JP2005056940A

JP2005056940A - 電子デバイス用基板、電子デバイスおよびそれらの製造方法

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Publication number: JP2005056940A
Application number: JP2003206559A
Authority: JP
Inventors: Takao Noguchi; 隆男野口; Hisatoshi Saito; 久俊斉藤; Shusuke Abe; 秀典阿部
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-08-07
Filing date: 2003-08-07
Publication date: 2005-03-03
Also published as: US7220995B2; US20050029629A1

Abstract

【課題】結晶性と、基体に対する密着性が共に優れた導電体膜を備えた電子デバイス用基板および電子デバイスを実現する。
【解決手段】電子デバイス用基板１０は、基体１１と、この基体１１の上に積層された密着膜１２と、この密着膜１２の上に積層された導電体膜１３とを備えている。密着膜１２は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜である。電子デバイスは、電子デバイス用基板１０と、この電子デバイス用基板１０の上に配置され、所定の機能を有する機能膜とを備えている。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード、レーザダイオード等の半導体デバイスや、薄膜キャパシタ、強誘電体不揮発メモリ等の誘電体デバイスや、薄膜バルク波振動子、弾性表面波素子等の圧電デバイス等に適用される電子デバイス用基板、電子デバイスおよびそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体、誘電体、圧電体等からなる機能膜を様々な基板上に形成してなる電子デバイスが、数多く考案され実用化されてきている。半導体膜を利用した電子デバイスとしては発光ダイオードや半導体レーザが挙げられる。誘電体膜を利用した電子デバイスとしては強誘電体不揮発メモリや赤外線センサが挙げられる。また、圧電体膜を利用した電子デバイスとしては薄膜バルク波振動子等が挙げられる。
【０００３】
このような電子デバイスにおいて、半導体、誘電体、圧電体等からなる機能膜は、電子デバイスの性能を決定する重要な部分である。従って、電子デバイスにおいて優れた特性を得るためには、結晶性の良好な機能膜を形成することが必要である。結晶性の良好な機能膜を形成するためには、その成膜方法や成膜条件を最適化することの他に、その機能膜を形成する下地の結晶性を最適化することが重要である。エピタキシャル成長によって機能膜を形成する場合には、下地の結晶性は特に重要となる。
【０００４】
多くの電子デバイスにおいて、機能膜は、下部電極として機能する導電体膜の上に形成されている。この場合、下部電極である導電体膜は、良好な結晶性を有していることが望ましい。
【０００５】
特許文献１には、基板上に、バッファ層、表面層、金属薄膜が順に積層されて構成され、表面層がウルツァイト型結晶構造を有する酸化物エピタキシャル膜および／またはウルツァイト型結晶構造を有する窒化物エピタキシャル膜を含む電子デバイス用基板が記載されている。
【０００６】
特許文献２には、立方晶（１００）単一配向のエピタキシャル膜である金属薄膜と、この金属薄膜と接する界面に｛１１１｝ファセット面が存在するバッファ層とを有する積層薄膜が記載されている。
【０００７】
上記特許文献１，２に記載された各技術では、基板上にエピタキシャル成長によりバッファ層を形成し、更にその上に、エピタキシャル成長により、下部電極となる導電体膜を形成することにより、優れた結晶性を持つ導電体膜を形成するようになっている。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１１−２６０８３５号公報
【特許文献２】
特開平１１−３１２８０１号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１，２に記載された各技術では、エピタキシャル成長によって基板上にバッファ層および導電体膜を形成するため、例えば、９００℃以上の高温プロセスを必要とする等、良好な結晶性を持つ導電体膜の製造が難しいという問題点があった。
【００１０】
また、基板上にエピタキシャル膜を直接形成しようとする場合には以下のような問題が生じる。エピタキシャル成長とは、下地の結晶の原子配列を反映してそれに従うように原子が配列して結晶成長することをいう。そのため、下地がガラスや酸化シリコン等の非晶質である場合には、その上にエピタキシャル膜を形成することができない。
【００１１】
一方、Ｓｉ（シリコン）基板上に、酸化シリコンや窒化シリコン等の膜を形成して、その上に５００℃程度の温度で、導電体膜であるＰｔ（白金）薄膜を真空蒸着させることによって、（１１１）面が基板表面と平行になるように単一配向した、結晶性に優れたＰｔ薄膜を容易に得ることができる。しかし、このＰｔ薄膜には、その下地の膜との密着性が弱く、簡単に剥がれてしまうという、プロセスおよび電子デバイスの信頼性上、深刻な問題があった。
【００１２】
また、ガラス基板上に直接、Ｐｔ膜を形成した場合には、ガラス基板とＰｔ膜との間で十分な密着性が得られなかった。また、Ｓｉ基板上に直接、金属薄膜を形成しようとすると、シリサイドが形成されやすく、結晶性のよい金属薄膜を得ることは困難であった。
【００１３】
また、本発明者は、基板と金属薄膜の密着性を改善するために、基板の上に、Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の密着膜を介して金属薄膜を形成する方法を検討した。しかしながら、この方法では、その上に結晶性の良好な機能膜を形成するのに十分な結晶性を有する金属薄膜を形成することはできなかった。
【００１４】
このように、従来は、基板上に、結晶性と、基板に対する密着性が共に優れた導電体薄膜を形成することは難しく、そのための新しい技術が望まれていた。
【００１５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、結晶性と、基体に対する密着性が共に優れた導電体膜を備えた電子デバイス用基板、電子デバイスおよびそれらの製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子デバイス用基板は、基体と、基体の上に積層された密着膜と、密着膜の上に積層された導電体膜とを備えている。密着膜は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜である。
【００１７】
本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、基体と、この基体の上に順に積層された密着膜および導電体膜を備えた電子デバイス用基板を製造する方法であって、基体の上に密着膜を形成する工程と、密着膜の上に導電体膜を形成する工程とを備えている。密着膜は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜である。
【００１８】
本発明の電子デバイス用基板またはその製造方法では、基体と導電体膜との間に、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜よりなる密着膜が配置される。これにより、導電体膜の結晶性と、基体に対する導電体膜の密着性が共に良好になる。
【００１９】
本発明の電子デバイス用基板またはその製造方法において、密着膜は多結晶膜であってもよい。
【００２０】
また、本発明の電子デバイス用基板またはその製造方法において、密着膜は、ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面が基体表面と平行になるように配向した膜であってもよい。
【００２１】
また、本発明の電子デバイス用基板またはその製造方法において、密着膜の算術平均粗さは、１０ｎｍ以下であってもよい。
【００２２】
また、本発明の電子デバイス用基板またはその製造方法において、導電体膜は、面心立方構造の結晶を含み、面心立方構造の（１１１）面が基体の表面と平行になるように配向した膜であってもよい。
【００２３】
また、本発明の電子デバイス用基板またはその製造方法において、導電体膜は、最密六方晶構造の結晶を含み、最密六方晶構造の（０００１）面が基体の表面と平行になるように配向した膜であってもよい。
【００２４】
また、本発明の電子デバイス用基板またはその製造方法において、基体のうちの少なくとも密着膜に接する部分は非晶質であってもよい。
【００２５】
本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用基板と、この電子デバイス用基板の上に配置され、所定の機能を有する機能膜とを備えたものである。機能膜は、圧電体膜、誘電体膜、半導体膜のうちのいずれかであってもよい。
【００２６】
本発明の電子デバイスの製造方法は、電子デバイス用基板と、この電子デバイス用基板の上に配置され、所定の機能を有する機能膜とを備えた電子デバイスを製造する方法であって、本発明の電子デバイス用基板の製造方法によって電子デバイス用基板を製造する工程と、電子デバイス用基板の上に機能膜を形成する工程とを備えたものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。まず、図１を参照して、本発明の一実施の形態に係る電子デバイス用基板の構成について説明する。図１は本実施の形態に係る電子デバイス用基板の断面図である。
【００２８】
図１に示したように、本実施の形態に係る電子デバイス用基板１０は、基体１１と、この基体１１の上に積層された密着膜１２と、この密着膜１２の上に積層された導電体膜１３とを備えている。密着膜１２は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜である。本実施の形態に係る電子デバイスは、電子デバイス用基板１０と、この電子デバイス用基板１０の上に配置され、所定の機能を有する機能膜とを備えている。導電体膜１３は、例えば、機能膜に電気的に接続される下部電極として機能する。
【００２９】
機能膜としては、半導体膜、誘電体膜、圧電体膜等がある。電子デバイスは、例えば、薄膜キャパシタであってもよい。この薄膜キャパシタは、誘電体膜よりなる機能膜の上に、上部電極となる導電体膜を形成して、下部電極、機能膜および上部電極よりなるキャパシタ構造を形成することによって製造することができる。また、電子デバイスは、例えば、薄膜バルク波振動子であってもよい。この薄膜バルク波振動子は、圧電体膜よりなる機能膜の上に、上部電極となる導電体膜を形成することによって製造することができる。この薄膜バルク波振動子では、エッチング等によって基体１１に加工が施されていてもよい。また、電子デバイスは、例えば、発光素子や受光素子であってもよい。この場合には、機能膜として半導体膜が用いられる。以下、基体１１、密着膜１２および導電体膜１３について順に詳しく説明する。
【００３０】
［基体］
基体１１は、１つの層で構成されていてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。例えば、基体１１は、１層の基板のみによって構成されていてもよいし、この基板の上に１層以上の他の層が形成されたものであってもよい。
【００３１】
基体１１に用いられる基板としては、例えば、Ｓｉやサファイア等の単結晶基板や、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）やアルティック（Ａｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣ）等のセラミックス基板や、石英やガラスよりなる基板を用いることができる。基板の材料は、基体１１を使用する電子デバイスの製造プロセスや、製造する電子デバイスの特性、製造コスト等の観点から適宜選択することができる。例えば、６００℃を越えるような高温のプロセスが必要となる場合には、Ｓｉや石英の基板を用いることが好ましい。また、安価な電子デバイス用基板１０を製造する場合には、Ｓｉやガラスの基板を用いることが好ましい。中でも、Ｓｉ単結晶基板は、安価で、且つ高度なウェハプロセス技術が確立されているため、最も好ましい。
【００３２】
また、基体１１に用いられる基板としては、予め表面に膜が形成されているものや、表面に研磨等の機械加工が施されているものも使用することができる。例えば、Ｓｉ基板を始めとして、多くの工業用基板の表面には、研磨等の機械加工が施されている。また、セラミック基板では、表面粗さを小さくするために表面に膜が形成されていたり、更にその膜が研磨されているものがある。これらは、いずれも、基体１１用の基板として使用することができる。
【００３３】
また、基体１１としては、例えば、Ｓｉ基板の表面に熱酸化法によりＳｉＯ_２膜を形成したものであってもよい。また、基体１１としては、例えば、基板上に、光学反射膜のように、複数の層からなる積層膜を形成したものであってもよい。
【００３４】
また、基体１１のうちの少なくとも密着膜１２に接する部分は、ガラスやＳｉＯ_２等の非晶質であってもよい。
【００３５】
［密着膜］
密着膜１２は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜である。密着膜１２は多結晶膜であってもよい。密着膜１２の材料としては、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等の３族元素から選ばれる少なくとも１種の元素と窒素との化合物や、Ｂｅ、Ｚｎ等の２族元素の酸化物や硫化物が好ましい。特に、ＡｌＮは大気中において安定しており、反応性スパッタ法によって結晶性のよい膜を容易に形成できるので、密着膜１２の材料として最も好ましい。
【００３６】
密着膜１２は、ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した（０００１）配向膜であることが好ましい。密着膜１２は、ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した（０００１）単一配向膜であることがより好ましい。
【００３７】
なお、本出願において、配向膜とは、Ｘ線回折法による測定において、目的とする面における反射の最大ピーク強度が、目的とする面以外の面における反射のピーク強度よりも大きくなる膜を言う。また、本出願において、単一配向膜とは、目的とする面以外の面における反射のピーク強度が、目的とする面における反射の最大ピーク強度の１０％以下となる膜を言う。
【００３８】
ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面は、正六角形の中心および各頂点の上に原子が配列した構造とみなすことができる。このように原子が配列した（０００１）面を有するように配向した密着膜１２の上に、面心立方構造または最密六方晶構造の結晶構造の導電体膜１３を形成すると、ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面と同じように正六角形状の原子配列を持つ面心立方構造の（１１１）面や最密六方晶構造の（０００１）面を有するように配向した結晶性の金属薄膜を容易に形成することができる。このように、密着膜１２を、ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した（０００１）配向膜とすることにより、面心立方構造の（１１１）面や最密六方晶構造の（０００１）面を有するように配向した、結晶性が極めて良好な導電体膜１３を形成することができる。
【００３９】
ここで、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む密着膜１２の配向の確認方法について説明する。密着膜１２の配向を確認する方法としては、Ｘ線回折法、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）法、透過型電子顕微鏡を用いた観察による方法等がある。
【００４０】
まず、Ｘ線回折法を用いて密着膜１２の配向を確認する方法について説明する。この方法では、θ−２θ法を用いて、密着膜１２のＸ線回折強度を測定する。そして、Ｘ線回折の（０００Ｌ）面における反射の最大ピーク強度が、（０００Ｌ）面以外の面における反射のピーク強度よりも大きければ、その密着膜１２は（０００１）配向膜であると言える。更に、（０００Ｌ）面以外の面における反射のピーク強度が、（０００Ｌ）面における反射の最大ピーク強度の１０％以下であれば、その密着膜１２は、（０００１）単一配向膜であると言える。ここで、（０００Ｌ）面とは、（０００１）面や（０００２）面等、Ｌを整数とした面と等価な面を総称して表したものである。
【００４１】
次に、ＲＨＥＥＤ法を用いて密着膜１２の配向を確認する方法について説明する。この方法では、ＲＨＥＥＤ法によって密着膜１２の表面を観察する。そして、ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面の回折パターンが観察されれば、その密着膜１２は（０００１）配向膜であると言える。
【００４２】
次に、透過型電子顕微鏡を用いて密着膜１２の配向を確認する方法について説明する。この方法では、透過型電子顕微鏡を用いて密着膜１２の断面、上面または下面を観察する。そして、得られた回折パターンから結晶の方位を規定する。
【００４３】
密着膜１２の膜厚がきわめて薄いときには、Ｘ線回折法では、十分なＸ線回折強度が得られず、前述のＸ線回折ピーク強度の比較が困難となる場合がある。また、電子デバイス用基板１０において、密着膜１２以外にも、密着膜１２と同じ構成元素および同じ結晶構造からなる他の膜が形成されているときには、密着膜１２からのＸ線回折のピークを、他の膜からのＸ線回折のピークと分離することができず、密着膜１２の配向の確認が困難となる場合がある。このような場合には、上述のＲＨＥＥＤ法や透過型電子顕微鏡を用いた方法により、密着膜１２の配向を確認することが好ましい。
【００４４】
密着膜１２は、結晶化膜であることが好ましく、特に、（０００１）配向した多結晶膜であることがより好ましい。
【００４５】
密着膜１２の上面の算術平均粗さＲａは、１０ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以下であることがより好ましい。密着膜１２の上面の算術平均粗さＲａが１０ｎｍを越えると、密着膜１２の上に形成される導電体膜１３の結晶性が悪くなる場合がある。
【００４６】
密着膜１２の厚さは、製造する電子デバイスの特性に適するように選択することができる。例えば、電子デバイスとして薄膜バルク波振動子を用いたフィルタを製造する場合には、そのフィルタの帯域幅、最小挿入損失、減衰量、温度特性が最良となるように、密着膜１２の厚さを選べばよい。
【００４７】
密着膜１２の膜厚が電子デバイスの特性に依存しないか、あるいは重要でない場合には、密着膜１２の厚さとしては、通常、１〜１０００ｎｍが好ましく、５〜１００ｎｍがより好ましい。密着膜１２が薄すぎると、十分な結晶性を有するウルツァイト型結晶構造の結晶を含む密着膜１２を形成することができず、その結果、密着膜１２の上に、結晶性のよい導電体膜１３を形成することができないという問題や、基体１１と導電体膜１３との密着性が十分に得られない等の問題が生じる。反対に、密着膜１２が厚すぎると、その成膜に要する時間が長くなり、電子デバイス用基板１０の製造時のスループットが減少するという問題が生じる。
【００４８】
本発明者の検討により、密着膜１２として、反応性マグネトロンスパッタ法を用いて形成されたＡｌＮ膜を用いる場合には、ＡｌＮ膜の厚さがおよそ５ｎｍあれば、その上に、十分な結晶性を有すると共に基体１１に対する十分な密着性を有する導電体膜１３を形成できることが分かった。以下、このことについて説明する。
【００４９】
図２は、密着膜１２としてのＡｌＮ膜の厚さと、このＡｌＮ膜の上に形成された導電体膜としてのＰｔ膜の結晶性との関係の一例を示す特性図である。この例では、ＡｌＮ膜は、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて形成されている。Ｐｔ膜は、真空蒸着法によって形成されている。ＡｌＮ膜は密着膜１２に対応し、Ｐｔ膜は導電体膜１３に対応する。図２において、横軸はＡｌＮ膜の厚さを表し、縦軸はＸ線回折法によって得られるＰｔ膜の（１１１）面反射のロッキングカーブの半値幅を表している。Ｘ線回折法におけるロッキングカーブとは、結晶面に一定方向から単色Ｘ線をあて、ブラッグ条件を満たす方位付近で結晶を回転したときの回折線の強度分布曲線のことを言う。結晶性が完全であるほどロッキングカーブの半値幅は狭くなる。従って、ロッキングカーブの半値幅は、小さいほど、結晶性がよいことを表す。図２に示した例では、ＡｌＮ膜の厚さが５〜１００ｎｍの範囲で、安定した結晶性のＰｔ膜が得られている。
【００５０】
また、上述のようにして形成されたＰｔ膜は、いずれも、例えば規格「ＪＩＳＨ８５０４−１５」に準じて行われるテープテストで剥離を生じず、良好な密着性を示した。
【００５１】
なお、密着膜１２は、Ｓｉやガラス等よりなる基板の上に直接形成されていてもよいし、基板の上に形成されたＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３等よりなる１層以上の膜の上に形成されていてもよい。例えば、後で具体的に説明するが、電子デバイスとして音響反射膜付きの薄膜バルク波振動子を製造する場合には、Ｓｉ基板上に、音響インピーダンスが異なる２種類の層を交互に積層し、その上に密着膜１２を形成してもよい。
【００５２】
［導電体膜］
導電体膜１３は、電子デバイス２０の構成上、機能膜の下側に配置され、例えば下部電極として機能するものである。
【００５３】
ＡｌＮやＺｎＯ等の圧電材料よりなる機能膜を用いる場合には、導電体膜１３は、面心立方構造の結晶を含み、面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した金属薄膜、あるいは最密六方晶構造の結晶を含み、最密六方晶構造の（０００１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した金属薄膜であることが好ましい。この場合、導電体膜１３は単一配向膜であることがより好ましい。
【００５４】
ここで、面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した単一配向膜とは、θ−２θ法を用いた測定において、（ｈｈｈ）面以外の面における反射のピーク強度が、（ｈｈｈ）面における反射の最大ピーク強度の１０％以下である膜を言う。なお、（ｈｈｈ）面とは、（１１１）面や（２２２）面等、ｈを整数とした面と等価な面を総称して表したものである。
【００５５】
面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した金属薄膜、あるいは最密六方晶構造の（０００１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した金属薄膜よりなる導電体膜１３の上に、ＡｌＮやＺｎＯよりなるウルツァイト型結晶構造の結晶を含む圧電体薄膜を形成するようにすれば、エピタキシャル成長により良好な結晶性の圧電体薄膜を形成することができる。その理由については、本出願人による出願である特願２００２−２５４７９０号明細書に詳しく記載されている。ここでは、以下に、その理由を簡単に記載する。
【００５６】
金属薄膜が（１１１）配向膜である場合には、金属薄膜上に形成されるウルツァイト型薄膜は、その面内の＜１１−２０＞軸と金属薄膜の面内の＜１−１０＞軸とが平行となるように、金属薄膜上にエピタキシャル成長する。一方、金属薄膜が（０００１）配向膜である場合には、ウルツァイト型薄膜は、その面内の＜１１−２０＞軸と金属薄膜の面内の＜１１−２０＞軸とが平行となるように、金属薄膜上にエピタキシャル成長する。すなわち、（１１１）配向の金属薄膜の特定の結晶粒に注目したとき、その結晶粒の＜１−１０＞軸は、その結晶粒上に成長したウルツァイト型薄膜の結晶粒の＜１１−２０＞軸と平行になっている。また、（０００１）配向の金属薄膜の特定の結晶粒に注目したとき、その結晶粒の＜１１−２０＞軸は、その結晶粒上に成長したウルツァイト型薄膜の結晶粒の＜１１−２０＞軸と平行になっている。なお、上記の説明では、結晶軸を例えば、＜１１−２０＞のように表示しているが、この場合の「−２」とは上線を付した２を意味する。また、他の結晶軸や結晶面の表示におけるマイナス符号も、同様な意味である。
【００５７】
次に、導電体膜１３の結晶性について説明する。導電体膜１３は、Ｘ線回折法における面心立方構造の（１１１）面反射あるいは最密六方晶構造の（０００２）面反射のロッキングカーブの半値幅が５°以内の結晶性を有していることが好ましく、上記ロッキングカーブの半値幅が３°以内の結晶性を有していることがより好ましい。前述のように、ロッキングカーブの半値幅は、小さいほど、結晶性がよいことを表す。
【００５８】
なお、上述のように、最密六方晶構造の（０００１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した金属薄膜よりなる導電体膜１３の場合には、最密六方晶構造の（０００２）面反射のロッキングカーブの半値幅を用いて、導電体膜１３の結晶性を評価する。これは、Ｘ線回折においては、（０００１）面からの反射は、（０００１）面の１／２の面間隔の（０００２）面からの反射によって打ち消されてしまうからである。
【００５９】
導電体膜１３は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む密着膜１２の上にエピタキシャル成長した結晶を含む膜であってもよい。その場合、密着膜１２の上にエピタキシャル成長した、導電体膜１３中の結晶と、その下地である密着膜１２中のウルツァイト型結晶構造の結晶との方位の関係は、前述の面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した金属薄膜、あるいは最密六方晶構造の結晶を含み、最密六方晶構造の（０００１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した金属薄膜と、その上にエピタキシャル成長するウルツァイト型薄膜との方位の関係と同じであることが好ましい。
【００６０】
導電体膜１３の材料としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｐｄ、ＲｈおよびＲｕのうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。Ｐｔ、Ａｕ、Ｉｒ、ＰｄおよびＲｈの結晶は面心立方構造となり、Ｏｓ、ＲｅおよびＲｕの結晶は最密六方晶構造となる。これらの金属を主成分とする膜は、表面を清浄に保ちやすく、また、表面が汚染された場合にもアッシングや熱処理等によって表面を清浄にしやすい。導電体膜１３の清浄な表面には、ＺｎＯ等よりなる機能膜を、容易に結晶性よく形成することができる。
【００６１】
導電体膜１３は、上記の例の他に、例えば、ＭｏやＷ等よりなる体心立方構造の結晶を含む金属薄膜や、ＳｒＲｕＯ_３等のペロブスカイト型構造の酸化物導電体膜であってもよい。これらの膜も密着膜１２に対する密着性よく形成することができる。
【００６２】
導電体膜１３の厚さは、１０〜１０００ｎｍであることが好ましく、５０〜３００ｎｍであることがより好ましい。導電体膜１３は、薄すぎると、シート抵抗が大きくなるため電子デバイスを構成するための下部電極として好ましくなくなる。また、導電体膜１３が厚すぎると、製造プロセス時間および材料コストが増大するので、やはり好ましくない。
【００６３】
また、導電体膜１３は、その下側に接している層に対して十分な密着力を持っていることが好ましい。具体的には、導電体膜１３は、その下側に接している層に対して、規格「ＪＩＳＺ１５２２」に規定されているセロハン粘着テープの接着力である１．１８Ｎ／ｃｍ以上の密着力を有することが好ましい。
【００６４】
［電子デバイス用基板の製造方法］
次に、本実施の形態に係る電子デバイス用基板１０の製造方法について説明する。この製造方法は、基体１１の上に密着膜１２を形成する工程と、密着膜１２の上に導電体膜１３を形成する工程とを備えている。密着膜１２は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜である。
【００６５】
上記の製造方法において、各膜の形成方法は、特に限定はされないが、以下の方法で形成することが好ましい。密着膜１２の形成には、スパッタリング法またはＭＯＣＶＤ（有機金属化学的気相成長）法を用いることが好ましく、スパッタリング法を用いることがより好ましい。スパッタリング法を用いれば、室温から２００℃の範囲の比較的低い温度で、結晶性のよい密着膜１２を形成することができる。
【００６６】
密着膜１２としてＡｌＮ膜を用いる場合には、ＲＦマグネトロン反応性スパッタリング法を用いて密着膜１２を形成することが好ましい。この場合には、カソードにはＡｌを用い、反応室内にＡｒガスと窒素ガスを導入し、基板温度を２００℃程度としてＲＦマグネトロンスパッタリングを行うことで、優れたＡｌＮ膜を形成することができる。
【００６７】
導電体膜１３の形成には、真空蒸着法、スパッタリング法またはＣＶＤ（化学的気相成長）法を用いることが好ましく、真空蒸着法を用いることがより好ましい。
【００６８】
真空蒸着法によって導電体膜１３を形成する場合には、基板温度は、３００〜８００℃とすることが好ましく、４００〜６００℃とすることがより好ましい。基板温度が低すぎると良好な結晶性を持つ導電体膜１３が得られなくなる。また、基板温度が高すぎると、導電体膜１３の表面性が悪化したり、ピンホールが発生したりする。
【００６９】
［電子デバイスおよびその製造方法］
次に、本実施の形態に係る電子デバイスおよびその製造方法について説明する。本実施の形態に係る電子デバイスは、少なくとも、本実施の形態に係る電子デバイス用基板１０と、その上に配置され、所定の機能を有する機能膜とを備えている。本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法は、本実施の形態に係る電子デバイス用基板１０を製造する工程と、この電子デバイス用基板１０の上に機能膜を形成する工程とを備えている。電子デバイス用基板１０を製造する工程は、基体１１の上に密着膜１２を形成する工程と、密着膜１２の上に導電体膜１３を形成する工程とを備えている。
【００７０】
機能膜は、電子デバイス用基板１０の導電体膜１３の上に配置される。機能膜としては、例えば、ＺｎＯ等の圧電体よりなる圧電体膜や、ＧａＮ等の半導体よりなる半導体膜や、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電体よりなる強誘電体膜がある。
【００７１】
例えば、導電体膜１３としての下部電極をパターニングして、その上に機能膜としての圧電体膜を形成し、更に、その上に上部電極を形成し、これをパターンニングすることで、薄膜バルク波振動子やインクジェットプリンタ用ヘッド等の電子デバイスを構成することができる。また、機能膜として焦電体薄膜を用いれば、例えば赤外線センサを構成することができる。また、機能膜として強誘電体膜を用いれば、強誘電体不揮発性メモリ等の電子デバイスを構成することができる。また、下部電極上に複数の半導体層を設けてｐｎ接合を形成して、電子デバイスとしてダイオード、トランジスタ、太陽電池等を構成したり、更に活性層を設けて、電子デバイスとして発光ダイオードやレーザダイオードを構成することもできる。
【００７２】
図３は、本実施の形態に係る電子デバイス２０の一例を示す断面図である。図３に示した電子デバイス２０は、薄膜バルク波振動子になっている。この電子デバイス２０は、基体１１と、この基体１１の上に順に積層された密着膜１２、導電体膜１３、機能膜としての圧電体膜２３および上部電極２４を備えている。基体１１は、例えばＳｉよりなる基板２１と、この基板２１の上に積層された音響反射膜２２とを有している。音響反射膜２２は、音響インピーダンスが異なる２種類の層、すなわち第１および第２の誘電体層２２Ａ，２２Ｂが交互に積層されて構成されている。ここでは、第１の誘電体層２２Ａの音響インピーダンスが、第２の誘電体層２２Ｂの音響インピーダンスよりも大きいものとする。第１の誘電体層２２Ａは、例えばＡｌＮ、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３のいずれかによって形成される。第２の誘電体層２２Ｂは、例えばＳｉＯ_２によって形成される。
【００７３】
導電体膜１３は、例えばＰｔによって形成される。圧電体膜２３は、例えばＺｎＯによって形成される。上部電極２４は、例えばＡｌによって形成される。
【００７４】
図３に示した電子デバイス２０では、下部電極としての導電体膜１３と上部電極２４に高周波の励振用電圧が印加される。この励振用電圧は、圧電体膜２３に印加される。これにより、圧電体膜２３が励振され、この圧電体膜２３に厚さ方向に伝搬するバルク弾性波が発生する。圧電体膜２３は、励振用電圧の周波数が所定の共振周波数のときに共振する。音響反射膜２２は、圧電体膜２３によって発生された弾性波を圧電体膜２３内に閉じ込める機能を有する。
【００７５】
ここで、図３に示した電子デバイス２０における導電体膜１３の結晶性と圧電体膜２３の結晶性との関係について説明する。まず、導電体膜１３の結晶性と圧電体膜２３の結晶性との関係を調べるために、図３に示した電子デバイス２０を複数個、試作した。この試作した電子デバイス２０において、導電体膜１３は、面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した単一配向のＰｔ膜とした。また、この電子デバイス２０において、圧電体膜２３はＺｎＯ膜とした。次に、試作した電子デバイス２０について、導電体膜１３の結晶性と圧電体膜２３の結晶性との関係を調べた。具体的には、導電体膜１３としてのＰｔ膜のロッキングカーブの半値幅と、圧電体膜２３としてのＺｎＯ膜のロッキングカーブの半値幅との関係を調べた。その結果を図４に示す。図４に示したように、Ｐｔ膜のロッキングカーブの半値幅とＺｎＯ膜のロッキングカーブの半値幅はほぼ等しい値となった。このことから、Ｐｔ膜の結晶性がよくなるほど、その上に形成されるＺｎＯ膜の結晶性もよくなることが分かる。
【００７６】
次に、試作した電子デバイス２０における圧電体膜２３の結晶性と電子デバイス２０の電気特性との関係について説明する。ここでは、まず、圧電体膜２３としてのＺｎＯ膜のロッキングカーブの半値幅と、電子デバイス２０の共振周波数でのインピーダンスと反共振周波数でのインピーダンスとの比（以下、インピーダンス比と言う。）との関係について調べた。その結果を図５に示す。インピーダンス比が大きいほど、薄膜バルク波振動子の電気特性は優れていると言える。また、ここでは、圧電体膜２３としてのＺｎＯ膜のロッキングカーブの半値幅と、電気デバイス２０の実効的電気機械結合係数ｋの二乗ｋ^２との関係について調べた。その結果を図６に示す。ｋ^２が大きいほど、薄膜バルク波振動子における電気的エネルギと機械的エネルギとの間の変換効率がよく、薄膜バルク波振動子の電気特性は優れていると言える。
【００７７】
図５および図６から、圧電体膜２３としてのＺｎＯ膜のロッキングカーブの半値幅が３°以内であれば、インピーダンス比と実効的電気機械結合係数ｋの二乗ｋ^２とが共に良好となる。これらのことから、導電体膜１３のロッキングカーブの半値幅が３°以内であれば、優れた電気特性の薄膜バルク波振動子を製造することができると言える。
【００７８】
以下、本実施の形態に係る電子デバイス用基板１０および電子デバイスの実施例について説明する。
【００７９】
［第１の実施例］
第１の実施例は、電子デバイス用基板１０の実施例である。本実施例の電子デバイス用基板１０では、基体１１として、Ｓｉ単結晶からなる基板の表面に、熱酸化ＳｉＯ_２膜を形成してなるものを用いた。基板の厚さは２５０μｍで、基板の抵抗率は１０００Ω・ｃｍである。また、Ｓｉ単結晶の（１００）面は基板の表面に平行である。また、基板の表面は予め鏡面研磨され、この表面に熱酸化ＳｉＯ_２膜が形成されている。
【００８０】
本実施例の電子デバイス用基板１０では、基体１１の上に、密着膜１２として、厚さ５０ｎｍのＡｌＮ膜を形成した。このＡｌＮ膜は、以下のようにして形成した。まず、基体１１を真空槽内に導入し、真空槽内の圧力が１×１０^−４Ｐａになるまで、真空槽内のガスを排気した。次に、基体１１の温度を２００℃に保持しながら、ＡｒとＮ_２の混合ガスを２５ｓｃｃｍの流量で真空槽内に導入して、真空槽内の圧力を０．４Ｐａにした。次に、真空槽内の圧力を０．４Ｐａに調整しながら、Ａｌをターゲットとして、ＲＦマグネトロンスパッタリングを行って、基体１１の上にＡｌＮ膜を形成した。
【００８１】
形成したＡｌＮ膜の表面を、ＲＨＥＥＤ法で観察したところ、図７に示した回折パターンが得られた。なお、図では回折パターンを鮮明に表すことが難しいため、図７において回折点の位置に○印および△印を付加している。図７において、○印によって表されるパターンは、（０００１）面に対して電子線が［１１−２０］方向から入射したことを示す。また、△印によって表されるパターンは、（０００１）面に対して電子線が［１−１００］方向から入射したことを示す。図７から、ＡｌＮ膜は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含み、膜の面内の方位がランダムで、膜面に垂直な方向が［０００１］方向である（０００１）配向の多結晶膜であることが分かる。
【００８２】
次に、密着膜１２の上に、導電体膜１３として、厚さ１００ｎｍのＰｔ薄膜を真空蒸着法によって形成して、電子デバイス用基板１０を完成させた。Ｐｔ薄膜形成時において、真空度は１×１０^−３Ｐａとし、基板温度は６００℃とした。
【００８３】
次に、製造した電子デバイス用基板１０の特性を評価した。まず、密着膜１２および導電体膜１３の結晶性を、Ｘ線回折法により評価した。Ｘ線回折法により電子デバイス用基板１０を観察したところ、密着膜１２であるＡｌＮ膜の（０００２）面反射と、導電体膜１３であるＰｔ膜の（１１１）面反射の回折線のみが認められた。従って、ＡｌＮ膜とＰｔ膜は、共に単一配向膜であることが分かった。また、Ｐｔ膜のロッキングカーブの半値幅は、２．５°であった。
【００８４】
次に、テープテストにより、基体１１に対する導電体膜１３の密着性を評価したところ、導電体膜１３の剥離は発生しなかった。従って、導電体膜１３は、基体１１に対して十分な密着性を有していることが分かった。
【００８５】
また、本実施例の電子デバイス用基板１０との比較のために、比較例の電子デバイス用基板を製造した。比較例の電子デバイス用基板の構成は、密着膜１２を含まないこと以外は本実施例の電子デバイス用基板１０の構成と同じである。また、比較例の電子デバイス用基板の製造方法は、密着膜１２を形成する工程を含まないこと以外は本実施例の電子デバイス用基板１０の製造方法と同じである。比較例の電子デバイス用基板について、導電体膜の結晶性および密着性を評価したところ、結晶性については本実施例の電子デバイス用基板１０とほとんど変わらなかった。しかしながら、比較例の電子デバイス用基板についてのテープテストでは、導電体膜の剥離が発生し、基体に対する導電体膜の密着性は不良であった。
【００８６】
［第２の実施例］
第２の実施例も、電子デバイス用基板１０の実施例である。本実施例の電子デバイス用基板１０では、基体１１として、Ｓｉ単結晶からなる基板上に音響反射膜を形成したものを用いた。基板の厚さは２５０μｍで、基板の抵抗率は１０００Ω・ｃｍである。また、Ｓｉ単結晶の（１００）面は基板の表面に平行である。また、基板の表面は予め鏡面研磨されている。音響反射膜は、洗浄後の基板の表面に、第１の誘電体層２２Ａとしての厚さ１５００ｎｍのＡｌ_２Ｏ_３膜と、第２の誘電体層２２Ｂとしての厚さ８００ｎｍのＳｉＯ_２膜とを、この順に交互に４層ずつ積層して形成した。Ａｌ_２Ｏ_３膜とＳｉＯ_２膜の形成にはスパッタ法を用いた。
【００８７】
本実施例の電子デバイス用基板１０では、基体１１の上に、密着膜１２として、厚さ５０ｎｍのＡｌＮ膜を形成した。このＡｌＮ膜は、Ａｌのターゲットと、ＡｒとＮ_２の混合ガスを用いて、反応性ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって形成した。形成したＡｌＮ膜の表面を、ＲＨＥＥＤ法を用いて観察したところ、図７に示した回折パターンと同様の回折パターンが得られた。従って、第２の実施例におけるＡｌＮ膜も、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含み、膜面の方位がランダムで、膜面に垂直な方向が［０００１］方向である（０００１）配向の多結晶膜であることが分かった。また、ＡｌＮ膜の表面の算術平均粗さＲａは、２ｎｍであった。
【００８８】
本実施例では、音響反射膜の上に、導電体膜１３として、厚さ１５０ｎｍのＰｔ膜を蒸着法によって形成して、電子デバイス用基板１０を完成させた。Ｐｔ膜形成時において、基板温度は４００℃とし、成膜速度は０．０６ｎｍ／ｓとした。形成された導電体膜１３は、面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した膜であり、Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅は２．５°であった。
【００８９】
次に、テープテストにより、基体１１に対する導電体膜１３の密着性を評価したところ、導電体膜１３の剥離は発生しなかった。従って、導電体膜１３は、基体１１に対して十分な密着性を有していることが分かった。
【００９０】
また、本実施例の電子デバイス用基板１０との比較のために、比較例の電子デバイス用基板を製造した。比較例の電子デバイス用基板の構成は、密着膜１２を含まないこと以外は本実施例の電子デバイス用基板１０の構成と同じである。また、比較例の電子デバイス用基板の製造方法は、密着膜１２を形成する工程を含まないこと以外は本実施例の電子デバイス用基板１０の製造方法と同じである。比較例の電子デバイス用基板について、導電体膜の結晶性および密着性を評価した。まず、比較例における導電体膜のＸ線回折におけるロッキングカーブの半値幅は１０°であり、密着膜１２を含む本実施例と比べて、導電体膜の結晶性は著しく劣化していることが分かった。また、比較例の電子デバイス用基板についてのテープテストでは、導電体膜の剥離が発生し、基体に対する導電体膜の密着性は不良であった。
【００９１】
［第３の実施例］
第３の実施例は、電子デバイス２０の実施例である。本実施例の電子デバイス２０では、基体１１として、Ｓｉ単結晶からなる基板上に音響反射膜を形成したものを用いた。基板の厚さは２５０μｍで、基板の抵抗率は１０００Ω・ｃｍである。また、Ｓｉ単結晶の（１００）面は基板の表面に平行である。また、基板の表面は予め鏡面研磨されている。音響反射膜は、洗浄後の基板の表面に、第１の誘電体層２２Ａとしての厚さ１５００ｎｍのＡｌＮ膜と、第２の誘電体層２２Ｂとしての厚さ８００ｎｍのＳｉＯ_２膜とを、この順に交互に４層ずつ積層して形成した。ＡｌＮ膜の形成にはスパッタ法を用い、ＳｉＯ_２膜の形成にはＣＶＤ法を用いた。
【００９２】
本実施例の電子デバイス２０では、基体１１の上に、密着膜１２として、厚さ５０ｎｍのＡｌＮ膜を形成した。このＡｌＮ膜の形成方法は、第２の実施例と同様である。
【００９３】
本実施例の電子デバイス２０では、密着膜１２の上に、導電体膜１３として、厚さ１５０ｎｍのＰｔ膜を蒸着法によって形成した。Ｐｔ膜形成時において、基板温度は６００℃とし、成膜速度は０．０６ｎｍ／ｓとした。形成された導電体膜１３は、面心立方構造の（１１１）面が基体１１の表面と平行になるように配向した膜であり、Ｘ線回折におけるロッキングカーブの半値幅は２．３°であった。
【００９４】
本実施例の電子デバイス２０では、導電体膜１３の上に、圧電体膜２３として、厚さ８００ｎｍのＺｎＯ膜を形成した。このＺｎＯ膜は、（０００１）配向膜である。このＺｎＯ膜の（０００２）面におけるＸ線回折のロッキングカーブの半値幅は２．５°であった。これにより、このＺｎＯ膜が高い結晶性を有する膜であることが分かった。
【００９５】
本実施例では、圧電体膜２３の上に、厚さ５０ｎｍのＳｉＯ_２膜と、Ａｌからなる上部電極２４とを順に形成することにより、電子デバイス２０としての薄膜バルク波振動子を完成させた。
【００９６】
この薄膜バルク波振動子の特性を測定したところ、共振周波数ｆｒは２．０ＧＨｚ、反共振周波数ｆａは２．０６ＧＨｚ、実効的電気機械結合係数の二乗（＝（ｆａ^２−ｆｒ^２）／ｆｒ^２）は６．０％、インピーダンス比は約５０ｄＢであった。このように、本実施例では、良好な共振特性を有する薄膜バルク波振動子を製造することができた。
【００９７】
以上説明したように、本実施の形態では、基体１１と導電体膜１３との間に、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜よりなる密着膜１２を設けている。これにより、本実施の形態によれば、結晶性と、基体１１に対する密着性が共に優れた導電体膜１３を備えた電子デバイス用基板１０および電子デバイス２０を実現することができる。また、本実施の形態によれば、上記の電子デバイス用基板１０を用いることにより、優れた特性を有する電子デバイス２０を実現することができる。
【００９８】
また、本実施の形態では、密着膜１２を非エピタキシャル膜としている。これにより、本実施の形態によれば、比較的低い温度で、結晶性のよい密着膜１２を形成することができ、電子デバイス用基板１０および電子デバイス２０の製造が容易になる。
【００９９】
ところで、基体１１のうちの少なくとも密着膜１２に接する部分がガラスやＳｉＯ_２等の非晶質である場合には、その上にエピタキシャル膜を形成することができない。本実施の形態では、密着膜１２を非エピタキシャル膜としているので、基体１１のうちの少なくとも密着膜１２に接する部分がガラスやＳｉＯ_２等の非晶質であっても、その上に密着膜１２を形成でき、これにより、結晶性と、基体１１に対する密着性が共に優れた導電体膜１３を形成することが可能になる。
【０１００】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、電子デバイス用基板１０または電子デバイス２０における各層の材料や形成方法は、実施の形態で挙げた例に限らず、種々の変更が可能である。
【０１０１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイスまたはそれらの製造方法によれば、結晶性と、基体に対する密着性が共に優れた導電体膜を備えた電子デバイス用基板または電子デバイスを実現することができるという効果を奏する。
【０１０２】
また、本発明の電子デバイスまたはその製造方法によれば、結晶性と、基体に対する密着性が共に優れた導電体膜を備えた電子デバイス用基板を用いることにより、優れた特性を有する電子デバイスを実現することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る電子デバイス用基板の断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る電子デバイス用基板における密着膜であるＡｌＮ膜の厚さと導電体膜であるＰｔ膜の結晶性との関係を示す特性図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る電子デバイスの一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る電子デバイスにおける導電体膜としてのＰｔ膜のロッキングカーブの半値幅と圧電体膜としてのＺｎＯ膜のロッキングカーブの半値幅との関係を示す特性図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る電子デバイスにおける圧電体膜としてのＺｎＯ膜のロッキングカーブの半値幅と電子デバイスのインピーダンス比との関係を示す特性図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る電子デバイスにおける圧電体膜としてのＺｎＯのロッキングカーブの半値幅と電気デバイスの実効的電気機械結合係数との関係を示す特性図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る電子デバイス用基板における密着膜としてのＡｌＮ膜のＲＨＥＥＤ法による回折パターンを示す説明図である。
【符号の説明】
１０…電子デバイス用基板、１１…基体、１２…密着膜、１３…導電体膜、２０…電子デバイス、２１…基板、２２…音響反射膜、２３…圧電体膜、２４…上部電極。

Claims

基体と、
前記基体の上に積層された密着膜と、
前記密着膜の上に積層された導電体膜とを備え、
前記密着膜は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜であることを特徴とする電子デバイス用基板。
前記密着膜は多結晶膜であることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス用基板。
前記密着膜は、ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面が基体表面と平行になるように配向した膜であることを特徴とする請求項１または２記載の電子デバイス用基板。
前記密着膜の算術平均粗さは、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
前記導電体膜は、面心立方構造の結晶を含み、面心立方構造の（１１１）面が基体の表面と平行になるように配向した膜であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
前記導電体膜は、最密六方晶構造の結晶を含み、最密六方晶構造の（０００１）面が基体の表面と平行になるように配向した膜であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
前記基体のうちの少なくとも前記密着膜に接する部分は非晶質であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
基体と、この基体の上に順に積層された密着膜および導電体膜を備えた電子デバイス用基板を製造する方法であって、
前記基体の上に前記密着膜を形成する工程と、
前記密着膜の上に前記導電体膜を形成する工程とを備え、
前記密着膜は、ウルツァイト型結晶構造の結晶を含む非エピタキシャル膜であることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
前記密着膜は多結晶膜であることを特徴とする請求項８記載の電子デバイス用基板の製造方法。
前記密着膜は、ウルツァイト型結晶構造の（０００１）面が基体表面と平行になるように配向した膜であることを特徴とする請求項８または９記載の電子デバイス用基板の製造方法。
前記密着膜の算術平均粗さは、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
前記導電体膜は、面心立方構造の結晶を含み、面心立方構造の（１１１）面が基体の表面と平行になるように配向した膜であることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
前記導電体膜は、最密六方晶構造の結晶を含み、最密六方晶構造の（０００１）面が基体の表面と平行になるように配向した膜であることを特徴とする請求項８ないし１１のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
前記基体のうちの少なくとも前記密着膜に接する部分は非晶質であることを特徴とする請求項８ないし１３のいずれかに記載の電子デバイス用基板の製造方法。
請求項１ないし７のいずれかに記載の電子デバイス用基板と、
前記電子デバイス用基板の上に配置され、所定の機能を有する機能膜とを備えたことを特徴とする電子デバイス。
前記機能膜は、圧電体膜、誘電体膜、半導体膜のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１５記載の電子デバイス。
電子デバイス用基板と、この電子デバイス用基板の上に配置され、所定の機能を有する機能膜とを備えた電子デバイスを製造する方法であって、
請求項８ないし１４のいずれかに記載の方法によって、前記電子デバイス用基板を製造する工程と、
前記電子デバイス用基板の上に前記機能膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする電子デバイスの製造方法。