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JP2004031960A - Polishing apparatus - Google Patents

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JP2004031960A
JP2004031960A JP2003176833A JP2003176833A JP2004031960A JP 2004031960 A JP2004031960 A JP 2004031960A JP 2003176833 A JP2003176833 A JP 2003176833A JP 2003176833 A JP2003176833 A JP 2003176833A JP 2004031960 A JP2004031960 A JP 2004031960A
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wafer
membrane
polishing
support
polishing head
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Jun-Gyu Ryu
柳　俊　圭
Hyun-Sung Lee
李　賢　星
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Samsung Electronics Co Ltd
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing apparatus which can unload a wafer in a chemical mechanical polishing (CMP) process with stability. <P>SOLUTION: A wafer polishing apparatus has a wafer transfer stage 120 comprising a device which provides a fluid between a wafer W and a membrane 168. Preferably, the transfer stage 120 has a column 122, on which the wafer W is set, and a fluid providing device for reducing surface tension between the wafer W and the membrane 168 when the wafer W is unloaded from a polishing head 162 to the column 122. The fluid providing device may comprise a jet nozzle 124 for jetting an ultrapure water between the wafer and the membrane, or a jet nozzle for jetting an inert gas. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は半導体ウェーハを製造する装置に関するものであり、さらに具体的には、半導体ウェーハの表面を化学的、機械的に研磨する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、半導体装置が高集積化することによって、配線構造が多層化されて半導体基板上に積層された単位セルの間の表面段差が徐々に増加されており、これら単位セルの間の表面段差を減らすために、多様なウェーハ工程面の研磨方法が提示されている。これらのうちウェーハの化学機械的な研磨を同時に実施してウェーハの工程面を平坦化するＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装備が広く使われている。
【０００３】
通常、ＣＭＰ工程では、ウェーハは工程面がターンテーブルに向けるようにポリッシングヘッドに装着され、ウェーハの工程面は研磨パッドが設置されたターンテーブル上に置かれる。ポリッシングヘッドはターンテーブルの研磨パッドに対抗してウェーハを押付けるように、ウェーハ上に制御可能な押圧力または圧力を提供する。また、ポリッシングヘッドはウェーハとターンテーブルとの間に追加的な運動を提供するように回転することもできる。
【０００４】
特に、ＣＭＰポリシャ（ｐｏｌｉｓｈｅｒ）業界での均一性（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が優れたメンブレイン（ｍｅｍｂｒａｎｅ）タイプのヘッドの開発／適用が活発に進行されている。
【０００５】
このようなメンブレインタイプのポリッシングヘッドは、ウェーハとメンブレインとの間の真空／エアブロー（ａｉｒ　ｂｌｏｗ）を利用してウェーハを固定（ｃｈｕｃｋ）、または非固定（ｒｅｌｅａｓｅ）する方式を用いている。しかし、このような方式のポリッシングヘッドでは、ウェーハを伝達ステージにアンローディングする過程でエラーが多発する問題点がある。
