JP2005158913A - Ultrasonic nozzle and substrate treatment apparatus - Google Patents
Ultrasonic nozzle and substrate treatment apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005158913A JP2005158913A JP2003393388A JP2003393388A JP2005158913A JP 2005158913 A JP2005158913 A JP 2005158913A JP 2003393388 A JP2003393388 A JP 2003393388A JP 2003393388 A JP2003393388 A JP 2003393388A JP 2005158913 A JP2005158913 A JP 2005158913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ultrasonic
- processing liquid
- nozzle
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Special Spraying Apparatus (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板(以下、単に「基板」という)の表面に対して超音波を付与した処理液を吐出する超音波ノズル、ならびに該ノズルを用いた基板処理装置に関するものである。 The present invention applies ultrasonic waves to the surface of various substrates (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, and substrates for optical disks. The present invention relates to an ultrasonic nozzle that discharges the processed liquid and a substrate processing apparatus using the nozzle.
従来より、基板表面に付着したパーティクル等の微小な異物を除去するために、処理液を基板表面に供給して洗浄処理などの基板処理を行う基板処理装置がある。ここでは、処理液による化学的洗浄に加えて、超音波振動子により処理液に物理的な振動を付与することで基板の洗浄効果を高めて洗浄(超音波洗浄)することが行われている。この超音波洗浄では、処理液中にキャビテーション(空洞現象)による気泡が発生し、発生した気泡によって微小な異物が除去されることが知られている。そこで、超音波を付与した処理液を基板表面に吐出する種々の基板処理装置が提案されている(特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art Conventionally, there is a substrate processing apparatus that supplies a processing liquid to a substrate surface and performs substrate processing such as cleaning processing in order to remove minute foreign matters such as particles attached to the substrate surface. Here, in addition to chemical cleaning with a processing liquid, cleaning (ultrasonic cleaning) is performed by applying a physical vibration to the processing liquid with an ultrasonic vibrator to enhance the cleaning effect of the substrate. . In this ultrasonic cleaning, it is known that bubbles are generated by cavitation (cavity phenomenon) in the processing liquid, and minute foreign matters are removed by the generated bubbles. In view of this, various substrate processing apparatuses have been proposed that discharge a processing liquid provided with ultrasonic waves onto the substrate surface (see Patent Document 1).
この特許文献1に記載の装置では、半導体基板に超音波振動が直接に当たらないように、または超音波振動による1次反射波が直接に照射されないように、超音波ノズルが構成されている。より具体的には、超音波ノズル内部における超音波振動子の配置位置ならびに超音波ノズル内部の形状を変更することで、また、超音波ノズル内部に遮蔽板を配置可能にすることで、半導体基板が受けるダメージを抑制している。
In the apparatus described in
ところで、超音波洗浄においては、上述したように超音波振動により処理液中に発生したキャビテーションによる気泡が、処理液とともに被処理物たる基板に運ばれ、基板表面に付着したパーティクル等の微小な異物を除去するものと考えられている。したがって、処理性能、つまりパーティクル等の除去効率を高めるためには、超音波振動子の発振出力を上げることが有効な手段となるが、基板に到達する振動エネルギーが増加することになり、基板上に形成された微細なパターンを破壊してしまい、超音波ノズル内部に遮蔽板を配置した意義が失われてしまう。 By the way, in the ultrasonic cleaning, as described above, bubbles due to cavitation generated in the processing liquid by ultrasonic vibration are carried along with the processing liquid to the substrate as the object to be processed, and fine foreign matters such as particles adhering to the substrate surface. It is thought to remove. Therefore, increasing the oscillation output of the ultrasonic vibrator is an effective means to improve the processing performance, that is, the removal efficiency of particles, etc., but the vibration energy reaching the substrate increases, This destroys the fine pattern formed on the surface and loses the significance of disposing the shielding plate inside the ultrasonic nozzle.
また、特許文献1に記載の装置では、超音波ノズル内部に遮蔽板を配置しているため、超音波振動が直接にまたは超音波振動による1次反射波が基板に到達するのを防止するだけでなく、遮蔽板はキャビテーションによる気泡が基板に運ばれるのを阻害する方向に作用している。このため、必ずしも要望する除去効率が得られるというわけではなかった。すなわち、特許文献1に記載の装置では、基板上に形成された微細なパターンへのダメージを低減させつつ、同時に処理性能を向上させることは事実上困難となっている。
Further, in the apparatus described in
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板へのダメージを低減しつつ、キャビテーションによる気泡を多量に含む処理液を基板に供給することができる超音波ノズル、ならびに該ノズルを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an ultrasonic nozzle capable of supplying a treatment liquid containing a large amount of bubbles due to cavitation to the substrate while reducing damage to the substrate, and a substrate using the nozzle An object is to provide a processing apparatus.
上記したように超音波洗浄においては、キャビテーションによる気泡が基板処理の効率および基板ダメージに密接に関連していると考えられるが、その関連性について本願発明者は超音波ノズルを使用した種々の実験などを行い、次のような知見を得た。以下、図6および図7を参照しつつ、実験内容および知見内容について詳述する。 As described above, in ultrasonic cleaning, it is considered that bubbles due to cavitation are closely related to substrate processing efficiency and substrate damage. Regarding the relationship, the present inventors have conducted various experiments using ultrasonic nozzles. The following findings were obtained. Hereinafter, the experimental contents and the knowledge contents will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7.
本願発明者は、流水式の超音波ノズルにおいて、処理液の流量条件のみを変更して(すなわち、超音波振動子の発振条件等を一定として)、パーティクルの除去性能を評価した。図6は、実験に使用した従来の超音波ノズルの模式図である。同図に示すように、供給口101から処理液は、ノズル本体102の内部に充填される。そして、ノズル本体102の内部に設けられた超音波振動子103によって超音波が付与される。このように処理液に超音波が付与されることで処理液中にキャビテーションによる気泡が発生する。また、発生した気泡は処理液とともに吐出口104より吐出されて、基板Wの表面に運ばれる。
The inventor of the present application evaluated the particle removal performance in a flowing water type ultrasonic nozzle by changing only the flow rate condition of the treatment liquid (that is, the oscillation condition of the ultrasonic vibrator is constant). FIG. 6 is a schematic diagram of a conventional ultrasonic nozzle used in the experiment. As shown in the figure, the processing liquid is filled into the nozzle body 102 from the
図7は、上記超音波ノズルを使用した実験結果を示すグラフである。図7(a)は、処理液の流量とSiパーティクルの除去効率との関係を示し、図7(b)は、処理液の流量と基板W上の音圧との関係を示している。ここで、基板W上の音圧は、パーティクル除去効率の評価と同一位置関係で測定した値であり、そのまま基板Wに到達する超音波振動エネルギーを表している。 FIG. 7 is a graph showing experimental results using the ultrasonic nozzle. 7A shows the relationship between the flow rate of the processing liquid and the removal efficiency of Si particles, and FIG. 7B shows the relationship between the flow rate of the processing liquid and the sound pressure on the substrate W. Here, the sound pressure on the substrate W is a value measured in the same positional relationship as the evaluation of the particle removal efficiency, and represents the ultrasonic vibration energy that reaches the substrate W as it is.
