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JP2005331675A - Liquid crystal display and method for manufacturing the liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display and method for manufacturing the liquid crystal display Download PDF

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JP2005331675A
JP2005331675A JP2004149409A JP2004149409A JP2005331675A JP 2005331675 A JP2005331675 A JP 2005331675A JP 2004149409 A JP2004149409 A JP 2004149409A JP 2004149409 A JP2004149409 A JP 2004149409A JP 2005331675 A JP2005331675 A JP 2005331675A
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JP
Japan
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insulating film
liquid crystal
crystal display
display device
transparent electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP2004149409A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Sugano
佳弘 菅野
Yutaka Takizawa
裕 瀧澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display which produces a higher precision display, by keeping a cell gap in a transmissive display part, which is provided in the same pixel as a reflective display part, at a predetermined value extending to the edge part, and to provide a method for manufacturing the liquid crystal display having such a constitution. <P>SOLUTION: In the active matrix transflective liquid crystal display device 100a, a transmission window is provided on the lower side of a transparent electrode 6b, and a flattening insulating film 101 covering a signal line 5 is formed so as to produce a flat surface and to bury the signal line 5, at the base part of the transparent electrode 6b. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関し、特には1つの画素内に透過表示部と反射表示部とが設けられた反射透過併用型の液晶表示装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a reflection / transmission combined type liquid crystal display device in which a transmission display portion and a reflection display portion are provided in one pixel and a manufacturing method thereof.

バックライトを設けることによって周辺の明るさに左右されずに表示が行われる透過型表示と、太陽光等の周囲光を用いることでバックライトを不要とした表示が行われる反射型表示とを、1つの液晶パネルで実現する反射透過併用型の液晶表示装置が提案されている。   By providing a backlight, a transmissive display in which display is performed without being influenced by the brightness of the surroundings, and a reflective display in which display is performed without using a backlight by using ambient light such as sunlight, A reflection / transmission combined type liquid crystal display device realized by one liquid crystal panel has been proposed.

図10は、このような反射透過併用型の液晶表示装置の概略平面構成図である。この図に示すように、液晶表示装置100は、薄膜トランジスタ(thin film transistor:TFT)が設けられたTFT基板1と、対向基板2との間に液晶層3を狭持してなる。TFT基板1の液晶層3側の面には、マトリックス状に配置されたTFT(図示省略)に接続させて複数の走査線4と信号線5とが互いに絶縁性を保って直交するように配列されている。そして、これら走査線4と信号線5とで区切られた各画素部pに、TFTに接続された画素電極6が設けられている。各画素電極6は、銀(Ag)等からなる反射電極6aと、ITO(Indium Tin Oxide)等からなる透明電極6bとで構成され、反射電極6aが設けられた部分が反射表示部a、透明電極6bが設けられた部分が透過表示部bとなっている。一方、対向基板2の液晶層3側の面には、カラーフィルタ7と対向電極8とがこの順に積層形成されている。   FIG. 10 is a schematic plan view of such a reflection / transmission combined type liquid crystal display device. As shown in this figure, the liquid crystal display device 100 has a liquid crystal layer 3 sandwiched between a TFT substrate 1 provided with a thin film transistor (TFT) and a counter substrate 2. A plurality of scanning lines 4 and signal lines 5 are arranged on the surface of the TFT substrate 1 on the liquid crystal layer 3 side so as to be connected to TFTs (not shown) arranged in a matrix so as to be orthogonal to each other while maintaining insulation. Has been. A pixel electrode 6 connected to the TFT is provided in each pixel portion p partitioned by the scanning line 4 and the signal line 5. Each pixel electrode 6 is composed of a reflective electrode 6a made of silver (Ag) or the like and a transparent electrode 6b made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like, and a portion provided with the reflective electrode 6a is a reflective display portion a or transparent. A portion where the electrode 6b is provided is a transmissive display portion b. On the other hand, the color filter 7 and the counter electrode 8 are laminated in this order on the surface of the counter substrate 2 on the liquid crystal layer 3 side.

図11には、図10のA−A’断面に相当する液晶表示装置100の1画素分の断面図を示す。この断面図に示すように、液晶表装置100の各画素における反射表示部aには、TFT基板1を構成する透明基板11上に、ゲート電極12、ゲート絶縁膜13、および半導体層14を積層してなるTFT15が設けられている。またTFTと同一の層を用いた容量素子15’が設けられている。そして、これらのTFT15および容量素子15’を覆う状態で層間絶縁膜16が設けられており、TFT15を構成する半導体層14には層間絶縁膜16に形成された接続孔を介してプラグ17a,17bが接続されている。そして、このプラグ17a,17bを覆う状態で、反射表示部aには表面凹凸形状の光散乱層18がパターン形成され、さらにこの光散乱層18を覆う状態で設けられた平坦化絶縁膜19を介して、上述した反射電極6aが設けられている。この反射電極6aは、平坦化絶縁膜19および光散乱層18に形成された接続孔を介してプラグ17bに接続されている。尚、図10で説明した走査線4はゲート電極12から延設されたものであり、信号線5はプラグ17aから延設されたものとなっている。   FIG. 11 is a cross-sectional view of one pixel of the liquid crystal display device 100 corresponding to the A-A ′ cross section of FIG. 10. As shown in this cross-sectional view, a gate electrode 12, a gate insulating film 13, and a semiconductor layer 14 are stacked on a transparent substrate 11 constituting the TFT substrate 1 in the reflective display portion a in each pixel of the liquid crystal surface device 100. A TFT 15 is provided. In addition, a capacitive element 15 'using the same layer as the TFT is provided. An interlayer insulating film 16 is provided so as to cover the TFT 15 and the capacitive element 15 ′, and plugs 17 a and 17 b are connected to the semiconductor layer 14 constituting the TFT 15 through connection holes formed in the interlayer insulating film 16. Is connected. Then, in the state of covering the plugs 17a and 17b, a light scattering layer 18 having an uneven surface is patterned on the reflective display portion a, and a planarizing insulating film 19 provided in a state of covering the light scattering layer 18 is further formed. The reflective electrode 6a described above is provided. The reflective electrode 6 a is connected to the plug 17 b through a connection hole formed in the planarization insulating film 19 and the light scattering layer 18. The scanning line 4 described in FIG. 10 extends from the gate electrode 12, and the signal line 5 extends from the plug 17a.

一方、液晶表示装置100の透過表示部bにおいては、透明基板11上に、平坦化絶縁膜19を介して透明電極6bが直接パターン形成された状態となっている。つまり、透過表示部bでは、反射表示部aに設けられたゲート絶縁膜13や層間絶縁膜16を含む絶縁性のインターレイヤーILが除去された透過窓21が設けられており、さらに光散乱層18、反射電極6aが除去された段差下部に、平坦化絶縁膜19を介して透明電極6bが設けられているのである。そして、透明電極6bの一端縁は、画素内に配置された反射電極6aの下方に重ねて配置され、当該反射電極6aと同一電位に接続されている。尚、対向基板2は、透明基板23の平坦面上にカラーフィルタ7と対向電極8とをこの順に積層配置した構成になっている。そして、反射表示部aにおける反射電極6aと対向電極8との間隔(セルギャップg1)に対して、透過表示部bにおける透明電極6bと対向電極8との間隔(セルギャップg2)が約2倍となるように、上記の段差が調整されている。   On the other hand, in the transmissive display portion b of the liquid crystal display device 100, the transparent electrode 6 b is directly patterned on the transparent substrate 11 via the planarization insulating film 19. In other words, the transmissive display part b is provided with a transmissive window 21 from which the insulating interlayer IL including the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 16 provided in the reflective display part a is removed, and further, a light scattering layer. 18, the transparent electrode 6b is provided below the step where the reflective electrode 6a is removed, with the planarizing insulating film 19 interposed. Then, one end edge of the transparent electrode 6b is disposed so as to overlap below the reflective electrode 6a disposed in the pixel, and is connected to the same potential as the reflective electrode 6a. The counter substrate 2 has a configuration in which the color filter 7 and the counter electrode 8 are stacked in this order on the flat surface of the transparent substrate 23. Then, the distance (cell gap g2) between the transparent electrode 6b and the counter electrode 8 in the transmissive display part b is about twice the distance (cell gap g1) between the reflective electrode 6a and the counter electrode 8 in the reflective display part a. The above steps are adjusted so that

また、図12には、図10のB−B’断面に相当する信号線5に沿った断面図を示す。この断面図に示すように、反射表示部aに隣接する信号線5の配置部分においては、TFT基板1を構成する透明基板11上に、上述したゲート電極(12)から延設された走査線4等が配置されている。そして、この走査線4を覆う状態で、ゲート絶縁膜13や層間絶縁膜16等からなるいわゆるインターレイヤーILが設けられ、このインターレイヤーIL上に信号線5が設けられている。この信号線5上には、平坦化絶縁膜19を介して反射電極6aの端縁が重ねて配置されている。一方、透過表示部bに隣接する信号線5の配置部分においては、インターレイヤーILが除去された透過窓21が設けられており、TFT基板1を構成する透明基板11上に、直接、信号線5が配置されている。つまり、インターレイヤーILには、信号線5と直交するように透過窓21が設けられているのである。そして、この信号線5上には、平坦化絶縁膜19を介して透明電極6bの端縁が重ねて配置されている。   FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the signal line 5 corresponding to the B-B ′ cross section of FIG. 10. As shown in this cross-sectional view, in the arrangement portion of the signal line 5 adjacent to the reflective display portion a, the scanning line extended from the gate electrode (12) described above on the transparent substrate 11 constituting the TFT substrate 1. 4 etc. are arranged. A so-called interlayer IL made up of the gate insulating film 13, the interlayer insulating film 16 and the like is provided in a state of covering the scanning line 4, and a signal line 5 is provided on the interlayer IL. On the signal line 5, the edge of the reflective electrode 6 a is disposed so as to overlap with the planarizing insulating film 19. On the other hand, in the arrangement portion of the signal line 5 adjacent to the transmissive display part b, a transmissive window 21 from which the interlayer IL is removed is provided, and the signal line is directly provided on the transparent substrate 11 constituting the TFT substrate 1. 5 is arranged. That is, the transmission window 21 is provided in the interlayer IL so as to be orthogonal to the signal line 5. On the signal line 5, the edge of the transparent electrode 6 b is disposed so as to overlap with the planarizing insulating film 19.

