JP2005016994A

JP2005016994A - Inspection condition evaluation program and inspection apparatus

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Publication number: JP2005016994A
Application number: JP2003178877A
Authority: JP
Inventors: Yohei Asakawa; 洋平浅川; Makoto Ono; 眞小野
Original assignee: Hitachi High Technologies Corp; Hitachi Ltd; Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2003-06-24
Filing date: 2003-06-24
Publication date: 2005-01-20
Anticipated expiration: 2023-06-24
Also published as: JP4248319B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To use an inspection apparatus for improving yields by quickly evaluating whether inspection conditions of the inspection apparatus for detecting the coordinates of defects such as foreign matter and a pattern failure that a substrate has, are appropriate or not, and always maintaining the inspection conditions in an appropriate state. <P>SOLUTION: The coordinates of a group of defects detected by the inspection apparatus are input, the number of defects that the group of inputted defects has is calculated, the inside of a die that a substrate (wafer) has is divided into a plurality of regions, the number of regions, where no defects are detected, in the divided regions is calculated as the number of non-detected regions, a value obtained by dividing the number of non-detected regions by the number of divided regions is calculated as a non-detection region rate, and the non-detection region rate is compared with a threshold that is given in advance, thus evaluating whether the inspection conditions are appropriate or not. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は大規模集積回路などの微細な回路パターンを有する基板の検査方法に係わり，特に製造過程における基板の異物及びパターン異常を検査する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大規模集積回路（ＬＳＩ）の検査を一例として説明する。
【０００３】
ＬＳＩは、ホトマスクに形成されたパターンを成膜，リソグラフィ，及びエッチング処理により，半導体ウエハ上に転写する工程を繰り返すことにより製造する。ＬＳＩは一枚のウエハ（基板）上に数十から数百個形成され，個々のウエハに形成されるＬＳＩをダイと呼ぶ。ダイを分離し，樹脂で封止しＬＳＩのチップが形成される。ダイを分離するまでを前工程，それ以降を後工程と呼ぶ。前工程の途中で生じる回路パターンの異常や製造過程で生じる異物などの欠陥は、ＬＳＩの歩留まりに大きく影響を及ぼす。よって，ＬＳＩ前工程の製造工場では欠陥を早期に発見し対策するため，製造工程の途中に検査工程を設けている。
【０００４】
半導体ウエハのパターン上に存在する異物及びパターン異常を検査する装置として，半導体ウエハにレーザー光を照射し，その散乱光の強度の違いにより，異物を発見する異物検査装置がある。また半導体ウエハに可視光，紫外線や電子線を照射し画像を撮影し，隣接したダイの回路パターンの画像と比較し，異物やパターン異常を発見する外観検査装置がある。
【０００５】
一つのＬＳＩ内に様々な役割の回路を組み込んだシステムＬＳＩを検査する場合、それぞれの回路領域で最適な検査条件は異なるため，基板全体を同一の検査条件で検査する従来の検査装置の場合、適切に検査が行われていないことがあった。
【０００６】
かかる問題を解決する従来技術として、ＬＳＩ回路のレイアウトを記述した設計データより，自動で部分領域を抽出し，部分領域毎に適切な検査条件を適用するものがある（特許文献１）。
【０００７】
また、他の従来技術として，ダイ内を複数の領域に分け，それぞれの領域ごとに最適な感度を設定できるように，複数のセンサを搭載したものもある。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−３２３４５８号
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
これらの従来技術では、半導体ウエハ表面の膜厚が微妙に変更した場合には，すぐに対応することができず、さらに、検査条件の良否は最終製品を詳細に検査しなければ評価することができなかったので、短時間で検査条件の正確な評価をすることができなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ダイを複数の領域に分割し、その分割した領域のうち欠陥が検出されなかった領域のダイの全領域に占める割合を基に評価することにより、短時間で検査条件の評価を行えるようにするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図３は、適切な検査条件で検出した欠陥のチップ内の座標分布と適切な検査条件で検出した欠陥のチップ内の座標分布を示す図である。この図３を用いて検査条件の違いによる検出欠陥のダイ内分布の違いを説明する。
【００１２】
図中では，黒丸が欠陥である。図３（ａ）が不適切な検査条件で検査を行った場合の欠陥の分布である。一部の領域で欠陥が集中して検出されており，その他の領域では欠陥が検出されていない。それに対して，適切な検査条件の検査結果である図３（ｂ）では，検出された欠陥がほぼランダムな位置に分布している。
【００１３】
図３の欠陥分布の違いを定量化し，図３（ａ）のような分布を，図３（ｂ）のような分布から識別する方法をＬＳＩの製造工程で用いられる欠陥検査装置の検査条件の良否を判定するプログラムを搭載した検査装置を例にとり説明する。
【００１４】
図２は、本発明を適用した欠陥検査装置の基本構成図である。なお、本実施例では、欠陥検査装置に適用した場合について説明するが、異物検査装置の検査条件の評価にも適用することができる。
【００１５】
欠陥検査装置５０は，基板が有する欠陥のダイ内での座標を検出する欠陥検査ユニット５１と，欠陥検査ユニットの制御及び検査結果の２次記憶装置５５への格納を行う制御部５２と，欠陥検査装置の検査条件の良否を評価したり、その他のプログラムの演算を行う演算部５３と，演算部での演算に用いるプログラムやデータを一時的に格納する主記憶装置５４と，２次記憶装置５５と，ネットワークインターフェース５６と，キーボード５７と，マウス５８と，モニタ５９より構成される。
【００１６】
２次記憶装置５５には，欠陥検査ユニットから受信した検査結果やネットワークを介して受信した検査結果が記録された検査結果ファイル６０と、検査条件を検査結果から評価する検査条件評価プログラム６１と，検査結果毎の検査条件が記録された検査条件ファイル６２と、検査条件の評価に用いるしきい値が記録されたしきい値ファイル６３が格納されている。
【００１７】
図３（ａ）及び（ｂ）の欠陥分布に対応した検査結果ファイル６０を，図４の検査結果ファイル６０ａおよび図５の検査結果ファイル６０ｂに示す。検査結果ファイル６０には，欠陥ごとに欠陥番号とダイ内での欠陥座標が記されている。
【００１８】
次に，検査条件評価プログラム６１を説明する。
【００１９】
図１にこの検査条件評価プログラム６１のフローチャートを示す。なお、このプログラムはユーザの入力に応じて主記憶装置に読み込まれ、演算部によって実行される。
【００２０】
まずステップ１で，しきい値ファイル６３に記されたしきい値を主記憶装置５４に読み込む。しきい値はキーボード５７よりあらかじめ入力し，２次記憶装置５５の閾値ファイル６３に保存しておく。本実施例ではしきい値Ｓ１＝０．４５が記憶されている。
【００２１】
ステップ２で，検査結果ファイル６０ａから特定のダイの検査結果を主記憶装置に読み込む。
【００２２】
ステップ３でステップ２で読み込んだ特定のダイの検査結果からそのダイの総欠陥数を求める。
【００２３】
続いてステップ４で，ステップ３で求めたその総欠陥数を式１の変数Ｎに代入することにより、整数Ｒを算出する。本実施例ではＮ＝８２であるので、式１を満たすＲ＝９である。
【００２４】
【数１】