同図(a)から明らかなように、処理液の流量の増加とともにSiパーティクルの除去効率は増加する。一方、同図(b)に示されているように、処理液の流量の増加にかかわらず、基板W上の音圧は、ほぼ一定である。これは、流量の増加とともに超音波ノズル内部で発生したキャビテーションによる気泡が速やかに基板表面に運ばれていることを示唆している。しかも、処理液の流量の増加にかかわらず、基板Wに到達する超音波振動エネルギーが一定であることから、超音波振動による付加的な洗浄効果(例えば、超音波による基板の物理的な振動)を考慮する必要がないと考察することができる。 As is clear from FIG. 5A, the Si particle removal efficiency increases as the flow rate of the processing liquid increases. On the other hand, as shown in FIG. 5B, the sound pressure on the substrate W is substantially constant regardless of the increase in the flow rate of the processing liquid. This suggests that bubbles due to cavitation generated in the ultrasonic nozzle as the flow rate increases are quickly carried to the substrate surface. Moreover, since the ultrasonic vibration energy reaching the substrate W is constant regardless of the increase in the flow rate of the processing liquid, an additional cleaning effect by ultrasonic vibration (for example, physical vibration of the substrate due to ultrasonic waves). It is possible to consider that there is no need to consider.
これより、パーティクル等の除去効率とキャビテーションによる気泡の量について以下のように推論される。すなわち、処理液の流速が速いほど基板表面に到達するキャビテーションによる気泡の量が多くなるため、パーティクル等の除去効率は高くなる。逆に、処理液の流速が遅ければ、基板表面に到達するキャビテーションによる気泡の量が少なくなるため、パーティクル等の除去効率は低くなる。したがって、パーティクル等の除去効率を高めるためには、超音波ノズル内部において処理液中にキャビテーションによる気泡を如何にして効率良く発生させて(すなわち、処理液中に発生するキャビテーションによる気泡の量を如何にして増加させて)、しかも発生した気泡を如何にして効率良く基板表面に到達させるかが重要なポイントとなる。すなわち、パーティクル等の除去効率を高める上で、気泡量と効率的な気泡の基板への供給が重要となっているという知見が得られた。 From this, the removal efficiency of particles and the amount of bubbles due to cavitation are inferred as follows. That is, the higher the flow rate of the processing liquid, the greater the amount of bubbles due to cavitation reaching the substrate surface, and the higher the removal efficiency of particles and the like. Conversely, if the flow rate of the treatment liquid is slow, the amount of bubbles due to cavitation reaching the substrate surface is reduced, so that the removal efficiency of particles and the like is lowered. Therefore, in order to increase the removal efficiency of particles, etc., how to efficiently generate bubbles due to cavitation in the processing liquid inside the ultrasonic nozzle (that is, how much the amount of bubbles due to cavitation generated in the processing liquid is determined. In addition, the important point is how efficiently the generated bubbles can reach the substrate surface. That is, it was found that the amount of bubbles and efficient supply of bubbles to the substrate are important in enhancing the removal efficiency of particles and the like.
そこで、本発明にかかる超音波ノズルでは、上記知見に基づき次のように構成している。この発明は、基板に対して超音波振動を付与した処理液を吐出する超音波ノズルであって、上記目的を達成するため、その内部に処理液を充填可能な充填空間と、前記基板に向けて開口された吐出口とを有し、前記充填空間内の処理液を前記吐出口から吐出可能となっている本体と、前記充填空間内の処理液に超音波振動を付与する超音波振動子と、前記基板に向けて流れる前記処理液の流路内で前記処理液の吐出方向と略平行に配置された板状部材とを備えたことを特徴としている。 Therefore, the ultrasonic nozzle according to the present invention is configured as follows based on the above knowledge. The present invention is an ultrasonic nozzle that discharges a processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to a substrate, and in order to achieve the above object, a filling space in which the processing liquid can be filled therein, and a substrate toward the substrate A main body capable of discharging the processing liquid in the filling space from the discharge port, and an ultrasonic vibrator for applying ultrasonic vibration to the processing liquid in the filling space And a plate-like member disposed substantially in parallel with the discharge direction of the processing liquid in the flow path of the processing liquid flowing toward the substrate.
このように構成された発明では、板状部材が基板に向けて流れる処理液の流路内に配置されることで、板状部材が超音波振動子からの超音波振動波と作用して処理液中に新たなキャビテーションが引き起こされる。このため、キャビテーションによる気泡の量を増加させることができる。また、板状部材は処理液の吐出方向と略平行に配置されているため、処理液の流れを阻止することなく処理液中に発生したキャビテーションによる気泡を効率的に基板に供給することができる。その結果、超音波振動子の発振出力を上げることなくキャビテーションによる気泡を多量に含む処理液を基板に供給することができる。 In the invention configured as described above, the plate-shaped member is disposed in the flow path of the processing liquid flowing toward the substrate, so that the plate-shaped member acts on the ultrasonic vibration wave from the ultrasonic vibrator to perform the processing. New cavitation is caused in the liquid. For this reason, the amount of bubbles due to cavitation can be increased. Further, since the plate-like member is arranged substantially in parallel with the discharge direction of the processing liquid, it is possible to efficiently supply bubbles due to cavitation generated in the processing liquid to the substrate without blocking the flow of the processing liquid. . As a result, the processing liquid containing a large amount of bubbles due to cavitation can be supplied to the substrate without increasing the oscillation output of the ultrasonic transducer.
ここで、キャビテーションによる気泡の量を増加させるためには、例えば板状部材を充填空間内で超音波振動子の近傍に配置するのが望ましい。このように板状部材が配置されることで、板状部材には超音波振動子からの振動波が直接的に伝播されて効率良く処理液中にキャビテーションによる気泡を発生させることができる。その結果、キャビテーションによる気泡の量をさらに増加させることができる。 Here, in order to increase the amount of bubbles due to cavitation, for example, it is desirable to arrange a plate-like member in the vicinity of the ultrasonic transducer in the filling space. By arranging the plate-like member in this way, vibration waves from the ultrasonic vibrator are directly propagated to the plate-like member, and bubbles due to cavitation can be efficiently generated in the processing liquid. As a result, the amount of bubbles due to cavitation can be further increased.