以上のように、信号線5と直交するように、インターレイヤーILに透過窓21を設けたことにより、透過表示部bにおけるセルギャップg2を、信号線5方向の端部にわたって維持することができる。つまり、図13の断面図(図10のC−C’断面に対応)に示すように、透過表示部bとこれに隣接する信号線5の配置部分との両方においてインターレイヤー(IL)を除去したことにより、信号線5に重ねて配置される透明電極6bの下地の段差が低減されるため、信号線5側における透明電極6bの端延部分においてのセルギャップg2’のずれが抑えられ、この部分においても光漏れを抑えて表示の無効領域が拡大することを防止できる(以上、下記特許文献参照)。   As described above, by providing the transmissive window 21 in the interlayer IL so as to be orthogonal to the signal line 5, the cell gap g2 in the transmissive display portion b can be maintained over the end portion in the direction of the signal line 5. . That is, as shown in the cross-sectional view of FIG. 13 (corresponding to the CC ′ cross-section of FIG. 10), the interlayer (IL) is removed in both the transmissive display portion b and the arrangement portion of the signal line 5 adjacent thereto. As a result, the base step of the transparent electrode 6b disposed so as to overlap the signal line 5 is reduced, so that the shift of the cell gap g2 ′ at the extended portion of the transparent electrode 6b on the signal line 5 side is suppressed, Even in this portion, light leakage can be suppressed and the invalid display area can be prevented from expanding (see the following patent document).

特開2003−307727号公報JP 2003-307727 A

しかしながら、上述したように図10〜図13を用いて説明した構成の液晶表示装置においては、信号線5下にインターレイヤーILを残した構成と比較して、透過表示部bとこれに隣接する信号線5の配置部分との平坦性は向上する。しかしながら、信号線5を覆う平坦化絶縁膜19は、光散乱層18の形成後に設けられたものであり、光散乱層18表面の凹凸を埋め込むことなく凹凸に沿って設ける必要がある。このため、平坦化絶縁膜19はある程度の薄膜で構成されることになる。したがって、図13に示したように、信号線5や光散乱層18による凹凸が平坦化絶縁膜19によって埋め込まれることはなく、透明電極6bの下地表面には、信号線5に由来する凹凸が残される。これにより、信号線5付近においては、透明電極6bの端縁が傾斜面上に配置されることになり、対向電極8との間隔、すなわちセルギャップg2,g2’に僅かな狂いが生じていた。これは、透過表示部bの周縁部において黒表示の際に光漏れを生じる要因となっている。そしてこのような光漏れが生じる領域は、画素の微細化が進展することで相対的に大きくなるため、透過表示部bのコントラスト向上に対して大きな障害となっている。   However, in the liquid crystal display device having the configuration described with reference to FIGS. 10 to 13 as described above, it is adjacent to the transmissive display portion b as compared with the configuration in which the interlayer IL is left below the signal line 5. Flatness with the arrangement part of the signal line 5 is improved. However, the planarization insulating film 19 covering the signal line 5 is provided after the formation of the light scattering layer 18 and needs to be provided along the unevenness without embedding the unevenness on the surface of the light scattering layer 18. For this reason, the planarization insulating film 19 is composed of a certain amount of thin film. Therefore, as shown in FIG. 13, the unevenness caused by the signal line 5 and the light scattering layer 18 is not embedded by the planarization insulating film 19, and the underlying surface of the transparent electrode 6b has unevenness derived from the signal line 5. Left behind. As a result, in the vicinity of the signal line 5, the edge of the transparent electrode 6 b is arranged on the inclined surface, and a slight deviation occurs in the distance from the counter electrode 8, that is, the cell gaps g 2 and g 2 ′. . This is a factor that causes light leakage at the periphery of the transmissive display portion b during black display. The region where such light leakage occurs becomes relatively large as the pixel miniaturization progresses, and is therefore a major obstacle to improving the contrast of the transmissive display portion b.

そこで本発明は、反射表示部と同一画素内に設けられた透過表示部におけるセルギャップが端部にわたって所定値に維持され、これによりさらに高精細な表示を行うことが可能な液晶表示装置を提供すること、およびこのような構成の液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides a liquid crystal display device in which the cell gap in the transmissive display portion provided in the same pixel as the reflective display portion is maintained at a predetermined value across the end portion, thereby enabling higher-definition display. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device having such a configuration.

このような目的を達成するための本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を狭持してなり、一方の基板上にマトリックス状に配列形成された複数の駆動素子と、この駆動素子に接続された反射電極と透明電極とからなる画素電極を備えた透過反射併用型の液晶表示装置であり、次のように構成されている。すなわち、基板上に配列形成された駆動素子が層間絶縁膜で覆われており、この層間絶縁膜に形成された接続孔を介して駆動素子を複数接続した状態で、当該層間絶縁膜上に複数の配線が平行配置されている。これらの配線は、平坦化絶縁膜で覆われている。また、平坦化絶縁膜上には、反射電極とこれに接続された透明電極とからなる画素電極が設けられている。これらの画素電極は、平坦化絶縁膜および層間絶縁膜に形成された接続孔を介して各駆動素子に接続されおり、配線間に配列形成されている。このような構成の液晶表示装置において、層間絶縁膜を含む配線の下方に設けられた絶縁膜のうちの少なくとも1層が、透明電極の下方に透過窓を有している。そして特には、平坦化絶縁膜が、透明電極の下地部分において、配線を埋め込む状態で表面平坦に形成されている。   In order to achieve such an object, a liquid crystal display device of the present invention includes a plurality of driving elements each having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of substrates and arranged in a matrix on one substrate, This is a transflective liquid crystal display device including a pixel electrode composed of a reflective electrode and a transparent electrode connected to a drive element, and is configured as follows. That is, a plurality of driving elements arranged on the substrate are covered with an interlayer insulating film, and a plurality of driving elements are connected on the interlayer insulating film through connection holes formed in the interlayer insulating film. Are arranged in parallel. These wirings are covered with a planarization insulating film. Further, a pixel electrode including a reflective electrode and a transparent electrode connected to the reflective electrode is provided on the planarization insulating film. These pixel electrodes are connected to each drive element through connection holes formed in the planarization insulating film and the interlayer insulating film, and are arranged between the wirings. In the liquid crystal display device having such a configuration, at least one of the insulating films provided below the wiring including the interlayer insulating film has a transmission window below the transparent electrode. In particular, the planarization insulating film is formed to have a flat surface in a state where the wiring is embedded in the base portion of the transparent electrode.

このような構成の液晶表示装置では、層間絶縁膜を含む配線の下方に設けられた絶縁膜のうちの少なくとも1層に透過窓を設けてこの上部に透明電極を配置したことにより、絶縁膜の界面での透過表示光の減衰を抑えている。そして、このような構成において、透明電極の下地部分において、配線を埋め込む状態で平坦化絶縁膜が表面平坦に形成されているため、下層の段差形状によらずに、ほぼ完全に表面平坦な下地部分上に透明電極が設けられた状態となる。したがって、透明電極の端部にわたって、対向基板との間のセルギャップが所定の値に保たれる。   In the liquid crystal display device having such a configuration, a transmission window is provided in at least one of the insulating films provided below the wiring including the interlayer insulating film, and a transparent electrode is disposed above the insulating window. Attenuation of transmissive display light at the interface is suppressed. In such a configuration, since the planarization insulating film is formed flat on the ground portion of the transparent electrode in a state of embedding the wiring, the ground surface is almost completely flat regardless of the step shape of the lower layer. A transparent electrode is provided on the portion. Therefore, the cell gap with the counter substrate is maintained at a predetermined value over the end portion of the transparent electrode.

また本発明の液晶表示装置の製造方法は、上述した構成の液晶表示装置の製造方法でもあり、次の工程を行うことを特徴としている。先ず、一方の基板上に複数の駆動素子をマトリックス状に配列形成してこれらを層間絶縁膜で覆う。そして、駆動素子に対応させた各位置において、層間絶縁膜とこれよりも下方に設けられた絶縁膜のうちの少なくとも1層に透過窓を形成する。次に、層間絶縁膜に形成された接続孔を介して駆動素子を複数接続した状態で、当該層間絶縁膜上に複数の配線を平行配置する。次いで、これらの配線が配置された基板の上部における段差形状を埋め込む膜厚で、当該基板上に表面平坦な平坦化絶縁膜を形成する。その後、平坦化絶縁膜上に反射電極を形成すると共に、透過窓の上部における平坦化絶縁膜上に反射電極に接続された透明電極を形成する。   The method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is also a method for manufacturing a liquid crystal display device having the above-described configuration, and is characterized by performing the following steps. First, a plurality of driving elements are arranged in a matrix on one substrate and covered with an interlayer insulating film. At each position corresponding to the drive element, a transmission window is formed in at least one of the interlayer insulating film and the insulating film provided below the interlayer insulating film. Next, a plurality of wirings are arranged in parallel on the interlayer insulating film in a state where a plurality of driving elements are connected through connection holes formed in the interlayer insulating film. Next, a planarized insulating film having a flat surface is formed on the substrate with a film thickness that fills the step shape on the upper part of the substrate on which these wirings are arranged. Thereafter, a reflective electrode is formed on the planarizing insulating film, and a transparent electrode connected to the reflective electrode is formed on the planarizing insulating film above the transmission window.

