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JP2005071068A - Storage device - Google Patents

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JP2005071068A
JP2005071068A JP2003299631A JP2003299631A JP2005071068A JP 2005071068 A JP2005071068 A JP 2005071068A JP 2003299631 A JP2003299631 A JP 2003299631A JP 2003299631 A JP2003299631 A JP 2003299631A JP 2005071068 A JP2005071068 A JP 2005071068A
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JP
Japan
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analysis information
storage device
detection unit
measurement result
threshold value
Prior art date
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Pending
Application number
JP2003299631A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Goto
啓之 後藤
Shigemasa Shioda
茂雅 塩田
Ikuo Hara
郁夫 原
Hirofumi Shibuya
洋文 澁谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Original Assignee
Renesas Technology Corp
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Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp filed Critical Renesas Technology Corp
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To surely analyze the cause of a failure in a short time by recording the information needed to analyze the cause of the failure. <P>SOLUTION: A flash disk 1 is provided with a voltage sensor 10, a temperature sensor 11, an impact sensor 12, and a host interface cable disconnection sensor 13. At certain intervals an MPU 3 takes in the data detected by the sensors and stores the data in memory chips 14<SB>1</SB>, 14<SB>2</SB>as measurements along with the cumulative number of times that power is on and timer values. The MPU 3 also stores in the memory chips 14<SB>1</SB>, 14<SB>2</SB>other operating histories such as the cumulative number of times that the flash disk 1 is powered, the timer values, a history of command processes, internal error numbers, and a history of alternative processes. In case of failure, the failure of the flash disk 1 is analyzed as the measurements stored and the operating histories are referred to. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、記憶装置における異常検出技術に関し、特に、フラッシュディスクなどの半導体メモリや光や磁気により記憶を行うハードディスクドライブや光磁気ディスクドライブなどの記憶媒体を用いた記憶装置における故障解析に適用して有効な技術に関するものである。   The present invention relates to anomaly detection technology in a storage device, and in particular, is applied to failure analysis in a storage device using a semiconductor memory such as a flash disk or a storage medium such as a hard disk drive or a magneto-optical disk drive that performs storage by light or magnetism. And effective technology.

携帯電話やPDA(Personal Digital Assistant)などのストレージデバイスとして、フラッシュディスクなどの記憶装置が広く用いられている。このフラッシュディスクは、たとえば、該フラッシュディスク内においてデータの書込動作や消去動作において異常を検知した際にホストにエラーを報告し、ユーザに不具合があることを通知している。   Storage devices such as flash disks are widely used as storage devices such as mobile phones and PDAs (Personal Digital Assistants). This flash disk, for example, reports an error to the host when an abnormality is detected in a data writing or erasing operation in the flash disk and notifies the user that there is a problem.

また、記憶装置の1つであるICカードにおいて、たとえば、移動すべきデータの削除命令または追加命令を受信した際に、受信したことを証明するための情報を不揮発性メモリに書き込むことにより、電子化されたデータの移動処理の途中で異常が発生し通信が途絶えた場合に、どのステップまで処理が完了したかを追跡できるものがある(たとえば、特許文献1参照)。
特開平5−166012号公報
In addition, when an IC card, which is one of the storage devices, receives, for example, a deletion instruction or an addition instruction for data to be moved, information for verifying the reception is written in a nonvolatile memory, thereby In some cases, when an abnormality occurs in the process of moving the converted data and communication is interrupted, it is possible to track up to which step the process has been completed (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 5-166012

ところが、上記のような記憶装置における不具合の通知技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。   However, the present inventor has found that there are the following problems in the notification technique of the malfunction in the storage device as described above.

すなわち、不具合の発生した記憶装置をエンジニアが解析する際には、使用環境や使用状況などの解析に必要な故障原因などを特定する情報が該記憶装置に残っておらず、故障原因などの特定が非常に困難となっている。   In other words, when an engineer analyzes a storage device in which a problem has occurred, information that identifies the cause of failure necessary for analysis of the usage environment and usage status does not remain in the storage device. Has become very difficult.

また、故障原因の特定ができないことによって、故障原因報告を行うことができずにユーザからの信頼を得られなくなる恐れがある。さらに、故障原因が特定されないことにより、将来製品への品質向上にフィードバックできないという問題がある。   In addition, the failure cause cannot be specified, and the failure cause report cannot be performed and the user's trust may not be obtained. Furthermore, since the cause of the failure is not specified, there is a problem that feedback cannot be provided for quality improvement in the future product.

本発明の目的は、故障原因の解析に必要な情報を記録することにより、故障原因を短時間で、かつ確実に解析することのできる記憶装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a storage device that can analyze a cause of a failure in a short time and reliably by recording information necessary for analyzing the cause of the failure.

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

本発明の記憶装置は、1つ以上の記憶媒体と、故障解析情報を検出する解析情報検出部と、動作プログラムに基づいて該1つ以上の記憶媒体に格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書き込み動作指示などを行う情報処理部とを備え、該情報処理部は、解析情報検出部が検出した故障解析情報を任意の期間毎に取り込み、記憶媒体に書き込むものである。   The storage device of the present invention reads one or more storage media, an analysis information detection unit that detects failure analysis information, and data stored in the one or more storage media based on an operation program, and performs predetermined processing. And an information processing unit for instructing data write operation, and the information processing unit captures failure analysis information detected by the analysis information detection unit every arbitrary period and writes it in a storage medium.

また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。   Moreover, the outline | summary of the other invention of this application is shown briefly.

本発明の記憶装置は、1つ以上の記憶媒体と、故障解析情報を検出する解析情報検出部と、動作プログラムに基づいて該1つ以上の記憶媒体に格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書き込み動作指示などを行う情報処理部と、判定用しきい値を格納するしきい値格納部を備え、該情報処理部は、解析情報検出部から取り込んだ故障解析情報と判定用しきい値とを比較し、該判定用しきい値を超えた故障解析情報を記憶媒体に書き込むものである。   The storage device of the present invention reads one or more storage media, an analysis information detection unit that detects failure analysis information, and data stored in the one or more storage media based on an operation program, and performs predetermined processing. And an information processing unit for instructing data write operation, and a threshold value storage unit for storing a threshold value for determination. The information processing unit is used for determining failure analysis information captured from an analysis information detection unit. The failure analysis information exceeding the threshold for determination is written to the storage medium by comparing with the threshold value.

また、本発明の記憶装置は、解析情報検出部が検出した故障解析情報を一時的に格納するバッファを備え、情報処理部は、バッファの記憶容量が任意の容量を超えた際に、バッファに格納された故障解析情報を記憶媒体に書き込むものである。   Further, the storage device of the present invention includes a buffer for temporarily storing failure analysis information detected by the analysis information detection unit, and the information processing unit stores the buffer when the storage capacity of the buffer exceeds an arbitrary capacity. The stored failure analysis information is written to a storage medium.

さらに、本発明の記憶装置は、情報処理部が処理を実行する毎に、累計の電源ON回数やタイマ値などの時間情報、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などからなる処理履歴を記憶媒体に格納するものである。この時間情報は、処理履歴の発生順序を明確にできる情報であればよい。   Furthermore, the storage device of the present invention has a processing history consisting of time information such as the cumulative power-on count and timer value, command processing history, internal error number, and alternative processing history each time the information processing unit executes processing. Is stored in a storage medium. This time information only needs to be information that can clarify the generation order of the processing history.

さらには、これらの故障解析情報や処理履歴を記憶媒体に格納する際、多重化して格納をするものである。   Furthermore, when storing the failure analysis information and the processing history in the storage medium, they are multiplexed and stored.

そして本発明の記憶装置が接続されるホスト装置に対して、ホスト装置からの所定の指示に応じて、記憶媒体に格納した故障解析情報や処理履歴を、出力可能とするものである。   Then, the failure analysis information and the processing history stored in the storage medium can be output to the host device to which the storage device of the present invention is connected in accordance with a predetermined instruction from the host device.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。   Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

(1)故障原因を詳細に解析することが可能となり、短時間で、かつ容易に故障原因を特定することができる。   (1) The cause of failure can be analyzed in detail, and the cause of failure can be easily identified in a short time.

(2)また、故障原因などを速やかにフィードバックすることができるので、記憶装置の信頼性を向上させることができる。   (2) Moreover, since the cause of failure can be promptly fed back, the reliability of the storage device can be improved.

(3)さらに、処理履歴などを容易に取得することができるので、記憶装置の状態をユーザ自身が把握することが可能となり、該記憶装置の不具合発生などを未然に防止することができる。   (3) Furthermore, since the processing history can be easily acquired, the user can grasp the state of the storage device himself / herself, and the occurrence of a malfunction of the storage device can be prevented beforehand.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.

(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1によるフラッシュディスクのブロック図、図2は、図1のフラッシュディスクに設けられたセンサから取得した測定結果を、メモリチップに格納する格納フォーマットの一例を示す説明図、図3は、図1のフラッシュディスクに設けられたメモリチップに格納される処理履歴の格納フォーマットの一例を示す説明図、図4は、図1のフラッシュディスクにおける測定結果の記録処理のフローチャート、図5は、図1のフラッシュディスクにおける受信コマンドの記録処理のフローチャート、図6は、図1のフラッシュディスクにおけるコマンド応答の記録処理のフローチャート、図7は、図1のフラッシュディスクにおける内部エラーの記録処理のフローチャート、図8は、図1のフラッシュディスクにおける代替処理の記録処理のフローチャート、図9は、図1のフラッシュディスクにおける情報収集処理のフローチャート、図10は、図1のフラッシュディスクにおける障害対応処理のフローチャートである。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram of a flash disk according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 shows an example of a storage format for storing measurement results obtained from sensors provided in the flash disk of FIG. 1 in a memory chip. FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an example of a storage format of a processing history stored in a memory chip provided in the flash disk of FIG. 1, and FIG. 4 is a diagram illustrating a recording process of measurement results in the flash disk of FIG. FIG. 5 is a flowchart of received command recording processing in the flash disk of FIG. 1, FIG. 6 is a flowchart of command response recording processing in the flash disk of FIG. 1, and FIG. 7 is an internal error in the flash disk of FIG. FIG. 8 is a flowchart of the recording process of FIG. Flowchart of replacement recording process of the process, FIG. 9 is a flowchart of the information gathering process in flash disk of FIG. 1, FIG. 10 is a flowchart of the failure dealing processing in the flash disk in FIG.