また、前記本体が、胴部と、前記吐出方向と略直交する断面の面積が前記胴部よりも小さく、しかもその先端に前記吐出口が設けられたノズル先端部と、前記ノズル先端部と前記胴部とを連通して前記胴部内の処理液を前記ノズル先端部に導く連通部とを備えるようにして、前記板状部材を前記ノズル先端部内に配置してもよい。このように板状部材が配置されることで、上記したようにキャビテーションによる気泡の量を増加させるとともに、発生した気泡を効率的に基板に供給することができる。さらに、板状部材が前記吐出方向と略直交する断面の面積が前記胴部よりも小さいノズル先端部内に配置されることで、超音波振動が板状部材に反射して起こる超音波反射はノズル先端部において減衰させられる。このため、超音波反射による超音波振動子の素子破壊を防止することができる。また、板状部材を超音波ノズルの本体の外側で、かつ吐出口の近傍に配置してもよい。このように板状部材を配置しても超音波反射波は直接に超音波振動子に伝播することはないので上記と同様な効果を得ることができる。 In addition, the main body has a barrel portion, a nozzle tip portion having a cross-sectional area substantially orthogonal to the discharge direction, and a nozzle tip portion provided with the discharge port at the tip thereof, the nozzle tip portion, The plate member may be disposed in the nozzle tip so as to include a communication part that communicates with the drum and guides the processing liquid in the drum to the nozzle tip. By arranging the plate-like member in this way, the amount of bubbles due to cavitation can be increased as described above, and the generated bubbles can be efficiently supplied to the substrate. Furthermore, since the plate-like member is disposed in the nozzle tip portion having a cross-sectional area that is substantially orthogonal to the discharge direction, the ultrasonic reflection caused by the reflection of the ultrasonic vibration on the plate-like member is the nozzle. Damped at the tip. For this reason, the element destruction of the ultrasonic transducer | vibrator by ultrasonic reflection can be prevented. Further, the plate-like member may be disposed outside the main body of the ultrasonic nozzle and in the vicinity of the discharge port. Even if the plate-like member is arranged in this manner, the ultrasonic reflected wave does not propagate directly to the ultrasonic transducer, and therefore the same effect as described above can be obtained.
また、板状部材を処理液の吐出方向と略垂直に振動可能な振動板で構成するようにしてもよい。この場合、超音波振動波は振動板と作用することにより、振動板は処理液の吐出方向と略垂直に振動する。これにより、さらに効果的に処理液中にキャビテーションによる気泡を発生させて、キャビテーションによる気泡の量を増加させることができる。しかも振動板が振動することで超音波振動子からの超音波振動エネルギーが消耗され、基板に到達する振動エネルギーを減衰させることができる。その結果、基板上に形成された微細なパターンが破壊するのを防止することができる。ここで、本体に複数の開口が吐出口として設けられている超音波ノズルを使用すると、超音波は吐出口で散乱されてさらに基板に到達する振動エネルギーを減衰させることができる。このような複数の開口が設けられている吐出口としては、例えば、メッシュ形状あるいはスリット形状のものがある。 Further, the plate-like member may be constituted by a vibration plate that can vibrate substantially perpendicular to the discharge direction of the processing liquid. In this case, the ultrasonic vibration wave acts on the vibration plate, so that the vibration plate vibrates substantially perpendicularly to the discharge direction of the processing liquid. Thereby, bubbles due to cavitation can be generated more effectively in the processing liquid, and the amount of bubbles due to cavitation can be increased. Moreover, when the diaphragm vibrates, the ultrasonic vibration energy from the ultrasonic vibrator is consumed, and the vibration energy reaching the substrate can be attenuated. As a result, the fine pattern formed on the substrate can be prevented from being destroyed. Here, when an ultrasonic nozzle in which a plurality of openings are provided as discharge ports in the main body is used, the ultrasonic energy can be further attenuated by being scattered at the discharge port and reaching the substrate. Examples of the discharge port provided with such a plurality of openings include a mesh shape or a slit shape.
また、本発明において用いられる処理液としては、処理液中にキャビテーションを効率的に発生させる観点から、処理用の純水に窒素を5ppm以上溶解させる、望ましくは10ppm以上で飽和溶解濃度までの範囲(常温常圧では最大約20ppm)に設定するのがよい。もしくは、純水に薬液を50ppm以上溶解させて処理を行うことが好ましい。例えば、SC1(Standard Clean 1)溶液として、アンモニア(NH4OH):過酸化水素水(H2O2):水(H2O)を1:1:200で用いるとよい。 In addition, as a treatment liquid used in the present invention, from the viewpoint of efficiently generating cavitation in the treatment liquid, 5 ppm or more of nitrogen is dissolved in the pure water for treatment, preferably in a range from 10 ppm or more to a saturated solution concentration. (Maximum about 20 ppm at room temperature and normal pressure) should be set. Alternatively, it is preferable to perform the treatment by dissolving 50 ppm or more of the chemical in pure water. For example, ammonia (NH 4 OH): hydrogen peroxide solution (H 2 O 2 ): water (H 2 O) may be used at 1: 1: 200 as the SC1 (Standard Clean 1) solution.
また、超音波を用いてさらに洗浄効果を高めるためには、上記した処理液を用いて超音波処理を行う前にエッチング作用のある薬液を用いた薬液処理を行うとよい。もしくは、上記した処理液に代えてエッチング作用のある薬液を用いて超音波処理を行ってもよい。ここで、処理液としてエッチング作用のある薬液を用いる場合は、超音波ノズルの本体および板状部材は前記薬液に対して耐薬品性を有する材料で形成する必要がある。なお、エッチング作用のある薬液としては、SC1(NH4OH/H2O2/H2O)、希フッ酸、HF/HCl等がある。これにより、基板とパーティクル等の微小な異物との付着力を弱めることができ、パーティクル等の除去を容易にすることができる。 In order to further enhance the cleaning effect using ultrasonic waves, chemical treatment using a chemical solution having an etching action may be performed before ultrasonic treatment using the above-described treatment liquid. Alternatively, ultrasonic treatment may be performed using a chemical solution having an etching action instead of the above treatment solution. Here, when a chemical solution having an etching action is used as the processing solution, the main body and the plate-like member of the ultrasonic nozzle must be formed of a material having chemical resistance against the chemical solution. Note that chemicals having an etching action include SC1 (NH 4 OH / H 2 O 2 / H 2 O), dilute hydrofluoric acid, HF / HCl, and the like. Thereby, the adhesive force between the substrate and minute foreign matters such as particles can be weakened, and the removal of particles and the like can be facilitated.
