複製スタンパ41がクラッド基部11の表面に押し付けられた後、複製スタンパ41及びクラッド基部11がガラス転移点(Tg)以下となるまで冷却され、同複製スタンパ41がクラッド基部11から剥離される。すると、図5(b)に示すように、クラッド基部11の表面に複製スタンパ41の転写パターン23が転写されて前記コアパターン12が形成されるとともに、斜面部24が転写されて前記ミラー面15が形成される。   Next, the transfer process will be described. The transfer process is performed by a heat embossing method. That is, first, the replication stamper 41 and the clad base 11 are heated to a temperature equal to or higher than the glass transition point (Tg) of the synthetic resin forming the clad base 11. Next, as shown in FIG. 5A, after the heated replication stamper 41 is pressed against the surface of the cladding base 11, it is cooled until the replication stamper 41 and the cladding base 11 become below the glass transition point (Tg). The replica stamper 41 is peeled off from the clad base 11. Then, as shown in FIG. 5B, the transfer pattern 23 of the replication stamper 41 is transferred to the surface of the clad base 11 to form the core pattern 12 and the inclined surface 24 is transferred to the mirror surface 15. Is formed.

最後に、前記導波路形成工程について説明する。導波路形成工程では、まずコアパターン12の内部にコア13が形成される。コア13の形成は、コアパターン12内に前述の紫外線硬化樹脂を充填した後、紫外線を照射することによって行われる。この他に、溶剤に溶解する等して液状とした合成樹脂をコアパターン12内に充填し、減圧雰囲気下又はクラッド基部11の材料である合成樹脂のTg以下の温度雰囲気下で溶剤を揮発させ、合成樹脂を硬化させる等してコア13の形成を行ってもよい。その後、図1(a),(b)に示すように、クラッド基部11の表面にクラッド蓋部14が形成され、高分子光導波路が製造される。同クラッド蓋部14の形成は、フィルムを貼着する、クラッド基部11の表面に紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線の照射により硬化させる、スピンコート法等で液状とした合成樹脂を塗布し、硬化させる等の方法で行われる。   Finally, the waveguide forming process will be described. In the waveguide forming step, first, the core 13 is formed inside the core pattern 12. The core 13 is formed by irradiating ultraviolet rays after filling the core pattern 12 with the aforementioned ultraviolet curable resin. In addition, the core pattern 12 is filled with a synthetic resin that is in a liquid state by being dissolved in a solvent, and the solvent is volatilized under a reduced-pressure atmosphere or at a temperature atmosphere equal to or lower than Tg of the synthetic resin that is the material of the cladding base 11 The core 13 may be formed by curing the synthetic resin. Thereafter, as shown in FIGS. 1A and 1B, a clad lid 14 is formed on the surface of the clad base 11, and a polymer optical waveguide is manufactured. The clad lid 14 is formed by attaching a film, applying an ultraviolet curable resin to the surface of the clad base 11 and curing it by irradiating with an ultraviolet ray, applying a liquid synthetic resin by spin coating or the like, and curing. It is performed by the method of making it.

前記の実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
・ 実施形態の高分子光導波路は、光路を変換するためのミラー面15を有している。このミラー面15は、複製スタンパ41を用いた加熱エンボス加工法により、同複製スタンパ41の斜面部24がクラッド基部11の表面に転写されて形成されたものである。さらに、複製スタンパ41はマスタスタンパ21から転写パターン23及び斜面部24を複写して得られたものである。そして、マスタスタンパ21の転写パターン23及び斜面部24は、フォトレジスト材料と階調パターン29を有するマスク基板22を利用して形成されたものである。このため、転写パターン23及び斜面部24の形成は、フォトレジスト層23aの露光及び現像によって行われており、エッチング、レーザー加工等の煩雑な方法によらずとも、短時間で、かつ簡易に行うことが可能である。
The effects exhibited by the above embodiment will be described below.
The polymer optical waveguide of the embodiment has a mirror surface 15 for converting the optical path. The mirror surface 15 is formed by transferring the inclined surface portion 24 of the replication stamper 41 to the surface of the cladding base 11 by a heating embossing method using the replication stamper 41. Further, the duplication stamper 41 is obtained by copying the transfer pattern 23 and the slope portion 24 from the master stamper 21. The transfer pattern 23 and the sloped portion 24 of the master stamper 21 are formed using a mask substrate 22 having a photoresist material and a gradation pattern 29. For this reason, the formation of the transfer pattern 23 and the inclined surface portion 24 is performed by exposure and development of the photoresist layer 23a, and is performed in a short time and easily without complicated methods such as etching and laser processing. It is possible.

