JP2005011529A - Information recording device - Google Patents
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Abstract
Description
本願発明は光ディスク,光テープ,光カードなどの光学的情報記録装置及び情報再生装置に係り、特に高記録密度を目的とした情報記録装置及び情報再生装置に関する。 The present invention relates to an optical information recording apparatus and an information reproducing apparatus such as an optical disk, an optical tape, and an optical card, and more particularly to an information recording apparatus and an information reproducing apparatus aiming at high recording density.
光学的情報記録再生装置の記録高密度化の方法は、従来2次元的な記録媒体平面上の記録面密度を向上させることであった。しかし、装置の小型化からディスクなどの情報記録媒体の大きさは限定され、平面上での高密度化では限界が生じる。 A method for increasing the recording density of an optical information recording / reproducing apparatus has heretofore been to improve the recording surface density on a two-dimensional recording medium plane. However, the size of an information recording medium such as a disk is limited due to the miniaturization of the apparatus, and there is a limit in increasing the density on a plane.
そこで、さらに高密度化を達成させる方法として、深さ方向を含めた3次元記録再生方法が必須である。3次元記録再生では、公知例「特開昭59−127237号」に示すように、多層膜構造のディスクを設け、各層に光スポットを絞り込み、データの記録再生する手段がある。しかし、この公知例では、具体的ディスク構造,光学定数の規定、さらには、記録条件の設定方法は述べられておらず、信頼性のある記録が困難である。また、データの読みだし方法についても、受光光学系の構成が不明瞭であり、信頼性のある再生が困難である。 Therefore, a three-dimensional recording / reproducing method including the depth direction is essential as a method for achieving higher density. In the three-dimensional recording / reproduction, there is a means for recording / reproducing data by providing a disk having a multilayer film structure and narrowing a light spot in each layer as shown in a publicly known example "Japanese Patent Laid-Open No. 59-127237". However, in this known example, there is no description of a specific disk structure, definition of optical constants, and a method for setting recording conditions, and it is difficult to perform reliable recording. Further, regarding the data reading method, the configuration of the light receiving optical system is unclear, and it is difficult to perform reliable reproduction.
一方、公知例「特開昭60−202545号」,「特開昭60−202554号」では、各層に回折限界の光スポットを形成するためのディスク膜厚,焦点あわせの方法について述べている。しかし、前者については、明瞭な規定が与えられていない。また、後者については、焦点あわせの原理について述べているが、実際に目標の層に焦点を合わせるためのアクセス方法については述べられていない。さらに、ディスク作成法として、トラッキングのための案内溝を公知例では不可能としており、各層ごとにレーザ露光する方法を示しているが、この方法では、生産性がない。 On the other hand, known examples "Japanese Patent Laid-Open No. 60-202545" and "Japanese Patent Laid-Open No. 60-202554" describe a disc film thickness and a focusing method for forming a diffraction-limited light spot in each layer. However, there is no clear provision for the former. The latter describes the principle of focusing, but does not describe an access method for actually focusing on the target layer. Further, as a method for producing a disk, a known guide groove for tracking is not possible in the known example, and a method of laser exposure for each layer is shown, but this method has no productivity.
本発明の目的は、記録過程,再生過程において安定に記録再生できる光スポット絞り込み光学系,ディスク構造,光検出光学系を検討し、さらに、特に問題となる隣接層間のクロストークを抑制する符号化方式,クロストークキャンセル方式、さらに、3次元データフォーマット、それに伴うディスク作成方法,3次元アクセス方法を検討することである。 An object of the present invention is to study a light spot narrowing optical system, a disk structure, and a light detection optical system that can be stably recorded and reproduced in a recording process and a reproducing process, and further, encoding that suppresses crosstalk between adjacent layers, which is a problem in particular. This is to examine a method, a crosstalk cancellation method, a three-dimensional data format, a disk creation method associated therewith, and a three-dimensional access method.
上記課題を解決するために、
局所的な光照射によって、光学的性質が局所的に変化する記録膜層と、記録膜層の働きの補助として反射防止,多重反射,光吸収,記録膜層の光学的局所変化の転写,断熱,吸熱,発熱または補強を目的とした層、または層の重ねあわせである中間層膜を光学的に透明な基板の上に多層に積み重ねたディスクを有し、各層に絞り込まれた光スポット照射によって各層の局所的光学的性質を2次元的に(独立に)変化させることで、変調後のデータ“1”,“0”に対応した記録を行う。さらに、上記局所的光学的性質の変化を各層への光スポット照射によって反射光量(または透過光量)の変化として検出し、データを再生する3次元記録再生装置において、
1.ディスクの構造を、光学的に透明な基板の屈折率をNB、厚さをd0とする。さらに、中間層と記録膜層を一つの層として区ぎり、上層から順に1からN層割り当てる。各層間の距離は隣あう記録膜層k番目と(k−1)番目の膜厚中心間の距離dkで示す。また、任意のk番目の記録層と中間層の膜厚をdFk,dMkさらに屈折率の実数部をそれぞれ、NFk,NMkとする。また、各層の平面上での局所的光学的性質の変化の周期b[μm]とする。絞り込み光学系は、光源として、例えば波長λ[μm]の半導体レーザを用い、コリメートレンズによって、平行光に変換し、偏向ビームスプリッタを介して、絞り込みレンズに入射させる。ここで、絞り込みレンズの開口数をNAF,有効半径をa[mm],焦点距離をfF(≒a/NAF)とする。また、ディスクからの反射光は、絞りレンズを通り、ビームスプリッタによって受光用の像レンズに導かれる。像レンズの焦点付近に位置する光検出器によって、反射光量の変化を電気信号に変換する。像レンズの開口数をNAI,焦点距離をfI(≒a/NAI)とする。光検出器の受光面直径をDとした場合、k番目の層を目標層とし、焦点を合わせたときの目標層からの反射光は、像レンズの焦点位置に結像され、この焦平面上のスポット径Uk′は、
Uk′=λ/NAI=λ×(fI/a)
m;受光光学系の横倍率
次に、k番目の目標層から層間距離d離れた隣接層(k±1)番目の層からの焦平面でのスポット径U(k±1)′は、
U(k±1)′≒a×m2d/fI
=NAI・m2d
上式より光検出器の直径Dを、
D=Uk′=λ/NAIとし、
検出される他の層からの反射光量は、目標k層と他のj層の間の透過率δjk、及び反射率の比αjkとして
光検出器での、n層からの反射受光量をInとすると
To solve the above problem,
Recording film layer whose optical properties change locally due to local light irradiation, antireflection, multiple reflection, light absorption, transfer of optical local change of recording film layer, heat insulation , Heat absorption, heat generation, or a layer for the purpose of reinforcement, or an intermediate layer film, which is a superposition of layers, has a disk in which multiple layers are stacked on an optically transparent substrate. Recording corresponding to the modulated data “1” and “0” is performed by changing the local optical properties of each layer two-dimensionally (independently). Further, in the three-dimensional recording / reproducing apparatus for detecting the change in the local optical property as a change in the reflected light amount (or transmitted light amount) by light spot irradiation on each layer and reproducing the data,
1. In the disk structure, the refractive index of an optically transparent substrate is NB, and the thickness is d0. Further, the intermediate layer and the recording film layer are divided as one layer, and 1 to N layers are assigned in order from the upper layer. The distance between each layer is indicated by the distance dk between the adjacent recording film layers k-th and (k−1) -th film thickness. The film thicknesses of an arbitrary kth recording layer and intermediate layer are dFk and dMk, and the real part of the refractive index is NFk and NMk, respectively. Further, the period b [μm] of local optical property change on the plane of each layer is used. The aperture optical system uses, for example, a semiconductor laser having a wavelength of λ [μm] as a light source, is converted into parallel light by a collimator lens, and is incident on the aperture lens via a deflection beam splitter. Here, the numerical aperture of the aperture lens is NAF, the effective radius is a [mm], and the focal length is fF (≈a / NAF). The reflected light from the disk passes through the aperture lens and is guided to the light receiving image lens by the beam splitter. A change in the amount of reflected light is converted into an electrical signal by a photodetector located near the focal point of the image lens. The numerical aperture of the image lens is NAI, and the focal length is fI (≈a / NAI). When the diameter of the light receiving surface of the photodetector is D, the reflected light from the target layer when the kth layer is the target layer and focused is imaged at the focal position of the image lens. The spot diameter Uk ′ of
Uk ′ = λ / NAI = λ × (fI / a)
m: Lateral magnification of light receiving optical system Next, the spot diameter U (k ± 1) ′ on the focal plane from the adjacent layer (k ± 1) th layer separated from the kth target layer by the interlayer distance d is
U (k ± 1) ′ ≈a × m 2 d / fI
= NAI · m 2 d
From the above formula, the diameter D of the photodetector is
D = Uk ′ = λ / NAI,
The amount of reflected light from the other layers detected is the transmittance δjk between the target k layer and the other j layer, and the reflectance ratio αjk, and the amount of reflected light received from the n layer at the photodetector is In. Then
(数17)≒I(k−1)/Ik
=δ2(k−1),k×α(k−1),k×(D/U(k−1)′)2 (数17.5)
上式が成り立つように、ディスク構造,光学系を設定する。
2.さらに、2次元周期bの最小値bminを(λ/NAF)とし、2次元周期 bの最大値bmaxを(d×NAF)よりも小さくする。
(Equation 17) ≈I (k−1) / Ik
= Δ 2 (k−1), k × α (k−1), k × (D / U (k−1) ′) 2 (Equation 17.5)
The disc structure and optical system are set so that the above equation holds.
2. Further, the minimum value bmin of the two-dimensional period b is set to (λ / NAF), and the maximum value bmax of the two-dimensional period b is made smaller than (d × NAF).
さらに、図1に示す受光光学系において、記録再生を行う目標層面内と、光学的距離d[μm]離れた隣接層面内のそれぞれの光学的特性関数(OTF)H0(S),H1(S)を図4にそれぞれ、直線13,直線14で示す。
Further, in the light receiving optical system shown in FIG. 1, the respective optical characteristic functions (OTF) H0 (S), H1 (S) in the target layer surface where recording / reproduction is performed and in the adjacent layer surface separated by the optical distance d [μm]. ) Are shown in FIG. 4 by a
ただし、S:規格化空間周波数
ここで、層間距離dの値で焦点ずれが生じた場合の光学的特性関数H1(S)について、H1(S)=0となるSより、上記周期bの最大繰返しbmaxを規定する。このように、層面上の局所的光学的性質の変化の周期bとディスク構造、及び受光光学系の関係を規定することで、層間クロストークの成分を局所的光学的性質の変化の周期bよりも、長くする。
3.さらに、隣接層におけるスポット径(2d×NAF)の領域に含まれる局所的光学変化(マーク)の領域の総面積が常に一定値である符号を用いる。
4.さらに、
dk=dF(k−1)+dMk+dFk
≒dMk (数1)
かつ、中間層の実効的屈折率NMkを基板と同じ屈折率NBであるとする。多層ディスクのN層番目までの厚さdが
Where S: normalized spatial frequency Here, the optical characteristic function H1 (S) when defocus occurs at the value of the interlayer distance d, the maximum of the period b from S where H1 (S) = 0. Define the repetition bmax. In this way, by defining the relationship between the local optical property change period b on the layer surface, the disc structure, and the light receiving optical system, the interlayer crosstalk component can be determined from the local optical property change period b. Also make it longer.
3. Further, a code is used in which the total area of the local optical change (mark) region included in the spot diameter (2d × NAF) region in the adjacent layer is always a constant value.
4). further,
dk = dF (k−1) + dMk + dFk
≒ dMk (Equation 1)
In addition, the effective refractive index NMk of the intermediate layer is assumed to be the same refractive index NB as that of the substrate. The thickness d up to the Nth layer of the multi-layer disc is
であるディスク構造において、球面収差量W40について
W40=|(1/(8×NB))×((1/NB2)−1)×NAF4×Δd| (数3)
For the spherical aberration amount W40, W40 = | (1 / (8 × NB)) × ((1 / NB 2 ) −1) × NAF 4 × Δd | (Equation 3)
W40≦λ/4となるように、各層の中間層の厚さdk,総数Nを組み合わせる。なお、W40の右辺の絶対値の中は通常は負となる(NB≧1の場合)。
5.さらに、k番目の記録膜層1の光学定数は、透過率Tk,反射率Rk,吸収率Akとする。ここで、Tk+Rk+Ak=1の関係が成り立つ。記録によって、局所的光学的性質が変化した場合の光学定数には、以下、ダッシュ記号「′」で表わす。一般に、熱記録における、熱構造変化が生じるためには、必ずエネルギーしきい値Eth[nJ]が存在する。記録目標層に回折限界に絞り込まれた光スポットが線速度V[m/s]でディスク上を走査している。
The intermediate layer thickness dk and the total number N are combined so that W40 ≦ λ / 4. The absolute value on the right side of W40 is normally negative (when NB ≧ 1).
5. Further, the optical constants of the kth
変調後の2値化信号に対応して熱構造変化を局所的に生じさせるために、ディスクに入射する光強度P(記録パワー)[mW]、ここで、線速度Vと照射時間tが与えられた場合、各層の記録膜についての光強度密度しきい値Ith[mW/μm2]とする。 In order to locally generate a thermal structure change corresponding to the binarized signal after modulation, the light intensity P (recording power) [mW] incident on the disk, where the linear velocity V and the irradiation time t are given In this case, the light intensity density threshold Ith [mW / μm 2 ] for the recording film of each layer is set.
k層に焦点をあわせた場合でのk層での光強度密度Ikについて、スポット径はλ/NAFであるから、
Sk;k層に焦点をあわせた場合での1/e2スポット面積
Sk=π(0.5×λ/NAF)2
k層における光強度Pk[mW]は
Because the spot diameter is λ / NAF for the light intensity density Ik in the k layer when the k layer is focused,
Sk: 1 / e 2 spot area when focused on the k layer Sk = π (0.5 × λ / NAF) 2
The light intensity Pk [mW] in the k layer is
δkは、ディスク上の光入射面とk番目の記録層の間の透過率である。
δk is the transmittance between the light incident surface on the disk and the kth recording layer.
ただし、Tn;n層の透過率(n=0の時は1層までの透過率)
(数6)式より、k層で記録できるために必要な最小の記録パワーPminは、
Pmin≧Ikth×Sk/δk (数7)
また、k層に記録を行うため、k層に焦点を合わせた時の、j層での光強度密度Ijk[mW]は
However, Tn; transmittance of n layer (when n = 0, transmittance of one layer)
From Equation (6), the minimum recording power Pmin necessary for recording with the k layer is:
Pmin ≧ Ikth × Sk / δk (Expression 7)
In addition, since recording is performed on the k layer, the light intensity density Ijk [mW] at the j layer when focusing on the k layer is
である。 It is.
k層に記録を行う場合、j層を記録破壊しないため記録パワーの上限Pmaxは次式で与えられる。 When recording is performed on the k layer, the upper limit Pmax of the recording power is given by the following equation in order not to destroy the recording of the j layer.
Pmax=Ijth×Sjk/δj (数10)
Sjkは、k層に焦点を合わせた時の、j層での光スポット面積であり、
Pmax = Ijth × Sjk / δj (Equation 10)
Sjk is the light spot area in the j layer when focusing on the k layer,
dn;n層番目の膜厚
TANφ=a/fF≒NAF
(数6,7)(数9,10,11)式が同時に成り立つように絞り込み光学系,ディスク構造,記録条件を設定する。
6.各層の役割として、ユーザデータを記録再生する層と共に、ROM(Read Only Memory)層またはWOM(Write Once Memory)を設ける。
7.層データの管理層として、各層のデータ状態、例えば、データの有無,エラー管理,有効なデータ領域,書替え(オーバーライト)回数を随時、記録しておく。
8.項1において、交替層として、記録誤りを検出した層のかわりに情報を入れる。
9.項1において、ディスクの各層面内における管理フォーマットとして、セクタとトラックを設け、1→k→N層と上層から順に記録を行う。ただし、各層ではすべてのユーザセクタとトラックに情報を記録してから次の層に記録する。
10.N→k→1層と下層から順に記録を行う。ただし、各層ではすべてのユーザセクタとトラックに情報を記録してから次の層に記録する。
11.各層ではすべてのユーザセクタとトラックに情報を記録してから次の層に記録するが、記録する層の順番はランダムアクセスとする。
12.記録する層の順番はランダムアクセスとするが、ひとつの層においてある当該セクタ内にすべてデータ記録してから、次の層の当該セクタを埋めていき、すべての層の当該セクタを埋めてから、次のセクタのデータを記録する。
13.当該トラックにおいて、層方向にランダムアクセスを行う。この場合、セクタによる固定ブロック管理ではなく、可変長ブロックを適用する。
14.項1において、光スポット位置決め機構として、絞り込みレンズを層方向とディスク半径方向に駆動する2次元アクチゥエータ、または、絞り込みレンズを層方向だけに駆動する1次元アクチゥエータと絞り込みレンズに入射させる光束をディスク半径方向に偏向するガルバノミラーを組み合わせたものにおいて、レイヤー番号検出回路において、プリフォーマット部にある層アドレスを読み取るとることで現在いる層の番号を認識し、現在焦点を結んでいるj番目の層から上位コントローラからの指令であるk番目の目標層まで、上下どちらの(sign(k−j))方向に、どれだけの(|k−j|)層数をスポット移動させれば良いかを認識し、レイヤージャンプ信号発生回路にジャンプ強制信号を発生させ、AFアクチゥエータドライバに入力させる。
15.項14において、ジャンプ信号は、1層間の移動にたいし、+−極性のパルスの1対のパルスで構成され、上下の移動方向によって、+−のパルスを入れ替わる。先頭のパルスはスポットを移動方向におよそ移動距離分だけ駆動させるために用い、次の極性反転パルスはスポットが行き過ぎないように静定するためのものである。また、移動する層数の対のパルスをドライバ回路に入力する。次に、レイヤー番号を検出し、j=kとなることを確認する。
16.項14において、上記AF誤差信号のゼロクロスパルスと、総光量パルスをゲートとして用い、各記録層についての合焦点検出を検出するクロスレイヤー信号検出回路を設ける。
17.項16において、上記ゼロクロスパルスと総光量パルス、2種のパルスからアップパルスとダウンパルスを生成しカウントすることで、常にレンズがどの層に位置づけられているかを認識し、ディスクに対してレンズが移動する方向を認識する。
18.項14において、焦点位置がディスク最上層から、最下層まで少なくとも移動するように、AFアクチゥエータ移動信号発生回路からのこぎり波を発生させ、AFアクチゥエータを駆動する場合において、上記クロスレイヤー信号検出回路により、N個の層の合焦点をカウントし、レンズを上側に移動させたときのアップパルスの上限から、最上層(n=1)または、レンズを下側に移動させたときのダウンパルスの下限から、最下層(n=N)を認識し、ディスク層方向における焦点位置を常に認識する。
19.項5において、記録目標であるk層に安定に記録する場合、k層までの透過率(ΣTn(n=0,1,2,…k−1))を考慮して記録パワーP(光強度)を設定する。
20.項5において、k層までの透過率を、層アドレス認識に対して設定する。
21.アドレス認識によって、ディスク出荷時(または設計値)のk層までの透過率ΣTn(n=0,1,2…k−1)と、記録直前のk層までの透過率ΣT′n (n=0,1,2,…k−1)の比、すなわち透過率の変化分Gを考慮して記録パワーを設定する。
22.項6,21において、層データの管理層を設け、どの層が記録されているのかを記録し、目標層記録前に管理層を再生して、記録直前のk層までの透過率 ΣT′(k−1)を認識し、透過率の変化分Gを認識する。
23.項21において、目標層に記録する前に、あらかじめ記録すべき領域を再生し、透過率の変化Gを求める。
24.項23において、あらかじめ記録すべき領域を再生する方法としては、記録モードで初めのディスク1回転で再生チェックを行ってから、次の回転で記録を行い、次の回転で記録エラーチェックを行う。
25.項23において、複数スポットを用い、先行スポットで上記再生チェックを行う。
26.項25において、再生チェックでは、先行スポットについての受光した再生信号C′k(t−τ)を用いる。ここで、τは、先行スポットと記録用スポットのスポット間距離を時間換算したものである。ここで、透過率変化分Gを、記録目標層であるk層に焦点を合わせた状態での再生信号Ck′とディスク出荷時での設計上の再生信号Ckとの比の平方根として求める。
27.項25において、再生チェックでは、再生信号Ckの値は、ディスクフォーマットとして、あらかじめチェック領域として、層方向に対して記録しない領域をディスク面内に設けておく。
28.項23において、再生信号を得る光検出器については、請求項1の形状にする。
29.項1において、再生制御回路として、目標層からの反射光成分の検出に加え、特に層間クロストークの大部分を占める隣接層からの反射光成分も検出し、両者が互いに含んでいる成分を演算によって取り除く。
30.項29において、3つの光検出器を、k層に焦点を合わせたときの受光面側での目標層k,隣接層(k+1),(k−1)の結像面に位置づける。光検出器の形状は、直径D=(λ/NAI)とする、または、ピンホールによる受光面積の制限を行い、k層の光検出器についての再生信号Ck,(k−1)層の光検出器についての再生信号C(k−1)と(k+1)層の光検出器についての再生信号C(k+1)について、次式の演算を行う。
dn: n-th layer thickness TANφ = a / fF≈NAF
The aperture optical system, the disk structure, and the recording conditions are set so that the equations (7, 7) and (9, 10, 11) are simultaneously satisfied.
