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JP2005122183A - エレクトロルミネセンス表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 ＥＬ表示装置において、一定の大きさの基板上に形成される画像表示部の面積を最大化させる。
【解決手段】
ＥＬ表示装置は、基板１１０と、前記基板上に形成されるゲートラインとデータラインの交差した領域ごとに配列された画素１２８を持つＥＬ表示部と、前記ＥＬ表示部の左側に隣接した前記基板上の左側領域に形成されて前記ゲートラインの中の奇数番目のゲートラインを駆動する第１ゲートドライバ１２２aと、前記ＥＬ表示部の右側に隣接した前記基板上の右側領域に形成されて前記ゲートラインの中の偶数番目のゲートラインを駆動する第２ゲートドライバ１２２bと、前記ＥＬ表示部の上側及び下側のいずれかに隣接した前記基板上に形成されて前記データラインを駆動するデータドライバ１２４と、を備える。
【選択図】 図３

Description

本発明はエレクトロルミネセンス表示装置に関するもので、特に一定の大きさの基板上に形成される画像表示部の面積を最大化させることができるようにしたエレクトロルミネセンス表示装置に関するものである。
陰極線管(Cathode Ray Tube)の短所である重さと嵩を減らすことができる各種平板表示装置（フラットパネルディスプレイ装置）が注目をあびている。このような平板表示装置としては、液晶表示装置(Liquid Crystal Display)、電界放出表示装置(Field Emission Display)、プラズマ表示パネル(Plasma Display Panel)及びエレクトロルミネセンス(Electro-Luminescence : 以下, "EL"という)表示装置などがある。
これらの中でEL表示装置は、電子と正孔の再結合で螢光体を発光させる自発光素子であり、螢光体として無機化合物を使う無機EL表示装置と有機化合物を使う有機EL表示装置に大別される。このようなEL表示装置は、低電圧駆動、自分発光、薄膜型、広い視野角、早い回答速度、高いコントラストなどの多くの長所を持っていて、次世代表示装置として期待されている。
有機EL素子は、通常、陰極と陽極の間に積層された電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層から構成される。このような有機EL素子では、陽極と陰極の間に所定の電圧を印加する場合、陰極から発生された電子が電子注入層及び電子輸送層を通じて発光層の方に移動して、陽極から発生された正孔が正孔注入層及び正孔輸送層を通じて発光層の方に移動する。これによって、発光層では電子輸送層と正孔輸送層から供給されられた電子と正孔が再結合することによって光を放出するようになる。
図１を参照すると、従来のEL表示装置は基板１０と、ゲートライン(GL)とデータライン(DL)の交差で画定された領域ごとに配列された画素２８を含むEL表示部１２と、基板１０上の一側に形成されてEL表示部１２のゲートライン(GL)を駆動するゲートドライバ２２と、基板１０上の下端に形成されてEL表示部１２のデータライン(DL)を駆動するデータドライバ２４と、を具備する。
画素２８のそれぞれは、ゲートライン(GL)にゲートパルスが供給される時、データライン(DL)からのデータ信号を供給受けてそのデータ信号に相応する光を発生するようになる。このような、画素２８から構成されるEL表示部１２は解像度によって一定の面積及び幅(W１)を持つように基板１０上に形成される。
ゲートドライバ２２はEL表示部１２の一側に所定の距離を置いて基板１０上に形成されてゲートライン(GL)のそれぞれに接続される。このような、ゲートドライバ２２はゲートライン(GL)にゲートパルスを供給してゲートライン(SL)を順次的に駆動するようになる。この時、ゲートドライバ２２は図２に図示されたところのようにゲートライン(GL)のそれぞれを駆動するための多数のゲートシフトレジスター２３により、所定の幅(GW)を持つように形成される。
多数のゲートシフトレジスター２３のそれぞれは、入力されるクロック信号(CLK)につれて外部から入力端子(IN)に入力されるスタートパルス(SP)をシフトさせてゲートパルスを生成して、出力端子(OUT)を通じて生成されたゲートパルスをゲートライン(GL)に供給するようになる。この時、多数のゲートシフトレジスタ２３のそれぞれはスタートパルス(SP)をシフトさせてゲートパルスを生成するための図示しない多数の薄膜トランジスタを含む回路素子から構成される。このような、多数のゲートシフトレジスタ２３のそれぞれの回路素子は、隣接したゲートライン(GL)の間の間隔により水平方向に長く、すなわち直四角形形態の面積を持つように形成される。すなわち、多数のゲートシフトレジスタ２３のそれぞれの回路素子は引接したゲートライン(GL)の間隔が狭いからゲートライン(GL)のそれぞれの側方空間にだけ形成される。これによって、ゲートドライバ２２の幅(GW)は一つのゲートライン(GL)を駆動するゲートシフトレジスタ２３の回路素子により X軸方向に長くなるようになる。
