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JP2005175020A - Wiring board, electronic circuit element and its manufacturing method, and display - Google Patents

Wiring board, electronic circuit element and its manufacturing method, and display Download PDF

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JP2005175020A
JP2005175020A JP2003409623A JP2003409623A JP2005175020A JP 2005175020 A JP2005175020 A JP 2005175020A JP 2003409623 A JP2003409623 A JP 2003409623A JP 2003409623 A JP2003409623 A JP 2003409623A JP 2005175020 A JP2005175020 A JP 2005175020A
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circuit chip
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adhesive
wiring board
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Japanese (ja)
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Hiroyoshi Nakahama
裕喜 中濱
Toshimichi Taguchi
敏道 太口
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board which has strong adhesion having an integrated circuit chip by increasing the adhesion in the interface between an adhesive used for packaging the integrated circuit chip and the wiring board, and to provide an electronic circuit element and a display. <P>SOLUTION: In a region of a base film 4, where an NCP 9 used for packaging the integrated circuit chip 1 at packaging of the chip 1 is located, through-holes 40 extended through the base film 4 are formed. By attaching a cover lay 6 with an adhesive to the rear face of the base film 4, in such a way as to cover the through-holes 40, the through-holes 40 are filled with an adhesive 6b used in the cover layer 6 with adhesive. The adhesive 6b, filling the through-holes 40 and the NCP 9, are adhere strongly to each other, at the packaging of the integrated circuit chip 1. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、集積回路チップの実装に用いられる配線基板、並びに、該配線基板に集積回路チップが実装された電子回路素子およびその製造方法、並びに該電子回路素子を用いた表示装置に関するものであり、より詳細には、集積回路チップのバンプを配線基板の接続端子に接続することにより集積回路チップを実装するフリップチップ実装に用いられる配線基板、並びに、フリップチップ実装により該配線基板に集積回路チップが実装された電子回路素子およびその製造方法、並びに表示装置に関するものである。   The present invention relates to a wiring board used for mounting an integrated circuit chip, an electronic circuit element on which the integrated circuit chip is mounted on the wiring board, a manufacturing method thereof, and a display device using the electronic circuit element. More specifically, a wiring board used for flip chip mounting for mounting an integrated circuit chip by connecting bumps of the integrated circuit chip to connection terminals of the wiring board, and an integrated circuit chip on the wiring board by flip chip mounting The present invention relates to an electronic circuit element on which is mounted, a manufacturing method thereof, and a display device.

電子機器の小型化、薄型化に伴って、配線基板のフィルム化が進んでいる。同時に、電子機器の高密度化に対応するため、配線基板をフィルム化したフィルム基板に、集積回路チップやチップ電子部品を搭載する実装技術の開発が進んでいる。   Along with the downsizing and thinning of electronic devices, the wiring board has been made into a film. At the same time, in order to cope with the higher density of electronic devices, development of mounting technology for mounting integrated circuit chips and chip electronic components on a film substrate obtained by forming a wiring substrate into a film is in progress.

図5は、フィルム基板上に集積回路チップを実装した一般的な電子回路素子における集積回路チップ周辺の概略構成を示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration around an integrated circuit chip in a general electronic circuit element in which the integrated circuit chip is mounted on a film substrate.

電子回路素子107は、フィルム基板である配線基板120上に集積回路チップ101が実装された構成を有している。また、上記配線基板120は、ポリイミドからなるベースフィルム104の表面に第1配線パターン130が設けられていると共に、裏面に第2配線パターン131が設けられている構成を有している。第1配線パターン30は、その一部に集積回路チップ101のバンプ102と接続するための接続端子(バンプ接続用端子)132を有している。また、第1配線パターン130を覆うようにソルダーレジスト105が設けられ、第2配線パターン131を覆うように、カバーレイ6aの片面に接着剤層106bが設けられた接着剤付きカバーレイ6が貼り付けられている。このようなフィルム基板は、FPC(Flexible Printed Circuit)と呼ばれ、コンピュータ周辺機器を中心に多くの電子機器に使用されている。   The electronic circuit element 107 has a configuration in which the integrated circuit chip 101 is mounted on a wiring substrate 120 which is a film substrate. The wiring board 120 has a configuration in which the first wiring pattern 130 is provided on the surface of the base film 104 made of polyimide, and the second wiring pattern 131 is provided on the back surface. The first wiring pattern 30 has a connection terminal (bump connection terminal) 132 for connecting to the bump 102 of the integrated circuit chip 101 at a part thereof. Also, a solder resist 105 is provided so as to cover the first wiring pattern 130, and an adhesive cover lay 6 provided with an adhesive layer 106 b is attached to one side of the cover lay 6 a so as to cover the second wiring pattern 131. It is attached. Such a film substrate is called FPC (Flexible Printed Circuit), and is used in many electronic devices such as computer peripheral devices.

ここで、上記構成を有するFPC(配線基板120)上への集積回路チップ101の実装方法、言い換えれば、上記電子回路素子107の製造方法について説明する。   Here, a method for mounting the integrated circuit chip 101 on the FPC (wiring board 120) having the above-described configuration, in other words, a method for manufacturing the electronic circuit element 107 will be described.

まず、上記実装方法として、現在主流となっている異方性導電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)を用いた実装方法(例えば、非特許文献1参照)について、図5を参照して以下に説明する。   First, as a mounting method described above, a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF) which is currently mainstream (for example, see Non-Patent Document 1) will be described below with reference to FIG. To do.

図5に示すように、ACF108は、プラスチックビーズにNi、Au等をメッキした金属膜被覆プラスチック微粒子(以下、「導電粒子」と称する)108aを、フィルム状のエポキシ樹脂等の接着剤108b中に分散させたものである。   As shown in FIG. 5, the ACF 108 has a metal film-coated plastic fine particle (hereinafter referred to as “conductive particle”) 108a in which plastic beads are plated with Ni, Au or the like in an adhesive 108b such as a film-like epoxy resin. It is dispersed.

まず、接続端子132を覆うように配線基板120上にACF108を配置する。そして、接続端子132とバンプ102とを位置合わせした後、ツール(図示せず)で集積回路チップ101を180〜210℃で加熱および加圧する。これにより、ACF108に含まれる導電粒子108aが、バンプ102と接続端子132との間で押さえつけられた状態となり、集積回路チップ101のバンプ102と、配線基板上の接続端子132とが電気的に接続される。それと同時に、ACF108の接着剤108bが熱硬化し、バンプ102と接続端子132とが固定される。   First, the ACF 108 is disposed on the wiring board 120 so as to cover the connection terminal 132. Then, after the connection terminals 132 and the bumps 102 are aligned, the integrated circuit chip 101 is heated and pressed at 180 to 210 ° C. with a tool (not shown). As a result, the conductive particles 108a included in the ACF 108 are pressed between the bumps 102 and the connection terminals 132, and the bumps 102 of the integrated circuit chip 101 and the connection terminals 132 on the wiring board are electrically connected. Is done. At the same time, the adhesive 108b of the ACF 108 is thermally cured, and the bumps 102 and the connection terminals 132 are fixed.

このように集積回路チップのバンプと配線基板の接続端子とを接続することにより集積回路チップを配線基板に実装する方法は、一般的にフリップチップ実装と称されている。   The method of mounting the integrated circuit chip on the wiring board by connecting the bumps of the integrated circuit chip and the connection terminals of the wiring board in this manner is generally called flip chip mounting.

次に、上記実装方法として、最近開発が進んでいるNCP(Non Conductive Paste)を用いた実装方法(例えば、特許文献1参照)について、図6を参照して以下に説明する。   Next, as the mounting method, a mounting method using NCP (Non Conductive Paste) that has been developed recently (for example, see Patent Document 1) will be described below with reference to FIG.

図6は、NCP109として光または熱硬化性樹脂を用いてFPC(配線基板120)上に集積回路チップ101を実装した電子回路素子107における集積回路チップ101周辺の概略構成を示す断面図であり、図6に記載の電子回路素子107は、ACF108の代わりにNCP109を使用していることを除けば図5に示す電子回路素子107と同じ構成を有している。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing a schematic configuration around the integrated circuit chip 101 in the electronic circuit element 107 in which the integrated circuit chip 101 is mounted on the FPC (wiring board 120) using light or thermosetting resin as the NCP 109. The electronic circuit element 107 shown in FIG. 6 has the same configuration as the electronic circuit element 107 shown in FIG. 5 except that the NCP 109 is used instead of the ACF 108.

NCP109とACF108との主な相違点として、第1に、ACF108は導電粒子108aを含むのに対してNCP109は導電粒子を含まない点、第2に、集積回路チップ実装前の状態として、ACF108はフィルム状であるのに対してNCP109はペースト状である点が挙げられる。   The main difference between NCP109 and ACF108 is that, firstly, ACF108 includes conductive particles 108a, whereas NCP109 does not include conductive particles, and secondly, the state before the integrated circuit chip is mounted, The NCP109 is in the form of a paste while it is in the form of a film.

NCP109を用いて集積回路チップ101を配線基板120に実装する場合、まず、接続端子132を覆うように配線基板120にNCP109を塗布する。続いて、接続端子132とバンプ102とを位置合わせした後、ツール(図示せず)で集積回路チップ101を加熱および加圧する。これにより、図6に示すように、バンプ102が接続端子132に接続され、集積回路チップ101が配線基板120に実装される。   When the integrated circuit chip 101 is mounted on the wiring board 120 using the NCP 109, first, the NCP 109 is applied to the wiring board 120 so as to cover the connection terminals 132. Subsequently, after the connection terminals 132 and the bumps 102 are aligned, the integrated circuit chip 101 is heated and pressurized with a tool (not shown). As a result, the bumps 102 are connected to the connection terminals 132 and the integrated circuit chip 101 is mounted on the wiring board 120 as shown in FIG.

一般的に、NCP109には、エポキシ樹脂を主成分とする接着剤が用いられている。エポキシ樹脂からなる接着剤は、200〜350℃で加熱することによって硬化するため、バンプ102と接続端子132とは、NCP109が硬化収縮する力で押さえつけられた状態となる。これにより、バンプ102と接続端子132とは電気的に接続される。   In general, an adhesive mainly composed of an epoxy resin is used for NCP109. Since the adhesive made of an epoxy resin is cured by heating at 200 to 350 ° C., the bump 102 and the connection terminal 132 are pressed by a force that cures and shrinks the NCP 109. Thereby, the bump 102 and the connection terminal 132 are electrically connected.

このように、配線基板上への集積回路チップの実装には、通常、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂等の合成樹脂からなる有機系の接着剤が用いられている。これに対し、近年、マルチメディアに代表されるように、電子機器の高機能化、多機能化、小型化の要求に伴って、配線基板上に、集積回路チップだけでなく、チップ電子部品も実装されるケースが増えており、このようなチップ電子部品の実装には、主にはんだ接続が用いられている。はんだ接続は、以下のようにして行われる。   As described above, an organic adhesive made of a synthetic resin such as a thermosetting resin or a photocurable resin is usually used for mounting the integrated circuit chip on the wiring board. On the other hand, as represented by multimedia in recent years, not only integrated circuit chips but also chip electronic components are provided on a wiring board in accordance with the demand for higher functionality, more functionality, and smaller size of electronic devices. Increasing cases are mounted, and solder connection is mainly used for mounting such chip electronic components. Solder connection is performed as follows.

まず、配線基板に備えられた、はんだ接続用端子上に、クリームはんだを塗布する。その後、チップ電子部品に形成された電極がはんだ上に乗るようにチップ電子部品を配線基板上に搭載する。そして、220〜240℃程度でリフロー加熱を行い、はんだを溶融させる。これにより、チップ電子部品の電極と、配線基板に備えられた接続端子とが電気的に接続される。
特公平2−7180号公報(公開日:1990年2月15日) 特開平11−186294号公報(公開日:1999年7月9日) 春日壽夫著,「表面実装ポケットブック 実用化進む超小型パッケージ CSP実装技術」,日刊工業新聞社出版,1999年7月30日,p.96−97
First, cream solder is applied on solder connection terminals provided on the wiring board. Thereafter, the chip electronic component is mounted on the wiring board so that the electrode formed on the chip electronic component is placed on the solder. And reflow heating is performed at about 220-240 degreeC, and a solder is fuse | melted. Thereby, the electrode of a chip electronic component and the connection terminal with which the wiring board was equipped are electrically connected.
Japanese Patent Publication No.2-7180 (Publication date: February 15, 1990) JP 11-186294 A (publication date: July 9, 1999) Kasuga Ikuo, “Surface-mounting pocket book, ultra-small package CSP packaging technology,” Nikkan Kogyo Shimbun Publishing, July 30, 1999, p. 96-97

上記したように、同一配線基板上に集積回路チップとチップ電子部品とを実装する場合、はんだによる汚染を懸念して、先に集積回路チップが実装されることが多い。これは、先にチップ電子部品をはんだ接続により実装すると、はんだ片が集積回路チップを実装するための接続部に飛散する可能性があり、はんだ片が付着した状態で上記接続部に集積回路チップを実装すると、集積回路チップのリークや腐食が発生するという不具合が生じるおそれがあるためである。このため、上記配線基板と集積回路チップとの接続は、チップ電子部品の実装時におけるリフロー加熱に耐え得る必要がある。つまり、リフロー加熱後にも配線基板と集積回路チップとを信頼性よく接続するために、ACFやNCPの耐熱性を向上させる必要がある。   As described above, when an integrated circuit chip and a chip electronic component are mounted on the same wiring board, the integrated circuit chip is often mounted first because of fear of contamination by solder. This is because, if the chip electronic component is first mounted by solder connection, the solder piece may be scattered in the connection part for mounting the integrated circuit chip, and the integrated circuit chip is attached to the connection part with the solder piece attached. This is because there is a risk that the integrated circuit chip may be leaked or corroded. For this reason, the connection between the wiring board and the integrated circuit chip must be able to withstand reflow heating during mounting of the chip electronic component. That is, it is necessary to improve the heat resistance of ACF and NCP in order to connect the wiring board and the integrated circuit chip with high reliability even after reflow heating.

さらに、近年、環境負荷を抑制する目的で、はんだ接続に使用されるはんだは、従来の鉛含有はんだから鉛フリーはんだへとシフトしつつある。鉛フリーはんだのリフロー加熱温度は、鉛含有はんだのそれに比べて約20℃程度高くする必要があり、この温度に配線基板と集積回路チップとの接続が耐えられず、接続不良が発生する事例が生じている。このため、鉛フリーはんだによるはんだ接続を行うためには、配線基板と集積回路チップとの接続を維持しているACFやNCPに、鉛フリーはんだに対応した改良、つまり、鉛フリーはんだのリフロー加熱温度に耐えうるように改良を施す必要がある。   Furthermore, in recent years, the solder used for solder connection is shifting from the conventional lead-containing solder to lead-free solder for the purpose of suppressing environmental load. The reflow heating temperature of lead-free solder needs to be about 20 ° C higher than that of lead-containing solder, and the connection between the wiring board and the integrated circuit chip cannot withstand this temperature, resulting in poor connection. Has occurred. For this reason, in order to perform solder connection using lead-free solder, the ACF and NCP that maintain the connection between the wiring board and the integrated circuit chip are improved corresponding to lead-free solder, that is, reflow heating of lead-free solder. Improvements must be made to withstand the temperature.

しかしながら、ACFやNCPの耐熱性を向上させると、ACFやNCPと、配線基板や集積回路チップとの接着力が低下するというように、耐熱性の向上と接着力の向上とはトレードオフの関係になっていることが多い。そのため、ACFやNCPの耐熱性を改良することで鉛フリーはんだのリフロー加熱時における配線基板と集積回路チップとの接続が維持できたとしても、その後の使用環境によっては、ACFやNCPと配線基板との界面、あるいは、ACFやNCPと集積回路チップとの界面で集積回路チップが配線基板から剥離して接続不良が発生する場合がある。   However, when the heat resistance of ACF or NCP is improved, the adhesive strength between ACF or NCP and the wiring board or integrated circuit chip is reduced. Thus, there is a trade-off between improved heat resistance and improved adhesive strength. In many cases. Therefore, even if the connection between the wiring board and the integrated circuit chip during reflow heating of lead-free solder can be maintained by improving the heat resistance of ACF or NCP, depending on the subsequent use environment, the ACF or NCP and the wiring board In some cases, the integrated circuit chip peels off the wiring substrate at the interface with the ACF or NCP and the interface between the integrated circuit chip and a connection failure occurs.

このため、ACFやNCPの耐熱性を改良するのに加えて、配線基板と集積回路チップとの接着力を向上させることが望まれる。つまり、ACFやNCP等の接着剤の耐熱性を向上させることでリフロー後も信頼性の高い接続を行うことができるが、耐熱性を向上させることで密着力が低下した上記ACFやNCP等の接着剤を如何に強固に配線基板に接着させるかが問題である。特に、配線基板と集積回路チップとの間の剥離は、ACFやNCP等の接着剤と集積回路チップとの界面よりも、上記接着剤と配線基板との界面で発生することが非常に多い。このため、上記接着剤と配線基板との界面における両者の接着力を強化することは、上記剥離による接続不良の防止に非常に効果的である。   For this reason, in addition to improving the heat resistance of ACF and NCP, it is desired to improve the adhesion between the wiring board and the integrated circuit chip. That is, by improving the heat resistance of an adhesive such as ACF or NCP, it is possible to make a reliable connection even after reflow. The problem is how to firmly bond the adhesive to the wiring board. In particular, peeling between the wiring board and the integrated circuit chip occurs very often at the interface between the adhesive and the wiring board rather than at the interface between the adhesive such as ACF and NCP and the integrated circuit chip. For this reason, strengthening the adhesive strength of both at the interface between the adhesive and the wiring board is very effective in preventing poor connection due to the peeling.

また、現在主流となっている配線基板(FPC)は、表面を粗化処理した銅箔に、ポリイミド前駆体溶液を塗布、イミド化してなる銅張ベースフィルムを、耐エッチング性のフィルムをマスクとして銅箔側からエッチングすることにより、ポリイミドからなるベースフィルム上に銅製の配線パターンを形成する、いわゆるキャスティング方式と呼ばれる方法で作製されたものが多い。   In addition, the current mainstream wiring board (FPC) is a copper-clad base film obtained by applying a polyimide precursor solution to a roughened copper foil and imidizing it, using an etching resistant film as a mask. Many are produced by a so-called casting method in which a copper wiring pattern is formed on a base film made of polyimide by etching from the copper foil side.

キャスティング方式では、銅箔と、該銅箔上に形成されるベースフィルムとの密着性を向上させるため、銅箔表面には粗化処理で凹凸が設けられている。この銅箔表面の凹凸はベースフィルムに転写されるため、ベースフィルム表面の銅箔がエッチング除去された領域は、凹凸が形成された状態になっている。このベースフィルム表面の凹凸は、ベースフィルムとACFやNCP等の接着剤との界面の密着性に寄与している。   In the casting method, in order to improve the adhesion between the copper foil and the base film formed on the copper foil, the copper foil surface is provided with irregularities by a roughening treatment. Since the unevenness on the surface of the copper foil is transferred to the base film, the region where the copper foil on the surface of the base film is removed by etching is in a state where the unevenness is formed. The unevenness on the surface of the base film contributes to the adhesion at the interface between the base film and an adhesive such as ACF or NCP.

しかしながら、最近では、フィルム状のポリイミドをベースフィルムに使用し、その上に、触媒を付与してスパッタ、蒸着等の方法で金属種膜を薄く形成し、配線パターン形成部分が除去されたフィルムを用いて電解銅メッキを施して上記フィルムで被覆されていない部分に銅を析出させることにより、ポリイミドからなるベースフィルム上に銅製の配線パターンを形成する、いわゆるアディティブ方式を用いた配線基板(FPC)が、上記キャスティング方式を用いた配線基板(FPC)に代わって増加傾向にある。   However, recently, a film-like polyimide is used as a base film, and a metal seed film is thinly formed thereon by a method such as sputtering or vapor deposition by applying a catalyst thereon, and a film from which a wiring pattern forming portion has been removed. A wiring board (FPC) using a so-called additive method, in which a copper wiring pattern is formed on a base film made of polyimide by performing electrolytic copper plating and depositing copper on a portion not covered with the film. However, it is increasing instead of the wiring board (FPC) using the above casting method.

