JP2005127750A - 半導体センサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加速度を検出する半導体センサチップ1と、矩形板状の信号処理用ICチップ2と、矩形板状のパッケージチップ3とを備える。パッケージチップ3は、厚み方向の一面に半導体センサチップ1を収納する凹所3aが形成され、配線33が厚み方向に貫設されている。信号処理用ICチップ2とパッケージチップ3とは同じチップサイズとしてあり、信号処理用ICチップ2がパッド21の形成された主表面をパッケージチップ3の上記一面に対向させた形でパッケージチップ3に実装されている。半導体センサチップ1がパッド15の形成された主表面を信号処理用ICチップ2の主表面に対向させた形で信号処理用ICチップ2に実装されている。
【選択図】 図1
Description
本実施形態では半導体センサの一例として、図1および図2に示す構成の半導体加速度センサAを例示する。本実施形態の半導体加速度センサAは、シリコン基板をマイクロマシンニング技術により3次元加工することにより形成され力学的物理量(本実施形態では、加速度)を検出する半導体センサチップ1と、半導体センサチップ1の出力信号を信号処理する信号処理用ICチップ2と、絶縁性を有するアルカリ系ガラス基板からなるパッケージ用のパッケージチップ3とを備えている。
本実施形態では、半導体センサとして図5および図6に示す構成の半導体加速度センサAを例示する。本実施形態の半導体加速度センサAの基本構成は実施形態1と略同じであり、パッケージチップ3にパッド31,32や配線33を設ける代わりに、図5および図6に示すように、信号処理用ICチップ2の裏面(図6(a)の下面)側に外部接続用電極としてのパッド22を形成するとともに、主表面側に形成されたパッド21と裏面側に形成されたパッド22とを電気的に接続する導電性材料(例えば、金属材料など)からなる配線(貫通配線)23を厚み方向に貫設している点などが相違する。また、パッド22上(図6(a)の下側)には金属材料からなるバンプ25が形成されている。ここにおいて、信号処理用ICチップ2は、厚み方向の両面および貫通孔の内周面に絶縁膜(例えば、シリコン酸化膜など)24を形成して、配線23間およびパッド22間を電気的に絶縁してある。また、パッケージチップ3と信号処理用ICチップ2とは、陽極接合法により接合されているが、陽極接合法に限らず、例えば、接着剤を用いて接合してもよいし、表面活性化接合法により接合するようにしてもよい。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
1 半導体センサチップ
2 信号処理用ICチップ
3 パッケージチップ
3a 凹所
15 パッド
21 パッド
33 配線
Claims (5)
- 力学的物理量を検出する半導体センサチップと、半導体センサチップの出力信号を信号処理する信号処理用ICチップと、板状であって厚み方向の一面に半導体センサチップを収納する凹所が形成されたパッケージチップとを備え、信号処理用ICチップのチップサイズが凹所の開口面よりも大きく、信号処理用ICチップが当該信号処理用ICチップのパッドの形成された主表面をパッケージチップの前記一面に対向させた形でパッケージチップに実装されるとともに、半導体センサチップが当該半導体センサチップのパッドが形成された主表面を信号処理用ICチップの主表面に対向させた形で信号処理用ICチップに実装されてなることを特徴とする半導体センサ。
- 前記パッケージチップは、前記厚み方向の他面に外部接続用電極が形成され、前記信号処理用ICチップの前記パッドと電気的に接続された電極端子と外部接続用電極とを電気的に接続する配線が前記厚み方向に貫設されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体センサ。
- 前記信号処理用ICチップは、裏面側に外部接続用電極が形成され、前記信号処理用ICチップの前記パッドと外部接続用電極とを電気的に接続する配線が厚み方向に貫設されてなることを特徴とする請求項1記載の半導体センサ。
- 前記信号処理用ICチップのチップサイズを前記パッケージチップのチップサイズに合わせてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体センサ。
- 請求項4記載の半導体センサの製造方法であって、多数の信号処理用ICチップを形成する第1のウェハにおける信号処理用ICチップの配列ピッチと多数のパッケージチップを形成する第2のウェハにおけるパッケージチップの配列ピッチとを同一ピッチとし、多数の信号処理用ICチップを形成した第1のウェハにおける各信号処理用ICチップそれぞれに対して個々の半導体センサチップを実装する実装工程と、実装工程の後で第1のウェハと第2のウェハとを貼り合わた貼り合わせウェハを形成する貼り合わせ工程と、貼り合わせウェハをそれぞれ半導体センサとなる個々のチップに分割する分割工程とを備えることを特徴とする半導体センサの製造方法。
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