JP2005309293A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 いわゆる白表示させても突起部が形成されている個所に該突起部に沿って黒色の線状の表示がなされるのを回避した液晶表示装置を得る。
【解決手段】 液晶が介在された第１基板と第２基板内に形成される画素領域内を延在する突起部を備えたものであって、
該突起部は、第１基板の液晶側の面に形成された第１突起部と第２基板の液晶側の面に形成された第２突起部からなり、
これら第１突起部と第２突起部は、平面的に観た場合、互いに隣接して並設され、
該第１突起部はその頂部から該第２突起部側への幅方向の長さが該第２突起部と反対側への幅方向の長さより小さく、
該第２突起部はその頂部から該第１突起部側への幅方向の長さが該第１突起部と反対側への幅方向の長さより小さく設定されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は液晶表示装置に係り、いわゆるマルチドメイン効果を図った液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に多数の画素を備えて構成されている。そして、各画素内に独立に電界を発生せしめ当該画素の液晶を挙動させている。
しかし、該液晶を通して認識する光において、たとえ液晶分子の配列が同じ状態でも視角依存性を有し、視角方向に応じて輝度の逆転現象を引き起し、カラー表示の場合に画像が色づくという不都合を生じる。
それ故、前記各基板の液晶側の面に、画素領域内を延在する突起部を備えたものが知られ、これにより上述した不都合を解消している。いわゆるマルチドメインを採用したものである。

すなわち、たとえば一の画素領域内において、前記突起部の延在方向を異ならしめた各領域を形成し、電圧印加時にこれら各領域の液晶の分子の傾きを異ならしめ、これによって視野角に依存する画像の色づきを補償するようにしたものである。
なお、下記に挙げる各特許文献は、そのいずれも各基板の液晶側の面に突起部を備え、これにより液晶分子を垂直あるいは一定の方向に傾きをもたせるものであるが、以下に説明する本願発明の目的とするところとは大きく異なり、それを電圧無印加時に画素の領域の全域にわたって一様に行なうようになっているにすぎないものである。

特開２００２−２８７１４６号公報 特開２０００−１５５３１８号公報

しかし、上述した構成からなる液晶表示装置は、液晶に電界を印加させていわゆる白表示させた場合に、前記突起部に重ねられた状態で、すなわち該突起部が形成されている個所に該突起部に沿って黒色の線状の表示がなされてしまうことが確認された。
この原因としては、初期配向状態において該突起部の頂部を境にして左右の側面に近接して配置される液晶の分子が、電圧を印加した状態においては、それぞれ該突起部を中心として左右逆方向に傾くように配置されるためであることが判明した。
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は、いわゆる白表示させても突起部が形成されている個所に該突起部に沿って黒色の線状の表示がなされるのを回避した液晶表示装置を提供するにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

（１）
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶が介在された第１基板と第２基板内に形成される画素領域内を延在する突起部を備えたものであって、
該突起部は、第１基板の液晶側の面に形成された第１突起部と第２基板の液晶側の面に形成された第２突起部からなり、
これら第１突起部と第２突起部は、平面的に観た場合、互いに隣接して並設され、
該第１突起部はその頂部から該第２突起部側への幅方向の長さが該第２突起部と反対側への幅方向の長さより小さく、
該第２突起部はその頂部から該第１突起部側への幅方向の長さが該第１突起部と反対側への幅方向の長さより小さく設定されていることを特徴とする。

（２）
本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記第１突起部はその頂部から該第２突起部側の斜面が急で該第２突起部と反対側の斜面がなだらかとなっており、
該第２突起部はその頂部から該第１突起部側の斜面が急で該第１突起部と反対側の斜面がなだらかとなっていることを特徴とする。

（３）
本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記第１突起部と第１基板との間、および第２突起部と第２基板との間に、液晶を垂直配向させようとする際に遮光がなされる位相板が備えられていることを特徴とする。

（４）
本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記突起部は画素の領域内においてあるいは他の画素との間において延在方向を異ならしめて形成されていることを特徴とする。

（５）
本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記突起部は画素の領域内において並設されて形成されていることを特徴とする。

（６）
本発明による液晶表示装置は、たとえば、（５）の構成を前提とし、画素は区分された領域を有し、前記突起部は前記各領域の境界で屈曲部を有することを特徴とする。
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
図８は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す平面図である。
液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。

シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとy方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。