アディティブ方式では、ベースフィルム表面は平坦であるため、ベースフィルム表面に凹凸を有するキャスティング方式と比較して、ベースフィルムと接着剤との密着力は弱い。しかし、アディティブ方式ではエッチングによる配線幅方向の細りがなく、また、高精細ピッチの配線パターンを形成するには、銅箔/ポリイミド界面の凹凸が小さいほうが有利であることから、将来的にアディティブ方式の割合がより一層増加すると考えられる。   In the additive method, since the surface of the base film is flat, the adhesive force between the base film and the adhesive is weaker than that of the casting method having unevenness on the surface of the base film. However, in the additive method, there is no narrowing in the wiring width direction by etching, and in order to form a high-definition pitch wiring pattern, it is advantageous that the unevenness of the copper foil / polyimide interface is small. It is thought that the ratio of increases further.

このため、チップ電子部品の実装の有無、つまり、はんだ接続の有無に拘らず、上記集積回路チップと配線基板との接着力、すなわち、上記ACFやNCP等の接着剤と配線基板との接着力を強化することは、集積回路チップの実装に上記ACFやNCP等の接着剤を使用するフリップチップ実装における上記剥離による接続不良を防止する上で、重要な課題となっている。   For this reason, the adhesive force between the integrated circuit chip and the wiring substrate, that is, the adhesive force between the adhesive such as the ACF and NCP and the wiring substrate, regardless of whether or not the chip electronic component is mounted, that is, whether or not the solder connection is present. In order to prevent the connection failure due to the peeling in the flip chip mounting using the adhesive such as ACF or NCP for mounting the integrated circuit chip, it is an important issue.

そこで、チップ電子部品の実装の有無に拘らず、集積回路チップのフリップチップ実装に用いられる上記ACFやNCP等の接着剤と配線基板との接着力を強化し、上記剥離による接続不良を防止することが切に望まれている。   Therefore, regardless of whether or not the chip electronic component is mounted, the adhesive force between the wiring board and the adhesive such as ACF or NCP used for flip chip mounting of the integrated circuit chip is strengthened, and connection failure due to the peeling is prevented. It is highly desired.

また、上記課題とは別の課題として、前記したように同一配線基板(FPC)上に集積回路チップとチップ電子部品とを実装する場合、チップ電子部品のはんだ接続のためのリフロー加熱工程で、ACFやNCP等の接着剤に含まれる水分や溶剤が蒸発し、その蒸気圧が高くなることで、配線基板におけるチップ搭載部分が下方に膨れる、いわゆるポップコーン現象が発生する場合がある。   Further, as a problem different from the above problem, when mounting an integrated circuit chip and a chip electronic component on the same wiring board (FPC) as described above, in a reflow heating process for solder connection of the chip electronic component, In some cases, a so-called popcorn phenomenon occurs in which the chip mounting portion of the wiring board swells downward due to evaporation of moisture and solvent contained in an adhesive such as ACF and NCP, which increases the vapor pressure.

ポップコーン現象を解決する方法としては、例えば、プラスチック基板に集積回路チップをダイボンディングして封止樹脂で封止してなる半導体パッケージの分野において、種々検討がなされている(例えば、特許文献2参照)。   As a method for solving the popcorn phenomenon, various studies have been made in the field of semiconductor packages in which an integrated circuit chip is die-bonded to a plastic substrate and sealed with a sealing resin (see, for example, Patent Document 2). ).

例えば、特許文献2には、半導体チップを回路基板に実装する際にリフロー半田付け法により半田ボールが回路基板の接続端子に接合されているプラスチックBGAパッケージにおいて、リフロー半田付け工程でパッケージ全体がリフロー炉で加熱されるためにパッケージ内部で発生する蒸気を確実に外部に排出し、上記パッケージ内の水分によって生じるポップコーン現象や、封止樹脂とプラスチック基板との接合面やチップ接合面が剥離するデラミネーションを防止するための方法が記載されている。   For example, in Patent Document 2, in a plastic BGA package in which solder balls are bonded to connection terminals of a circuit board by a reflow soldering method when a semiconductor chip is mounted on a circuit board, the entire package is reflowed in a reflow soldering process. Vapor generated inside the package because it is heated in the furnace is surely discharged to the outside, and popcorn phenomenon caused by moisture in the package, debonding of the bonding surface between the sealing resin and the plastic substrate and chip bonding surface. A method for preventing lamination is described.

図7は、特許文献2に記載の半導体パッケージにおける要部の概略構成を模式的に示す断面図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a main part in the semiconductor package described in Patent Document 2.

図7に示すように、特許文献2記載の半導体パッケージは、絶縁性のプラスチック基板50の両面に図示しない配線パターンや接続端子が、銅箔やメッキにより形成されている。また、このプラスチック基板50の下面には、接続電極として多数の半田ボール53が形成されており、この半田ボール53以外の露出面は、ソルダーレジスト膜55bで被覆されている。   As shown in FIG. 7, in the semiconductor package described in Patent Document 2, wiring patterns and connection terminals (not shown) are formed on both surfaces of an insulating plastic substrate 50 by copper foil or plating. A large number of solder balls 53 are formed as connection electrodes on the lower surface of the plastic substrate 50, and the exposed surface other than the solder balls 53 is covered with a solder resist film 55b.

また、上記プラスチック基板50の半導体チップ11実装領域には、上下方向に貫通する1個または複数個の通気孔56が形成されており、このプラスチック基板50の上面には、接続端子部分を除く配線パターン領域を覆うようにソルダーレジスト膜55aが設けられていると共に、上記通気孔56の上端面を覆うように、上記半導体チップ11実装領域にもソルダーレジスト膜(ソルダーレジスト膜55c)が形成されている。これらソルダーレジスト膜55a・55b・55cは、上記プラスチック基板50の両面に、液状またはドライフィルム状の感光性ソルダーレジストを、印刷、塗布、または貼着し、マスクを用いて露出部分を紫外線硬化させて不要な部分を取り除くことにより形成される。   Further, one or a plurality of vent holes 56 penetrating in the vertical direction are formed in the semiconductor chip 11 mounting region of the plastic substrate 50, and wiring excluding connection terminal portions is formed on the upper surface of the plastic substrate 50. A solder resist film 55a is provided so as to cover the pattern region, and a solder resist film (solder resist film 55c) is also formed in the semiconductor chip 11 mounting region so as to cover the upper end surface of the vent hole 56. Yes. These solder resist films 55a, 55b and 55c are obtained by printing, applying or sticking a liquid or dry film-like photosensitive solder resist on both surfaces of the plastic substrate 50, and then UV-curing exposed portions using a mask. It is formed by removing unnecessary parts.

半導体チップ11は、上記ソルダーレジスト膜55cの上から、Agペースト等の接着剤51でダイボンディングされており、該半導体チップ11上に配置された電極(図示せず)と、プラスチック基板50上面に配置された接続端子との間を、金線等のボンディングワイヤ54で電気的に接続された後、上記ボンディングワイヤ54ごと、エポキシ樹脂等の封止樹脂52のトランスファー成形により封止されている。   The semiconductor chip 11 is die-bonded from above the solder resist film 55c with an adhesive 51 such as an Ag paste, and an electrode (not shown) disposed on the semiconductor chip 11 and an upper surface of the plastic substrate 50 are attached. After being electrically connected to the arranged connection terminals by a bonding wire 54 such as a gold wire, the bonding wires 54 are sealed together by transfer molding of a sealing resin 52 such as an epoxy resin.

上記特許文献2によれば、上記通気孔56の上端面が、上記プラスチック基板50における半導体チップ11の実装領域を覆う、硬化した上記ソルダーレジスト膜55cにより被覆されていることで、半導体チップ11のダイボンディング時に、該半導体チップ11の実装に使用されるAgペースト等の接着剤51が上記通気孔56内に流れ込むことを防止し、上記通気孔56の通気性を確保するようになっている。   According to Patent Document 2, the upper end surface of the vent hole 56 is covered with the hardened solder resist film 55c that covers the mounting region of the semiconductor chip 11 on the plastic substrate 50, whereby the semiconductor chip 11 At the time of die bonding, the adhesive 51 such as Ag paste used for mounting the semiconductor chip 11 is prevented from flowing into the vent hole 56, and the air permeability of the vent hole 56 is ensured.

しかしながら、上記特許文献2の構成を、前述したフリップチップ実装に適用した場合、上記ソルダーレジスト膜(ソルダーレジスト膜55a・55b・55c)の膜厚は、該ソルダーレジスト膜が、配線パターンを被覆して保護することを目的とするものであるため、通常、約10〜20μm程度であるのに対し、バンプの高さは、メッキバンプで約10〜20μm程度であり、また、ソルダーレジスト膜を形成する場合、その膜厚が均一となるように塗布制御することは困難であるため、上記特許文献2に示すように、配線基板と集積回路チップとの間にソルダーレジスト膜が形成されていると、集積回路チップのバンプが配線基板の接続端子に届かないケースが往々にしてでてくる。特に、集積回路チップの配線をカレット等から守る目的で、集積回路チップの配線パターン上に約3〜8μmのポリイミド被膜がコーティングされている場合には、より一層バンプと接続端子とを接続することが困難になる。特に、コスト削減や装置の小型化のためには、集積回路チップのバンプ高さは低いほど有利であり、近年、集積回路チップのバンプ高さは、できるだけ低く形成される傾向にある。このため、上記特許文献2の構成を、フリップチップ実装、特に、近年のフリップチップ実装に適用することは困難である。   However, when the configuration of Patent Document 2 is applied to the flip-chip mounting described above, the solder resist film (solder resist films 55a, 55b, 55c) has a film thickness that covers the wiring pattern. In general, the height of the bump is about 10 to 20 μm for the plating bump, and a solder resist film is formed. In this case, since it is difficult to control the coating so that the film thickness is uniform, as shown in Patent Document 2, a solder resist film is formed between the wiring board and the integrated circuit chip. Often, bumps of integrated circuit chips do not reach the connection terminals of the wiring board. In particular, when a polyimide film of about 3 to 8 μm is coated on the wiring pattern of the integrated circuit chip for the purpose of protecting the wiring of the integrated circuit chip from the cullet, etc., the bump and the connection terminal should be further connected. Becomes difficult. In particular, the lower the bump height of the integrated circuit chip is, the more advantageous for cost reduction and the miniaturization of the apparatus. In recent years, the bump height of the integrated circuit chip tends to be formed as low as possible. For this reason, it is difficult to apply the configuration of Patent Document 2 to flip chip mounting, particularly to recent flip chip mounting.

そこで、ソルダーレジストに代えて、膜厚の制御が容易な他の樹脂を使用することが考えられるが、本願発明者等が鋭意検討した結果、例えソルダーレジストに代えて他の樹脂を使用したとしても、塗布上の問題から、その膜厚を、フリップチップ実装に適用し得る程度に均一化し、集積回路チップ実装領域表面を平坦化することは容易ではなく、何れにしても、上記特許文献2の構成をフリップチップ実装に適用することは困難である。   Therefore, it is conceivable to use another resin that can easily control the film thickness instead of the solder resist, but as a result of intensive studies by the inventors of the present application, for example, another resin was used instead of the solder resist. However, it is not easy to make the film thickness uniform enough to be applicable to flip chip mounting and to flatten the surface of the integrated circuit chip mounting region because of problems in coating. It is difficult to apply this configuration to flip chip mounting.

フリップチップ実装を行う場合、ボンディングワイヤを用いる場合と異なり、集積回路チップ下面に上記したような硬化樹脂膜を形成した場合、該硬化樹脂膜が集積回路チップに当接することで、バンプと上記接続端子との接続に支障を来す、あるいは、例え接続できたとしても接続不良を招くおそれがある。そして、前記したように、近年、集積回路チップのバンプ高さは、できるだけ低く形成される傾向にあり、上記硬化性樹脂膜の膜厚のばらつきによる凹凸を抑え、フリップチップ実装に適用し得る程度に集積回路チップ実装領域表面を平坦化することは容易ではない。   When flip chip mounting is performed, unlike the case of using bonding wires, when the cured resin film as described above is formed on the lower surface of the integrated circuit chip, the cured resin film abuts on the integrated circuit chip, so that the bump and the connection are connected. There is a possibility that the connection with the terminal may be hindered, or even if the connection can be made, a connection failure may be caused. As described above, in recent years, the bump height of an integrated circuit chip tends to be formed as low as possible, and the degree of unevenness due to variations in the film thickness of the curable resin film can be suppressed and applied to flip chip mounting. Further, it is not easy to flatten the surface of the integrated circuit chip mounting region.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、集積回路チップの実装に用いられる接着剤と配線基板との接着力を強化することができ、集積回路チップと配線基板との接着力が高い配線基板および電子回路素子並びに表示装置を提供することにある。また、本発明のさらなる目的は、上記配線基板を用いた、上記接着力に優れた電子回路素子の製造方法を提供することにある。また、本発明のさらなる目的は、上記接着力に優れると共に、リフロー加熱を行う必要がある場合にいわゆるポップコーン現象が発生することを防止することができる配線基板、集積回路素子およびその製造方法、並びに表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to reinforce the adhesive force between an adhesive used for mounting an integrated circuit chip and a wiring board. An object of the present invention is to provide a wiring board, an electronic circuit element, and a display device that have high adhesion to the board. A further object of the present invention is to provide a method for producing an electronic circuit element having the above-mentioned adhesive strength using the above-mentioned wiring board. A further object of the present invention is to provide a wiring board, an integrated circuit element and a method for producing the same, which are excellent in the adhesive force and can prevent the so-called popcorn phenomenon from occurring when reflow heating is required. It is to provide a display device.

本発明の配線基板は、上記課題を解決するために、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備え、集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料(A)により集積回路チップがフリップチップ実装される集積回路実装用の配線基板であって、上記絶縁性基板における、集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔が設けられ、該貫通孔内に、絶縁性基板に対する上記接続材料(A)の接着性よりも上記接続材料(A)との接着性が高い材料(B)が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることを特徴としている。   In order to solve the above problems, the wiring board of the present invention is for electrically connecting the insulating substrate, the wiring pattern formed on the insulating substrate, and the wiring pattern and the bump of the integrated circuit chip. A wiring board for mounting an integrated circuit in which the integrated circuit chip is flip-chip mounted with a connection material (A) for connecting the integrated circuit chip and the insulating substrate, A through hole penetrating the insulating substrate is provided in a region where the connecting material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted, and the adhesive property of the connecting material (A) to the insulating substrate is provided in the through hole. The material (B) having higher adhesion to the connection material (A) is filled to a position substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate.

また、本発明の配線基板は、上記の構成に加えて、上記絶縁性基板はポリイミドからなることを特徴としている。   In addition to the above configuration, the wiring board of the present invention is characterized in that the insulating substrate is made of polyimide.

また、本発明の配線基板は、上記の構成に加えて、上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うように接着剤(C)を介してカバーレイが設けられていると共に、上記貫通孔内に、上記材料(B)として、接着剤(C)が充填されていることを特徴としている。   In addition to the above configuration, the wiring board of the present invention covers the surface of the insulating substrate opposite to the integrated circuit chip mounting surface with an adhesive (C) so as to cover the through hole. A ray is provided, and an adhesive (C) is filled as the material (B) in the through hole.

また、本発明の配線基板は、上記の構成に加えて、上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うようにソルダーレジストからなる層が設けられていると共に、上記貫通孔内に、上記材料(B)として、上記ソルダーレジストが充填されていることを特徴としている。   In addition to the above configuration, the wiring board of the present invention is provided with a layer made of a solder resist so as to cover the through hole on the surface of the insulating substrate opposite to the integrated circuit chip mounting surface. In addition, the solder resist is filled as the material (B) in the through hole.

また、本発明の配線基板は、上記構成に加えて、上記材料(B)は、水蒸気を透過させる材料であることを特徴としている。   In addition to the above structure, the wiring board of the present invention is characterized in that the material (B) is a material that transmits water vapor.

また、本発明の配線基板は、上記構成に加えて、上記材料(B)は完全に硬化する前の状態にあることを特徴としている。   In addition to the above configuration, the wiring board of the present invention is characterized in that the material (B) is in a state before being completely cured.

さらに、本発明の電子回路素子は、上記課題を解決するために、配線基板上に、上記接続材料(A)により集積回路チップが実装されてなり、上記接続材料(A)と材料(B)とが、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置にて互いに接着されていることを特徴としている。   Furthermore, in order to solve the above-described problems, the electronic circuit element of the present invention has an integrated circuit chip mounted on a wiring board with the connection material (A), and the connection material (A) and the material (B). Are bonded to each other at a position substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate.

また、本発明の表示装置は、上記課題を解決するために、上記した本発明の電子回路素子を有することを特徴としている。   The display device of the present invention is characterized by having the above-described electronic circuit element of the present invention in order to solve the above problems.

さらに、本発明の電子回路素子の製造方法は、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料(A)により上記集積回路チップをフリップチップ実装する電子回路素子の製造方法であって、上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、上記貫通孔内に、上記接続材料(A)との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料(A)の接着性よりも高い材料(B)を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、上記材料(B)を硬化させる工程と、上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記接続材料(A)を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、上記接続材料(A)を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料(A)により接続すると共に、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに接着させる工程とを含むことを特徴としている。   Furthermore, the electronic circuit element manufacturing method of the present invention includes an insulating substrate, a wiring pattern formed on the insulating substrate, and a connection for electrically connecting the wiring pattern and the bump of the integrated circuit chip. A method of manufacturing an electronic circuit element, wherein the integrated circuit chip is flip-chip mounted on a wiring board for mounting an integrated circuit having terminals with a connection material (A) for connecting the integrated circuit chip and an insulating substrate. A step of providing a through-hole penetrating the insulating substrate in a region of the insulating substrate where the connection material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted; and the wiring on the insulating substrate. A step of providing a pattern and a connection terminal, and a material (B) having higher adhesion to the connection material (A) than the adhesion of the connection material (A) to the insulating substrate in the through-hole. The step of filling up to a position substantially equal to or lower than the substrate surface, the step of curing the material (B), the connection terminals and the bumps of the integrated circuit chip are aligned, and the connection material (A ), The step of mounting the integrated circuit chip on the insulating substrate, and the connection material (A) is cured, so that the integrated circuit chip and the insulating substrate are bonded by the connection material (A). And connecting the connection material (A) and the material (B) to each other.

さらに、本発明の電子回路素子の製造方法は、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料(A)により上記集積回路チップをフリップチップ実装する電子回路素子の製造方法であって、上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、上記貫通孔内に、上記接続材料(A)との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料(A)の接着性よりも高い材料(B)を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、上記材料(B)を、該材料(B)が完全には硬化しないように硬化させる工程と、上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記材料(B)が完全に硬化する前の状態において、上記接続材料(A)を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、上記接続材料(A)および材料(B)を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料(A)により接続すると共に、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに接着させる工程とを含むことを特徴としている。   Furthermore, the electronic circuit element manufacturing method of the present invention includes an insulating substrate, a wiring pattern formed on the insulating substrate, and a connection for electrically connecting the wiring pattern and the bump of the integrated circuit chip. A method of manufacturing an electronic circuit element, wherein the integrated circuit chip is flip-chip mounted on a wiring board for mounting an integrated circuit having terminals with a connection material (A) for connecting the integrated circuit chip and an insulating substrate. A step of providing a through-hole penetrating the insulating substrate in a region of the insulating substrate where the connection material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted; and the wiring on the insulating substrate. A step of providing a pattern and a connection terminal, and a material (B) having higher adhesion to the connection material (A) than the adhesion of the connection material (A) to the insulating substrate in the through-hole. A step of filling to a position substantially equal to or lower than the surface of the substrate, a step of curing the material (B) so that the material (B) is not completely cured, the connection terminal and the integrated circuit chip And mounting the integrated circuit chip on the insulating substrate via the connection material (A) in a state before the material (B) is completely cured, The connection material (A) and the material (B) are cured to connect the integrated circuit chip and the insulating substrate with the connection material (A), and the connection material (A) and the material (B). And a step of bonding them together.

以上のように、集積回路チップのフリップチップ実装に用いられる本発明の配線基板は、上記絶縁性基板における、集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を備えた構成を有し、該貫通孔内に、絶縁性基板に対する上記接続材料(A)の接着性、例えばポリイミドからなる絶縁性基板に対する上記接続材料(A)の接着性よりも、上記接続材料(A)との接着性が高い材料(B)が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔が存在する領域で、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに強固に接着させることができる。それゆえ、上記の構成によれば、集積回路チップの実装時に、上記接続材料(A)と上記配線基板との接続強度を高めることができ、上記配線基板に集積回路チップを強固に接着することができる。   As described above, the wiring board of the present invention used for flip-chip mounting of an integrated circuit chip has the insulating property in the insulating substrate in the region where the connection material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted. A structure having a through-hole penetrating the substrate, and adhesion of the connection material (A) to an insulating substrate, for example, adhesion of the connection material (A) to an insulating substrate made of polyimide, in the through-hole. The material (B) having a higher adhesiveness with the connection material (A) is filled to a position substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate, so that when the integrated circuit chip is mounted, In the region where the through hole exists, the connection material (A) and the material (B) can be firmly bonded to each other. Therefore, according to the above configuration, when the integrated circuit chip is mounted, the connection strength between the connection material (A) and the wiring board can be increased, and the integrated circuit chip can be firmly bonded to the wiring board. Can do.