本実施の形態において、フラッシュディスク(記憶装置)1は、図1に示すように、ホストインタフェースコネクタ2、MPU(情報処理部)3、ホストインタフェース制御部4、メモリチップ制御部5、ECC制御部6、タイマ7、バッファインタフェース制御部8、バッファ9、電圧センサ(解析情報検出部、電圧検出部)10、温度センサ(解析情報検出部、温度検出部)11、衝撃センサ(解析情報検出部、衝撃検出部)12、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ(解析情報検出部、ケーブル外れ検出部)13、および複数のメモリチップ(不揮発性半導体メモリ)141 〜14N などから構成されている。 In the present embodiment, the flash disk (storage device) 1 includes a host interface connector 2, an MPU (information processing unit) 3, a host interface control unit 4, a memory chip control unit 5, and an ECC control unit, as shown in FIG. 6, timer 7, buffer interface control unit 8, buffer 9, voltage sensor (analysis information detection unit, voltage detection unit) 10, temperature sensor (analysis information detection unit, temperature detection unit) 11, impact sensor (analysis information detection unit, It includes an impact detection unit 12, a host interface cable disconnection detection sensor (analysis information detection unit, cable disconnection detection unit) 13, and a plurality of memory chips (nonvolatile semiconductor memories) 14 1 to 14 N.

ホストインタフェースコネクタ2は、ホストと接続されるホストインタフェースケーブルHCを接続するコネクタである。このホストインタフェースコネクタ2は、ホストインタフェースコネクタ2とホストインタフェースケーブルHCとの接触不良を検知し、測定値としてMPU(Microprocessing Unit)3に出力する。   The host interface connector 2 is a connector for connecting a host interface cable HC connected to the host. The host interface connector 2 detects a contact failure between the host interface connector 2 and the host interface cable HC, and outputs it to a MPU (Microprocessing Unit) 3 as a measured value.

ホストインタフェース制御部4は、ホストから、ホストインタフェースコネクタ2を介して入出力されるコマンドを受け、これらの動作に必要なデータの入出力を行う。   The host interface control unit 4 receives commands input / output from the host via the host interface connector 2 and inputs / outputs data necessary for these operations.

バッファインタフェース制御部8は、ホストインタフェース制御部4、およびメモリチップ制御部5を介してそれぞれ入出力されるデータのインタフェース制御を行う。バッファ9は、ホスト、およびメモリチップ141 〜14N から入出力されるデータを一時的に格納するメモリであり、たとえば、RAM(Random Access Memory)などからなる。 The buffer interface control unit 8 performs interface control of data input / output via the host interface control unit 4 and the memory chip control unit 5. The buffer 9 is a memory that temporarily stores data input / output from / to the host and the memory chips 14 1 to 14 N , and includes, for example, a RAM (Random Access Memory).

メモリチップ制御部5は、メモリチップ141 〜14N における制御を司る。これら不揮発性半導体メモリ141 〜14N は、たとえば、フラッシュメモリなどの不揮発性半導体メモリからなる。 The memory chip control unit 5 controls the memory chips 14 1 to 14 N. These non-volatile semiconductor memories 14 1 to 14 N are composed of non-volatile semiconductor memories such as flash memories, for example.

ECC制御部6は、メモリチップ141 〜14N に書き込み/読み出しされるデータのECC(Error Correcting Code)処理を行い、書込時にエラー訂正情報を生成し、読み出し時に該データに誤りがある際に訂正して出力する。 The ECC control unit 6 performs ECC (Error Correcting Code) processing of data written to / read from the memory chips 14 1 to 14 N , generates error correction information at the time of writing, and when the data has an error at the time of reading Correct to output.

MPU3は、動作プログラムに基づいてメモリチップ141 〜14N への書込/読み出し動作処理とフラッシュディスク1全体の制御を行う。 The MPU 3 performs write / read operation processing for the memory chips 14 1 to 14 N and control of the entire flash disk 1 based on the operation program.

このMPU3には、RAM(しきい値格納部)3aが設けられており、該RAM3aには、異常判定に用いられる第1、および第2のしきい値が格納されている。タイマ7は、タイマクロックなどのカウントアップを行い、MPU3にタイマカウンタ信号を出力する。   The MPU 3 is provided with a RAM (threshold storage unit) 3a, and the RAM 3a stores first and second threshold values used for abnormality determination. The timer 7 counts up the timer clock and outputs a timer counter signal to the MPU 3.

電圧センサ10は、フラッシュディスク1に供給される電源電圧の電源レベルを測定する。温度センサ11は、フラッシュディスク1内部の温度を測定する。衝撃センサ12は、フラッシュディスク1に加わった衝撃(重力加速度G)を測定する。   The voltage sensor 10 measures the power supply level of the power supply voltage supplied to the flash disk 1. The temperature sensor 11 measures the temperature inside the flash disk 1. The impact sensor 12 measures the impact (gravity acceleration G) applied to the flash disk 1.

そして、電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、ならびにはホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13の測定値は、MPU3に送信される。MPU3は、受け取った測定値を保存・峻別可能な測定結果形式に変換してメモリチップ141 ,142 に格納する。 Then, the measured values of the voltage sensor 10, the temperature sensor 11, the impact sensor 12, and the host interface cable disconnection detection sensor 13 are transmitted to the MPU 3. The MPU 3 converts the received measurement values into a measurement result format that can be stored and discriminated, and stores them in the memory chips 14 1 and 14 2 .

また、MPU3は、メモリチップ141 ,142 に測定結果(故障解析情報)を格納する毎に第1のしきい値との比較を行い、測定結果の判定を行う。第1のしきい値は、測定結果が注意レベルと判定されるしきい値であり、第2のしきい値は、第1のしきい値よりも重篤な状態にあり、警告レベルと判断されるしきい値である。 Further, the MPU 3 compares with the first threshold value every time the measurement result (failure analysis information) is stored in the memory chips 14 1 and 14 2, and determines the measurement result. The first threshold value is a threshold value at which the measurement result is determined to be an attention level, and the second threshold value is more serious than the first threshold value and is determined to be a warning level. Is the threshold value.

そして、MPU3は、第1のしきい値を超える測定結果があると判定した際、またはホストからの障害対応要求があった場合には、障害対応処理を実行し、2次障害の発生に備える。   When the MPU 3 determines that there is a measurement result exceeding the first threshold or when there is a failure response request from the host, the MPU 3 executes failure response processing to prepare for the occurrence of a secondary failure. .

ホストインタフェースコネクタ2、MPU3、ホストインタフェース制御部4、メモリチップ制御部5、ECC制御部6、タイマ7、バッファインタフェース制御部8、バッファ9、電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13、およびメモリチップ141 〜14N は、制御線CNBによりそれぞれ接続されている。 Host interface connector 2, MPU 3, host interface controller 4, memory chip controller 5, ECC controller 6, timer 7, buffer interface controller 8, buffer 9, voltage sensor 10, temperature sensor 11, impact sensor 12, host interface The cable disconnection detection sensor 13 and the memory chips 14 1 to 14 N are connected to each other by a control line CNB.

また、ホストインタフェースコネクタ2、ホストインタフェース制御部4、メモリチップ制御部5、ECC制御部6、バッファインタフェース制御部8、バッファ9、ならびに不揮発性半導体メモリ14は、データバスDBによってそれぞれ接続されている。   Further, the host interface connector 2, the host interface control unit 4, the memory chip control unit 5, the ECC control unit 6, the buffer interface control unit 8, the buffer 9, and the nonvolatile semiconductor memory 14 are connected to each other by a data bus DB. .

図2は、メモリチップ141 ,142 に格納される測定結果のデータ格納フォーマットの一例を示す説明図である。 FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a data storage format of measurement results stored in the memory chips 14 1 and 14 2 .

メモリチップ141 には、測定結果記録エリアSAが設けられている。測定結果記録エリアSAは、n回分の測定結果を格納することが可能となっている。 The memory chip 14 1 is provided with a measurement result recording area SA. The measurement result recording area SA can store measurement results for n times.

測定結果記録エリアSAに記録される1回分の測定結果は、フラッシュディスク1における累計の電源ON回数、タイマ値、および電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13がそれぞれ測定した測定結果からなる。   The measurement result for one time recorded in the measurement result recording area SA includes the cumulative number of power ON times, the timer value, and the voltage sensor 10, the temperature sensor 11, the impact sensor 12, and the host interface cable disconnection detection sensor 13 in the flash disk 1. Each measurement result consists of a measurement result.

n回の測定結果の書き込みが終了すると、最初に測定結果が書き込まれた領域に戻って最新の測定結果を上書きする。測定結果記録エリアSAに書き込まれたn回分の測定結果の時系列は、累計の電源ON回数、およびタイマ値により判断する。たとえば、電源ON回数がより多い測定結果が最新であり、電源ON回数が同じの場合には、タイマ値が大きい測定結果がより新しいことになる。   When the writing of the measurement result n times is completed, the process returns to the area where the measurement result is written first and overwrites the latest measurement result. The time series of the measurement results for n times written in the measurement result recording area SA is determined by the cumulative number of power ON times and the timer value. For example, if the measurement result with the larger number of power ONs is the latest and the number of power ONs is the same, the measurement result with the larger timer value is newer.

この測定結果記録エリアSAは、メモリチップ142 も設けられており、同一の測定結果がメモリチップ142 にも格納され、データの二重化が行われている。 This measurement result recording area SA is also provided with a memory chip 14 2 , and the same measurement result is also stored in the memory chip 14 2 to duplicate data.