このような製造方法では、層間絶縁膜とその下方に設けられた絶縁膜のうちの少なくとも1層に透過窓を形成し、さらに層間絶縁膜上に配線を設けた後に、基板の上部における段差形状を埋め込む膜厚で、当該基板上に表面平坦な平坦化絶縁膜を形成し、この上部に反射電極や透明電極を形成する構成とした。これにより、下層の段差形状によらずに、ほぼ完全に表面平坦な下地部分上に透明電極が形成される。   In such a manufacturing method, after forming a transmission window in at least one of the interlayer insulating film and the insulating film provided therebelow, and further providing a wiring on the interlayer insulating film, the step shape on the upper part of the substrate A planarization insulating film having a flat surface is formed on the substrate with a film thickness for embedding the electrode, and a reflective electrode and a transparent electrode are formed on the planarization insulating film. As a result, the transparent electrode is formed on the underlying portion having a substantially flat surface regardless of the step shape of the lower layer.

以上説明したように本発明の液晶表示装置によれば、透過反射併用型の液晶表示装置において、透明電極の端部にわたって対向基板との間のセルギャップを所定の値に精度良に保つことが可能であることから、画素の微細化が進展した場合であっても、透明表示部における端部の光漏れを防止でき、さらに高精細な表示を行うことが可能になる。   As described above, according to the liquid crystal display device of the present invention, in the transflective liquid crystal display device, the cell gap between the transparent substrate and the counter substrate can be kept at a predetermined value with high accuracy over the edge of the transparent electrode. Since it is possible, even when pixel miniaturization progresses, light leakage at the end of the transparent display portion can be prevented, and higher-definition display can be performed.

また、本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、下層の層構成によらずに、ほぼ完全に表面平坦な下地部分上に透明電極を形成することが可能であることから、透明電極の端部にわたって対向基板との間のセルギャップを所定の値に精度良に保たれた上述の構成の液晶表示装置を得ることが可能になる。   In addition, according to the method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, it is possible to form a transparent electrode on a base portion having a substantially flat surface regardless of the layer structure of the lower layer. It is possible to obtain a liquid crystal display device having the above-described configuration in which the cell gap between the opposite substrate and the end portion is kept at a predetermined value with high accuracy.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、図10〜図11を用いて説明した従来の構成と同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as the conventional structure demonstrated using FIGS. 10-11, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

<液晶表示装置−1>
図1には、本発明の第1実施形態における反射透過併用型の液晶表示装置の概略平面構成図を示し、図2〜図4には、図1の各部断面に相当する断面図を示す。尚、図2は図1におけるA−A’断面に相当する断面図であり、図3は図1におけるB−B’断面に相当する断面図であり、図4は図1におけるC−C’断面に相当する断面図である。
<Liquid crystal display device-1>
FIG. 1 is a schematic plan view of a reflection / transmission combined type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 4 are cross-sectional views corresponding to cross sections of FIG. 2 is a sectional view corresponding to the AA ′ section in FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view corresponding to the BB ′ section in FIG. 1, and FIG. 4 is a CC ′ section in FIG. It is sectional drawing equivalent to a cross section.

図1に示すように、本第1実施形態における反射透過併用型の液晶表示装置100aの概略構成は、図10を用いて説明した従来の液晶表示装置(100)の概略構成と同様である。   As shown in FIG. 1, the schematic configuration of the liquid crystal display device 100a of the reflection / transmission combined type in the first embodiment is the same as the schematic configuration of the conventional liquid crystal display device (100) described with reference to FIG.

すなわち、液晶表示装置100aは、TFT基板1と、対向基板2との間に液晶層3を狭持してなる。TFT基板1の液晶層3側の面には、マトリックス状に配置されたTFT(図示省略)に接続させて複数の走査線4と信号線5とが互いに絶縁性を保って直交するように配列されている。そして、これら走査線4と信号線5とで区切られた各画素部pに、TFTに接続された画素電極6が設けられている。各画素電極6は、反射電極6aと透明電極6bとで構成され、反射電極6aが設けられた部分が反射表示部a、透明電極6bが設けられた部分が透過表示部bとなっている。一方、対向基板2の液晶層3側の面には、カラーフィルタ7と対向電極8とがこの順に積層形成されている。   In other words, the liquid crystal display device 100 a has the liquid crystal layer 3 sandwiched between the TFT substrate 1 and the counter substrate 2. A plurality of scanning lines 4 and signal lines 5 are arranged on the surface of the TFT substrate 1 on the liquid crystal layer 3 side so as to be connected to TFTs (not shown) arranged in a matrix so as to be orthogonal to each other while maintaining insulation. Has been. A pixel electrode 6 connected to the TFT is provided in each pixel portion p partitioned by the scanning line 4 and the signal line 5. Each pixel electrode 6 includes a reflective electrode 6a and a transparent electrode 6b, and a portion where the reflective electrode 6a is provided is a reflective display portion a, and a portion where the transparent electrode 6b is provided is a transmissive display portion b. On the other hand, the color filter 7 and the counter electrode 8 are laminated in this order on the surface of the counter substrate 2 on the liquid crystal layer 3 side.

尚、画素電極6の形成面および対向電極8の形成面上には、ここでの図示を省略した配向膜が設けられる。また、液晶表示装置100aにおいては、TFT基板1と対向基板2との外側に、さらに偏光板や位相差板などが配置されることになる。そして、電界印加時または無印加時に、光の反射または透過によって白表示また黒表示となるように構成されていることとする。   An alignment film (not shown) is provided on the formation surface of the pixel electrode 6 and the formation surface of the counter electrode 8. Further, in the liquid crystal display device 100a, a polarizing plate, a retardation plate, and the like are further disposed outside the TFT substrate 1 and the counter substrate 2. And it shall be comprised so that white display or black display may be carried out by reflection or permeation | transmission of light at the time of an electric field application or no application.

そして、本第1実施形態の液晶表示装置100aが、図10〜図13を用いて説明した従来の液晶表示装置(100)と異なるところは、光散乱層(18)および平坦化絶縁膜(19)に替えて、図2〜図4に示すように、TFT15、走査線4、および信号線5を覆うと共に、画素電極6(6a,6b)の下地層として、平坦化絶縁膜101を設けた構成にあり、他の構成は同様であることとする。   The liquid crystal display device 100a according to the first embodiment is different from the conventional liquid crystal display device (100) described with reference to FIGS. 10 to 13 in that the light scattering layer (18) and the planarization insulating film (19). 2 to 4, the TFT 15, the scanning line 4, and the signal line 5 are covered, and a planarization insulating film 101 is provided as a base layer of the pixel electrode 6 (6 a, 6 b). The configuration is the same, and the other configurations are the same.

すなわち、図2〜図4の断面図に示すように、液晶表装置100aにおいては、TFT基板1を構成する透明基板11上に設けられたTFT15や走査線4、ゲート絶縁膜13やこれらを覆う層間絶縁膜16を含むインターレイヤーIL、およびTFT15に接続されたプラグ17a,17bや信号線5等を覆う状態で、平坦化絶縁膜101が設けられている。そして、この平坦化絶縁膜101上に、反射電極6aおよび透明電極6bからなる画素電極6が設けられているのである。   That is, as shown in the cross-sectional views of FIGS. 2 to 4, the liquid crystal surface device 100 a covers the TFT 15, the scanning line 4, the gate insulating film 13, and the like provided on the transparent substrate 11 constituting the TFT substrate 1. The planarization insulating film 101 is provided so as to cover the interlayer IL including the interlayer insulating film 16 and the plugs 17a and 17b connected to the TFT 15, the signal line 5, and the like. On the planarization insulating film 101, the pixel electrode 6 composed of the reflective electrode 6a and the transparent electrode 6b is provided.

そして、反射表示部a、およびこれに隣接する信号線5の配置部a’においては、この平坦化絶縁膜101の下方に配置される各部材による下地段差を十分に埋め込んで平坦化する状態で、平坦化絶縁膜101が設けられている。また、反射表示部aにおける平坦化絶縁膜101の平坦化表面には、光散乱用の凹凸表面が形成されている。つまり、反射表示部aにおいては、下地段差を十分に埋め込んで平坦化され、その平坦化面に光散乱用の凹凸表面が形成された平坦化絶縁膜101部分が設けられている。   In the reflective display portion a and the arrangement portion a ′ of the signal line 5 adjacent thereto, the base step due to each member arranged below the planarization insulating film 101 is sufficiently buried and planarized. A planarization insulating film 101 is provided. Further, an uneven surface for light scattering is formed on the flattened surface of the flattened insulating film 101 in the reflective display portion a. That is, the reflective display portion a is provided with a flattening insulating film 101 portion that is sufficiently flattened by filling a base step and having an uneven surface for light scattering formed on the flattened surface.