6). As the role of each layer, a ROM (Read Only Memory) layer or a WOM (Write Once Memory) is provided together with a layer for recording / reproducing user data.
7. As the layer data management layer, the data state of each layer, for example, the presence / absence of data, error management, effective data area, and number of rewrites (overwrite) are recorded as needed.
8). In
9. In
10. Recording is performed in order from N → k → 1 layer and lower layers. However, in each layer, information is recorded in all user sectors and tracks and then recorded in the next layer.
11. In each layer, information is recorded in all user sectors and tracks and then recorded in the next layer. The order of the layers to be recorded is random access.
12 The order of the layers to be recorded is random access, but after all data is recorded in the sector in one layer, the sector in the next layer is filled, the sector in all layers is filled, Record the next sector data.
13. In this track, random access is performed in the layer direction. In this case, variable length blocks are used instead of fixed block management by sector.
14 In
15. In
16. In
17. In
18. In
19. In
20. In
21. By address recognition, the transmittance ΣTn (n = 0, 1, 2,..., K−1) up to the k layer at the time of disk shipment (or design value) and the transmittance ΣT′n (n = 0, 1, 2,... K−1), that is, the recording power is set in consideration of the change G in transmittance.
22. In
23. In
24. In
25. In
26. In
27. In
28. In
29. In
30. In item 29, the three photodetectors are positioned on the image planes of the target layer k and the adjacent layers (k + 1) and (k−1) on the light receiving surface side when the k layer is focused. The shape of the photodetector is the diameter D = (λ / NAI), or the light receiving area is limited by a pinhole, and the reproduction signal Ck, (k−1) layer light for the k layer photodetector. The following equation is calculated for the reproduction signal C (k−1) for the detector and the reproduction signal C (k + 1) for the photodetector in the (k + 1) layer.
演算 F≡Ck−γ×C(k−1)−γ×C(k+1)
≒CkR+β×C(k−1)R+β×C(k+1)R
−γ×{C(k−1)R+β×CkR+β×C(k−2)R} −γ×{C(k+1)R+β×CkR+β×C(k+2)R}
β:各信号に含まれるクロストーク成分の必要信号成分に対する比C(k−2)R,C(k+2)Rは、十分小さく、周波数成分も低いので無視できる。よって、
F≒(1−2γβ)×CkR+(β−γ)×C(k−1)R
+(β−γ)×C(k+1)R
ここで、演算係数γ≡β<1とすると、
F≒(1−β2)×CkR
上式の演算機能を用いたことによって、目標層の信号成分だけを求める。
31.項29において、複数スポットを用いる。k層に焦点づけた時の隣接層上の焦点ずれスポットと同じスポット径のスポットを2つの隣接層に、スポットに先行させて走査し、再生信号を求め、項30の演算を行う。
32.項31において、図18に示すように、絞りを挿入して、絞り込みレンズについての実効的開口を小さくする。すなわち、有効径a′を[λ/(2d×NAF2)×a]にする。
33.項31において、3つの光軸に分けて、先行する2つの光学系の絞り込みレンズの開口数を小さくする、すなわち、NAF′=λ/(2d×NAF)とする。
34.項31において、先行スポットからの再生信号にスポットの強度分布であるガウシアン分布を三角分布に近似して得られる重み関数を掛けて積分を行う。35.項30において、各演算係数γ(≡β)を設定する重み設定回路において、ディスクフォーマットとして、少なくても上下3層間でマーク記録領域が、同一光束に含まれないように配置し、h(k−1)/hk,h(k+1)/hをβ(−1),β(+1)とする。
36.項1において、複数スポットを用い、各々の層について焦点を合わせることで、2つ以上の層について同時に記録再生を行う、すなわち、並列記録再生を行う。
37.項9において、記録後に透過率が増加する記録媒体を用いる。
38.項1において、多層ディスクにおける各層面内の案内溝,アドレス等のプリピットは、各層ごとに紫外線硬化樹脂層に設け、各層ごとに透明な型を用いて型の面から光を入射させる2P法によって形成する。
39.項1において、中間層に、1/4波長板層を設ける。
Operation F≡Ck−γ × C (k−1) −γ × C (k + 1)
≒ CkR + β × C (k−1) R + β × C (k + 1) R
−γ × {C (k−1) R + β × CkR + β × C (k−2) R} −γ × {C (k + 1) R + β × CkR + β × C (k + 2) R}
β: The ratios C (k−2) R and C (k + 2) R of the crosstalk components included in each signal to the necessary signal components are sufficiently small and the frequency components are low, and can be ignored. Therefore,
F≈ (1-2γβ) × CkR + (β−γ) × C (k−1) R
+ (Β−γ) × C (k + 1) R
Here, assuming that the operation coefficient γ≡β <1,
F≈ (1-β 2 ) × CkR
By using the arithmetic function of the above equation, only the signal component of the target layer is obtained.
31. In item 29, a plurality of spots are used. The spot having the same spot diameter as the defocus spot on the adjacent layer when focused on the k layer is scanned in advance on the two adjacent layers to obtain the reproduction signal, and the calculation of
32. In
33. In
34. In
36. In
37. Item 9 uses a recording medium whose transmittance increases after recording.
38. In
39. In
上記手段は以下に示すように作用する。 The above means operates as described below.
局所的な光照射によって、光学的性質が局所的に変化する記録膜層と、記録膜層の働きの補助として反射防止,多重反射,光吸収,記録膜層の光学的局所変化の転写,断熱,吸熱,発熱または補強を目的とした層、または層の重ねあわせである中間層膜を光学的に透明な基板の上に多層に積み重ねたディスクを有し、各層に絞り込まれた光スポット照射によって各層の局所的光学的性質を2次元的に(独立に)変化させることで、変調後のデータ“1”,“0”に対応した記録を行い、さらに、上記局所的光学的性質の変化を各層への光スポット照射によって反射光量(または透過光量)の変化として検出し、データを再生する3次元記録再生装置において、
1.ディスクの構造を、光学的に透明な基板の屈折率をNB、厚さをd0とする。さらに、中間層と記録膜層を一つの層として区ぎり、上層から順に1からN層割り当てる。各層間の距離は隣あう記録膜層k番目と(k−1)番目の膜厚中心間の距離dkで示す。また、任意のk番目の記録層と中間層の膜厚をdFk,dMkさらに屈折率の実数部をそれぞれ、NFk,NMkとする。また、各層の平面上での局所的光学的性質の変化の周期b[μm]とする。絞り込み光学系は、光源として、例えば波長λ[μm]の半導体レーザを用い、コリメートレンズによって、平行光に変換し、偏向ビームスプリッタを介して、絞り込みレンズに入射させる。ここで、絞り込みレンズの開口数をNAF,有効半径をa[mm],焦点距離をfF(≒a/NAF)とする。また、ディスクからの反射光は、絞りレンズを通り、ビームスプリッタによって受光用の像レンズに導かれる。像レンズの焦点付近に位置する光検出器によって、反射光量の変化を電気信号に変換する。像レンズの開口数をNAI,焦点距離をfI(≒a/NAI)とする。光検出器の受光面直径をDとした場合、k番目の層を目標層とし、焦点を合わせたときの目標層からの反射光は、像レンズの焦点位置に結像され、この焦平面上のスポット径Uk′は、
Uk′=λ/NAI=λ×(fI/a) (数14)
m;受光光学系の横倍率
次に、k番目の目標層から層間距離d離れた隣接層(k±1)番目の層からの焦平面でのスポット径U(k±1)′は、
U(k±1)′≒a×m2d/fI
=NAI・m2d (数16)
上式より光検出器の直径Dを、D=Uk′=λ/NAIとし、検出される他の層からの反射光量は、目標k層と他のj層の間の透過率δjk、及び反射率の比αjkとして光検出器での、n層からの反射受光量をInとすると
Recording film layer whose optical properties change locally due to local light irradiation, antireflection, multiple reflection, light absorption, transfer of optical local change of recording film layer, heat insulation , Heat absorption, heat generation, or a layer for the purpose of reinforcement, or an intermediate layer film, which is a superposition of layers, has a disk in which multiple layers are stacked on an optically transparent substrate. By changing the local optical properties of each layer two-dimensionally (independently), recording corresponding to the data “1” and “0” after modulation is performed, and further, the local optical properties are changed. In a three-dimensional recording / reproducing apparatus that detects a change in reflected light amount (or transmitted light amount) by light spot irradiation on each layer and reproduces data,
1. In the disk structure, the refractive index of an optically transparent substrate is NB, and the thickness is d0. Further, the intermediate layer and the recording film layer are divided as one layer, and 1 to N layers are assigned in order from the upper layer. The distance between each layer is indicated by the distance dk between the adjacent recording film layers k-th and (k−1) -th film thickness. The film thicknesses of an arbitrary kth recording layer and intermediate layer are dFk and dMk, and the real part of the refractive index is NFk and NMk, respectively. Further, the period b [μm] of local optical property change on the plane of each layer is used. The aperture optical system uses, for example, a semiconductor laser having a wavelength of λ [μm] as a light source, is converted into parallel light by a collimator lens, and is incident on the aperture lens via a deflection beam splitter. Here, the numerical aperture of the aperture lens is NAF, the effective radius is a [mm], and the focal length is fF (≈a / NAF). The reflected light from the disk passes through the aperture lens and is guided to the light receiving image lens by the beam splitter. A change in the amount of reflected light is converted into an electrical signal by a photodetector located near the focal point of the image lens. The numerical aperture of the image lens is NAI, and the focal length is fI (≈a / NAI). When the diameter of the light receiving surface of the photodetector is D, the reflected light from the target layer when the kth layer is the target layer and focused is imaged at the focal position of the image lens. The spot diameter Uk ′ of
Uk ′ = λ / NAI = λ × (fI / a) (Expression 14)
m: Lateral magnification of light receiving optical system Next, the spot diameter U (k ± 1) ′ on the focal plane from the adjacent layer (k ± 1) th layer separated from the kth target layer by the interlayer distance d is
U (k ± 1) ′ ≈a × m 2 d / fI
= NAI · m 2 d (Equation 16)
From the above equation, the diameter D of the photodetector is D = Uk ′ = λ / NAI, and the amount of reflected light detected from the other layers is the transmittance δjk between the target k layer and the other j layer, and the reflection Assuming that the ratio of reflected light received from the n layer at the photodetector is In
(数17)≒I(k−1)/Ik
=δ2(k−1),k×α(k−1),k×(D/U(k−1)′)2 (数17.5)
上式が成り立つように、ディスク構造,光学系を設定することによって、他の層からの反射光の漏れ込みを低減する。
2.項1において、2次元周期bの最小値bminを(λ/NAF)とし、2次元周期bの最大値bmaxを(d×NAF)よりも小さくする。
(Equation 17) ≈I (k−1) / Ik
= Δ 2 (k−1), k × α (k−1), k × (D / U (k−1) ′) 2 (Equation 17.5)
By setting the disk structure and the optical system so that the above equation holds, leakage of reflected light from other layers is reduced.
2. In the
さらに、図1に示す受光光学系において、記録再生を行う目標層面内と、光学的距離d[μm]離れた隣接層面内のそれぞれの光学的特性関数(OTF)H0(S),H1(S)を図4にそれぞれ、直線13,直線14で示す。
Further, in the light receiving optical system shown in FIG. 1, the respective optical characteristic functions (OTF) H0 (S), H1 (S) in the target layer surface where recording / reproduction is performed and in the adjacent layer surface separated by the optical distance d [μm]. ) Are shown in FIG. 4 by a
ただし、S:規格化空間周波数
ここで、層間距離dの値で焦点ずれが生じた場合の光学的特性関数H1(S)について、H1(S)=0となるSより、上記周期bの最大繰返しbmaxを規定する。このように、層面上の局所的光学的性質の変化の周期bとディスク構造、及び受光光学系の関係を規定することで、層間クロストークの成分を局所的光学的性質の変化の周期bよりも、長くすることで、目標層の信号成分だけを検出することができる。
3.項1において、隣接層におけるスポット径(2d×NAF)の領域に含まれる局所的光学変化(マーク)の領域の総面積が常に一定値である符号を用いることによって、目標層を再生しているときに含まれる隣接層からのクロストーク成分を直流成分一定値にし、直流分を取り除くことで目標層の信号成分だけを抽出する。
4.項1において、
dk=dF(k−1)+dMk+dFk
≒dMk (数1)
かつ、中間層の実効的屈折率NMkを基板と同じ屈折率NBであるとする。多層ディスクのN層番目までの厚さdが
Where S: normalized spatial frequency Here, the optical characteristic function H1 (S) when defocus occurs at the value of the interlayer distance d, the maximum of the period b from S where H1 (S) = 0. Specifies the repetition bmax. In this way, by defining the relationship between the local optical property change period b on the layer surface, the disc structure, and the light receiving optical system, the interlayer crosstalk component can be determined from the local optical property change period b. However, by increasing the length, only the signal component of the target layer can be detected.
3. In
4). In
dk = dF (k−1) + dMk + dFk
≒ dMk (Equation 1)
In addition, the effective refractive index NMk of the intermediate layer is assumed to be the same refractive index NB as that of the substrate. The thickness d up to the Nth layer of the multi-layer disc is
であるディスク構造において、球面収差量W40について
W40=|(1/(8×NB))×((1/NB2)−1)×NAF4×Δd| (数3)
For the spherical aberration amount W40, W40 = | (1 / (8 × NB)) × ((1 / NB 2 ) −1) × NAF 4 × Δd | (Equation 3)
W40≦λ/4となるように、各層の中間層の厚さdk,総数Nを組み合わせることによって、各層間での光学的距離が変化することによって生じる球面収差を許容値内に押さえ、各層において回折限界の光スポットを形成する。なお、W40の右辺の絶対値の中は通常は負となる(NB≧1の場合)。
5.項1において、k番目の記録膜層1の光学定数は、透過率Tk,反射率Rk,吸収率Akとする。ここで、Tk+Rk+Ak=1の関係が成り立つ。記録によって、局所的光学的性質が変化した場合の光学定数には、以下、ダッシュ記号「′」で表わす。一般に、熱記録における、熱構造変化が生じるためには、必ずエネルギーしきい値Eth[nJ]が存在する。記録目標層に回折限界に絞り込まれた光スポットが線速度V[m/s]でディスク上を走査している。
By combining the thickness dk and the total number N of the intermediate layers of each layer so that W40 ≦ λ / 4, the spherical aberration caused by the change in the optical distance between the layers is suppressed within an allowable value, and in each layer A diffraction limited light spot is formed. The absolute value on the right side of W40 is normally negative (when NB ≧ 1).
5. In
変調後の2値化信号に対応して熱構造変化を局所的に生じさせるために、ディスクに入射する光強度P(記録パワー)[mW]、
ここで、線速度Vと照射時間tが与えられた場合、各層の記録膜についての光強度密度しきい値Ith[mW/μm2]とする。
In order to locally generate a thermal structural change corresponding to the binary signal after modulation, the light intensity P (recording power) [mW] incident on the disc is
Here, when the linear velocity V and the irradiation time t are given, the light intensity density threshold Ith [mW / μm 2 ] for the recording film of each layer is set.
k層に焦点をあわせた場合でのk層での光強度密度Ikについて、スポット径はλ/NAFであるから、
Sk;k層に焦点をあわせた場合での1/e2スポット面積
Sk=π(0.5×λ/NAF)2
k層における光強度Pk[mW]は
Because the spot diameter is λ / NAF for the light intensity density Ik in the k layer when the k layer is focused,
Sk: 1 / e 2 spot area when focused on the k layer Sk = π (0.5 × λ / NAF) 2
The light intensity Pk [mW] in the k layer is
δkは、ディスク上の光入射面とk番目の記録層の間の透過率である。 δk is the transmittance between the light incident surface on the disk and the kth recording layer.
ただし、Tn;n層の透過率(n=0の時は1層までの透過率)
上式より、k層で記録できるために必要な最小の記録パワーPminは、
Pmin≧Ikth×Sk/δk (数7)
また、k層に記録を行うため、k層に焦点を合わせた時の、j層での光強度密度Ijk[mW]は
Pjk=Pk×δjk
=P×δj (数9)
δjk=Π/Π(=(j番目の層までの透過率/k番目の層までの透過率))である。
However, Tn; transmittance of n layer (when n = 0, transmittance of one layer)
From the above formula, the minimum recording power Pmin necessary for recording in the k layer is
Pmin ≧ Ikth × Sk / δk (Expression 7)
Also, since recording is performed on the k layer, the light intensity density Ijk [mW] at the j layer when focusing on the k layer is Pjk = Pk × δjk
= P × δj (Equation 9)
δjk = Π / Π (= (transmittance up to j-th layer / transmittance up to k-th layer)).
k層に記録を行う場合,j層を記録破壊しないため記録パワーの上限Pmaxは次式で与えられる。 When recording is performed on the k layer, the upper limit Pmax of the recording power is given by the following equation in order not to destroy the recording of the j layer.
