[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2005196802A - Design supporting method for lsi - Google Patents

Design supporting method for lsi Download PDF

Info

Publication number
JP2005196802A
JP2005196802A JP2005036104A JP2005036104A JP2005196802A JP 2005196802 A JP2005196802 A JP 2005196802A JP 2005036104 A JP2005036104 A JP 2005036104A JP 2005036104 A JP2005036104 A JP 2005036104A JP 2005196802 A JP2005196802 A JP 2005196802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
information
current
analysis
unnecessary radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005036104A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4021900B2 (en
Inventor
Shozo Hirano
将三 平野
Taku Mizokawa
卓 溝川
Tatsuo Ohashi
達夫 大橋
Kenji Shimazaki
健二 島崎
Hiroyuki Tsujikawa
洋行 辻川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2005036104A priority Critical patent/JP4021900B2/en
Publication of JP2005196802A publication Critical patent/JP2005196802A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4021900B2 publication Critical patent/JP4021900B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/80Technologies aiming to reduce greenhouse gasses emissions common to all road transportation technologies
    • Y02T10/82Elements for improving aerodynamics

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate efficient countermeasures by specifying an EMI generation part for an analysis-processed LSI. <P>SOLUTION: This LSI design supporting method comprises: an unnecessary radiation analyzing process for analyzing the unnecessary radiation quantity of an LSI by the execution of simulation; a process for selecting an instance whose noise quantity is large in the unnecessary radiation analyzing process; and a process for adjusting the driving capability of an instance to drop to such extent that any delay is not generated in the signal timing of the selected instance. At the time of optimizing the analyzed unnecessary radiation, the part whose optimization is necessary is extracted, and measures to the necessary part is taken only by the necessary quantity by, for example, taking measures to increase the creation area of a decoupling capacitance. Also, the aspect ratio of the block is changed, the block position is changed, and a cell line is changed, so that the decoupling capacitance can be easily created at the most effective insertion position. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、LSIの設計支援方法にかかり、特に、大規模でかつ高速駆動のLSI(大規模半導体集積回路)に対して高速かつ高精度のシミュレーションを行い、電磁輻射による不要輻射(EMI:Electromagnetic Interference)を最適化するようにLSIの設計を支援する方法に関する。   The present invention relates to an LSI design support method, and in particular, performs a high-speed and high-precision simulation for a large-scale and high-speed driving LSI (large-scale semiconductor integrated circuit) and performs unnecessary radiation (EMI: Electromagnetic) by electromagnetic radiation. The present invention relates to a method for supporting LSI design so as to optimize the interference.

LSIは、コンピュータはもちろんのこと、携帯電話等の通信機器、一般家庭製品や玩具、自動車まで利用範囲が拡大している。しかし、その一方で、これらの製品から生じる不要輻射がテレビ・ラジオ等の受信装置の電波障害や他システムの誤動作の原因として問題になっている。これらの問題に対して、フィルタリングやシールディングといった製品全体としての対策も施されているが、部品点数増大・コスト増大・製品上対策の難しさ等の観点より、LSIパッケージとしてのノイズ抑制が強く要請されている。   LSIs are used not only for computers but also for communication devices such as mobile phones, general household products, toys, and automobiles. However, on the other hand, unnecessary radiation generated from these products has become a problem as a cause of radio interference of receivers such as televisions and radios and malfunctions of other systems. Countermeasures for the entire product, such as filtering and shielding, have been taken to deal with these problems, but noise suppression as an LSI package is strong from the viewpoint of increasing the number of parts, increasing costs, and difficulty in taking countermeasures on products. It has been requested.

このような状況下、各製品においてLSIはキーデバイスとして位置付けられおり、製品の競争力確保のために、LSIの大規模化・高速化が要求されている。製品サイクルが短くなる中で、これらの要求に答えるためにはLSI設計の自動化が必須であり、現状の設計自動化技術導入の条件として同期設計を採用する必要が高まっている。基準クロックに同期して全回路が動作し、大規模かつ高速駆動のLSIの場合には、その瞬間電流は非常に大きくなってしまうことになり、不要輻射の増大を引起すことになる。   Under such circumstances, the LSI is positioned as a key device in each product, and it is required to increase the scale and speed of the LSI in order to ensure the competitiveness of the product. As product cycles become shorter, it is essential to automate LSI design in order to meet these requirements, and there is an increasing need to adopt synchronous design as a condition for the introduction of current design automation technology. In the case of a large-scale and high-speed driving LSI, all the circuits operate in synchronization with the reference clock, and the instantaneous current becomes very large, which causes an increase in unnecessary radiation.

本発明は、LSIの大規模化・高速化を維持しつつも不要輻射を低減するために不可欠であるEMI評価が可能なシミュレーション手法に関するものである。
LSIが他へ被害を与えるノイズを大別すると、放射ノイズと伝導ノイズがある。LSIからの直接的な放射ノイズとしてLSIの内部配線から放射されるノイズもあるが、内部配線はアンテナとしては大きくない。もちろん、LSIの動作周波数向上に伴い、LSIから直接的に放射されるノイズが将来的に問題となるとは思われるが、現時点においてはLSI内部の放射ノイズは問題になるレベルではない。
The present invention relates to a simulation method capable of performing EMI evaluation, which is indispensable for reducing unnecessary radiation while maintaining large scale and high speed of LSI.
There are two types of noise that causes damage to LSI: radiation noise and conduction noise. There is noise radiated from the internal wiring of the LSI as direct radiation noise from the LSI, but the internal wiring is not large as an antenna. Of course, it is considered that noise directly radiated from the LSI will become a problem in the future as the operating frequency of the LSI is improved, but at present, the radiated noise inside the LSI is not at a problem level.

これに対して、伝導のノイズは、LSI内のワイヤ、リードフレーム、パッケージやプリント基板上配線など直接的な接続を通じてプリント基板上の他のデバイスへ影響を与えるとともに、これらの接続経路を発信源すなわちアンテナとしてノイズを放射する。この接続経路よりなるアンテナはLSI内部の配線と比べると非常に大きく、不要輻射を考える上で支配的な要素である。   In contrast, conduction noise affects other devices on the printed circuit board through direct connections such as wires, lead frames, packages and wiring on the printed circuit board in LSIs, and the source of these connection paths. That is, noise is radiated as an antenna. The antenna formed by this connection path is much larger than the wiring inside the LSI, and is a dominant element in considering unnecessary radiation.

LSIからの伝導ノイズの経路として、電源と信号があるが、近傍の電磁界を考える場合、電源の電流の変化が電源線をアンテナとして輻射されるノイズが支配的であると考えられる。そしてこの電源に加え、パッケージあるいは測定系も問題となることが多い。
例えば、近年LSIにおけるEMIノイズが重要な問題となってきたため、IEC(国際電気標準委員会)においてLSIのEMIノイズの実測方法の標準化がなされようとしており、マグネチックプローブ法やVDE法といった解析方法が提案されている。
これにより、LSIベンダは同一の土俵に乗り、顧客に自社のLSIのEMIノイズ性能をアピールすることができ、また顧客もEMIノイズの観点での絶対的なLSIの比較が出来るようになる。また、この標準実測方法が普及すれば、おのずとLSIのEMIノイズ基準が確定していくものと思われる。
しかしながら、従来は測定系(測定装置および測定するためのプリント基板)の考慮がなされていなかったため、LSIの開発段階において、前記の基準を満たしているかどうかを判断することが出来なかった。
また、信号においては信号の変化時に生じるリンギング・オーバーシュートが問題となる場合もあるが、LSI内部電源レベルの変動が信号波形として伝導することが問題となる場合が多い。電源・信号どちらの経路を伝導し放射されるノイズも、電源電流の変化と強く相関があると考えられる。
There are a power source and a signal as a path of conduction noise from the LSI, but when considering a nearby electromagnetic field, it is considered that a change in the current of the power source is dominated by noise radiated from the power source line as an antenna. In addition to this power source, the package or measurement system often becomes a problem.
For example, EMI noise in LSIs has become an important issue in recent years, and the IEC (International Electrotechnical Commission) is trying to standardize the measurement method for LSI EMI noise. Analysis methods such as the magnetic probe method and VDE method Has been proposed.
As a result, LSI vendors can get on the same ground and appeal to customers the EMI noise performance of their LSIs, and customers can also compare absolute LSIs in terms of EMI noise. In addition, if this standard measurement method becomes widespread, it is likely that the LSI EMI noise standards will be established.
However, since the measurement system (measurement apparatus and printed circuit board for measurement) has not been considered in the past, it has not been possible to determine whether or not the above-mentioned criteria are satisfied at the LSI development stage.
Further, in the signal, ringing and overshoot that occur when the signal changes may be a problem, but it is often a problem that the fluctuation of the LSI internal power level is conducted as a signal waveform. The noise radiated through both the power supply and signal paths is considered to be strongly correlated with changes in the power supply current.

簡単なインバータ回路を用いてCMOS回路の電源電流を説明する。インバータ回路への入力電圧が変化する場合に、CMOS回路の主な電源電流である負荷容量充放電電流が流れる。そして、これに加え貫通電流が加算して流れることになる。このようなCMOS回路を設計するにあたり、自動設計ツールを用いる上での制約により同期化しているが、同期化したことによりLSI全体の回路が同時に動作するため、基準クロックに同期して電源のピーク電流が発生する。しかも、高速化、すなわち周期を短縮するためには、短時間に充放電できるようにトランジスタを大きくするが、その結果としてピーク電流が増大する。当然、LSIが大規模化することによってもLSI全体の電源電流は増大する。このようにして、電源のピーク電流が増大し、電源電流が急峻な変化をするようになってきているが、この急峻な変化が高調波成分を増大させてしまい、不要輻射の増大を招いている。   The power supply current of the CMOS circuit will be described using a simple inverter circuit. When the input voltage to the inverter circuit changes, load capacitance charge / discharge current, which is the main power supply current of the CMOS circuit, flows. In addition to this, a through current is added and flows. In designing such a CMOS circuit, synchronization is made due to restrictions in using an automatic design tool. However, since the entire LSI circuit operates simultaneously due to the synchronization, the power supply peak is synchronized with the reference clock. A current is generated. Moreover, in order to increase the speed, that is, to shorten the cycle, the transistor is enlarged so that it can be charged and discharged in a short time. As a result, the peak current increases. Naturally, the power supply current of the entire LSI increases as the LSI becomes larger. In this way, the peak current of the power supply increases, and the power supply current changes abruptly. However, this abrupt change increases the harmonic component, leading to an increase in unnecessary radiation. Yes.

不要輻射の主要因とも言える電源電流の変化について高精度のシミュレーションを行うことが、LSIにおける不要輻射の評価として有効であると考えられる。
ところで従来は、以下に示すようにトランジスタレベルで電流解析を行う電流シミュレーション手法が用いられていた。
It is considered effective to evaluate the unnecessary radiation in the LSI by performing a highly accurate simulation on the change of the power supply current, which can be said to be a main factor of the unnecessary radiation.
Conventionally, as shown below, a current simulation method for performing current analysis at the transistor level has been used.

図47は、トランジスタレベルの電流解析手法を用いた従来のEMI解析方法の処理フローを示したブロック図である。この方法では、解析対象となるLSIのレイアウト情報から、レイアウトパラメータ抽出(以下、LPEとする)処理4703を行い、スイッチレベルネットリストについて回路シミュレーション4706、電流源モデリング処理4708、電源配線LPE処理4710、過渡解析シミュレーション4712、FFT処理4714の各ステップを行うように構成されている。   FIG. 47 is a block diagram showing a processing flow of a conventional EMI analysis method using a transistor level current analysis method. In this method, layout parameter extraction (hereinafter referred to as LPE) processing 4703 is performed from the layout information of the LSI to be analyzed, and circuit simulation 4706, current source modeling processing 4708, power supply wiring LPE processing 4710 for the switch level netlist, Each step of the transient analysis simulation 4712 and the FFT processing 4714 is performed.

以下、各ステップについて図47を参照しながら説明する。
ステップ4703ではEMI解析対象となる半導体集積回路のレイアウトデータ4701と、トランジスタ素子や各種配線寄生素子(抵抗、容量等)、各素子のパラメータ値、及びそれら抽出結果の出力形式を定義したLPEルール4702が入力され、そのLPEルール4702に基づきレイアウトデータ4701における各素子のパラメータを算出し、ネットリスト4704が生成される。尚、本ステップでは電源(及びグランド)配線の寄生素子については、抽出対象にしない。
Hereinafter, each step will be described with reference to FIG.
In step 4703, the layout data 4701 of the semiconductor integrated circuit to be analyzed by EMI, transistor elements, various wiring parasitic elements (resistance, capacitance, etc.), parameter values of each element, and LPE rule 4702 defining the output format of the extraction results are defined. Is input, the parameters of each element in the layout data 4701 are calculated based on the LPE rule 4702, and a netlist 4704 is generated. In this step, the parasitic elements of the power supply (and ground) wiring are not extracted.

ステップ4706では前記ステップ4703より生成されたネットリスト4704と解析対象回路において所望の論理的動作を再現させるためのテストパターン4705が入力され、内部回路の動作状態に応じて、負荷容量を充放電する充放電電流や貫通電流等を算出し、各トランジスタ毎の電流波形情報4707が生成される。尚、本ステップの最初の処理では電源(及びグランド)電位を変動の無い理想電位と仮定して処理を行う。   In step 4706, the net list 4704 generated in step 4703 and a test pattern 4705 for reproducing a desired logical operation in the analysis target circuit are input, and the load capacitance is charged / discharged according to the operation state of the internal circuit. A charge / discharge current, a through current, and the like are calculated, and current waveform information 4707 for each transistor is generated. In the first process of this step, the process is performed assuming that the power supply (and ground) potential is an ideal potential without fluctuation.

ステップ4708では前記ステップ4706より生成されたトランジスタ毎の電流波形情報4707が入力され、それぞれを以降のステップ4712で適用できる形式にモデリングし、電流源素子モデル情報4709が生成される。尚、以降のステップ4712の処理負荷軽減のためにも、複数個のトランジスタで構成される機能回路ブロック毎に電流源素子としてモデリングする手法が一般的である。   In step 4708, the current waveform information 4707 for each transistor generated in step 4706 is input, and each is modeled into a format applicable in the subsequent step 4712, and current source element model information 4709 is generated. In order to reduce the processing load in the subsequent step 4712, a method of modeling as a current source element for each functional circuit block composed of a plurality of transistors is generally used.

ステップ4710は前記ステップ4703に対して、抽出対象がEMI解析対象となるトランジスタ素子や各種配線寄生素子から、電源及びグランド配線の寄生素子(抵抗、デカップリング容量等)に代わる点が異なるのみであるため説明を省略する。尚、本ステップにより電源(及びグランド)配線ネットリスト4711が生成される。   Step 4710 differs from Step 4703 only in that the extraction target is replaced with the parasitic elements (resistance, decoupling capacitance, etc.) of the power supply and the ground wiring from the transistor elements and various wiring parasitic elements to be subjected to EMI analysis. Therefore, explanation is omitted. In this step, a power supply (and ground) wiring net list 4711 is generated.

ステップ4712では前記ステップ4708より生成された電流源素子モデル情報4709と前記ステップ4710より生成された電源(及びグランド)配線ネットリスト4711とワイヤやリードフレームのインピーダンス(抵抗、容量、インダクタンス)4716が入力され、SPICEに代表される過渡解析シミュレータを使用した解析により、解析対象回路の電源電圧変動を算出した電源電圧降下結果4717が生成される。   In step 4712, the current source element model information 4709 generated in step 4708, the power (and ground) wiring netlist 4711 generated in step 4710, and the impedance (resistance, capacitance, inductance) 4716 of the wire or lead frame are input. Then, an analysis using a transient analysis simulator typified by SPICE generates a power supply voltage drop result 4717 in which the power supply voltage fluctuation of the analysis target circuit is calculated.

この後、前記ステップ4706の再処理を行う。その際に、前記ステップ4706の最初の処理では電源(及びグランド)電位を変動の無い理想電位と仮定したのに対して、ここでは前記ステップ4712より生成された電源電圧降下結果4717が入力され、電源電圧変動を考慮に入れた各トランジスタ毎の電流波形情報4707が再度生成される。同様に前記ステップ4708、4712の再処理が行われる。   Thereafter, the reprocessing of Step 4706 is performed. At this time, in the first processing of step 4706, the power supply (and ground) potential is assumed to be an ideal potential without fluctuation, whereas here, the power supply voltage drop result 4717 generated from step 4712 is input, The current waveform information 4707 for each transistor taking into account the power supply voltage variation is generated again. Similarly, the reprocessing of steps 4708 and 4712 is performed.

この前記ステップ4706、4708、4712のループ処理を複数回繰り返すことで、電源電圧変動をより高精度に再現させた電流波形結果4713が生成される。ステップ4714では前記ステップ4712より生成された電流波形結果4713が入力され、高速フーリエ変換(以下、FFTとする)を施すことにより、周波数スペクトラム解析を行なうことが可能となり、EMI解析結果4715を得ることが出来る。   By repeating the loop processing of steps 4706, 4708, and 4712 a plurality of times, a current waveform result 4713 that reproduces the power supply voltage fluctuation with higher accuracy is generated. In step 4714, the current waveform result 4713 generated in step 4712 is input, and by performing fast Fourier transform (hereinafter referred to as FFT), it becomes possible to perform frequency spectrum analysis and obtain an EMI analysis result 4715. I can do it.

この従来例では、LPE処理4703、電源配線LPE処理4710及び電流源モデリング処理4708の合わせ込みによって検証精度は大きく左右するものの、一定レベルの解析精度が期待できる。しかし、このようなトランジスタレベルの電流解析にはSPICEに代表される過渡解析シミュレータを使用するため、EMI解析対象回路規模に制限があり処理時間も長大となる。半導体集積回路の大規模化に伴い、近年、トランジスタレベルよりも抽象度が高く、高速解析が可能なEMI解析方法の確立が望まれている。   In this conventional example, although the verification accuracy largely depends on the LPE processing 4703, the power supply wiring LPE processing 4710, and the current source modeling processing 4708, a certain level of analysis accuracy can be expected. However, since a transient analysis simulator typified by SPICE is used for such transistor level current analysis, the circuit scale subject to EMI analysis is limited and the processing time is long. With the increase in scale of semiconductor integrated circuits, in recent years, establishment of an EMI analysis method that has a higher level of abstraction than the transistor level and enables high-speed analysis is desired.

また、チップの大規模化と素子数の増加により電源線のネットワークが大規模化しており、処理時間増大は不要輻射解析上大きな障害となりつつある。処理時間短縮のため、これら電源線の抵抗・容量に対するリダクション手段も提案もされているが、電源線が格子構造となるようなゲートアレイに限定される。   In addition, the power line network has been enlarged due to the increase in the size of the chip and the increase in the number of elements, and the increase in the processing time is becoming a major obstacle in the unnecessary radiation analysis. In order to shorten the processing time, reduction means for the resistance / capacitance of these power supply lines have also been proposed, but they are limited to gate arrays in which the power supply lines have a lattice structure.

また、電源電流値をFFTすることでEMI解析したとしても、最終的には、FFT特性を設計者が判断するものとなっている。この手段では原因個所の特定に非常に時間がかかってしまうか、または不可能であり、また解析情報として、それを直接修正に反映させるものとしては、不充分であるという問題もある。   Even if the EMI analysis is performed by performing FFT on the power supply current value, the designer finally determines the FFT characteristics. This means that it takes a very long time or is impossible to identify the cause, and there is also a problem that it is not sufficient as analysis information to directly reflect it in correction.

また、測定系についても、測定系自体の規模と素子によっては、処理時間増大を招き、不要輻射解析上無視し得ない問題となっている。   The measurement system also has a problem that the processing time increases depending on the scale and elements of the measurement system itself, and cannot be ignored in unnecessary radiation analysis.

このように、従来のLSIの不要輻射解析方法は、電源及びグランドひいては測定系に抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの考慮と高速処理の両立という観点、不要輻射解析結果の設計への迅速な反映という観点において十分とは言えないものであった。   As described above, the conventional unnecessary radiation analysis method for LSI is based on the fact that the power supply and ground, and thus the measurement system, take into account the decoupling due to resistance, capacitance, and inductance and the high-speed processing, and the unnecessary radiation analysis result is quickly reflected in the design. It was not enough from the viewpoint.

このように、半導体集積回路の大規模化が進んでいる近年、トランジスタレベルよりも抽象度が高く、高速解析が可能であるゲートレベルの電流解析手法を利用したEMI解析方法の確立が望まれており、種々の提案がなされている。このような状況の中で、解析された不要輻射情報にしたがって最適化対策としては、なかなか十分な技術が確立されておらず、種々の研究が重ねられている。   Thus, in recent years when semiconductor integrated circuits are becoming larger in scale, it is desired to establish an EMI analysis method using a gate level current analysis method that has a higher abstraction level than a transistor level and enables high-speed analysis. Various proposals have been made. Under such circumstances, a sufficient technique has not been established as an optimization measure according to the analyzed unnecessary radiation information, and various studies have been repeated.

また、EMI解析したとしても、その主たる原因がどの回路にあるのかが不明であり、EMI改善のためにどの回路を修正することが有効であるのかが分からないという問題もある。   Further, even if EMI analysis is performed, it is unclear which circuit is the main cause, and there is a problem that it is not known which circuit is effective for improving EMI.

そこで、高速解析しつつも、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響を電源電流計算に反映することで、シミュレーション上においてLSIの不要輻射を現実的な時間で評価することのできる不要輻射解析方法および装置を提供すべく、本発明者らは、周波数帯毎に、FFT解析離散幅を割り当て、モデル化する工程と、前記モデル化する工程によって算出された電流変化情報を高速フーリエ変換処理する工程とを含む不要輻射解析方法を提案している(特2000−63783)。この方法では、デカップリング容量のFFT結果への影響を表現することができず、表現するとすれば、三角形の底辺を広げるしかないため、それでは正確に表現することができず、その効果を出すことができないという問題があった。   Therefore, by reflecting the influence of decoupling due to the resistance, capacitance, and inductance of the power supply and ground in the power supply current calculation while performing high-speed analysis, the unnecessary radiation of the LSI can be evaluated in a realistic time on the simulation. In order to provide an unnecessary radiation analysis method and apparatus, the present inventors assign a FFT analysis discrete width for each frequency band and model the current change information calculated by the modeling process using fast Fourier transform. An unnecessary radiation analysis method including a conversion process is proposed (Japanese Patent No. 2000-63783). In this method, the influence of the decoupling capacitance on the FFT result cannot be expressed, and if it is expressed, it is only possible to widen the bottom of the triangle. There was a problem that could not.

本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、解析処理のなされたLSIに対し、EMI発生個所の特定を可能にし、効率的な対策を行うことを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to make it possible to specify an EMI occurrence location for an LSI that has been subjected to analysis processing and to take an efficient countermeasure.

