JP2003524215A - 光導波路を具える表示装置 - Google Patents
光導波路を具える表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
表示装置は、行(5)及び列(6)電極と、移動可能素子(3)と、電圧を前記電圧に印可する手段(17)とを具え、前記行電極を前記移動可能素子において配置する。前記手段は、動作において、前記移動可能素子のメモリ効果を使用するような電圧を、前記電極に印可する。特に、前記行電極に、動作において、“オン”、“オフ”及び“保持”電圧を印可し、前記列電極に、“保持”及び“オフ”電圧を印可する。“オン”電圧の印可は、ある行における画素をターンオンし、“オフ”電圧の同時の印可は、画素をターンオフする。“保持”電圧の前記電極のいずれか一方への印可は、前記画素の状態を保持する。
Description
【0001】
本発明は、請求項1の特徴の前の部分において規定したような表示装置に関す
る。
る。
【0002】
序章において記載した形式の表示装置は、米国特許明細書第4113360号
から既知である。
から既知である。
【0003】
前記特許明細書は、動作において光を発生し、放出する蛍光材料の第1板(こ
の板が光導波路を形成する)と、前記第1板からある程度の距離において位置す
る第2板と、2つの板間に、膜の形態における移動可能素子とを具える表示装置
を記載している。電圧を前記第1及び第2板におけるアドレス可能電極と、前記
移動可能素子における電極とに印可することによって、前記移動可能電極を、前
記第1板と局所的に接触させることができ、又は、前記接触を中断することがで
きる。透明接触液体が、前記接触表面において存在する。前記移動可能素子が前
記第1板と接触する場所において、光は前記第1板から分離する。これは、像を
表示することを可能にする。前記移動可能素子が前記光導波路と接触しない場合
、前記第2板と接触する。
の板が光導波路を形成する)と、前記第1板からある程度の距離において位置す
る第2板と、2つの板間に、膜の形態における移動可能素子とを具える表示装置
を記載している。電圧を前記第1及び第2板におけるアドレス可能電極と、前記
移動可能素子における電極とに印可することによって、前記移動可能電極を、前
記第1板と局所的に接触させることができ、又は、前記接触を中断することがで
きる。透明接触液体が、前記接触表面において存在する。前記移動可能素子が前
記第1板と接触する場所において、光は前記第1板から分離する。これは、像を
表示することを可能にする。前記移動可能素子が前記光導波路と接触しない場合
、前記第2板と接触する。
【0004】
前記表示装置の適切な機能に関して、一方において、前記光導波路と移動可能
素子との間の接触を、正確で信頼できる方法において引き起こし、中断すること
ができることが重要であり、他方において、設計が簡単であり、動作に多くのエ
ネルギーを必要としないことが重要である。
素子との間の接触を、正確で信頼できる方法において引き起こし、中断すること
ができることが重要であり、他方において、設計が簡単であり、動作に多くのエ
ネルギーを必要としないことが重要である。
【0005】
本発明の目的は、簡単で信頼できる装置を提供する序章において記載した形式
の表示装置を提供することである。
の表示装置を提供することである。
【0006】
この目的を達成するために、本発明による表示装置を、請求項1において規定
した。
した。
【0007】
既知の装置において、前記移動可能素子の位置、すなわち、前記移動可能素子
が前記光導波路と接触するか否かは、印可された電圧にのみ依存する。前記第2
板における共通電極の位置決めは、前記素子を前記光導波路と第2板との間で前
後に動かす堅牢な方法を可能にする。この方法において、前記移動可能素子の選
択は、前記板の一方から離れる方向を向いた前記移動可能素子において作用する
力と無関係になる。実際には、この力は、例えば、前記板の表面、箔の表面、又
は、スペーサの局所的変化によって影響を受けるかもしれない。前記移動可能素
子の前記光導波路と光学的に接触する側は、きわめて平坦で滑らかである。他方
の側は、はるかにより粗い。最大の変化は、前記移動可能素子を前記光導波路か
ら引き離す力におけるものである。この引く力が、前記光導波路の表面と前記移
動可能素子との間のファンデルワールス力と、前記光導波路の表面と前記移動可
能素子との間の静電気力より小さい場合、前記移動可能素子は、前記光導波路に
くっつくであろう。本発明の他の有利な実施形態を、従属請求項において規定し
た。
が前記光導波路と接触するか否かは、印可された電圧にのみ依存する。前記第2
板における共通電極の位置決めは、前記素子を前記光導波路と第2板との間で前
後に動かす堅牢な方法を可能にする。この方法において、前記移動可能素子の選
択は、前記板の一方から離れる方向を向いた前記移動可能素子において作用する
力と無関係になる。実際には、この力は、例えば、前記板の表面、箔の表面、又
は、スペーサの局所的変化によって影響を受けるかもしれない。前記移動可能素
子の前記光導波路と光学的に接触する側は、きわめて平坦で滑らかである。他方
の側は、はるかにより粗い。最大の変化は、前記移動可能素子を前記光導波路か
ら引き離す力におけるものである。この引く力が、前記光導波路の表面と前記移
動可能素子との間のファンデルワールス力と、前記光導波路の表面と前記移動可
能素子との間の静電気力より小さい場合、前記移動可能素子は、前記光導波路に
くっつくであろう。本発明の他の有利な実施形態を、従属請求項において規定し
た。
【0008】
本発明による表示装置の特別な実施形態を、請求項2において規定した。移動
可能素子において作用する前記力は、前記印可される電圧にのみ依存するのでは
なく、前記素子において作用する他の力と、前記電極に対するその位置とにも依
存する。前記位置は、前記素子の履歴、すなわち、前に印可された電圧及び位置
にも依存する。前記移動可能素子に作用する電気的な力は、前記移動可能素子と
電極との間の距離に非線形に依存する。力と距離との間のこの非線形関係のため
、前記装置は、メモリ効果を示す。前記移動可能素子が前記電極の一方に近い場
合、前記電極間の比較的大きい電圧差のみが、前記素子を他方の電極に動かすこ
とができる。しかしながら、これは、一度移動可能素子がある位置にあると、印
可される電圧が変化しても、前記移動可能素子が他の電極に移動するほど大きい
程度に変化しなければ、このような位置にとどまることを意味する。前記装置が
‘メモリ効果’を示すため、前記移動可能素子を移動するか否かを決定する瞬時
に印可される電圧だけでなく、前に印可された電圧によっても決定される。この
洞察を使用して、1つ又は多数の利点を得ることができる。前記装置を単純にす
ることができ、及び/又は、前記装置に印可されるアドレス電圧を単純にするこ
とができ、及び/又は、必要なエネルギーを減らすことができ、及び/又は、前
記装置の信頼性を増すことができる。説明するように、グレイレベルを形成する
こともできる。
可能素子において作用する前記力は、前記印可される電圧にのみ依存するのでは
なく、前記素子において作用する他の力と、前記電極に対するその位置とにも依
存する。前記位置は、前記素子の履歴、すなわち、前に印可された電圧及び位置
にも依存する。前記移動可能素子に作用する電気的な力は、前記移動可能素子と
電極との間の距離に非線形に依存する。力と距離との間のこの非線形関係のため
、前記装置は、メモリ効果を示す。前記移動可能素子が前記電極の一方に近い場
合、前記電極間の比較的大きい電圧差のみが、前記素子を他方の電極に動かすこ
とができる。しかしながら、これは、一度移動可能素子がある位置にあると、印
可される電圧が変化しても、前記移動可能素子が他の電極に移動するほど大きい
程度に変化しなければ、このような位置にとどまることを意味する。前記装置が
‘メモリ効果’を示すため、前記移動可能素子を移動するか否かを決定する瞬時
に印可される電圧だけでなく、前に印可された電圧によっても決定される。この
洞察を使用して、1つ又は多数の利点を得ることができる。前記装置を単純にす
ることができ、及び/又は、前記装置に印可されるアドレス電圧を単純にするこ
とができ、及び/又は、必要なエネルギーを減らすことができ、及び/又は、前
記装置の信頼性を増すことができる。説明するように、グレイレベルを形成する
こともできる。
【0009】
本発明による装置の他の実施形態を、請求項3において規定した。行及び列電
極のこの構成は、この構成における前記移動可能素子の位置がほとんど前記第2
板に向けられているため、前記列電極及び行電極によって形成される合計のキャ
パシタンスが、通常、前記行が活性板において位置すると共に前記列が前記移動
可能素子において位置する状況より小さいため、より経済的なパワー消費を可能
にする。
極のこの構成は、この構成における前記移動可能素子の位置がほとんど前記第2
板に向けられているため、前記列電極及び行電極によって形成される合計のキャ
パシタンスが、通常、前記行が活性板において位置すると共に前記列が前記移動
可能素子において位置する状況より小さいため、より経済的なパワー消費を可能
にする。
【0010】
本発明による装置の他の実施形態を、請求項4において規定した。より低い列
電極のみへのより高い値の適用は、適切な列およびカラム電極の交差領域におけ
る移動可能素子を作動させない。より低い値の前記列電極へと、より高い値の前
記行電極へとの同時の適用のみが、前記交差領域における素子を作動させる。前
記移動可能素子の作動は、この手段によってきわめて確実になる。印可される電
圧の小さな偏差は、不注意に素子を切り替えない。基本的に、前記行電極への‘
オン’信号の適用は、画素が‘オフ’の場合、これを‘オン’にする。
電極のみへのより高い値の適用は、適切な列およびカラム電極の交差領域におけ
る移動可能素子を作動させない。より低い値の前記列電極へと、より高い値の前
記行電極へとの同時の適用のみが、前記交差領域における素子を作動させる。前
記移動可能素子の作動は、この手段によってきわめて確実になる。印可される電
圧の小さな偏差は、不注意に素子を切り替えない。基本的に、前記行電極への‘
オン’信号の適用は、画素が‘オフ’の場合、これを‘オン’にする。
【0011】
本発明による装置の他の実施形態を、請求項5において規定した。この方法に
おいて、選択された領域における前記第2板における共通電極と前記移動可能素
子における行電極との間の静電気力はゼロに等しくなり、したがって、前記装置
の信頼性は、前記光導波路から離れる前記移動可能素子の移動が前記引く力にお
ける変化と無関係に行われるため、改善される。
おいて、選択された領域における前記第2板における共通電極と前記移動可能素
子における行電極との間の静電気力はゼロに等しくなり、したがって、前記装置
の信頼性は、前記光導波路から離れる前記移動可能素子の移動が前記引く力にお
ける変化と無関係に行われるため、改善される。
【0012】
本発明による装置の他の実施形態を、請求項6において規定した。行及び列電
極への2つの‘オフ’信号の同時の適用は、記載においてさらに説明するように
、画素が‘オン’の場合、これを‘オフ’にする。
極への2つの‘オフ’信号の同時の適用は、記載においてさらに説明するように
、画素が‘オン’の場合、これを‘オフ’にする。
【0013】
本発明による装置の他の実施形態を、請求項7において規定した。この方法に
おいて、前記移動可能素子における行電極と前記光導波路における共通電極との
間の選択された領域における静電気力は、ゼロに等しくなり、したがって、前記
装置の信頼性は、前記光導波路から離れる前記移動可能素子の移動が前記引く力
における変化と無関係に行われるため、改善される。
おいて、前記移動可能素子における行電極と前記光導波路における共通電極との
間の選択された領域における静電気力は、ゼロに等しくなり、したがって、前記
装置の信頼性は、前記光導波路から離れる前記移動可能素子の移動が前記引く力
における変化と無関係に行われるため、改善される。
【0014】
本発明による装置の他の実施形態を、請求項8において規定した。ターンオン
