JP2005128513A - Manufacturing method of optical waveguide, and optical waveguide - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光導波路の製造方法および光導波路に関する。 The present invention relates to an optical waveguide manufacturing method and an optical waveguide.
近年急速に関心の高まりつつある光通信において、重要な光部品として光分岐結合器(光カプラ)、光合分波器等が挙げられ、これらに用いる光導波路型素子が有望視されている。
従来の光導波路型素子は、石英系光導波路を利用したものである。
しかし、石英系光導波路は、石英ガラスにより形成されるため、脆く、高温プロセスや反応性イオンエッチング等の真空プロセスを必要とするため、コストが高くなるという欠点を有している。
In optical communication, which is rapidly gaining interest in recent years, optical branching couplers (optical couplers), optical multiplexers / demultiplexers, and the like are listed as important optical components, and optical waveguide devices used for these are promising.
A conventional optical waveguide type device uses a silica-based optical waveguide.
However, since the quartz optical waveguide is made of quartz glass, it is fragile and requires a vacuum process such as a high-temperature process or reactive ion etching.
一方、石英系光導波路の代替として、ポリマー系光導波路も数多くなされている。
これまでのポリマー系導波路は、導波路パターンのレリーフ構造をつくるのに例えばポリイミドの層の上に感光性樹脂でパターンを形成し、RIE(リアクティブイオンエッチング)などでエッチングし、余分な感光性樹脂を剥離するという方法が挙げられる(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、これらの方法は複雑な手法を用いているため、導波路作製プロセスの工数が多くなり、製造コストや歩留りに影響があった。
On the other hand, many polymer optical waveguides have been made as alternatives to quartz optical waveguides.
In conventional polymer waveguides, a relief pattern of a waveguide pattern is formed by forming a pattern with a photosensitive resin on a polyimide layer, for example, and etching with RIE (Reactive Ion Etching). For example, a method of peeling the functional resin is used (see, for example, Patent Document 1). However, since these methods use complicated methods, the number of steps for the waveguide fabrication process is increased, which has an influence on the manufacturing cost and the yield.
本発明の目的は、生産性に優れ、かつ光損失の小さい光導波路を提供できる光導波路の製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、光損失の小さい光導波路を提供することにある。
The objective of this invention is providing the manufacturing method of the optical waveguide which can provide the optical waveguide which is excellent in productivity and has small optical loss.
Another object of the present invention is to provide an optical waveguide with small optical loss.
このような目的は、下記(1)〜(14)に記載の本発明により達成される。
(1)ノルボルネン系樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂膜に電子線を照射して光導波路を形成する工程を有する光導波路の製造方法であって、前記ノルボルネン系樹脂は、電子線の照射により構造変化する側鎖を有することを特徴とする光導波路の製造方法。
(2)ノルボルネン系樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂膜に電子線を所定のパターンに照射して、前記樹脂膜の照射部を架橋させ、前記照射部と未照射部とに屈折率の差を設けることにより光導波路を形成する工程を有する光導波路の製造方法であって、前記ノルボルネン系樹脂は、電子線の照射により架橋反応する側鎖を有することを特徴とする光導波路の製造方法。
(3)前記架橋反応する側鎖は、炭素鎖を有するものである上記(1)または(2)に記載の光導波路の製造方法。
(4)前記ノルボルネン系樹脂骨格は、実質的にノルボルナン構造が連続して重合しているものである上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(5)前記ノルボルネン系樹脂は、下記式(1)ないし(3)のうちの少なくとも1種のモノマーを重合して得られるものである上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(7)前記ノルボルネン系樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の50〜100重量%である上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(8)前記電子線の加速電圧は、100[KV]以下である上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(9)前記樹脂膜のガラス転移温度は、180℃以上である上記(1)ないし(8)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(10)前記樹脂膜の厚さは、5〜100μmである上記(1)ないし(9)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(11)光導波路を使用する光の波長における前記照射部と未照射部との屈折率差は、0.3〜5.0%である上記(2)ないし(10)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(12)前記樹脂膜は、基板の少なくとも片面側に形成されるものである上記(1)ないし(11)のいずれかに記載の光導波路の製造方法。
(13)前記基板は、その全部または一部がクラッド層として作用するものである上記(12)に記載の光導波路の製造方法。
(14)上記(1)ないし(13)のいずれかに記載の光導波路の製造方法によって得られることを特徴とする光導波路。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (14).
(1) A method for producing an optical waveguide comprising a step of irradiating an electron beam onto a resin film composed of a resin composition containing a norbornene-based resin to form an optical waveguide, wherein the norbornene-based resin is an electron beam A method for producing an optical waveguide, comprising a side chain whose structure changes upon irradiation.
(2) A resin film composed of a resin composition containing a norbornene-based resin is irradiated with an electron beam in a predetermined pattern to crosslink the irradiated portion of the resin film, and the irradiated portion and the unirradiated portion have a refractive index. A method for producing an optical waveguide, comprising the step of forming an optical waveguide by providing a difference between the norbornene-based resin and the norbornene-based resin having a side chain that undergoes a crosslinking reaction upon irradiation with an electron beam. Method.
(3) The method for producing an optical waveguide according to (1) or (2), wherein the side chain undergoing a crosslinking reaction has a carbon chain.
(4) The method for producing an optical waveguide according to any one of (1) to (3), wherein the norbornene-based resin skeleton is a polymer in which a norbornane structure is substantially continuously polymerized.
(5) The light according to any one of (1) to (4), wherein the norbornene-based resin is obtained by polymerizing at least one monomer of the following formulas (1) to (3). A method for manufacturing a waveguide.
(7) The method for producing an optical waveguide according to any one of (1) to (6), wherein the content of the norbornene-based resin is 50 to 100% by weight of the entire resin composition.
(8) The method of manufacturing an optical waveguide according to any one of (1) to (7), wherein an acceleration voltage of the electron beam is 100 [KV] or less.
(9) The method for producing an optical waveguide according to any one of (1) to (8), wherein the glass transition temperature of the resin film is 180 ° C. or higher.
(10) The method for manufacturing an optical waveguide according to any one of (1) to (9), wherein the resin film has a thickness of 5 to 100 μm.