各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
この画素電極ＰＸは、他方の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に各画素領域に共通に形成した対向電極（図示せず）との間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。

前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は走査信号駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。また、前記走査信号駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。

走査信号駆動回路Ｖはたとえば複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。

同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。

この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線ＤＬどうしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。

前記各ゲート信号線ＧＬは、走査信号駆動回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。

図９は、前記画素領域に構成される画素の構成の一実施例を示す平面図である。また、図９のＸ−Ｘ線における断面図を図１０に示している。
図９において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面にｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。

これらゲート信号線ＧＬは後述のドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領域として構成するようになっている。
このようにゲート信号線ＧＬが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されている。

この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃａｄｄの形成領域においてはその誘電体膜としての機能を有するようになっている。
そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。

この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤおよびソース電極ＳＣを形成することにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極ＧＴとする逆スタガ構造のMIS（Metal Insulator Semiconductor）型トランジスタを構成することができる。
ここで、前記ドイレン電極ＳＤおよびソース電極ＳＣはドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。

すなわち、y方向に延在されx方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤが形成され、また、このドレイン電極ＳＤと薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＣが形成されている。
このソース電極ＳＣは半導体層ＡＳ面から画素領域側へ若干延在され、後述の画素電極ＰＸとの接続を図るためのコンタクト部が形成されている。

なお、半導体層ＡＳとドレイン電極ＳＤおよびソース電極ＳＣとの界面には高濃度の不純物がドープされた薄い層が形成され、この層はコンタクト層として機能するようになっている。

このコンタクト層は、たとえば半導体層ＡＳの形成時に、その表面に高濃度の不純物層が形成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤおよびソース電極ＳＣのパターンをマスクとしてそれから露出された前記不純物層をエッチングすることによって形成することができる。

このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイレン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ、およびソース電極ＳＣが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。この保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する層で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようになっている。

保護膜ＰＳＶの上面には画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸはたとえばＩＴＯ(Indium‐Tin‐Oxide)膜等からなる透光性の導電膜から構成されている。
この画素電極ＰＸは、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域を回避して画素領域の大部分を占めるようにして形成されている。そして、その一部が前記保護膜ＰＳＶの一部に形成されたコンタクトホールＴＨを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＣに電気的に接続されている。

さらに、画素電極ＰＸは前記薄膜トランジスタＴＦＴを駆動するゲート信号線ＧＬと該画素電極ＰＸを挟んで配置される他の隣接するゲート信号線ＧＬの上方に至るまで延在され、該他のゲート信号線ＧＬと重畳する部分を形成している。この部分において、画素電極ＰＸと他のゲート信号線ＧＬとの間に保護膜ＰＳＶを誘電体膜とする容量素子Ｃａｄｄが形成されている。
この容量素子Ｃａｄｄは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになっている。

そして、このように画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の上面には該画素電極ＰＸをも被って配向膜ＰＩ１が形成されている。この配向膜ＰＩ１は液晶と直接に当接する膜で、液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。

なお、上述した構成で、前記保護膜ＰＳＶと画素電極ＰＸとの間に画素領域内を延在する突起部ＰＲ１（図示せず）が形成され、いわゆるマルチドメイン効果を図った構成となっているが、その詳細については後述する。

このように構成された透明基板ＳＵＢ１と液晶を介して対向配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、前記薄膜トラジスタＴＦＴを被うとともに、その各画素領域を画するようにしてブラックマトリクスＢＭ（図９に重ねて示す）が形成されている。

このブラックマトリクスＢＭが形成された透明基板ＳＵＢ２の面には該ブラックマトリクスＢＭの少なくとも開口を被ってカラーフィルタＣＦが形成されている。このカラーフィルタＣＦはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青(Ｂ)の各色のフィルタからなり、ｙ方向に並設される各画素領域群にたとえば赤色のフィルタが形成され、該画素領域群にｘ方向に順次隣接する画素領域群に緑（Ｇ）色、青(Ｂ)色、赤（Ｒ）色、……、というような配列で形成されている。
このカラーフィルタＣＦの表面には配向膜ＰＩ２が形成され、この配向膜ＰＩ２は液晶と直接に当接する膜で、該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。

なお、上述した構成で、カラーフィルタＣＦと画素電極ＰＸとの間に画素領域内を延在する突起部ＰＲ２（図示せず）が形成され、いわゆるマルチドメイン効果を図った構成となっているが、その詳細については次にする。