データドライバ２４は、EL表示部１２の下側に所定の距離を置いてデータライン(DL)のそれぞれに接続される。このような、データドライバ２４は外部から入力されたデジタルデータ信号をガンマ電圧を利用してアナログデータ信号に変換する。及びデータドライバ２４はアナログデータ信号をゲートパルスが供給される度にデータライン(DL)に供給する。
また、EL表示装置は、EL表示部１２を酸素及び水気から保護するために基板１０と結合される図示しないパッケージング板を具備する。このような、パッケージング板と基板１０を結合するために、ゲートドライバ２２とデータドライバ２４及びEL表示部１２の外側には、定の幅(SW)を持つシーリング剤２０が塗布される。
一方、従来のEL表示装置は製造工程の時、工程マージンを確保するために、ゲートドライバ２２とEL表示部１２の間の第１ギャップ(G１)と、ゲートドライバ２２とシーリング剤３０の間の第２ギャップ(G２)と、EL表示装置を基板１０上から分離するためのスクライビングラインとシーリング剤３０の間の第３ギャップ(G３)と、を含む。また、EL表示装置は完成された EL表示装置のEL表示部１２が、基板１０の中央部に位置するように、EL表示部１２とシーリング剤３０の間(ゲートドライバ２２が形成されないEL表示部１２の右側とシーリング剤３０)に用意されるダミー空間６２をさらに具備する。ダミー空間６２の幅は、ゲートドライバ２２の幅(GW)、第１及び第２ギャップ(G１, G２)と対応される。
したがって、従来のEL表示装置は、EL表示部１２の解像度によって基板１０上に一定の大きさに形成されるから、ゲートドライバ２２の幅(GW)、第１乃至第３ギャップ(G１, G２, G３)と、ダミー空間６２により、EL表示部１２の面積を増加させることができない。また、従来のEL表示装置は一定の解像度を持つEL表示部１２の面積を増加させる場合、基板１０の大きさを増加させなければならない。
一方、従来のEL表示装置は一定の基板１０上に形成されるEL表示部１２の解像度を増加させる場合、ゲートドライバ２２の幅(GW)が増加することによって基板１０の大きさを増加させなければならない問題点がある。
したがって、本発明の目的は、一定の大きさの基板上に形成される画像表示部の面積を最大化させることができるようにしたエレクトロルミネセンス表示装置を提供するのにある。
上記目的を達成するために、本発明のエレクトロルミネセンス表示装置は基板と、前記基板上に形成されるゲートラインとデータラインの交差で画定された領域ごとに配列されられた画素を持つエレクトロルミネセンス表示部と、前記エレクトロルミネセンス表示部の左側に隣接した前記基板上の左側領域に形成されて、前記ゲートラインの中の奇数番目のゲートラインを駆動する第１ゲートドライバと、前記エレクトロルミネセンス表示部の右側に隣接した前記基板上の右側領域に形成されて前記ゲートラインの中の偶数番目のゲートラインを駆動する第２ゲートドライバと、前記エレクトロルミネセンス表示部の上側及び下側の中からいずれかに隣接した前記基板上に形成されて前記データラインを駆動するデータドライバと、を具備することを特徴とする。
前記エレクトロルミネセンス表示装置は、前記ゲートドライバ、前記エレクトロルミネセンス表示部及び前記データドライバの外側に塗布されるシーリング剤を具備することを特徴とする。
前記エレクトロルミネセンス表示装置において、前記第１及び第２ゲートドライバのそれぞれは、スタートパルスを順次的にシフトさせて、前記ゲートラインを順次的に駆動させるためのゲートパルスを生成する多数のシフトレジスタを具備することを特徴とする。
前記エレクトロルミネセンス表示装置において、前記第１ゲートドライバのシフトレジスタのそれぞれは、前記奇数のゲートラインの側方空間と、その上または下に配置された偶数のゲートラインの側方空間に形成される回路素子を含むことを特徴とする。
前記エレクトロルミネセンス表示装置において、前記第２ゲートドライバのシフトレジスタのそれぞれは前記偶数のゲートラインの側方空間と、その上または下に配置された奇数のゲートラインの側方空間に形成される回路素子を、含むことを特徴とする。