(11) The refractive index difference between the irradiated part and the non-irradiated part at the wavelength of light using the optical waveguide is 0.3 to 5.0% according to any one of (2) to (10) above. Manufacturing method of optical waveguide.
(12) The optical waveguide manufacturing method according to any one of (1) to (11), wherein the resin film is formed on at least one side of the substrate.
(13) The method for manufacturing an optical waveguide according to (12), wherein all or a part of the substrate acts as a cladding layer.
(14) An optical waveguide obtained by the method for manufacturing an optical waveguide according to any one of (1) to (13).
本発明によれば、光損失の小さい光導波路を得ることができる。
また、ノルボルネン系樹脂として、実質的にノルボルナン構造が連続して重合しているものを用いた場合、特に耐熱性にも優れる。
また、電子線の照射により架橋反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂を用いた場合、特に樹脂膜の屈折率差を大きくすることができ、光導波路の耐候性、耐薬品性等の特性に特に優れる。
また、照射する電子線を100[KV]以下とした場合、基板等を損傷することなく、屈折率差を特に大きくすることができる。
また、本発明によれば、光導波路を生産性良く製造することができる。
According to the present invention, an optical waveguide with small optical loss can be obtained.
In addition, when a norbornene-based resin having a substantially continuous norbornane structure is used, the heat resistance is particularly excellent.
In addition, when a norbornene-based resin having a side chain that undergoes a crosslinking reaction upon irradiation with an electron beam is used, the difference in the refractive index of the resin film can be particularly increased, particularly in the properties such as weather resistance and chemical resistance of the optical waveguide. Excellent.
Further, when the electron beam to be irradiated is set to 100 [KV] or less, the refractive index difference can be particularly increased without damaging the substrate or the like.
Further, according to the present invention, the optical waveguide can be manufactured with high productivity.
以下、本発明の光導波路の製造方法について説明する。
本発明の光導波路の製造方法は、ノルボルネン系樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂膜に電子線を照射して光導波路を形成する工程を有する光導波路の製造方法であって、前記ノルボルネン系樹脂は、電子線の照射により構造変化する側鎖を有することを特徴とするものである。
また、本発明の光導波路の製造方法は、ノルボルネン系樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂膜に電子線を所定のパターンに照射して、前記樹脂膜の照射部を架橋させ前記照射部と未照射部との屈折率差を設けることにより光導波路を形成する工程を有する光導波路の製造方法であって、前記ノルボルネン系樹脂は、電子線の照射により架橋反応する側鎖を有することを特徴とするものである。
また、本発明の光導波路は、上記に記載の光導波路の製造方法によって得られることを特徴とするものである。
Hereinafter, the manufacturing method of the optical waveguide of this invention is demonstrated.
The method for producing an optical waveguide of the present invention is a method for producing an optical waveguide comprising a step of forming an optical waveguide by irradiating a resin film comprising a resin composition containing a norbornene-based resin with an electron beam. The system resin has a side chain whose structure changes upon irradiation with an electron beam.
The method for producing an optical waveguide according to the present invention includes irradiating a resin film composed of a resin composition containing a norbornene-based resin with an electron beam in a predetermined pattern to cross-link an irradiation part of the resin film. And a non-irradiated portion to provide a difference in refractive index to form an optical waveguide, wherein the norbornene-based resin has a side chain that undergoes a crosslinking reaction upon irradiation with an electron beam. It is a feature.
The optical waveguide of the present invention is obtained by the method for manufacturing an optical waveguide described above.
以下、本発明の光導波路の製造方法について、好適な実施形態に基づいて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図1および図2は、本発明の光導波路の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
図1(c)は、基板1上にコア部21と、クラッド部22が形成されている樹脂膜2、図2(c)は、コア部21とクラッド部22とを有する樹脂膜2の両面に第1のクラッド層3および第2のクラッド層4を有する光導波路10を示す断面図である。
Hereinafter, although the manufacturing method of the optical waveguide of this invention is demonstrated based on suitable embodiment, this invention is not limited to this.
1 and 2 are cross-sectional views schematically showing an example of a method for manufacturing an optical waveguide according to the present invention.
FIG. 1C shows a
本発明の光導波路の製造方法では、ステップA(図1)として樹脂膜2にコア部21とクラッド部22とを形成する。また、ステップB(図2)として光導波路10を製造する。
以下、各ステップについて説明する。
In the method of manufacturing an optical waveguide according to the present invention, the
Hereinafter, each step will be described.
ステップA
ステップAでは、コア部21とクラッド部22とが形成された樹脂膜2を製造する(図1参照)。
まず、基板1の片面にノルボルネン系樹脂を含む樹脂組成物で構成される樹脂膜2を形成する(図1(a))。これにより、光損失の少ない光導波路を得ることができる。
基板1としては、例えばシリコン基板、ステンレス基板、ポリエステル、ポリイミド等の樹脂で構成される樹脂フィルム等が挙げられる。
また、基板1は、その全部または一部が後述するようにクラッド層として作用する基板1でも良い。このような基板1としては、ガラス基板、酸化膜付シリコン基板、ノルボルネン系樹脂で構成される樹脂フィルム等が挙げられる。このような基板1を用いた場合、後述するクラッド層の一方を設けなくても良い。
Step A
In Step A, the
First, a
Examples of the substrate 1 include a resin film made of a resin such as a silicon substrate, a stainless steel substrate, polyester, and polyimide.
Further, the substrate 1 may be a substrate 1 that functions as a clad layer, as will be described later. Examples of such a substrate 1 include a glass substrate, a silicon substrate with an oxide film, and a resin film made of a norbornene resin. When such a substrate 1 is used, one of the clad layers described later need not be provided.
前記ノルボルネン系樹脂は、後述するように電子線で構造変化する側鎖を有していることを特徴とする。これにより、電子線照射により照射部の屈折率を変化させることができる。
前記ノルボルネン系樹脂としては、ノルボルネンを開環重合して得られる開環重合体、ノルボルネンとエチレン等の他のモノマーとの共重合体、ノルボルネンの付加重合体(ノルボルネンの単独付加重合体を含む)等が挙げられる。
The norbornene-based resin has a side chain whose structure is changed by an electron beam as described later. Thereby, the refractive index of an irradiation part can be changed by electron beam irradiation.