図１（ａ）は、前記図９に対応する簡略図で、マルチドメイン効果を図るため、画素の領域内に突起部ＰＲ１、ＰＲ２が形成されていることを示した図である。該突起部ＰＲ１、ＰＲ２は、平面的に観た場合、互いに背中合わせとなるように、すなわち互いに隣接するように配置されている。

また、画素の領域の中心を通り図中ｘ方向に平行な仮想の線Ｉ−Ｉ’を境にして、その上側の領域には前記突起部ＰＲ１、ＰＲ２を一対とした場合に複数対たとえば右上がりに傾斜されて並設され、下側の領域にはやはり複数対左上がりに傾斜された並設され、これら各領域にある突起部ＰＲ１、ＰＲ２は前記仮想の線上で互いに接続されたパターンとなっている。これにより画素の領域の中央で屈曲部を有する“く”の字上のパターンからなる突起部ＰＲ１、ＰＲ２が並設されるようになる。

図１（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面を示した図で、前記突起部ＰＲ１、ＰＲ２のうち一方の突起部ＰＲ１は透明基板ＳＵＢ１側に、突起部ＰＲ２は透明基板ＳＵＢ２側に形成されていることを示している。これら各突起部ＰＲ１、ＰＲ２はいずれもたとえば樹脂等で構成されたものとなっている。

上述したように、突起部ＰＲ１は保護膜ＰＳＶと画素電極ＰＸとの間に形成され、その形状は該画素電極ＰＸ上に形成される配向膜ＰＩ１の面にも顕在化されるようになっている。同様に、突起部ＰＲ２はカラーフィルタＣＦと対向電極ＣＴとの間に形成され、その形状は該対向電極ＣＴ上に形成される配向膜ＰＩ２の表面にも顕在化されるようになっている。該配向膜ＰＩ１、ＰＩ２の表面に顕れる突起により、それに近接して配置される液晶ＬＣの分子の初期配向に変化をもたらすようにするためである。

ここで、平面的に観た場合に互いに隣接して配置される透明基板ＳＵＢ１側の突起部ＰＲ１と透明基板ＳＵＢ２側に突起部ＰＲ２は、その断面形状において互いに対向する側において急峻な斜面を有するように構成されている。

図１（ａ）は、たとえば基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された突起部ＰＲ１の断面形状を拡大して示した図である。
突起部ＰＲ１は、その頂部Ｔを境にし、その図中左側の面にて急峻な勾配をもち、図中右側の面にて極めてなだらかで僅かながら円弧状となる勾配をもっている。
なお、該突起部ＰＲ１の頂部Ｔを境にして図中左側は、該突起部ＰＲ２と対となる基板ＳＵＢ２側の突起部ＰＲ２（該突起部ＰＲ１と最も近くに配置される突起部ＰＲ２）側となる。

前記突起部ＰＲ１の断面形状としては厳密には上記のようである必要はなく、急峻な勾配面が若干の円弧面となっていてもよく、また、なだらかな勾配面が平面となっていてもよい。すなわち、それらの各面において若干の変化があっても問題となることはない。それらに近接して配置される液晶の分子の傾きに大きく影響を与えることはないからである。
該突起部ＰＲ１の断面形状として、要は、その頂部Ｔを境にして、その図中左側の幅の長さｗが図中右側の幅の長さＷよりも小さく設定されていればよい。

したがって、当該突起部ＰＲ１と対となる基板ＳＵＢ２側の突起部ＰＲ２との関係でいえば、該第１突起部ＰＲ１はその頂部Ｔから該第２突起部ＰＲ２側への幅方向の長さｗが該第２突起部ＰＲ２と反対側への幅方向の長さＷより小さくなっており、同様に、該第２突起部ＰＲ２は、その頂部Ｔから該第１突起部ＰＲ１側への幅方向の長さｗが該第１突起部ＰＲ１と反対側への幅方向の長さＷより小さくなっている。

