JP2006062924A - カーボンナノチューブ生成における密度制御方法 - Google Patents
カーボンナノチューブ生成における密度制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006062924A JP2006062924A JP2004249465A JP2004249465A JP2006062924A JP 2006062924 A JP2006062924 A JP 2006062924A JP 2004249465 A JP2004249465 A JP 2004249465A JP 2004249465 A JP2004249465 A JP 2004249465A JP 2006062924 A JP2006062924 A JP 2006062924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- density
- carbon nanotubes
- gas
- carbon nanotube
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 55
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
【課題】 従来のカーボンナノチューブの製造設備にて低コストでカーボンナノチューブ密度制御を行える方法を提供する。
【解決手段】 触媒金属層を有する基板を熱化学気相蒸着装置に入れ、同装置内に不活性ガスおよび原料ガスを供給し、熱化学気相蒸着法により触媒金属層を微粒化すると共に生成した触媒微粒子にカーホンナノチューブを成長させる。その際、供給する原料ガスの濃度変化量を制御することでカーホンナノチューブの成長密度を制御する。「濃度変化量」とは供給する原料ガスの時間に対する変化量を意味する。
【選択図】 なし
【解決手段】 触媒金属層を有する基板を熱化学気相蒸着装置に入れ、同装置内に不活性ガスおよび原料ガスを供給し、熱化学気相蒸着法により触媒金属層を微粒化すると共に生成した触媒微粒子にカーホンナノチューブを成長させる。その際、供給する原料ガスの濃度変化量を制御することでカーホンナノチューブの成長密度を制御する。「濃度変化量」とは供給する原料ガスの時間に対する変化量を意味する。
【選択図】 なし
Description
本発明は、カーボンナノチューブ生成における密度制御方法に関するものである。
カーボンナノチューブは、熱化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）を始め、種々の方法にて生成が可能となり、電子放出源、電極、触媒等、様々な応用製品について研究がなされている。これら分野ヘカーボンナノチューブを適用するのに重要となるのが、カーボンナノチューブの長さ、径、密度等の制御である。これらの長さ、径、密度等の制御パラメータは、応用製品の性能に大きく係わってくるため、各研究機関でも鋭意研究されている。
その中で、カーボンナノチューブの外径および長さは、ＣＶＤ法では、温度、時間により比較的容易に制御可能である。カーボンナノチューブの成長密度を制御するには、例えば触媒金属を形成する基板表面に細孔を設ける等のパターニングによる方法（特許文献１参照）や、アンモニア等の蝕刻ガスを所定の温度および時間で供給することでカーボンナノチューブの成長密度を変化させる方法（特許文献２参照）が提案されている。
特開２００３−１６０３３２号公報
特開２００１−２００７１号公報
しかし、カーボンナノチューブの密度を制御するにあたり、基板の表面を加工する方法は、微細な加工を必要とするうえ、要求されるカーボンナノチューブ密度が変わる毎に基板表面を再度加工する必要があり、時間とコスト面で不利である。蝕刻ガスを用いる方法は、要求される密度の変化には対応できるものの、蝕刻ガスと蝕刻ガスの供給工程、設備の付加により、コスト高を招く。
本発明では、従来のカーボンナノチューブの製造設備にて低コストでカーボンナノチューブ密度制御を行えるカーボンナノチューブの密度制御方法を提供することを課題とする。
本発明は、触媒金属層を有する基板を熱化学気相蒸着装置に入れ、同装置内に不活性ガスおよび原料ガスを供給し、熱化学気相蒸着法により触媒金属層を微粒化すると共に生成した触媒微粒子にカーホンナノチューブを成長させるに当たり、供給する原料ガスの濃度変化量を制御することでカーホンナノチューブの成長密度を制御することを特徴とするカーボンナノチューブの密度制御方法である。
特許請求の範囲および明細書全体を通して、「濃度変化量」とは供給する原料ガスの時間に対する変化量を意味する。
供給される原料ガスの濃度変化量を制御することにより、触媒金属層の微粒化により生成する触媒微粒子の粒径および／または密度を制御することができる。
前記触媒金属層は、好ましくはコバルト、ニッケル、鉄またはこれらの合金である。
前記原料ガスは、好ましくは炭化水素ガスである。
ブラシ状カーボンナノチューブは、公知の方法で作製できる。例えば、シリコン基板の少なくとも片面上に、ニッケル、コバルト、鉄などの金属の錯体を含む溶液をスプレーや刷毛で塗布した後、加熱して形成した皮膜上に、あるいは、クラスター銃で打ち付けて形成した皮膜上に、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）のような炭化水素ガスを用いて一般的な熱化学気相蒸着法を施すことにより、直径１２〜３８ｎｍのカーボンナノチューブが多層構造で基板上に垂直に起毛される。
以下に、本発明の実施の形態について説明をする。