また、本発明によれば、上記材料(B)が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、集積回路チップ実装時に、上記材料(B)が上記集積回路チップと当接することがなく、該材料(B)によって上記集積回路チップのフリップチップ実装(バンプ接続)が阻害されることがない。また、本発明によれば、上記材料(B)が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、バンプ高さが低い集積回路チップの実装にも好適に使用することができる。よって、上記の構成によれば、上記集積回路チップの実装時に、上記集積回路チップと配線基板との間にソルダーレジスト膜(ソルダーレジストからなる層)を形成する場合と比較して、上記集積回路チップの実装高さを増大させることがなく、上記集積回路チップを備えた装置の小型化を図ることができる。   Further, according to the present invention, the material (B) is filled to a position that is substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate, so that the material (B) can be used when the integrated circuit chip is mounted. There is no contact with the integrated circuit chip, and the flip-chip mounting (bump connection) of the integrated circuit chip is not hindered by the material (B). Further, according to the present invention, the material (B) is filled to a position that is substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate, so that it is suitable for mounting an integrated circuit chip having a low bump height. Can be used for Therefore, according to the above configuration, the integrated circuit is compared with a case where a solder resist film (a layer made of a solder resist) is formed between the integrated circuit chip and the wiring board when the integrated circuit chip is mounted. The device including the integrated circuit chip can be downsized without increasing the mounting height of the chip.

さらに、本発明の配線基板は、集積回路チップの実装前に、上記貫通孔内に、上記材料(B)が予め充填されているため、上記材料(B)として、硬化速度は遅くても接着性の高い材料を使用することが可能になる。それゆえ、上記材料(B)の選択の自由度を高めることができると共に、上記材料(B)として、上記絶縁性基板との接着性がより高い材料を選択することができる。また、本発明の配線基板は、集積回路チップの実装前に、上記貫通孔内に、上記材料(B)が予め充填されているため、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔から絶縁性基板裏面に上記接続材料(A)が流出することを防止することができるという効果を併せて奏する。   Furthermore, since the material (B) is pre-filled in the through hole before the integrated circuit chip is mounted, the wiring board of the present invention is bonded as the material (B) even if the curing speed is low. It becomes possible to use a material with high properties. Therefore, the degree of freedom in selecting the material (B) can be increased, and a material having higher adhesion to the insulating substrate can be selected as the material (B). In addition, since the wiring board of the present invention is pre-filled with the material (B) in the through hole before the integrated circuit chip is mounted, the insulating substrate is removed from the through hole when the integrated circuit chip is mounted. There is also an effect that the connection material (A) can be prevented from flowing out to the back surface.

このように、本発明は、絶縁性基板上に形成された配線パターンの一部に形成された接続端子に、集積回路チップのバンプが接続されることにより集積回路チップが実装される実装領域を備えた配線基板および電子回路素子に特に好適である。   As described above, the present invention provides a mounting region in which an integrated circuit chip is mounted by connecting bumps of the integrated circuit chip to connection terminals formed on a part of a wiring pattern formed on an insulating substrate. It is particularly suitable for the provided wiring board and electronic circuit element.

また、本発明の配線基板は、以上のように、さらに上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うように接着剤(C)を介してカバーレイが設けられていることで、配線基板裏面に上記カバーレイを貼り付ける際に、該カバーレイの貼り付けに使用する接着剤が貫通孔に染み込み、充填されるので、上記貫通孔に新たに上記材料(B)を充填する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができるという効果をさらに奏する。   In addition, as described above, the wiring board according to the present invention further covers the surface of the insulating substrate opposite to the integrated circuit chip mounting surface via an adhesive (C) so as to cover the through hole. When the coverlay is attached to the back surface of the wiring board, the adhesive used for attaching the coverlay soaks into and fills the through-hole. There is no need to fill the material (B), and the manufacturing process can be simplified.

集積回路チップのフリップチップ実装に一般的に用いられている接続材料(A)は、集積回路チップ実装用の配線基板に用いられる絶縁性基板の裏面にカバーレイを設ける際に用いられる接着剤、例えば接着剤付カバーレイの接着剤との接着性に優れ、その接着性は、上記接続材料(A)と絶縁性基板との接着性に比べて極めて高い。   The connection material (A) generally used for flip-chip mounting of an integrated circuit chip is an adhesive used when a coverlay is provided on the back surface of an insulating substrate used for a wiring substrate for mounting an integrated circuit chip, For example, the adhesiveness of the coverlay with adhesive is excellent, and the adhesiveness is extremely higher than the adhesiveness between the connection material (A) and the insulating substrate.

本発明の配線基板は、以上のように、さらに上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うようにソルダーレジストからなる層(ソルダーレジスト膜)が設けられていることで、配線基板裏面に上記ソルダーレジストからなる層を設ける際に、ソルダーレジストが貫通孔に染み込み、充填されるので、上記貫通孔に新たに上記材料(B)を充填する必要がなく、製造工程の簡略化を図ることができるという効果を併せて奏する。   As described above, the wiring board of the present invention is further provided with a layer (solder resist film) made of a solder resist so as to cover the through hole on the surface of the insulating substrate opposite to the integrated circuit chip mounting surface. Therefore, when the layer made of the solder resist is provided on the back surface of the wiring board, the solder resist soaks into and fills the through hole. Therefore, it is necessary to newly fill the material (B) into the through hole. There is also an effect that the manufacturing process can be simplified.

集積回路チップのフリップチップ実装に一般的に用いられている接続材料(A)は、集積回路チップ実装用の配線基板に用いられるソルダーレジスト、つまり、上記配線基板における配線パターンの保護に使用されるソルダーレジストとの接着性に優れ、その接着性は、上記接続材料(A)と絶縁性基板との接着性に比べて極めて高い。   The connection material (A) generally used for flip-chip mounting of an integrated circuit chip is used to protect a solder resist used for a wiring board for mounting an integrated circuit chip, that is, a wiring pattern on the wiring board. It has excellent adhesiveness with the solder resist, and the adhesiveness is extremely higher than the adhesiveness between the connection material (A) and the insulating substrate.

本発明の配線基板は、以上のように、さらに上記材料(B)は、水蒸気を透過させる材料であるので、上記配線基板に接着剤を用いて集積回路チップを実装した後、配線基板にチップ電子部品を搭載する場合のように、リフロー加熱により上記接続材料(A)に含まれる水分が蒸発して蒸気圧が高くなったとしても、上記貫通孔から水蒸気を外部に排出することができる。それゆえ、上記蒸気圧に由来するいわゆるポップコーン現象を防止することができると共に、上記配線基板と集積回路チップとの剥離を防止することができるという効果を奏する。   In the wiring board of the present invention, as described above, since the material (B) is a material that allows water vapor to pass through, an integrated circuit chip is mounted on the wiring board using an adhesive, and then the chip is mounted on the wiring board. Even when the water contained in the connection material (A) is evaporated by reflow heating and the vapor pressure is increased as in the case of mounting an electronic component, the water vapor can be discharged from the through hole to the outside. Therefore, it is possible to prevent a so-called popcorn phenomenon derived from the vapor pressure, and to prevent peeling between the wiring board and the integrated circuit chip.

本発明の電子回路素子は、以上のように、上記材料(B)は完全に硬化する前の状態にあるので、上記材料(B)と接続材料(A)との接触界面(接続界面)において、上記接続材料(A)と材料(B)とが、例えば化学結合、あるいは、局所的に混ざり合う等して、上記材料(B)と接続材料(A)との接触界面で上記配線基板に集積回路チップをより強固に接着することができるという効果を奏する。   As described above, the electronic circuit element of the present invention is in a state before the material (B) is completely cured. Therefore, in the contact interface (connection interface) between the material (B) and the connection material (A). The connection material (A) and the material (B) are bonded to the wiring board at the contact interface between the material (B) and the connection material (A) by, for example, chemical bonding or local mixing. The integrated circuit chip can be more firmly bonded.

そして、この場合、特に、上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うように、前記したように接着剤(C)を介してカバーレイが設けられるかあるいはソルダーレジストからなる層が設けられ、上記貫通孔内に、材料(B)として、上記接着剤(C)あるいは上記ソルダーレジストが充填されていることで、上記集積回路チップの実装時、すなわち、上記接続材料(A)の硬化時に、上記接続材料(A)と、上記貫通孔内および上記絶縁性基板裏面に設けられた材料(B)とが、櫛歯状に一体的に硬化成形される。このため、上記接続材料(A)と上記配線基板との接着強度をより一層高めることができるため、上記配線基板を集積回路チップの実装に使用した時に、上記配線基板上から集積回路チップが剥離することをより一層確実に防止することができるという効果を奏する。   In this case, a cover lay is provided on the surface of the insulating substrate opposite to the integrated circuit chip mounting surface through the adhesive (C) as described above so as to cover the through hole. Or a layer made of a solder resist is provided, and the adhesive (C) or the solder resist is filled as the material (B) in the through hole, so that when the integrated circuit chip is mounted, that is, When the connection material (A) is cured, the connection material (A) and the material (B) provided in the through hole and on the back surface of the insulating substrate are integrally cured and molded in a comb shape. The For this reason, since the adhesive strength between the connection material (A) and the wiring board can be further increased, the integrated circuit chip is peeled off from the wiring board when the wiring board is used for mounting the integrated circuit chip. There is an effect that it can be prevented more reliably.

本発明の電子回路素子は、以上のように、上記配線基板上に、上記接続材料(A)により集積回路チップが実装されてなり、上記接続材料(A)と材料(B)とが、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置にて互いに接着されているので、集積回路チップと配線基板との接着力が高く、集積回路チップと配線基板との剥離を防止することができる。それゆえ、接続不良のない電子回路素子を提供することができるという効果を奏する。   As described above, in the electronic circuit element of the present invention, an integrated circuit chip is mounted on the wiring board with the connection material (A), and the connection material (A) and the material (B) Since they are bonded to each other at a position substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate, the adhesive force between the integrated circuit chip and the wiring substrate is high, and peeling between the integrated circuit chip and the wiring substrate can be prevented. . Therefore, it is possible to provide an electronic circuit element having no connection failure.

本発明の表示装置は、以上のように、上記記載の電子回路素子を有するので、集積回路チップと配線基板との接着力が高く、集積回路チップと配線基板との剥離を防止することができる。それゆえ、表示装置の不良品の発生率を低下させることができるという効果を奏する。   As described above, since the display device of the present invention has the electronic circuit element described above, the adhesive force between the integrated circuit chip and the wiring board is high, and peeling between the integrated circuit chip and the wiring board can be prevented. . Therefore, there is an effect that the incidence of defective products of the display device can be reduced.

また、以上のように、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料(A)により上記集積回路チップをフリップチップ実装する本発明の電子回路素子の製造方法は、上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、上記貫通孔内に、上記接続材料(A)との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料(A)の接着性よりも高い材料(B)を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、上記材料(B)を硬化させる工程と、上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記接続材料(A)を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、上記接続材料(A)を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料(A)により接続すると共に、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに接着させる工程との有機的な結合により、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔が存在する領域で、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに強固に接着させることができる。   Further, as described above, an integrated circuit including an insulating substrate, a wiring pattern formed on the insulating substrate, and a connection terminal for electrically connecting the wiring pattern and a bump of the integrated circuit chip. The method of manufacturing an electronic circuit element according to the present invention, wherein the integrated circuit chip is flip-chip mounted on a wiring board for circuit mounting with a connecting material (A) for connecting the integrated circuit chip and the insulating substrate. A step of providing a through-hole penetrating the insulating substrate in a region of the substrate where the connection material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted; and the wiring pattern and the connection terminal on the insulating substrate. In the through hole, a material (B) whose adhesion to the connection material (A) is higher than the adhesion of the connection material (A) to the insulating substrate is substantially the same as the surface of the insulating substrate. Same Or a step of filling to a lower position, a step of curing the material (B), aligning the connection terminals and bumps of the integrated circuit chip, and via the connection material (A) The step of mounting the integrated circuit chip on the insulating substrate and the connection material (A) are cured to connect the integrated circuit chip and the insulating substrate with the connection material (A). Due to the organic coupling between the connection material (A) and the material (B), the connection material (A) and the material (in the region where the through hole is present when the integrated circuit chip is mounted) B) can be firmly bonded to each other.

同様に、絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料(A)により上記集積回路チップをフリップチップ実装する本発明の電子回路素子の製造方法は、上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、上記貫通孔内に、上記接続材料(A)との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料(A)の接着性よりも高い材料(B)を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、上記材料(B)を、該材料(B)が完全には硬化しないように硬化させる工程と、上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記材料(B)が完全に硬化する前の状態において、上記接続材料(A)を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、上記接続材料(A)および材料(B)を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料(A)により接続すると共に、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに接着させる工程との有機的な結合により、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔が存在する領域で、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに強固に接着させることができる。   Similarly, for mounting an integrated circuit comprising an insulating substrate, a wiring pattern formed on the insulating substrate, and a connection terminal for electrically connecting the wiring pattern and a bump of the integrated circuit chip. A method of manufacturing an electronic circuit element of the present invention in which the integrated circuit chip is flip-chip mounted on a wiring board with a connecting material (A) for connecting the integrated circuit chip and the insulating substrate. A step of providing a through-hole penetrating the insulating substrate in a region where the connection material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted; a step of providing the wiring pattern and the connection terminal on the insulating substrate; In the through-hole, a material (B) whose adhesion to the connection material (A) is higher than the adhesion of the connection material (A) to the insulating substrate is substantially the same as or equivalent to the surface of the insulating substrate. Aligning the step of filling to a lower position, the step of curing the material (B) so that the material (B) is not completely cured, and the bumps of the connection terminals and the integrated circuit chip. In the state before the material (B) is completely cured, the step of mounting the integrated circuit chip on the insulating substrate via the connection material (A), the connection material (A) and the material ( B) is cured to connect the integrated circuit chip and the insulating substrate with the connection material (A) and to bond the connection material (A) and the material (B) to each other. Due to the effective coupling, when the integrated circuit chip is mounted, the connection material (A) and the material (B) can be firmly bonded to each other in the region where the through hole exists.

それゆえ、上記の各方法によれば、集積回路チップの実装時(すなわち、上記接続材料(A)の硬化時)に、上記接続材料(A)と配線基板との接着強度を高めることができ、上記配線基板に集積回路チップを強固に接着することができる。   Therefore, according to each of the above methods, the adhesive strength between the connection material (A) and the wiring board can be increased when the integrated circuit chip is mounted (that is, when the connection material (A) is cured). The integrated circuit chip can be firmly bonded to the wiring board.

また、上記の各方法によれば、上記材料(B)を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填することで、集積回路チップ実装時に、上記材料(B)が上記集積回路チップと当接することがなく、該材料(B)によって上記集積回路チップのフリップチップ実装(バンプ接続)が阻害されることがない。また、上記の各方法によれば、上記材料(B)が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されることで、バンプ高さが低い集積回路チップの実装にも好適に使用することができる。よって、上記の各方法によれば、上記集積回路チップの実装時に、上記集積回路チップと配線基板との間にソルダーレジスト膜(ソルダーレジストからなる層)を形成する場合と比較して、上記集積回路チップの実装高さを増大させることがなく、上記集積回路チップを備えた装置の小型化を図ることができる。   Further, according to each of the above methods, the material (B) is filled up to a position substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate, so that the material (B) can be used when the integrated circuit chip is mounted. There is no contact with the integrated circuit chip, and the flip-chip mounting (bump connection) of the integrated circuit chip is not hindered by the material (B). Further, according to each of the above methods, the material (B) is filled up to a position substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate, so that it is possible to mount an integrated circuit chip having a low bump height. It can be preferably used. Therefore, according to each of the above methods, the integrated circuit chip is integrated as compared with the case where a solder resist film (a layer made of a solder resist) is formed between the integrated circuit chip and the wiring board when the integrated circuit chip is mounted. The mounting height of the circuit chip is not increased, and the device including the integrated circuit chip can be downsized.

さらに、上記の各方法によれば、集積回路チップの実装前に、上記貫通孔内に、上記材料(B)を予め充填することで、上記材料(B)として、硬化速度は遅くても接着性の高い材料を使用することが可能になる。それゆえ、上記材料(B)の選択の自由度を高めることができると共に、上記材料(B)として、上記絶縁性基板との接着性がより高い材料を選択することができる。また、上記の各方法によれば、集積回路チップの実装前に、上記貫通孔内に、上記材料(B)が予め充填されているため、集積回路チップの実装時に、上記貫通孔から絶縁性基板裏面に上記接続材料(A)が流出することを防止することができるという効果を併せて奏する。   Further, according to each of the above methods, the material (B) is filled in the through holes in advance before mounting the integrated circuit chip, so that the material (B) can be bonded even if the curing speed is low. It becomes possible to use a material with high properties. Therefore, the degree of freedom in selecting the material (B) can be increased, and a material having higher adhesion to the insulating substrate can be selected as the material (B). Further, according to each of the above methods, since the material (B) is pre-filled in the through hole before the integrated circuit chip is mounted, the insulating property is isolated from the through hole when the integrated circuit chip is mounted. There is also an effect that the connection material (A) can be prevented from flowing out to the back surface of the substrate.

そして、さらに、後者の方法によれば、上記集積回路チップの実装時に、上記材料(B)は完全に硬化する前の状態にあるので、上記材料(B)と接続材料(A)との接触界面(接続界面)において、上記接続材料(A)と材料(B)とが、例えば化学結合、あるいは、局所的に混ざり合う等して、上記接続材料(A)と配線基板との接着強度を高めることができるため、上記配線基板に集積回路チップをより強固に接着することができるという効果を奏する。   Further, according to the latter method, when the integrated circuit chip is mounted, since the material (B) is in a state before being completely cured, the contact between the material (B) and the connection material (A). At the interface (connection interface), the connection material (A) and the material (B) are bonded to each other by, for example, chemical bonding or local mixing to increase the bonding strength between the connection material (A) and the wiring board. Therefore, the integrated circuit chip can be more firmly bonded to the wiring board.

〔実施の形態1〕
本発明の一実施形態にかかる配線基板及び該配線基板を用いた電子回路素子並びに表示装置について図1ないし図3に基づいて説明すれば以下の通りである。
[Embodiment 1]
A wiring board according to an embodiment of the present invention, an electronic circuit element using the wiring board, and a display device will be described with reference to FIGS.

なお、以下の実施形態では、本発明にかかる表示装置として、液晶表示装置、特に、TFTを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置を例に挙げて説明するものとするが、本発明はこれに限定されるものではない。   In the following embodiments, a liquid crystal display device, in particular, an active matrix liquid crystal display device using TFTs will be described as an example of the display device according to the present invention. However, the present invention is not limited to this. Is not to be done.

図3は、本実施の形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。
図3に示すように、本実施の形態にかかる液晶表示装置100は、液晶パネル10と、該液晶パネル10端部に接続された電子回路素子7とを備え、これら液晶パネル10と電子回路素子7とが、例えば異方性導電膜(ACF)等の接続材料によって接続されている構成を有している。
FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of the liquid crystal display device according to the present embodiment.
As shown in FIG. 3, the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment includes a liquid crystal panel 10 and an electronic circuit element 7 connected to an end of the liquid crystal panel 10, and the liquid crystal panel 10 and the electronic circuit element. 7 are connected to each other by a connecting material such as an anisotropic conductive film (ACF).

上記液晶パネル10は、素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、これら両基板間に介在して設けられた液晶層(いずれも図示せず)とを備えている。   The liquid crystal panel 10 includes an element substrate, a counter substrate disposed opposite to the element substrate, and a liquid crystal layer (none of which is shown) interposed between the two substrates.

上記素子基板は、絶縁性基板上に、互いに並行に延設された複数のゲート配線と、互いに並行かつ上記ゲート配線に直交するように延設された複数のソース配線と、これらゲート配線とソース配線との各交差部に設けられたTFT等のスイッチング素子とを備え、上記各スイッチング素子に対応するように画素電極(いずれも図示せず)がそれぞれ設けられている構成を有している。   The element substrate includes a plurality of gate wirings extending in parallel to each other on an insulating substrate, a plurality of source wirings extending in parallel to each other and perpendicular to the gate wiring, and the gate wiring and the source And a switching element such as a TFT provided at each intersection with the wiring, and a pixel electrode (none of which is shown) is provided so as to correspond to each switching element.