測定結果記録エリアSAへの測定結果の書き込みは、タイマ7によるタイマカウンタ信号に基づいて一定間隔毎に実行される。また、一定間隔毎以外であっても、衝撃センサ12による衝撃が測定された際には、随時測定結果が測定結果記録エリアSAに書き込まれる。MPU3は、測定結果記録エリアSAの測定結果記録ポインタPが指す位置に、測定結果を書き込み、該測定結果記録ポインタPをインクリメントする。   The measurement result is written into the measurement result recording area SA at regular intervals based on the timer counter signal from the timer 7. In addition, when the impact is measured by the impact sensor 12, the measurement result is written to the measurement result recording area SA as needed even when the impact sensor 12 measures the impact. The MPU 3 writes the measurement result at the position indicated by the measurement result recording pointer P in the measurement result recording area SA, and increments the measurement result recording pointer P.

さらに、メモリチップ141 ,142 には、図3に示すように、処理履歴記録エリアCAが設けられている。処理履歴記録エリアCAは、n回分の処理履歴を格納することが可能となっている。 Furthermore, as shown in FIG. 3, the memory chips 14 1 and 14 2 are provided with a processing history recording area CA. The processing history recording area CA can store n processing histories.

処理履歴記録エリアCAには、フラッシュディスク1における累計の電源ON回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などが処理履歴として記録される。   In the processing history recording area CA, the cumulative number of times the power is turned on in the flash disk 1, a timer value, a command processing history, an internal error number, an alternative processing history, and the like are recorded as a processing history.

コマンド処理履歴は、ホストから出力された受信コマンド、および受信コマンド処理終了後のコマンド応答の履歴である。   The command processing history is a history of received commands output from the host and command responses after completion of received command processing.

内部エラー番号は、書き込みエラーやリード時のECC訂正不可エラーなどの内部エラーの種類を示す番号である。この内部エラーが発生すると、MPU3は、処理履歴記録エリアCAに内部エラー番号を記録するとともにセンサ測定結果記録処理(図4)を直ちに行う。これは、エラー検出時の外的状況を記録するためである。   The internal error number is a number indicating the type of internal error such as a write error or an ECC uncorrectable error at the time of reading. When this internal error occurs, the MPU 3 records the internal error number in the processing history recording area CA and immediately performs the sensor measurement result recording process (FIG. 4). This is to record the external situation at the time of error detection.

代替処理履歴は、メモリチップ141 〜14N の代替処理を実行した際の代替元アドレス/代替先アドレスの記録である。 The substitution process history is a record of a substitution source address / substitution destination address when the substitution process of the memory chips 14 1 to 14 N is executed.

また、処理履歴は、可変長のデータ構造となっている。1回のコマンド処理は、受信コマンドを起点、コマンド応答が終点として、数レコードに渡って記録される。受信コマンド、およびコマンド応答の間にコマンド処理中に発生した内部エラー番号、代替処理履歴が記録される。   The processing history has a variable length data structure. One command process is recorded over several records, starting with a received command and starting with a command response. An internal error number generated during command processing and a substitute processing history are recorded between the received command and the command response.

各レコードには、そのレコードが保持している情報の種類(受信コマンド、コマンド応答、内部エラー番号、代替情報)を示す属性情報も記録されている。   Each record also records attribute information indicating the type of information (received command, command response, internal error number, alternative information) held by the record.

処理履歴記録エリアCAは、図2の測定結果記録エリアSAと同様に、n回の処理履歴の書き込みが終了すると、最初に処理履歴が書き込まれた領域に戻って最新の処理履歴を上書きする。   Similarly to the measurement result recording area SA of FIG. 2, the processing history recording area CA returns to the area where the processing history is first written and overwrites the latest processing history when the writing of the processing history n times is completed.

この場合も、処理履歴記録エリアCAに書き込まれたn回分の測定結果の時系列は、累計の電源ON回数、およびタイマ値により判断する。処理履歴記録エリアCAは、メモリチップ142 も設けられており、同一の処理履歴がメモリチップ142 にも格納され、データの多重化が行われている。 Also in this case, the time series of the measurement results for n times written in the processing history recording area CA is determined based on the cumulative number of power ON times and the timer value. The processing history recording area CA is also provided with a memory chip 14 2 , and the same processing history is also stored in the memory chip 14 2 and data is multiplexed.

また、フラッシュディスク1の障害発生後、該フラッシュディスク1内のユーザデータを別のフラッシュディスクに退避したい場合がある。しかし、退避時のリード処理により、障害発生時の状況が保存されているログが上書きにされ、失われる可能性がある。   In some cases, after the failure of the flash disk 1 occurs, user data in the flash disk 1 may be saved to another flash disk. However, there is a possibility that the log storing the situation at the time of failure is overwritten and lost due to the read processing at the time of saving.

そのような場合に備えて、ホストからの要求によってログ記録機能を停止することができる。
ログ記録機能の停止方法は、たとえば、ログ記録機能の完全停止、または多重化されているログのうち、1個のログについて記録停止し、その他ログは記録継続のいずれかをホストが選択する。
In preparation for such a case, the log recording function can be stopped by a request from the host.
As a method for stopping the log recording function, for example, the host selects either the complete stop of the log recording function or the recording stop for one log among the multiplexed logs and the continuation of recording for the other logs.

MPU3は、処理履歴記録エリアCAの処理履歴記録ポインタPaが指す位置に、処理履歴を書き込み、該処理履歴記録ポインタPaをインクリメントする。   The MPU 3 writes the processing history at the position pointed to by the processing history recording pointer Pa in the processing history recording area CA, and increments the processing history recording pointer Pa.

次に、本実施の形態の作用について説明する。   Next, the operation of the present embodiment will be described.

はじめに、フラッシュディスク1による測定結果の記録処理について、図4のフローチャートを用いて説明する。   First, the measurement result recording process by the flash disk 1 will be described with reference to the flowchart of FIG.

まず、タイマ7のタイマ値が規定値に到達、または衝撃が測定されて衝撃センサ12から割り込み要求があると、MPU3は、フラッシュディスク1の電源ON後、累計の電源ON回数の更新を行ったか否かを判断する(ステップS101)。更新を行っていない場合には、前回の電源ON回数をインクリメントした値に更新する(ステップS102)。   First, when the timer value of the timer 7 reaches a specified value or when an impact is measured and an impact request is received from the impact sensor 12, the MPU 3 has updated the cumulative number of power on times after the flash disk 1 is powered on. It is determined whether or not (step S101). If not updated, the previous power ON count is updated to the incremented value (step S102).

その後、MPU3は、電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、およびホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13の測定値をそれぞれ取得し、該測定値を保存、峻別可能な測定結果形式に変換する(ステップS103)。   After that, the MPU 3 acquires the measurement values of the voltage sensor 10, the temperature sensor 11, the impact sensor 12, and the host interface cable disconnection detection sensor 13, and converts the measurement values into a measurement result format that can be stored and distinguished (step). S103).

続いて、MPU3は、測定値を取得した際の電源ON回数、タイマ値、および測定結果をメモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSAにおける測定結果記録ポインタPが指す位置に書き込みを行う(ステップS104)。 Subsequently, the MPU 3 writes the number of power-on times, the timer value, and the measurement result when the measurement value is acquired in the position indicated by the measurement result recording pointer P in the measurement result recording area SA of the memory chips 14 1 and 14 2. (Step S104).

そして、MPU3は、測定結果記録ポインタPが境界(n回)に達しているか否かを判断し(ステップS105)、境界に達している際には測定結果記録ポインタPを0クリアにする(ステップS106)。   Then, the MPU 3 determines whether or not the measurement result recording pointer P has reached the boundary (n times) (step S105), and clears the measurement result recording pointer P to 0 when it has reached the boundary (step S105). S106).

また、ステップS105の処理において、境界に達していない場合には、測定結果記録ポインタPをインクリメントする(ステップS107)。以上で、測定結果の記録処理が終了となる。   If the boundary has not been reached in the process of step S105, the measurement result recording pointer P is incremented (step S107). This completes the measurement result recording process.

さらに、フラッシュディスク1による受信コマンド、コマンド応答、内部エラー代替処理におけるそれぞれ記録処理について説明する。   Further, recording processing in the received command, command response, and internal error substitution processing by the flash disk 1 will be described.

まず、受信コマンドの記録処理について図5のフローチャートを用いて説明する。   First, the received command recording process will be described with reference to the flowchart of FIG.

ホストからコマンドを受信すると、MPU3は、フラッシュディスク1の電源ON後、累計の電源ON回数の更新を行ったか否かを判断する(ステップS201)。更新を行っていない場合には、前回の電源ON回数をインクリメントした値に更新する(ステップS202)。   When receiving a command from the host, the MPU 3 determines whether or not the cumulative number of times of power ON has been updated after the power of the flash disk 1 is turned ON (step S201). If not updated, the previous power ON count is updated to the incremented value (step S202).

続いて、MPU3は、電源ON回数、タイマ値、属性、および受信コマンドをメモリチップ141 ,142 の処理履歴記録エリアCAにおける処理履歴記録ポインタPaが指す位置に書き込む(ステップS203)。 Subsequently, the MPU 3 writes the power-on count, the timer value, the attribute, and the received command at the position indicated by the processing history recording pointer Pa in the processing history recording area CA of the memory chips 14 1 and 14 2 (step S203).

その後、MPU3は、処理履歴記録ポインタPaが境界(n回)に達しているか否かを判断し(ステップS204)、境界に達している場合には、処理履歴記録ポインタPaを0クリアにする(ステップS205)。   Thereafter, the MPU 3 determines whether or not the processing history recording pointer Pa has reached the boundary (n times) (step S204). If the processing history recording pointer Pa has reached the boundary, the processing history recording pointer Pa is cleared to 0 (step S204). Step S205).

また、ステップS204の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタPaをインクリメントし(ステップS206)、受信コマンドの記録処理が終了となる。   If the boundary is not reached in the process of step S204, the process history recording pointer Pa is incremented (step S206), and the received command recording process ends.

次に、コマンド応答の記録処理について、図6のフローチャートを用いて説明する。   Next, command response recording processing will be described with reference to the flowchart of FIG.

MPU3がホストへコマンド応答を出力した際、該MPU3は、電源ON回数、またはタイマ値、属性、および応答コマンドをメモリチップ141 ,142 の処理履歴記録エリアCAにおける処理履歴記録ポインタPaが指す位置に書き込む(ステップS301)。 When the MPU 3 outputs a command response to the host, the MPU 3 indicates the number of times the power is turned on or the timer value, attribute, and response command by the processing history recording pointer Pa in the processing history recording area CA of the memory chips 14 1 and 14 2. The position is written (step S301).

