JP2005243174A

JP2005243174A - Method for sticking thin film piezoelectric substance element

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Publication number: JP2005243174A
Application number: JP2004054075A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yamazaki; 寛史山崎; Kenji Yumoto; 賢次湯本
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2004-02-27
Filing date: 2004-02-27
Publication date: 2005-09-08
Anticipated expiration: 2024-02-27
Also published as: JP4071203B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for sticking a thin film piezoelectric substance element by which a thin film piezoelectric substance element is stuck without breaking it and mass production can be improved. <P>SOLUTION: The thin film piezoelectric substance element 1 formed on a first substrate 3 is stuck to a second substrate 5 transmitting at least ultraviolet rays UV by a first adhesive 7 peeled off by irradiating with the ultraviolet rays UV. After the thin film piezoelectric substance element 1 is stuck to the second substrate 5, a first substrate 3 is removed. After the first substrate 3 is removed, the thin film piezoelectric substance element 1 stuck to the second substrate 5 is stuck to the prescribed member 10 by a second adhesive 9 which is not peeled off by irradiation with the ultraviolet rays UV, while the second substrate 5 is removed by irradiation with the ultraviolet rays UV. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、薄膜圧電体素子の接着方法に関する。 The present invention relates to a method for bonding thin film piezoelectric elements.

ハードディスク等の記録媒体に磁気情報を記録及び再生する薄膜磁気ヘッドは、いわゆるヘッドスライダに形成されている。このヘッドスライダを、サスペンションの先端領域に搭載することにより、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が構成される。一般的に、このサスペンションは、ＳＵＳ等で形成されたロードビームに可撓性のフレクシャを重ねたものであり、フレクシャには薄膜磁気ヘッドの記録／再生用の配線が施されている。また、このようなサスペンションの基端側は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で駆動されるアクチュエータアームに連結される。そして、サスペンションとアクチュエータアームを連結したものにＶＣＭコイル等を取り付けることにより、所謂ヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）が構成されている。 A thin film magnetic head for recording and reproducing magnetic information on a recording medium such as a hard disk is formed on a so-called head slider. A head gimbal assembly (HGA) is configured by mounting this head slider on the tip end region of the suspension. Generally, this suspension is obtained by superposing a flexible flexure on a load beam formed of SUS or the like, and a wiring for recording / reproducing of a thin film magnetic head is applied to the flexure. Further, the base end side of such a suspension is connected to an actuator arm driven by a voice coil motor (VCM). And what is called a head stack assembly (HSA) is comprised by attaching a VCM coil etc. to what connected the suspension and the actuator arm.

ところで、近年のハードディスクの高記録密度化、特にトラック幅の狭小化に伴い、ヘッドスライダを高精度で微小量駆動させる技術が求められている。そこで従来、下記特許文献１に示すように、上記サスペンションとアクチュエータアームとの連結部分に、圧電素子を利用した圧電アクチュエータを配置するヘッドジンバルアセンブリが提案されていた。これは所謂２段変動式のアセンブリであり、第１段階として、薄膜磁気ヘッドの比較的大きな移動はボイスコイルモータによるアクチュエータアームの駆動で制御し、第２段階として、トラッキング補正等の微小な移動は薄膜圧電体素子によるサスペンションの駆動により制御しようとするものである。 By the way, with the recent increase in recording density of hard disks, in particular, the narrowing of the track width, a technique for driving a head slider with a minute amount with high accuracy is required. Therefore, conventionally, as shown in Patent Document 1 below, a head gimbal assembly has been proposed in which a piezoelectric actuator using a piezoelectric element is arranged at a connecting portion between the suspension and the actuator arm. This is a so-called two-stage variable assembly. As a first stage, a relatively large movement of the thin film magnetic head is controlled by driving an actuator arm by a voice coil motor, and as a second stage, a small movement such as tracking correction is performed. Is to be controlled by driving a suspension by a thin film piezoelectric element.

ところが、このような２段変動式のヘッドジンバルアセンブリでは、薄膜圧電体素子によって長尺のサスペンション全体を駆動させる必要があるため、トラッキングの高精度化に限界があった。 However, in such a two-stage fluctuation type head gimbal assembly, it is necessary to drive the entire long suspension by the thin film piezoelectric element, so that there is a limit to the high accuracy of tracking.

このため、例えば下記特許文献２に開示されているように、ヘッドスライダとサスペンションの間に薄膜圧電体素子を設ける装置が提案されている。この装置によれば、薄膜圧電体素子は長尺サスペンションそのものを駆動させる必要が無く、直接的にヘッドスライダを駆動させることができるため、より高精度のトラッキングを実現することができる。
特開２００２−１３４８０７号公報特開２００２−２０３３８４号公報 For this reason, as disclosed in, for example, Patent Document 2 below, an apparatus in which a thin film piezoelectric element is provided between a head slider and a suspension has been proposed. According to this apparatus, it is not necessary for the thin film piezoelectric element to drive the long suspension itself, and the head slider can be directly driven, so that higher-precision tracking can be realized.
JP 2002-134807 A JP 2002-203384 A

しかしながら、上記従来のヘッドジンバルアセンブリには、次のような問題があった。すなわち、薄膜圧電体素子をサスペンションに搭載する際、接着剤で固定することになるが、該素子が薄膜であるため、機械アームによる狭持等のように機械的に保持することが困難である。このため、取り扱いのミス等により薄膜圧電体素子が破壊されてしまい、歩留りの低下を引き起こしてしまう。 However, the conventional head gimbal assembly has the following problems. That is, when the thin film piezoelectric element is mounted on the suspension, it is fixed with an adhesive. However, since the element is a thin film, it is difficult to mechanically hold it, such as holding by a mechanical arm. . For this reason, the thin film piezoelectric element is destroyed due to mishandling or the like, resulting in a decrease in yield.

本発明の目的は、薄膜圧電体素子を破壊することなく接着して、量産性を向上させることが可能な薄膜圧電体素子の接着方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for bonding a thin film piezoelectric element that can be bonded without destroying the thin film piezoelectric element to improve mass productivity.

本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法は、薄膜圧電体素子を所定の部材に接着する薄膜圧電体素子の接着方法であって、第１の基体の上に形成された薄膜圧電体素子を、紫外線が照射されることにより剥離する第１の接着剤により、少なくとも紫外線を透過する第２の基体に接着する工程と、第２の基体に接着する工程の後に、第１の基体を除去する工程と、第１の基体を除去する工程の後に、第２の基体に接着された薄膜圧電体素子を所定の部材に紫外線の照射では剥離しない第２の接着剤により接着する一方、紫外線を照射して第２の基体を除去する工程と、を備えることを特徴とする。 A thin film piezoelectric element bonding method according to the present invention is a thin film piezoelectric element bonding method in which a thin film piezoelectric element is bonded to a predetermined member, and the thin film piezoelectric element formed on a first substrate is bonded to the thin film piezoelectric element. The first substrate is removed after the step of adhering to the second substrate that transmits at least ultraviolet rays and the step of adhering to the second substrate by the first adhesive that peels off when irradiated with ultraviolet rays. After the step and the step of removing the first substrate, the thin film piezoelectric element bonded to the second substrate is bonded to a predetermined member with a second adhesive that does not peel off by irradiation of ultraviolet rays, while being irradiated with ultraviolet rays. And removing the second substrate.

本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法では、第１の基体の上に形成された薄膜圧電体素子が第１の接着剤により第２の基体に接着された後に、第１の基体が除去される。そして、第２の基体に接着された薄膜圧電体素子が第２の接着剤により所定の部材に接着される一方、紫外線が照射されることにより第１の接着剤が剥離し、第２の基体が除去されることとなる。薄膜圧電体素子を所定の部材に接着する際には、第２の基体が存在しており、薄膜圧電体素子の機械的強度が第２の基体により保たれる。これにより、薄膜圧電体素子が破壊されるのを防ぐことができると共に、その取り扱いが容易となり、歩留りが向上される。また、第２の基体は、紫外線を照射することで、容易に除去することができる。これらの結果、量産性が著しく向上される。 In the thin film piezoelectric element bonding method according to the present invention, after the thin film piezoelectric element formed on the first substrate is bonded to the second substrate by the first adhesive, the first substrate is removed. Is done. The thin film piezoelectric element adhered to the second substrate is adhered to a predetermined member by the second adhesive, while the first adhesive is peeled off by being irradiated with ultraviolet rays, and the second substrate. Will be removed. When the thin film piezoelectric element is bonded to a predetermined member, the second base is present, and the mechanical strength of the thin film piezoelectric element is maintained by the second base. As a result, the thin film piezoelectric element can be prevented from being destroyed, the handling thereof is facilitated, and the yield is improved. The second substrate can be easily removed by irradiating with ultraviolet rays. As a result, mass productivity is remarkably improved.

