JP2004063629A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に半導体集積回路に関し、特に、複数個が共通ラインに同時接続され、個別的にデータが伝送される半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的に、複数の半導体集積回路(以下、「チップ」ともいう)にデータの伝送を行うためには、全てのチップに対してデータ及びクロック信号を供給し、データを受け取るべきチップを制御信号によって特定することが行われている。そのため、従来は、これらのチップに対して、データ伝送線、クロック信号線、電源線、制御線が配線されていた。そのような従来の半導体集積回路について、図5及び図6を参照しながら説明する。
【0003】
図5に、従来のメモリICにおけるデータ伝送の例を示す。複数のチップ100には、データ伝送線110と、クロック信号線120と、電源(VDD)線130とが接続されている。また、デコーダ200が、データバスを介して制御信号を受け取り、制御信号をデコードして得られた複数のデコード信号を、複数の制御線140を介して複数のチップ100にそれぞれ供給する。デコード信号は、個々のチップに対してデータが届いていることを知らせる。デコード信号によって指定されたチップは、クロック信号に同期してデータを受け取る。このようにして、複数のチップの内から特定のチップが指定され、選択的なデータ伝送が行なわれていた。
【0004】
図6に、従来のLCDドライバにおけるデータ伝送の例を示す。LCDパネル300には、多数のセグメント領域310が設けられている。複数のチップ400の各々は、例えば、80個のセグメント領域310を駆動する。これらのチップ400には、データ伝送線410と、クロック信号線420と、電源(VDD)線430とが接続されている。また、これらのチップ400にカスケード接続された制御線440を介して、チップイネーブル信号が、1つのチップから次のチップへと順次伝送される。チップイネーブル信号を受け取ったチップは、クロック信号に同期して所定数のデータを受け取り、それらのデータに基づいて80個のセグメント領域310を駆動する。このようにして、複数のチップの内から特定のチップが指定され、選択的なデータ伝送が行なわれていた。
【0005】
しかしながら、上述のデータ伝送においては、データの転送速度が高速であるか低速であるかにかかわらず、複数のチップに制御線、データ伝送線、クロック信号線、電源線の全てを配線する必要があるので、プリント配線基板等におけるパターン設計上の大きな負担となっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記の点に鑑み、本発明は、複数の半導体集積回路に接続された共通ラインから個々の半導体集積回路に個別的にデータを伝送する場合において、配線数を大幅に低減することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明に係る半導体集積回路は、直流電圧とデータとを重畳して供給するために用いられる第1の配線と、クロック信号を供給するために用いられる第2の配線とに接続される半導体集積回路であって、第1の配線を介して供給される電圧に基づいて電源電圧を生成する電源回路と、第2の配線を介して供給されるクロック信号に同期して、第1の配線を介して供給される電圧からデータを検出するデータ検出回路と、第1の配線における直流レベルが当該半導体集積回路のために設定されているデータ入力モードに対応して定められた電圧範囲内にあるか否かを検出するレベル検出回路と、第1の配線における直流レベルが当該半導体集積回路のために設定されているデータ入力モードに対応して定められた電圧範囲内にある場合に、第1の配線を介して供給されるデータを選択的に取得するように制御動作を行う制御回路とを具備する。
【0008】
ここで、少なくとも1つのモード設定ピンの電位に基づいてデータ入力モードが設定されるようにしても良い。また、複数のデータ入力モードに対応して、前記電源回路が生成する電源電圧よりも高い複数の異なる電圧範囲がそれぞれ定められていることが望ましい。この半導体集積回路は、選択的に取得したデータを記憶する不揮発性記憶素子をさらに具備するようにしても良い。
【0009】
以上のように構成した本発明によれば、複数の半導体集積回路に接続された共通ラインから個々の半導体集積回路に個別的にデータを伝送する場合において、各半導体集積回路にデータ入力モードを設定しておき、このデータ入力モードに対応した直流電圧にデータを重畳して供給することにより、半導体集積回路に接続される配線数を大幅に低減することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の接続を示す図である。本実施形態は、本発明をLCDドライバに適用したものである。図1に示すように、LCDパネル10には、多数のセグメント領域11が設けられている。複数のチップ20の各々は、例えば、80個のセグメント領域11を駆動する。これらのチップ20には、クロック信号線40と、VDD/データ線50とが接続されている。なお、本実施形態においては、複数のチップ20にクロック信号線40をカスケード接続しているが、これらのチップ20にクロック信号線をパラレルに接続するようにしても良い。
【0011】
これらのチップ20においては、個々のチップに設定されているデータ入力モードに対応して、複数の異なるデータ検出電圧範囲が定められている。これらのチップ20に供給すべきデータは、個々のチップに設定されているデータ入力モードに応じて定められた直流電圧に重畳されて、VDD/データ線50に供給される。これらのチップ20は、VDD/データ線50から電源電圧VDDを得ると共に、個々のチップに設定されているデータ入力モードに対応するデータ検出電圧範囲内の直流レベルを有するデータを選択的に受け取る。
【0012】
個々のチップに対して異なるデータ入力モードを設定するために、各チップ20には、モード設定ピン30が設けられている。図1に示すように2個のモード設定ピンを設ける場合には、22=4通りのデータ入力モードを設定することができるので、共通のVDD/データ線に4個のチップを同時に接続することが可能である。
【0013】
このようにして、複数のチップの内から特定のチップが指定され、選択的なデータ伝送が行なわれる。従って、本実施形態によれば、図5又は図6に示す従来例のようにデータ伝送線や制御線を引き回す必要がないので、プリント配線基板等におけるパターン設計を容易にすることができる。
【0014】
図2は、図1に示すチップの構成を示すブロック図である。図2に示すように、チップ20は、VDD/データ線50を介して供給される電圧に基づいて電源電圧VDDを生成する電源回路21と、クロック信号線40を介して供給されるクロック信号に同期してVDD/データ線50からデータを検出するデータ検出回路22と、VDD/データ線50における直流レベルを検出するレベル検出回路23とを有している。さらに、チップ20は、データ検出回路22から出力されたデータを記憶するRAM25と、RAM25に記憶されているデータに基づいてLCDパネル10に含まれている複数のセグメント領域11の電極に供給する出力信号を生成するLCDインターフェース回路26と、制御回路27及び不揮発性記憶素子28とを有している。