このような断面形状を有する突起部ＰＲ１、ＰＲ２は、その製造方法としていわゆるハーフ露光によるフォトリソグラフィ技術を用いることにより容易に形成することができる。すなわち、突起部ＰＲ１を構成する材料層を基板ＳＵＢ１の液晶側の面の全域に形成した後、該材料層の上面にフォトレジストを形成する。そして、このフォトレジストにハーフ露光と称される露光を行なうことにより、たとえば前記突起部ＰＲ１の形成領域上に該突起部ＰＲ１の傾斜がなだらかな方向に高さの低くなる少なくとも一つの段差をもつ断面形状のフォトレジストを残存させる。その後残存されたフォトレジストをマスクとして前記材料層を選択エッチングすることにより、上述した形状の突起部を形成することができる。

この場合、ハーフ露光の際に用いるフォトマスクとして、たとえば、前記突起部ＰＲ１の形成領域に対応する個所にスリットを有する遮光膜が形成され、該スリットは該突起部ＰＲ１の傾斜をなだらかに形成する部分に対応する個所にて該傾斜方向に直交して複数並設されたものを用いればよい。

図２（ａ）は、上述した突起部ＰＲ１、ＰＲ２を有する液晶表示装置の電圧無印加時における液晶分子の傾きを、図２（ｂ）はその電圧印加時における液晶分子の傾きを示した断面図である。

電圧無印加時には、図２（ａ）に示すように、液晶分子は全体としていわゆる垂直配向されており、前記突起部ＰＲ１、ＰＲ２による影響は該突起部ＰＲ１、ＰＲ２のなだらかな勾配面に近接する液晶分子のみが該勾配面に対して垂直になろうとする若干の傾斜を有するにすぎない。前記突起部ＰＲ１、ＰＲ２の急峻な勾配面に近接する液晶分子は該勾配面に影響をほとんど受けず垂直配向を保持する。

そして、電圧印加時は、図２（ｂ）に示すように、液晶分子は全体として同方向に傾斜を有するように一様に挙動する。この場合、該傾きの方向と異なる方向に傾く液晶分子は存在しなくなるため、黒色の非透過部を有することなく、一様に光透過がなされるようになる。

なお、図２（ｂ）に示す液晶の傾きは図１（ａ）において仮想線Ｉ−Ｉ’線を境界とする図中下側の画素領域におけるそれで、図中上側の画素領域においては逆の傾きになる。図中上側の画素領域における突起部の断面形状は図１（ｂ）に示す各突起部ＰＲをそれぞれ左右反転させた状態で表れるものとなるからである。これにより、一画素の領域において液晶の分子の傾きが異なり、マルチドメイン効果を得ることができる。

上述のように構成された突起部ＰＲ１、ＰＲ２は、たとえば前記図１（ａ）、（ｂ）にそれぞれ対応する図である図３（ａ）、（ｂ）に示す構成において、たとえば基板ＳＵＢ２側に形成されている突起部ＰＲ（その断面が半円形状）をその頂部を境にして区分される一方の側の部分を、該頂部を含む垂直面で切断しかつ上下をひっくり返して、基板ＳＵＢ１の対向する個所に形成した場合に相当する。なお、基板ＳＵＢ１側に形成されている突起部においても同様にその半分の部分が上述したように基板ＳＵＢ側に形成される。

図３（ａ）、（ｂ）に示した構成の場合、突起部ＰＲに近接する周辺の液晶の分子は、電圧無印加時において、同図に示すように、該突起部ＰＲを中心として僅かながら‘ハ’の字状に傾斜している状態となっており、電圧を印加していわゆる白表示させた場合に、該突起部ＰＲに沿った部分において黒表示されることになる。このことは、電圧印加時、液晶の分子は該突起部ＰＲの頂部を境にして左右に異なる向きに傾くように挙動していることに起因するものと考えられる。

このため、図１（ａ）、（ｂ）に示したように構成にすることによって、たとえば図２（ａ）に示したように、液晶の分子の初期配向を該突起部ＰＲ１、ＰＲ２の存在にも拘わらずほぼ同じようにし、電圧印加時においても、全ての液晶の分子の挙動における方向を一様なものとすることができる。

図６は、上述した実施例による液晶表示装置（３２”ＸＧＡサイズ）の印加電圧（横軸）に対する透過率（縦軸）との関係を、従来構造（図３に示した構成）のそれとを比較して示した特性図である。

図中上側の特性曲線が本実施例による液晶表示装置のそれで、図中下側の特性曲線が従来の構造によるそれであり、いわゆる白表示を行なった場合に光透過率が約１５％向上することが判った。この場合、突起部ＰＲ１、ＰＲ２が形成されている個所に該突起部に沿って黒色の線状の表示が目視されていないことはいうまでもない。