【０００６】
図１乃至図３に、ウェーハアンローディング過程を示す。図面を参照すると、ウェーハアンローディングは、ポリッシングヘッド１０が伝達ステージ２０に移動されれば、伝達ステージ２０のペデスタル２２が上昇する準備段階と（図１）、空気圧によってメンブレイン１２が膨脹され、ウェーハｗがペデスタル２２に置かれるメンブレインブローイング段階と（図２）、最後に、ウェーハがペデスタル２２に置かれてから、メンブレイン１２が収縮されるメンブレインベント段階（図３）が行われる。ここで、ウェーハアンローディングエラーは、前記メンブレイン１２のブローイング段階でウェーハがメンブレインから完全に離れない状態（ウェーハのエッジ部分はメンブレインから離れるが、ウェーハのセンタ部分はメンブレインに付着されている）でメンブレインベント（メンブレイン収縮）が進行し、ウェーハが前記メンブレイン１２に付いて上がることによって発生する。特に、ウェーハの表面が疎水性（Ｈｙｄｒｏｐｏｈｏｂｉｃ）の場合には、ウェーハとメンブレインとの接触面の表面張力によってウェーハアンローディングエラーが多発する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ウェーハを安定的にアンローディングすることができるポリッシング装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するための本発明の特徴によると、ウェーハを研磨するための装置は、ウェーハとメンブレインとの間に流体を提供する装置を含むウェーハ伝達ステージを具備する。望ましくは、前記伝達ステージは、ウェーハが置かれる支柱と、ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、前記ウェーハとメンブレイン間の表面張力を減らすための流体提供装置を有する。前記流体提供装置は、前記ウェーハとメンブレインとの間に超純水を噴射する噴射ノズルまたは不活性ガスを噴射する噴射ノズルからなることができる。
【０００９】
本発明の実施形態によると、前記伝達ステージは、前記ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、ウェーハを真空吸着するための真空ホールが前記支柱に形成されることができる。
【００１０】
また、前記伝達ステージは、前記ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、前記支柱に置かれたウェーハが前記メンブレインに付着された状態で前記メンブレインに付いて上がることを防止するためのストッパ部材をさらに具備することができる。ここで、前記ストッパ部材は、前記ウェーハと前記メンブレインとの間に挿入されてウェーハが前記メンブレインに付いて持ち上げられることを防止するインタセプタと、このインタセプタを前記ウェーハと前記メンブレインとの間に位置、または位置させないための移動装置を有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を添付図面４乃至図９に基づいて詳しく説明する。また図面で同一の機能を実行する構成要素に対しては同一の参照番号を併記する。
【００１２】
図４を参照すると、本発明によるＣＭＰ装置１００は、大きくポリッシングステーション１１０とポリッシングヘッドアセンブリ１６０からなる。前記ポリッシングステーション１１０は、研磨パッド１１２が附着された回転可能なターンテーブル１１４とウェーハ伝達ステージ１２０を有する。
【００１３】
前記ターンテーブル１１４は、ターンテーブルを回転させるための手段（図示せず）に連結され、前記回転手段は前記ターンテーブル１１４を一番良好な回転数で回転させる。前記研磨パッド１１２は、荒いポリッシング面を有する複合材料である。
【００１４】
前記ポリッシングステーション１１０は、通常のパッドコンディショニング手段（図示せず）及び反応試薬（例えば、酸化ポリッシング用脱イオン水）と摩擦粒子（例えば、酸化ポリッシング用二酸化珪素）と化学反応触媒（例えば、酸化ポリッシング用水酸化カリウム）を含むスラリーを研磨パッドの表面に供給するためのスラリー供給手段（図示せず）を含むことができることは勿論である。ここで、前記パッドコンディショニング手段及びスラリー供給手段は、この発明の要旨に該当しないだけでなく、公知技術なので、ここではそれに対する説明を略する。
【００１５】
前記ポリッシングヘッドアセンブリ１６０は、四つのポリッシングヘッド１６２を有する。前記ポリッシングヘッドアセンブリ１６０は前記伝達ステージ１２０の構成要素を示すために一部破断に示している。前記ポリッシングヘッドアセンブリ１６０は、前記研磨ヘッド１６２うちいずれか一つがターンテーブル１１４または伝達ステージ１２０に位置するように、中心軸に対して回転される。前記研磨ヘッド１６２は、研磨パッド１１２に対向してウェーハｗを維持し、ウェーハｗの後面に下向き圧力を均一に分布させる。
【００１６】
図５に示したように、前記研磨ヘッド１６２は、キャリア１６４、リテイナリング１６６、及び柔軟な材質のメンブレイン１６８を有するメンブレインタイプからなる。前記メンブレイン１６８はウェーハｗと直接的に面接触する薄いゴム膜であり、圧力を受ければ膨脹してウェーハｗに均一な圧力をかける。