そして、MPU3は、処理履歴記録ポインタPaが境界(n回)に達しているか否かを判断し(ステップS302)、境界に達している場合には、処理履歴記録ポインタPaを0クリアにする(ステップS303)。   Then, the MPU 3 determines whether or not the processing history recording pointer Pa has reached the boundary (n times) (step S302). If the processing history recording pointer Pa has reached the boundary, the processing history recording pointer Pa is cleared to 0 (step S302). Step S303).

また、ステップS302の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタPaをインクリメントし(ステップS304)、応答コマンドの記録処理が終了となる。   If the boundary has not been reached in the process of step S302, the process history recording pointer Pa is incremented (step S304), and the response command recording process ends.

内部エラーの記録処理について、図7のフローチャートを用いて説明する。   The internal error recording process will be described with reference to the flowchart of FIG.

MPU3が内部エラーを検出した際、該MPU3は、測定結果の記録処理(図4、ステップS101〜S107の処理)を実行する(ステップS401)。その後、MPU3は、電源ON回数、タイマ値、属性、および内部エラー番号をメモリチップ141 ,142 の処理履歴記録エリアCAにおける処理履歴記録ポインタPaが指す位置に書き込む(ステップS402)。 When the MPU 3 detects an internal error, the MPU 3 executes measurement result recording processing (FIG. 4, steps S101 to S107) (step S401). Thereafter, the MPU 3 writes the power ON count, the timer value, the attribute, and the internal error number at the position pointed to by the processing history recording pointer Pa in the processing history recording area CA of the memory chips 14 1 and 14 2 (step S402).

続いて、MPU3は、処理履歴記録ポインタPaが境界(n回)に達しているか否かを判断し(ステップS403)、境界に達している場合には、処理履歴記録ポインタPaを0クリアにする(ステップS404)。   Subsequently, the MPU 3 determines whether or not the processing history recording pointer Pa has reached the boundary (n times) (step S403). If the processing history recording pointer Pa has reached the boundary, the processing history recording pointer Pa is cleared to zero. (Step S404).

また、ステップS403の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタPaをインクリメントし(ステップS405)、内部処理の記録処理が終了となる。   If the boundary has not been reached in the process of step S403, the process history recording pointer Pa is incremented (step S405), and the internal process recording process ends.

代替処理の記録処理について、図8のフローチャートを用いて説明する。   The recording process of the alternative process will be described with reference to the flowchart of FIG.

MPU3による代替処理が終了すると、該MPU3は、電源ON回数、タイマ値、属性、および代替先/代替元アドレスをメモリチップ141 ,142 の処理履歴記録エリアCAにおける処理履歴記録ポインタPaが指す位置に書き込む(ステップS501)。 When the substitution process by the MPU 3 is completed, the MPU 3 indicates the number of times the power is turned on, the timer value, the attribute, and the substitution destination / substitution source address by the process history record pointer Pa in the process history record area CA of the memory chips 14 1 and 14 2. The position is written (step S501).

続いて、MPU3は、処理履歴記録ポインタPaが境界(n回)に達しているか否かを判断し(ステップS502)、境界に達している場合には、処理履歴記録ポインタPaを0クリアにする(ステップS503)。   Subsequently, the MPU 3 determines whether or not the processing history recording pointer Pa has reached the boundary (n times) (step S502). If the processing history recording pointer Pa has reached the boundary, the processing history recording pointer Pa is cleared to zero. (Step S503).

また、ステップS502の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタPaをインクリメントし(ステップS504)、代替処理の記録処理が終了となる。   If the boundary has not been reached in the process of step S502, the process history recording pointer Pa is incremented (step S504), and the alternative process recording process ends.

フラッシュディスク1は、ホストの要求に応じて、障害・寿命情報を該ホストに対して出力する機能を有している。ここで、ホストが障害・寿命情報報告を要求する手段としては、たとえば、ATA(AT Attachment)のsmartコマンド、ベンダユニークコマンド、あるいは専用の信号線などがある。   The flash disk 1 has a function of outputting failure / life information to the host in response to a request from the host. Here, as a means for the host to request a failure / lifetime information report, there is, for example, an ATA (AT Attachment) smart command, a vendor unique command, or a dedicated signal line.

障害・寿命情報は、たとえば、測定結果記録エリアSAに格納されている情報、処理履歴記録エリアCAに格納されている情報、および動作異常のあるメモリチップの番号、各メモリチップの残り代替セクタ数、破損データ格納アドレス(電源遮断などを原因とした破損データを検出した場合)からなるスキャン情報などからなる。   The failure / lifetime information includes, for example, information stored in the measurement result recording area SA, information stored in the processing history recording area CA, the number of the memory chip having an abnormal operation, and the number of remaining alternative sectors of each memory chip. , And scan information consisting of a damaged data storage address (when damaged data due to power interruption or the like is detected).

図9は、ホストから、障害・寿命情報収集の要求があった際の情報収集処理のフローチャートである。   FIG. 9 is a flowchart of information collection processing when a request for failure / lifetime information collection is received from the host.

ホストから、障害・寿命情報収集の要求(コマンド)を受け取ると、MPU3は、最初にすべてのメモリチップ141 〜14N をスキャンし、動作不良のメモリチップの番号、各メモリチップ141 〜14N の残り代替セクタ数、破損データ格納アドレスなどのスキャン情報を収集し、バッファ9に格納する(ステップS601)。 When receiving a request (command) for collecting failure / lifetime information from the host, the MPU 3 first scans all the memory chips 14 1 to 14 N , and identifies the number of the malfunctioning memory chip and each of the memory chips 14 1 to 14. Scan information such as the number of remaining alternative sectors of N and damaged data storage addresses is collected and stored in the buffer 9 (step S601).

その後、メモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSAに格納されている測定結果、およびメモリチップ141 ,142 の処理履歴記録エリアCAに格納されている処理履歴をそれぞれ読み出し、バッファ9に格納する(ステップS602)。 Then, read the memory chips 14 1, 14 2 of the measurement result recording area measurement result stored in the SA, and the memory chip 14 1, 14 2 of the process history recording area processing history stored in the CA respectively, a buffer 9 (Step S602).

続いて、MPU3は、バッファ9に格納されたスキャン情報、測定結果、ならびに処理履歴を障害・寿命情報収集としてホストに転送する(ステップS603)。   Subsequently, the MPU 3 transfers the scan information, measurement results, and processing history stored in the buffer 9 to the host as fault / lifetime information collection (step S603).

図10は、第1のしきい値を超える測定結果がある場合、またはホストからの障害対応要求があった場合における障害対応処理のフローチャートである。   FIG. 10 is a flowchart of the failure handling process when there is a measurement result exceeding the first threshold or when there is a failure handling request from the host.

測定結果が第1のしきい値を超えた場合、もしくはホストからの障害対応要求があると、MPU3は、バッファ9にメモリチップへ未書き込みのデータがある場合、バッファ9の未書き込みデータを直ちにメモリチップに格納する(ステップS701)。   When the measurement result exceeds the first threshold value or when there is a failure response request from the host, the MPU 3 immediately stores unwritten data in the buffer 9 when there is unwritten data in the memory chip in the buffer 9. Store in the memory chip (step S701).

そして、MPU3は、測定結果とRAM3aに格納されている第2のしきい値とを比較し、その結果、第2のしきい値を超えている場合、またはホストから動作停止の指示があった場合には(ステップS702)、DATA値にフラッシュディスク1の動作を停止する(ステップS703)。   Then, the MPU 3 compares the measurement result with the second threshold value stored in the RAM 3a. As a result, if the second threshold value is exceeded, or the host has issued an instruction to stop the operation. In that case (step S702), the operation of the flash disk 1 is stopped at the DATA value (step S703).

また、第2のしきい値を超えおらず、ホストから動作停止の指示もなかった場合には、フラッシュディスク1の動作モードを制限モードにする(ステップS704)。この制限モードは、フラッシュディスク1に格納されているデータの損失を防ぐためにフラッシュディスク1の機能を制限するモードであり、たとえば、読み出し動作許可され、その他の動作を不許可とする。   If the second threshold value is not exceeded and there is no instruction to stop the operation from the host, the operation mode of the flash disk 1 is set to the limit mode (step S704). This restriction mode is a mode in which the function of the flash disk 1 is restricted in order to prevent loss of data stored in the flash disk 1, and for example, a read operation is permitted and other operations are not permitted.

それにより、本実施の形態1によれば、メモリチップ141 ,142 に格納された測定結果、および処理履歴などを参照することにより、故障原因を詳細に解析することが可能となり、短時間で、かつ確実に該故障原因を特定することができる。 As a result, according to the first embodiment, the cause of the failure can be analyzed in detail by referring to the measurement results stored in the memory chips 14 1 and 14 2 , the processing history, and the like. The cause of the failure can be specified reliably.

また、ホストからの要求により、障害・寿命情報を容易に取得することによってユーザがフラッシュディスク1の状態を把握することができるようになり、該ユーザ自身によるメンテナンスを容易に行うことができるので、フラッシュディスク1の不具合発生を未然に防止することが可能となる。   In addition, it is possible for the user to grasp the state of the flash disk 1 easily by acquiring failure / lifetime information according to a request from the host, and the maintenance by the user can be easily performed. It is possible to prevent the flash disk 1 from occurring.

(実施の形態2)
図11は、本発明の実施の形態2によるフラッシュディスクのブロック図、図12は、図11のフラッシュディスクにおける測定結果記録処理のフローチャート、図13は、図12に続く測定結果記録処理のフローチャートである。
(Embodiment 2)
11 is a block diagram of a flash disk according to Embodiment 2 of the present invention, FIG. 12 is a flowchart of the measurement result recording process in the flash disk of FIG. 11, and FIG. 13 is a flowchart of the measurement result recording process following FIG. is there.