Examples of the norbornene-based resin include ring-opening polymers obtained by ring-opening polymerization of norbornene, copolymers of norbornene and other monomers such as ethylene, norbornene addition polymers (including norbornene homoaddition polymers) Etc.
前記ノルボルネン系樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、10,000〜5,000,000が好ましく、特に50,000〜500,000が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に樹脂膜2の強度に優れ、最終的に光導波路とした場合の機械特性に優れる。
The weight average molecular weight of the norbornene resin is not particularly limited, but is preferably 10,000 to 5,000,000, and particularly preferably 50,000 to 500,000. When the weight average molecular weight is within the above range, the strength of the
前記ノルボルネン系樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の50〜99.5重量%が好ましく、特に70〜95重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると光導波路の光損失を低減する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると長期信頼性が低下する場合がある。 The content of the norbornene-based resin is not particularly limited, but is preferably 50 to 99.5% by weight, particularly preferably 70 to 95% by weight, based on the entire resin composition. If the content is less than the lower limit, the effect of reducing the optical loss of the optical waveguide may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the long-term reliability may be reduced.
前記樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、酸化防止剤、消泡剤、レベリング剤、密着助剤、有機溶媒、難燃剤等の添加剤、モノフェノール系、ビスフェノール系、トリフェノール系、芳香族アミン系等のラジカルトラップ剤を含むことができる。 The resin composition includes additives such as antioxidants, antifoaming agents, leveling agents, adhesion assistants, organic solvents, flame retardants, monophenol-based, bisphenol-based, It can contain radical trapping agents such as phenolic and aromatic amines.
樹脂膜2の厚さは、特に限定されないが、5〜100μmが好ましく、特に20〜70μmが好ましい。厚さが前記下限値未満であるとコア部21を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると電子線が樹脂膜2の下部まで到達しない場合がある。
Although the thickness of the
樹脂膜2のガラス転移温度は、特に限定されないが、180℃以上が好ましく、特に200〜350℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると樹脂膜2の可とう性が低下する場合がある。
Although the glass transition temperature of the
基板1上に樹脂膜2を形成する方法としては、例えばスピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。これらの中でもスピンコート法、テーブルコート法、ダイコート法の方法が好ましい。これにより、生産性良く樹脂膜を製造することができる。
具体的には、前記ノルボルネン系樹脂膜を含む樹脂組成物をトルエンキシレン、メシチレン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン等の溶剤に溶解して、光散乱を起こす不純物・パーティクルを濾過し、次に、その樹脂組成物を上述の方法で基板1上に塗布し、加熱、熱風、風乾、赤外線等の方法で乾燥させ、樹脂膜2を形成する方法が挙げられる。
また、基板1上に予め形成した前記ノルボルネン系樹脂で構成される未硬化の樹脂フィルムをラミネート等の方法で接合して樹脂膜2を形成しても良い。
Examples of the method for forming the
Specifically, the resin composition containing the norbornene-based resin film is dissolved in a solvent such as toluene xylene, mesitylene, cyclohexane, tetrahydrofuran, etc., and impurities and particles that cause light scattering are filtered, and then the resin composition Can be applied to the substrate 1 by the above-described method, and dried by a method such as heating, hot air, air drying, or infrared rays to form the
Alternatively, the
次に、樹脂膜2に所定のパターンを形成するようにマスキング12を行い、電子線11を照射する(図1(b))。これにより、電子線11が照射された部分にコア部21を形成することができる。
電子線11の照射により樹脂膜2にコア部21が形成される理由は、以下の通りである。
前記ノルボルネン系樹脂は、前述したように電子線11で構造変化する側鎖を有している。そのため、樹脂膜2の電子線11を照射した部分のノルボルネン系樹脂の構造が変化し、屈折率の変化を生じることになる。そのため、電子線11を照射した部分と未照射部分とに屈折率の差を設けることができる。
マスキング12をする方法としては、例えばステンシルマスク、金属膜の蒸着等の方法が挙げられる。これらの中でもステンシルマスクを用いる方法が好ましい。これにより、生産性を向上することができる。
Next, masking 12 is performed so as to form a predetermined pattern on the
The reason why the
The norbornene-based resin has a side chain whose structure changes with the
Examples of the method for performing the masking 12 include a stencil mask and a method such as vapor deposition of a metal film. Among these, a method using a stencil mask is preferable. Thereby, productivity can be improved.
電子線11で構造変化するとは、例えば架橋反応する場合、分解反応する場合等が挙げられる。これらの中でも電子線11の照射により架橋反応する場合が好ましい。これにより、屈折率の差を大きくすることができる。そのため、前記ノルボルネン系樹脂は、電子線11の照射により架橋反応する側鎖を有することが好ましい。
The structural change by the
具体的に架橋反応による前記ノルボルネン系樹脂の構造変化で屈折率が変化する理由は、以下の通りである。
電子線11の照射により、該照射部のノルボルネン系樹脂の側鎖に架橋反応を生じる。架橋反応が生じたノルボルネン系樹脂は、密度が高くなり、自由体積が減少するため屈折率が高くなる。
したがって、電子線11が照射された部分の屈折率が高くなり、光導波路のコア部21を形成することになり、未照射部はクラッド部22を形成することになる。
Specifically, the reason why the refractive index changes due to the structural change of the norbornene resin due to the crosslinking reaction is as follows.
Irradiation with the
Therefore, the refractive index of the portion irradiated with the
また、具体的に分解反応による前記ノルボルネン系樹脂の構造変化で屈折率が変化する理由は、以下の通りである。
例えば側鎖にフッ素原子を有するノルボルネン系樹脂は、電子線11の照射により、側鎖が分解され、前記フッ素原子が放出される。フッ素原子が放出されると、分子屈折は大きくなり、分子体積が小さくなるため屈折率が高くなる。したがって、電子線11が照射された部分の屈折率が高くなり、光導波路のコア部21を形成することになり、未照射部はクラッド部22を形成することになる。
逆に、例えばフッ素原子以外のハロゲン原子を有するノルボルネン系樹脂は、電子線11の照射により、側鎖が分解され、前記ハロゲン原子が放出される。ハロゲン原子が放出されると、分子屈折が小さくなることで屈折率が低くなる。したがって、電子線11が照射された部分の屈折率が低くなり、光導波路のクラッド部22を形成することになり、未照射部はコア部21を形成することになる。
このように分解される側鎖の構造により、電子線11を照射した部分(分解された部分)の屈折率が高くなるか、低くなるかは異なる。
Further, the reason why the refractive index changes due to the structural change of the norbornene resin due to the decomposition reaction is as follows.