まず、基板上に触媒微粒子を形成し、触媒微粒子を核として高温雰囲気で原料ガスからカーボンナノチューブを成長させる。基板は触媒微粒子を支持するものであればよく、触媒微粒子が濡れにくいものが好ましく、シリコン基板であってよい。触媒微粒子はニッケル、コバルト、鉄などの金属微粒子であってよい。これらの金属またはその錯体等の化合物の溶液をスプレーや刷毛で基板に塗布し、またはクラスター銃で基板に打ち付け、乾燥させ、必要であれば加熱し、皮膜を形成する。皮膜の形成は電子ビーム蒸着法によって行ってもよい。皮膜の厚みは、厚過ぎると加熱による微粒子化が困難になるので、好ましくは１〜１００ｎｍである。次いでこの皮膜を好ましくは減圧下または非酸化雰囲気中で好ましくは６５０〜８００℃に加熱すると、直径１〜５０ｎｍ程度の触媒微粒子が形成される。カーボンナノチューブの原料ガスとしては、アセチレン、メタン、エチレン等の脂肪族炭化水素が使用でき、とりわけアセチレンガスが好ましい。アセチレンの場合、多層構造で太さ１２〜３８nmのカーボンナノチューブが触媒微粒子を核として基板上にブラシ状に形成される。カーボンナノチューブの形成温度は、好ましくは６５０〜８００℃である。
本発明方法を従来の一般的なカーボンナノチューブ生成方法と比較すると下記のとおりになる。
従来法
（１）基板に触媒金属層を形成する。
（１）基板に触媒金属層を形成する。
（２）基板を不活性ガス（Ｈｅ等）下で加熱し、触媒金属を微粒子化する。
（３）熱ＣＶＤ装置内に基板を入れ、不活性ガス（Ｈｅ等）および原料ガス（アセチレン等）を供給し、所定温度で加熱し、カーボンナノチューブを生成する。
本発明方法
（１）基板に触媒金属層を形成する。
（１）基板に触媒金属層を形成する。
（２）よく洗浄された（タール成分等残留物の無い）熱ＣＶＤ装置内に基板を入れ、不活性ガス（Ｈｅ等）に加え、所定濃度の原料ガス（アセチレン等）を供給し、所定温度で加熱し、触媒金属層の微粒子化およびカーボンナノチューブの生成を連続して実施する。
従来法では、触媒金属層を加熱により微粒化していたのに対し、本発明では、熱ＣＶＤ装置内で所定濃度の原料ガスを供給した時点で触媒金属層の微粒化が始まり、これに連続して、触媒金属層の微粒化により生成する触媒微粒子にカーボンナノチューブを成長させることができる。この原料ガスの濃度変化量を制御することにより、触媒微粒子の密度分布が変化するため、個々の微粒子から成長するカーボンナノチューブの密度を制御することができる。
なお、原料ガスの濃度変化量とカーボンナノチューブの生成密度の関係は、アセチレンの場合、濃度を早く上げると、カーボンナノチューブは密になり（内径は小さくなる）、逆に、濃度を遅く上げると、カーボンナノチューブは疎になる（内径は大きくなる）。
よって、従来の設備のままで、余分な装置を付加することなく、カーボンナノチューブの成長密度制御が可能となる。
本発明では、熱化学気相蒸着法により基板上の触媒金属層を微粒化すると共に生成した触媒微粒子にカーホンナノチューブを成長させるに当たり、供給する原料ガスの濃度変化量を制御することでカーホンナノチューブの成長密度および内径を制御するので、従来のカーボンナノチューブの製造設備をそのまま用い低コストでカーボンナノチューブ密度制御を行うことができる。
つぎに、本発明を具体的に説明するために、本発明の実施例を挙げる。
実施例１
厚さ０．５ｍｍの低抵抗Ｎ型半導体シリコン基板上に、電子ビーム蒸着法により厚さ５ｎｍの鉄皮膜を形成した。
厚さ０．５ｍｍの低抵抗Ｎ型半導体シリコン基板上に、電子ビーム蒸着法により厚さ５ｎｍの鉄皮膜を形成した。
鉄皮膜を有する基板を、図１に示す熱化学気相蒸着実験装置に入れた。同実験装置は石英製の反応管(1) と、反応管(1) を外装する電気ヒータ(2) と、反応管(1) 内に配かれた基台(3) と、反応管(1) の一端に接続された不活性ガス供給管(4) および原料ガス供給管(5) と、反応管(1) の他端に接続された排気管(6) とかる主に構成されている。鉄皮膜付き基板(7) を基台(3) の上に置いた。
不活性ガスとしてヘリウムガス（Ｈｅ）を供給管(4) から反応管(1) 内に供給すると共に、カーボンナノチューブの原料ガスとして濃度３％のアセチレンガス（Ｃ２Ｈ２）を流量６００ｍｌ／ｍｉｎ、温度約７００℃、時間５分、反応管(1) 内に流した。反応管(1) 内の鉄皮膜付き基板(7) の位置におけるアセチレンガスの濃度変化を図２に示す。この加熱により鉄皮膜は微粒子化し、生成した触媒微粒子を核としてブラシ状カーボンナノチューブが生成し、徐々に成長した。カーボンナノチューブの走査電子顕微鏡写真（１万倍）を図３に、透過電子顕微鏡写真（５０万倍）を図４にそれぞれ示す。
アセチレンガスの濃度を２０％に変え、上記と同様の操作を行った。反応管(1) 内の鉄皮膜付き基板(7) の位置におけるアセチレンガスの濃度変化を図２に、カーボンナノチューブの走査電子顕微鏡写真（１万倍）を図５に、透過電子顕微鏡写真（５０万倍）を図６にそれぞれ示す。
アセチレンガス濃度３％ではゆっくりと、アセチレンガス濃度２０％の条件では急激に、鉄皮膜の微粒子化およびカーボンナノチューブの生成が起こる。カーボンナノチューブが生成される瞬間の触媒微粒子の状態については、アセチレン濃度２０％では３％に比べ微粒子が多数存在する。カーボンナノチューブの密度については、図３と図５の比較から分かるように、アセチレン濃度変化量が大きいほど、生成したカーボンナノチューブの本数が多い。カーボンナノチューブの内径については、図４と図６の比較から分かるように、アセチレン濃度変化量が大きいほど、生成したカーボンナノチューブの内径が小さい。
このように、アセチレンガス濃度は３％と２０％としたが、同じ濃度であっても、濃度変化量を変えることにより、同様にカーボンナノチューブの成長密度を制御することができる。