【００２５】
続いてステップ５でダイをＸ方向，Ｙ方向にＲ等分する。分割したのちの各領域での欠陥数を図６（Ａ）に示す。
【００２６】
ステップ６で欠陥数が０の領域数を求めて変数Ｌに代入する。本実施例では，Ｌ＝４２である。
【００２７】
ステップ７で（Ｌ／Ｒ^２）を求める。ステップ８で変数Ｓに（Ｌ／Ｒ^２）を入力する（割り当てる）。この場合には，Ｓ＝０．５１である。ステップ９で変数Ｓとしきい値の大小を比較する。Ｓ＝０．５１＞０．４５＝しきい値Ｓ１なので，ステップ１０でもモニタ５９にアラームを表示する。
【００２８】
同様に，正常に検査された図３（ｂ）の検査結果に対応した，欠陥座標データ６０ｂに対して，図１のプログラムを適用すると，Ｓ＝０．３５となる。この場合には，Ｓ＜しきい値Ｓ１なので，モニタ５９にアラームは表示しない。以上の処理によって，適切な検査条件での検査結果であるか否かを判定できる。
【００２９】
上述した実施形態では，不適切な検査条件を発見するプログラム６３のフローチャートとして，図１を用いたが，これに限定するものではない。また，本例ではアラームをモニタ５９に表示したが，電子メールで検査装置の管理者に通知してもよい。
【００３０】
図７は，プログラム６３の別のフローチャートの例である。
【００３１】
まず，ステップ２１で欠陥数を計算し変数Ｎに入力する。本実施例ではＮ＝８２である。続いてステップ２３で総欠陥数をＮに代入する。ステップ２４で，Ｎが数１を満たす整数Ｒを算出する。本実施例ではＲ＝９である。続いてステップ２４でダイをＸ方向，Ｙ方向にＲ等分する。ステップ２５で欠陥数が０の領域数を求めて変数Ｌに代入する。本実施例では，Ｌ＝４２である。続いて式２にＮ，Ｌ，Ｒを代入してステップ２７でニュートン法を用いて変数Ｘについて解く。
【００３２】
【数２】

