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JP2005071234A - 電子機器、及び、かかる電子機器におけるシステムの起動方法 - Google Patents

電子機器、及び、かかる電子機器におけるシステムの起動方法 Download PDF

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JP2005071234A JP2003302799A JP2003302799A JP2005071234A JP 2005071234 A JP2005071234 A JP 2005071234A JP 2003302799 A JP2003302799 A JP 2003302799A JP 2003302799 A JP2003302799 A JP 2003302799A JP 2005071234 A JP2005071234 A JP 2005071234A
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寛彦 水口
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Abstract

【課題】 ランダムアクセスが不可能な半導体メモリを制御プログラム用メモリとして搭載可能な電子機器とそのシステムを起動するための起動方法を提供する。
【解決手段】 機器の各部の制御を実行するためのコントローラが、CPU201と、NAND型フラッシュメモリに代表され、電気的に消去及び書き込みが可能で特定アドレスに存在するデータを連続的に読み出す機能を有する不揮発性メモリ203とを備えた電子機器において、システムの起動を実行する際、不揮発性メモリの一部に格納したブートプログラムを、リセット信号に応じて連続する特定アドレスを発生させて連続的に読み出して起動する共に、ランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ202に展開する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、内部に半導体メモリ装置を備えた電子機器に関し、特に、AND又はNAND型と呼ばれるフラッシュメモリを内蔵した電子機器においてそのシステムを起動するための構成とその起動方法に関する。
近年、マイクロコンピュータの小型化や半導体メモリ装置の大容量化などに伴い、マイクロコンピュータや半導体メモリ装置を内蔵した電子機器(以下、単に電子機器と言う)が幅広く普及しており、例えば、携帯電話や、セットトップボックス(STB)と呼ばれるデジタル放送受信システムなどにおいて、コントローラとして幅広く利用されている。なお、これに関連する従来技術として、以下の特許文献1〜4が既に知られている。
特開2003−134492号公報:図1 特開2003−122578号公報:図1 特開2003−124899号公報:図1 特開2003−125304号公報:図1
一方、半導体メモリ装置に関しては、特に、DRAM(Dynamic Random Access Memory)は、他のメモリに比較してビットコスト(1ビット当りの価格)が安いことを理由として広く普及しているが、しかしながら、電源を切った場合には記録データを保持することが出来ない(即ち、揮発性)ことから、その用途が限られている。
しかしながら、近年、電気的消去及び書き込みが可能な不揮発性のメモリとして、従来型のMROM、PROM、UV−EPROM、EEPROMと共に、フラッシュEEPROMと呼ばれる半導体メモリが使用されてきている。なお、このフラッシュEEPROMは、大きく(1)NOR型と(2)NAND型に分類され、以下のような特性を有する。
すなわち、(1)NOR型のフラッシュメモリは、ランダムアクセスが可能であり、その読み出しスピードも(2)NAND型に比較して高速であることから、例えば、携帯電話等の比較的小型な電子機器において、制御プログラム用メモリとして広く用いられている。しかしながら、その反面、大容量化が困難であり、高価であり、更には、書き込みや消去時間が長いという問題点があった。
これに対し、(2)NAND型のフラッシュメモリは、その構造からメモリサイズを大幅に削減することが可能であり、ビットコストが安いという大容量メモリとしての最大の特徴を備えているが、しかしながら、同期型読み出しであり、特定のアドレスに存在するデータを連続的に読み出すことから、その用途に関しては、ある特定のブロック・データ単位で書き換えたり、又は、読み出す分野に用いられている。例えば、デジタルカメラでは、64Mバイト(512Mビット)のフラッシュメモリカードを用いることによれば、300万画素を有するデジタルカメラで64枚以上の写真撮影が可能であり、そのため、NAND型のフラッシュメモリが広く用いられている。