上述したように、本発明のエレクトロルミネセンス表示装置は、ゲートドライバをエレクトロルミネセンス表示部の左側及び右側に形成することによって、エレクトロルミネセンス表示部の幅を増加させることができる。したがって、本発明は解像度によって、一定の大きさを持つ基板上に形成されるエレクトロルミネセンス表示部の面積を最大化させることができる。
以下、本発明の望ましい実施の形態を、図３乃至図８を参照して説明する。
図３において本発明のエレクトロルミネセンス(Electro-Luminescence : 以下, ELという)表示装置は、基板１１０と、ゲートライン(GL)とデータライン(DL)の交差で画定された領域ごとに、配列された画素１２８を含むEL表示部１１２と、基板１１０上の左側領域に形成されてゲートライン(GL)中の奇数番目のゲートライン(GL１, GL３乃至GLn-１)を駆動する第１ゲートドライバ(１２２a)と、基板１１０上の右側領域に形成されてゲートライン(GL)中の偶数番目のゲートライン(GL２, GL４乃至GLn)を駆動する第２ゲートドライバ(１２２b)と、基板１１０上の下端に形成されてEL表示部１１２のデータライン(DL)を駆動するデータドライバ１２４と、を具備する。
画素１２８のそれぞれは、陰極であるゲートライン(GL)にゲート信号が印加される時に選択されて陽極であるデータライン(DL)に供給される画素信号、すなわち電流信号に相応する光を発生する。
さらに、具体的に画素１２８のそれぞれは、等価的にデータライン(DL)とゲートライン(GL)の間に接続されたダイオードとして表現される。このような画素１２８のそれぞれは、ゲートライン(GL)にゲート信号がイネーブルになる時に駆動されて、データライン(DL)上のデータ信号の大きさに相応する光を発生する。
このために、画素１２８のそれぞれは、図４に図示されるように電圧供給ライン(VDD)と、供給電圧ライン(VDD)と基底電圧源(GND)の間に接続された発光セル(OEL)と、データライン(DL)とゲートライン(GL)のそれぞれから供給される駆動信号につれて発光セル(OEL)を駆動させるための発光セルの駆動回路１３５と、を具備する。
発光セル(OEL)は、図示しない陰極と陽極の間に積層された電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層を具備する。このような、発光セル(OEL)は、透明電極である陽極と金属電極である陰極の間に電圧を印加すると、陰極から発生された電子が電子注入層及び電子輸送層を通じて発光層の方に移動して、陽極から発生された正孔が正孔注入層及び正孔輸送層を通じて発光層の方に移動する。これによって、発光層においては電子輸送層と正孔輸送層から供給されられた電子と正孔が衝突して再結合することによって光が発生し、この光は透明電極である陽極を通じて外部に放出されて画像が表示される。
発光セルの駆動回路１３５は、ゲートライン(GL)とデータライン(DL)の間に接続されたスイッチング用薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor ; 以下 "TFT"という)(T１)と、第1スイッチング用TFT(T１)と発光セル(OEL)の間に接続された駆動用TFT(T２)と、スイッチング用TFT(T１)と駆動用 TFT(T２)の間の第１ノード(n１)と電圧供給ライン(VDD)に接続された駆動用 TFT(T２)のソース端子の間に接続されたキャパシタ(Cst)と、を具備する。
スイッチング用TFT(T１)のゲート端子は、ゲートライン(GL)に接続され、ソース端子はデータライン(DL)に接続され、ドレイン端子は第１ノード(n１)を経由して駆動用薄膜トランジスタ(T２)のゲート端子に接続される。このような、スイッチング用TFT(T１)はゲートライン(GL)にゲートパルスが供給されると、ターン-オンされてデータライン(DL)に供給されたデータ信号を第１ノード(n１)に供給する。第１ノード(n１)に供給されたデータ信号は、キャパシタ(Cst)に充電されると同時に駆動用TFT(T２)のゲート端子に供給される。
駆動用TFT(T２)のゲート端子は、第１ノード(n１)を経由してスイッチング用TFT(T１)のドレイン端子に接続され、ドレイン端子は、発光セル(OEL)に接続される。このような、駆動用TFT(T２)はゲート端子に供給されるデータ信号に応答して電圧供給ライン(VDD)から発光セル(OEL)に供給される電流量を制御することによって発光セル(OEL)の発光量を調節する。そして、スイッチング用TFT(T１)がターン-オフされても、キャパシタ(Cst)でデータ信号が放電するので、駆動用TFT(T２)は次のフレームのデータ信号が供給されるまで、電圧供給ライン(VDD)からの電流を発光セル(OEL)に供給して、発光セル(OEL)が発光を維持する。