【００３３】
この場合には，Ｘは０．４となる。同様な処理を図３（ｂ）の適切な条件による検査結果に対応したデータである図７に対して行うと，Ｘは−０．０７である。
【００３４】
図１のフローチャートのステップ４，５におけるダイの分割方法と，図７のフローチャートのステップ２４，２５におけるダイの分割方法としては，ダイの横縦の大きさをＸ，Ｙとするときに，式３を満たす正数ｍを求め，Ｘ×ｍを超える最小の整数で横方向に，Ｙ＊ｍを超える最小の整数で縦方向に，ダイを分割することも可能である。
【００３５】
【数３】

【００３６】
上述したプログラムの動作箇所は検査装置内に限らない。例えば，検査装置とネットワークで接続されたコンピュータ上で動作してもよい。
【００３７】
上述したプログラムによって、検査結果を分析することで，ダイ内で欠陥が検出されない領域を定量的な指標を用いて検査条件を評価することが可能となる。
【００３８】
ユーザは評価結果を参照し，不適切な検査条件を発見することが可能となるため，速やかに条件を修正することが可能となる。そのため，半導体製品の歩留りを低下させる致命な欠陥を速やかに発見できるため，歩留り向上に寄与する。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば，検査装置の不適切な検査条件を短時間に容易に発見することができ，検査条件を常に適切な状態に維持することができる。また，その結果，集積回路等の製造において，歩留りを低下させるような致命的な異物やパターン異常を確実に検査装置で検出することができ，検査装置を歩留り向上に役立てることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】検査条件プログラムのフローチャート示す図である。
【図２】本発明を適用した検査装置の基本構成図である。
【図３】欠陥のチップ内の座標分布の一例である。
【図４】ダイ座標系での欠陥の座標データの一例である。
【図５】ダイ座標系での欠陥の座標データの一例である。
【図６】ダイ内を領域分割した欠陥数の分布図の一例である。
【図７】検査条件評価プログラムのフローチャートを示す図である。
【符号の説明】
１…しきい値を入力するステップ，２…検査結果ファイルを入力するステップ，３…総欠陥数を算出するステップ，４…変数Ｒを算出するステップ，５…チップを分割するステップ，６…欠陥数０の領域数を算出するステップ，７…変数Ｓを算出するステップ，８…変数Ｓを出力するステップ，９…変数Ｓとしきい値の大小を比較するステップ，１０…モニタにアラームを出力するステップ，
２１…しきい値を入力するステップ，２２…検査結果ファイルを入力するステップ，２３…総欠陥数を算出するステップ，２４…変数Ｒを算出するステップ，２５…チップを分割するステップ，２６…欠陥数０の領域数を算出するステップ，２７…ニュートン法で変数Ｘを算出するステップ，２８…１−Ｘを出力するステップ，２９…１−Ｘとしきい値の大小を比較するステップ，３０…モニタにアラームを表示するステップ，
３１…不適切な検査条件でのチップ内の欠陥分布図，３２…適切な検査条件でのチップ内の欠陥分布図，３５…不適切な検査条件でのチップ内の欠陥数分布図，３６…適切な検査条件でのチップ内の欠陥数分布図，
５０…欠陥検査装置，５１…欠陥検査ユニット，５２…制御部，５３…演算部，５４…主記憶装置，５５…２次記憶装置，５６…ネットワークインターフェース，５７…キーボード，５８…マウス，５９…モニタ，６０…検査結果ファイル，６１…プログラム，６２…検査条件ファイル，６３…しきい値ファイル[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for inspecting a substrate having a fine circuit pattern such as a large-scale integrated circuit, and more particularly to a technique for inspecting a foreign substance and a pattern abnormality of a substrate in a manufacturing process.
[0002]
[Prior art]
An inspection of a large scale integrated circuit (LSI) will be described as an example.
[0003]
An LSI is manufactured by repeating a process of transferring a pattern formed on a photomask onto a semiconductor wafer by film formation, lithography, and etching. Several tens to several hundreds of LSIs are formed on a single wafer (substrate), and the LSI formed on each wafer is called a die. The die is separated and sealed with resin to form an LSI chip. The process until the die is separated is called the pre-process, and the subsequent process is called the post-process. Circuit pattern abnormalities that occur during the previous process and defects such as foreign matter that occur during the manufacturing process greatly affect the yield of LSIs. Therefore, an inspection process is provided in the middle of the manufacturing process in order to detect defects early and take measures at the manufacturing factory of the LSI pre-process.
[0004]
As a device for inspecting foreign matters and pattern abnormalities present on a pattern of a semiconductor wafer, there is a foreign matter inspection device for irradiating a semiconductor wafer with laser light and detecting the foreign matter by the difference in intensity of scattered light. In addition, there is an appearance inspection apparatus that irradiates a semiconductor wafer with visible light, ultraviolet light, or an electron beam, captures an image, and compares it with an image of a circuit pattern of an adjacent die to detect a foreign matter or a pattern abnormality.
[0005]
When inspecting a system LSI in which circuits of various roles are incorporated in one LSI, the optimum inspection conditions are different in each circuit area. Therefore, in the case of a conventional inspection apparatus that inspects the entire substrate under the same inspection conditions, In some cases, the examination was not performed properly.
[0006]
As a conventional technique for solving such a problem, there is a technique in which a partial area is automatically extracted from design data describing the layout of an LSI circuit and an appropriate inspection condition is applied to each partial area (Patent Document 1).
[0007]
As another conventional technique, there is a technique in which a die is divided into a plurality of areas and a plurality of sensors are mounted so that optimum sensitivity can be set for each area.
[0008]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-323458
[Problems to be solved by the invention]