このように、エッチング作用のある薬液を併用することによって高いパーティクル除去性能を得ることができるので、超音波振動子の発振出力を低減することができる。換言すれば、より低い発振出力で、エッチング作用のある薬液を併用しない場合のパーティクル除去効率と同等の結果を得ることができる。そのため、基板上に形成された微細なパターンが破壊するのを防止することができる。 Thus, since the high particle removal performance can be obtained by using the chemical solution having an etching action in combination, the oscillation output of the ultrasonic vibrator can be reduced. In other words, it is possible to obtain a result equivalent to the particle removal efficiency when a chemical solution having an etching action is not used together with a lower oscillation output. Therefore, the fine pattern formed on the substrate can be prevented from being destroyed.
また、本発明にかかる基板処理装置は、請求項1ないし7のいずれかに記載の超音波ノズルを備えることにより、基板へのダメージを低減しつつ、基板にキャビテーションによる気泡を多量に含む処理液を供給することができる。これにより、基板上に形成された微細なパターンが破壊するのを防止しながらも、パーティクル等の除去効率を高めることができる。
Further, a substrate processing apparatus according to the present invention includes the ultrasonic nozzle according to any one of
以上のように本発明によれば、超音波ノズルに板状部材を配置しているので超音波振動子の発振出力を上げることなく、処理液中に発生するキャビテーションによる気泡の量を増加させることができる。しかも、板状部材を処理液の吐出方向と略平行に配置しているため、発生した気泡を効率的に基板表面に吐出することができる。従って、基板上に形成された微細なパターンへのダメージを低減しつつ、キャビテーションによる気泡を多量に含む処理液を基板に供給することができる。 As described above, according to the present invention, since the plate-like member is arranged in the ultrasonic nozzle, the amount of bubbles due to cavitation generated in the processing liquid can be increased without increasing the oscillation output of the ultrasonic vibrator. Can do. In addition, since the plate-like member is disposed substantially parallel to the discharge direction of the processing liquid, the generated bubbles can be efficiently discharged onto the substrate surface. Therefore, it is possible to supply a treatment liquid containing a large amount of bubbles due to cavitation to the substrate while reducing damage to a fine pattern formed on the substrate.
<基板処理装置の全体構成>
図1は、本発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ(より具体的にはシリコンウエハ)である基板Wに対する洗浄処理を行う枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置は、主として、基板Wを保持して回転するスピンベース10と、超音波振動を付与したアルカリ性処理液をスピンベース10上に保持された基板Wに供給するアルカリ性処理液用の超音波ノズル68と、酸性処理液をスピンベース10上に保持された基板Wに供給する酸性処理液用の超音波ノズル78と、純水をスピンベース上に保持された基板Wに供給する純水ノズル36と、使用後の処理液(アルカリ性処理液、酸性処理液、純水など)等を廃棄または回収する排液槽等を構成する受け部材26と、スピンベース10上に保持されて回転する基板Wから振り切られた処理液を受けるためのスプラッシュガード50と、装置全体の動作をコントロールする制御部90とを備えている。
<Overall configuration of substrate processing apparatus>
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus is a single wafer processing apparatus that performs a cleaning process on a substrate W that is a semiconductor wafer (more specifically, a silicon wafer). The substrate processing apparatus mainly includes an ultrasonic for a
スピンベース10は中心部に開口を有する円板状の部材であって、その上面には円形の基板Wの周縁部を把持するための複数個のチャックピン14が立設されている。チャックピン14は、円形の基板Wを確実に保持するために3個以上(例えば、6個)設けてあればよく、スピンベース10の周縁部に沿って等角度間隔(例えば、60°間隔)で配置されている。チャックピン14のそれぞれは、基板Wの周縁部を下方から支持する基板支持部14aと、基板支持部14aに支持された基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する基板保持部14bとを備えている。各チャックピン14は、基板保持部14bが基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部14bが基板Wの外周端面から離れる開放状態との間を切り替え可能に構成されている。
The
スピンベース10に対する基板Wの受け渡し時には、複数個のチャックピン14を解放状態とし、基板Wに対する諸処理を行う時には、複数個のチャックピン14を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン14は基板Wの周縁部を把持してその基板Wをスピンベース10から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。基板Wは、その表面(電子回路パターンの形成面)WS1を上面側に向け、裏面WS2を下面側に向けた状態で保持される。
When the substrate W is delivered to the
スピンベース10の中心部下面側には、回転軸11が垂設されている。回転軸11は中空の円筒状部材であって、その内側の中空部分には裏面(WS2)処理液ノズル15が挿設されている。回転軸11の下端付近には、ベルト駆動機構21を介して電動モータ20が連動連結されている。すなわち、回転軸11の外周に固設された従動プーリ21aと電動モータ20の回転軸に連結された主動プーリ21bとの間にベルト21cが巻き掛けられている。電動モータ20を駆動することにより、その駆動力をベルト駆動機構21を介して回転軸11に伝達し、回転軸11、スピンベース10とともにチャックピン14に保持された基板Wを水平面内にて鉛直方向に沿った回転軸Jを中心として回転させることができる。以上の回転軸11、ベルト駆動機構21、電動モータ20等は、ベース部材24上に設けられた有蓋円筒状のケーシング25内に収容されている。
On the lower surface side of the center portion of the
裏面処理液ノズル15は回転軸11を貫通しており、その先端部15aはスピンベース10上に保持された基板Wの中心部直下に位置し、基板Wの裏面WS2の中心部付近にアルカリ性処理液(ここでは、希アンモニア水)、酸性処理液(ここでは、希塩酸)、および純水を選択的に切り換えて吐出し、供給することができる。また、回転軸11の中空部分の内壁と裏面処理液ノズル15の外壁との間の隙間は、気体供給路19となっている。この気体供給路19の先端部19aは環状開口となっており、基板Wの裏面WS2中心部に向けて不活性ガス(ここでは窒素ガス)を供給することができる。