本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドスライダが搭載されるサスペンションに薄膜圧電体素子を接着する薄膜圧電体素子の接着方法であって、第１の基体の上に形成された薄膜圧電体素子を、紫外線が照射されることにより剥離する第１の接着剤により、少なくとも紫外線を透過する第２の基体に接着する工程と、第２の基体に接着する工程の後に、第１の基体を除去する工程と、第１の基体を除去する工程の後に、第２の基体に接着された薄膜圧電体素子をサスペンションの所定の部材に紫外線の照射では剥離しない第２の接着剤により接着する一方、紫外線を照射して第２の基体を除去する工程と、を備えることを特徴とする。 A thin film piezoelectric element bonding method according to the present invention is a thin film piezoelectric element bonding method in which a thin film piezoelectric element is bonded to a suspension on which a head slider having a thin film magnetic head is mounted. A step of adhering the thin film piezoelectric element formed in step 1 to a second substrate that transmits at least ultraviolet rays, and a step of adhering to the second substrate with a first adhesive that peels off when irradiated with ultraviolet rays. Later, after the step of removing the first substrate and the step of removing the first substrate, the thin film piezoelectric element bonded to the second substrate is not peeled off by irradiation with ultraviolet rays on a predetermined member of the suspension. And the step of removing the second substrate by irradiating with ultraviolet rays.

本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法では、第１の基体の上に形成された薄膜圧電体素子が第１の接着剤により第２の基体に接着された後に、第１の基体が除去される。そして、第２の基体に接着された薄膜圧電体素子が第２の接着剤によりサスペンションの所定の部材に接着される一方、紫外線が照射されることにより第１の接着剤が剥離し、第２の基体が除去されることとなる。薄膜圧電体素子をサスペンションの所定の部材に接着する際には、第２の基体が存在しており、薄膜圧電体素子の機械的強度が第２の基体により保たれる。これにより、薄膜圧電体素子が破壊されるのを防ぐことができると共に、その取り扱いが容易となり、歩留りが向上される。また、第２の基体は、紫外線を照射することで、容易に除去することができる。これらの結果、量産性が著しく向上される。 In the thin film piezoelectric element bonding method according to the present invention, after the thin film piezoelectric element formed on the first substrate is bonded to the second substrate by the first adhesive, the first substrate is removed. Is done. Then, the thin film piezoelectric element bonded to the second base is bonded to a predetermined member of the suspension by the second adhesive, while the first adhesive is peeled off by being irradiated with ultraviolet rays, and the second The substrate is removed. When the thin film piezoelectric element is bonded to a predetermined member of the suspension, the second base exists, and the mechanical strength of the thin film piezoelectric element is maintained by the second base. As a result, the thin film piezoelectric element can be prevented from being destroyed, the handling thereof is facilitated, and the yield is improved. The second substrate can be easily removed by irradiating with ultraviolet rays. As a result, mass productivity is remarkably improved.

また、第２の接着剤は、紫外線硬化性を有することが好ましい。この場合、紫外線を照射して第１の接着剤を剥離させる際に、第２の接着剤が硬化することとなる。この結果、第２の接着剤を硬化させる工程を新たに設ける必要がなく、工程の簡素化を図ることができる。 In addition, the second adhesive preferably has ultraviolet curable properties. In this case, the second adhesive is cured when the first adhesive is peeled off by irradiating ultraviolet rays. As a result, it is not necessary to newly provide a process for curing the second adhesive, and the process can be simplified.

また、第２の接着剤は、紫外線硬化性及び熱硬化性を有し、第２の基体を除去する工程の後に、加熱して第２の接着剤を硬化させる工程を更に含むことが好ましい。この場合、紫外線を照射して第１の接着剤を剥離させる際に第２の接着剤が仮硬化し、その後の加熱により第２の接着剤が本硬化することとなる。この結果、薄膜圧電体素子を確実に接着することができる。 Moreover, it is preferable that the 2nd adhesive agent has an ultraviolet curable property and a thermosetting property, and further includes the process of heating and hardening a 2nd adhesive agent after the process of removing a 2nd base | substrate. In this case, when the first adhesive is peeled off by irradiation with ultraviolet rays, the second adhesive is temporarily cured, and the second adhesive is finally cured by subsequent heating. As a result, the thin film piezoelectric element can be securely bonded.

また、薄膜圧電体素子は、第１の基体の上に複数形成されており、第２の基体に接着する工程では、各薄膜圧電体素子を第２の基体に接着し、所定の部材に接着する工程の前に、薄膜圧電体素子毎に第２の基体を切断する工程を更に備えることが好ましい。 In addition, a plurality of thin film piezoelectric elements are formed on the first substrate, and in the step of bonding to the second substrate, each thin film piezoelectric element is bonded to the second substrate and bonded to a predetermined member. Preferably, the method further includes a step of cutting the second base for each thin film piezoelectric element before the step of performing.

本発明によれば、薄膜圧電体素子を破壊することなく接着して、量産性を向上させることが可能な薄膜圧電体素子の接着方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesion method of the thin film piezoelectric element which can adhere | attach without destroying a thin film piezoelectric element and can improve mass productivity can be provided.

以下、添付図面を参照して、本発明に係る薄膜圧電体素子の接着方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a thin film piezoelectric element bonding method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.

（第１実施形態）
まず、図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｃ）を参照して、本実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法を説明するための図である。 (First embodiment)
First, with reference to FIGS. 1A to 1C and FIGS. 2A to 2C, a method for bonding a thin film piezoelectric element according to this embodiment will be described. FIGS. 1A to 1C and FIGS. 2A to 2C are views for explaining a method of bonding a thin film piezoelectric element according to this embodiment.

本接着方法では、以下の工程（１）〜（４）を順次実行する。 In this bonding method, the following steps (1) to (4) are sequentially performed.

工程（１）
まず、薄膜圧電体素子１が複数形成された第１の基体３（図１（ａ）参照）と、少なくとも紫外線を透過する第２の基体５とを用意する。そして、第１の基体３の上に形成された各薄膜圧電体素子１と第２の基体５とを紫外線が照射されることにより剥離する第１の接着剤７により接着する（図１（ｂ）参照）。これにより、複数の薄膜圧電体素子１、第１の基体３、及び第２の基体５を含む構造体ＳＡが形成されることとなる。 Process (1)
First, a first base 3 (see FIG. 1A) on which a plurality of thin film piezoelectric elements 1 are formed and a second base 5 that transmits at least ultraviolet light are prepared. Then, each thin film piezoelectric element 1 formed on the first substrate 3 and the second substrate 5 are bonded to each other by the first adhesive 7 that is peeled off when irradiated with ultraviolet rays (FIG. 1B). )reference). Thereby, the structure SA including the plurality of thin film piezoelectric elements 1, the first base 3, and the second base 5 is formed.

第２の基体５には、例えば石英ガラス基板、紫外線透過プラスチック基板、紫外線透過ガラス基板等を用いることができる。第１の接着剤７には、各社から出ている半導体バックグラインド用テープや同接着剤等を用いることができる。前述したようなテープは紫外線剥離用であり、当該テープのベースフィルムは紫外線を透過する。したがって、第１の接着剤７にこのようなテープを用いる場合、エッチングする際にベースフィルムが溶剤に溶けてしまう等の問題がなければ、このベースフィルムを第２の基体５として用いてもよい。 For the second substrate 5, for example, a quartz glass substrate, an ultraviolet transmissive plastic substrate, an ultraviolet transmissive glass substrate, or the like can be used. As the first adhesive 7, a semiconductor backgrinding tape, the same adhesive, or the like from each company can be used. The tape as described above is for ultraviolet peeling, and the base film of the tape transmits ultraviolet rays. Therefore, when such a tape is used for the first adhesive 7, this base film may be used as the second substrate 5 if there is no problem that the base film dissolves in the solvent during etching. .