そこで本発明では、シミュレーションの実行によってLSIの電源電流の波形を解析する解析工程と、前記解析工程でノイズ量が多いブロックまたはインスタンスを抽出する工程と、前記抽出された前記ブロックまたはインスタンスに対して、設計段階に応じて、電源ノイズ削減処理を行う工程と、再度解析を行い、ノイズ量が所定の値より小さくなるまで前記解析する工程と、前記インスタンスを抽出する工程と前記電源ノイズ削減処理を行う工程とを繰り返すようにしたことを特徴とする。   Therefore, in the present invention, an analysis step of analyzing the waveform of the power supply current of the LSI by executing a simulation, a step of extracting a block or instance having a large amount of noise in the analysis step, and the extracted block or instance Depending on the design stage, the power noise reduction processing, the analysis is performed again, the analysis step until the noise amount becomes smaller than a predetermined value, the instance extraction step, and the power noise reduction processing are performed. It is characterized in that the steps to be performed are repeated.

また本発明では、前記設計段階に応じて電源ノイズ処理を行う工程は、フロアプラン段階でレイアウトデータの変更処理を行う第1の工程を含むものを含む。   In the present invention, the step of performing power supply noise processing according to the design stage includes the first step of performing layout data change processing in the floor plan stage.

また本発明では、前記設計段階に応じて電源ノイズ削減処理を行う工程は、レイアウト段階でレイアウトデータの変更処理を行う第2の工程を含むことを特徴とするものを含む。   In the present invention, the step of performing the power supply noise reduction process according to the design stage includes a second process of performing layout data change processing in the layout stage.

また本発明では、前記第1の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、前記不足量に基づいてレイアウトデータの変更を行う工程とを含むものを含む。   In the present invention, the first step includes a step of calculating a necessary amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the extracting step, and a decoupling capacity calculated in the calculating step. Including a step of calculating a shortage amount of the power source area from the above and a step of changing layout data based on the shortage amount.

また本発明では、前記第2の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、前記不足量に基づいてレイアウトデータの変更を行う工程とを含むものを含む。   In the present invention, the second step includes a step of calculating a necessary amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the extracting step, and a decoupling capacity calculated in the calculating step. Including a step of calculating a shortage amount of the power source area from the above and a step of changing layout data based on the shortage amount.

また本発明では、前記第1の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、前記不足量に基づいて必要なブロックに対してレイアウトデータの変更を行う工程とを含むものを含む。   In the present invention, the first step includes a step of calculating a necessary amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the extracting step, and a decoupling capacity calculated in the calculating step. Including a step of calculating a shortage amount of the power source area from the above and a step of changing layout data for a necessary block based on the shortage amount.

また本発明では、前記レイアウトデータの変更を行う工程は、対象ブロックのアスペクト比すなわち縦横比を変更し、電源電流経路の配線面積を実質的に変更する工程であるものを含む。   In the present invention, the step of changing the layout data includes a step of changing an aspect ratio of the target block, that is, an aspect ratio, and substantially changing a wiring area of the power supply current path.

また本発明では、前記レイアウトデータの変更を行う工程は、対象ブロックのブロック位置を変更し、前記対象ブロックに接続される電源電流経路を変更することにより、電源電流経路の配線面積を変更する工程であるものを含む。   In the present invention, the step of changing the layout data includes a step of changing a wiring area of a power supply current path by changing a block position of the target block and changing a power supply current path connected to the target block. Including what is.

また本発明では、前記第2の工程は、所望のデカップリング容量をもつように、グランド線または電源線共通で配列されているセルラインの一方の方向を反転すると共に、互いに隣接する電源線とグランド線との間に所定の間隔をもたせるようにしたものを含む。   In the present invention, the second step inverts one direction of the cell lines arranged in common with the ground line or the power supply line so as to have a desired decoupling capacitance, and This includes a configuration in which a predetermined interval is provided between the ground line.

また本発明では、前記第2の工程は、互いに隣接する電源線とグランド線との形成されている層の上層又は下層に、前記電源線とグランド線との間の電位に接続された補助線を配設し、前記電源線とグランド線、前記グランド線と前記補助線、前記補助線と前記電源線との間の合成容量が所望のデカップリング容量をもつように、調整する工程を更に含むものを含む。   In the present invention, the second step includes an auxiliary line connected to a potential between the power supply line and the ground line in an upper layer or a lower layer of a layer where the power supply line and the ground line adjacent to each other are formed. And adjusting the combined capacitance between the power line and the ground line, the ground line and the auxiliary line, and the auxiliary line and the power line so as to have a desired decoupling capacity. Including things.

本発明では、シミュレーションの実行によってLSIの不要輻射量を解析する不要輻射解析工程と、前記不要輻射解析工程でノイズ量が多いインスタンスを選出する工程と、選出された前記インスタンスの信号タイミングに遅延が発生しない程度に前記インスタンスの駆動能力を下げるように調整する工程とを含むことを特徴とする。   In the present invention, there is a delay in the unnecessary radiation analysis step of analyzing the amount of unnecessary radiation of the LSI by executing simulation, the step of selecting an instance having a large amount of noise in the unnecessary radiation analysis step, and the signal timing of the selected instance. Adjusting the drive capacity of the instance so as not to occur.

かかる構成によれば、ノイズ量が多いインスタンスを選出し、当該インスタンスに対して信号タイミングに遅延が発生しない程度に駆動能力を下げるようにすれば、容易に作業性よく不要輻射の最適化を行うことが可能となる。なおここで遅延が発生しない程度に駆動能力を下げるとは、例えばLSIの出力にエラーが発生しない程度、すなわち、回路動作が通常に動作できる状態を維持しつつ駆動能力を下げることをいう。   According to such a configuration, if an instance having a large amount of noise is selected and the driving capability is lowered to such an extent that the signal timing is not delayed, the unnecessary radiation is easily optimized with good workability. It becomes possible. Here, reducing the drive capability to such an extent that no delay occurs means, for example, reducing the drive capability while maintaining a state in which an error can not occur in the output of the LSI, that is, the circuit operation can be normally performed.

本発明では、上記方法において、前記調整する工程は、さらに前記インスタンスを第1のインスタンスとし前記第1のインスタンスの出力信号配線に隣接して平行する出力信号配線を持つ第2のインスタンスが存在しここにクロストーク発生がある場合に、両インスタンスの出力信号波形の傾きを考慮して、(相互の駆動能力比が大きくならない程度に)第1のインスタンスのみあるいは第1および第2のインスタンスのの駆動能力を下げるように調整する工程を含むことを特徴とする。   In the present invention, in the above method, the adjusting step further includes a second instance having the instance as the first instance and having an output signal wiring parallel to and adjacent to the output signal wiring of the first instance. When crosstalk occurs here, considering the slopes of the output signal waveforms of both instances, the first instance only or the first and second instances (so as not to increase the mutual drive capability ratio). The method includes a step of adjusting so as to lower the driving ability.

本発明では、上記方法において、シミュレーションの実行によってLSIの不要輻射量を解析する不要輻射解析工程と、前記不要輻射解析工程でノイズ量が多いインスタンスを選出する工程と、選出された前記インスタンスの信号タイミングに遅延が発生しない程度に前記インスタンスに供給しているローカル電源配線のインダクタンスを追加するように補正する工程とを含むことを特徴とする。   In the present invention, in the above method, an unnecessary radiation analysis step of analyzing the amount of unnecessary radiation of the LSI by executing a simulation, a step of selecting an instance having a large amount of noise in the unnecessary radiation analysis step, and a signal of the selected instance And correcting so as to add the inductance of the local power supply wiring supplied to the instance to the extent that no delay occurs in timing.

本発明では、上記方法において、前記補正する工程は、配線抵抗を増大する工程を含むことを特徴とする。   According to the present invention, in the above method, the correcting step includes a step of increasing a wiring resistance.

本発明では、シミュレーションの実行によってLSIの不要輻射量を解析する不要輻射解析工程と、前記不要輻射解析工程で得られたデータに基づいてクロストークのアグレッサインスタンスを選出する工程と、選出された前記インスタンスの信号タイミングに遅延が発生しない程度に前記アグレッサインスタンスの駆動能力を下げるように調整する工程とを含む事を特徴とする。   In the present invention, an unnecessary radiation analysis step of analyzing the amount of unnecessary radiation of the LSI by executing a simulation, a step of selecting a crosstalk aggressor instance based on the data obtained in the unnecessary radiation analysis step, and the selected Adjusting the drive performance of the aggressor instance so as not to cause a delay in the signal timing of the instance.

本発明では、上記方法において、さらにビクティムインスタンスのEMIノイズが問題とならない程度にビクティムインスタンスの駆動能力をあげる工程とを含む事を特徴とする。   The present invention is characterized in that the above method further includes a step of increasing the drive capability of the victim instance to such an extent that the EMI noise of the victim instance does not become a problem.

本発明では、上記方法において、前記アグレッサインスタンスおよびビクティムインスタンスの両方の駆動能力を下げる場合には、駆動能力比が大きくならないようにそれぞれの駆動能力を設定するように構成したことを特徴とする。   The present invention is characterized in that, in the above method, when the drive capacities of both the aggressor instance and the victim instance are lowered, the respective drive capacities are set so as not to increase the drive capability ratio.

本発明では、シミュレーションの実行によってLSIの不要輻射量を解析する不要輻射解析工程と、前記不要輻射解析工程でノイズ量が多いブロックまたはインスタンスを抽出する工程と、前記抽出された前記ブロックまたはインスタンスに対して、設計段階に応じて、フロアプラン段階およびレイアウト段階と、両面から不要輻射削減処理を行う工程と、再度不要輻射解析を行い、不要輻射量が所定の値より小さくなるまで一連の処理を繰り返すようにしたことを特徴とする。   In the present invention, an unnecessary radiation analysis step of analyzing the amount of unnecessary radiation of the LSI by executing a simulation, a step of extracting a block or instance with a large amount of noise in the unnecessary radiation analysis step, and the extracted block or instance On the other hand, according to the design stage, the process of performing unnecessary radiation reduction processing from both the floor plan stage and layout stage, and unnecessary radiation analysis is performed again, and a series of processing is performed until the amount of unnecessary radiation becomes smaller than a predetermined value. It is characterized by being repeated.

かかる構成によればたとえば、チップのデカップリング容量の生成面積を増やす対策(電源面積を増やす対策法など)は、チップ面積の増大を招くデメリットがあるが、必要箇所に必要量だけ対策を行なうことができるため、過度な面積増大を抑えることが可能である。   According to such a configuration, for example, measures for increasing the generation area of the chip decoupling capacitance (such as a countermeasure method for increasing the power source area) have a demerit that causes an increase in the chip area. Therefore, an excessive increase in area can be suppressed.

また、アスペクト比を変える対策あるいはブロック位置を変える対策を用いようとする場合、チップ面積を増加させないEMI対策となるので極めて効果的である。この方法はフロアプランで早期な対策を行なうことができるため作業効率が良好である。   Further, when trying to use a measure for changing the aspect ratio or a measure for changing the block position, it is extremely effective because it is an EMI measure that does not increase the chip area. This method has good work efficiency because it can take early measures with a floor plan.

さらにまた、セルラインの変更による対策は、最も効果の高い挿入位置にすなわち、当該インスタンスに最も近い位置カップリング容量を容易に生成するので効果的である。このようにしてチップ面積を増大をなるべく抑えてEMI対策を行うことが可能である。   Furthermore, the countermeasure by changing the cell line is effective because the position coupling capacitance closest to the instance is easily generated, that is, the most effective insertion position. In this way, it is possible to take measures against EMI while minimizing the increase in chip area.

本発明では、上記方法において、前記設計段階に応じて不要輻射削減処理を行う工程は、フロアプラン段階でレイアウトデータの変更処理を行う第1の工程を含むことを特徴とする。   According to the present invention, in the above method, the step of performing unnecessary radiation reduction processing according to the design stage includes a first step of performing layout data change processing at the floor plan stage.

本発明では、上記方法において、前記設計段階に応じて不要輻射削減処理を行う工程は、レイアウト段階でレイアウトデータの変更処理を行う第2の工程を含むことを特徴とする。   According to the present invention, in the above method, the step of performing unnecessary radiation reduction processing according to the design stage includes a second step of performing layout data change processing at the layout stage.

本発明では、上記方法において、前記第1の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、前記不足量に基づいてレイアウトデータの変更を行う工程とを含むことを特徴とする。   In the present invention, in the above method, the first step is calculated by calculating the required amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the extracting step and the calculating step. The method includes a step of calculating a shortage amount of the power source area from the decoupling capacitance, and a step of changing layout data based on the shortage amount.

本発明では、上記方法において、前記第2の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、前記不足量に基づいてレイアウトデータの変更を行う工程とを含むことを特徴とする。   In the present invention, in the above method, the second step is calculated by calculating the required amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the extracting step and the calculating step. The method includes a step of calculating a shortage amount of the power source area from the decoupling capacitance, and a step of changing layout data based on the shortage amount.

本発明では、上記方法において、前記第1の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、前記不足量に基づいて必要なブロックに対してレイアウトデータの変更を行う工程とを含むことを特徴とする。   In the present invention, in the above method, the first step is calculated by calculating the required amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the extracting step and the calculating step. The method includes a step of calculating a shortage amount of the power source area from the decoupling capacitance, and a step of changing layout data for a necessary block based on the shortage amount.

本発明では、上記方法において、前記レイアウトデータの変更を行う工程は、対象ブロックのアスペクト比すなわち縦横比を変更し、電源電流経路の配線面積を実質的に変更する工程であることを特徴とする。   According to the present invention, in the above method, the step of changing the layout data is a step of changing an aspect ratio of the target block, that is, an aspect ratio, and substantially changing a wiring area of a power supply current path. .

本発明では、上記方法において、前記レイアウトデータの変更を行う工程は、対象ブロックのブロック位置を変更し、電源電流経路の配線面積を実質的に変更する工程であることを特徴とする。   According to the present invention, in the above method, the step of changing the layout data is a step of changing a block position of a target block and substantially changing a wiring area of a power supply current path.

本発明では、上記方法において、前記第2の工程は、所望のデカップリング容量をもつように、グランド線または電源線共通で配列されているセルラインの一方の方向を反転すると共に、互いに隣接する電源線とグランド線との間に所定の間隔をもたせるようにしたことを特徴とする。   In the present invention, in the above method, the second step inverts one direction of the cell lines arranged in common with the ground line or the power supply line so as to have a desired decoupling capacitance, and is adjacent to each other. A predetermined interval is provided between the power supply line and the ground line.

本発明では、上記方法において、前記第2の工程は、互いに隣接する電源線とグランド線との形成されている層の上層又は下層に、前記電源線とグランド線との間の電位に接続された補助線を配設し、前記電源線とグランド線、前記グランド線と前記補助線、前記補助線と前記電源線との間の合成容量が所望のデカップリング容量をもつように、調整する工程を更に含むことを特徴とする。   In the present invention, in the above method, the second step is connected to a potential between the power supply line and the ground line in an upper layer or a lower layer of a layer where the power supply line and the ground line adjacent to each other are formed. And adjusting the combined capacity between the power line and the ground line, the ground line and the auxiliary line, and the combined capacity between the auxiliary line and the power line to have a desired decoupling capacity. Is further included.

本発明では、シミュレーションの実行によって、信号変化の発生時に生成され、発生対象である前記LSIチップの各セルのインスタンス名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント情報を考慮して対象ブロックに対する瞬間的な電流量を算出し、不要輻射対策が必要となる程度にノイズレベルの大きいブロック又はインスタンスを抽出する工程と、前記ブロック又はインスタンスをノイズレベルの大きさに従ってソーティングし表示する表示工程とを含むことを特徴とする。   In the present invention, the simulation is executed at the time of occurrence of a signal change, and the target is considered in consideration of each event information including the instance name, the signal name, the generation time, and the transition information of each cell of the LSI chip that is the generation target. A step of calculating an instantaneous current amount for the block, extracting a block or instance having a noise level that is high enough to take measures against unnecessary radiation, and a display step of sorting and displaying the block or instance according to the magnitude of the noise level It is characterized by including.

かかる構成によれば、ノイズレベルの大きさに従ってソーティングしこれを表示することにより、容易に不適切な個所を検知することができるため、作業性よく作業することが可能となる。   According to such a configuration, by sorting and displaying according to the level of the noise level, it is possible to easily detect an inappropriate place, and thus it is possible to work with good workability.

本発明では、シミュレーションの実行によって、信号変化の発生時に生成され、発生対象である前記LSIチップの各セルのインスタンス名、その信号名、発生時刻、遷移情報を含む各イベント情報を考慮して対象ブロックに対する瞬間的な電流量を算出する工程と、前記瞬間的な電流量をあらかじめ決定された規則に従ってモデル化する工程と、前記モデル化する工程によって算出された電流変化情報を周波数解析処理する工程とを含む不要輻射解析方法において、前記周波数解析処理工程で得られた周波数情報を表示する表示工程を含むことを特徴とする。   In the present invention, the simulation is executed at the time of occurrence of a signal change, and the target is considered in consideration of each event information including the instance name, the signal name, the generation time, and the transition information of each cell of the LSI chip that is the generation target. A step of calculating an instantaneous current amount for the block, a step of modeling the instantaneous current amount according to a predetermined rule, and a step of performing frequency analysis processing of current change information calculated by the modeling step In the unnecessary radiation analysis method, including a display step of displaying the frequency information obtained in the frequency analysis processing step.

本発明では、上記方法において、前記表示工程で表示された情報から着目すべきブロックをハイライト表示する工程と、前記ブロックに対して不要輻射最適化処理を行い、最適化処理後の不要輻射情報を解析する不要輻射解析工程と、前記解析された情報を表示する工程とを含むことを特徴とする。   In the present invention, in the above method, a step of highlighting a block to be noted from the information displayed in the display step, unnecessary radiation optimization processing is performed on the block, and unnecessary radiation information after the optimization processing is performed. And an unnecessary radiation analysis step for analyzing the information, and a step for displaying the analyzed information.

本発明では、上記方法において、前記最適化処理を処理履歴情報として記憶する工程と、必要に応じて処理履歴情報を表示する工程とを含むことを特徴とする。シミュレーションは、例えば論理シミュレーションの実行によってなされ、周波数帯毎に、FFT解析離散幅を割り当て、モデル化する工程と、前記モデル化する工程によって算出された電流変化情報を高速フーリエ変換処理する工程とを含む。   The present invention is characterized in that the above method includes a step of storing the optimization processing as processing history information and a step of displaying the processing history information as necessary. The simulation is performed, for example, by executing a logic simulation, and includes a step of assigning and modeling an FFT analysis discrete width for each frequency band, and a step of performing a fast Fourier transform process on the current change information calculated by the modeling step. Including.

本発明では、LSIの不要輻射ノイズ解析結果に基き、不要輻射ノイズの大きい箇所を判断する工程と、前記判断する工程で不要輻射ノイズが大きいと判断された箇所を表示する工程を含むことを特徴とする。
かかる構成によれば、不適切な箇所が容易に検知でき、しかも目視できるため、最適化のための作業性が極めて良好である。
The present invention includes a step of determining a portion where the unnecessary radiation noise is large based on a result of analyzing the unnecessary radiation noise of the LSI, and a step of displaying a portion where the unnecessary radiation noise is determined to be large in the determining step. And
According to such a configuration, an unsuitable part can be easily detected and can be visually observed, so that the workability for optimization is very good.

本発明では、前記表示する工程は、2つ以上のFFT結果に基づき、その差分のうち不要輻射ノイズの大きい箇所の差分を計算し表示する工程を含むことを特徴とする。
かかる構成によれば、結果を理解し易く、最適化のための作業性が向上する。
In the present invention, the displaying step includes a step of calculating and displaying a difference in a portion where the unnecessary radiation noise is large among the differences based on two or more FFT results.
According to such a configuration, the result is easy to understand, and the workability for optimization is improved.

本発明では、前記表示する工程は2つのFFT結果を表示し、指定した任意形状部分の差分を色分けして表示する工程を含むことを特徴とする。
かかる構成によれば、結果を理解し易く、最適化のための作業性が向上する。
In the present invention, the displaying step includes a step of displaying two FFT results, and displaying the difference between the designated arbitrary shape portions by color.
According to such a configuration, the result is easy to understand, and the workability for optimization is improved.

本発明では、前記判断する工程はノイズの大きさに従ってソートされた部分回路の情報に基づき、計算する工程を含むことを特徴とする。
かかる構成によれば、情報がノイズの大きさに従ってソートされているため、容易に作業性よく演算を行うことが可能である。
In the present invention, the step of determining includes a step of calculating based on information on the partial circuits sorted according to the magnitude of noise.
According to such a configuration, since the information is sorted according to the magnitude of noise, it is possible to easily perform calculations with good workability.

本発明では、前記表示する工程は、回路図情報もしくはレイアウト情報に色分け、もしくは文字情報で表示する工程を含むことを特徴とする。
かかる構成によれば、最適化工程の作業性が極めて良好となる。
In the present invention, the displaying step includes a step of color-coding circuit diagram information or layout information or displaying character information.
With this configuration, the workability of the optimization process is extremely good.

本発明は、前記ブロックに対して不要輻射最適化を行い、最適化部分の不要輻射情報を解析する不要輻射解析工程と、前記解析された情報を表示する表示工程とを含むことを特徴とする。
かかる構成によれば、最適化された部分をさらに解析し、満足し得るものであるかを判断するに際し、極めて作業性のよいものとなる。
The present invention includes an unnecessary radiation analysis step of performing unnecessary radiation optimization on the block and analyzing unnecessary radiation information of the optimized portion, and a display step of displaying the analyzed information. .
According to this configuration, when the optimized portion is further analyzed to determine whether it is satisfactory, workability is extremely good.

本発明は、不要輻射の主要因とも言える電源電流の変化の解析をはじめ不要輻射解析を行い、その最適化をはかるものであって、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響を効率よく反映することにより高速性と高精度化を両立させ、シミュレーション上においてLSIの不要輻射を現実的な時間で評価することを可能にする。さらには、EMI発生個所の特定を支援することによる効率的なEMI対策をも可能にするものである。   The present invention performs unnecessary radiation analysis including analysis of changes in power supply current, which can be said to be the main cause of unwanted radiation, and optimizes the effect of decoupling due to resistance, capacitance, and inductance of the power supply and ground. Reflecting efficiently, it is possible to achieve both high speed and high accuracy and to evaluate unnecessary radiation of LSI in a realistic time on simulation. Furthermore, it is possible to efficiently take measures against EMI by supporting the identification of the location where EMI occurs.