また、以下の特許文献5によれば、上記した(2)NAND型のフラッシュメモリに代表される大容量の不揮発性メモリのアクセス時間と、所謂、DRAMに代表されるランダム・アクセス・メモリのアクセス時間の整合を図るため、換言すれば、フラッシュデータの読み出し及び書き込み速度をSDRAMやSRAMと同等にするため、1パッケージ内に実装されるモジュールに制御回路(CTL_LOGIC)を介してフラッシュメモリのチップとDRAMのチップを設け、フラッシュメモリのデータをDRAMに転送し、DRAMにアクセスを行なうことにより、アクセス時間の整合を図る半導体記憶装置が知られている。
特開2002−366429号公報:図1
しかしながら、上述した従来例では、なお、以下のような問題点があった。即ち、上記特許文献1〜4により知られる放送受信装置やそのシステムでは、上記した(2)NAND型のフラッシュメモリのような安価で大容量の不揮発性メモリを制御プログラム用メモリとして利用することが出来ないという課題を有している。なお、上記のような放送受信装置や携帯電話等の比較的小型の電子機器では、近年、その多機能化や高機能化が著しく、大容量の不揮発性メモリを制御プログラム用メモリとして利用することが強く望まれている。
また、特に、上記特許文献5により知られる半導体記憶装置では、半導体記憶装置内に、フラッシュメモリのチップと共に、更に、制御回路(CTL_LOGIC)のチップやDRAMのチップを設けなければならず、これでは、特に携帯電話等のような比較的小型な電子機器において、制御プログラム用メモリとして採用することは困難であった。
そこで、本発明では、上記の従来技術における問題点に鑑み、上記した(2)NAND型のフラッシュメモリに代表されるように、電気的消去及び書き込みが可能であるが、ランダムアクセスが不可能で同期読み出し機能を有するフラッシュメモリを制御プログラム用メモリとして搭載可能な電子機器における新たな構成を提供すると共に、かかる電子機器の構成においてそのシステムを起動するための起動方法を提供することをその目的とする。
上記目的を達成するため、本発明では、まず、機器の各部の制御を実行するためのコントローラ部を備えた電子機器であって、当該コントローラ部は、中央処理装置と、前記中央処理装置に接続されてランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ部と、前記中央処理装置に接続され、かつ、電気的に消去及び書き込みが可能な不揮発性のメモリ部と、システムの起動を行なうためのリセット信号を発生するリセット信号発生部とを備えており、かつ、前記不揮発性のメモリ部を、特定アドレスに存在するデータを連続的に読み出す機能を有すると共に、その一部にシステムの起動を行なうためのブートプログラムを格納したフラッシュメモリにより構成し、さらに、前記コントローラ部は、前記リセット信号発生部からのリセット信号に応じて前記特定アドレスを発生する手段を備えており、前記中央処理装置は、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるブートプログラムにより起動する電子機器が提案されている。
なお、本発明によれば、前記に記載した電子機器において、前記中央処理装置は、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるブートプログラムにより起動すると共に、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるデータを、前記中央処理装置に接続されてランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ部に展開するようにしてもよく、又は、前記コントローラ部は、更に、前記リセット信号発生部からのリセット信号に応じて特定のアドレスからデータを連続的に読み出すための信号を生成して前記不揮発性のメモリ部へ出力する手段を備える構成としてもよい。更には、前記に記載した電子機器において、前記不揮発性のメモリ部には、前記ブートプログラムが特定の連続するアドレスに順次格納されており、又は、前記コントローラ部は、更に、前記中央処理装置からのアドレスを入力してその変化を検出するためのアドレス変化検出回路を備えていてもよい。
加えて、本発明によれば、前記に記載した電子機器は、デジタル放送の受信システム、又は、携帯電話機等に適用される。
そして、本発明では、やはり上記の目的を達成するため、機器の各部の制御を実行するためのコントローラ部が、中央処理装置と、前記中央処理装置に接続され、かつ、電気的に消去及び書き込みが可能で特定アドレスに存在するデータを連続的に読み出す機能を有する不揮発性のフラッシュメモリ部とを備えた電子機器においてシステムの起動を実行するための方法であって、前記不揮発性のフラッシュメモリ部の一部にシステムの起動を行なうためのブートプログラムを格納し、当該システムの起動を行なうためのリセット信号が発生された場合、前記ブートプログラムを前記不揮発性のフラッシュメモリ部から連続的に読み出して起動する電子機器におけるシステムの起動方法が提案されている。