Pmax=Ijth×Sjk/δj (数10)
Sjkは、k層に焦点を合わせた時の、j層での光スポット面積であり、
Pmax = Ijth × Sjk / δj (Equation 10)
Sjk is the light spot area in the j layer when focusing on the k layer,
dn;n層番目の膜厚
TANφ=a/fF≒NAF
上式が同時に成り立つように絞り込み光学系,ディスク構造,記録条件を設定することによって、目標層に安定に記録でき、かつ、その時に他の層を破壊しないための入射記録パワーを設定する。
6.各層の役割として、ユーザデータを記録再生する層と共に、ROM(Read Only Memory)層またはWOM(Write Once Memory)を設けることによって、ユーザデータ以外の情報を扱う。
7.層データの管理層として、各層のデータ状態、例えば、データの有無,エラー管理,有効なデータ領域,書替え(オーバーライト)回数を随時、記録しておくことをによって、データの更新及び、アクセスを敏速に行う。
8.項1において、交替層として、記録誤りを検出した層のかわりに情報を入れることによって、データの信頼性を保証する。
9.項1において、ディスクの各層面内における管理フォーマットとして、セクタとトラックを設け、1→k→N層と上層から順に記録を行う。ただし、各層ではすべてのユーザセクタとトラックに情報を記録してから次の層に記録することによって、ユーザデータ記録再生の管理を行う。
10.N→k→1層と下層から順に記録を行う。ただし、各層ではすべてのユーザセクタとトラックに情報を記録してから次の層に記録することによって、ユーザデータ記録再生の管理を行う。
11.各層ではすべてのユーザセクタとトラックに情報を記録してから次の層に記録するが、記録する層の順番はランダムアクセスとすることによって、ユーザデータ記録再生の管理を行う。
12.記録する層の順番はランダムアクセスとするが、ひとつの層においてある当該セクタ内にすべてデータ記録してから、次の層の当該セクタを埋めていき、すべての層の当該セクタを埋めてから、次のセクタのデータを記録することによってユーザデータ記録再生の管理を行う。
13.当該トラックにおいて、層方向にランダムアクセスを行う。この場合、セクタによる固定ブロック管理ではなく、可変長ブロックを適用することよってユーザデータ記録再生の管理を行う。
14.項1において、光スポット位置決め機構として、絞り込みレンズを層方向とディスク半径方向に駆動する2次元アクチゥエータ、または、絞り込みレンズを層方向だけに駆動する1次元アクチゥエータと絞り込みレンズに入射させる光束をディスク半径方向に偏向するガルバノミラーを組み合わせたものにおいて、レイヤー番号検出回路において、プリフォーマット部にある層アドレスを読み取るとることで現在いる層の番号を認識し、現在焦点を結んでいるj番目の層から上位コントローラからの指令であるk番目の目標層まで、上下どちらの(sign(k−j))方向に、どれだけの(|k−j|)層数をスポット移動させれば良いかを認識し、レイヤージャンプ信号発生回路にジャンプ強制信号を発生させ、AFアクチゥエータドライバに入力させることによって、目標層に焦点を合わせる。
15.項14において、ジャンプ信号は、1層間の移動にたいし、+−極性のパルスの1対のパルスで構成され、上下の移動方向によって、+−のパルスを入れ替わる。先頭のパルスはスポットを移動方向におよそ移動距離分だけ駆動させるために用い、次の極性反転パルスはスポットが行き過ぎないように静定するためのものである。また、移動する層数の対のパルスをドライバ回路に入力する。次に、レイヤー番号を検出し、j=kとなることを確認することによって、目標層kにスポットを位置ずける。
16.項14において、上記AF誤差信号のゼロクロスパルスと、総光量パルスをゲートとして用い、各記録層についての合焦点検出を検出するクロスレイヤー信号検出回路を設けることによって、レンズを層方向に移動したときに焦点位置が各層を横切る信号を得る。
17.項16において、上記ゼロクロスパルスと総光量パルス、2種のパルスからアップパルスとダウンパルスを生成しカウントすることで、常にレンズがどの層に位置づけられているかを認識し、ディスクに対してレンズが移動する方向を認識する。
18.項14において、焦点位置がディスク最上層から、最下層まで少なくとも移動するように、AFアクチゥエータ移動信号発生回路からのこぎり波を発生させ、AFアクチゥエータを駆動する場合において、上記クロスレイヤー信号検出回路により、N個の層の合焦点をカウントし、レンズを上側に移動させたときのアップパルスの上限から、最上層(n=1)または、レンズを下側に移動させたときのダウンパルスの下限から、最下層(n=N)を認識し、ディスク層方向における焦点位置を常に認識することによって、層アドレスを設けなくても、層アクセスを可能とする。
19.項5において、記録目標であるk層に安定に記録する場合、k層までの透過率(ΣTn(n=0,1,2,…k−1))を考慮して記録パワーP(光強度)を設定することによって、目標層に最適な記録パワー条件で記録する。
20.項5において、k層までの透過率を、層アドレス認識に対して設定することによって、目標層に最適な記録パワー条件で記録する。
21.アドレス認識によって、ディスク出荷時(または設計値)のk層までの透過率ΣTn(n=0,1,2…k−1)と、記録直前のk層までの透過率ΣTn(n=0,1,2,…k−1)の比、すなわち透過率の変化分Gを考慮して記録パワーを設定することによって、目標層までの層に記録された層があることによって透過率が変化していてもそれを考慮して、目標層に最適な記録パワー条件で記録する。
22.項6,21において、層データの管理層を設け、どの層が記録されているのかを記録し、目標層記録前に管理層を再生して、記録直前のk層までの透過率ΣT′(k−1)を認識し、透過率の変化分Gを認識することによって、目標層までの層に記録された層があることによって透過率が変化していてもそれを考慮して、目標層に最適な記録パワー条件で記録する。
23.項21において、目標層に記録する前に、あらかじめ記録すべき領域を再生し、透過率の変化Gを求めることによって、目標層までの層に記録された層があることによって透過率が変化していてもそれを考慮して、目標層に最適な記録パワー条件で記録する。
24.項23において、あらかじめ記録すべき領域を再生する方法としては、記録モードで初めのディスク1回転で再生チェックを行ってから、次の回転で記録を行い、次の回転で記録エラーチェックを行う。
25.項23において、複数スポットを用い、先行スポットで上記再生チェックを行うことによって、回転待ちを行わなくても良い。
26.請求項25において、再生チェックでは、先行スポットについての受光した再生信号C′k(t−τ)を用いる。ここで、τは、先行スポットと記録用スポットのスポット間距離を時間換算したものである。ここで、透過率変化分Gを、記録目標層であるk層に焦点を合わせた状態での再生信号Ck′とディスク出荷時での設計上の再生信号Ckとの比の平方根として求めることによって、反射光学系において、透過率の変化を求める。
27.項25において、再生チェックでは、再生信号Ckの値は、ディスクフォーマットとして、あらかじめチェック領域として、層方向に対して記録しない領域をディスク面内に設けておくことによって、ディスク間,ディスク内の透過率バラツキの影響を低減する。
28.項23において、再生信号を得る光検出器については、請求項1の形状にすることによって、目標層からの反射成分を特定して検出し、より高精度な透過率変化Gを求める。
29.項1において、再生制御回路として、目標層からの反射光成分の検出に加え、特に層間クロストークの大部分を占める隣接層からの反射光成分も検出し、両者が互いに含んでいる成分を演算によって取り除くことによって、目標層の反射光成分を抽出する。
30.項29において、3つの光検出器を、k層に焦点を合わせたときの受光面側での目標層k,隣接層(k+1),(k−1)の結像面に位置づける。光検出器の形状は、直径D=(λ/NAI)とする、または、ピンホールによる受光面積の制限を行い、k層の光検出器についての再生信号Ck,(k−1)層の光検出器についての再生信号C(k−1)と(k+1)層の光検出器についての再生信号C(k+1)について、次式の演算を行う。
dn: nth layer thickness
TANφ = a / fF ≒ NAF
By setting the narrowing optical system, the disk structure, and the recording conditions so that the above equations hold simultaneously, the incident recording power is set so that stable recording can be performed on the target layer and other layers are not destroyed at that time.
6). The role of each layer is to provide information other than user data by providing a ROM (Read Only Memory) layer or a WOM (Write Once Memory) together with a layer for recording and reproducing user data.
7. As a management layer for layer data, data update and access can be performed by recording the data status of each layer, for example, the presence / absence of data, error management, effective data area, and number of rewrites (overwrite) as needed. Do it promptly.
8). In
9. In
10. Recording is performed in order from N → k → 1 layer and lower layers. However, in each layer, user data recording / reproduction is managed by recording information in all user sectors and tracks and then recording in the next layer.
11. In each layer, information is recorded in all user sectors and tracks and then recorded in the next layer. The order of the recording layers is set to random access to manage user data recording / reproduction.
12 The order of the layers to be recorded is random access, but after all data is recorded in the sector in one layer, the sector in the next layer is filled, the sector in all layers is filled, User data recording / reproduction is managed by recording data of the next sector.
13. In this track, random access is performed in the layer direction. In this case, user data recording / reproduction is managed by applying variable-length blocks instead of fixed block management by sector.
14 In
15. In
16. In
17. In
18. In
19. In
20. In
21. By address recognition, the transmittance ΣTn (n = 0, 1, 2,..., K−1) up to the k layer at the time of disk shipment (or design value) and the transmittance ΣTn (n = 0, n) immediately before recording are recorded. 1,..., K−1), that is, by setting the recording power in consideration of the change G of the transmittance, the transmittance is changed due to the presence of the layers recorded up to the target layer. Even if that is the case, recording is performed under the optimum recording power condition for the target layer.
22. In
23. In
24. In
25. In
26. In
27. In
28. In
29. In
30. In item 29, the three photodetectors are positioned on the image planes of the target layer k and the adjacent layers (k + 1) and (k−1) on the light receiving surface side when the k layer is focused. The shape of the photodetector is the diameter D = (λ / NAI), or the light receiving area is limited by a pinhole, and the reproduction signal Ck, (k−1) layer light for the k layer photodetector. The following equation is calculated for the reproduction signal C (k−1) for the detector and the reproduction signal C (k + 1) for the photodetector in the (k + 1) layer.
演算 F≡Ck−γ×C(k−1)−γ×C(k+1)
≒CkR+β×C(k−1)R+β×C(k+1)R
−γ×{C(k−1)R+β×CkR+β×C(k−2)R}
−γ×{C(k+1)R+β×CkR+β×C(k+2)R}
β:各信号に含まれるクロストーク成分の必要信号成分
に対する比C(k−2)R,C(k+2)Rは、十分小さく、周波数成分も低いので無視できる。よって、
F≒(1−2γβ)×CkR+(β−γ)×C(k−1)R
+(β−γ)×C(k+1)R
ここで、演算係数γ≡β<1とすると、
F≒(1−β2)×CkR
上式の演算機能を用いたことによって、目標層の信号成分だけを求める。
31.項29において、複数スポットを用いる。k層に焦点づけた時の隣接層上の焦点ずれスポットと同じスポット径のスポットを2つの隣接層に、スポットに先行させて走査し、再生信号を求め、項30の演算を行うことによって、目標層の信号成分だけを求める。
32.項31において、図18に示すように、絞りを挿入して、絞り込みレンズについての実効的開口を小さくする。すなわち、有効径a′を[λ/(2d×NAF2)×a]にすることによって、隣接層に焦点を結ぶ先行スポットのスポット径を(2d×NAF)にする。
33.項31において、3つの光軸に分けて、先行する2つの光学系の絞り込みレンズの開口数を小さくする、すなわち、NAF′=λ/(2d×NAF)とすることによって、隣接層に焦点を結ぶ先行スポットのスポット径を(2d×NAF)にする。
34.項31において、先行スポットからの再生信号にスポットの強度分布であるガウシアン分布を三角分布に近似して得られる重み関数を掛けて積分を行うことによって、実効的に焦点ずれスポットがマーク列を走査している場合の再生信号を得る。
35.項30において、各演算係数γ(≡β)を設定する重み設定回路において、ディスクフォーマットとして、少なくても上下3層間でマーク記録領域が、同一光束に含まれないように配置し、h(k−1)/hk,h(k+1)/hをβ(−1),β(+1)とすることによって、上下層についての、重みをそれぞれ求める。
36.項1において、複数スポットを用い、各々の層について焦点を合わせることで、2つ以上の層について同時に記録再生を行う、すなわち、並列記録再生を行うことによって、転送速度を大きくする。
37.項9において、記録後に透過率が増加する記録媒体を用いることによって、下層に記録するときに与える光強度を低減し、さらに、下層からの反射光を大きくすることで、高効率記録,高SN比再生を行う。
38.項1において、多層ディスクにおける各層面内の案内溝,アドレス等のプリピットは、各層ごとに紫外線硬化樹脂層に設け、各層ごとに透明な型を用いて型の面から光を入射させる2P法によって形成することで、各層ごとに、トラッキングのための案内溝,層の位置を示す層アドレスなどのプリピットを形成し、データの記録再生を行う。
39.項1おいて、中間層に、1/4波長板層を設けることにより、隣接層からの反射光の偏光方向が異なるため、干渉がなくなり、隣接層間のクロストークを低減できる。
Operation F≡Ck−γ × C (k−1) −γ × C (k + 1)
≒ CkR + β × C (k−1) R + β × C (k + 1) R
−γ × {C (k−1) R + β × CkR + β × C (k−2) R}
−γ × {C (k + 1) R + β × CkR + β × C (k + 2) R}
β: The ratios C (k−2) R and C (k + 2) R of the crosstalk components included in each signal to the necessary signal components are sufficiently small and the frequency components are low, and can be ignored. Therefore,
F≈ (1-2γβ) × CkR + (β−γ) × C (k−1) R
+ (Β−γ) × C (k + 1) R
Here, assuming that the operation coefficient γ≡β <1,
F≈ (1-β 2 ) × CkR
By using the arithmetic function of the above equation, only the signal component of the target layer is obtained.
31. In item 29, a plurality of spots are used. By scanning the spot having the same spot diameter as the defocus spot on the adjacent layer when focused on the k layer, scanning the two adjacent layers in advance of the spot, obtaining a reproduction signal, and performing the calculation of the
32. In
33. In
34. In
35. In the
36. In
37. In item 9, by using a recording medium whose transmittance increases after recording, the light intensity given when recording in the lower layer is reduced, and the reflected light from the lower layer is increased, so that high-efficiency recording, high SN Perform specific regeneration.
38. In
39. In
本発明によれば、記録過程,再生過程において安定に記録再生できる光スポット絞り込み光学系,ディスク構造,光検出光学系、さらに、特に問題となる隣接層間のクロストークを抑制する符号化方法,クロストークキャンセル方法、さらに、3次元データフォーマット、それに伴うディスク作成方法,3次元アクセス方法を提供できるので、多層膜構造のディスクの各層に光スポットを絞り込み、高い信頼性を持って、データの記録再生できる。 According to the present invention, a light spot narrowing optical system, a disk structure, a light detection optical system capable of stably recording and reproducing in a recording process and a reproducing process, an encoding method for suppressing crosstalk between adjacent layers, which is particularly a problem, and a cross Talk cancellation method, 3D data format, accompanying disk creation method and 3D access method can be provided, so that the light spot is narrowed down to each layer of the multi-layered disk, and data recording / reproduction with high reliability is possible. it can.
以下、
(1)本発明の3次元記録再生方法の原理
(2)3次元ディスクフォーマット,データ管理
(3)装置構成
(4)アクセス方法
(5)記録制御方法
(6)再生制御方法
(7)ディスク構造実施例と、ディスク作成方法
の順で実施例を説明する。
Less than,
(1) Principle of three-dimensional recording / reproducing method of the present invention (2) Three-dimensional disc format, data management (3) Device configuration (4) Access method (5) Recording control method (6) Reproduction control method (7) Disc structure The embodiment will be described in the order of the embodiment and the disc creation method.
(1)3次元記録再生の基本原理
図1に本発明の3次元記録再生装置の記録再生の原理図を示す。局所的な光照射によって、光学的性質が局所的に変化する記録膜層1と、記録膜層の働きの補助として反射防止,多重反射,光吸収,記録膜層の光学的局所変化の転写,断熱,吸熱,発熱または補強を目的とした層、またはこれらの層の重ねあわせである中間層膜2を光学的に透明な基板3の上に多層に積み重ねたディスク4を有し、各層に絞り込まれた光スポット照射によって各層の局所的光学的性質を2次元的に、かつ各層間で独立に変化させることで、変調後のデータ“1”,“0”に対応した記録を行い、さらに、上記局所的光学的性質の変化を各層への光スポット照射によって反射光量(または透過光量)の変化として検出し、データを再生する。
(1) Basic principle of three-dimensional recording / reproducing FIG. 1 shows a principle of recording / reproducing of the three-dimensional recording / reproducing apparatus of the present invention.
図1において、ディスク4の構造を、光学的に透明な基板3の屈折率をNB,厚さをd0とする。さらに、中間層2と記録膜層1を一組の層として区切り、上層(光入射側)から順に1からNまで番号を層割り当てる。各層間の距離は隣あう記録膜層k番目と(k−1)番目の膜厚中心間の距離dkで示す。また、任意のk番目の記録層と中間層の膜厚をdFk,dMkさらに屈折率の実数部をそれぞれ、NFk,NMkとする。また、各層の平面上での局所的光学的性質の変化の周期b[μm]とする。絞り込み光学系は、光源として、例えば波長λ[μm]の半導体レーザ5を用い、コリメートレンズ6によって、平行光に変換し、偏向ビームスプリッタ7を介して、絞り込みレンズ8に入射させる。ここで、レンズ8の開口数をNAF、有効半径をa[mm]、焦点距離をfF(≒a/NAF)とする。各層に焦点を結ばせることで回折限界の光スポット11を各層に照射する。
In FIG. 1, the structure of the
また、受光光学系については、反射受光系を例として示す。ディスク4からの反射光は、レンズ8を通り、ビームスプリッタ7によって受光用の像レンズ9に導かれる。レンズ9の焦点付近に位置する光検出器10によって、反射光量の変化を電気信号に変換する。像レンズ9の開口数をNAI、焦点距離をfI(≒a/NAI)とする。光検出器10の受光面直径をDとする。本発明では、光学系として、図2aに示す平行光学系を例に示したが、図2bに示す拡散光学系でも同様に効果を得ることができる。また、受光光学系として、透過光検出系でも本発明と同様の効果を得ることができる。
As for the light receiving optical system, a reflection light receiving system is shown as an example. The reflected light from the
3次元記録再生において、記録再生を行うための第1の課題は、各層において、光スポットを回折限界まで絞り込むことである。従来の光ディスクでは、一般に記録膜保護のため、基板3越しの1層記録面に光スポットを回折限界で絞り込む。そこで、球面収差が生じて光スポットがひずまないように、基板3の屈折率と膜厚を考慮して、絞り込みレンズ8の設計仕様を行う。ところが、多層ディスク4では、各層の膜厚の影響が無視できず、たとえば公知例「久保田 他:光学、14(1985)、光ディスクにおけるアイパターンのジッタ解析I〜V」に示してあるように、層の数が増えるほど球面収差が増加し、回折限界まで絞れない。そこで、本発明では、記録再生に十分な範囲の光スポットが得られるための絞り込みレンズの設計,ディスク構造を示す。設計方法を簡単にするため、記録膜層1の膜厚dFkは、中間層2の膜厚dMkに対して十分薄く無視できるとする。すなわち、
dk=dF(k−1)+dMk+dFk≒dMk (数1)
かつ、中間層2は各層とも、基板3と同じ屈折率NBであるとする。この場合、多層ディスクのN層番目までの厚さdは
In the three-dimensional recording / reproducing, the first problem for recording / reproducing is to narrow the light spot to the diffraction limit in each layer. In the conventional optical disk, in order to protect the recording film, the light spot is generally narrowed down to the single-layer recording surface over the
dk = dF (k−1) + dMk + dFk≈dMk (Equation 1)
The
である。 It is.