本実施の形態2において、フラッシュディスク(記憶装置)1aは、図11に示すように、前記実施の形態1(図1)と同様の構成であるホストインタフェースコネクタ2、MPU3、ホストインタフェース制御部4、メモリチップ制御部5、ECC制御部6、タイマ7、バッファインタフェース制御部8、バッファ9、電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13、および複数のメモリチップ141 〜14N からなる。 In the second embodiment, the flash disk (storage device) 1a includes, as shown in FIG. 11, a host interface connector 2, an MPU 3, and a host interface control unit 4 having the same configuration as that of the first embodiment (FIG. 1). , Memory chip control unit 5, ECC control unit 6, timer 7, buffer interface control unit 8, buffer 9, voltage sensor 10, temperature sensor 11, impact sensor 12, host interface cable disconnection detection sensor 13, and a plurality of memory chips 14 1 to 14 N.

また、MPU3にはRAM3aが設けられており、該RAM3aには、前記実施の形態1に記載した第1、および第2のしきい値の他に、第3のしきい値(判定用しきい値)が格納されている。この第3のしきい値は、メモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSA(図2)に測定結果を記録するか否かを判断するための値である。 Further, the MPU 3 is provided with a RAM 3a. In addition to the first and second threshold values described in the first embodiment, the RAM 3a has a third threshold value (the threshold for determination). Value) is stored. The third threshold value is a value for determining whether or not to record the measurement result in the measurement result recording area SA (FIG. 2) of the memory chips 14 1 and 14 2 .

フラッシュディスク1aにおける接続構成、ならびにコマンド処理履歴の記録処理(図3、図5、図6)については、前記実施の形態1に示したフラッシュディスク1(図1)と同様であるので説明は省略する。   Since the connection configuration in the flash disk 1a and the command processing history recording process (FIGS. 3, 5, and 6) are the same as those of the flash disk 1 (FIG. 1) shown in the first embodiment, description thereof is omitted. To do.

フラッシュディスク1aにおける第3のしきい値を用いた測定結果記録処理について、図12、図13のフローチャートを用いて説明する。   The measurement result recording process using the third threshold value in the flash disk 1a will be described with reference to the flowcharts of FIGS.

まず、タイマ7のタイマ値が規定値に到達、または衝撃が測定されて衝撃センサ12から割り込み要求があると、MPU3は、フラッシュディスク1の電源ON後、累計の電源ON回数の更新を行ったか否かを判断する(ステップS801)。更新を行っていない場合には、前回の電源ON回数をインクリメントした値に更新する(ステップS802)。   First, when the timer value of the timer 7 reaches a specified value or when an impact is measured and an impact request is received from the impact sensor 12, the MPU 3 has updated the cumulative number of power on times after the flash disk 1 is powered on. It is determined whether or not (step S801). If not updated, the previous power-on count is updated to the incremented value (step S802).

その後、MPU3は、電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、およびホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13の測定値をそれぞれ取得し、該測定値を保存、峻別可能な測定結果形式に変換する(ステップS803)。   After that, the MPU 3 acquires the measurement values of the voltage sensor 10, the temperature sensor 11, the impact sensor 12, and the host interface cable disconnection detection sensor 13, and converts the measurement values into a measurement result format that can be stored and distinguished (step). S803).

続いて、MPU3は、測定結果とRAM3aに格納されている第3のしきい値とを比較し(ステップS804)、該第3のしきい値を超えている測定結果がない場合には記録処理が終了となり、メモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSAには該測定結果が記録されないことになる。 Subsequently, the MPU 3 compares the measurement result with the third threshold value stored in the RAM 3a (step S804), and if there is no measurement result exceeding the third threshold value, the recording process is performed. Thus, the measurement result is not recorded in the measurement result recording area SA of the memory chips 14 1 and 14 2 .

ステップS804の処理において、第3のしきい値を超えている測定結果がある場合には、電源ON回数、タイマ値、および測定結果をメモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSAにおける測定結果記録ポインタP(図2)が指す位置に書き込む(ステップS805)。 If there is a measurement result that exceeds the third threshold value in the process of step S804, the number of power ON times, the timer value, and the measurement result are measured in the measurement result recording area SA of the memory chips 14 1 and 14 2. Writing is performed at the position indicated by the result recording pointer P (FIG. 2) (step S805).

そして、MPU3は、測定結果記録ポインタPが境界(n回)に達しているか否かを判断し(ステップS806)、境界に達している際には測定結果記録ポインタPを0クリアにする(ステップS807)。   Then, the MPU 3 determines whether or not the measurement result recording pointer P has reached the boundary (n times) (step S806), and clears the measurement result recording pointer P to 0 when it has reached the boundary (step S806). S807).

また、ステップS806の処理において、境界に達していない場合には、測定結果記録ポインタPをインクリメントし(ステップS808)、測定結果の記録処理が終了となる。   If the boundary is not reached in the process of step S806, the measurement result recording pointer P is incremented (step S808), and the measurement result recording process ends.

それにより、本実施の形態2によれば、第3のしきい値を超えた測定結果のみを記録することにより、MPU3の負荷を大幅に軽減することができるので、コマンド処理のパフォーマンスダウンを防止することができる。   As a result, according to the second embodiment, only the measurement result exceeding the third threshold value is recorded, so that the load on the MPU 3 can be greatly reduced. can do.

また、メモリチップ141 ,142 への測定結果の書き込み回数を少なくすることができるので、書き込みが繰り返されることによる該メモリチップ141 ,142 の劣化を低減することができ、フラッシュディスク1aの信頼性を向上させることができる。 Further, it is possible to reduce the number of writes the measurement result to the memory chip 14 1, 14 2, it is possible to reduce the memory chips 14 1, 14 2 of the deterioration due to the writing is repeated, flash disk 1a Reliability can be improved.

(実施の形態3)
図14は、本発明の実施の形態3によるフラッシュディスクのバッファに設けられた測定結果一時記録エリアにおけるデータフォーマットの説明図、図15は、本発明の実施の形態3によるフラッシュディスクに設けられたメモリチップの測定結果記録エリア、および処理履歴記録エリアの説明図、図16は、本実施の形態3におけるフラッシュディスクの測定結果記録処理のフローチャート、図17は、図16に続く測定結果記録処理のフローチャート、図18は、本実施の形態3におけるフラッシュディスクの即時保存処理のフローチャート、図19は、図18に続く即時保存処理のフローチャートである。
(Embodiment 3)
FIG. 14 is an explanatory diagram of the data format in the measurement result temporary recording area provided in the buffer of the flash disk according to the third embodiment of the present invention, and FIG. 15 is provided in the flash disk according to the third embodiment of the present invention. FIG. 16 is a flowchart of the measurement result recording process of the flash disk in the third embodiment, and FIG. 17 is a flowchart of the measurement result recording process subsequent to FIG. FIG. 18 is a flowchart of the flash disk immediate storage process according to the third embodiment, and FIG. 19 is a flowchart of the immediate storage process subsequent to FIG.

本実施の形態3においては、バッファ9(図11)に測定結果の記録、およびコマンド処理履歴を一時的に格納する点が前記実施の形態2と異なっている。   The third embodiment is different from the second embodiment in that the measurement result is recorded in the buffer 9 (FIG. 11) and the command processing history is temporarily stored.

図14は、バッファ9に設けられた測定結果一時記録エリアSA1におけるデータフォーマットの説明図である。   FIG. 14 is an explanatory diagram of a data format in the measurement result temporary recording area SA1 provided in the buffer 9.

バッファ9に設けられた測定結果一時記録エリアSA1は、n2回分の測定結果を格納することが可能となっている。測定結果一時記録エリアSA1に記録される1回分の測定結果は、メモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSAに格納される測定結果(図2)と同様に、フラッシュディスク1における累計の電源ON回数、タイマ値、および電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13がそれぞれ測定した測定結果からなる。 The measurement result temporary recording area SA1 provided in the buffer 9 can store measurement results for n2 times. The measurement result for one time recorded in the measurement result temporary recording area SA1 is the accumulated result in the flash disk 1 in the same manner as the measurement result (FIG. 2) stored in the measurement result recording area SA of the memory chips 14 1 and 14 2 . The number of power ON times, the timer value, and the measurement results measured by the voltage sensor 10, the temperature sensor 11, the impact sensor 12, and the host interface cable disconnection detection sensor 13, respectively.

n2回の測定結果の書き込みが終了すると、最初に測定結果が書き込まれた領域に戻って最新の測定結果を上書きする。測定結果一時記録エリアSA1に書き込まれたn2回分の測定結果の時系列は、累計の電源ON回数、およびタイマ値により判断する。たとえば、電源ON回数がより多い測定結果が最新であり、電源ON回数が同じの場合には、タイマ値が大きい測定結果がより新しいことになる。   When the writing of the measurement results n2 times is completed, the process returns to the area where the measurement results were first written and overwrites the latest measurement results. The time series of the measurement results for n2 times written in the measurement result temporary recording area SA1 is determined based on the cumulative number of power ON times and the timer value. For example, if the measurement result with the larger number of power ONs is the latest and the number of power ONs is the same, the measurement result with the larger timer value is newer.

測定結果一時記録エリアSA1への測定結果の書き込みは、たとえば、タイマ7によるタイマカウンタ信号に基づいて一定間隔毎に実行される。また、一定間隔毎以外であっても、衝撃センサ12による衝撃が測定された際には、随時測定結果が測定結果一時記録エリアSA1に書き込まれる。MPU3(図11)は、測定結果一時記録エリアSA1の測定結果一時記録ポインタP1が指す位置に、測定結果を書き込み、該測定結果一時記録ポインタP1をインクリメントする。   The measurement result is written into the measurement result temporary recording area SA1 at regular intervals based on a timer counter signal from the timer 7, for example. In addition, when the impact is measured by the impact sensor 12, the measurement result is written in the measurement result temporary recording area SA1 as needed even when the impact sensor 12 measures the impact. The MPU 3 (FIG. 11) writes the measurement result at the position pointed to by the measurement result temporary recording pointer P1 in the measurement result temporary recording area SA1, and increments the measurement result temporary recording pointer P1.