【００１７】
前記研磨ヘッド１６２はウェーハｗとメンブレイン１６８の間の真空／エアブロー（ａｉｒ　ｂｌｏｗ）を利用してウェーハｗを固定（ｃｈｕｃｋ）、または非固定（ｒｅｌｅａｓｅ）し、ウェーハは前記伝達ステージを通じて前記研磨ヘッドにローディング、または研磨ヘッド１６２からアンローディングされる。
【００１８】
前記伝達ステージ１２０は、ウェーハを前記ポリッシングヘッドにローディングさせ、または、前記ポリッシングヘッドからアンローディングさせる。図５を参照すると、前記伝達ステージ１２０は、支柱（ｐｅｄｅｓｔａｌ：１２２）、超純水噴射ノズル１２４、ストッパ装置（１２６：図８に示している）及びキャッチカップ１２１を含む。
【００１９】
前記キャッチカップ１２１の内部には、前記支柱１２２と超純水噴射ノズル１２４及びストッパ装置１２６が位置する。前記支柱１２２は、支柱１２２の軸１２２ａと連結された昇降装置１３０によって昇降される。前記昇降装置１３０は通常の油圧シリンダ１３２からなる。前記支柱１２２は、ウェーハｗを安定的に保有するために、多数の真空ホール１２２ａが端部に形成されている。前記真空ホール１２２ａは、前記支柱１２２の内部に形成された真空通路１２２ｂと連通され、この真空通路１２２ｂは、外部の真空ポンプ（図示せず）と連通されることは勿論である。
【００２０】
図６に示したように、前記超純水噴射ノズル１２４はウェーハｗが前記研磨ヘッド（１６２から前記支柱１２２にアンローディングされる時に、前記ウェーハｗとメンブレイン１６８との間に超純水を噴射する。前記ウェーハｗとメンブレイン１６８との間に超純水を噴射する理由は、前記ウェーハｗとメンブレイン１６８間の表面張力を減らし、ウェーハの重さの上昇効果を得るためである。このように、前記研磨ヘッド１６２から前記支柱１２２にウェーハｗをアンローディングする過程で（図６参照）、前記ウェーハｗと前記メンブレイン１６８間の表面張力を減らし、ウェーハｗを重くすることによって、ウェーハアンローディング時に発生するアンローディングエラー（支柱に置かれず、メンブレインに付着された状態でメンブレインに付いて上がる問題）を減らすことができる。例えば、本発明の伝達ステージ１２０は、超純水噴射ノズル１２４に代えて前記ウェーハと前記メンブレインとの間に不活性ガスを噴射するガス噴射ノズルを具備することもできる。ここで使う“”不活性”というのはガスが半導体ウェーハにどのような相当の物理的または化学的な変化を惹起させないことを意味する。一般的に不活性ガスには主に窒素ガスが使われる。
【００２１】
アンローディングエラーが生じないので、図７に示すように、ウェーハを安定的にアンローディングすることができる。
【００２２】
図８及び図９を参照すると、前記ストッパ装置１２６は、前記超純水噴射ノズルと同一の目的を達成するためものである。すなわち、前記ストッパ装置１２６は、ウェーハｗが前記研磨ヘッド１６２から前記支柱１２２にアンローディングされる時に、ウェーハが前記支柱１２２に置かれずに、メンブレイン１６８に付着された状態で付いて上がることを遮断する。このために、前記ストッパ装置１２６は、前記ウェーハｗとメンブレイン１６８との間に挿入されてウェーハｗが前記メンブレイン１６８に付いて持ち上げられることを防止するためのインタセプタ（ｉｎｔｅｒｃｅｐｔｏｒ：１２６ａ）と、前記インタセプタ１２６ａを前記ウェーハとメンブレインとの間に挿入させるための駆動部１２６ｂを有する。前記インタセプタ１２６ａは前記駆動部１２６ｂによって待機位置（点線で表示される）と遮断位置（ウェーハとメンブレインとの間）に移動される。前記インタセプタ１２６ａはウェーハｗとメンブレイン１６８との間に位置されることができる位の長さを有することが望ましく、ウェーハとの接触時に、摩擦面積を最小化することができる構造を有することが望ましい。
【００２３】
上述のような構成を有する伝達ステージ１２０でのウェーハアンローディングは次の通りである。前記伝達ステージ１２０に研磨ヘッド１６２が移動し、前記伝達ステージ１２０の支柱１２２が上昇する。（準備段階）空気圧によってメンブレイン１６８が膨脹すれば、ウェーハが支柱１２２に置かれる（メンブレインブローイング段階）。この状態で、前記超純水噴射ノズル１２４は、前記ウェーハｗと前記メンブレイン１６８との間の空間に超純水を噴射し、前記支柱１２２ではウェーハｗを真空吸着する。また、前記ストッパ装置１２６は駆動部１２６ｂを作動させ、待機位置にあるインタセプタ１２６ａをウェーハとメンブレイとの間に（遮断位置）移動させる。その次に、膨れているメンブレインを収縮（メンブレインベント段階）させる。前記支柱１２２にアンローディングされたウェーハは移送ロボット（図示せずによって他の装備（例えば、洗浄装備）に移送される。
【００２４】
上述のように、本実施形態によるＣＭＰ装置の伝達ステージでは、ウェーハをアンローディングする過程で発生するエラーを防止するための多様な手段（ウェーハを真空で吸着する手段、ウェーハとメンブレインとの間の表面張力を減少させ、ウェーハの重さを上昇させる手段、ウェーハがメンブレインに付いて上がることを遮断するための手段）によってウェーハアンローディングエラーを防止することができる。
【００２５】