一方、透過表示部b、およびこれに隣接する信号線の配置部b’においては、特に図4の断面図に示すように、この平坦化絶縁膜101の下方に配置される信号線5による下地段差を十分に埋め込んで平坦化する状態で、平坦化絶縁膜101が設けられている。そして、透過表示部bおよび信号線の配置部b’における平坦化絶縁膜101の表面は、表面平坦に形成されている。また、透過表示部b、およびこれに隣接する信号線の配置部b’における平坦化絶縁膜101の表面平坦性は、信号線5が埋め込まれて完全に平坦であることが好ましいが、凸部の傾斜が10度以下に抑えられていれば良いこととする。尚、透過表示部bと信号線5の配置部b’とには、信号線5と直交する形状でインターレイヤーILに透過窓21が設けられていることとする。また、この透過表示部bに配置される透明電極6bは、信号線5の延設方向に隣接する画素側においては、平坦化絶縁膜101の傾斜部に透明電極6bが配置されることのないようにパターニングされている。   On the other hand, in the transmissive display part b and the signal line arrangement part b ′ adjacent thereto, as shown particularly in the cross-sectional view of FIG. 4, the ground by the signal line 5 arranged below the planarization insulating film 101. The planarization insulating film 101 is provided in a state where the step is sufficiently buried and planarized. The surfaces of the planarization insulating film 101 in the transmissive display part b and the signal line arrangement part b 'are formed to be flat. Further, the surface flatness of the planarization insulating film 101 in the transmissive display portion b and the signal line arrangement portion b ′ adjacent to the transmissive display portion b is preferably completely flat because the signal line 5 is embedded. It is sufficient that the inclination of the angle is suppressed to 10 degrees or less. It is assumed that a transmission window 21 is provided in the interlayer IL in a shape orthogonal to the signal line 5 at the transmission display part b and the arrangement part b ′ of the signal line 5. Further, the transparent electrode 6b disposed in the transmissive display portion b is not disposed on the inclined portion of the planarization insulating film 101 on the pixel side adjacent to the extending direction of the signal line 5. It is patterned as follows.

またこの平坦化絶縁膜101は、図2の断面図に示すように、反射表示部aに対して透過表示部bが段差下部となるような段差形状を有している。この段差dは、反射表示部aにおいて平坦化絶縁膜101上に設けられる反射電極6aと対向電極8との間隔(セルギャップg1)に対して、透過表示部bにおける平坦化絶縁膜101上に設けられる透明電極6bと対向電極8との間隔(セルギャップg2)が約2倍となるように調整されていることとする。尚、セルギャップg1,g2は、上述した偏光板や位相差板、さらには液晶層3を構成する液晶材料等の光学設計により、適宜設定されていることとする。尚、図4に示すように、段差dの下方においては、信号線5と透明電極6bとを十分に絶縁できる程度の膜厚t1で平坦化絶縁膜101が残されていることとする。また、反射電極6aは、この段差dの壁部において透過表示が行われることのないように、透明電極6b上に重ねるように配置されていることとする。   Further, as shown in the cross-sectional view of FIG. 2, the planarization insulating film 101 has a step shape such that the transmissive display portion b is a lower step with respect to the reflective display portion a. This step d is formed on the planarization insulating film 101 in the transmissive display portion b with respect to the distance (cell gap g1) between the reflective electrode 6a and the counter electrode 8 provided on the planarization insulating film 101 in the reflective display portion a. It is assumed that the distance (cell gap g2) between the transparent electrode 6b provided and the counter electrode 8 is adjusted to be about twice. The cell gaps g1 and g2 are appropriately set according to the optical design of the above-described polarizing plate, retardation plate, and liquid crystal material constituting the liquid crystal layer 3. As shown in FIG. 4, it is assumed that the planarization insulating film 101 is left below the level difference d with a film thickness t1 that can sufficiently insulate the signal line 5 and the transparent electrode 6b. In addition, the reflective electrode 6a is arranged so as to overlap the transparent electrode 6b so that transmissive display is not performed on the wall portion of the step d.

以上のように構成された第1実施形態の液晶表示装置101aでは、ゲート絶縁膜13や層間絶縁膜16からなるインターレイヤーILに透過窓21を設け、この上部に透明電極6bを配置したことにより、透明電極6b下の絶縁膜の界面においての透過表示光の減衰を抑えている。これにより、透過表示部bにおける透過効率が向上し、明るい透過表示を行うことが可能である。   In the liquid crystal display device 101a of the first embodiment configured as described above, the transmission window 21 is provided in the interlayer IL composed of the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 16, and the transparent electrode 6b is disposed thereon. The attenuation of the transmissive display light at the interface of the insulating film under the transparent electrode 6b is suppressed. Thereby, the transmission efficiency in the transmissive display part b is improved, and bright transmissive display can be performed.

そして、本第1実施形態は、特にこのような構成において図4に示されるように、透過表示部bおよびこれに隣接する信号線5の配置部b’において、信号線5を埋め込む状態で平坦化絶縁膜101が表面平坦に形成されているため、下層の段差形状によらずに、ほぼ完全に表面平坦な下地部分上に透明電極6bが設けられた状態となる。したがって、透明電極6bの端部にわたって、対向基板との間のセルギャップg2が所定の値に保たれる。   In the first embodiment, as shown in FIG. 4, particularly in such a configuration, the transmissive display part b and the arrangement part b ′ of the signal line 5 adjacent thereto are flat in a state where the signal line 5 is embedded. Since the insulating insulating film 101 is formed to have a flat surface, the transparent electrode 6b is provided on the base portion having a substantially flat surface regardless of the step shape of the lower layer. Therefore, the cell gap g2 between the counter electrode and the counter substrate is maintained at a predetermined value over the end of the transparent electrode 6b.

これにより、画素pの微細化がさらに進展した場合であっても、透明表示部bの信号線5方向の端部においての黒表示の際の光漏れを防止でき、さらに高コントラストで高精細な表示を行うことが可能になる。   As a result, even when the pixel p is further miniaturized, light leakage at the time of black display at the end of the transparent display portion b in the direction of the signal line 5 can be prevented, and the contrast is high and the definition is high. Display can be performed.

<第2実施形態>
図5は、本発明の第2実施形態における反射透過併用型の液晶表示装置の特徴部分を示す断面図であり、図5(1)は図1のA−A’断面相当し、図5(2)は図1のB−B’断面に相当している。
Second Embodiment
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the characteristic part of the liquid crystal display device of the combined reflection and transmission type according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 5 (1) corresponds to the AA ′ cross section of FIG. 2) corresponds to the BB ′ cross section of FIG.

この図に示す第2実施形態の液晶表示装置100bが、第1実施形態の液晶表示装置と異なるところは、対向基板2側に段差パターン25を設けたことにより、平坦化絶縁膜101の段差dを小さくしたところにあり、他の構成は第1実施形態と同様であることとする。   The liquid crystal display device 100b of the second embodiment shown in this figure is different from the liquid crystal display device of the first embodiment in that the step d of the planarization insulating film 101 is provided by providing the step pattern 25 on the counter substrate 2 side. The other configuration is the same as that of the first embodiment.

すなわち、本第2実施形態における液晶表示装置100bにおいては、対向基板2を構成する透明基板23上に、カラーフィルタ7を介して段差パターン25が設けられており、この段差パターン25を覆う状態で対向電極8が設けられている。この段差パターン25は、絶縁性の透明材料からなり、反射表示部aおよびこれに隣接する信号線5の配置部a’に対応してパターン形成されている。   That is, in the liquid crystal display device 100b according to the second embodiment, the step pattern 25 is provided on the transparent substrate 23 constituting the counter substrate 2 via the color filter 7, and the step pattern 25 is covered. A counter electrode 8 is provided. The step pattern 25 is made of an insulating transparent material, and is patterned corresponding to the reflective display portion a and the arrangement portion a 'of the signal line 5 adjacent thereto.

そして、このような液晶表示装置100bのTFT基板1側に設けられる平坦化絶縁膜101の段差dは、段差パターン25の高さ分だけ、第1実施形態よりも小さく設定されている。これにより、反射表示部aにおけるセルギャップg1に対して、透過表示部bにおけるセルギャップg2が約2倍となるように調整されていることとする。   The level difference d of the planarization insulating film 101 provided on the TFT substrate 1 side of the liquid crystal display device 100b is set smaller than that of the first embodiment by the height of the level difference pattern 25. As a result, the cell gap g2 in the transmissive display part b is adjusted to be approximately twice the cell gap g1 in the reflective display part a.

またこの場合、図示したように、透過表示部bおよびこれに隣接する信号線5の配置部b’における平坦化絶縁膜101の膜厚を段差パターン25の高さ分だけ、第1実施形態よりも厚くして良い。そして、透過表示部bにおける平坦化絶縁膜101の膜厚が、信号線5と共にインターレイヤーILを埋め込む程度に厚ければ、段差下部をインターレイヤーILの上部にまで延設しても良い。また、反射表示部aにおける平坦化絶縁膜101の散乱パターンの形状に影響を及ぼすことがなければ、反射表示部aおよびこれに隣接する信号線5の配置部a’における平坦化絶縁膜101の膜厚を、段差パターン25の分だけ第1実施形態よりも薄くしても良い。   In this case, as shown in the drawing, the film thickness of the planarization insulating film 101 in the transmissive display portion b and the arrangement portion b ′ of the signal line 5 adjacent thereto is set to the height of the step pattern 25 from the first embodiment. You can also make it thicker. Then, if the thickness of the planarization insulating film 101 in the transmissive display portion b is thick enough to embed the interlayer IL together with the signal line 5, the lower step portion may be extended to the upper portion of the interlayer IL. If the shape of the scattering pattern of the planarization insulating film 101 in the reflective display part a is not affected, the planarization insulating film 101 in the reflective display part a and the arrangement part a ′ of the signal line 5 adjacent to the reflective display part a. The film thickness may be made thinner than that of the first embodiment by the step pattern 25.

