JP2005268741A - 光学素子及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 露光ビームILでマスクRを照明し、投影光学系PLを介して前記マスクRのパターンを基板W上に転写し、前記基板Wの表面と前記投影光学系PLとの間に所定の液体7を介在させた露光装置に使用される光学素子であって、前記投影光学系PLの前記基板側の透過光学素子4の表面に前記液体7への溶解を防止するための金属製溶解防止膜が成膜されている。
【選択図】 図1
Description
この場合においては、液体7はウエハW上を+X方向に流れており、透過光学素子32とウエハWとの間は液体7により満たされる。また、液体7の供給量及び回収量を調整することにより、走査露光中においても透過光学素子32とウエハWとの間に液体7は安定に満たされる。また、ウエハWをY方向にステップ移動させる際には、第1の実施の形態と同一の方法によりY方向から液体7の供給及び回収を行なう。
ここで、金属膜54の密度はX線回折の臨界角より求めることができ、スパッタリング法により成膜した場合、金属膜54の充填密度は97%以上である。また、金属膜54の水への溶解度は、スパッタリング法により成膜した場合、1ppt以下である。
ここで、金属膜67の密度はX線回折の臨界角より求めることができ、スパッタリング法により成膜した場合、金属膜67の充填密度は97%以上である。また、金属膜67の水への溶解度は、スパッタリング法により成膜した場合、1ppt以下である。
光学素子Bの測定結果は90.8%(5回測定した平均値)
金の膜を成膜したことによって完全に遮光を行うことができた。従って、光学素子のテーパー面に遮光膜を成膜することによりシール部材の劣化を防止することができる
Claims (30)
- 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置に使用される光学素子であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に前記液体への溶解を防止するための金属製溶解防止膜が成膜されていることを特徴とする光学素子。 - 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置に使用される光学素子であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に成膜された密着力強化膜と、
前記密着力強化膜の表面に成膜された金属製溶解防止膜と
を備えることを特徴とする光学素子。 - 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置に使用される光学素子であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に成膜された金属製溶解防止膜と、 前記金属製溶解防止膜の表面に成膜された金属製溶解防止膜保護膜と
を備えることを特徴とする光学素子。 - 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置に使用される光学素子であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に成膜された密着力強化膜と、
前記密着力強化膜の表面に成膜された金属製溶解防止膜と、
前記金属製溶解防止膜の表面に成膜された金属製溶解防止膜保護膜と
を備えることを特徴とする光学素子。 - 前記金属製溶解防止膜は、前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子のテーパー面に成膜されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記金属製溶解防止膜は、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)及びクロム(Cr)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記金属製溶解防止膜保護膜は、二酸化珪素(SiO2)、酸化イットリウム(Y2O3)、フッ化ネオジム(Nd2F3)、酸化クロム(Cr2O3)、五酸化タンタル(Ta2O5)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、二酸化チタン(TiO2)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、二酸化ハフニウム(HfO2)及び酸化ランタン(La2O3)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項3または請求項4記載の光学素子。
- 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置に使用される光学素子であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に水への溶解度が2ppt以下である溶解防止膜が成膜されていることを特徴とする光学素子。 - 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置に使用される光学素子であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に充填密度が95%以上である溶解防止膜が成膜されていることを特徴とする光学素子。 - 前記溶解防止膜は、前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子のテーパー面に成膜されることを特徴とする請求項8または請求項9記載の光学素子。
- 前記溶解防止膜は、金属膜により構成されることを特徴とする請求項8乃至請求項10のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記金属膜は、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)及びクロム(Cr)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項11記載の光学素子。
- 前記溶解防止膜の表面に前記溶解防止膜を保護するための溶解防止膜保護膜が成膜されることを特徴とする請求項8乃至請求項12のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記溶解防止膜保護膜は、二酸化珪素(SiO2)、酸化イットリウム(Y2O3)、フッ化ネオジム(Nd2F3)、酸化クロム(Cr2O3)、五酸化タンタル(Ta2O5)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、二酸化チタン(TiO2)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、二酸化ハフニウム(HfO2)及び酸化ランタン(La2O3)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項13記載の光学素子。
- 前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面と前記溶解防止膜との間に、前記透過光学素子の表面と前記溶解防止膜の密着力を向上させるための密着力強化膜が成膜されることを特徴とする請求項8乃至請求項14のいずれか一項に記載の光学素子。
- 前記密着力強化膜は、タンタル(Ta)及びクロム(Cr)の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項2、請求項4及び請求項15のいずれか一項に記載の光学素子。
- 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置に使用される光学素子であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子のテーパー面に遮光膜が成膜されていることを特徴とする光学素子。 - 前記遮光膜は、金属膜または金属酸化物膜により形成されることを特徴とする請求項17記載の光学素子。
- 前記金属膜は、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)及びクロム(Cr)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成され、前記金属酸化物膜は、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、二酸化ハフニウム(HfO2)、二酸化チタン(TiO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)、酸化珪素(SiO)及び酸化クロム(Cr2O3)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項18記載の光学素子。
- 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に前記液体への溶解を防止するための金属製溶解防止膜を備えることを特徴とする露光装置。 - 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に成膜された密着力強化膜と、
前記密着力強化膜の表面に成膜された金属製溶解防止膜と
を備えることを特徴とする露光装置。 - 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に成膜された金属製溶解防止膜と、 前記金属製溶解防止膜の表面に成膜された金属製溶解防止膜保護膜と
を備えることを特徴とする露光装置。 - 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子の表面に成膜された密着力強化膜と、
前記密着力強化膜の表面に成膜された金属製溶解防止膜と、
前記金属製溶解防止膜の表面に成膜された金属製溶解防止膜保護膜と
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記金属製溶解防止膜は、前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子のテーパー面に成膜されることを特徴とする請求項20乃至請求項23のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記金属製溶解防止膜は、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)及びクロム(Cr)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項20乃至請求項24のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記金属製溶解防止膜保護膜は、二酸化珪素(SiO2)、酸化イットリウム(Y2O3)、フッ化ネオジム(Nd2F3)、酸化クロム(Cr2O3)、五酸化タンタル(Ta2O5)、五酸化ニオブ(Nb2O5)、二酸化チタン(TiO2)、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、二酸化ハフニウム(HfO2)及び酸化ランタン(La2O3)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項22または請求項23記載の露光装置。