・ また、マスタスタンパ21の転写パターン23の形成には、ネガ型のフォトレジスト材料が使用されている。ネガ型のフォトレジスト材料は、ポジ型のフォトレジスト材料に比べ、フォトレジスト材料に係る製造コストの高騰を抑えつつ、フォトレジスト層の厚み増加を図ることが可能である。このため、高分子光導波路のコア径の拡大を図るべく、フォトレジスト層の厚みを増す場合にも、好適な製造効率を維持することができる。   In addition, a negative photoresist material is used for forming the transfer pattern 23 of the master stamper 21. The negative photoresist material can increase the thickness of the photoresist layer while suppressing an increase in the manufacturing cost of the photoresist material as compared with the positive photoresist material. For this reason, suitable manufacturing efficiency can be maintained even when the thickness of the photoresist layer is increased in order to increase the core diameter of the polymer optical waveguide.

・ また、100μm以上の膜厚を有するフォトレジスト層23aの露光に使用する光には、該フォトレジスト層23aの吸光度が1以下となるような波長域のものを使用している。これにより、フォトレジスト層23aの表面部と底部とで最適な露光条件に差が生じることを抑制することができ、フォトレジスト層23aから形成される転写パターン23を好適な形状とすることが可能である。   In addition, the light used for the exposure of the photoresist layer 23a having a film thickness of 100 μm or more has a wavelength region in which the absorbance of the photoresist layer 23a is 1 or less. Thereby, it is possible to suppress a difference in optimum exposure conditions between the surface portion and the bottom portion of the photoresist layer 23a, and it is possible to make the transfer pattern 23 formed from the photoresist layer 23a into a suitable shape. It is.

・ また、マスタスタンパ21から複製スタンパ41を複製し、該複製スタンパ41を加熱エンボス加工に用いることにより、原版であるマスタスタンパ21を長期間維持することが可能であり、製造効率の向上を図ることができる。   Further, by duplicating the duplication stamper 41 from the master stamper 21 and using the duplication stamper 41 for the heat embossing, the master stamper 21 as the original plate can be maintained for a long period of time, and the production efficiency is improved. be able to.

なお、本実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・ 図6(a)に示すように、フォトレジスト層23aをネガ型のフォトレジスト材料から形成し、ベース板25とマスキングパターン26とからなるマスク基板22を用いてフォトレジスト層23aの露光を行ってもよい。さらに、図6(b)に示すように、フォトレジスト層23aをポジ型のフォトレジスト材料から形成し、前記マスキングパターン26と同様の遮光パターン27、透光パターン28及び階調パターン29を有するマスキングシート26aと、ベース板25とを用いてフォトレジスト層23aの露光を行ってもよい。なお、これらの場合、マスタスタンパ21は、図3(a)に示したような凸型のものではなく、凹型のものとして形成され、斜面部24は、図6(a),(b)中の上方へ向かうにつれ互いに離間するテーパ状となる。
In addition, this embodiment can also be changed and embodied as follows.
As shown in FIG. 6A, a photoresist layer 23a is formed from a negative photoresist material, and the photoresist layer 23a is exposed using a mask substrate 22 composed of a base plate 25 and a masking pattern 26. May be. Further, as shown in FIG. 6B, a photoresist layer 23a is formed from a positive photoresist material, and has a light shielding pattern 27, a light transmission pattern 28, and a gradation pattern 29 similar to the masking pattern 26. The photoresist layer 23a may be exposed using the sheet 26a and the base plate 25. In these cases, the master stamper 21 is not a convex shape as shown in FIG. 3A, but is formed as a concave shape, and the slope portion 24 is formed in FIGS. 6A and 6B. As they go upward, they become tapered away from each other.