【0015】
制御回路27は、モード設定ピン30の電位に基づいて、当該チップ20に設定されているデータ入力モードを識別する。ここで、VDD/データ線50における直流レベルがこのデータ入力モードに対応するデータ検出電圧範囲内にあることをレベル検出回路23が検出した場合に、制御回路27は、データ検出回路22又はRAM25の動作を制御することにより、VDD/データ線50から供給されるデータを当該チップ20が選択的に受け取るようにする。また、制御回路27は、LCDインターフェース回路26の動作を制御する。
【0016】
本実施形態においては、制御回路27が、VDD/データ線50から選択的に受け取ったデータを不揮発性記憶素子28に記憶することにより、チップ20の初期設定を行うことができる。なお、チップの用途によっては、複数のデータ入力モードをチップの初期設定のためにだけ使用して、その後は通常動作電圧をチップに供給して動作させるようにしても良い。その場合でも、チップの初期設定が容易になるという効果がある。
【0017】
次に、図2に示すチップの動作について説明する。
各チップ20のモード設定ピン30をVDD/データ線50又は接地電位GNDに接続することにより、各チップのデータ入力モードが設定される。これにより、各チップ20において、VDD/データ線50から供給される電圧に基づいてデータを検出するために割り当てられたデータ検出電圧範囲の上限値及び下限値が設定される。これにより、複数のチップが、互いに異なるデータ検出電圧範囲を有するようになる。
【0018】
図3は、複数のデータ入力モードに対応するデータ検出電圧範囲を示す図である。ここでは、2個のモード設定ピンを用いて4種類のデータ入力モードを設定することにより、4個のチップに対して個別的にデータを伝送する場合を示している。図3に示すように、データ入力モード1、2、3、4に対応して、4つの異なるデータ検出電圧範囲が設定されている。例えば、通常動作電圧を2.5V±10%とすると、データ入力モード1におけるデータ検出電圧範囲が3.0V±0.1V、データ入力モード2におけるデータ検出電圧範囲が3.5V±0.1V、データ入力モード3におけるデータ検出電圧範囲が4.0V±0.1V、データ入力モード4におけるデータ検出電圧範囲が4.5V±0.1Vに設定される。これらのデータ検出電圧範囲に対応して直流電圧が重畳されたデータをVDD/データ線50に供給することにより、4個のチップに対して個別的にデータを伝送することができる。
【0019】
図4は、複数のチップに対して個別的にデータを伝送する際のタイミングを示すタイムチャートである。4個のチップに対し、個々のチップに設定されているデータ入力モードに応じて直流電圧が重畳されたNビットのデータD11、D12、D13、…、D1N、及び、D21、D22、D23、…、D2N等が伝送される。4個のチップは、個々のチップに設定されているデータ入力モードに対応するデータ検出電圧に応じてデータを選択的に取得する。即ち、データ入力モード1のチップは、NビットのデータD11、D12、D13、…、D1Nを選択的に取得し、データ入力モード2のチップは、NビットのデータD21、D22、D23、…、D2Nを選択的に取得する。これにより、それぞれのデータを所望のチップに対して伝送することができる。
【0020】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、複数の半導体集積回路に接続された共通ラインから個々の半導体集積回路に個別的にデータを伝送する場合において、少なくとも1つのモード設定ピンの電位に基づいて各半導体集積回路にデータ入力モードを設定しておき、このデータ入力モードに対応した直流電圧にデータを重畳して供給することにより、半導体集積回路に接続される配線数を大幅に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の接続を示す図である。
【図2】図1に示すチップの構成を示すブロック図である。
【図3】複数のデータ入力モードに対応するデータ検出電圧範囲を示す図である。
【図4】複数のチップに対して個別的にデータを伝送する際のタイミングを示すタイムチャートである。
【図5】従来のメモリICにおけるデータ伝送の例を示す図である。
【図6】従来のLCDドライバにおけるデータ伝送の例を示す図である。
【符号の説明】
10 LCDパネル
11 セグメント領域
20 チップ
21 電源回路
22 データ検出回路
23 レベル検出回路
25 RAM
26 LCDインターフェース回路
27 制御回路
28 不揮発性記憶素子
30 モード設定ピン
40 クロック信号線
50 VDD/データ線[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention generally relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a semiconductor integrated circuit in which a plurality of devices are simultaneously connected to a common line and data is individually transmitted.
[0002]
[Prior art]
Generally, in order to transmit data to a plurality of semiconductor integrated circuits (hereinafter, also referred to as “chips”), data and a clock signal are supplied to all chips, and a control signal is supplied to a chip to receive data. The identification has been done by: Therefore, conventionally, a data transmission line, a clock signal line, a power supply line, and a control line have been wired to these chips. Such a conventional semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIGS.
[0003]
FIG. 5 shows an example of data transmission in a conventional memory IC. A
[0004]
FIG. 6 shows an example of data transmission in a conventional LCD driver. The
[0005]