なお、本発明によれば、前記した起動方法において、前記ブートプログラムは、前記不揮発性のフラッシュメモリ部において、特定の連続するアドレスに順次格納されていることが好ましく、又は、前記コントローラ部は、更に、前記中央処理装置に接続されてランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ部を備えており、かつ、前記中央処理装置は、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるブートプログラムにより起動すると共に、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるデータを、前記中央処理装置に接続されてランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ部に展開することが好ましい。
以上に詳細に述べたように、本発明になる電子機器、さらには、かかる電子機器におけるシステムの起動方法によれば、安価で大容量の半導体不揮発性メモリである上記したNAND型のフラッシュメモリを制御プログラム用メモリとして利用してシステムの起動を行なうことを可能とし、もって、より安価でかつその機能にも優れた電子機器を提供することを可能とするという、実用的にも、極めて優れた効果を発揮する。
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
まず、図5は、本発明の実施の形態になる電子機器を、その一例として、例えば、CATV(Cable Television)や、CS(Communication Satellite)デジタル放送、BSデジタル放送、地上デジタル放送等において、放送にスクランブルを施し、契約者のみがそのスクランブルを解除して視聴可能な限定受信放送対応のデジタル放送の受信システム(所謂、セットトップボックス:STB)の例を示している。すなわち、このデジタル放送の受信システムでは、契約者のみが視聴できる限定受信の仕組みとなっている。
この図5において、符号101はアンテナ、102はチューナ部、103はスクランブルを解除するデスクランブラ、104は多重された信号から所望する信号を分離するデマルチプレクサ、105はMPEGデコーダ、106は受信制御を行なうコントローラ、107は限定受信のための契約情報や鍵の管理及び制御を行なう限定受信制御部、108は限定受信制御部107にある契約情報や鍵を保持する契約情報部を、それぞれ示している。
そして、上記のデジタル放送の受信システムの構成によれば、通信事業者により伝送された信号は、アンテナ101で受信され、中間周波数に変換した後チューナ部102へ送られる。チューナ部102は、ベースバンド信号に復調すると共にエラー訂正等を施してデスクランブラ103へ出力する。デスクランブラ103は、限定受信制御部107より得られるスクランブル解除鍵によりスクランブルの解除を行なう。
一方、BSデジタル放送の例では、映像・音声・データコンテンツにスクランブルが施され、番組名などの番組付加情報にはスクランブルが施されておらず、また、限定受信のための限定受信制御信号には暗号化が施されており、前記スクランブルされたコンテンツがスクランブル解除の対象となる。スクランブル解除された信号は、デマルチプレクサ104において所望する信号が分離され、映像・音声信号はMPEGデコーダ105へ、番組付加情報や限定受信制御信号はコントローラ106を通して限定受信制御部107へ導かれる。映像・音声信号はMPEGデコーダ105でデコードされ、テレビ画面などに映し出されることとなる。コントローラ106は、上記のような受信制御を行い、特に、デマルチプレクサ104より得た限定受信制御信号を限定受信制御部107へ渡し、前記スクランブル解除鍵を限定受信制御部107より得てデスクランブラ103に設定することで、スクランブルされた放送をスクランブル解除して視聴可能とする。すなわち、コントローラ106は、デジタル放送の受信システムの各部の制御を、格納されたプログラムに従って実行する。
なお、このBSデジタル放送の場合には、限定受信制御部107はICカードから成り、限定受信制御信号はEMM(Entitlement Management Message)とECM(Entitlement Control Message)である。契約に関する情報であるEMMを取得し、ICカード107に渡すと、ICカード107が持つマスター鍵Kmで復号され、ワーク鍵Kwが設定される。スクランブルされた番組と共に放送されるスクランブルを解除する情報であるECMを取得し、ICカード107に渡すと、ICカード107に設定されたワーク鍵Kwで復号され、スクランブル鍵Ksが得られる。コントローラ106は、ICカード107から前記スクランブル鍵Ksを得、デスクランブラ103へ設定する。