さらにまた本発明は、不要輻射の主要因とも言える電源電流の解析において、当該LSIチップの回路情報から理想電源において電源電流に流れる等価電源電流情報を算出する工程と、前記等価電源電流情報に、前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報を解析制御情報として考慮し、前記回路情報に前記解析制御情報を反映させた総合情報を等価回路として見積もる見積もり工程と、前記見積もり工程で見積もられた総合情報に従い、シミュレーションを実行するシミュレーション工程とを含む不要輻射解析を適用することにより、より効率よく最適化処理をはかることができる。   Furthermore, the present invention provides a step of calculating equivalent power supply current information flowing in the power supply current in the ideal power supply from the circuit information of the LSI chip in the analysis of the power supply current, which can be said to be a main factor of unnecessary radiation, and the equivalent power supply current information. Analysis control information includes at least one of power source information of a power source that supplies current to the LSI chip, package information of the package of the semiconductor chip, and measurement system information of a measurement system that measures the characteristics of the semiconductor chip. In consideration, an unnecessary radiation analysis including an estimation process for estimating, as an equivalent circuit, comprehensive information in which the analysis control information is reflected in the circuit information, and a simulation process for executing simulation according to the comprehensive information estimated in the estimation process Can be used to optimize the process more efficiently. .

上記構成によれば、電源、パッケージ、測定系に起因する不要輻射を、高速かつ少メモリで高精度に解析することが出来る。   According to the above configuration, unnecessary radiation caused by the power supply, package, and measurement system can be analyzed with high accuracy at high speed and with a small amount of memory.

そして電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響を、ハイブリッド解析を、電源電流計算に反映することにより高速性と高精度化を両立させ、シミュレーション上においてLSIの不要輻射を現実的な時間で評価することを可能にする。さらには、EMI発生個所の特定を支援することによる効率的なEMI対策をも可能にするものである。
また、本発明では、ブロック又はインスタンスをノイズレベルの大きさに従ってソーティングし表示する表示工程とを含むようにしているため、より高速でかつ高精度の解析を行うことができ、優れた最適化処理が可能となる。
And, by reflecting the influence of decoupling due to the resistance, capacitance, and inductance of the power supply and ground, the hybrid analysis is reflected in the power supply current calculation to achieve both high speed and high accuracy, and the unnecessary radiation of LSI is realistic in the simulation. Allows evaluation in time. Furthermore, it is possible to efficiently take measures against EMI by supporting the identification of the location where EMI occurs.
In addition, since the present invention includes a display step for sorting and displaying blocks or instances according to the size of the noise level, analysis at higher speed and higher accuracy can be performed, and excellent optimization processing is possible. It becomes.

なお、全自動での最適化は現実的に不可能であるが、周波数に対して各インスタンスから出ているノイズ量がわかるEMI特有の情報を使って、ユーザと対話的にベストの最適化方法を選択、決定していくことにより有効な最適化が実現可能となる。   Although it is practically impossible to optimize fully automatically, the best optimization method can be interactively performed with the user by using information specific to EMI indicating the amount of noise emitted from each instance with respect to the frequency. Effective optimization can be realized by selecting and deciding.

以下、本発明に係る不要輻射最適化方法の実施の形態について説明する。
実施の形態1
図1は、本発明に係る不要輻射最適化方法を実施するための不要輻射解析装置の全体構成を示す概念図である。
Hereinafter, embodiments of the method for optimizing unnecessary radiation according to the present invention will be described.
Embodiment 1
FIG. 1 is a conceptual diagram showing the entire configuration of an unwanted radiation analysis apparatus for carrying out the unwanted radiation optimization method according to the present invention.

この不要輻射解析装置は、当該LSIチップの回路情報101に、前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた総合情報を等価回路として見積もる、解析制御入力部102と、前記解析制御入力部で見積もられた総合情報に従い、シミュレーションを実行する不要輻射シミュレーション部103と、前記不要輻射シミュレーション部103で得られた解析情報を表示する解析情報表示部104と、前記不要輻射シミュレーション部103で得られた解析情報と、最適化制御入力部105からの最適化基準に基づいて不要輻射を最適化する不要輻射最適化部106と、不要輻射最適化部106の情報に基づいて、最適化情報を表示する最適化情報表示部107とを具備したことを特徴とする。   This unnecessary radiation analysis apparatus includes a measurement system for measuring circuit information 101 of the LSI chip, power supply information of a power source that supplies current to the LSI chip, package information of the package of the semiconductor chip, and characteristics of the semiconductor chip. Analysis control input unit 102 for adding at least one piece of information of measurement system information as analysis control information, and estimating total information obtained by adding the analysis control information to the circuit information as an equivalent circuit, and the analysis control input unit Obtained by the unnecessary radiation simulation unit 103 for executing the simulation, the analysis information display unit 104 for displaying the analysis information obtained by the unnecessary radiation simulation unit 103, and the unnecessary radiation simulation unit 103. Based on the analysis information obtained and the optimization criteria from the optimization control input unit 105. The unwanted radiation optimization unit 106 that optimizes the unnecessary radiation and have, on the basis of the information of the unnecessary radiation optimization unit 106, characterized by comprising the optimized information display unit 107 for displaying the optimization information.

ここでは図48にフローチャートを示すように、不要輻射最適化部において、信号タイミング遅延が発生しない程度にインスタンスの駆動能力を下げるように調整する工程を含むことを特徴とする。後述する方法によってノイズ量が多いインスタンスが選出されたものとし、このインスタンスに対する不要輻射最適化対策を行なう方法について説明する。   Here, as shown in the flowchart of FIG. 48, the unnecessary radiation optimization unit includes a step of adjusting the instance drive capability so as not to cause a signal timing delay. Assume that an instance having a large amount of noise is selected by a method described later, and a method of performing unnecessary radiation optimization countermeasures for this instance will be described.

まず、シミュレーションによりEMI解析を実行し、ノイズ量が多いインスタンスを選出する(ステップ4801)。   First, EMI analysis is performed by simulation, and an instance with a large amount of noise is selected (step 4801).

次いで選出インスタンスの信号タイミングに余裕があるか否かを判断し(ステップ4802)、余裕があると判断された場合は、信号タイミング遅延が発生しない程度にインスタンスの駆動能力を下げる(ステップ4803)。   Next, it is determined whether or not there is a margin in the signal timing of the selected instance (step 4802). If it is determined that there is a margin, the instance drive capability is lowered to the extent that no signal timing delay occurs (step 4803).

実施の形態2
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。ここでは図49にフローチャートを示すように、クロストークを考慮した不要輻射対策を行なうようにしたことを特徴とするもので、ノイズ量が多いと判断されたインスタンスの出力信号配線に隣接して平行する出力信号配線をもつインスタンスが存在する場合、このインスタンスが大きい場合には当該インスタンスのみならず、このインスタンスの駆動能力を信号タイミング遅延が発生しない程度に下げるようにしたことを特徴とする。
Embodiment 2
Next, a second embodiment of the present invention will be described. Here, as shown in the flow chart of FIG. 49, unnecessary radiation countermeasures are taken in consideration of crosstalk, and parallel to the output signal wiring of the instance determined to have a large amount of noise. When an instance having an output signal wiring to be present is present, when this instance is large, not only the instance but also the drive capability of this instance is lowered to such an extent that no signal timing delay occurs.

ここでは、後述する方法によってノイズ量が多いインスタンスが選出されたものとし、このインスタンスに対する不要輻射最適化対策を行なう方法について説明する。
まず、シミュレーションによりEMI解析を実行し、ノイズ量が多いインスタンスを選出する(ステップ4901)。
Here, it is assumed that an instance having a large amount of noise has been selected by a method described later, and a method for performing unnecessary radiation optimization countermeasures for this instance will be described.
First, EMI analysis is performed by simulation, and an instance with a large amount of noise is selected (step 4901).

次いで選出インスタンスの信号タイミングに余裕があるか否かを判断し(ステップ4902)、余裕があると判断された場合は、判断ステップ4903において、ノイズ量が多いと判断された第1のインスタンスAの出力信号配線に隣接して平行する出力信号配線をもつ第2のインスタンスBが存在するか否かを判断する。存在すると判断された場合、この当該第1のインスタンスAと第2のインスタンスBの大きさを比較し、出力信号波形の傾きが当該第1のインスタンスAの方が大きいか同程度の場合には当該第1のインスタンスのみならず、この第1のインスタンスの駆動能力を信号タイミング遅延が発生しない程度でかつ第1および第2のインスタンスの駆動能力比が大きくならない程度に下げ、第2のインスタンスBの信号波形の傾きの方が大きい場合には当該第1のインスタンスAのみ、駆動能力を信号タイミング遅延が発生しない程度に下げる(ステップ4904)。なお、ここで、駆動能力比が大きくならないようにとは、変更後の駆動能力比が変更前の駆動能力比よりも大きくならないように第1のインスタンスA及び第2のインスタンスBの駆動能力を下げるということである。すなわち、変更前の駆動能力比 >= 変更後の駆動能力比の条件で、第1のインスタンスA及び第2のインスタンスBの駆動能力を下げる。   Next, it is determined whether or not there is a margin in the signal timing of the selected instance (step 4902). If it is determined that there is a margin, in the determination step 4903, the first instance A determined to have a large amount of noise. It is determined whether there is a second instance B having an output signal line parallel to and adjacent to the output signal line. If it is determined that the first instance A and the second instance B are compared, the magnitude of the output signal waveform is greater or similar in the first instance A. Not only the first instance but also the driving capability of the first instance is lowered to such an extent that no signal timing delay occurs and the driving capability ratio of the first and second instances is not increased, and the second instance B If the slope of the signal waveform is larger, the drive capability of only the first instance A is lowered to such an extent that no signal timing delay occurs (step 4904). Here, the drive capacity ratio of the first instance A and the second instance B is set so that the drive capacity ratio after the change does not become larger than the drive capacity ratio before the change. It is to lower. That is, the drive capacity of the first instance A and the second instance B is lowered under the condition of the drive capacity ratio before change> = drive capacity ratio after change.

一方、クロストークを生じる第2のインスタンスBが存在しないと判断された場合は、信号タイミング遅延が発生しない程度に第1のインスタンスAの駆動能力を下げる(ステップ4905)。   On the other hand, if it is determined that there is no second instance B that causes crosstalk, the drive capability of the first instance A is lowered to the extent that no signal timing delay occurs (step 4905).

実施の形態3
次に本発明の第3の実施の形態について説明する。ここでは図50にフローチャートを示すように、不要輻射最適化部において、IRドロップを考慮した不要輻射対策を行なうようにしたことを特徴とするもので、ノイズ量が多いと判断されたインスタンスに対し、このインスタンスに供給しているローカル電源配線の抵抗を大きくしIRドロップにより、タイミング遅延が発生しない程度にインスタンスへの印加電圧を低下せしめ、駆動能力を下げるように調整する工程を含むことを特徴とする。
Embodiment 3
Next, a third embodiment of the present invention will be described. Here, as shown in the flowchart of FIG. 50, the unnecessary radiation optimizing unit is configured to take measures against unnecessary radiation in consideration of IR drop. For an instance determined to have a large amount of noise, The method includes a step of increasing the resistance of the local power supply wiring supplied to the instance and adjusting the drive voltage to be lowered by reducing the applied voltage to the instance to such an extent that no timing delay occurs due to IR drop. And

ここでは、後述する方法によってノイズ量が多いインスタンスが選出されたものとし、このインスタンスに対する不要輻射最適化対策を行なう方法について説明する。
まず、シミュレーションによりEMI解析を実行し、ノイズ量が多いインスタンスを選出する(ステップ5001)。
Here, it is assumed that an instance having a large amount of noise has been selected by a method described later, and a method for performing unnecessary radiation optimization countermeasures for this instance will be described.
First, EMI analysis is performed by simulation, and an instance with a large amount of noise is selected (step 5001).

次いで選出インスタンスの信号タイミングに余裕があるか否かを判断し(ステップ5002)、余裕があると判断された場合は、このインスタンスに供給しているローカル電源配線の抵抗を大きくしIRドロップにより、タイミング遅延が発生しない程度にインスタンスへの印加電圧を低下せしめ、駆動能力を下げるように調整する(ステップ5003)。   Next, it is determined whether there is a margin in the signal timing of the selected instance (step 5002). If it is determined that there is a margin, the resistance of the local power supply wiring supplied to this instance is increased and IR drop is performed. The application voltage to the instance is lowered to such an extent that timing delay does not occur, and adjustment is made so as to lower the driving capability (step 5003).

実施の形態4
次に本発明の第4の実施の形態について説明する。ここでは図51にフローチャートを示すように、不要輻射最適化部において、前記不要輻射解析工程でクロストークの加害者となっているアグレッサインスタンスを選出し、選出されたアグレッサインスタンスの信号タイミングに遅延が発生しない程度に前記アグレッサインスタンスの駆動能力を下げるように調整する工程とを含む事を特徴とする。
Embodiment 4
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. Here, as shown in the flowchart of FIG. 51, the unnecessary radiation optimization unit selects an aggressor instance that is a perpetrator of crosstalk in the unnecessary radiation analysis step, and the signal timing of the selected aggressor instance is delayed. And a step of adjusting the drive capability of the aggressor instance so as not to occur.

ここでは、後述する方法によってノイズ量が多いインスタンスが選出されたものとし、このインスタンスに対する不要輻射最適化対策を行なう方法について説明する。
まず、シミュレーションによりEMI解析を実行し、ノイズの加害者であるアグレッサインスタンスを選出する(ステップ5101)。
Here, it is assumed that an instance having a large amount of noise has been selected by a method described later, and a method for performing unnecessary radiation optimization countermeasures for this instance will be described.
First, EMI analysis is performed by simulation to select an aggressor instance that is a perpetrator of noise (step 5101).

次いで選出アグレッサインスタンスのノイズ量が多いか否かを判断し(ステップ5102)、ノイズ量が多いと判断された場合には、選出されたアグレッサインスタンスの信号タイミングに余裕があるか否かを判断し(ステップ5103)、余裕があると判断された場合は、このアグレッサインスタンスの駆動能力を信号タイミング遅延が発生しない程度に下げる(ステップ5104)。   Next, it is determined whether the noise amount of the selected aggressor instance is large (step 5102). If it is determined that the noise amount is large, it is determined whether the signal timing of the selected aggressor instance has a margin. (Step 5103) If it is determined that there is a margin, the drive capability of the aggressor instance is lowered to such an extent that no signal timing delay occurs (step 5104).

ここで判断ステップ5102でノイズ量が多くないと判断された場合および、判断ステップ5103で余裕がないと判断された場合は、図52に示す工程にシフトする。   If it is determined in decision step 5102 that the amount of noise is not large, or if it is determined in decision step 5103 that there is no room, the process shifts to the step shown in FIG.

ここでは、被害者側すなわちビクティムインスタンスのEMIノイズが少ないか否かを判断し(ステップ5201)、少ないと判断された場合は、EMIノイズ量が問題にならない程度にビクティムインスタンスの駆動能力をあげる(ステップ5202) 一方被害者側すなわちビクティムインスタンスのEMIノイズが少なくないと判断された場合は、平行信号配線長を減らすあるいは配線間隔を広げる(ステップ5203)。これによりクロストークが低減される。   Here, it is determined whether or not the EMI noise of the victim side, that is, the victim instance is small (step 5201). If it is determined that the EMI noise amount is small, the driving ability of the victim instance is increased to such an extent that the amount of EMI noise does not become a problem ( Step 5202) On the other hand, if it is determined that the EMI noise on the victim side, that is, the victim instance is not small, the parallel signal wiring length is reduced or the wiring interval is increased (Step 5203). Thereby, crosstalk is reduced.

実施の形態5
次に本発明の第5の実施の形態について説明する。図53に本発明の第5の実施の形態のデカップリング容量挿入による不要輻射対策の全体処理フローを示す。ここでは図53にフローチャートを示すように、フロアプラン時とレイアウト時とに分けて各々不要輻射削減処理を行い、この後不要輻射解析を行い、不要輻射が所定の範囲以下になっているか否かを判断し、なっていなければ、再度設計フェーズに戻るようにしたことを特徴とするものである。さらに、不要輻射の最適化が必要な箇所に対して、デカップリング容量の効果的な挿入位置を算出する工程と、挿入箇所を作る工程とを持つことを特徴とするものである。
Embodiment 5
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 53 shows the entire processing flow of measures against unwanted radiation by inserting a decoupling capacitor according to the fifth embodiment of the present invention. Here, as shown in the flowchart in FIG. 53, unnecessary radiation reduction processing is performed separately for floorplanning and layout, and then unnecessary radiation analysis is performed to determine whether or not unnecessary radiation is below a predetermined range. If not, it is characterized in that it returns to the design phase again. Further, the present invention is characterized by having a step of calculating an effective insertion position of the decoupling capacitance and a step of creating an insertion portion for a portion where the unnecessary radiation needs to be optimized.

すなわち、ステップ5301で不要輻射解析処理を行い、ここで得られたFFT解析結果の周波数スペクトルを取り出し(ステップ5302)、不要輻射対策が必要なノイズレベルの大きいブロックあるいはインスタンスをソーティングする(ステップ5303)。すなわち、例えば外部のコンピュータシステムに周波数スペクトルを記憶し、その入出力演算部でそれぞれの構成要素の各ステップをもつプログラム群として記憶されており、所望の順番にソーティングがなされる。   That is, unnecessary radiation analysis processing is performed in step 5301, the frequency spectrum of the FFT analysis result obtained here is extracted (step 5302), and a block or instance having a high noise level that requires countermeasures against unnecessary radiation is sorted (step 5303). . That is, for example, the frequency spectrum is stored in an external computer system, and the input / output calculation unit stores it as a program group having each step of each component, and sorting is performed in a desired order.

一方、FFT結果ソート手段7502は前述のコンピュータシステムの入出力演算部にそれぞれの構成要素の各ステップを持つプログラム群として記憶されている。   On the other hand, the FFT result sorting means 7502 is stored as a program group having each step of each constituent element in the input / output arithmetic unit of the computer system.

この後、設計フェーズ(ステップ5304)に入り、第1の不要輻射削減処理部でフロアプラン時の不要輻射削減処理を行う(ステップ5305)一方、第2の不要輻射削減処理部でレイアウト時のセル配置を行うなかで不要輻射削減処理を行う(ステップ5306)。   Thereafter, the design phase (step 5304) is entered, and the first unnecessary radiation reduction processing unit performs unnecessary radiation reduction processing during floorplanning (step 5305), while the second unnecessary radiation reduction processing unit performs cells during layout. Unnecessary radiation reduction processing is performed during the placement (step 5306).

そして再度不要輻射解析を行い(ステップ5307)、不要輻射量が所定の値よりも小さいか否かの判断を行う(ステップ5308)。
そして不要輻射量が基準値よりも十分に小さくなっていると判断されたとき、不要輻射対策は終了する。
Then, unnecessary radiation analysis is performed again (step 5307), and it is determined whether or not the amount of unnecessary radiation is smaller than a predetermined value (step 5308).
When it is determined that the amount of unnecessary radiation is sufficiently smaller than the reference value, the countermeasure for unnecessary radiation ends.

一方、不要輻射量が基準値よりも十分に小さくなっていないと判断されたときは再び設計フェーズに戻り(ステップ5304)、再度第1および第2の不要輻射削減処理部で処理対策を行う。
次に、フロアプラン時の不要輻射最適化処理工程について図54を参照しつつ説明する。
On the other hand, when it is determined that the amount of unnecessary radiation is not sufficiently smaller than the reference value, the process returns to the design phase again (step 5304), and the first and second unnecessary radiation reduction processing units again perform processing countermeasures.
Next, the unnecessary radiation optimization process in the floor plan will be described with reference to FIG.

ここではまず、前記コンピュータシステムの出力部でソーティングして得られる対象ブロックの不要輻射解析結果情報からピーク電流情報を抽出する(ステップ5401)。不要輻射解析結果情報の一例を図56に示す。図56から、周波数成分100MHzで不要輻射の大きいブロックとしてMH2がソーティングされる。ピーク電流情報の一例を図58に示す。ピーク電流情報とはブロックまたはインスタンス入り口の電源配線を流れる電流情報のことである。本実施の形態では、一例として、ピークの電流値と電流波形の傾きを情報として抽出したものをピーク電流情報とする。   Here, first, peak current information is extracted from unnecessary radiation analysis result information of the target block obtained by sorting at the output unit of the computer system (step 5401). An example of unnecessary radiation analysis result information is shown in FIG. From FIG. 56, MH2 is sorted as a block with a large unnecessary radiation at a frequency component of 100 MHz. An example of the peak current information is shown in FIG. The peak current information is current information flowing through the power supply wiring at the block or instance entrance. In this embodiment, as an example, the peak current information is obtained by extracting the peak current value and the slope of the current waveform as information.

そして図59に示すような、ピーク電流とピーク電流を低減させるために必要なデカップリング容量の関係を示した、ピーク電流−デカップリング容量データベースDB1(5402)を用いて、図60に示すように不要輻射を低減するためのデカップリング容量の必要量を算出する(ステップ5403)。   As shown in FIG. 60, using the peak current-decoupling capacity database DB1 (5402) showing the relationship between the peak current and the decoupling capacity necessary for reducing the peak current, as shown in FIG. A necessary amount of decoupling capacity for reducing unnecessary radiation is calculated (step 5403).

そしてこのようにして求められた前記対象ブロックの必要なデカップリング容量と、図61に示すような、デカップリング容量とデカップリング容量を挿入箇所となる電源配線の面積の関係を示した、デカップリング容量−電源面積データベースDB2(5404)から、図62に示すように電源面積の必要量を算出する(ステップ5405)。(本説明では、電源面積を、デカップリング容量の挿入箇所となりえる電源配線の面積と定義する。)   The decoupling capacitance required for the target block thus obtained and the relationship between the decoupling capacitance and the area of the power supply wiring where the decoupling capacitance is inserted as shown in FIG. 61 are shown. From the capacity-power supply area database DB2 (5404), the required power supply area is calculated as shown in FIG. 62 (step 5405). (In this description, the power supply area is defined as the area of the power supply wiring that can be the insertion point of the decoupling capacitor.)

一方レイアウトデータをデータベースから取り出す(ステップ5407)。この例では、例えば図63に示すように相対向する辺上に設けられた電極パッドP1,P2の間に位置する対象ブロックBをもつ。そしてこのデータから図64に示すように抵抗値の小さい順に電流経路1、2、3と決定し(ステップ5408)、図65にハッチングHで示すように第1電流経路の電源面積を算出する(ステップ5409)。   On the other hand, layout data is extracted from the database (step 5407). In this example, for example, as shown in FIG. 63, there is a target block B located between electrode pads P1 and P2 provided on opposite sides. 64, the current paths 1, 2, and 3 are determined in ascending order of resistance value as shown in FIG. 64 (step 5408), and the power source area of the first current path is calculated as indicated by hatching H in FIG. Step 5409).