一方、画素２８のそれぞれは、図５に図示されるように、４個の TFT(DT, MT, ST1, ST2)から構成された発光セル駆動回路２３５から構成することができる。
さらに、発光セル駆動回路２３５は電圧供給ライン(VDD)と発光セル(OEL)の間に接続された駆動TFT(DT)と、ゲートライン(GL)とデータライン(DL)に接続された第１スイッチングTFT(ST１)と、第１スイッチング TFT(ST１)とゲートライン(GL)に接続された第２スイッチングTFT(ST２)と、第１及び第２スイッチングTFT(ST１, ST２)の間の第１ノード(n１)と電圧供給ライン(VDD)の間に接続されて駆動TFT(DT)と電流ミラー(Current Mirror)回路を形成して電流を電圧に変換する変換TFT(MT)と、駆動 TFT(DT)と変換TFT(MT)のそれぞれのゲート端子の間の第２ノード(n２)と電圧供給ライン(VDD)の間に接続されたキャパシタ(Cst)と、を具備する。ここで、TFTはPタイプ電子金属酸化膜半導体電界效果トランジスタ(MOSFET, Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である。
駆動TFT(DT)のゲート端子は、変換TFT(MT)のゲート端子に接続され、ソース端子は、電圧供給ライン(VDD)に接続されると同時に、ドレイン端子は発光セル(OEL)に接続される。
変換TFT(MT)のソース端子は、電圧供給ライン(VDD)に接続され、ドレイン端子は、第１スイッチングTFT(ST１)のドレイン端子と第２スイッチング TFT(ST２)のソース端子に接続される。第１スイッチングTFT(ST１)のソース端子は、データライン(DL)に接続されてドレイン端子は第２スイッチング TFT(ST２)のソース端子に接続される。第２スイッチングTFT(ST２)のドレイン端子は、駆動TFT(DT)及び変換TFT(MT)のそれぞれのゲート端子及びキャパシタ(Cst)に接続される。第１及び第２スイッチングTFT(ST１, ST２)のそれぞれのゲート端子は、ゲートライン(GL)に接続される。一方、変換TFT(MT)と駆動TFT(DT)は電流ミラー回路を形成するように隣接されるように形成されるから、同一な特性を持つことと仮定する場合、変換TFT(MT)と駆動TFT(DT)を同一な大きさに形成すると、変換TFT(MT)と駆動TFT(DT)に流れる電流の量は同一になる。
上記発光セル駆動回路２３５の駆動を説明すると、次のようである。まず、ゲートライン(GL)にオン(ON)状態のゲートパルスが供給されると、第１及び第２スイッチングTFT(ST１, ST２)がターン-オンされる。第１及び第２スイッチングTFT(ST１, ST２)がターン-オンされることによって、データライン(DL)から第１及び第２スイッチングTFT(ST１, ST２)を経由して供給されるデータ信号により、駆動TFT(DT)及び変換TFT(MT)のそれぞれはターン-オンされる。これによって、駆動TFT(DT)は自分のゲート端子に供給されるデータ信号につれて、電圧供給ライン(VDD)から供給される自分のソース端子とドレイン端子間の電流を調節して、発光セル(OEL)に供給することによって、発光セル(OEL)をデータ信号に対応される明るさに発光させるようになる。
反対に、ゲートライン(GL)にオフ(OFF)状態のゲートパルスが供給されると、第１及び第２スイッチングTFT(ST１, ST２)がターン-オフされる。第 １及び第２スイッチングTFT(ST１, ST２)がターン-オフされることによって、キャパシタ(Cst)は保存された電圧を利用して、駆動TFT(DT)を駆動させるようになる。これによって、駆動TFT(DT)は次のフレームのデータ信号が供給されるまで電圧供給ライン(VDD)からの電流を発光セル(OEL)に供給して発光セル(OEL)が発光を維持するようにする。
上記画素１２８から構成されるEL表示部１１２は、解像度によって一定の面積及び幅(W２)を持つように基板１１０上に形成される。
第１ゲートドライバ(１２２a)は、EL表示部１１２の一側に所定の距離を置いて基板１１０上の左側領域に形成され、ゲートライン(GL)中の奇数番目のゲートライン(GL１, GL２乃至GLn-１)のそれぞれに接続される。このような、第１ゲートドライバ(１２２a)は、奇数番目のゲートライン(GL１, GL２乃至GLn-１)にゲートパルスを供給し、ゲートライン(SL)を順次的に駆動する。この時、第１ゲートドライバ(１２２a)は、図６に図示されるように、奇数番目のゲートライン(GL１, GL２乃至GLn-１)のそれぞれを駆動するための多数のゲートシフトレジスタ１２３により、所定の幅(GW)を持つように形成される。