以上のように、契約情報がICカード107内にあり、その契約情報によって契約している放送のスクランブルを解除するための鍵を得る。また、BSデジタル放送では、脱着可能なICカード107であるが、これをICチップとして受信装置に組み込んでもよく、また、以上のような限定受信放送において、ユーザが複数の受信装置で視聴するには、限定受信制御部107に対して、IEEE1394などのネットワークを用いて、複数の機器からスクランブル解除信号ECMを渡し、スクランブル鍵Ksを得てスクランブル解除して視聴可能とする方法を採用してもよい。
次に、添付の図1には、上記図3に示したデジタル放送の受信システムにおいて、各部の制御を実行するためのコントローラ106の詳細な内部構成が示されている。すなわち、図1において、コントローラは、中央処理装置であるCPU201と、その外部(CPU内に一体に内蔵してもよい)に演算処理のためのデータを一時的に蓄える揮発性の記憶装置であるDRAM202と、そして、上述した電気的消去及び書き込みが可能な不揮発性のフラッシュメモリである、AND型又はNAND型のフラッシュメモリ203とを備えている。
なお、上記DRAM202は、上記CPU201からのアドレス信号によりランダムアクセスが可能であり、データを上記CPUとの間で読み出し又は書き込み、また、上記のAND型又はNAND型のフラッシュメモリ203は、本装置であるデジタル放送の受信システムを起動するための制御プログラムが格納されている。また、このAND型又はNAND型のフラッシュメモリ203は、特定のアドレスを入力することにより、特定のデータ・ブロック単位(例えば、32バイト、又は、64バイト)で、連続的に読み出し又は書き込みが可能であり、又、以下に説明する読み出し信号TR1、TR2…の条件によるが、例えば、初期から256バイト連続(すなわち、非ランダム)でデータの読み出しが可能である。また、このAND型又はNAND型のフラッシュメモリ203は、上述したように、特に大容量化に適しており、本例では、16Mバイト又はそれ以上の記憶容量を供えた不揮発性のメモリである。
さらに、このAND型又はNAND型のフラッシュメモリ203には、図示のように、例えば、上記デジタル受信機に設けられたスイッチ等からなり、本デジタル放送の受信システムの制御プログラムを起動するためのリセットパルスを発生する、リセットパルス発生回路204と、当該リセットパルス発生回路からのリセットパルスによって、特定のアドレスからの読み出し信号TR1、TR2…を発生する読み出し信号発生回路205と、当該読出し信号発生からの信号TR1、TR2…等を入力し、特定アドレスへそのデータを連続的に読み出すためのアドレス信号ADを発生するための特定アドレス自動発生回路206とを備えている。なお、図からも明らかなように、上記CPUからは、必要に応じて、制御プログラムを再起動するための信号、ソフトウェアリセット信号がリセットパルス発生回路204に入力されている。
続いて、上記に内部構成を示したコントローラ106の動作、特に、上記デジタル放送の受信システムのスイッチをオンした場合における制御プログラムの起動時、又は、上記CPUからソフトウェアリセット信号が発生された場合のプログラムの起動について、上記図1と共に、添付の図2をも参照しながら説明する。
まず、デジタル放送の受信システムのスイッチをオン、又は、ソフトウェアリセット信号が発生された場合、上記リセットパルス発生回路204からリセットパルス(reset)が発生される。このリセットパルスを入力として、上記読み出し信号発生205は、必要な特定のアドレスからのデータの読み出しを指示する信号、例えば、TR1を発生する。この読み出し信号発生205からの特定のアドレスの読み出し信号TR1に従って、特定アドレス自動発生回路206が、特定の連続したアドレスに対するアドレス信号(address)を同期し生成して、上記AND型又はNAND型のフラッシュメモリ203へ出力する。これにより、上記AND型又はNAND型のフラッシュメモリ203からは、その特定の連続したアドレスに格納された連続した32バイト又は64バイトのデータ・ブロック単位のデータが出力されることとなる。
そこで、上記CPU201は、上記図2に示すようなシステムの起動方法により、その制御プログラムの起動動作を実行する。なお、図2において、その上方には上記AND型又はNAND型のフラッシュメモリ203内におけるデータ格納領域(エリア)が、他方、図の下方には、上記CPU201からのアドレス信号によりランダムにアクセスが可能な上記RAM202内におけるデータ格納領域(エリア)が、それぞれ、示されている。