以上、望ましい実施形態を例示し、それを通じて本発明を説明したが、本発明はここに限定されないことを留意しなければならない。本発明の思想と技術的範囲を逸脱しない範囲内で多様な実施形態及び変形例があるということをよく理解しなければならない。
【００２６】
【発明の効果】
以上のような本発明によると、伝達ステージでウェーハを安定的にアンローディングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的なＣＭＰ装備でのウェーハアンローディング過程を示す図面である。
【図２】一般的なＣＭＰ装備でのウェーハアンローディング過程を示す図面である。
【図３】一般的なＣＭＰ装備でのウェーハアンローディング過程を示す図面である。
【図４】本発明の望ましい実施形態によるＣＭＰ装備の平面構成図である。
【図５】図４に示したポリッシングヘッドと伝達ステージを示す部分側断面図である。
【図６】伝達ステージでのウェーハアンローディング過程を示す図面である。
【図７】伝達ステージでのウェーハアンローディング過程を示す図面である。
【図８】図５に表示された６−６線に沿って切断した断面図である。
【図９】図８に表示された７−７線に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
１１０…ポリッシングステーション、
１１２…研磨パッド、
１１４…ターンテーブル、
１２０…伝達ステージ、
１２２…支柱、
１２４…超純水噴射ノズル、
１２６…ストッパ装置、
１６０…ポリッシングヘッドアセンブリ、
１６２…研磨ヘッド、
１６８…メンブレイン。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor wafer, and more specifically, to an apparatus for chemically and mechanically polishing a surface of a semiconductor wafer.
[0002]
[Prior art]
Recently, due to the high integration of semiconductor devices, the wiring structure is multilayered, and the surface steps between unit cells stacked on a semiconductor substrate are gradually increasing. In order to reduce the number of wafers, various methods for polishing a wafer process surface have been proposed. Among these, CMP (Chemical Mechanical Polishing) equipment for simultaneously performing the chemical mechanical polishing of the wafer and flattening the process surface of the wafer is widely used.
[0003]
Generally, in a CMP process, a wafer is mounted on a polishing head such that a process surface faces a turntable, and a process surface of the wafer is placed on a turntable on which a polishing pad is installed. The polishing head provides a controllable pressing force or pressure on the wafer to press the wafer against the polishing pad of the turntable. The polishing head can also rotate to provide additional movement between the wafer and the turntable.
[0004]
In particular, the development and application of a membrane type head having excellent uniformity in the CMP polisher industry are being actively promoted.
[0005]
Such a membrane-type polishing head uses a method in which a wafer is fixed or released using a vacuum / air blow between the wafer and the membrane. However, such a polishing head has a problem that errors frequently occur during the process of unloading the wafer to the transfer stage.