一方、レーレーリミットとして、絞り込みスポットのピーク強度が無収差時の80%が保証される球面収差量W40=λ/4を許容値として与える。 On the other hand, as the Rayleigh limit, a spherical aberration amount W40 = λ / 4, which guarantees 80% of the peak intensity of the narrowed spot when no aberration occurs, is given as an allowable value.
1番目からN番目の層までの膜厚の変化Δdによって生じる球面収差量W40は以下のように表わされる。 The spherical aberration amount W40 generated by the change Δd in film thickness from the first to the Nth layer is expressed as follows.
W40=|(1/(8×NB))×((1/NB2)−1)×NAF4×Δd| (数3)
そこで、W40≦λ/4となるように、絞り込みレンズの設計,ディスク構造を決定する。なお、W40の右辺の絶対値の中は通常は負となる(NB≧1の場合)。一例として、基板3として屈折率NB=1.5 のガラス基板を用い、中間層として、ガラスとほぼ屈折率の等しい紫外線硬化樹脂を用い、絞り込みレンズ8のNAF=0.55 とした場合、(数3)式より、Δd≦50μmである。ここで、
d0=1.2mm−Δd=(1.15〜1.2mm),
W40 = | (1 / (8 × NB)) × ((1 / NB 2 ) −1) × NAF 4 × Δd | (Equation 3)
Therefore, the design of the focusing lens and the disk structure are determined so that W40 ≦ λ / 4. The absolute value on the right side of W40 is normally negative (when NB ≧ 1). As an example, when a glass substrate having a refractive index NB = 1.5 is used as the
d0 = 1.2 mm−Δd = (1.15-1.2 mm),
Δd≦50μmとなるように、各層の中間層の厚さdk,総数Nを組み合わせることで、従来の光ディスクに使用していた基板厚さ1.2mm 用の絞り込みレンズをそのまま適用して、1番目からN番目の各層に記録再生に十分な光スポットを形成することができる。一つの組合せ解として、中間層の厚さdMk=10μm,記録層の厚さdFk=200Åでは、d0=1.15mm,Σdk=100.4μm≒100μm,総数N=10が可能である。 By combining the intermediate layer thickness dk and the total number N so that Δd ≦ 50 μm, the aperture lens for the substrate thickness of 1.2 mm used in the conventional optical disc can be applied as it is. To the Nth layer can form a light spot sufficient for recording and reproduction. As one combined solution, when the intermediate layer thickness dMk = 10 μm and the recording layer thickness dFk = 200 mm, d0 = 1.15 mm, Σdk = 10.4 μm≈100 μm, and the total number N = 10.
(数4)では、5層番目で、球面収差はゼロであり、最上層と最下層で許容値内で最大の球面収差が生じる。これをさらに補正することもできる。波動光学によれば、球面収差は焦点位置をずらすことで補正することができる。その条件は、W40=−W20=−0.5×NAF2Δz,Δz=−2/NAF2×W40。ここで、W20は焦点ずれによる収差、Δzは焦点ずれである。上記の例では、5層目からの層間距離Δdk=(k−5)×dでのk層番目で生じる球面収差Wk40は、(数式3)より得られ、この収差を補正する焦点ずれ量Δzkは、 Δzk=−2/NAF2×Wk40となる。 In (Equation 4), the spherical aberration is zero in the fifth layer, and the maximum spherical aberration occurs within the allowable value in the uppermost layer and the lowermost layer. This can be further corrected. According to wave optics, spherical aberration can be corrected by shifting the focal position. The conditions are W40 = −W20 = −0.5 × NAF 2 Δz, Δz = −2 / NAF 2 × W40. Here, W20 is aberration due to defocus, and Δz is defocus. In the above example, the spherical aberration Wk40 generated in the k-th layer at the interlayer distance Δdk = (k−5) × d from the fifth layer is obtained from (Equation 3), and the defocus amount Δzk for correcting this aberration. Δzk = −2 / NAF 2 × Wk40.
最下層(k=10)では、1.4μmであり、最上層(k=1)では−1.4μmの焦点ずれをオフセットとして与えればよい。 The lowermost layer (k = 10) may be 1.4 μm, and the uppermost layer (k = 1) may be given a defocus of −1.4 μm as an offset.
次に、記録再生を行うための第2の課題は、熱記録過程にある。記録での規定条件は次の2つの項である。
(A) 記録目標層に記録に十分でかつ安定な記録パワー密度を与えることができること。
(B) 任意のk層に記録した場合、他の層のデータを破壊しないこと。
Next, the second problem for recording / reproducing is the thermal recording process. The prescribed conditions for recording are the following two terms.
(A) The recording target layer can be provided with a recording power density sufficient for recording and stable.
(B) When data is recorded on an arbitrary k layer, data on other layers should not be destroyed.
要因として、光強度によるもの、層間を伝わってくる熱伝導によるものに分けられるが、ここでは、前者について述べる。後者については、中間層2に断熱効果を持たせることで対処できるがこの方法については記録媒体実施例の項で示す。
Factors can be divided into those due to light intensity and those due to heat conduction through the layers. Here, the former will be described. The latter can be dealt with by providing the
本発明では、この2つの項を満足する方法として、第1に、ディスク構造と絞り込み光学系を最適化する。 In the present invention, as a method of satisfying these two terms, first, the disk structure and the focusing optical system are optimized.
図1において、設計の簡易化のため、一例として、基板3及び中間層2は透過率100%とする。また、k番目の記録膜層1の光学定数は、透過率Tk,反射率Rk,吸収率Akとする。ここで、Tk+Rk+Ak=1の関係が成り立つ。また、記録によって、局所的光学的性質が変化した場合の光学定数には、以下、ダッシュ記号「′」で表わす。一般に、熱記録では、記録膜の光吸収による発熱、及びこれを熱源とした熱拡散現象に支配される温度上昇によって、記録膜の熱構造変化が生じる。穴あけ形記録媒体では溶融による記録膜の移動,相変化形記録媒体では結晶化と非晶質化,光磁気記録媒体では垂直磁化の反転に対応する。この熱構造変化が生じて、局所的光学的特性変化となる。記録膜の種類にかかわらずに、熱構造変化が生じるためには、必ずエネルギーしきい値Eth[nJ]が存在する。記録過程では、記録目標層に回折限界に絞り込まれた光スポット11が線速度V[m/s]でディスク上を走査している。変調後の2値化信号に対応して熱構造変化を局所的に生じさせるために、ディスク面に照射する光強度P(記録パワー)[mW]を時間t[s]で変調する。ここで、線速度Vと照射時間tが与えられれば、エネルギーしきい値Ethを光強度密度しきい値Ith[mW/μm2]で議論できる。
In FIG. 1, the
(A)項を満足させるためには、k層に焦点をあわせた場合でのk層での光強度密度Ikについて、(数5)式が成り立つとよい。 In order to satisfy the term (A), the equation (5) is preferably satisfied with respect to the light intensity density Ik in the k layer when the k layer is focused.
Ik=Pk/Sk≧Ikth (数5)
Ikth;記録層kでの光強度密度しきい値(mW/μm2)
Sk;k層に焦点をあわせた場合での1/e2スポット面積
Sk=Π(0.5×λ/NAF)2
ただし、回折限界に絞り込まれた光スポット径をλ/NAFとする。
ここでk層における光強度Pk[mW]は
Ik = Pk / Sk ≧ Ikth (Equation 5)
Ikth; threshold value of light intensity density in the recording layer k (mW / μm 2 )
Sk: 1 / e 2 spot area when focusing on the k layer
Sk = Π (0.5 × λ / NAF) 2
However, the light spot diameter narrowed down to the diffraction limit is λ / NAF.
Here, the light intensity Pk [mW] in the k layer is
δkは、ディスク上の光入射面とk番目の記録層の間の透過率、Tnは、n層の透過率である(n=0の時は1層までの透過率)。Pkは図3aに示すようになる。(数5)(数6)式より、k層で記録できるために必要な最小の記録パワーPminは、
Pmin≧Ikth×Sk/δk (数7)
一般に、光強度が最も小さくなるのは、最下層Nで、n=1〜N−1が記録され、透過率Tnがすべて低下する媒体を用いた場合→Tn′(記録後の透過率)である。
δk is the transmittance between the light incident surface on the disk and the kth recording layer, and Tn is the transmittance of the n layer (when n = 0, the transmittance of up to one layer). Pk is as shown in FIG. (Equation 5) From Equation (6), the minimum recording power Pmin necessary for recording with k layers is:
Pmin ≧ Ikth × Sk / δk (Expression 7)
In general, the light intensity becomes the smallest when the lowest layer N is used, where n = 1 to N-1 is recorded and the transmittance Tn is all reduced. → Tn ′ (transmittance after recording) is there.
(B)項が成り立つには、k層に記録を行うため、k層に焦点を合わせた時のj層での光強度密度Ijk[mW/μm2]は、(数8)が成り立てば良い。 In order for the term (B) to hold, since recording is performed on the k layer, the light intensity density Ijk [mW / μm 2 ] in the j layer when focusing on the k layer should satisfy (Equation 8). .
Ijk=Pjk/Sjk《Ijth (数8) Ijk = Pjk / Sjk << Ijth (Equation 8)
である。 It is.
k層に記録を行う場合、j層を記録破壊しないため記録パワーの上限Pmaxは次式で与えられる。 When recording is performed on the k layer, the upper limit Pmax of the recording power is given by the following equation in order not to destroy the recording of the j layer.
Pmax=Ijth×Sjk/δj (数10)
Sjkは、k層に焦点を合わせた時のj層での光スポット面積であり、層間距離dが波長λ以上なら幾何光学的に求めることができる。
Pmax = Ijth × Sjk / δj (Equation 10)
Sjk is the light spot area on the j layer when the k layer is focused, and can be obtained geometrically if the interlayer distance d is greater than or equal to the wavelength λ.
dn;n層番目の膜厚
TANφ=a/fF≒NAF
ここで、1/Sjk[μm2 ]は面密度を表わし、図3bのようになる。図3aと図3bから光強度密度Ijk[mW/μm2 ]が得られ、図3cのようになる。
dn: nth layer thickness
TANφ = a / fF ≒ NAF
Here, 1 / Sjk [μm 2 ] represents the areal density, as shown in FIG. The light intensity density Ijk [mW / μm 2 ] is obtained from FIGS. 3a and 3b, as shown in FIG. 3c.
(数5)(数8)式が同時に成り立つように絞り込み光学系,ディスク構造,記録条件を設定することで、各層で信頼性の高い記録が可能となる。一例として、図10aに示す3層ディスクについて、記録可能な層間距離dを求める。ただし、絞り込み光学系は、波長λ=0.78μm,NAF=0.55とし、各層の光学定数は、R1=R2=R3=0.1,T1=T2=T3=0.8,A1=A2=A3=0.1とする。また、線速度v=7m/s,照射時間t=100ns〜500nsとし、この時の記録層の光強度密度しきい値は、I1th=I2th=I3th=2.53(mW/μm2)とする。ここで、記録可能な層間間隔d=d1=d2=d3と、記録パワーの範囲を求める。 By setting the aperture optical system, the disk structure, and the recording conditions so that the equations (5) and (8) are satisfied simultaneously, highly reliable recording is possible in each layer. As an example, the recordable interlayer distance d is obtained for the three-layer disc shown in FIG. 10a. However, the aperture optical system has a wavelength λ = 0.78 μm, NAF = 0.55, and the optical constants of the respective layers are R1 = R2 = R3 = 0.1, T1 = T2 = T3 = 0.8, A1 = A2 = A3 = 0.1. Further, the linear velocity v = 7 m / s, the irradiation time t = 100 ns to 500 ns, and the light intensity density threshold value of the recording layer at this time is I1th = I2th = I3th = 2.53 (mW / μm 2 ). . Here, the recordable interlayer distance d = d1 = d2 = d3 and the range of the recording power are obtained.
図10bに、目標記録層以外に記録していない場合について、各層にスポットを絞り込んだ場合について、ディスクに照射する記録パワーと各パワーに対応していられる再生信号の変調度を示している。ここで、変調度は、各層面に形成された局所的光学的性質変化(マーク)の大きさの目安を示し、絞り込みスポット径ほどの十分大きなマークになると変調度は飽和の傾向を示す。縦軸は各層について変調度の飽和値を1として規格化したものを示している。図において、第1層にマークを形成できるしきい値パワーは、4mW(=Ith×S1)、第2層では、5mW(=Ith×S2/δ2)、第3層(k=3)では、これが最小パワーPminを決定し、(数5)(数6)(数7)式より FIG. 10b shows the recording power applied to the disk and the degree of modulation of the reproduction signal corresponding to each power when recording is not performed on other than the target recording layer and when the spot is narrowed down to each layer. Here, the degree of modulation indicates a measure of the local optical property change (mark) formed on each layer surface, and the degree of modulation tends to saturate when the mark becomes sufficiently large as the narrowed spot diameter. The vertical axis represents each layer normalized with the saturation value of the modulation degree set to 1. In the figure, the threshold power that can form a mark on the first layer is 4 mW (= Ith × S1), the second layer is 5 mW (= Ith × S2 / δ2), and the third layer (k = 3) is This determines the minimum power Pmin. From the formulas (5), (6), and (7)
となる。
(数8)(数9)(数11)式より
It becomes.
(Equation 8) (Equation 9) (Equation 11)
例えば、d=2.5μm では、Pmax=16mW(P3max=10mW)となり、図10bに示すように、信号が十分なマークを記録することができる。このように、設計することで他の層を破壊しないで、かつ目標層に信頼性高く記録できる。 For example, when d = 2.5 μm, Pmax = 16 mW (P3max = 10 mW), and a mark with a sufficient signal can be recorded as shown in FIG. Thus, by designing, it is possible to record the target layer with high reliability without destroying other layers.
次に、記録再生を行うための第3の課題は、再生過程にある。再生での規定条件は次の項である。
(C) ノイズ成分を最小とする。ここでは、層間クロストークノイズの低減である 。
(D) 目標層からの信号成分を最大にする。
Next, the third problem for recording / reproducing is in the reproducing process. The specified conditions for reproduction are as follows.
(C) Minimize the noise component. Here, it is reduction of interlayer crosstalk noise.
(D) Maximize the signal component from the target layer.
(C)項を達成するための第1の方法を示す。 The 1st method for achieving the (C) term is shown.
第1の方法は、図1において、受光光学系を最適化することで、目標層以外からの反射光量を十分小さくすることで、層間クロストークを低減し、SN比の大きい再生を行うものである。図1において、実線で示すように、再生しようとする層からの反射光量は像レンズ9の焦点上に置かれた光検出器10によってすべて検出される。一方、隣接層からの反射光は、点線で示すように像レンズの焦平面12で拡がっている。そこで、光検出器9の大きさを図1のように制限することで隣接層からの反射光を低減することができる。
The first method is to optimize reproduction of the light receiving optical system in FIG. 1 to sufficiently reduce the amount of reflected light from other than the target layer, thereby reducing interlayer crosstalk and reproducing with a large SN ratio. is there. In FIG. 1, as indicated by the solid line, the amount of reflected light from the layer to be reproduced is all detected by the
k番目の層を目標層とし、焦点を合わせたときの光スポット11のピーク強度値の1/e2の強度となる直径、すなわちスポット径はUk=(λ/NAF)である。そして、目標層からの反射光は、像レンズ9の焦点位置に結像される。この焦平面12上のスポット径Uk′は、
Uk′=mUk=m×(λ/NAF)=(NAF/NAI)×(λ/NAF) =λ/NAI=λ×(fI/a) (数14)
m;受光光学系の横倍率
次に、k番目の目標層から層間距離d離れた(k±1)番目の層からの焦平面でのスポット径U(k±1)′を求める。(k±1)層からの反射光が像レンズ9で焦点を結ぶ位置と焦平面との距離d′は、
d′=Y×d=m2×d (数15)
Y:縦倍率
U(k±1)′=d′×tanφI=d′×a/(fI+d′)
=m2d×a/(fI+m2d)
ここで、fI》m2dならば
U(k±1)′≒a×m2d/fI=NAI・m2d (数16)
上式より光検出器の直径Dを、D=Uk′=λ/NAIとすれば、光検出器の径を制限しない場合と比較して、面積比ε=(D/U(k±1)′)2で、隣接層からの反射光量を低減できるので、目標層からの反射光量の変化を高いSN比で検出できる。
The k-th layer is the target layer, and the diameter at which the intensity is 1 / e 2 of the peak intensity value of the
Uk ′ = mUk = m × (λ / NAF) = (NAF / NAI) × (λ / NAF) = λ / NAI = λ × (fI / a) (Expression 14)
m: Lateral magnification of light receiving optical system Next, a spot diameter U (k ± 1) ′ on the focal plane from the (k ± 1) th layer separated from the kth target layer by the interlayer distance d is obtained. The distance d ′ between the position where the reflected light from the (k ± 1) layer is focused by the image lens 9 and the focal plane is:
d ′ = Y × d = m 2 × d (Equation 15)
Y: longitudinal magnification U (k ± 1) ′ = d ′ × tan φI = d ′ × a / (fI + d ′)
= M 2 d × a / (fI + m 2 d)
Here, if fI >> m 2 d, U (k ± 1) ′ ≈a × m 2 d / fI = NAI · m 2 d (Equation 16)
If the diameter D of the photodetector is D = Uk ′ = λ / NAI from the above equation, the area ratio ε = (D / U (k ± 1) compared to the case where the diameter of the photodetector is not limited. 2 ) Since the amount of reflected light from the adjacent layer can be reduced by 2 , the change in the amount of reflected light from the target layer can be detected with a high S / N ratio.