各薄膜圧電体素子１は、例えば第１の電極金属膜１１、薄膜圧電体１３、及び第２の電極金属膜１５を含み、第１の基体３の上に第１の電極金属膜１１、薄膜圧電体１３、及び第２の電極金属膜１５をこの順で成膜することにより形成される。薄膜圧電体素子１は、第１の電極金属膜１１と第２の電極金属膜１５との間に電圧が印加されると、薄膜圧電体１３が面内方向に伸縮運動し、この運動を用いてアクチュエータ等に用いられる。 Each thin film piezoelectric element 1 includes, for example, a first electrode metal film 11, a thin film piezoelectric body 13, and a second electrode metal film 15, and the first electrode metal film 11 and the thin film are formed on the first base 3. The piezoelectric body 13 and the second electrode metal film 15 are formed in this order. In the thin film piezoelectric element 1, when a voltage is applied between the first electrode metal film 11 and the second electrode metal film 15, the thin film piezoelectric body 13 expands and contracts in the in-plane direction, and this movement is used. Used in actuators.

第１の基体３には、例えば酸化マグネシア（ＭｇＯ）を材料とする単結晶基板等を用いることができる。第１の電極金属膜１１及び第２の電極金属膜１５には、例えばＰｔやＩｒ等の導電性材料を用いることができる。第１の電極金属膜１１及び第２の電極金属膜１５の成膜方法には、例えばスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法等の方法を用いることができる。薄膜圧電体１３には、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム等の圧電材料を用いることができる。薄膜圧電体１３の成膜方法には、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、レーザーアブレーション法等の方法を用いることができる。 For the first base 3, for example, a single crystal substrate made of magnesia oxide (MgO) can be used. For the first electrode metal film 11 and the second electrode metal film 15, for example, a conductive material such as Pt or Ir can be used. As a method for forming the first electrode metal film 11 and the second electrode metal film 15, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, or the like can be used. For the thin film piezoelectric body 13, for example, a piezoelectric material such as lead zirconate titanate (PZT) or barium titanate can be used. As a method for forming the thin film piezoelectric body 13, for example, a sputtering method, a CVD method, a laser ablation method, or the like can be used.

工程（２）
次に、第１の基体３を除去する（図１（ｃ）参照）。この工程では、工程（１）にて得られた構造体ＳＡを第１の基体３をエッチングすることができるエッチング液に浸すことで、構造体ＳＡから第１の基体３をエッチングにより除去する。これにより、複数の薄膜圧電体素子１が第２の基体５に接着された構造体ＳＢが形成されることとなる。 Process (2)
Next, the first substrate 3 is removed (see FIG. 1C). In this step, the first substrate 3 is removed from the structure SA by etching by immersing the structure SA obtained in the step (1) in an etching solution capable of etching the first substrate 3. As a result, a structure SB in which a plurality of thin film piezoelectric elements 1 are bonded to the second base 5 is formed.

使用するエッチング液としては、第１の基体３にＭｇＯの単結晶基板を用いる場合、燐酸水溶液（燐酸の濃度が、例えば３０％程度である）が好ましい。また、エッチング速度を速くするために、燐酸水溶液を予め８０℃程度に加熱しておくことが好ましい。なお、各薄膜圧電体素子１をエッチング液から保護するために、樹脂等にてコーティングしてもよい。 As an etching solution to be used, when a single crystal substrate of MgO is used for the first base 3, an aqueous phosphoric acid solution (the concentration of phosphoric acid is about 30%, for example) is preferable. In order to increase the etching rate, it is preferable to heat the phosphoric acid aqueous solution to about 80 ° C. in advance. In addition, in order to protect each thin film piezoelectric element 1 from an etching solution, it may be coated with a resin or the like.

工程（３）
次に、工程（２）にて得られた構造体ＳＢの第２の基体５を薄膜圧電体素子１毎に切断する（図２（ａ）参照）。これにより、構造体ＳＢは、第２の基体５に１つの薄膜圧電体素子１が接着された構造体ＳＣに分離されることとなる。第２の基体５の切断には、ダイシング技術等を用いることができる。 Step (3)
Next, the second substrate 5 of the structural body SB obtained in the step (2) is cut for each thin film piezoelectric element 1 (see FIG. 2A). As a result, the structure SB is separated into the structure SC in which one thin film piezoelectric element 1 is bonded to the second base 5. A dicing technique or the like can be used for cutting the second substrate 5.

工程（４）
次に、工程（３）にて得られた構造体ＳＣの薄膜圧電体素子１と所定の部材との少なくとも一方に紫外線の照射では剥離しない第２の接着剤９を塗布し、所定の部材１０の上に第２の接着剤９を介して構造体ＳＣを搭載する（図２（ｂ）参照）。第２の接着剤９には、紫外線硬化性を有する接着剤や、紫外線硬化性及び熱硬化性を有する接着剤を用いることができる。本実施形態では、第２の接着剤９として紫外線硬化性及び熱硬化性を有する接着剤を用いた例を説明する。 Step (4)
Next, the second adhesive 9 that is not peeled off by ultraviolet irradiation is applied to at least one of the thin film piezoelectric element 1 of the structure SC obtained in the step (3) and the predetermined member, and the predetermined member 10 is applied. The structural body SC is mounted on the substrate via the second adhesive 9 (see FIG. 2B). For the second adhesive 9, an ultraviolet curable adhesive or an ultraviolet curable and thermosetting adhesive can be used. In the present embodiment, an example in which an adhesive having ultraviolet curing properties and thermosetting properties is used as the second adhesive 9 will be described.

次に、第２の基体５を除去する。ここでは、所定の部材１０の上に第２の接着剤９を介して構造体ＳＣを搭載した状態で、紫外線ＵＶを照射する（同じく、図２（ｂ）参照）。照射された紫外線ＵＶは、第２の基体５を透過し、第１の接着剤７に入射する。これにより、第１の接着剤７が剥離することとなり、第２の基体５が除去される（図２（ｃ）参照）。一方、照射された紫外線ＵＶの一部は第２の接着剤９にも入射し、第２の接着剤９が仮硬化することとなる。 Next, the second substrate 5 is removed. Here, ultraviolet rays UV are irradiated in a state where the structure SC is mounted on the predetermined member 10 via the second adhesive 9 (see also FIG. 2B). The irradiated ultraviolet light UV passes through the second substrate 5 and enters the first adhesive 7. Thereby, the 1st adhesive agent 7 will peel and the 2nd base | substrate 5 will be removed (refer FIG.2 (c)). On the other hand, a part of the irradiated ultraviolet ray UV also enters the second adhesive 9, and the second adhesive 9 is temporarily cured.

次に、薄膜圧電体素子１が仮接着された所定の部材１０を加熱し、第２の接着剤９を本硬化させる。これにより、所定の部材１０に薄膜圧電体素子１が接着されることとなる。 Next, the predetermined member 10 to which the thin film piezoelectric element 1 is temporarily bonded is heated to fully cure the second adhesive 9. Thereby, the thin film piezoelectric element 1 is bonded to the predetermined member 10.