第１ゲートドライバ(１２２a)のゲートシフトレジスタ１２３のそれぞれは、入力されるクロック信号(CLK)につれて外部から入力端子(IN)に入力されるスタートパルス(SP)をシフトさせてゲートパルスを生成して、出力端子(OUT)を通じて生成されたゲートパルスをゲートライン(GL)に供給する。このために、第１ゲートドライバ(１２２a)のゲートシフトレジスタ１２３のそれぞれは、スタートパルス(SP)をシフトさせて、ゲートパルスを生成するための図示しない多数の薄膜トランジスタを含む回路素子から構成される。これによって、第１ゲートドライバ(１２２a)の幅(GW)は、一つのゲートライン(GL)を駆動するために、多数のゲートシフトレジスタ１２３を構成する薄膜トランジスタの個数によって決まる。この時、多数の薄膜トランジスタは隣接した奇数番目のゲートライン(GL１, GL２乃至GLn-１)の間の距離が、従来より広い(従来の２倍)直四角形形態から正四角形形態に形成される。例えば、従来、多数の薄膜トランジスタがX軸方向で構成されたら、本発明は多数の薄膜トランジスタがX軸及びY軸方向で構成される。言い換えれば、第１ゲートドライバ(１２２a)のゲートシフトレジスタのそれぞれの回路素子は、奇数番目のゲートライン(GL１, GL２乃至GLn-１)の側方空間と、その上または下に配置された偶数のゲートライン(GL２, GL４乃至GLn)の側方空間に形成される。これによって、多数のゲートシフトレジスタ１２３のそれぞれが形成された領域の面積は、従来のゲートシフトレジスタと同一な反面に、幅は減少するようになる。
したがって、第１ゲートドライバ(１２２a)の幅(GW)は、従来のゲートドライバの幅より減少するようになる。例えば、第１ゲートドライバ(１２２a)の幅は、n個のゲートライン(GL)中、半分のゲートライン(GL)を駆動するから、従来のゲートドライバの幅より半分程度減少される。
第２ゲートドライバ(１２２b)は、EL表示部１１２の一側に所定の距離を置いて基板１１０上の右側領域に形成され、ゲートライン(GL)中の偶数番目のゲートライン(GL２, GL４乃至GLn)のそれぞれに接続される。言い換えれば、第２ゲートドライバ(１２２b)は、従来のEL表示装置の基板上に用意されたダミー空間上に形成される。このような、第２ゲートドライバ(１２２b)は、偶数番目のゲートライン(GL２, GL４乃至GLn)にゲートパルスを供給して、ゲートライン(SL)を順次的に駆動する。この時、第２ゲートドライバ(１２２b)は、前述の第１ゲートドライバ(１２２a)と同一な構成を持つので、それに対する説明を第１ゲートドライバ(１２２a)の説明で代わりをする事にする。
データドライバ１２４は、EL表示部１１２の下側に所定の距離を置いてデータライン(DL)のそれぞれに接続される。データドライバ１２４は、外部から入力されたデジタルデータ信号を、ガンマ電圧を利用してアナログデータ信号に変換する。及び、データドライバ１２４は、アナログデータ信号をゲートパルスが供給される度に、データライン(DL)に供給するようになる。
また、EL表示装置は、EL表示部１１２を酸素及び水気から保護するために基板１１０と合着される図示しないパッケージング板を具備する。このような、パッケージング板と基板１１０を結合するために、ゲートドライバ１２２とデータドライバ１２４及びEL表示部１１２の外側に、所定の幅(SW)を持つシーリング剤１３０が塗布される。
一方、本発明のEL表示装置は、製造工程の時に工程マージンを確保するために、第１ゲートドライバ(１２２a)とEL表示部１１２の間の第１ギャップ(G１)と、第１ゲートドライバ(１２２a)とシーリング剤１３０の間の第２ギャップ(G２)と、EL表示装置を基板１１０上に分離するためのスクライビングラインとシーリング剤１３０の間の第３ギャップ(G３)を含む。このような、第１乃至第３ギャップ(G１, G２, G３)及びシーリング剤１３０の幅(SW)は従来のEL表示装置と同一になる。
このような、本発明のEL表示装置は、ゲートドライバを半分に分けて、EL表示部１１２を中心に基板１１０上の左側及び右側領域にそれぞれ形成する。これによって、本発明のEL表示装置は、従来のゲートドライバより小さな幅(GW)を持つ第１ゲートドライバ(１２２a)により、従来よりも減少したゲートドライバの幅位を、EL表示部１１２の幅(W２)を左側に増加させることができるだけでなく、第１ゲートドライバ(１２２b)の幅(GW)程度に、EL表示部１１２の幅(W２)を、従来のEL表示装置のダミー空間の方に増加させることができる。したがって、本発明のEL表示部１１２と従来の EL表示部を同一な大きさの基板１１０上に形成する場合、本発明のEL表示部１１２の幅(W２)は、従来のEL表示部の幅(W１)より増加される。結果的に、本発明のEL表示装置は、基板１１０の大きさを増加させない範囲内で 、EL表示部１１２の左右側幅(W２)を増加させ、EL表示部１１２の面積を最大に増加させることができる。