実際に、検出される他の層からの反射光量は、目標k層と他のj層の間の透過率δjk、及び反射率の比αjkを考慮にいれる。ここで、信頼性の高い信号検出のために必要な層間クロストークノイズ量を−20dB(1/10)とすると、一般に次式が成り立てば良い。 Actually, the amount of reflected light from the other layer to be detected takes into account the transmittance δjk between the target k layer and the other j layer and the reflectance ratio αjk. Here, assuming that the amount of interlayer crosstalk noise necessary for highly reliable signal detection is −20 dB (1/10), the following equation should generally hold.
光検出器10での、n層からの反射受光量をInとすると
When the amount of reflected light received from the n layer at the
ただし、以下では、目標層k層に対する隣接層(k−1)層だけについて考慮する。他の層からの影響も同様に考慮できるがその値は、十分小さい。
However, only the adjacent layer (k-1) layer with respect to the target layer k layer will be considered below. The influence from other layers can be considered in the same manner, but the value is sufficiently small.
(数17)≒I(k−1)/Ik
=δ2(k−1),k×α(k−1),k×(D/U(k−1)′)2
(数17.5)
例えば、λ=0.78μm,NAF=0.55,fI=30mmとして(NAI=0.075,m=7.33,m2=53.8)において、D=Uk′≒10.4μm
図10を例にとると、δ23=1.25 ,α23=1より、反射光量の抑制率は、ε×δ223×α23となる。
(Equation 17) ≈I (k−1) / Ik
= Δ 2 (k−1), k × α (k−1), k × (D / U (k−1) ′) 2
(Equation 17.5)
For example, assuming that λ = 0.78 μm, NAF = 0.55, fI = 30 mm (NAI = 0.075, m = 7.33, m 2 = 53.8), D = Uk′≈10.4 μm
Taking FIG. 10 as an example, since δ23 = 1.25 and α23 = 1, the suppression rate of the amount of reflected light is ε × δ 2 23 × α23.
I2/I3=δ223×α23×ε=δ223×α23×(D/U2′)2
=δ223×α23×(λ/NAI)2/(NAI×m2d)2
=δ223×α23×(λ/NAF2/d)2 (数18)
(I2/I3)≦1/10上式の成り立つdを求めると、
I2 / I3 = δ 2 23 × α23 × ε = δ 2 23 × α23 × (D / U2 ′) 2
= Δ 2 23 × α23 × (λ / NAI) 2 / (NAI × m 2 d) 2
= Δ 2 23 × α23 × (λ / NAF 2 / d) 2 (Equation 18)
(I2 / I3) ≦ 1/10 When d satisfying the above equation is obtained,
ここでは、第2層からのクロストークの影響を考慮したが、第1層からのクロストークの影響も同様に計算でき、その値(I1/I3)=0.024(=−32dB)と十分小さく無視できる。
Here, the influence of the crosstalk from the second layer is considered, but the influence of the crosstalk from the first layer can be calculated in the same manner, and the value (I1 / I3) = 0.024 (= −32 dB) is sufficient. Small and negligible.
以上の例では光検出器の径D=Uk′=λ/NAIとしたが、光検出器の位置ずれも含めて、層間のクロストークがある値になるように設計の自由度がある。次に、(C)項を達成するための第2の方法を示す。 In the above example, the photodetector diameter D = Uk ′ = λ / NAI, but there is a degree of freedom in design so that there is a value of crosstalk between layers including the positional deviation of the photodetector. Next, a second method for achieving the item (C) will be described.
第2の方法は、層面上の局所的光学的性質の変化(マーク)の周期bとディスク構造、及び受光光学系の関係を規定することで、層間クロストークの成分を局所的光学的性質の変化の周期bよりも、長くする。すなわち、データの信号帯域よりも層間クロストークの周波数成分小さくすることで、目標層面上のデータを高いSN比で再生するものである。この方法の原理について図1と図4を用いて説明する。第1の方法と区別するために光検出器の径に制限をいれないが、併用することで、より高いSNが得られる。 The second method is to define the relationship between the local optical property change (mark) period b on the layer surface, the disk structure, and the light receiving optical system. It is made longer than the change period b. That is, data on the target layer surface is reproduced with a high S / N ratio by making the frequency component of the interlayer crosstalk smaller than the data signal band. The principle of this method will be described with reference to FIGS. In order to distinguish from the first method, the diameter of the photodetector is not limited, but by using it together, a higher SN can be obtained.
目標層には、回折限界の光スポットが形成されているため、2次元周期bがスポット径(λ/NAF)程度あれば、十分分解できる。すなわち、2次元周期bの最小値bminを(λ/NAF)とすれば、信号成分が十分大きくとれる。これが、(D)項の成り立つ条件である。なお、図4でH0(S)=0の時には分解不可能となり、このときのbの値はスポット径λ/NAFの1/2の時である。一方、隣接層でのスポット径は、焦点がずれているために、層間距離dとすると、(2d×NAF)となり、光学的分解能が低下する。そこで、この特性を利用して、2次元周期bの最大値bmaxを隣接層におけるスポット径(2d×NAF)の1/2すなわち(d×NAF)よりも小さくすれば、隣接層からの信号成分の漏れ込みすなわち層間クロストークの周波数成分は、信号帯域(1/bmax〜1/bmin)よりも小さくなり、フィルタまたはAGC(オートゲインコントロール)を用いて、取り除くことができる。 Since a diffraction-limited light spot is formed on the target layer, if the two-dimensional period b is about the spot diameter (λ / NAF), the target layer can be sufficiently decomposed. That is, if the minimum value bmin of the two-dimensional period b is (λ / NAF), the signal component can be sufficiently large. This is the condition that satisfies the term (D). In FIG. 4, when H0 (S) = 0, decomposition is impossible, and the value of b at this time is 1/2 of the spot diameter λ / NAF. On the other hand, the spot diameter in the adjacent layer is out of focus, so when the interlayer distance is d, (2d × NAF) is obtained, and the optical resolution is lowered. Therefore, if the maximum value bmax of the two-dimensional period b is made smaller than 1/2 of the spot diameter (2d × NAF) in the adjacent layer, that is, (d × NAF) using this characteristic, the signal component from the adjacent layer The frequency component of the leakage of the inter-layer crosstalk, which is smaller than the signal band (1 / bmax to 1 / bmin), can be removed using a filter or AGC (auto gain control).
ここで、焦点ずれによる光学的分解能の低下すなわち、信号変調度の低下を光学的理論から求める。 Here, a decrease in optical resolution due to defocusing, that is, a decrease in the degree of signal modulation is obtained from optical theory.
図1に示す受光光学系において,記録再生を行う目標層面内と、光学的距離d[μm]離れた隣接層面内のそれぞれの光学的特性関数(OTF)H0(S),H1(S)を図4にそれぞれ、直線13,直線14で示す。横軸は、物体の繰返し周波数に対応し、縦軸はその変調度に対応する。ここで、Sは規格化空間周波数である。
In the light receiving optical system shown in FIG. 1, the respective optical characteristic functions (OTF) H0 (S) and H1 (S) in the target layer surface where recording / reproduction is performed and in the adjacent layer surface separated by the optical distance d [μm] are obtained. In FIG. 4, the
S=λ×fF/(2Πa)=λ/NAF×b (数20)
焦点ずれもなく、無収差の場合、光学的特性関数H0(S)は、直線13のようになる。この場合、光学的分解能がゼロとなる遮断周波数は、S=2となる。実際の記録再生装置では、レーザノイズ,アンプノイズなどのノイズ成分が含まれ、さらに、焦点ずれ以外の収差を光学系自体が持っているために、遮断周波数S=2に対応する周期bまでは、検出が困難である。そこで、変調度が半分(−6dB)を変調度の許容値とする。その時、S=1となり、上記周期bの最小繰返しbminを規定する。
S = λ × fF / (2Πa) = λ / NAF × b (Equation 20)
When there is no defocus and no aberration, the optical characteristic function H0 (S) becomes a
bmin=λ/NAF (数21)
一方、層間距離dの値で焦点ずれが生じた場合の光学的特性関数H1(S)について、H1(S)=0となるSより、上記周期bの最大繰返しbmaxを規定する。
bmin = λ / NAF (Expression 21)
On the other hand, with respect to the optical characteristic function H1 (S) in the case where defocus occurs at the value of the interlayer distance d, the maximum repetition bmax of the period b is defined from S where H1 (S) = 0.
焦点ずれdの増加と共に、光学的特性関数H1(S)は、矢印15の方向に変化し、bmaxも大きくできる。
As the defocus d increases, the optical characteristic function H1 (S) changes in the direction of the
このように、隣接層からのクロストークの周波数成分はfmin(=1/bmax)以下であり、図4に示すような追従特性16を持つオートゲインコントロール回路を用いれば、隣接クロストーク成分を吸収できる。 Thus, the frequency component of crosstalk from the adjacent layer is less than fmin (= 1 / bmax), and if an auto gain control circuit having a tracking characteristic 16 as shown in FIG. 4 is used, the adjacent crosstalk component is absorbed. it can.
(数値例)
焦点ずれdと波面収差量B1の関係は次式で表わせられる。
(Numerical example)
The relationship between the defocus d and the wavefront aberration amount B1 is expressed by the following equation.
B1=−d/2×(NAF)2
数値例として、焦点ずれdに対する遮断周波数Sを求め、bmaxを求めた。
B1 = −d / 2 × (NAF) 2
As a numerical example, a cut-off frequency S with respect to defocus d was obtained, and bmax was obtained.
d=6.7μmの場合→bmax=4.7μm
B1=−λ
d=10μmの場合→bmax=7.9μm
B1=−1.5λ
また、bmin=(λ/NAF)=1.42μm
例えば、図20のように、スポット走査方向に、可変長の符号である2−7符号を用い、トラックピッチ1.5μm 一定のディスクについて、公知例「特開昭63−53722 号」に示すピットエッジ記録方式を用いた場合、再生可能な最小ビットピッチq(μm)と層間距離dを求めると、図4に示すように、最短パターン繰返し周期は、
3q=bmin=1.42μm
q=0.47μm
ここで、最長パターン繰返しは8qであり、
8q=3.76μm≦bmax
また、ディスク半径方向のマーク周期は、トラックピッチ1.5μm 一定であり、1.5μm≦bmaxである必要がある。よって、d≧5μmで十分である。
When d = 6.7 μm → bmax = 4.7 μm
B1 = −λ
When d = 10 μm → bmax = 7.9 μm
B1 = -1.5λ
Bmin = (λ / NAF) = 1.42 μm
For example, as shown in FIG. 20, a pit shown in a publicly known example “Japanese Patent Laid-Open No. 63-53722” is used for a disk using a 2-7 code, which is a variable length code, in the spot scanning direction and having a track pitch of 1.5 μm. When the edge recording method is used, when the minimum reproducible bit pitch q (μm) and the interlayer distance d are obtained, as shown in FIG.
3q = bmin = 1.42 μm
q = 0.47 μm
Here, the longest pattern repetition is 8q,
8q = 3.76μm ≦ bmax
Further, the mark period in the disk radial direction needs to be constant at a track pitch of 1.5 μm and 1.5 μm ≦ bmax. Therefore, d ≧ 5 μm is sufficient.
次に、(C)項を達成するための第3の方法を示す。第2の方法では、層間クロストークノイズの周波数成分は、fmin以下であるが、変調方式のよっては、局所的光学的性質の変化の粗密によって、目標層からの信号が変動してしまう。上記例で用いた2−7変調符号もそのひとつであり、その変調信号のパワースペクトル特性86を図4に示す。fmin以下に、わずかに成分を持つ。これは、先に述べたようにフィルター,AGCで抑圧できるが、このような回路を用いなくても、粗密の変動をなくし、直流成分一定値にすることで、層間クロストークノイズを抑圧することができる。第3の方法の原理は、隣接層におけるスポット径(2d×NAF)の領域に含まれる局所的光学変化(マーク)の領域の総面積が常に一定値である符号を用いる。このようにすることで、スポットを走査したときの再生信号への層間クロストーク量は常に直流一定値なる。第3の方法と第1の方法を併用することもできる。 Next, a third method for achieving the item (C) will be described. In the second method, the frequency component of the interlayer crosstalk noise is equal to or less than fmin. However, depending on the modulation method, the signal from the target layer varies due to the variation in local optical properties. The 2-7 modulation code used in the above example is one of them, and the power spectrum characteristic 86 of the modulation signal is shown in FIG. There are slight components below fmin. This can be suppressed by the filter and AGC as described above. However, even if such a circuit is not used, it is possible to suppress inter-layer crosstalk noise by eliminating variation in density and making the DC component constant value. Can do. The principle of the third method uses a code in which the total area of the local optical change (mark) region included in the spot diameter (2d × NAF) region in the adjacent layer is always a constant value. By doing so, the amount of interlayer crosstalk to the reproduction signal when the spot is scanned is always a constant DC value. The third method and the first method can be used in combination.
一例を示す。公知例「土井 利忠、伊賀 章:ディジタル・オーディオ」にあるEFM変調方式を用いた場合についての変調信号のパワースペクトル87は、図4に示すように低域成分のスペクトルが急激に低下する特徴を持つ。よって、スペクトルの急激に低下する折れ点88が、隣接層の光学的特性関数H1(S)について、H1(S)=0となる遮断周波数と一致するように層間間隔dを設定すれば良い。
An example is shown. The
例えば、q=0.6μmとすると、2.82q=1.7μm≧bmin=1.42μm,10.36q=6.2μm≦bmax,折れ点88での繰返し周期は24μmであり、層間距離d=22μmとする。この時、隣接層におけるスポット径(2d×NAF=24μm)に含まれるマークの占有率はほぼ50%一定であり、検出される再生信号に含まれる隣接層からの反射光量の成分は常に一定値となる
。
For example, if q = 0.6 μm, 2.82q = 1.7 μm ≧ bmin = 1.42 μm, 10.36q = 6.2 μm ≦ bmax, the repetition period at the break point 88 is 24 μm, and the interlayer distance d = 22 μm. At this time, the occupation ratio of the mark included in the spot diameter (2d × NAF = 24 μm) in the adjacent layer is almost 50% constant, and the component of the reflected light amount from the adjacent layer included in the detected reproduction signal is always a constant value. It becomes.
次に、図21,22では、層面内で2次元記録を行う場合について、本発明を適用したものである。2次元記録再生方式は、先願特願平3−11916号「情報記録再生方法及び装置」に示してある。先願では、図21に示すように、例えば、2×2の4格子点を一つのブロックとして用い、格子点にマークを記録する組み合わせで、24=16 、4ビットのデータを表わし、高密度化を行う。この場合、第1,第2の本方式を適用できる。また、図22に示すように、4×4の格子ブロック内の格子点に必ず同数個のマークが含まれるように(図では1個)する。さらに、隣接層でのスポット径(2d×NAF)に格子ブロックが多く含まれれば、スポット内に含まれるマークの数、さらにはマークの占有面積はほとんど一定値であり、第3の方法が適用できる。 Next, in FIGS. 21 and 22, the present invention is applied to the case where two-dimensional recording is performed in the layer plane. The two-dimensional recording / reproducing system is shown in Japanese Patent Application No. 3-11916 “Information Recording / Reproducing Method and Apparatus”. In the prior application, as shown in FIG. 21, for example, a combination of using 2 × 2 4 grid points as one block and recording marks at the grid points represents 2 4 = 16, 4 bit data, Densify. In this case, the first and second main methods can be applied. Also, as shown in FIG. 22, the same number of marks are necessarily included in the lattice points in the 4 × 4 lattice block (one in the figure). Further, if the spot diameter (2d × NAF) in the adjacent layer includes many lattice blocks, the number of marks included in the spot and the occupied area of the marks are almost constant, and the third method is applied. it can.
ところで、光ディスクでは、回折限界の光スポットを各記録層面に形成するが、図2に示した各光学系では、ある値dmの焦点ずれが生じると、顕微鏡の結像系の条件が満たされ、受光面上に記録膜面の像が形成され場合がある。例えば、目標層に回折限界のスポットを形成し受光している場合、他の層までの距離がdmである場合、受光面上にこの層上のマーク列パターンが形成され、目標層上の情報信号に信号帯域のクロストークノイズが乗る可能性がある。そこで、層間距離がdmにならないように、ディスク構造を設計するのが望ましい。 By the way, in an optical disk, a diffraction-limited light spot is formed on each recording layer surface. However, in each optical system shown in FIG. 2, when a defocus of a certain value dm occurs, the condition of the imaging system of the microscope is satisfied. An image of the recording film surface may be formed on the light receiving surface. For example, when a diffraction-limited spot is formed on the target layer and light is received, if the distance to the other layer is dm, a mark row pattern on this layer is formed on the light-receiving surface, and information on the target layer There is a possibility of crosstalk noise in the signal band on the signal. Therefore, it is desirable to design the disk structure so that the interlayer distance does not become dm.
また、各層から反射してくる光は、照射光が同一のため、層間の距離が可干渉距離程度に小さくなると、反射光同士が干渉する。その結果、層間のクロストークノイズを受光面上での目標層と他の層からの受光量比で表わせなくなる。すなわち、干渉が生じるために、最悪、層間クロストークノイズが、受光量比の平方根で現われてしまう。この影響が実際に問題になるのは、隣接層間の場合である
。
In addition, since the light reflected from each layer is the same as the irradiation light, the reflected light interferes when the distance between the layers is reduced to a coherent distance. As a result, the crosstalk noise between the layers cannot be expressed by the ratio of the amounts of light received from the target layer and other layers on the light receiving surface. In other words, since interference occurs, worst-case interlayer crosstalk noise appears at the square root of the received light amount ratio. This effect is actually a problem in the case of adjacent layers.