・ 図2(b)及び図6(b)でフォトレジスト層23aをネガ型のフォトレジスト材料から形成し、図2(a)及び図6(a)でフォトレジスト層23aをポジ型のフォトレジスト材料から形成してもよい。但し、この場合にはクラッド基部11の作製等が難しくなる。なお、ネガ型のフォトレジスト材料を使用する場合、クラッド基部11の作製等を好適なものとするには、図2(a)及び図6(a)に示した結果から、ベース板25とフォトレジスト層23aとでマスキングパターン26を挟み込むように、マスク基板22の表面にフォトレジスト層23aを設けることが好ましい。一方、ポジ型のフォトレジスト材料を使用する場合、クラッド基部11の作製等を好適なものとするには、図2(b)及び図6(b)に示した結果から、フォトレジスト層23aの表面をマスキングシート26aで被覆することが好ましい。   In FIGS. 2B and 6B, the photoresist layer 23a is formed from a negative photoresist material, and in FIGS. 2A and 6A, the photoresist layer 23a is a positive photoresist. You may form from a material. However, in this case, it becomes difficult to produce the clad base 11. In the case of using a negative type photoresist material, in order to make the clad base 11 suitable and the like, from the results shown in FIG. 2A and FIG. It is preferable to provide the photoresist layer 23a on the surface of the mask substrate 22 so that the masking pattern 26 is sandwiched between the resist layer 23a. On the other hand, in the case of using a positive type photoresist material, in order to make the clad base 11 suitable and the like, from the results shown in FIG. 2B and FIG. The surface is preferably covered with a masking sheet 26a.

・ 図7(b)に示すように、高分子光導波路において、コア13の延びる方向で中間部(光路の途中)に一対のミラー面15が三角形状に配置されるようにコアパターン12を形成してもよい。なお、この高分子光導波路は、コア13の内部の光路と外部の光路とを繋ぐ合分岐型のものである。また、マスタスタンパ21は、図7(a)に示すような形状とされる。すなわち、マスク基板22において、ベース板25の表面には2つのマスキングパターン26が設けられている。これらマスキングパターン26は、透光パターン28及び階調パターン29を有しており、それぞれの階調パターン29が隣接するように配置されている。   As shown in FIG. 7B, in the polymer optical waveguide, the core pattern 12 is formed so that the pair of mirror surfaces 15 are arranged in a triangular shape in the middle part (in the middle of the optical path) in the direction in which the core 13 extends. May be. This polymer optical waveguide is of a junction type that connects the optical path inside the core 13 and the external optical path. The master stamper 21 has a shape as shown in FIG. That is, in the mask substrate 22, two masking patterns 26 are provided on the surface of the base plate 25. These masking patterns 26 have a translucent pattern 28 and a gradation pattern 29, and the gradation patterns 29 are arranged adjacent to each other.

・ 図8(b)に示すように、高分子光導波路において、コア13の延びる方向で中間部(光路の途中)にミラー面15を設けるとともに、ミラー面15の高さをコア13の径よりも低くし、コア13の内部の光路を一部開放することにより、コア13を伝搬される一部の光信号の光路を変換するように構成してもよい。この場合、マスタスタンパ21は、図8(a)に示すような形状とされる。すなわち、マスク基板22において、ベース板25の表面には2つのマスキングパターン26が設けられている。これらマスキングパターン26は、透光パターン28及び階調パターン29を有しており、それぞれの階調パターン29が隣接するように配置されている。また、階調パターン29は実施形態のものに比べて遮光率が低くなっている。   As shown in FIG. 8B, in the polymer optical waveguide, a mirror surface 15 is provided at an intermediate portion (in the middle of the optical path) in the extending direction of the core 13, and the height of the mirror surface 15 is made larger than the diameter of the core 13. Alternatively, the optical path of a part of the optical signal propagated through the core 13 may be converted by partially opening the optical path inside the core 13. In this case, the master stamper 21 has a shape as shown in FIG. That is, in the mask substrate 22, two masking patterns 26 are provided on the surface of the base plate 25. These masking patterns 26 have a translucent pattern 28 and a gradation pattern 29, and the gradation patterns 29 are arranged adjacent to each other. Further, the gradation pattern 29 has a lower light shielding rate than that of the embodiment.