まず、上記CPU201は、上記AND型又はNAND型のフラッシュメモリ203内におけるブートエリアに格納されているデータであるブートプログラムを読み込んで起動する。なお、このブートプログラムは、上記AND型又はNAND型フラッシュメモリ203内の所定のエリアにおいて、上記のデータ・ブロック単位で連続して格納されている。
より具体的には、添付の図3に示すように、上記CPU201は、上記フラッシュメモリ203のブートエリアから読み出されたデータであるブートプログラムを読み込むことにより起動し、そのブートプログラムをRAM202上にコピーして展開する(ステップS31)。その後、RAM202上にコピーされて展開されたデータによりブートプログラムを実行する。同時に、上記フラッシュメモリ203のプログラムエリアから読み出される、上記ブートプログラムよりもサイズの大きなプログラムを、サイズの大きいメモリであるRAM202上にコピーして展開する(ステップS32)。さらに、上記RAM202上にコピーして展開されたプログラムを実行することにより、本装置であるデジタル放送の受信システムを起動する(ステップS33)。このように、本発明によれば、安価で大容量の不揮発性メモリである上記したNAND型のフラッシュメモリを、制御プログラム用メモリとして利用することが可能になる。更には、必要であれば、上記フラッシュメモリ203のデータエリア内のデータについても、上記と同様に、RAM202上にコピーして展開することも可能である。
添付の図4には、上記のように、安価で大容量ではあるが、同期型読み出しであり、特定のアドレスに存在するデータを連続的に読み出すことが特徴である上記AND型又はNAND型のフラッシュメモリ203内における起動プログラムの配列構成と共に、その起動プログラムの実行手順が示されている。
すなわち、上記AND型又はNAND型のフラッシュメモリ203は、同期型読み出しにより特定のアドレスに存在するデータを連続的に読み出すことから、起動プログラムは、メモリ内において連続するアドレスに格納する必要がある。例えば、図4において、起動プログラムは、アドレスm+1〜アドレスm+n+2のように、メモリ内において連続するアドレスに格納されていることを意味しており、上記CPU201は、これら連続したアドレス(アドレスm+1〜アドレスm+n+2)から順次読み出されるプログラムの処理ステップに従って起動プログラムを実行することとなる。
換言すれば、例えば、図4において「×」で示すように、その処理ステップがアドレスm+nからアドレスm+n+3へ飛ぶジャンプ命令を有するような、所謂、非連続な配置となってはならないことを意味する。但し、ここで、その処理ステップがアドレス間を飛ぶような場合でも、例えば、図4において「○」で示すように、上記CPU201のキャッシュ容量の範囲内で戻るような場合(即ち、アドレスm+n+1からアドレスm+3に戻る場合)には、上記CPUのキャッシュに蓄えられたデータを利用することで処理が可能であり、かかる処理ステップの配列も可能であり、そこで、かかる処理ステップの配列は非連続な配置とは言わない。
次に、上記に説明した本発明の実施の形態になる電子機器の変形例について、以下に説明する。すなわち、上記図5に示した電子機器であるデジタル放送の受信システム(所謂、セットトップボックス:STB)のコントローラ106を構成するCPU(図1における符号201)の中には、さらに、その読み出しアドレスを変化させた時に、読み出しパルスが出力されないタイプのCPUが存在する。かかる場合、上記CPUを上記したAND型又はNAND型のフラッシュメモリに接続した環境においては、上記した読み出しパルスが出力されないことから、やはり、当該フラッシュメモリからのシステムの起動が不可能となってしまう。
これを具体的に説明すると、添付の図7に示すように、CPUのリセットを解除すると、CPUはフラッシュメモリの読み込みを開始するが、この時、CPU側は、1回のアウトプット・イネーブル(OE:Output Enable)のアサートにより(即ち、図の波形OEが“Low”となっている期間)、例えば、4回アドレスを変化させる。これに対して、フラッシュメモリ側では、上記アウトプット・イネーブル(OE)がネゲートされるタイミングで、データを2バイト出力する。すなわち、CPU側の8バイトの読み込み動作に対し、フラッシュメモリ側は2バイトのデータ出力を行なうだけであり、同期読み出し機能を有する当該フラッシュメモリからの連続したデータの読み込みが不可能となってしまう。
そこで、本発明の変形例によれば、添付の図6に示すように、すなわち、上記図1に示したコントローラの基本的な構成に加え、さらに、アドレス変化検出回路207を加えた構成とした。なお、ここで、符号201’は、上記のように、1回のアウトプット・イネーブル(OE)のアサートにより複数回アドレスを変化させるタイプのCPUを示しており、その他の参照番号が付された構成要素は、上記図1における構成部品と同様である。