そこで、この問題を解決する実施例を図27に示す。この実施例の原理は、隣接層から反射してくる光の偏光方向を替えることで、干渉を起こさせないことにある。偏光方向を変える手段のひとつとして、図27では、各中間層2に1/4波長板層201を備える。1/4波長板層201は、層の深さ方向に向かって、進行する光の電場の波について、層面の2次元方向について、位相差を90度異なる、すなわち2つ方向についての光学的厚みの差を1/4波長分だけ変えるものである。このようなディスク構造にすることで、例えば図に示すように、照射光の偏光方向をE偏光とした場合、互いに隣あう層からの反射光は、1/4波長板層201を往復する差、すなわち1/2波長,180度位相差分だけ異なるため、偏光方向が交互にE偏光、H偏光と直交する。そのため、隣接層間の反射光成分は干渉しないため、単純な受光面上での受光量比で表わせ、層間のクロストークを低減することができる。さらに、受光系において、図27に示すように、偏光ビームビームスプリッタ202を挿入し、反射光の偏光方向によって、検出する光検出器203,204を分離する。このようにすることで、少なくても隣接層からの反射光は検出されないため、前述の第1の再生方式において、光検出器の大きさのバラツキの許容値を大きくすることができる。
An embodiment for solving this problem is shown in FIG. The principle of this embodiment is that interference is not caused by changing the polarization direction of the light reflected from the adjacent layer. As one means for changing the polarization direction, in FIG. 27, each
次に、(1)節で示した本発明の3次元記録再生方法の原理を達成する装置について示す。
(2)3次元ディスクフォーマット,データ管理
図5に、多層ディスク4のフォーマットの一例を示す。光を入射させる基板3から、光の進行方向に向かって、1〜n層とする。k層でのデータフォーマットはディスクを放射線上に区切ったセクタm,半径方向のデータ位置を管理するトラックl、以上、3個のアドレス(l,m,n)でデータを管理する。ある任意のトラックl,セクタmにおけるフォーマットは、図に示すように、記録再生のタイミングや、アドレス情報をあらかじめ作りつけたプリフォーマット領域と、ユーザデータを記録再生し、さらに、データの有無、読みだしの禁止などを記録し管理するデータ領域からなる。また、各層の役割として、図に示すように、ユーザデータを記録再生する層と共に、ROM(Read Only Memorey)層またはWOM(Write Once Memorey)を設け、上位コントローラのOS(Operating System)、または、後述するように、各層での記録または再生の条件などを、ディスク作成時にプリフォーマット化しておくか、出荷時に記録することもできる。また、層データの管理層として、各層のデータ状態、例えば、データの有無,エラー管理,有効なデータ領域,書替え(オーバーライト)回数を随時、記録しておくこともできる。また、交替層として、記録誤りを検出した層のかわりに情報を入れ直すこともできる。
Next, an apparatus for achieving the principle of the three-dimensional recording / reproducing method of the present invention shown in section (1) will be described.
(2) Three-dimensional disk format and data management FIG. 5 shows an example of the format of the
次に、データを記録する順番は、例えば次のような組み合わせがある。
(a)1→k→N層と上層から順に記録を行う。ただし、各層ではすべてのユーザセクタとトラックに情報を記録してから次の層に記録する。
Next, the order of recording data includes, for example, the following combinations.
(a) Recording is performed in order from the 1 → k → N layer and the upper layer. However, in each layer, information is recorded in all user sectors and tracks and then recorded in the next layer.
上記データ記録を行う場合、記録媒体として、記録後の透過率が増加する特性を持つものを用いることでさらに信頼性の高い記録再生を行うことができる。すなわち、下層の記録層までの透過率が増加するので、上層に記録するのに必要な光強度とほぼ等しい光強度照射で下層の目標層に十分記録に必要な光強度を与えることができる。また、再生においても、目標層からの反射光成分がほとんど減衰されずに検出器に戻ってくるので、SN比の高い再生信号が得られる。上記と特性を持つ記録媒体のとして、例えば、穴あけ形記録媒体がある。この媒体は記録することによって、反射膜に穴があき、反射率が低下、すなわち透過率が増加する。
(b)N→k→1層と下層から順に記録を行う。後は(a)と同じ。
(c)各層ではすべてのユーザセクタとトラックに情報を記録してから次の層に記録するが、記録する層の順番はランダムアクセスとする。
(d)記録する層の順番はランダムアクセスとするが、ひとつの層においてある当該セクタ内にすべてデータ記録してから、次の層の当該セクタを埋めていき、すべての層の当該セクタを埋めてから、次のセクタのデータを記録する。
(e)当該トラックにおいて、層方向にランダムアクセスを行う。この場合、セクタによる固定ブロック管理ではなく、磁気ディスクのデータ管理である可変長ブロックを適用することで、磁気ディスクのシリンダを層に対応させ、磁気ディスクのデータフォーマットをそのまま適用することができる。
When performing the above data recording, it is possible to perform recording / reproduction with higher reliability by using a recording medium having a characteristic of increasing the transmittance after recording. That is, since the transmittance to the lower recording layer is increased, the light intensity necessary for recording can be sufficiently applied to the lower target layer by irradiation with light intensity substantially equal to the light intensity necessary for recording on the upper layer. In reproduction, the reflected light component from the target layer returns to the detector with almost no attenuation, so that a reproduction signal having a high S / N ratio can be obtained. An example of a recording medium having the above characteristics is a punched recording medium. When this medium is recorded, a hole is formed in the reflection film, and the reflectance is lowered, that is, the transmittance is increased.
(b) Recording is performed in order from N → k → one layer and lower layers. The rest is the same as (a).
(c) In each layer, information is recorded in all user sectors and tracks and then recorded in the next layer, but the order of the layers to be recorded is random access.
(d) The order of recording layers is random access, but after all data is recorded in the sector in one layer, the sector in the next layer is filled, and the sector in all layers is filled. After that, the next sector data is recorded.
(e) Random access is performed in the layer direction in the track. In this case, by applying variable length blocks that are data management of the magnetic disk instead of fixed block management by sector, the magnetic disk data format can be applied as it is, with the cylinder of the magnetic disk corresponding to the layer.
上記ランダムアクセスでは、例えば誤って記録時に記録した領域にアクセスしないように、上位コントローラによって情報記録領域の管理を行っても良いし、前述した管理領域によって管理してもよい。
(3)装置全体構成
図6に、3次元記録再生装置の全体構成を示す。記録する場合は、ユーザデータ17を変調回路18通して、変調後の2値化データ19を得る。変調後の2値化データは、記録条件設定回路20を通り、光スポットが位置づけられている位置での最適な記録条件で、強度変調されるように、レーザ駆動回路21が駆動され、光ヘッド22内の半導体レーザの光強度が変調され、ディスク4への記録を行う。
In the random access, for example, the information recording area may be managed by the host controller so as not to access the area recorded at the time of recording by mistake, or may be managed by the management area described above.
(3) Overall Configuration of Device FIG. 6 shows the overall configuration of the three-dimensional recording / reproducing device. In the case of recording,
一方、再生する場合は、ディスク上の目標の層,トラック位置に光スポットを位置づけ、微弱光を照射し、反射光の強度変化を光検出器10で電気信号に変換し、再生信号23,24を得る。再生信号23,24は、再生制御回路25を通して、層間クロストークを抑制したのち、AGC(オートゲインコントロール)回路26を通り、データ帯域よりも低周波数の変動を吸収し、後の回路で動作する絶対レベルに信号を合わせる。
On the other hand, when reproducing, the light spot is positioned at the target layer and track position on the disk, the weak light is irradiated, the intensity change of the reflected light is converted into an electric signal by the
その後再生信号は、波形等化器27を通り、データパターンによる波形歪み(振幅の劣化,位相のずれ)の改善を行い、整形器28で2値化信号に変換する。整形器28には、振幅スライスによって2値化するもの、微分によるゼロクロス検出するものがある。
Thereafter, the reproduced signal passes through the
次に2値化信号は、位相同期回路29に通り、データからのクロック抽出を行う。位相同期回路29は、位相比較器30,ローパスフィルタ(LPF)31,電圧制御発振器32からなる。位相同期回路29で生成されたクロックによって、2値化信号から、データの‘1’,‘0’の判定する弁別器33を通り、復号器34によって、ユーザデータ17に変換される。以上の記録再生のため、上位コントローラからの指令で、目標の層及び層面内の目標位置に光スポットを位置づけるためには、光ヘッド22からの焦点ずれ、トラックずれ信号検出35を行い、補償回路36によって、サーボ制御に最適な信号に補償し、駆動回路37を通して、光スポット位置決め機構を駆動する。
(4)アクセス方法
光スポット位置決め機構としては、絞り込みレンズ8を層方向とディスク半径方向に駆動する2次元アクチゥエータ、または、絞り込みレンズ8を層方向だけに駆動する1次元アクチゥエータと絞り込みレンズ8に入射させる光束をディスク半径方向に偏向するガルバノミラーを組み合わせたものがある。
Next, the binarized signal passes through the phase synchronization circuit 29 and performs clock extraction from the data. The phase synchronization circuit 29 includes a
(4) Access method As a light spot positioning mechanism, a two-dimensional actuator that drives the aperture lens 8 in the layer direction and the disk radial direction, or a one-dimensional actuator that drives the aperture lens 8 only in the layer direction and the aperture lens 8 are incident. There is a combination of galvanometer mirrors that deflect the luminous flux to be deflected in the disk radial direction.
ここで、(2)で述べたデータ記録再生のためにランダムアクセスを行う場合について、第1に目標層kに焦点を結ばせる方法について述べる。焦点ずれ信号検出のためには、目標層からの反射光スポットの大きさが、焦点ずれによって変化するので、公知例「特開昭63−231738号,特開平1−19535号」に示す前後差動焦点ずれ検出法を用いることができる。図24aに、ディスク面に対して絞り込みレンズの位置を層方向Zに走査させたときに得られるAF誤差信号35を示す。各層についての焦点ずれ誤差信号及び合焦点位置であるゼロクロス点105が順に得られるのがわかる。
Here, in the case of performing random access for data recording / reproduction described in (2), first, a method for focusing on the target layer k will be described. In order to detect the defocus signal, the size of the reflected light spot from the target layer changes depending on the defocus. Therefore, the difference between before and after shown in the publicly known examples "JP-A-62-231738, JP-A-1-19535" is described. A dynamic defocus detection method can be used. FIG. 24a shows an
ここで、目標層kにアクセスする場合の第1の実施例のブロック図を図23に示す。回転するディスク4に対し、AF(オートフォーカス)アクチゥエータ移動信号発生回路93でのこぎり波106を発生させ、AFアクチゥエータドライバ91を駆動させ、絞り込みレンズ8をディスク面に対し+Z方向(ディスクにレンズを近づける方向)に動かす。この時、AF検出回路89ではAF誤差信号35が得られる。この信号は引込み点判定回路92でゼロクロス点105を検出され、ある層面に合焦点であることをAFサーボ系コントローラ94に伝える。判定回路92では図24aに示すように、ゼロスライスレベルより少しずれたスライスレベル103によって、図24bに示すAFパルス37を作り、その立ち下がり104を検出することでレンズ8が合焦点を通り過ぎる直前のタイミングをコントローラ94に送る。
Here, FIG. 23 shows a block diagram of the first embodiment when accessing the target layer k. A
コントローラ94では、上位コントローラからの指令で焦点引込み状態であることを認識し、上記タイミングの入力と共にスイッチ97を切り替え、AFサーボ回路90をAFアクチゥエータドライバ91につなげサーボループを閉じさせる。この状態では、AFサーボ回路90は、AF信号検出回路89でえられるAF誤差信号が常にゼロになるようにAFアクチゥエータを駆動させる。よって、ディスク4が回転時に上下振れしてもある層に回折限界のスポットを安定に形成させることができる。
The
次に、レイヤー番号検出回路95において、図5で示したプリフォーマット部にある層アドレスを読み取るとることで現在いる層の番号を認識し、コントローラ94に送る。コントローラ94では、現在焦点を結んでいるj番目の層から上位コントローラからの指令であるk番目の目標層まで、上下どちらの(sign(k−j))方向に,どれだけの(|k−j|)層数をスポット移動させれば良いかを認識し、レイヤージャンプ信号発生回路96にジャンプ強制信号107を発生させ、AFアクチゥエータドライバに入力させる。
Next, the layer number detection circuit 95 recognizes the current layer number by reading the layer address in the preformat section shown in FIG. In the
ジャンプ信号107は、1層間の移動にたいし、+−極性のパルスの1対のパルスで構成され、上下の移動方向によって、+−のパルスを入れ替わる。先頭のパルスはスポットを移動方向におよそ移動距離分だけ駆動させるために用い、次の極性反転パルスはスポットが行き過ぎないように制定するためのものである。また、移動する層数の対のパルスをドライバ91に入力する。次に、レイヤー番号を検出し、j=kとなったところで、目標層kにスポットが位置づけられる。ランダムアクセスのために他の層にアクセスするときも、上記と同様に、レイヤージャンプを行えば良い。
The
目標層kにアクセスする場合の第2の実施例のブロック図を図25に示す。 FIG. 25 shows a block diagram of the second embodiment when accessing the target layer k.
回転するディスク4に対し絞り込みレンズ8をディスク面に対し上下させる。この時に上記AF誤差信号35が得られ、さらに、光検出器(ディテクタ)10で検出され、総光量検出回路102から出力された総光量36は図24aに示すように、各記録層に合焦点時にピークを持つ。そこで、図24cに示すクロスレイヤー信号検出回路101の中のパルス化回路98でスライスレベル103,108によって、AFパルス37と総光量パルス38を検出する総光量パルス38をゲートとして用い、AFパルスの立ち下がりを検出することでさらに確実な合焦点検出が可能である。さらに、ディスクに対してレンズが移動する方向を認識するために、これらの2種のパルスからクロスレイヤーパルス発生器99によってアップパルス109とダウンパルス110を生成しカウントすることで、常にレンズがどの層に位置づけられているかを認識することができる。
The diaphragm lens 8 is moved up and down with respect to the disk surface with respect to the
図25において、焦点位置がディスク最上層から、最下層まで少なくとも移動するように、AFアクチゥエータ移動信号発生回路93からのこぎり波を発生させ、AFアクチゥエータを駆動する。この時、回転するディスクの上下振れ量よりも十分大きければ確実である。クロスレイヤー信号検出回路101より、N個の層の合焦点をカウントし、レンズを上側に移動させたときのアップパルス109の上限から、最上層(n=1)または、レンズを下側に移動させたときのダウンパルス110の下限から、最下層(n=N)を認識する。上位コントローラからの指令で、目標とする順番の層にスポットの焦点が結ぶ直前にスイッチ100を切り替え、サーボループを閉じれば良い。このように制御することで、層アドレスを設けなくても、層アクセスを可能とすることができる。
In FIG. 25, a sawtooth wave is generated from the AF actuator movement signal generation circuit 93 so that the focal position moves at least from the uppermost layer of the disc to the lowermost layer, and the AF actuator is driven. At this time, it is certain that it is sufficiently larger than the vertical deflection of the rotating disk. From the cross layer signal detection circuit 101, the focal points of N layers are counted, and the uppermost layer (n = 1) or the lens is moved downward from the upper limit of the up
ところで、記録することで透過率,反射率の変化する媒体を用いた場合、AF誤差信号及び、総光量は、記録された層付近では、図26aに示すように、図25とは異なる信号123,124が得られる。これは、マークの存在する部分をスポットが走査したときに光量が変化し、マークの存在しない部分にスポットがかかると光量が正規の値に戻ること示している。このように、信号が変動するために、サーボ帯域での信号についても、信号の低下が生じ、AFサーボ系のゲインの変動,AFオフセットが発生し、記録された層で焦点ずれが生じる。このような場合、光検出器上で検出された信号成分中、常に、マークの記録されていない部分の信号をホールドすることで、図26に示す理想のAF誤差信号、及び、総光量が得られる。 By the way, when a medium whose transmittance and reflectance change by recording is used, the AF error signal and the total light amount are different from those in FIG. 25 in the vicinity of the recorded layer, as shown in FIG. , 124 are obtained. This indicates that the amount of light changes when the spot scans the portion where the mark exists, and the amount of light returns to the normal value when the spot is applied to the portion where the mark does not exist. As described above, since the signal fluctuates, the signal in the servo band also deteriorates, the AF servo system gain fluctuates and the AF offset occurs, and defocus occurs in the recorded layer. In such a case, the ideal AF error signal and the total light amount shown in FIG. 26 are obtained by always holding the signal of the portion where the mark is not recorded among the signal components detected on the photodetector. It is done.
この方法の一例を図26bに示す。この図は、図23,25におけるAF検出回路89,総光量検出回路102を示したものである。前後差動型AF誤差信号検出光学系の原理図における前後の光検出器111,112は、受光面119,120または121,122からなる。前後光検出器面111,112での光スポット113,114の大きさが同じくなれば合焦点である。各検出器についての和信号は、マーク列をスポットが走査する帯域、すなわちデータ記録再生周波数帯域を持つ前置増幅器115,116で得る。次に、サンプルホールド回路117,118によって、マーク上走査部分での信号を検出し、サーボ帯域の期間ホールドする。このように得られた信号の差信号をAF誤差信号35,和信号を総光量36として得る。サンプルホールド回路117,118は、光量の最大点をサンプルするピークホールドでもよいし、あらかじめサンプル領域として、マークが記録されない領域をフォーマットとして設けておき、サンプルタイミング用ピットなどにより、サンプル領域を認識し、その領域での信号をホールドしても良い。
An example of this method is shown in FIG. This figure shows the AF detection circuit 89 and the total light
ここでは、焦点ずれ検出方法として、前後差動方式を示したが、他の焦点ずれ検出方法である非点収差法,像回転法を用いてもよい。 Here, the front-rear differential method is shown as the defocus detection method, but the astigmatism method and the image rotation method, which are other defocus detection methods, may be used.
一方、目標層に層アクセスした後、当該層面でディスク半径方向の位置決めすなわちトラック位置決めを行う。トラックずれ信号検出は、図20に示すように、各層に案内溝39を設けることで公知例であるプッシュプル法を適用できる。この方法では、目標層以外の層の溝からの回折光は、焦点がずれているために、溝にあたる光の波の位相が乱れているので、光検出器上では一様な光量分布になり、目標層についてのトラックずれ信号に影響は与えない。また、図22に示すように、各層にあらかじめウォーブルピット40をトラック方向に作りつけておくことで、公知例であるサンプルサーボ法を適用できる。以上説明したスポット位置決めの技術は、公知例「特開昭63−231738号,特開平1−19535号,特開平4−228112号」に示してある。ディスク上の案内溝,ウォーブルピットの作成法については後述する。
(5)記録制御方法
次に、(1)節で示した本発明の3次元記録方式の原理を達成する記録制御方法について述べる。(1)で述べたように、記録目標であるk層に安定に記録するためには、k層までの透過率42を考慮して記録パワーP(光強度)を設定しなければならない。そこで、図6に示すように、記録条件設定回路20はアドレス認識41と記録目標であるk層までの透過率42を用いる。これを詳細に示した回路ブロック例を図7に示し、信号例を図9に示す。
On the other hand, after layer access to the target layer, positioning in the disk radial direction, that is, track positioning is performed on the layer surface. As shown in FIG. 20, the push-pull method, which is a well-known example, can be applied to the track deviation signal detection by providing a guide groove 39 in each layer. In this method, the diffracted light from the grooves of the layers other than the target layer is out of focus, and therefore the phase of the light wave that hits the grooves is disturbed, resulting in a uniform light quantity distribution on the photodetector. The track shift signal for the target layer is not affected. In addition, as shown in FIG. 22, a sample servo method, which is a publicly known example, can be applied by previously forming a
(5) Recording Control Method Next, a recording control method that achieves the principle of the three-dimensional recording method of the present invention shown in section (1) will be described. As described in (1), in order to record stably on the k layer which is the recording target, the recording power P (light intensity) must be set in consideration of the
図9において、2値化信号19をディスク上のマーク43として記録する場合、記録位置による記録条件の違い、データパターンによる記録状態を考慮して、アドレス認識41(l,m,k)に対して記録条件、例えば記録パルス幅設定,記録パワー設定条件をROM44,45に入力しておくことでD/A変換器46の出力に対応した光強度変調信号P(t)47が得られ、理想の記録状態47のマークが記録できる。このような図7aの実線で示した回路構成は次の場合に適用できる。
In FIG. 9, when the
データを記録する順番として、(2)(b)の場合、または、(1)(C)項を達成するための第3の方法を用い、かつ(2)(a)の場合において、目標層までの透過率42(ΣTn(n=0,1,2…k−1))は、ディスク作成時で決まっているので、層アドレスkが入力されば、既知として扱うことができる。 In the case of (2) (b), or in the case of (2) (a), and (2) (a) Since the transmittance 42 (ΣTn (n = 0, 1, 2,..., K−1)) is determined at the time of disc creation, if the layer address k is input, it can be handled as known.