For example, in a norbornene-based resin having a fluorine atom in the side chain, the side chain is decomposed by irradiation with the
Conversely, for example, a norbornene-based resin having a halogen atom other than a fluorine atom is decomposed by irradiation with the
Depending on the structure of the side chain thus decomposed, whether the refractive index of the portion irradiated with the electron beam 11 (decomposed portion) is high or low is different.
電子線11の照射により架橋反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂としては、炭素鎖を有するものが好ましく、具体的には少なくとも一つのアルキル基(特に直鎖状のアルキル基)を側鎖に有するノルボルネン系樹脂を挙げることができる。前記アルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。また、前記アルキル基の水素の一部が他の置換基を有していても良い。具体的な置換基としては、ヒドロキシ基、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、アルコキシシラン基、エーテル基、ケトン基、エステル基、アミノ基等が挙げられる。
The norbornene-based resin having a side chain that undergoes a crosslinking reaction upon irradiation with the
前記アルコキシシラン基としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、メチルジフェニル、ジメチルフェニル、トリフェニル、エチルジフェニル、ジエチルフェニル等が挙げられる。 Examples of the alkoxysilane group include trimethoxysilane, triethoxysilane, methyldimethoxysilane, dimethylmethoxysilane, methyldiphenyl, dimethylphenyl, triphenyl, ethyldiphenyl, and diethylphenyl.
電子線11の照射により架橋反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂をより具体的に説明すると、例えば下記式(4)で示されるモノマーを重合して得られるものが好ましい。
電子線11の照射により架橋反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂の中でも下記式(1)ないし(3)のうちの少なくとも1種のモノマーを重合して得られるものがより好ましい。これにより、電子線11による分解を抑え、フィルムの着色を抑え、長期安定性を向上することができる。特に式(1)ないし(3)に記載のモノマーを2種以上共重合(ノルボルネン系樹脂の単独付加重合を含む)して得られるものが好ましく、特に式(1)と(3)とを共重合して得られるものが好ましい。これにより、密着性を向上することができる。
また、電子線11の照射により分解反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂としては、例えば、側鎖のアルキル基が分岐構造を持ったもの等が挙げられる。前記分岐構造を持ったアルキル基としては、具体的にイソブチル基、tert−ブチル基、ジメチルペンタチル基、ジメチルヘキシル基、ジメチルヘプチル基等が挙げられる。
また、前記分岐構造を持ったアルキル基は、その水素の一部または全部が置換基を有していても良い。具体的な置換基としては、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等)、アルコキシシラン基、エーテル基、ケトン基、エステル基、アミノ基等が挙げられる。
Examples of the norbornene-based resin having a side chain that undergoes a decomposition reaction upon irradiation with the
In addition, in the alkyl group having the branched structure, part or all of the hydrogen thereof may have a substituent. Specific examples of the substituent include a halogen group, a hydroxy group, an alkoxy group (for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group), an alkoxysilane group, an ether group, a ketone group, an ester group, and an amino group. It is done.
電子線11の照射部と、未照射部との屈折率の差は、特に限定されないが、0.3〜5.0%が好ましく、特に0.8〜2.0%が好ましい。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝達する効果が低下する場合があり、前記上限値を超える場合は分解反応が過剰に起こっている可能性が大きく、長期安定性が低下する場合がある。
前記屈折率差とは、前記照射部の屈折率[A]、未照射部の屈折率[B]としたときに下記の式で求めることができる。
屈折率差(%)=|A/B−1|×100
The difference in refractive index between the irradiated portion of the
The refractive index difference can be obtained by the following equation when the refractive index [A] of the irradiated portion and the refractive index [B] of the unirradiated portion are used.
Refractive index difference (%) = | A / B-1 | × 100
前記ノルボルネン系樹脂のガラス転移温度は、特に限定されないが、180℃以上が好ましく、特に200〜350℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると耐熱性が低下しハンダリフロー工程でパターンが破壊される場合があり、前記上限値を超えるとフレキシブル性がなくなる場合がある。 The glass transition temperature of the norbornene resin is not particularly limited, but is preferably 180 ° C. or higher, and particularly preferably 200 to 350 ° C. If the glass transition temperature is less than the lower limit, the heat resistance may be reduced and the pattern may be destroyed in the solder reflow process. If the glass transition temperature exceeds the upper limit, flexibility may be lost.
前記ノルボルネン系樹脂骨格は、特に限定されないが、実質的にノルボルナン構造が連続して重合しているもの(ノルボルネンの付加重合体)が好ましい。これにより、耐熱性(特にガラス転移温度)を向上することができる。 The norbornene-based resin skeleton is not particularly limited, but is preferably a polymer in which a norbornane structure is continuously polymerized (norbornene addition polymer). Thereby, heat resistance (especially glass transition temperature) can be improved.