In these conventional technologies, when the film thickness on the surface of the semiconductor wafer is changed slightly, it is not possible to respond immediately, and the quality of the inspection conditions can be evaluated unless the final product is inspected in detail. Since it was not possible, it was not possible to accurately evaluate the inspection conditions in a short time.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The present invention divides a die into a plurality of regions, and evaluates the inspection conditions in a short time by evaluating based on the ratio of the divided region to the total region of the die where no defect is detected. It is something that can be done.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 3 is a diagram showing a coordinate distribution in a chip of a defect detected under an appropriate inspection condition and a coordinate distribution in a chip of a defect detected under an appropriate inspection condition. Differences in the distribution of detected defects in the die due to differences in inspection conditions will be described with reference to FIG.
[0012]
In the figure, black circles are defects. FIG. 3A shows the distribution of defects when inspection is performed under inappropriate inspection conditions. Defects are concentrated and detected in some areas, and no defects are detected in other areas. On the other hand, in FIG. 3B, which is an inspection result under an appropriate inspection condition, the detected defects are distributed at almost random positions.
[0013]
The method of quantifying the difference in defect distribution in FIG. 3 and discriminating the distribution as shown in FIG. 3A from the distribution as shown in FIG. 3B is the inspection condition of the defect inspection apparatus used in the LSI manufacturing process. An example of an inspection apparatus equipped with a program for judging pass / fail will be described.
[0014]
FIG. 2 is a basic configuration diagram of a defect inspection apparatus to which the present invention is applied. In addition, although a present Example demonstrates the case where it applies to a defect inspection apparatus, it is applicable also to evaluation of the inspection conditions of a foreign material inspection apparatus.
[0015]
The defect inspection apparatus 50 includes a defect inspection unit 51 that detects the coordinates of defects of the substrate in the die, a control unit 52 that controls the defect inspection unit and stores the inspection results in the secondary storage device 55, An arithmetic unit 53 that evaluates pass / fail of the inspection conditions of the inspection device and performs other program operations, a main storage device 54 that temporarily stores programs and data used for operations in the arithmetic units, and a secondary storage device 55, a network interface 56, a keyboard 57, a mouse 58, and a monitor 59.
[0016]
In the secondary storage device 55, an inspection result file 60 in which inspection results received from the defect inspection unit and inspection results received via the network are recorded, an inspection condition evaluation program 61 for evaluating inspection conditions from the inspection results, An inspection condition file 62 in which inspection conditions for each inspection result are recorded and a threshold file 63 in which threshold values used for evaluation of the inspection conditions are recorded are stored.
[0017]
The inspection result file 60 corresponding to the defect distribution of FIGS. 3A and 3B is shown in the inspection result file 60a of FIG. 4 and the inspection result file 60b of FIG. In the inspection result file 60, the defect number and defect coordinates in the die are recorded for each defect.
[0018]
Next, the inspection condition evaluation program 61 will be described.
[0019]
FIG. 1 shows a flowchart of the inspection condition evaluation program 61. This program is read into the main storage device in response to a user input and executed by the arithmetic unit.
[0020]
First, in step 1, the threshold value written in the threshold file 63 is read into the main storage device 54. The threshold value is input in advance from the keyboard 57 and stored in the threshold file 63 of the secondary storage device 55. In this embodiment, the threshold value S1 = 0.45 is stored.
[0021]
In step 2, the inspection result of a specific die is read from the inspection result file 60a into the main storage device.
[0022]
In step 3, the total number of defects of the die is obtained from the inspection result of the specific die read in step 2.
[0023]
Subsequently, in step 4, the integer R is calculated by substituting the total number of defects obtained in step 3 for the variable N in equation (1). In this embodiment, since N = 82, R = 9 that satisfies Expression 1.
[0024]
[Expression 1]