上記以外の場合、記録時における層までの透過率42は、既知ではない。このような場合、図7aの回路に点線で示した回路を付加する。パワー設定ROM45にはすべての層が未記録状態におけるk層までの透過率を考慮した記録パワー設定値を入力しておく。
In cases other than the above, the
アドレス認識41によって、ディスク出荷時(または設計値)のk層までの透過率ΣTn(n=0,1,2…k−1)と、後述する方法で検出した記録直前のk層までの透過率ΣTn′(n=0,1,2…k−1)42を割算回路47に入力し、透過率の変化分Gをゲインコントロール回路48に入力し、最適な記録パワーに設定されるようにする。
By the
この回路構成を適用できる一つの例を示す。(2)節で述べた「層データの管理層」を設け、その内容をあらかじめ記録前に再生して認識しておき、かつ(1)(C)項を達成するための第3の方法を適用し、(2)節(c),(d)のデータ管理を行った場合、どの層が記録されているのがわかれば、各層での光スポット内の記録後の透過率一定値で既知であるので、k層までの透過率ΣTn′(n=0,1,2…k−1)42を求めることができる。 An example to which this circuit configuration can be applied is shown. (3) A third method for providing the “layer data management layer” described in section (2), reproducing and recognizing the contents before recording, and achieving the item (1) (C) When the data management in (2) Sections (c) and (d) is applied, it is known from the constant transmittance after recording in the light spot in each layer if it is known which layer is recorded. Therefore, the transmittance ΣTn ′ (n = 0, 1, 2,... K−1) 42 up to the k layer can be obtained.
もう一つの例は、記録する前に、あらかじめスポットを走査して透過率の変化Gを求める方法である。 Another example is a method of obtaining a change G in transmittance by scanning a spot in advance before recording.
あらかじめ記録すべき領域を再生する方法としては、記録モードで初めのディスク1回転で再生チェックを行ってから、次の回転で記録を行い、次の回転で記録エラーチェックを行う。もう一つの方法は、図8に示すように複数スポットを用い、先行スポット49で再生チェックを行う方法である。ここでは、後者を例にとって、説明する。再生チェックでは、先行スポット49についての受光した再生信号C′k(t−τ)を用いる。ここで、τは、先行スポット49と記録用スポット51のスポット間距離を時間換算したものである。ここで、透過率変化分Gを、図7bに示すように、記録目標層であるk層に焦点を合わせた状態での再生信号Ck′とディスク出荷時での設計上の再生信号Ckとの比の平方根として、演算器52を用いて求める。これは、再生信号は、反射光を用いているので
、k層までの透過率変化は2乗で再生信号に現われるからである。
As a method of reproducing the area to be recorded in advance, the reproduction check is performed with the first rotation of the disk in the recording mode, the recording is performed with the next rotation, and the recording error is checked with the next rotation. The other method uses a plurality of spots as shown in FIG. Here, the latter will be described as an example. In the reproduction check, the reproduction signal C′k (t−τ) received for the preceding
ただし、再生信号Ckの値は、ディスクフォーマットとして、あらかじめチェック領域として、層方向に対して記録しない領域をディスク面内に設けておくことで、ディスク間のバラツキ,ディスク内での光学的バラツキを吸収して検出できる。よって、精度の高い記録パワー制御が可能となる。また、再生信号を得る光検出器10については、(1)節(C)項を達成する第1の方法で述べたように、図1の形状にすることで、他の層からの反射光の影響を低減でき、目標層からの反射成分を再生信号として検出できるので、より高精度な透過率変化分Gを求めることができる。図9に示すように、ゲインコントロールを行わない場合の記録状態53は理想の記録状態47と異なるが、記録パワーのゲインコントロールを行いG×P(t)で記録をおこなうことで、理想記録状態47を得ることができた。
(6)再生制御方法
次に、本発明の再生方式を達成する図6に示した再生制御回路25を詳細に説明する。ここでは、(1)節で示したような第1から第3の方法である層間クロストークを低減する再生の原理に加え、さらに層間の距離を縮めて高密度化を図る場合に生じるデータ信号帯域の層間クロストーク成分または、光学系の理想状態からのずれが生じた場合に生じる層間クロストーク成分を抑圧する第4の方法について示す。第4の方法は、第1の方法で示したような目標層からの反射光成分の検出に加え、特に層間クロストークの大部分を占める隣接層からの反射光成分も検出し、両者が互いに含んでいる成分を演算によって取り除くことで、目標層の反射光成分を抽出する。
However, the value of the reproduction signal Ck is set as a check area in advance as a disc format, and a non-recording area in the layer direction is provided in the disk surface, so that there are variations between disks and optical variations within the disk. It can be detected by absorption. Therefore, recording power control with high accuracy is possible. Further, as described in the first method for achieving the item (C) in section (1), the
(6) Reproduction Control Method Next, the
ここで、図17aに光学系を示す。基本構成は、図1と同じであるが、さらに、光検出器54と55をk層に焦点を合わせたときの受光面側での隣接層(k+1),(k−1)の結像面に位置づける。ただし、図17aの配置では、お互いに遮光してしまうので、図17bに示すように、結像系にハーフミラーまたは、ビームスプリッタ56,57を挿入する。光検出器10,54,55の形状は直径D=(λ/NAI)とするが、図17Cのように、ピンホールを用いてもよい。この場合の各光検出器で検出される再生信号を図14に示す。
Here, FIG. 17a shows an optical system. The basic configuration is the same as in FIG. 1, but the imaging surfaces of the adjacent layers (k + 1) and (k−1) on the light receiving surface side when the
ここでは、光検出器10についての再生信号Ck,光検出器55についての再生信号C(k−1)と光検出器54についての再生信号C(k+1)を示す。再生信号を得るための回路を図13に示す。ただし、図17の系では、積分回路59,60,遅延回路61,62は必要ない。図14に示すように、第1〜第3の方法を満足する隣接層と目標層との間隔よりも小さくなった場合、k層面のマーク配列71をスポット69が走査したときに得られる層間クロストークのない再生信号73が、再生信号72のように変動する。これは、k層面でのスポット69の走査とともに、隣接層に焦点がずれて照射されているスポット70が隣接上のマーク配列74を走査してために検出される再生信号64ともう一方の隣接層についての再生信号63の成分が、再生信号73に対して無視できないくらい含まれるためである。そこで、図13に示すように、演算回路66で次式の演算を行う。
Here, the reproduction signal Ck for the
Ck≒CkR+β×C(k−1)R+β×C(k+1)R
C(k−1)≒C(k−1)R+β×CkR+β×C(k−2)R
C(k+1)≒C(k+1)R+β×CkR+β×C(k+2)R (数22)
ただし、CnRは、n層からだけの反射光についての再生信号成分を表わす。ここでβ<1が成り立っている。上式より、
演算 F≡Ck−γ×C(k−1)−γ×C(k+1)
≒CkR+β×C(k−1)R+β×C(k+1)R
−γ×{C(k−1)R+β×CkR+β×C(k−2)R} −γ×{C(k+1)R+β×CkR+β×C(k+2)R} (数23)
C(k−2)R,C(k+2)Rは、十分小さく、周波数成分も低いので無視できる。よって、
F≒(1−2γβ)×CkR+(β−γ)×C(k−1)R
+(β−γ)×C(k+1)R (数24)
ここで、γ≡β<1とすると、
F≒(1−β2)×CkR (数25)
となり、層間クロストークを抑制でき、演算後の再生信号68は、図14に示すように、再生信号73と一致する。以上の第4の方法を達成する別の構成として複数スポットを用いた例を以下に示す。図14において、焦点ずれスポット70と同じスポット径のスポット75を2つの隣接層に、スポット69に先行させて走査し、再生信号を得る。ただし、図13に示すように、スポット間隔に相当した遅延回路61,62を挿入して、上記と同様の演算を行う。この構成に用いる光学系の一例を図18に示す。図では、光学系の原理を示すため光軸を3つに分けて示してあるが、絞り込みレンズ8を共用した場合も可能である。先行する隣接層に焦点を結ぶスポット75,82のスポット径を(2d×NAF)にするための手段として、一つは、図に示すように、絞り83を挿入して、絞り込みレンズ8についての実効的開口を小さくする。すなわち、有効径a′をλ/(2d×NAF2)×aにすればよい。もちろん、3つの光軸に分けて、先行する2つの光学系の絞り込みレンズの開口数を小さくしても同様の効果が得られる。すなわち、NAF′=λ/(2d×NAF)とする。
Ck≈CkR + β × C (k−1) R + β × C (k + 1) R
C (k−1) ≈C (k−1) R + β × CkR + β × C (k−2) R
C (k + 1) ≈C (k + 1) R + β × CkR + β × C (k + 2) R (Equation 22)
Here, CnR represents a reproduction signal component for the reflected light from only the n layer. Here, β <1 holds. From the above formula,
Operation F≡Ck−γ × C (k−1) −γ × C (k + 1)
≒ CkR + β × C (k−1) R + β × C (k + 1) R
−γ × {C (k−1) R + β × CkR + β × C (k−2) R} −γ × {C (k + 1) R + β × CkR + β × C (k + 2) R} (Equation 23)
Since C (k−2) R and C (k + 2) R are sufficiently small and have low frequency components, they can be ignored. Therefore,
F≈ (1-2γβ) × CkR + (β−γ) × C (k−1) R
+ (Β−γ) × C (k + 1) R (Equation 24)
Here, if γ≡β <1,
F≈ (1-β 2 ) × CkR (Equation 25)
Thus, the crosstalk between the layers can be suppressed, and the reproduced
これまでは、先行するスポットを図14に示すスポット形状75に限定したが、例えば、図15に示すスポット形状76、または、図16に示す3個のスポット77,78,79でも同様の効果が得られる。そのために、図13の回路に積分回路59,60を挿入する。図15において、先行スポットからの再生信号にスポットの強度分布であるガウシアン分布を例えば、三角分布に近似して得られる重み関数80を掛けて積分を行うことで、実効的にスポット75がマーク列74を走査している場合の再生信号を得ることができる。図16についても、2次元方向のスポット強度分布を考慮して重み関数81を用いればよい。
Up to now, the preceding spot has been limited to the
ここで、演算回路で用いる重み設定回路67において、βを求める方法を述べる。図19に示すように、ディスクフォーマットとして、少なくても上下3層間でマーク記録領域84が、同一光束に含まれないように配置することで、図14に示すように、h(k−1)/hk,h(k+1)/hをβ(−1),β(+1)とすることで上下層についての、重みをそれぞれ求めることができる。
Here, a method for obtaining β in the
これまでの実施例では、基本的に1つの層について、記録再生を行う場合について述べたが、複数スポットを用い、各々の層について焦点を合わせることで、2つ以上の層について同時に記録再生できる、すなわち、並列記録再生が可能となり、データの転送レートを高くすることができる。複数スポットを形成するための手段は、複数の光ヘッド22を同一ディスク上に位置づけても良いし、複数の光源をひとつの光ヘッドに組み込んでも良い。また、異なる波長の光源を複数光源とすることで、波長による記録層の選択記録が可能であり、さらに、波長フィルタによる再生分離が可能である。
(7)ディスク構造実施例とディスク作成法
図11に示すように、直径130mm,厚さ1.1mm のディスク状化学強化ガラス板の表面に、フォトポリメリゼーション法(2P法)によって、1.5μm ピッチのトラッキング用の案内溝と、一周を17セクターに分割し各セクターの始まりで溝と溝の中間の山の部分に凹凸ピットの形で層ののアドレス,トラックアドレスやセクターアドレスなどのプリピット(この部分をヘッダー部と呼ぶ)とを有する紫外線硬化樹脂層を形成したレプリカ基板を作製した。
In the embodiments so far, the case where recording / reproduction is basically performed for one layer has been described. However, by using a plurality of spots and focusing on each layer, recording and reproduction can be performed for two or more layers simultaneously. That is, parallel recording / reproduction is possible, and the data transfer rate can be increased. As a means for forming a plurality of spots, a plurality of optical heads 22 may be positioned on the same disk, or a plurality of light sources may be incorporated in one optical head. In addition, by using a plurality of light sources having different wavelengths, it is possible to selectively record the recording layer according to the wavelength, and further, reproduction / separation by a wavelength filter is possible.
(7) Disc Structure Example and Disc Making Method As shown in FIG. 11, the surface of a disc-shaped chemically tempered glass plate having a diameter of 130 mm and a thickness of 1.1 mm is formed by a photopolymerization method (2P method). 5 μm pitch tracking guide groove and 17 divide the circumference into 17 sectors. Prepits such as layer address, track address and sector address at the beginning of each sector in the form of uneven pits at the middle of the groove A replica substrate on which an ultraviolet curable resin layer having (this portion is referred to as a header portion) was formed.
上記レプリカ基板401上に膜厚の均一性,再現性のよいスパッタリング装置を用いて、窒化シリコンの反射防止層402を約50nmの厚さに形成した。次に、同一スパッタリング装置内でIn54Se43Tl3 の組成の記録膜403を10nmの厚さに形成した。この上に、透明な型を用いて型の側から光を入射させる2P法によって、トラッキング用の案内溝と、層のアドレス,セクターアドレス,トラックアドレスなどのプリピットを有する紫外線硬化樹脂層404を、多層との断熱効果を考慮して、30μmの厚さに形成した。
A silicon
さらに続いて、上記スパッタリング装置内で窒化シリコンの反射防止層405を約50nmの厚さに形成した上にIn54Se43Tl3 の組成の記録膜406を10nmの厚さに形成し、この上に2P法によって、トラッキング用の案内溝と層のアドレス,トラックアドレスやセクターアドレスなどのプリピットとを有する紫外線硬化樹脂層407を30μmの厚さに形成した。さらにこの上に、上記スパッタリング装置内で窒化シリコンの反射防止層408を約50nmの厚さに形成した上にIn54Se43Tl3 の組成の記録膜409を10nmの厚さに形成した。
Subsequently, a silicon
同様にしてもう一枚の同様なレプリカ基板401′上に、窒化シリコン反射防止層402′,In54Se43Tl3記録膜403′,紫外線硬化樹脂層404′,窒化シリコン反射防止層405′,In54Se43Tl3 記録膜406′,紫外線硬化樹脂層407′,窒化シリコン反射防止層408′,In54Se43Tl3 記録膜409′、を順次形成した。このようにして得た2枚のディスクを層409及び409′側を内側にして接着剤層410によって貼り合わせを行った。接着剤層410の厚さは、50μm程度である。このようにディスクを作成することで、1枚のディスクで、両面からそれぞれ記録再生が可能となる。
Similarly, on another
以上のディスク作成例では、プッシュップルトラッキング用の案内溝39について説明したが、サンプルサーボ法に用いるウォーブルピット40についても、上述のプリピットと同様の方法で作成できる。
In the above example of disc creation, the guide groove 39 for push-pull tracking has been described, but the
本実施例で作製したディスクはレーザ光照射によって記録膜構成原子の原子配列変化を生じさせることにより、光学定数を変化させ反射率の違いを利用して読み出しを行なうものである。ここでの原子配列変化は結晶,非晶質間の相変化である。 The disk produced in this example is read out by utilizing the difference in reflectivity by changing the optical constant by causing an atomic arrangement change of the atoms constituting the recording film by laser light irradiation. The atomic arrangement change here is a phase change between crystal and amorphous.
上記ディスクにおいて記録膜製膜直後は記録膜構成元素がまだ十分に反応しておらず、また、非晶質状態である。本ディスクを追記型として用いる場合には、ここに記録用レーザ光を照射して結晶化記録を行なうか、または、予めArレーザ光照射またはフラッシュアニール等で記録膜を加熱し、各元素を十分反応,結晶化させた後、パワー密度の高い記録用レーザ光を照射して非晶質化記録を行なう。ここで、結晶化記録するのに適当なレーザパワーの範囲は、結晶化が起こる温度より高く、非晶質化が起こる温度より低くなる範囲である。また、非晶質化記録するのに適当なレーザパワーの範囲は、結晶化する温度より高く、強い変形を生じたり穴があく温度よりも低い範囲である。また、本ディスクを書き換え可能型として用いるには、予めArレーザ照射またはフラッシュアニール等で記録膜を加熱し、各元素を十分反応、結晶化させた後、結晶化するのに適当なレーザパワーと非晶質化するのに適当なレーザパワーとの間で変調した記録用レーザ光を照射してオーバーライトを行なう。 In the disk, immediately after the recording film is formed, the recording film constituent elements have not yet reacted sufficiently and are in an amorphous state. When this disc is used as a write-once type, the recording laser beam is irradiated here for crystallization recording, or the recording film is heated in advance by Ar laser beam irradiation or flash annealing, etc. After the reaction and crystallization, amorphous recording is performed by irradiating a recording laser beam having a high power density. Here, the range of laser power suitable for crystallization recording is a range higher than the temperature at which crystallization occurs and lower than the temperature at which amorphization occurs. Further, the range of laser power suitable for amorphization recording is a range higher than the crystallization temperature and lower than the temperature at which strong deformation or hole formation occurs. In order to use this disk as a rewritable type, the recording film is heated in advance by Ar laser irradiation or flash annealing, and each element is sufficiently reacted and crystallized. Overwriting is performed by irradiating a recording laser beam modulated with a laser power suitable for amorphization.