電子線11の加速電圧は、樹脂膜2の厚さによって適宜決定されるが、100[KV]以下が好ましく、特に50〜80[KV]が好ましい。
前記加速電圧が前記下限値未満であると架橋反応により屈折率を変化させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると電子線11の照射が過剰となる場合がある。
従来、電子線11の加速電圧は200[KV]程度であった。この場合、これまでの樹脂膜2を構成するような樹脂では、照射過剰で分解反応が過剰に起こったり、基板1を傷めたりする場合があった。これに対して、本発明では、樹脂膜2を構成する樹脂として前述したようなノルボルネン系樹脂を用いているので比較的低い加速電圧を有する電子線11でも樹脂膜2を構成する樹脂を構造変化させることが可能となる。したがって、100[KV]以下のような比較的低い加速電圧の電子線11でもノルボルネン系樹脂の構造変化が可能となるものである。
Although the acceleration voltage of the
If the acceleration voltage is less than the lower limit value, the effect of changing the refractive index by a crosslinking reaction may be reduced, and if the acceleration voltage exceeds the upper limit value, the irradiation of the
Conventionally, the acceleration voltage of the
電子線11の照射量は、特に限定されないが、50〜2,000[KGy]が好ましく、特に100〜1,000[KGy]が好ましい。照射量が前記下限値未満であるとノルボルネン系樹脂の側鎖の構造変化が十分に生じない場合があり、前記上限値を超えると照射が過剰となり悪影響が生じる場合がある。例えば、劣化・変質等を生じる場合がある。
The irradiation amount of the
以上のようにして樹脂膜2にコア部21とクラッド部22とを形成することができる(図1(c))。
コア部21の幅は、特に限定されないが、5〜100μmが好ましく、特に20〜70μmが好ましい。また、光学特性・光学設計上、光導波路のコア幅とコア高さが同じになるように設計することがより望ましい。
As described above, the
The width of the
ステップB
ステップBでは、コア部21とクラッド部22とを有する樹脂膜2の両面に第1のクラッド層3および第2のクラッド層4を有する光導波路10を製造する。
まず、基板1上に形成されたコア部21とクラッド部22とを有する樹脂膜2を基板1から剥離する(図2(a))。
次に、第1のクラッド層3および第2のクラッド層4を樹脂膜2に接合する。
Step B
In Step B, the
First, the
Next, the
第1のクラッド層3の厚さと、第2のクラッド層4の厚さとは、異なっていても良いが、同じであることが好ましい。これにより、光導波路10の生産性を向上することができる。また、光導波路10の反りの発生を低減することもできる。
第1のクラッド層3の厚さは、特に限定されないが、5〜500μmが好ましく、特に50〜200μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、光の閉じ込め効果、フィルムのフレキシブル性に特に優れる。
The thickness of the
Although the thickness of the 1st clad
第2のクラッド層4の厚さは、特に限定されないが、5〜500μmが好ましく、特に50〜200μmが好ましい。厚さが前記範囲内であると、光の閉じ込め効果、フィルムのフレキシブル性に特に優れる。
Although the thickness of the 2nd clad
第1のクラッド層3の屈折率は、前記コア部21との屈折率より低ければ特に限定されない。具体的には、第1のクラッド層3の屈折率と前記コア部21の屈折率との差は、0.3〜10%が好ましく、特に0.8〜5%が好ましい。屈折率の差が前記範囲内であると、コア部21とクラッド部22の屈折率差と同等になり光学設計の面で優れる。
The refractive index of the
第2のクラッド層4の屈折率は、前記コア部21との屈折率より低ければ特に限定されない。具体的には、第2のクラッド層4の屈折率と前記コア部21の屈折率との差は、0.3〜10%が好ましく、特に0.8〜5%が好ましい。屈折率の差が前記範囲内であると、コア部21とクラッド部22の屈折率差と同等になり光学設計が容易になる。
The refractive index of the
第1のクラッド層3の屈折率と、第2のクラッド層4との屈折率とは、異なっていても良いが、同じであることが好ましい。これにより、光学設計が容易になる。
The refractive index of the
第1のクラッド層3を構成する材料としては、例えばノルボルネン系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。これらの中でもノルボルネン系樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、透明性、フレキシブル性を向上することができる。
Examples of the material constituting the
前記ノルボルネン系樹脂としては、例えばノルボルネンを開環重合して得られる開環重合体、ノルボルネンとエチレン等の他のモノマーとの共重合体、ノルボルネンの付加重合体等が挙げられる。これらの中でもノルボルネンの付加重合体(単独付加重合体)が好ましい。これにより、耐熱性を向上することができる。 Examples of the norbornene-based resin include a ring-opening polymer obtained by ring-opening polymerization of norbornene, a copolymer of norbornene and another monomer such as ethylene, and an addition polymer of norbornene. Among these, norbornene addition polymers (homoaddition polymers) are preferred. Thereby, heat resistance can be improved.
第2のクラッド層4を構成する材料としては、例えばノルボルネン系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。これらの中でもノルボルネン系樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、透明性、フレキシブル性を向上することができる。
Examples of the material constituting the
前記ノルボルネン系樹脂としては、例えばノルボルネンを開環重合して得られる開環重合体、ノルボルネンとエチレン等の他のモノマーとの共重合体、ノルボルネンの付加重合体(特にノルボルネンの単独付加重合体)等が挙げられる。これらの中でもノルボルネンの付加重合体(単独付加重合体)が好ましい。これにより、耐熱性を向上することができる。 Examples of the norbornene-based resin include ring-opening polymers obtained by ring-opening polymerization of norbornene, copolymers of norbornene and other monomers such as ethylene, norbornene addition polymers (particularly norbornene homoaddition polymers). Etc. Among these, norbornene addition polymers (homoaddition polymers) are preferred. Thereby, heat resistance can be improved.
第1のクラッド層3および第2のクラッド層4を、樹脂膜2に形成する方法としては、例えばスピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。これらの中でもテーブルコート法、ダイコート法が好ましい。これにより、生産性良く樹脂膜を製造することができる。
また、第1のクラッド層3および第2のクラッド層4を予め未硬化の樹脂フィルムとし、それをラミネート等の方法で接合して樹脂膜2に接合しても良い。
As a method for forming the first
Alternatively, the first
なお、本実施の形態のステップBでは、基板1を剥離して使用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば基板1の全部または一部が前述したようにクラッド層として作用できる基板1を用いた場合、樹脂膜2の片面(基板1と反対側面)のみにクラッド層を形成すれば良い。
また、ステップBでは、電子線11が照射された部分がコア部21となる場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば電子線照射部がクラッド部22を形成する場合でも良い。
In Step B of the present embodiment, the case where the substrate 1 is peeled and used has been described, but the present invention is not limited to this. For example, when the substrate 1 that can function as a clad layer as described above is used, the clad layer may be formed only on one side of the resin film 2 (the side opposite to the substrate 1).
In Step B, the case where the portion irradiated with the
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.