なお、このアドレス変化検出回路207の具体的な回路構成の一例が、添付の図8に示されている。すなわち、図において、このアドレス変化検出回路207は、ORゲート81と、XORゲート82と、2個のフリップフロップ回路83、84から構成される簡単な回路から構成されており、その構成からも明らかなように、CPU側からのアドレス(ADD1)の変化を検出してパルス信号を出力する、一種の微分回路を形成するものである。
すなわち、上述したアドレス変化検出回路207によれば、添付の図9の波形図に示されるように、上記のように、CPU側が1回のアウトプット・イネーブル(OE)のアサートにより最下位のアドレスを複数回変化させても、その変化を検出する。そして、アドレスの変化を検出して上記AND型又はNAND型のフラッシュメモリ203のOE端子に導くことにより、CPU動作の1回のOE期間中にアドレスADD1が複数回変化しても、そのアドレスの変化に同期してフラッシュメモリ203からデータを読み出すことが可能となる。すなわち、1回のアウトプット・イネーブル(OE)のアサートにより複数回アドレスを変化させるタイプのCPU201’によって装置全体の制御を実行するコントローラ106を構成するシステムにおいても、やはり、安価で大容量の不揮発性メモリである上記したNAND型のフラッシュメモリを制御プログラム用メモリとして利用しながら、確実にそのシステムの起動を実行することが可能となる。
なお、以上に述べた実施の形態においては、本発明をデジタル放送の受信システム(セットトップボックス:STB)に適用した例について述べたが、しかしながら、本発明は上記の実施の形態に限定されることなく、例えば、携帯電話等、比較的小型であり、特に、その制御プログラム用のメモリとして半導体メモリを使用することが望まれる電子機器にも広く適用することが可能である。
添付の図10は、本発明を、上記携帯電話に、特に、標準型の携帯電話の機能に加えてPDA機能やデジタルカメラ機能を備えた、所謂、高機能型の携帯電話に適用した場合の内部構成を示すブロック図である。一般に、携帯電話は、図に示すように、高周波ユニット部1、低周波ユニット部2、液晶表示部3、システム制御用のMPU4、システム制御のプログラムや電話番号帳などを格納しているフラッシュメモリ31、プログラムの実行およびデータのバッファとして使用するSRAM32などから構成されている。さらに、上述したPDA機能やデジタルカメラ機能等の高度なデータ処理機能を、携帯電話に付加するため、外部メディアへのインターフェースを搭載し、さらに大きなデータを扱うためにDRAM7を搭載している。さらに、CCDカメラ33も備えられている。
そして、上述した高機能型の携帯電話の構成において、特に、上記のフラッシュメモリ31として、上記図1に示したように、AND又はNAND型のフラッシュメモリを使用し、かつ、リセットパルス発生回路204、信号発生回路205、特定アドレス自動発生回路206を備え、更には、その必要に応じてアドレス変化検出回路207を備えている。これによれば、やはり、上述と同様にして、安価で大容量の不揮発性メモリであるNAND型のフラッシュメモリを制御プログラム用メモリとして利用することが可能になる。更には、必要に応じて、上記フラッシュメモリ31のデータエリア内のデータについても、上記と同様に、RAM32上にコピーして展開することも可能となる。
また、上記の実施の形態では、制御プログラム用メモリとして搭載可能な半導体メモリとして、上述のAND型又はNAND型のフラッシュメモリを代表として説明したが、しかしながら、本発明は上記の実施の形態に限定されることなく、その他、電気的に消去及び書き込みが可能で特定アドレスに存在するデータを連続的に読み出す機能を有する不揮発性メモリであれば、本発明を利用することにより、制御プログラム用メモリとして採用することが可能であることは言うまでもなかろう。
本発明の一実施の形態になる、デジタル放送の受信システムにおけるコントローラ(電子機器)の内部構成を示すブロック図である。 上記図1に示したコントローラにおけるプログラムの起動動作について説明するための図である。 上記図1に示したコントローラにおけるプログラム起動時のCPUの動作を説明するフローチャート図である。 上記プログラムの起動時におけるAND型又はNAND型のフラッシュメモリからのデータの読み出しを説明する図である。 上記本発明になるコントローラ(電子機器)を採用したデジタル放送の受信システムの全体構成の一例を説明するブロック図である。 本発明の変形例になる、読み出しアドレス変化時に読み出しパルスを出力しないCPUを採用した場合のコントローラの内部構成を示すブロック図である。 上記本発明の変形例における背景を説明するため、読み出しアドレス変化時に読み出しパルスを出力しないCPUの動作を説明する出力波形図である。 上記本発明の変形例になるコントローラのアドレス変化検出回路の具体的な回路構成の一例を示す図である。 上記アドレス変化検出回路を備えた上記本発明の変形例になるコントローラにおけるCPUの動作を説明する出力波形図である。 上記本発明になるコントローラ(電子機器)を高機能型の携帯電話に採用した場合のブロック図である。