アドレス電圧を、交差電極における所定の電圧と組み合わされた場合、結果とし
て、前記移動可能素子を前記交差領域における前記光導波路と接触させる電圧値
を意味すると理解する。同様に、第1ターンオフ電圧を、交差行電極における第
2ターンオフ電圧と組み合わされた場合、結果として、前記移動可能素子を前記
交差領域における光導波路から開放する電圧値を意味すると理解する。この実施
形態は、以下の認識に基づいている。第1行電極に‘オン’信号(ターンオン電
圧)を印可し、前記交差行電極に予め決められた電圧を印可した場合、電極が交
差する領域に対応する画素がターンオンする。その後のステップを使用し、前記
第1ターンオフ電圧を列電極の第2の組に印可し、第2ターンオフ電圧を前記行
電極に印可し、前記列電極と交差する第1行の選択された領域における前記移動
可能素子を、第1の短い期間後、前記第2板に戻す。これは、画素の第1ライン
が、可視、すなわち‘オン’のままであることを意味する。第2期間後、前記第
1ターンオフ電圧をすべての共通電極に印可し、前記第2ターンオフ電圧を前記
行電極に印可する。これは、前記列と交差する前記第1行に関係するすべての前
記交差領域における前記移動可能素子を前記第2板に戻す。前記第2期間は、表
示すべき情報に対応する選択された交差領域の輝度に関係する。この形態におい
て、1つのラインの画素が表示される。この方法を、2ライン以上に拡張するこ
とができることは明らかであろう。
アドレス電圧を、交差電極における所定の電圧と組み合わされた場合、結果とし
て、前記移動可能素子を前記交差領域における前記光導波路と接触させる電圧値
を意味すると理解する。同様に、第1ターンオフ電圧を、交差行電極における第
2ターンオフ電圧と組み合わされた場合、結果として、前記移動可能素子を前記
交差領域における光導波路から開放する電圧値を意味すると理解する。この実施
形態は、以下の認識に基づいている。第1行電極に‘オン’信号(ターンオン電
圧)を印可し、前記交差行電極に予め決められた電圧を印可した場合、電極が交
差する領域に対応する画素がターンオンする。その後のステップを使用し、前記
第1ターンオフ電圧を列電極の第2の組に印可し、第2ターンオフ電圧を前記行
電極に印可し、前記列電極と交差する第1行の選択された領域における前記移動
可能素子を、第1の短い期間後、前記第2板に戻す。これは、画素の第1ライン
が、可視、すなわち‘オン’のままであることを意味する。第2期間後、前記第
1ターンオフ電圧をすべての共通電極に印可し、前記第2ターンオフ電圧を前記
行電極に印可する。これは、前記列と交差する前記第1行に関係するすべての前
記交差領域における前記移動可能素子を前記第2板に戻す。前記第2期間は、表
示すべき情報に対応する選択された交差領域の輝度に関係する。この形態におい
て、1つのラインの画素が表示される。この方法を、2ライン以上に拡張するこ
とができることは明らかであろう。
【0015】
大きな利点は、画素の第2(又は第3等)ラインを形成する間、画素の第1(
第2等)ラインが‘オン’のままであることである。光の合計強度は、これによ
って、(例えば古典的なCRTにおけるように)画素の1つのラインのみがいつ
でも活性化(‘オン’)されている配置との比較において、実際的に増加する。
第2等)ラインが‘オン’のままであることである。光の合計強度は、これによ
って、(例えば古典的なCRTにおけるように)画素の1つのラインのみがいつ
でも活性化(‘オン’)されている配置との比較において、実際的に増加する。
【0016】
これは、多ライン動作を可能にし、すなわち、2ライン以上(多ライン)を同
時に活性化することを可能にする。画素の複数のライン(ビデオ情報)を、列又
は行において書き込むことができる。これは、グレイレベルを形成することも可
能にする。
時に活性化することを可能にする。画素の複数のライン(ビデオ情報)を、列又
は行において書き込むことができる。これは、グレイレベルを形成することも可
能にする。
【0017】
行又は列電極は、ターンオン電圧が前記行又は列電極に印可されたときから、
ターンオフ電圧が前記行又は列電極に印可されたときまでの間、活性化される。
ターンオフ電圧が前記行又は列電極に印可されたときまでの間、活性化される。
【0018】
本発明のこれら及び他の態様は、以下に記載する実施形態の参照から明らかに
なるであろう。
なるであろう。
【0019】
図面は、図式的であり、縮尺通りに描かれておらず、同様の参照符は同様の部
分を示す。
分を示す。
【0020】
図1は、本発明による表示装置1を図式的に示す。前記表示装置は、光導波路
2と、移動可能素子3と、第2板4とを具える。電極システム5及び6を、光導
波路2の移動可能素子3と向かい合う表面と、移動可能素子3の前記第2板と向
かい合う表面とにおいて各々配置する。前記第2板の移動可能素子3と向かい合
う表面に共通電極7を設ける。好適には、共通電極7は、導電層を具える。この
ような導電層は、半透明アルミニウム層のような半透明金属層、インジウムスズ
酸化物(ITO)のような透明導電コーティング、又は、金属トラックのメッシ
ュであってもよい。この例において、前記光導波路を、光導波路板2によって形
成する。前記光導波路を、ガラスによって形成してもよい。前記移動可能素子を
、該移動可能素子の非弾性変形を防ぐために、少なくとも前記表示装置の動作温
度のガラス遷移温度を有する透明ポリマによって形成してもよい。実際的に、前
記表示装置の動作温度は、約0ないし70°の間の範囲である。好適な透明ポリ
マは、例えば、90°のガラス遷移温度を有するパリレンである。電極5及び6
は、好適には90°の角度において互いに交差する電極の2つの組を形成する。
動作において、電圧を前記電極及び移動可能素子3に印可することによって、電
極5、6と移動可能素子3との間に電位差を局所的に発生することによって、前
記移動可能素子を光導波路2に対して、又は、第2板4に対して引っ張る力を、
前記移動可能素子において局所的に働かせる。前記表示装置は、光源9及び反射
器10をさらに具える。光導波路2は、光源9によって発生された光が光導波路
2に結合する光入力部11を有する。前記光源は、前記装置に応じて、白色光、
又は、所定の色の光を放射することができる。2つ以上の光源が存在してもよく
、例えば、前記装置の2つの側又は各々の側において光源が存在してもよい。異
なった色の光源を連続的に使用し、白色光ディスプレイを形成することもできる
。前記光は、前記光導波路の内側に進み、内部反射により、図2において示すよ
うな状況が生じない限り、そこから脱出することができない。
2と、移動可能素子3と、第2板4とを具える。電極システム5及び6を、光導
波路2の移動可能素子3と向かい合う表面と、移動可能素子3の前記第2板と向
かい合う表面とにおいて各々配置する。前記第2板の移動可能素子3と向かい合
う表面に共通電極7を設ける。好適には、共通電極7は、導電層を具える。この
ような導電層は、半透明アルミニウム層のような半透明金属層、インジウムスズ
酸化物(ITO)のような透明導電コーティング、又は、金属トラックのメッシ
ュであってもよい。この例において、前記光導波路を、光導波路板2によって形
成する。前記光導波路を、ガラスによって形成してもよい。前記移動可能素子を
、該移動可能素子の非弾性変形を防ぐために、少なくとも前記表示装置の動作温
度のガラス遷移温度を有する透明ポリマによって形成してもよい。実際的に、前
記表示装置の動作温度は、約0ないし70°の間の範囲である。好適な透明ポリ
マは、例えば、90°のガラス遷移温度を有するパリレンである。電極5及び6
は、好適には90°の角度において互いに交差する電極の2つの組を形成する。
動作において、電圧を前記電極及び移動可能素子3に印可することによって、電
極5、6と移動可能素子3との間に電位差を局所的に発生することによって、前
記移動可能素子を光導波路2に対して、又は、第2板4に対して引っ張る力を、
前記移動可能素子において局所的に働かせる。前記表示装置は、光源9及び反射
器10をさらに具える。光導波路2は、光源9によって発生された光が光導波路
2に結合する光入力部11を有する。前記光源は、前記装置に応じて、白色光、
又は、所定の色の光を放射することができる。2つ以上の光源が存在してもよく
、例えば、前記装置の2つの側又は各々の側において光源が存在してもよい。異
なった色の光源を連続的に使用し、白色光ディスプレイを形成することもできる
。前記光は、前記光導波路の内側に進み、内部反射により、図2において示すよ
うな状況が生じない限り、そこから脱出することができない。
【0021】
図2は、光導波路2に対して位置する移動可能素子3を示す。この状態におい
て、前記光の一部は、前記移動可能素子に入る。この移動可能素子は、前記光を
、前記光が前記表示装置から離れるように散乱させる。前記光は、双方の側又は
一方の側において出ることができる。図2において、これを、矢印によって示す
。実施形態において、前記表示装置は、色決定素子20を具える。これらの素子
を、例えば、特定の色(赤、緑、青等)の光を通過させるカラーフィルタ素子と
してもよい。前記カラーフィルタ素子は、入射光の所望の色のスペクトルバンド
幅に関して少なくとも20%の透過率を有し、他の色に関して入射光の0ないし
2%の間の範囲における透過率を有する。
て、前記光の一部は、前記移動可能素子に入る。この移動可能素子は、前記光を
、前記光が前記表示装置から離れるように散乱させる。前記光は、双方の側又は
一方の側において出ることができる。図2において、これを、矢印によって示す
。実施形態において、前記表示装置は、色決定素子20を具える。これらの素子
を、例えば、特定の色(赤、緑、青等)の光を通過させるカラーフィルタ素子と
してもよい。前記カラーフィルタ素子は、入射光の所望の色のスペクトルバンド
幅に関して少なくとも20%の透過率を有し、他の色に関して入射光の0ないし
2%の間の範囲における透過率を有する。
【0022】
他の実施形態において、UVランプを使用し、UV光が前記光導波路に供給さ
れ、前記光導波路を離れ、発光素子に入射する。前記UV光によって励起された
前記発光素子は、着色光を放射する。UV光及び発光素子の使用は、前記表示装
置の効率を増加させる。依然として他の実施形態において、青色光を放射する光
源を使用してもよい。前記青色光は、前記光導波路に供給され、前記光導波路を
離れ、前記青色光を赤色光及び緑色光に変換する発光素子に入射する。このよう
にして、供給された光のきわめて効率的な変換が得られる。
れ、前記光導波路を離れ、発光素子に入射する。前記UV光によって励起された
前記発光素子は、着色光を放射する。UV光及び発光素子の使用は、前記表示装
置の効率を増加させる。依然として他の実施形態において、青色光を放射する光
源を使用してもよい。前記青色光は、前記光導波路に供給され、前記光導波路を
離れ、前記青色光を赤色光及び緑色光に変換する発光素子に入射する。このよう
にして、供給された光のきわめて効率的な変換が得られる。
【0023】
図3は、図1に示す表示装置のさらに詳細を示す。移動可能素子3を、光導波
路2と第2板4との間に、スペーサ12及び13の組によって位置決めする。電
極5及び共通電極7を、移動可能素子3とこれらの電極との間の直接的な電気的
接触を不可能にするために、個々の絶縁層10及び11によって覆う。電圧を前
記電極及び移動可能素子に印可することによって、前記移動可能素子を光導波路
2における電極5に対して引っ張る電気的な力Fを発生させる。電極5は透明で
ある。前記移動可能素子と光導波路との間の接触は、前記接触の場所において光
を前記光導波路から出射させ、前記移動可能素子に入射させる。前記移動可能素
子において、前記光は散乱し、その一部は透明電極5及び光導波路2を経て前記
表示装置から出射し、一部は第2板4を通って出射する。一方向における光出力
を増大させる一組の透明電極と反射性の他の電極とを使用することもできる。
路2と第2板4との間に、スペーサ12及び13の組によって位置決めする。電
極5及び共通電極7を、移動可能素子3とこれらの電極との間の直接的な電気的