1. 樹脂膜の製造
電子線照射により構造変化する側鎖を有するノルボルネン系樹脂として、側鎖にブチル基を有するノルボルネンと、側鎖にトリエトキシシリル基を有するノルボルネンとの付加重合ホモポリマー(ガラス転移温度(Tg)280℃、重量平均分子量100,000)を合成し、これを96.00重量%と、酸化防止剤4.00重量%とをメシチレンに溶解し、ガラス基板上にバーコーター法で塗布し、80℃、1時間乾燥し、厚さ50μmの樹脂膜を得た。
1. Production of resin film As norbornene-based resin having a side chain whose structure is changed by electron beam irradiation, an addition polymerization homopolymer (glass transition temperature) of norbornene having a butyl group in the side chain and norbornene having a triethoxysilyl group in the side chain (Tg) 280 ° C., weight average molecular weight 100,000) was synthesized, and 96.00 wt% and antioxidant 4.00 wt% were dissolved in mesitylene and coated on a glass substrate by a bar coater method. And dried at 80 ° C. for 1 hour to obtain a resin film having a thickness of 50 μm.
2. 電子線の照射
上記樹脂膜を幅50μmの直線パターンを有するステンシルマスクで覆い、Min−Eb Labo SCAN(USHIO製)を用いて加速電圧55[KV]で電子線を照射(1,000KGy)して、照射部がコア部、未照射部がクラッド部となる樹脂膜を得た。
2. Electron beam irradiation The resin film is covered with a stencil mask having a linear pattern with a width of 50 μm, and an electron beam is irradiated (1,000 KGy) at an acceleration voltage of 55 [KV] using Min-Eb Labo SCAN (manufactured by USHIO). Thus, a resin film was obtained in which the irradiated part was the core part and the non-irradiated part was the cladding part.
3. 光導波路の製造
上述の樹脂膜の両上下面に、側鎖にブチル基を有するノルボルネンと、側鎖にトリエトキシシリル基を有するノルボルネンとの付加重合ホモポリマー(ガラス転移温度(Tg)280℃、重量平均分子量100,000)を合成し、これで構成される厚さ50μmのクラッド層を形成して光導波路を得た。なお、クラッド層の形成は、バーコーター法で行った。
3. Production of optical waveguide On both the upper and lower surfaces of the above-mentioned resin film, an addition polymerization homopolymer of norbornene having a butyl group in the side chain and norbornene having a triethoxysilyl group in the side chain (glass transition temperature (Tg) 280 ° C., (Weight average molecular weight 100,000) was synthesized, and a clad layer having a thickness of 50 μm formed therefrom was formed to obtain an optical waveguide. The clad layer was formed by a bar coater method.
電子線照射により構造変化する側鎖を有するノルボルネン系樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
架橋反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂として、側鎖にヘキシル基を有するノルボルネン樹脂(単独付加重合体)(Tg280℃、重量平均分子量300,000)を合成し、これを用いた。
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the following norbornene-based resin having a side chain whose structure was changed by electron beam irradiation was used.
A norbornene resin having a hexyl group in the side chain (homoaddition polymer) (Tg 280 ° C., weight average molecular weight 300,000) was synthesized and used as a norbornene-based resin having a side chain that undergoes a crosslinking reaction.
電子線照射により構造変化する側鎖を有するノルボルネン系樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
架橋反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂として、アートン(開環重合体、JSR社製、Tg150℃)を用いた。
The same procedure as in Example 1 was conducted except that the following norbornene-based resin having a side chain whose structure was changed by electron beam irradiation was used.
Arton (ring-opening polymer, manufactured by JSR, Tg 150 ° C.) was used as a norbornene-based resin having a side chain that undergoes a crosslinking reaction.
電子線照射により構造変化する側鎖を有するノルボルネン系樹脂として、以下に記載の電子線照射により分解反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂を用いた以外は、実施例1と同様にした。
分解反応する側鎖を有するノルボルネン系樹脂として、ヘキサクロロイソプロピル基を有するノルボルネン樹脂(単独付加重合体)(Tg300℃、重量平均分子量1,500,000)を合成し、これを用いた。
The same procedure as in Example 1 was performed except that the norbornene-based resin having a side chain that undergoes a decomposition reaction by electron beam irradiation described below was used as the norbornene-based resin having a side chain whose structure is changed by electron beam irradiation.
A norbornene resin having a hexachloroisopropyl group (homoaddition polymer) (Tg 300 ° C., weight average molecular weight 1,500,000) was synthesized and used as a norbornene resin having a side chain that undergoes a decomposition reaction.
樹脂膜の厚さを150μmにした以外は、実施例1と同様にした。 The procedure was the same as Example 1 except that the thickness of the resin film was 150 μm.
樹脂膜の厚さを18μmにした以外は、実施例1と同様にした。 The procedure was the same as Example 1 except that the thickness of the resin film was 18 μm.
電子線照射の加速電圧を以下のようにした以外は、実施例1と同様にした。
低加速電圧型電子線照射装置アライトビーム(岩崎電気社製)を用いて、加速電圧を100(KV)とした(1,000KGy)。
The acceleration voltage of electron beam irradiation was the same as that of Example 1 except that it was changed as follows.
The acceleration voltage was set to 100 (KV) (1,000 KGy) using a low acceleration voltage type electron beam irradiation apparatus Alite beam (manufactured by Iwasaki Electric Co., Ltd.).
基板としてクラッド層として作用する以下のものを用い、クラッド層の形成を以下のようにした以外は実施例1と同様にした。
基板としてガラス基板上に、側鎖にヘキシル基を有するノルボルネン樹脂(単独付加重合体)(Tg280℃、重量平均分子量300,000)が厚さ50μmで予め形成されているものを用いた。
また、光導波路の製造にあたっては、樹脂膜の基板と反対側面のみに側鎖にヘキシル基を有するノルボルネン樹脂(単独付加重合体)(Tg280℃、重量平均分子量300,000)で構成される厚さ50μmのクラッド層を形成した。
The following was used as a clad layer as a substrate, and the same procedure as in Example 1 was performed except that the clad layer was formed as follows.
A substrate in which a norbornene resin having a hexyl group (homoaddition polymer) (Tg 280 ° C., weight average molecular weight 300,000) having a thickness of 50 μm is formed on a glass substrate in advance is used.