・ 本実施形態ではコア13の延びる方向で両端部(光路の両端)にミラー面15を互いにテーパ状をなすように設けたが、ミラー面15は実施形態の形状に限らず所望に応じ形状となるように適宜設けてもよい。例えば、図9に示すマスタスタンパ21は、図3(a)、図7(a)及び図8(a)に示した斜面部24を有する転写パターン23を組み合わせて得られたものである。さらに、このマスタスタンパ21は、マスク基板22の厚み方向(図中で上下方向)に傾斜する斜面部24のみならず、マスク基板22の面方向(図中で前後又は左右方向)に傾斜する第2斜面部24aをも有している。このような斜面部24及び第2斜面部24aの双方を有する転写パターン23であっても、マスキングパターン26の遮光パターン、透光パターン及び階調パターンを適宜組み合わせることにより、簡易に作成することが可能である。このマスタスタンパ21、或いは当該マスタスタンパ21から得られた複製スタンパを用いた加熱エンボス加工法により、図10に示すような高分子光導波路が得られる。この高分子光導波路は、クラッド蓋部14の上面に図示しない検出器及び光源(レーザーデバイス(LD)又は発光ダイオード(LED))が設けられている。そして、この高分子光導波路においては、コア13内を伝搬される光信号が各ミラー面15により前記検出器へと出射されたり、或いは前記光源から入射された光信号が各ミラー面15によりコア13内を伝搬されたり等するように構成されている。また、第2斜面部24aにより形成された第2ミラー面15aにより、この高分子光導波路の内部においてコア13同士の間で光信号を出射及び入射することも可能である。加えて、この図10に示す高分子光導波路は、ミラー面15又は第2ミラー面15aの位置及び傾斜方向を各光路毎に個々に定めることが可能であり、各光路でそれぞれ光路の端部を定めることも、或いは各光路の何れの箇所から光信号を取り出すこともできる。一方、クラッド基部11の下面に検出器を設けた場合には、図11(a)に示したようなマスタスタンパ21を用い、図11(b)に示す互いに向かい合うようなミラー面15を設けることにより、クラッド基部11を介して高分子光導波路の外部へ光信号を出射或いは入射することが可能となる。以上のように、本発明における高分子光導波路の製造方法によれば、ミラー面の形成において、形成位置の制限及び傾斜方向の制限はなく、光路上において所望する任意の位置に任意の傾斜方向でミラー面を設けることが可能である。また、図9に示したように、マスキングパターンを適宜設定することにより、一の工程で多種多様な斜面部を有する転写パターンを形成することが可能であり、さらに当該転写パターンから多種多様なミラー面を一の工程で形成することも可能である。従って、本発明によれば、ミラー面の形成に係る製造効率を好適に保持しつつ、ミラー面の形成に係る設計の自由度の向上を図ることができる。   In the present embodiment, the mirror surfaces 15 are tapered at both ends (both ends of the optical path) in the direction in which the core 13 extends. However, the mirror surface 15 is not limited to the shape of the embodiment and can be shaped as desired. It may be provided as appropriate. For example, the master stamper 21 shown in FIG. 9 is obtained by combining the transfer pattern 23 having the slope portion 24 shown in FIGS. 3A, 7A, and 8A. Further, the master stamper 21 is inclined not only in the slope portion 24 inclined in the thickness direction (vertical direction in the drawing) of the mask substrate 22 but also in the surface direction (front and rear or horizontal direction in the drawing) of the mask substrate 22. It also has two slope portions 24a. Even the transfer pattern 23 having both the inclined surface portion 24 and the second inclined surface portion 24a can be easily created by appropriately combining the light shielding pattern, the translucent pattern, and the gradation pattern of the masking pattern 26. Is possible. A polymer optical waveguide as shown in FIG. 10 is obtained by a heating embossing method using the master stamper 21 or a replica stamper obtained from the master stamper 21. In this polymer optical waveguide, a detector and a light source (laser device (LD) or light emitting diode (LED)) (not shown) are provided on the upper surface of the clad lid 14. In this polymer optical waveguide, an optical signal propagated in the core 13 is emitted to the detector by each mirror surface 15, or an optical signal incident from the light source is cored by each mirror surface 15. 13 is configured to be propagated through the inside. In addition, an optical signal can be emitted and incident between the cores 13 inside the polymer optical waveguide by the second mirror surface 15a formed by the second inclined surface portion 24a. In addition, the polymer optical waveguide shown in FIG. 10 can individually determine the position and inclination direction of the mirror surface 15 or the second mirror surface 15a for each optical path, and the end of the optical path in each optical path. Or the optical signal can be taken out from any part of each optical path. On the other hand, when the detector is provided on the lower surface of the clad base 11, the master stamper 21 as shown in FIG. 11A is used and the mirror surfaces 15 facing each other as shown in FIG. 11B are provided. Thus, an optical signal can be emitted or incident to the outside of the polymer optical waveguide through the cladding base 11. As described above, according to the polymer optical waveguide manufacturing method of the present invention, in forming the mirror surface, there is no restriction on the formation position and restriction on the inclination direction, and any inclination direction at any desired position on the optical path. It is possible to provide a mirror surface. In addition, as shown in FIG. 9, by appropriately setting the masking pattern, it is possible to form transfer patterns having various slope portions in one process, and from the transfer pattern, various mirrors can be formed. It is also possible to form the surface in one step. Therefore, according to the present invention, it is possible to improve the design freedom related to the formation of the mirror surface while suitably maintaining the manufacturing efficiency related to the formation of the mirror surface.