接触を不可能にするために、個々の絶縁層10及び11によって覆う。電圧を前
記電極及び移動可能素子に印可することによって、前記移動可能素子を光導波路
2における電極5に対して引っ張る電気的な力Fを発生させる。電極5は透明で
ある。前記移動可能素子と光導波路との間の接触は、前記接触の場所において光
を前記光導波路から出射させ、前記移動可能素子に入射させる。前記移動可能素
子において、前記光は散乱し、その一部は透明電極5及び光導波路2を経て前記
表示装置から出射し、一部は第2板4を通って出射する。一方向における光出力
を増大させる一組の透明電極と反射性の他の電極とを使用することもできる。
【0024】
図4は、図1に示す表示装置の一実施形態の平面図である。
【0025】
電極5及び6は、マトリックス構造を形成する。選択手段を具える制御ユニッ
ト17から、選択信号(電圧)を、電極5及び6に、接続部15及び16を経て
印可する。前記選択信号の組は、好適には絶縁層によって覆われた電極5及び6
における電位V5及びV6の組を決定する。さらに、制御ユニット17は、電圧
V7を、第2板4における共通電極7に印可する。適切な電位差を電極5及び6
と共通電極7とに与えることによって、前記移動可能素子を、動作において、電
極5及び6の選択された交差の場所における電極5及び共通電極7から、又は、
これらに対して、作動させることができる。電極5は、共通電極、すなわち、矩
形のディスプレイの‘短手’方向において延在する電極を形成し、電極6は、行
又はライン電極、すなわち、前記矩形ディスプレイの‘長手’方向において延在
する電極を形成する。
ト17から、選択信号(電圧)を、電極5及び6に、接続部15及び16を経て
印可する。前記選択信号の組は、好適には絶縁層によって覆われた電極5及び6
における電位V5及びV6の組を決定する。さらに、制御ユニット17は、電圧
V7を、第2板4における共通電極7に印可する。適切な電位差を電極5及び6
と共通電極7とに与えることによって、前記移動可能素子を、動作において、電
極5及び6の選択された交差の場所における電極5及び共通電極7から、又は、
これらに対して、作動させることができる。電極5は、共通電極、すなわち、矩
形のディスプレイの‘短手’方向において延在する電極を形成し、電極6は、行
又はライン電極、すなわち、前記矩形ディスプレイの‘長手’方向において延在
する電極を形成する。
【0026】
前記力は、行電極6と列電極5との間の電位差と、行電極6と共通電極7との
間の電位差と、前記行電極と列電極との間の距離と、前記行電極と前記共通電極
との間の距離と、前記電極の表面領域のサイズとによって、移動可能素子におい
て居所的に働く。移動可能素子3を、これらの力によって作動することができる
。静電電荷がない場合において、2つの電極間(又は、電極と前記移動可能素子
との間)に生じる力Fは、ほぼ、 F=1/2ε0(V/(d+Σdi/εi))2S となり、ここで、Fは力であり、Vは行電極6と列電極5との間の電位差であり
、dは移動可能素子3の両側における行電極6と列電極5又は共通電極7との間
の距離であり、ε3、ε1は個々の層10、11に関する誘電率を表し、Sは前
記電極の表面積を表す。他の力がない場合、10ないし100Vのオーダのスイ
ッチング電圧を使用し、前記移動可能素子を作動することができ、すなわち、前
記光導波路との接触を局所的に行う、又は、前記光導波路との接触を中断させる
ことができる。
間の電位差と、前記行電極と列電極との間の距離と、前記行電極と前記共通電極
との間の距離と、前記電極の表面領域のサイズとによって、移動可能素子におい
て居所的に働く。移動可能素子3を、これらの力によって作動することができる
。静電電荷がない場合において、2つの電極間(又は、電極と前記移動可能素子
との間)に生じる力Fは、ほぼ、 F=1/2ε0(V/(d+Σdi/εi))2S となり、ここで、Fは力であり、Vは行電極6と列電極5との間の電位差であり
、dは移動可能素子3の両側における行電極6と列電極5又は共通電極7との間
の距離であり、ε3、ε1は個々の層10、11に関する誘電率を表し、Sは前
記電極の表面積を表す。他の力がない場合、10ないし100Vのオーダのスイ
ッチング電圧を使用し、前記移動可能素子を作動することができ、すなわち、前
記光導波路との接触を局所的に行う、又は、前記光導波路との接触を中断させる
ことができる。
【0027】
実際には、2つの静電気力が各々の素子において作用し、一方の力(F1)は
、とりわけ、移動可能素子3における行電極6と共通電極7との間の電位差(V 7 −V6)と、列電極5と共通電極7との間の距離とに依存し、もう一方の力(
F2)は、行電極5と列電極6との間の電位差(V5−V6)と、移動可能素子
3と電極6との間の距離とに依存する。
、とりわけ、移動可能素子3における行電極6と共通電極7との間の電位差(V 7 −V6)と、列電極5と共通電極7との間の距離とに依存し、もう一方の力(
F2)は、行電極5と列電極6との間の電位差(V5−V6)と、移動可能素子
3と電極6との間の距離とに依存する。
【0028】
移動可能素子3が光導波路2に対面して位置する場合、図5における素子3に
おいて作用する合計の静電気力は、 Ftotal=F1−F2= C((V6−V5)2/(d3/ε3)2−(V6−V7)2/(d2+d1/
ε1)2) であり、ここでCは定数である。
おいて作用する合計の静電気力は、 Ftotal=F1−F2= C((V6−V5)2/(d3/ε3)2−(V6−V7)2/(d2+d1/
ε1)2) であり、ここでCは定数である。
【0029】
前記静電気力の合計の大きさ及び方向に応じて、素子3は、作動され、又は、
されず、すなわち、移動する、又は、移動しない。移動可能素子3において作用
する合計の静電気力は、 (V6−V5)2/(d3/ε3)2=(V6−V7)2/(d2+d1/ε1 )2 の場合、符号が変化する(したがって、前記素子に向かう力から斥力に変化する
)。
されず、すなわち、移動する、又は、移動しない。移動可能素子3において作用
する合計の静電気力は、 (V6−V5)2/(d3/ε3)2=(V6−V7)2/(d2+d1/ε1 )2 の場合、符号が変化する(したがって、前記素子に向かう力から斥力に変化する
)。
【0030】
図5に示す状況において他の力(例えば、弾性力)がない場合において、V6
−V7をV6−V5より大きくし、前記移動可能素子を作動させなければならな
い。同様に、移動可能素子3が上向きの位置にある場合、すなわち、共通電極7
に近い場合、V6−V5をV6−V7より係数(d2+d3/ε3)2/(d1 /ε1)2倍大きくし、移動可能素子3を光導波路2に移動させなければならな
い。これは、移動可能素子3が作動されるか否かは、印可される電圧だけでなく
、前記移動可能素子の前記電極に対する位置にも依存することを意味し、前記位
置は、前に印可された電圧、すなわち、前記素子の履歴にも依存する。したがっ
て、メモリ効果が生じる。
い。同様に、移動可能素子3が上向きの位置にある場合、すなわち、共通電極7
に近い場合、V6−V5をV6−V7より係数(d2+d3/ε3)2/(d1 /ε1)2倍大きくし、移動可能素子3を光導波路2に移動させなければならな
い。これは、移動可能素子3が作動されるか否かは、印可される電圧だけでなく
、前記移動可能素子の前記電極に対する位置にも依存することを意味し、前記位
置は、前に印可された電圧、すなわち、前記素子の履歴にも依存する。したがっ
て、メモリ効果が生じる。
【0031】
図5及び6は、前記装置の動作を説明し、図5は、t=0において、移動可能
素子3が、第2板4における共通電極7に近く、前記電極7から距離d1におい
て絶縁層11によって分離されていることを示す。簡単にするために、絶縁層1
0、11を図示しない。光は前記移動可能素子から出射しない、すなわち、画素
は‘オフ’である。前記移動可能素子を、電極5から、比較的大きい距離d2+
d3だけ分離する。t=t1において、パルスを行電極6に印可し、移動可能素
子3における行電極6と共通電極7との間の電圧差を減少し、行電極6と列電極
5との間の電圧差を増加する。このパルスを、(d2+d3/ε3)×(V6−
V5)>d1/ε1×(V6−V7)となるようにする。好適には、差V7−V 6 はゼロに等しい。このようにして、前記表示装置の堅牢なオン切り替えが得ら
れ、この切り替えは、光導波路2及び移動可能素子3の表面の局所的変化と、ス
ペーサ12、13における局所的変化とに無関係である。
素子3が、第2板4における共通電極7に近く、前記電極7から距離d1におい
て絶縁層11によって分離されていることを示す。簡単にするために、絶縁層1
0、11を図示しない。光は前記移動可能素子から出射しない、すなわち、画素
は‘オフ’である。前記移動可能素子を、電極5から、比較的大きい距離d2+
d3だけ分離する。t=t1において、パルスを行電極6に印可し、移動可能素
子3における行電極6と共通電極7との間の電圧差を減少し、行電極6と列電極
5との間の電圧差を増加する。このパルスを、(d2+d3/ε3)×(V6−
V5)>d1/ε1×(V6−V7)となるようにする。好適には、差V7−V 6 はゼロに等しい。このようにして、前記表示装置の堅牢なオン切り替えが得ら
れ、この切り替えは、光導波路2及び移動可能素子3の表面の局所的変化と、ス
ペーサ12、13における局所的変化とに無関係である。
【0032】
これは、移動可能素子3を、図5の右手側において示すような位置に移動させ
る。前記移動可能素子は、光導波路2と接触し、したがって、光は前記光導波路
から出射し、散乱され、すなわち、前記ディスプレイの関連する行の画素は‘オ
ン’になる。t1<t<t2において、前記電極における電圧を、これらの予め
決められた値に保持することができ、前記素子の位置を、t1におけるパルス後
のように保持する。したがって、前記画素は、‘オン’のままである。t=t2 において、行電極6と列電極5との間の電圧差V6−V5を減少し、行電極6と
共通電極7との間の電圧差を増加するために、第1パルス及び第2パルスを、各
々、行電極6及び列電極に同時に印可し、これは移動可能素子3を第2板4の方
に戻って移動させ、関連する画素は‘オフ’になる。好適には、前記第1パルス
及び第2パルスの電圧差V6−V5は、ゼロに等しい。
る。前記移動可能素子は、光導波路2と接触し、したがって、光は前記光導波路
から出射し、散乱され、すなわち、前記ディスプレイの関連する行の画素は‘オ
ン’になる。t1<t<t2において、前記電極における電圧を、これらの予め
決められた値に保持することができ、前記素子の位置を、t1におけるパルス後
のように保持する。したがって、前記画素は、‘オン’のままである。t=t2 において、行電極6と列電極5との間の電圧差V6−V5を減少し、行電極6と
共通電極7との間の電圧差を増加するために、第1パルス及び第2パルスを、各
々、行電極6及び列電極に同時に印可し、これは移動可能素子3を第2板4の方
に戻って移動させ、関連する画素は‘オフ’になる。好適には、前記第1パルス
及び第2パルスの電圧差V6−V5は、ゼロに等しい。
【0033】
図5の下部は、共通電極7における電圧V7と、移動可能素子3における行電
極6における電圧V6と、光導波路2における列5のひとつにおける電圧V5と
を各々示す。前記パルスの印可電圧を、これらが単独では移動可能素子3を他の
交差領域に移動させず、他の画素が依然としてこれらの作動状態にあるようにす
る。したがって、電極5及び6の双方への‘オフ’パルスの同時印可のみが、前
記交差における素子を‘オフ’位置に切り替える。このようにして、移動可能素
子3及び光導波路2の表面における変化にあまり敏感でない堅牢なオフ切り替え
が得られる。
極6における電圧V6と、光導波路2における列5のひとつにおける電圧V5と
を各々示す。前記パルスの印可電圧を、これらが単独では移動可能素子3を他の
交差領域に移動させず、他の画素が依然としてこれらの作動状態にあるようにす
る。したがって、電極5及び6の双方への‘オフ’パルスの同時印可のみが、前
記交差における素子を‘オフ’位置に切り替える。このようにして、移動可能素