一方、本発明のEL表示装置のデータドライバ１２４は、図７に図示されるように、EL表示部１１２の上側(上端)に形成することができる。
また、本発明のEL表示装置のデータドライバ１２４は、図８に図示されるように、表示部外の基板１１０上の上側及び下側領域に形成される第１及び第２データドライバ(１２４a)を具備することができる。
第１データドライバ(１２４a)は、基板１１０上の上側領域に形成され、データライン(DL)の中に奇数番目のデータライン(DL１, DL３, 乃至DLn-１)を駆動して、一方、第２データドライバ(１２４b)は、基板１１０上の下側領域に形成され、データライン(DL)中の偶数番目のデータライン(DL２, DL４, 乃至DLn)を駆動する。
以上説明した内容を通じて当業者であれば、本発明の技術思想を一脱しない範囲で多様な変更及び修正ができる。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるのではなく特許請求の範囲により決められなければならない。
従来のエレクトロルミネセンスパネルを示す平面図である。 図１に図示されたゲートドライバのシフトレジスタを示す図面である。 本発明の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置を示す平面図である。 図３に示された２個の薄膜トランジスタから構成される画素を、等価的に示す回路図である。 図３に示された４個の薄膜トランジスタから構成される画素を、等価的に示す回路図である。 図３に示された第１及び第２ゲートドライバのシフトレジスタを示す図面である。 本発明の他の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置を示す平面図である。 本発明の他の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置を示す平面図である。
符号の説明
１０、１１０:基板
１２、１１２:EL表示部
２２、１２２a、１２２b:ゲートドライバ
２３、１２３:シフトレジスタ
２４、１２４:データドライバ
２８、１２８:画素
３０、１３０:シーリング剤
６２:ダミー空間
１３５、２３５:発光セル駆動回路


Claims (20)

  1. 基板と、前記基板上に形成されるゲートラインとデータラインの交差で画定された領域ごとに配列された画素を持つエレクトロルミネセンス表示部と、前記エレクトロルミネセンス表示部外の左側に形成されて前記ゲートラインの中から一部ゲートラインを駆動する第１ゲートドライバと、前記エレクトロルミネセンス表示部外の右側に形成されて前記ゲートラインの中から前記一部ゲートラインを除いた他のゲートラインを駆動する第２ゲートドライバと、前記エレクトロルミネセンス表示部外の上側及び下側の中からいずれかに形成されて前記データラインを駆動するデータドライバと、を具備することを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
  2. 前記ゲートドライバ、前記エレクトロルミネセンス表示部及び前記データドライバの外側に塗布されるシーリング剤を具備することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  3. 前記第１及び第２ゲートドライバのそれぞれは、スタートパルスを順次的にシフトさせて、前記ゲートラインを順次的に駆動させるためのゲートパルスを生成する多数のシフトレジスターを具備することを特徴とする請求項２記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  4. 前記第１ゲートドライバのシフトレジスターのそれぞれは、前記奇数ゲートラインの一側空間と、その上または下に配置された偶数ゲートラインの一側空間に形成される回路素子を含むことを特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  5. 前記第２ゲートドライバのシフトレジスターのそれぞれは、前記偶数ゲートラインの他側空間と、その上または下に配置された奇数ゲートラインの他側空間に形成される回路素子を含むことを特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  6. 基板上に多数の電極と前記電極を駆動するための駆動回路が形成されたエレクトロルミネセンス表示装置において、前記多数の電極の中から第１電極群を駆動して前記基板上の第１位置に形成される第１駆動回路と、前記多数の電極の中から第２電極群を駆動して前記基板上の第２位置に形成される第２駆動回路と、を具備することを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