また、対向基板は、絶縁性基板上に、共通電極とカラーフィルター層(いずれも図示せず)とが設けられた構成を有している。上記共通電極は、上記絶縁性基板上に、表示装置の表示領域のほぼ全面を覆うように設けられている。また、液晶層は、電気光学特性を有するネマチック液晶材料から構成されている。   The counter substrate has a configuration in which a common electrode and a color filter layer (both not shown) are provided on an insulating substrate. The common electrode is provided on the insulating substrate so as to cover almost the entire display area of the display device. The liquid crystal layer is made of a nematic liquid crystal material having electro-optical characteristics.

上記液晶パネル10では、各画素電極毎に1つの画素が構成されている。各画素において、ゲート配線からゲート信号が送信され、TFTがオン状態になると、ソース配線から所定のソース信号が送信され、画素電極に電荷が書き込まれる。これにより、画素電極と共通電極との間で構成される液晶容量に印加される電圧を制御し、液晶層の液晶分子の配向状態を変化させて光の透過率を調整することで、画像の表示が行われる。   In the liquid crystal panel 10, one pixel is formed for each pixel electrode. In each pixel, when a gate signal is transmitted from the gate wiring and the TFT is turned on, a predetermined source signal is transmitted from the source wiring and a charge is written into the pixel electrode. As a result, the voltage applied to the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode and the common electrode is controlled, and the light transmittance is adjusted by changing the alignment state of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer. Display is performed.

一方、上記電子回路素子7は、図3に示すように、配線基板20上に、集積回路チップ1と、必要に応じてチップ電子部品21とが実装された構成を有している。   On the other hand, the electronic circuit element 7 has a configuration in which an integrated circuit chip 1 and a chip electronic component 21 are mounted on a wiring board 20 as required, as shown in FIG.

以下に、上記電子回路素子7並びに配線基板20の構成について、図1および2を参照してより詳細に説明する。   Hereinafter, the configuration of the electronic circuit element 7 and the wiring board 20 will be described in more detail with reference to FIGS.

図1は、本実施の形態にかかる電子回路素子7における集積回路チップ1実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。また、図2は、図1に示す電子回路素子を、集積回路チップ1搭載面側とは反対面側、つまり、配線基板裏面側から見たときの概略構成を一部破断にて示す、上記電子回路素子の底面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration in the vicinity of an integrated circuit chip 1 mounting region in an electronic circuit element 7 according to the present embodiment. 2 shows a schematic configuration of the electronic circuit element shown in FIG. 1 when viewed from the side opposite to the mounting surface side of the integrated circuit chip 1, that is, from the back side of the wiring board. It is a bottom view of an electronic circuit element.

図1に示すように、本実施の形態にかかる電子回路素子7は、配線基板20と、集積回路チップ1とを備え、上記集積回路チップ1が、上記配線基板20の一方の面に、例えばNCP9(接続材料(A))を用いて実装されている構成を有している。本実施の形態において、上記集積回路チップ1は、突起状のボンディング用バンプ電極であるバンプ2を備えており、COF(Chip On Film)方式により配線基板20にベアチップ実装されている。NCP9は、上記配線基板20と集積回路チップ1との加熱加圧接続時に流動化することで、上記配線基板20と集積回路チップ1との間に設けられたNCP層9aが、上記配線基板20と集積回路チップ1との間の隙間から上記集積回路チップ1の外側にはみ出した状態で硬化する。このため、上記集積回路チップ1の周辺には、該集積回路チップ1の外側に拡がるように、フィレット(ひれ状部)9bが形成されている。   As shown in FIG. 1, the electronic circuit element 7 according to the present embodiment includes a wiring board 20 and an integrated circuit chip 1, and the integrated circuit chip 1 is formed on one surface of the wiring board 20, for example, It has the structure mounted using NCP9 (connection material (A)). In the present embodiment, the integrated circuit chip 1 includes bumps 2 that are bump-shaped bonding bump electrodes, and is mounted on the wiring substrate 20 in a bare chip by a COF (Chip On Film) method. The NCP 9 is fluidized when the wiring board 20 and the integrated circuit chip 1 are heated and pressurized, so that the NCP layer 9a provided between the wiring board 20 and the integrated circuit chip 1 becomes the wiring board 20. It hardens | cures in the state which protruded to the outer side of the said integrated circuit chip 1 from the clearance gap between IC and the integrated circuit chip 1. FIG. For this reason, fillets (fins) 9 b are formed around the integrated circuit chip 1 so as to extend outside the integrated circuit chip 1.

また、上記配線基板20上には、必要に応じてさらにチップ電子部品21(図3参照)が設けられている。チップ電子部品21は、例えば抵抗やセラミックコンデンサ等、液晶パネル10周辺の電子部品を指す。   A chip electronic component 21 (see FIG. 3) is further provided on the wiring board 20 as necessary. The chip electronic component 21 refers to an electronic component around the liquid crystal panel 10 such as a resistor or a ceramic capacitor.

本実施の形態にかかる上記配線基板20は、絶縁性を有するベースフィルム(絶縁性基板)4、第1配線パターン30、第2配線パターン31、ソルダーレジスト膜5a、および接着剤付きカバーレイ6を備えている。   The wiring substrate 20 according to this embodiment includes an insulating base film (insulating substrate) 4, a first wiring pattern 30, a second wiring pattern 31, a solder resist film 5a, and a cover lay 6 with an adhesive. I have.

ベースフィルム4は、主にポリイミドからなる可撓性のフィルムである。なお、本実施の形態では、具体的に、厚さ25μmのベースフィルム4を用いた。また、第1配線パターン30は、ベースフィルム4における集積回路チップ1搭載面、つまり集積回路チップ1が実装される側の面(以下、表面と記す)に設けられ、コントロール基板(図示せず)や液晶パネル10と接続されている。該第1配線パターン30の一部、具体的には、該第1配線パターンにおける、集積回路チップ1を実装するためのチップ実装領域には、該第1配線パターンを集積回路チップ1に接続するための端子部として、Auメッキ処理が施された接続端子32が形成されている。   The base film 4 is a flexible film mainly made of polyimide. In the present embodiment, specifically, the base film 4 having a thickness of 25 μm is used. The first wiring pattern 30 is provided on the surface of the base film 4 where the integrated circuit chip 1 is mounted, that is, the surface on which the integrated circuit chip 1 is mounted (hereinafter referred to as the surface), and a control board (not shown). And the liquid crystal panel 10. The first wiring pattern is connected to the integrated circuit chip 1 in a part of the first wiring pattern 30, specifically, in a chip mounting region for mounting the integrated circuit chip 1 in the first wiring pattern. As a terminal portion for this purpose, a connection terminal 32 subjected to Au plating is formed.

ソルダーレジスト膜5aは、好適にはエポキシ樹脂からなる絶縁性の樹脂被膜であり、上記第1配線パターン30を覆うように形成されている。   The solder resist film 5 a is preferably an insulating resin film made of an epoxy resin, and is formed so as to cover the first wiring pattern 30.

一方、第2配線パターン31は、ベースフィルム4の集積回路チップ1搭載面とは反対側の面(以下、裏面と記す)に設けられ、第1配線パターン30と電気的に導通している。第2配線パターン31は、例えば、第1配線パターン30がベースフィルム4の表面で交差することを防止したり、高密度に配線パターンを配置することを目的として形成され、例えば、スルーホールを介して電気的に接続させることにより形成される。   On the other hand, the second wiring pattern 31 is provided on the surface of the base film 4 opposite to the surface on which the integrated circuit chip 1 is mounted (hereinafter referred to as the back surface), and is electrically connected to the first wiring pattern 30. The second wiring pattern 31 is formed, for example, for the purpose of preventing the first wiring pattern 30 from intersecting on the surface of the base film 4 or arranging the wiring patterns at a high density. And electrically connected.

接着剤付きカバーレイ6は、カバーレイ6aの片面に、絶縁性の接着剤6bが設けられている構成を有し、カバーレイ6aが、上記接着剤6bを介して上記第2配線パターン31を覆うように貼り付けられている。なお、本実施の形態では、接着剤付きカバーレイ6が上記チップ実装領域を含む範囲で貼り付けられている。   The cover lay 6 with adhesive has a configuration in which an insulating adhesive 6b is provided on one surface of the cover lay 6a, and the cover lay 6a connects the second wiring pattern 31 via the adhesive 6b. It is pasted to cover it. In the present embodiment, the cover lay 6 with adhesive is pasted in a range including the chip mounting area.

また、図1および図2に示すように、上記配線基板20におけるベースフィルム4のチップ実装領域およびその近傍には、上記ベースフィルム4の表面から裏面にかけて貫通する貫通孔40(40a・40b)が設けられている。該貫通孔40には、上記ベースフィルム4の裏面に貼り付けられた接着剤付きカバーレイ6の接着剤6b(材料(B)、接着剤(C))が、上記貫通孔40内に染み出すことにより充填されている。すなわち、本実施の形態において上記貫通孔40内に充填される接着剤6bとは、カバーレイ6aの貼着(積層)に使用される接着剤であり、該接着剤6bとしては、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂等の合成樹脂からなる有機系の接着剤が使用される。   Further, as shown in FIGS. 1 and 2, through holes 40 (40a and 40b) penetrating from the front surface to the back surface of the base film 4 are formed in and near the chip mounting region of the base film 4 in the wiring board 20. Is provided. In the through hole 40, the adhesive 6 b (material (B), adhesive (C)) of the coverlay 6 with an adhesive adhered to the back surface of the base film 4 oozes out into the through hole 40. It is filled by. That is, in the present embodiment, the adhesive 6b filled in the through hole 40 is an adhesive used for sticking (lamination) of the coverlay 6a, and the adhesive 6b is thermosetting. An organic adhesive made of a synthetic resin such as a resin or a photocurable resin is used.

このように上記ベースフィルム4の裏面に貼り付けられた接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bが、例えば毛細管現象により上記貫通孔40内に染み出すことにより上記貫通孔40内に上記接着剤6bが充填される場合、上記接着剤6bは、上記ベースフィルム4表面と略同一もしくはそれよりも低い高さ(位置)まで充填されることになる。このため、本実施の形態によれば、集積回路チップ1実装時に、上記接着剤6bが上記集積回路チップ1と当接することがなく、該接着剤6bによって上記集積回路チップ1のフリップチップ実装が阻害されることがない。   Thus, the adhesive 6b of the coverlay 6 with an adhesive adhered to the back surface of the base film 4 oozes out into the through hole 40 by, for example, capillary action, and thus the adhesive 6b into the through hole 40. Is filled up to a height (position) substantially equal to or lower than the surface of the base film 4. For this reason, according to the present embodiment, when the integrated circuit chip 1 is mounted, the adhesive 6b does not come into contact with the integrated circuit chip 1, and the integrated circuit chip 1 is flip-chip mounted by the adhesive 6b. There is no hindrance.

本実施の形態において、上記接着剤6bは、上記貫通孔40内に、上記集積回路チップ1実装時に、上記接着剤6bが上記集積回路チップ1と当接しないように充填されていればよく、上記接着剤6bの上縁部または上端面が上記ベースフィルム4表面と略同一平面を形成するか、もしくは、上記接着剤6bの上縁部または上端面が上記ベースフィルム4表面よりも低い位置に位置するように充填されていればよい。   In the present embodiment, the adhesive 6b may be filled in the through hole 40 so that the adhesive 6b does not contact the integrated circuit chip 1 when the integrated circuit chip 1 is mounted. The upper edge or upper end surface of the adhesive 6b forms substantially the same plane as the surface of the base film 4, or the upper edge or upper end surface of the adhesive 6b is at a position lower than the surface of the base film 4. What is necessary is just to be filled so that it may be located.

よって、本実施の形態において、上記接着剤6bが上記ベースフィルム4表面と略同一の高さまで充填されているとは、上記貫通孔40内に充填された接着剤6bの上端面が上記ベースフィルム4表面と略同一平面を形成する場合のみならず、上記貫通孔40内に充填された接着剤6bの表面張力等により、例えば図1に示すように上記貫通孔40内に充填された接着剤6bの上縁部が上記ベースフィルム4表面と同じもしくはほぼ同じ高さであり、上記接着剤6bの上端面が上記集積回路チップ1に当接しない程度に僅かに上記ベースフィルム4表面よりも突出する場合、あるいは、接着剤6bの種類によっては、上記貫通孔40内に充填された接着剤6bの上縁部が上記ベースフィルム4表面と同じもしくはほぼ同じ高さであり、該接着剤6bの上端面が上記ベースフィルム4表面よりも僅かに窪んでいる場合等を含む。   Therefore, in the present embodiment, the fact that the adhesive 6b is filled to the same height as the surface of the base film 4 means that the upper end surface of the adhesive 6b filled in the through hole 40 is the base film. The adhesive filled in the through-hole 40 as shown in FIG. 1, for example, due to the surface tension of the adhesive 6b filled in the through-hole 40 as well as the case where the surface is substantially flush with the four surfaces. The upper edge of 6b has the same or almost the same height as the surface of the base film 4, and slightly protrudes from the surface of the base film 4 so that the upper end surface of the adhesive 6b does not contact the integrated circuit chip 1. In some cases, or depending on the type of the adhesive 6b, the upper edge of the adhesive 6b filled in the through hole 40 is at the same or almost the same height as the surface of the base film 4, The upper end face of 6b comprises a case or the like is recessed slightly than the base film 4 surface.

本実施形態では、ベースフィルム4に接着剤付きカバーレイ6を貼付けたあと、上記接着剤6bによりカバーレイ6aを完全に固着させるためにプレス機で圧力と熱を与えているため、上記貫通孔40内に充填されているカバーレイ6の接着剤6bは、上記集積回路チップ1実装時にはすでに硬化している。上記NCP9は、硬化後の接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bにもよく接着し、その接着性は、上記NCP9とベースフィルム4との接着性に比べて極めて高い。このため、本実施の形態にかかる電子回路素子7において、上記集積回路チップ1の実装に用いられるNCP9(NCP層9aおよびフィレット9b)と、上記貫通孔40に充填された接着剤6bとは、上記貫通孔40が存在する領域において、互いに強固に接着される。   In this embodiment, since the cover lay 6 with an adhesive is pasted on the base film 4 and then pressure and heat are applied by a press to completely fix the cover lay 6a with the adhesive 6b, the through hole The adhesive 6b of the coverlay 6 filled in 40 is already cured when the integrated circuit chip 1 is mounted. The NCP9 adheres well to the adhesive 6b of the coverlay 6 with adhesive after curing, and the adhesiveness is extremely higher than the adhesiveness between the NCP9 and the base film 4. Therefore, in the electronic circuit element 7 according to the present embodiment, the NCP 9 (NCP layer 9a and fillet 9b) used for mounting the integrated circuit chip 1 and the adhesive 6b filled in the through hole 40 are In the region where the through hole 40 is present, they are firmly bonded to each other.

つまり、本実施の形態において、上記貫通孔40は、集積回路チップ1の実装時に該集積回路チップ1の実装に用いられる接着性材料(接着性材料(A))である上記NCP9が存在する領域に設けられている。すなわち、本実施の形態において、チップ実装領域の近傍とは、集積回路チップ1周囲のフィレット9bが存在する領域を示す。以下、上記配線基板20と集積回路チップ1との接続領域、つまり、チップ実装領域およびその近傍を合わせて単に接続領域と記す。   That is, in the present embodiment, the through hole 40 is a region where the NCP 9 that is an adhesive material (adhesive material (A)) used for mounting the integrated circuit chip 1 when the integrated circuit chip 1 is mounted is present. Is provided. That is, in the present embodiment, the vicinity of the chip mounting area indicates an area where the fillet 9b around the integrated circuit chip 1 exists. Hereinafter, the connection region between the wiring substrate 20 and the integrated circuit chip 1, that is, the chip mounting region and the vicinity thereof will be simply referred to as a connection region.

本実施の形態にかかる電子回路素子7においては、NCP層9aは、ベースフィルム4に集積回路チップ1を実装したときに該集積回路チップ1で覆われる領域に形成された貫通孔40aにて、該貫通孔40a内に充填された、接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bと接合され、フィレット9bは、上記チップ実装領域近傍に、上記集積回路チップ1の周囲を囲むように設けられた貫通孔40bにて、該貫通孔40b内に充填された、接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bと接合されている。   In the electronic circuit element 7 according to the present embodiment, the NCP layer 9a is formed by a through hole 40a formed in a region covered with the integrated circuit chip 1 when the integrated circuit chip 1 is mounted on the base film 4. Joined to the adhesive 6b of the cover lay 6 with adhesive filled in the through hole 40a, the fillet 9b is a through hole provided in the vicinity of the chip mounting region so as to surround the periphery of the integrated circuit chip 1 The hole 40b is joined to the adhesive 6b of the cover lay 6 with adhesive filled in the through hole 40b.

次に、上記配線基板20の製造方法について、キャスティング方式およびアディティブ方式を例に挙げて、図1を参照して以下に説明する。   Next, a method for manufacturing the wiring board 20 will be described below with reference to FIG. 1 by taking a casting method and an additive method as examples.

まず、キャスティング方式により銅/ポリイミド/銅の積層基板から、第1配線パターン30、第2配線パターン31、および貫通孔40が形成された配線基板20を作製する方法について説明する。   First, a method of producing the wiring substrate 20 in which the first wiring pattern 30, the second wiring pattern 31, and the through hole 40 are formed from a copper / polyimide / copper laminated substrate by a casting method will be described.

まず、銅箔の表面を粗化処理した後、ポリイミド前駆体溶液を該銅箔上に塗布する。その後、ポリイミド前駆体溶液をイミド化させることで、銅/ポリイミドの積層基板、つまり、ポリイミドからなるベースフィルム4上に、配線パターン形成用の銅箔が積層されてなる銅張ベースフィルムを作製する。次いで、この銅/ポリイミド積層基板のポリイミド側からもう1枚、別の銅箔をラミネートし、銅/ポリイミド/銅の積層基板を作製する。   First, after roughening the surface of the copper foil, a polyimide precursor solution is applied onto the copper foil. Thereafter, the polyimide precursor solution is imidized to produce a copper-clad base film in which a copper foil for wiring pattern formation is laminated on a copper / polyimide laminated substrate, that is, a base film 4 made of polyimide. . Next, another copper foil is laminated from the polyimide side of the copper / polyimide laminated substrate to produce a copper / polyimide / copper laminated substrate.

続いて、得られた銅/ポリイミド/銅の積層基板の両側の銅箔の導通、すなわち、上記銅箔をパターニングすることにより得られる第1配線パターン30と第2配線パターン31との導通を得るため、ドリル、パンチプレス、レーザ等で上記積層基板を貫通するように孔(スルーホール)を設ける。   Subsequently, conduction between the copper foils on both sides of the obtained copper / polyimide / copper laminated substrate, that is, conduction between the first wiring pattern 30 and the second wiring pattern 31 obtained by patterning the copper foil is obtained. Therefore, a hole (through hole) is provided so as to penetrate the laminated substrate with a drill, a punch press, a laser, or the like.

次に、上記積層基板の両側の銅箔全面に銅メッキを施す。銅メッキは上記スルーホールの内部にも施されるため、上記積層基板の両側の銅箔が電気的に導通される。   Next, copper plating is performed on the entire copper foil on both sides of the multilayer substrate. Since copper plating is also applied to the inside of the through hole, the copper foils on both sides of the laminated substrate are electrically connected.

本実施の形態では、集積回路チップ1と配線基板20との接着力を強化させる目的で、上記スルーホールの形成工程において、導通用の上記スルーホール以外に、ドリルによる貫通孔を、接続領域、つまり、チップ実装領域およびその近傍に形成する。ただし、この段階では上記接着力強化用の貫通孔、つまり、貫通孔40にも銅メッキが施された状態となっている。   In the present embodiment, for the purpose of strengthening the adhesive force between the integrated circuit chip 1 and the wiring substrate 20, in the through hole forming step, in addition to the through hole for conduction, a through hole by a drill is connected to the connection region, That is, it is formed in the chip mounting area and its vicinity. However, at this stage, the through hole for enhancing the adhesive force, that is, the through hole 40 is also plated with copper.

続いて、上記積層基板の両側の銅箔上に、耐エッチング性材料である感光性フィルムを貼り付けて、その配線パターン形成予定領域(以下、配線パターン形成部分と記す)のみを露光、現像する。これにより、配線パターン形成部分にのみ、耐エッチング性の感光性フィルムが積層された状態とする。その後、エッチング液を上記積層基板の両側から噴射し、配線パターン形成部分以外の銅箔をエッチング除去する。このとき、接着力強化用の貫通孔40に施された銅メッキも同時に除去される。   Subsequently, a photosensitive film, which is an etching resistant material, is pasted on the copper foil on both sides of the laminated substrate, and only the wiring pattern formation scheduled region (hereinafter referred to as a wiring pattern forming portion) is exposed and developed. . Thereby, it is set as the state by which the etching-resistant photosensitive film was laminated | stacked only on the wiring pattern formation part. Thereafter, an etching solution is sprayed from both sides of the laminated substrate, and the copper foil other than the wiring pattern forming portion is removed by etching. At this time, the copper plating applied to the through-hole 40 for reinforcing the adhesive force is also removed at the same time.