[0025]
Subsequently, in step 5, the die is equally divided into X and Y directions. FIG. 6A shows the number of defects in each area after the division.
[0026]
In step 6, the number of areas where the number of defects is 0 is obtained and substituted into the variable L. In this embodiment, L = 42.
[0027]
In step 7, (L / R ² ) is obtained. In step 8, (L / R ² ) is input (assigned) to the variable S. In this case, S = 0.51. In step 9, the variable S is compared with the threshold value. Since S = 0.51> 0.45 = threshold value S1, an alarm is displayed on the monitor 59 even at step 10.
[0028]
Similarly, when the program of FIG. 1 is applied to the defect coordinate data 60b corresponding to the inspection result of FIG. 3B that has been normally inspected, S = 0.35. In this case, since S <threshold value S1, no alarm is displayed on the monitor 59. With the above processing, it can be determined whether or not the result is an inspection result under an appropriate inspection condition.
[0029]
In the above-described embodiment, FIG. 1 is used as the flowchart of the program 63 for finding an inappropriate inspection condition. However, the present invention is not limited to this. In this example, the alarm is displayed on the monitor 59, but the administrator of the inspection apparatus may be notified by e-mail.
[0030]
FIG. 7 is an example of another flowchart of the program 63.
[0031]
First, in step 21, the number of defects is calculated and input to a variable N. In this embodiment, N = 82. In step 23, the total number of defects is substituted for N. In step 24, an integer R in which N satisfies Equation 1 is calculated. In this embodiment, R = 9. Subsequently, in step 24, the die is equally divided into X and Y directions. In step 25, the number of areas where the number of defects is zero is obtained and substituted into the variable L. In this embodiment, L = 42. Subsequently, N, L, and R are substituted into Equation 2, and the variable X is solved at step 27 using Newton's method.
[0032]
[Expression 2]

[0033]
In this case, X is 0.4. When similar processing is performed on FIG. 7 which is data corresponding to the inspection result under the appropriate conditions in FIG. 3B, X is −0.07.
[0034]
The die dividing method in

steps

4 and 5 of the flowchart of FIG. 1 and the die dividing method in

steps

24 and 25 of the flowchart of FIG. 7 are expressed when the horizontal and vertical sizes of the die are X and Y, respectively. It is also possible to obtain a positive number m satisfying 3 and divide the die in the horizontal direction with the smallest integer exceeding X × m and in the longitudinal direction with the smallest integer exceeding Y * m.
[0035]
[Equation 3]

[0036]
The operation location of the above-described program is not limited to the inspection apparatus. For example, it may operate on a computer connected to the inspection apparatus via a network.
[0037]
By analyzing the inspection result by the above-described program, it is possible to evaluate the inspection condition using a quantitative index in an area where no defect is detected in the die.
[0038]
Since the user can find an inappropriate inspection condition by referring to the evaluation result, the condition can be corrected promptly. As a result, fatal defects that reduce the yield of semiconductor products can be quickly found, which contributes to improved yield.
[0039]
【The invention's effect】
According to the present invention, an inappropriate inspection condition of the inspection apparatus can be easily found in a short time, and the inspection condition can always be maintained in an appropriate state. As a result, in the manufacture of integrated circuits and the like, fatal foreign matters and pattern abnormalities that reduce the yield can be reliably detected by the inspection device, and the inspection device can be used to improve the yield.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a flowchart of an inspection condition program.
FIG. 2 is a basic configuration diagram of an inspection apparatus to which the present invention is applied.
FIG. 3 is an example of a coordinate distribution in a defective chip.
FIG. 4 is an example of defect coordinate data in a die coordinate system;
FIG. 5 is an example of defect coordinate data in a die coordinate system;
FIG. 6 is an example of a distribution diagram of the number of defects obtained by dividing a die.
FIG. 7 is a flowchart of an inspection condition evaluation program.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... The step which inputs a threshold value, 2 ... The step which inputs an inspection result file, 3 ... The step which calculates the total defect number, 4 ... The step which calculates the variable R, 5 ... The step which divides | segments a chip, 6 ... Defect Steps for calculating the number of areas of the