However, in the above-described data transmission, it is necessary to wire all the control lines, data transmission lines, clock signal lines, and power supply lines to a plurality of chips, regardless of whether the data transfer speed is high or low. Therefore, there is a large burden in designing a pattern on a printed wiring board or the like.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above, an object of the present invention is to significantly reduce the number of wirings when individually transmitting data from a common line connected to a plurality of semiconductor integrated circuits to individual semiconductor integrated circuits. .
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a first wiring used to supply a DC voltage and data in a superimposed manner, and a second wiring used to supply a clock signal. A semiconductor integrated circuit connected to a wiring, the power supply circuit generating a power supply voltage based on a voltage supplied through a first wiring, and a clock signal supplied through a second wiring. And a data detection circuit for detecting data from a voltage supplied through the first wiring, and a DC level in the first wiring corresponding to a data input mode set for the semiconductor integrated circuit. A level detection circuit that detects whether the voltage is within a predetermined voltage range; and a voltage detection circuit that determines a DC level of the first wiring in accordance with a data input mode set for the semiconductor integrated circuit. If within the range, and a control circuit for controlling operation so that the data supplied via the first wiring selectively acquired.
[0008]
Here, the data input mode may be set based on the potential of at least one mode setting pin. In addition, it is preferable that a plurality of different voltage ranges higher than a power supply voltage generated by the power supply circuit are respectively defined corresponding to a plurality of data input modes. This semiconductor integrated circuit may further include a non-volatile storage element for storing selectively acquired data.
[0009]
According to the present invention configured as described above, when data is individually transmitted from a common line connected to a plurality of semiconductor integrated circuits to individual semiconductor integrated circuits, a data input mode is set for each semiconductor integrated circuit. In addition, by superimposing and supplying data to the DC voltage corresponding to the data input mode, the number of wirings connected to the semiconductor integrated circuit can be significantly reduced.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
FIG. 1 is a diagram showing connections of a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention. In the present embodiment, the present invention is applied to an LCD driver. As shown in FIG. 1, the
[0011]
In these
[0012]
In order to set a different data input mode for each chip, each
[0013]
In this way, a specific chip is designated from among a plurality of chips, and selective data transmission is performed. Therefore, according to the present embodiment, it is not necessary to route data transmission lines and control lines as in the conventional example shown in FIG. 5 or FIG. 6, so that pattern design on a printed wiring board or the like can be facilitated.
[0014]
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the chip shown in FIG. As shown in FIG. 2, the
[0015]
The
[0016]
In the present embodiment, the
[0017]
Next, the operation of the chip shown in FIG. 2 will be described.
By connecting the
[0018]
FIG. 3 is a diagram showing a data detection voltage range corresponding to a plurality of data input modes. Here, a case is shown in which data is individually transmitted to four chips by setting four types of data input modes using two mode setting pins. As shown in FIG. 3, four different data detection voltage ranges are set corresponding to data input modes 1, 2, 3, and 4. For example, if the normal operation voltage is 2.5 V ± 10%, the data detection voltage range in data input mode 1 is 3.0 V ± 0.1 V, and the data detection voltage range in data input mode 2 is 3.5 V ± 0.1 V. The data detection voltage range in data input mode 3 is set to 4.0 V ± 0.1 V, and the data detection voltage range in data input mode 4 is set to 4.5 V ± 0.1 V. By supplying the data on which the DC voltage is superimposed corresponding to these data detection voltage ranges to the VDD /
[0019]
FIG. 4 is a time chart showing timing when data is individually transmitted to a plurality of chips. N-bit data D 11 , D 12 , D 13 ,..., D 1N , and D 21 on which DC voltage is superimposed on the four chips according to the data input mode set for each chip. D 22, D 23, ..., D 2N and the like are transmitted. The four chips selectively acquire data according to the data detection voltage corresponding to the data input mode set for each chip. That is, the chip in the data input mode 1 selectively obtains the N-bit data D 11 , D 12 , D 13 ,..., D 1N, and the chip in the data input mode 2 selects the N-bit data D 21 ,
[0020]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when data is individually transmitted from a common line connected to a plurality of semiconductor integrated circuits to individual semiconductor integrated circuits, the data is transmitted based on the potential of at least one mode setting pin. By setting the data input mode to each semiconductor integrated circuit in advance, and superimposing and supplying data to a DC voltage corresponding to the data input mode, the number of wirings connected to the semiconductor integrated circuit can be significantly reduced. Can be.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing connections of a semiconductor integrated circuit according to one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a chip shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a data detection voltage range corresponding to a plurality of data input modes.
FIG. 4 is a time chart showing timing when data is individually transmitted to a plurality of chips.
FIG. 5 is a diagram showing an example of data transmission in a conventional memory IC.
FIG. 6 is a diagram showing an example of data transmission in a conventional LCD driver.
[Explanation of symbols]
26
Claims (4)
前記第1の配線を介して供給される電圧に基づいて電源電圧を生成する電源回路と、
前記第2の配線を介して供給されるクロック信号に同期して、前記第1の配線を介して供給される電圧からデータを検出するデータ検出回路と、
前記第1の配線における直流レベルが当該半導体集積回路のために設定されているデータ入力モードに対応して定められた電圧範囲内にあるか否かを検出するレベル検出回路と、
前記第1の配線における直流レベルが当該半導体集積回路のために設定されているデータ入力モードに対応して定められた電圧範囲内にある場合に、前記第1の配線を介して供給されるデータを選択的に取得するように制御動作を行う制御回路と、
を具備する半導体集積回路。A semiconductor integrated circuit connected to a first wiring used to supply a DC voltage and data in a superimposed manner and a second wiring used to supply a clock signal,
A power supply circuit that generates a power supply voltage based on a voltage supplied via the first wiring;
A data detection circuit for detecting data from a voltage supplied through the first wiring in synchronization with a clock signal supplied through the second wiring;
A level detection circuit for detecting whether or not the DC level of the first wiring is within a voltage range determined according to a data input mode set for the semiconductor integrated circuit;
Data supplied via the first wiring when a DC level of the first wiring is within a voltage range defined corresponding to a data input mode set for the semiconductor integrated circuit; A control circuit that performs a control operation so as to selectively obtain
A semiconductor integrated circuit comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002217912A JP2004063629A (en) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002217912A JP2004063629A (en) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2004063629A true JP2004063629A (en) | 2004-02-26 |
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ID=31939242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2002217912A Withdrawn JP2004063629A (en) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | Semiconductor integrated circuit |
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Country | Link |
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-
2002
- 2002-07-26 JP JP2002217912A patent/JP2004063629A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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