以上のように、本第１実施形態においては、第１の基体３の上に形成された薄膜圧電体素子１が第１の接着剤７により第２の基体５に接着された後に、第１の基体３が除去される。そして、第２の基体５に接着された薄膜圧電体素子１が第２の接着剤９により所定の部材１０に接着される一方、紫外線ＵＶが照射されることにより第１の接着剤７が剥離し、第２の基体５が除去されることとなる。薄膜圧電体素子１を所定の部材１０に接着する際には、第２の基体５が存在しており、薄膜圧電体素子１の機械的強度が第２の基体５により保たれる。これにより、薄膜圧電体素子１が破壊されるのを防ぐことができると共に、その取り扱いが容易となり、歩留りが向上される。また、第２の基体５は、紫外線を照射することで、容易に除去することができる。これらの結果、量産性が著しく向上される。 As described above, in the first embodiment, after the thin film piezoelectric element 1 formed on the first base 3 is bonded to the second base 5 with the first adhesive 7, the first The substrate 3 is removed. The thin film piezoelectric element 1 adhered to the second substrate 5 is adhered to a predetermined member 10 by the second adhesive 9, while the first adhesive 7 is peeled off by being irradiated with ultraviolet rays UV. Then, the second substrate 5 is removed. When the thin film piezoelectric element 1 is bonded to the predetermined member 10, the second base 5 exists, and the mechanical strength of the thin film piezoelectric element 1 is maintained by the second base 5. As a result, the thin film piezoelectric element 1 can be prevented from being destroyed, and the handling thereof is facilitated, and the yield is improved. Further, the second substrate 5 can be easily removed by irradiating with ultraviolet rays. As a result, mass productivity is remarkably improved.

また、本第１実施形態において、第２の接着剤９は紫外線硬化性及び熱硬化性を有しており、第２の基体５を除去する工程の後に、加熱により第２の接着剤９を硬化させている。これにより、紫外線を照射して第１の接着剤７を剥離させる際に第２の接着剤９が仮硬化し、その後の加熱により第２の接着剤９が本硬化することとなる。この結果、薄膜圧電体素子１を確実に所定の部材１０に接着することができる。 In the first embodiment, the second adhesive 9 has ultraviolet curable properties and thermosetting properties, and the second adhesive 9 is heated by heating after the step of removing the second substrate 5. It is cured. Thus, when the first adhesive 7 is peeled off by irradiating with ultraviolet rays, the second adhesive 9 is temporarily cured, and the subsequent heating causes the second adhesive 9 to be fully cured. As a result, the thin film piezoelectric element 1 can be reliably bonded to the predetermined member 10.

なお、第２の接着剤９として紫外線硬化性を有する接着剤を用いる場合には、紫外線を照射して第１の接着剤７を剥離させる際に、第２の接着剤９が硬化することとなる。この結果、第２の接着剤９を硬化させる工程を新たに設ける必要がなく、工程の簡素化を図ることができる。 In addition, when using the adhesive which has ultraviolet curing property as the 2nd adhesive agent 9, when irradiating an ultraviolet-ray and peeling the 1st adhesive agent 7, the 2nd adhesive agent 9 hardens | cures. Become. As a result, it is not necessary to newly provide a process for curing the second adhesive 9, and the process can be simplified.

（第２実施形態）
続いて、第２実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法について説明する。まず、本実施形態に係る接着方法が適用されるハードディスク装置の構成について説明する。 (Second Embodiment)
Subsequently, a bonding method of the thin film piezoelectric element according to the second embodiment will be described. First, the configuration of a hard disk device to which the bonding method according to this embodiment is applied will be described.

図３は、本実施形態のハードディスク装置を示す概略構成図である。ハードディスク装置ＨＤＤは、筐体ＣＨ内に、記録媒体としてのハードディスクＨＤと、これに磁気情報を記録及び再生するヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）２０とを備えている。ハードディスクＨＤは、図示を省略するモータによって回転させられる。更に、ハードディスク装置ＨＤＤには、ハードディスクＨＤへの情報の記録及び再生等の各種制御を行う制御部ＣＵ、及び、薄膜磁気ヘッドをハードディスクＨＤの上から退避させておくためのランプ機構Ｒが内蔵されている。 FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing the hard disk device of the present embodiment. The hard disk device HDD includes a hard disk HD as a recording medium and a head stack assembly (HSA) 20 for recording and reproducing magnetic information on the hard disk HD in the housing CH. The hard disk HD is rotated by a motor (not shown). Further, the hard disk device HDD has a built-in control unit CU for performing various controls such as recording and reproduction of information on the hard disk HD and a ramp mechanism R for retracting the thin film magnetic head from the hard disk HD. ing.

ヘッドスタックアセンブリ２０は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）により支軸２１周りに回転自在に支持されたアクチュエータアーム２２と、このアクチュエータアーム２２に接続されたヘッドジンバルアセンブリ（以下、「ＨＧＡ」と称す）３０とから構成される組立て体を、図の奥行き方向に複数個積層したものである。ＨＧＡ３０には、ハードディスクＨＤに対向するようにヘッドスライダ３２が取り付けられている。 The head stack assembly 20 includes an actuator arm 22 rotatably supported around a support shaft 21 by a voice coil motor (VCM), and a head gimbal assembly (hereinafter referred to as “HGA”) 30 connected to the actuator arm 22. Are assembled in the depth direction of the figure. A head slider 32 is attached to the HGA 30 so as to face the hard disk HD.

ＨＧＡ３０は、薄膜磁気ヘッド３１を２段階で変動させる形式を採用しており、この形式を実現するために、薄膜圧電体素子としての薄膜圧電アクチュエータ７０が設けられている。薄膜圧電アクチュエータ７０は、ヘッドスライダ３２を支持ビーム部５０に対して相対的に変位させるものである。薄膜磁気ヘッドの比較的大きな移動はボイスコイルモータによるサスペンション４０及びアクチュエータアーム２２の全体の駆動で制御し、微小な移動は薄膜圧電アクチュエータ７０によるヘッドスライダ３２の駆動により制御する。 The HGA 30 adopts a format in which the thin film magnetic head 31 is changed in two stages. In order to realize this format, a thin film piezoelectric actuator 70 as a thin film piezoelectric element is provided. The thin film piezoelectric actuator 70 displaces the head slider 32 relative to the support beam portion 50. The relatively large movement of the thin film magnetic head is controlled by driving the suspension 40 and the actuator arm 22 as a whole by a voice coil motor, and the minute movement is controlled by driving the head slider 32 by the thin film piezoelectric actuator 70.

支持ビーム部５０は、ベースプレート５１と、これに張り付けられた連結板５２と、ロードビーム５３とを備えている。図５に示すように、連結板５２は、ベースプレートよりも薄く且つ柔軟性が高くなっており、側方に突出した長方形状の突出部５２ａと、互いに離隔して延びる一対の連結片５２ｂ，５２ｂとが形成されている。各連結片５２ｂ，５２ｂには、ロードビーム５３が揺動自在に連結されている。ロードビーム５３の先端には、ヘッドスライダ３２がランプ機構Ｒに退避している際にスロープに乗り上がるタブ５３ａが形成されている。尚、ベースプレート５１におけるロードビーム５３が設けられた側の反対側が、アクチュエータアーム２２に接続される側である。また、連結板５２とロードビーム５３とは一体的に形成してもよい。 The support beam unit 50 includes a base plate 51, a connecting plate 52 attached thereto, and a load beam 53. As shown in FIG. 5, the connecting plate 52 is thinner and more flexible than the base plate, and has a rectangular protruding portion 52a protruding to the side and a pair of connecting pieces 52b and 52b extending apart from each other. And are formed. A load beam 53 is swingably connected to each of the connecting pieces 52b and 52b. A tab 53a is formed at the tip of the load beam 53 so as to ride on the slope when the head slider 32 is retracted to the ramp mechanism R. Note that the side of the base plate 51 opposite to the side where the load beam 53 is provided is the side connected to the actuator arm 22. Further, the connecting plate 52 and the load beam 53 may be integrally formed.

フレクシャ６０は、ポリイミド等で形成された可撓性の配線基板６１を有しており、この底面にはステンレス鋼等によって形成された薄板（図示略）が部分的に張り付けられている。フレクシャ６０は、レーザスポット溶接によって支持ビーム部５０に接着されている。配線基板６１は、その後端側にパッド搭載領域６１ａを有している。パッド搭載領域６１ａは、連結板５２の突出部５２ａの上に敷かれる形になる。 The flexure 60 has a flexible wiring board 61 formed of polyimide or the like, and a thin plate (not shown) formed of stainless steel or the like is partially attached to the bottom surface. The flexure 60 is bonded to the support beam portion 50 by laser spot welding. The wiring board 61 has a pad mounting area 61a on the rear end side. The pad mounting area 61 a is laid on the protrusion 52 a of the connecting plate 52.