符号の説明
106…コントローラ
201、201’…CPU
202…DRAM
203…AND型又はNAND型のフラッシュメモリ
200…ビデオディスクレコーダ
204…リセットパルス発生回路
205…読み出し信号発生回路
206…特定アドレス自動発生回路
207…アドレス変化検出回路

Claims (10)

  1. 機器の各部の制御を実行するためのコントローラ部を備えた電子機器であって、当該コントローラ部は、中央処理装置と、前記中央処理装置に接続されてランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ部と、前記中央処理装置に接続され、かつ、電気的に消去及び書き込みが可能な不揮発性のメモリ部と、システムの起動を行なうためのリセット信号を発生するリセット信号発生部とを備えており、かつ、前記不揮発性のメモリ部を、特定アドレスに存在するデータを連続的に読み出す機能を有すると共に、その一部にシステムの起動を行なうためのブートプログラムを格納したフラッシュメモリにより構成し、さらに、前記コントローラ部は、前記リセット信号発生部からのリセット信号に応じて前記特定アドレスを発生する手段を備えており、前記中央処理装置は、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるブートプログラムにより起動することを特徴とする電子機器。
  2. 前記請求項1に記載した電子機器において、前記中央処理装置は、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるブートプログラムにより起動すると共に、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるデータを、前記中央処理装置に接続されてランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ部に展開することを特徴とする電子機器。
  3. 前記請求項1に記載した電子機器において、前記コントローラ部は、更に、前記リセット信号発生部からのリセット信号に応じて特定のアドレスからデータを連続的に読み出すための信号を生成して前記不揮発性のメモリ部へ出力する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
  4. 前記請求項1に記載した電子機器において、前記不揮発性のメモリ部には、前記ブートプログラムが特定の連続するアドレスに順次格納されていることを特徴とする電子機器。
  5. 前記請求項1に記載した電子機器において、前記コントローラ部は、更に、前記中央処理装置からのアドレスを入力してその変化を検出するためのアドレス変化検出回路を備えていることを特徴とする電子機器。
  6. 前記請求項1に記載した電子機器であって、デジタル放送の受信システムに適用したことを特徴とする電子機器。
  7. 前記請求項1に記載した電子機器であって、携帯電話機に適用したことを特徴とする電子機器。
  8. 機器の各部の制御を実行するためのコントローラ部が、中央処理装置と、前記中央処理装置に接続され、かつ、電気的に消去及び書き込みが可能で特定アドレスに存在するデータを連続的に読み出す機能を有する不揮発性のフラッシュメモリ部とを備えた電子機器においてシステムの起動を実行するための方法であって、前記不揮発性のフラッシュメモリ部の一部にシステムの起動を行なうためのブートプログラムを格納し、当該システムの起動を行なうためのリセット信号が発生された場合、前記ブートプログラムを前記不揮発性のフラッシュメモリ部から連続的に読み出して起動することを特徴とする電子機器におけるシステムの起動方法。
  9. 前記請求項8に記載した起動方法において、前記ブートプログラムは、前記不揮発性のフラッシュメモリ部において、特定の連続するアドレスに順次格納されていることを特徴とする電子機器におけるシステムの起動方法。
  10. 前記請求項8に記載した起動方法において、前記コントローラ部は、更に、前記中央処理装置に接続されてランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ部を備えており、かつ、前記中央処理装置は、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるブートプログラムにより起動すると共に、前記不揮発性のメモリ部から連続的に読み出されるデータを、前記中央処理装置に接続されてランダムアクセスの可能な揮発性のメモリ部に展開することを特徴とする電子機器におけるシステムの起動方法。
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