JP2005258405A - 平板表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の全体サイズに対する表示領域の比率を上昇させ、非発光領域を狭め、表示領域内への水分侵入をさらに効果的に遮断し、密封材との腐食を防止できる平板表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、第１基板と第２基板間に所定の画像を具現する表示領域が具備された平板表示装置において、前記第１基板と第２基板とを接着する密封材と、前記第１基板または第２基板と前記密封材との間に具備された少なくとも１つの配線部と、前記密封材と前記配線部との間に介在されて前記配線部を覆う被覆層と、を含むことを特徴とする平板表示装置である。それにより、第１に、配線部の少なくとも一部分を、第１基板と密封材間に位置させることによってパネルサイズを増大させうる。第２に、配線部を被覆層に覆わせることによって配線部と密封材とが直接接触されることによって発生する腐食を防止できる。
【選択図】図２Ｂ

Description

本発明は平板表示装置(flat display device)に係り、より詳細には広い表示領域を得ると同時に透湿による表示素子の劣化現象を防止または減少させる平板表示装置に関する。

液晶ディスプレイ素子や有機電界発光ディスプレイ素子または無機電界発光ディスプレイ素子など平板ディスプレイ装置はその駆動方式によって、受動駆動方式のパッシブマトリックス（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＰＭ）型と、能動駆動方式のアクティブマトリックス（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）型とに区分される。前記ＰＭ型は単に正極と負極とがそれぞれカラム及びローに配列され、負極には、ロー駆動回路からスキャニング信号が供給され、この時、複数のローのうち１つのローのみが選択される。また、カラム駆動回路には各画素にデータ信号が入力される。一方、前記ＡＭ型は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を利用して各画素当たり入力される信号を制御するものであって、膨大な量の信号を処理するのに適して動画を具現するためのディスプレイ装置として多用されている。

一方、前記平板ディスプレイ装置のうち有機電界発光ディスプレイ装置はアノード電極とカソード電極間に有機物よりなる有機発光層を有する。この有機電界発光ディスプレイ装置はこれら電極に正極及び負極電圧がそれぞれ印加されるにつれてアノード電極から注入された正孔が正孔輸送層を経由して有機発光層に移動し、電子はカソード電極から電子輸送層を経由して有機発光層に注入されて、この有機発光層で電子とホールが再結合して励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化するにつれて、有機発光層の蛍光性分子が発光することによって画像を形成する。フルカラー有機電界発光ディスプレイ装置の場合には前記有機電界発光素子として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三色を発光する画素を具備することによってフルカラーを具現する。

ところが、前記のような有機電界発光ディスプレイ装置において、有機発光層をはじめとする有機膜は水分に極めて弱い限界を有している。したがって、このような有機発光層を外部の水分から保護し、合わせて外部の物理的衝撃からディスプレイ装置内の表示領域を保護するために、基板やメタルキャップを利用して密封する技術が公知されている。

図１Ａには通常使われるＡＭ型有機電界発光ディスプレイ装置の平面図が、そして図１Ｂには図１Ａで線Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図が示されている。

示されたＡＭ型有機電界発光ディスプレイ装置は透明な絶縁基板１０上に有機電界発光素子を含む所定の表示領域２０を有し、この表示領域２０を密封するように密封部材であるメタルキャップ９０が密封材８１で構成された密封部により密封されたものである。前記表示領域２０はＴＦＴを含む有機電界発光素子が複数の画素を構成して配列されており、前記表示領域２０の上部には有機電界発光素子の何れか１つの電極のカソード電極４０が敷かれており、このカソード電極４０は表示領域２０の一側辺に具備された電極配線部４１を通じて外側の端子領域７０に連結される。また、前記表示領域２０には複数の駆動ラインＶＤＤ ３１が配設されるが、この駆動ライン３１は表示領域２０外側の駆動電源配線部３０を通じて端子領域７０と連結されて表示領域２０に駆動電源を供給する。そして、前記表示領域２０の外側には前記表示領域２０のＴＦＴなどに信号を入力する垂直回路部５０と水平回路部６０とがさらに具備され、これらは何れも回路配線部５１、６１により端子領域７０と連結される。