子3及び光導波路2の表面における変化にあまり敏感でない堅牢なオフ切り替え
が得られる。
【0034】
図6は、前記表示装置の問題のメモリ効果の特徴を示す。この図において、t
=t2において、パルスを行電極6及び列電極5に各々与え、前記交差領域にお
ける行電極と列電極との間の電圧差を減少させる。しかしながら、この差は、移
動可能素子3を移動させるのに十分なほど大きくはなく、選択された画素に対応
する交差領域における第2板のみに戻る。したがって、他のアドレスされた画素
は、影響を受けず、これらの現在の状態のままである。
=t2において、パルスを行電極6及び列電極5に各々与え、前記交差領域にお
ける行電極と列電極との間の電圧差を減少させる。しかしながら、この差は、移
動可能素子3を移動させるのに十分なほど大きくはなく、選択された画素に対応
する交差領域における第2板のみに戻る。したがって、他のアドレスされた画素
は、影響を受けず、これらの現在の状態のままである。
【0035】
表1は、電極5に印可される電圧(V5)及び電極6に印可される電圧(V6
)の関数としての前記電圧差の値と、続く動作(画素がターンオン又はオフする
)とを示す。
)とを示す。
【表1】
表1:電極5及び6に印可される電圧の関数としての電圧差V6−V5
*しかしながら、前記パルスが、V6h及びV5hが一致するように配置されて
いる場合、動作なし。
いる場合、動作なし。
【0036】
表1は、V6がV6mであり、V5がV5h又はV5Lのいずれかの場合、す
なわち、‘保持信号’が前記行電極に与えられている場合、動作が生じないこと
を明らかにする。‘オン信号’の前記行電極への印可は、前記画素を‘オン’に
し、‘オフ’信号の同時の印可は、画素を‘オフ’にする。V6=V6mにおい
て、前記画素の状態は、V5の値と関係なく、保持される。‘オフ’である画素
は‘オフ’のままであり、‘オン’である画素は‘オン’のままである。V6m は、各画素の状態が保持される、すなわち、変化しない値を表し、V6hは、画
素が、V5L又はV5hのいずれかであるV5の値と関係なく、ターンオンする
ことができるV6の値を表し、V6Lは、画素が、V5の値がV5hの場合、タ
ーンオフできるV6の値である。
なわち、‘保持信号’が前記行電極に与えられている場合、動作が生じないこと
を明らかにする。‘オン信号’の前記行電極への印可は、前記画素を‘オン’に
し、‘オフ’信号の同時の印可は、画素を‘オフ’にする。V6=V6mにおい
て、前記画素の状態は、V5の値と関係なく、保持される。‘オフ’である画素
は‘オフ’のままであり、‘オン’である画素は‘オン’のままである。V6m は、各画素の状態が保持される、すなわち、変化しない値を表し、V6hは、画
素が、V5L又はV5hのいずれかであるV5の値と関係なく、ターンオンする
ことができるV6の値を表し、V6Lは、画素が、V5の値がV5hの場合、タ
ーンオフできるV6の値である。
【0037】
上述したメモリ効果の重要な特徴は、多ラインアドレスを用いることができる
ことである。
ことである。
【0038】
図7は、白黒ディスプレイに関する多ラインアドレスを図式的に示す。
【0039】
t=0において、前記電極のすべての交差において、すなわち、すべての画素
において、前記移動可能素子は、前記光導波路と接触しない。したがって、光は
放出されない。t=t1において、上部の行電極における電圧、すなわち、V6 は、V6hに変化する。列電極5と上部行電極6との交差領域において、すべて
の移動可能素子3は、光導波路2と接触し、光が放射される。次に、V6はV6 m に変化し、きわめて短い期間Δ後、‘オフ’電圧を、前記列電極V5、V5’
、V5”等に印可された上部ラインに関係するビデオ情報にしたがってスイッチ
オフされたこれらの列電極に印可する。この期間Δを、実際的にできるだけ小さ
くすべきであり、例えば、数マイクロ秒にすべきである。前記列電極に印可され
る‘オフ’電圧と同時に、パルスV6Lを前記上部行電極において与える。ここ
で、これらの画素のみが、表示すべき像の前記上部行の情報にしたがって‘オン
’のままである。他の交差領域において、光は放射されない。その後、第2の上
部行電極(V6’)に電圧V6onを印可し、前記上部行電極における電圧をV 6hold に変える。次に、V6をV6holdに変える。期間Δ後、前記列電
極に、前記像の第2ラインに対応するビデオ情報を供給し、パルスV6offを
前記第2の上部行電極において与える。これは、画素の第2ラインを形成し、ス
イッチオンされた前記第1ラインの画素は、光を放射し続ける。その後、第3の
上部行電極を‘活性’にし、すなわち、V6onを印可し、前記第1及び第2行
電極を電圧V6holdにおいて保持し、すなわち、活性のままにする。更なる
説明において、情報をラインに書き込む処理を、‘活性にする’、‘活性化’又
は‘切り替え’と呼び、ラインが活性化された場合、このラインが無効になるま
で、このようなラインを‘活性’と呼ぶ。前記画素の第3ラインを形成した(活
性にした)場合、最初の2ラインは放射し続ける(活性のままである)。簡単な
白黒機構において、この処理を、Nラインが書き込まれるまで繰り返し、次に、
前記第1ラインを無効にし、N+1ラインをスイッチオンし、その後、第2Nラ
インを無効にし、N+2ラインをスイッチオンする。この例において、前記像を
ラインごとに形成し、前記ラインを上部から下部に向かって活性化したが、ラン
ドラインのどのような順序の活性化も使用することができる。例えば、順次に、
第1ライン、第6ライン、第11ライン、第2ライン、第7ライン、第12ライ
ン等を活性化することができる。これを、‘オフ’電圧を前記ラインに対応する
電極に印可し、同時に、‘オフ’信号を前記電極と交差するすべての電極に供給
することによって行う。
において、前記移動可能素子は、前記光導波路と接触しない。したがって、光は
放出されない。t=t1において、上部の行電極における電圧、すなわち、V6 は、V6hに変化する。列電極5と上部行電極6との交差領域において、すべて
の移動可能素子3は、光導波路2と接触し、光が放射される。次に、V6はV6 m に変化し、きわめて短い期間Δ後、‘オフ’電圧を、前記列電極V5、V5’
、V5”等に印可された上部ラインに関係するビデオ情報にしたがってスイッチ
オフされたこれらの列電極に印可する。この期間Δを、実際的にできるだけ小さ
くすべきであり、例えば、数マイクロ秒にすべきである。前記列電極に印可され
る‘オフ’電圧と同時に、パルスV6Lを前記上部行電極において与える。ここ
で、これらの画素のみが、表示すべき像の前記上部行の情報にしたがって‘オン
’のままである。他の交差領域において、光は放射されない。その後、第2の上
部行電極(V6’)に電圧V6onを印可し、前記上部行電極における電圧をV 6hold に変える。次に、V6をV6holdに変える。期間Δ後、前記列電
極に、前記像の第2ラインに対応するビデオ情報を供給し、パルスV6offを
前記第2の上部行電極において与える。これは、画素の第2ラインを形成し、ス
イッチオンされた前記第1ラインの画素は、光を放射し続ける。その後、第3の
上部行電極を‘活性’にし、すなわち、V6onを印可し、前記第1及び第2行
電極を電圧V6holdにおいて保持し、すなわち、活性のままにする。更なる
説明において、情報をラインに書き込む処理を、‘活性にする’、‘活性化’又
は‘切り替え’と呼び、ラインが活性化された場合、このラインが無効になるま
で、このようなラインを‘活性’と呼ぶ。前記画素の第3ラインを形成した(活
性にした)場合、最初の2ラインは放射し続ける(活性のままである)。簡単な
白黒機構において、この処理を、Nラインが書き込まれるまで繰り返し、次に、
前記第1ラインを無効にし、N+1ラインをスイッチオンし、その後、第2Nラ
インを無効にし、N+2ラインをスイッチオンする。この例において、前記像を
ラインごとに形成し、前記ラインを上部から下部に向かって活性化したが、ラン
ドラインのどのような順序の活性化も使用することができる。例えば、順次に、
第1ライン、第6ライン、第11ライン、第2ライン、第7ライン、第12ライ
ン等を活性化することができる。これを、‘オフ’電圧を前記ラインに対応する
電極に印可し、同時に、‘オフ’信号を前記電極と交差するすべての電極に供給
することによって行う。
【0040】
前記画素におけるグレイスケールを、各交差領域が光を放射する時間の割合を
調整することによって行うことができる(デューティ比変調)。
調整することによって行うことができる(デューティ比変調)。
【0041】
多数の又はすべてのラインを、ある時間の間活性にしてもよいが、1ラインの
みをいつでも切り替える(活性にする又は無効にする)ことができる。
みをいつでも切り替える(活性にする又は無効にする)ことができる。
【0042】
図8は、グレイレベルの発生に関するこの切り替え機構を説明する。この図の
上半分におけるジグザグラインは、第1ラインに印可されている電圧を示す。t
=0において、電圧Vonを行電極6に期間τsの間印可する。これは、前記行
電極に対応するラインを活性化する。ビデオ情報(すなわち、画素をターンオン
すべきこれらの交差領域に関する‘オフ’電圧)を、前記行電極と交差する列電
極に印可する。電圧Vholdを、前記行電極に印可する。t=t1において、
前記行電極に、電圧Voff及び期間τsを有するパルスを印可する。短い待ち
時間の後、輝度情報を、関連するライン電極と交差する各電極に関して変化させ
ることができる。このようにして、ある画素に関して、8ビットグレイレベルシ
ステムにおいて第8期間τ8が前記画素の所望の強度に対応するまで、第1期間
τ1オン、第2期間τ2オフ、第3期間τ3オン、等とし、N番目の期間の持続
時間は2N−1・τ1に等しい。いつでも、1つのラインのみを切り替えて(活
性化して、又は、不活性化して)もよく、8(3τs)はライン時間より短くな
ければならない。このライン時間を、フレームにおけるライン数で割ったライン
時間として規定する。例えば、PAL TVシステムにおいて、フレーム時間は
40ミリ秒であり、ライン数は625である。したがって、ライン時間は64マ
イクロ秒である。
上半分におけるジグザグラインは、第1ラインに印可されている電圧を示す。t
=0において、電圧Vonを行電極6に期間τsの間印可する。これは、前記行
電極に対応するラインを活性化する。ビデオ情報(すなわち、画素をターンオン
すべきこれらの交差領域に関する‘オフ’電圧)を、前記行電極と交差する列電
極に印可する。電圧Vholdを、前記行電極に印可する。t=t1において、
前記行電極に、電圧Voff及び期間τsを有するパルスを印可する。短い待ち
時間の後、輝度情報を、関連するライン電極と交差する各電極に関して変化させ
ることができる。このようにして、ある画素に関して、8ビットグレイレベルシ
ステムにおいて第8期間τ8が前記画素の所望の強度に対応するまで、第1期間
τ1オン、第2期間τ2オフ、第3期間τ3オン、等とし、N番目の期間の持続
時間は2N−1・τ1に等しい。いつでも、1つのラインのみを切り替えて(活
性化して、又は、不活性化して)もよく、8(3τs)はライン時間より短くな
ければならない。このライン時間を、フレームにおけるライン数で割ったライン
時間として規定する。例えば、PAL TVシステムにおいて、フレーム時間は
40ミリ秒であり、ライン数は625である。したがって、ライン時間は64マ
イクロ秒である。
【0043】
図8の下半分は、第1電極、第2電極及び第3電極のタイムスロットによって
、電圧を前記3電極に印可するやり方を示す。矢印によって示す3活性ラインに
関するこれらのやり方は、a(活性化)とd(不活性化)との間にいくつかの時
間周期があることを示す。これらの時間周期において、ラインは切り替えられな
い。
、電圧を前記3電極に印可するやり方を示す。矢印によって示す3活性ラインに
関するこれらのやり方は、a(活性化)とd(不活性化)との間にいくつかの時
間周期があることを示す。これらの時間周期において、ラインは切り替えられな
い。
【0044】
光のある程度の吸収が、前記光導波路において生じる。時間τs又は矢印によ