このような構成の第2実施形態の液晶表示装置101bであっても、透過表示部bおよびこれに隣接する信号線5の配置部b’においては、信号線5を埋め込む状態で平坦化絶縁膜101が表面平坦に形成されているため、透明電極6bの端部にわたって、対向基板との間のセルギャップg2が所定の値に保たれる。したがって、第1実施形態の液晶表示装置と同様に、画素pの微細化がさらに進展した場合であっても高コントラストで高精細な表示を行うことが可能になる。   Even in the liquid crystal display device 101b of the second embodiment having such a configuration, in the transmissive display portion b and the arrangement portion b ′ of the signal line 5 adjacent thereto, the planarization insulating film is embedded in the state where the signal line 5 is embedded. Since the surface 101 is formed flat, the cell gap g2 between the counter substrate and the transparent electrode 6b is kept at a predetermined value over the end of the transparent electrode 6b. Therefore, similarly to the liquid crystal display device of the first embodiment, it is possible to perform high-contrast and high-definition display even when the pixel p is further miniaturized.

<第3実施形態>
図6、本発明の第3実施形態における反射透過併用型の液晶表示装置の特徴部分を示す断面図であり、図6(1)は図1のB−B’断面に相当し、図6(2)は図1のC−C’断面に相当する。
<Third Embodiment>
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a characteristic part of a liquid crystal display device of the combined reflection and transmission type according to the third embodiment of the present invention. FIG. 6 (1) corresponds to the BB ′ cross section of FIG. 2) corresponds to the section CC ′ in FIG.

これらの図に示す第3実施形態の液晶表示装置100cが、第1実施形態の液晶表示装置と異なるところは、信号線5の下部にインターレイヤーILを残し、インターレイヤーILに形成される透過窓21を、信号線5間の透過表示部bのみとしたところにあり、他の構成は第1実施形態と同様であることとする。   The liquid crystal display device 100c according to the third embodiment shown in these drawings differs from the liquid crystal display device according to the first embodiment in that an interlayer IL is left below the signal line 5 and a transmission window formed in the interlayer IL. 21 is only the transmissive display part b between the signal lines 5, and the other configuration is the same as that of the first embodiment.

そして、特に図6(2)のC−C’断面図に示すように、透過表示部bおよびこれに隣接する信号線5の配置部b’においては、信号線5およびインターレイヤーILによる下地段差を十分に埋め込んで表面平坦になる状態で、平坦化絶縁膜101が設けられていることとする。尚、透明電極6bの下方には、信号線5と透明電極6bとを十分に絶縁できる程度の膜厚t1で平坦化絶縁膜101が残されていることとする。   In particular, as shown in the CC ′ cross-sectional view of FIG. 6B, in the transmissive display portion b and the arrangement portion b ′ of the signal line 5 adjacent thereto, the ground level difference due to the signal line 5 and the interlayer IL. It is assumed that the planarization insulating film 101 is provided in a state where the surface is sufficiently buried and the surface becomes flat. It is assumed that the planarization insulating film 101 is left below the transparent electrode 6b with a film thickness t1 that can sufficiently insulate the signal line 5 and the transparent electrode 6b.

また、反射表示部(a)におけるセルギャップg1に対して、透過表示部(b)におけるセルギャップg2が約2倍となるように調整されていることは、第1実施形態と同様である。このため、平坦化絶縁膜101は、第1実施形態と比較して全体的に厚膜化している。   Further, it is the same as in the first embodiment that the cell gap g2 in the transmissive display portion (b) is adjusted to be approximately twice the cell gap g1 in the reflective display portion (a). For this reason, the planarization insulating film 101 is thickened as a whole as compared with the first embodiment.

このような構成の第3実施形態の液晶表示装置101cであっても、透過表示部bおよびこれに隣接する信号線5の配置部b’においては、信号線5を埋め込む状態で平坦化絶縁膜101が表面平坦に形成されているため、透明電極6bの端部にわたって、対向基板との間のセルギャップg2が所定の値に保たれる。したがって、第1実施形態の液晶表示装置と同様に、画素pの微細化がさらに進展した場合であっても高コントラストで高精細な表示を行うことが可能になる。   Even in the liquid crystal display device 101c of the third embodiment having such a configuration, the planarization insulating film is embedded in the state where the signal line 5 is embedded in the transmissive display part b and the arrangement part b ′ of the signal line 5 adjacent thereto. Since the surface 101 is formed flat, the cell gap g2 between the counter substrate and the transparent electrode 6b is kept at a predetermined value over the end of the transparent electrode 6b. Therefore, similarly to the liquid crystal display device of the first embodiment, it is possible to perform high-contrast and high-definition display even when the pixel p is further miniaturized.

<第4実施形態>
図7は、本発明の第4実施形態における反射透過併用型の液晶表示装置の特徴部分を示す断面図であり、図7(1)は図1のA−A’断面相当し、図7(2)は図1のB−B’断面に相当している。
<Fourth embodiment>
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the characteristic part of the liquid crystal display device of the reflection / transmission combined type according to the fourth embodiment of the present invention. FIG. 7 (1) corresponds to the cross section AA ′ of FIG. 2) corresponds to the BB ′ cross section of FIG.

この図に示す第4実施形態の液晶表示装置100dが、第1実施形態の液晶表示装置と異なるところは、対向基板2に段差パターン25を設けたことにより平坦化絶縁膜101の段差を無くしたところにあり、他の構成は第1実施形態と同様であることとする。   The difference between the liquid crystal display device 100d of the fourth embodiment shown in this figure and the liquid crystal display device of the first embodiment is that the step of the planarizing insulating film 101 is eliminated by providing the step pattern 25 on the counter substrate 2. However, the other configuration is the same as that of the first embodiment.

すなわち、本第4実施形態における液晶表示装置100bにおいては、TFT基板1側の段差が全て埋め込まれるように、反射表示部aと透過表示部bとで略同一高さの平坦化絶縁膜101が設けられている。   That is, in the liquid crystal display device 100b according to the fourth embodiment, the planarizing insulating film 101 having substantially the same height is formed in the reflective display portion a and the transmissive display portion b so that all the steps on the TFT substrate 1 side are embedded. Is provided.

そして、反射表示部aおよびこれに隣接して配置される信号線5の配置部a’における平坦化絶縁膜101の平坦化表面には、光散乱用の凹凸表面が形成されており、この凹凸を平均した高さが、透過表示部bおよびこれに隣接して配置される信号線5の配置部b’における平坦化絶縁膜101の平坦化表面高さと等しいこととする。   Then, an uneven surface for light scattering is formed on the flattening surface of the flattening insulating film 101 in the reflection display portion a and the arrangement portion a ′ of the signal line 5 arranged adjacent thereto. Is equal to the planarization surface height of the planarization insulating film 101 in the transmissive display part b and the arrangement part b ′ of the signal line 5 arranged adjacent thereto.

一方、対向基板2を構成する透明基板23上には、カラーフィルタ7を介して段差パターン25が設けられており、この段差パターン25を覆う状態で対向電極8が設けられている。この段差パターン25は、絶縁性の透明材料からなり、反射表示部aに対応してパターン形成されている。また、この段差パターン25は、反射表示部aにおけるセルギャップg1に対して、透過表示部bにおけるセルギャップg2が約2倍となるように、膜厚tが調整されていることとする。   On the other hand, a step pattern 25 is provided on the transparent substrate 23 constituting the counter substrate 2 via the color filter 7, and the counter electrode 8 is provided so as to cover the step pattern 25. The step pattern 25 is made of an insulating transparent material, and is patterned corresponding to the reflective display portion a. In addition, it is assumed that the film thickness t of the step pattern 25 is adjusted so that the cell gap g2 in the transmissive display portion b is about twice the cell gap g1 in the reflective display portion a.

このような構成の第4実施形態の液晶表示装置101dであっても、透過表示部bおよびこれに隣接する信号線5の配置部b’においては、信号線5を埋め込む状態で平坦化絶縁膜101が表面平坦に形成されているため、透明電極6bの端部にわたって、対向基板との間のセルギャップg2が所定の値に保たれる。したがって、第1実施形態の液晶表示装置と同様に、画素pの微細化がさらに進展した場合であっても高コントラストで高精細な表示を行うことが可能になる。   Even in the liquid crystal display device 101d of the fourth embodiment having such a configuration, the planarization insulating film is embedded in the state where the signal line 5 is embedded in the transmissive display part b and the arrangement part b ′ of the signal line 5 adjacent thereto. Since the surface 101 is formed flat, the cell gap g2 between the counter substrate and the transparent electrode 6b is kept at a predetermined value over the end of the transparent electrode 6b. Therefore, similarly to the liquid crystal display device of the first embodiment, it is possible to perform high-contrast and high-definition display even when the pixel p is further miniaturized.