前記のようなＡＭ型有機電界発光ディスプレイ装置において、密封部材であるメタルキャップ９０は表示領域２０をはじめとして配線部５１、６１と回路部５０、６０は端子領域７０を除外した全領域を密封する。したがって、密封部の内部領域には画像が具現される表示領域２０だけではなく、画像が具現されていない配線部５１、６１や回路部５０、６０などが共に並存する。これはディスプレイ装置全体サイズに比べて発光する表示領域２の比率を下げる結果となり、結局、非発光領域であるデッドスペースを増やして効率的でない問題がある。

のみならず、前記図１及び図２で見られるような有機電界発光ディスプレイ装置は前記のような理由によって表示領域２０と端子領域７０とを連結する配線部５１、６１の幅を制限的に薄くしなければならないので、配線部の抵抗が大きくなってしまう限界を有する。

これはＡＭ型有機電界発光ディスプレイ装置の一般的限界であって、特許文献１に開示された有機電界発光ディスプレイ装置などは何れもこのような限界をそのまま持ち続けている。

一方、前記のように、メタルキャップやガラス基板などの密封部材を使用して密封する代わりにディスプレイ装置の全面にかけて密封用保護膜を形成し、この保護膜により水分や酸素の侵入を防止して有機電界発光素子の劣化を防止する技術が特許文献２に開示されている。

しかし、前記のようなＡＭ型ディスプレイ装置の場合には薄膜の保護膜を通じてその内部の素子を保護するためのものであるので、外部の衝撃から内部素子を十分に保護できず、前記保護膜のみで水分への露出が徹底的に遮断されねばならない有機電界発光素子を保護するには限界がある。これは、有機電界発光素子を水分から保護するために、メタルキャップやガラス基板の内側に吸湿剤をさらに含むなどの技術が特許文献３などに既に開示されている内容を通じても分かる。のみならず、前記のように薄膜の保護膜のみで密封するディスプレイ装置の場合には、密封部材である方向に画像を具現する前面発光型や両面発光型には適用できない。

特許文献４には、カバリング部材とシーラントとによりＥＬ素子を密封し、シーラントと基板間に相互並列連結された複数の配線を形成したディスプレイ装置が開示されている。ところが、このようなディスプレイ装置の配線構造は配線を狭い幅の配線で複数形成した後、さらにこれを並列連結しなければならないので、構造が複雑であるだけでなく、ライン抵抗に大きい問題がある。

また、このような構造では配線がシーラントにそのまま露出されており、この配線がシーラントとの化学作用により腐食する。このような腐食により密封度はさらに落ち、結局、素子の寿命劣化をさらに加速させる。

一方、特許文献５には基板と密封基板間にシーラントが介在され、このシーラントと基板間に平坦化膜による緩衝層が介在された有機電界発光表示装置が開示されている。

ところが、このような構造では平坦化膜をアクリルのような有機物で形成する場合、基板とシーラントとの接着力が顕著に落ちて寿命を維持できない。また、平坦化膜が無機物で形成されている場合にも、この平坦化膜は表示領域とそのまま繋がっているために、この平坦化膜に乗って水分が浸透する恐れがある。
特開２０００−１７３７７９号公報 米国特許第６,３５９,６０６号明細書 米国特許第５,８８２,７６１号明細書 大韓民国特開２００２−９４９８号公報 米国特許第６,５９０,３３７号明細書

本発明は前記のような問題点を解決するために案出されたものであって、表示装置の全体サイズに対する表示領域の比率を上昇させ、非発光領域を狭められる平板表示装置を提供するところにその目的がある。

本発明の他の目的は表示領域内への水分侵入をさらに効果的に遮断し、密封材との腐食を防止できる平板表示装置を提供することである。

前記のような目的を達成するために、本発明は、第１基板と第２基板間に所定の画像を具現する表示領域が具備された平板表示装置において、前記第１基板と第２基板とを接着する密封材と、前記第１基板または第２基板と前記密封材の間に具備された少なくとも１つの配線部と、前記密封材と前記配線部間に介在されて前記配線部を覆う被覆層と、を含むことを特徴とする平板表示装置を提供する。

前記被覆層は電気伝導性材質で形成されうる。
前記被覆層は金属酸化物層を含むものでありうる。
前記金属酸化物層はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で形成されうる。
前記被覆層は金属層を含みうる。
前記表示領域は画素毎に設置された自発光素子を含み、
前記自発光素子は相互対向した第１及び第２電極と前記第１及び第２電極間に介在された有機発光層を含み、前記被覆層は前記第１電極及び第２電極のうち何れか１つと同じ材質で形成されうる。
前記配線部のうち少なくとも１つは密封材に沿って延設されうる。