この測定結果一時記録エリアSA1が満杯になると、該測定結果一時記録エリアSA1に格納された内容が転送され、図15に示すように、メモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSA2に格納される。 When the measurement result temporary recording area SA1 becomes full, the contents stored in the measurement result temporary recording area SA1 are transferred and stored in the measurement result recording area SA2 of the memory chips 14 1 and 14 2 as shown in FIG. Is done.

その際、測定結果一時記録ポインタP1は、測定結果一時記録エリアSA1の先頭に戻り、測定結果が順次上書きされる。   At that time, the measurement result temporary recording pointer P1 returns to the head of the measurement result temporary recording area SA1, and the measurement results are sequentially overwritten.

また、バッファ9には、n回分の処理履歴を格納する処理履歴一時記録エリアが設けられている。この処理履歴一時記録エリアは、前記実施の形態1の図3と同様に、累計の電源ON回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴などの処理履歴が記録される。   Further, the buffer 9 is provided with a processing history temporary recording area for storing processing history for n times. In this processing history temporary recording area, as in FIG. 3 of the first embodiment, processing history such as the cumulative number of power ON times, timer value, command processing history, internal error number, and alternative processing history is recorded.

MPU3は、一時処理履歴エリアの処理履歴エリア一時記録ポインタが指す位置に、処理履歴を書き込み、該処理履歴エリア一時記録ポインタをインクリメントする。この処理履歴一時記録エリアCA1が満杯になると、該処理履歴一時記録エリアCA1に格納された内容が転送され、図15に示すメモリチップ141 ,142 の処理履歴記録エリアCA2に格納される。その際、処理履歴一時記録エリアCA1の処理履歴エリア一時記録ポインタは、該処理履歴一時記録エリアCA1の先頭に戻り、測定結果が順次上書きされる。 The MPU 3 writes the processing history at the position indicated by the processing history area temporary recording pointer in the temporary processing history area, and increments the processing history area temporary recording pointer. When the processing history temporary recording area CA1 becomes full, the contents stored in the processing history temporary recording area CA1 are transferred and stored in the processing history recording area CA2 of the memory chips 14 1 and 14 2 shown in FIG. At that time, the processing history area temporary recording pointer of the processing history temporary recording area CA1 returns to the head of the processing history temporary recording area CA1, and the measurement results are overwritten in sequence.

図16、図17は、本実施の形態3における測定結果記録処理のフローチャートである。   16 and 17 are flowcharts of the measurement result recording process in the third embodiment.

まず、タイマ7のタイマ値が規定値に到達、または衝撃が測定されて衝撃センサ12から割り込み要求があると、MPU3は、フラッシュディスク1の電源ON後、累計の電源ON回数の更新を行ったか否かを判断する(ステップS901)。更新を行っていない場合には、前回の電源ON回数をインクリメントした値に更新する(ステップS902)。   First, when the timer value of the timer 7 reaches a specified value or when an impact is measured and an impact request is received from the impact sensor 12, the MPU 3 has updated the cumulative number of power on times after the flash disk 1 is powered on. It is determined whether or not (step S901). If not updated, the previous power ON count is updated to the incremented value (step S902).

続いて、MPU3は、電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、およびホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13の測定値をそれぞれ取得し、該測定値を保存、峻別可能な測定結果形式に変換する(ステップS903)。   Subsequently, the MPU 3 acquires the measurement values of the voltage sensor 10, the temperature sensor 11, the impact sensor 12, and the host interface cable disconnection detection sensor 13, respectively, and converts the measurement values into a measurement result format that can be stored and distinguished (see FIG. Step S903).

そして、MPU3は、測定結果とRAM3aに格納されている第3のしきい値とを比較し(ステップS904)、該第3のしきい値を超えている測定結果がない場合には、バッファ9の測定結果一時記録エリアSA1に記録せずに、記録処理が終了となる。   Then, the MPU 3 compares the measurement result with the third threshold value stored in the RAM 3a (step S904), and if there is no measurement result exceeding the third threshold value, the buffer 9 The recording process ends without recording in the measurement result temporary recording area SA1.

ステップS904の処理において、第3のしきい値を超えている測定結果がある場合には、電源ON回数、タイマ値、および測定結果をバッファ9の測定結果一時記録エリアSA1における測定結果一時記録ポインタP1が指す位置に書き込む(ステップS905)。   If there is a measurement result exceeding the third threshold value in the process of step S904, the number of power-ons, the timer value, and the measurement result are displayed in the measurement result temporary recording pointer in the measurement result temporary recording area SA1 of the buffer 9. Writing is performed at the position indicated by P1 (step S905).

MPU3は、測定結果一時記録ポインタP1が境界(n2回)に達しているか否かを判断し(ステップS906)、境界に達していない場合には、測定結果一時記録ポインタP1をインクリメントし(ステップS907)、測定結果の記録処理が終了となる。   The MPU 3 determines whether or not the measurement result temporary recording pointer P1 has reached the boundary (n2 times) (step S906). If the measurement result temporary recording pointer P1 has not reached the boundary, the MPU 3 increments the measurement result temporary recording pointer P1 (step S907). ), The measurement result recording process ends.

ステップS806の処理において、測定結果一時記録ポインタP1が境界に達している際には、バッファ9の測定結果一時記録エリアSA1に格納されているすべての内容を転送してメモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSA2に書き込む(ステップS908)。 In the process of step S806, when the measurement result temporary recording pointer P1 reaches the boundary, all the contents stored in the measurement result temporary recording area SA1 of the buffer 9 are transferred to the memory chips 14 1 , 14 2. Is written in the measurement result recording area SA2 (step S908).

続いて、MPU3は、メモリチップ141 ,142 の測定結果記録エリアSAにおける測定結果記録ポインタPが境界(n3回)に達しているか否かを判断する(ステップS909)。 Subsequently, the MPU 3 determines whether or not the measurement result recording pointer P in the measurement result recording area SA of the memory chips 14 1 and 14 2 has reached the boundary (n3 times) (step S909).

境界に達している際には、測定結果記録ポインタP1を0クリアにし(ステップS910)、境界に達していない場合には、測定結果記録ポインタP1をインクリメントする(ステップS911)。   When the boundary is reached, the measurement result recording pointer P1 is cleared to 0 (step S910), and when the boundary is not reached, the measurement result recording pointer P1 is incremented (step S911).

その後、MPU3は、測定結果一時記録ポインタP1を0クリアして(ステップS912)測定結果の記録処理が終了となる。   Thereafter, the MPU 3 clears the measurement result temporary recording pointer P1 to 0 (step S912), and the measurement result recording process ends.

図18、図19は、バッファ9における測定結果一時記録エリアSA1の即時保存処理のフローチャートである。   18 and 19 are flowcharts of the immediate saving process of the measurement result temporary recording area SA1 in the buffer 9. FIG.

ホストから即時保存の要求があった際、あるいはMPU3が重大エラーを検出すると、MPU3は、バッファ9に一時記憶されている(未書き込みの)データを直ちに任意のメモリチップ141 〜14N に保存し、ユーザデータの損失などを防止する(ステップS1001)。 When there is a request for immediate storage from the host or when the MPU 3 detects a serious error, the MPU 3 immediately stores the data temporarily stored in the buffer 9 (unwritten) in any memory chip 14 1 to 14 N. Then, loss of user data is prevented (step S1001).

その後、MPU3は、バッファ9に格納されている測定結果一時記録エリアSA1の内容を、メモリチップ141 ,142 の測定結果記録ポインタPが指す領域に保存する(ステップS1002)。 Thereafter, the MPU 3 stores the contents of the measurement result temporary recording area SA1 stored in the buffer 9 in the area pointed to by the measurement result recording pointer P of the memory chips 14 1 and 14 2 (step S1002).

続いて、MPU3は、測定結果記録ポインタPが境界(n3回)に達しているか否かを判断し(ステップS1003)、境界に達している際には測定結果記録ポインタPを0クリアにする(ステップS1004)。   Subsequently, the MPU 3 determines whether or not the measurement result recording pointer P has reached the boundary (n3 times) (step S1003), and clears the measurement result recording pointer P to 0 when the boundary has been reached (step S1003). Step S1004).

ステップS1003の処理において、境界に達していない場合には、測定結果記録ポインタPをインクリメントする(ステップS1005)。   If the boundary has not been reached in the process of step S1003, the measurement result recording pointer P is incremented (step S1005).

ステップS1004、またはステップS1005のいずれかの処理が終了すると、MPU3は、バッファ9の測定結果一時記録ポインタP1をインクリメントする(ステップS1006)。   When either step S1004 or step S1005 is completed, the MPU 3 increments the measurement result temporary recording pointer P1 in the buffer 9 (step S1006).

そして、MPU3は、バッファ9に格納されている処理履歴一時記録エリアCA1の内容を、メモリチップ141 ,142 の処理履歴記録エリアCA2における処理履歴記録ポインタPaが指す領域に保存する(ステップS1007)。 Then, the MPU 3 stores the contents of the processing history temporary recording area CA1 stored in the buffer 9 in the area pointed to by the processing history recording pointer Pa in the processing history recording area CA2 of the memory chips 14 1 and 14 2 (step S1007). ).

MPU3は、処理履歴記録ポインタPaが境界(n4回)に達しているか否かを判断し(ステップS1008)、境界に達している際には処理履歴記録ポインタPaを0クリアにする(ステップS1009)。   The MPU 3 determines whether or not the processing history recording pointer Pa has reached the boundary (n4 times) (step S1008), and clears the processing history recording pointer Pa to 0 when the boundary has been reached (step S1009). .

ステップS1008の処理において、境界に達していない場合には、処理履歴記録ポインタPaをインクリメントした後(ステップS1010)、バッファ9の処理履歴エリア一時記録ポインタを0クリアして(ステップS1011)の即時保存処理が終了となる。   If the boundary has not been reached in the processing of step S1008, the processing history recording pointer Pa is incremented (step S1010), and then the processing history area temporary recording pointer of the buffer 9 is cleared to 0 (step S1011) and immediately saved. The process ends.

それにより、本実施の形態3においては、ホストなどのシャットダウンや重大エラーなどによって、バッファ9に格納された測定結果や処理履歴、およびユーザデータなどの損失を防止することができる。さらに、処理履歴や測定情報の格納回数が少なくなることから、MPU3の負荷が軽減され、またメモリチップの劣化を抑えることが可能となる。   Thereby, in the third embodiment, it is possible to prevent loss of measurement results, processing history, user data and the like stored in the buffer 9 due to shutdown of the host or a serious error or the like. Furthermore, since the processing history and the number of times measurement information is stored are reduced, the load on the MPU 3 can be reduced and the deterioration of the memory chip can be suppressed.

(実施の形態4)
図20は、本発明の実施の形態4によるフラッシュディスクのブロック図である。
(Embodiment 4)
FIG. 20 is a block diagram of a flash disk according to the fourth embodiment of the present invention.

本実施の形態4において、フラッシュディスク(記憶装置)1bは、図20に示すように、ホストインタフェースコネクタ2、MPU3、ホストインタフェース制御部4、メモリチップ制御部5、ECC制御部6、タイマ7、バッファインタフェース制御部8、バッファ9、電圧センサ10、温度センサ11、衝撃センサ12、ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ13、および複数のメモリチップ141 〜14N からなる前記実施の形態2(図11)と同様の構成に、新たにバックアップ電源15が新たに設けられている。 In the fourth embodiment, the flash disk (storage device) 1b includes a host interface connector 2, an MPU 3, a host interface control unit 4, a memory chip control unit 5, an ECC control unit 6, a timer 7, as shown in FIG. The second embodiment (FIG. 11) comprising the buffer interface control unit 8, the buffer 9, the voltage sensor 10, the temperature sensor 11, the impact sensor 12, the host interface cable disconnection detection sensor 13, and the plurality of memory chips 14 1 to 14 N. A backup power supply 15 is newly provided in the same configuration as in FIG.

バックアップ電源15は、バッファ9にバックアップ用の電源を供給する。たとえば、重大エラー検出時などにおいては、既にすべてのメモリチップ141 〜14N の書き込みが不可能となっている恐れもあり、そのままフラッシュディスク1bの電源が切断されれば、障害解析に必要な情報が残らなくなってしまう。また、前記実施の形態3であればバッファ9に一時保存された故障解析情報が失われてしまう。 The backup power supply 15 supplies backup power to the buffer 9. For example, when a serious error is detected, writing to all the memory chips 14 1 to 14 N may be impossible. If the power to the flash disk 1b is cut off as it is, it is necessary for failure analysis. Information will not remain. In the third embodiment, the failure analysis information temporarily stored in the buffer 9 is lost.

よって、バックアップ電源15は、その問題を回避するための電源であり、バッファ9は該パックアップ電源15を経由して電源電圧が供給される。また、予期せぬ電源遮断が発生した際には、バックアップ電源15はバッファ9にバックアップ用の電源電圧を供給し、該バッファ9における測定結果一時記録エリアSA1、ならびに処理履歴一時記録エリアCA1に記憶された内容を維持する。   Therefore, the backup power supply 15 is a power supply for avoiding the problem, and the power supply voltage is supplied to the buffer 9 via the backup power supply 15. When an unexpected power interruption occurs, the backup power supply 15 supplies a backup power supply voltage to the buffer 9 and stores it in the measurement result temporary recording area SA1 and the processing history temporary recording area CA1 in the buffer 9. Maintain the contents.

この場合、一般にフラッシュディスクのパワーオン処理では、バッファの内容は初期化される。しかし、本実施の形態4におけるフラッシュディスク1bでは、測定結果一時記録エリアSA1、および処理履歴一時記録エリアCA1に記憶された内容が保持される構成となっている。これは、測定結果一時記録エリアSA1、および処理履歴一時記録エリアCA1に残っている情報を、電源が再投入された後にホストに出力できるようにするためである。   In this case, generally, the contents of the buffer are initialized in the power-on process of the flash disk. However, the flash disk 1b according to the fourth embodiment is configured to hold the contents stored in the measurement result temporary recording area SA1 and the processing history temporary recording area CA1. This is because the information remaining in the measurement result temporary recording area SA1 and the processing history temporary recording area CA1 can be output to the host after the power is turned on again.

それにより、本実施の形態4では、不意のフラッシュディスク1bにおける電源遮断などが発生しても、バッファ9に測定結果や処理履歴などが保存されているので、該フラッシュディスク1bの故障解析などを効率よく行うことができる。   As a result, in the fourth embodiment, even if the power supply of the flash disk 1b is unexpectedly cut off, measurement results, processing history, etc. are stored in the buffer 9, so failure analysis of the flash disk 1b is performed. It can be done efficiently.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

たとえば、前記実施の形態1〜4においては、フラシュメモリを記録媒体としたフラッシュディスクについて記載したが、本発明は、不揮発性半導体メモリを用いて構成されたメモリカードなどの記憶装置、磁気ディスクや光磁気ディスクなどを記録媒体としたメモリチップ以外の記録媒体を有する記憶装置、あるいは単体のディスク装置を複数個装備したRAID(Redundant Array of Inexpensive Disks)のようなアレイ形式のディスク装置などについても適用可能である。   For example, in the first to fourth embodiments, a flash disk using a flash memory as a recording medium has been described. However, the present invention can be applied to a storage device such as a memory card configured using a nonvolatile semiconductor memory, a magnetic disk, Also applicable to storage devices having recording media other than memory chips using magneto-optical disks as recording media, or array type disk devices such as RAID (Redundant Array of Inexpensive Disks) equipped with a plurality of single disk devices. Is possible.

本発明の実施の形態1によるフラッシュディスクのブロック図である。1 is a block diagram of a flash disk according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 図1のフラッシュディスクに設けられたメモリチップに格納される測定結果の格納フォーマットの一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the storage format of the measurement result stored in the memory chip provided in the flash disk of FIG. 図1のフラッシュディスクに設けられたメモリチップに格納される処理履歴の格納フォーマットの一例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating an example of a storage format of processing history stored in a memory chip provided in the flash disk of FIG. 1. 図1のフラッシュディスクにおける測定結果の記録処理のフローチャートである。3 is a flowchart of a measurement result recording process in the flash disk of FIG. 1. 図1のフラッシュディスクにおける受信コマンドの記録処理のフローチャートである。2 is a flowchart of received command recording processing in the flash disk of FIG. 1; 図1のフラッシュディスクにおけるコマンド応答の記録処理のフローチャートである。2 is a flowchart of command response recording processing in the flash disk of FIG. 1. 図1のフラッシュディスクにおける内部エラーの記録処理のフローチャートである。3 is a flowchart of an internal error recording process in the flash disk of FIG. 1. 図1のフラッシュディスクにおける代替処理の記録処理のフローチャートである。2 is a flowchart of a recording process of an alternative process in the flash disk of FIG. 図1のフラッシュディスクにおける情報収集処理のフローチャートである。2 is a flowchart of information collection processing in the flash disk of FIG. 1. 図1のフラッシュディスクにおける障害対応処理のフローチャートである。2 is a flowchart of a failure handling process in the flash disk of FIG. 本発明の実施の形態2によるフラッシュディスクのブロック図である。It is a block diagram of the flash disk by Embodiment 2 of this invention. 図11のフラッシュディスクにおける測定結果記録処理のフローチャートである。12 is a flowchart of a measurement result recording process in the flash disk of FIG. 図12に続く測定結果記録処理のフローチャートである。It is a flowchart of the measurement result recording process following FIG. 本発明の実施の形態3によるフラッシュディスクのバッファに設けられた測定結果一時記録エリアにおけるデータフォーマットの説明図である。It is explanatory drawing of the data format in the measurement result temporary recording area provided in the buffer of the flash disk by Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3によるフラッシュディスクに設けられたメモリチップの測定結果記録エリア、および処理履歴記録エリアの説明図である。It is explanatory drawing of the measurement result recording area of the memory chip provided in the flash disk by Embodiment 3 of this invention, and a process history recording area. 本実施の形態3におけるフラッシュディスクの測定結果記録処理のフローチャートである。14 is a flowchart of a measurement result recording process of a flash disk in the third embodiment. 図16に続く測定結果記録処理のフローチャートである。It is a flowchart of the measurement result recording process following FIG. 本実施の形態3におけるフラッシュディスクの即時保存処理のフローチャートである。14 is a flowchart of flash disk immediate storage processing according to the third embodiment. 図18に続く即時保存処理のフローチャートである。FIG. 19 is a flowchart of an immediate storage process following FIG. 18. FIG. 本発明の実施の形態4によるフラッシュディスクのブロック図である。It is a block diagram of the flash disk by Embodiment 4 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 フラッシュディスク(記憶装置)
1a フラッシュディスク(記憶装置)
1b フラッシュディスク(記憶装置)
2 ホストインタフェースコネクタ
3 MPU(情報処理部)
3a RAM(しきい値格納部)
4 ホストインタフェース制御部
5 メモリチップ制御部
6 ECC制御部
7 タイマ
8 バッファインタフェース制御部
9 バッファ
10 電圧センサ(解析情報検出部、電圧検出部)
11 温度センサ(解析情報検出部、温度検出部)
12 衝撃センサ(解析情報検出部、衝撃検出部)
13 ホストインタフェースケーブル外れ検出センサ(解析情報検出部、ケーブル外れ検出部)
141 〜14N メモリチップ(半導体メモリ)
15 バックアップ電源
HC ホストインタフェースケーブル
SA 測定結果記録エリア
SA1 測定結果一時記録エリア
P 測定結果記録ポインタ
CA 処理履歴記録エリア
CA1 処理履歴一時記録エリア
Pa 処理履歴記録ポインタ
P1 測定結果一時記録ポインタ
CNB 制御線
DB データバス
1 Flash disk (storage device)
1a Flash disk (storage device)
1b Flash disk (storage device)
2 Host interface connector 3 MPU (information processing unit)
3a RAM (threshold storage unit)
4 Host interface control unit 5 Memory chip control unit 6 ECC control unit 7 Timer 8 Buffer interface control unit 9 Buffer 10 Voltage sensor (analysis information detection unit, voltage detection unit)
11 Temperature sensor (analysis information detector, temperature detector)
12 Impact sensor (analysis information detector, impact detector)
13 Host interface cable disconnection detection sensor (analysis information detection unit, cable disconnection detection unit)
14 1 to 14 N memory chip (semiconductor memory)
15 Backup power supply HC Host interface cable SA Measurement result recording area SA1 Measurement result temporary recording area P Measurement result recording pointer CA Processing history recording area CA1 Processing history recording area Pa Processing history recording pointer P1 Measurement result temporary recording pointer CNB Control line DB data bus