  7. 前記多数の電極は、多数のデータ電極と、前記データ電極と交差する多数のゲート電極と、を具備することを特徴とする請求項６記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  8. 前記第１電極群は、前記多数のゲート電極の中から一部電極を具備することを特徴とする請求項７記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  9. 前記第２電極群は、前記多数のゲート電極の中から前記一部電極を除いた他の電極を具備することを特徴とする請求項８記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  10. 前記第１電極群は、前記多数のデータ電極の中から一部電極を具備することを特徴とする請求項７記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  11. 前記第２電極群は、前記多数のデータ電極の中から前記一部電極を除いた他の電極を具備することを特徴とする請求項１０記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  12. 多数のデータライン、多数のゲートライン、前記データラインを駆動するためのデータ駆動回路、前記ゲートラインを駆動するためのゲート駆動回路を持つルミネセンス表示装置において、前記基板上に形成されるゲートラインとデータラインの交差で画定された領域ごとに配列されられた画素を持つエレクトロルミネセンス表示部と、前記ゲートラインの中から第１ゲート電極群に接続されて前記エレクトロルミネセンス表示部外の第１側に形成される第１ゲートドライバと、前記ゲートラインの中から第２ゲート電極群に接続されて前記エレクトロルミネセンス表示部外の第２側に形成される第２ゲートドライバと、前記データラインの中から第１データ電極群に接続されて前記エレクトロルミネセンス表示部外の第３側に形成される第１データドライバと、前記データラインの中から第２データ電極群に接続されて前記エレクトロルミネセンス表示部外の第４側に形成される第２データドライバと、を具備することを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
  13. 前記第１ゲート電極群は、奇数番目のゲート電極を具備することを特徴とする請求項１２記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  14. 前記第２ゲート電極群は、偶数番目のゲート電極を具備することを特徴とする請求項１３記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  15. 前記第１データ電極群は、奇数番目のデータ電極を具備することを特徴とする請求項１２記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  16. 前記第２データ電極群は、偶数番目のデータ電極を具備することを特徴とする請求項１５記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  17. 前記第１側は、前記エレクトロルミネセンス表示部の左側であることを特徴とする請求項１２記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  18. 前記第２側は、前記エレクトロルミネセンス表示部の右側であることを特徴とする請求項１７記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  19. 前記第３側は、前記エレクトロルミネセンス表示部の上側であることを特徴とする請求項１８記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
  20. 前記第４側は、前記エレクトロルミネセンス表示部の下側であることを特徴とする請求項１９記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
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