このような本発明は外部に露出される複数の端子を具備した端子領域をさらに含み、前記配線部は前記端子領域の端子のうち少なくとも一部と前記表示領域とを電気的に連結するものでありうる。

また、本発明は前述した目的を解決するために、第１基板と第２基板間に所定の画像を具現する表示領域が具備された平板表示装置において、前記第１基板と第２基板とを接着する密封材と、前記第１基板または第２基板と前記密封材間に具備された少なくとも１つの配線部と、を含み、前記表示領域は、画素毎に提供された選択駆動回路と、前記選択駆動回路を覆うように形成された絶縁膜と、前記各画素に対応するように前記絶縁膜上に形成された画素電極と、を含み、前記密封材と前記配線部間に介在されて前記配線部を覆うものであって、前記画素電極と同じ材質で形成された被覆層と、をさらに含むことを特徴とする平板表示装置を提供する。

前記絶縁膜は前記配線部を露出させた引込み部を具備し、前記被覆層は前記引込み部の内側に具備されうる。
前記配線部は前記選択駆動回路の電極のうち何れか１つと同じ材質で形成されうる。
前記被覆層は金属酸化物層を含むものでありうる。
前記金属酸化物層はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で形成されうる。
前記被覆層は金属層を含むものでありうる。
前記配線部のうち少なくとも１つは密封材に沿って延設されうる。

このような本発明は、外部に露出される複数の端子を具備した端子領域をさらに含み、前記配線部は前記端子領域の端子のうち少なくとも一部と前記表示領域とを電気的に連結するものでありうる。

前記のような本発明によれば、次のような効果が得られる。

第１に、配線部の少なくとも一部分を、第１基板と密封材間に位置させることによってパネルサイズを増大させうる。

第２に、配線部を被覆層に覆わせることによって配線部と密封材とが直接接触されることによって発生する腐食を防止できる。

第３に、配線部を覆う被覆層を第１電極と同じ物質で形成することによって、第１電極のパターニング時に配線部が損傷することを防止する。

第４に、配線部を覆う被覆層を導電性素材で形成することによって、配線部での電圧降下を防止できる。

第５に、配線部及び被覆層を第１基板上に形成することによって、密封材が第１基板に直接接触され、これによって、接着効果をさらに強化でき、密封材の硬化時に密封材が表示領域側に侵犯されない場合もある。

以下、図面を参照で本発明の望ましい実施例についてより詳細に説明する。

図２Ａには、本発明による平板ディスプレイ装置、特に一実施例としての有機電界発光表示装置が示されているが、これは本発明を説明するための一実施例に過ぎず、本発明が有機電界発光ディスプレイ装置に限定されるものではない。

本発明の一実施例による有機電界発光ディスプレイ装置は、図２Ａに示されたように、第１基板１１０の一面上には有機電界発光ディスプレイ素子のような発光素子が配置された表示領域２００、表示領域２００の外側縁に沿って塗布されて基板１１０と第２基板９００（図２Ｃ参照）とを密封させる密封部８００、各種端子が配置された端子領域を具備する。

表示領域２００を構成する有機電界発光ディスプレイ素子は図２Ｃを参照して説明する。ガラス材またはプラスチック材で形成された第１基板１１０上にＳｉＯ_２などでバッファ層１２０が形成される。このバッファ層１２０の一面上には各画素毎に選択駆動回路ＳＣが提供され、この選択駆動回路ＳＣを覆うようにパッシベーション膜１８０及び平坦化膜１９０の絶縁膜が提供される。そして、この絶縁膜上には各画素毎に有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）が提供される。次に、これをより詳細に説明する。

前記各選択駆動回路ＳＣは少なくとも２つ以上のＴＦＴと、少なくとも１つ以上のキャパシタと、具備する。

ＴＦＴの構造を説明すれば、次の通りである。

前記バッファ層１２０の上部に半導体活性層１３０が形成されるが、この活性層１３０を覆うようにゲート絶縁膜１４０が形成される。このゲート絶縁膜１４０の上部にはゲート電極１５０が形成され、このゲート電極１５０を覆うように層間絶縁膜１６０が形成され、層間絶縁膜１６０の上部にソース及びドレイン電極１７０が形成される。ソース及びドレイン電極１７０はゲート絶縁膜１４０及び層間絶縁膜１６０に形成されたコンタクトホールにより活性層１３０のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接触される。