The back surface
スピンベース10上に保持された基板Wの上部には、アルカリ性処理液用の超音波ノズル68が配置されており、基板Wの表面WS1に希アンモニア水を供給することができるようになっている。アルカリ性処理液用の超音波ノズル68は、凸字に屈曲したリンク部材66を介してノズル移動機構65と連結されている。ノズル移動機構65は、鉛直方向に沿った回転軸を有する電動モータ65aを備えており、その回転軸の周りにリンク部材66およびリンク部材66に接続されたアルカリ性処理液用の超音波ノズル68を回転させることができる。これにより、アルカリ性処理液用の超音波ノズル68は、スピンベース10に保持された基板Wの表面WS1に対向する対向位置と、対向位置から側方にスプラッシュガード50の外側まで退避した退避位置との間を、回転運動により移動することができる。また、対向位置においても、アルカリ性処理液用の超音波ノズル68はスピンベース10に保持された基板Wの表面WS1の中心部から周縁部に至る各部に対向することができる。さらに、ノズル移動機構65はノズル昇降機構69に接続されており、ノズル移動機構65とともにアルカリ性処理液用の超音波ノズル68を昇降できる構成となっている。これにより、スプラッシュガード50を回避して、アルカリ性処理液用の超音波ノズル68を退避位置と対向位置との間で移動させることができる。
An
また、スピンベース10上に保持された基板Wの上部には、酸性処理液用の超音波ノズル78が配置されており、基板Wの表面WS1に希塩酸を供給することができるようになっている。なお、酸性処理液用の超音波ノズル78周辺の構成は、アルカリ性処理液用の超音波ノズル68周辺の構成と同様であり、説明を省略する。上記した2種の超音波ノズル68、78の構成及び作用については後で詳述する。
In addition, an
スピンベース10上に保持された基板Wの上方には、円盤状の雰囲気遮断板30と、雰囲気遮断板30の上面中央部に垂設された環状の回転軸35と、回転軸35の内部に挿通された純水ノズル36とが、一体として昇降可能に配置されている。
Above the substrate W held on the
雰囲気遮断板30の中心部には、回転軸35の内径にほぼ等しい開口が設けられており、回転軸35の内側の中空部分には純水ノズル36が挿設されている。純水ノズル36は、回転軸35を貫通しており、その先端部36aはスピンベース10上に保持された基板Wの中心部直上に位置し、基板Wの表面WS1の中心部に向けて純水を供給することができる。また、回転軸35の中空部分の内壁および雰囲気遮断板30の中心の開口の内壁と純水ノズル36の外壁との間の隙間は、気体供給路45となっている。この気体供給路45の先端部45aは環状開口となっており、基板Wの表面WS1の中心部に向けて窒素ガスを供給することができる。
An opening substantially equal to the inner diameter of the
回転軸35は、支持アーム40にベアリングを介して回転自在に支持されているとともに、ベルト駆動機構41を介して、支持アーム40に取り付けられた電動モータ42に連結されている。すなわち、回転軸35の外周に固設された従動プーリ41aと電動モータ42の回転軸に連結された主動プーリ41bとの間にベルト41cが巻き掛けられている。電動モータ42を駆動することにより、その駆動力をベルト駆動機構41を介して回転軸35に伝達し、回転軸35および雰囲気遮断板30を水平面内にて鉛直方向に沿った回転軸Jを中心として回転させることができる。雰囲気遮断板30は基板Wとほぼ同じ回転数にて回転する。なお、ベルト駆動機構41は支持アーム40内に収容されている。
The
さらに、支持アーム40はアーム昇降機構49に接続され、昇降可能となっている。アーム昇降機構としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やエアシリンダを用いた機構等、種々の公知の機構を採用することができる。アーム昇降機構49は、支持アームを昇降させることによって、それに連結された回転軸35および雰囲気遮断板30を昇降させることができ、雰囲気遮断板30を、スピンベース上に保持された基板Wの表面WS1に近接する位置と、基板Wの上方に離間して退避した位置との間で移動させることができる。図1では、雰囲気遮断板30は退避した位置にある。
Further, the support arm 40 is connected to an
ベース部材24上のケーシング25の周囲には受け部材26が固定的に取り付けられている。受け部材26には、円筒状の仕切部材27a,27bが立設されている。ケーシング25および仕切部材27aを側壁として、第1排液槽28が形成されており、仕切部材27aおよび仕切部材27bを側壁として、第2排液槽29が形成されている。第1排液槽28の底部にはV溝が形成されており、V溝中央部の一部には廃棄ドレイン28bに連通接続された排出口28aが設けられている。第1排液槽28の排出口28aからは使用済みの純水および気体を廃棄ドレイン28bへ排出し、気液分離後、それぞれ所定の手続きに従って廃棄することができる。一方、第2排液槽29の底部にはV溝が形成されており、V溝中央部の一部には回収ドレイン29bに連通接続された排出口29aが設けられ
ている。第2排液槽29の排出口29aからは使用済みの薬液を回収ドレイン29bへ排出し、図外の回収タンクに回収することができる。
A receiving
スピンベース10およびそれに保持された基板Wの周囲を取り囲むように、筒状のスプラッシュガード50が配置されている。スプラッシュガード50の内面上部には、断面くの字形で内方に開いた溝状の第1案内部51が形成されている。また、スプラッシュガード50の下部には、内方および下方に開いた断面4分の1円弧状の第2案内部52と、第2案内部52の内側に円環状の溝53が形成されている。スプラッシュガード50は、リンク部材56を介してガード昇降機構55と連結されており、ガード昇降機構55によって昇降自在とされている。ガード昇降機構55としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やエアシリンダを用いた機構など、種々の公知の機構を採用することができる。
A
ガード昇降機構55がスプラッシュガード50を下降させているときには、仕切部材27aが溝53に遊嵌するとともに、スピンベース10およびそれに保持された基板Wの周囲に第1案内部51が位置する。この状態はリンス処理時およびスピン乾燥時の状態であり、回転する基板W等から飛散した純水を第1案内部51によって受け止め、その傾斜に沿って第1排液槽28に流し込み、排出口28aから廃棄ドレイン28bへと排出できる状態となる。
When the
一方、ガード昇降機構55がスプラッシュガード50を上昇させているときには、仕切部材27aが溝53から離間するとともに、スピンベース10およびそれに保持された基板Wの周囲に第2案内部52が位置することとなる(図1の状態)。この状態はアルカリ性処理液または酸性処理液を用いた洗浄処理時の状態であり、回転する基板Wから飛散したアルカリ性処理液または酸性処理液を第2案内部52によって受け止め、その曲面に沿って第2排液槽29に流し込み、排出口29aから回収ドレイン29bへと排出できる状態となる。
On the other hand, when the
<超音波ノズルの第1実施形態>
次に、超音波ノズルの構成および作用について図2を参照しつつ詳述する。なお、アルカリ性処理液用の超音波ノズル68と酸性処理液用の超音波ノズル78の基本的な構成は同様であるので、ここでは、アルカリ性処理液用の超音波ノズル68のみについて説明する。
<First Embodiment of Ultrasonic Nozzle>
Next, the configuration and operation of the ultrasonic nozzle will be described in detail with reference to FIG. Since the basic configuration of the
図2(a)に本発明の第1実施形態に係る超音波ノズルの斜視図を、図2(b)に該超音波ノズルの縦断面図をそれぞれ示す。超音波ノズル68は、胴部681aと該胴部681aの下部に縦断面の形状が略V字形をなすノズル先端部681bとを有する有蓋円筒形状の本体681を備えている。この本体681は内部に処理液を充填可能な充填空間FSを有している。ノズル先端部681bには充填空間FS内に供給された処理液を基板Wの表面WS1に向けて吐出する吐出口683が設けられている。また、吐出口683の開口面積は、胴部681aの横断面(処理液の吐出方向と略直交する断面)の面積に比べて小さくなっている。そのため、ノズル先端部681bの横断面の面積は、上部(胴部681aの横断面)から下部(吐出口683の開口面)にかけて徐々に小さくなっている。胴部681aの側面には充填空間FSに処理液を供給する供給口682が設けられており、配管37を介してアルカリ性処理液の供給源(図示省略)と連通接続されている。したがって、この配管37を介して処理液が充填空間FSに供給されると、充填空間FSから吐出口683を介して基板Wに向かい、しかも吐出方向Pとほぼ平行な流路で処理液が流れる。
