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JP2004039975A - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents

基板の処理装置及び処理方法 Download PDF

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JP2004039975A
JP2004039975A JP2002197327A JP2002197327A JP2004039975A JP 2004039975 A JP2004039975 A JP 2004039975A JP 2002197327 A JP2002197327 A JP 2002197327A JP 2002197327 A JP2002197327 A JP 2002197327A JP 2004039975 A JP2004039975 A JP 2004039975A
Authority
JP
Japan
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substrate
processing liquid
processing
liquid
nozzle
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Application number
JP2002197327A
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English (en)
Inventor
Yukinobu Nishibe
西部 幸伸
Akinori Iso
磯 明典
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Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】この発明は基板を処理するっ処理液を、基板の全面にわたって迅速かつ均一に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置において、
カップ体1と、このカップ体内に設けられ上記基板を保持して回転駆動される回転テーブル15と、この回転テーブルの上方に配置され上記基板の中心部から径方向外方に向けて上記処理液を所定の幅寸法の帯状で供給するスリット状のノズル孔を有するノズル体31とを具備する。
【選択図】  図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は処理液をノズル体から基板の板面に供給してこの基板を処理する処理装置及び処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置などを製造する場合、半導体ウエハやガラス基板などの基板に回路パタ−ンを形成するリソグラフィプロセスがある。このリソグラフィプロセスは、周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パタ−ンが形成されたマスクを介して光を照射し、ついでレジストの光が照射されない部分(あるいは光が照射された部分)を除去し、除去された部分をエッチングするなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パタ−ンを形成するものである。
【0003】
たとえば、基板を処理液としてのエッチング液でエッチングする場合、エッチングを均一に行うためには、基板の全面にエッチングを均一に、しかも迅速に供給することが要求される。
【0004】
基板にエッチング液を供給して所定時間が経過したならば、エッチング液によるエッチング作用を迅速に止めるとともに基板を清浄にするために、処理液としての洗浄液をやはり基板の全面に迅速かつ均一に供給することが要求される。
【0005】
従来、エッチング液や洗浄液、或いはその他の薬液などの処理液を基板の板面に供給するにはスピン処理装置が用いられている。スピン処理装置はカップ体を有し、このカップ体内には回転テーブルが設けられている。この回転テーブルには基板が着脱可能に保持される。
【0006】
上記回転テーブルに保持された基板には、ノズル体によって処理液が供給される。上記ノズル体は、ノズル孔の先端を上記基板の中心部に向けて上記回転テーブルの上方に配置されている。そのため、基板を回転させるとともに、上記ノズル体から処理液を噴射すれば、基板に処理液を供給することができる。
【0007】
基板に処理液を基板の板面全体にわたって均一かつ迅速に供給するためには、処理液を上記ノズル体から基板の中心部に供給するとともに、基板を高速度で回転させることによって生じる遠心力で基板中心部に供給された処理液を迅速かつ均一に分散させるということが行われている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