このようにして得られた第1電流経路の電源面積と、対象ブロックのピーク電流情報から得られた電源面積の必要量とから、デカップリング容量の挿入箇所となる電源面積が必要量に達しているか否かを判断し、必要量に達していなければ、経路ごとに対策を順次実施する(ステップ5406)。また、電流経路を抵抗値によって規定しているため、ステップ5401で電流経路ごとにピーク電流情報を算出し、利用することも可能である。   From the power source area of the first current path obtained in this way and the required amount of power source area obtained from the peak current information of the target block, the power source area that becomes the insertion location of the decoupling capacitor has reached the required amount. If the required amount is not reached, countermeasures are sequentially implemented for each route (step 5406). In addition, since the current path is defined by the resistance value, it is possible to calculate and use the peak current information for each current path in step 5401.

このようにして得られた電源面積分だけ増大させるべく、アスペクト比変更処理部において、アスペクト比すなわちブロック形状の縦横比を変更する(ステップ5410)。例えば図66に示すように対象ブロックBの縦横比を反転させると電極面積H2分だけ増大することになる。   The aspect ratio change processing unit changes the aspect ratio, that is, the aspect ratio of the block shape in order to increase the power supply area thus obtained (step 5410). For example, if the aspect ratio of the target block B is reversed as shown in FIG. 66, the electrode area H2 is increased.

また、ブロック配置変更処理部においてブロックの配置位置を変更する(ステップ5411)。例えば図67に示すようにブロック位置を第2の電源パッドP2から離間せしめ、第一電流経路の電源配線面積を増大させると電極面積H3分だけ増大することになる。
さらにまた、電源配線変更処理部において、電源配線を変更する(ステップ5412)。例えば図67に示すように配線幅を部分的に2倍にし、第一電流経路の電源配線面積を増大させると電極面積H4分だけ増大することになる。
Further, the block arrangement change processing unit changes the block arrangement position (step 5411). For example, as shown in FIG. 67, when the block position is separated from the second power supply pad P2 and the power supply wiring area of the first current path is increased, the electrode area is increased by H3.
Furthermore, the power supply wiring change processing unit changes the power supply wiring (step 5412). For example, as shown in FIG. 67, when the wiring width is partially doubled and the power supply wiring area of the first current path is increased, the electrode area is increased by H4.

このようにして、不要輻射を低減すべく、アスペクト比変更処理、ブロック配置変更処置、電源配線変更処理により、デカップリング容量の挿入効果が最も大きい第一電流経路の電源面積を増大させ、再度電源面積の必要量を満たしているか否かを判断する(ステップ5413)。
そして、電源面積の必要量を満たしていないと判断されたときは、再度ステップ5408に戻り、電流経路の再決定を実施する。図69に一例を示すように、先の対策工程において、対象ブロックBの位置が第1の電源パッドP1に近い側に移動したことにより、第一電流経路が変更となっている場合、新たに定まった第一電流経路が対象の経路となる。また、第一電流経路が対策工程によって変更しなかった場合は、第二電流経路が対象の経路となる。そして再度経路ごとに不要輻射を低減すべく、アスペクト比変更処理、ブロック配置変更処置、電源配線変更処理により、電源面積を増大させ、再度電源面積の必要量を満たしているか否かを判断し(ステップ5413)、これがOKとなるまでこれらのステップを繰り返す。
In this way, in order to reduce unnecessary radiation, the power supply area of the first current path having the largest insertion effect of the decoupling capacitance is increased by the aspect ratio change process, the block arrangement change process, and the power supply wiring change process, and the power is supplied again. It is determined whether the required amount of area is satisfied (step 5413).
When it is determined that the necessary amount of the power source area is not satisfied, the process returns to step 5408 again to determine the current path again. As shown in an example in FIG. 69, when the first current path is changed because the position of the target block B has moved to the side closer to the first power supply pad P1 in the previous countermeasure process, The determined first current path is the target path. When the first current path is not changed by the countermeasure process, the second current path is the target path. Then, in order to reduce unnecessary radiation again for each path, the power supply area is increased by the aspect ratio change process, the block arrangement change process, and the power supply wiring change process, and it is determined again whether the required amount of the power supply area is satisfied ( Step 5413), repeat these steps until it is OK.

一般に、チップのデカップリング容量の生成面積を増やす対策は、不要輻射低減手法として用いられるものだが、チップ面積の増大を招くデメリットがある。本実施の形態での電源配線変更処理では、処理を行なう箇所を解析結果に基づいて限定し、必要箇所に必要量だけ対策を行なうので、過度な対策により面積増大を招く恐れがない。また、本実施の形態でのアスペクト比変更処理とブロック配置変更処理では、チップ面積を増大することなくEMI対策を行なうことが可能であり効果的である。   In general, a measure for increasing the generation area of the chip decoupling capacitance is used as a technique for reducing unnecessary radiation, but has a demerit that increases the chip area. In the power supply wiring changing process according to the present embodiment, the locations where the processing is performed are limited based on the analysis results, and only the necessary amount of measures are taken at the required locations, so there is no risk of an increase in area due to excessive measures. Further, the aspect ratio changing process and the block arrangement changing process in the present embodiment are effective because it is possible to take EMI countermeasures without increasing the chip area.

前記実施の形態では、電源面積を、デカップリング容量の挿入箇所となりえる電源配線の面積と定義したが、デカップリング容量がどの電流経路に属するかということを示すことにより、電源面積を、デカップリング容量の挿入領域として定義し、取り扱うことも可能である。   In the above-described embodiment, the power source area is defined as the area of the power supply wiring that can be an insertion point of the decoupling capacitance. However, by indicating which current path the decoupling capacitance belongs to, the power source area is decoupled. It can also be defined and handled as a capacity insertion area.

このようにしてフロアプラン時の不要輻射削減処理がなされるが、一方、図53の不要輻射対策全体処理フローで説明したレイアウト時すなわちセル配置時における不要輻射削減処理部における対策について説明する。   In this way, unnecessary radiation reduction processing at the time of floor planning is performed. On the other hand, countermeasures in the unnecessary radiation reduction processing unit at the time of layout described in the overall processing flow of unnecessary radiation countermeasures in FIG.

この工程は図55に示す。図56に対策が必要なインスタンスをソートした結果情報(5501)の一例を示す。図56では周波数成分100MHzで不要輻射の大きいインスタンスとしてX102.XM123.MH2およびX178.XM123.MH2がソーティングされる。ところで、図70に一例を示すようなブロックを考える場合、各インスタンスIは図71に示すように電源ラインと接地ラインとを持ち、通常は電源の取り出しを容易にするために、図72に示すように、各セルラインはダブルバック配置すなわち、接地ライン同士、電源ライン同士同一側に配置されるようなセル配置をとることが多い。そこで1つのセルラインを反転させ、隣接セルラインの電源ラインおよび接地ラインを所定の間隔cだけ離間させて配置することにより、隣接する電源ラインVccと接地ラインGNDとの間にデカップリング容量が生成される。
このようにして平面的にデカップリング容量を形成することが可能となる。
This process is shown in FIG. FIG. 56 shows an example of result information (5501) obtained by sorting instances that need countermeasures. In FIG. 56, X102.XM123.MH2 and X178.XM123.MH2 are sorted as instances of unnecessary radiation with a frequency component of 100 MHz. By the way, when considering a block as shown in FIG. 70, each instance I has a power line and a ground line as shown in FIG. 71. As described above, each cell line often has a double back arrangement, that is, a cell arrangement in which the ground lines and the power supply lines are arranged on the same side. Therefore, a decoupling capacitance is generated between the adjacent power line Vcc and the ground line GND by inverting one cell line and arranging the power line and ground line of the adjacent cell line separated by a predetermined distance c. Is done.
In this way, a decoupling capacitor can be formed in a plane.

このことを利用し、対策が必要なインスタンスをソートした結果情報を抽出し(ステップ5501)、このデータから、前述したようにダブルバック解除すなわち反転させることにより平面的なデカップリング容量を生成するセルラインを決定する(ステップ5502)。図57にこのセルライン反転の説明図を示す。ハッチングが形成されているのが対策を必要とするインスタンスとする場合、対策が必要なインスタンスが最も多く所属しているセルラインが決定される。そしてダブルバック解除を行う(ステップ5503)によりデカップリング容量の増大を図ることが可能となる。   Using this fact, the result information obtained by sorting the instances that need countermeasures is extracted (step 5501), and a double decoupling is canceled or inverted from this data to generate a planar decoupling capacity as described above. A line is determined (step 5502). FIG. 57 shows an explanatory diagram of the cell line inversion. When the hatched instance is an instance requiring countermeasures, the cell line to which the most instances requiring countermeasures belong is determined. The decoupling capacity can be increased by releasing the double back (step 5503).

前記実施の形態ではダブルバック解除すなわちセルラインを反転させることにより、平面的なデカップリング容量を生成することにより、不要輻射の低減を行うようにしたが、この他、図74に図73のA−A断面を示すように、接地ラインおよび電源ラインの上層や下層に絶縁膜を介して追加配線ラインVsを配設し、接地ラインおよび電源ラインの中間電位を保持することにより、接地ラインと追加配線ライン、電源ラインと追加配線ライン、および電源ラインと接地ラインの3つのデカップリング容量を追加することができ、微小面積で容易に必要なデカップリング容量を形成することが可能となる。また、対象となるインスタンスにもっとも間近な位置にデカップリング容量が形成できるため、対策の効果を発揮され易い、効率のよいデカップリング容量の挿入位置ということができる。   In the embodiment described above, unnecessary radiation is reduced by generating a planar decoupling capacitance by canceling double back, that is, by inverting the cell line. In addition to this, FIG. As shown in section -A, an additional wiring line Vs is disposed above and below the ground line and the power line via an insulating film, and an intermediate potential between the ground line and the power line is maintained, thereby adding the ground line and the power line. Three decoupling capacitances of a wiring line, a power supply line and an additional wiring line, and a power supply line and a ground line can be added, and a necessary decoupling capacitance can be easily formed with a small area. In addition, since the decoupling capacitance can be formed at a position closest to the target instance, it can be said that the decoupling capacitance is efficiently inserted at a position where the effect of the countermeasure is easily exhibited.

又、図54のステップ5401からステップ5405で算出される電源面積の必要量を、レイアウト時すなわちセル配置時における不要輻射削減処理を行う際に利用することも容易に実現できる。どの程度、対策を行えばよいかが明らかになるため、過度な面積の増大を抑えることができる。
なお、デカップリング容量は、対象チップの電源配線の幅および周辺回路の状況に応じて決定される。
Also, it is possible to easily use the necessary amount of the power source area calculated in steps 5401 to 5405 in FIG. 54 when performing unnecessary radiation reduction processing at the time of layout, that is, at the time of cell placement. Since it becomes clear how much measures should be taken, an excessive increase in area can be suppressed.
The decoupling capacitance is determined according to the width of the power supply wiring of the target chip and the state of the peripheral circuit.

この電源配線幅情報には、・仕様段階で予想される、またはフロアプランで決定する、チップの周りに施すリング電源配線の有無とその幅・仕様段階で予想される、またはフロアプランで決定する、各モジュール間に配線する基幹電源配線の幅・仕様段階で予想される、またはフロアプランで決定する、各モジュール間に施すストラップ電源の幅・仕様段階で予想される、またはフロアプランで決定する、電源配線下のデカップリング容量セルの有無などが考慮され、このような値をデータとして入力しておくのが望ましい。しかしながらこれら構成要素がすべて入力されている必要はない。   This power supply wiring width information is estimated at the specification stage or determined at the floor plan, whether or not there is a ring power supply wiring around the chip and its width / expected at the specification stage, or determined at the floor plan The width of the main power supply wiring between each module is expected at the specification stage, or determined by the floor plan. The width of the strap power supply between each module is expected at the specification stage, or determined by the floor plan. Considering the presence or absence of a decoupling capacitor cell under the power supply wiring, it is desirable to input such a value as data. However, it is not necessary that all these components are input.

実施の形態6
次に、このような最適化工程を効率化するためのユーザインターフェースについて説明する。
従来のLSIにおけるEMI解析手段では、FFT結果のみをレポートする方法が一般的であった。この方法では原因箇所を判断するのに非常に時間がかかってしまうという問題があった。
そこで本実施例では、この問題を解決するため、ユーザインターフェースとして、各インスタンスごとの電流波形に対してFFTを行い、各電流周波数成分のノイズの大きなもの順にインスタンス名をソートするという手法を用いる。これにより、最適化処理が容易となる。
Embodiment 6
Next, a user interface for improving the efficiency of such an optimization process will be described.
In the conventional EMI analysis means in LSI, a method of reporting only the FFT result has been common. This method has a problem that it takes a very long time to determine the cause.
Therefore, in this embodiment, in order to solve this problem, a method of performing FFT on the current waveform for each instance and sorting the instance names in descending order of noise of each current frequency component is used as a user interface. This facilitates optimization processing.

図75は本発明の実施例6に関わる不要輻射解析装置の構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、FFT結果記憶手段7501と、FFT結果ソート手段7502と、ソート結果記憶手段7503とからなる。
これらのうち、FFT結果記憶手段7501と、ソート結果記憶手段7503とは前述のコンピュータシステムの外部記憶装置に割り当てられている。
FIG. 75 shows the configuration of the unwanted radiation analysis apparatus according to Embodiment 6 of the present invention. The unwanted radiation analysis apparatus shown in the figure includes an FFT result storage unit 7501, an FFT result sort unit 7502, and a sort result storage unit 7503.
Of these, the FFT result storage means 7501 and the sort result storage means 7503 are assigned to the external storage device of the computer system described above.

一方、FFT結果ソート手段7502は前述のコンピュータシステムの入出力演算部にそれぞれの構成要素の各ステップを持つプログラム群として記憶されている。   On the other hand, the FFT result sorting means 7502 is stored as a program group having each step of each constituent element in the input / output arithmetic unit of the computer system.

次に、これらの図75の不要輻射解析装置を構成する個々の要素について説明するとともに、図76に示すFFT結果情報を用いて不要輻射を解析する手順を説明する。   Next, each element constituting the unwanted radiation analysis apparatus of FIG. 75 will be described, and a procedure for analyzing unwanted radiation using the FFT result information shown in FIG. 76 will be explained.

FFT結果記憶手段7501は、FFT結果の情報であり、あらかじめ図76に示すようなFFT結果情報を記憶している。
このFFT結果情報は、各インスタンス毎にFFT結果の周波数と電流周波数成分の情報から構成されている。
ソート結果記憶手段7503は、図77に示すようなFFT結果ソート手段7502で計算されたソート結果情報を記憶するものである。
このソート結果情報は、各周波数毎にインスタンス名と電流周波数成分値とからなる対象回路の1つ以上のFFT結果情報から構成されている。
The FFT result storage means 7501 is information about the FFT result, and stores FFT result information as shown in FIG. 76 in advance.
This FFT result information is composed of information on the frequency and current frequency component of the FFT result for each instance.
The sort result storage unit 7503 stores the sort result information calculated by the FFT result sort unit 7502 as shown in FIG.
This sort result information is composed of one or more FFT result information of the target circuit consisting of an instance name and a current frequency component value for each frequency.

FFT結果ソート手段7802は、図78に示すようなフローチャートで解析を実行する。   The FFT result sorting means 7802 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.

まず、ステップ7801でFFT結果記憶手段7501に記憶された図78に示すFFT結果情報を読みこむ。
ついで、ステップ7802でFFT結果情報内の周波数情報を読み込み、ステップ7803で最初の周波数を選択する。
こののち、ステップ7804では、前記対象周波数に対応する全てのインスタンスと電流周波数成分を選択し、さらに、ステップ7805で選択したインスタンスと電流周波数成分を電流周波数成分の大きい順にソートする。
First, in step 7801, the FFT result information shown in FIG. 78 stored in the FFT result storage means 7501 is read.
In step 7802, frequency information in the FFT result information is read. In step 7803, the first frequency is selected.
Thereafter, in step 7804, all instances and current frequency components corresponding to the target frequency are selected, and the instances and current frequency components selected in step 7805 are sorted in descending order of current frequency components.

ステップ7806では、対象周波数とソートされたインスタンス名と電流周波数成分を、ソート結果記憶情報に書き込む。このとき、必要に応じて図56に示すような形あるいは図79に示すようなデータの形で表示するようにしてもよい。
上記のステップ7804からステップ7806まではFFT結果情報に記載された全ての周波数情報を処理し終わるまで繰り返し、終了すれば本FFT結果ソート手段は終了する。
In step 7806, the target frequency, the sorted instance name, and the current frequency component are written in the sorting result storage information. At this time, the data may be displayed in the form shown in FIG. 56 or the data shown in FIG. 79 as necessary.
Steps 7804 to 7806 are repeated until all the frequency information described in the FFT result information has been processed. When the processing is completed, the FFT result sorting unit ends.

以上の方法により、ユーザインターフェースとして、各インスタンスごとの電流波形に対してFFTを行い、各電流周波数成分のノイズの大きなもの順にインスタンス名をソートするという手法を用いることによりノイズに影響するインスタンスの特定が可能となる。
またFFT結果を表示するに際し、図79(a)乃至(c)に示すように、対策前(a)、対策後(b)、および対策前後(c)での同時表示を行うことにより、周波数ごとの改善表示がわかりやすくなる。また差分を色分けして表示することによりさらに表示が容易となり、着目すべき周波数成分に対してどの程度効果が出ているかを迅速に判断することができる。
By the above method, the instance that affects the noise is identified as a user interface by performing FFT on the current waveform for each instance and sorting the instance names in descending order of the noise of each current frequency component. Is possible.
Further, when displaying the FFT result, as shown in FIGS. 79A to 79C, the frequency is displayed by performing simultaneous display before (a), after (b), and before and after (c). Each improvement display is easy to understand. Further, the difference is displayed in different colors, which makes it easier to display, and it is possible to quickly determine how effective the frequency component to be noticed is.

実施の形態7
さらに、このような最適化工程を効率化するためのユーザインターフェースについて説明する。
従来のLSIにおけるEMI最適化工程では、結果のみをレポートする方法が一般的であった。この方法では回路データおよびネットリストをはじめ種々のデータから処理を把握し次のステップを判断するのに非常に時間がかかってしまうという問題があった。
Embodiment 7
Furthermore, a user interface for improving the efficiency of such an optimization process will be described.
In the conventional EMI optimization process in an LSI, a method of reporting only the result is common. In this method, there is a problem that it takes a very long time to grasp the processing from various data including circuit data and a net list and determine the next step.

そこで本実施例では、この問題を解決するため、ユーザインターフェースとして、各ステップごとに表示工程を設け、ユーザが判断しながら、処理を行うことができるようにしたことを特徴とする。図79乃至図83は表示例を示す図である。
その一例としてデータの変更処理について説明する。
In order to solve this problem, the present embodiment is characterized in that a display process is provided for each step as a user interface so that the user can perform processing while making a determination. 79 to 83 are views showing display examples.
As an example, data change processing will be described.

この表示工程を実施するための表示手段は、各機能手段のコンピュータシステムの入出力演算部にそれぞれの構成要素の各ステップを持つプログラム群として記憶されており、逐次表示できるようになっている。   The display means for performing this display step is stored as a program group having each step of each constituent element in the input / output calculation unit of the computer system of each functional means, and can be displayed sequentially.

図84に示すように、回路データ変更手段において変更ステップが開始される(ステップ8401)と、回路情報の抽出ステップ8402を経て図80(a)に示すように変更が必要となる回路データ個所がハイライトが表示される(ステップ8403)。   As shown in FIG. 84, when the change step is started in the circuit data changing means (step 8401), the circuit data extraction step 8402 is followed by the circuit data location that needs to be changed as shown in FIG. A highlight is displayed (step 8403).

そして機能選択入力工程(ステップ8404)で例えばデータ変更かパラメータ変更かなどの機能選択がなされると選択機能表示工程で選択機能が表示される(ステップ8405)。
次に、指定領域表示工程(ステップ8406)で指定情報に該当する領域が表示されると指定領域入力工程で指定領域が入力される(ステップ8407)。
When a function selection such as data change or parameter change is made in the function selection input step (step 8404), the selection function is displayed in the selection function display step (step 8405).
Next, when a region corresponding to the designation information is displayed in the designated region display step (step 8406), the designated region is input in the designated region input step (step 8407).

機能選択でデータ変更が選択された場合は、表示された情報によって判断がなされ、指定領域データ仮変更工程(ステップ8408)で回路データの変更が指示されるとそれに応じて不要輻射シミュレーション(ステップ8409)が実行される。   When data change is selected in the function selection, a determination is made based on the displayed information. When a change in circuit data is instructed in the designated area data temporary change process (step 8408), an unnecessary radiation simulation (step 8409) is performed accordingly. ) Is executed.

そして再度回路情報の読み込みがなされ(ステップ8410)、指定領域データ変更工程(ステップ8408)での回路データ仮変更(ステップ8411)結果と、その回路データに応じて求められたパラメータ値を、変更後回路データ表示工程(ステップ8412)で表示がなされる。   Then, the circuit information is read again (step 8410), and the circuit data temporary change (step 8411) result in the designated area data change step (step 8408) and the parameter value obtained according to the circuit data are changed. Display is performed in the circuit data display step (step 8412).

この表示データは図80(b)に示すように選択したい個所を選択するとパラメータ値確認画面が表示されその後パラメータ表示がなされるようになっている。また図80(c)に示すように1つの個所に関連する別の個所を表示する場合もある。   In this display data, as shown in FIG. 80 (b), when a portion to be selected is selected, a parameter value confirmation screen is displayed, and then a parameter is displayed. In addition, as shown in FIG. 80 (c), another part related to one part may be displayed.

例えば機能選択をする工程で(ステップ8405)で、配線幅を広げるという機能を選択すると画面上には図81(a)に示すように、機能選択表示がなされ、画面上で配線幅を広げると図81(b)に示すように内部計算されたパラメータ値が表示され、確認画面が表示される。   For example, in the function selection step (step 8405), when the function of widening the wiring width is selected, a function selection display is made on the screen as shown in FIG. 81 (a), and the wiring width is widened on the screen. As shown in FIG. 81 (b), the internally calculated parameter value is displayed, and a confirmation screen is displayed.

また、問題解決手法など処理の履歴をレポート出力することができるようにすることも有用である。さらにまた処理結果レポートをファイル出力することも可能である。図83は表示画面の一例を示す図であり、B1は履歴表示ボタンを示し、B2はレポート表示ボタンを示す。これらを押すことにより、それぞれ表示がなされるようになっている。   It is also useful to be able to output a processing history report such as a problem solving technique. Furthermore, the processing result report can be output as a file. FIG. 83 is a diagram showing an example of a display screen, B1 shows a history display button, and B2 shows a report display button. Each of these is displayed by pressing these buttons.