フレクシャ６０のパッド搭載領域６１ａには、記録用の電極６２ｂ，６３ｂ、薄膜圧電アクチュエータ用の電極６４ｂ〜６６ｂ、再生用の電極６７ｂ，６８ｂが搭載されている。一方、図６の拡大図に示すように、フレクシャ６０の先端側には、４つの電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａが配列されている。また、フレクシャ６０の４つの電極６２ａ，６３ａ，６７ａ，６８ａの後方には、３つの電極６４ａ〜６６ａが配列されている。電極６２ａ〜６８ａと電極６２ｂ〜６８ｂは、それぞれ配線６２ｃ〜６８ｃで電気的に接続されている。各配線６２ｃ〜６８ｃは、実際は絶縁膜で覆われている。なお、配線基板６１上の配線６２ｃ〜６８ｃは、例えばめっき法等の成膜技術によって形成することができる。 In the pad mounting area 61a of the flexure 60, recording electrodes 62b and 63b, thin film piezoelectric actuator electrodes 64b to 66b, and reproducing electrodes 67b and 68b are mounted. On the other hand, as shown in the enlarged view of FIG. 6, four electrodes 62a, 63a, 67a, and 68a are arranged on the tip side of the flexure 60. In addition, three electrodes 64a to 66a are arranged behind the four electrodes 62a, 63a, 67a, and 68a of the flexure 60. The electrodes 62a to 68a and the electrodes 62b to 68b are electrically connected by wirings 62c to 68c, respectively. Each of the wirings 62c to 68c is actually covered with an insulating film. The wirings 62c to 68c on the wiring board 61 can be formed by a film forming technique such as a plating method.

電極６２ａ，６３ａはヘッドスライダ３２の記録パッド３３，３４にそれぞれ接続され、電極６７ａ，６８ａは再生パッド３５，３６にそれぞれ接続される。これらの電極同士の接続には、図４に示すようにゴールドボールボンディングが用いられる。 The electrodes 62a and 63a are connected to the recording pads 33 and 34 of the head slider 32, respectively, and the electrodes 67a and 68a are connected to the reproducing pads 35 and 36, respectively. For connection between these electrodes, gold ball bonding is used as shown in FIG.

ここで、図６及び図７を参照して、薄膜圧電アクチュエータ７０の詳細について説明する。薄膜圧電アクチュエータ７０は、伸縮方向が互いに異なるように構成された第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂを有している。各領域７０ａ，７０ｂは、ＰＺＴ等の薄膜の圧電素子で構成されており、その周囲は樹脂コーティングされている。尚、薄膜の圧電素子には、厚膜の素子と比較して、軽量、振動に対する周波数特性が良好、設置場所の幅が広い、低電圧で制御可能という様々な利点がある。 Here, the details of the thin film piezoelectric actuator 70 will be described with reference to FIGS. 6 and 7. The thin film piezoelectric actuator 70 has a first region 70a and a second region 70b configured to have different expansion / contraction directions. Each region 70a, 70b is composed of a thin film piezoelectric element such as PZT, and its periphery is coated with a resin. The thin film piezoelectric element has various advantages over the thick film element in that it is lightweight, has a good frequency characteristic against vibration, has a wide installation location, and can be controlled with a low voltage.

第１領域７０ａと第２領域７０ｂは、根元付近は樹脂によって一体化されているが、先細りになる先端側は互いに離間している。第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの外側の各辺は並行になっており、対向する内側の辺が外に広がっている。更に、薄膜圧電アクチュエータ７０の図中底面側には、それぞれ所定の駆動電圧が印加される電極７１ａ，７１ｂ、グランド電位にされる電極７１ｃが設けられている。そして、これらの電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、直接的に、又は、導電部材を介して間接的に、フレクシャ６０上の電極６６ａ，６４ａ，６５ａに電気的に接続される。 The first region 70a and the second region 70b are integrated with resin in the vicinity of the root, but the tip end side that is tapered is separated from each other. The outer sides of the first region 70a and the second region 70b are parallel to each other, and the opposing inner sides spread outward. Furthermore, electrodes 71a and 71b to which a predetermined driving voltage is applied and electrodes 71c to be ground potential are provided on the bottom surface side of the thin film piezoelectric actuator 70 in the drawing. These electrodes 71a, 71b and 71c are electrically connected to the electrodes 66a, 64a and 65a on the flexure 60 directly or indirectly through a conductive member.

薄膜圧電アクチュエータ７０の電極７１ａ〜７１ｃ付近の根元領域は、フレクシャ６０の配線基板６１に接着される。一方、この根元領域よりも先端側の領域は、フレクシャ６０の開口領域に位置するため、ロードビーム５３と対面する形になる。 The base region near the electrodes 71 a to 71 c of the thin film piezoelectric actuator 70 is bonded to the wiring substrate 61 of the flexure 60. On the other hand, the region on the tip side of the root region is located in the opening region of the flexure 60 and thus faces the load beam 53.

第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂは、図７に示されるように、第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂが積層配置された２層構造を有している。図から見て上部に位置する第１の薄膜圧電体１３ａの上側および下側には、第１の電極金属膜１２ａと第２の電極金属膜１２ｂが形成されている。同様に第２の薄膜圧電体１３ｂは、第１の薄膜圧電体１３ａの下部に配置され、その両面には第３の電極金属膜１２ｃと第４の電極金属膜１２ｄとが設けられている。第２の電極金属膜１２ｂと第３の電極金属膜１２ｃとは接着剤１９で接着されている。 As shown in FIG. 7, the first region 70a and the second region 70b have a two-layer structure in which a first thin film piezoelectric body 13a and a second thin film piezoelectric body 13b are stacked. A first electrode metal film 12a and a second electrode metal film 12b are formed on the upper side and the lower side of the first thin film piezoelectric body 13a located at the top as seen from the figure. Similarly, the second thin film piezoelectric body 13b is disposed below the first thin film piezoelectric body 13a, and a third electrode metal film 12c and a fourth electrode metal film 12d are provided on both surfaces thereof. The second electrode metal film 12b and the third electrode metal film 12c are bonded with an adhesive 19.

第１の電極金属膜１２ａ及び第４の電極金属膜１２ｄは、電極７１ａに電気的に接続されている。第２の電極金属膜１２ｂと第３の電極金属膜１２ｃとは、電極７１ｃに電気的に接続されている。電極７１ａ，７１ｂのそれぞれには、第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂをそれぞれ駆動する駆動電圧が印可される。駆動電圧が印加されると、図７に示されるように、第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂは駆動電圧に対応して矢印Ａ１，Ａ２方向に伸縮する。電極７１ａ，７１ｂにそれぞれ印加される駆動電圧は、例えばバイアス電圧を中心として互いに逆位相となっている。電極７１ａにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第１領域７０ａにおける第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂは矢印Ａ１方向に収縮する。一方、電極７１ｂにバイアス電圧に対しプラスの駆動電圧が印加されると、第２領域７０ｂにおける第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の薄膜圧電体１３ｂは矢印Ａ２方向に伸長する。 The first electrode metal film 12a and the fourth electrode metal film 12d are electrically connected to the electrode 71a. The second electrode metal film 12b and the third electrode metal film 12c are electrically connected to the electrode 71c. A drive voltage for driving the first thin film piezoelectric body 13a and the second thin film piezoelectric body 13b is applied to each of the electrodes 71a and 71b. When the drive voltage is applied, as shown in FIG. 7, the first thin film piezoelectric body 13a and the second thin film piezoelectric body 13b expand and contract in the directions of arrows A1 and A2 corresponding to the drive voltage. The drive voltages applied to the electrodes 71a and 71b are in opposite phases with respect to the bias voltage, for example. When a positive drive voltage with respect to the bias voltage is applied to the electrode 71a, the first thin film piezoelectric body 13a and the second thin film piezoelectric body 13b in the first region 70a contract in the arrow A1 direction. On the other hand, when a positive drive voltage with respect to the bias voltage is applied to the electrode 71b, the first thin film piezoelectric body 13a and the second thin film piezoelectric body 13b in the second region 70b extend in the direction of the arrow A2.