In the production of an optical waveguide, a thickness composed of a norbornene resin (homoaddition polymer) having a hexyl group in the side chain only on the side opposite to the substrate of the resin film (Tg 280 ° C., weight average molecular weight 300,000). A 50 μm cladding layer was formed.
クラッド層を構成する樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例1と同様にした。
ノルボルネン系樹脂としてアートン(開環重合体、JSR社製、Tg150℃)を用いた。
The same procedure as in Example 1 was performed except that the following resin was used as the cladding layer.
Arton (ring-opening polymer, manufactured by JSR, Tg 150 ° C.) was used as the norbornene-based resin.
クラッド層を構成する樹脂として以下のものを用いた以外は、実施例2と同様にした。
ノルボルネン系樹脂に変えて、エポキシ樹脂(OPTOCAST3553−HM Electoronic Materials Incorporated社製)を用いた。
0.2μmのフィルターで濾過した後、バーコーター法にて基板に塗布し、UV照射装置で1000mJ/cm2露光し、120℃で20分オーブンに入れ、熱硬化させた。得られた膜厚は50μmであった。
The same procedure as in Example 2 was performed except that the following resin was used as the cladding layer.
Instead of the norbornene-based resin, an epoxy resin (OPTOCAST3553-HM Electoronic Materials Incorporated) was used.
After filtering with a 0.2 μm filter, it was applied to the substrate by a bar coater method, exposed to 1000 mJ / cm 2 with a UV irradiation device, put in an oven at 120 ° C. for 20 minutes, and thermally cured. The film thickness obtained was 50 μm.
電子線照射により構造変化する側鎖を有するノルボルネン系樹脂として、ノルボルネン系架橋反応する側鎖と分解反応する側鎖とを有するノルボルネン系樹脂を用いた以外は、実施例1と同様にした。
架橋反応する側鎖を有するヘキシル基を有するノルボルネンと分解反応する側鎖を有するヘキサフルオロイソプロピル基を有するノルボルネンの付加重合ホモポリマー(Tg300℃、重量平均分子量1,200,000)を合成し、これを用いた。
(比較例1)
The same procedure as in Example 1 was performed except that a norbornene-based resin having a side chain that undergoes a norbornene-based crosslinking reaction and a side chain that undergoes a decomposition reaction was used as the norbornene-based resin having a side chain whose structure is changed by electron beam irradiation.
Synthesis of a norbornene having a hexyl group having a side chain that undergoes a cross-linking reaction and a norbornene addition polymer homopolymer having a hexafluoroisopropyl group having a side chain that undergoes a decomposition reaction (Tg 300 ° C., weight average molecular weight 1,200,000) Was used.
(Comparative Example 1)
樹脂膜を構成する樹脂として、ポリスチレン(G210、東洋スチレン社製、Tg100℃)を用いた以外は、実施例1と同様にした。
(比較例2)
The same procedure as in Example 1 was performed except that polystyrene (G210, manufactured by Toyo Styrene Co., Ltd., Tg 100 ° C.) was used as the resin constituting the resin film.
(Comparative Example 2)
基板としてクラッド層として作用する以下のものを用い、クラッド層の形成を以下のようにした。基板として、ガラス基板上に側鎖にブチル基を有するノルボルネンと、側鎖にトリエトキシシリル基を有するノルボルネンとの付加重合ホモポリマー(ガラス転移温度(Tg)280℃、重量平均分子量100,000)が厚さ50μmで予め形成されているものを用いた。
上記基板上に側鎖にヘキシル基を有するノルボルネン樹脂(単独付加重合体)(Tg280℃、重量平均分子量300,000)で構成される厚さ50μmのコア層をバーコーター法にて形成した。前記コア層上に膜厚0.3μmのアルミニウム層を蒸着し、マスク層を形成した。さらに、前記アルミニウム層上にポジ型フォトレジスト(ジアゾナフトキノン−ノボラック樹脂系、東京応化社製、OFPR−800)をスピンコート法により塗布した後約95℃でプリベークを行った。次に、パターン形成用のフォトマスク(Ti)を配置し、超高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射した後、ポジ型レジスト用現像液(TMAH:テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、東京応化社製、NMD−3)を用いて現像した。その後、135℃でポストベークを行った。これにより線幅8μmを有する直線状のレジストパターンが得られた。次に、アルミニウム層のウエットエッチングを行い、レジストパターンをアルミニウム層に転写した。更に、パターニングされたアルミニウム層をマスクとして、コア層をドライエッチングにより加工した。次に、アルミニウム層をエッチング液で除去した。その上から、上部クラッド層として、下部クラッド層と同様の側鎖にブチル基を有するノルボルネンと、側鎖にトリエトキシシリル基を有するノルボルネンとの付加重合ホモポリマー(Tg280℃、重量平均分子量100,000)を用い、厚さ50μmで形成して光導波路を得た。
The following was used as a clad layer as a substrate, and the clad layer was formed as follows. As a substrate, an addition polymerization homopolymer of norbornene having a butyl group in the side chain and norbornene having a triethoxysilyl group in the side chain on a glass substrate (glass transition temperature (Tg) 280 ° C., weight average molecular weight 100,000) Was previously formed with a thickness of 50 μm.
A 50 μm thick core layer composed of a norbornene resin (homoaddition polymer) having a hexyl group in the side chain (Tg 280 ° C., weight average molecular weight 300,000) was formed on the substrate by a bar coater method. An aluminum layer having a thickness of 0.3 μm was deposited on the core layer to form a mask layer. Further, a positive photoresist (diazonaphthoquinone-novolak resin system, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., OFPR-800) was applied on the aluminum layer by spin coating, and then prebaked at about 95 ° C. Next, a photomask (Ti) for pattern formation is placed, and after irradiation with ultraviolet rays using an ultrahigh pressure mercury lamp, a positive resist developer (TMAH: tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Development was performed using NMD-3). Thereafter, post-baking was performed at 135 ° C. As a result, a linear resist pattern having a line width of 8 μm was obtained. Next, the aluminum layer was wet etched to transfer the resist pattern to the aluminum layer. Further, the core layer was processed by dry etching using the patterned aluminum layer as a mask. Next, the aluminum layer was removed with an etching solution. From above, as an upper clad layer, an addition polymerization homopolymer (Tg 280 ° C., weight average molecular weight 100, with norbornene having a butyl group in the side chain and a norbornene having a triethoxysilyl group in the side chain similar to the lower clad layer. 000) to form an optical waveguide having a thickness of 50 μm.