- 前記密着力強化膜は、タンタル(Ta)及びクロム(Cr)の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項21または請求項23記載の露光装置。
- 露光ビームでマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンを基板上に転写し、前記基板の表面と前記投影光学系との間に所定の液体を介在させた露光装置であって、
前記投影光学系の前記基板側の透過光学素子のテーパー面に遮光膜が成膜されていることを特徴とする露光装置。 - 前記遮光膜は、金属膜または金属酸化物膜により形成されることを特徴とする請求項28記載の露光装置。
- 前記金属膜は、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)及びクロム(Cr)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成され、前記金属酸化物膜は、二酸化ジルコニウム(ZrO2)、二酸化ハフニウム(HfO2)、二酸化チタン(TiO2)、五酸化タンタル(Ta2O5)、酸化珪素(SiO)及び酸化クロム(Cr2O3)の中の少なくとも1つにより形成される膜により構成されることを特徴とする請求項29記載の露光装置。
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Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006080212A1 (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2007110109A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007173718A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009200492A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び方法 |
US7710653B2 (en) | 2005-01-28 | 2010-05-04 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure system, and exposure method |
JP2010153923A (ja) * | 2003-08-29 | 2010-07-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
JP2010541264A (ja) * | 2007-10-02 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の投影対物系 |
US8208123B2 (en) | 2003-08-29 | 2012-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US10175584B2 (en) | 2003-08-26 | 2019-01-08 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
US10451973B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10495980B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2022501650A (ja) * | 2018-10-01 | 2022-01-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置におけるオブジェクト |
CN115702528A (zh) * | 2020-07-06 | 2023-02-14 | 极光先进雷射株式会社 | 气体激光装置和电子器件的制造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
AU2747999A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP4595320B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4604452B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
JP2005189850A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-07-14 | Carl Zeiss Smt Ag | 液浸リソグラフィー用屈折性投影対物レンズ |
WO2005059645A2 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
-
2004
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-
2009
- 2009-06-24 JP JP2009149239A patent/JP4816769B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
US10175584B2 (en) | 2003-08-26 | 2019-01-08 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
US10146142B2 (en) | 2003-08-29 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8804097B2 (en) | 2003-08-29 | 2014-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9606448B2 (en) | 2003-08-29 | 2017-03-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2010153923A (ja) * | 2003-08-29 | 2010-07-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 |
US9442388B2 (en) | 2003-08-29 | 2016-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8208124B2 (en) | 2003-08-29 | 2012-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8208123B2 (en) | 2003-08-29 | 2012-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US7710653B2 (en) | 2005-01-28 | 2010-05-04 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure system, and exposure method |
US7978310B2 (en) | 2005-01-28 | 2011-07-12 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure system, and exposure method |
WO2006080212A1 (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、および露光方法 |
US10495980B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10495981B2 (en) | 2005-03-04 | 2019-12-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10451973B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10488759B2 (en) | 2005-05-03 | 2019-11-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US8004654B2 (en) | 2005-10-06 | 2011-08-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2010153920A (ja) * | 2005-10-06 | 2010-07-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
US8958054B2 (en) | 2005-10-06 | 2015-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4502993B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2010-07-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007110109A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007173718A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4715505B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8436982B2 (en) | 2007-10-02 | 2013-05-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective for microlithography |
JP2017194697A (ja) * | 2007-10-02 | 2017-10-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の投影対物系 |
KR101510493B1 (ko) * | 2007-10-02 | 2015-04-08 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈 |
JP2010541264A (ja) * | 2007-10-02 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の投影対物系 |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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