FIG. 2A shows a perspective view of the ultrasonic nozzle according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2B shows a longitudinal sectional view of the ultrasonic nozzle. The
また、本体681の内部には、吐出口683と対向して胴部681aの上壁面に超音波振動子684が固設されている。超音波振動子684には、ケーブル67が電気的に接続されており、ケーブル67は、超音波発振器(図示省略)に電気的に接続されている。超音波振動子684は、充填空間FS内の処理液に向けて超音波を発振することができ、該処理液に超音波を付与することができる。超音波振動子684の表面には、石英もしくは高純度SiC(炭化珪素)の薄板が貼り付けられている。なお、本体681は、耐薬品性の観点からPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)もしくは石英で形成されているが、胴部681aをPTFEとし、ノズル先端部681b(または吐出口683の周辺部のみ)を石英として組み合わせて構成してもよい。
In addition, an ultrasonic vibrator 684 is fixed inside the main body 681 on the upper wall surface of the body portion 681a so as to face the discharge port 683. A
そして、充填空間FS内には板状部材70が、処理液の吐出方向Pと略平行となるように配設されている。この板状部材70は、超音波振動子684からの振動波と作用することで処理液中にキャビテーションを引き起こして、処理液中に発生するキャビテーションによる気泡の量を増加させるために設けられている。板状部材70は、例えば処理液の流れを阻害しないよう微小径を有する固定用ロッド等により本体681内部に配設される。また、板状部材70を振動板(後述)で構成する場合には、振動板の振動を妨げないように配設する必要がある。なお、板状部材70についても、本体681と同様に耐薬品性を有する素材で形成することが望ましい。
A plate-
図2(b)に示すように、供給口682より充填空間FS内に供給された処理液は、超音波振動子684により超音波が付与される。これにより、処理液中にキャビテーションが引き起こされて、キャビテーションによる気泡が発生する。ここで、充填空間FS内に板状部材70が配設されていることで、板状部材70が超音波振動子684からの振動波と作用してさらなるキャビテーションを引き起こして気泡の発生を誘発する。そのため、超音波ノズル68内で発生するキャビテーションによる気泡の量を増加させることができる。また、板状部材70を超音波振動子684の近傍に配置することで振動エネルギーが直接的に板状部材70に伝播され、さらに効率良くキャビテーションによる気泡を発生させることができる。
As shown in FIG. 2B, the treatment liquid supplied into the filling space FS from the supply port 682 is given ultrasonic waves by the ultrasonic vibrator 684. Thereby, cavitation is caused in the processing liquid, and bubbles are generated by cavitation. Here, since the plate-
しかも、板状部材70は処理液の吐出方向Pと略平行に配置されているために、処理液の流れを阻止することなく処理液は効率的に吐出口683より吐出される。すなわち、処理液中に発生したキャビテーションによる気泡をほとんど消滅させることなく速やかに基板Wの表面WS1に供給することが可能となる。従って、キャビテーションによる気泡を多量に含んだ処理液を基板Wの表面WS1に供給することができる。
In addition, since the plate-
以上説明したように、この第1実施形態によれば、板状部材70を超音波ノズル68内に配設することで超音波振動子684の発振出力を上げることなく処理液中に発生するキャビテーションによる気泡の量を増加させることができる。しかも、板状部材70が処理液の吐出方向Pと略平行に配置されているために、発生した気泡をほとんど消滅させることなく速やかに基板表面に送り込むことができる。従って、キャビテーションによる気泡を多量に含んだ処理液を基板表面に供給することが可能となる。これにより、基板Wへのダメージを低減させつつ、パーティクル等の微小な異物の除去効率を高めることができる。
As described above, according to the first embodiment, cavitation generated in the processing liquid without increasing the oscillation output of the ultrasonic vibrator 684 by disposing the plate-
また、板状部材70を処理液の吐出方向Pと略垂直に振動可能な振動板で構成してもよい。この場合、超音波振動子684からの振動波は振動板と作用することにより、振動板は処理液の吐出方向Pと略垂直に振動する。これにより、さらに効率良く処理液中にキャビテーションによる気泡を発生させて、キャビテーションによる気泡の量を増加させることができる。しかも、振動板が振動することで超音波振動子684からの振動エネルギーが消耗され、基板Wに到達する振動エネルギーを減衰させることができる。その結果、さらに基板Wへのダメージが低減されて、基板W上に形成された微細なパターンが破壊するのを防止することができる。
Further, the plate-
<超音波ノズルの第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る超音波ノズルの構成および作用について図3を参照しつつ詳述する。図3(a)に本発明の第2実施形態に係る超音波ノズルの縦断面図を、図3(b)、(c)に該超音波ノズルを下方からみた吐出口の形状をそれぞれ示す。この第2実施形態が第1実施形態と異なる点は、超音波ノズル68が胴部681aとノズル先端部681bとを連通する連通部681cを有しており、該ノズル先端部681bの内部に板状部材70を配設した点である。従って、第1実施形態と同様な構成については同一符号を付して説明を省略し、相違する構成を中心に説明する。
<Second Embodiment of Ultrasonic Nozzle>
Next, the configuration and operation of the ultrasonic nozzle according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3A shows a longitudinal sectional view of the ultrasonic nozzle according to the second embodiment of the present invention, and FIGS. 3B and 3C show the shape of the discharge port when the ultrasonic nozzle is viewed from below. The second embodiment is different from the first embodiment in that the
図3(a)に示すように、ノズル先端部681bは、連通部681cの下部より処理液の吐出方向Pに流路が延長された円筒形状をしている。そして、ノズル先端部681bの先端には吐出口683が設けられており、吐出口683の開口面積は胴部681aの横断面(処理液の吐出方向Pと略直交する断面)の面積に比べて小さくなっている。そのため、連通部681cの横断面の面積は、上部(胴部681aの横断面)から下部(ノズル先端部681bの横断面、すなわち吐出口683の開口面)にかけて徐々に小さくなっている。以上のように構成された超音波ノズル68において、胴部681a内の処理液は連通部681cに導かれてノズル先端部681bの吐出口683より吐出される。