number

0, 7... Calculating the variable S, 8... Outputting the variable S, 9... Comparing the variable S with the threshold value, 10. Step,
21 ... Step for inputting threshold value, 22 ... Step for inputting inspection result file, 23 ... Step for calculating total number of defects, 24 ... Step for calculating variable R, 25 ... Step for dividing chip, 26 ... Defects A step of calculating the number of regions of

number

0, 27... Calculating a variable X by Newton's method, 28... Outputting 1-X, 29... Comparing 1-X with a threshold value, 30. The step of displaying an alarm on
31 ... Defect distribution map in the chip under an inappropriate inspection condition, 32 ... Defect distribution map in the chip under an appropriate inspection condition, 35 ... Defect distribution map in the chip under an inappropriate inspection condition, 36 ... Defect number distribution in the chip under appropriate inspection conditions,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 ... Defect inspection apparatus, 51 ... Defect inspection unit, 52 ... Control part, 53 ... Operation part, 54 ... Main memory, 55 ... Secondary storage, 56 ... Network interface, 57 ... Keyboard, 58 ... Mouse, 59 ... Monitor 60 ... Inspection result file 61 ... Program 62 ... Inspection condition file 63 ... Threshold file

Claims

A program for evaluating the quality of inspection conditions of an inspection apparatus for detecting coordinates in a die of foreign matter or defects possessed by a substrate,
The program is read into the main storage device and executed by the arithmetic device,
Reading out the coordinates in the die containing the foreign objects or defects detected by the inspection device to the main storage device;
Dividing the die into a plurality of regions based on the number of detected foreign matter in the die or the number of detected defects;
Obtaining the number of areas in which no defects are detected among the divided areas as the number of undetected areas;
Obtaining a value obtained by dividing the number of undetected areas by the number of the divided areas as an undetected area ratio;
An inspection result evaluation program characterized in that a step of evaluating and outputting the quality of the inspection condition based on the undetected area ratio is performed.

A program for evaluating the quality of inspection conditions of an inspection apparatus for detecting coordinates in a die of foreign matter or defects possessed by a substrate,
The program is read into the main storage device and executed by the arithmetic device,
Reading out the coordinates in the die containing the foreign objects or defects detected by the inspection device to the main storage device;
Dividing the die into a plurality of regions based on the number of detected foreign matter or the number of detected defects in the die;
Obtaining the number of areas in which no defect is detected among the divided areas as the number of undetected areas;
Obtaining a value obtained by dividing the number of undetected areas by the number of the divided areas as an undetected area ratio;
Calculating an overlooked area rate from the undetected area rate by assuming that all the defects are overlooked in some of the divided areas and assuming that the defects follow a Poisson distribution in the remaining areas;
An inspection result evaluation program characterized in that a step of evaluating and outputting the quality of inspection conditions based on the overlooked area rate is performed.

The step of dividing the die into a plurality of regions includes:
3. The inspection result evaluation program according to claim 1 or 2, wherein the inspection result evaluation program is a step of dividing the length and width of the die by a minimum integer exceeding the square root of the number of detected foreign substances or the number of detected defects in the die. .

The step of dividing the die into a plurality of regions includes:
Read the vertical and horizontal dimensions of the die into the main memory,
A value obtained by dividing the number of detected foreign matters or the number of detected defects in the die by the vertical size and the horizontal size of the die;
Find the square root of the divided value,
Divide the die vertically by the smallest integer that exceeds the square root multiplied by the vertical size of the die;
3. The inspection result evaluation program according to claim 1, wherein the die is divided in a horizontal direction by a minimum integer exceeding a value obtained by multiplying the square root by the horizontal size of the die.

In the inspection apparatus including the inspection unit, the control unit, the secondary storage device, the main storage device, the arithmetic unit, and the input unit,
The inspection result evaluation program according to any one of claims 1 to 4 is stored in a secondary storage device,
In response to user input, the program is sent to the main memory,
An inspection apparatus that is executed by the calculation unit.