って示す時間周期を調節することによって、ラインが活性化される時間の割合を
調節することができる。本発明の好適な実施形態において、τsを、光入力から
ある程度の距離におけるより短くする。このようにして、光が光入力近くで放射
される時間の割合を、前記光入力からある程度におけるより小さくする。これは
、前記光導波路における光の吸収に関して補償し、より良好な均一さを得ること
ができるようにする。
って示す時間周期を調節することによって、ラインが活性化される時間の割合を
調節することができる。本発明の好適な実施形態において、τsを、光入力から
ある程度の距離におけるより短くする。このようにして、光が光入力近くで放射
される時間の割合を、前記光入力からある程度におけるより小さくする。これは
、前記光導波路における光の吸収に関して補償し、より良好な均一さを得ること
ができるようにする。
【0045】
さらに、テレビジョン及びコンピュータ画像を取り扱うことができる表示装置
を得るために、第1切り替え時間を、1ないし3gr/cm3の間の範囲におけ
る、図6の実施形態の移動可能素子3の特別な集団を用いることによって得るこ
とができる。このようにして、1ないし2マイクロ秒のオーダの切り替え時間を
、例えば、300×100μmの画素寸法ごとに得ることができる。移動可能素
子3の厚さは、このとき、0.5ないし5μmの間の範囲である。移動可能素子
3が前記光導波路又は第2板にくっつくのを防ぐために、前記移動可能素子は、
好適には108ないし1010N/m2の範囲における弾性係数を有する第1材
料を具える。例えば、ポリイミドは、2.109N/m2の弾性係数を有する。
さらに、前記移動可能素子の一方又は双方の側に、前記第1材料の弾性係数より
高い弾性係数を有する第2材料の上部層を設けることが有利である。このような
上部層を、例えば、SiN3で形成し、約50ナノメートルの厚さを有するよう
にする。
を得るために、第1切り替え時間を、1ないし3gr/cm3の間の範囲におけ
る、図6の実施形態の移動可能素子3の特別な集団を用いることによって得るこ
とができる。このようにして、1ないし2マイクロ秒のオーダの切り替え時間を
、例えば、300×100μmの画素寸法ごとに得ることができる。移動可能素
子3の厚さは、このとき、0.5ないし5μmの間の範囲である。移動可能素子
3が前記光導波路又は第2板にくっつくのを防ぐために、前記移動可能素子は、
好適には108ないし1010N/m2の範囲における弾性係数を有する第1材
料を具える。例えば、ポリイミドは、2.109N/m2の弾性係数を有する。
さらに、前記移動可能素子の一方又は双方の側に、前記第1材料の弾性係数より
高い弾性係数を有する第2材料の上部層を設けることが有利である。このような
上部層を、例えば、SiN3で形成し、約50ナノメートルの厚さを有するよう
にする。
【0046】
効率的な表示装置を得るために、前記移動可能素子は、入射光の少なくとも3
0%の透明度を有するべきである。本特許出願において、光を、370ないし8
00ナノメートルの間の範囲における波長を有する放射として理解すべきである
。
0%の透明度を有するべきである。本特許出願において、光を、370ないし8
00ナノメートルの間の範囲における波長を有する放射として理解すべきである
。
【0047】
安定して表示を得るために、前記移動可能素子の熱膨張係数を、実際的に、前
記光導波路の熱膨張係数と等しくする。例えば、ポリイミドの熱膨張係数を、前
記光導波路の熱膨張係数に適合させることができる。
記光導波路の熱膨張係数と等しくする。例えば、ポリイミドの熱膨張係数を、前
記光導波路の熱膨張係数に適合させることができる。
【0048】
前記共通電極をいくつかの部分に分割してもよいことを注意すべきである。各
部分は、電圧源に選択的に接続し、各部分と向かい合った多数の行電極と協働し
てもよい。前記移動可能素子における行電極を、前記共通電極の部分に対応する
行電極の組において共にグループ化してもよい。各グループの行電極を、他のグ
ループの対応する行電極に接続してもよい。動作において、前記共通電極選択さ
れた部分に対応する前記ディスプレイの部分のみを活性化することができる。こ
のようにして、前記移動可能素子における行電極への接続の合計数を減らすこと
ができる。
部分は、電圧源に選択的に接続し、各部分と向かい合った多数の行電極と協働し
てもよい。前記移動可能素子における行電極を、前記共通電極の部分に対応する
行電極の組において共にグループ化してもよい。各グループの行電極を、他のグ
ループの対応する行電極に接続してもよい。動作において、前記共通電極選択さ
れた部分に対応する前記ディスプレイの部分のみを活性化することができる。こ
のようにして、前記移動可能素子における行電極への接続の合計数を減らすこと
ができる。
【0049】
多くの変形が、添付した請求項の範囲から逸脱することなく本発明の範囲内に
おいて可能であることは明らかであろう。
おいて可能であることは明らかであろう。
【図1】 本発明による表示装置の断面図である。
【図2】 図1に示す表示装置の詳細を示す。
【図3】 図1に示す表示装置の実施形態のさらに詳細を示す。
【図4】 図1に示す表示装置の平面図である。
【図5】 本発明の実施形態よる装置におけるメモリ効果と、その使用方法とを
図式的に示す。
図式的に示す。
【図6】 本発明の実施形態よる装置におけるメモリ効果と、その使用方法とを
図式的に示す。
図式的に示す。
【図7】 像を形成するのに使用するマトリックス構造を図式的に示す。
【図8】 グレイスケールレベルを発生する可能なアドレス方法を図式的に示す
。
。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ヘラルダス ヘー ペー ファン ホルコ
ム
オランダ国 5656 アーアー アインドー
フェン プロフ ホルストラーン 6
(72)発明者 ピエール エル ハー エム コッベン
オランダ国 5656 アーアー アインドー
フェン プロフ ホルストラーン 6
(72)発明者 ヨハネス マルラ
オランダ国 5656 アーアー アインドー
フェン プロフ ホルストラーン 6
Fターム(参考) 2H041 AA14 AB38 AB40 AC06 AZ02
AZ05
5C094 AA22 AA31 AA45 BA66 BA84
BA92 BA97 CA20 CA24 FA02
HA08
Claims (16)
- 【請求項1】 光導波路と、前記光導波路と向かい合った第2板と、前記光導波
路と第2板との間の移動可能素子と、前記移動可能素子を前記光導波路に局所的
に接触させる選択手段とを具え、前記選択手段が、共通電極と、行及び列電極と
、電圧を前記行及び列電極及び共通電極に印可する手段とを具え、前記第2板に
前記共通電極を設けたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の表示装置において、前記選択手段が、電圧を前
記行及び列電極に、前記行及び列電極に前に印可された電圧に応じて印可する手
段を具えることを特徴とする表示装置。 - 【請求項3】 請求項2に記載の表示装置において、前記光導波路が前記列電極
を具え、前記第2板に前記共通電極を設け、前記移動可能素子に前記行電極を設
けたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項4】 請求項3に記載の表示装置において、前記電圧を印可する手段が
、動作において、 より低い及びより高い値を有する電圧の第1の組を列電極に印可し、 より低い、中位及びより高い値を有する電圧の第2の組を交差領域における前
記列電極と交差する行電極に印可し、 該装置を、前記行電極への前記より高い値と前記列電極への前記より低い値の
同時の印可のみが、前記交差領域における前記移動可能素子の位置を変化させる
ように配置したことを特徴とする表示装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載の表示装置において、前記第2組のより低い値を
、動作において前記列電極に印可される電圧と等しくしたことを特徴とする表示
装置。 - 【請求項6】 請求項3に記載の表示装置において、前記電圧を印可する手段が
、動作において、 より低い値及びより高い値を有する電圧の第1の組を列電極に印可し、 より低い、中位及びより高い値を有する電圧の第2の組を交差領域における前
記列電極と交差する行電極に印可し、 該装置を、前記行電極への前記より低い値と前記列電極への前記より高い値と
の同時の印可のみが、前記交差領域における前記移動可能素子の位置を変化させ
るように配置したことを特徴とする表示装置。 - 【請求項7】 請求項4、5又は6に記載の表示装置において、前記第1組のよ
り低い値を、前記第2組のより高い値と等しくしたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項8】 請求項3、4、5、6又は7に記載の表示装置において、前記電
圧を印可する手段が、動作において、 ターンオン電圧を第1行電極に印可し、前記第1行電極と交差する列電極への
電圧の同時の印可が、前記移動可能素子を、前記第1行電極及び列電極の選択さ
れた交差領域における前記光導波路に接触させ、 その後に、第1ターンオフ電圧を第1列電極に印可し、第2ターンオフ電圧の
第1行電極への同時の印可が、前記第1行電極及び列電極の選択された交差領域
において、前記移動可能素子を前記第2板に向かって移動させ、 前記第1列電極における第1ターンオフ電圧が、前記第1列電極及び行電極の
他の交差領域における前記移動可能素子を前記光導波路から分離させないような
値を有し、 前記第1行電極における第2ターンオフ電圧が、前記第1行電極及び列電極の
他の交差領域における前記移動可能素子を前記光導波路から分離させないような
値を有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項9】 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の表示装置において、前
記移動可能素子が、入射光の少なくとも30%の透明度を有することを特徴とす
る表示装置。 - 【請求項10】 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の表示装置において、
該表示装置が、カラー決定素子を具えることを特徴とする表示装置。 - 【請求項11】 請求項10に記載の表示装置において、前記カラー決定素子が
、入射光の所望の色に関するスペクトルバンドに関して少なくとも20%の透明
度を有し、他の色に関する入射光の0ないし2%の間の範囲における透明度を有
することを特徴とする表示装置。 - 【請求項12】 請求項1ないし11のいずれか1項に記載の表示装置において
、前記光導波路がガラスを具えることを特徴とする表示装置。 - 【請求項13】 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の表示装置において
、前記移動可能素子が、108ないし109N/m2の間の範囲における弾性係
数を有する第1材料を具えることを特徴とする表示装置。 - 【請求項14】 請求項13に記載の表示装置において、前記第1材料が、該表
示装置の動作温度より高いガラス遷移温度を有するポリマを具えることを特徴と
する表示装置。 - 【請求項15】 請求項13又は14に記載の表示装置において、前記移動可能
素子の一方の側に、前記第1材料の弾性係数より高い弾性係数を有する第2材料
を具える上部層を設けたことを特徴とする表示装置。 - 【請求項16】 請求項1ないし14のいずれか1項に記載の表示装置において
、前記移動可能素子の熱膨張係数を、前記光導波路の熱膨張係数と実際的に等し
くしたことを特徴とする表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00200635 | 2000-02-24 | ||
EP00200635.1 | 2000-02-24 | ||