[0006]
1 to 3 show a wafer unloading process. Referring to the drawing, when the polishing head 10 is moved to the transfer stage 20, the wafer unloading is performed in a preparation stage in which the pedestal 22 of the transfer stage 20 is raised (FIG. 1). A membrane blowing step where w is placed on the pedestal 22 (FIG. 2) and finally a membrane venting step where the membrane 12 is contracted after the wafer is placed on the pedestal 22 (FIG. 3). Here, the wafer unloading error is a condition in which the wafer is not completely separated from the membrane in the step of blowing the membrane 12 (the edge portion of the wafer is separated from the membrane, but the center portion of the wafer is attached to the membrane. This occurs when the membrane vent (membrane contraction) proceeds and the wafer is attached to the membrane 12. Particularly, when the surface of the wafer is hydrophobic, a wafer unloading error frequently occurs due to the surface tension of the contact surface between the wafer and the membrane.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a polishing apparatus that can stably unload a wafer.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
According to a feature of the present invention to achieve the above object, an apparatus for polishing a wafer includes a wafer transfer stage including an apparatus for providing a fluid between the wafer and the membrane. Preferably, the transfer stage has a support on which the wafer is placed, and a fluid providing device for reducing a surface tension between the wafer and the membrane when the wafer is unloaded from the polishing head to the support. The fluid providing device may include a spray nozzle for spraying ultrapure water or a spray nozzle for spraying an inert gas between the wafer and the membrane.
[0009]
According to an embodiment of the present invention, when the wafer is unloaded from the polishing head to the support, a vacuum hole for vacuum-sucking the wafer may be formed in the support.
[0010]
Further, the transfer stage prevents the wafer placed on the support from being lifted up on the membrane while being attached to the membrane when the wafer is unloaded from the polishing head to the support. And a stopper member for performing the operation. Here, the stopper member is inserted between the wafer and the membrane to prevent the wafer from being lifted up by the membrane, and the interceptor is disposed between the wafer and the membrane. Has a moving device for position or non-position.
[0011]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings 4 to 9. In the drawings, components that perform the same function are denoted by the same reference numerals.
[0012]
Referring to FIG. 4, the CMP apparatus 100 according to the present invention includes a polishing station 110 and a polishing head assembly 160. The polishing station 110 has a rotatable turntable 114 on which a polishing pad 112 is attached and a wafer transfer stage 120.
[0013]
The turntable 114 is connected to a means (not shown) for rotating the turntable, and the rotating means rotates the turntable 114 at the best rotational speed. The polishing pad 112 is a composite material having a rough polishing surface.
[0014]
The polishing station 110 includes a conventional pad conditioning means (not shown), a reaction reagent (eg, deionized water for oxidized polishing), friction particles (eg, silicon dioxide for oxidized polishing), and a chemical reaction catalyst (eg, oxidized polishing). Needless to say, a slurry supply means (not shown) for supplying a slurry containing potassium hydroxide for use to the surface of the polishing pad can be included. Here, since the pad conditioning means and the slurry supply means do not fall under the gist of the present invention, and are well known in the art, description thereof will be omitted here.
[0015]
The polishing head assembly 160 has four polishing heads 162. The polishing head assembly 160 is shown partially broken to show components of the transfer stage 120. The polishing head assembly 160 is rotated about a central axis such that one of the polishing heads 162 is located on the turntable 114 or the transmission stage 120. The polishing head 162 holds the wafer w in opposition to the polishing pad 112 and distributes downward pressure uniformly on the rear surface of the wafer w.
[0016]
As shown in FIG. 5, the polishing head 162 is of a membrane type having a carrier 164, a retaining ring 166, and a membrane 168 of a flexible material. The membrane 168 is a thin rubber film that comes into direct surface contact with the wafer w, and expands under pressure to apply a uniform pressure to the wafer w.
[0017]
The polishing head 162 chucks or releases the wafer w using a vacuum / air blow between the wafer w and the membrane 168, and the wafer is moved through the transfer stage. , Or unloaded from the polishing head 162.
[0018]
The transfer stage 120 loads a wafer onto the polishing head or unloads the wafer from the polishing head. Referring to FIG. 5, the transmission stage 120 includes a pedestal (122), an ultrapure water injection nozzle 124, a stopper device (126: shown in FIG. 8), and a catch cup 121.