Claims (16)

1つ以上の記憶媒体と、
故障解析情報を検出する解析情報検出部と、
動作プログラムに基づいて前記1つ以上の記憶媒体に格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書き込み動作指示などを行う情報処理部とを備え、
前記情報処理部は、前記解析情報検出部が検出した故障解析情報を任意の期間毎に取り込み、前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
One or more storage media;
An analysis information detector for detecting failure analysis information;
An information processing unit that reads data stored in the one or more storage media based on an operation program and performs predetermined processing, data write operation instructions, and the like.
The information processing unit captures failure analysis information detected by the analysis information detection unit every arbitrary period and writes the failure analysis information to the storage medium.
1つ以上の記憶媒体と、
故障解析情報を検出する解析情報検出部と、
動作プログラムに基づいて前記1つ以上の記憶媒体に格納されたデータを読み出し、所定の処理やデータの書き込み動作指示などを行う情報処理部と、
判定用しきい値を格納するしきい値格納部とを備え、
前記情報処理部は、
前記解析情報検出部から取り込んだ前記故障解析情報と前記判定用しきい値とを比較し、前記判定用しきい値を超えた前記故障解析情報を前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
One or more storage media;
An analysis information detector for detecting failure analysis information;
An information processing unit that reads data stored in the one or more storage media based on an operation program and performs predetermined processing, data write operation instructions, and the like;
A threshold storage unit for storing a threshold for determination,
The information processing unit
Comparing the failure analysis information fetched from the analysis information detection unit with the determination threshold value, and writing the failure analysis information exceeding the determination threshold value into the storage medium .
請求項2記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部が検出した故障解析情報を一時的に格納するバッファを備え、
前記情報処理部は、前記バッファの記憶容量が任意の容量を超えた際に、前記バッファに格納された故障解析情報を前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 2.
A buffer for temporarily storing failure analysis information detected by the analysis information detection unit;
The information processing unit writes the failure analysis information stored in the buffer to the storage medium when the storage capacity of the buffer exceeds an arbitrary capacity.
請求項3記載の記憶装置において、
電源電圧の供給が停止された際に、前記バッファにバックアップ用の電源電圧を供給するバックアップ電源を備えたことを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 3.
A storage device comprising a backup power supply for supplying a backup power supply voltage to the buffer when supply of power supply voltage is stopped.
請求項1〜4のいずれか1項に記載の記憶装置において、
第1、および第2のしきい値を格納するしきい値格納部を備え、
前記情報処理部は、
前記解析情報検出部が検出した各々の故障解析情報と前記第1のしきい値とを比較し、前記故障解析情報のうち、前記第1のしきい値を超えているものがある場合には、前記第1のしきい値を超えている故障解析情報と前記第2のしきい値とを比較し、前記第2のしきい値を超えているものがある場合には動作を停止し、前記第2のしきい値を超えていない場合には動作機能を制限する動作制限モードに移行することを特徴とする記憶装置。
The storage device according to any one of claims 1 to 4,
A threshold storage unit for storing the first and second thresholds;
The information processing unit
Each failure analysis information detected by the analysis information detection unit is compared with the first threshold value, and when there is a piece of failure analysis information that exceeds the first threshold value. , Comparing the failure analysis information exceeding the first threshold value with the second threshold value, and if there is something exceeding the second threshold value, the operation is stopped, A storage device that shifts to an operation restriction mode for restricting an operation function when the second threshold value is not exceeded.
請求項1〜5のいずれか1項に記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部は、
供給される電源電圧の電圧レベルを検出する電圧検出部と、
内部温度を検出する温度検出部と、
ホストと接続されるインタフェースケーブルの接触不良、およびケーブル外れを検出するケーブル外れ検出部を少なくとも1つ備え、
前記記憶媒体に書き込まれる故障解析情報は、累計の電源ON回数、タイマ値、および前記解析情報検出部が測定した各々の測定結果を含むことを特徴とする記憶装置。
The storage device according to any one of claims 1 to 5,
The analysis information detection unit
A voltage detection unit for detecting the voltage level of the supplied power supply voltage;
A temperature detector for detecting the internal temperature;
At least one cable disconnection detection unit for detecting a contact failure of the interface cable connected to the host and cable disconnection,
The failure analysis information written to the storage medium includes a cumulative power-on count, a timer value, and each measurement result measured by the analysis information detector.
請求項1記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部は、衝撃を検出する衝撃検出部を備え、
前記衝撃検出部は、衝撃を検出した際に前記情報処理部に対して割り込み要求を行い、 前記情報処理部は、前記衝撃検出部からの割り込み要求がある毎に、前記解析情報検出部が測定した各々の測定結果を取り込み、前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 1.
The analysis information detection unit includes an impact detection unit for detecting an impact,
The impact detection unit makes an interrupt request to the information processing unit when detecting an impact, and the analysis information detection unit measures the information processing unit every time there is an interrupt request from the impact detection unit. A storage device, wherein each of the measured results is captured and written to the storage medium.
請求項2〜4のいずれか1項に記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部は、衝撃を検出する衝撃検出部を備え、
前記衝撃検出部は、衝撃を検出した際に前記情報処理部に対して割り込み要求を行い、 前記情報処理部は、前記衝撃検出部からの割り込み要求がある毎に、前記解析情報検出部が測定した各々の測定結果を取り込み、前記解析情報検出部から取り込んだ前記故障解析情報と前記判定用しきい値とを比較し、前記判定用しきい値を超えた前記故障解析情報を前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
The storage device according to any one of claims 2 to 4,
The analysis information detection unit includes an impact detection unit for detecting an impact,
The impact detection unit makes an interrupt request to the information processing unit when detecting an impact, and the analysis information detection unit measures the information processing unit every time there is an interrupt request from the impact detection unit. Each of the measured results is captured, the failure analysis information captured from the analysis information detection unit is compared with the determination threshold value, and the failure analysis information exceeding the determination threshold value is stored in the storage medium. A storage device characterized by writing.
請求項5記載の記憶装置において、
前記解析情報検出部は、衝撃を検出する衝撃検出部を備え、
前記衝撃検出部は、衝撃を検出した際に前記情報処理部に対して割り込み要求を行い、
前記情報処理部は、前記衝撃検出部からの割り込み要求がある毎に、前記解析情報検出部が測定した各々の測定結果を取り込み、前記解析情報検出部が検出した各々の故障解析情報と前記第1のしきい値とを比較し、前記故障解析情報のうち、前記第1のしきい値を超えているものがある場合には、前記第1のしきい値を超えている故障解析情報と前記第2のしきい値とを比較し、前記第2のしきい値を超えているものがある場合には動作を停止し、前記第2のしきい値を超えていない場合には動作機能を制限する動作制限モードに移行することを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 5.
The analysis information detection unit includes an impact detection unit for detecting an impact,
The impact detection unit makes an interrupt request to the information processing unit when an impact is detected,
The information processing unit fetches each measurement result measured by the analysis information detection unit every time there is an interrupt request from the impact detection unit, and each failure analysis information detected by the analysis information detection unit and the first The failure analysis information that exceeds the first threshold value when there is a piece of the failure analysis information that exceeds the first threshold value. Compared with the second threshold value, if there is something that exceeds the second threshold value, the operation is stopped, and if it does not exceed the second threshold value, the operation function A storage device which is shifted to an operation restriction mode for restricting the operation.
請求項1〜9のいずれか1項に記載の記憶装置において、
前記情報処理部は、前記情報処理部が処理を実行する毎に処理履歴を前記記憶媒体に格納することを特徴とする記憶装置。
The storage device according to any one of claims 1 to 9,
The information processing unit stores a processing history in the storage medium every time the information processing unit executes a process.
請求項10記載の記憶装置において、
前記情報処理部が前記記憶媒体に格納する処理履歴は、累計の電源ON回数、タイマ値、コマンド処理履歴、内部エラー番号、および代替処理履歴からなることを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 10.
The processing history stored in the storage medium by the information processing unit includes a cumulative power-on count, a timer value, a command processing history, an internal error number, and an alternative processing history.
請求項10または11記載の記憶装置において、
前記情報処理部が処理した処理履歴を一時的に格納するバッファを備え、
前記情報処理部は、前記バッファの記憶容量が任意の容量を超えた際に、前記バッファに格納された処理履歴を前記記憶媒体に書き込むことを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 10 or 11,
A buffer for temporarily storing a processing history processed by the information processing unit;
The information processing unit writes the processing history stored in the buffer to the storage medium when the storage capacity of the buffer exceeds an arbitrary capacity.
請求項12記載の記憶装置において、
電源電圧の供給が停止された際に、前記バッファにバックアップ用の電源電圧を供給するバックアップ電源を備えたことを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 12,
A storage device comprising a backup power supply for supplying a backup power supply voltage to the buffer when supply of power supply voltage is stopped.
請求項12記載の記憶装置において、
前記記憶媒体に処理履歴を書き込んだ後、前記故障解析情報及び前記処理履歴の格納を停止することを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 12,
A storage device characterized by stopping the storage of the failure analysis information and the processing history after writing the processing history to the storage medium.
請求項12記載の記憶装置において、
前記記憶媒体に処理履歴を書き込む際、前記記憶媒体の異なるアドレスにより指定される領域へ複数回、前記故障解析情報及び前記処理履歴を格納することを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 12,
A storage device that stores the failure analysis information and the processing history a plurality of times in an area specified by different addresses of the storage medium when writing the processing history to the storage medium.
請求項12乃至15記載の記憶装置は外部装置に接続可能とされ、
前記記憶装置は前記外部装置へ前記故障解析情報及び前記処理履歴を出力可能とされることを特徴とする記憶装置。
The storage device according to claim 12 can be connected to an external device,
The storage device is capable of outputting the failure analysis information and the processing history to the external device.
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