本実施形態のサスペンション４０は、薄膜圧電アクチュエータ７０の変位をヘッドスライダ３２に伝達する伝達板８０を有している。伝達板８０は、例えばステンレス鋼等によって形成され、幅方向に延びる帯状の後部８３と、幅細で長尺の連結部８４を介して後部８３に接続された前部８５とを有している。前部８５の両側には、細長で後部８３に向かって平行に延在する可撓性のアーム部８６，８７が形成されている。 The suspension 40 of this embodiment has a transmission plate 80 that transmits the displacement of the thin film piezoelectric actuator 70 to the head slider 32. The transmission plate 80 is formed of, for example, stainless steel and has a strip-shaped rear portion 83 extending in the width direction and a front portion 85 connected to the rear portion 83 via a narrow and long connecting portion 84. . On both sides of the front portion 85, flexible arm portions 86 and 87 that are elongated and extend in parallel toward the rear portion 83 are formed.

以上がＨＧＡ３０の各要素の構成である。次に、このようなＨＧＡ３０の組立て過程の一例を説明する。 The above is the configuration of each element of the HGA 30. Next, an example of the assembly process of such an HGA 30 will be described.

まず、図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ）〜（ｃ）を参照して、薄膜圧電アクチュエータ７０の製造過程について説明する。図８（ａ）〜（ｃ）及び図９（ａ）〜（ｃ）は、薄膜圧電アクチュエータの製造方法を説明するための図である。薄膜圧電アクチュエータ７０の形成は、以下の工程（１）〜（５）に従って行う。 First, with reference to FIGS. 8A to 8C and FIGS. 9A to 9C, a manufacturing process of the thin film piezoelectric actuator 70 will be described. FIGS. 8A to 8C and FIGS. 9A to 9C are views for explaining a method of manufacturing a thin film piezoelectric actuator. The thin film piezoelectric actuator 70 is formed according to the following steps (1) to (5).

工程（１）
第１の基体３上に第１の電極金属膜１２ａ、第１の薄膜圧電体１３ａ、及び第２の電極金属膜１２ｂを形成する（図８（ａ）参照）。また、第１の基体３上に第３の電極金属膜１２ｃ、第２の薄膜圧電体１３ｂ、及び第４の電極金属膜１２ｄを形成する（図８（ｂ）参照）。第１〜第４の電極金属膜１２ａ〜１２ｄ、第１の薄膜圧電体１３ａ、及び第２の電極金属膜１２ｂの形成方法は、第１実施形態の工程（１）にて説明した方法と同じである。 Process (1)
A first electrode metal film 12a, a first thin film piezoelectric body 13a, and a second electrode metal film 12b are formed on the first substrate 3 (see FIG. 8A). Further, the third electrode metal film 12c, the second thin film piezoelectric body 13b, and the fourth electrode metal film 12d are formed on the first base 3 (see FIG. 8B). The method of forming the first to fourth electrode metal films 12a to 12d, the first thin film piezoelectric body 13a, and the second electrode metal film 12b is the same as the method described in the step (1) of the first embodiment. It is.

工程（２）
次に、第２の電極金属膜１２ｂと第４の電極金属膜１２ｃを接着剤１９で接着する（図８（ｃ）参照）。 Process (2)
Next, the second electrode metal film 12b and the fourth electrode metal film 12c are bonded with an adhesive 19 (see FIG. 8C).

工程（３）
次に、一方の第１の基体３を除去する（図９（ａ）参照）。第１の基体３の除去方法は、第１実施形態の工程（２）における除去方法と同じである。 Step (3)
Next, one first base 3 is removed (see FIG. 9A). The removal method of the first substrate 3 is the same as the removal method in step (2) of the first embodiment.

工程（４）
次に、２層構造の第１の薄膜圧電体１３ａ及び第２の電極金属膜１２ｂを薄膜圧電アクチュエータ７０の形状になるようにドライエッチングで成形加工する（図９（ｂ）参照）。 Step (4)
Next, the first thin film piezoelectric body 13a and the second electrode metal film 12b having a two-layer structure are formed by dry etching so as to have the shape of the thin film piezoelectric actuator 70 (see FIG. 9B).

工程（５）
次に、薄膜圧電アクチュエータ７０の腐食を回避するために、第１の基体３上において、表面をコーティング樹脂７３で覆う（図９（ｃ）参照）。その後、電極７１ａ〜７１ｃ（図示略）を形成する。 Step (5)
Next, in order to avoid corrosion of the thin film piezoelectric actuator 70, the surface of the first base 3 is covered with a coating resin 73 (see FIG. 9C). Thereafter, electrodes 71a to 71c (not shown) are formed.

これらの工程（１）〜（５）により、薄膜圧電アクチュエータ７０が第１の基体３の上に形成されることとなる。なお、図示は省略するが、薄膜圧電アクチュエータ７０は、第１の基体３の上に複数形成されている。 Through these steps (1) to (5), the thin film piezoelectric actuator 70 is formed on the first substrate 3. Although not shown, a plurality of thin film piezoelectric actuators 70 are formed on the first base 3.

続いて、ＨＧＡ３０の組立て過程を説明する。 Next, the assembly process of the HGA 30 will be described.

まず、フレクシャ６０をレーザスポット溶接にてロードビーム５３に接着する。次に、薄膜圧電アクチュエータ７０の根元付近をフレクシャ６０に接着する。ここで、薄膜圧電アクチュエータ７０のフレクシャ６０への接着は、以下の工程（１）〜（４）に従って行う。 First, the flexure 60 is bonded to the load beam 53 by laser spot welding. Next, the base of the thin film piezoelectric actuator 70 is bonded to the flexure 60. Here, adhesion of the thin film piezoelectric actuator 70 to the flexure 60 is performed according to the following steps (1) to (4).

工程（１）
第１の基体３の上に形成された各薄膜圧電アクチュエータ７０と第２の基体５とを第１の接着剤７により接着する（図１０（ａ）参照）。 Process (1)
Each thin film piezoelectric actuator 70 formed on the first substrate 3 and the second substrate 5 are bonded by the first adhesive 7 (see FIG. 10A).

工程（２）
次に、第１の基体３を除去する（図１０（ｂ）参照）。第１の基体３の除去方法は、第１実施形態の工程（２）における除去方法と同じである。 Process (2)
Next, the first substrate 3 is removed (see FIG. 10B). The removal method of the first substrate 3 is the same as the removal method in step (2) of the first embodiment.

工程（３）
次に、複数の薄膜圧電アクチュエータ７０が接着された第２の基体５を薄膜圧電体素子１毎に切断する（図１０（ｃ）参照）。第２の基体５の切断方法は、第１実施形態の工程（３）における切断方法と同じである。 Step (3)
Next, the second substrate 5 to which the plurality of thin film piezoelectric actuators 70 are bonded is cut for each thin film piezoelectric element 1 (see FIG. 10C). The cutting method of the second substrate 5 is the same as the cutting method in step (3) of the first embodiment.

工程（４）
切断された第２の基体５に接着されている薄膜圧電アクチュエータ７０とフレクシャ６０との少なくとも一方に第２の接着剤９を塗布し、フレクシャ６０の上に第２の接着剤９を介して薄膜圧電アクチュエータ７０（第２の基体５）を搭載する（図１１（ａ）参照）。 Step (4)
The second adhesive 9 is applied to at least one of the thin film piezoelectric actuator 70 and the flexure 60 bonded to the cut second substrate 5, and the thin film is formed on the flexure 60 via the second adhesive 9. A piezoelectric actuator 70 (second base 5) is mounted (see FIG. 11A).