まず、前記バッファ層１２０上に具備される活性層１３０は無機半導体または有機半導体から選択されて形成されうるものであって、詳細に示されていないが、ソース領域及びドレイン領域があり、このソース領域とドレイン領域とを連結するチャンネル領域を具備する。ソース／ドレイン領域とチャンネル領域間には漏れ電流の遮断などの目的で低ドーピング領域であるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）がさらに具備されうる。

前記活性層１３０を形成する無機半導体は、ＣｄＳ、ＧａＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＣａＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＳｉＣ、及びＳｉを含むものでありうる。

そして、前記有機半導体は高分子であって、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェンヘテロ環芳香族共重合体及びその誘導体を含み、低分子であって、ペンタセン、テトラセン、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、アルファ−６−チオフェン、アルファ−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属含有、または非含有のフタロシアニン及びこれらの誘導体、パイロメリティックジアンヒドリドまたはパイロメリティックジイミド及びこれらの誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリドまたはペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びこれらの誘導体を含みうる。

前記ゲート絶縁膜１４０はＳｉＯ_２などで形成されうるが、この他にもＳｉＮ_ｘなどが使用でき、ＳｉＯ_２とＳｉＮ_Ｘとの二重膜で形成されることもある。もちろん、この他にも有機物で形成されることもある。

このゲート絶縁膜１４０上部の所定領域にはＭｏＷ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｕ、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉなどの伝導性金属膜でゲート電極１５０が形成される。前記ゲート電極１５０を形成する物質には必ずしもこれに限定されず、導電性ポリマーなど多様な導電性物質がゲート電極１５０として使われうる。

前記ゲート電極１５０の上部にはＳｉＯ_２、ＳｉＮ_Ｘなどにより層間絶縁膜１６０が形成される。そして、この層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０にコンタクトホールが穿孔されて、このコンタクトホールを通じてソース／ドレイン電極１７０がそれぞれ活性層１３０のソース／ドレイン領域に接するように形成される。このソース／ドレイン電極１７０は前記ゲート電極１５０と同じ物質で形成されうる。

ソース／ドレイン電極１７０の上部にはＳｉＯ_２、ＳｉＮ_Ｘなどよりなるパッシベーション膜１８０が形成され、このパッシベーション膜１８０の上部にはアクリル、ポリイミド、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）などによる平坦化膜１９０が形成されている。しかし、必ずしもこれに限定されるのではなく、ソース／ドレイン電極１７０の上部に平坦化膜１９０がすぐ形成され、この他にも多様な形態で形成されうる。

一方、前記のような薄膜トランジスタとは別途に各画素にはキャパシタ２５０が具備される。このキャパシタ２５０は多様な構造で形成されうるが、本発明の一例によれば、活性層１３０と同じ物質で第１層２５１が形成され、ゲート電極１５０と同じ物質で第２層２５２が形成され、ソース／ドレイン電極１７０と同じ物質で第３層２５３が形成される。

前記平坦化膜１９０の一面上にはＯＬＥＤの画素電極になる第１電極２１０が配設されるが、第１電極の一端部はパッシベーション膜１８０及び平坦化膜１９０に形成されたビアホール２１１を通じて下部のソース／ドレイン電極１７０の何れか１つと接触する。

そして、前記第１電極２１０を覆うように有機物で画素定義膜２２０が形成される。この画素定義膜２２０に所定の開口２２１を形成した後、この開口で限定された領域内に有機層２３０を形成する。有機層２３０は発光層を含むものになる。

前記ＯＬＥＤは電流の流れによって赤、緑、青色の光を発光して所定の画像情報を表示する。このＯＬＥＤは、ＴＦＴのドレイン電極に連結されてこれよりプラス電源を供給される画素電極である第１電極２１０と、全体画素を覆うように具備されてマイナス電源を供給する対向電極である第２電極２４０、及びこれら第１電極２１０と第２電極２４０間に配置されて発光する有機層２３０で構成される。

前記第１電極２１０と第２電極２４０とは前記有機層２３０により相互絶縁されており、有機層２３０に相異なる極性の電圧を加えて有機層２３０で発光を行わせる。

前記有機層６２は低分子または高分子有機層が使われうるが、低分子有機層を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン、Ｎ,Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ,Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用可能である。これら低分子有機層は真空蒸着の方法で形成される。