上記ディスクを1800rpmで回転させ、半導体レーザ光(波長780nm)を記録が行われないパワーレベル(1mW)に保って、記録ヘッド中のレンズ(NA=0.55)で集光して基板を通して一層の記録膜に照射し、反射光を検出することによって、トラッキング用の溝と溝の中間に光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動した。溝と溝の中間を記録トラックとすることによって溝から発生するノイズの影響を避けることができる。このようにトラッキングを行いながら、さらに記録膜上に焦点が来るように自動焦点合わせをして、記録・再生を行う。記録を行う部分を通り過ぎれば、レーザパワーを1mWに下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた。なお、記録中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続される。この焦点合わせは上記ディスク中の記録膜403,記
録膜406,409それぞれ独立に合わせることができる。
The disk is rotated at 1800 rpm, the semiconductor laser beam (wavelength 780 nm) is kept at a power level (1 mW) at which recording is not performed, and is condensed by a lens (NA = 0.55) in the recording head and further passed through the substrate. The recording film was irradiated and the reflected light was detected to drive the head so that the center of the light spot always coincided between the tracking groove and the groove. By using a recording track in the middle of the groove, the influence of noise generated from the groove can be avoided. While performing tracking in this way, automatic focusing is performed so that the focal point is further on the recording film, and recording / reproduction is performed. After passing the recording part, the laser power was lowered to 1 mW and tracking and autofocusing were continued. Note that tracking and automatic focusing are continued during recording. This focusing can be performed independently for each of the
上記構成のディスクを線速度8m/s(回転数1800rpm,半径42.5 mm)として、基板側から順に下層に向かって記録する場合を示す。まず、記録膜403に焦点を合わせ、記録周波数5.5MHz で90nsの記録パルスを照射して記録した。この時の再生信号強度の記録パワー依存性を以下に示す。
The case where recording is performed from the substrate side toward the lower layer at a linear velocity of 8 m / s (rotation speed: 1800 rpm, radius: 42.5 mm) is shown. First, the
記録パワー(mW) 再生信号強度(mV)
6 30
7 100
8 160
9 210
10 250
11 280
12 300
14 310
記録膜403に記録した後にさらに記録膜406に焦点を合わせて記録した。この時の再生信号強度の記録パワー依存性を以下に示す。
Recording power (mW) Playback signal strength (mV)
6 30
7 100
8 160
9 210
10 250
11 280
12 300
14 310
After recording on the
記録パワー(mW) 再生信号強度(mV)
7 25
8 95
9 155
10 205
11 245
12 275
13 295
15 305
記録膜403および記録膜406に記録した後にさらに記録膜409に焦点を合わせて記録した。この時の再生信号強度の記録パワー依存性を以下に示す。
Recording power (mW) Playback signal strength (mV)
7 25
8 95
9 155
10 205
11 245
12 275
13 295
15 305
After recording on the
記録パワー(mW) 再生信号強度(mV)
8 20
9 90
10 150
11 200
12 240
13 270
14 290
16 300
また、記録膜403に3MHz、記録膜406に4MHz、および記録膜409に5MHzの信号をそれぞれ記録した後、記録膜403,406および409に焦点を合わせて再生信号を読み出した結果を以下に示す。
Recording power (mW) Playback signal strength (mV)
8 20
9 90
10 150
11 200
12 240
13 270
14 290
16 300
Further, after recording a signal of 3 MHz on the
再生信号は、スペクトルアナライザーを用い、測定条件として、分解周波数幅30kHzとした各キャリア周波数におけるCN比(ノイズ成分対キャリア成分比)の測定結果で示す。 The reproduction signal is shown by a measurement result of a CN ratio (noise component to carrier component ratio) at each carrier frequency with a resolution frequency width of 30 kHz as a measurement condition using a spectrum analyzer.
3MHz 4MHz 5MHz
記録膜403 55dB 23dB 6dB
記録膜406 25dB 53dB 21dB
記録膜409 10dB 23dB 51dB
上記の様に、各層について、CN比が50dB以上、隣接記録膜からの層間クロストークが−25dBより小さく、信頼性の高い再生が可能な信号を得ることができた。
3MHz 4MHz 5MHz
As described above, for each layer, a signal with a CN ratio of 50 dB or more and an interlayer crosstalk from the adjacent recording film of less than −25 dB, which can be reproduced with high reliability, can be obtained.
次に、記録膜403,406および、409としてGe14Sb29Te57の組成の薄膜を2nmの厚さに形成し、反射防止層402,405および、408としてZnSの薄膜を50nmの厚さに形成し、その他の構成は上記ディスクと全く同じディスクを作製した。このディスクでは、記録した後の層の透過率が低下する特徴を持つ。そのため、基板側の層から記録していくことで、上記構成のディスクを線速度8m/s(回転数1800rpm,半径42.5 mm)として、下層から、基板側の上層に順に記録する場合について示す。まず、記録膜409に焦点を合わせ、記録周波数5.5MHz で90nsの記録パルスを照射して記録した。この時の再生信号強度の記録パワー依存性を以下に示す。
Next, a thin film having a composition of Ge 14 Sb 29 Te 57 is formed as the
記録パワー(mW) 再生信号強度(mV)
7 15
8 85
9 145
10 195
11 235
12 265
13 285
15 295
記録膜409に記録した後にさらに記録膜406に焦点を合わせて記録した。この時の再生信号強度の記録パワー依存性を以下に示す。
Recording power (mW) Playback signal strength (mV)
7 15
8 85
9 145
10 195
11 235
12 265
13 285
15 295
After recording on the
記録パワー(mW) 再生信号強度(mV)
7.5 20
8.5 90
9.5 150
10.5 200
11.5 240
12.5 270
13.5 290
15.5 300
記録膜409および記録膜406に記録した後にさらに記録膜403に焦点を合わせて記録した。この時の再生信号強度の記録パワー依存性を以下に示す。
Recording power (mW) Playback signal strength (mV)
7.5 20
8.5 90
9.5 150
10.5 200
11.5 240
12.5 270
13.5 290
15.5 300
After recording on the
記録パワー(mW) 再生信号強度(mV)
8 25
9 95
10 155
11 205
12 245
13 275
14 295
16 305
また、記録膜409に5MHz、記録膜406に4MHz、および記録膜403に3MHzの信号をそれぞれ記録した後、記録膜403,406および409に焦点を合わせて読み出した再生信号の各キャリア周波数におけるCN比の測定結果を以下に示す。
Recording power (mW) Playback signal strength (mV)
8 25
9 95
10 155
11 205
12 245
13 275
14 295
16 305
Further, after recording a signal of 5 MHz on the
3MHz 4MHz 5MHz
記録膜403 54dB 24dB 7dB
記録膜406 26dB 52dB 22dB
記録膜409 11dB 24dB 50dB
上記の様に、各層について、CN比が50dB以上、隣接記録膜からの層間クロストークが−25dBより小さく、信頼性の高い再生が可能な信号を得ることができた。
3MHz 4MHz 5MHz
As described above, for each layer, a signal with a CN ratio of 50 dB or more and an interlayer crosstalk from the adjacent recording film of less than −25 dB, which can be reproduced with high reliability, can be obtained.
基板としては、上記実施例で用いた化学強化ガラス円板の他に、射出成形で作製したポリカーボネート,アクリル樹脂等のプラスチック円板を用いても同様な結果が得られた。 Similar results were obtained when a plastic disk such as polycarbonate and acrylic resin produced by injection molding was used as the substrate in addition to the chemically strengthened glass disk used in the above examples.
記録膜組成としては上記のIn−Se−Tl系の他に、Ge−Sb−Te系,Ge−Sb−Te−M(Mは金属元素)系,In−Sb−Te系,In−Sb−Se系,In−Se系,In−Se−M(Mは金属元素)系,Ga−Sb系,Sn−Sb−Se系,Sn−Sb−Se−Te系等を用いても、同様な結果が得られる。 As the recording film composition, in addition to the above In-Se-Tl system, Ge-Sb-Te system, Ge-Sb-Te-M (M is a metal element) system, In-Sb-Te system, In-Sb- Similar results can be obtained using Se, In—Se, In—Se—M (M is a metal element), Ga—Sb, Sn—Sb—Se, Sn—Sb—Se—Te, etc. Is obtained.
記録膜として、上記の結晶,非晶質間相変化を利用したものの他に結晶,結晶間相変化を利用したIn−Sb系等を用いても、同様な結果が得られる。 Similar results can be obtained by using an In—Sb system or the like using a crystal or intercrystalline phase change in addition to the crystal or amorphous phase change as the recording film.
図11と同様な基板上に、記録膜として、直径20nmのBi置換ガーネット(YIG(Y3Bi3Fe10O24))粒子を有機バインダーに分散させたものをスピンコートして作製した。直径20nmのBi置換ガーネットは共沈法で作製し、その後600から800℃で熱処理して結晶化させた。有機バインダーは屈折率が25のものを用いた。スピンコートした記録膜の膜厚は約1.5μm で、反射率,透過率,吸収率は、波長530nmでそれぞれ、R=8%,T=12%,K=80%であった。Bi置換ガーネットのバインダー中での体積比率が約60%であるため、このときの反射光の偏光面の回転角は、約0.8 度であった。紫外線硬化樹脂層を間に設けて多層に積み上げる方法,二枚のディスクを張り合わせる方法,記録再生方法は前述の実施例と同様にした。ただし、光源の波長はλ=530nmとする。 A recording film was prepared by spin-coating a 20-nm-diameter Bi-substituted garnet (YIG (Y 3 Bi 3 Fe 10 O 24 )) particle dispersed in an organic binder on the same substrate as in FIG. A Bi-substituted garnet having a diameter of 20 nm was prepared by a coprecipitation method, and then crystallized by heat treatment at 600 to 800 ° C. An organic binder having a refractive index of 25 was used. The film thickness of the spin-coated recording film was about 1.5 μm, and the reflectance, transmittance, and absorptance were R = 8%, T = 12%, and K = 80% at a wavelength of 530 nm, respectively. Since the volume ratio of the Bi-substituted garnet in the binder was about 60%, the rotation angle of the polarization plane of the reflected light at this time was about 0.8 degrees. The method of stacking multiple layers with an ultraviolet curable resin layer in between, the method of laminating two discs, and the recording / reproducing method were the same as in the previous embodiment. However, the wavelength of the light source is λ = 530 nm.
図12に示す構成の情報記録媒体を用いて、記録再生実験を行った例について述べる。図12(a)は情報記録媒体の断面図の一部分を示す図であり、図12(b)は記録層の部分の断面図を示す図である。 An example of a recording / reproducing experiment using the information recording medium having the configuration shown in FIG. 12 will be described. FIG. 12A is a diagram showing a part of a cross-sectional view of the information recording medium, and FIG. 12B is a diagram showing a cross-sectional view of the recording layer portion.
直径13cm,厚さ1.2mm のディスク状ガラス基板(411)上に、トラックピッチ1.5μm のレーザ光案内溝を厚さ50μmの紫外線硬化樹脂層(412)で形成した。次に、記録層(413)を真空蒸着法で積層した。記録層は図10(b)に示すように、厚さ8μmのSb2Se3層(414)で厚さ3μmのBi層(415)をサンドイッチした構成とした。さらにその上に、レーザ光案内溝を設けた厚さ30μmの紫外線硬化樹脂層(412)と、記録層(413)の組を2層積層した。すなわち記録層を3層設けた。最上部には記録層を保護する目的で厚さ100μmの紫外線硬化樹脂層を設けた。記録層は基板に近い側から順に、第1記録層,第2記録層,第3記録層と呼ぶことにする。 On a disk-shaped glass substrate (411) having a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm, a laser light guide groove having a track pitch of 1.5 μm was formed by an ultraviolet curable resin layer (412) having a thickness of 50 μm. Next, the recording layer (413) was laminated by a vacuum evaporation method. As shown in FIG. 10B, the recording layer has a structure in which an Sb 2 Se 3 layer (414) having a thickness of 8 μm and a Bi layer (415) having a thickness of 3 μm are sandwiched. Further thereon, two sets of a 30 μm-thick UV curable resin layer (412) provided with a laser beam guide groove and a recording layer (413) were laminated. That is, three recording layers were provided. An ultraviolet curable resin layer having a thickness of 100 μm was provided on the top for the purpose of protecting the recording layer. The recording layers are referred to as a first recording layer, a second recording layer, and a third recording layer in order from the side closer to the substrate.
ここでトラック溝はU字型とし、ランド部とグルーブ部の幅はそれぞれ0.75μmとした。記録はランド部またはグルーブ部のいずれに行っても良いが、本実施例の場合には、グルーブ部に記録を行った。 Here, the track groove was U-shaped, and the width of each of the land portion and the groove portion was 0.75 μm. Recording may be performed on either the land portion or the groove portion, but in the case of this example, recording was performed on the groove portion.
2.0mW のレーザ光を各記録層に焦点を合わせて照射し、反射率を測定したところ、記録前の第1記録層,第2記録層,第3記録層の反射率はそれぞれ、8.5%,5.8%,4.4%であった。記録は各記録層に6.0mW以上のレーザ光を照射することによって行った。第1記録層,第2記録層,第3記録層の記録レーザ光を照射した部分の反射率はそれぞれ、18.5%,13.0%,9.4%であった。 When the recording layer was irradiated with a 2.0 mW laser beam in focus and the reflectance was measured, the reflectance of the first recording layer, the second recording layer, and the third recording layer before recording was 8. It was 5%, 5.8%, and 4.4%. Recording was performed by irradiating each recording layer with a laser beam of 6.0 mW or more. The reflectances of the portions of the first recording layer, the second recording layer, and the third recording layer irradiated with the recording laser light were 18.5%, 13.0%, and 9.4%, respectively.
このように記録前後で記録層の反射率が変化する理由は、記録層の合金化によるものである。すなわち記録レーザ光の照射によって、Sb2Se3とBiの3層からなる記録層の一部分が昇温されると、SeとBiの拡散反応が生じ合金化する。この結果、記録層に光学定数の異なった領域、すなわち記録点が形成される。なお、本実施例で用いたSb2Se3とBiからなる記録層の場合には、合金化のよって反射率と透過率の両方が増加し、吸収率が減少する。 The reason why the reflectance of the recording layer changes before and after recording is due to alloying of the recording layer. That is, when a part of the recording layer composed of three layers of Sb 2 Se 3 and Bi is heated by irradiation of the recording laser beam, a diffusion reaction of Se and Bi occurs and alloying occurs. As a result, regions having different optical constants, that is, recording points are formed in the recording layer. In the case of the recording layer made of Sb 2 Se 3 and Bi used in this example, both the reflectance and the transmittance increase due to the alloying, and the absorption rate decreases.
本実施例では行わなかったが、記録前に、ランド部に連続レーザ光を照射しておけば、ランド部が合金化し、記録層一層当たりの平均の光透過率が10%上昇する。したがって、上で述べた記録前後の反射率がそれぞれ増加するので、トラッキング等を行う際都合が良い。また、ランド部とグルーブ部の両方に記録を行っても同様に、記録層一層当たりの平均の光透過率を上昇させることができる。記録層はSb2Se3とBiの組合せに限られるものではなく、昇温により合金を生じる組合せであれば良い。 Although not performed in this embodiment, if the land portion is irradiated with continuous laser light before recording, the land portion is alloyed, and the average light transmittance per recording layer increases by 10%. Accordingly, the reflectance before and after recording increases as described above, which is convenient when performing tracking or the like. Further, even when recording is performed on both the land portion and the groove portion, the average light transmittance per recording layer can be similarly increased. The recording layer is not limited to the combination of Sb 2 Se 3 and Bi, and may be a combination that produces an alloy by raising the temperature.
1…記録層、2…中間層、3…基板、4…ディスク、5…半導体レーザ、8…絞り込みレンズ、9…像レンズ、10…光検出器、11…光スポット、12…焦平面、13…目標層についての無収差時光学的特性関数、14…隣接層についての光学的特性関数、15…焦点ずれが増加した場合の特性関数の変化する方向、16…AGCの周波数特性、20…記録条件設定回路、23,24…再生信号、25…再瀬制御回路、26…AGC回路、35…AF誤差信号、36…総光量、39…案内溝、40…ウォーブルピット、41…アドレス認識、42…k層までの透過率、43…マーク、44,45…ROM、46…D/A変換器、47…理想の記録状態のマーク、49…先行スポット、51…記録用スポット、52…演算器、53…ゲインコントロールを行わない場合の記録状態、54,55…光検出器、56,57…ビームスプリッタ、59,60…積分回路、61,62…遅廷回路、63,64,68…再生信号、67…重み設定回路、69…k層面に焦点ずけられたスポット、71…k層面のマーク配列、72,73…再生信号、74…マーク列、75,76,77,78,79,82…隣接層に焦点を結んだスポット、80,81…重み関数、83…絞り、84…マーク記録領域、86…2−7変調方式を用いた場合の変調信号のパワースペクトル、87…EFM変調方式を用いた場合の変調信号のパワースペクトル、88…スペクトルの折れ点、91…AFアクチゥエータ移動信号発生回路、92…引込み点判定回路、95…レイヤー番号検出回路、100…スイッチ、101…クロスレイヤー信号検出回路、103…スライスレベル、105…ゼロクロス点、109…アップパルス、110…ダウンパルス、111,112…光検出器、113,114…前後光検出器面での光スポット、115,116…前置増幅器、117,118…サンプルホールド回路、119,120,121,122…受光面、123…記録された層付近でのAF誤差信号、124…記録された層付近での総光量、401,401′…レプリカ基板、402,402′,405,405′,408,408′…反射防止層、403,403′,406,406′,409,409′…記録膜、404,404′,407,407′…紫外線硬化樹脂層、410…接着剤層、411…ガラス基板、412…紫外線硬化樹脂層、413…記録層、414…Sb2Se3層、415…Bi層。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記光をスポットを収束させている第1の層のアドレスを読取る工程と、
前記第1の層とは異なる第2の層を指定する工程と、
前記第1の層から前記第2の層までの光スポット移動層数及び移動方向を認識して信号を発生する工程と、
前記信号を光スポットを移動させる手段に入力する工程と、
前記入力された信号に基づいて、前記光スポットを移動させる工程とを有し、
前記信号は、前記光スポットの前記複数の記録層の1層間の移動に対し、極性の異なる1対のパルスで構成され、移動方向によって前記極性を入れ替えることを特徴とする層アクセス方法。 Focusing a light spot on a first recording layer of a medium having a plurality of recording layers on which information is recorded;
Reading the address of the first layer converging the spot with the light;
Designating a second layer different from the first layer;
Recognizing the number of light spot moving layers and the moving direction from the first layer to the second layer, and generating a signal;
Inputting the signal into a means for moving a light spot;
Moving the light spot based on the input signal,
The layer access method, wherein the signal is composed of a pair of pulses having different polarities with respect to movement of the plurality of recording layers of the light spot, and the polarity is switched depending on a moving direction.
前記光スポットの焦点位置が、前記記録媒体の最上層から最下層まで移動するように、光スポット移動手段の移動信号発生回路からのこぎり波を発生させ、前記光スポット移動手段を駆動させる工程を有することを特徴とする層アクセス方法。 In a layer access method for converging a light spot on a first layer of a medium having a plurality of recording layers on which information is recorded,
Generating a sawtooth wave from a movement signal generating circuit of the light spot moving means and driving the light spot moving means so that the focal position of the light spot moves from the uppermost layer to the lowermost layer of the recording medium. A layer access method characterized by the above.
In an information recording method for recording information by irradiating a light spot on a first recording layer of a medium in which a plurality of recording layers are laminated, in the order from the top layer to the bottom layer of the plurality of recording layers or from the bottom layer to the top layer An information recording method, wherein information is recorded by moving a light spot in the following order.
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JP2012190500A (en) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Tdk Corp | Optical recording/reproducing device and optical recording/reproducing method |
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2004
- 2004-10-01 JP JP2004289529A patent/JP4038504B2/en not_active Expired - Lifetime
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