その後、上記積層基板上の感光性フィルムを有機溶媒等の薬品で除去して配線パターンを露出させることにより、ベースフィルム4上に第1配線パターン30と第2配線パターン31とが形成された配線基板が得られる。その後、上記第1配線パターン30の一部、具体的には、第1配線パターン30における接続領域を除く第1配線パターン30を覆うようにソルダーレジスト膜5aを形成する。このとき、第1配線パターン30のうちソルダーレジスト膜5aで被覆されていない部分は接続端子32として用いられ、該接続端子32の表面には、金メッキが施される。   Thereafter, the photosensitive film on the laminated substrate is removed with a chemical such as an organic solvent to expose the wiring pattern, whereby the first wiring pattern 30 and the second wiring pattern 31 are formed on the base film 4. A substrate is obtained. Thereafter, a solder resist film 5 a is formed so as to cover a part of the first wiring pattern 30, specifically, the first wiring pattern 30 excluding the connection region in the first wiring pattern 30. At this time, a portion of the first wiring pattern 30 that is not covered with the solder resist film 5a is used as the connection terminal 32, and the surface of the connection terminal 32 is plated with gold.

その後、ベースフィルム4の裏面側に、第2配線パターン31を覆うように、接着剤付きカバーレイ6を貼り付ける。このとき、接着剤付きカバーレイ6の未硬化状態の接着剤6bが貫通孔40に染み込み充填される。その後、上記接着剤6bによりカバーレイ6aを完全に固着させるためにプレス機で圧力と熱とを与えて上記接着剤6bを硬化させる。これにより、本実施の形態にかかる配線基板20が完成する。   Thereafter, a cover lay 6 with an adhesive is attached to the back side of the base film 4 so as to cover the second wiring pattern 31. At this time, the uncured adhesive 6b of the cover lay 6 with adhesive penetrates and fills the through holes 40. Thereafter, in order to completely fix the coverlay 6a with the adhesive 6b, pressure and heat are applied by a press to cure the adhesive 6b. Thereby, the wiring board 20 according to the present embodiment is completed.

次に、本実施の形態にかかる配線基板20の製造方法の他の一例として、第1配線パターン30をアディティブ方式で、第2配線パターン31をキャスティング方式で作製する方法について説明する。   Next, as another example of the manufacturing method of the wiring board 20 according to the present embodiment, a method of manufacturing the first wiring pattern 30 by the additive method and the second wiring pattern 31 by the casting method will be described.

まず、表面を粗化処理した銅箔にポリイミド前駆体溶液を塗布し、イミド化させることにより、銅/ポリイミドの積層基板を作製する。ここまではキャスティング方式と同じである。次いで、この銅/ポリイミドの積層基板にアディティブ方式で第1配線パターンを形成する場合、まず、レーザをポリイミド側から照射し、貫通孔を形成する箇所のポリイミドのみを蒸発させる。このとき、銅箔には貫通孔は形成されない。続いて、ポリイミドの表面に触媒を付与して、ポリイミド側のみに、金属からなる種膜を無電解めっき、またはスパッタ蒸着によって形成する。次に、上記積層基板の両面に感光性フィルムを貼り付ける。そしてポリイミド側は、配線パターン形成部分以外の領域を露光し、次いで現像処理を行って配線パターン形成部分のみ、感光性フィルムを除去する。これにより、ポリイミド側には、配線パターン形成部分以外の領域にのみ、硬化した上記感光性フィルムからなるフィルムが形成される。一方、銅箔側は、その全面を露光することで、その全面に、硬化した上記感光性フィルムからなるフィルムを形成する。その後、上記積層基板に電解メッキを施すと、上記フィルムに被覆されていない部分のみに銅が析出するので、該電解メッキ後に上記フィルムを除去すると、ポリイミド側に第1配線パターン30が形成された銅/ポリイミド/銅の積層基板が作製できる。ただし、この段階では第1配線パターン30が形成された側(表面)のポリイミド表面全面に種膜が形成されているため、後で種膜を除去する必要がある。   First, a copper / polyimide laminated substrate is prepared by applying a polyimide precursor solution to a copper foil whose surface has been roughened and imidizing it. Up to this point, it is the same as the casting method. Next, when the first wiring pattern is formed on the copper / polyimide laminated substrate in an additive manner, first, a laser is irradiated from the polyimide side to evaporate only the polyimide at the location where the through hole is formed. At this time, no through hole is formed in the copper foil. Subsequently, a catalyst is applied to the surface of the polyimide, and a seed film made of metal is formed only on the polyimide side by electroless plating or sputter deposition. Next, a photosensitive film is affixed on both surfaces of the laminated substrate. Then, the polyimide side exposes a region other than the wiring pattern forming portion, and then develops to remove the photosensitive film only in the wiring pattern forming portion. Thereby, on the polyimide side, a film made of the cured photosensitive film is formed only in a region other than the wiring pattern forming portion. On the other hand, by exposing the entire surface of the copper foil, a film made of the cured photosensitive film is formed on the entire surface. After that, when electrolytic plating is performed on the laminated substrate, copper is deposited only on the portion not covered with the film. Therefore, when the film is removed after the electrolytic plating, the first wiring pattern 30 is formed on the polyimide side. A laminated substrate of copper / polyimide / copper can be produced. However, at this stage, since the seed film is formed on the entire polyimide surface on the side (front surface) on which the first wiring pattern 30 is formed, it is necessary to remove the seed film later.

次に、他方の銅箔側(裏面)に、キャスティング方式で第2配線パターン31を形成する。まず、上記銅/ポリイミド/銅の積層基板の両面に感光性フィルムを形成する。その後、銅箔側(裏面)は、第2配線パターン31形成部分のみを露光し、次いで現像することにより、上記積層基板の裏面の、第2配線パターン31形成部分以外の感光性フィルムを除去する。一方、第1配線パターンが形成された側(表側)は、その全面を露光することで、その全面に、硬化した上記感光性フィルムからなる耐エッチング性のフィルムを形成する。その後、上記積層基板をエッチング溶液に浸すと、上記フィルムで覆われていない部分の銅箔、つまり、銅箔側の第2配線パターン31となる部分以外の銅箔がエッチング除去される。これにより、第2配線パターン31が形成される。さらに上記積層基板の両面に形成されている上記フィルムを除去した後、ソフトエッチングを行い、積層基板表面の種膜を除去する。これにより、上記フィルムで被覆されていた第1配線パターン30が露出される。   Next, the second wiring pattern 31 is formed on the other copper foil side (back surface) by a casting method. First, a photosensitive film is formed on both surfaces of the copper / polyimide / copper laminated substrate. Thereafter, on the copper foil side (back surface), only the second wiring pattern 31 forming portion is exposed and then developed to remove the photosensitive film other than the second wiring pattern 31 forming portion on the back surface of the laminated substrate. . On the other hand, the side (front side) on which the first wiring pattern is formed exposes the entire surface thereof to form an etching resistant film made of the cured photosensitive film on the entire surface. Thereafter, when the laminated substrate is immersed in an etching solution, a portion of the copper foil that is not covered with the film, that is, a portion of the copper foil other than the portion that becomes the second wiring pattern 31 on the copper foil side is removed by etching. Thereby, the second wiring pattern 31 is formed. Further, after removing the film formed on both surfaces of the multilayer substrate, soft etching is performed to remove the seed film on the surface of the multilayer substrate. Thereby, the first wiring pattern 30 covered with the film is exposed.

さらに、上で説明した例と同様に、ベースフィルム4の表面側の第1配線パターン30を覆うように、ソルダーレジスト膜5aを形成すると共に、第1配線パターン30のソルダーレジスト膜5aで被覆されていない部分に金メッキを施すことにより、接続端子32が形成される。その後、ベースフィルム4の裏面側に接着剤付きカバーレイ6を設置し、プレス機で圧力と熱とを与えて上記接着剤付カバーレイ6に使用されている接着剤6bを硬化させることにより、本実施の形態にかかる配線基板20が完成する。   Further, similarly to the example described above, the solder resist film 5a is formed so as to cover the first wiring pattern 30 on the surface side of the base film 4, and the solder resist film 5a of the first wiring pattern 30 is covered. The connection terminals 32 are formed by applying gold plating to the unexposed portions. Then, by setting the cover lay 6 with adhesive on the back side of the base film 4 and applying pressure and heat with a press machine to cure the adhesive 6b used in the cover lay 6 with adhesive, The wiring board 20 according to the present embodiment is completed.

アディティブ方式によれば、エッチングによる配線パターンの幅方向の細りを少なくすることができるため、より高精細パターンに対応した配線基板20を製造することが可能である。よって、第1配線パターン30(表面)をアディティブ方式で作製した上記の配線基板20では、アディティブ方式で形成された第1配線パターン30側が、より高精細パターンに対応する。   According to the additive method, it is possible to reduce the thinning of the wiring pattern due to etching in the width direction, and thus it is possible to manufacture the wiring board 20 corresponding to a higher definition pattern. Therefore, in the above-described wiring substrate 20 in which the first wiring pattern 30 (surface) is manufactured by the additive method, the first wiring pattern 30 side formed by the additive method corresponds to a higher definition pattern.

なお、本発明の配線基板20の作製方法は、上記2つの方法に限定されるものではなく、その他現在採用されている様々な作製方法を適用することが可能である。また、先に第2配線パターン31を形成した後、第1配線パターン30を形成してもよく、また、第1配線パターン30をキャスティング方式で、第2配線パターン31(裏面)をアディティブ方式で形成してもよい。   The manufacturing method of the wiring board 20 of the present invention is not limited to the above two methods, and other various manufacturing methods currently employed can be applied. In addition, the first wiring pattern 30 may be formed after the second wiring pattern 31 is formed first, the first wiring pattern 30 is formed by a casting method, and the second wiring pattern 31 (back surface) is formed by an additive method. It may be formed.

次に、本実施の形態にかかる配線基板20に、NCP9を用いて集積回路チップ1を実装する方法、つまり、本実施の形態にかかる電子回路素子7の製造方法について図1を参照して以下に説明する。   Next, a method for mounting the integrated circuit chip 1 using the NCP 9 on the wiring board 20 according to the present embodiment, that is, a method for manufacturing the electronic circuit element 7 according to the present embodiment will be described below with reference to FIG. Explained.

なお、以下の説明においては、本発明にかかるフリップチップ実装の例として、前記したように、集積回路チップ1が、COF方式を用いて突起状のボンディング用バンプ電極であるバンプ2により配線基板20にベアチップ実装される場合を例に挙げて説明するものとするが、本発明はこれに限定されるものではない。   In the following description, as an example of flip chip mounting according to the present invention, as described above, the integrated circuit chip 1 is connected to the wiring substrate 20 by the bumps 2 that are protruding bonding bump electrodes using the COF method. However, the present invention is not limited to this example.

まず、接続端子32を覆うように配線基板20上に、ペースト状のNCP9を塗布する。続いて、接続端子32とバンプ2とを位置合わせして搭載した後、ツール(図示せず)で集積回路チップ1を加熱および加圧する。   First, paste-form NCP9 is applied on the wiring board 20 so as to cover the connection terminals 32. Subsequently, after the connection terminals 32 and the bumps 2 are aligned and mounted, the integrated circuit chip 1 is heated and pressurized with a tool (not shown).

NCP9は、主成分がエポキシ樹脂からなる接着剤であり、200〜350℃で加熱することによって硬化する。集積回路チップ1のバンプ2と、配線基板20に設けられた接続端子32とは、NCP9が硬化することにより収縮する力で押さえつけられた状態となる。これにより、バンプ2と接続端子32とが電気的に接続される。   NCP9 is an adhesive mainly composed of an epoxy resin, and is cured by heating at 200 to 350 ° C. The bumps 2 of the integrated circuit chip 1 and the connection terminals 32 provided on the wiring substrate 20 are pressed by a force that contracts as the NCP 9 is cured. Thereby, the bump 2 and the connection terminal 32 are electrically connected.

また、NCP9は加熱によって粘度が急激に下がるため、流動化したNCP9が、ベースフィルム4上を濡らす。これにより、NCP9はベースフィルム4に設けられた貫通孔40に充填されている、接着剤付きカバーレイ6の硬化した接着剤6bと接着する。   Further, since the viscosity of NCP9 is drastically lowered by heating, the fluidized NCP9 wets the base film 4. As a result, the NCP 9 is bonded to the cured adhesive 6b of the cover lay 6 with the adhesive, which is filled in the through holes 40 provided in the base film 4.

NCP9と、配線基板20との界面の接着力は、貫通孔40が設けられていない領域ではNCP9とベースフィルム4との接着力、本実施の形態では、上記ベースフィルム4の材料であるポリイミドとの接着力に起因しており、貫通孔40が設けられている領域ではNCP9と、貫通孔40に充填されている接着剤との接着力に起因している。NCP9は、ベースフィルム4よりも上記接着剤付きカバーレイ6の接着剤に対してより高い接着性を示すため、NCP9と接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bとは、両者の接着界面で強固に接着されている。このため、貫通孔40が存在する領域では、NCP9と上記接着剤6bとが互いに強固に接着される。   The adhesive force at the interface between the NCP 9 and the wiring board 20 is the adhesive force between the NCP 9 and the base film 4 in the region where the through hole 40 is not provided. In the present embodiment, the adhesive force between the polyimide that is the material of the base film 4 In the region where the through hole 40 is provided, this is due to the adhesive force between the NCP 9 and the adhesive filled in the through hole 40. Since NCP9 exhibits higher adhesion to the adhesive of the coverlay 6 with adhesive than the base film 4, the NCP9 and the adhesive 6b of the coverlay 6 with adhesive are strong at the adhesive interface between them. It is glued to. For this reason, in the region where the through hole 40 exists, the NCP 9 and the adhesive 6b are firmly bonded to each other.

また、図1に示す配線基板20のベースフィルム4には、貫通孔40aだけでなく貫通孔40bが設けられている。このため、貫通孔40bに充填された接着剤6bとNCP9のフィレット9bとが互いに接着されることで、集積回路チップ1と配線基板20との剥離をより一層確実に防止することができる。特に、フィレット9bが形成されている領域(以下、フィレット領域と記す)に設けられている貫通孔40bは、NCP9とベースフィルム4との剥離をフィレット領域で抑え、チップ実装領域まで剥離が進行しないようにする上で非常に効果的である。   Further, the base film 4 of the wiring board 20 shown in FIG. 1 is provided with not only the through hole 40a but also the through hole 40b. For this reason, the adhesive 6b filled in the through hole 40b and the fillet 9b of the NCP 9 are bonded to each other, so that the integrated circuit chip 1 and the wiring board 20 can be more reliably prevented from peeling off. In particular, the through hole 40b provided in the region where the fillet 9b is formed (hereinafter referred to as the fillet region) suppresses the separation of the NCP 9 and the base film 4 in the fillet region, and does not proceed to the chip mounting region. It is very effective in doing so.

上記配線基板20のベースフィルム4において、NCP9と接着剤との接着力は、貫通孔40が占める総面積が広ければ広いほど強くなる。しかし、ベースフィルム4に対する貫通孔40の総面積の割合をあまり大きくすると、ベースフィルム4の面積、特に、接続領域に占めるベースフィルム4の面積が小さくなるため、ベースフィルム4の強度が低下し、ベースフィルム4が破損しやすくなるおそれがある。このため、接続領域に占める上記貫通孔40の総面積の割合は、10%以上、50%以下の範囲内であることが好ましく、20%以上、40%以下の範囲内であることがより一層好ましい。   In the base film 4 of the wiring substrate 20, the adhesive force between the NCP 9 and the adhesive becomes stronger as the total area occupied by the through holes 40 is larger. However, if the ratio of the total area of the through holes 40 to the base film 4 is increased too much, the area of the base film 4, particularly the area of the base film 4 occupying the connection region, is reduced, and the strength of the base film 4 is reduced The base film 4 may be easily damaged. For this reason, the ratio of the total area of the through-holes 40 in the connection region is preferably in the range of 10% to 50%, and more preferably in the range of 20% to 40%. preferable.

また、チップ実装領域のうち、いずれの箇所が剥離しても接続不良となるため、配線基板20におけるチップ実装領域、好適には、前記接続領域全面に、小さな多数の貫通孔40を均等に形成することが好ましい。これにより、配線基板20と集積回路チップ1との接着力を、チップ実装領域全面、好適には上記接続領域全面にわたって一様に高めることができる。   In addition, since any portion of the chip mounting area is peeled off, connection failure occurs, and therefore, a large number of small through holes 40 are uniformly formed in the chip mounting area of the wiring board 20, preferably the entire connection area. It is preferable to do. Thereby, the adhesive force between the wiring board 20 and the integrated circuit chip 1 can be uniformly increased over the entire chip mounting region, preferably over the entire connection region.

前記したように、一般的に、集積回路チップ1と配線基板20との間の剥離は、NCP9と集積回路チップ1との界面よりも、NCP9とベースフィルム4との界面で発生することが非常に多い。したがって、上記のように、配線基板20におけるチップ実装領域に形成された貫通孔40aに充填された接着剤6bによりNCP9と配線基板20との界面の接着力を強化することにより、配線基板20からの集積回路チップ1の剥離による接続不良を防止することができる。しかも、図1に示す配線基板20のようにフィレット9bが形成される領域に形成された貫通孔40bに充填された接着剤6bによって、配線基板20とフィレット9bとの接着力を強化することで、NCP9と配線基板20との界面の剥離をより一層確実に防止することができる。   As described above, in general, peeling between the integrated circuit chip 1 and the wiring substrate 20 is more likely to occur at the interface between the NCP 9 and the base film 4 than at the interface between the NCP 9 and the integrated circuit chip 1. Too many. Therefore, as described above, by strengthening the adhesive force at the interface between the NCP 9 and the wiring board 20 with the adhesive 6b filled in the through holes 40a formed in the chip mounting region of the wiring board 20, the wiring board 20 Connection failure due to peeling of the integrated circuit chip 1 can be prevented. Moreover, the adhesive force between the wiring board 20 and the fillet 9b is reinforced by the adhesive 6b filled in the through hole 40b formed in the region where the fillet 9b is formed like the wiring board 20 shown in FIG. Further, peeling of the interface between the NCP 9 and the wiring board 20 can be prevented more reliably.

次に、上記配線基板20にチップ電子部品21を実装する方法について図1を参照して以下に説明する。なお、以下の説明においては、上記チップ電子部品21をはんだ接続により上記配線基板20に実装する場合を例に挙げて説明するものとするが、本発明はこれに限定されるものではない。   Next, a method of mounting the chip electronic component 21 on the wiring board 20 will be described below with reference to FIG. In the following description, the case where the chip electronic component 21 is mounted on the wiring board 20 by solder connection will be described as an example, but the present invention is not limited to this.

前記したように、チップ電子部品21は、配線基板20に集積回路チップ1を実装した後で実装することが好ましい。   As described above, the chip electronic component 21 is preferably mounted after the integrated circuit chip 1 is mounted on the wiring board 20.

まず、配線基板20上に設けられた、チップ電子部品21搭載用の接続端子(図示せず)に、印刷法やディスペンサ法によってクリームはんだを塗布する。クリームはんだは、はんだ粉と溶媒とフラックスとからなるクリーム状の混合物である。   First, cream solder is applied to a connection terminal (not shown) for mounting the chip electronic component 21 provided on the wiring board 20 by a printing method or a dispenser method. Cream solder is a cream-like mixture composed of solder powder, solvent and flux.

次いで、配線基板20とチップ電子部品21とを位置合わせして上記配線基板20上に電子部品21を搭載した後、約230℃〜260℃のリフロー炉に、チップ電子部品21を搭載した配線基板20を入れ、加熱する。これにより、クリームはんだを溶融させる(リフロー加熱工程)。この後、クリームはんだが硬化することで、チップ電子部品21と配線基板20とが電気的に接続される。このようにして、本実施形態にかかる電子回路素子7を製造することができる。   Next, after positioning the wiring board 20 and the chip electronic component 21 and mounting the electronic component 21 on the wiring board 20, the wiring board on which the chip electronic component 21 is mounted in a reflow furnace at about 230 ° C. to 260 ° C. Add 20 and heat. Thereby, cream solder is melted (reflow heating process). Thereafter, the chip solder 21 and the wiring board 20 are electrically connected by curing the cream solder. In this way, the electronic circuit element 7 according to the present embodiment can be manufactured.

このようにして得られた電子回路素子7は、さらに、例えばACFにより液晶パネル10と接続されることにより、前記図3に示す本実施の形態にかかる液晶表示装置100が製造される。   The electronic circuit element 7 thus obtained is further connected to the liquid crystal panel 10 by, for example, ACF, whereby the liquid crystal display device 100 according to the present embodiment shown in FIG. 3 is manufactured.

ACFは、前記したように、例えばプラスチックビーズにNi、Au等をメッキした導電粒子(金属膜被覆プラスチック微粒子)を、フィルム状のエポキシ樹脂等の接着剤中に分散させたものであり、上記電子回路素子7と液晶パネル10とを位置合わせした後、例えば、図示しないツールにより上記電子回路素子7と液晶パネル10との接続部を所定の温度、具体的には、例えば180〜210℃で加熱および加圧することにより、ACFに含まれる導電粒子が両者の接続部で押さえつけられた状態となり、電子回路素子7と液晶パネル10とが電気的に接続されると同時に、上記ACFに用いられている接着剤が熱硬化して両者が接続した状態で固定される。   As described above, ACF is, for example, conductive particles (metal film-coated plastic fine particles) obtained by plating plastic beads with Ni, Au or the like dispersed in an adhesive such as a film-like epoxy resin. After the circuit element 7 and the liquid crystal panel 10 are aligned, for example, the connecting portion between the electronic circuit element 7 and the liquid crystal panel 10 is heated at a predetermined temperature, specifically, for example, 180 to 210 ° C. with a tool (not shown). When the pressure is applied, the conductive particles contained in the ACF are pressed by the connecting portion between them, and the electronic circuit element 7 and the liquid crystal panel 10 are electrically connected and at the same time used for the ACF. The adhesive is thermally cured and fixed in a state where both are connected.

以上のように、本実施の形態にかかる電子回路素子7は、チップ実装領域およびその近傍、具体的には、集積回路チップ1の実装時に上記集積回路チップ1の実装に用いられるNCP9(つまり、上記集積回路チップ1の実装に用いられる接着剤)が存在する領域に、上記ベースフィルム4を貫通する貫通孔40が設けられていると共に、該貫通孔40内に、接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bが、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、上記ベースフィルム4、つまり、配線基板20に集積回路チップ1を実装したときに、上記接着剤6bが上記集積回路チップ1に当接することがなく、しかも、上記貫通孔40内に充填された接着剤6bと、上記集積回路チップ1の実装に用いられるNCP9とが互いに強固に接合される。   As described above, the electronic circuit element 7 according to this embodiment includes the NCP 9 (that is, the NCP 9 used for mounting the integrated circuit chip 1 when the integrated circuit chip 1 is mounted). A through hole 40 penetrating the base film 4 is provided in a region where the adhesive used for mounting the integrated circuit chip 1 is present, and the cover lay 6 with adhesive is formed in the through hole 40. The adhesive 6b is filled up to a position substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate, so that when the integrated circuit chip 1 is mounted on the base film 4, that is, the wiring substrate 20, the adhesion is performed. The adhesive 6b does not come into contact with the integrated circuit chip 1, and the adhesive 6b filled in the through hole 40 and the NC used for mounting the integrated circuit chip 1 are used. 9 and are firmly joined together.

従って、本実施の形態によれば、集積回路チップ1と配線基板20との接着力が高く、集積回路チップ1と配線基板20との剥離を防止することができ、接続不良のない電子回路素子7および表示装置(例えば液晶表示装置100)を提供することができる。また、本実施の形態によれば、上記電子回路素子7を提供することができる配線基板20を提供することができる。   Therefore, according to the present embodiment, the adhesive force between the integrated circuit chip 1 and the wiring board 20 is high, the peeling between the integrated circuit chip 1 and the wiring board 20 can be prevented, and an electronic circuit element having no poor connection is obtained. 7 and a display device (for example, the liquid crystal display device 100) can be provided. Moreover, according to this Embodiment, the wiring board 20 which can provide the said electronic circuit element 7 can be provided.

なお、NCP9の塗布直後の膜厚は1mm〜2mmほどになるが、圧着時の温度上昇によりNCP9の粘度は低下するため、集積回路チップ1実装後、NCP9はバンプ接続を阻害することなく集積回路チップ1とベースフィルム4との間に隙間なく充填される。これにより、集積回路チップ1のバンプ2と配線基板20の接続端子32とは電気的に接続される。   Although the film thickness immediately after the application of NCP9 is about 1 mm to 2 mm, the viscosity of NCP9 decreases due to the temperature rise at the time of pressure bonding. Therefore, after the integrated circuit chip 1 is mounted, NCP9 does not disturb the bump connection. The chip 1 and the base film 4 are filled without a gap. Thereby, the bump 2 of the integrated circuit chip 1 and the connection terminal 32 of the wiring board 20 are electrically connected.

さらに、本実施の形態によれば、上記貫通孔40内に上記接着剤6aが充填されていることで、NCP9が上記貫通孔40から集積回路チップ実装面の反対側に流出し、上記配線基板20を保持しているステージに吸着することがない。   Further, according to the present embodiment, since the adhesive 6a is filled in the through hole 40, the NCP 9 flows out from the through hole 40 to the opposite side of the integrated circuit chip mounting surface, and the wiring board It is not attracted to the stage holding 20.

本実施の形態において、上記接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bは、絶縁性を有し、ベースフィルム4に対する上記NCP9の接着性よりも上記NCP9との接着性が高い材料であれば、特に限定されるものではないが、上記NCP9との接着性をより高めるためには、上記NCP9、つまり、上記集積回路チップ1の実装に用いられる接着性材料(接着剤)と互いに反応することにより化学的に結合する材料であることがより好ましい。上記貫通孔40に充填される接着剤、つまり、接着剤付きカバーレイ6に用いられる接着剤6bとしては、具体的には、例えば、エポキシ樹脂等の材料を用いることができる。   In the present embodiment, the adhesive 6b of the coverlay 6 with the adhesive is particularly a material having an insulating property and having a higher adhesion to the NCP9 than the adhesion of the NCP9 to the base film 4. Although not limited thereto, in order to further improve the adhesion with the NCP9, the NCP9, that is, an adhesive material (adhesive) used for mounting the integrated circuit chip 1 reacts with each other to react with the NCP9. It is more preferable that the material be bonded together. Specifically, for example, a material such as an epoxy resin can be used as the adhesive filled in the through hole 40, that is, the adhesive 6b used for the cover lay 6 with adhesive.

また、本実施の形態では、接着剤付きカバーレイ6を第2配線パターン31と貫通孔40が設けられている領域とを覆うように設ける構成としたが、接着剤付きカバーレイ6は、ベースフィルム4の裏面全体を覆うように設けられていても構わない。   In the present embodiment, the cover lay 6 with an adhesive is provided so as to cover the second wiring pattern 31 and the region where the through hole 40 is provided. You may provide so that the whole back surface of the film 4 may be covered.

また、本実施の形態では、上記接着剤6bは、集積回路チップ1の実装時に予め硬化されている構成としたが、上記接着剤6bは、集積回路チップ1の実装時に完全には硬化していない状態を有していても構わない。つまり、本実施の形態によれば、上記ベースフィルム4の裏面に接着剤6bによりカバーレイ6を貼着して上記貫通孔40内に上記接着剤6bを充填した後、加熱加圧もしくは光照射により、上記接着剤6bを、完全には硬化しないように硬化させてもよい。   In the present embodiment, the adhesive 6b is pre-cured when the integrated circuit chip 1 is mounted. However, the adhesive 6b is completely cured when the integrated circuit chip 1 is mounted. You may have no state. That is, according to the present embodiment, the coverlay 6 is adhered to the back surface of the base film 4 with the adhesive 6b and the adhesive 6b is filled in the through-hole 40, and then heated or pressurized or irradiated with light. Thus, the adhesive 6b may be cured so as not to be completely cured.

この場合、上記接着剤6bにおける上記NCP9との接触界面が完全に硬化する前に上記集積回路チップ1のバンプ2と上記ベースフィルム4上に設けられた接続端子32とを位置合わせすると共に上記NCP9を介して上記ベースフィルム4上に上記集積回路チップ1を搭載し、その後、再び加熱加圧もしくは光照射することにより、上記NCP9と接着剤6bとを完全に硬化させて上記集積回路チップ1とベースフィルム4とを上記NCP9により接続すると共に、上記NCP9と接着剤6bとを互いに接着させればよい。   In this case, before the contact interface between the adhesive 6b and the NCP 9 is completely cured, the bumps 2 of the integrated circuit chip 1 and the connection terminals 32 provided on the base film 4 are aligned and the NCP 9 is aligned. The integrated circuit chip 1 is mounted on the base film 4 via, and then the NCP 9 and the adhesive 6b are completely cured by heating and pressurizing or irradiating light again, and the integrated circuit chip 1 and The base film 4 may be connected by the NCP9, and the NCP9 and the adhesive 6b may be bonded to each other.

このように上記接着剤6bにおけるNCP9との接触界面(接続界面)が未硬化または半硬化状態、特に未硬化状態で上記集積回路チップ1の実装を行うことで、上記NCP9と接着剤6bとの接触界面(接続界面)、すなわち、上記接続材料(A)と材料(B)との接触界面(接続界面)において、上記接続材料(A)と材料(B)とが、例えば化学結合、あるいは、局所的に混ざり合う等して、上記接触界面で上記配線基板に集積回路チップをより強固に接着することができる。   Thus, by mounting the integrated circuit chip 1 in a state where the contact interface (connection interface) with the NCP 9 in the adhesive 6b is in an uncured or semi-cured state, particularly in an uncured state, the NCP 9 and the adhesive 6b In the contact interface (connection interface), that is, the contact interface (connection interface) between the connection material (A) and the material (B), the connection material (A) and the material (B) are, for example, a chemical bond or The integrated circuit chip can be more firmly bonded to the wiring board at the contact interface, for example, by locally mixing.

また、配線基板20の貫通孔40内で、接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bとNCP9との接触面積が小さく、十分な接着力が得られないおそれがある場合には、例えば、接着剤付きカバーレイ6を配線基板20に設置した後、集積回路チップ1搭載面側から、貫通孔40内に、上記NCP9の接着性が上記ベースフィルム4に対するそれよりも高い材料(材料(B))、例えば前記接着剤6b等の接着剤を追加することで、上述したように、ともに未硬化状態の接着剤6bとNCP9とを互いに接着し、硬化させることが可能なる。なお、このとき、追加する接着剤(材料(B))の種類は特に限定されるものではなく、前記接着剤6b以外の接着剤を用いてもよい。前記接着剤6b以外の接着剤を用いる場合には、前記接着剤6bおよびNCP9の両方と高い接着性を示す接着剤を用いることが好ましい。この場合、前記接着剤6b以外の接着剤としては、上記NCP9、つまり、上記集積回路チップ1の実装に用いられる接着剤(接着性材料(A))と同じ接着剤、もしくは、前記接着剤6bおよびNCP9とそれぞれ反応する接着剤を用いることができる。   Further, when the contact area between the adhesive 6b of the cover lay 6 with adhesive and the NCP 9 is small in the through hole 40 of the wiring board 20 and there is a possibility that sufficient adhesive force cannot be obtained, for example, an adhesive After the cover lay 6 is installed on the wiring board 20, a material (material (B)) in which the adhesiveness of the NCP 9 is higher than that of the base film 4 in the through-hole 40 from the integrated circuit chip 1 mounting surface side. For example, by adding an adhesive such as the adhesive 6b, as described above, the uncured adhesive 6b and the NCP 9 can be bonded to each other and cured. At this time, the kind of the adhesive (material (B)) to be added is not particularly limited, and an adhesive other than the adhesive 6b may be used. When an adhesive other than the adhesive 6b is used, it is preferable to use an adhesive that exhibits high adhesiveness with both the adhesive 6b and the NCP9. In this case, as the adhesive other than the adhesive 6b, the NCP9, that is, the same adhesive as the adhesive (adhesive material (A)) used for mounting the integrated circuit chip 1, or the adhesive 6b And an adhesive that reacts with NCP9, respectively.

また、本実施の形態では、上記ベースフィルム4の裏面に貼り付けた接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bを上記貫通孔40内に染み込ませる構成としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bと同じ接着剤あるいは上述したように上記接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bおよびNCP9の両方に強固に接着する接着剤、具体的には、上記接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bおよびNCP9の両方に対して、上記NCP9とベースフィルム4との接着性よりも高い接着性を示す接着剤を、例えば毛細管現象を利用する等して予め上記貫通孔40内に充填させた上で、上記接着剤付きカバーレイ6の貼り付けや集積回路チップ1の実装を行っても構わない。つまり、本発明において、上記貫通孔40内に充填される材料(B)(接着剤)は、上記集積回路チップ1の実装に用いられる接着剤(本実施の形態においてはNCP9)とは異なる接着剤である必要はなく、同じ接着剤であってもよい。また、この場合、上記接着剤付きカバーレイ6を、第2配線パターン31のみを覆うように設ける構成とし、上記貫通孔40を覆うように上記配線基板20の裏面に、集積回路チップ1の実装に用いられる接着剤と同じ接着剤を配し、その上を、必要に応じて封止材、例えばカバーレイ(カバーフィルム)等の保護膜等で覆う構成としてもよい。このように、上記ベースフィルム4を貫く貫通孔40を介して櫛歯状に設けられた接着剤層により上記集積回路チップ1が固定されていることで、特に、上記集積回路チップ1の実装に用いられる接着剤と配線基板20(ベースフィルム4)との界面での接着力を高めることができ、上記集積回路チップ1が配線基板20から剥離することを防止することができる。   In the present embodiment, the adhesive 6b of the cover lay 6 with adhesive attached to the back surface of the base film 4 is soaked into the through hole 40, but the present invention is limited to this. Not the same adhesive as the adhesive 6b of the coverlay 6 with adhesive, or an adhesive that firmly adheres to both the adhesive 6b and NCP9 of the coverlay 6 with adhesive as described above, specifically Is an adhesive having higher adhesiveness than the adhesive between the NCP 9 and the base film 4 with respect to both the adhesive 6b and the NCP 9 of the cover lay 6 with the adhesive, for example, utilizing capillary action. Then, after filling the through hole 40 in advance, the coverlay 6 with adhesive may be attached or the integrated circuit chip 1 may be mounted. That is, in the present invention, the material (B) (adhesive) filled in the through hole 40 is different from the adhesive (NCP9 in the present embodiment) used for mounting the integrated circuit chip 1. It is not necessary to be an agent, and the same adhesive may be used. In this case, the cover lay 6 with adhesive is provided so as to cover only the second wiring pattern 31, and the integrated circuit chip 1 is mounted on the back surface of the wiring substrate 20 so as to cover the through hole 40. It is good also as a structure which arrange | positions the adhesive agent same as the adhesive agent used for this, and covers it with sealing materials, for example, protective films, such as a coverlay (cover film), as needed. As described above, the integrated circuit chip 1 is fixed by the adhesive layer provided in a comb-teeth shape through the through hole 40 penetrating the base film 4, and in particular, for mounting the integrated circuit chip 1. The adhesive force at the interface between the adhesive used and the wiring substrate 20 (base film 4) can be increased, and the integrated circuit chip 1 can be prevented from being peeled off from the wiring substrate 20.

また、上記NCP9としては、配線基板20のベースフィルム4、接着剤付きカバーレイ6の接着剤6bの双方に対して高い接着性を示す材料を用いることが好ましい。NCP9としては、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする接着剤を用いることができるが、これに限定されるものではない。   Moreover, as said NCP9, it is preferable to use the material which shows high adhesiveness with respect to both the base film 4 of the wiring board 20, and the adhesive agent 6b of the coverlay 6 with an adhesive agent. As NCP9, for example, an adhesive mainly composed of an epoxy resin can be used, but is not limited thereto.

通常、上記NCP9等の、上記集積回路チップ1の実装に用いられる接着剤(接続材料(A))には速乾性が必要とされる。このような接着剤は、複数種類の接着剤を混合して使用されることが一般的であり、通常、数秒程度、具体的には、例えば3秒程度で硬化するように、上記接着剤としては、混合される全ての材料(接着剤)に、速乾性を有する材料が使用される。しかしながら、通常、このような速乾性を有する材料(接着剤)は前記したようなベースフィルム4との接着性が劣ることが知られている。   Usually, an adhesive (connecting material (A)) used for mounting the integrated circuit chip 1 such as the NCP9 needs to be quickly dried. Such an adhesive is generally used by mixing a plurality of types of adhesives, and is usually used as the above-mentioned adhesive so as to be cured in about several seconds, specifically, for example, about 3 seconds. In all materials to be mixed (adhesive), materials having quick drying properties are used. However, it is generally known that such a material (adhesive) having quick drying properties is inferior in adhesion to the base film 4 as described above.

しかしながら、本実施の形態によれば、集積回路チップ1の実装に先立って、予め、前記貫通孔40内に、前記接着剤6b等の接着剤(材料(B))が充填されることで、該貫通孔40内に充填される接着剤(材料(B))として、上記NCP9等の、上記集積回路チップ1の実装に用いられる接着剤(接続材料(A))とは異なる接着剤を使用することができ、選択の自由度が増す。このため、例えば、上記材料(B)として、硬化速度が遅くても、前記ベースフィルム4やNCP9との接着性が高い材料からなる接着剤、もしくは、前記接続材料(A)に用いられる材料(接着剤)の一部を、上記したように硬化速度が遅くても、より接着性(接着強度)が高い材料に変更した接着剤等を使用することができる。   However, according to the present embodiment, prior to the mounting of the integrated circuit chip 1, the adhesive (material (B)) such as the adhesive 6b is filled in the through hole 40 in advance. As the adhesive (material (B)) filled in the through hole 40, an adhesive different from the adhesive (connecting material (A)) used for mounting the integrated circuit chip 1, such as the NCP9, is used. And increase the degree of freedom of selection. Therefore, for example, as the material (B), an adhesive made of a material having high adhesiveness to the base film 4 or NCP9 or a material used for the connection material (A) (even if the curing rate is low) Even if a part of the adhesive) has a low curing rate as described above, an adhesive or the like that is changed to a material having higher adhesiveness (adhesive strength) can be used.

なお、本実施の形態によれば、上記材料(B)を、集積回路チップ1の実装に先立って、完全に硬化、もしくは、完全には硬化しない程度に予め硬化させておくことで、上記したように硬化速度がNCP9の硬化速度よりも遅い材料を用いたとしても、上記集積回路チップ1の実装後、つまり、上記NCP9の硬化終了時に、上記材料(B)が完全に硬化された状態とすることができる。   Note that, according to the present embodiment, the material (B) is completely cured prior to the mounting of the integrated circuit chip 1 or previously cured to such an extent that it is not completely cured. As described above, even when a material having a curing rate slower than the curing rate of NCP9 is used, after the integrated circuit chip 1 is mounted, that is, at the end of curing of the NCP9, the material (B) is completely cured. can do.

但し、上記材料(B)の硬化終了時間とNCP9の硬化終了時間とは必ずしも一致させる必要はなく、例え上記NCP9の通常の硬化時間内に上記材料(B)が完全に硬化する程度に予め硬化されていなかったとしても、上記NCP9の硬化時に、上記NCP9の硬化時間よりも長い時間、熱および圧力を加えるか、光照射を行うことで、上記材料(B)を完全に硬化させても構わない。   However, the curing end time of the material (B) and the curing end time of NCP9 do not necessarily coincide with each other. For example, the material (B) is cured in advance so that the material (B) is completely cured within the normal curing time of the NCP9. Even if not, when the NCP9 is cured, the material (B) may be completely cured by applying heat and pressure for a time longer than the curing time of the NCP9, or by performing light irradiation. Absent.

すなわち、本実施の形態において、上記貫通孔40内の材料(B)の硬化状態は特に限定されるものではない。つまり、上記貫通孔40内の材料(B)は、必ずしも硬化している必要はなく、未硬化状態であってもよい。例えば、上記ベースフィルム4裏面側に接着剤付カバーレイ6を設ける場合、上記ベースフィルム4裏面側から光照射を行うことにより、上記カバーレイ6aが上記ベースフィルム4から容易には剥離しない程度に上記ベースフィルム4とカバーレイ6aとの間の接着剤6bを硬化させることにより、上記貫通孔40内に充填されている材料(B)が未硬化もしくはその大部分が未硬化の状態で上記集積回路チップ1の実装を行っても構わない。   That is, in this Embodiment, the hardening state of the material (B) in the said through-hole 40 is not specifically limited. That is, the material (B) in the through hole 40 does not necessarily need to be cured, and may be in an uncured state. For example, when the cover lay 6 with an adhesive is provided on the back side of the base film 4, the cover lay 6 a is not easily peeled off from the base film 4 by performing light irradiation from the back side of the base film 4. By curing the adhesive 6b between the base film 4 and the cover lay 6a, the material (B) filled in the through-hole 40 is uncured or most of the material is uncured. The circuit chip 1 may be mounted.