このようにして種々の表示がなされ、変更後確認入力(ステップ8413)がなされ、判断ステップ8414でYESが選択されると回路データの変更がなされ(ステップ8415)、回路情報8416の更新がなされる。   In this way, various displays are made, confirmation input after change (step 8413) is made, and if YES is selected in decision step 8414, the circuit data is changed (step 8415), and the circuit information 8416 is updated. .

かかる方法によれば、表示をみながら最適化処理を行うことができるため、作業性よく高精度の不要輻射の最適化処理を行うことが可能となる。   According to this method, since the optimization process can be performed while viewing the display, it is possible to perform the unnecessary radiation optimization process with high workability and high accuracy.

実施の形態8
前記実施の形態では、指定領域データを仮変更することによって、回路データ変更処理を行う方法について説明したが、パラメータ値を変更する工程の場合には、次のような表示がなされる。まず機能選択を行うと、画面上には図82(a)に示すように、機能選択表示がなされ、図82(b)の画面で所望のパラメータ値を入力すると、図82(c)に示すように回路データを変更して確認画面が表示される。
Embodiment 8
In the above-described embodiment, the method of performing the circuit data change process by temporarily changing the designated area data has been described. However, in the case of the process of changing the parameter value, the following display is performed. First, when a function is selected, a function selection display is made on the screen as shown in FIG. 82 (a). When a desired parameter value is input on the screen of FIG. 82 (b), the screen shown in FIG. 82 (c) is displayed. As shown, the circuit data is changed and a confirmation screen is displayed.

図85にそのフローチャートを示す。   FIG. 85 shows the flowchart.

この例では図84に示した回路データ変更処理工程と同様のステップを用いている。ここで実施の形態7では、指定領域入力ステップ8406の後、指定領域表示ステップ8407を経て不要輻射シミュレーションステップ8408にいくようにしたが、この指定領域表示ステップ8407に代えて、図81(a)および(b)に示すように、変更した状態で不要輻射シミュレーションを行うステップ(ステップ8507)と、このパラメータ値と指定領域とを表示する表示ステップ(ステップ8508)と、表示結果に応じてパラメータ値を変更する変更ステップ(ステップ8509)とを経て、不要輻射シミュレーションステップ8510(図84では不要輻射シミュレーションステップ8408に相当)を実行するようにしたことを特徴とする。   In this example, steps similar to the circuit data change processing step shown in FIG. 84 are used. In the seventh embodiment, after the designated area input step 8406, the designated area display step 8407 is followed by the unnecessary radiation simulation step 8408. Instead of the designated area display step 8407, FIG. And as shown to (b), the step (step 8507) which performs unnecessary radiation simulation in the changed state, the display step (step 8508) which displays this parameter value and the designated area, and the parameter value according to the display result This is characterized in that an unnecessary radiation simulation step 8510 (corresponding to the unnecessary radiation simulation step 8408 in FIG. 84) is executed through a change step (step 8509) for changing.

実施の形態9−10
また前記実施の形態では回路情報の変更について説明したが、ネットリストについても同様であり、ネットリスト変更のフローチャートを図86および図87に示す。
Embodiment 9-10
Further, although the circuit information change has been described in the above embodiment, the same applies to the netlist, and the netlist change flowchart is shown in FIGS. 86 and 87.

前記実施例では不要輻射解析後の最適化および最適化を効率化するための方法について説明したが、これらの方法は以下に示す、不要輻射解析方法において有効であり、以下の方法を適用することにより、より高速でかつ高精度の解析を行うことができるため、優れた最適化処理が可能となる。   In the above embodiment, the optimization after the unnecessary radiation analysis and the method for improving the efficiency have been described. However, these methods are effective in the unnecessary radiation analysis method shown below, and the following method is applied. As a result, the analysis can be performed at higher speed and with higher accuracy, and therefore, an excellent optimization process can be performed.

なお、全自動での最適化は現実的に不可能であり、EMI特有の情報(ある周波数に対して各インスタンスから出ているノイズ量がわかる)を使って前述したように、ユーザと対話的にベストの最適化方法を選択、決定していく必要があり、これにより有効な最適化が実現される。   Note that full-automatic optimization is practically impossible, and it is interactive with the user as described above using information specific to EMI (the amount of noise from each instance is known for a certain frequency). Therefore, it is necessary to select and determine the best optimization method, thereby realizing effective optimization.

実施の形態11
次に、この最適化処理を実行する際に用いられる不要輻射解析方法について説明する。以下の解析方法は、前記実施の形態1乃至10のいずれにも適用可能である。
図1は、本発明に係る不要輻射解析方法を実施するための不要輻射解析装置の全体構成を示す概念図である。
Embodiment 11
Next, an unnecessary radiation analysis method used when executing this optimization process will be described. The following analysis method can be applied to any of Embodiments 1 to 10.
FIG. 1 is a conceptual diagram showing the overall configuration of an unwanted radiation analysis apparatus for carrying out the unwanted radiation analysis method according to the present invention.

この不要輻射解析装置は、当該LSIチップの回路情報101に、前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた総合情報を等価回路としておおまかに見積もり、これを考慮したシミュレーションを行うようにしたことを特徴とするものである。   This unnecessary radiation analysis apparatus includes a measurement system for measuring circuit information 101 of the LSI chip, power supply information of a power source that supplies current to the LSI chip, package information of the package of the semiconductor chip, and characteristics of the semiconductor chip. At least one piece of measurement system information is added as analysis control information, and comprehensive information obtained by adding the analysis control information to the circuit information is roughly estimated as an equivalent circuit, and a simulation considering this is performed. It is characterized by this.

ここでは、さらにディジタルシミュレーションにおける論理変化ごとの推定電流波形を、底辺をトランジション時間の関数、側面をデカップリング容量の関数で表現し、シミュレーションを行うようにしたもので、高精度で信頼性の高い不要輻射解析を高速で実行することが可能となる。   Here, the estimated current waveform for each logic change in the digital simulation is expressed with a function of transition time and a side of the function as a function of decoupling capacitance, and simulation is performed. High accuracy and high reliability Unnecessary radiation analysis can be executed at high speed.

この不要輻射解析装置は、当該LSIチップの回路情報101に、前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた総合情報を等価回路として見積もる、解析制御入力部102と、前記解析制御入力部で見積もられた総合情報に従い、シミュレーションを実行する不要輻射シミュレーション部103と、前記不要輻射シミュレーション部103で得られた解析情報を表示する解析情報表示部104と、前記不要輻射シミュレーション部103で得られた解析情報と、最適化制御入力部105からの最適化基準に基づいて不要輻射を最適化する不要輻射最適化部106と、不要輻射最適化部106の情報に基づいて、最適化情報を表示する最適化情報表示部107とを具備したことを特徴とする。   This unnecessary radiation analysis apparatus includes a measurement system for measuring circuit information 101 of the LSI chip, power supply information of a power source that supplies current to the LSI chip, package information of the package of the semiconductor chip, and characteristics of the semiconductor chip. Analysis control input unit 102 for adding at least one piece of information of measurement system information as analysis control information, and estimating total information obtained by adding the analysis control information to the circuit information as an equivalent circuit, and the analysis control input unit Obtained by the unnecessary radiation simulation unit 103 for executing the simulation, the analysis information display unit 104 for displaying the analysis information obtained by the unnecessary radiation simulation unit 103, and the unnecessary radiation simulation unit 103. Based on the analysis information obtained and the optimization criteria from the optimization control input unit 105. The unwanted radiation optimization unit 106 that optimizes the unnecessary radiation and have, on the basis of the information of the unnecessary radiation optimization unit 106, characterized by comprising the optimized information display unit 107 for displaying the optimization information.

またこの解析制御入力部102は、図2に示すように、前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた総合情報を等価回路として見積もる等価回路見積もり手段1021と、前記等価回路見積もり手段1021で、電源/パッケージ/測定系に起因する総合情報の等価回路情報として電源/パッケージ/測定系RLC情報1022を得、この電源/パッケージ/測定系RLC情報1022と、回路情報を備えたネットリスト1023と、電流推定モデル1024とから、電源/パッケージ/測定系を考慮した電源電流の計算を行うとともにそのFFT処理を行い、電源電流を起因とするEMIノイズの周波数スペクトルの推定結果を算出する電源/パッケージ/測定系考慮電流FFT結果推定手段1025とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮したFFT結果としての周波数スペクトルである電源/パッケージ/測定系考慮FFT結果1026を出力するように構成されている。   Further, as shown in FIG. 2, the analysis control input unit 102 includes power supply information of a power source that supplies current to the LSI chip, package information of the package of the semiconductor chip, and a measurement system that measures characteristics of the semiconductor chip. Equivalent circuit estimation means 1021 for adding at least one piece of measurement system information as analysis control information and estimating the total information obtained by adding the analysis control information to the circuit information as an equivalent circuit; and the equivalent circuit estimation means 1021 Thus, the power supply / package / measurement system RLC information 1022 is obtained as equivalent circuit information of the comprehensive information resulting from the power supply / package / measurement system, and the netlist 1023 including the power supply / package / measurement system RLC information 1022 and circuit information And the current estimation model 1024 from the power supply / package / measurement system. A power source / package / measurement system-considered current FFT result estimating means 1025 for calculating an estimation result of the frequency spectrum of the EMI noise caused by the power source current, performing the FFT processing thereof, and the power source, package And a power source / package / measurement system consideration FFT result 1026 which is a frequency spectrum as an FFT result considering the measurement system.

このネットリストの一例を図3に示す。これはインバータ回路を示すもので、このネットリスト情報は、1つ以上の回路素子と配線と外部端子の接続情報と各回路素子が駆動した時の電流の情報から構成されている。この例では、立ち上がり時4mA、立下り時6mA流れるバッファBUF1、BUF2、BUF3、BUF4、BUF5と、外部入力端子A、外部出力端子Y1、Y2、Y3とそれぞれを接続する配線から構成されている。図3は図10に示すような電源/パッケージ/測定系非考慮電流を計算するために用いる電源を理想電源としたときのLSIチップの回路情報であり、図4は電源/パッケージ/測定系非考慮電流を等価電源電流に、前記回路情報と電源/パッケージ/測定系RLC情報を等価インピーダンスにモデル化した結果を示す。   An example of this netlist is shown in FIG. This shows an inverter circuit, and this netlist information is composed of information on connection of one or more circuit elements, wirings and external terminals, and current information when each circuit element is driven. In this example, the buffers BUF1, BUF2, BUF3, BUF4, and BUF5 that flow 4 mA at the time of rising and 6 mA at the time of falling, and wirings that connect the external input terminal A and the external output terminals Y1, Y2, and Y3, respectively. FIG. 3 shows circuit information of the LSI chip when the power source used for calculating the power source / package / measurement system non-consideration current as shown in FIG. 10 is an ideal power source, and FIG. The result of modeling the circuit current and the power supply / package / measurement system RLC information as an equivalent impedance is shown as an equivalent power supply current.

また、ここでシミュレーションを行おうとしているLSI装置のパッケージおよび測定系を含めた等価回路は図4に示すように、パッケージ部Pと、電源回路部Sと測定系Mとから構成されている。なおこの等価回路ではパッケージ部、電源回路部、測定系は独立して形成されているが、必ずしもパッケージ部、電源回路部、測定系が独立している必要は無い。   The equivalent circuit including the package and measurement system of the LSI device to be simulated here is composed of a package part P, a power supply circuit part S, and a measurement system M, as shown in FIG. In this equivalent circuit, the package portion, the power supply circuit portion, and the measurement system are formed independently, but the package portion, the power supply circuit portion, and the measurement system are not necessarily independent.

このように測定系をモデル化することで、標準化されようとしているLSIの測定系(測定装置)の測定結果と相関をとることができる。
本発明により最終的に得られるFFT結果である周波数スペクトルを図5に示す。縦軸はノイズ(dBmA)横軸は周波数(Hz)である。
By modeling the measurement system in this way, it is possible to correlate with the measurement result of the LSI measurement system (measurement apparatus) that is about to be standardized.
FIG. 5 shows a frequency spectrum which is an FFT result finally obtained by the present invention. The vertical axis represents noise (dBmA), and the horizontal axis represents frequency (Hz).

そして図7はディジタルシミュレーションにおける論理変化ごとの推定電流波形を図7(a)〜(d)に示すように台付き三角形状の将棋型波として、表現したもので、デカップリング容量が小さいときの推定電源電流は図7(c)に示すように鋭角となり、デカップリング容量が大きいときの推定電源電流は図7(d)に示すように鈍角となる。   FIG. 7 shows the estimated current waveform for each logic change in the digital simulation as a shogi-shaped wave with a triangular shape as shown in FIGS. 7A to 7D. When the decoupling capacity is small, FIG. The estimated power supply current has an acute angle as shown in FIG. 7C, and the estimated power supply current when the decoupling capacity is large becomes an obtuse angle as shown in FIG. 7D.

これに対し、図6(a)〜(d)に示すように三角形波として、表現する方法がある。この場合電流量を三角形の底辺をトランジション時間の関数で表現しているため、デカップリング容量を考慮するためには底辺を調整するしかないが、底辺を広げると、本来デカップリング容量で低減される周波数の高い領域のノイズだけでなく、周波数の低域のノイズまで低減される結果となってしまい、実測と合わないということになる。   On the other hand, there is a method of expressing as a triangular wave as shown in FIGS. In this case, the amount of current is expressed as a function of the transition time at the base of the triangle, so the only way to consider the decoupling capacity is to adjust the base, but if the base is widened, it will be reduced by the decoupling capacity. As a result, not only noise in a high frequency region but also noise in a low frequency region is reduced, which means that it does not match actual measurement.

これに対して、図7は、電源/パッケージ/測定装置非考慮電流推定手段を論理シミュレータを用いて実現する際に最適なモデリングであり、これを用いることにより、等価電源電流回路を実際に近い形で実現することができる。   On the other hand, FIG. 7 shows the optimum modeling when the power / package / measuring device non-consideration current estimation means is realized by using a logic simulator. By using this, the equivalent power supply current circuit is close to the actual one. Can be realized in the form.

この方法では、底辺をトランジション時間の関数、側面をデカップリング容量の関数として表現することができ、デカップリング容量の周波数スペクトル(FFT結果)への影響を正確に表現することが可能となる。   In this method, the bottom side can be expressed as a function of transition time, and the side surface can be expressed as a function of decoupling capacitance, and the influence of the decoupling capacitance on the frequency spectrum (FFT result) can be accurately expressed.

このようなモデルを使用して、電源/パッケージ/測定装置非考慮電流推定手段により算出された電源/パッケージ/測定装置非考慮の電流情報を図8に示す。この電流情報は各時刻と電源電流値の情報からなり、図10で示すような電源電流をデータで持たせた場合の情報である。この電源電流情報を等価電源電流に変換する方法の一例を図9に示す。LSIチップの端子にD/Aコンバータ901を接続し、前記電源/パッケージ/測定装置非考慮電流推定手段をディジタル電流算出回路901としてD/Aコンバータ901に接続することで等価電源電流を得ることができる。図8で示すような情報がディジタル電流値算出回路(すなわち論理シミュレータで構成された電源/パッケージ/測定装置非考慮電流推定手段)で計算された後、それを等価電源電流に変換する際に、図9に示したようなD/Aコンバータを使うことにより、図9に示す回路をトランジスタレベルシミュレータでスムーズにシミュレーションを行うことができる。   FIG. 8 shows the current information not considering the power source / package / measuring device calculated by the power source / package / measuring device non-considering current estimation means using such a model. This current information includes information on each time and the power supply current value, and is information when the power supply current as shown in FIG. An example of a method for converting this power supply current information into an equivalent power supply current is shown in FIG. An equivalent power source current can be obtained by connecting a D / A converter 901 to a terminal of an LSI chip and connecting the power source / package / measuring device non-considering current estimating means to the D / A converter 901 as a digital current calculating circuit 901. it can. When information as shown in FIG. 8 is calculated by a digital current value calculation circuit (that is, a power estimation / package / measurement device non-consideration current estimation means configured by a logic simulator) and then converted into an equivalent power supply current, By using a D / A converter as shown in FIG. 9, the circuit shown in FIG. 9 can be smoothly simulated with a transistor level simulator.

また、等価電源電流回路とインピーダンス回路を組み合わせてトランジスタレベルシミュレーションを行えば、電源/パッケージ/測定装置非考慮電流推定手段で計算された電源電流を補正して、電源/パッケージ/測定装置考慮の電流を推定することができ、それをFFTすることで、図5に示すような周波数スペクトルを得ることができる。
次に、図11に示した等価回路と図12に示したブロック図とを用いて、解析制御入力部102を実施する場合について説明する。
In addition, if a transistor level simulation is performed by combining an equivalent power supply current circuit and an impedance circuit, the power supply current calculated by the power supply / package / measurement device non-consideration current estimation means is corrected, and the power supply / package / measurement device consideration current is corrected. Can be estimated, and a frequency spectrum as shown in FIG. 5 can be obtained by performing FFT.
Next, a case where the analysis control input unit 102 is implemented will be described using the equivalent circuit shown in FIG. 11 and the block diagram shown in FIG.

ここでは、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段としてゲートレベルで電流計算を行う工程と、その結果を反映して電源/パッケージ/測定系考慮FFT推定手段としてトランジスタレベルの計算を行う工程を同期させて実行する。すなわち、セル、ブロックあるいはLSIに関する推定電流をゲートレベルで計算しつつ、その計算と同期しながらこの計算値を電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。   Here, a step of calculating a current at a gate level as a power source / package / measurement system non-consideration current estimation unit and a step of calculating a transistor level as a power source / package / measurement system consideration FFT estimation unit reflecting the result Run in sync. In other words, while calculating the estimated current for the cell, block or LSI at the gate level and simulating this calculated value in combination with the power supply net in synchronization with the calculation, a current calculation result considering the influence of the power supply net is obtained. It is what I did.

図1に示した解析制御入力部102は、図11に等価回路、図12にブロック図を示すように、同期読み出しにより、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段1011から得られた電源/パッケージ/測定系非考慮電流結果1012と、前述の前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報を解析制御情報として付加し、前記回路情報に前記解析制御情報を加えた電源/パッケージ/測定系RLC情報1022を等価回路として見積もる等価回路見積もり手段1021と、前記等価回路見積もり手段1021で得られた等価回路に基づいて、電源/パッケージ/測定系に起因する電源/パッケージ/測定系RLC情報1022としての総合インピーダンスとネットリスト1023とから、FFT処理などの方法で周波数解析を行い推定結果を算出する電源/パッケージ/測定系考慮FFT推定手段1025とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮したFFT結果1026を出力するように構成されている。
次にこの電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段および電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段の動作を示すフローチャートを図13および図14に示す。
As shown in an equivalent circuit in FIG. 11 and a block diagram in FIG. 12, the analysis control input unit 102 shown in FIG. Package / measurement system non-considered current result 1012, power supply information of the power source for supplying current to the LSI chip, package information of the package of the semiconductor chip, and measurement system of the measurement system for measuring the characteristics of the semiconductor chip Equivalent circuit estimation means 1021 for adding power / package / measurement system RLC information 1022 obtained by adding at least one of the information as analysis control information and adding the analysis control information to the circuit information as an equivalent circuit; Based on the equivalent circuit obtained by the circuit estimation means 1021, it is caused by the power source / package / measurement system. Power supply / package / measurement system consideration FFT estimation means 1025 for performing frequency analysis by a method such as FFT processing from the total impedance as the power supply / package / measurement system RLC information 1022 and the net list 1023 is provided. The FFT result 1026 in consideration of the power source, the package, and the measurement system is output.
Next, flowcharts showing the operations of the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means and the power source / package / measurement system consideration current estimation means are shown in FIGS.

まず、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段1011における電流推定は、図13に示すように、ネットリスト1023および回路入力情報1010を入力するステップ1301と、この入力された情報 を読み込むステップ1302と、読み込まれた回路入力情報を1行づつ取り出すステップ1303と、電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段からフラグが送られてきたかどうかを判断するためにフラグをみるステップ1304と、フラグがあるかどうかを判断するステップ1305で、フラグが送られてきている場合もしくは取り出された回路入力情報が最初の行である場合は、ネットリストに取り出された回路入力情報を与えた際の電源電流を計算し、ファイル書き込みを行うステップ1306とからなり、全ての回路入力情報について処理終了しているか否かを判断し(ステップ1307)、終了している場合は終了とする。   First, as shown in FIG. 13, the current estimation in the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means 1011 is performed by inputting a netlist 1023 and circuit input information 1010 1301 and reading the input information 1302. There is a step 1303 for fetching the read circuit input information line by line, a step 1304 for looking at the flag to determine whether or not a flag has been sent from the power source / package / measurement system consideration current estimation means, and a flag. In step 1305 for determining whether or not the flag has been sent or if the extracted circuit input information is the first row, the power supply current when the extracted circuit input information is given to the net list is determined. Completing the step 1306 for calculating and writing the file, all the circuits Determining whether or not the processing end about the power information (step 1307), if it is finished and ends.

ここで、回路入力情報とは、ネットリストの外部入力端子に印加する入力値を時系列に示したもので、シミュレーション時刻とその際の各外部入力端子に印加する論理信号値を1行に収め、それをシミュレーション終了時刻まで記載したものである。   Here, the circuit input information is a time series of input values applied to the external input terminals of the netlist. The simulation time and the logical signal values applied to the external input terminals at that time are stored in one line. This is described until the simulation end time.

判断ステップ1307で回路入力情報の全ての行を処理終了していない場合は再び回路入力情報取り出しステップ1303に戻り、同様のステップを繰り返す。
更にまた電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段からフラグが送られてきていない場合は、再びフラグが送られてきたかどうかをみる。
If all the rows of the circuit input information have not been processed in the decision step 1307, the process returns to the circuit input information extraction step 1303 and the same steps are repeated.
Furthermore, when the flag is not sent from the power source / package / measurement system consideration current estimation means, it is checked whether the flag is sent again.

また、電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段における電流推定は、図14に示すように、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段における推定結果の情報追加を監視するステップ1401と、監視ステップで情報追加があったか否かを判断し(ステップ1402)、追加があったと判断された場合は、追加電流情報を読み込む(ステップ1403)。   Further, as shown in FIG. 14, the current estimation in the power source / package / measurement system-considered current estimation means is performed by a step 1401 of monitoring information addition of the estimation result in the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means, and a monitoring step In step 1402, it is determined whether or not information has been added (step 1402). If it is determined that information has been added, additional current information is read (step 1403).

そして、電源/パッケージ/測定系のRLCから定まる回路の追加電流情報のシミュレーション時刻までの電流シミュレーションを行い、追加電流情報の電流を印加する(ステップ1404)とともに、電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段1011にフラグを送る(ステップ1405)。   Then, a current simulation is performed from the RLC of the power source / package / measurement system to the simulation time of the additional current information of the circuit determined, the current of the additional current information is applied (step 1404), and the power source / package / measurement system current estimation A flag is sent to the means 1011 (step 1405).