(1) 反応管
(2) 電気ヒータ
(3) 基台
(4) 不活性ガス供給管
(5) 原料ガス供給管
(6) 排気管
(7) 鉄皮膜付き基板
(2) 電気ヒータ
(3) 基台
(4) 不活性ガス供給管
(5) 原料ガス供給管
(6) 排気管
(7) 鉄皮膜付き基板
Claims (4)
- 触媒金属層を有する基板を熱化学気相蒸着装置に入れ、同装置内に不活性ガスおよび原料ガスを供給し、熱化学気相蒸着法により触媒金属層を微粒化すると共に生成した触媒微粒子にカーホンナノチューブを成長させるに当たり、供給する原料ガスの濃度変化量を制御することでカーホンナノチューブの成長密度を制御することを特徴とするカーボンナノチューブの密度制御方法。
- 供給される原料ガスの濃度変化量を制御することにより、触媒金属層の微粒化により生成する触媒微粒子の粒径および／または密度を制御することを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブの密度制御方法。
- 前記触媒金属層がコバルト、ニッケル、鉄またはこれらの合金からなることを特徴とする請求項１または２記載のカーボンナノチューブの密度制御方法。
- 前記原料ガスが炭化水素ガスであることを特徴とする請求項１のいずれかに記載のカーボンナノチューブの密度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004249465A JP2006062924A (ja) | 2004-08-30 | 2004-08-30 | カーボンナノチューブ生成における密度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004249465A JP2006062924A (ja) | 2004-08-30 | 2004-08-30 | カーボンナノチューブ生成における密度制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006062924A true JP2006062924A (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=36109720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004249465A Pending JP2006062924A (ja) | 2004-08-30 | 2004-08-30 | カーボンナノチューブ生成における密度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006062924A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007099975A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | カーボンナノチューブ集合体、カーボンナノチューブ繊維及びカーボンナノチューブ繊維の製造方法 |
| JP2008308355A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Denso Corp | カーボンナノチューブ製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510236A (ja) * | 1999-09-23 | 2003-03-18 | コモンウエルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション | パターン化されたカーボンナノチューブ |
| JP2004182573A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Japan Science & Technology Agency | 原料吹き付け式カーボンナノ構造物製造方法及び装置 |
| WO2004085309A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Japan Science And Technology Agency | カーボンナノ構造物の高効率合成方法、装置及びカーボンナノ構造物 |
| WO2005102924A1 (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Japan Science And Technology Agency | 炭素系微細構造物群、炭素系微細構造物の集合体、その利用およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-08-30 JP JP2004249465A patent/JP2006062924A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003510236A (ja) * | 1999-09-23 | 2003-03-18 | コモンウエルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション | パターン化されたカーボンナノチューブ |
| JP2004182573A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Japan Science & Technology Agency | 原料吹き付け式カーボンナノ構造物製造方法及び装置 |