・ ミラー面15は、45゜に限らず、30゜、60゜等とする等、0°を超え、90゜未満の角度であれば、何れの角度としてもよい。なお、ミラー面15の角度をθ、階調パターン29の長さをL、フォトレジスト層23aの厚みをTとした場合、角度θ、長さL、厚みTの間には、L=T÷tanθの関係式が成立する。   The mirror surface 15 is not limited to 45 °, and may be any angle as long as it is an angle exceeding 0 ° and less than 90 °, such as 30 °, 60 °, or the like. When the angle of the mirror surface 15 is θ, the length of the gradation pattern 29 is L, and the thickness of the photoresist layer 23a is T, L = T ÷ between the angle θ, the length L, and the thickness T. The relational expression of tan θ is established.

・ ミラー面15に金属膜や誘電体多層膜等からなる反射層を形成する等して、同ミラー面15を鏡面としてもよい。
・ 階調パターン29は、薄膜を形成することに限らず、例えば濃淡が連続的に変化する灰色等の中間色で塗装したり、磨りガラスで形成したり、ドットパターンの印刷によって形成したり等してもよい。
The mirror surface 15 may be used as a mirror surface by forming a reflective layer made of a metal film, a dielectric multilayer film, or the like on the mirror surface 15.
The gradation pattern 29 is not limited to the formation of a thin film, for example, it is painted with an intermediate color such as gray whose density changes continuously, is formed with polished glass, or is formed by printing a dot pattern. May be.

・ 前記複製スタンパ41は、実施形態で示したものに限らず、例えば図4(b)に示すように、複製型31の表面に電鋳法等の方法でニッケル(Ni)等の金属元素を堆積させる等の方法で製造してもよい。このように複製スタンパ41を金属製とした場合、樹脂製のものに比べ、強度及び耐久性を向上させることができる。   The replica stamper 41 is not limited to the one shown in the embodiment. For example, as shown in FIG. 4B, a metal element such as nickel (Ni) is applied to the surface of the replica mold 31 by a method such as electroforming. You may manufacture by the method of depositing. Thus, when the replication stamper 41 is made of metal, strength and durability can be improved as compared with a resin stamper.