そしてフラグの送付が終了したかどうかを判断し(ステップ1406)、終了した場合は、電流情報をFFT処理し(ステップ1407)、出力情報を書き出す(ステップ1408)。
そしてフラグの送付が終了していない場合は、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段における推定結果の情報追加を監視する監視ステップ1401に戻り、再度後続ステップを繰り返す。
Then, it is determined whether or not the sending of the flag has been completed (step 1406). If the flag has been transmitted, the current information is subjected to FFT processing (step 1407), and the output information is written (step 1408).
If the sending of the flag has not ended, the process returns to the monitoring step 1401 for monitoring the addition of information of the estimation result in the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means, and the subsequent steps are repeated again.

実施の形態12
次に本発明の第12の実施の形態について説明する。
ここでは、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルの電流計算結果を後処理でトランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、セル、ブロックあるいはLSIに関する推定電流をゲートレベルで計算した後で、この計算値を電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
Embodiment 12
Next, a twelfth embodiment of the present invention will be described.
Here, a method of reflecting a gate level current calculation result as a power source / package / measurement system non-considered current estimation means in a transistor level calculation by post-processing is adopted. In other words, after calculating the estimated current for a cell, block, or LSI at the gate level, the calculated value is combined with the power supply net to obtain a current calculation result considering the influence of the power supply net. is there.

図15にゲートレベルの電流計算結果を後処理でトランジスタレベルの計算に反映させる動作方式について説明する。ここでは図12で説明した同期読み出し動作における同期のために必要であった、電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段から電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段へのフラグ伝播というステップをなくしただけで、他については図12のステップと同様である。   FIG. 15 illustrates an operation method for reflecting the gate level current calculation result in the transistor level calculation in post-processing. Here, the step of flag propagation from the power supply / package / measurement system consideration current estimation means to the power supply / package / measurement system non-consumption current estimation means, which is necessary for synchronization in the synchronous read operation described in FIG. 12, is eliminated. The other steps are the same as the steps in FIG.

ここで電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段1011の推定動作を図16に示す。ここでは回路入力情報1010を入力情報として読み込み(ステップ1601)、該当する回路入力情報を1行づつ取り出し(ステップ1602)、この取り出した回路入力情報をネットリスト1023に付加し、この時の電源電流を計算しファイル書き込みを行う(ステップ1603)。そして全ての回路入力情報について処理終了したか否かを判断し(判断ステップ1604)、終了していると判断されると推定動作を終了する。   Here, the estimation operation of the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means 1011 is shown in FIG. Here, the circuit input information 1010 is read as input information (step 1601), the corresponding circuit input information is taken out line by line (step 1602), the taken out circuit input information is added to the netlist 1023, and the power supply current at this time Is calculated and file writing is performed (step 1603). Then, it is determined whether or not the processing has been completed for all circuit input information (determination step 1604). When it is determined that the processing has been completed, the estimation operation is terminated.

一方判断ステップ1604で終了していないと判断されると、再び回路入力情報を1行づつ取り出すステップ1602に戻り、再び上記動作を繰り返す。   On the other hand, if it is determined in the determination step 1604 that the process has not been completed, the process returns to step 1602 where the circuit input information is fetched line by line, and the above operation is repeated again.

次に電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段1025の推定動作を図17に示す。まずシミュレーション時刻を初期化し(ステップ1701)、回路入力情報1010を入力情報として読み込み(ステップ1702)、該当する回路入力情報を、電源/パッケージ/測定系のRLC情報に加えて電流情報を計算し(ステップ1703)、前記電流情報をFFT処理する(ステップ1704)。そしてこのようにして得られたFFT結果を出力情報として書き出し(ステップ1705)、表示装置に出力する。   Next, the estimation operation of the power source / package / measurement system consideration current estimation means 1025 is shown in FIG. First, the simulation time is initialized (step 1701), the circuit input information 1010 is read as input information (step 1702), and the current information is calculated by adding the corresponding circuit input information to the RLC information of the power supply / package / measurement system ( Step 1703), the current information is subjected to FFT processing (Step 1704). Then, the FFT result obtained in this way is written as output information (step 1705) and output to the display device.

かかる構成によれば、電源ネットのFFT結果への影響を時系列的にも正確に表現することができる。またこのような非同期読み出しの場合は同期読み出しに比べ、フラグを送らないため、フラグを送るという処理をカットすることができ、これにより高速処理が可能となる。   According to such a configuration, the influence on the FFT result of the power supply net can be accurately expressed in time series. Also, in the case of such asynchronous reading, since the flag is not sent compared to the synchronous reading, the process of sending the flag can be cut, thereby enabling high-speed processing.

実施の形態13
次に本発明の第13の実施の形態について説明する。
ここでは、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルの電流計算結果を非同期でトランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、セル、ブロックあるいはLSIに関する信号変化を記憶し、この信号変化を固定間隔で読み込み、推定電流をD/A変換などにより電流源として表すと共に、電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることで電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
Embodiment 13
Next, a thirteenth embodiment of the present invention will be described.
Here, a method of reflecting a gate level current calculation result as a power source / package / measurement system non-consideration current estimation means asynchronously in a transistor level calculation is adopted. In other words, signal changes related to cells, blocks or LSIs are stored, these signal changes are read at fixed intervals, the estimated current is represented as a current source by D / A conversion, etc., and simulation is performed in combination with the power supply net. The current calculation result considering the influence is obtained.

図15にゲートレベルの電流計算結果を非同期で読み出す非同期読み出し動作を示すが、これは前記実施の形態2において説明した後処理でトランジスタレベルの計算に反映させる動作方式と全く同様である。   FIG. 15 shows an asynchronous read operation for asynchronously reading the gate level current calculation result, which is exactly the same as the operation method reflected in the transistor level calculation in the post-processing described in the second embodiment.

また、ここで電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段1011の推定動作についても実施の形態2で説明した図16に示す動作とまったく同様である。   Further, the estimation operation of the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means 1011 is exactly the same as the operation shown in FIG. 16 described in the second embodiment.

次に電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段1025の推定動作を図18に示す。まずシミュレーション時刻を0に初期化し(ステップ1801)、当該シミュレーション時刻における回路入力情報1011を入力情報として読み込み(ステップ1802)、該当する回路入力情報を、電源/パッケージ/測定系のRLC情報に加える(ステップ1803)。   Next, an estimation operation of the power source / package / measurement system consideration current estimation means 1025 is shown in FIG. First, the simulation time is initialized to 0 (step 1801), the circuit input information 1011 at the simulation time is read as input information (step 1802), and the corresponding circuit input information is added to the RLC information of the power supply / package / measurement system (step 1802). Step 1803).

そしてシミュレーション単位時間の電流シミュレーションを行い、電流値を得た後、シミュレーション時刻を1進める(ステップ1804)。
シミュレーション対象期間が終了したか否かを判断し(ステップ1805)、終了した場合は、電流情報をFFT処理し(ステップ1806)。そしてこのようにして得られたFFT結果を出力情報として書き出し(ステップ1807)、表示装置に出力する。
Then, a current simulation is performed for a simulation unit time, and after obtaining a current value, the simulation time is advanced by 1 (step 1804).
It is determined whether or not the simulation target period has ended (step 1805). If the simulation target period has ended, the current information is subjected to FFT processing (step 1806). Then, the FFT result obtained in this way is written as output information (step 1807) and output to the display device.

判断ステップ1805で終了していない場合は、再度シミュレーション時刻の電流情報読み込みステップ1802に戻り、再度以下のフローの実行を繰り返す。   If not completed in the determination step 1805, the process returns to the current information reading step 1802 at the simulation time again, and the following flow is repeated again.

かかる構成によれば、電源ネットのFFT結果への影響を正確に表現することができる。またこのように工程間隔で読み込むことで電源/パッケージ/測定系考慮FFT推定手段としてのアナログ部の処理速度に律速されることなく、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段としてのディジタル部を計算することが可能となる。   According to such a configuration, it is possible to accurately represent the influence of the power supply net on the FFT result. In addition, by reading at the process interval in this way, the digital unit as the power source / package / measurement system non-consideration current estimation unit is not limited by the processing speed of the analog unit as the power source / package / measurement system consideration FFT estimation unit. It becomes possible to calculate.

実施の形態14
次に本発明の第14の実施の形態について説明する。
ここでは、ゲートレベルの平均あるいは最大電流計算結果をトランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段として、セル、ブロックあるいはLSIに関する推定電流をゲートレベルで計算し、この計算値を各サイクルごとに平均化あるいは最大値計算したものを電流源として電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
Embodiment 14
Next, a fourteenth embodiment of the present invention will be described.
Here, a method is adopted in which the average or maximum current calculation result of the gate level is reflected in the calculation of the transistor level. In other words, as a current / package / measurement system non-consideration current estimation means, an estimated current related to a cell, block or LSI is calculated at the gate level, and this calculated value is averaged or calculated for each cycle as a current source. A current calculation result considering the influence of the power supply net is obtained by simulating in combination with the power supply net.

図19に電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルの電流計算結果を後処理で電源/パッケージ/測定系考慮FFT推定手段としてのトランジスタレベルの計算に反映させるようにした動作方式について説明する。ここでは実施の形態11において図12で説明したものと同様であるが、図19にブロック図を示すように、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段(図示せず)から得られた測定系非考慮電源電流結果1902の各サイクルごとの電流値を1サイクルに畳込むように平均化あるいは最大値計算したものを等価電流源とし、前記回路情報に前述の前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報を解析制御情報として付加したRLC情報1901を前記等価電流源に付加してシミュレーションするとともに、FFT処理を行い推定結果を算出する情報推定手段とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮したFFT結果1904を出力するように構成されている。   FIG. 19 shows an operation method in which the current level calculation result of the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means is reflected in the post-processing of the transistor level calculation as the power source / package / measurement system consideration FFT estimation means. Will be described. Here, it is the same as that described in FIG. 12 in the eleventh embodiment, but as shown in the block diagram of FIG. 19, the measurement obtained from the power / package / measurement system non-consideration current estimation means (not shown). The current value for each cycle of the system non-considered power supply current result 1902 is averaged or the maximum value calculated so as to be convoluted into one cycle is used as an equivalent current source, and current is supplied to the LSI chip as the circuit information. RLC information 1901 in which at least one information of power supply information of the power supply, package information of the package of the semiconductor chip and measurement system information of a measurement system for measuring the characteristics of the semiconductor chip is added as analysis control information is equivalent to And an information estimation means for performing an FFT process and calculating an estimation result, adding to the current source and performing simulation, Kkeji and is configured to output the FFT result 1904 in consideration of the measurement system.

ここで電源/パッケージ/測定系考慮電流推定手段1903の推定動作を図20に示す。ここでは電源/パッケージ/測定系非考慮電流結果と電源/パッケージ/測定系RLC情報を入力情報として読み込み(ステップ2001)、この入力電流情報を図21に一例を示すように、あらかじめ定められた時間間隔で分割し(ステップ2002)、分割した時間を基準にした相対時間で全分割電流情報の平均値又は最大値を計算する(ステップ2003)。図22は図21に示す電流情報を平均化した平均化電流を示す。図21および図22は縦軸を電流値、横軸を時間とした。そしてこのようにして計算のなされた電流情報に前記電源/パッケージ/測定系RLC情報を反映させた補正電流情報をFFT処理し(ステップ2004)、計算されたFFT結果を出力情報として書き出しを行う(ステップ2005)。
かかる構成によれば、電源ネットのFFT結果への影響を正確に表現することができる。また一定間隔ごとの平均化又は最大値処理を行うことにより、高速にノイズの影響を見積もることができる。
Here, the estimation operation of the power source / package / measurement system consideration current estimation means 1903 is shown in FIG. Here, the power source / package / measurement system non-considered current result and the power source / package / measurement system RLC information are read as input information (step 2001), and this input current information is set to a predetermined time as shown in FIG. It divides | segments by an interval (step 2002), and calculates the average value or maximum value of all the division | segmentation current information with the relative time on the basis of the divided | segmented time (step 2003). FIG. 22 shows an averaged current obtained by averaging the current information shown in FIG. In FIG. 21 and FIG. 22, the vertical axis represents current value and the horizontal axis represents time. Then, the corrected current information in which the power / package / measurement system RLC information is reflected on the current information thus calculated is subjected to FFT processing (step 2004), and the calculated FFT result is written as output information (step 2004). Step 2005).
According to such a configuration, it is possible to accurately represent the influence of the power supply net on the FFT result. Further, by performing averaging or maximum value processing at regular intervals, it is possible to estimate the influence of noise at high speed.

実施の形態15
次に本発明の第15の実施の形態について説明する。
ここでは、ゲートレベルの電流計算結果から対象周波数帯以外の変化を除去し、トランジスタレベルの計算に反映させる方式をとる。すなわち、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段として、セル、ブロックあるいはLSIに関する推定電流をゲートレベルで計算し、この計算値をFFTし、その結果から対象外の周波数帯を除外した後、逆FFTしたものを電流源として電源ネットと組み合わせてシミュレーションすることにより、電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。
Embodiment 15
Next, a fifteenth embodiment of the present invention will be described.
Here, a method of removing a change other than the target frequency band from the current calculation result of the gate level and reflecting it in the calculation of the transistor level is adopted. That is, as a power / package / measurement system non-consideration current estimation means, an estimated current related to a cell, block or LSI is calculated at the gate level, and the calculated value is subjected to FFT, and after excluding a non-target frequency band from the result, A current calculation result in consideration of the influence of the power supply net is obtained by simulating a combination of the inverse FFT and the power supply net as a current source.

本発明は実施の形態14のブロック図19と同じ構成を用いる。電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段(図示せず)から得られた測定系非考慮電源電流結果1902をFFTし、その結果から対象外の周波数帯を除外した後、逆FFTしたものを等価電流源とし、前記回路情報に前述の前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報を解析制御情報として付加したRLC情報1901を前記等価電流源に付加してシミュレーションするとともに、FFT処理を行い推定結果を算出する情報推定手段とを具備し、電源、パッケージおよび測定系を考慮したFFT結果1904を出力するように構成されている。   The present invention uses the same configuration as block diagram 19 of the fourteenth embodiment. FFT of the measurement system non-considered power supply current result 1902 obtained from the power supply / package / measurement system non-consideration current estimation means (not shown), after excluding the non-target frequency band from the result, As an equivalent current source, the circuit information includes power supply information of a power source that supplies current to the LSI chip, package information of the package of the semiconductor chip, and measurement system information of a measurement system that measures the characteristics of the semiconductor chip. RLC information 1901 added with at least one of them as analysis control information is added to the equivalent current source for simulation, and includes information estimation means for performing an FFT process to calculate an estimation result, including a power source, a package, and It is configured to output an FFT result 1904 considering the measurement system.

ここで電源/パッケージ/測定系考慮FFT電流推定手段1903の推定動作を図24に示す。ここでは電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段(図示せず)から得られた推定電流を入力するとともにFFT処理し(ステップ2401)、この入力情報から、対象外の周波数帯を除外し(ステップ2402)、あらかじめ定められた時間範囲の周波数帯域成分以外を除外する処理を行い、これを逆FFT処理し、電流波形を算出する(ステップ2403)。   Here, the estimation operation of the power source / package / measurement system consideration FFT current estimation means 1903 is shown in FIG. Here, an estimated current obtained from a power source / package / measurement system non-consideration current estimation means (not shown) is input and FFT processing is performed (step 2401), and a non-target frequency band is excluded from this input information ( Step 2402), processing for excluding frequency band components other than those in a predetermined time range is performed, this is subjected to inverse FFT processing, and a current waveform is calculated (step 2403).

この後電源/パッケージ/測定系のRLC回路にこの電流波形をもつ電流を与えた際の測定装置における周波数応答を計算し(ステップ2404)、電源、パッケージおよび測定系を考慮した電流値を出力情報として出力する(ステップ2405)。   After that, the frequency response in the measuring device when a current having this current waveform is applied to the RLC circuit of the power supply / package / measurement system is calculated (step 2404), and the current value in consideration of the power supply, package, and measurement system is output information (Step 2405).

かかる構成によれば、電源ネットのFFT結果への影響を正確に表現することができる。またFFTおよび逆FFTを行うことにより、電流源の情報を削減しトランジスタレベルシミュレーションを短時間で終わらせることが出来る。またイベントドリブンタイプであって効果的である。さらにブロックあるいは複数のFFT結果からの解析も可能である。
なお、ステップ2402は省略してもよく、省略した場合にも逆FFTにより推定電流の情報を圧縮できるという効果は残る。
According to such a configuration, it is possible to accurately represent the influence of the power supply net on the FFT result. Further, by performing FFT and inverse FFT, it is possible to reduce the information on the current source and finish the transistor level simulation in a short time. It is also event-driven and effective. Furthermore, analysis from a block or a plurality of FFT results is also possible.
Note that step 2402 may be omitted, and even when omitted, the effect that the information of the estimated current can be compressed by inverse FFT remains.

実施の形態16
次に本発明の第16の実施の形態について説明する。前記第11乃至第15の実施の形態では、回路情報から等価電源電流情報を求め、解析制御情報および回路情報の総インピーダンスと組み合わせてシミュレーションを行なうようにしたが、この方法では、電源、パッケージおよび測定系の等価回路から総インピーダンスを算出し、この総インピーダンスによって前記等価電源電流情報を補正すべき関数を求め、前記等価電源電流情報の周波数スペクトルをこの関数で演算し補正することにより、電源、パッケージおよび測定系を考慮した電源電流情報の周波数スペクトルを求めるようにしたことを特徴とする。
Embodiment 16
Next, a sixteenth embodiment of the present invention will be described. In the eleventh to fifteenth embodiments, the equivalent power supply current information is obtained from the circuit information, and the simulation is performed in combination with the analysis control information and the total impedance of the circuit information. However, in this method, the power supply, the package, By calculating the total impedance from the equivalent circuit of the measurement system, obtaining a function for correcting the equivalent power supply current information by this total impedance, calculating and correcting the frequency spectrum of the equivalent power supply current information by this function, The present invention is characterized in that a frequency spectrum of power supply current information considering a package and a measurement system is obtained.

ここでは、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルのFFT計算結果を、電源/パッケージ/測定系RLC情報から得られた関数で演算させる方式をとる。すなわち、セル、ブロックあるいはLSIに関する推定電流をゲートレベルで計算し、この計算値をFFTし、電源/パッケージ/測定系の測定装置における周波数応答を計算し、応答結果を電源/パッケージ/測定系非考慮電流結果に乗算処理することで電源ネットの影響を考慮した電流計算結果を得るようにしたものである。   Here, a method is employed in which a gate level FFT calculation result as power source / package / measurement system non-consideration current estimation means is calculated by a function obtained from power source / package / measurement system RLC information. That is, the estimated current for the cell, block or LSI is calculated at the gate level, the calculated value is FFTed, the frequency response in the measuring device of the power supply / package / measurement system is calculated, and the response result is returned to the non-power supply / package / measurement system. A current calculation result in consideration of the influence of the power supply net is obtained by multiplying the consideration current result.

図23に電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段としてのゲートレベルのFFT計算結果を、電源/パッケージ/測定系RLC情報から得られた関数で演算させる動作方式について説明する。ここでは実施の形態11において図12で説明したものと同様であるが、図23にブロック図を示すように、電源/パッケージ/測定系非考慮電流FFT結果2302として、電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段(図示せず)から得られた推定電流をFFT処理したものを用意する。そしてこれと前述の前記LSIチップに電流を供給する電源の電源情報、前記半導体チップのパッケージのもつパッケージ情報および前記半導体チップの特性を測定する測定系のもつ測定系情報のうちの少なくとも1つの情報からなる電源/パッケージ/測定系RLC情報2301とから、電源、パッケージおよび測定系を考慮したFFT結果2304を出力するように構成されている。   FIG. 23 describes an operation method for calculating a gate level FFT calculation result as a power source / package / measurement system non-consideration current estimation means using a function obtained from the power source / package / measurement system RLC information. Here, it is the same as that described with reference to FIG. 12 in the eleventh embodiment. However, as shown in the block diagram of FIG. 23, the power / package / measurement system non-consideration current FFT result 2302 indicates that the power / package / measurement system is not considered. A current obtained by subjecting an estimated current obtained from a consideration current estimating means (not shown) to FFT processing is prepared. And information on at least one of the power supply information of the power supply for supplying current to the LSI chip, the package information of the package of the semiconductor chip, and the measurement system information of the measurement system for measuring the characteristics of the semiconductor chip The power source / package / measurement system RLC information 2301 is configured to output an FFT result 2304 in consideration of the power source, package, and measurement system.

この電源/パッケージ/測定系考慮FFT電流推定手段2303の推定動作を図26に示す。ここでは電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段(図示せず)から得られた推定電流をFFT処理したものと、電源/パッケージ/測定系RLC情報を入力情報として(ステップ2601)、この電源/パッケージ/測定系RLC情報から、電源/パッケージ/測定系部分における周波数応答を計算し(ステップ2602)、前記電源/パッケージ/測定系非考慮電流のFFT結果に上記周波数応答結果を乗算し(ステップ2603)、この電流値を出力情報として出力する(ステップ2604)。
この時の周波数応答結果を図27に示す。
FIG. 26 shows an estimation operation of the power source / package / measurement system consideration FFT current estimation unit 2303. Here, the estimated current obtained from the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means (not shown) and the power source / package / measurement system RLC information as input information (step 2601) are input. The frequency response in the power supply / package / measurement system part is calculated from the / package / measurement system RLC information (step 2602), and the FFT result of the power / package / measurement system non-considered current is multiplied by the frequency response result (step 2602). 2603), and outputs this current value as output information (step 2604).
FIG. 27 shows the frequency response result at this time.

かかる構成によれば、電源/パッケージ/測定系の影響を周波数スペクトルに反映させることができ、高速かつ高精度の計算が可能となる。このように、FFT電源ネットのFFT結果への影響を正確に表現することができる。また周波数ごとの応答結果を乗算処理しているため、より高速処理が可能であり、またメモリ容量が少なくてもよいという特徴を持つ。   According to such a configuration, the influence of the power supply / package / measurement system can be reflected in the frequency spectrum, and high-speed and high-accuracy calculation is possible. In this way, the influence of the FFT power supply net on the FFT result can be accurately expressed. Further, since the response result for each frequency is multiplied, the processing can be performed at a higher speed and the memory capacity can be reduced.

実施の形態17
この例では実施の形態16における電源/パッケージ/測定系考慮FFT電流推定手段2303の推定動作の変形例を示す。
前記実施の形態16では電源/パッケージ/測定系の測定装置における周波数応答を計算し、応答結果を電源/パッケージ/測定系非考慮電流結果に乗算処理したが、この例では、電源/パッケージ/測定系非考慮電流結果のFFT結果について各周波数ごとの電源/パッケージ/測定系の測定装置における周波数応答を計算し、応答結果を累積処理することを特徴とするものである。
Embodiment 17
This example shows a modification of the estimation operation of the power source / package / measurement system consideration FFT current estimation unit 2303 in the sixteenth embodiment.
In the sixteenth embodiment, the frequency response in the power supply / package / measurement system measurement device is calculated and the response result is multiplied by the power supply / package / measurement system non-considered current result. In this example, however, the power supply / package / measurement is multiplied. The frequency response of the power source / package / measurement system measurement device for each frequency is calculated for the FFT result of the system non-consideration current result, and the response results are cumulatively processed.