次に、フレクシャ６０の上に第２の接着剤９を介して薄膜圧電アクチュエータ７０（第２の基体５）を搭載した状態で、紫外線ＵＶを照射する。これにより、第１の接着剤７が剥離し、第２の基体５が除去されることとなる（図１１（ｂ）参照）。一方、照射された紫外線ＵＶの一部は第２の接着剤９にも入射し、第２の接着剤９が仮硬化することとなる。 Next, ultraviolet light UV is irradiated in a state where the thin film piezoelectric actuator 70 (second base 5) is mounted on the flexure 60 via the second adhesive 9. Thereby, the 1st adhesive agent 7 peels and the 2nd base | substrate 5 will be removed (refer FIG.11 (b)). On the other hand, a part of the irradiated ultraviolet ray UV also enters the second adhesive 9, and the second adhesive 9 is temporarily cured.

次に、薄膜圧電アクチュエータ７０が仮接着されたフレクシャ６０を加熱し、第２の接着剤９を本硬化させる。これにより、フレクシャ６０に薄膜圧電アクチュエータ７０が接着されることとなる。この際、薄膜圧電アクチュエータ７０の底面の電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃ（図示略）と電極６５ａ，６６ａ，６４ａ（図示略）を電気的に接続し、薄膜圧電アクチュエータ７０への配電ラインを確立する。薄膜圧電アクチュエータ７０は、電極７１ａ，７１ｂ，７１ｃと電極６６ａ，６４ａ，６５ａとを接続することにより、フレクシャ６０に固定される。すなわち、薄膜圧電アクチュエータ７０は、電極７１ａ〜７１ｃ（電極６４ａ〜６６ａ）の位置でのみフレクシャ６０に接続され、ロードビーム５３から浮いた状態となっている。 Next, the flexure 60 to which the thin film piezoelectric actuator 70 is temporarily bonded is heated to fully cure the second adhesive 9. As a result, the thin film piezoelectric actuator 70 is bonded to the flexure 60. At this time, the electrodes 71a, 71b, 71c (not shown) on the bottom surface of the thin film piezoelectric actuator 70 and the electrodes 65a, 66a, 64a (not shown) are electrically connected to establish a power distribution line to the thin film piezoelectric actuator 70. The thin film piezoelectric actuator 70 is fixed to the flexure 60 by connecting the electrodes 71a, 71b, 71c and the electrodes 66a, 64a, 65a. That is, the thin film piezoelectric actuator 70 is connected to the flexure 60 only at the positions of the electrodes 71 a to 71 c (electrodes 64 a to 66 a) and is in a state of floating from the load beam 53.

再び、ＨＧＡの組立て過程の説明に戻る。フレクシャ６０に薄膜圧電アクチュエータ７０を接着すると、薄膜圧電アクチュエータ７０及びフレクシャ６０に対して伝達板８０を位置決め固定する。この際、図６中のポイントＸにおいて、伝達板８０の後部８３と薄膜圧電アクチュエータ７０を接着剤等で接着する。また、第１領域７０ａ及び第２領域７０ｂの先端部分をそれぞれ対応するアーム部８６，８７に接着剤等で接着する。これにより、本実施形態のサスペンション４０が得られる。次いで、伝達板８０の前部８５にヘッドスライダ３２を接着することにより、ＨＧＡ３０が得られる。 Returning to the description of the assembly process of the HGA again. When the thin film piezoelectric actuator 70 is bonded to the flexure 60, the transmission plate 80 is positioned and fixed with respect to the thin film piezoelectric actuator 70 and the flexure 60. At this time, at the point X in FIG. 6, the rear portion 83 of the transmission plate 80 and the thin film piezoelectric actuator 70 are bonded with an adhesive or the like. Further, the tip portions of the first region 70a and the second region 70b are respectively bonded to the corresponding arm portions 86 and 87 with an adhesive or the like. Thereby, the suspension 40 of this embodiment is obtained. Next, the HGA 30 is obtained by bonding the head slider 32 to the front portion 85 of the transmission plate 80.

更に、このようにして得られたＨＧＡ３０にアクチュエータアーム２２を連結してヘッドスタックアセンブリ２０を構成し、これをハードディスクＨＤ上に移動可能に組み立てることで、本実施形態のハードディスク装置ＨＤＤを作製することができる。 Further, the actuator arm 22 is connected to the HGA 30 obtained in this way to form the head stack assembly 20, and this is assembled so as to be movable on the hard disk HD, thereby producing the hard disk device HDD of the present embodiment. Can do.

以上のように、本第２実施形態においては、第１の基体３の上に形成された薄膜圧電アクチュエータ７０が第１の接着剤７により第２の基体５に接着された後に、第１の基体３が除去される。そして、第２の基体５に接着された薄膜圧電アクチュエータ７０が第２の接着剤９によりサスペンション４０の所定の部材（フレクシャ６０）に接着される一方、紫外線ＵＶが照射されることにより第１の接着剤７が剥離し、第２の基体５が除去されることとなる。薄膜圧電アクチュエータ７０をフレクシャ６０に接着する際には、第２の基体５が存在しており、薄膜圧電アクチュエータ７０の機械的強度が第２の基体５により保たれる。これにより、薄膜圧電アクチュエータ７０が破壊されるのを防ぐことができると共に、その取り扱いが容易となり、歩留りが向上される。また、第２の基体５は、紫外線ＵＶを照射することで、容易に除去することができる。これらの結果、量産性が著しく向上される。 As described above, in the second embodiment, after the thin film piezoelectric actuator 70 formed on the first base 3 is bonded to the second base 5 by the first adhesive 7, the first The substrate 3 is removed. Then, the thin film piezoelectric actuator 70 bonded to the second base 5 is bonded to a predetermined member (flexure 60) of the suspension 40 by the second adhesive 9, and the first UV irradiation is performed. The adhesive 7 is peeled off and the second substrate 5 is removed. When the thin film piezoelectric actuator 70 is bonded to the flexure 60, the second base 5 exists, and the mechanical strength of the thin film piezoelectric actuator 70 is maintained by the second base 5. As a result, the thin film piezoelectric actuator 70 can be prevented from being destroyed, and the handling thereof is facilitated, and the yield is improved. The second substrate 5 can be easily removed by irradiating with ultraviolet rays UV. As a result, mass productivity is remarkably improved.

なお、ＨＧＡ３０の組立て手順は上記のものに限られず、次のような変形例も実施することができる。例えば、伝達板８０にヘッドスライダ３２を搭載した後に、これをフレクシャ６０に接着された薄膜圧電アクチュエータ７０に接続するという手順である。また、ヘッドスライダ３２、伝達板８０、及び薄膜圧電アクチュエータ７０を一体に組み立てた後に、これをフレクシャ６０上に載せてもよい。あるいは、伝達板８０及び薄膜圧電アクチュエータ７０を一体に組み立てたものをフレクシャ６０上に搭載し、伝達板８０にヘッドスライダ３２を載せてもよい。フレクシャ６０への搭載前に伝達板８０と薄膜圧電アクチュエータ７０とを接着する場合、当該接着の方法は、上述した薄膜圧電アクチュエータ７０をフレクシャ６０に接着する方法（工程（１）〜（４））においてフレクシャ６０を伝達板８０に置き換えることにより実現できる。 In addition, the assembly procedure of HGA30 is not restricted to the above, The following modifications can also be implemented. For example, after the head slider 32 is mounted on the transmission plate 80, it is connected to the thin film piezoelectric actuator 70 bonded to the flexure 60. Further, after the head slider 32, the transmission plate 80, and the thin film piezoelectric actuator 70 are assembled together, they may be placed on the flexure 60. Alternatively, an assembly in which the transmission plate 80 and the thin film piezoelectric actuator 70 are integrally assembled may be mounted on the flexure 60, and the head slider 32 may be mounted on the transmission plate 80. When the transmission plate 80 and the thin film piezoelectric actuator 70 are bonded to each other before mounting on the flexure 60, the bonding method is a method of bonding the above-described thin film piezoelectric actuator 70 to the flexure 60 (steps (1) to (4)). This can be realized by replacing the flexure 60 with the transmission plate 80.