[0019]
The support post 122, the ultrapure water injection nozzle 124, and the stopper device 126 are located inside the catch cup 121. The column 122 is raised and lowered by a lifting device 130 connected to a shaft 122a of the column 122. The elevating device 130 includes a normal hydraulic cylinder 132. The pillar 122 has a plurality of vacuum holes 122a formed at an end thereof to stably hold the wafer w. The vacuum hole 122a communicates with a vacuum passage 122b formed inside the support column 122, and the vacuum passage 122b communicates with an external vacuum pump (not shown).
[0020]
As shown in FIG. 6, when the wafer w is unloaded from the polishing head 162 to the support column 122, the ultrapure water injection nozzle 124 supplies ultrapure water between the wafer w and the membrane 168. The reason why the ultrapure water is injected between the wafer w and the membrane 168 is to reduce the surface tension between the wafer w and the membrane 168 and obtain an effect of increasing the weight of the wafer. As described above, in the process of unloading the wafer w from the polishing head 162 to the support column 122 (see FIG. 6), the surface tension between the wafer w and the membrane 168 is reduced, and the weight of the wafer w is increased. An unloading error that occurs during wafer unloading (the membrane is not placed on the support but is attached to the membrane. For example, the transmission stage 120 according to the present invention may be configured such that the transfer stage 120 of the present invention uses a gas injection that injects an inert gas between the wafer and the membrane instead of the ultrapure water injection nozzle 124. A nozzle may also be provided, as used herein, "inert" means that the gas does not cause any significant physical or chemical changes in the semiconductor wafer. Mainly uses nitrogen gas.
[0021]
Since no unloading error occurs, the wafer can be stably unloaded as shown in FIG.
[0022]
Referring to FIGS. 8 and 9, the stopper device 126 is for achieving the same purpose as the ultrapure water injection nozzle. That is, when the wafer w is unloaded from the polishing head 162 to the column 122, the stopper device 126 may move upward without attaching the wafer to the column 122, while being attached to the membrane 168. Cut off. To this end, the stopper device 126 is inserted between the wafer w and the membrane 168 to prevent the wafer w from being lifted on the membrane 168, and an interceptor (126a); There is a driving unit 126b for inserting the interceptor 126a between the wafer and the membrane. The interceptor 126a is moved by the driving unit 126b to a standby position (indicated by a dotted line) and a blocking position (between the wafer and the membrane). The interceptor 126a preferably has a length that can be positioned between the wafer w and the membrane 168, and has a structure that can minimize a frictional area when contacting the wafer. desirable.
[0023]
Wafer unloading in the transfer stage 120 having the above configuration is as follows. The polishing head 162 moves to the transmission stage 120, and the column 122 of the transmission stage 120 moves up. (Preparation Step) When the membrane 168 is expanded by air pressure, the wafer is placed on the support 122 (membrane blowing step). In this state, the ultrapure water injection nozzle 124 injects ultrapure water into a space between the wafer w and the membrane 168, and the support 122 sucks the wafer w in vacuum. In addition, the stopper device 126 operates the driving unit 126b to move the interceptor 126a at the standby position between the wafer and the membrane (blocking position). Next, the swollen membrane is contracted (membrane vent stage). The wafer unloaded on the support 122 is transferred to another device (for example, a cleaning device) by a transfer robot (not shown).
[0024]
As described above, in the transmission stage of the CMP apparatus according to the present embodiment, various means for preventing an error occurring during the unloading process of the wafer (means for suctioning the wafer in a vacuum, a space between the wafer and the membrane). (A means for reducing the surface tension of the wafer and increasing the weight of the wafer, and a means for preventing the wafer from rising on the membrane) can prevent a wafer unloading error.
[0025]
Although the present invention has been described above by way of preferred embodiments, it should be noted that the present invention is not limited thereto. It should be understood that there are various embodiments and modifications without departing from the spirit and technical scope of the present invention.
[0026]
【The invention's effect】
According to the present invention as described above, the wafer can be stably unloaded at the transmission stage.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a view illustrating a wafer unloading process in a general CMP apparatus.
FIG. 2 is a view illustrating a wafer unloading process in a general CMP apparatus.
FIG. 3 is a view illustrating a wafer unloading process in a general CMP apparatus.
FIG. 4 is a plan view illustrating a CMP apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention;
FIG. 5 is a partial side sectional view showing a polishing head and a transmission stage shown in FIG. 4;
FIG. 6 is a view illustrating a wafer unloading process in a transfer stage.