また特に本第4実施形態の液晶表示装置101dでは、反射電極6aの下地部分と透明電極6bの下地部分とが同一高さとなるため、信号線5の延設方向に隣接する画素間の反射電極6aと透明電極6bとの分離を平面上で行うことができる。しがたって、透明電極6bにおける信号線5方向の両端縁も、確実に平坦面上に配置されるため、反射電極6aから露出している透明電極6の3辺の全てにおいて、対向基板2との間のセルギャップg2を確実に所定の値に保つことができる。したがって、さらに確実に高コントラストで高精細な表示を行うことが可能になる。さらに、反射電極6aと透明電極6bとのパターニングにおいて、これらの間隔を狭ピッチ化することが可能になる。これにより、各画素における有効表示面積を広げることができる。   In particular, in the liquid crystal display device 101d of the fourth embodiment, since the base portion of the reflective electrode 6a and the base portion of the transparent electrode 6b have the same height, the reflective electrode between adjacent pixels in the extending direction of the signal line 5 is used. Separation of 6a and transparent electrode 6b can be performed on a plane. Therefore, both end edges of the transparent electrode 6b in the direction of the signal line 5 are also surely arranged on the flat surface, and therefore, the counter substrate 2 and the opposite substrate 2 are all over the three sides of the transparent electrode 6 exposed from the reflective electrode 6a. Cell gap g2 can be reliably maintained at a predetermined value. Therefore, it becomes possible to perform high-contrast and high-definition display more reliably. Further, in the patterning of the reflective electrode 6a and the transparent electrode 6b, it is possible to narrow the distance between them. Thereby, the effective display area in each pixel can be expanded.

尚、上述した第1実施形態〜第4実施形態の構成は、組み合わせて実施することも可能である。例えば、第2実施形態と第3実施形態、第3実施形態と第4実施形態とを組み合わせた構成であっても、同様の効果を得ることができる。   Note that the configurations of the first to fourth embodiments described above can be implemented in combination. For example, the same effect can be obtained even in a configuration in which the second embodiment and the third embodiment, and the third embodiment and the fourth embodiment are combined.

<液晶表示装置の製造方法>
次に、図8および図9の断面工程図に基づいて、液晶表示装置の製造方法の実施形態を説明する。尚、図8および図9は図1におけるB−B’断面に相当する断面工程図であり、ここでは上述した第1実施形態の液晶表示装置を例に製造方法を説明する。
<Method for manufacturing liquid crystal display device>
Next, an embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display device will be described based on the sectional process diagrams of FIGS. 8 and 9. 8 and 9 are cross-sectional process diagrams corresponding to the BB 'cross section in FIG. 1. Here, the manufacturing method will be described taking the liquid crystal display device of the first embodiment as an example.

先ず、図8(1)に示すように、TFT基板側の作製において、透明基板11上に信号線5を形成するまでは、通常の手順と同様に行う。   First, as shown in FIG. 8 (1), the fabrication on the TFT substrate side is performed in the same manner as a normal procedure until the signal line 5 is formed on the transparent substrate 11.

すなわち、透明基板11上に、走査線4とこれに接続されたゲート電極および、これと同一層からなる容量素子の電極4’を形成する。そして、これらを覆う状態でゲート絶縁膜13を形成し、さらにこの上部にここでは図示されない半導体層を形成してエキシマレーザアニール処理による結晶化を行う。次に、TFTのVth調整のための不純物を半導体層に導入した後、ここでの図示を省略した絶縁性のストッパ層を半導体層上に形成し、TFTのソース/ドレイン形成のための不純物を半導体層に導入する。次いで、急速加熱によって不純物の活性化アニール処理を行い、半導体層をパターンエッチングする。次に、半導体層を覆う状態で、層間絶縁膜16を成膜する。その後、透明基板11上の全面を覆うゲート絶縁膜13や層間絶縁膜16等の絶縁膜からなるインターレイヤーILをパターンエッチングし、透過表示部(b)とこれに隣接する信号線の配置部b’を開口する透過窓21を形成する。また同時に、半導体層に達する接続孔を形成する。その後、接続孔を介して半導体層に接続されたプラグを形成すると共に、このプラグから延設された信号線5を、走査線4と直交し透過窓21を横切る様に形成する。   That is, on the transparent substrate 11, the scanning line 4, the gate electrode connected to the scanning line 4, and the capacitor element electrode 4 ′ composed of the same layer are formed. Then, a gate insulating film 13 is formed so as to cover them, and a semiconductor layer (not shown) is further formed thereon, and crystallization is performed by excimer laser annealing. Next, after introducing impurities for adjusting the Vth of the TFT into the semiconductor layer, an insulating stopper layer (not shown here) is formed on the semiconductor layer, and impurities for forming the source / drain of the TFT are formed. Introduced into the semiconductor layer. Next, an impurity activation annealing process is performed by rapid heating to pattern-etch the semiconductor layer. Next, an interlayer insulating film 16 is formed so as to cover the semiconductor layer. Thereafter, the interlayer IL made of an insulating film such as the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 16 covering the entire surface of the transparent substrate 11 is subjected to pattern etching, so that the transmission display portion (b) and the signal line arrangement portion b adjacent thereto are arranged. A transparent window 21 that opens' is formed. At the same time, a connection hole reaching the semiconductor layer is formed. Thereafter, a plug connected to the semiconductor layer through the connection hole is formed, and the signal line 5 extending from the plug is formed so as to be orthogonal to the scanning line 4 and cross the transmission window 21.

以上のようにして信号線5を形成した後、図8(2)に示すように、透明基板11上の全面に形成されている段差形状を埋め込むように、感光性材料からなる平坦化絶縁膜101を塗布形成する。ここで、平坦化絶縁膜101の初期膜厚T0は、下地の段差形状が十分に埋め込まれた状態で表面の平坦性が得られ、かつ以降の工程で開口窓21の上部における平坦化絶縁膜101に所定の段差を形成した場合に、この段差下部において信号線5上に十分な膜厚で平坦化絶縁膜が残される程度に設定されることとする。このため、平坦化絶縁膜101の初期膜厚T0は、インターレイヤーILや信号線5の高さ、さらには後に形成される段差によって、適宜設計されることとする。   After forming the signal line 5 as described above, as shown in FIG. 8B, a planarization insulating film made of a photosensitive material so as to bury the step shape formed on the entire surface of the transparent substrate 11. 101 is applied and formed. Here, the initial film thickness T0 of the planarization insulating film 101 is such that the planarity of the surface can be obtained in a state where the base step is sufficiently embedded, and the planarization insulating film on the upper portion of the opening window 21 in the subsequent steps. When a predetermined step is formed in 101, the leveling insulating film is set to such a degree that a sufficient thickness is left on the signal line 5 below the step. For this reason, the initial film thickness T0 of the planarization insulating film 101 is appropriately designed according to the height of the interlayer IL and the signal line 5, and further the step formed later.

尚、平坦化絶縁膜101を回転塗布によって形成する場合には、平坦化絶縁膜101の表面を完全に平坦に形成することは困難である。そこでここでは、開口窓21の上部において信号線5に由来する段差形状が、完全に解消されて平坦化されていることが好ましいが、10度以下の傾斜に抑えられていれば良いこととする。また、インターレイヤーILと開口窓21に由来する段差形状は残っても良い。   Note that when the planarization insulating film 101 is formed by spin coating, it is difficult to form the surface of the planarization insulating film 101 completely flat. Therefore, here, it is preferable that the step shape derived from the signal line 5 is completely eliminated and flattened in the upper part of the opening window 21, but it is sufficient that the inclination is suppressed to 10 degrees or less. . Further, the step shape derived from the interlayer IL and the opening window 21 may remain.

次に、図8(3)に示すように、平坦化絶縁膜101の反射表示部(a)およびこれに隣接させた信号線5の配置部a’に対して、光散乱用の凹凸表面を形成するためのパターン露光を行う。この際、例えば、露光マスク103を用いることにより、反射表示部(a)およびこれに隣接させた信号線の配置部a’のみに露光光hを照射するパターン露光を行う。また、後に行う現像処理による平坦化絶縁膜101の膜減量が露光量に比例することから、現像処理後に平坦化絶縁膜101の表面に形成される凹凸の深さに対応させて露光量を設定する。   Next, as shown in FIG. 8 (3), an uneven surface for light scattering is formed on the reflective display portion (a) of the planarization insulating film 101 and the arrangement portion a ′ of the signal line 5 adjacent thereto. Pattern exposure for forming is performed. At this time, for example, by using the exposure mask 103, pattern exposure is performed to irradiate only the reflective display portion (a) and the signal line arrangement portion a 'adjacent thereto with the exposure light h. In addition, since the film loss of the planarization insulating film 101 by the development processing performed later is proportional to the exposure amount, the exposure amount is set according to the depth of the unevenness formed on the surface of the planarization insulating film 101 after the development processing. To do.