処理液を基板の板面全体に迅速かつ均一に供給するため、基板を高速度で回転させると、処理液が基板の周縁部から勢いよく飛散する。そのため、基板から飛散した処理液はカップ体の内周面で反射し、基板に跳ね返ることがあるため、基板を汚染するなどの悪影響が生じることがある。
【0009】
処理液が基板の周縁部から勢いよく飛散するのを防止するため、基板の回転数を低くして処理液を供給するということが考えられる。基板の回転数を低くすると、基板に供給された処理液に作用する遠心力が低下するから、処理液が基板の全面に迅速かつ均一に分散し難くなる。そのため、基板の回転数を低くした場合には、処理液の供給量を増大して迅速かつ均一な分散を図らなければならないから、処理液の使用量が多くなり、ランニングコストの増大を招くということがある。
【0010】
この発明は、基板の回転数を高くしたり、処理液の供給量を増大することなく、処理液を基板の板面全体に迅速かつ均一に供給することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、基板を処理液によって処理する処理装置において、
カップ体と、
このカップ体内に設けられ上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
この回転テーブルの上方に配置され上記基板の中心部から径方向外方に向けて上記処理液を所定の幅寸法の帯状で供給するスリット状のノズル孔を有するノズル体と、
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【0012】
請求項2の発明は、上記ノズル体は、上記処理液の噴射角度を上記基板の板面に対して垂直な状態から10〜80度の範囲で傾斜させて配設されていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置にある。
【0013】
請求項3の発明は、上記ノズル体のノズル孔の幅寸法は、上記基板の内径寸法よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置にある。
【0014】
請求項4の発明は、基板を処理液によって処理する処理方法において、
基板をほぼ水平に保持して回転させる工程と、
回転する基板の板面に向けて上記処理液を所定の幅寸法の帯状で、上記基板の中心部から径方向外方に向けて供給する工程と、
を具備することを特徴とする基板の処理方法にある。
【0015】
この発明によれば、処理液を基板の中心部から径方向外方に向けて供給することで、基板の回転数を高くしなくても、処理液を基板の中心部から周辺部に向けて迅速に流すことができ、しかも処理液は所定の幅寸法の帯状で供給されるため、供給面積が拡大され、均一な供給が可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態を説明する。
【0017】
図1はこの発明の一実施の形態のスピンタイプの処理装置を示し、この処理装置はカップ体1を有する。このカップ体1は処理槽の底板2(処理槽は底板のみ図示)上に設けられた下カップ3と、この下カップ3の上側に設けられた上カップ4とからなる。上記底板2と下カップ3の中心部にはそれぞれ周壁2a,3aによって周辺部が覆われた開口5,6が形成されている。
【0018】
上記底板2の周壁2aは上記下カップ3の周壁3aよりも径方向内方に位置し、この周壁3aによって囲まれた開口5内には駆動モータ7が配置されている。この駆動モータ7は、環状の固定子8内に中空状の回転子9が回転可能に設けられてなる。
【0019】
上記固定子8の上端には固定板11が設けられ、この固定板11上には筒状の支持体12が設けられている。この支持体12には中空状の回転体13が軸方向の中途部を軸受14によって回転可能に支持されて設けられている。
【0020】
上記回転体13の上部は上記カップ体1内に突出し、その上端には回転テーブル15が取着されている。この回転テーブル15は、図2に示すように基部16を有する。この基部16の外周部には周方向に90度間隔で4つの取付け部17が設けられ、各取付け部17には先端部がL字状に屈曲したアーム18の基端部が取付け固定されている。
【0021】
各アーム18の先端部には支持ピン19と、この支持ピン19よりも背の高い一対の係合ピン20が突設されている。そして、上記回転テーブル15には、矩形状の基板Wが角部下面を支持ピン19に支持され、角部の直交する一対の側面を一対の係合ピン20に係合させてほぼ水平に保持される。基板Wは、たとえば液晶表示パネルに用いられるガラス基板である。したがって、上記回転テーブル15が上記駆動モータ7によって回転駆動されれば、上記基板Wはこの回転テーブル15と一体的に回転する。
【0022】
図1に鎖線で示すように、上記回転子9及び回転体13には固定軸21が挿通されている。この固定軸21の上端には、上記回転テーブル15の基部16の上面側に位置するノズルヘッド22が設けられている。このノズルヘッド22には、回転テーブル15に保持された基板Wの下面に向けて純水や薬液などの処理液を供給する複数の第1のノズル23及び加圧気体を噴射する第2のノズル24が設けられている。なお、上記ノズルヘッド22は上記基部16に対して非接触となっている。