FIG. 7 is a view illustrating a wafer unloading process in a transfer stage.
8 is a cross-sectional view taken along line 6-6 shown in FIG.
FIG. 9 is a sectional view taken along line 7-7 shown in FIG.
[Explanation of symbols]
110 ... polishing station,
112 ... polishing pad,
114 ... turntable,
120 ... Transmission stage,
122 ... pillar,
124 ... ultra pure water injection nozzle,
126 ... stopper device,
160 ... polishing head assembly,
162: polishing head,
168 ... Membrane.

Claims (8)

ウェーハを研磨するための装置において、
上部面上に研磨パッドが装着されているターンテーブルを有する研磨ステーションと、
ウェーハと面接触するメンブレインを有し、かつウェーハを維持し、前記ウェーハを前記ターンテーブル上に加圧するポリッシングヘッドとを含み、
前記研磨ステーションは、ウェーハを前記ポリッシングヘッドにローディングさせ、または、前記ポリッシングヘッドからアンローディングさせるためのウェーハ伝達ステージを具備し、
前記伝達ステージは、ウェーハが置かれる支柱と、
ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、前記ウェーハとメンブレイン間の表面張力を減らすために、前記ウェーハとメンブレインとの間に流体を提供する装置をさらに具備することを特徴とするポリッシング装置。In an apparatus for polishing a wafer,
A polishing station having a turntable on which a polishing pad is mounted on an upper surface;
A polishing head having a membrane in surface contact with the wafer and maintaining the wafer and pressing the wafer onto the turntable;
The polishing station includes a wafer transfer stage for loading a wafer on the polishing head or unloading the wafer from the polishing head;
The transmission stage includes a support on which the wafer is placed;
The apparatus may further include a device for providing a fluid between the wafer and the membrane to reduce a surface tension between the wafer and the membrane when the wafer is unloaded from the polishing head onto the support. Polishing equipment. 前記流体提供装置は、前記ウェーハとメンブレインとの間に超純水を噴射する噴射ノズルからなることを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 1, wherein the fluid providing device comprises a spray nozzle for spraying ultrapure water between the wafer and the membrane. 前記流体提供装置は、前記ウェーハとメンブレインとの間に不活性ガスを噴射する噴射ノズルからなることを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 1, wherein the fluid providing device comprises a spray nozzle for spraying an inert gas between the wafer and the membrane. 前記伝達ステージは、前記ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、ウェーハを真空吸着するための真空ホールが前記支柱に形成されることを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 1, wherein the transfer stage has a vacuum hole formed in the support for vacuum-sucking the wafer when the wafer is unloaded from the polishing head to the support. . 前記伝達ステージは、前記ウェーハが前記ポリッシングヘッドから前記支柱にアンローディングされる時に、前記支柱に置かれたウェーハが前記メンブレインに付着された状態で前記メンブレインに付いて上がることを防止するためのストッパ部材をさらに含むことを特徴とする請求項１または請求項４に記載のポリッシング装置。The transfer stage is configured to prevent a wafer placed on the support from rising on the membrane while being attached to the membrane when the wafer is unloaded from the polishing head onto the support. 5. The polishing apparatus according to claim 1, further comprising a stopper member. 前記ストッパ部材は、前記ウェーハと前記メンブレインとの間に挿入されてウェーハが前記メンブレインに付いて持ち上げられることを防止する棒と、
前記棒を前記ウェーハと前記メンブレインとの間に位置させるか、または位置させないように前記棒を移動させるための移動装置を含むことを特徴とする請求項５に記載のポリッシング装置。A rod inserted between the wafer and the membrane to prevent the wafer from being lifted along with the membrane;
The polishing apparatus according to claim 5, further comprising a moving device for moving the rod so as to position the rod between the wafer and the membrane or not. 前記支柱は、昇降装置によって昇降されることを特徴にするポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 1, wherein the support is raised and lowered by a lifting device. 前記伝達ステージは、前記支柱を取り囲むキャッチカップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。The polishing apparatus according to claim 1, wherein the transmission stage further includes a catch cup surrounding the support.
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