As shown in FIG. 3A, the nozzle tip portion 681b has a cylindrical shape in which the flow path is extended from the lower portion of the communication portion 681c in the treatment liquid discharge direction P. A discharge port 683 is provided at the tip of the nozzle tip portion 681b, and the opening area of the discharge port 683 is larger than the area of the cross section of the body portion 681a (cross section substantially perpendicular to the treatment liquid discharge direction P). It is getting smaller. For this reason, the area of the cross section of the communication portion 681c gradually decreases from the upper portion (the cross section of the body portion 681a) to the lower portion (the cross section of the nozzle tip portion 681b, that is, the opening surface of the discharge port 683). In the
板状部材70は、ノズル先端部681bの内部において、処理液の吐出方向Pと略平行に配置されている。板状部材70は、ノズル先端部681bの内壁に板状部材70の厚み分ほどに溝を切って当該溝に板状部材70を嵌挿させるなどして配置してもよいし、ノズル先端部681bと一体的に形成してもよい。図3(b)に示すように、板状部材70は、その横断面が十字状の形状をしており、処理液はこのノズル先端部681bの内壁と板状部材70に囲まれた領域(吐出口683)より吐出されることになる。なお、十字状の板状部材は、単なる平板を2枚組み合わせることで構成してもよいし、一体成型されたものを使用してもよい。また、ノズル先端部681bの内部に配置する板状部材70は、上述した十字形状(平板を2枚組み合わせた形状)に限られず、図3(c)に示すように、1枚の平板で構成してもよい。
The plate-
この第2実施形態によれば、上記第1実施形態と同様な効果が得られる。すなわち、板状部材70が、超音波振動子684からの振動波と作用してノズル先端部681bを流下する処理液中にさらなるキャビテーションを引き起こして気泡の発生を誘発する。そのため、超音波振動子684の発振出力を上げることなくキャビテーションによる気泡の量を増加させることができる。しかも、板状部材70は、処理液の吐出方向Pと略平行に配置されているために、上記流路に沿った処理液の流れは阻止されることなく超音波ノズル68内で発生したキャビテーションによる気泡は速やかに吐出口683より吐出されることで基板Wの表面WS1に供給される。従って、キャビテーションによる気泡を多量に含んだ処理液を基板表面に供給することが可能となる。
According to the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained. That is, the plate-
さらにこの第2実施形態においては、板状部材70がノズル先端部に配置されることで、超音波振動子684からの振動波が板状部材70に反射して起こる超音波反射は、ノズル先端部681b内で減衰されることになる。すなわち、板状部材70からの反射波は、直接に超音波振動子684に伝播することがないため、超音波反射による超音波振動子684の素子破壊を防止することができる。
Further, in the second embodiment, since the plate-
なお、この第2実施形態においても、板状部材70を処理液の吐出方向Pと略垂直に振動可能な振動板で構成してもよい。このように構成することで、効率良く処理液中にキャビテーションによる気泡を発生させることができるとともに、基板Wに到達する振動エネルギーを減衰させることができる。その結果、基板W上に形成された微細なパターンが破壊するのを防止することができる。
In the second embodiment as well, the plate-
<超音波ノズルの第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る超音波ノズル68の構成および作用について図4を参照しつつ詳述する。図4(a)に本発明の第3実施形態に係る超音波ノズルの正面図を、図4(b)に該超音波ノズルの側面図をそれぞれ示す。超音波ノズルの第3実施形態が第1実施形態と異なる点は、板状部材70が超音波ノズル68の本体681の外側であって、吐出口683の近傍に配設されている点である。従って、第1実施形態と同様な構成については同一符号を付して説明を省略し、相違する構成を中心に説明する。
<Third Embodiment of Ultrasonic Nozzle>
Next, the configuration and operation of the
この第3実施形態によれば、板状部材70は、本体681の外側で吐出口683の近傍に、基板Wに向けて流れる処理液の吐出方向Pと略平行に取り付けられている。そのため、処理液は吐出口683から板状部材70に沿って平行に吐出されることになる。ここで、板状部材70は超音波振動子684からの振動波と作用して吐出口683より吐出される処理液中にさらなるキャビテーションを引き起こして気泡の発生を誘発する。そのため、超音波振動子684の発振出力を上げることなくキャビテーションによる気泡の量を増加させることができる。しかも、板状部材70は処理液の吐出方向Pと略平行に配置されているために、処理液の流れは阻止されることなく超音波ノズル68から吐出されるキャビテーションによる気泡は速やかに基板Wの表面WS1に運ばれる。従って、キャビテーションによる気泡を多量に含んだ処理液を基板表面に供給することが可能となる。
According to the third embodiment, the plate-
さらにこの第3実施形態においては、板状部材70が超音波ノズル68の本体681外部に配設されることで、超音波振動子684からの振動波が板状部材70に反射して起こる超音波反射が直接に超音波振動子684に伝播することはない。これにより、超音波振動子684による素子破壊を防止することができる。
Further, in the third embodiment, the plate-
なお、この第3実施形態においても、板状部材70を処理液の吐出方向Pと略垂直に振動可能な振動板で構成してもよい。このように構成することで、効率良く処理液中にキャビテーションによる気泡を発生させることができるとともに、基板Wに到達する振動エネルギーを減衰させることができる。その結果、基板W上に形成された微細なパターンが破壊するのを防止することができる。
Also in the third embodiment, the plate-
<その他>
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態ではいずれも吐出口683の開口を1つとしているが、吐出口683の形状として処理液を通過させる複数の開口を備えた形状としてもよい。このような吐出口683の形状として、図5(a)に示すメッシュ形状、あるいは図5(b)に示すスリット形状を採用すると、超音波が開口部分で散乱されて基板Wに到達する振動エネルギーを減衰させることができる。これにより、さらに基板Wの受けるダメージを低減することができる。
<Others>
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in each of the above-described embodiments, the discharge port 683 has one opening, but the discharge port 683 may have a shape having a plurality of openings through which the processing liquid passes. If the mesh shape shown in FIG. 5A or the slit shape shown in FIG. 5B is adopted as the shape of the discharge port 683, vibration energy that is scattered at the opening and reaches the substrate W is obtained. Can be attenuated. Thereby, the damage which the board | substrate W receives can be reduced further.