図４は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、図２（ａ）に対応した図となっている。図４において、図２（ａ）の場合と比較して異なる構成は、まず、基板ＳＵＢ１側に形成された保護膜ＰＳＶであって突起部ＰＲ１の下層に相当する部分に位相板ＰＰ１を選択的に形成し、基板ＳＵＢ２側に形成されたカラーフィルタＣＦであって突起部ＰＲ２の下層に相当する部分に位相板ＰＰ２を選択的に形成していることにある。

これら位相板ＰＰ１、ＰＰ２は、電圧無印加時（液晶を垂直配向させようとする際）において突起部ＰＲ１、ＰＲ２の近傍の光漏れを低減させるため、光学補償を行ないコントラストの向上を図ったものとなっている。上述した実施例の構成において、液晶の初期配向時に前記突起部ＰＲ１、ＰＲ２に近接される液晶の分子は若干傾きをもたせるようになっていることから、これによる光漏れを低減させようとする趣旨である。

図７は、電圧無印加時の近傍における印加電圧（横軸）と透過率（縦軸）の関係を示した図で、図中下側の特性曲線が位相板ＰＰを形成した場合を示し、その比較のため該位相板ＰＰを設けていない特性曲線をも示している。
図中下側の特性曲線は電圧無印加時およびその近傍にて透過率を低くでき、光漏れを低減できていることを示している。

図５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す図で、図２（ａ）に対応した図となっている。図２（ａ）の場合と比較して異なる構成は、カラーフィルタＣＦ上にたとえば樹脂からなる平坦化膜ＯＣを形成し、この平坦化膜ＯＣの面に突起部ＰＲ２を形成していることにある。これにより、突起部ＰＲ２を形成しやすくなるという効果を奏する。

上述した実施例では、画素の領域に形成される突起部ＰＲは屈曲部を備え、この屈曲部を境にして一方の側と他方の側とで液晶の分子の挙動の向きを異ならしめたものである。しかし、該突起部ＰＲに屈曲部を備えていなくてもよいことはいうまでもない。たとえば当該画素と隣接する他の画素において、当該画素の突起部ＰＲの方向と異なる方向に突起部を形成することによってもマルチドメイン効果を図ることができるからである。
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。

本発明による液晶表示装置の一実施例を示す要部構成図である。 本発明による液晶表示装置の電圧無印加時と電圧印加時における液晶分子の挙動を説明する図である。 本発明を適用しない場合の構成を示す説明図である。 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部構成図である。 本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す要部構成図である。 本発明による液晶表示装置の特性を示すグラフである。 本発明による液晶表示装置の特性を示すグラフである。 本発明による液晶表示装置の構成の一実施例を示す全体平面図である。 本発明による液晶表示装置の画素の構成の一実施例を示す平面図である。 図９のＸ−Ｘ線における断面図である。

符号の説明

ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＧＩ……絶縁膜、ＰＳＶ……保護膜、ＰＩ１、ＰＩ２……配向膜、ＰＲ１、ＰＲ２……突起部。

Claims (6)

1. 液晶が介在された第１基板と第２基板内に形成される画素領域内を延在する突起部を備えたものであって、
   該突起部は、第１基板の液晶側の面に形成された第１突起部と第２基板の液晶側の面に形成された第２突起部からなり、
   これら第１突起部と第２突起部は、平面的に観た場合、互いに隣接して並設され、
   該第１突起部はその頂部から該第２突起部側への幅方向の長さが該第２突起部と反対側への幅方向の長さより小さく、
   該第２突起部はその頂部から該第１突起部側への幅方向の長さが該第１突起部と反対側への幅方向の長さより小さく設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１突起部はその頂部から該第２突起部側の斜面が急で該第２突起部と反対側の斜面がなだらかとなっており、
   該第２突起部はその頂部から該第１突起部側の斜面が急で該第１突起部と反対側の斜面がなだらかとなっていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１突起部と第１基板との間、および第２突起部と第２基板との間に、液晶を垂直配向させようとする際に遮光がなされる位相板が備えられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記突起部は画素の領域内においてあるいは他の画素との間において延在方向を異ならしめて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記突起部は画素の領域内において並設されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. 画素は区分された領域を有し、前記突起部は前記各領域の境界で屈曲部を有することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。

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