JP2004521373A - Photopatternable absorbers and functionalized films - Google Patents
Photopatternable absorbers and functionalized films Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004521373A JP2004521373A JP2002539407A JP2002539407A JP2004521373A JP 2004521373 A JP2004521373 A JP 2004521373A JP 2002539407 A JP2002539407 A JP 2002539407A JP 2002539407 A JP2002539407 A JP 2002539407A JP 2004521373 A JP2004521373 A JP 2004521373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- polymer
- substrate
- precursor molecule
- groups
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 168
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 105
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 56
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 50
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 48
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 46
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 43
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 26
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 25
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 24
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 23
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 19
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 15
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 9
- HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N platinum(2+) Chemical compound [Pt+2] HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 6
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZHVZRDQTXMZDKI-UHFFFAOYSA-N [[bis[(dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy]-phenylsilyl]oxy-(dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-phenylsilyl]oxy-dimethylsilicon Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O[Si](C)C)(O[Si](C)C)O[Si](O[Si](C)C)(O[Si](C)C)C1=CC=CC=C1 ZHVZRDQTXMZDKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical group C1=C(CC=C)C(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YGHUUVGIRWMJGE-UHFFFAOYSA-N chlorodimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)Cl YGHUUVGIRWMJGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 3
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 2
- YKSADNUOSVJOAS-UHFFFAOYSA-N [bis[(dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy]-phenylsilyl]oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](O[Si](C)C)(O[Si](C)C)C1=CC=CC=C1 YKSADNUOSVJOAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N diphenylsilane Chemical group C=1C=CC=CC=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical group [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 3
- 101000722960 Onchocerca volvulus Onchocystatin Proteins 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BGISVIDNIBCUTN-UHFFFAOYSA-N [bis[(dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy]-methylsilyl]oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)(O[Si](C)C)O[Si](C)C BGISVIDNIBCUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 abstract description 9
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 24
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 20
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000003491 array Methods 0.000 description 15
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 241000894007 species Species 0.000 description 14
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 13
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 11
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 8
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 8
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 5
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 125000005816 fluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- VEJOYRPGKZZTJW-FDGPNNRMSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;platinum Chemical compound [Pt].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O VEJOYRPGKZZTJW-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 3
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 3
- GHOJDZHLXDUMEI-UHFFFAOYSA-N dimethyl(silyloxysilyloxy)silane Chemical compound C[SiH](C)O[SiH2]O[SiH3] GHOJDZHLXDUMEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000003958 nerve gas Substances 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000003380 quartz crystal microbalance Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- YTEISYFNYGDBRV-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilyl]oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)(C)O[Si](C)C YTEISYFNYGDBRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000012700 ceramic precursor Substances 0.000 description 2
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009510 drug design Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000004434 industrial solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002414 normal-phase solid-phase extraction Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 239000002594 sorbent Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSEBTZWHCPGKEF-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical compound C=1C=C(O)C(CC=C)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 LSEBTZWHCPGKEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 230000005526 G1 to G0 transition Effects 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N chloro-ethenyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C=C XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000011243 crosslinked material Substances 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- VONWDASPFIQPDY-UHFFFAOYSA-N dimethyl methylphosphonate Chemical compound COP(C)(=O)OC VONWDASPFIQPDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDYBCIWLGJMJGO-UHFFFAOYSA-N dinitromethanone Chemical class [O-][N+](=O)C(=O)[N+]([O-])=O QDYBCIWLGJMJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229920006240 drawn fiber Polymers 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- XVSBWQYHSLNOCU-UHFFFAOYSA-N ethenyl(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C=C XVSBWQYHSLNOCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000012681 fiber drawing Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002032 lab-on-a-chip Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 210000005036 nerve Anatomy 0.000 description 1
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920001558 organosilicon polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002953 preparative HPLC Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 125000006853 reporter group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHKBMYNOLVYFHD-UHFFFAOYSA-N trimethyl(trimethylsilyloxysilyloxy)silane Chemical group C[Si](C)(C)O[SiH2]O[Si](C)(C)C JHKBMYNOLVYFHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
ポリマー、架橋剤及び光活性化可能な触媒を含む組成物を基体上に置く。組成物を所定パターンの光に露光させて、未露光領域を残す。光は、ヒドロシリル化によりポリマーを架橋させる。溶剤を用いて、基体から未露光組成物を除去し、露光パターンを残し、ある化学種に暴露された場合に所定の化学種を吸収する吸収剤ポリマー膜とする。A composition comprising a polymer, a crosslinker and a photoactivatable catalyst is placed on a substrate. The composition is exposed to a predetermined pattern of light, leaving unexposed areas. Light crosslinks the polymer by hydrosilylation. The solvent is used to remove the unexposed composition from the substrate, leave an exposed pattern, and form an absorbent polymer film that absorbs a predetermined chemical species when exposed to a certain chemical species.
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヒドロシリル化化学を用いる吸収剤膜及び官能性化膜の調製方法、表面へのグラフト化方法及びフォトパターンニング方法に関する。さらに、本発明は、膜及び該膜を用いるデバイス、例えば化学センサ等にも関する。
【0002】
【発明の背景】
本明細書において「フォトパターン化可能な膜(photopatternable film)」とは、光を用いて、表面上の局所領域(localized domain)上にパターン化することができ、物質特性を変えることができる物質をいう。露光させることで、露光領域と非露光領域との間の物質の溶解度の差異を作り出すプロセスを開始する。選択された領域(domain)を露光させた後、溶剤を用いて、いずれかの非露光領域を取り除き、露光領域からなるパターン化された局所領域を残すか、あるいは、非露光領域を残しながら、溶剤の作用により露光領域が取り除かれるように物質を設計してもよい。溶剤の作用は、露光前に均一であった膜内のパターンを現像するために用いられる。
【0003】
「吸収剤膜」とは、化学種に暴露されると膜物質を通して拡散する化学種を吸収する物質から作られた膜をいう。
【0004】
「官能性化膜」とは、膜内の化学構造単位由来の相互作用特性を有する膜をいう。これらの相互作用特性は、特定の用途、例えば微量分析物質及び化学センサ等のデバイスなどの用途に適する膜を作る。
【0005】
「化学的選択性」とは、膜が、ある種の化学種を他の化学種よりも吸着することを意味し、より強く吸着される化学種に対する選択性をいう。化学的選択性は、特定の用途、例えば化学センサなどの微量分析用途に対する膜の安定性にとって重要である。
【0006】
前駆体分子は、モノマー、オリゴマー、ポリマー、又は組成物中に組み込まれている架橋剤であってもよい。
【0007】
化学的選択性吸収剤膜は、特定の相互作用特性を与える化学構造単位を組み込むことによって、ある種の化学種に対して他の化学種に対するよりも選択的であるように設計され得る。
【0008】
デバイス及び構造体上にパターン化することができる化学的相互作用吸収剤物質及び配合物が必要とされている。また、特定の用途における微量分析機能にとって必要な特定の化学的相互作用を有し、デバイス構造体上にパターン化することができる吸収剤物質を提供する方法も必要とされている。さらに、各々が異なる化学的相互作用特性を有するがデバイス構造体上の局所領域(domain)にパターン化され得る種々の上記物質及び配合物を創製できることが求められている。
【0009】
本発明の主目的は、露光されている架橋重合性膜に対してヒドロシリル化化学を用いることである。よって、架橋された領域は、未架橋領域とは異なる現像溶剤中での溶解度を有する。現像溶剤は、膜の非露光・未架橋領域を取り除き、膜の露光・架橋領域を残すために用いられる。ヒドロシリル化化学は、選択的であるから、この目的にとって有用である。この化学を用いて、他の化学物質に影響を与えずに、種々の物質を架橋することができる。
【0010】
本発明の別の目的は、露光されているモノマー及びオリゴマーを重合性膜に転化するためにヒドロシリル化化学を用いることにある。別の目的は、膜組成物中に与えられているモノマー及びオリゴマーから重合成膜を形成する際に、重合性膜を架橋することにある。
【0011】
本発明の別の目的は、架橋及び/又は重合すると同時に、吸収剤膜を表面上にグラフト化することにある。本発明の目的は、露光されるまで不活性であるヒドロシリル化触媒を用いることにある。ヒドロシリル化触媒は、光により活性化されると、膜内で、重合し、架橋し及び/又は膜をグラフト化するヒドロシリル化反応を開始する。本発明の更なる目的は、グラフト化が生じ得るように修飾された表面上でポリマー又はプレポリマーを用いること、及びグラフト化プロセスを開始させるために触媒を用いること、にある。
【0012】
本発明の更なる目的は、組成物に組み込まれて、充分な量のあるタイプの光に露光された場合に、ヒドロシリル化により反応して、ある化学種に対して暴露された場合にその化学種を選択的に吸着する吸収剤膜を創製する前駆体分子の組み合わせを開発すること、にある。組成物中で反応するために、前駆体分子は混和性であることが必要である。したがって、本発明の目的は、混和性であり反応して化学的選択性吸収剤膜を創製する前駆体分子の組み合わせを調製すること、にある。本発明の更なる目的は、官能性化モノマーを同じモノマーから派生したものであるオリゴマーと組み合わせることにある。モノマー及びオリゴマーの両者が同じ分子から派生したものであるというこのアプローチは、2種の前駆体分子が膜内で互いに混和性であることを保証する。よって、2個の炭素−炭素多重結合を有するモノマーは、オリゴマーを作るための同じモノマーと過剰のα、ω−ジヒドロオリゴジメチルシロキサンとの生成反応から派生したオリゴマーと組み合わされてもよい。ここで、得られたオリゴマーは、上記モノマーを含み、シリコンヒドライド結合末端を有する。
【0013】
以下の特許及び刊行物は、従来技術との関係で本発明を正確に捉える上で慎重に考慮されるべきである。米国特許U. S. Patent No. 5,145,886(特許September 8,1992, Joel D. Oxman、Larry D. Boardman);U.. S. Patent No. 6,015,869(特許January 18,2000, Jay W. Grate、Steven N. Kaganove);PCT Application No. WO 92/10529(出願人:the Minnesota Mining And Manufacturing Company, U. S. A.、公開日June 25,1992);PCT Application No. WO 92/10544(出願人:Minnesota Mining And Manufacturing Company;公開日June 25,1992);Fredrick D. Lewis and Gwen D. Salvi,”Platinum (II) Bis (6− diketonates) as Photoactivated Hydrosilation Catalysts, Inorganic Chemistry”, 1995,34,3182−3189;Bryan E. Fry and D. C. Neckers,”Rapid Photoactivated Hydrosilation Polymerization of Vinyldimethlysilane”, Macromolecules 1996, 29, 5306−5312;Bryan E. Fry, Andrew Guo, D. C. Neckers, ”Photoactivated Hydrosilation Curing of a Ceramic Precursor;Crosslinking and Pyrolysis of branched oligo [(methylsilylene) methylene], Journal of Organiometallic Chemistry 538 (1997), 151−161;Andrew Guo, Bryan E. Fry and Douglas C. Neckeres,”Highly Active Visible−Light Photocatalysts for Curing a Ceramic Precursor”, Chemistry Materials, 1998, 10,531−536.
【0014】
【発明の概要】
本発明は、化学種に暴露された際に、その化学種を選択的に吸着する吸収剤膜を形成する方法を含む。この方法は、少なくとも2個のシリコンヒドライド基を含む第1の前駆体分子と、少なくとも2個の炭素−炭素多重結合を含む第2の前駆体分子と、光活性可能な触媒と、を含む組成物を基体上に置くことを含む。この組成物の少なくとも一部を、露光させた組成物にヒドロシリル化反応を起こさせるに充分な量で、あるタイプの光に露光させる。
【0015】
本発明の別の方法の側面は、組成物を所定パターンの光に露光させて、未露光領域を残すことを含む。次に、溶剤を用いて未露光組成物を基体から取り除き、露光パターンを残して、化学種に暴露させた際にその化学種を選択的に吸着する吸収剤重合体膜とする。
【0016】
本発明の別の方法の側面は、続いて適用される膜組成物によるヒドロシリル化反応に関係することができる基を有するように表面を修飾するカップリング剤で基体表面を予め処理することを含む。例えば、共有結合したシリコンヒドライド基あるいは共有結合した炭素−炭素多重結合を含むように、表面を修飾してもよい。トリエトキシラン及びトリエトキシビニルシランなどのカップリング剤が適切なカップリング剤であるが、当該分野においては他の多くのカップリング剤が知られている。例えば、トリアルコキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリクロロシラン、トリアルコキシビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン、トリクロロビニルシラン、アルコキシジメチルシラン、クロロジメチルシラン、アルコキシジメチルビニルシラン及びクロロジメチルビニルシランの群から選択されるカップリング剤を非制限的に挙げることができる。少なくとも2個のシリコンヒドライド基を含む第1の前駆体分子と、少なくとも2個の炭素−炭素多重結合を含む第2の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を、修飾された表面上に置いて、この組成物の少なくとも一部をヒドロシリル化反応を開始させるに充分な量で、あるタイプの光に露光させる。これらの反応は、膜物質と表面基との間に共有ケイ素−炭素結合を作ることによって、膜物質を表面にグラフトさせる。これらのグラフト化反応は、膜物質内で重合反応及び架橋反応と同時に起こる。これらは、化学種に暴露された際に、その化学種を選択的に吸着する表面上の化学的選択性吸収剤膜を結果的に生じさせる。
【0017】
本発明のさらに別の方法の側面は、フェニル置換ポリシロキサン(50%フェニル、1%ランダムビニル);1,3−ジフェニル−1,1,3,3−テトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサン、シアノ置換ポリシロキサン(シアノプロピメチル−フェニルシロキサン)及び1%ランダムビニル、1,3−ジフェニル−1、1,3−3−テトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサン、ヘキサメチルトリシロキサン末端を有するアリルを有するモノマーを含むビスフェノールA(基: 2,2,2−ビス(3−アリル−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプラン)(3−アリル,4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン;1,3−ジフェニル−1,3,3−テトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサンを含む組成物を用いることである。
【0018】
本発明の別の方法の側面は、フェニル置換ポリシロキサン(50%フェニル、1%ランダムビニル)の有効量、1,3−ジフェニル−1,1,3−3−テトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサンの有効量及び光活性可能な触媒の有効量を含む組成物を用いることを含む。
【0019】
本発明の別の側面は、シアノ置換ポリシロキサン(シアノプロピメチル−フェニルシロキサン)及び1%ランダムビニルの有効量、1,3−ジフェニル−1,1,3,3−テトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサンの有効量及び光活性化可能な触媒の有効量を含む組成物を用いることである。
【0020】
本発明の別の方法の側面は、2個のアリル基を有するモノマーを含むヘキサフルオロビスフェノールA、(2,2−ビス(3−アリル−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの有効量、同じビスフェノールからヘキサメチルトリシロキサン、1,3−ジフェニル−1,1,3,3−テトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサンとの反応中に調製されたシリコンヒドライド末端オリゴマーの有効量、及び光活性化可能な触媒の有効量を含む組成物の使用を含む。
【0021】
本発明はさらに、本方法により創製された吸収剤重合体膜及び本方法により創製された化学センサを含む。
【0022】
本発明の他の目的、利点及び特長は、以下の最良の実施形態、図面、特許請求の範囲及び図示されて説明されている特定の構造に具現化された理論により、明らかになるであろう。
【0023】
発明の詳細な記載
図面において、同じ構成要素には同じ参照符号を付した。
【0024】
発明の詳細な説明
吸収剤ポリマー及び官能性化ポリマーは、化学センサ、分離メンブラン、固相抽出技術およびクロマトグラフィーを含む多様な分野において重要な役割を果たす。吸収剤ポリマーは、多数のセンサアレイすなわち「電気鼻」システムにとって重要な役割を果たす。アレイ中でのセンサの応答性は、アレイ中に十分に多種多様なセンシング物質が存在する限り、ある化合物を他の化合物から区別するために用いることができるパターンを呈する。図7は、棒グラフ形式でのパターンとして現れる検体に対する変動可能な応答を呈するいくつかのセンサ(各々、異なるセンシングコーティングを有する)のコンセプトを示す。結合形成反応としてヒドロシリル化を用いることで、本発明者らは、センサ用途に対する多様な相互作用特性を有する吸収剤ポリマーを開発する汎用的で有効なアプローチを開発した。これらのポリマーの化学特性および物理特性のいずれも、予測可能で設計により調整可能である。
【0025】
多くのタイプのセンシングデバイスは、気相蒸気検出に対するセンサアレイにおいて用いることができ、用いられている。これらのアレイは、多重センサ上の多様な相互作用コーティングを含み、結果的に多重偏差(multivariate)データがパターン認識技術により分析される。アレイ検出器は、電気鼻と呼ばれることもある。なぜなら、鼻は、多重レセプターを用い、その信号は神経パターン認識プロセスにより処理されるるからである。気相センサアレイの最もよく知られた例のいくつかは、相互作用コーティングとしてポリマーを用いる。
【0026】
音波センサに基づくアレイは、センサトランスデューサーとして水晶マイクロバランス(QCM)、表面音波デバイス(SAW)または撓みラム波(flexural plate wave)(FPW)デバイスを用いる。デバイス表面上の各ポリマーコーティングにより吸収された蒸気の質量に比例する信号が発生する。観察された信号は、さらに、ポリマーモジュラス変動寄与率(polymer modulus change contribution)を含むものでもよい。
【0027】
吸収剤ポリマーによる蒸気吸収もまた、絶縁性ポリマーがカーボンブラック粒子を20%(典型量)装荷している化学抵抗器構造(chemiresistor configuration)を用いて変換されてもよい。蒸気収着は、絶縁性ポリマーを膨張させ、ポリマー/カーボンブラック複合体を通しての抵抗を増加させる。これらのタイプの化学抵抗器センサは、センサアレイの基礎として供されている。
【0028】
あるいは、吸収剤ポリマーは、ナイルレッド(Nile Red)などの蛍光染料に対するマトリックスとして作用することもできる。蒸気吸収は、組み込まれた染料分子からの蛍光信号を変動させる。アレイは、光ファイバーバンドルの端部上の種々のポリマー内の種々の染料で調製されている。
【0029】
ポリマーは、可逆収着によりセンサ表面上の蒸気分子を集めて濃縮することができること、薄い接着膜としてデバイス上に適用するに適切であること、及び化学的選択性が化学構造により決定されること、つまり合成により容易に変動可能であることなどの理由から、化学蒸気検出に対して有用な物質である。ポリマーは、迅速で、可逆性で、再現可能な応答性を有するセンサを得ることができる。加えて、多種多様なポリマーを組み合わせてセンサアレイ内で用いることができ、パターン認識分析に対する有用な化学情報を得るために要求されるアレイ全体にわたる変動可能な選択性を提供する。
【0030】
化学蒸気検出に対するポリマーの化学的相互作用特性は、線形溶媒エネルギー関係(LSER)を用いてシステム的に試験されている。これらの線形自由エネルギー関係は、分散相互作用、双極性及び誘導双極性を含む相互作用、及び水素結合相互作用などの基本的な相互作用において、ポリマーによる蒸気の収着をモデル化する。このアプローチによるモデルは、予想及び理解のために用いることができ、通常は後者が最も重要である。基本的な蒸気/ポリマー相互作用及びセンサアレイを設計するためのLSERの役割は、最初に1991年に詳細に報告された。その後の取り扱いは、化学センサ開発の多くの関連する側面に対する適用性を示した。有機蒸気の検出用のセンサアレイ設計は、非極性、極性化可能、双極性、水素結合塩基性、及び水素結合酸性であるというポリマーに対する要求を導く異なる相互作用を強調するポリマーのセットの選択を伴う。
【0031】
しかし、要求される化学的相互作用特性だけでは、化学センサとして有用であるべきポリマーとしては十分ではない。センシングポリマーは、さらに、多数の所望の物理的特性を有していなければならない。通常望ましい迅速な化学センサ応答性は、ガラス−ゴム転移点がセンサの作動温度よりも低いポリマーによって促進される。ポリマー内外での蒸気拡散は、これらの条件下で迅速である。ガラス性ポリマーによるセンサの応答時間は、典型的には、ゴム性ポリマーよりも、遙かに緩慢である。物質を薄膜として化学センサに適用する方法は、ポリマー配合物又はプレポリマー配合物に要求を課すかもしれない。たとえば、有機溶剤中での可溶性が必要であるかもしれないし、コーティングプロセスの一部としてプレポリマーに対するある粘度が必要であるかもしれない。特定のセンシングプラットフォームは、これら自身の要求、たとえば光学センサに対する反射率要求などを課すかもしれない。したがって、センサ又はセンサアレイ用途用のポリマーの合成は、詳細に研究されている化学的相互作用ばかりでなく、膜用途及びセンサ性能に対する望ましい物理特性をも考慮しなければならない。
【0032】
最適なセンシングポリマーに対する多様な性能基準を与えることで、望ましい化学特性及び物理特性を組み合わせる個々のポリマーを得るに十分多種多様であり、さらに種々の用途及びアレイ用の物質の異なるセットを創製することができる単合成アプローチを有することが有用である。この態様において、各新規なセンシング物質には、新しい特異的な合成上の問題は存在しない。加えて、物理特性及び薄膜堆積方法に異なる要求を課すかもしれない種々のタイプのセンシングデバイス用のこれらのポリマーを調整し配合することができることが望ましい。
【0033】
これらの考慮により、本発明者らは、センサ及びセンサアレイ用のポリマーの設計及び合成に対して、ヒドロシリル化重合を用いることを研究した。その最も典型的な形態において、ヒドロシリル化反応は、Ptなどの貴金属触媒の存在下での、炭素−炭素二重結合を横断するシリコンヒドライド(Si−H)結合の添加による珪素−炭素(Si−C)結合の形成を含む。図8参照。第1のモノマーが2個の炭素−炭素二重結合を有し、第2のモノマーが2個のシリコンヒドライド基を有する場合には、交互にモノマーを有する線形ポリマーを形成することができる。これらの重合反応の3種類が図9に示されている。典型的には、2個のシリコンヒドライド基を有するモノマーは、α、ω−ジヒドロオルガノシロキサンであるが、ジフェニルシラン等のモノマーであってもよい。2個の炭素−炭素二重結合を有するモノマーは、オリゴシロキサン又は有機ジエンであってもよい。ポリマー骨格中にシロキシ結合及び炭素−炭素結合を組み合わせるポリマーは、カルボシロキサン(carbosiloxance)ポリマーと呼ばれる。2個の炭素−炭素結合を有するモノマーが有機化合物であり、第2のモノマーがα、ω−ジヒドロオルガノシロキサンである場合には、有機−無機のハイブリッドポリマーが得られる。
【0034】
ヒドロシリル化重合の原型例の大半において、シリコン上の置換基は、典型的には、メチル、エチル、又はフェニルであり、ヘキサクロロ白金酸が触媒として用いられた。イソプレンとα、ω−ジヒドロドデカメチルヘキサシロキサンとの反応は、ヒドロシリル化重合により調製された有機/無機物質の初期の例であった(図9参照)。重合に対してヒドロシリル化反応を用いることが35年も前に示されていたという事実にもかかわらず、最近では、1993年に「有機珪素ポリマーの調製におけるヒドロシリル化反応の直接使用は非常に長い間制限されてきている」とされた。さらに、1994年には、ヒドロシリル化重合を用いることに対する初期の研究は「低分子量オリゴマー生成物のみを得る」ことがわかり、「真の高分子量線形ポリマーの合成に対する汎用性のある反応は、未だ成功裡に開発されていない」ことが示された。「真の高分子量ポリマー」メチル置換ポリマーが、ヘキサクロロ白金酸よりもむしろPtジビニルテトラメチルジシロキサン触媒を用いるこの反応により得られることが示されている。
【0035】
問題を提起することができる。「なぜ、センシングポリマーを合成するか?」答えは、(1)センシング物質開発における研究に対する合理的な設計理論を提案するため(2)商業ポリマーにおいて入手できない選択性を有する物質を調製するため(3)センサ上の層として商業ポリマーの性能の欠点を解決するため(4)組成及び性質に対する厳密な制御を得るため(5)センサ上の薄膜としての性能に対して必要な物理特性と所望の化学的相互作用特性を組み合わせる物質を調製するため(6)表面に架橋及び/又はグラフト化可能なポリマー及びプレポリマーを調製するため(7)種々のセンシングプラットフォーム上のセンシング薄膜としての用途に対するポリマー及びプレポリマー配合物を調製し適用するため、である。
【0036】
以下、ヒドロシリル化化学を用いる化学センサ及びアレイに対するポリマー及びポリマー薄膜の開発に焦点を合わせる。
【0037】
ヒドロシリル化重合方法は、種々の有機構造及び官能基を重合構造に組み込むことができる。ヒドロシリル化反応は選択性であり、2,3の例を挙げるとエステル、ニトリル、アミン、アミド、ニトロ、ケトン、エーテル、フォスフェート、サルファイド、及びスルホンを含む多くの官能基を許容する。加えて、ポリマー中のオリゴシロキサンセグメントはしばしば低いガラス−ゴム転移点を導くことは周知である。したがって、この重合アプローチは、化学的センシングポリマーの合成に対する2種の主要な基準、種々の官能基を有する異なるポリマーを調製することができること、及びポリマーを低いガラス−ゴム転移点を有するように調製することができること、に合致する。官能基を選択して、上述の蒸気/ポリマー相互作用を得ることができる。オリゴジメチルシロキサン単位の長さは、ガラス転移点及び他の物理特性に影響を与えるように変えることができる。
【0038】
本アプローチはさらに、多くの他の望ましい特徴を有する。結合形成反応は、珪素−炭素結合を形成させ、最終物質に極性官能性を導入しない。ゆえに、結合形成反応自身は、全てのポリマーがたとえばアミド結合又はエステル結合によって形成された場合であるように、最終的に得られるポリマーの選択性を「偏らせ(bias)」ない。本方法は、末端基の官能性を制御可能とする。ポリマー又はオリゴマーは、一次的には、末端が、炭素−炭素二重結合又はシリコンヒドライド結合によって終わってもよく、これは、その後のポリマー膜の架橋にとって有用であり得る(後述参照)。あるいは、特定の分子または官能基によるエンドキャップに、鎖端部の反応性を用いてもよい。加えて、本方法は、モノマーの比率が1:1ではない場合に、ポリマーよりもむしろオリゴマーを慎重に製造することができる。ゆえに、この重合アプローチは、ポリマー又はプレポリマー配合物に対する分子量分布を調整する機会を提供する。
【0039】
図10は、本発明者らが本方法により調製した4種類の吸収及び官能性ポリマーを説明する。これら及び他のポリマーの調製に用いたモノマーの幾つかを図11に示す。図10中の各ポリマーは、異なる特性及び相互作用を強調するように設計されている。メチル置換カルボシロキサンポリマー(図中、CSMEと呼ぶ)は、脂肪族炭化水素を良好に吸収する非極性物質である。これは、先に調製した他のカルボシロキサンポリマー(図9参照)と同一又は類似であり、ポリ(ジメチルシロキサン)及びポリ(イソブチレン)と同様の吸収特性を有する。
【0040】
フェニル基は単純な脂肪族基よりも優れた極化性を提供するので、フェニル置換ポリマー(CSPH)を調製した。センサ上で、これらのポリマーは、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン及びキシレン(BTEX)などの芳香族炭化水素並びに塩素化された炭化水素類に対する選択性を呈する。これらの化合物の分類は、問題となる環境汚染物である。ガスクロマトグラフィー固定相OV−25などの低いガラス−ゴム転移点を有する他のフェニル置換ポリマーも入手可能であるが、センシング膜に対する組成、特性及び配合を制御するために、本発明者らは自身のカルボシロキサンポリマーを調製した。OV−25は、75%フェニル置換及び25%メチル置換を有するポリシロキサンである。同様に、CSPHを高い比率(67%)のフェニル基対メチル基を有するように設計した。しかし、市販のOV−25は、おそらく残りのSi−OH基に起因すると考えられるわずかな水素結合酸性を有するように見える。これは、所望の化学的選択性を損なう。本発明者らの経験によると、市販のポリマーは、公称のポリマー構造によっては示されない官能性又は汚染物質をしばしば含み、時々、これらは赤外線スペクトルにおいて見出すことができる。加えて、本発明者らは、湿潤条件下でOV−25被覆SAWデバイスの不規則な挙動を観察した。これらは、本発明者らのカルボシロキサンポリマーを代わりに用いたところ、実験的に解決された。
【0041】
化学センサアレイに対する塩基性ポリマーを得るために、尿素基UR3を含むポリマーを調製した。尿素基は、非常に塩基性であり、双極性であることが知られている。ヒドロシリル化重合は順調に進行し、この物質は、SAWデバイスに適用される場合に優れた挙動を示す化学センサを得た。ポリビニルピロリドン及びポリエチレンイミンなどの他の塩基性ポリマーは塩基特性を有し、センシングコーティングとしてSAWデバイスに適用されている。しかし、ポリビニルピロリドンは、望ましい低いガラス−ゴム転移点を有しておらず、ポリ(エチレンイミン)は再現性が乏しいセンサとなる。繰り返すが、本発明の用途に対する市販物質の欠点が、本発明者らに、低いガラス−ゴム転移点を有する塩基性ポリマーを合成させる契機となったのである。
【0042】
ビスフェノール含有ポリマーBSP3は、本発明者らが最も興味を持つ有用な物質の一つである。このポリマーは、塩基性蒸気を吸収するために望ましい強い水素結合酸性特性を有するように合理的に設計された。工業的に用いられており、検出したいであろう非常に多くの塩基性有機溶剤が存在する。加えて、国家の安全上の関心事である神経ガスなどの蒸気は強い水素結合塩基である。最近の研究は、ニトロ芳香族爆発物の検出に対して、このクラスのポリマーもまた有用であることを示している。ゆえに、塩基性蒸気検出用の強い水素結合酸性ポリマーに対する要望は明白である。加えて、これらのポリマーは、センサアレイ内での化学的相違点を強調するために、センサアレイにおいて望ましい。
【0043】
水素結合酸性を導く化学構造を考慮することで、ポリマーに組み込まれるべき官能性とし、フッ素化されたアルコール及びフェノールの選択を導かれる。しかし、これらの官能性を有し且つ低いガラス−ゴム転移点を有するポリマーは、商業的に入手できない。したがって、多数の合成物質をセンシングフェーズとして調製し、精査した。これらのほとんどが水素結合酸性基としてヘキサフルオロイソプロパノール種を組み込む。
【0044】
数年前の研究は、数種のプロピル又はアリル置換ビスフェノール構造の水素結合酸性を逆相ガスクロマトグラフィー及びLSERを用いて比較するものであった。フッ素化されたビスフェノール−A構造は、フッ素化されていない類似体よりも実質的により水素結合酸性であり、フッ素化が塩基性化合物の収着性を100倍以上に改良したことを示した。これらの考察は、ポリマー鎖中にフッ素化されたビスフェノール構造を含むポリマーの合成に対する合理的な設計基準を与えた。図10に示すBSP3ポリマーは、繰り返し単位中に3個の珪素原子を有する。より長いオリゴシロキサン単位を有する変形種も合成されている。BSPポリマーと塩基性蒸気との相互反応は、図12に示されている。
【0045】
SAWセンサ上での実験は、これらのフェノール性ポリマーが塩基性蒸気及び神経ガス刺激剤(simulants)の検出に有用であり、このカテゴリーにおける先行する物質と同等以上の特性を有することを示している。図13は、ジメチルメチルフォスフェート、神経ガス刺激剤に対してテストした場合のBSP3、フロオロプロピル(FPOL)、及びポリジメチルシロキサン(PDMS)で被覆されたSAWセンサに対する較正曲線を示す。FPOLは、過去記述された神経ガスに対するセンシングコーティングであり、PDMSは、塩基性蒸気の収着に対して設計された官能性を欠く吸収剤ポリマーの一例である。20,000Hzを超える信号は、BSP3を用いて、わずか8mg/m3の濃度にて観察される。これは、1〜2ppmの濃度に相当し、10Hzの最小検出信号に対する検出限界が約1ppbであることを示唆する。
【0046】
一緒に、図10中のポリマーは、小さなセンサアレイにおいて望ましい化学的相違点をあたえることができる。さらに、この合成アプローチに適用され得るモノマーの多様性(このうちの幾つかは図11に示されている)に留意することは有意義である。カルボシロキサンポリマーを得るために、α、ω−ジヒドロオルガノシロキサンと組み合わせることができる多くの有機ジエンが存在する。図11の左側にあるモノマーは、基本的に、右側にあるモノマーと組み合わせることができる。これは組み合わせの化学そのものではないが、平行であるよりもむしろ個別のバッチにおいてポリマーを調製しており、制限された数の出発モノマーの種々の組み合わせにより、種々の物質を効果的に調製することができる、という原理を説明するものである。
【0047】
本発明者らは、フェロセンがSi−H基で終わるオリゴシロキサン鎖に付加された図11に示されているフェロセン誘導モノマーを調製した。本発明者らは、成功裡に、このモノマーを、やはり図11に示されているビスフェノールモノマーと組み合わせ、図14に示される繰り返し単位のポリマーを調製した。この結果得られる物質の溶液及び薄膜の両者でのサイクリックボルタンメトリーは、レドックス活性フェロセン基の存在を確認した。分析科学、特にセンサ開発における電気官能性ポリマーの有用性は、注目されている。特に、フェロセン含有モノマーを、図11の左側にある種々のモノマー又は他の有機ジエン類と組み合わせることにより、官能性化されたレドックス活性ポリマーの全系列を調製することができる。
【0048】
他のセンサ要求に合致させるために、これらの物質の特性を変えることも可能である。本発明者らは、シリカ光ファイバ上のクラッディングとして、水素結合酸性ポリマーをコーティングすることに関心を持った。このプラットフォームは、効率的に光をガイドするために、ポリマーの反射率がシリカの反射率よりも低い(約1.46)という要求を課した。加えて、自動化された光ファイバ延伸塔を用いて溶融物から新たに引き出されたファイバ上にコーティングすることができるプレポリマーとして、物質を配合しなければならなかった。次に、クラッドファイバーをファイバ延伸システムのドラム上に巻回させる前に、プレポリマーを管状炉内で硬化させた。1/4インチ又は3/8インチ管を通してクラッディングカップにプレポリマーを送るために、1000〜3000センチポイズの範囲の粘度が望ましかった。BSP3は、反射率が1.48であり、ゴム相であるので、この用途に直接用いることには不適である。
【0049】
本発明者らは、低分子量生成物を導く条件下で、α、ω−ジヒドロオルガノシロキサンをマクロマー(80個のジメチルシロキシ結合)として用いて、1500cStの範囲の粘度及び1.42の反射率を有する液体プレポリマーを調製した。このマクロマーの1当量と図11中のフッ素化されたビスフェノールの2当量とを反応させて、アリル末端ビスフェノール含有プレポリマーを得た。この物質を白金触媒及び3個のSi−H基を有する混和性架橋剤(フェニルトリス(ジメチルシロキシ)シラン)(図15参照)と組み合わせて、上述のようにファイバーに塗布した。このアプローチによるファイバークラッドの区域は、市販のポリジメチルシリコンクラッディング配合物を用いる本発明者らの研究室における市販のプラスチックファイバ又はシリカファイバと同等に効果的に光をガイドした。この実施例は、特定のセンシングプラットフォームとしての物理特性を調整しながら、所望の官能性を含むポリマー及びオリゴマーの合成に対するアプローチの汎用性を示す。
【0050】
ヒドロシリル化重合により調製されたカルボシロキサンポリマーは、架橋に用いられ得る基で本質的に終わる。設計により、これらは、本質的に総ての末端がシリコンヒドライドであってもよいし、あるいは総ての末端がビニル基又はアリル基であってもよい。図15に示すような白金触媒及び多官能性架橋剤の添加は、硬化時に架橋する配合物を得る。ヒドロシリル化は、ビニル基修飾ポリシロキサンを架橋するために慣用的に用いられる多数の反応の一つである。架橋は、上述のような光ファイバーなどのセンサフォーマットに対して要求されるが、他のセンサフォーマットに対しても望ましい。架橋した膜は、表面がディウェッティング(dewetting)しにくい機械的安定性を有するであろう。加えて、架橋した膜は、センサ安定性及び寿命を増強するであろう。Rapp及び共同作業者は、SAWデバイス上のポリシロキサン膜のUV開始フリーラジカル架橋を研究した。非架橋のポリシロキサンと比較して、架橋によりセンサは優れた安定性を有することが見出された。ヒドロシリル化化学は、空気中で簡便に実施することができる架橋のクリーンな反応を提供する。
【0051】
さらに、同じ反応化学により同時に、ポリマー膜は表面にグラフト化され得る。Si−H又はビニル基末端の表面を与えるために、表面をシランで修飾することは周知である。これらの表面基は、ポリマー鎖の幾つかを表面に共有結合させる架橋反応に関係する。このようなグラフト化が実際に起こる証拠は、非架橋膜、架橋膜、及び架橋−グラフト膜を取り除く取り組みにおいて溶剤が用いられる場合に明白である。本発明者らは、軽く架橋した膜は、適切な溶剤によって溶解又は修飾されていない表面から脱離するが、修飾された表面上の対応する架橋膜及びグラフト膜は付着したまま残ることを見出した。
【0052】
本発明者らのポリマー合成、架橋及びグラフト化の全体的なスキームを図16に示す。ヒドロシリル化重合は、化学的選択性のための相互作用基(図中、四角形内部に「I」の文字が含まれている記号で示す)を組み込むポリマー又はオリゴマーを生じさせる。これらは、構造中に組み込まれているレドックス活性中心又はレポーター基(図中、Rで示す)を有するものでもよい。設計により、このアプローチは、架橋のための末端ビニル基(図示)又はシリコンヒドライド基を有する鎖を得る。多官能性架橋剤を有する配合物(ビニル置換又はSi−H置換)及び触媒は硬化可能な膜を呈する。修飾された表面(ビニル又はSi−H修飾)上での同じ手順により、架橋及びグラフト化膜を得ることができる。ゆえに、ヒドロシリル化は、ポリマー合成、ポリマー架橋及びポリマーグラフト化に用いられる。
【0053】
溶解性が架橋及びグラフト化により変動するという事実は、ヒドロシリル化がポリマー膜のフォトパターンニングにも用いられ得るということを示唆する。これは、単に、露光されるまで不活性である触媒を必要とするに過ぎない。白金(II)ビス(アセチルアセトネート)すなわちPt(acac)2などの白金(II)ビス(β−ジケトネート)は、これらの特性を呈する。これらの化合物は、溶液反応、溶液中でのビニルジメチルシランの重合、並びにプレセラミック(preceramic)ポリマー膜の硬化及びパターンニングのための光活性化ヒドロシリル化触媒として用いられている。
【0054】
本発明者らは、この化学が、吸収剤、官能性化シロキサン及びカルボシロキサンポリマーをパターンニングするために有用であることを知見した。例えば、図6は、メチルヒドロジメチルシロキサンコポリマーとビニル末端ポリジメチルシロキサンの反応において、光活性化可能触媒としてPt(acac)2を用いたポリジメチルシロキサン配合物をパターンニングした結果を示す。触媒を活性化するために露光されたこれらの成分のスピンキャスト膜の領域だけが、ヒドロシリル化架橋を受けた。露光後、未露光物質を溶解させて取り除き、パターンを現像した。本発明者らは、この方法により、厚さ50mn〜5ミクロンで膜をフォトパターン化した。図10中、5×5の正方形のアレイは、100ミクロン×100ミクロンの面積の個々の正方形を有する。この図には、対照として人の毛髪を含む。
【0055】
同様に、これらの方法により、種々の他の官能性化吸収剤物質もフォトパターンニング可能である。ビニル官能基化ポリマーと混和性である架橋剤を用いて硬化が行われなければならず、架橋されなかった物質を溶解除去することによりパターンを現像する前に、適切な暗反応時間を与えなければならない。同時に起こる表面へのグラフト化は、パターンを残すためにしばしば必要である。本発明者らは、この態様によって、フェニル置換及びシアノ置換シロキサン配合物をパターン化した。
【0056】
上述の反応は、主として光活性化ヒドロシリル化架橋に基づいているが、パターンニングプロセスの一部として光活性重合も可能である。例えば、本発明者らは、Pt(acac)2、図11に示すビスフェノールモノマー、及び同じモノマーと過剰のα、ω−ジヒドロジメチルシロキサンとの反応により調製して隔離したシリコンヒドライド末端オリゴマーを含むプレポリマー膜を調合した。プレポリマーには少量の架橋剤もまた、含まれる。ビニル修飾シリコン表面での光活性化重合及びパターン現像は、図5に示す線を与えた。
【0057】
あるいは、多官能性架橋剤で官能性化されたモノマー又はオリゴマーを調合することにより、高度に架橋した網目状ポリマーのパターンを得ることもできる。しかし、過剰の架橋は、ガラス−ゴム転移点を顕著に上昇させてしまう。低いガラス−ゴム転移点を維持しながら、パターン現像溶剤によるリンス後に基体上にポリマーパターンを保持するために十分な架橋を得ることは、ポリマー配合、架橋剤、暗反応時間、及び溶剤選択のデリケートなバランスを要求する。
【0058】
本発明者らは、図10に示されている官能基の総て並びにシアノ基を含む種々の官能基をフォトパターン化されたシロキサン又はカルボシロキサンポリマー膜に組み込むことができることを知見した。ゆえに、パターンニングアプローチは、センサ及びセンサアレイにおける使用に対する大きな可能性を有する。
【0059】
水晶マイクロバランス(QCM)及び表面音波(SAW)デバイス等の音波センサは、ポリマー被覆センサアレイの基礎となることが多い。撓みラム波(FPW)デバイスもまた、化学センシング用ポリマーで被覆することができる。この場合、デバイスの活性表面は、シリコンチップ内のエッチピットの底部にある。チップ上のアレイ(アレイオンチップ:array−on−a−chip)を導くシングルチップ上のこれらのデバイスのいくつかを作ることも可能である。次に、これらの個々のエッチピット内の活性デバイスに、異なるポリマーを適用することができる。
【0060】
パッケージ化されたFPWアレイオンチップの絵は、図17に示されている。2種の工業溶剤、トルエン及びメチルイソブチルケトンからの蒸気に対するセンサ応答は、図18に示されている。図10に示す3種のカルボシロキサンポリマー(BSP3、UR3及びCSPH)及び3種の他の市販ポリマー(ポリ(イソブチレン)、OV−275及びEypel−F)でアレイを被覆した。これらの2種類の棒グラフは、最初に図7により示唆されたように、異なる蒸気に対する識別可能なパターンの発生を示す。図18中のパターンは、本発明者らの合理的な設計アプローチに対する基本である化学的選択性原理を支持する。トルエンに対するこれらの種々のポリマーのうち最も感応性があるのは、極化可能なCSPHポリマーである。塩基性メチルイソブチルケトンに対して最も感応性があるポリマーは、BSP3である。
【0061】
ヒドロシリル化化学は、吸収剤ポリマー及び官能性化ポリマー及び薄膜の開発における非常に広範な汎用性を呈する。得られる物質及び配合物の化学特性及び物理特性を制御して、種々のポリマーのセットを調製することができる。この化学は、さらに、架橋、グラフト化、薄膜のパターンニングに利用することができる。これらのタイプの物質及び膜は、化学センサ、センサアレイ、メンブラン、固相抽出、クロマトグラフィー及びラボオンチップ(lab−on−a−chip)用途に対して有用であるか又は潜在的に有用である。
【0062】
図1を参照すれば、本発明の方法が基体を選択する工程10から始まる。基体は、多数の異なるデバイス又は表面から任意に選択できる。基体は、膜に対するキャリアとしてのみ作用しても、膜を支持することに加えてそれ自身が官能性デバイスであってもよい。選択に続き、基体をステーション12で洗浄する。洗浄の好ましい態様は、後述するプラズマクリーナーを用いるものである。ほとんどの場合、次の工程14は、源16からのカップリング剤でコーティングすることによって、基体の表面を修飾するものである。カップリング剤は、グラフト化剤とも呼ばれる。適切なポリマー18、架橋物質20及び触媒22を組み合わせて、ステーション26にて例えばスピンキャスト技術により、膜又はコーティングとしてカップリング剤に塗布される組成物24を形成する。基体を高速回転するターンテーブル上に置き、組成物24を基体の準備された表面上に塗布する。次に、基体上の膜又はコーティングを露光する。これは、光と接触する領域におけるヒドロシリル化反応のトリガーとなる。ステーション28での光源30からの露光に続き、露光された膜又はコーティングを現像する。特に、溶剤を作用させて、組成物コーティングの未露光部分を除去し、表面上に残る吸収剤物質の膜として露光部分を残す。幾つかの実施形態において、吸収剤膜は、基体にグラフト化する。本発明により形成された吸収剤膜は、特異な機能を有し、例えば化学センサとして機能することができる。
【0063】
以下の実施例において、見込みのある物質をシリコンウェハに塗布して、化学種に暴露された場合に、他の化学種よりもある化学種に対して選択性であるように設計された吸収剤膜をウェハ上に残すように処理した。
【0064】
最初に、PDC−3XGプラズマクリーナー(Harrick Scientific Corp.(Ossining, NY10562)製)を用いて、シリコンウェハをプラズマ洗浄した。次に、物質をウェハ表面に塗布して、表面コーティングを形成させた。このとき、物質を塗布する前に、カップリング剤でウェハ表面を予備処理することが必要であった。
【0065】
予備処理のために、基体(ウェハ)をコンデンサ及び窒素源を具備する250mL反応ケトル(テフロン(登録商標)ガスケット)内に置いた。ケトルに、HPLC−グレードのアセトン70mL中カップリング剤0.3gを添加した。実験したシランカップリング剤は、トリエトキシシラン及びトリエトキシビニルシランであった。溶液を約50℃で48時間撹拌した。基体(ウェハ)を冷却した溶液から除去し、クリーンなアセトンで洗浄し、窒素流中で乾燥させ、次いで、使用するまでの間、乾燥チャンバ内に保存した。
【0066】
次に、被覆した表面を紫外線のパターンに暴露させた。ほとんどの実施例において、被覆した基体(ウェハ)をHTG 3Aマスクアライナー内で紫外線光に暴露させた。印刷に近接する大きな領域用に設計したところ、HTGユニットは、高圧水銀ランプからの寿命を延ばし、300〜400mmの間での最終的なビーム強度は約10mW/cm2である。光は均一で、冷却されたウェハに衝突する前にフォトマスクを通ってパターン化されるビーム直径20cmの柱状である。フォトマスクは、鉄酸化物コーティングガラスプレート製で、鉄マスクの領域をエッチング除去することにより、紫外線に対する選択的透過性を付与したものである。これらの実験に対して、鉄マスク内の開口は、28マイクロ幅の線であった。
【0067】
Research Devicesマイクロパターン発生器を用いて、暴露させることもできる。Oriel 500ワット高圧水銀ランプを用い、ニコン顕微鏡を通して、光感応性物質に照光する。この光源は、300〜450nmの間の強い放射照度を有する。ビームを柱状化して、次いで、可変矩形アパーチャを通して焦点を決めることにより形作り、顕微鏡対物レンズを通して焦点を決めることにより採寸した。いずれの寸法においても、5〜500ミクロンの間の矩形スポットが可能である。サンプルにおける紫外線光パワーは、約4000mW/cm2である。精測ステージ(precision stage)をCAD製図に翻訳する際に(as the precision stage is translated around a CAD drawing)、高速度シャッタを開閉することにより、パターンを作る。アパーチャ形状もまた、種々の特徴をパターン化するために必要に応じて、変動する。次に、表面を溶剤で処理して、表面コーティングの未露光部分を除去し、所定の化学種に暴露された場合にその化学種を吸着する吸収剤物質の膜パターンをウェハ上に残す。
実施例1−メチル
以下の実施例は、ポリジメチルシロキサンからなる非極性吸収剤物質のフォトパターニングを説明する。2種のポリマーを触媒と混合した。一方のポリマー(DMS−V31)は、末端ビニル基を有するポリジメチルシロキサンからなる。他方のポリマー(HMS−301)は、鎖に沿って分布しているシリコンヒドライド基を有する。よって、この実施例において、ビニル基含有架橋剤及びSiH基含有架橋剤の両者が重合性である。より詳細には、この実施例は、下記の物質を用いた。
【0068】
【表1】
【0069】
シリコンウェハをプラズマ洗浄して、ウェハの表面に、下記の組成量で3000rpmでのスピンコーティングにより膜を塗布した。
【0070】
【表2】
【0071】
マスクアライナーシステムを用いて、ウェハ上の膜又はコーティングを露光させた。露光後すぐに、表面をキシレンで洗浄して、パターンを現像した。個々の線を、60秒間、120秒間、140秒間、180秒間及び300秒間、露光させた。溶剤は、未露光物質を溶剤で除去して、120秒、140秒、180秒及び300秒の露光に対応する線パターンを残した。60秒だけ露光した線は、キシレン溶剤洗浄でパターンを現像した後、残らなかった。膜又はコーティングを塗布する前に、シリコンウェハ上にカップリング剤(トリエトキシビニルシラン)を用いて、この実施例を繰り返した。カップリング剤を用いた場合には、何らの改良も見られなかった。
【0072】
この実施例により作られたパターンを示してしない。しかし、4本の線を示す以外は、図2及び図3に示したパターンと同様であった。
実施例2−フェニル
以下の実施例は、フェニル置換基を有するポリシロキサンのフォトパターニングを説明する。これらは、ポリジメチルシロキサンよりも、センシングポリマーの極性化を増加する。この実施例におけるポリマーは、50%フェニル置換であり、鎖に沿ってランダムに分布している1%ビニル置換基を含む。架橋剤は、単純な4官能基架橋剤であり、これは4個のシリコンヒドライド基を有することを意味する。ゆえに、この実施例は、単分子シリコンヒドライド含有架橋剤で、ポリマーと、ランダムに分布しているビニル基とを架橋する。より詳細には、この実施例は、以下の物質を用いた。
【0073】
【表3】
【0074】
シリコンウェハを上述のようにプラズマ洗浄した。次に、洗浄した表面をトリエトキシビニルシランで予備処理して、表面にポリマー(OV−17)をグラフト化させるための表面結合ビニル基を置いた。予備処理した表面に、以下の組成量を3000rpmでのスピンコーティングにより膜又はコーティングを塗布した。
【0075】
【表4】
【0076】
マスクアライナーシステムを用いて、ウェハ上の表面コーティングを紫外線に露光させた。個々の線を、40秒間、80秒間、100秒間、120秒間及び160秒間、露光させた。次いで、露光した膜を18時間、暗室に置いて、その後、ジクロロメタン:ヘキサン(1:1)洗浄溶液を用いてパターンを現像した。溶剤で未露光物質を除去して、露光時間に対応する線のパターンを残した。
【0077】
ウェハ予備処理を行わない場合、及びトリエトキシシランを用いてウェハ予備処理を行う場合の両者について、実施例2の手順を繰り返した。予備処理を行わなかった場合、線は保持されなかった。カップリング剤の何れかを用いた場合には、線が保持された。トリエトキシビニルシランを用いる場合には、パターンに対してより識別可能なエッジが存在するので、このカップリング剤が好ましい。
【0078】
実施例2により作られたパターンを図2及び図3に示す。
実施例3−シアノ
以下の実施例は、シアノ置換基を含むポリシロキサンのフォトパターンニングを示す。これらは、ポリジメチルシロキサンに対して、検出ポリマーの双極性及び偏倚性(basicity)を増加する。この実施例中のポリマーは、50%シアノプロピルメチル置換及び50%フェニルメチル置換であり、鎖に沿ってランダムに分布している1%ビニル置換基を含む。架橋剤は、単純な4官能基架橋剤であり、これは4個のシリコンヒドライド基を有することを意味する。ゆえに、この実施例は、単分子シリコンヒドライド含有架橋剤で、ビニル極性官能基とランダムに分布しているビニル基とを組み合わせる。より詳細には、以下の物質を用いた。
【0079】
【表5】
【0080】
上述の態様でシリコンウェハをプラズマ洗浄し、表面をトリエトキシビニルシランで予備処理して、表面にポリマーをグラフト化させるための表面結合ビニル基を残した。予備処理した表面に、以下の溶液組成物を用いて3000rpmでのスピンコーティングによりコーティングを塗布した。
【0081】
【表6】
【0082】
上述の手順を2回繰り返した。1回は予備処理なしであり、1回はカップリング剤としてトリエトキシシランを用いて、グラフト用の表面結合Si−H基を残した。両方のカップリング剤を用い、マスクアライナーシステムを用いてウェハを紫外線に露光させた。個々の線を露光させて、現像溶剤としてジクロロメタン:ヘキサン(1:1)を用いてパターンを現像する前に、18時間、暗室に置いた。両方の場合において、溶剤は、未露光物質を除去して、露光した線に対応する線パターンを残した。表面予備処理は、結果に顕著な効果を有していた。表面をトリエキシシラン又はトリエトキシビニルシランのいずれでも予備処理しなかった場合には、線が残らなかった。ゆえに、表面をグラフト化剤で予備処理しなかった場合には、ポリマーは表面にグラフト化されず、線が保持されない。トリエトキシシラン又はトリエトキシビニルシランのいずれかを用いた場合には、線が保持された。
【0083】
この実施例により作られたパターンは図4に示されている。全3本の線が保持されているが、幾つかのエッジ損失がみられた。
実施例4−BSP
以下の実施例は、ビスフェノール含有ポリカルボシリキサンポリマーのフォトパターン膜の調製を説明する。ビスフェノール基は、塩基性被検物との相互反応を増強するポリマー水素結合酸性を作る。光開始剤を用いて、重合化し、ポリマーの架橋及びグラフト化を行った。初期組成は、2個のアリル基を有するモノマー、シリコンヒドライド基末端を有するオリゴマー、分子架橋剤及び光活性化可能触媒からなるものであった。オリゴマーを合成した。より詳細には、この実施例は、以下の物質を用いた。
【0084】
【表7】
【0085】
シリコンウェハを上述の態様でプラズマ洗浄し、洗浄された表面をトリエトキシビニルシランで予備処理して、表面にポリマーをグラフト化するための表面結合ビニル基を残した。予備処理した表面に、以下の組成量で、3000rpmでのスピンコーティングにより、コーティングを塗布した。
【0086】
【表8】
【0087】
実施例を2回繰り返した。1回は予備処理なしで、1回はトリエトキシシランを用いて予備処理した。各場合において、マスクアライナーシステムを用いて、コーティングを紫外線に露光させた。個々の線を2分間、1分30秒間、10分間(two and one half and ten minutes)暴露させた。次に、ウェハを暗室に18時間置いた。18時間の終点において、ジクロロメタン:ヘキサン(1:1)を現像溶液として用いて、コーティングを現像させた。この溶剤は、未露光物質を除去して、露光した物質から構成される線のパターンを残す。表面処理は、結果に顕著な効果を有していた。トリエトキシシランを用いた場合及びトリエトキシビニルシランを用いた場合の両者とも、線が保持された。トリエトキシシラン又はトリエトキシビニルシランのいずれも用いなかった場合には、線が保持されなかった。ゆえに、表面を処理しない場合には、ポリマーは表面にグラフト化せず、線が保持されない。この実施例により作られたパターンは図5に示されている。全3本の線は保持されていた。
実施例5−トリアドコーティングビスフェノール−モノマー及びシロキサン(DN96)
ヘキサメチルトリシロキサン基(トリアド)末端ビスフェノール−Aモノマーを以下の態様で調製した。2,2−ビス(3−アリル−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(2.85g、0.0068モル)を、磁気的に撹拌した100mlトルエン中1,1,3,3,5,5−ヘキサメチルトリシロキサン(14.3g、0.068モル)溶液に添加した。この溶液に、キシレン中Pt−1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン2滴を添加した。溶液を100℃まで18時間かけて加熱した。溶液を冷却して、活性炭で24時間撹拌し、真空シリンジ濾過技術を用いて濾過した。溶剤及び過剰のヘキサメチルジシロキサンを蒸留により除去した。150℃超過では、生成物のゲル化により、真空蒸留は不首尾であった。麦藁色(淡黄色)のオイル(トリアド)の収率は、推定Mw833の3単位を基準として、5.4g又は95%であった。主要生成物を識別するために、予備的HPLCを用いた。この主要フラクションに含まれていた組成は、以下の通りであった。
【0088】
【表9】
【0089】
実施例6
実施例1と同様の組成物をResearch Devicesマイクロパターン発生器を用いて、フォトパターン化し、図6に示す結果を得た。これは、大きさを示すために人の毛髪に隣接する多重線、矩形及び三角形のより複雑なパターンを説明する。
【0090】
説明してきた実施形態は、本発明の例示に過ぎず、何ら限定するものではない。本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、本発明の特定の構造、物質及び特性における多くの変更がなされてもよいことは理解されるであろう。したがって、本発明は、本明細書に記載した特定の実施形態によっては制限されず、特許請求の範囲によって規定されるものであり、その均等範囲を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は、本発明の幾つかの側面を特長づける工程のフローダイアグラムである。
【図2】
図2は、フェニル置換基を含むポリシロキサンのフォトパターンニングを示す写真である。
【図3】
図3は、フェニル置換基を含むポリシロキサンのフォトパターンニングを示す写真である。
【図4】
図4は、シアノ置換基を含むポリシロキサンのフォトパターンニングを示す写真である。
【図5】
図5は、ビスフェノール含有ポリカルボシロキサンポリマーのフォトパターン膜を示す写真である。
【図6】
図6は、ヒトの毛髪に隣接する現像イメージを示すフォトパターン膜の写真である。
【図7】
図7は、各々異なるセンシングコーティングを有し、棒グラフ形式におけるパターンとして現れる検体に対する変動可能な応答を生じさせる幾つかのセンサのコンセプトを示す。
【図8】
図8は、Ptなどの貴金属触媒の存在下にて、炭素−炭素二重結合を横切るシリコンヒドライド(Si−H)結合の追加によるケイ素−炭素(SidC)結合の形成を含むヒドロシリル化反応のダイアグラムである。
【図9】
図9は、3種の重合化反応を示す。
【図10】
図10は、ヒドロシリル化化学を用いて調製された4種の吸収剤及び官能性化ポリマーを示す。
【図11】
図11は、図10に示すポリマー及び他のポリマーの調製に用いられるモノマーの幾つかを示す。
【図12】
図12は、塩基性蒸気とのBSPポリマーの相互反応を示す。
【図13】
図13は、ジメチルメチルフォスフォネート、神経刺激剤に対してテストした場合の、BSP3、フルオロプロピル(FPOL)及びポリジメチルシロキサン(PDMS)で被覆されたSAWセンサに対する較正曲線を示す。
【図14】
図14は、図11に示すビスフェノールモノマーとフェロセン誘導モノマー
とを組み合わせることにより製造したポリマーを示す。
【図15】
図15は、白金触媒の存在下で、硬化時に架橋する配合物を作る多官能性架橋剤を示す。
【図16】
図16は、カルボシロキサンポリマーのポリマー合成、架橋及びグラフトに対する全体的なスキームの特性を示す。ポリマーは、炭素−炭素多重結合よりもむしろシリコンヒドライド結合にて終止してもよく、架橋剤及び表面はシリコンヒドライド結合よりもむしろ炭素−炭素多重結合を含むものでもよいことに留意されたい。
【図17】
図17は、チップ上のパッケージされたFRWアレイの写真である。
【図18】
図18は、2種の工業溶剤、トルエン及びメチルイソブチルケトンからの蒸気に対するセンサ応答のグラフである。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for preparing an absorbent film and a functionalized film using hydrosilylation chemistry, a method for grafting to a surface, and a method for photopatterning. Furthermore, the present invention relates to a film and a device using the film, such as a chemical sensor.
[0002]
BACKGROUND OF THE INVENTION
As used herein, a “photopatternable film” refers to a substance that can be patterned on a localized domain on a surface using light, and that can change material properties. Say. Exposure initiates a process that creates a difference in solubility of the material between the exposed and unexposed areas. After exposing the selected area (domain), using a solvent, remove any non-exposed area and leave a patterned local area consisting of the exposed area, or while leaving the non-exposed area, The material may be designed so that the exposed area is removed by the action of the solvent. The action of the solvent is used to develop a pattern in the film that was uniform prior to exposure.
[0003]
"Absorbent membrane" refers to a membrane made from a substance that absorbs a species that diffuses through the membrane material when exposed to the species.
[0004]
"Functionalized membrane" refers to a membrane that has interactive properties derived from chemical structural units within the membrane. These interaction characteristics make the membrane suitable for a particular application, for example, a device such as a microanalyte and a chemical sensor.
[0005]
"Chemical selectivity" means that the membrane adsorbs certain species over other species, and refers to the selectivity for more strongly adsorbed species. Chemoselectivity is important for the stability of the membrane for certain applications, for example, microanalytical applications such as chemical sensors.
[0006]
The precursor molecule may be a monomer, oligomer, polymer, or a cross-linking agent incorporated into the composition.
[0007]
Chemoselective absorbent membranes can be designed to be more selective for certain chemical species than for other chemical species by incorporating chemical structural units that confer specific interaction properties.
[0008]
There is a need for chemical interaction sorbent materials and formulations that can be patterned on devices and structures. There is also a need for a method of providing an absorbent material that has the specific chemical interactions required for microanalytical functions in certain applications and can be patterned on device structures. Further, there is a need to be able to create a variety of such materials and formulations, each having different chemical interaction properties, but which can be patterned into domains on the device structure.
[0009]
A primary object of the present invention is to use hydrosilylation chemistry on cross-linked polymerizable films that have been exposed. Thus, the crosslinked areas have a different solubility in the developing solvent than the uncrosslinked areas. The developing solvent is used to remove the unexposed and uncrosslinked areas of the film and leave the exposed and crosslinked areas of the film. Hydrosilylation chemistry is useful for this purpose because it is selective. This chemistry can be used to crosslink a variety of materials without affecting other chemicals.
[0010]
Another object of the present invention is to use hydrosilylation chemistry to convert exposed monomers and oligomers into polymerizable films. Another object is to crosslink the polymerizable film when forming a polymerized film from the monomers and oligomers provided in the film composition.
[0011]
It is another object of the present invention to simultaneously graft and crosslink and / or polymerize the absorbent membrane on the surface. It is an object of the present invention to use a hydrosilylation catalyst which is inert until exposure. When activated by light, the hydrosilylation catalyst initiates a hydrosilylation reaction within the membrane that polymerizes, crosslinks, and / or grafts the membrane. It is a further object of the present invention to use a polymer or prepolymer on the surface that has been modified so that grafting can occur, and to use a catalyst to initiate the grafting process.
[0012]
It is a further object of the present invention that it is incorporated into a composition that reacts by hydrosilylation when exposed to a sufficient amount of one type of light to react with the chemical species when exposed to a species. Developing a combination of precursor molecules that creates an absorbent membrane that selectively adsorbs species. In order to react in the composition, the precursor molecules need to be miscible. Accordingly, it is an object of the present invention to prepare combinations of precursor molecules that are miscible and react to create a chemoselective absorbent membrane. It is a further object of the present invention to combine the functionalized monomer with an oligomer that is derived from the same monomer. This approach, in which both the monomer and the oligomer are derived from the same molecule, ensures that the two precursor molecules are mutually miscible in the film. Thus, a monomer having two carbon-carbon multiple bonds may be combined with an oligomer derived from the formation reaction of the same monomer with an excess of α, ω-dihydrooligodimethylsiloxane to make the oligomer. Here, the obtained oligomer contains the above-mentioned monomer and has a silicon hydride bonding terminal.
[0013]
The following patents and publications should be considered carefully in correctly interpreting the present invention in connection with the prior art. U.S. Pat. S. Patent No. U.S. 5,145,886 (Patent September 8, 1992, Joel D. Oxman, Larry D. Boardman); . S. Patent No. 6,015,869 (Patent January 18, 2000, Jay W. Grate, Steven N. Kaganove); PCT Application No. WO 92/10529 (Applicant: the Minnesota Mining And Manufacturing Company, USA, published on June 25, 1992); PCT Application No. WO 92/10544 (Applicant: Minnesota Mining And Manufacturing Company; published date June 25, 1992); Lewis and Gwen D. Salvi, "Platinum (II) Bis (6-diketonates) as Photoactivated Hydrosilation Catalysts, Inorganic Chemistry", 1995, 34, 3182-3189; Fly and D.S. C. Nickers, "Rapid Photoactivated Hydrosilation Polymerization of Vinyldimethysilane", Macromolecules 1996, 29, 5306-5312; Bryan E. Free, Andrew Guo, D.C. C. Neckers, "Photoactivated Hydrosilation Curing of a Ceramic Precursor; Crosslinking and Pyrolysis of branched oligo [(methylsilylene) methylene], Journal of Organiometallic Chemistry 538 (1997), 151-161; Andrew Guo, Bryan E. Fry and Douglas C. Neckeres, "Highly Active Visible-Light Photocatalysts for Curing a Ceramic Precursor", Chemistry Materials, 1998, 10, 531. 536.
[0014]
Summary of the Invention
The present invention includes a method of forming an absorbent film that selectively adsorbs a chemical species when exposed to the chemical species. The method comprises a first precursor molecule comprising at least two silicon hydride groups, a second precursor molecule comprising at least two carbon-carbon multiple bonds, and a photoactivatable catalyst. Placing the composition on a substrate. At least a portion of the composition is exposed to a type of light in an amount sufficient to cause a hydrosilylation reaction on the exposed composition.
[0015]
Another method aspect of the invention includes exposing the composition to a predetermined pattern of light, leaving unexposed areas. Next, the unexposed composition is removed from the substrate using a solvent, leaving an exposed pattern to form an absorbent polymer film that selectively adsorbs the chemical species when exposed to the chemical species.
[0016]
Another method aspect of the invention involves pre-treating the substrate surface with a coupling agent that modifies the surface to have groups that can participate in a hydrosilylation reaction with a subsequently applied membrane composition. . For example, the surface may be modified to include covalently bonded silicon hydride groups or covalently bonded carbon-carbon multiple bonds. While coupling agents such as triethoxysilane and triethoxyvinylsilane are suitable coupling agents, many other coupling agents are known in the art. For example, from the group of trialkoxysilane, trimethoxysilane, triethoxysilane, trichlorosilane, trialkoxyvinylsilane, trimethoxyvinylsilane, triethoxyvinylsilane, trichlorovinylsilane, alkoxydimethylsilane, chlorodimethylsilane, alkoxydimethylvinylsilane and chlorodimethylvinylsilane Coupling agents selected can include, but are not limited to. A composition comprising a first precursor molecule comprising at least two silicon hydride groups, a second precursor molecule comprising at least two carbon-carbon multiple bonds, and a photoactivatable catalyst. Exposing at least a portion of the composition, upon the modified surface, to a type of light in an amount sufficient to initiate a hydrosilylation reaction. These reactions graft the membrane material to the surface by creating a covalent silicon-carbon bond between the membrane material and the surface groups. These grafting reactions occur simultaneously with the polymerization and crosslinking reactions in the membrane material. These result in a chemoselective absorbent membrane on the surface that selectively adsorbs the species when exposed to the species.
[0017]
Yet another method aspect of the invention is a phenyl substituted polysiloxane (50% phenyl, 1% random vinyl); 1,3-diphenyl-1,1,3,3-tetrakis (dimethylsiloxy) disiloxane, cyano substituted Polysiloxane (cyanopropimethyl-phenylsiloxane) and 1% random vinyl, 1,3-diphenyl-1,1,3-3-tetrakis (dimethylsiloxy) disiloxane, hexamethyltrisiloxane-terminated monomer having allyl Bisphenol A containing (group: 2,2,2-bis (3-allyl-4-hydroxyphenyl) hexafluoroplan) (3-allyl, 4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane; 1,3-diphenyl-1,3 Using a composition containing 2,3-tetrakis (dimethylsiloxy) disiloxane Is Rukoto.
[0018]
Another method aspect of the present invention relates to an effective amount of phenyl substituted polysiloxane (50% phenyl, 1% random vinyl), 1,3-diphenyl-1,1,3-3-tetrakis (dimethylsiloxy) disiloxane. Using a composition comprising an effective amount and an effective amount of a photoactivatable catalyst.
[0019]
Another aspect of the invention relates to an effective amount of cyano substituted polysiloxane (cyanopropimethyl-phenylsiloxane) and 1% random vinyl, 1,3-diphenyl-1,1,3,3-tetrakis (dimethylsiloxy) disiloxane. And an effective amount of a photoactivatable catalyst.
[0020]
Another method aspect of the present invention relates to a hexafluorobisphenol A containing a monomer having two allyl groups, an effective amount of (2,2-bis (3-allyl-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, the same bisphenol Effective amounts of silicon hydride terminated oligomers prepared during the reaction with hexamethyltrisiloxane, 1,3-diphenyl-1,1,3,3-tetrakis (dimethylsiloxy) disiloxane, and photoactivatable Including the use of a composition comprising an effective amount of a catalyst.
[0021]
The invention further includes an absorbent polymer membrane created by the method and a chemical sensor created by the method.
[0022]
Other objects, advantages and features of the present invention will become apparent from the following best embodiments, drawings, claims, and theory embodied in the particular structure illustrated and described. .
[0023]
Detailed description of the invention
In the drawings, the same components have the same reference characters allotted.
[0024]
Detailed description of the invention
Absorbent polymers and functionalized polymers play important roles in a variety of fields including chemical sensors, separation membranes, solid phase extraction techniques and chromatography. Absorbent polymers play an important role for many sensor arrays or "electric nose" systems. The responsiveness of a sensor in an array exhibits a pattern that can be used to distinguish one compound from another as long as a sufficiently large variety of sensing substances are present in the array. FIG. 7 illustrates the concept of several sensors (each with a different sensing coating) exhibiting a variable response to an analyte that appears as a pattern in a bar graph format. By using hydrosilylation as the bond-forming reaction, we have developed a versatile and efficient approach to developing absorbent polymers with diverse interaction properties for sensor applications. Both the chemical and physical properties of these polymers are predictable and tunable by design.
[0025]
Many types of sensing devices can and are used in sensor arrays for gas-phase vapor detection. These arrays include various interactive coatings on multiple sensors, resulting in multiple variate data being analyzed by pattern recognition techniques. The array detector is sometimes called an electric nose. This is because the nose uses multiple receptors, and the signals are processed by a neural pattern recognition process. Some of the best known examples of gas-phase sensor arrays use polymers as interactive coatings.
[0026]
Arrays based on acoustic sensors use a quartz crystal microbalance (QCM), surface acoustic device (SAW) or flexural plate wave (FPW) device as the sensor transducer. A signal is generated that is proportional to the mass of vapor absorbed by each polymer coating on the device surface. The observed signal may further include a polymer modulus change contribution.
[0027]
Vapor absorption by the absorbent polymer may also be converted using a chemiresistor configuration where the insulating polymer is loaded with 20% (typical amount) of carbon black particles. Vapor sorption expands the insulating polymer and increases resistance through the polymer / carbon black composite. These types of chemical resistor sensors serve as the basis of a sensor array.
[0028]
Alternatively, the absorbent polymer can act as a matrix for a fluorescent dye such as Nile Red. Vapor absorption fluctuates the fluorescent signal from the incorporated dye molecules. The array is prepared with different dyes in different polymers on the end of the fiber optic bundle.
[0029]
The polymer can collect and concentrate vapor molecules on the sensor surface by reversible sorption, is suitable for application on devices as a thin adhesive film, and the chemical selectivity is determined by the chemical structure That is, it is a substance useful for chemical vapor detection because it can be easily varied by synthesis. Polymers can provide sensors with fast, reversible, and reproducible responsiveness. In addition, a wide variety of polymers can be used in combination in sensor arrays, providing variable selectivity across the array required to obtain useful chemical information for pattern recognition analysis.
[0030]
The polymer's chemical interaction properties for chemical vapor detection have been systematically tested using the linear solvent energy relationship (LSER). These linear free energy relationships model vapor sorption by polymers in elementary interactions such as dispersion interactions, interactions involving dipolar and induced bipolar, and hydrogen bonding interactions. Models according to this approach can be used for prediction and understanding, the latter usually being the most important. The role of LSER for designing basic vapor / polymer interactions and sensor arrays was first detailed in 1991. Subsequent handling has shown applicability to many relevant aspects of chemical sensor development. Sensor array design for the detection of organic vapors requires the selection of a set of polymers that emphasize the different interactions leading to the requirement for polymers to be non-polar, polarizable, bipolar, hydrogen-bonded basic, and hydrogen-bonded acidic. Accompany.
[0031]
However, the required chemical interaction properties alone are not sufficient for a polymer to be useful as a chemical sensor. The sensing polymer must also have a number of desired physical properties. The usually desirable rapid chemical sensor response is facilitated by polymers whose glass-rubber transition point is below the operating temperature of the sensor. Vapor diffusion in and out of the polymer is rapid under these conditions. The response time of sensors with glassy polymers is typically much slower than with rubbery polymers. Methods of applying materials as thin films to chemical sensors may place demands on polymer or prepolymer formulations. For example, solubility in an organic solvent may be required, or some viscosity for the prepolymer may be required as part of the coating process. Certain sensing platforms may impose their own requirements, such as reflectance requirements for optical sensors. Therefore, the synthesis of polymers for sensor or sensor array applications must take into account not only the chemical interactions being studied in detail, but also the desired physical properties for membrane applications and sensor performance.
[0032]
Providing diverse performance criteria for the optimal sensing polymer, it is diverse enough to obtain individual polymers that combine the desired chemical and physical properties, as well as creating different sets of materials for different applications and arrays It is useful to have a single synthesis approach that allows for In this embodiment, there is no new specific synthetic problem for each new sensing substance. In addition, it is desirable to be able to tailor and formulate these polymers for various types of sensing devices that may impose different demands on physical properties and thin film deposition methods.
[0033]
With these considerations, we have investigated the use of hydrosilylation polymerization for the design and synthesis of polymers for sensors and sensor arrays. In its most typical form, the hydrosilylation reaction is carried out in the presence of a noble metal catalyst such as Pt by the addition of silicon hydride (Si-H) bonds across carbon-carbon double bonds. -C) formation of bonds. See FIG. If the first monomer has two carbon-carbon double bonds and the second monomer has two silicon hydride groups, a linear polymer with alternating monomers can be formed. Three types of these polymerization reactions are shown in FIG. Typically, the monomer having two silicon hydride groups is an α, ω-dihydroorganosiloxane, but may be a monomer such as diphenylsilane. The monomer having two carbon-carbon double bonds may be an oligosiloxane or an organic diene. Polymers that combine siloxy and carbon-carbon bonds in the polymer backbone are called carbosiloxane polymers. When the monomer having two carbon-carbon bonds is an organic compound and the second monomer is α, ω-dihydroorganosiloxane, an organic-inorganic hybrid polymer is obtained.
[0034]
In most of the prototypes of hydrosilylation polymerization, the substituents on silicon were typically methyl, ethyl, or phenyl, and hexachloroplatinic acid was used as a catalyst. The reaction of isoprene with α, ω-dihydrododecamethylhexasiloxane was an early example of an organic / inorganic material prepared by hydrosilylation polymerization (see FIG. 9). Despite the fact that the use of hydrosilylation reactions for polymerization was shown as long as 35 years ago, recently in 1993 "the direct use of hydrosilylation reactions in the preparation of organosilicon polymers was very long. For a while. " Furthermore, in 1994, initial work on using hydrosilylation polymerization was found to "obtain only low molecular weight oligomer products" and "a versatile reaction to the synthesis of true high molecular weight linear polymers is still to be seen. It has not been successfully developed. " It has been shown that a "true high molecular weight polymer" methyl-substituted polymer can be obtained by this reaction using a Pt divinyltetramethyldisiloxane catalyst rather than hexachloroplatinic acid.
[0035]
Can raise a problem. The answer to "Why synthesize a sensing polymer?" Is to (1) propose a rational design theory for research in the development of sensing materials, and (2) prepare materials with selectivity not available in commercial polymers ( 3) to overcome the performance deficiencies of commercial polymers as layers on the sensor; (4) to obtain strict control over composition and properties; To prepare materials that combine chemical interaction properties (6) To prepare polymers and prepolymers that can be cross-linked and / or grafted onto surfaces (7) Polymers for use as sensing thin films on various sensing platforms and To prepare and apply the prepolymer blend.
[0036]
The following focuses on the development of polymers and polymer thin films for chemical sensors and arrays using hydrosilylation chemistry.
[0037]
The hydrosilylation polymerization method can incorporate various organic structures and functional groups into the polymerized structure. The hydrosilylation reaction is selective and allows many functional groups, including esters, nitriles, amines, amides, nitro, ketones, ethers, phosphates, sulfides, and sulfones, to name a few. In addition, it is well known that oligosiloxane segments in polymers often lead to low glass-rubber transition points. Thus, this polymerization approach provides two key criteria for the synthesis of chemical sensing polymers, the ability to prepare different polymers with various functional groups, and the preparation of polymers with low glass-rubber transition points. To be able to do. The functional group can be chosen to obtain the vapor / polymer interaction described above. The length of the oligodimethylsiloxane units can be varied to affect the glass transition point and other physical properties.
[0038]
This approach also has many other desirable features. The bond forming reaction forms a silicon-carbon bond and does not introduce polar functionality into the final material. Thus, the bond-forming reaction itself does not "bias" the selectivity of the final polymer, as if all polymers were formed, for example, by amide or ester bonds. The method allows for control of the functionality of the terminal groups. The polymer or oligomer may be primarily terminated by a carbon-carbon double bond or a silicon hydride bond, which may be useful for subsequent crosslinking of the polymer membrane (see below). Alternatively, chain end reactivity may be used for endcapping with a particular molecule or functional group. In addition, the method can carefully prepare oligomers rather than polymers when the ratio of monomers is not 1: 1. Thus, this polymerization approach offers the opportunity to tailor the molecular weight distribution for the polymer or prepolymer blend.
[0039]
FIG. 10 illustrates four absorbent and functional polymers prepared by the present inventors by the present method. Some of the monomers used to prepare these and other polymers are shown in FIG. Each polymer in FIG. 10 is designed to emphasize different properties and interactions. Methyl-substituted carbosiloxane polymers (referred to as CSME in the figure) are non-polar substances that absorb aliphatic hydrocarbons well. It is the same or similar to the other carbosiloxane polymers prepared above (see FIG. 9) and has similar absorption properties to poly (dimethylsiloxane) and poly (isobutylene).
[0040]
Phenyl substituted polymers (CSPH) were prepared because phenyl groups provide better polarizability than simple aliphatic groups. On the sensor, these polymers exhibit selectivity for aromatic and chlorinated hydrocarbons such as benzene, toluene, ethylbenzene and xylene (BTEX). Classification of these compounds is an environmental pollutant of interest. Other phenyl-substituted polymers with a low glass-rubber transition point are available, such as gas chromatography stationary phase OV-25, but to control the composition, properties and formulation for the sensing membrane, we have developed our own. Was prepared. OV-25 is a polysiloxane having 75% phenyl substitution and 25% methyl substitution. Similarly, CSPH was designed to have a high proportion (67%) of phenyl to methyl groups. However, commercial OV-25 appears to have slight hydrogen bonding acidity, probably due to the remaining Si-OH groups. This impairs the desired chemical selectivity. According to our experience, commercial polymers often contain functionalities or contaminants that are not exhibited by the nominal polymer structure, and sometimes these can be found in the infrared spectrum. In addition, we have observed irregular behavior of OV-25 coated SAW devices under wet conditions. These were solved experimentally when our carbosiloxane polymer was used instead.
[0041]
To obtain a basic polymer for a chemical sensor array, a polymer containing a urea group UR3 was prepared. Urea groups are very basic and are known to be bipolar. The hydrosilylation polymerization proceeded smoothly, and this material provided a chemical sensor that exhibited excellent behavior when applied to SAW devices. Other basic polymers such as polyvinylpyrrolidone and polyethyleneimine have basic properties and have been applied to SAW devices as sensing coatings. However, polyvinylpyrrolidone does not have the desired low glass-rubber transition point, and poly (ethyleneimine) makes the sensor poorly reproducible. Again, the shortcomings of commercially available materials for the uses of the present invention have prompted us to synthesize basic polymers with low glass-rubber transition points.
[0042]
The bisphenol-containing polymer BSP3 is one of the useful substances that we are most interested in. This polymer was rationally designed to have strong hydrogen bonding acidic properties that are desirable to absorb basic vapors. There are numerous basic organic solvents that are used industrially and that one would like to detect. In addition, vapors such as nerve gas, which are a national security concern, are strong hydrogen bonding bases. Recent studies have shown that this class of polymer is also useful for detecting nitroaromatic explosives. Therefore, the need for a strong hydrogen-bonded acidic polymer for basic vapor detection is apparent. In addition, these polymers are desirable in sensor arrays to highlight chemical differences within the sensor array.
[0043]
Considering the chemical structure leading to the hydrogen bonding acidity will guide the choice of fluorinated alcohols and phenols as the functionality to be incorporated into the polymer. However, polymers having these functionalities and having a low glass-rubber transition point are not commercially available. Therefore, a number of synthetics were prepared and scrutinized as the sensing phase. Most of these incorporate hexafluoroisopropanol species as hydrogen bonding acidic groups.
[0044]
Studies several years ago compared the hydrogen bonding acidity of several propyl or allyl substituted bisphenol structures using reverse phase gas chromatography and LSER. The fluorinated bisphenol-A structure was substantially more hydrogen bonded acidic than the non-fluorinated analog, indicating that fluorination improved the sorption of basic compounds by a factor of 100 or more. These considerations have provided reasonable design criteria for the synthesis of polymers containing a fluorinated bisphenol structure in the polymer chain. The BSP3 polymer shown in FIG. 10 has three silicon atoms in a repeating unit. Variants having longer oligosiloxane units have also been synthesized. The interaction of the BSP polymer with the basic vapor is shown in FIG.
[0045]
Experiments on SAW sensors have shown that these phenolic polymers are useful for the detection of basic vapors and nerve agent simulants and have properties equal to or better than the preceding substances in this category. . FIG. 13 shows a calibration curve for a SAW sensor coated with BSP3, Fluoropropyl (FPOL), and Polydimethylsiloxane (PDMS) when tested against dimethyl methyl phosphate, a nerve gas stimulant. FPOL is a previously described sensing coating for nerve gases, and PDMS is an example of an absorbent polymer lacking functionality designed for basic vapor sorption. For signals above 20,000 Hz, only 8 mg / m using BSP3 3 Is observed at a concentration of This corresponds to a concentration of 1-2 ppm, suggesting that the detection limit for a minimum detection signal of 10 Hz is about 1 ppb.
[0046]
Together, the polymers in FIG. 10 can provide the desired chemical differences in small sensor arrays. Further, it is worth noting the diversity of monomers that can be applied to this synthetic approach, some of which are shown in FIG. There are many organic dienes that can be combined with an α, ω-dihydroorganosiloxane to obtain a carbosiloxane polymer. The monomers on the left side of FIG. 11 can basically be combined with the monomers on the right side. This is not the combinatorial chemistry itself, but preparing polymers in separate batches rather than in parallel, and effectively preparing different materials with different combinations of a limited number of starting monomers. It explains the principle that it can be done.
[0047]
We have prepared the ferrocene derived monomer shown in FIG. 11 in which ferrocene has been added to an oligosiloxane chain ending in a Si-H group. We have successfully combined this monomer with the bisphenol monomer, also shown in FIG. 11, to prepare the repeating unit polymer shown in FIG. Cyclic voltammetry of both the solution and the thin film of the resulting material confirmed the presence of redox-active ferrocene groups. The usefulness of electrofunctional polymers in analytical science, especially sensor development, is of interest. In particular, by combining the ferrocene-containing monomer with various monomers or other organic dienes on the left side of FIG. 11, an entire series of functionalized redox-active polymers can be prepared.
[0048]
It is also possible to change the properties of these materials to meet other sensor requirements. The inventors have been interested in coating hydrogen-bonded acidic polymers as cladding on silica optical fibers. This platform imposed a requirement that the reflectivity of the polymer be lower than that of silica (about 1.46) in order to guide light efficiently. In addition, the material had to be formulated as a prepolymer that could be coated onto freshly drawn fiber from the melt using an automated optical fiber draw tower. The prepolymer was then cured in a tube furnace before winding the clad fiber on the drum of the fiber drawing system. To send the prepolymer through a 1/4 inch or 3/8 inch tube to the cladding cup, a viscosity in the range of 1000-3000 centipoise was desired. Since BSP3 has a reflectance of 1.48 and is a rubber phase, it is not suitable for directly using for this purpose.
[0049]
We have used α, ω-dihydroorganosiloxanes as macromers (80 dimethylsiloxy bonds) under conditions leading to low molecular weight products to obtain viscosities in the range of 1500 cSt and reflectivity of 1.42 A liquid prepolymer was prepared. One equivalent of this macromer was reacted with 2 equivalents of the fluorinated bisphenol in FIG. 11 to obtain an allyl-terminated bisphenol-containing prepolymer. This material was applied to the fiber as described above in combination with a platinum catalyst and a miscible crosslinker having three Si-H groups (phenyltris (dimethylsiloxy) silane) (see FIG. 15). The area of the fiber cladding by this approach guided light as effectively as commercial plastic or silica fibers in our lab using a commercial polydimethylsilicon cladding formulation. This example illustrates the versatility of the approach to the synthesis of polymers and oligomers containing the desired functionality, while tailoring the physical properties as a particular sensing platform.
[0050]
Carbosiloxane polymers prepared by hydrosilylation polymerization essentially terminate in groups that can be used for crosslinking. Depending on the design, they may be essentially all terminated with silicon hydride or all terminated with vinyl or allyl groups. Addition of a platinum catalyst and a polyfunctional crosslinking agent as shown in FIG. 15 results in a formulation that crosslinks upon curing. Hydrosilylation is one of many reactions commonly used to crosslink vinyl-modified polysiloxanes. Crosslinking is required for sensor formats such as optical fibers as described above, but is also desirable for other sensor formats. Crosslinked membranes will have mechanical stability that makes the surface less likely to dewet. In addition, the crosslinked membrane will enhance sensor stability and lifetime. Rapp and coworkers have studied UV-initiated free radical crosslinking of polysiloxane films on SAW devices. It has been found that cross-linking makes the sensor have better stability compared to non-cross-linked polysiloxanes. Hydrosilylation chemistry provides a clean reaction of crosslinking that can be conveniently performed in air.
[0051]
Furthermore, the polymer membrane can be simultaneously grafted onto the surface by the same reaction chemistry. It is well known to modify surfaces with silanes to provide Si-H or vinyl terminated surfaces. These surface groups are involved in a crosslinking reaction that covalently attaches some of the polymer chains to the surface. The evidence that such grafting does occur is evident when solvents are used in efforts to remove uncrosslinked, crosslinked, and crosslinked-graft membranes. We have found that the lightly cross-linked membrane detaches from the surface that has not been dissolved or modified by a suitable solvent, but the corresponding cross-linked and grafted membrane on the modified surface remains attached. Was.
[0052]
The overall scheme of our polymer synthesis, crosslinking and grafting is shown in FIG. Hydrosilylation polymerization results in polymers or oligomers that incorporate interacting groups for chemical selectivity (indicated in the figure by the symbol containing the letter "I" inside the square). These may have a redox active center or a reporter group (indicated by R in the figure) incorporated in the structure. By design, this approach results in chains with terminal vinyl groups (shown) or silicon hydride groups for crosslinking. Formulations with polyfunctional crosslinkers (vinyl-substituted or Si-H-substituted) and catalysts exhibit curable films. Cross-linked and grafted films can be obtained by the same procedure on modified surfaces (vinyl or Si-H modification). Thus, hydrosilylation is used for polymer synthesis, polymer crosslinking and polymer grafting.
[0053]
The fact that the solubility varies with crosslinking and grafting suggests that hydrosilylation can also be used for photopatterning of polymer films. This simply requires a catalyst that is inert until exposed. Platinum (II) bis (acetylacetonate) or Pt (acac) 2 Platinum (II) bis (β-diketonates) exhibit these properties. These compounds have been used as light-activated hydrosilylation catalysts for solution reactions, polymerization of vinyldimethylsilane in solution, and curing and patterning of preceramic polymer films.
[0054]
We have found that this chemistry is useful for patterning absorbents, functionalized siloxanes and carbosiloxane polymers. For example, FIG. 6 illustrates the reaction of a methylhydrodimethylsiloxane copolymer with vinyl terminated polydimethylsiloxane as a photoactivatable catalyst as Pt (acac) 2 3 shows the results of patterning a polydimethylsiloxane compound using the same. Only those areas of the spin cast film of these components that were exposed to activate the catalyst underwent hydrosilylation crosslinking. After exposure, unexposed material was dissolved and removed, and the pattern was developed. We photopatterned the film by this method with a thickness of 50 mn to 5 microns. In FIG. 10, a 5 × 5 square array has individual squares with an area of 100 microns × 100 microns. This figure includes human hair as a control.
[0055]
Similarly, various other functionalized absorbent materials can also be photopatterned by these methods. Curing must be performed using a cross-linking agent that is miscible with the vinyl-functionalized polymer and provide an appropriate dark reaction time before developing the pattern by dissolving away the non-cross-linked material. Must. Simultaneous grafting to the surface is often necessary to leave the pattern. We have patterned phenyl-substituted and cyano-substituted siloxane formulations according to this aspect.
[0056]
The above reactions are based primarily on photoactivated hydrosilylation crosslinking, but photoactive polymerization is also possible as part of the patterning process. For example, we have found that Pt (acac) 2 A prepolymer membrane comprising a bisphenol monomer, shown in FIG. 11, and an isolated silicon hydride terminated oligomer prepared by reacting the same monomer with an excess of α, ω-dihydrodimethylsiloxane was prepared. The prepolymer also contains a small amount of a crosslinking agent. Photoactivated polymerization and pattern development on the vinyl-modified silicon surface gave the lines shown in FIG.
[0057]
Alternatively, highly crosslinked network polymer patterns can be obtained by formulating monomers or oligomers functionalized with a multifunctional crosslinking agent. However, excessive crosslinking significantly increases the glass-rubber transition point. Obtaining sufficient crosslinking to retain the polymer pattern on the substrate after rinsing with a pattern developing solvent while maintaining a low glass-rubber transition point is a delicate process of polymer formulation, crosslinking agent, dark reaction time, and solvent selection. Demand a good balance.
[0058]
The present inventors have found that all of the functional groups shown in FIG. 10 as well as various functional groups, including cyano groups, can be incorporated into photopatterned siloxane or carbosiloxane polymer films. Hence, the patterning approach has great potential for use in sensors and sensor arrays.
[0059]
Acoustic sensors such as quartz microbalance (QCM) and surface acoustic wave (SAW) devices are often the basis for polymer-coated sensor arrays. Bending Lamb wave (FPW) devices can also be coated with a polymer for chemical sensing. In this case, the active surface of the device is at the bottom of the etch pit in the silicon chip. It is also possible to make some of these devices on a single chip leading an array on a chip (array-on-a-chip). A different polymer can then be applied to the active devices in these individual etch pits.
[0060]
A picture of the packaged FPW array on chip is shown in FIG. The sensor response to vapors from two industrial solvents, toluene and methyl isobutyl ketone, is shown in FIG. The array was coated with three carbosiloxane polymers (BSP3, UR3 and CSPH) and three other commercially available polymers (poly (isobutylene), OV-275 and Epel-F) shown in FIG. These two types of bar graphs show the occurrence of discernable patterns for different vapors, as initially suggested by FIG. The pattern in FIG. 18 supports the principle of chemoselectivity that is fundamental to our rational design approach. The most sensitive of these various polymers to toluene is the polarizable CSPH polymer. The most sensitive polymer to basic methyl isobutyl ketone is BSP3.
[0061]
Hydrosilylation chemistry offers a very broad versatility in the development of absorbent and functionalized polymers and thin films. Various sets of polymers can be prepared by controlling the chemical and physical properties of the resulting materials and formulations. This chemistry can also be used for crosslinking, grafting, and patterning thin films. These types of materials and membranes are useful or potentially useful for chemical sensors, sensor arrays, membranes, solid phase extraction, chromatography, and lab-on-a-chip applications. is there.
[0062]
Referring to FIG. 1, the method of the present invention begins at
[0063]
In the following examples, an absorbent designed to apply a promising substance to a silicon wafer and to be selective for one species over another when exposed to the species. The film was processed to remain on the wafer.
[0064]
First, the silicon wafer was plasma-cleaned using a PDC-3XG plasma cleaner (manufactured by Harrick Scientific Corp. (Ossining, NY 10562)). Next, the material was applied to the wafer surface to form a surface coating. At this time, it was necessary to pretreat the wafer surface with a coupling agent before applying the substance.
[0065]
For pretreatment, the substrate (wafer) was placed in a 250 mL reaction kettle (Teflon gasket) equipped with a condenser and a nitrogen source. To the kettle was added 0.3 g of coupling agent in 70 mL of HPLC-grade acetone. The silane coupling agents tested were triethoxysilane and triethoxyvinylsilane. The solution was stirred at about 50 ° C. for 48 hours. The substrate (wafer) was removed from the cooled solution, washed with clean acetone, dried in a stream of nitrogen, and then stored in a drying chamber until use.
[0066]
Next, the coated surface was exposed to an ultraviolet pattern. In most examples, the coated substrate (wafer) was exposed to ultraviolet light in an HTG 3A mask aligner. Designed for large areas close to printing, the HTG unit extends the life from high pressure mercury lamps, with a final beam intensity between 300-400 mm of about 10 mW / cm 2 It is. The light is uniform and 20 cm beam diameter columns patterned through a photomask before impacting the cooled wafer. The photomask is made of an iron oxide-coated glass plate, and is provided with selective transmittance to ultraviolet rays by etching away an area of the iron mask. For these experiments, the aperture in the iron mask was a 28 micron wide line.
[0067]
Exposure can also be achieved using a Research Devices micropattern generator. Illuminate the photosensitive material through a Nikon microscope using an Oriel 500 watt high pressure mercury lamp. This light source has a strong irradiance between 300 and 450 nm. The beam was columnated and then shaped by focusing through a variable rectangular aperture and measured by focusing through a microscope objective. For any size, a rectangular spot between 5 and 500 microns is possible. The UV light power in the sample is about 4000 mW / cm 2 It is. When the precision stage is translated into CAD drawings (as the precision stage is translated around a CAD drawing), a pattern is created by opening and closing a high-speed shutter. The aperture shape also varies as needed to pattern various features. The surface is then treated with a solvent to remove unexposed portions of the surface coating, leaving a film pattern on the wafer of an absorbent material that, when exposed to a given species, adsorbs that species.
Example 1-methyl
The following example illustrates the photopatterning of a non-polar absorbent material consisting of polydimethylsiloxane. The two polymers were mixed with the catalyst. One polymer (DMS-V31) is composed of polydimethylsiloxane having a terminal vinyl group. The other polymer (HMS-301) has silicon hydride groups distributed along the chain. Thus, in this example, both the vinyl group-containing crosslinker and the SiH group-containing crosslinker are polymerizable. More specifically, this example used the following materials.
[0068]
[Table 1]
[0069]
The silicon wafer was subjected to plasma cleaning, and a film was applied on the surface of the wafer by spin coating at 3000 rpm with the following composition amount.
[0070]
[Table 2]
[0071]
The film or coating on the wafer was exposed using a mask aligner system. Immediately after exposure, the surface was washed with xylene and the pattern was developed. Individual lines were exposed for 60, 120, 140, 180 and 300 seconds. The solvent removed the unexposed material with solvent, leaving line patterns corresponding to the 120, 140, 180 and 300 second exposures. Lines exposed for 60 seconds did not remain after developing the pattern with xylene solvent cleaning. This example was repeated using a coupling agent (triethoxyvinylsilane) on a silicon wafer before applying the film or coating. When the coupling agent was used, no improvement was observed.
[0072]
The pattern created by this embodiment is not shown. However, the pattern was similar to that shown in FIGS. 2 and 3, except that four lines were shown.
Example 2-phenyl
The following examples illustrate photopatterning of polysiloxanes having a phenyl substituent. These increase the polarization of the sensing polymer over polydimethylsiloxane. The polymer in this example is 50% phenyl substituted and contains 1% vinyl substituents randomly distributed along the chain. The crosslinker is a simple tetrafunctional crosslinker, which means that it has four silicon hydride groups. Thus, this example crosslinks the polymer with randomly distributed vinyl groups with a monomolecular silicon hydride containing crosslinker. More specifically, this example used the following materials.
[0073]
[Table 3]
[0074]
The silicon wafer was plasma cleaned as described above. Next, the cleaned surface was pretreated with triethoxyvinylsilane to place surface-bound vinyl groups on the surface for grafting the polymer (OV-17). A film or coating was applied to the pretreated surface by spin coating at 3000 rpm at the following composition amount.
[0075]
[Table 4]
[0076]
The surface coating on the wafer was exposed to ultraviolet light using a mask aligner system. Individual lines were exposed for 40, 80, 100, 120 and 160 seconds. The exposed film was then placed in a dark room for 18 hours, after which the pattern was developed using a dichloromethane: hexane (1: 1) cleaning solution. The unexposed material was removed with a solvent, leaving a line pattern corresponding to the exposure time.
[0077]
The procedure of Example 2 was repeated for both the case where the wafer pretreatment was not performed and the case where the wafer pretreatment was performed using triethoxysilane. If no pretreatment was performed, the line was not retained. The line was retained when using any of the coupling agents. This coupling agent is preferred when triethoxyvinylsilane is used because there are more discernable edges to the pattern.
[0078]
FIGS. 2 and 3 show patterns formed according to the second embodiment.
Example 3-Cyano
The following examples illustrate photopatterning of polysiloxanes containing cyano substituents. These increase the dipolarity and the basicity of the detection polymer relative to polydimethylsiloxane. The polymer in this example is 50% cyanopropylmethyl substituted and 50% phenylmethyl substituted and contains 1% vinyl substituents randomly distributed along the chain. The crosslinker is a simple tetrafunctional crosslinker, which means that it has four silicon hydride groups. Thus, this example combines a vinyl polar functional group with randomly distributed vinyl groups in a monomolecular silicon hydride containing crosslinker. More specifically, the following substances were used.
[0079]
[Table 5]
[0080]
The silicon wafer was plasma cleaned in the manner described above, and the surface was pretreated with triethoxyvinylsilane, leaving surface bound vinyl groups for grafting the polymer to the surface. A coating was applied to the pretreated surface by spin coating at 3000 rpm using the following solution composition.
[0081]
[Table 6]
[0082]
The above procedure was repeated twice. Once without pretreatment, once using triethoxysilane as the coupling agent, leaving surface-bound Si-H groups for grafting. Using both coupling agents, the wafer was exposed to ultraviolet light using a mask aligner system. Individual lines were exposed and left in the dark for 18 hours before developing the pattern using dichloromethane: hexane (1: 1) as a developing solvent. In both cases, the solvent removed the unexposed material, leaving a line pattern corresponding to the exposed lines. Surface pretreatment had a significant effect on the results. No lines remained when the surface was not pretreated with either triethoxysilane or triethoxyvinylsilane. Thus, if the surface was not pretreated with the grafting agent, the polymer would not be grafted to the surface and the lines would not be retained. The lines were retained when either triethoxysilane or triethoxyvinylsilane was used.
[0083]
The pattern produced by this embodiment is shown in FIG. All three lines were retained, but some edge loss was observed.
Example 4-BSP
The following example illustrates the preparation of a photopatterned film of a bisphenol-containing polycarbosilixane polymer. The bisphenol group creates a polymer hydrogen bond acidity that enhances interaction with the basic analyte. Polymerization was carried out using a photoinitiator to effect crosslinking and grafting of the polymer. The initial composition consisted of a monomer having two allyl groups, an oligomer having a silicon hydride group end, a molecular crosslinking agent, and a photoactivatable catalyst. Oligomers were synthesized. More specifically, this example used the following materials.
[0084]
[Table 7]
[0085]
The silicon wafer was plasma cleaned in the manner described above, and the cleaned surface was pre-treated with triethoxyvinylsilane to leave surface bound vinyl groups for grafting the polymer to the surface. The pretreated surface was coated with the following composition by spin coating at 3000 rpm.
[0086]
[Table 8]
[0087]
The example was repeated twice. Once without pretreatment, one was pretreated with triethoxysilane. In each case, the coating was exposed to ultraviolet light using a mask aligner system. Each line was exposed for 2 minutes, 1
Example 5-Triad coating bisphenol-monomer and siloxane (DN96)
A hexamethyltrisiloxane group (triad) terminated bisphenol-A monomer was prepared in the following manner. 2,2-bis (3-allyl-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (2.85 g, 0.0068 mol) was added to 1,1,3,3,5,5- in 100 ml of magnetically stirred toluene. Added to a solution of hexamethyltrisiloxane (14.3 g, 0.068 mol). To this solution was added 2 drops of Pt-1,3-divinyltetramethyldisiloxane in xylene. The solution was heated to 100 C over 18 hours. The solution was cooled, stirred with activated carbon for 24 hours, and filtered using a vacuum syringe filtration technique. The solvent and excess hexamethyldisiloxane were removed by distillation. Above 150 ° C., vacuum distillation was unsuccessful due to gelling of the product. The yield of straw-colored (light yellow) oil (triad) was 5.4 g or 95% based on 3 units of estimated Mw 833. Preparative HPLC was used to identify major products. The composition contained in this main fraction was as follows.
[0088]
[Table 9]
[0089]
Example 6
The same composition as in Example 1 was photopatterned using a Research Devices micropattern generator, and the results shown in FIG. 6 were obtained. This describes more complex patterns of multiple lines, rectangles and triangles adjacent to human hair to indicate size.
[0090]
The described embodiments are merely examples of the present invention and do not limit the present invention in any way. It will be understood that many changes may be made in the particular structure, materials and properties of the invention without departing from the scope of the invention. Accordingly, the invention is not limited by the specific embodiments described herein, but is defined by the appended claims, including equivalents thereof.
[Brief description of the drawings]
FIG.
FIG. 1 is a flow diagram of the steps that characterize some aspects of the present invention.
FIG. 2
FIG. 2 is a photograph showing photopatterning of a polysiloxane containing a phenyl substituent.
FIG. 3
FIG. 3 is a photograph showing photopatterning of a polysiloxane containing a phenyl substituent.
FIG. 4
FIG. 4 is a photograph showing photopatterning of a polysiloxane containing a cyano substituent.
FIG. 5
FIG. 5 is a photograph showing a photopattern film of a bisphenol-containing polycarbosiloxane polymer.
FIG. 6
FIG. 6 is a photograph of a photo pattern film showing a developed image adjacent to human hair.
FIG. 7
FIG. 7 illustrates several sensor concepts, each having a different sensing coating, producing a variable response to the analyte that appears as a pattern in a bar graph format.
FIG. 8
FIG. 8 shows a hydrosilylation reaction involving the formation of a silicon-carbon (SidC) bond by the addition of a silicon hydride (Si-H) bond across a carbon-carbon double bond in the presence of a noble metal catalyst such as Pt. It is a diagram.
FIG. 9
FIG. 9 shows three types of polymerization reactions.
FIG. 10
FIG. 10 shows four absorbents and functionalized polymers prepared using hydrosilylation chemistry.
FIG. 11
FIG. 11 shows some of the monomers used to prepare the polymer shown in FIG. 10 and other polymers.
FIG.
FIG. 12 shows the interaction of a BSP polymer with a basic vapor.
FIG. 13
FIG. 13 shows a calibration curve for a SAW sensor coated with BSP3, fluoropropyl (FPOL) and polydimethylsiloxane (PDMS) when tested against dimethylmethylphosphonate, a neurostimulant.
FIG. 14
FIG. 14 shows the bisphenol monomer and ferrocene-derived monomer shown in FIG.
2 shows a polymer produced by combining
FIG.
FIG. 15 shows a polyfunctional crosslinker that produces a formulation that crosslinks upon curing in the presence of a platinum catalyst.
FIG.
FIG. 16 shows the properties of the overall scheme for polymer synthesis, crosslinking and grafting of carbosiloxane polymers. Note that the polymer may terminate in silicon hydride bonds rather than carbon-carbon multiple bonds, and the crosslinker and surface may contain carbon-carbon multiple bonds rather than silicon hydride bonds. .
FIG.
FIG. 17 is a photograph of a packaged FRW array on a chip.
FIG.
FIG. 18 is a graph of sensor response to vapors from two industrial solvents, toluene and methyl isobutyl ketone.
Claims (62)
基体上に、少なくとも2個のシリコンヒドライド基を含む第1の前駆体分子と、少なくとも2個の炭素−炭素多重結合を含む第2の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を置く工程と
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分な量で、あるタイプの光に、該組成物の少なくとも一部を露光させる工程と、
を備え、該組成物を化学的選択性吸収剤膜にする方法。A method for forming a chemically selective absorbent membrane, comprising:
A first precursor molecule containing at least two silicon hydride groups, a second precursor molecule containing at least two carbon-carbon multiple bonds, and a photoactivatable catalyst on a substrate. Placing the composition comprising: exposing at least a portion of the composition to a type of light in an amount sufficient to cause the composition to undergo a hydrosilylation reaction;
A method of making the composition into a chemoselective absorbent membrane.