また、上記実施形態において配置される板状部材70の数、形状、大きさ等は、本発明にかかる作用効果を奏する限りにおいては任意である。すなわち、処理液中にキャビテーションを引き起こすことによりキャビテーションによる気泡の量を増加させて、処理液の流れを阻止することなく効率的に発生した気泡を基板表面に到達させることができるものであればよい。
Further, the number, shape, size, and the like of the plate-
超音波を付与した処理液を、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの被処理体の表面に吐出させて基板処理を施す基板処理装置、特に基板洗浄装置に適用することができる。 Substrate processing in which a processing liquid to which ultrasonic waves are applied is discharged onto the surface of an object to be processed such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for liquid crystal display, a glass substrate for plasma display, a substrate for optical disk, etc. The present invention can be applied to an apparatus, particularly a substrate cleaning apparatus.
68…アルカリ性処理液用の超音波ノズル
681…本体
681a…胴部
681b…ノズル先端部
681c…連通部
683…吐出口
684…超音波振動子
70…板状部材
78…酸性処理液用の超音波ノズル
FS…充填空間
P…吐出方向
68 ... Ultrasonic nozzle for alkaline processing liquid 681 ... Main body 681a ... Body portion 681b ... Nozzle tip portion 681c ... Communication portion 683 ... Discharge port 684 ...
Claims (8)
その内部に前記処理液を充填可能な充填空間と、前記基板に向けて開口された吐出口とを有し、前記充填空間内の処理液を前記吐出口から吐出可能となっている本体と、
前記充填空間内の処理液に超音波を付与する超音波振動子と、
前記基板に向けて流れる前記処理液の流路内で前記処理液の吐出方向と略平行に配置された板状部材と
を備えたことを特徴とする超音波ノズル。 In the ultrasonic nozzle that discharges the processing liquid to which the ultrasonic vibration is applied to the substrate,
A main body having a filling space capable of filling the processing liquid therein and a discharge port opened toward the substrate, and capable of discharging the processing liquid in the filling space from the discharge port;
An ultrasonic transducer for applying ultrasonic waves to the treatment liquid in the filling space;
An ultrasonic nozzle, comprising: a plate-like member disposed substantially parallel to a discharge direction of the processing liquid in a flow path of the processing liquid flowing toward the substrate.
前記板状部材は前記ノズル先端部内に配置されている請求項1記載の超音波ノズル。 The main body has a body portion, a nozzle tip portion having a cross-sectional area substantially perpendicular to the discharge direction and smaller than the body portion, and the discharge port provided at the tip thereof, and the nozzle tip portion and the body portion. And a communication part that guides the processing liquid in the body part to the nozzle tip part,
The ultrasonic nozzle according to claim 1, wherein the plate-like member is disposed in the nozzle tip.
前記本体および前記板状部材は前記薬液に対して耐薬品性を有する材料で形成されている超音波ノズル。 The ultrasonic nozzle according to claim 1, wherein a chemical liquid having an etching action is discharged onto the substrate as the processing liquid.
The ultrasonic nozzle in which the main body and the plate-like member are formed of a material having chemical resistance against the chemical solution.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003393388A JP2005158913A (en) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | Ultrasonic nozzle and substrate treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003393388A JP2005158913A (en) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | Ultrasonic nozzle and substrate treatment apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005158913A true JP2005158913A (en) | 2005-06-16 |
Family
ID=34719761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003393388A Withdrawn JP2005158913A (en) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | Ultrasonic nozzle and substrate treatment apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005158913A (en) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141281A (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing equipment, method for processing substrate, and storage medium |
JP2009141280A (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing equipment, method for processing substrate, and storage medium |
JP2011254107A (en) * | 2011-09-08 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and memory medium |
JP2012043830A (en) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Fujitsu Ltd | Cleaning device and cleaning method |
JP2012119722A (en) * | 2012-02-13 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2014017466A (en) * | 2012-06-13 | 2014-01-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR101457344B1 (en) * | 2013-07-04 | 2014-11-03 | 주식회사 노아닉스 | Multi-use coating apparatus |
KR101457982B1 (en) | 2013-07-04 | 2014-11-07 | 주식회사 노아닉스 | Automatic blood collection tube coating system |
CN105540736A (en) * | 2015-12-30 | 2016-05-04 | 陕西师范大学 | Impinging stream water power acoustic cavitationloop reactor |
-
2003
- 2003-11-25 JP JP2003393388A patent/JP2005158913A/en not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141281A (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing equipment, method for processing substrate, and storage medium |
JP2009141280A (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing equipment, method for processing substrate, and storage medium |
JP2012043830A (en) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Fujitsu Ltd | Cleaning device and cleaning method |
JP2011254107A (en) * | 2011-09-08 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and memory medium |
JP2012119722A (en) * | 2012-02-13 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus |
JP2014017466A (en) * | 2012-06-13 | 2014-01-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US9815093B2 (en) | 2012-06-13 | 2017-11-14 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR101457344B1 (en) * | 2013-07-04 | 2014-11-03 | 주식회사 노아닉스 | Multi-use coating apparatus |
KR101457982B1 (en) | 2013-07-04 | 2014-11-07 | 주식회사 노아닉스 | Automatic blood collection tube coating system |
CN105540736A (en) * | 2015-12-30 | 2016-05-04 | 陕西师范大学 | Impinging stream water power acoustic cavitationloop reactor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1801851B1 (en) | Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces | |
US20010032657A1 (en) | Megasonic treatment apparatus | |
JP5449953B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5974009B2 (en) | Improved ultrasonic cleaning method and apparatus | |
JP2009071272A (en) | Substrate cleaning device, and substrate cleaning method | |
JP2010027816A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2005158913A (en) | Ultrasonic nozzle and substrate treatment apparatus | |
JP4407944B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP4180306B2 (en) | Wet processing nozzle and wet processing apparatus | |
US7380560B2 (en) | Wafer cleaning apparatus with probe cleaning and methods of using the same | |
JP4559226B2 (en) | Method and apparatus for drying a semiconductor wafer surface using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surface | |
JP2004172573A (en) | Processing apparatus for substrate and processing method for substrate | |
JP2005203403A (en) | Substrate treatment device | |
JP4957277B2 (en) | Cleaning device and cleaning method | |
JP3927936B2 (en) | Single wafer cleaning method and cleaning apparatus | |
JP2011121009A (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
TWI528436B (en) | Acoustic energy system, method and apparatus for processing flat articles | |
JP5245701B2 (en) | Ultrasonic irradiation device, cleaning device and cleaning method | |
JP5169264B2 (en) | Cleaning device | |
TWI293479B (en) | ||
WO2022210088A1 (en) | Substrate-processing apparatus and substrate-processing method | |
JP2004079767A (en) | Substrate washing apparatus and method therefor | |
JP2003158110A (en) | Wet treatment nozzle and device thereof | |
KR20230135714A (en) | Apparatus for cleansing wafer | |
KR20040003714A (en) | Apparatus for cleaning a wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070206 |