・ 複製スタンパ41を転写部43のみで構成してもよい。或いは、基材42には、ガラス基板に限らず、前記ベース板25と同様の材料を使用してもよい。なお、例えば、基材42にシリコン基板等を使用した場合、転写部43の材料に熱硬化性樹脂を使用し、マスタスタンパ21を加熱することにより、当該熱硬化性樹脂を硬化させるように構成してもよい。   The duplication stamper 41 may be composed of only the transfer unit 43. Alternatively, the base material 42 is not limited to the glass substrate, and the same material as the base plate 25 may be used. For example, when a silicon substrate or the like is used as the base material 42, a thermosetting resin is used as the material of the transfer portion 43, and the master stamper 21 is heated to cure the thermosetting resin. May be.

・ 複製型31は、必ずしもシリコーンゴムによって形成されることに限らず、例えば前述の紫外線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、フッ素樹脂、熱硬化性樹脂等の合成樹脂、熱可塑性エラストマー等より形成してもよい。また、マスタスタンパ21を使用した加熱エンボス加工法により、合成樹脂製のフィルム、基板等から複製型31を製造してもよい。   The replication mold 31 is not necessarily formed of silicone rubber, and is formed of, for example, the above-described ultraviolet curable resin, thermoplastic resin, fluororesin, thermosetting resin, or other synthetic resin, thermoplastic elastomer, or the like. Also good. In addition, the replication mold 31 may be manufactured from a synthetic resin film, substrate, or the like by a heating embossing method using the master stamper 21.

・ 前記クラッド蓋部14は、コア13で使用する合成樹脂よりも屈折率が低く、クラッド基部11と屈折率が同程度の合成樹脂であれば、何れの合成樹脂で形成してもよい。例えば、クラッド基部11を熱可塑性合成樹脂で形成するとともに、クラッド蓋部14を紫外線硬化性樹脂で形成してもよい。あるいは、クラッド蓋部14をポリイミド等の熱硬化性樹脂で形成してもよい。また、クラッド蓋部14は、液状の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等をスピンコート法等の方法でクラッド基部11の表面に塗布し、硬化させて形成してもよい。   The clad lid portion 14 may be made of any synthetic resin as long as it has a lower refractive index than the synthetic resin used in the core 13 and has a refractive index similar to that of the clad base portion 11. For example, the cladding base 11 may be formed of a thermoplastic synthetic resin and the cladding lid 14 may be formed of an ultraviolet curable resin. Or you may form the clad cover part 14 with thermosetting resins, such as a polyimide. The clad lid 14 may be formed by applying a liquid thermoplastic resin, a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, or the like on the surface of the clad base 11 by a method such as a spin coating method and curing it.

・ 前記クラッド基部11は、必ずしも加熱エンボス法によって形成されることに限らず、例えばマスタスタンパ21又は複製スタンパ41の表面に熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂を塗布し、硬化させることによって形成してもよい。   The clad base 11 is not necessarily formed by the heating embossing method, and is formed by, for example, applying a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin to the surface of the master stamper 21 or the replica stamper 41 and curing it. May be.

・ 高分子光導波路を、例えばシリコン基板、金属基板、金属酸化物基板、ガラス基板等といった基板材料の表面に設けてもよい。このように高分子光導波路を基板材料の表面に設ける場合、クラッド基部11は図示しない基板材料の表面に積層される。   The polymer optical waveguide may be provided on the surface of a substrate material such as a silicon substrate, a metal substrate, a metal oxide substrate, or a glass substrate. When the polymer optical waveguide is provided on the surface of the substrate material as described above, the cladding base 11 is laminated on the surface of the substrate material (not shown).