【0023】
上記支持体12の上端にはカバー25が設けられている。このカバー25は底板2と下カップ3との開口5,6を覆うとともに、周縁部には下カップ3の周壁3aの外周面に対向する第1の環状壁26が設けられ、径方向中途部には底板2の周壁2aの内周面に対向する第2の環状壁27が設けられている。それによって、カップ体1内の雰囲気が下カップ3の開口5から外部へ漏れ出るのを防止している。
【0024】
上記下カップ3の底部には複数の排出管29が接続されている。これらの排出管29は図示しない排気ポンプに連通している。したがって、カップ体1内の雰囲気は上記排出管29を通じて排出されるようになっている。
【0025】
上記回転テーブル15に保持された基板Wの上面には上部ノズル体31によって薬液や洗浄液などの処理液が供給される。この上部ノズル体30は、図3に示すように第1の板状部材32と第2の板状部材33とが互いの一側面を接触させ、ねじ34によって固定されたノズル本体31を有する。
【0026】
第1の板状部材32の第2の板状部材33に接する一側面には凹部35が形成されている。この凹部35には、第1の板状部材32の他側面に接続された供給管36によって処理液が供給される。凹部35に供給された処理液は、ノズル本体31の先端部(下端部)に形成されたノズル孔37から流出するようになっている。
【0027】
上記ノズル孔37は、ノズル本体31の幅方向に沿って細長いスリット状をなしているとともに、ノズル本体31の側面に対して図2にθで示す所定の角度、たとえば10〜80度の角度、この実施の形態では60度の角度で傾斜して形成されている。
【0028】
上記ノズル孔37の幅寸法は、基板Wの内径寸法よりも小さく設定されている。基板Wが矩形状の場合、ノズル孔37の幅寸法は、基板Wの短辺の長さ寸法よりも小さく設定されており、たとえば基板Wの対角の長さ寸法の3分の1〜10分の1の幅寸法に設定されている。それによって、基板Wの上面には、処理液がノズル孔37の幅寸法に応じた帯状に供給される。
【0029】
なお、ノズル本体31の下端部には、上記ノズル孔37の間隔を調整する一対の調整ねじ38が第1の板状部材32と第2の板状部材33の他側面からそれぞれねじ込まれている。一対の調整ねじ38の先端は当接している。したがって、これら調整ねじ38の捩じ込み量によって上記ノズル孔37の間隔を調整できるようになっている。上記ノズル本体31には複数対の調整ねじ38が長手方向に所定間隔で設けられている。それによって、ノズル孔37の間隔を全長にわたって調整することが可能となっている。
【0030】
上記上部ノズル体31はアーム体41に取り付けられている。このアーム体41は、垂直部42と、この垂直部42の上端に基端部が連結された水平部43とを有する。この水平部43の先端には板面を垂直にして取付け板44が設けられている。そして、この取付け板44には上記上部ノズル体31が第1の板状部材32の他側面を接合させて取付け固定されている。したがって、上部ノズル体31のノズル孔37は、回転テーブル15に保持された基板Wの板面に対し、垂直な状態からほぼ60度の角度で傾斜している。
【0031】
上記アーム体41の垂直部42は、図示しない駆動機構によって上下方向及び回転方向に駆動されるようになっている。それによって、上記上部ノズル体31はノズル孔37の先端から基板Wの上面に対する距離を設定することができ、また回転テーブル15から基板Wを着脱する際には上部ノズル体31をアーム体41とともにカップ体1の上方から退避させることができるようになっている。
【0032】
つぎに、上記構成の処理装置によって基板Wを処理する場合について説明する。上部ノズル体31をカップ体1の上方から退避させた状態で、回転テーブル15に未処理の基板Wを供給したならば、アーム体41を駆動して上部ノズル体31の基板Wの上面の中心部に、この上面に対して先端を所定間隔で離間させた状態で位置決めする。
【0033】
その状態で回転テーブル15を回転させるとともに、上部ノズル体30から基板Wに向けて処理液を供給する。上部ノズル体30の処理液が流出するノズル孔37は所定の幅寸法を有するスリット状であって、基板Wの板面に対して所定の角度で傾斜している。
【0034】
そのため、処理液は上記ノズル孔37から所定の幅寸法の帯状で、しかも図3に矢印Xで示すように基板Wの中心部から径方向外方に向かって流出するから、基板Wの上面全体にわたって処理液を迅速かつ均一に供給することができる。
【0035】
上記ノズル孔37から帯状に供給される処理液の幅寸法、つまりノズル孔37の幅寸法を、基板Wの対角の長さ寸法の3分の1〜10分の1に設定し、処理液の噴射角度を垂直線に対して10〜80度の範囲で傾斜させた。
【0036】
ノズル孔37の幅寸法を上述したごとく設定することで、処理液の単位時間当たりの供給量を増大させることなく、処理液が基板Wの板面全体に供給される時間を短縮することができ、また処理液の供給角度を上述したごとく設定することで、基板Wの中心部に供給された処理液を周辺部に向かって円滑かつ迅速に流すことができる。