| WO2004085309A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Japan Science And Technology Agency | カーボンナノ構造物の高効率合成方法、装置及びカーボンナノ構造物 |
| WO2005102924A1 (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Japan Science And Technology Agency | 炭素系微細構造物群、炭素系微細構造物の集合体、その利用およびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007099975A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | カーボンナノチューブ集合体、カーボンナノチューブ繊維及びカーボンナノチューブ繊維の製造方法 |
| JP2008308355A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Denso Corp | カーボンナノチューブ製造方法 |
| JP4692520B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2011-06-01 | 株式会社デンソー | カーボンナノチューブ製造方法 |
| US8173212B2 (en) | 2007-06-13 | 2012-05-08 | Denso Corporation | Method for manufacturing carbon nano tube |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100537512B1 (ko) | 카본나노튜브구조체 및 이의 제조방법 그리고 이를 응용한전계방출소자 및 표시장치 | |
| CN100462301C (zh) | 一种碳纳米管阵列的制备方法 | |
| JP4988330B2 (ja) | 窒素ドーピングされた単層カーボンナノチューブの製造方法 | |
| WO2010147193A1 (ja) | 高比表面積のカーボンナノチューブ集合体の製造方法 | |
| JPWO2004085309A1 (ja) | カーボンナノ構造物の高効率合成方法、装置及びカーボンナノ構造物 | |
| JP2008297197A (ja) | 分岐型カーボンナノチューブの成長方法 | |
| JP5358045B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| JP4834957B2 (ja) | 触媒構造体およびこれを用いたカーボンナノチューブの製造方法 | |
| JPWO2007116434A1 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| US20090263310A1 (en) | Method for making carbon nanotubes | |
| Yousefi et al. | Possible high efficiency platform for biosensors based on optimum physical chemistry of carbon nanotubes | |
| JP2007186363A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 | |
| JP2006062924A (ja) | カーボンナノチューブ生成における密度制御方法 | |
| JP2005112659A (ja) | カーボンナノチューブ製造装置及びカーボンナノチューブの製造方法 | |
| KR20080012009A (ko) | 탄소 나노 튜브의 형성 방법 | |
| JP4977982B2 (ja) | 線状炭素材料の製造方法及び機能デバイスの製造方法 | |
| JP5500850B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| JP4948939B2 (ja) | カーボンナノチューブの合成方法、シリコン基板、電子源および電界放出型ディスプレイ | |
| Devaux et al. | On the low-temperature synthesis of SWCNTs by thermal CVD | |
| JP2007210853A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| JP4545530B2 (ja) | 微細炭素繊維の製造方法 | |
| JP2007254167A (ja) | カーボンナノチューブの作製方法 | |
| JP2006305554A (ja) | 触媒の形成方法およびそれを用いた炭素膜の製造方法 | |
| JP2016088787A (ja) | カーボンナノチューブ配向集合体の製造方法 | |
| KR101215564B1 (ko) | 수소 플라즈마 에칭을 이용한 수직 배향 탄소나노튜브막 전자 방출소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070309 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100607 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110125 |