さらに、前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
・ 光路を変換するミラー面が設けられたコアパターンを加熱エンボス加工法によって高分子光導波路に形成するために使用されるスタンパの製造方法であって、フォトレジスト材料からなるフォトレジスト層をマスキング部材で被覆する被覆段階と、該フォトレジスト層の露光及び現像により前記コアパターンに応じた形状をなす転写パターンを形成するパターン形成段階とを備え、前記被覆段階では、前記マスキング部材として、前記パターン形成段階の露光時に使用する光に対する遮光率を所定方向で徐々に変化させる階調領域が設けられたものを使用し、当該階調領域によって該遮光率を徐々に変化させる方向は、前記転写パターン及び前記コアパターンにより形成されることとなる前記コアが延びる方向となるように設定し、前記パターン形成段階では、前記ミラー面に応じた形状とすべく、前記マスキング部材の前記階調領域を利用して前記転写パターンに斜面部を形成することを特徴とするスタンパの製造方法。
Further, the technical idea that can be grasped from the embodiment will be described below.
A method of manufacturing a stamper used for forming a core pattern provided with a mirror surface for converting an optical path on a polymer optical waveguide by a heat embossing method, wherein a photoresist layer made of a photoresist material is masked And a pattern forming step of forming a transfer pattern having a shape corresponding to the core pattern by exposure and development of the photoresist layer. In the covering step, the pattern formation is performed as the masking member. Using a gradation region that gradually changes the light shielding rate with respect to light used at the stage of exposure in a predetermined direction, and the direction in which the light shielding rate is gradually changed by the gradation region includes the transfer pattern and The core pattern that is to be formed by the core pattern is set in the extending direction, and the pattern is In the turn forming stage, a slope portion is formed in the transfer pattern using the gradation region of the masking member so as to have a shape corresponding to the mirror surface.

・ 前記マスキング部材はベース板とマスキングパターンとからなり、前記被覆段階では、当該マスキングパターンを前記ベース板と前記フォトレジスト層とで挟み込むように前記マスキング部材の表面に前記フォトレジスト層を形成することを特徴とする請求項2から請求項4の何れか一項に記載の高分子光導波路の製造方法。   The masking member includes a base plate and a masking pattern, and in the covering step, the photoresist layer is formed on the surface of the masking member so as to sandwich the masking pattern between the base plate and the photoresist layer. The method for producing a polymer optical waveguide according to any one of claims 2 to 4, wherein:

(a)は実施形態の高分子光導波路を正面から見た状態を示す断面図、(b)は実施形態の高分子光導波路を側面から見た状態を示す断面図。(A) is sectional drawing which shows the state which looked at the polymer optical waveguide of embodiment from the front, (b) is sectional drawing which shows the state which looked at the polymer optical waveguide of embodiment from the side. (a)及び(b)はフォトレジスト材料を露光させる状態を示す側断面図。(A) And (b) is a sectional side view which shows the state which exposes a photoresist material. (a)はマスタスタンパを示す側断面図、(b)は複製型を製造する状態を示す側断面図。(A) is a sectional side view showing a master stamper, (b) is a sectional side view showing a state in which a replica mold is manufactured. (a)及び(b)は複製スタンパを製造する状態を示す側断面図。(A) And (b) is a sectional side view which shows the state which manufactures a replication stamper. (a)は複製スタンパを使用してクラッド基部を成形する状態を示す側断面図、(b)は成形されたクラッド基部を示す側断面図。(A) is a side sectional view showing a state in which a clad base is molded using a replica stamper, and (b) is a side cross sectional view showing a molded clad base. (a)及び(b)は、別方法でフォトレジスト材料を露光させる状態を示す側断面図。(A) And (b) is a sectional side view which shows the state which exposes a photoresist material by another method. (a)は別形態のマスタスタンパを示す側断面図、(b)は別形態の高分子光導波路を示す側断面図。(A) is a sectional side view showing a master stamper of another form, (b) is a sectional side view showing a polymer optical waveguide of another form. (a)は別形態のマスタスタンパを示す側断面図、(b)は別形態の高分子光導波路を示す側断面図。(A) is a sectional side view showing a master stamper of another form, (b) is a sectional side view showing a polymer optical waveguide of another form. 別形態のマスタスタンパを示す斜視図。The perspective view which shows the master stamper of another form. 別形態の高分子光導波路を示す斜視図。The perspective view which shows the polymer optical waveguide of another form. (a)は別形態のマスタスタンパを示す側断面図、(b)は別形態の高分子光導波路を示す側断面図。(A) is a sectional side view showing a master stamper of another form, (b) is a sectional side view showing a polymer optical waveguide of another form.