各実施例および比較例で得られた樹脂膜および光導波路について、以下の評価を行った。評価項目を、評価方法と共に示す。得られた結果を表1に示す。 The following evaluation was performed about the resin film and optical waveguide obtained by each Example and the comparative example. The evaluation items are shown together with the evaluation method. The obtained results are shown in Table 1.
1.光導波路のガラス転移温度(Tg)
光導波路のTgは、TMA(セイコーインスツルメント社製 TMA/SS120C)を用いて引張りモード(昇温速度5℃/分)で評価した。
1. Glass transition temperature (Tg) of optical waveguide
The Tg of the optical waveguide was evaluated in a tensile mode (temperature increase rate: 5 ° C./min) using TMA (TMA / SS120C manufactured by Seiko Instruments Inc.).
2.コア部とクラッド部との屈折率差
樹脂膜のコア部とクラッド部との屈折率を、プリズムカップリング法(メトリコン社製モデル2010プリズムカプラー)で評価した。各々の屈折率から以下の式に基づいて屈折率差を評価した。
屈折率差(%)=(コア部の屈折率/クラッド部の屈折率−1)×100
2. Refractive index difference between the core and the cladding The refractive index between the core and the cladding of the resin film was evaluated by a prism coupling method (Model 2010 prism coupler manufactured by Metricon). The refractive index difference was evaluated from each refractive index based on the following formula.
Refractive index difference (%) = (refractive index of core / refractive index of cladding-1) × 100
3.光導波路の機械強度
光導波路の機械強度は、引張強度をJIS−K7127に準じて評価した。
3. Mechanical strength of optical waveguide The mechanical strength of the optical waveguide was evaluated according to JIS-K7127 for tensile strength.
4.光導波路の可とう性
光導波路の可とう性は、引張伸度をJIS−K7127に準じて評価した。
4). Flexibility of Optical Waveguide The flexibility of the optical waveguide was evaluated based on the tensile elongation according to JIS-K7127.
5.光導波路の透明性
光導波路の透明性を、紫外・可視・赤外分光光度計(島津製作所社製 UV−3100)を用い、透過率を測定し、評価した。
5). Transparency of Optical Waveguide The transparency of the optical waveguide was evaluated by measuring the transmittance using an ultraviolet / visible / infrared spectrophotometer (UV-3100 manufactured by Shimadzu Corporation).
6.光導波路の光損失
光損失は、一個の光導波路を切断することにより長さを変えて測定する方法、いわゆるカットバック法で評価した。前記方法を具体的に説明すると、1個のある長さの光導波路の両端に光ファイバーを接合し、その一方から光を挿入する。その時の伝送光量を測定し、さらに光導波路を切断して長さを短縮し、再び伝送光量を測定する。切断前後の長さをL1、L2[cm]、伝送光量をP1、P2とすれば、光損失はα=|10log(P1/P2)/(L1−L2)|[dB/cm]と表される。実際には複数回の切断を行い、logP対Lのグラフの傾きから光損失αを求めた。
6). Optical loss of optical waveguide The optical loss was evaluated by a method of measuring a length by cutting a single optical waveguide, that is, a so-called cutback method. The above method will be described in detail. An optical fiber is joined to both ends of one optical waveguide having a certain length, and light is inserted from one of the optical fibers. At that time, the amount of transmitted light is measured, and the optical waveguide is cut to shorten the length, and the amount of transmitted light is measured again. If the length before and after cutting is L 1 , L 2 [cm], and the amount of transmitted light is P 1 and P 2 , the optical loss is α = | 10 log (P 1 / P 2 ) / (L 1 −L 2 ) | It is expressed as [dB / cm]. Actually, cutting was performed a plurality of times, and the optical loss α was obtained from the slope of the log P vs. L graph.
7.光導波路の生産性
生産性は、比較例2で得られた光導波路の生産工数を基準(100)として、各実施例および比較例の生産工数を評価した。
7). Productivity of optical waveguide The productivity was evaluated based on the production man-hour of the optical waveguide obtained in Comparative Example 2 as a reference (100).
表1から明らかなように実施例1〜11は、生産性に優れ、かつ光損失が低かった。
また、実施例1〜11は、透明性、強度および可とう性にも優れていた。
また、実施例1、2、4〜8および11は、ガラス転移温度も高く、耐熱性にも優れていることが示された。
As apparent from Table 1, Examples 1 to 11 were excellent in productivity and low in optical loss.
Examples 1 to 11 were also excellent in transparency, strength and flexibility.
In addition, Examples 1, 2, 4 to 8 and 11 were shown to have a high glass transition temperature and excellent heat resistance.
1 基板
2 樹脂膜
21 コア部
22 クラッド部
3 第1のクラッド層
4 第2のクラッド層
10 光導波路
11 電子線
12 マスキング
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board |
Claims (14)
前記ノルボルネン系樹脂は、電子線の照射により構造変化する側鎖を有することを特徴とする光導波路の製造方法。 A method for producing an optical waveguide comprising a step of irradiating an electron beam onto a resin film composed of a resin composition containing a norbornene-based resin to form an optical waveguide,
The method of manufacturing an optical waveguide, wherein the norbornene-based resin has a side chain whose structure is changed by irradiation with an electron beam.
前記ノルボルネン系樹脂は、電子線の照射により架橋反応する側鎖を有することを特徴とする光導波路の製造方法。 A resin film composed of a resin composition containing a norbornene resin is irradiated with an electron beam in a predetermined pattern to crosslink the irradiated part of the resin film, and a difference in refractive index between the irradiated part and the unirradiated part is given. A method of manufacturing an optical waveguide having a step of forming an optical waveguide by providing,
The method of manufacturing an optical waveguide, wherein the norbornene-based resin has a side chain that undergoes a crosslinking reaction upon irradiation with an electron beam.
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