高分子有機層の場合にはほぼＨＴＬ及びＥＭＬで具備された構造を有し、この時、前記ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴを使用し、ＥＭＬとしてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系など高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成できる。

前記のような有機層は必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な実施例が適用できることは言うまでもない。

前記第１電極２１０はアノード電極の機能をし、前記第２電極２４０はカソード電極の機能を行うが、もちろん、これら第１電極２１０及び第２電極２４０の極性は逆になっても関係ない。そして、第１電極２１０は各画素の領域に対応するようにパターニングでき、第２電極２４０はあらゆる画素を覆うようにパターニングされうる。

前記第１電極２１０は透明電極または反射型電極で形成されうるが、透明電極として使われる時にはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で形成でき、反射型電極として使われる時にはＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物などで反射層を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で透明電極層を形成できる。

一方、前記第２電極２４０も透明電極または反射型電極で形成されうるが、透明電極として使われる時にはこの第２電極２４０がカソード電極として使われるので、仕事関数の小さな金属、すなわちＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物が有機層２３０の方向に向かうように蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３などで補助電極層やバス電極ラインを形成できる。そして、反射型電極として使われる時には前記Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を全面蒸着して形成する。

前記のようなＯＬＥＤを具備した画素により図２Ａで見られる表示領域２００が形成される。この表示領域２００を通じて画像が具現される。

前記表示領域２００が形成された第１基板１１０の上部には図２Ｃで見られるように、第２基板９００が密封部８００を通じて接合されて内部の表示領域２００を外部の衝撃や、水分、空気から保護する。

前記第２基板９００は図２Ｂのように、ガラス材の絶縁基板を使用する場合もあり、金属材のメタルキャップを使用することもでき、この他にも多様な密封用部材が使われうる。

前記密封部８００を形成する密封材８１０はＵＶ硬化用シーラントまたは熱硬化用シーラントなどが使われうる。

前記表示領域２００が形成された第１基板１１０の一側端部には所定の端子が配設された端子領域１００が置かれる。この端子領域１００は前記密封部８００の外側に露出されている。

一方、前記のような表示領域２００の周囲には表示領域２００の駆動ライン３１０に駆動電源を供給するための駆動電源配線部３００と、第２電極２４０と接続されてカソード電源を供給する電極電源配線部２４１と、前記表示領域２００に印加される信号を制御する各種ドライバ５００、６００が配設されている。

前記駆動電源配線部３００は端子領域１００の駆動電源端子部３２０から前記表示領域２００全体を包むように配設され、表示領域２００を横切る駆動ライン３１０と連結されている。

前記第２電極２４０は表示領域２００外側の電極電源配線部２４１から電源供給される。すなわち、図２Ａ及び図２Ｂで見られるように、表示領域２００の外側に電極電源配線部２４１が配置されるが、これは層間絶縁膜１６０上に前記ソース／ドレイン電極１７０と同じ物質で形成されうる。

そして、この電極電源配線部２４１はパッシベーション膜１８０及び平坦化膜１９０により覆われ、ビアホール２４２を通じて第２電極２４０の一端部と電気的に連結される。電極電源配線部２４１は端子領域１００の電極電源端子２４３に連結される。

このような電極電源配線部２４１の形成は必ずしもこれに限定されるものでなく、多様に変形可能である。例えば、平坦化膜１９０上に第１電極２１０の物質のうち導電性の良い物質で電極電源配線部を形成し、画素定義膜２２０がこの電極電源配線部を覆った後、画素定義膜２２０にビアホールを形成し、第２電極２４０と接触させることもある。もちろん、これに必ずしも限定されるものではないことは言うまでもない。

一方、図２Ａを説明すれば、表示領域２００の側方の外側には垂直ドライバ５００が配置され、図面上、表示領域２００下部の外側には水平ドライバ６００が配置されるが、これに限定されず、多様なレイアウトが形成されることもある。各ドライバ５００、６００はドライバ用端子５１０、６１０に連結される。

これらドライバ５００、６００は図２Ａのように、密封部８００内側に位置する場合もあり、外装ＩＣやＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）などにより具現される場合もある。

一方、本発明において、前記駆動電源配線部３００は図２Ａ及び図２Ｂで見られるように、その少なくとも一部が第１基板１１０と密封材８１０間に配置されうる。本発明の望ましい一実施例によれば、前記駆動電源配線部４１は図３Ａで見られるように、密封部８００に沿って、密封材８１０と第１基板１１０間に配置される。したがって、駆動電源配線部３００の面積ほど表示領域を拡大できる。

また、この駆動電源配線部３００は図２Ｃで見られるように、少なくとも密封部８００の密封材８１０が塗布された幅にほぼ近接するように広く形成できる。したがって、このように十分に広い駆動電源配線部３００によってその抵抗を減らすことができ、電圧降下を防止できる。

前記駆動電源配線部３００は電気伝導性金属材で形成できるが、本発明の一例によれば、ソース／ドレイン電極１７０と同じ物質により形成されうる。

本発明によれば、前記駆動電源配線部３００は被覆層３０１により覆われる。本発明の一実施例によれば、この被覆層３０１は第１電極２１０と同じ物質で形成されうる。

したがって、前記被覆層３０１は、第１電極２１０が透明電極で形成される場合にはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で具備され、第１電極２１０が反射型電極で形成される場合には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物で形成された反射層上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で透明電極層が形成された構造を有しうる。第１電極２１０が反射型電極で形成される場合、前記被覆層３０１で前記反射層及び透明電極層のうち何れか１つのみを形成できることは言うまでもない。

前記のような被覆層３０１は、駆動電源配線部３００が密封材８１０に直接接触されることを防止し、駆動電源配線部３００と密封材が化学作用により腐食されることを防止できる。

また、前記のように被覆層３０１、特に第１電極２１０と同じ物質で被覆層３０１を形成することによって、第１電極２１０のパターニング時に駆動電源配線部３００を損傷させない。すなわち、第１電極２１０パターニング時にウェット及びドライエッチングをするが、このようなエッチング時にも駆動電源配線部３００を保護できる。

そして、被覆層３０１が導電性を帯びるので、駆動電源配線部３００での電圧降下を減らせる。

一方、前記駆動電源配線部３００は図２Ｃで見られるように、第１基板１１０の上部に形成させられる。すなわち、密封部８００での第１基板１１０の上部に位置した絶縁膜であるバッファ層１２０、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、パッシベーション膜１８０及び平坦化膜１９０に形成された引込み部１９１の内側に駆動電源配線部３００を位置させ、これを覆うように被覆層３０１を位置させる。この時、前記引込み部１９１はバッファ層１２０、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、パッシベーション膜１８０及び平坦化膜１９０をパターニングすることによって形成されることもあり、マスクにより最初から膜が形成されなくすることもある。

このように駆動電源配線部３００を第１基板１１０の上部に形成させることによって、密封材８１０が第１基板１１０に直接接触されて接着力がさらに向上でき、水分及び酸素の浸透を遮断できる。そして、前記引込み部１９１は密封材８１０の硬化時に密封材８１０が表示領域２００やドライバ５００、６００に浸透することを防止するバンクの役割をする。

一方、前記駆動電源配線部３００と被覆層３０１とは多様な層で形成されうる。すなわち、駆動電源配線部３００を第１電極２１０と同じ物質で使用し、被覆層３０１を第２電極２４０と同じ物質で使用できる。また、駆動電源配線部３００をソース／ドレイン電極１７０と同じ物質で使用し、被覆層３０１を第２電極２４０と同じ物質で使用できる。もちろん、この場合には被覆層３０１が第１電極２１０のパターニング時に損傷することを防止する効果は得られないが、その他の効果はそのまま具現できる。

以上、説明したような被覆層３０１は必ずしも駆動電源配線部３００を覆うように形成されたものに限定されるのではなく、多様な配線部を覆うように形成されうる。すなわち、図２Ａで見られるように、密封部８００を貫通するあらゆる配線部にそれぞれそれを覆うように形成されうる。

また、前記被覆層３０１は図３で見られるように、層間絶縁膜１６０など絶縁膜上に形成される場合もある。この場合には既存の工程またはマスクをそのまま使用できるので便利である。

一方、前記のような配線部及び被覆層は第１基板でない第２基板に形成することもできる。

そして、このような配線部及び被覆層は前記ＡＭ型ＯＬＥＤのみならず、ＰＭ型ＯＬＥＤにもそのまま適用可能である。

前記実施例は本発明を説明するための一例であって、本発明がこれに限定されない。すなわち、前記実施例において、表示領域の周辺部に配置される駆動電源配線部、電極電源配線部のようなライン配線と水平／垂直ドライバなどの構成要素のレイアウトは対称的に配置されうるなど設計仕様によって多様に変形されうる。また、前記実施例は有機電界発光ディスプレイ装置について記載されたが、有機電界発光ディスプレイ装置以外に液晶ディスプレイ装置のような平板ディスプレイ装置にも適用できるなど多様な変形例を導出できる。

本発明を図面に示した一実施例を参考にして説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これより多様な変形及び均等な他の実施例が可能である点が理解できる。従って、本発明の真の保護範囲は特許請求の範囲によってのみ定められねばならない。

本発明は各種ディスプレイ装置に利用できる。

従来技術による平板ディスプレイ装置の概略的な平面図である。 図１Ａの線Ｉ−Ｉに沿って切断した概略的な断面図である。 本発明の望ましい一実施例による平板表示装置の概略的な平面図である。 図２ＡのＡ部分に対する部分拡大図である。 図２Ａの線II−IIに沿って切断した平板表示装置の一部を概略的に示した断面図である。 本発明の平板表示装置の密封部の他の一例を概略的に示した断面図である。

符号の説明

１１０ 基板
１２０ バッファ層
１３０ 活性層
１４０ ゲート絶縁膜
１５０ ゲート電極
１６０ 層間絶縁膜
１７０ ソース／ドレイン電極
１８０ パッシベーション膜
１９０ 平坦化膜
１９１ 引込み部
２００ 表示領域
２１０ 第１電極
２１１、２４２ ビアホール
２２０ 画素定義膜
２２１ 開口
２３０ 有機層
２４０ 第２電極
２４１ 電極電源配線部
２４３ 電極電源端子
３００ 駆動電源配線部
３０１ 被覆層
５００ ドライバ
８００ 密封部
８１０ 密封材
ＳＣ 選択駆動回路
ＯＬＥＤ 有機電界発光素子

Claims (16)

1. 第１基板と第２基板間に所定の画像を具現する表示領域が具備された平板表示装置において、
   前記第１基板と第２基板とを接着する密封材と、
   前記第１基板または第２基板と前記密封材間に具備された少なくとも１つの配線部と、
   前記密封材と前記配線部間に介在されて前記配線部を覆う被覆層と、を含むことを特徴とする平板表示装置。
2. 前記被覆層は電気伝導性材質で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
3. 前記被覆層は金属酸化物層を含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
4. 前記金属酸化物層はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で形成されていることを特徴とする請求項３に記載の平板表示装置。
5. 前記被覆層は金属層を含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
6. 前記表示領域は画素毎に設置された自発光素子を含み、
   前記自発光素子は相互対向した第１及び第２電極と、前記第１及び第２電極間に介在された有機発光層を含み、
   前記被覆層は前記第１電極及び第２電極のうち何れか１つと同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
7. 前記配線部のうち少なくとも１つは密封材に沿って延設されていることを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
8. 外部に露出される複数の端子を具備した端子領域をさらに含み、
   前記配線部は前記端子領域の端子のうち少なくとも一部と前記表示領域とを電気的に連結することを特徴とする請求項１に記載の平板表示装置。
9. 第１基板と第２基板間に所定の画像を具現する表示領域が具備された平板表示装置において、
   前記第１基板と第２基板とを接着する密封材と、
   前記第１基板または第２基板と前記密封材間に具備された少なくとも１つの配線部と、を含み、
   前記表示領域は、
   画素毎に提供された選択駆動回路と、
   前記選択駆動回路を覆うように形成された絶縁膜と、
   前記各画素に対応するように前記絶縁膜上に形成された画素電極と、を含み、
   前記密封材と前記配線部間に介在されて前記配線部を覆うものであって、前記画素電極と同じ材質で形成された被覆層をさらに含むことを特徴とする平板表示装置。
10. 前記絶縁膜は前記配線部が露出された引込み部を具備し、
    前記被覆層は前記引込み部内側に具備されたことを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置。
11. 前記配線部は前記選択駆動回路の電極のうち何れか１つと同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の平板表示装置。
12. 前記被覆層は金属酸化物層を含むことを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置。
13. 前記金属酸化物層はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ_２Ｏ_３で形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の平板表示装置。
14. 前記被覆層は金属層を含むことを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置。
15. 前記配線部のうち少なくとも１つは密封材に沿って延設されていることを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置。
16. 外部に露出される複数の端子を具備した端子領域をさらに含み、
    前記配線部は前記端子領域の端子のうち少なくとも一部と前記表示領域とを電気的に連結することを特徴とする請求項９に記載の平板表示装置。
    

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