PCT/EP2001/001225 WO2001063588A1 (en) | 2000-02-24 | 2001-02-05 | Display device comprising a light guide |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003524215A true JP2003524215A (ja) | 2003-08-12 |
Family
ID=8171077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001562473A Pending JP2003524215A (ja) | 2000-02-24 | 2001-02-05 | 光導波路を具える表示装置 |
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Country | Link |
---|---|
US (2) | US6653997B2 (ja) |
EP (1) | EP1185972A1 (ja) |
JP (1) | JP2003524215A (ja) |
KR (1) | KR20010112456A (ja) |
CN (1) | CN1160684C (ja) |
TW (1) | TW503381B (ja) |
WO (1) | WO2001063588A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012032738A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Toshiba Corp | 表示素子 |
Families Citing this family (126)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100703140B1 (ko) | 1998-04-08 | 2007-04-05 | 이리다임 디스플레이 코포레이션 | 간섭 변조기 및 그 제조 방법 |
US8928967B2 (en) | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
JP2003524215A (ja) * | 2000-02-24 | 2003-08-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光導波路を具える表示装置 |
WO2003050788A1 (en) * | 2001-12-10 | 2003-06-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display panel comprising a light guide |
AU2002367045A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting display device with mechanical pixel switch |
WO2003063115A2 (en) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device comprising a light guide |
DE60302053T2 (de) * | 2002-03-26 | 2006-07-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Anzeigevorrichtung mit einer lichtdurchlässigen platte und einem lichtabsorbierenden mittel |
KR20050000557A (ko) * | 2002-05-21 | 2005-01-05 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 광 가이드 판을 구비하는 디스플레이 패널 |
KR20050057337A (ko) * | 2002-09-18 | 2005-06-16 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 백라이트와 백라이트를 이용하는 디스플레이 |
US7068910B2 (en) * | 2002-09-18 | 2006-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light generating device having polarized light emitting waveguide plate |
WO2004088629A1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-10-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Foil display |
US7889162B2 (en) * | 2003-05-22 | 2011-02-15 | Rambus Inc. | Line-at-a-time foil display |
EP1629452A1 (en) * | 2003-05-22 | 2006-03-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dynamic foil display having low resistivity electrodes |
EP1690247A4 (en) * | 2003-11-14 | 2008-11-19 | Uni Pixel Displays Inc | SINGLE MATRIX ADDRESSING IN A DISPLAY |
US7161728B2 (en) * | 2003-12-09 | 2007-01-09 | Idc, Llc | Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators |
US7142346B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-11-28 | Idc, Llc | System and method for addressing a MEMS display |
WO2005071461A1 (en) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device |
JP4682519B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2011-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
US7245285B2 (en) * | 2004-04-28 | 2007-07-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Pixel device |
US7476327B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
GB0415773D0 (en) * | 2004-07-15 | 2004-08-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | A flexible display device |
US7889163B2 (en) | 2004-08-27 | 2011-02-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Drive method for MEMS devices |
US7499208B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-03-03 | Udc, Llc | Current mode display driver circuit realization feature |
US8310441B2 (en) | 2004-09-27 | 2012-11-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7289259B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
US7321456B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-01-22 | Idc, Llc | Method and device for corner interferometric modulation |
WO2006037044A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7724993B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS switches with deforming membranes |
US7564612B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-07-21 | Idc, Llc | Photonic MEMS and structures |
US7630119B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator |
US7675669B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for driving interferometric modulators |
US7304784B2 (en) | 2004-09-27 | 2007-12-04 | Idc, Llc | Reflective display device having viewable display on both sides |
US8008736B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
US7310179B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-12-18 | Idc, Llc | Method and device for selective adjustment of hysteresis window |
US7612932B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-11-03 | Idc, Llc | Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7417783B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Mirror and mirror layer for optical modulator and method |
US7420725B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-09-02 | Idc, Llc | Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same |
US7679627B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-03-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controller and driver features for bi-stable display |
US8878825B2 (en) | 2004-09-27 | 2014-11-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display |