また、図9(4)に示すように、平坦化絶縁膜101の透過表示部(b)およびこれに隣接する信号線5の配置部b’に対して、露光光hを全面照射するパターン露光行う。この際、例えば、露光マスク104を用いることにより、透過表示部(b)およびこれに隣接させた信号線の配置部b’の全面に露光光hを照射するパターン露光を行う。また、後に行う現像処理による平坦化絶縁膜101の膜減量が露光量に比例することから、現像処理後に平坦化絶縁膜101の表面に形成される段差に対応させて露光量を設定する。尚、このパターン露光においては、プラグ(17b:図2参照)に達する接続孔を形成するためのパターン露光も同時に行う。   Further, as shown in FIG. 9 (4), pattern exposure is performed to irradiate the entire surface with exposure light h to the transmissive display portion (b) of the planarization insulating film 101 and the arrangement portion b ′ of the signal line 5 adjacent thereto. Do. At this time, for example, by using the exposure mask 104, pattern exposure is performed to irradiate the entire surface of the transmissive display portion (b) and the signal line arrangement portion b 'adjacent thereto with the exposure light h. In addition, since the film loss of the planarization insulating film 101 due to the development processing performed later is proportional to the exposure amount, the exposure amount is set in accordance with the level difference formed on the surface of the planarization insulating film 101 after the development processing. In this pattern exposure, pattern exposure for forming a connection hole reaching the plug (17b: see FIG. 2) is also performed at the same time.

以上、図8(3)のパターン露光と図9(4)のパターン露光とは逆の順に行っても良く、これらのパターン露光は同一の露光装置において露光マスクを交換するのみで連続して行うこととする。   As described above, the pattern exposure shown in FIG. 8 (3) and the pattern exposure shown in FIG. 9 (4) may be performed in the reverse order, and these pattern exposures are continuously performed only by exchanging the exposure mask in the same exposure apparatus. I will do it.

そして、以上のような2回の連続したパターン露光、すなわち平坦化絶縁膜101に対する多重露光を行った後、平坦化絶縁膜101に対して現像処理を行い、次いでリフロー処理を行う。これにより、図9(5)に示すように、平坦化絶縁膜101の表面を、反射表示部(a)およびこれに隣接する信号線5の配置部a’が段差上部となり、透過表示部(b)およびこれに隣接する信号線5の配置部b’が段差下部となると共に、段差の上部が凹凸表面となり段差の下部が平坦化表面となるように整形する。   Then, after performing two successive pattern exposures as described above, that is, multiple exposure to the planarization insulating film 101, development processing is performed on the planarization insulating film 101, and then reflow processing is performed. As a result, as shown in FIG. 9 (5), the surface of the planarization insulating film 101 has the reflective display part (a) and the arrangement part a ′ of the signal line 5 adjacent to the upper part of the step, and the transmissive display part ( b) and the arrangement part b ′ of the signal line 5 adjacent thereto are shaped as a lower part of the step, and the upper part of the step is shaped as an uneven surface, and the lower part of the step is shaped as a flattened surface.

その後、図9(6)に示すように、段差下部となる透過表示部(b)に透明電極6bをパターン形成した後、段差上部となる反射表示部(a)に反射電極6aをパターン形成する。   Thereafter, as shown in FIG. 9 (6), the transparent electrode 6b is patterned on the transmissive display portion (b) which is the lower portion of the step, and then the reflective electrode 6a is pattern-formed on the reflective display portion (a) which is the upper portion of the step. .

ここで、透明電極6bの形成においては、透過表示部(b)に隣接する信号線5の配置部b’上において透明電極6bを分離し、透明電極6bの端縁が信号線5の配置部b’上に重なるようにする。そして、信号線5の延設方向に隣接する画素側においては、平坦化絶縁膜101の傾斜部に透明電極6bが配置されることのないように、透明電極6bをパターニングする。   Here, in forming the transparent electrode 6b, the transparent electrode 6b is separated on the arrangement part b ′ of the signal line 5 adjacent to the transmissive display part (b), and the edge of the transparent electrode 6b is the arrangement part of the signal line 5. Overlay on b '. Then, on the pixel side adjacent to the extending direction of the signal line 5, the transparent electrode 6 b is patterned so that the transparent electrode 6 b is not disposed on the inclined portion of the planarization insulating film 101.

また、反射電極6aの形成においては、反射表示部(a)に隣接する信号線5の配置部a’上において反射電極6aを分離し、反射電極6aの端縁が信号線5の配置部a’上および透明電極6b上に重なるようにする。この際、開口窓21の縁部の傾斜部分において透過表示が行われることのないように、透明電極6b上に反射電極6aを重ねるようにする。反射電極6aは、平坦化絶縁膜101に形成した接続孔(17b)を介してプラグに接続され、かつ下地の平坦化絶縁膜101に形成された光散乱用の凹凸を埋め込むことなく、この凹凸に沿った表面形状となる程度に薄膜であることが重要である。尚、以上においては、反射電極6aがプラグに接続される構成としたが、反射電極6a下に重ねて設けた透明電極6bをプラグに接続させる構成としても良い。   In the formation of the reflective electrode 6a, the reflective electrode 6a is separated on the arrangement part a ′ of the signal line 5 adjacent to the reflective display part (a), and the edge of the reflective electrode 6a is the arrangement part a of the signal line 5. 'Overlying on the transparent electrode 6b. At this time, the reflective electrode 6a is overlaid on the transparent electrode 6b so that transmissive display is not performed on the inclined portion of the edge of the opening window 21. The reflective electrode 6a is connected to the plug through a connection hole (17b) formed in the planarization insulating film 101, and the unevenness for light scattering formed in the underlying planarization insulating film 101 is not embedded. It is important that the film is thin enough to have a surface shape along the surface. In the above description, the reflective electrode 6a is connected to the plug. However, the transparent electrode 6b provided under the reflective electrode 6a may be connected to the plug.

以上の後、ここでの図示を省略した配向膜の形成を行ってTFT基板1を完成させた後、図3に示すように、このTFT基板1に対してスペーサ(図示省略)を介して対向基板2を対向配置し、周縁部を封止剤で封止した後、この封止部内に液晶層3を充填することにより液晶表示装置100aを完成させる。   After the above, an alignment film not shown here is formed and the TFT substrate 1 is completed, and then the TFT substrate 1 is opposed to the TFT substrate 1 via a spacer (not shown) as shown in FIG. After the substrate 2 is disposed oppositely and the peripheral edge portion is sealed with a sealing agent, the liquid crystal layer 3 is filled in the sealing portion to complete the liquid crystal display device 100a.

以上の製造方法によれば、図8(2)を用いて説明したように、透明基板11の上部における段差形状を埋め込む膜厚で平坦化絶縁膜101を形成し、この平坦化絶縁膜101の表面形状を整形することによって平坦化した面上に透明電極6bを形成し、また光散乱用の凹凸を形成した面上に反射電極6aする構成とした。これにより、下層の段差形状によらずに、ほぼ完全に表面平坦な下地部分上に透明電極6bを形成することが可能になる。この結果、透明電極6bの端部にわたって対向基板との間のセルギャップを所定の値に精度良に保たれた、上述の構成の液晶表示装置100aを得ることが可能になる。   According to the above manufacturing method, as described with reference to FIG. 8B, the planarization insulating film 101 is formed with a film thickness that fills the stepped shape in the upper part of the transparent substrate 11. The transparent electrode 6b is formed on the surface flattened by shaping the surface shape, and the reflective electrode 6a is formed on the surface on which the unevenness for light scattering is formed. As a result, the transparent electrode 6b can be formed on the underlying portion having a substantially flat surface regardless of the step shape of the lower layer. As a result, it is possible to obtain the liquid crystal display device 100a having the above-described configuration in which the cell gap between the transparent electrode 6b and the counter substrate is kept at a predetermined value with high accuracy.

また、上述した製造方法では、図8(3)〜図9(2)を用いて説明したように、2回のパターン露光を多重露光で行い、その後1回の現像処理を行うことで平坦化絶縁膜101を表面整形している。したがって、平坦化絶縁膜101を表面整形は、接続孔の形成も含めて1回のリソグラフィー工程で良いことになる。これに対して、図10〜図13を用いて説明した従来の光散乱層18と平坦化絶縁膜19とを設けた場合には、光散乱層の表面整形と、平坦化絶縁膜19への接続孔の形成との2回のリソグラフィー工程が必要であった。したがって、上述した製造方法により、リソグラフィー工程を1回削減することが可能であるため、TATの短縮を達成することも可能である。また、リソグラフィー工程が削減されてたことにより、歩留まりの向上を図ることも可能である。、   Further, in the manufacturing method described above, as described with reference to FIGS. 8 (3) to 9 (2), planarization is performed by performing two pattern exposures by multiple exposure and then performing one development process. The surface of the insulating film 101 is shaped. Therefore, the surface of the planarization insulating film 101 may be shaped by a single lithography process including the formation of the connection holes. On the other hand, when the conventional light scattering layer 18 and the planarization insulating film 19 described with reference to FIGS. 10 to 13 are provided, the surface shaping of the light scattering layer and the application to the planarization insulating film 19 are performed. Two lithography steps with the formation of the connection holes were required. Accordingly, since the lithography process can be reduced once by the above-described manufacturing method, TAT can be shortened. Further, since the number of lithography steps is reduced, the yield can be improved. ,

尚、上述した製造方法では、平坦化絶縁膜101が感光性材料からなる場合を説明したが、平坦化絶縁膜101は、光透過性を有していれば感光性材料からなるものに限定されることはない。例えば、平坦化絶縁膜が感光性を有していない場合には、図8(3)および図9(4)を用いて説明したパターン露光の前に、平坦化絶縁膜上に感光性材料膜を塗布形成する。そして、この感光性材料膜に対して2度のパターン露光を行い、その後現像処理とリフロー処理とによってパターニングした感光性材料膜をマスクとして平坦化絶縁膜をエッチングすることにより、感光性材料膜のパターンを平坦化絶縁膜に転写する。   In the above-described manufacturing method, the case where the planarization insulating film 101 is made of a photosensitive material has been described. However, the planarization insulating film 101 is limited to the one made of a photosensitive material as long as it has light transmission properties. Never happen. For example, when the planarization insulating film does not have photosensitivity, a photosensitive material film is formed on the planarization insulating film before the pattern exposure described with reference to FIGS. 8 (3) and 9 (4). Is formed by coating. Then, the photosensitive material film is subjected to pattern exposure twice, and then the planarizing insulating film is etched using the photosensitive material film patterned by the development process and the reflow process as a mask, thereby forming the photosensitive material film. The pattern is transferred to the planarization insulating film.