但し、硬化条件上、上記NCP9、つまり、上記集積回路チップ1の実装に使用される接着剤(接続材料(A))に光硬化性の樹脂(接着剤)を使用する場合、上記材料(B)もまた光硬化性の樹脂(接着剤)を使用することが望ましく、上記NCP9に熱硬化性の樹脂(接着剤)を使用する場合、上記材料(B)にも熱硬化性の樹脂(接着剤)を使用することが望ましい。   However, when a photo-curing resin (adhesive) is used for the NCP9, that is, the adhesive (connection material (A)) used for mounting the integrated circuit chip 1 in terms of curing conditions, the material (B ) Also preferably uses a photo-curable resin (adhesive), and when a thermosetting resin (adhesive) is used for the NCP9, the material (B) also has a thermosetting resin (adhesive). It is desirable to use an agent.

一般的に、速乾性を有する接着剤よりも、時間をかけて硬化(具体的には数時間、例えば1〜2時間かけて硬化)させる長時間硬化型の接着剤の方が、樹脂成分の選択の幅が広く、接着強度が強い。このため、同じように貫通孔40内に充填されるとしても、長時間硬化型の接着剤の方が、速乾性の接着剤よりも、接着剤とベースフィルム4との接着強度が強くなる。また、上記接着剤としてNCP9以外の接着剤を用いる場合、同様のことが、ベースフィルム4のみならず、NCP9に対しても言える。   In general, a long-curing adhesive that cures over time (specifically, curing over several hours, for example, 1 to 2 hours) is longer than an adhesive having quick drying properties. Wide range of selection and strong adhesive strength. For this reason, even if it fills in the through-hole 40 similarly, the adhesive strength of an adhesive agent and the base film 4 becomes stronger than the quick-drying adhesive agent of the long-curing type adhesive agent. Further, when an adhesive other than NCP9 is used as the adhesive, the same can be said for NCP9 as well as the base film 4.

ここで、上記接着剤(材料(B))の接着性、すなわち、上記接着剤のベースフィルム4およびNCP9に対する接着強度は、絶対値で、400N/mより大きいことが望ましい。該接続強度が400N/m以下であると、使用環境により集積回路チップ1が配線基板20から剥離する可能性が高くなる。このため、上記接着剤(材料(B))としては、上記接続強度が、400N/mよりも大きくなるように選択されることが望ましい。   Here, the adhesiveness of the adhesive (material (B)), that is, the adhesive strength of the adhesive to the base film 4 and NCP9 is desirably an absolute value larger than 400 N / m. When the connection strength is 400 N / m or less, there is a high possibility that the integrated circuit chip 1 is peeled from the wiring board 20 depending on the use environment. For this reason, as said adhesive agent (material (B)), it is desirable to select the said connection strength so that it may become larger than 400 N / m.

また、上記ベースフィルム4として例えば前記したようにポリイミドを使用する場合には、ポリイミドからなるベースフィルム4と上記接着剤(材料(B))との間の接着強度は、一般的に1000N/m未満であるため、上記接着剤(材料(B))とNCP9との間の接着強度は、好適には1000N/m以上、より好適には1500N/m以上であることが望ましい。   When polyimide is used as the base film 4 as described above, for example, the adhesive strength between the base film 4 made of polyimide and the adhesive (material (B)) is generally 1000 N / m. Therefore, the adhesive strength between the adhesive (material (B)) and NCP9 is preferably 1000 N / m or more, more preferably 1500 N / m or more.

よって、上記接着剤(材料(B))としては、上記ベースフィルム4としてポリイミドを使用する場合、該ポリイミドからなるベースフィルム4とNCP9との接着性(接着強度)よりも、NCP9との接着性(接着強度)がより高い材料であれば特に限定されるものではないが、前述した接着強度を満足するように選択されることがより望ましい。   Therefore, when the polyimide is used as the base film 4 as the adhesive (material (B)), the adhesion between the base film 4 made of the polyimide and the NCP 9 is more adhesive than the NCP 9. Although it will not specifically limit if it is a material with higher (adhesive strength), It is more desirable to select so that the adhesive strength mentioned above may be satisfied.

なお、本実施の形態では、上記ベースフィルム4としてポリイミドからなるフレキシブル基板を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。上記ベースフィルム4としてフレキシブル基板を用いる場合には、高い絶縁性、寸法安定性、耐熱性、および低い誘電率を有する絶縁材料であれば、ポリイミド以外の材料、例えば、液晶ポリマー等を用いても構わない。上記ベースフィルム4の材質としては、上記性能を満足する材料として、ポリイミドが好適に使用される。   In the present embodiment, a flexible substrate made of polyimide is used as the base film 4, but the present invention is not limited to this. When a flexible substrate is used as the base film 4, a material other than polyimide, such as a liquid crystal polymer, may be used as long as it is an insulating material having high insulation, dimensional stability, heat resistance, and low dielectric constant. I do not care. As the material of the base film 4, polyimide is preferably used as a material that satisfies the above performance.

また、上記ベースフィルム4としては、上記したように可撓性を有するフレキシブル基板のみならず、基材と樹脂とからなる、曲げることができない硬い積層板であるリジッド基板を用いることも可能である。このようなリジッド基板としては、具体的には、例えば、紙基材フェノール樹脂積層板、ガラス布基材エポキシ樹脂積層板、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂積層板、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂積層板等が挙げられる。   Further, as the base film 4, it is possible to use not only a flexible flexible substrate as described above, but also a rigid substrate that is a hard laminate plate made of a base material and a resin and cannot be bent. . Specifically, as such a rigid substrate, for example, a paper base phenolic resin laminate, a glass cloth base epoxy resin laminate, a glass cloth / paper composite base epoxy resin laminate, a glass cloth / glass nonwoven composite A base material epoxy resin laminated board etc. are mentioned.

また、上記ベースフィルム4の厚みは特に限定されるものではなく、種々の厚みのベースフィルムを用いることができるが、貫通孔40を設けたとしても、該貫通孔40内におけるNCP9とベースフィルム4との接着面積の増大によるアンカー効果(表面の凹凸による引っ掛かり)が期待できない100μm以下の厚みのベースフィルム4、例えば本実施の形態で用いたように25μmから100μmの厚みのベースフィルム4を用いた配線基板に本願発明を適用することで、本願発明の効果を特に発揮することができる。なお、100μmよりも厚いベースフィルム4を用いた場合であっても本願発明を適用することで前記効果を得ることができることは、言うまでもないことである。   Further, the thickness of the base film 4 is not particularly limited, and base films having various thicknesses can be used. Even if the through hole 40 is provided, the NCP 9 and the base film 4 in the through hole 40 are provided. A base film 4 having a thickness of 100 μm or less, for example, a base film 4 having a thickness of 25 μm to 100 μm as used in the present embodiment, in which an anchoring effect due to an increase in the bonding area with the surface is not expected. By applying the present invention to a wiring board, the effects of the present invention can be particularly exhibited. Needless to say, the effect can be obtained by applying the present invention even when the base film 4 thicker than 100 μm is used.

また、本実施の形態では、NCP9を用いて集積回路チップ1を配線基板20に実装する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その他の接続方法として、ACFによる接続方法や、Au−Sn共晶接合後に集積回路チップ1と配線基板20との間にアンダーフィルを充填する接続方法も用いることもできる。   In the present embodiment, the case where the integrated circuit chip 1 is mounted on the wiring board 20 using the NCP 9 has been described. However, the present invention is not limited to this, and other connection methods include connection by ACF. It is also possible to use a method or a connection method in which an underfill is filled between the integrated circuit chip 1 and the wiring substrate 20 after Au—Sn eutectic bonding.

このように、本発明は、絶縁性基板上に形成された配線パターンの一部に形成された接続端子に、集積回路チップのバンプが接続されることにより集積回路チップが実装される実装領域を備えた配線基板および電子回路素子に特に好適である。   As described above, the present invention provides a mounting region in which an integrated circuit chip is mounted by connecting bumps of the integrated circuit chip to connection terminals formed on a part of a wiring pattern formed on an insulating substrate. It is particularly suitable for the provided wiring board and electronic circuit element.

さらに、本実施の形態では、チップ電子部品21をはんだ接続によって配線基板20に実装する場合について説明したが、従来公知のその他の接続方法によってチップ電子部品21を配線基板20に実装しても構わない。   Furthermore, although the case where the chip electronic component 21 is mounted on the wiring board 20 by solder connection has been described in the present embodiment, the chip electronic component 21 may be mounted on the wiring board 20 by other conventionally known connection methods. Absent.

さらに、本実施の形態では、液晶パネル10と電子回路素子7とをACFを用いて接続する場合について説明したが、その他、NCPを用いる接続方法であっても、はんだ接続であってもよく、特に限定されるものではない。   Furthermore, in the present embodiment, the case where the liquid crystal panel 10 and the electronic circuit element 7 are connected using the ACF has been described. However, in addition, a connection method using NCP or solder connection may be used. It is not particularly limited.

また、本実施の形態では、本発明にかかる表示装置として、スイッチング素子にTFTを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に挙げて説明したが、上記表示装置としては、TFT等の3端子素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置以外にも、MIM(Metal Insulator Metal)等の2端子素子をスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置であってもよい。また、本発明の表示装置は、アクティブ駆動型の表示装置だけでなく、パッシブ(マルチプレックス)駆動型の表示装置にも適用することができる。さらに、本発明の表示装置は、透過型、反射型、透過反射両用型のいずれのタイプの表示装置にも適用でき、その他、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置、無機EL表示装置、プラズマディスプレイパネル(PDP)、真空蛍光表示(VFD)装置、電子ペーパー等の各種表示装置に適用することも可能である。   In this embodiment mode, an active matrix liquid crystal display device using TFT as a switching element is described as an example of the display device according to the present invention. However, the display device includes three terminals such as a TFT. In addition to an active matrix liquid crystal display device using elements, an active matrix liquid crystal display device using a two-terminal element such as MIM (Metal Insulator Metal) as a switching element may be used. The display device of the present invention can be applied not only to an active drive type display device but also to a passive (multiplex) drive type display device. Furthermore, the display device of the present invention can be applied to any type of transmissive type, reflective type, and transmissive / reflective type display device, as well as organic electroluminescence (EL) display devices, inorganic EL display devices, and plasma display panels. It can also be applied to various display devices such as (PDP), vacuum fluorescent display (VFD) devices, and electronic paper.

また、本発明の配線基板および電子回路素子は、表示装置のみならず種々の電子機器、例えば携帯電話、PDA(Personal Digital Assistant)、OA機器等にも好適に用いることができる。   The wiring board and electronic circuit element of the present invention can be suitably used not only for display devices but also for various electronic devices such as mobile phones, PDAs (Personal Digital Assistants), OA devices and the like.

〔実施の形態2〕
本発明にかかる実施の他の形態について、図4に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施の形態では、主に、前記実施の形態1との相違点について説明するものとする。なお、説明の便宜上、実施の形態1で説明した配線基板20における構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
The following will describe another embodiment of the present invention with reference to FIG. In the present embodiment, differences from the first embodiment will be mainly described. For convenience of explanation, components having the same functions as those of the components in the wiring board 20 described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

図4は、本実施の形態にかかる電子回路素子7における集積回路チップ1実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration in the vicinity of the integrated circuit chip 1 mounting region in the electronic circuit element 7 according to the present embodiment.

図4に示すように、本実施の形態にかかる電子回路素子7における配線基板20は、図1に示す配線基板20において、集積回路チップ1実装面とは反対側の面(つまり、裏面)に、接着剤付きカバーレイ6の代わりに、ソルダーレジストからなるソルダーレジスト膜5b(ソルダーレジストからなる層)が設けられ、ベースフィルム4における接続領域に設けられた貫通孔40に、上記ソルダーレジストが充填されていることを除けば、図1に示す配線基板20と同様の構成を有している。本実施の形態において、上記ソルダーレジスト膜5bは、第2配線パターン31と、チップ実装領域を含む上記接続領域を覆うように設けられている。上記ソルダーレジスト膜5bは、マスクを使用して、上記配線基板20における所定の領域にソルダーレジストを塗布し、乾燥後、オーブンで120〜150度に加熱することで形成した。また、上記した構成を除く構成要素に関しては、前記実施の形態1と同じ目的並びに材料で形成されている。   As shown in FIG. 4, the wiring board 20 in the electronic circuit element 7 according to the present exemplary embodiment has a surface opposite to the mounting surface of the integrated circuit chip 1 in the wiring board 20 shown in FIG. Instead of the cover lay 6 with adhesive, a solder resist film 5b (layer made of solder resist) made of solder resist is provided, and the solder resist is filled in the through holes 40 provided in the connection region of the base film 4 Except for this, it has the same configuration as the wiring board 20 shown in FIG. In the present embodiment, the solder resist film 5b is provided so as to cover the second wiring pattern 31 and the connection region including the chip mounting region. The solder resist film 5b was formed by applying a solder resist to a predetermined region of the wiring board 20 using a mask, drying, and heating to 120 to 150 degrees in an oven. Further, the constituent elements other than those described above are formed with the same objects and materials as in the first embodiment.

上記貫通孔40に充填されたソルダーレジスト(ソルダーレジスト膜5b)と、上記集積回路チップ1の実装に用いられるNCP9(NCP層9aおよびフィレット9b)とは上記貫通孔40が存在する領域において互いに強固に接合されている。   The solder resist (solder resist film 5 b) filled in the through hole 40 and the NCP 9 (NCP layer 9 a and fillet 9 b) used for mounting the integrated circuit chip 1 are strong in the region where the through hole 40 exists. It is joined to.

本実施の形態においても、上記電子回路素子7は、集積回路チップ1の実装に先立って、熱を加えることで、上記貫通孔40内に充填されているソルダーレジストを予め硬化した状態で、上記集積回路チップ1を実装している。上記NCP9は、硬化した上記ソルダーレジストに対してもよく接着し、その接着性は、上記NCP9とベースフィルム4との接着性に比べて極めて高い。このため、本実施の形態においても、上記集積回路チップ1の実装に用いられるNCP9(NCP層9aおよびフィレット9b)と、上記貫通孔40に充填されたソルダーレジスト(ソルダーレジスト膜5b)とは、上記貫通孔40が存在する領域において、互いに強固に接着される。   Also in the present embodiment, the electronic circuit element 7 is heated in advance prior to the mounting of the integrated circuit chip 1 so that the solder resist filled in the through hole 40 is cured in advance. An integrated circuit chip 1 is mounted. The NCP9 adheres well to the cured solder resist, and its adhesiveness is extremely higher than the adhesiveness between the NCP9 and the base film 4. Therefore, also in the present embodiment, the NCP 9 (NCP layer 9a and fillet 9b) used for mounting the integrated circuit chip 1 and the solder resist (solder resist film 5b) filled in the through hole 40 are as follows. In the region where the through hole 40 is present, they are firmly bonded to each other.

なお、上記ソルダーレジスト膜5bの形成方法は、上で述べた例に限定されるものではなく、配線基板20全面にソルダーレジストを塗布後、マスクを通して光を照射することで、ソルダーレジストを形成しようとする領域、またはソルダーレジストを形成しない領域のいずれかの領域のソルダーレジストを反応させた後、エッチングにより不要部分のソルダーレジストを除去し乾燥した後、オーブン等で120〜150度に加熱することにより硬化させる方法を用いてもよい。   The method for forming the solder resist film 5b is not limited to the example described above, and the solder resist is applied by irradiating light through a mask after applying the solder resist on the entire surface of the wiring substrate 20. After reacting the solder resist in either the region to be or the region not forming the solder resist, after removing the unnecessary portion of the solder resist by etching and drying it, it is heated to 120 to 150 degrees in an oven or the like You may use the method of hardening by.

なお、ソルダーレジスト膜5a・5bに用いることができるソルダーレジストの種類としては、特に限定されるものではないが、エポキシ系、ウレタン系、イミド系の樹脂等が挙げられる。また、ソルダーレジストは主に、感光性タイプと熱硬化タイプとに分けることができる。そのうち、感光性タイプはエポキシ系樹脂からなるものが多く、熱硬化タイプにはエポキシ系、ウレタン系、イミド系樹脂からなるもの等がある。   The type of solder resist that can be used for the solder resist films 5a and 5b is not particularly limited, and examples thereof include epoxy-based, urethane-based, and imide-based resins. The solder resist can be mainly divided into a photosensitive type and a thermosetting type. Of these, the photosensitive type is often made of an epoxy resin, and the thermosetting type is an epoxy type, urethane type, imide type resin, or the like.

ソルダーレジスト膜5bには、第1配線パターン30を被覆するソルダーレジスト膜5aと同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよく、その種類は限定されるものではないが、エポキシ系樹脂を用いることが好ましい。   For the solder resist film 5b, the same material as the solder resist film 5a covering the first wiring pattern 30 may be used, or a different material may be used. It is preferable to use a resin.

また、電子回路素子7において、配線基板20の裏面にソルダーレジスト膜5bが形成されている場合、上記ソルダーレジスト膜5bは水蒸気を透過させる材料からなることが好ましい。水蒸気を透過させる材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を挙げることができる。エポキシ系樹脂は、水蒸気の透過率が良いため、NCP層9aに含まれている水分から発生した水蒸気を、貫通孔40aを介して外部に排出することができる。このため、NCP層9aに含まれている水分が、チップ電子部品21のはんだ接続のためのリフロー加熱工程で蒸発し、蒸気圧が高くなったとしても、貫通孔40から水蒸気を排出することができるので、NCP層9aに含まれる水分から発生した水蒸気の蒸気圧によって集積回路チップ1が配線基板20から剥離することを防止することができる。   In the electronic circuit element 7, when the solder resist film 5 b is formed on the back surface of the wiring substrate 20, the solder resist film 5 b is preferably made of a material that allows water vapor to pass therethrough. Examples of the material that allows water vapor to permeate include epoxy resins. Since the epoxy resin has a high water vapor transmission rate, water vapor generated from the water contained in the NCP layer 9a can be discharged to the outside through the through hole 40a. For this reason, even if the moisture contained in the NCP layer 9a evaporates in the reflow heating process for solder connection of the chip electronic component 21 and the vapor pressure increases, the water vapor can be discharged from the through hole 40. Therefore, it is possible to prevent the integrated circuit chip 1 from being separated from the wiring substrate 20 by the vapor pressure of water vapor generated from the moisture contained in the NCP layer 9a.

なお、本実施の形態でもソルダーレジスト膜5bは、第2配線パターン31と貫通孔40が設けられている領域(つまり、接続領域)とを覆うように設ける構成としたが、上記ソルダーレジスト膜5bは、前記実施の形態1同様、ベースフィルム4の裏面全体を覆うように設けられていても構わない。すなわち、少なくとも上記第2配線パターン31と接続領域とを覆う構成とすればよい。   In this embodiment, the solder resist film 5b is provided so as to cover the second wiring pattern 31 and the region where the through hole 40 is provided (that is, the connection region). May be provided so as to cover the entire back surface of the base film 4 as in the first embodiment. In other words, at least the second wiring pattern 31 and the connection region may be covered.

また、本実施の形態でも、上記貫通孔40内のソルダーレジストは、集積回路チップ1の実装時に予め硬化されている構成としたが、上記ソルダーレジストは、集積回路チップ1の実装時に完全には硬化していない状態を有していても構わない。つまり、本実施の形態によれば、上記ベースフィルム4の裏面にソルダーレジストを塗布(積層)して上記貫通孔40内に上記ソルダーレジストを充填した後、加熱もしくは光照射により、上記ソルダーレジストを、完全には硬化しないように硬化させてソルダーレジスト膜5bを形成してもよい。   Also in this embodiment, the solder resist in the through hole 40 is preliminarily cured when the integrated circuit chip 1 is mounted. However, the solder resist is not completely formed when the integrated circuit chip 1 is mounted. You may have the state which has not hardened. That is, according to the present embodiment, a solder resist is applied (laminated) to the back surface of the base film 4 and the solder resist is filled in the through holes 40, and then the solder resist is applied by heating or light irradiation. Alternatively, the solder resist film 5b may be formed by being cured so as not to be completely cured.