US7843410B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-11-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for electrically programmable display |
US7130104B2 (en) | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
US7327510B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
US7936497B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence |
US7527995B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of making prestructure for MEMS systems |
US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
US7928928B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-04-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing perceived color shift |
US7369296B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
US7583429B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-09-01 | Idc, Llc | Ornamental display device |
US7302157B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
US7532195B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-05-12 | Idc, Llc | Method and system for reducing power consumption in a display |
US7373026B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate |
US7199916B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-04-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator device |
KR20080027236A (ko) | 2005-05-05 | 2008-03-26 | 콸콤 인코포레이티드 | 다이나믹 드라이버 ic 및 디스플레이 패널 구성 |
US7920136B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-04-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of driving a MEMS display device |
US7948457B2 (en) | 2005-05-05 | 2011-05-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Systems and methods of actuating MEMS display elements |
US7884989B2 (en) | 2005-05-27 | 2011-02-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | White interferometric modulators and methods for forming the same |
EP2495212A3 (en) * | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Mems devices having support structures and methods of fabricating the same |
CN101272982B (zh) | 2005-09-30 | 2012-03-21 | 高通Mems科技公司 | Mems装置及其互连 |
US20070126673A1 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Kostadin Djordjev | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US8391630B2 (en) | 2005-12-22 | 2013-03-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays |
US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US7486854B2 (en) * | 2006-01-24 | 2009-02-03 | Uni-Pixel Displays, Inc. | Optical microstructures for light extraction and control |
US7652814B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-01-26 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device with integrated optical element |
US8194056B2 (en) | 2006-02-09 | 2012-06-05 | Qualcomm Mems Technologies Inc. | Method and system for writing data to MEMS display elements |
US7547568B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof |
US7643203B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical display system with broadband characteristics |
US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
US8049713B2 (en) | 2006-04-24 | 2011-11-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Power consumption optimized display update |
US7369292B2 (en) | 2006-05-03 | 2008-05-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electrode and interconnect materials for MEMS devices |
US7649671B2 (en) * | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
US7471442B2 (en) | 2006-06-15 | 2008-12-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures |
US7835061B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-11-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Support structures for free-standing electromechanical devices |
US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
US7751663B2 (en) * | 2006-09-21 | 2010-07-06 | Uni-Pixel Displays, Inc. | Backside reflection optical display |
US7706042B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US8115987B2 (en) | 2007-02-01 | 2012-02-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Modulating the intensity of light from an interferometric reflector |
US7916378B2 (en) | 2007-03-08 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for providing a light absorbing mask in an interferometric modulator display |
US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7742220B2 (en) | 2007-03-28 | 2010-06-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops |
US7715085B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US7643202B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7625825B2 (en) | 2007-06-14 | 2009-12-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of patterning mechanical layer for MEMS structures |
US7643199B2 (en) | 2007-06-19 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays |
US7782517B2 (en) | 2007-06-21 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Infrared and dual mode displays |
US7630121B2 (en) | 2007-07-02 | 2009-12-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
US8068268B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
KR20100066452A (ko) | 2007-07-31 | 2010-06-17 | 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. | 간섭계 변조기의 색 변이를 증강시키는 장치 |
US7570415B2 (en) | 2007-08-07 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US8072402B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-12-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics |
US7773286B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-08-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Periodic dimple array |
US7847999B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-12-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator display devices |
CN101828145B (zh) | 2007-10-19 | 2012-03-21 | 高通Mems科技公司 | 具有集成光伏元件的显示器 |
US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
CN101836137A (zh) | 2007-10-23 | 2010-09-15 | 高通Mems科技公司 | 基于微机电系统的可调整透射装置 |
US8941631B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
US7715079B2 (en) | 2007-12-07 | 2010-05-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices requiring no mechanical support |
US7863079B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device |
US8164821B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
US7944604B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
US7612933B2 (en) | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
US7898723B2 (en) | 2008-04-02 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure |
US7969638B2 (en) | 2008-04-10 | 2011-06-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device having thin black mask and method of fabricating the same |
US7768690B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-08-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US7791783B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-09-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US7746539B2 (en) | 2008-06-25 | 2010-06-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method for packing a display device and the device obtained thereof |
US8023167B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
US7859740B2 (en) | 2008-07-11 | 2010-12-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control |
US7855826B2 (en) | 2008-08-12 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices |
US8358266B2 (en) | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
US8270056B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
US8736590B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low voltage driver scheme for interferometric modulators |
WO2010138765A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
US8270062B2 (en) | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
US8488228B2 (en) | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
CN102096265B (zh) * | 2009-12-10 | 2012-12-12 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 三波长干涉调制器及调制方法 |
WO2011126953A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same |
US20120014683A1 (en) * | 2010-07-15 | 2012-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Camera flash system controlled via mems array |
WO2012024238A1 (en) | 2010-08-17 | 2012-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Actuation and calibration of a charge neutral electrode in an interferometric display device |
US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4113360A (en) | 1977-03-28 | 1978-09-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Indicating device for illustrating symbols of all kinds |
NL8402038A (nl) * | 1984-06-28 | 1986-01-16 | Philips Nv | Elektroskopische beeldweergeefinrichting. |
JP3187669B2 (ja) * | 1994-04-01 | 2001-07-11 | 日本碍子株式会社 | ディスプレイ素子及びディスプレイ装置 |
US5771321A (en) * | 1996-01-04 | 1998-06-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Micromechanical optical switch and flat panel display |
WO1999028890A1 (en) * | 1997-11-29 | 1999-06-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device comprising a light guide |
EP0969306B1 (en) * | 1998-01-20 | 2005-05-11 | Seiko Epson Corporation | Optical switching device and image display device |
US6195196B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof |
JP2000214804A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光変調素子及び露光装置並びに平面表示装置 |
EP1073925A1 (en) * | 1999-02-24 | 2001-02-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device comprising a light guide |
JP2003524215A (ja) * | 2000-02-24 | 2003-08-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光導波路を具える表示装置 |
-
2001
- 2001-02-05 JP JP2001562473A patent/JP2003524215A/ja active Pending
- 2001-02-05 KR KR1020017013602A patent/KR20010112456A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-02-05 CN CNB018009336A patent/CN1160684C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-05 WO PCT/EP2001/001225 patent/WO2001063588A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-02-05 EP EP01905736A patent/EP1185972A1/en not_active Withdrawn
- 2001-02-21 US US09/790,300 patent/US6653997B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-21 TW TW090106597A patent/TW503381B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-11-07 US US10/704,249 patent/US6956332B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012032738A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Toshiba Corp | 表示素子 |
US8496369B2 (en) | 2010-08-03 | 2013-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display element and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1185972A1 (en) | 2002-03-13 |
US6956332B2 (en) | 2005-10-18 |
WO2001063588A1 (en) | 2001-08-30 |
US6653997B2 (en) | 2003-11-25 |
TW503381B (en) | 2002-09-21 |
CN1366655A (zh) | 2002-08-28 |
KR20010112456A (ko) | 2001-12-20 |
US20010043171A1 (en) | 2001-11-22 |
US20040100201A1 (en) | 2004-05-27 |
CN1160684C (zh) | 2004-08-04 |
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