この電源/パッケージ/測定系考慮FFT電流推定手段2303の推定動作を図25に示す。ここでは電源/パッケージ/測定系非考慮電流推定手段(図示せず)から得られた推定電流をFFT処理したFFT結果と、電源/パッケージ/測定系RLC情報を入力情報として(ステップ2501)、このFFT結果から、各周波数ごとの電流値(ノイズレベル)を選択し(ステップ2502)、電源/パッケージ/測定系のRLC回路に前記周波数をもつ電流値の振幅をもつ電流を与えた際の測定装置における周波数周波数応答を計算し(ステップ2503)、応答結果を累積処理する処理(ステップ2504)を行い、全ての周波数について処理終了であるか否かを判断し(ステップ2505)、終了である場合は、周波数応答の累積結果である電源、パッケージおよび測定系を考慮した周波数スペクトラムを出力情報として出力する(ステップ2506)。   FIG. 25 shows an estimation operation of the power source / package / measurement system consideration FFT current estimation unit 2303. Here, the FFT result obtained by performing FFT processing on the estimated current obtained from the power source / package / measurement system non-consideration current estimation means (not shown) and the power source / package / measurement system RLC information are input information (step 2501). A measuring device for selecting a current value (noise level) for each frequency from the FFT result (step 2502) and supplying a current having an amplitude of the current value having the frequency to the RLC circuit of the power supply / package / measurement system Frequency frequency response is calculated (step 2503), the response result is cumulatively processed (step 2504), and it is determined whether or not the processing is completed for all frequencies (step 2505). Outputs frequency spectrum that takes into account the power supply, package, and measurement system, which are cumulative results of frequency response, as output information. (Step 2506).

かかる構成によれば、電源ネットのFFT結果への影響を正確に表現することができる。また周波数ごとの応答結果を累積処理しているため、より高精度に表現することが可能となる。   According to such a configuration, it is possible to accurately represent the influence of the power supply net on the FFT result. In addition, since the response results for each frequency are cumulatively processed, it is possible to express with higher accuracy.

実施の形態18
この例は、解析処理方法に特徴を有するものである。
すなわち電源波形結果をライブラリとしてもち、回路全体のFFT特性を算出するものである。
この装置は、あらかじめ、入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロックの電流解析を行い、この結果を格納したFFTライブラリを具備したことを特徴とするものである。
Embodiment 18
This example is characterized by an analysis processing method.
That is, the power supply waveform result is used as a library, and the FFT characteristic of the entire circuit is calculated.
This apparatus is characterized in that it includes an FFT library in which cell or block current analysis using parameters such as input / output conditions, frequency, wiring capacity, and slew in advance is stored.

図28に本発明の一実施の形態に関わる不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロックの電流解析を行い、この結果を格納した電流波形ライブラリ2801と、ネットリスト2802と、回路入力情報2803と、電流FFT推定手段2804とからなり、FFT結果2805を出力するようにしたものである。   FIG. 28 shows an apparatus configuration used in the unwanted radiation analysis method according to the embodiment of the present invention. The unnecessary radiation analysis apparatus shown in the figure performs cell or block current analysis using input / output conditions, frequency, wiring capacity, slew, and the like as parameters, a current waveform library 2801 storing the results, a netlist 2802, It consists of circuit input information 2803 and current FFT estimation means 2804, and outputs an FFT result 2805.

電流FFT推定手段2804は、図29に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ2901でネットリスト3002に記憶されたネットリスト情報と、回路入力情報3003とを読みこむ。
The current FFT estimation means 2804 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.
First, in step 2901, the net list information stored in the net list 3002 and the circuit input information 3003 are read.

ついで、ステップ2902で各セルに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報を推定する。
そしてさらにステップ2903で各セルに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報に対応した各電流波形を呼び出し、これらを足しあわせて、電源電流結果を計算する。
こののち、ステップ2904で、FFTを行い、ステップ2905で出力情報の書き出しを行う。
In step 2902, the circuit scale, load capacity, waveform rounding, and circuit input information are estimated from the library corresponding to each cell.
Further, in step 2903, each current waveform corresponding to the circuit scale, load capacity, waveform rounding, and circuit input information is called from the library corresponding to each cell, and these are added together to calculate the power source current result.
Thereafter, in step 2904, FFT is performed, and in step 2905, output information is written.

すなわち、この例では、LSI全体のFFT解析結果を計算する際には、全ての素子のFFT解析結果を計算するのではなく、FFTライブラリから各電流波形を足しあわせることで、演算量を大幅に削減しながら、FFT結果を得ることが出来る。   In other words, in this example, when calculating the FFT analysis result of the entire LSI, the calculation amount is greatly increased by adding the current waveforms from the FFT library instead of calculating the FFT analysis result of all the elements. FFT results can be obtained while reducing.

以上の方法により、ライブラリから対応する電源電流波形を取り出しFFT推定を行うことにより、電流計算やFFTを省略することができ、高速化をはかることができる。
この方法は第11乃至第17の実施の形態と組み合わせることで、さらに高速かつ少メモリでFFT結果を得、高速でLSI全体のノイズを影響を見積もることが可能となる。
With the above method, by extracting the corresponding power supply current waveform from the library and performing FFT estimation, current calculation and FFT can be omitted, and the speed can be increased.
By combining this method with the eleventh to seventeenth embodiments, it is possible to obtain the FFT result with a higher speed and a smaller memory, and to estimate the influence of the noise of the entire LSI at a higher speed.

実施の形態19
この例は、FFT結果をライブラリに持ち、回路全体のFFT特性を算出するものである。
Embodiment 19
In this example, the FFT result is stored in the library, and the FFT characteristic of the entire circuit is calculated.

すなわち、あらかじめ、入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロックの電流解析を行いこの結果を格納したFFTライブラリを具備したことを特徴とするものである。   That is, the present invention is characterized in that an FFT library in which current analysis of cells or blocks using parameters such as input / output conditions, frequency, wiring capacity, and slew in advance is stored.

図30に本発明の一実施の形態に関わる不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとしたセルもしくはブロックの電流解析を行いこの結果を格納したFFTライブラリ3001と、ネットリスト3002と、回路入力情報3003と、電流FFT推定手段3004とからなり、FFT結果3005を出力するようにしたものである。   FIG. 30 shows an apparatus configuration used in the unwanted radiation analysis method according to one embodiment of the present invention. The unnecessary radiation analysis apparatus shown in FIG. 1 performs an analysis of the current of a cell or block using parameters such as input / output conditions, frequency, wiring capacity, and slew, and stores the results, an FFT library 3001, a netlist 3002, and a circuit input. It comprises information 3003 and current FFT estimation means 3004, and outputs an FFT result 3005.

電流FFT推定手段3004は、図31に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ3101でネットリスト3102に記憶されたネットリスト情報と、回路入力情報3103とを読みこむ。
The current FFT estimation means 3004 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.
First, in step 3101, the net list information stored in the net list 3102 and the circuit input information 3103 are read.

ついで、ステップ3102で各セルに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報を推定する。
そしてさらにステップ3103で各セルに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報更に対応したFFT結果を計算し、積算する。
こののち、ステップ3104で、出力情報の書き出しを行う。
In step 3102, the circuit scale, load capacity, waveform rounding, and circuit input information are estimated from the library corresponding to each cell.
In step 3103, the circuit scale, load capacity, waveform rounding, circuit input information and corresponding FFT results are calculated from the library corresponding to each cell and integrated.
Thereafter, in step 3104, output information is written.

すなわち、この例では、LSI全体のFFT解析結果を計算する際には、全ての素子のFFT解析結果を計算するのではなく、FFTライブラリから各周波数の電流成分を足しあわせることで、演算量を大幅に削減しながら、FFT結果を得ることが出来る。   In other words, in this example, when calculating the FFT analysis result of the entire LSI, it is not necessary to calculate the FFT analysis result of all elements, but by adding the current components of each frequency from the FFT library, the calculation amount is reduced. The FFT result can be obtained while greatly reducing.

以上の方法により、ライブラリから取り出しFFT推定を行うことにより、電流計算やFFTを省略することができ、高速化をはかることができる。
この方法は第11乃至第17の実施の形態と組み合わせることで、さらに高速かつ少メモリでFFT結果を得、高速でLSI全体のノイズを影響を見積もることが可能となる。
なお、この方法においては、あらかじめ入出力条件、周波数、配線容量、スリューなどをパラメータとするセルもしくはブロックのFFT解析結果をライブラリとしてもつようにしたが、静的解析あるいは動的解析でFFTデータを作成するようにしてもよい。(特願平11−196190、特願平11−200847) またさらに推定しようとする範囲のFFT結果に絞ることでデータ量を削減することも可能である。
By taking out from the library and performing FFT estimation by the above method, current calculation and FFT can be omitted, and the speed can be increased.
By combining this method with the eleventh to seventeenth embodiments, it is possible to obtain the FFT result with a higher speed and a smaller memory, and to estimate the influence of the noise of the entire LSI at a higher speed.
In this method, the FFT analysis result of the cell or block whose parameters are input / output conditions, frequency, wiring capacity, slew, etc. is previously stored as a library. However, the FFT data is obtained by static analysis or dynamic analysis. You may make it create. (Japanese Patent Application No. 11-196190, Japanese Patent Application No. 11-200247) Further, it is possible to reduce the data amount by narrowing down to the FFT result in the range to be estimated.

実施の形態20
この例は、機能レベルの解析方法に関するものである。
すなわち、あらかじめ、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成などをパラメータとしたクロックバッファ、メモリ、FF,IOのFFT解析結果をライブラリとしてもち、機能記述から主要構成部分のみ仮に論理合成し、FFT結果を推定するようにしたことを特徴とするものである。
Embodiment 20
This example relates to a function level analysis method.
In other words, the FFT analysis results of the clock buffer, memory, FF, and IO with parameters such as input / output conditions, frequency, wiring capacity, slew, and configuration as a library are preliminarily synthesized from the function description only for the main components, The FFT result is estimated.

図32にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成などをパラメータとしたクロックバッファ、メモリ、FF,IOのFFT解析結果を格納した機能記述用ライブラリ3201と、機能記述3202を具備した機能記述部と、回路入力情報3203と、機能記述FFT推定手段3204とからなり、機能記述FFT結果3205を出力するようにしたものである。   FIG. 32 shows an apparatus configuration used in this unwanted radiation analysis method. The unnecessary radiation analysis apparatus shown in the figure includes a function description library 3201 that stores FFT analysis results of a clock buffer, memory, FF, and IO using parameters such as input / output conditions, frequency, wiring capacity, slew, and configuration, and functions. The function description part having the description 3202, circuit input information 3203, and function description FFT estimation means 3204 is configured to output a function description FFT result 3205.

機能記述FFT推定手段3204は、図33に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ3301で機能記述部に記憶された機能記述3202と、回路入力情報3203とを読みこむ。
The function description FFT estimation means 3204 performs analysis according to the flowchart shown in FIG.
First, in step 3301, the function description 3202 stored in the function description section and the circuit input information 3203 are read.

ついで、ステップ3302で機能記述から図34に示すようなクロックツリーメモリ、フリップフロップ、入出力バッファなどの機能的グループ分けを行う。
そしてステップ3303で各グループに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報を推定する。
そしてさらにステップ3304で各グループに対応するライブラリより、回路規模、負荷容量、波形なまり、回路入力情報更に対応したFFT結果を計算し、積算する。
こののち、ステップ3305で、出力情報の書き出しを行う。
Next, in step 3302, functional grouping such as a clock tree memory, flip-flop, and input / output buffer as shown in FIG. 34 is performed from the function description.
In step 3303, the circuit scale, load capacity, waveform rounding, and circuit input information are estimated from the library corresponding to each group.
Further, in step 3304, from the library corresponding to each group, the circuit scale, load capacity, waveform rounding, circuit input information, and corresponding FFT results are calculated and integrated.
Thereafter, in step 3305, output information is written.

すなわち、この例では、LSI全体のFFT解析結果を計算する際には、全ての素子のFFT解析結果を計算するのではなく、機能レベルでグループ分けし、推定することにより、高速でLSI全体のノイズの影響を見積もることが出来る。   In other words, in this example, when calculating the FFT analysis result of the entire LSI, the FFT analysis result of all the elements is not calculated, but is grouped and estimated at the functional level, so that the entire LSI can be estimated at high speed. The influence of noise can be estimated.

実施の形態21
この例は、ダイナミック解析とスタティック解析とのよい点を利用したハイブリッド解析方法に関するものである。
すなわち、あらかじめ推定手法を選択し、最適なFFT結果推定を行うようにしたものである。
図35にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成、必要とする精度などに応じてネットリスト3501から推定手法を選択する推定手法選択手段3502と、選択された推定方法を組み合わせて、FFT結果を推定する電源電流FFT結果推定手段3503とからなり、FFT結果3504を出力するようにしたものである。
Embodiment 21
This example relates to a hybrid analysis method using the advantages of dynamic analysis and static analysis.
That is, an estimation method is selected in advance, and an optimum FFT result is estimated.
FIG. 35 shows a device configuration used in this unwanted radiation analysis method. The unnecessary radiation analysis apparatus shown in the figure has an estimation method selection means 3502 for selecting an estimation method from the netlist 3501 according to input / output conditions, frequency, wiring capacity, slew, configuration, required accuracy, and the like. The power source current FFT result estimating means 3503 for estimating the FFT result is combined with the estimation method, and the FFT result 3504 is output.

推定手法選択手段3502は、図36に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ3601で入力情報を読みこむ。
The estimation method selection means 3502 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.
First, in step 3601, input information is read.

ついで、ステップ3602で各インスタンスの消費電力を推定する。
そしてステップ3603で消費電力の高いインスタンスに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
In step 3602, the power consumption of each instance is estimated.
In step 3603, the estimation method is selected by using the high-precision estimation method for the instance with high power consumption and applying the high-speed estimation method to the other instances.

このようにして、高速処理を行うことが可能となる。   In this way, high-speed processing can be performed.

実施の形態22
最初のステップで概略解析した後、ピークの大きい部分をダイナミック解析を用いて詳細に解析するようにすることにより、高速でLSI全体のノイズの影響を見積もることが出来る。(図37)
Embodiment 22
After performing the rough analysis in the first step, the influence of the noise of the entire LSI can be estimated at high speed by analyzing in detail the large peak portion using dynamic analysis. (Fig. 37)

推定手法選択手段3502は、図37に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ3701で入力情報を読みこむ。
The estimation method selection means 3502 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.
First, in step 3701, input information is read.

ついで、ステップ3702で各インスタンスのピーク電流を推定する。
そしてステップ3703でピークの高いインスタンスに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
In step 3702, the peak current of each instance is estimated.
In step 3703, the high-precision estimation method is used for the instance having a high peak, and the high-speed estimation method is applied to the other instances, and the estimation method is selected.

このようにして、高速処理を行うことが可能となる。   In this way, high-speed processing can be performed.

実施の形態23
なお、最初のステップで消費電力量、FF/CLK集中から各ブロック毎に解析方法を選択するという方法をとるようにしてもよい。(図38)
Embodiment 23
In the first step, an analysis method may be selected for each block from the power consumption and FF / CLK concentration. (Fig. 38)

推定手法選択手段3502は、図38に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ3801で入力情報を読みこむ。
The estimation method selection means 3502 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.
First, in step 3801, input information is read.

ついで、ステップ3802で各インスタンスの消費電力を推定する。
そしてステップ3803で各ブロックグループ毎に消費電力の総和を計算し、ステップ3804にピークの高いグループに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
In step 3802, the power consumption of each instance is estimated.
Then, in step 3803, the total power consumption is calculated for each block group, and in step 3804, the high-precision estimation method is used for the group having a high peak, and the high-speed estimation method is applied to the other, and the estimation method is selected. .
In this way, high-speed processing can be performed.

実施の形態24
また、グループ毎のピーク電流の総和を計算し、ピークの高いグループに高精度推定手法を、それ以外に高速推定手法を適用する手法をとるようにしてもよい。(図39)
Embodiment 24
Alternatively, the sum of peak currents for each group may be calculated, and a high-precision estimation method may be applied to a group with a high peak, and a high-speed estimation method may be applied to the other. (Fig. 39)

推定手法選択手段3502は、図39に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ3901で入力情報を読みこむ。
The estimation method selection means 3502 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.
First, in step 3901, input information is read.

ついで、ステップ3902で各インスタンスのピーク電流を推定する。
そしてステップ3903で各グループ毎にピーク電流の総和を計算し、ステップ3904にピークの高いグループに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
Next, in step 3902, the peak current of each instance is estimated.
Then, in step 3903, the sum of peak currents is calculated for each group, and in step 3904, the high-precision estimation method is used for the group with a high peak, and the high-speed estimation method is applied to the other, and the estimation method is selected.

このようにして、高速処理を行うことが可能となる。   In this way, high-speed processing can be performed.

実施の形態25
グループ毎のフリップフロック・クロックバッファの個数を計算し、個数の多いグループに高精度推定手法を、それ以外に高速推定手法を適用する手法をとるようにしてもよい。
Embodiment 25
The number of flip-flop clock buffers for each group may be calculated, and a high-precision estimation method may be applied to a large number of groups, and a high-speed estimation method may be applied to other groups.

推定手法選択手段3502は、図40に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ4001で入力情報を読みこむ。
The estimation method selection means 3502 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.
First, in step 4001, input information is read.

ついで、ステップ4002で、グループ毎のフリップフロック・クロックバッファの個数を計算し、各インスタンスの消費電力を推定する。
そしてステップ4003で個数の多いグループに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
In step 4002, the number of flip-flop clock buffers for each group is calculated, and the power consumption of each instance is estimated.
In step 4003, the estimation method is selected by using the high-precision estimation method for a large number of groups and applying the high-speed estimation method to the other groups.

このようにして、高速処理を行うことが可能となる。   In this way, high-speed processing can be performed.

実施の形態26
この例も、ダイナミック解析とスタティック解析とのよい点を利用したハイブリッド解析方法に関するものである。
すなわち、解析精度に応じて判断することにより、あらかじめ推定手法を選択し、最適なFFT結果推定を行うようにしたものである。
図41にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成、必要とする精度などに応じてネットリスト4101と回路入力情報4102とから推定手法を選択する推定手法選択手段4103と、選択された推定方法を組み合わせて、FFT結果を推定する電源電流FFT結果推定手段4104とからなり、FFT結果4105を出力するようにしたものである。
Embodiment 26
This example also relates to a hybrid analysis method using the advantages of dynamic analysis and static analysis.
That is, by determining according to the analysis accuracy, an estimation method is selected in advance, and an optimal FFT result estimation is performed.
FIG. 41 shows a device configuration used in this unwanted radiation analysis method. The unnecessary radiation analysis apparatus shown in the figure is an estimation method selection means for selecting an estimation method from the netlist 4101 and circuit input information 4102 according to input / output conditions, frequency, wiring capacity, slew, configuration, required accuracy, and the like. 4103 and a power source current FFT result estimating means 4104 for estimating the FFT result by combining the selected estimation method, and the FFT result 4105 is output.

推定手法選択手段4102は、図42に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ4201で入力情報を読みこむ。
The estimation method selection means 4102 performs analysis according to a flowchart as shown in FIG.
First, in step 4201, input information is read.

ついで、ステップ4202で各インスタンスの消費電力またはピーク電流を推定する。
そしてステップ4203で各インスタンスの変化回数を推定する。
そしてステップ4204で消費電力またはピーク電流と変化回数とを積算し、この積算値の高いインスタンスに高精度推定手法を用い、それ以外を高速推定手法を適用するようにして、推定手法を選択する。
このようにして、高速処理を行うことが可能となる。
Next, in step 4202, the power consumption or peak current of each instance is estimated.
In step 4203, the number of changes of each instance is estimated.
In step 4204, the estimation method is selected by integrating the power consumption or peak current and the number of changes, using the high-precision estimation method for an instance with a high integrated value, and applying the high-speed estimation method for the other instances.
In this way, high-speed processing can be performed.

実施の形態27
また、高速推定手法で周波数スペクトルを計算し、ピークの高い個所に高精度推定手法を再適用するようにしてもよい。
すなわち図43にそのフローチャートを示すように、推定手法選択手段4102は、解析を実行する。
まず、ステップ4301で入力情報を読みこむ。
Embodiment 27
Alternatively, the frequency spectrum may be calculated by a high-speed estimation method, and the high-precision estimation method may be re-applied to a portion having a high peak.
That is, as shown in the flowchart in FIG. 43, the estimation method selection means 4102 executes analysis.
First, in step 4301, input information is read.

ついで、ステップ4302で高速推定手法で周波数スペクトル(FFT結果)を計算する。
そしてステップ4303でピークの高い個所に高精度推定手法を再適用し、推定手法を選択する。
Next, in step 4302, a frequency spectrum (FFT result) is calculated by a fast estimation method.
In step 4303, the high-precision estimation method is re-applied to a portion having a high peak, and the estimation method is selected.

このようにして、高速かつ高精度処理を行うことが可能となる。   In this way, high-speed and high-precision processing can be performed.

実施の形態28
次にインクリメント計算を用いた不要輻射解析方法について説明する。
修正時には再計算が必要であり、非常に時間がかかるという問題があり、本実施の形態では、これを解決するためになされたもので差分のみを演算することにより、高速化を図るようにしたことを特徴とする。
Embodiment 28.
Next, an unnecessary radiation analysis method using increment calculation will be described.
There is a problem that recalculation is required at the time of correction, and it takes a very long time. In this embodiment, this is done to solve this problem, and only the difference is calculated to increase the speed. It is characterized by that.

図44にこの不要輻射解析方法に用いられる装置構成を示す。同図に示す不要輻射解析装置は、電源/パッケージ/測定系のRLC情報4401と電源パッケージ非考慮のFFTにより得られた周波数スペクトル4405と、入出力条件、周波数、配線容量、スリュー、構成、必要とする精度などに応じてネットリスト4402および変更点を示す変更点情報4403とを、電源パッケージ考慮FFT再推定手段4404で、FFT結果を推定し、FFT結果4406を出力するようにしたものである。   FIG. 44 shows a device configuration used in this unwanted radiation analysis method. The unnecessary radiation analysis apparatus shown in the figure includes the RLC information 4401 of the power supply / package / measurement system, the frequency spectrum 4405 obtained by the FFT not considering the power supply package, input / output conditions, frequency, wiring capacity, slew, configuration, and necessary According to the accuracy and the like, the net list 4402 and the change point information 4403 indicating the change point are estimated by the power source package-considered FFT re-estimation means 4404, and the FFT result 4406 is output. .