第1実施形態の液晶表示装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a liquid crystal display device according to a first embodiment. 図1のA−A’断面に相当する断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view corresponding to the A-A ′ cross section of FIG. 1. 図1のB−B’断面に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to the B-B 'cross section of FIG. 図1のC−C’断面に相当する断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view corresponding to a C-C ′ cross section of FIG. 1. 第2実施形態の液晶表示装置の構成を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the structure of the liquid crystal display device of 2nd Embodiment. 第3実施形態の液晶表示装置の構成を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the structure of the liquid crystal display device of 3rd Embodiment. 第4実施形態の液晶表示装置の構成を説明する断面図である。It is sectional drawing explaining the structure of the liquid crystal display device of 4th Embodiment. 本発明の液晶表示装置の製造手順を示す断面工程図(その1)である。It is sectional process drawing (the 1) which shows the manufacture procedure of the liquid crystal display device of this invention. 本発明の液晶表示装置の製造手順を示す断面工程図(その2)である。It is sectional process drawing (the 2) which shows the manufacture procedure of the liquid crystal display device of this invention. 第1実施形態の液晶表示装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a liquid crystal display device according to a first embodiment. 図10のA−A’断面に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to the A-A 'cross section of FIG. 図10のB−B’断面に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to the B-B 'cross section of FIG. 図10のC−C’断面に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to the C-C 'cross section of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1…TFT基板、2…対向基板、3…液晶層、5…信号線(配線)、6…画素電極、6a…反射電極、6b…透明電極、13…ゲート絶縁膜、15…TFT(駆動素子)、16…層間絶縁膜、21…透過窓、101…平坦化絶縁膜、101a,101b,101c,101d…液晶表示装置、
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... TFT substrate, 2 ... Opposite substrate, 3 ... Liquid crystal layer, 5 ... Signal line (wiring), 6 ... Pixel electrode, 6a ... Reflective electrode, 6b ... Transparent electrode, 13 ... Gate insulating film, 15 ... TFT (driving element) , 16 ... interlayer insulating film, 21 ... transmission window, 101 ... flattened insulating film, 101a, 101b, 101c, 101d ... liquid crystal display device,

Claims (9)

一対の基板間に液晶層を狭持してなり、
一方の基板上にマトリックス状に配列形成された複数の駆動素子と、
前記駆動素子を覆う層間絶縁膜に形成された接続孔を介して当該駆動素子を複数接続した状態で、当該層間絶縁膜上に平行配置された複数の配線と、
前記配線を覆う平坦化絶縁膜と、
反射電極とこれに接続された透明電極とからなり、前記平坦化絶縁膜および層間絶縁膜に形成された接続孔を介して前記各駆動素子に接続された状態で前記配線間における当該平坦化絶縁膜上に配列形成された画素電極とを備え、
前記層間絶縁膜を含む前記配線の下方に設けられた絶縁膜のうちの少なくとも1層が、前記透明電極の下方に透過窓を有する液晶表示装置において、
前記平坦化絶縁膜は、前記透明電極の下地部分において前記配線を埋め込む状態で表面平坦に形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates,
A plurality of drive elements arranged in a matrix on one substrate;
A plurality of wirings arranged in parallel on the interlayer insulating film in a state where a plurality of the driving elements are connected through connection holes formed in the interlayer insulating film covering the driving elements;
A planarization insulating film covering the wiring;
The planarization insulation between the wirings in a state of being connected to each driving element through a connection hole formed in the planarization insulating film and the interlayer insulating film, comprising a reflective electrode and a transparent electrode connected thereto A pixel electrode arrayed on the film,
In the liquid crystal display device in which at least one of the insulating films provided below the wiring including the interlayer insulating film has a transmission window below the transparent electrode.
The liquid crystal display device, wherein the planarization insulating film is formed to have a flat surface in a state where the wiring is embedded in a base portion of the transparent electrode.
請求項1記載の液晶表示装置において、
前記平坦化絶縁膜は、前記反射電極の下部において光散乱用の凹凸表面を構成し、
前記反射電極は、前記凹凸表面に沿って成膜されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The planarization insulating film constitutes an uneven surface for light scattering under the reflective electrode,
The liquid crystal display device, wherein the reflective electrode is formed along the uneven surface.
請求項1記載の液晶表示装置において、
前記平坦化絶縁膜は、前記反射電極の下部と前記透明電極の下部とにおいて、段差を有している
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The flattening insulating film has a step between a lower part of the reflective electrode and a lower part of the transparent electrode.
請求項1記載の液晶表示装置において、
前記平坦化絶縁膜の表面高さは、前記反射電極の下部と前記透明電極の下部とにおいて略等しい
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The surface height of the planarization insulating film is substantially equal between the lower part of the reflective electrode and the lower part of the transparent electrode.
請求項1記載の液晶表示装置において、
前記絶縁膜に設けられた透過窓は、前記配線と直交する状態で延設されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
The liquid crystal display device according to claim 1.
The liquid crystal display device, wherein the transmission window provided in the insulating film extends in a state orthogonal to the wiring.
一対の基板間に液晶層を狭持してなる液晶表示装置の製造方法であって、
一方の基板上に複数の駆動素子をマトリックス状に配列形成してこれらを層間絶縁膜で覆い、当該駆動素子に対応させた各位置において当該層間絶縁膜とこれよりも下方に設けられた絶縁膜のうちの少なくとも1層に透過窓を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に形成された接続孔を介して前記駆動素子を複数接続した状態で、当該層間絶縁膜上に複数の配線を平行配置する工程と、
前記配線が配置された基板の上部における段差形状を埋め込む膜厚で、当該基板上に表面平坦な平坦化絶縁膜を形成する工程と、
前記平坦化絶縁膜上に反射電極を形成すると共に、前記透過窓の上部における当該平坦化絶縁膜上に当該反射電極に接続された透明電極を形成する工程とを行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A method of manufacturing a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates,
A plurality of driving elements are arranged in a matrix on one substrate, and these are covered with an interlayer insulating film. At each position corresponding to the driving element, the interlayer insulating film and an insulating film provided below the interlayer insulating film Forming a transmission window in at least one of the layers;
A step of arranging a plurality of wirings in parallel on the interlayer insulating film in a state where a plurality of the driving elements are connected through connection holes formed in the interlayer insulating film;
A step of forming a planarized insulating film having a flat surface on the substrate at a film thickness that embeds the step shape on the upper part of the substrate on which the wiring is disposed;
Forming a reflective electrode on the planarizing insulating film, and forming a transparent electrode connected to the reflective electrode on the planarizing insulating film above the transmission window. Device manufacturing method.
請求項6記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記反射電極および透明電極を形成する工程との間に、前記各駆動素子の形成部上でかつ当該反射電極の下地となる前記平坦化絶縁膜の表面部分を選択的に凹凸表面に整形する工程を行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the liquid crystal display device of Claim 6,
Between the step of forming the planarization insulating film and the step of forming the reflective electrode and the transparent electrode, the surface of the planarization insulating film serving as a base of the reflective electrode on the formation portion of each drive element A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising performing a step of selectively shaping a portion into an uneven surface.
請求項6記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記反射電極および透明電極を形成する工程との間に、前記透過窓の形成部上でかつ前記透明電極の下地となる前記平坦化絶縁膜の表面部分を表面平坦化を保って選択的に掘り下げて段差形状を形成する工程を行う
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the liquid crystal display device of Claim 6,
Between the step of forming the planarizing insulating film and the step of forming the reflective electrode and the transparent electrode, the surface portion of the planarizing insulating film on the transparent window forming part and serving as a base of the transparent electrode A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising: performing a step of forming a step shape by selectively dug down the surface while maintaining surface flatness.
請求項6記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記平坦化絶縁膜を形成する工程と、前記反射電極および透明電極を形成する工程との間に、
前記各駆動素子の形成部上でかつ当該反射電極の下地となる前記平坦化絶縁膜の表面部分に、選択的に凹凸表面に整形するためのパターン露光を行い、
前記透過窓の形成部上でかつ前記透明電極の下地となる前記平坦化絶縁膜の表面部分を表面平坦化を保って選択的に掘り下げて段差形状を形成するためのパターン露光を行い、
前記2回のパターン露光の後、現像処理を行うことにより、前記平坦化絶縁膜に凹凸表面と表面平坦な段差下部を設ける
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
In the manufacturing method of the liquid crystal display device of Claim 6,
Between the step of forming the planarization insulating film and the step of forming the reflective electrode and the transparent electrode,
Perform pattern exposure for selectively shaping the surface of the planarization insulating film on the formation part of each driving element and the surface of the reflective electrode into a concavo-convex surface,
Perform pattern exposure to form a step shape by selectively digging the surface portion of the planarization insulating film that forms the base of the transparent electrode on the transparent window forming portion, while maintaining surface planarization,
A method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein the planarization insulating film is provided with a concavo-convex surface and a stepped flat bottom portion by performing development after the pattern exposure twice.
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