以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、薄膜圧電体素子１及び薄膜圧電アクチュエータ７０の構成は、上述した層構成に限られるものではない。また、第２の接着剤９は、紫外線硬化性を有する接着剤以外の接着剤でもよい。紫外線硬化性を有する接着剤以外の接着剤を用いる場合、薄膜圧電体素子１（薄膜圧電アクチュエータ７０）の位置ズレ等を防ぐために、紫外線を照射して第１の接着剤７を剥離させる前に第２の接着剤９を硬化あるいは仮硬化させておくことが好ましい。 As mentioned above, although the invention made by the present inventors has been specifically described based on the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment. For example, the configuration of the thin film piezoelectric element 1 and the thin film piezoelectric actuator 70 is not limited to the above-described layer configuration. Further, the second adhesive 9 may be an adhesive other than an adhesive having ultraviolet curing properties. In the case of using an adhesive other than the ultraviolet curable adhesive, before the first adhesive 7 is peeled off by irradiating with ultraviolet rays in order to prevent the positional deviation of the thin film piezoelectric element 1 (thin film piezoelectric actuator 70). It is preferable that the second adhesive 9 is cured or temporarily cured.

また、本実施形態においては、第１の基体３の上に複数の薄膜圧電体素子１（薄膜圧電アクチュエータ７０）を形成しているので、第２の基体５を薄膜圧電体素子１（薄膜圧電アクチュエータ７０）毎に切断している。しかしながら、第１の基体３の上に１個の薄膜圧電体素子１（薄膜圧電アクチュエータ７０）を形成する場合は、必ずしも第２の基体５を切断する必要はない。 Further, in the present embodiment, since the plurality of thin film piezoelectric elements 1 (thin film piezoelectric actuators 70) are formed on the first base 3, the second base 5 is replaced with the thin film piezoelectric elements 1 (thin film piezoelectric). Cutting is performed for each actuator 70). However, when one thin film piezoelectric element 1 (thin film piezoelectric actuator 70) is formed on the first base 3, it is not always necessary to cut the second base 5.

また、第１実施形態における第１及び第２の電極金属膜１１，１５、及び、第２実施形態における第１〜第４の電極金属膜１２ａ〜１２ｄの代わりに、ＩｒＯといった導電性酸化物や導電性樹脂等の導電性材料からなる電極膜を形成するようにしてもよい。また、第２実施形態において、伝達板８０を設けることなく、ヘッドスライダ３２を薄膜圧電アクチュエータ７０に直接搭載するように構成してもよい。更に、記録媒体に対して記録及び再生の双方を行う薄膜磁気ヘッドに代えて、記録又は再生の一方のみを行う薄膜磁気ヘッドを用いてもよい。 Further, instead of the first and second electrode metal films 11 and 15 in the first embodiment and the first to fourth electrode metal films 12a to 12d in the second embodiment, a conductive oxide such as IrO An electrode film made of a conductive material such as a conductive resin may be formed. In the second embodiment, the head slider 32 may be directly mounted on the thin film piezoelectric actuator 70 without providing the transmission plate 80. Furthermore, instead of the thin film magnetic head that performs both recording and reproduction on the recording medium, a thin film magnetic head that performs only one of recording and reproduction may be used.

（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the adhesion method of the thin film piezoelectric element which concerns on 1st Embodiment. （ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る薄膜圧電体素子の接着方法を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the adhesion method of the thin film piezoelectric element which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態のハードディスク装置を示す図である。It is a figure which shows the hard-disk apparatus of 2nd Embodiment. 第２実施形態のヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the head gimbal assembly (HGA) of 2nd Embodiment. 図４に示したＨＧＡの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of HGA shown in FIG. 図４に示したＨＧＡのフレクシャ先端付近の分解斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view of the vicinity of a flexure tip of the HGA shown in FIG. 4. 図４に示した薄膜圧電アクチュエータの構成を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the structure of the thin film piezoelectric actuator shown in FIG. （ａ）〜（ｃ）は、図４に示した薄膜圧電アクチュエータの製造方法を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the thin film piezoelectric actuator shown in FIG. （ａ）〜（ｃ）は、図４に示した薄膜圧電アクチュエータの製造方法を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the manufacturing method of the thin film piezoelectric actuator shown in FIG. （ａ）〜（ｃ）は、図４に示した薄膜圧電アクチュエータの接着方法を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the adhesion method of the thin film piezoelectric actuator shown in FIG. （ａ）〜（ｃ）は、図４に示した薄膜圧電アクチュエータの接着方法を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating the adhesion method of the thin film piezoelectric actuator shown in FIG.

Explanation of symbols

１…薄膜圧電体素子、３…第１の基体、５…第２の基体、７…第１の接着剤、９…第２の接着剤、１０…所定の部材、２０…ヘッドスタックアセンブリ、３１…薄膜磁気ヘッド、３２…ヘッドスライダ、３０…ヘッドジンバルアセンブリ、４０…サスペンション、５０…支持ビーム部、６０…フレクシャ、７０…薄膜圧電アクチュエータ、８０…伝達板、ＨＤＤ…ハードディスク装置、ＵＶ…紫外線。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Thin film piezoelectric element, 3 ... 1st base | substrate, 5 ... 2nd base | substrate, 7 ... 1st adhesive agent, 9 ... 2nd adhesive agent, 10 ... Predetermined member, 20 ... Head stack assembly, 31 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Thin film magnetic head, 32 ... Head slider, 30 ... Head gimbal assembly, 40 ... Suspension, 50 ... Support beam part, 60 ... Flexure, 70 ... Thin film piezoelectric actuator, 80 ... Transmission plate, HDD ... Hard disk device, UV ... Ultraviolet.

Claims

A thin film piezoelectric element bonding method for bonding a thin film piezoelectric element to a predetermined member,
Adhering the thin film piezoelectric element formed on the first substrate to a second substrate that transmits at least ultraviolet rays with a first adhesive that is peeled off when irradiated with ultraviolet rays;
Removing the first substrate after the step of bonding to the second substrate;
After the step of removing the first substrate, the thin film piezoelectric element bonded to the second substrate is bonded to the predetermined member with a second adhesive that does not peel off when irradiated with ultraviolet rays, while And a step of removing the second substrate by irradiating the thin film piezoelectric element.

The thin film piezoelectric element bonding method according to claim 1, wherein the second adhesive has ultraviolet curing properties.

The second adhesive has ultraviolet curing properties and thermosetting properties,
2. The method for bonding a thin film piezoelectric element according to claim 1, further comprising a step of heating and curing the second adhesive after the step of removing the second substrate.

A plurality of the thin film piezoelectric elements are formed on the first substrate,
In the step of bonding to the second substrate, the thin film piezoelectric elements are bonded to the second substrate,
The thin film piezoelectric element bonding method according to claim 1, further comprising a step of cutting the second base for each thin film piezoelectric element before the step of bonding to the predetermined member. .

A thin film piezoelectric element bonding method for bonding a thin film piezoelectric element to a suspension on which a head slider having a thin film magnetic head is mounted,
Adhering the thin film piezoelectric element formed on the first substrate to a second substrate that transmits at least ultraviolet rays with a first adhesive that is peeled off when irradiated with ultraviolet rays;
Removing the first substrate after the step of bonding to the second substrate;
After the step of removing the first substrate, the thin film piezoelectric element bonded to the second substrate is bonded to a predetermined member of the suspension with a second adhesive that is not peeled off by ultraviolet irradiation. And a step of removing the second substrate by irradiating with ultraviolet rays, and a method of bonding a thin film piezoelectric element.

6. The method for bonding a thin film piezoelectric element according to claim 5, wherein the second adhesive has ultraviolet curability.

The second adhesive has ultraviolet curing properties and thermosetting properties,
6. The method of bonding a thin film piezoelectric element according to claim 5, further comprising a step of heating and curing the second adhesive after the step of removing the second substrate.

A plurality of the thin film piezoelectric elements are formed on the first substrate,
In the step of bonding to the second substrate, the thin film piezoelectric elements are bonded to the second substrate,
6. The method of bonding a thin film piezoelectric element according to claim 5, further comprising a step of cutting the second base for each thin film piezoelectric element before the step of bonding to the predetermined member. .