この場合、上記ソルダーレジストにおける上記NCP9との接触界面が完全に硬化する前に上記集積回路チップ1のバンプ2と上記ベースフィルム4上に設けられた接続端子32とを位置合わせすると共に上記NCP9を介して上記ベースフィルム4上に上記集積回路チップ1を搭載し、その後、再び加熱加圧もしくは光照射することにより、上記NCP9とソルダーレジストとを完全に硬化させて上記集積回路チップ1とベースフィルム4とを上記NCP9により接続すると共に、上記NCP9とソルダーレジストとを互いに接着させればよい。このように上記ソルダーレジストにおけるNCP9との接触界面(接続界面)が未硬化または半硬化状態、特に未硬化状態で上記集積回路チップ1の実装を行うことで、上記NCP9とソルダーレジストとが、例えば化学結合、あるいは、局所的に混ざり合う等して、より強固な接着を行うことも可能となる。   In this case, before the contact interface with the NCP 9 in the solder resist is completely cured, the bumps 2 of the integrated circuit chip 1 and the connection terminals 32 provided on the base film 4 are aligned and the NCP 9 is aligned. Then, the integrated circuit chip 1 is mounted on the base film 4, and then the NCP 9 and the solder resist are completely cured by heating and pressurizing or irradiating light again, so that the integrated circuit chip 1 and the base film are cured. 4 may be connected by the NCP9, and the NCP9 and the solder resist may be bonded to each other. Thus, by mounting the integrated circuit chip 1 in a state where the contact interface (connection interface) with the NCP 9 in the solder resist is in an uncured or semi-cured state, particularly in an uncured state, the NCP 9 and the solder resist are, for example, It becomes possible to perform stronger bonding by chemical bonding or local mixing.

また、本実施の形態においても、配線基板20の貫通孔40内で、ソルダーレジスト膜5bとNCP9との接触面積が小さく、十分な接着力が得られないおそれがある場合には、前記実施の形態1同様、例えば、ソルダーレジスト膜5bを配線基板20に設置した後、集積回路チップ1搭載面側から、貫通孔40内に、上記ソルダーレジスト膜5bおよびNCP9に強固に接着する材料を追加することも可能である。   Also in the present embodiment, when the contact area between the solder resist film 5b and the NCP 9 is small in the through hole 40 of the wiring substrate 20 and there is a possibility that sufficient adhesive force cannot be obtained, As in the first embodiment, for example, after the solder resist film 5b is placed on the wiring board 20, a material that adheres firmly to the solder resist film 5b and the NCP 9 is added into the through hole 40 from the surface on which the integrated circuit chip 1 is mounted. It is also possible.

さらに、本実施の形態では、上記ベースフィルム4裏面の未硬化のソルダーレジストから該ソルダーレジストを上記貫通孔40内に染み込ませる構成としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、本実施の形態においても、前記実施の形態1同様、上記ソルダーレジストと同じ種類のソルダーレジストあるいは上記ソルダーレジストおよびNCP9の両方に強固に接着する材料を、例えば毛細管現象を利用する等して予め上記貫通孔40内に充填させた上で、ソルダーレジスト膜5bの積層並びに集積回路チップ1の実装を行っても構わない。   Furthermore, in the present embodiment, the solder resist is soaked into the through hole 40 from the uncured solder resist on the back surface of the base film 4, but the present invention is not limited to this, Also in the embodiment, as in the first embodiment, the same kind of solder resist as the solder resist or a material that adheres firmly to both the solder resist and the NCP 9 is previously penetrated by using, for example, a capillary phenomenon. After filling the holes 40, the solder resist film 5b may be stacked and the integrated circuit chip 1 may be mounted.

なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Embodiments are also included in the technical scope of the present invention.

以下に、本発明にかかる電子回路素子における配線基板と集積回路チップとの接着力と、従来の電子回路素子における配線基板と集積回路チップとの接着力との差を比較した結果を示す。   The results of comparing the difference between the adhesive force between the wiring board and the integrated circuit chip in the electronic circuit element according to the present invention and the adhesive force between the wiring board and the integrated circuit chip in the conventional electronic circuit element are shown below.

なお、本発明にかかる電子回路素子の試験サンプルには、図1に示す構造を有する電子回路素子を使用し、従来の電子回路素子の試験サンプルには、図6に示したように、接続領域、つまり、チップ実装領域およびその近傍に貫通孔が設けられていない配線基板と集積回路チップとからなる電子回路素子を使用した。   The electronic circuit element having the structure shown in FIG. 1 is used as a test sample of the electronic circuit element according to the present invention, and the connection region as shown in FIG. That is, an electronic circuit element composed of an integrated circuit chip and a wiring board in which no through hole is provided in the chip mounting region and its vicinity was used.

両試験サンプルは、本発明にかかる電子回路素子の試験サンプルに対してのみ、ベースフィルムにおける接続領域に、直径0.5mmの貫通孔を、接続領域における該貫通孔の総面積の割合が40%となるように均等に設け、該貫通孔内に、接着剤付きカバーレイの接着剤を染み込ませたことを除けば、それぞれ同条件で作製した。また、集積回路チップと配線基板との接続には、NCPを用いた。すなわち、従来の電子回路素子の試験サンプルにおいては、配線基板と集積回路チップとの接着力は、NCPとベースフィルムとの接着力に全て起因することになる。   For both test samples, only for the test sample of the electronic circuit element according to the present invention, a through hole having a diameter of 0.5 mm is formed in the connection region of the base film, and the ratio of the total area of the through hole in the connection region is 40%. It was prepared under the same conditions except that the adhesive was soaked in the through-hole and the adhesive of the coverlay with adhesive was soaked. Further, NCP was used for connection between the integrated circuit chip and the wiring board. That is, in the conventional test sample of the electronic circuit element, the adhesive force between the wiring board and the integrated circuit chip is entirely caused by the adhesive force between the NCP and the base film.

上記2つの試験サンプルについて、(1)集積回路チップ実装直後、(2)リフロー加熱工程後、(3)80℃−95%RHの高温高湿槽に120時間投入後、における配線基板と集積回路チップとの接着強度をそれぞれ測定した。   Regarding the above two test samples, (1) immediately after mounting the integrated circuit chip, (2) after the reflow heating process, and (3) after placing in a high temperature and high humidity bath of 80 ° C.-95% RH for 120 hours, The adhesive strength with the chip was measured.

その結果、本発明の電子回路素子の試験サンプルは、従来の電子回路素子の試験サンプルに比べて、(1)集積回路チップ実装直後では36%、(2)リフロー加熱工程後では86%、(3)80℃−95%RH高温高湿層投入後には130%、接着力が向上していることが確認できた。   As a result, the test sample of the electronic circuit element of the present invention was (1) 36% immediately after mounting the integrated circuit chip, (2) 86% after the reflow heating process, 3) It was confirmed that the adhesive strength was improved by 130% after the 80 ° C.-95% RH high temperature and high humidity layer was charged.

したがって、本発明にかかる電子回路素子は、集積回路チップと配線基板とが従来よりも強固に接着されていることがわかる。したがって、本発明によれば、集積回路チップと配線基板との剥離による接続不良を抑制・防止することが可能であり、不良率の低減に貢献することができる。   Therefore, it can be seen that in the electronic circuit element according to the present invention, the integrated circuit chip and the wiring board are bonded more firmly than in the past. Therefore, according to the present invention, it is possible to suppress / prevent a connection failure due to peeling between the integrated circuit chip and the wiring substrate, which can contribute to a reduction in the failure rate.

本発明の配線基板は、集積回路チップを用いた電子回路素子用の配線基板であり、その絶縁性基板における、集積回路チップの実装時に該集積回路チップを実装するための接着材料(A)が配される領域に設けられた貫通孔内に、絶縁性基板に対する上記接続材料(A)の接着性よりも上記接続材料(A)との接着性が高い材料(B)が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることで、集積回路チップの実装時に、上記接着性材料(A)と絶縁性基板との界面における両者の接着力を強化することができる。このため、上記配線基板および該配線基板を用いた電子回路素子は、例えばアクティブマトリクス型の液晶表示装置やパッシブ(マルチプレックス)駆動型表示装置等の各種の表示装置に好適である。また、上記配線基板および電子回路素子は、表示装置のみならず、種々の電子機器、例えば携帯電話、PDA、OA機器等の各種電子機器に広く用いることができる。   The wiring board of the present invention is a wiring board for electronic circuit elements using an integrated circuit chip, and an adhesive material (A) for mounting the integrated circuit chip is mounted on the insulating substrate when the integrated circuit chip is mounted. In the through-hole provided in the area | region distribute | arranged, the material (B) whose adhesiveness with the said connection material (A) is higher than the adhesiveness of the said connection material (A) with respect to an insulating substrate is the said insulating substrate. By filling up to a position substantially the same as or lower than the surface, it is possible to reinforce the adhesive force between the adhesive material (A) and the insulating substrate at the time of mounting the integrated circuit chip. . Therefore, the wiring substrate and the electronic circuit element using the wiring substrate are suitable for various display devices such as an active matrix liquid crystal display device and a passive (multiplex) drive display device. The wiring board and electronic circuit element can be widely used not only for display devices but also for various electronic devices such as mobile phones, PDAs, and OA devices.

本発明の実施の一形態にかかる電子回路素子における集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the integrated circuit chip mounting area vicinity in the electronic circuit element concerning one Embodiment of this invention. 図1に示す電子回路素子における、集積回路チップ搭載面側とは反対面側の概略構成を一部破断にて示す底面図である。FIG. 2 is a bottom view of the electronic circuit element shown in FIG. 1 with a partial cutaway showing a schematic configuration on the side opposite to the integrated circuit chip mounting side. 本発明の実施の一形態にかかる液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the liquid crystal display device concerning one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態にかかる電子回路素子における集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the integrated circuit chip mounting area vicinity in the electronic circuit element concerning other embodiment of this invention. 一般的な電子回路素子における集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the integrated circuit chip mounting area vicinity in a general electronic circuit element. 他の一般的な電子回路素子における集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the integrated circuit chip mounting area vicinity in another general electronic circuit element. 従来のプラスチックBAGパッケージにおける集積回路チップ実装領域近傍の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows schematic structure of the integrated circuit chip mounting area vicinity in the conventional plastic BAG package.

符号の説明Explanation of symbols

1 集積回路チップ
2 バンプ
4 ベースフィルム(絶縁性基板)
5 ソルダーレジスト
5a ソルダーレジスト
5b ソルダーレジスト(材料(B))
6 接着剤付きカバーレイ
6a カバーレイ
6b 接着剤(材料(B)、接着剤(C))
7 電子回路素子
9 NCP(接続材料(A))
9a NCP層(接続材料(A))
9b フィレット(接続材料(A))
10 液晶パネル
20 配線基板(FPC)
21 チップ電子部品
30 第1配線パターン(配線パターン)
31 第2配線パターン(配線パターン)
32 接続端子
40 貫通孔
40a 貫通孔
40b 貫通孔
100 液晶表示装置(表示装置)
1 Integrated circuit chip 2 Bump 4 Base film (insulating substrate)
5 Solder resist 5a Solder resist 5b Solder resist (material (B))
6 Coverlay with adhesive 6a Coverlay 6b Adhesive (material (B), adhesive (C))
7 Electronic circuit elements 9 NCP (Connection material (A))
9a NCP layer (connection material (A))
9b Fillet (Connection material (A))
10 Liquid crystal panel 20 Wiring board (FPC)
21 chip electronic component 30 first wiring pattern (wiring pattern)
31 Second wiring pattern (wiring pattern)
32 Connection terminal 40 Through hole 40a Through hole 40b Through hole 100 Liquid crystal display device (display device)

Claims (10)

絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備え、集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料(A)により集積回路チップがフリップチップ実装される集積回路実装用の配線基板であって、
上記絶縁性基板における、集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔が設けられ、該貫通孔内に、絶縁性基板に対する上記接続材料(A)の接着性よりも上記接続材料(A)との接着性が高い材料(B)が、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填されていることを特徴とする配線基板。
An insulating substrate, a wiring pattern formed on the insulating substrate, and a connection terminal for electrically connecting the wiring pattern and a bump of the integrated circuit chip, the integrated circuit chip and the insulating substrate, A wiring board for mounting an integrated circuit on which the integrated circuit chip is flip-chip mounted by a connection material (A) for connecting
In the insulating substrate, a through-hole penetrating the insulating substrate is provided in a region where the connecting material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted, and the connecting material for the insulating substrate is provided in the through-hole. The material (B) having higher adhesion to the connection material (A) than the adhesion of (A) is filled up to a position substantially the same as or lower than the surface of the insulating substrate. Wiring board.
上記絶縁性基板はポリイミドからなることを特徴とする請求項1記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the insulating substrate is made of polyimide. 上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うように接着剤(C)を介してカバーレイが設けられていると共に、上記貫通孔内に、上記材料(B)として、接着剤(C)が充填されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。   A cover lay is provided on the surface of the insulating substrate opposite to the integrated circuit chip mounting surface via an adhesive (C) so as to cover the through hole, and the material is formed in the through hole. The wiring board according to claim 1, wherein (B) is filled with an adhesive (C). 上記絶縁性基板における集積回路チップ実装面とは反対側の面に、上記貫通孔を覆うようにソルダーレジストからなる層が設けられていると共に、上記貫通孔内に、上記材料(B)として、上記ソルダーレジストが充填されていることを特徴とする請求項1記載の配線基板。   On the surface of the insulating substrate opposite to the integrated circuit chip mounting surface, a layer made of a solder resist is provided so as to cover the through hole, and in the through hole, as the material (B), The wiring board according to claim 1, wherein the solder resist is filled. 上記材料(B)は、水蒸気を透過させる材料であることを特徴とする請求項1記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the material (B) is a material that allows water vapor to pass therethrough. 上記材料(B)は完全に硬化する前の状態にあることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の配線基板。   The wiring board according to claim 1, wherein the material (B) is in a state before being completely cured. 請求項1〜6の何れか1項に記載の配線基板上に、上記接続材料(A)により集積回路チップが実装されてなり、上記接続材料(A)と材料(B)とが、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置にて互いに接着されていることを特徴とする電子回路素子。   An integrated circuit chip is mounted on the wiring board according to any one of claims 1 to 6 by the connection material (A), and the connection material (A) and the material (B) are insulated from each other. An electronic circuit element characterized by being bonded to each other at a position substantially the same as or lower than the surface of the conductive substrate. 請求項7に記載の電子回路素子を有することを特徴とする表示装置。   A display device comprising the electronic circuit element according to claim 7. 絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料(A)により上記集積回路チップをフリップチップ実装する電子回路素子の製造方法であって、
上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、
上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、
上記貫通孔内に、上記接続材料(A)との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料(A)の接着性よりも高い材料(B)を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、
上記材料(B)を硬化させる工程と、
上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記接続材料(A)を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、
上記接続材料(A)を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料(A)により接続すると共に、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに接着させる工程とを含むことを特徴とする電子回路素子の製造方法。
On a wiring board for mounting an integrated circuit, comprising: an insulating substrate; a wiring pattern formed on the insulating substrate; and a connection terminal for electrically connecting the wiring pattern and a bump of the integrated circuit chip And a method of manufacturing an electronic circuit element in which the integrated circuit chip is flip-chip mounted with a connection material (A) for connecting the integrated circuit chip and an insulating substrate,
Providing a through-hole penetrating the insulating substrate in a region of the insulating substrate where the connection material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted;
Providing the wiring pattern and connection terminals on the insulating substrate;
In the through-hole, the material (B) whose adhesiveness to the connecting material (A) is higher than the adhesiveness of the connecting material (A) to the insulating substrate is substantially the same as or more than that of the insulating substrate surface. Filling to a lower position,
Curing the material (B);
Aligning the connection terminals and bumps of the integrated circuit chip, and mounting the integrated circuit chip on the insulating substrate via the connection material (A);
By curing the connection material (A), the integrated circuit chip and the insulating substrate are connected by the connection material (A), and the connection material (A) and the material (B) are bonded to each other. A process for producing an electronic circuit element.
絶縁性基板と、上記絶縁性基板上に形成された配線パターンと、上記配線パターンと集積回路チップのバンプとを電気的に接続するための接続端子とを備えた集積回路実装用の配線基板上に、上記集積回路チップと絶縁性基板とを接続する接続材料(A)により上記集積回路チップをフリップチップ実装する電子回路素子の製造方法であって、
上記絶縁性基板における、上記集積回路チップの実装時に上記接続材料(A)が配される領域に、上記絶縁性基板を貫く貫通孔を設ける工程と、
上記絶縁性基板上に、上記配線パターンおよび接続端子を設ける工程と、
上記貫通孔内に、上記接続材料(A)との接着性が、絶縁性基板に対する接続材料(A)の接着性よりも高い材料(B)を、上記絶縁性基板表面と略同一もしくはそれよりも低い位置まで充填する工程と、
上記材料(B)を、該材料(B)が完全には硬化しないように硬化させる工程と、
上記接続端子と上記集積回路チップのバンプとを位置合わせすると共に、上記材料(B)が完全に硬化する前の状態において、上記接続材料(A)を介して上記絶縁性基板上に上記集積回路チップを搭載する工程と、
上記接続材料(A)および材料(B)を硬化させることにより、上記集積回路チップと上記絶縁性基板とを上記接続材料(A)により接続すると共に、上記接続材料(A)と材料(B)とを互いに接着させる工程とを含むことを特徴とする電子回路素子の製造方法。
On a wiring board for mounting an integrated circuit, comprising: an insulating substrate; a wiring pattern formed on the insulating substrate; and a connection terminal for electrically connecting the wiring pattern and a bump of the integrated circuit chip And a method of manufacturing an electronic circuit element in which the integrated circuit chip is flip-chip mounted with a connection material (A) for connecting the integrated circuit chip and an insulating substrate,
Providing a through-hole penetrating the insulating substrate in a region of the insulating substrate where the connection material (A) is disposed when the integrated circuit chip is mounted;
Providing the wiring pattern and connection terminals on the insulating substrate;
In the through-hole, the material (B) whose adhesiveness to the connecting material (A) is higher than the adhesiveness of the connecting material (A) to the insulating substrate is substantially the same as or more than that of the insulating substrate surface. Filling to a lower position,
Curing the material (B) so that the material (B) is not completely cured;
The integrated circuit is positioned on the insulating substrate via the connection material (A) in a state before the connection terminal and the bump of the integrated circuit chip are aligned and before the material (B) is completely cured. The process of mounting the chip,
The connection material (A) and the material (B) are cured to connect the integrated circuit chip and the insulating substrate with the connection material (A), and the connection material (A) and the material (B). And a step of adhering each other to the electronic circuit element.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008065774A1 (en) * 2006-11-29 2008-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Wiring board and display unit
JP2009076897A (en) * 2007-09-19 2009-04-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg Device having connection device and at least one semiconductor element
JP2012033590A (en) * 2010-07-29 2012-02-16 Casio Comput Co Ltd Method of bonding substrate, mounting structure of substrate, electronic apparatus, and substrate
KR20130022067A (en) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지디스플레이 주식회사 Flexible display device
KR20140070854A (en) * 2012-11-28 2014-06-11 엘지디스플레이 주식회사 Display device including hydrophobic adhesive means and bonding method for drive IC on panel using hydrophobic adhesive means
CN104067299A (en) * 2012-01-24 2014-09-24 德国捷德有限公司 Method for producing a data carrier that prevents mechanical strains between chip and data carrier body

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008065774A1 (en) * 2006-11-29 2008-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Wiring board and display unit
JP2009076897A (en) * 2007-09-19 2009-04-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg Device having connection device and at least one semiconductor element
JP2012033590A (en) * 2010-07-29 2012-02-16 Casio Comput Co Ltd Method of bonding substrate, mounting structure of substrate, electronic apparatus, and substrate
KR20130022067A (en) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지디스플레이 주식회사 Flexible display device
KR101697972B1 (en) * 2011-08-24 2017-01-20 엘지디스플레이 주식회사 Flexible Display Device
CN104067299A (en) * 2012-01-24 2014-09-24 德国捷德有限公司 Method for producing a data carrier that prevents mechanical strains between chip and data carrier body
US10176421B2 (en) * 2012-01-24 2019-01-08 Giesecke+Devrient Mobile Security Gmbh Method for producing a data carrier that prevents mechanical strains between chip and data carrier body
CN109583552A (en) * 2012-01-24 2019-04-05 捷德移动安全有限责任公司 For manufacturing the method and data carrier body of portable data medium
CN109583552B (en) * 2012-01-24 2022-04-19 捷德移动安全有限责任公司 Method for producing a portable data carrier and data carrier body
KR20140070854A (en) * 2012-11-28 2014-06-11 엘지디스플레이 주식회사 Display device including hydrophobic adhesive means and bonding method for drive IC on panel using hydrophobic adhesive means
KR102078019B1 (en) * 2012-11-28 2020-02-18 엘지디스플레이 주식회사 Display device including hydrophobic adhesive means and bonding method for drive IC on panel using hydrophobic adhesive means

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