再推定手法選択手段4404は、図45に示すようなフローチャートで解析を実行する。
まず、ステップ4501で入力情報を読みこむ。
The re-estimation method selection unit 4404 performs analysis according to the flowchart shown in FIG.
First, in step 4501, input information is read.

ついで、ステップ4502で変更箇所が電源であるかどうかを判断し、電源である場合は、電源考慮FFT解析を実行する(ステップ4504)。
電源でない場合は、変更箇所のみ電源非考慮FFT解析により置き換え(ステップ4503)、ついで電源考慮FFT解析を実行する(ステップ4504)。
Next, in step 4502, it is determined whether or not the changed portion is a power source. If the changed portion is a power source, a power-considered FFT analysis is executed (step 4504).
If it is not the power source, only the changed part is replaced by the power source non-considering FFT analysis (step 4503), and then the power source considering FFT analysis is executed (step 4504).

このようにして、高速処理を行うことが可能となる。   In this way, high-speed processing can be performed.

本発明は、不要輻射の主要因とも言える電源電流の変化の解析をはじめ不要輻射解析を行い、その最適化をはかるものであって、電源及びグランドの抵抗、容量、インダクタンスによるデカップリングの影響を効率よく反映することにより高速性と高精度化を両立させ、シミュレーション上においてLSIの不要輻射を現実的な時間で評価することを可能にする。さらには、EMI発生個所の特定を支援することによる効率的なEMI対策に有効である。   The present invention performs unnecessary radiation analysis including analysis of changes in power supply current, which can be said to be the main cause of unwanted radiation, and optimizes the effect of decoupling due to resistance, capacitance, and inductance of the power supply and ground. Reflecting efficiently, it is possible to achieve both high speed and high accuracy and to evaluate unnecessary radiation of LSI in a realistic time on simulation. Furthermore, it is effective for effective EMI countermeasures by supporting the specification of the location where EMI occurs.

また、電源、パッケージ、測定系に起因する不要輻射を、高速かつ少メモリで高精度に解析することが出来る。   Also, unnecessary radiation caused by the power supply, package, and measurement system can be analyzed with high accuracy at high speed and with a small amount of memory.

本発明の第11の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図The block diagram which shows the structure for implement | achieving the unwanted radiation analysis method in the 11th Embodiment of this invention 本発明の第11の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するためのフローチャート図The flowchart figure for implement | achieving the unnecessary radiation analysis method in the 11th Embodiment of this invention 第11の実施の形態における不要輻射解析方法で用いられるネットリストの一例を示す図The figure which shows an example of the net list used with the unnecessary radiation analysis method in 11th Embodiment 第11の実施の形態における不要輻射解析方法で用いられる電源パッケージ測定系RLC情報を示す等価回路図Equivalent circuit diagram showing power supply package measurement system RLC information used in the unwanted radiation analysis method in the eleventh embodiment 第11の実施の形態における不要輻射解析方法で得られた周波数スペクトルの一例An example of a frequency spectrum obtained by the unwanted radiation analysis method according to the eleventh embodiment 推定電源電流モデルの波形モデルを示す図Diagram showing waveform model of estimated power supply current model 本発明の第11の実施の形態の電源/パッケージ/測定装置非考慮電流推定手段を論理シミュレータを用いて実現する際に用いられる最適な波形モデルを示す図The figure which shows the optimal waveform model used when implement | achieving the power-source / package / measurement-device non-considering current estimation means of 11th Embodiment of this invention using a logic simulator. 本発明の第11の実施の形態でもちいられるデータの一例を示す図The figure which shows an example of the data used by the 11th Embodiment of this invention 本発明の第11の実施の形態で等価電源電流の算出方法を示す説明図Explanatory drawing which shows the calculation method of an equivalent power supply current in 11th Embodiment of this invention 本発明の第11の実施の形態でもちいられるズ8のデータに対応した周波数スペクトルデータの一例を示す図The figure which shows an example of the frequency spectrum data corresponding to the data of 8 used in the 11th Embodiment of this invention 第11の実施の形態における不要輻射解析方法で用いられる電源パッケージ測定系RLC情報を示す等価回路図Equivalent circuit diagram showing power supply package measurement system RLC information used in the unwanted radiation analysis method in the eleventh embodiment 本発明の第11の実施の形態における詳細周波数記憶手段のデータ例を示す図The figure which shows the example of data of the detailed frequency memory | storage means in the 11th Embodiment of this invention 本発明の第11の実施の形態における電源パッケージ測定系非考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the power supply package measurement system non-consideration estimation means in the 11th Embodiment of this invention 本発明の第11の実施の形態における電源パッケージ測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the power supply package measurement system consideration estimation means in the 11th Embodiment of this invention 本発明の第12の実施の形態における同期読み出し方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the synchronous read-out method in the 12th Embodiment of this invention 本発明の第12の実施の形態における電源パッケージ測定系非考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the power supply package measurement system non-consideration estimation means in the 12th Embodiment of this invention 本発明の第12の実施の形態における電源パッケージ測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the power supply package measurement system consideration estimation means in the 12th Embodiment of this invention 本発明の第13の実施の形態における電源パッケージ測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the power supply package measurement system consideration estimation means in the 13th Embodiment of this invention 本発明の第14の実施の形態におけるFFT解析のフローチャート図The flowchart figure of the FFT analysis in the 14th Embodiment of this invention 本発明の第14の実施の形態における電源パッケージ測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the power supply package measurement system consideration estimation means in the 14th Embodiment of this invention 本発明の第14の実施の形態における電流情報を示す図The figure which shows the current information in the 14th Embodiment of this invention 本発明の第14の実施の形態における平均化電流情報を示す図The figure which shows the average current information in the 14th Embodiment of this invention 本発明の第15の実施の形態におけるFFT解析のフローチャート図The flowchart figure of the FFT analysis in the 15th Embodiment of this invention 本発明の第17の実施の形態における電源パッケージ測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the power supply package measurement system consideration estimation means in the 17th Embodiment of this invention 本発明の第17の実施の形態における電源/パッケージ/測定系考慮FFT電流推定手段の動作を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the operation | movement of the power supply / package / measurement system consideration FFT current estimation means in the 17th Embodiment of this invention. 本発明の第16の実施の形態における電源パッケージ測定系考慮推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the power supply package measurement system consideration estimation means in the 16th Embodiment of this invention 本発明の第16の実施の形態における周波数応答結果を示す図The figure which shows the frequency response result in the 16th Embodiment of this invention 本発明の第18の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図The block diagram which shows the structure for implement | achieving the unwanted radiation analysis method in the 18th Embodiment of this invention. 本発明の第18の実施の形態におけるFFT推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the FFT estimation means in the 18th Embodiment of this invention 本発明の第19の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図The block diagram which shows the structure for implement | achieving the unnecessary radiation analysis method in the 19th Embodiment of this invention 本発明の第19の実施の形態におけるFFT推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the FFT estimation means in the 19th Embodiment of this invention 本発明の第20の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図The block diagram which shows the structure for implement | achieving the unnecessary radiation analysis method in the 20th Embodiment of this invention. 本発明の第20の実施の形態におけるFFT推定手段の推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method of the FFT estimation means in the 20th Embodiment of this invention 本発明の第10の実施の形態における機能記述の一例を示す図The figure which shows an example of the function description in the 10th Embodiment of this invention 本発明の第21の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すブロック図The block diagram which shows the estimation method using the hybrid analysis in the 21st Embodiment of this invention 本発明の第21の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method using the hybrid analysis in the 21st Embodiment of this invention 本発明の第22の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method using the hybrid analysis in the 22nd Embodiment of this invention 本発明の第23の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method using the hybrid analysis in the 23rd Embodiment of this invention 本発明の第24の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method using the hybrid analysis in 24th Embodiment of this invention 本発明の第25の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method using the hybrid analysis in the 25th Embodiment of this invention 本発明の第26の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を実行するための装置ブロック図Device block diagram for executing the estimation method using hybrid analysis in the twenty-sixth embodiment of the present invention 本発明の第26の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method using the hybrid analysis in the 26th Embodiment of this invention 本発明の第27の実施の形態におけるハイブリッド解析を用いた推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method using the hybrid analysis in the 27th Embodiment of this invention 本発明の第28の実施の形態におけるインクリメンタル解析を用いた推定方法を実行するための装置を示すブロック図A block diagram showing an apparatus for executing an estimation method using incremental analysis according to a twenty-eighth embodiment of the present invention. 本発明の第28の実施の形態におけるインクリメンタル解析を用いた推定方法を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the estimation method using the incremental analysis in the 28th Embodiment of this invention. 従来例の不要輻射解析方法を実現するための概念構成を示すブロック図The block diagram which shows the conceptual structure for implement | achieving the unnecessary radiation analysis method of a prior art example 従来例のトランジスタレベルの不要輻射解析方法を実現するための概念構成を示すブロック図The block diagram which shows the conceptual structure for implement | achieving the unnecessary radiation analysis method of the transistor level of a prior art example 本発明の第1の実施の形態の不要輻射最適化工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 1st Embodiment of this invention 本発明の第2の実施の形態の不要輻射最適化工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 2nd Embodiment of this invention 本発明の第3の実施の形態の不要輻射最適化工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施の形態の不要輻射最適化工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 4th Embodiment of this invention 本発明の第4の実施の形態の不要輻射最適化工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 4th Embodiment of this invention 本発明の第5の実施の形態の不要輻射最適化工程を示す全体処理フローチャート図Overall processing flowchart showing an unnecessary radiation optimization process of the fifth embodiment of the present invention 本発明の第5の実施の形態の不要輻射最適化工程のフロアプラン時の処理工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the process process at the time of the floor plan of the unnecessary radiation optimization process of the 5th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化工程のレイアウトセル配置時の処理工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the process process at the time of the layout cell arrangement | positioning of the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第6の実施の形態の不要輻射最適化処理を示す図The figure which shows the unnecessary radiation optimization process of the 6th Embodiment of this invention 本発明の第7の実施の形態における不要輻射解析方法を実現するための構成を示すブロック図The block diagram which shows the structure for implement | achieving the unwanted radiation analysis method in the 7th Embodiment of this invention 本発明の第7の実施の形態におけるFFT結果記憶手段のデータ例を示す図The figure which shows the example of data of the FFT result storage means in the 7th Embodiment of this invention 本発明の第7の実施の形態におけるソート結果記憶手段のデータ例を示す図The figure which shows the example of data of the sort result memory | storage means in the 7th Embodiment of this invention 本発明の第7の実施の形態におけるFFTソート手段のフローチャートFlowchart of FFT sort means in the seventh embodiment of the present invention 本発明の実施の形態のFFT結果の表示を示す図The figure which shows the display of the FFT result of embodiment of this invention 本発明の実施の形態の回路データの表示例を示す図The figure which shows the example of a display of the circuit data of embodiment of this invention 本発明の実施の形態の機能表示を示す図The figure which shows the function display of embodiment of this invention 本発明の実施の形態の機能表示を示す図The figure which shows the function display of embodiment of this invention 本発明の実施の形態のレポート出力の表示を示す図The figure which shows the display of the report output of embodiment of this invention 本発明の第7の実施の形態の回路データの変更処理工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the change process process of the circuit data of the 7th Embodiment of this invention 本発明の第8の実施の形態の回路データの変更処理工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the change process process of the circuit data of the 8th Embodiment of this invention 本発明の第9の実施の形態のネットリストの変更処理工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the change process process of the net list of the 9th Embodiment of this invention 本発明の第10の実施の形態のネットリストの変更処理工程を示すフローチャート図The flowchart figure which shows the change process process of the net list of the 10th Embodiment of this invention

符号の説明Explanation of symbols

101 回路情報102 解析制御入力部103 不要輻射シミュレーション部104解析情報表示部105 最適化制御入力部106 不要輻射最適化部107 最適化情報表示部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Circuit information 102 Analysis control input part 103 Unnecessary radiation simulation part 104 Analysis information display part 105 Optimization control input part 106 Unnecessary radiation optimization part 107 Optimization information display part

Claims (10)

シミュレーションの実行によってLSIの電源電流の波形を解析する解析工程と、
前記解析工程でノイズ量が多いブロックまたはインスタンスを抽出する工程と、
前記抽出された前記ブロックまたはインスタンスに対して、設計段階に応じて、電源ノイズ削減処理を行う工程と、
再度解析を行い、ノイズ量が所定の値より小さくなるまで前記解析する工程と、前記インスタンスを抽出する工程と前記電源ノイズ削減処理を行う工程とを繰り返すようにしたことを特徴とするLSIの設計支援方法。
An analysis process for analyzing the waveform of the power supply current of the LSI by executing a simulation;
Extracting a block or instance having a large amount of noise in the analysis step;
A step of performing power supply noise reduction processing on the extracted block or instance according to a design stage;
The LSI design is characterized in that the analysis is performed again, and the analysis step, the instance extraction step, and the power supply noise reduction processing step are repeated until the noise amount becomes smaller than a predetermined value. Support method.
前記設計段階に応じて電源ノイズ処理を行う工程は、フロアプラン段階でレイアウトデータの変更処理を行う第1の工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のLSIの設計支援方法。   2. The LSI design support method according to claim 1, wherein the step of performing power supply noise processing in accordance with the design stage includes a first step of performing layout data change processing in a floor plan stage. 前記設計段階に応じて電源ノイズ削減処理を行う工程は、レイアウト段階でレイアウトデータの変更処理を行う第2の工程を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のLSIの設計支援方法。   3. The LSI design support method according to claim 1, wherein the step of performing power supply noise reduction processing in accordance with the design stage includes a second step of performing layout data change processing in the layout stage. 前記第1の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、
前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、
前記不足量に基づいてレイアウトデータの変更を行う工程とを含むことを特徴とする請求項2に記載のLSIの設計支援方法。
The first step is a step of calculating a necessary amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the step of extracting;
Calculating a deficiency of the power source area from the decoupling capacity calculated in the calculating step;
The LSI design support method according to claim 2, further comprising a step of changing layout data based on the shortage amount.
前記第2の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、
前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、
前記不足量に基づいてレイアウトデータの変更を行う工程とを含むことを特徴とする請求項3に記載のLSIの設計支援方法。
The second step is a step of calculating a necessary amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the extracting step;
Calculating a deficiency of the power source area from the decoupling capacity calculated in the calculating step;
The LSI design support method according to claim 3, further comprising a step of changing layout data based on the shortage amount.
前記第1の工程は、前記抽出する工程で抽出された対象ブロックのピーク電流情報からデカップリング容量の必要量を算出する工程と、
前記算出する工程で算出されたデカップリング容量から電源面積の不足量を算出する工程と、
前記不足量に基づいて必要なブロックに対してレイアウトデータの変更を行う工程とを含むことを特徴とする請求項2に記載のLSIの設計支援方法。
The first step is a step of calculating a necessary amount of decoupling capacity from the peak current information of the target block extracted in the step of extracting;
Calculating a deficiency of the power source area from the decoupling capacity calculated in the calculating step;
The LSI design support method according to claim 2, further comprising a step of changing layout data for a necessary block based on the shortage amount.
前記レイアウトデータの変更を行う工程は、対象ブロックのアスペクト比すなわち縦横比を変更し、電源電流経路の配線面積を実質的に変更する工程であることを特徴とする請求項4に記載のLSIの設計支援方法。   5. The LSI according to claim 4, wherein the step of changing the layout data is a step of changing an aspect ratio of the target block, that is, an aspect ratio, and substantially changing a wiring area of a power supply current path. Design support method. 前記レイアウトデータの変更を行う工程は、対象ブロックのブロック位置を変更し、前記対象ブロックに接続される電源電流経路を変更することにより、電源電流経路の配線面積を変更する工程であることを特徴とする請求項4に記載のLSIの設計支援方法。   The step of changing the layout data is a step of changing a wiring area of a power supply current path by changing a block position of the target block and changing a power supply current path connected to the target block. The LSI design support method according to claim 4. 前記第2の工程は、所望のデカップリング容量をもつように、グランド線または電源線共通で配列されているセルラインの一方の方向を反転すると共に、互いに隣接する電源線とグランド線との間に所定の間隔をもたせるようにしたことを特徴とする請求項3に記載のLSIの設計支援方法。   The second step inverts one direction of the ground lines or the cell lines arranged in common to the power supply lines so as to have a desired decoupling capacitance, and between the adjacent power supply lines and the ground lines. 4. The LSI design support method according to claim 3, wherein a predetermined interval is provided in the LSI. 前記第2の工程は、互いに隣接する電源線とグランド線との形成されている層の上層又は下層に、前記電源線とグランド線との間の電位に接続された補助線を配設し、前記電源線とグランド線、前記グランド線と前記補助線、前記補助線と前記電源線との間の合成容量が所望のデカップリング容量をもつように、調整する工程を更に含むことを特徴とする請求項3に記載のLSIの設計支援方法。   In the second step, an auxiliary line connected to a potential between the power supply line and the ground line is disposed on an upper layer or a lower layer of a layer where the power supply line and the ground line adjacent to each other are formed, The method further includes a step of adjusting the combined capacitance between the power line and the ground line, the ground line and the auxiliary line, and the auxiliary line and the power line so as to have a desired decoupling capacity. The LSI design support method according to claim 3.
JP2005036104A 2000-11-27 2005-02-14 LSI design support method Expired - Fee Related JP4021900B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005036104A JP4021900B2 (en) 2000-11-27 2005-02-14 LSI design support method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000359572 2000-11-27
JP2005036104A JP4021900B2 (en) 2000-11-27 2005-02-14 LSI design support method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001265874A Division JP2002222230A (en) 2000-11-27 2001-09-03 Unnecessary radiation optimizing method and unnecessary radiation analyzing method

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007117413A Division JP2007243211A (en) 2000-11-27 2007-04-26 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005196802A true JP2005196802A (en) 2005-07-21
JP4021900B2 JP4021900B2 (en) 2007-12-12

Family

ID=34828766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005036104A Expired - Fee Related JP4021900B2 (en) 2000-11-27 2005-02-14 LSI design support method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4021900B2 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007128339A (en) * 2005-11-04 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for designing package of semiconductor device, layout design tool for executing the same and method for manufacturing semiconductor device
JP2007243211A (en) * 2000-11-27 2007-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JP2009009531A (en) * 2007-06-29 2009-01-15 Sharp Corp Current prediction method, simulation program, recording medium with simulation program stored thereon and current prediction device
US9353268B2 (en) 2009-04-30 2016-05-31 Enki Technology, Inc. Anti-reflective and anti-soiling coatings for self-cleaning properties
US9376589B2 (en) 2014-07-14 2016-06-28 Enki Technology, Inc. High gain durable anti-reflective coating with oblate voids
US9376593B2 (en) 2009-04-30 2016-06-28 Enki Technology, Inc. Multi-layer coatings
US9382449B2 (en) 2014-09-19 2016-07-05 Enki Technology, Inc. Optical enhancing durable anti-reflective coating
US9598586B2 (en) 2014-07-14 2017-03-21 Enki Technology, Inc. Coating materials and methods for enhanced reliability
WO2023157435A1 (en) * 2022-02-16 2023-08-24 ローム株式会社 Semiconductor integrated circuit evaluation method

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243211A (en) * 2000-11-27 2007-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device
JP2007128339A (en) * 2005-11-04 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for designing package of semiconductor device, layout design tool for executing the same and method for manufacturing semiconductor device
JP2009009531A (en) * 2007-06-29 2009-01-15 Sharp Corp Current prediction method, simulation program, recording medium with simulation program stored thereon and current prediction device
US9353268B2 (en) 2009-04-30 2016-05-31 Enki Technology, Inc. Anti-reflective and anti-soiling coatings for self-cleaning properties
US9376593B2 (en) 2009-04-30 2016-06-28 Enki Technology, Inc. Multi-layer coatings
US9461185B2 (en) 2009-04-30 2016-10-04 Enki Technology, Inc. Anti-reflective and anti-soiling coatings with self-cleaning properties
US9376589B2 (en) 2014-07-14 2016-06-28 Enki Technology, Inc. High gain durable anti-reflective coating with oblate voids
US9399720B2 (en) 2014-07-14 2016-07-26 Enki Technology, Inc. High gain durable anti-reflective coating
US9598586B2 (en) 2014-07-14 2017-03-21 Enki Technology, Inc. Coating materials and methods for enhanced reliability
US9688863B2 (en) 2014-07-14 2017-06-27 Enki Technology, Inc. High gain durable anti-reflective coating
US9382449B2 (en) 2014-09-19 2016-07-05 Enki Technology, Inc. Optical enhancing durable anti-reflective coating
WO2023157435A1 (en) * 2022-02-16 2023-08-24 ローム株式会社 Semiconductor integrated circuit evaluation method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4021900B2 (en) 2007-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002222230A (en) Unnecessary radiation optimizing method and unnecessary radiation analyzing method
EP1132745A2 (en) Electromagnetic interference analysis method and apparatus
US11847397B1 (en) Barycenter compact model to determine IR drop exact solution for circuit network
US7000214B2 (en) Method for designing an integrated circuit having multiple voltage domains
JP2954894B2 (en) Integrated circuit design method, database device for integrated circuit design, and integrated circuit design support device
JP3943326B2 (en) Unwanted radiation analysis method and unwanted radiation analysis apparatus
US8656329B1 (en) System and method for implementing power integrity topology adapted for parametrically integrated environment
EP0894308A2 (en) Method for placement of clock buffers in a clock distribution system
JP3821612B2 (en) Unnecessary radiation analysis method
JP4021900B2 (en) LSI design support method
US20060123366A1 (en) Method and program for designing semiconductor device
US6470479B1 (en) Method of verifying semiconductor integrated circuit reliability and cell library database
US8510697B2 (en) System and method for modeling I/O simultaneous switching noise
EP1083502A1 (en) Noise checking method and device
JP4325274B2 (en) Semiconductor device model creation method and apparatus
JP2005190495A (en) Lsi design assisting method
US6959250B1 (en) Method of analyzing electromagnetic interference
JP2007243211A (en) Semiconductor device
Ko et al. Simplified chip power modeling methodology without netlist information in early stage of soc design process
US20030088395A1 (en) Method and system for quantifying dynamic on-chip power disribution
JP2001222573A (en) Power source model for semiconductor integrated circuit for emi simulation and designing method therefor
JP2008071204A (en) Method for designing device containing semiconductor chip, design support system and program
US7757192B2 (en) Integrated circuit designing device, integrated circuit designing method, and integrated circuit designing program
JP5402356B2 (en) Power supply noise analysis method and power supply noise analysis program
JP5332972B2 (en) Decoupling capacity determination method, decoupling capacity determination device and program

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061108

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070109

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070307

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070406

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070725

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070803

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070829

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070927

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees