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JP2004162062A - Polishing material slurry, polishing method, substrate, and producing method of the substrate - Google Patents

Polishing material slurry, polishing method, substrate, and producing method of the substrate Download PDF

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JP2004162062A
JP2004162062A JP2003366043A JP2003366043A JP2004162062A JP 2004162062 A JP2004162062 A JP 2004162062A JP 2003366043 A JP2003366043 A JP 2003366043A JP 2003366043 A JP2003366043 A JP 2003366043A JP 2004162062 A JP2004162062 A JP 2004162062A
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JP
Japan
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polishing
abrasive
abrasive slurry
substrate
rare earth
Prior art date
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Pending
Application number
JP2003366043A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Saegusa
浩 三枝
Fumio Imai
文男 今井
Katsura Ito
桂 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP2003366043A priority Critical patent/JP2004162062A/en
Publication of JP2004162062A publication Critical patent/JP2004162062A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing material slurry which achieves surface polishing with high surface evenness, small surface roughness and excellent precision hardly causing surface microscratches, surface micropits, or the like, and besides, achieves a high polishing speed. <P>SOLUTION: The polishing material slurry comprises a cerium oxide-containing rare earth oxide as the principal component, an anionic surfactant, and a nonionic surfactant and has a pH≥11. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

本発明は、光学レンズ用、光ディスク用、磁気ディスク用、プラズマディスプレイ用、液晶用、またはLSIフォトマスク用などのガラス基板を始めとする光学、エレクトロニクス関連基板の精密研磨に用いられる研磨材に関するものであり、特に、研磨レート(研磨速度)および表面粗さなどの研磨特性に優れており、かつ、スクラッチなどの表面欠陥をほとんど生ずることなく研磨できる研磨材スラリーに関する。
本発明は、さらに、上記の研磨剤スラリーを用いる基板の研磨方法、該研磨方法による基板の製造方法、および、製造される基板に関する。
The present invention relates to an abrasive used for precision polishing of optical and electronics-related substrates such as glass substrates for optical lenses, optical disks, magnetic disks, plasma displays, liquid crystals, or LSI photomasks. In particular, the present invention relates to an abrasive slurry which has excellent polishing characteristics such as a polishing rate (polishing rate) and surface roughness and can be polished with almost no surface defects such as scratches.
The present invention further relates to a method for polishing a substrate using the above abrasive slurry, a method for manufacturing a substrate by the polishing method, and a manufactured substrate.

近年、磁気ディスク用ガラス基板、薄膜トランジスタ(TFT)型LCDや、ねじれネマチック(TN)型LCDなどの液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、LSIフォトマスク用ガラス基板などのエレクトロニクス関連基板分野において、研磨技術は益々重要な地位を占めつつある。   In recent years, in the field of electronics-related substrates such as a glass substrate for a magnetic disk, a glass substrate for a liquid crystal such as a thin film transistor (TFT) type LCD and a twisted nematic (TN) type LCD, a color filter for a liquid crystal television, and a glass substrate for an LSI photomask, Polishing technology is becoming an increasingly important position.

特に磁気ディスク用基板分野においては、軽量化に伴う薄型化や高速回転時のディスクのうねりに耐えうる高い剛性などの機械的特性が要求されるとともに、高記録密度化への要求が非常に高まっている。高記録密度化を達成する目的で、磁気ヘッドの磁気ディスク基板に対する浮上高さは非常に小さくなりつつあり、それを達成するために、磁気ディスク基板は鏡面のような平坦性や小さい表面粗さが要求され、かつ表面の微小スクラッチ、微小ピットなどの欠陥が極力無いことが要求される。そのため、高精度に表面研磨することが必要とされる。また、薄型化、機械的特性あるいは高い記録密度を満足させるために、ガラスの化学組成や製法についても種々の改良がなされている。例えば、ガラス基板としては従来から用いられている化学強化ガラス以外に、リチウムシリケートを含む結晶化ガラス基板や、クオーツ結晶が大半を占める結晶化ガラス基板も開発されてきている。しかしながら、これらのガラス基板は非常に加工性が悪く、従来の研磨材による研磨では加工速度が遅く、生産性が悪化する。   In the field of magnetic disk substrates in particular, mechanical properties such as thinning due to weight reduction and high rigidity that can withstand the undulation of the disk during high-speed rotation are required, and the demand for high recording density is increasing extremely. ing. For the purpose of achieving higher recording density, the flying height of the magnetic head with respect to the magnetic disk substrate is becoming very small, and in order to achieve this, the magnetic disk substrate is required to have a mirror-like flatness or small surface roughness. And defects such as minute scratches and minute pits on the surface are required to be as small as possible. Therefore, high-precision surface polishing is required. In addition, various improvements have been made to the chemical composition and manufacturing method of glass in order to satisfy thinness, mechanical characteristics, or high recording density. For example, as a glass substrate, in addition to the conventionally used chemically strengthened glass, a crystallized glass substrate containing lithium silicate and a crystallized glass substrate in which most of the quartz crystal is formed have been developed. However, these glass substrates are very poor in workability, and the polishing speed with conventional polishing materials is low, resulting in poor productivity.

ガラス基板の表面研磨に用いられる研磨材としては、酸化鉄や酸化ジルコニウムあるいは二酸化珪素に比べて研磨速度が数倍優れているとの理由から、希土類酸化物、特に酸化セリウムが用いられており、一般的には砥粒を水などの液体に分散させて使用する。研磨材を用いて表面研磨を行う際には、高精度な表面研磨性能と共に、高い研磨速度を両立させることが要求されている。   As an abrasive used for polishing the surface of the glass substrate, rare earth oxides, particularly cerium oxide, are used because the polishing rate is several times better than iron oxide, zirconium oxide, or silicon dioxide. Generally, abrasive grains are used by being dispersed in a liquid such as water. When performing surface polishing using an abrasive, it is required that both high-precision surface polishing performance and a high polishing rate be compatible.

そこで、研磨材として酸化セリウムを用いた場合に、研磨速度を速くするための方策が種々開示されている。例えば、酸化セリウムなどにコロイド状シリカやアルミナなどを添加する研磨方法や、酸化セリウムを含む研磨材に塩化マグネシウを含有させた研磨材などが開示されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照。)。しかし、このような異粒子ゾルを添加すると、表面スクラッチあるいはピットの増加につながり、高い表面精度を達成することができない。   Thus, various measures have been disclosed for increasing the polishing rate when cerium oxide is used as the polishing material. For example, a polishing method in which colloidal silica, alumina, or the like is added to cerium oxide or the like, an abrasive in which magnesium chloride is added to an abrasive containing cerium oxide, and the like are disclosed (for example, Patent Documents 1 and 2). reference.). However, the addition of such a foreign particle sol leads to an increase in surface scratches or pits, and high surface accuracy cannot be achieved.

一方で、高い表面精度を達成するために、例えば、2以上のカルボキシル基を有する有機酸を含有したアルカリ性酸化第二セリウムゾルからなる研磨材や、アニオン系界面活性剤とノニオン系界面活性剤を被覆した酸化セリウム粒子、並びに界面活性剤を分散させた水よりなるCMP研磨液が開示されている(例えば、特許文献3、特許文献4参照。)。   On the other hand, in order to achieve high surface accuracy, for example, an abrasive made of alkaline cerium oxide sol containing an organic acid having two or more carboxyl groups, or coated with an anionic surfactant and a nonionic surfactant There has been disclosed a CMP polishing liquid composed of cerium oxide particles thus prepared and water in which a surfactant is dispersed (for example, see Patent Documents 3 and 4).

しかしながら、2以上のカルボキシル基を有する有機酸を含有したアルカリ性酸化第二セリウムゾルからなる研磨材を用いた場合、ゾルの平均粒子径が2〜200nmと小さいため研磨速度が極端に遅くなるだけでなく、研磨加工コストの増加や安定した品質の達成が困難であるという問題点があった。また、CMP研磨液は、研磨材が酸化セリウムであるため研磨液のpHが高くならず、研磨速度が低く、表面粗さも大きくなってしまう。
従って、上述したいずれの研磨材、研磨方法によっても、精度に優れた表面研磨と研磨速度とを両方満足させることができなかった。
However, when an abrasive made of alkaline cerium oxide sol containing an organic acid having two or more carboxyl groups is used, not only does the polishing rate become extremely slow because the average particle size of the sol is as small as 2 to 200 nm. However, there has been a problem that it is difficult to increase polishing cost and achieve stable quality. Further, in the CMP polishing liquid, since the polishing material is cerium oxide, the pH of the polishing liquid does not increase, the polishing rate is low, and the surface roughness is large.
Therefore, none of the above-mentioned abrasives and polishing methods could satisfy both the highly accurate surface polishing and the polishing rate.

特公昭38−3643号公報Japanese Patent Publication No. 38-3643 特開平3−146585号公報JP-A-3-146585 特開平8−3541号公報JP-A-8-3541 特開2000−248263号公報JP 2000-248263 A

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピットなどをほとんど生じさせないような精度に優れた表面研磨を達成しつつ、かつ、速い研磨速度を達成することができる研磨材スラリーを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and has achieved high surface flatness, small surface roughness, and high-precision surface polishing with little occurrence of micro scratches or micro pits on the surface. It is another object of the present invention to provide an abrasive slurry capable of achieving a high polishing rate.

本発明の研磨材スラリーは、酸化セリウムを含む希土類酸化物を主成分とする研磨材と、アニオン系界面活性剤と、ノニオン系界面活性剤とを含有し、且つ、pHが11以上であることを特徴とする。なお、本明細書において「主成分」とは、80質量%以上含有されることを示す。
また、上記研磨材は希土類酸化物を90質量%以上含有することが好ましい。
また、上記希土類酸化物は酸化セリウムを50〜90質量%含有することが好ましい。
また、上記希土類酸化物は、炭酸希土塩を出発原料として製造されることが好ましい。
また、研磨材粒子の50%累積平均径(D50)が、0.01〜10μmであることが好ましい。
また、研磨材粒子の比表面積が、1〜50m/gであることが好ましい。
また、上記アニオン系界面活性剤が、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、燐酸エステル塩の低分子化合物および高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
また、上記ノニオン系界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
また、研磨剤スラリーは、水、炭素数1〜10の1価アルコール類、グリコール類、炭素数1〜10の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンからなる群から選ばれる少なくとも1種の溶媒を含有することが好ましい。
また、研磨剤スラリーは、リン酸塩、セルロースエーテル類および水溶性高分子からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことが好ましい。
上記研磨剤スラリーは、基板の研磨に用いることが好ましい。
また、基板は、上記研磨剤スラリーによる研磨方法を用いて製造されることが好ましい。
また、上記基板は、光学レンズ用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルターおよびLSIフォトマスク用ガラス基板からなる群から選ばれることが好ましい。特に、磁気ディスク用ガラス基板として用いることが好ましい。
The abrasive slurry of the present invention contains an abrasive mainly composed of a rare earth oxide containing cerium oxide, an anionic surfactant, and a nonionic surfactant, and has a pH of 11 or more. It is characterized by. In addition, in this specification, "main component" indicates that the content is 80% by mass or more.
Preferably, the abrasive contains at least 90% by mass of a rare earth oxide.
Further, the rare earth oxide preferably contains 50 to 90% by mass of cerium oxide.
Further, the rare earth oxide is preferably produced using a rare earth carbonate as a starting material.
Further, the 50% cumulative average diameter (D50) of the abrasive particles is preferably 0.01 to 10 μm.
Further, the specific surface area of the abrasive particles is preferably from 1 to 50 m 2 / g.
Further, it is preferable that the anionic surfactant is at least one selected from the group consisting of low molecular weight compounds and high molecular weight compounds of carboxylate, sulfonate, sulfate, and phosphate.
Further, it is preferable that the nonionic surfactant is at least one selected from the group consisting of polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyalkylene alkyl ether, and polyoxyethylene fatty acid ester.
Further, the abrasive slurry is at least one selected from the group consisting of water, monohydric alcohols having 1 to 10 carbon atoms, glycols, polyhydric alcohols having 1 to 10 carbon atoms, dimethyl sulfoxide, dimethylformamide, tetrahydrofuran and dioxane. Preferably, it contains a species of solvent.
Further, the abrasive slurry preferably contains at least one selected from the group consisting of phosphates, cellulose ethers and water-soluble polymers.
The abrasive slurry is preferably used for polishing a substrate.
Further, it is preferable that the substrate is manufactured by using the polishing method using the abrasive slurry.
The substrate is preferably selected from the group consisting of a glass substrate for an optical lens, a glass substrate for an optical disk, a glass substrate for a plasma display, a glass substrate for a liquid crystal, a color filter for a liquid crystal television, and a glass substrate for an LSI photomask. In particular, it is preferably used as a glass substrate for a magnetic disk.

本発明によれば、エレクトロニクス関連の基板、特に時期ディスク用のガラス基板などの精密研磨において、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピットなどをほとんど生じさせないような精度の高い方面研磨を達成しつつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨剤スラリーを提供することができる。   According to the present invention, in the precision polishing of electronics-related substrates, especially glass substrates for timing disks, etc., the surface flatness is high, the surface roughness is small, and there is almost no occurrence of micro scratches or micro pits on the surface. It is possible to provide an abrasive slurry capable of achieving a high polishing rate while achieving highly accurate surface polishing.

本発明の研磨材スラリーは、酸化セリウムを含む希土類酸化物を主成分とする研磨材と、アニオン系界面活性剤と、ノニオン系界面活性剤とを必須成分とし、且つ、pHが11以上であることを特徴とする。このような構成を採用することにより、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピットなどをほとんど生じさせないような精度に優れた表面研磨を達成するとともに、良好な研磨レート(研磨速度)とすることができる。
一方、上記界面活性剤を単独で用いた場合や、スラリーのpHが11未満の場合では、望ましい表面粗さと研磨レートとを得ることができない。
The abrasive slurry of the present invention contains an abrasive mainly composed of a rare earth oxide containing cerium oxide, an anionic surfactant, and a nonionic surfactant as essential components, and has a pH of 11 or more. It is characterized by the following. By adopting such a configuration, high surface flatness, small surface roughness, and high-precision surface polishing that hardly cause micro scratches and micro pits on the surface are achieved, and good polishing is achieved. Rate (polishing rate).
On the other hand, when the surfactant is used alone or when the pH of the slurry is less than 11, desired surface roughness and polishing rate cannot be obtained.

以下、研磨材スラリーを構成する各成分について説明する。
〈研磨材〉
本発明に使用される研磨材は、希土類酸化物を80質量%以上含有していることが必要であり、好ましくは90質量%以上含有していることがよい。希土類酸化物が80質量%未満の場合、被研磨体の表面にスクラッチが発生しやすくなる。
Hereinafter, each component of the abrasive slurry will be described.
<Abrasive>
The abrasive used in the present invention needs to contain rare earth oxides in an amount of 80% by mass or more, and preferably contains 90% by mass or more. When the amount of the rare earth oxide is less than 80% by mass, scratches are likely to occur on the surface of the object to be polished.

希土類酸化物は、酸化セリウムを50質量%〜90質量%の範囲で含有していることが好ましい。酸化セリウムの含有量が50質量%未満では、望ましい研磨レートを得ることが難しくなり、逆に、90質量%を超えると、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤を含有してもpHを11以上とすることが困難となる。そのため、十分な研磨レートを得ることができないだけでなく、表面粗さも粗くなってしまう。   The rare earth oxide preferably contains cerium oxide in a range of 50% by mass to 90% by mass. When the content of cerium oxide is less than 50% by mass, it is difficult to obtain a desired polishing rate. Conversely, when the content exceeds 90% by mass, the pH is reduced even when anionic or nonionic surfactants are contained. It is difficult to set it to 11 or more. Therefore, not only cannot a sufficient polishing rate be obtained, but also the surface roughness increases.

また、希土類酸化物中には、酸化セリウムの他に、酸化ランタン、酸化プラセオジム、酸化ネオジムなどを含有していてもよい。   The rare earth oxide may contain lanthanum oxide, praseodymium oxide, neodymium oxide, and the like, in addition to cerium oxide.

本発明において、研磨材粒子は、体積換算の50%累積平均径(D50)が0.01〜10μmであることが好ましく、より好ましくは0.05〜5.0μm、特に好ましくは0.1〜2.0μmである。50%累積平均粒(D50)が0.01μm未満であると、十分な研磨レートを得ることが難しくなり、逆に、10μmを超えると被研磨体の表面にスクラッチや微小ピットが発生しやすくなる傾向にある。
ここで、体積換算の50%累積平均径(D50)とは、体積換算で示された粒度分布において、粒度の小さい方から積算して50%になる粒径である。
In the present invention, the abrasive particles preferably have a 50% cumulative average diameter (D50) in terms of volume of 0.01 to 10 μm, more preferably 0.05 to 5.0 μm, and particularly preferably 0.1 to 5.0 μm. 2.0 μm. If the 50% cumulative average grain size (D50) is less than 0.01 μm, it is difficult to obtain a sufficient polishing rate. Conversely, if it exceeds 10 μm, scratches and minute pits are likely to be generated on the surface of the object to be polished. There is a tendency.
Here, the 50% cumulative average diameter (D50) in terms of volume is a particle diameter that becomes 50% when integrated from the smaller particle size in the particle size distribution shown in volume.

本発明においては、炭酸希土塩を出発原料として製造される希土類酸化物を用いることが望ましい。ここで、出発原料となる炭酸希土塩は、天然に存在するセリウム、ランタン、プラセオジム、およびネオジムなどを多く含む希土精鉱を粉砕した後、アルカリ金属、アルカリ土類金属、放射性物質などの希土類以外の成分を化学的に分離除去して、重炭酸アンモニウムやシュウ酸などで炭酸塩とすることで得られる。
この炭酸希土を電気炉などで約500℃〜約1200℃で焼成した後、焼成粉を粉砕することにより、希土類酸化物を主成分とする研磨材を製造することができる。なお、焼成条件、粉砕条件などを適宜選択することにより、所望の粒度分布を有する研磨材を得ることができる。
In the present invention, it is desirable to use a rare earth oxide produced using a rare earth carbonate as a starting material. Here, the rare earth carbonate as a starting material is obtained by pulverizing a rare earth concentrate containing a large amount of naturally occurring cerium, lanthanum, praseodymium, and neodymium, and then crushing the alkali metal, alkaline earth metal, radioactive material, etc. It is obtained by chemically separating and removing components other than rare earths and converting them into carbonates with ammonium bicarbonate, oxalic acid or the like.
After sintering the rare earth carbonate at about 500 ° C. to about 1200 ° C. in an electric furnace or the like, the sintering powder is pulverized to produce an abrasive mainly composed of a rare earth oxide. Note that an abrasive having a desired particle size distribution can be obtained by appropriately selecting firing conditions, grinding conditions, and the like.

また、焼成の状態は、研磨材粒子の比表面積の数値で判断することができるが、比表面積が1〜50m/gの範囲であることが好ましく、さらには2〜20m/gの範囲であることが特に好ましい。比表面積が1m/gが未満の場合、被研磨体の表面にスクラッチや微小ピットが発生しやすくなり、50m/gを超えると、研磨レートが低下する。 The firing of the state can be determined in numerical values of the specific surface area of the abrasive particles, it is preferred that the specific surface area is in the range of 1 to 50 m 2 / g, more range of 2 to 20 m 2 / g Is particularly preferred. When the specific surface area is less than 1 m 2 / g, scratches and minute pits tend to be generated on the surface of the object to be polished, and when the specific surface area exceeds 50 m 2 / g, the polishing rate decreases.

〈アニオン系界面活性剤〉
本発明に使用されるアニオン系界面活性剤としては、公知のカルボン酸塩(石鹸、N−アシルアミノ酸塩、アルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチドなど)、スルホン酸塩(アルカンスルホン酸塩(アルキルベンゼンスルホン酸塩も含む)、アルキルナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、N−アシルスルホン酸塩など)、硫酸エステル塩(硫酸化油、アルキル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、アルキルアリルエーテル硫酸塩、アルキルアミド硫酸塩など)、燐酸エステル塩(アルキル燐酸塩、アルキルエーテル燐酸塩、アルキルアリルエーテル燐酸塩など)から選ばれ、低分子化合物や高分子化合物も含まれる。ここで、塩とはLi塩、Na塩、K塩、Rb塩、Cs塩、アンモニウム塩、およびH型の少なくとも1種から選ばれる。
<Anionic surfactant>
Examples of the anionic surfactant used in the present invention include known carboxylate (soap, N-acylamino acid salt, alkyl ether carboxylate, acylated peptide, etc.), sulfonate (alkane sulfonate (alkylbenzene) Sulfonates), alkyl naphthalene sulfonates, sulfosuccinates, α-olefin sulfonates, N-acyl sulfonates, etc.), sulfates (sulfated oils, alkyl sulfates, alkyl ether sulfates, Selected from alkyl allyl ether sulfates, alkyl amide sulfates, and the like, and phosphoric acid ester salts (alkyl phosphates, alkyl ether phosphates, alkyl allyl ether phosphates, etc.), and include low molecular weight compounds and high molecular weight compounds. Here, the salt is selected from at least one of Li salt, Na salt, K salt, Rb salt, Cs salt, ammonium salt, and H type.

例えば、石鹸としては、炭素数がC12〜C18の脂肪酸塩であり、一般には脂肪酸基としては、ラウリル酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸が挙げられ、N−アシルアミノ酸塩としては、炭素数がC12〜C18のN−アシル−N−メチルグリシン塩やN−アシルグルタミン酸塩が挙げられる。アルキルエーテルカルボン酸塩としては、炭素数がC6〜C18の化合物が挙げられ、アシル化ペプチドとしては、炭素数がC12〜C18の化合物が挙げられる。スルホン酸塩としては、炭素数がC6〜C18の前記化合物が挙げられ、例えば、アルカンスルホン酸では、ラウリルスルホン酸、ジオクチルサクシンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ミリスチルスルホン酸、ケリルベンゼンスルホン酸、ステアリルスルホン酸などが挙げられる。硫酸エステル塩としては、炭素数がC6〜C18の前記化合物が挙げられ、例えば、ラウリル硫酸、ジオクチルサクシン硫酸、ミリスチル硫酸、ステアリル硫酸などのアルキル硫酸塩、燐酸エステル塩としては、炭素数がC8〜C18の前記化合物が挙げられる。高分子化合物である界面活性剤としては、特殊ポリカルボン酸型化合物(花王(株)、商品名:デモールEP)が例示できる。   For example, soap is a fatty acid salt having a carbon number of C12 to C18. Generally, the fatty acid group includes lauric acid, myristic acid, palmitic acid, and stearic acid. And C12-C18 N-acyl-N-methylglycine salts and N-acylglutamate salts. Examples of the alkyl ether carboxylate include compounds having C6 to C18, and examples of the acylated peptide include compounds having C12 to C18. Examples of the sulfonic acid salt include the compounds having C6 to C18. For example, in the case of alkanesulfonic acid, laurylsulfonic acid, dioctylsuccinsulfonic acid, benzenesulfonic acid, dodecylbenzenesulfonic acid, myristylsulfonic acid, kerylsulfonic acid Benzenesulfonic acid, stearylsulfonic acid and the like can be mentioned. Examples of the sulfate ester salt include the compounds having a carbon number of C6 to C18. For example, alkyl sulfates such as lauryl sulfate, dioctylsuccisulfate, myristyl sulfate, and stearyl sulfate; and phosphate ester salts include a carbon number of C8 to C18. And the aforementioned compounds of C18. Examples of the surfactant which is a polymer compound include a special polycarboxylic acid type compound (Kao Corporation, trade name: Demol EP).

本発明において、アニオン系界面活性剤の含有量は、研磨材に対して0.05〜20質量%が好ましく、より好ましくは0.1〜10質量%である。   In the present invention, the content of the anionic surfactant is preferably 0.05 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 10% by mass, based on the abrasive.

〈ノニオン系界面活性剤〉
本発明に使用されるノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルなどが挙げられる。
<Nonionic surfactant>
Examples of the nonionic surfactant used in the present invention include polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene fatty acid ester, and polyoxyalkylene alkyl ether.

本発明において、ノニオン系界面活性剤の含有量は、研磨材に対して0.0001〜10質量%が好ましく、より好ましくは0.001〜1.0質量%である。   In the present invention, the content of the nonionic surfactant is preferably 0.0001 to 10% by mass, more preferably 0.001 to 1.0% by mass, based on the abrasive.

研磨材スラリーの製造方法としては、例えば、研磨材を製造する際に、あらかじめ焼成して得られた焼成粉を水や水溶性有機溶媒などに分散させ、次いで湿式粉砕を行う方法でもよいし、あるいは、焼成粉を乾式粉砕した後、得られた粉末を水に湿式分散させる方法でもよい。ただし、本発明においては、例えばボールミルなどを用いた湿式粉砕プロセスを経ることが望ましい。 As a method for producing an abrasive slurry, for example, when producing an abrasive, a method in which fired powder obtained by firing in advance is dispersed in water or a water-soluble organic solvent, and then wet pulverization may be used, Alternatively, a method in which the fired powder is dry-pulverized and then the obtained powder is wet-dispersed in water may be used. However, in the present invention, it is desirable to go through a wet pulverization process using, for example, a ball mill.

上記水溶性有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノールなどの炭素数が1乃至10の1価アルコール類、エチレングリコール、グリセリンなどの炭素数3乃至10の多価アルコール、アセトン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ジメチルホムアミド(DMF)、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる。これらの中でも、水、アルコールまたはグリコール類が好ましい。これらは、単独でまたは2種以上を組み合わせて用いられる。   Examples of the water-soluble organic solvent include monohydric alcohols having 1 to 10 carbon atoms, such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, and butanol; polyhydric alcohols having 3 to 10 carbon atoms, such as ethylene glycol and glycerin; Sulfoxide (DMSO), dimethylformamide (DMF), tetrahydrofuran, dioxane and the like can be mentioned. Among them, water, alcohol or glycols are preferred. These are used alone or in combination of two or more.

さらに、本発明の研磨材スラリーには、スラリーの沈降防止あるいは安定性向上を図るために、必要に応じてトリポリリン酸塩のような高分子分散剤、ヘキサメタリン酸塩などのリン酸塩、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロースエーテル類、ポリビニルアルコールなどの水溶性高分子などの添加剤を添加することもできる。これらの添加剤の添加量は、研磨材に対して、0.05〜20質量%の範囲内であることが一般的に好ましく、特に好ましくは0.1〜10質量%の範囲である。   Furthermore, in the abrasive slurry of the present invention, in order to prevent sedimentation of the slurry or improve stability, a polymer dispersant such as tripolyphosphate, a phosphate such as hexametaphosphate, methylcellulose, if necessary. Additives such as cellulose ethers such as carboxymethyl cellulose and water-soluble polymers such as polyvinyl alcohol can also be added. The amount of these additives is generally preferably in the range of 0.05 to 20% by mass, and particularly preferably in the range of 0.1 to 10% by mass, based on the abrasive.

このようにして調製される研磨材スラリーの研磨材濃度(スラリー濃度)は1〜50質量%、好ましくは5〜40質量%、さらに好ましくは10〜30質量%である。研磨材濃度が1質量%を下回ると、十分な研磨性能を発揮させることが難しくなり、50質量%を越えるとスラリーの粘度が上昇して流動性が低くなるので製造上の問題が発生しやすくなり、かつ過剰な研磨材を使用することになるので不経済でもある。   The abrasive concentration (slurry concentration) of the abrasive slurry thus prepared is 1 to 50% by mass, preferably 5 to 40% by mass, and more preferably 10 to 30% by mass. If the abrasive concentration is less than 1% by mass, it is difficult to exhibit sufficient polishing performance, and if it exceeds 50% by mass, the viscosity of the slurry increases and the fluidity becomes low, so that a production problem is likely to occur. In addition, it is uneconomical because excessive abrasive is used.

本発明の研磨材スラリーが適用される被研磨体に特に制限はないが、好ましくは、光学レンズ用ガラス基板、光ディスクや磁気ディスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、薄膜トランジスタ(TFT)型LCDやねじれネマチック(TN)型LCDなどの液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、LSIフォトマスク用などのガラス基板などの各種光学、エレクトロニクス関連ガラス材料や、一般のガラス製品などの仕上げ研磨に用いられる。これらの中でも、特に磁気ディスク用ガラス基板に好適である。   The polishing object to which the abrasive slurry of the present invention is applied is not particularly limited, but is preferably a glass substrate for an optical lens, a glass substrate for an optical disk or a magnetic disk, a glass substrate for a plasma display, a thin film transistor (TFT) type LCD, Used for various types of optics such as glass substrates for liquid crystals such as twisted nematic (TN) LCDs, color filters for liquid crystal televisions, glass substrates for LSI photomasks, etc., glass materials for electronics, and final polishing of general glass products. . Among these, it is particularly suitable for a glass substrate for a magnetic disk.

磁気ディスク用ガラス基板は、高剛性で薄型化に対応できる上に、耐衝撃性が高いなどのメリットを生かした基板として注目されており、その基板のガラス材料は、化学強化ガラスと結晶化ガラスに大別されている。これらの材料はいずれもガラス本来の脆いという欠点を克服するために強化処理を施したものである。通常、ガラス表面の傷の存在は機械的強度を大きく損なうため、ディスク信頼性向上の点からイオン交換による化学強化処理が施されている。すなわち、ガラス基板(原板)をアルカリ溶融塩中に浸し、ガラス表面のアルカリイオンと溶融塩中のより大きなイオンとを交換することで、ガラスの表面層に圧縮応力歪み層を形成して、破壊強度を大幅に増加させたものである。このように化学強化されたガラス基板はガラス内部からのアルカリ溶出が抑えられており、このような化学強化された磁気ディスク(HD)用基板材料に対しても、本発明の研磨材スラリーは優れた研磨性能(研磨速度、基板の表面粗さ、スクラッチなどの表面欠陥の抑制など)を得ることができる。好ましく使用されるHD用ガラス基板としては、LiとNaとを含むアルミノシリケートガラス基板、KとNaとを含むソーダライムガラス基板や、結晶化ガラスが挙げられる。 Glass substrates for magnetic disks are attracting attention as substrates that take advantage of the advantages of high rigidity and thinness and high impact resistance.The glass materials for the substrates are chemically strengthened glass and crystallized glass. Are roughly divided into Each of these materials has been subjected to a strengthening treatment to overcome the disadvantage of glass being brittle. Usually, the presence of a scratch on the glass surface greatly impairs the mechanical strength, and therefore, a chemical strengthening treatment by ion exchange is performed from the viewpoint of improving disk reliability. That is, a glass substrate (original sheet) is immersed in an alkali molten salt, and exchanges alkali ions on the glass surface with larger ions in the molten salt, thereby forming a compressive stress-strain layer on the surface layer of the glass and breaking the glass. The strength is greatly increased. The alkali leaching from the inside of the glass is suppressed in the glass substrate thus chemically strengthened, and the abrasive slurry of the present invention is excellent even for such a chemically strengthened magnetic disk (HD) substrate material. Polishing performance (polishing speed, substrate surface roughness, suppression of surface defects such as scratches, etc.) can be obtained. HD glass substrates preferably used include an aluminosilicate glass substrate containing Li + and Na + , a soda lime glass substrate containing K + and Na +, and crystallized glass.

以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.

(実施例1)
市販の粗炭酸希土粉末(灼熱減量:55.8%)を4kg用い、箱形電気炉で焼成を行った。焼成条件は昇温速度を1.7℃/分とし、焼成温度が900℃で保持時間を2時間とした。焼成後の粉末中に含まれる元素を分析したところ、希土類酸化物の含有率が99質量%であり、希土類酸化物のうちに含まれる酸化セリウム濃度は60質量%であった。また、得られた焼成粉の比表面積をBET法の比表面積測定装置で求めたところ、10m/gであった。
焼成して得られた焼成粉1.7kgを純水2.5kg中に投入して攪拌し、次いで、カルボン酸塩として特殊カルボン酸型高分子界面活性剤(商品名「デモールEP」、花王(株)製)を68g(焼成粉に対して4質量%に該当)および、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル(商品名「エマルゲンMS−110」、花王(株)製)を0.17g(焼成粉に対して0.01質量%に該当)をそれぞれ添加して攪拌を行い、スラリーを作製した。
得られたスラリーを湿式粉砕機に通して循環しながら2.5時間湿式粉砕処理を行った後、スラリーに純水を添加して濃度が20質量%の研磨材スラリーを8kg得た。得られた研磨材スラリーのpHは12.0であった。
また、得られた研磨材スラリーの一部を用い、レーザー回折式粒度分布測定器(「HR850」、CILAS社製)で測定したところ、体積換算の50%累積平均粒径(D50)は0.55μmであった。
(Example 1)
Using 4 kg of commercially available coarse rare earth carbonate powder (ignition loss: 55.8%), firing was performed in a box-type electric furnace. The firing conditions were as follows: a heating rate of 1.7 ° C./min, a firing temperature of 900 ° C., and a holding time of 2 hours. Analysis of the elements contained in the powder after firing revealed that the content of the rare earth oxide was 99% by mass and the concentration of cerium oxide contained in the rare earth oxide was 60% by mass. Further, the specific surface area of the obtained calcined powder was determined by a specific surface area measuring device by a BET method, and was found to be 10 m 2 / g.
1.7 kg of the calcined powder obtained by calcining is put into 2.5 kg of pure water and stirred, and then a special carboxylic acid type polymer surfactant (trade name “Demol EP”, Kao ( 68 g (corresponding to 4% by mass with respect to the calcined powder) and 0.17 g (based on the calcined powder) of polyoxyalkylene alkyl ether (trade name "Emulgen MS-110", manufactured by Kao Corporation) (Corresponding to 0.01% by mass), and the mixture was stirred to prepare a slurry.
The obtained slurry was wet-milled for 2.5 hours while circulating through a wet mill, and then pure water was added to the slurry to obtain 8 kg of an abrasive slurry having a concentration of 20% by mass. The pH of the obtained abrasive slurry was 12.0.
When a part of the obtained abrasive slurry was measured by a laser diffraction type particle size distribution analyzer (“HR850”, manufactured by CILAS), the 50% cumulative average particle size (D50) in terms of volume was 0.1%. It was 55 μm.

(実施例2〜7)
実施例1において、カルボン酸塩およびポリオキシアルキレンアルキルエーテルの添加量をそれぞれ表1に示す添加量に変更した以外は、実施例1と同様にして研磨材スラリーを製造した。
(Examples 2 to 7)
An abrasive slurry was produced in the same manner as in Example 1, except that the addition amounts of the carboxylate and the polyoxyalkylene alkyl ether were changed to the addition amounts shown in Table 1, respectively.

(比較例1〜2)
実施例1において、カルボン酸塩およびポリオキシアルキレンアルキルエーテルの添加量を適宜調節して、それぞれ表1に示す添加量となるように変更した以外は、実施例1と同様にして研磨材スラリーを製造した。
(Comparative Examples 1-2)
In Example 1, the abrasive slurry was prepared in the same manner as in Example 1 except that the addition amounts of the carboxylate and the polyoxyalkylene alkyl ether were appropriately adjusted and changed so as to be the addition amounts shown in Table 1, respectively. Manufactured.

(比較例3)
実施例1において、出発原料を市販の粗炭酸希土粉末から高純度炭酸セリウムに変更し、カルボン酸塩およびポリオキシアルキレンアルキルエーテルの添加量を表1に示す添加量となるように変更した以外は、実施例1と同様にして研磨材スラリーを製造した。
(Comparative Example 3)
In Example 1, except that the starting raw material was changed from commercially available coarse rare earth carbonate powder to high-purity cerium carbonate, and the addition amounts of the carboxylate and the polyoxyalkylene alkyl ether were changed to the addition amounts shown in Table 1. Produced an abrasive slurry in the same manner as in Example 1.

Figure 2004162062
Figure 2004162062

実施例、比較例で得られた研磨材スラリーを用いて、下記に示す被加工物(被研磨体)の研磨を行った。研磨機は4ウエイタイプ両面研磨機(「USP−5B」、不二越機械工業(株)製)を用い、研磨パッドはスウエードタイプのパッド(「ポリテックスDG」、ロデール製)を用いた。また、スラリー供給速度は60ml/min、下定盤回転数は90rpm、加工圧力は75g/cm、研磨時間は10minで研磨を実施した。研磨後、ガラス基板を研磨機より取り出し、純水を用いて超音波洗浄を行い、その後、乾燥させて以下の評価を行った。その結果を表2に示す。
なお、被加工物としては、予め市販の酸化セリウム系研磨材(「SHOROX H−1」、東北金属化学(株)製)で研磨しておいた、磁気デイスク用のφ2.5インチのアルミノシリケートを主成分とするガラス基板(表面粗さRa=9Å)を用いた。
Using the abrasive slurries obtained in the examples and comparative examples, the following workpiece (polished body) was polished. A 4-way type double-side polishing machine ("USP-5B", manufactured by Fujikoshi Machinery Co., Ltd.) was used as a polishing machine, and a suede type pad ("Polytex DG", manufactured by Rodale) was used as a polishing pad. Polishing was performed at a slurry supply speed of 60 ml / min, a lower platen rotation speed of 90 rpm, a processing pressure of 75 g / cm 2 , and a polishing time of 10 min. After polishing, the glass substrate was taken out of the polishing machine, subjected to ultrasonic cleaning using pure water, and then dried and evaluated as follows. Table 2 shows the results.
The workpiece is a 2.5 inch φ aluminosilicate for a magnetic disk which has been polished with a commercially available cerium oxide abrasive (“SHOROX H-1”, manufactured by Tohoku Metal Chemical Co., Ltd.) in advance. Was used as the main component (surface roughness Ra = 9 °).

被加工物の評価:
(1)表面粗さ(Ra)
原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、ガラス基板表面の表面粗さ(Ra)を測定した。
Workpiece evaluation:
(1) Surface roughness (Ra)
The surface roughness (Ra) of the glass substrate surface was measured using an atomic force microscope (AFM).

(2)表面欠陥
微分干渉顕微鏡を用いてガラス基板表面を観察し、表面の付着状態、ピット、スクラッチの発生の有無などを調べた。スクラッチの評価は、ガラス基板表面に発生したスクラッチの本数で示し、表面欠陥の評価は、3段階の相対的な評価で行い、ピットの発生がほとんどなく表面状態が良好である場合には「A」、ややピットの発生があり、実用上問題である場合を「B」、表面状態が非常に悪い場合を「C」で示した。
(2) Surface Defects The surface of the glass substrate was observed using a differential interference microscope, and the adhesion state of the surface, the presence or absence of pits and scratches, and the like were examined. The evaluation of scratches is indicated by the number of scratches generated on the surface of the glass substrate, and the evaluation of surface defects is performed by a relative evaluation of three stages. "B" indicates that pits are slightly generated and is a practical problem, and "C" indicates that the surface condition is extremely poor.

(3)研磨レート
研磨前後におけるガラス基板の重量変化から研磨レート(μm/min)を求めた。
(3) Polishing Rate The polishing rate (μm / min) was determined from the change in weight of the glass substrate before and after polishing.

Figure 2004162062
Figure 2004162062

表2から明らかなように、実施例1〜7の研磨材スラリーを用いて研磨した場合には、研磨レートが速く、且つ表面粗さが小さく、スクラッチや表面欠陥のない良好な研磨表面を実現することができた。
一方、比較例1の研磨材スラリーは、ノニオン系界面活性剤が含有されていないため、これを用いて研磨した場合には、研磨レートが遅く、且つ表面粗さが大きかった。
比較例2の研磨材スラリーは、アニオン系界面活性剤が含有されておらず、且つpHが11未満のため、これを用いて研磨した場合には、研磨レートが遅く、表面粗さが大きく、スクラッチや表面欠陥が生じ、精密研磨には不適であることが判明した。
比較例3の研磨材スラリーは、アニオン系界面活性剤およびノニオン系界面活性剤は含有されているもののpHが11未満であるため、これを用いて研磨した場合も、研磨レートが遅く、且つ表面粗さが大きかった。
As is clear from Table 2, when the polishing was performed using the abrasive slurries of Examples 1 to 7, the polishing rate was high, the surface roughness was small, and a good polished surface free from scratches and surface defects was realized. We were able to.
On the other hand, since the abrasive slurry of Comparative Example 1 did not contain a nonionic surfactant, when polished using the same, the polishing rate was low and the surface roughness was large.
The polishing slurry of Comparative Example 2 did not contain an anionic surfactant and had a pH of less than 11, so when polished using this, the polishing rate was low and the surface roughness was large, It was found that scratches and surface defects occurred, and were not suitable for precision polishing.
Although the abrasive slurry of Comparative Example 3 contained an anionic surfactant and a nonionic surfactant but had a pH of less than 11, the polishing rate was low and the polishing rate was low even when polishing was performed using this. The roughness was great.

Claims (14)

酸化セリウムを含む希土類酸化物を主成分とする研磨材と、アニオン系界面活性剤と、ノニオン系界面活性剤とを含有し、且つ、pHが11以上であることを特徴とする研磨材スラリー。 An abrasive slurry containing an abrasive mainly composed of a rare earth oxide containing cerium oxide, an anionic surfactant, and a nonionic surfactant, and having a pH of 11 or more. 前記研磨材は希土類酸化物を90質量%以上含有することを特徴とする請求項1に記載の研磨材スラリー。 The abrasive slurry according to claim 1, wherein the abrasive contains at least 90% by mass of a rare earth oxide. 前記希土類酸化物は酸化セリウムを50〜90質量%含有することを特徴とする請求項1に記載の研磨材スラリー。 The abrasive slurry according to claim 1, wherein the rare earth oxide contains 50 to 90% by mass of cerium oxide. 前記希土類酸化物は、炭酸希土塩を出発原料として製造されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の研磨材スラリー。 The abrasive slurry according to any one of claims 1 to 3, wherein the rare earth oxide is manufactured using a rare earth carbonate as a starting material. 研磨材粒子の50%累積平均径(D50)が、0.01〜10μmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の研磨材スラリー。 The abrasive slurry according to any one of claims 1 to 4, wherein the 50% cumulative average diameter (D50) of the abrasive particles is 0.01 to 10 m. 研磨材粒子の比表面積が、1〜50m/gであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の研磨材スラリー。 The specific surface area of the abrasive particles, the abrasive slurry according to claim 1, characterized in that a 1 to 50 m 2 / g. 前記アニオン系界面活性剤が、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、燐酸エステル塩の低分子化合物および高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の研磨材スラリー。 The anionic surfactant is at least one selected from the group consisting of low molecular weight compounds and high molecular weight compounds of carboxylate, sulfonate, sulfate, and phosphate. 7. The abrasive slurry according to any one of 6. 前記ノニオン系界面活性剤が、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の研磨材スラリー。 The nonionic surfactant is at least one selected from the group consisting of polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyalkylene alkyl ether, and polyoxyethylene fatty acid ester, according to any one of claims 1 to 7, wherein An abrasive slurry as described in the above. 水、炭素数1〜10の1価アルコール類、グリコール類、炭素数1〜10の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンからなる群から選ばれる少なくとも1種の溶媒を含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の研磨材スラリー。 Contains at least one solvent selected from the group consisting of water, monohydric alcohols having 1 to 10 carbon atoms, glycols, polyhydric alcohols having 1 to 10 carbon atoms, dimethyl sulfoxide, dimethylformamide, tetrahydrofuran and dioxane. The abrasive slurry according to any one of claims 1 to 8, wherein リン酸塩、セルロースエーテル類および水溶性高分子からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の研磨材スラリー。 The abrasive slurry according to any one of claims 1 to 9, comprising at least one selected from the group consisting of phosphates, cellulose ethers and water-soluble polymers. 請求項1〜10のいずれかに記載の研磨材スラリーを用いて研磨することを特徴とする基板の研磨方法。 A method for polishing a substrate, comprising polishing using the abrasive slurry according to claim 1. 請求項11に記載の研磨方法を用いることを特徴とする基板の製造方法。 A method for manufacturing a substrate, comprising using the polishing method according to claim 11. 請求項12に記載の基板の製造方法を用いて製造される基板。 A substrate manufactured by using the method for manufacturing a substrate according to claim 12. 光学レンズ用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、LSIフォトマスク用ガラス基板、および磁気ディスク用ガラス基板からなる群から選ばれることを特徴とする請求項13に記載の基板。




It is selected from the group consisting of glass substrates for optical lenses, glass substrates for optical disks, glass substrates for plasma displays, glass substrates for liquid crystals, color filters for liquid crystal televisions, glass substrates for LSI photomasks, and glass substrates for magnetic disks. The substrate according to claim 13, wherein:




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