符号の説明Explanation of symbols

11…クラッド基部、12…コアパターン、13…コア、14…クラッド蓋部、21…マスタスタンパ、22…基板、23…転写パターン、23a…フォトレジスト層、31…複製型、32…複製パターン、41…複製スタンパ、51…スペーサ、52…押圧部材、53…マスク部材、54…開口パターン、55…遮光パターン。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Cladding base part, 12 ... Core pattern, 13 ... Core, 14 ... Cladding lid part, 21 ... Master stamper, 22 ... Substrate, 23 ... Transfer pattern, 23a ... Photoresist layer, 31 ... Duplicate type, 32 ... Duplicate pattern, 41: replication stamper, 51: spacer, 52: pressing member, 53: mask member, 54: opening pattern, 55: light shielding pattern.

Claims (4)

表面にコアパターンが凹設された合成樹脂製のクラッド基部と、該コアパターンの内部に形成されたコアと、該コアを被覆すべく該クラッド基部の表面に設けられた合成樹脂製のクラッド蓋部とを備え、前記コアパターンの内面の一部を斜面状とすることで光路を変換するためのミラー面を設けた高分子光導波路の製造方法であって、
前記コアパターンに応じた形状をなす転写パターンが設けられたスタンパを製造するスタンパ製造工程と、該スタンパを使用した加熱エンボス加工法で前記コアパターンを形成する転写工程と、前記コア及びクラッド蓋部を設ける導波路形成工程とを備え、
前記スタンパ製造工程は、フォトレジスト材料製のフォトレジスト層をマスキング部材で被覆する被覆段階と、フォトレジスト層を露光及び現像して前記転写パターンを形成するパターン形成段階とを含み、
該被覆段階では、前記マスキング部材として前記パターン形成段階の露光時に用いる光に対する遮光率を所定方向で徐々に変化させる階調領域が設けられたものを使用し、該階調領域により遮光率を徐々に変化させる方向は前記転写パターン及びコアパターンにより形成される前記コアが延びる方向となるように設定し、
該パターン形成段階では前記ミラー面に応じた形状とすべく前記マスキング部材の前記階調領域を利用して前記転写パターンに斜面部を形成する
ことを特徴とする高分子光導波路の製造方法。
A synthetic resin clad base with a core pattern recessed on the surface, a core formed inside the core pattern, and a synthetic resin clad lid provided on the surface of the clad base to cover the core A polymer optical waveguide provided with a mirror surface for converting an optical path by forming a part of the inner surface of the core pattern into a slope shape,
A stamper manufacturing process for manufacturing a stamper provided with a transfer pattern having a shape corresponding to the core pattern, a transfer process for forming the core pattern by a heat embossing method using the stamper, and the core and cladding lid A waveguide forming step of providing
The stamper manufacturing process includes a coating step of coating a photoresist layer made of a photoresist material with a masking member, and a pattern formation step of exposing and developing the photoresist layer to form the transfer pattern,
In the covering step, the masking member is provided with a gradation region that gradually changes the light shielding rate with respect to light used in the exposure in the pattern forming step in a predetermined direction, and the light shielding rate is gradually increased by the gradation region. The direction to be changed is set so that the core formed by the transfer pattern and the core pattern extends.
In the pattern forming step, a slope portion is formed in the transfer pattern by using the gradation region of the masking member so as to have a shape corresponding to the mirror surface.
前記被覆段階で使用するフォトレジスト材料は、ネガ型のフォトレジスト材料であることを特徴とする請求項1に記載の高分子光導波路の製造方法。 2. The method of manufacturing a polymer optical waveguide according to claim 1, wherein the photoresist material used in the coating step is a negative photoresist material. 前記パターン形成段階の露光時に使用する光は、前記フォトレジスト層に対する吸光度が1以下となるものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の高分子光導波路の製造方法。 3. The method of manufacturing a polymer optical waveguide according to claim 1, wherein the light used at the time of exposure in the pattern forming step has an absorbance with respect to the photoresist layer of 1 or less. 4. 前記スタンパ製造工程は、前記転写パターンを型取りして複製パターンを得る型取り段階と、該複製パターンを使用して前記転写パターンを複製する複製段階とを含むことを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載の高分子光導波路の製造方法。 2. The stamper manufacturing process includes: a mold making step for obtaining a duplicate pattern by taking the transfer pattern; and a duplication step for duplicating the transfer pattern using the duplicate pattern. The method for producing a polymer optical waveguide according to claim 3.
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