【0037】
したがって、これらのことにより、基板Wへの処理液の供給量を増大させることなく、基板Wに供給された処理液を、この基板Wの全面にわたって迅速かつ均一に供給することができる。その結果、基板Wの処理を、この基板Wの板面に対する処理液の供給状態に応じて迅速かつ均一に行うことが可能となる。
【0038】
このように、処理液を帯状で、しかも所定の角度で傾斜させて供給することで、処理液を基板Wの全面にわたって迅速かつ均一に供給することができる。そのため、従来のように基板Wの回転数を上げて処理液に作用する遠心力を増大させなくとも、処理液を基板Wの板面全体に迅速かつ均一に供給することができる。
【0039】
つまり、基板Wの回転数が毎分数十回転程度の低速回転であっても、処理液を基板Wの全面に迅速かつ均一に供給することができる。そのため、処理液が基板Wの周縁部から勢いよく飛散して基板Wに跳ね返るということがなくなるから、基板Wの汚染を招くことなく、処理液によって処理することができる。
【0040】
なお、上部ノズル体31のノズル孔37の幅寸法を、基板Wの対角の長さ寸法の3分の1〜10分の1の範囲に設定したところ、処理液の単位時間当たりの使用量を、シャワ−ノズルを用いる従来に比べて少なくし、しかも従来とほぼ同じ処理均一性を得ることができた。
【0041】
また、基板Wに対する処理液の供給角度を垂直線に対して10〜80度の角度で傾斜させたところ、基板Wの中心部に供給された処理液が周辺部に向かって円滑に流れることが確認された。
【0042】
処理液の噴射角度が10度以下であると、ノズル孔37から噴射された処理液が基板Wの板面に強く当たりすぎて周辺部に向かって円滑に流れ難くなることが確認された。処理液の噴射角度が80度以上になると、基板Wの板面に対する圧力が低くなるため、基板Wに対する処理作用が低下することが分かった。
【0043】
以上のことから、処理液の噴射角度は垂直線に対して10〜80度の範囲が好ましく、基板W上における処理液の円滑な流れと、処理液の基板Wに対する処理作用との両者を満足するためには約60度の角度にすることが好ましい。
【0044】
この発明は上記一実施の形態に限定されるものでなく、たとえばこの処理装置で処理される基板は液晶パネル用のガラス基板に限られず、半導体ウエハであっても、同様の作用効果を期待することができる。
【0045】
また、処理液を基板の板面に対して傾斜させて供給するために、上部ノズル体のノズル本体に対してノズル孔を傾斜させて形成したが、アーム体に対する上部ノズル体の取付け角度を調整して、ノズル孔の傾斜角度を設定するようにしても差し支えない。
【0046】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、処理液を基板の中心部から径方向外方に向けて傾斜させ、しかも所定の幅寸法の帯状で供給するようにした。
【0047】
そのため、処理液の供給量を増大したり、基板の回転数を高くしなくても、処理液を基板の中心部から周辺部に向けて迅速に、しかも均一に供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係るスピン方式の処理装置の縦断面図。
【図2】回転テーブルの平面図。
【図3】上部ノズル体の縦断面図。
【符号の説明】
1…カップ体
15…回転テーブル
31…上部ノズル体
37…ノズル孔

Claims (4)

  1. 基板を処理液によって処理する処理装置において、
    カップ体と、
    このカップ体内に設けられ上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
    この回転テーブルの上方に配置され上記基板の中心部から径方向外方に向けて上記処理液を所定の幅寸法の帯状で供給するスリット状のノズル孔を有するノズル体と、
    を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
  2. 上記ノズル体は、上記処理液の噴射角度を上記基板の板面に対して垂直な状態から10〜80度の範囲で傾斜させて配設されていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
  3. 上記ノズル体のノズル孔の幅寸法は、上記基板の内径寸法よりも小さく設定されていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
  4. 基板を処理液によって処理する処理方法において、
    基板をほぼ水平に保持して回転させる工程と、
    回転する基板の板面に向けて上記処理液を所定の幅寸法の帯状で、上記基板の中心部から径方向外方に向けて供給する工程と、
    を具備することを特徴とする基板の処理方法。
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