基体を準備する工程と、
該基体を洗浄する工程と、
該基体の表面をカップリング剤と反応させ、ヒドロシリル化反応に関係することができる表面反応基を付加する工程と、
少なくとも2個のシリコンヒドライド基を有する第1の前駆体分子と、少なくとも2個の炭素−炭素多重結合を有する第2の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を基板上に置く工程と、
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光に、該組成物の少なくとも一部を露光させる工程と、
を含み、該組成物を化学的選択性吸収剤膜にする方法。A method for forming a chemically selective absorbent membrane, comprising:
Providing a substrate;
Washing the substrate;
Reacting the surface of the substrate with a coupling agent to add surface reactive groups capable of participating in a hydrosilylation reaction;
A composition comprising a first precursor molecule having at least two silicon hydride groups, a second precursor molecule having at least two carbon-carbon multiple bonds, and a photoactivatable catalyst. A process of placing on a substrate,
Exposing at least a portion of the composition to light of a type and amount sufficient to cause the composition to undergo a hydrosilylation reaction;
A method of converting the composition into a chemoselective absorbent membrane.
基板上に、少なくとも2個のシリコンヒドライド基を含む第1の前駆体分子と、少なくとも2個の炭素−炭素多重結合を含む第2の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を置く工程と、
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光の所定パターンに該組成物を露光させる工程と、
未露光領域を残す工程と、
露光領域にヒドロシリル化反応を引き起こさせる十分な時間を与える工程と、
溶剤を用いて、該基板から該未露光領域を除去し、該基板上に露光組成物を残す工程と、
を含み、該組成物を化学的選択性吸収剤膜にする方法。A method for forming a chemically selective absorbent membrane, comprising:
A first precursor molecule containing at least two silicon hydride groups, a second precursor molecule containing at least two carbon-carbon multiple bonds, and a photoactivatable catalyst on a substrate. Placing a composition comprising
Exposing the composition to a predetermined pattern of light of a type and amount sufficient to cause the composition to undergo a hydrosilylation reaction;
Leaving an unexposed area;
Providing sufficient time to cause the hydrosilylation reaction in the exposed areas;
Using a solvent to remove the unexposed areas from the substrate, leaving an exposed composition on the substrate;
A method of converting the composition into a chemoselective absorbent membrane.
基体を準備する工程と、
該基体を洗浄する工程と、
該基体の表面にカップリング剤を反応させて、ヒドロシリル化反応に関係することができる表面反応基を付加する工程と、
該基体上に、少なくとも2個のシリコンヒドライド基を含む第1の前駆体分子と、少なくとも2個の炭素−炭素多重結合を含む第2の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む組成物を置く工程と、
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光の所定パターンに、該組成物を露光させる工程と、
未露光領域を残す工程と、
露光領域にヒドロシリル化反応を引き起こすに十分な時間を与える工程と、
溶剤を用いて、該基体から該未露光領域を除去し、該基体上に露光組成物を残す工程と、
を含み、該組成物を化学的選択性吸収剤膜にする方法。A method for forming a chemically selective absorbent membrane, comprising:
Providing a substrate;
Washing the substrate;
Reacting a coupling agent on the surface of the substrate to add surface reactive groups capable of participating in a hydrosilylation reaction;
A first precursor molecule containing at least two silicon hydride groups, a second precursor molecule containing at least two carbon-carbon multiple bonds, a photoactivatable catalyst on the substrate, Placing a composition comprising:
Exposing the composition to a predetermined pattern of light of a type and amount sufficient to cause the composition to undergo a hydrosilylation reaction;
Leaving an unexposed area;
Providing sufficient time to cause the hydrosilylation reaction in the exposed areas;
Removing the unexposed area from the substrate using a solvent, leaving an exposed composition on the substrate;
A method of converting the composition into a chemoselective absorbent membrane.
基体を準備する工程と、
該基体を洗浄する工程と、
該基体の表面にカップリング剤を反応させて、ヒドロシリル化反応に関係することができる表面反応基を付加する工程と、
該基体上に、少なくとも2個のシリコンヒドライド基を含む第1の前駆体分子と、少なくとも2個の炭素−炭素多重結合を含む第2の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む第1の組成物を置く工程と、
該組成物にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分な量で、あるタイプの光の所定パターンに、該組成物を露光させる工程と、
未露光領域を残す工程と、
露光領域にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分な時間を与える工程と、
溶剤を用いて未露光組成物を該基体から除去し、該基体上に露光組成物を残す工程と、
該基体上に、少なくとも2個のシリコンヒドライド基を含む第1の前駆体分子と、少なくとも2個の炭素−炭素多重結合を含む第2の前駆体分子と、光活性化可能な触媒と、を含む第2の組成物を置く工程と、
該第1の組成物とは異なる該基板上の異なる位置にて、該第2の組成物中にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分なタイプ及び量の光の所定パターンに、該組成物を露光させる工程と、
未露光領域を残す工程と、
露光領域内にヒドロシリル化反応を引き起こさせるに十分な時間を与える工程と、
溶剤を用いて、未露光組成物を基体から除去し、露光組成物を基体上に残す工程と、
追加の異なる位置にて、追加の新しい組成物でプロセスを繰り返す工程と、
を含み、こうして該基体が異なる化学的選択性吸収剤膜の個別領域(domain)を含む方法。A method of forming several domains of a chemically selective absorbent membrane on a single substrate, comprising:
Providing a substrate;
Washing the substrate;
Reacting a coupling agent on the surface of the substrate to add surface reactive groups capable of participating in a hydrosilylation reaction;
A first precursor molecule containing at least two silicon hydride groups, a second precursor molecule containing at least two carbon-carbon multiple bonds, a photoactivatable catalyst on the substrate, Placing a first composition comprising:
Exposing the composition to a predetermined pattern of some type of light in an amount sufficient to cause the composition to undergo a hydrosilylation reaction;
Leaving an unexposed area;
Giving the exposed area sufficient time to cause a hydrosilylation reaction; and
Removing the unexposed composition from the substrate using a solvent, leaving the exposed composition on the substrate;
A first precursor molecule containing at least two silicon hydride groups, a second precursor molecule containing at least two carbon-carbon multiple bonds, a photoactivatable catalyst on the substrate; Placing a second composition comprising:
Exposing the composition to a predetermined pattern of light of a type and amount sufficient to cause a hydrosilylation reaction in the second composition at a different location on the substrate than the first composition. The step of causing
Leaving an unexposed area;
Providing sufficient time to cause a hydrosilylation reaction in the exposed area;
Using a solvent to remove the unexposed composition from the substrate and leave the exposed composition on the substrate;
Repeating the process with additional new composition at additional different locations;
And thus the substrate comprises the domains of different chemically selective absorbent membranes.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/703,755 US6991887B1 (en) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | Photopatternable sorbent and functionalized films |
PCT/US2001/045173 WO2002036652A2 (en) | 2000-11-01 | 2001-10-31 | Photopatternable sorbent and functionalized films |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004521373A true JP2004521373A (en) | 2004-07-15 |
JP2004521373A5 JP2004521373A5 (en) | 2005-12-22 |
JP4160387B2 JP4160387B2 (en) | 2008-10-01 |
Family
ID=24826645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002539407A Expired - Fee Related JP4160387B2 (en) | 2000-11-01 | 2001-10-31 | Photopatternable absorber and functionalized film |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6991887B1 (en) |
EP (1) | EP1337897A4 (en) |
JP (1) | JP4160387B2 (en) |
AU (1) | AU2000602A (en) |
CA (1) | CA2427696C (en) |
WO (1) | WO2002036652A2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008510030A (en) * | 2004-08-11 | 2008-04-03 | ダウ・コーニング・コーポレイション | Photopolymerizable silicone materials forming semipermeable membranes for sensor applications |
JP2017008147A (en) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社ダイセル | Polyorganosilsesquioxane, curable composition, adhesive sheet, laminate and device |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6841647B2 (en) * | 2001-11-06 | 2005-01-11 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Fluid resistant silicone encapsulant |
US6905904B2 (en) * | 2002-06-24 | 2005-06-14 | Dow Corning Corporation | Planar optical waveguide assembly and method of preparing same |
US6907176B2 (en) | 2002-06-24 | 2005-06-14 | Dow Corning Corporation | Planar optical waveguide assembly and method of preparing same |
DE10236460A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-26 | Siemens Ag | Liquid composition for producing photostructured polyacrylamide hydrogel layers, e.g. on transducers, comprises a film former, a comonomer with reactive linker groups, and a plasticizer |
US8084765B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-12-27 | Xerox Corporation | Electronic device having a dielectric layer |
US8337598B2 (en) * | 2008-09-05 | 2012-12-25 | Honeywell International Inc. | Photo-crosslinked gas selective membranes as part of thin film composite hollow fiber membranes |
US20100086735A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Patterned Functionalization of Nanomechanical Resonators for Chemical Sensing |
CN106589942B (en) * | 2016-12-01 | 2018-03-13 | 华中科技大学 | A kind of regulation and control method of modifying of polymer |
CN111051207A (en) * | 2017-04-20 | 2020-04-21 | 沃拉蒂莱分析公司 | System and method for tracking chemical and odor exposure |
US10851728B2 (en) | 2017-05-15 | 2020-12-01 | Gas Activated Systems, Inc. | Engine overspeed device and method |
CN113185751A (en) * | 2021-04-23 | 2021-07-30 | 艾蒙特成都新材料科技有限公司 | Halogen-free silicon flame-retardant vinyl resin, preparation method thereof and application thereof in copper-clad plate |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4243718A (en) * | 1978-11-24 | 1981-01-06 | Toshiba Silicone Co. Ltd. | Primer compositions for Si-H-olefin platinum catalyzed silicone compositions |
FR2597110A1 (en) * | 1986-04-14 | 1987-10-16 | Rhone Poulenc Multi Tech | ORGANOPOLYSILOXANE COMPOSITION, POTENTIALLY CROSSLINKABLE AND USEABLE IN PARTICULAR IN MICROLITHOGRAPHY, AND METHOD OF APPLICATION THEREOF |
US5876792A (en) | 1988-03-14 | 1999-03-02 | Nextec Applications, Inc. | Methods and apparatus for controlled placement of a polymer composition into a web |
US5145886A (en) * | 1988-05-19 | 1992-09-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation activated hydrosilation reaction |
US6046250A (en) | 1990-12-13 | 2000-04-04 | 3M Innovative Properties Company | Hydrosilation reaction utilizing a free radical photoinitiator |
CA2096114A1 (en) | 1990-12-13 | 1992-06-14 | Larry D. Boardman | Radiation activated hydrosilylation reaction |
SG49761A1 (en) * | 1991-12-10 | 1998-06-15 | Dow Chemical Co | Photocurable cyclobutarene compositions |
US5470693A (en) * | 1992-02-18 | 1995-11-28 | International Business Machines Corporation | Method of forming patterned polyimide films |
US5262192A (en) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Puritan-Bennett Corporation | Method and compositions for manufacture of chemical sensors |
US5403746A (en) * | 1993-11-30 | 1995-04-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sensor with improved drift stability |
US6015869A (en) | 1998-03-17 | 2000-01-18 | Battelle Memorial Institute | Strongly hydrogen-bond acidic polymer and methods of making and using |
US6271309B1 (en) | 1999-07-30 | 2001-08-07 | 3M Innovative Properties Company | Curable compositions comprising the hydrosilation product of olefin-containing polymers and organosiloxane hydrides, cured compositions made therefrom, and methods of making same |
-
2000
- 2000-11-01 US US09/703,755 patent/US6991887B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-31 CA CA002427696A patent/CA2427696C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-31 JP JP2002539407A patent/JP4160387B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-31 EP EP01992729A patent/EP1337897A4/en not_active Withdrawn
- 2001-10-31 WO PCT/US2001/045173 patent/WO2002036652A2/en active Application Filing
- 2001-10-31 AU AU2000602A patent/AU2000602A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008510030A (en) * | 2004-08-11 | 2008-04-03 | ダウ・コーニング・コーポレイション | Photopolymerizable silicone materials forming semipermeable membranes for sensor applications |
JP4880603B2 (en) * | 2004-08-11 | 2012-02-22 | ダウ・コーニング・コーポレイション | Photopolymerizable silicone materials forming semipermeable membranes for sensor applications |
KR101135375B1 (en) * | 2004-08-11 | 2012-04-20 | 다우 코닝 코포레이션 | Photopolymerizable silicone materials forming semipermeable membranes for sensor applications |
JP2017008147A (en) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 株式会社ダイセル | Polyorganosilsesquioxane, curable composition, adhesive sheet, laminate and device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002036652A9 (en) | 2004-04-29 |
CA2427696A1 (en) | 2002-05-10 |
AU2000602A (en) | 2002-05-15 |
WO2002036652A3 (en) | 2002-07-04 |
CA2427696C (en) | 2007-08-07 |
WO2002036652A2 (en) | 2002-05-10 |
JP4160387B2 (en) | 2008-10-01 |
US6991887B1 (en) | 2006-01-31 |
EP1337897A2 (en) | 2003-08-27 |
EP1337897A4 (en) | 2004-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4160387B2 (en) | Photopatternable absorber and functionalized film | |
JP4849799B2 (en) | Planar optical waveguide assembly and method of manufacturing the same | |
KR910000751B1 (en) | Silylation method into surface of polymermembrane and patter formation process by the ultilization of silylation method | |
US8486615B2 (en) | Photopolymerizable silicone materials forming semipermeable membranes for sensor applications | |
CA1335542C (en) | Pattern-forming material and pattern formation method | |
JP5064654B2 (en) | Planar optical waveguide assembly and manufacturing method thereof | |
Ye et al. | Mechanism of UV photoreactivity of alkylsiloxane self-assembled monolayers | |
JP2005531029A5 (en) | ||
JPS62294239A (en) | Organopolysiloxane composition | |
KR102112031B1 (en) | Pre-concentrator having ordered three-dimensional porous structure | |
EP1636653A2 (en) | Adhesion method using gray-scale photolithography | |
Grate et al. | Sorptive polymeric materials and photopatterned films for gas phase chemical microsensors | |
JP4308821B2 (en) | Method for etching a patterned silicone layer | |
Beinhoff et al. | Photochemical attachment of reactive cross-linked polymer films to Si/SiO2 surfaces and subsequent polymer brush growth | |
Grate et al. | Polymers for chemical sensors using hydrosilylation chemistry | |
Lee et al. | Direct nanopatterning of silsesquioxane/poly (ethylene glycol) blends with high stability and nonfouling properties | |
Xu et al. | Synthesis of dual‐functional copolymer with orthogonally photosensitive groups | |
Chen et al. | Photomediated crosslinking of cinnamated PDMS for in situ direct photopatterning | |
Grate et al. | Sorptive Polymers and Photopatterned Films for Gas Phase Chemical Microsensors and Arrays | |
Li et al. | UV‐Patterning of Anti‐Biofouling Zwitterionic Copolymer Layer with an Aromatic Anchor Group | |
JPS61242608A (en) | Preparation of gas permeable membrane | |
JPH05117624A (en) | Chemisorbed functional film and production thereof | |
Furukawa et al. | Method for the preparation of hydrophilic/hydrophobic patterned surfaces with photoinitiated hydrosilylation | |
JP2008232905A (en) | Method for manufacturing substrate for microarray preparation | |
FR2872503A1 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING BIOPUCE BLANK, BLANKET AND BIOPUCE |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040824 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071122 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080221 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080522 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080704 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080717 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |