JP2003508948A - 伝送ゼロ点を有する高周波帯域フィルタ装置 - Google Patents
伝送ゼロ点を有する高周波帯域フィルタ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、主共振器と、この主共振器に結合される少なくとも1つの阻止帯域共振器とを含む高周波帯域フィルタアセンブリに関する。本発明の目的は、特定の個数の極を有して、可能な限り最大の数の伝送ゼロ点位置が阻止帯内で生じるようにフィルタ構造を構成することであり、それによって、公知の共振器構成において、互いに隣接していない共振器の間でオーバカップリングが生じることがない。この目的のために、1つまたは複数の阻止帯域共振器が、その阻止帯域共振器が主共振器と連携して伝送ゼロ点位置と伝送極位置との両方を生じさせるように、主共振器に結合される。
Description
【0001】
本発明は、主共振器とこの主共振器に結合される少なくとも1つの阻止共振器
(blocking resonator)とから成る高周波帯域フィルタ装置に関し、その主共振
器は、中断部分(interruption)すなわち金属壁の形の切れ目(discontinuity
)が両側で境界をなしている導電体セグメントによって画定されており、また中
心周波数において電磁的な固有振動を有する。特に、本発明は、約0.5GHz
より高く約100GHzより低い動作周波数範囲内の高周波電磁信号の高度に選
択的なフィルタリングのための結合共振器から構成されている帯域フィルタの構
成に関する。
(blocking resonator)とから成る高周波帯域フィルタ装置に関し、その主共振
器は、中断部分(interruption)すなわち金属壁の形の切れ目(discontinuity
)が両側で境界をなしている導電体セグメントによって画定されており、また中
心周波数において電磁的な固有振動を有する。特に、本発明は、約0.5GHz
より高く約100GHzより低い動作周波数範囲内の高周波電磁信号の高度に選
択的なフィルタリングのための結合共振器から構成されている帯域フィルタの構
成に関する。
【0002】
高周波帯域フィルタは、例えば地上無線放送、衛星無線放送、無線リンク、お
よび、移動電話システム、さらには、レーダ、および、航法システムのような通
信システムにおける重要な構成要素を構成する。この場合に、例えば無線受信機
内のフィルタのような個々のフィルタが事前選択機能、すなわち、不要な干渉信
号の抑制を果し、またフィルタバンク(filter bank)が周波数チャネリング機能
を果たす。無線送信機の場合には、個々の帯域フィルタが特に増幅器の出力信号
中の帯域外スペクトル部分(off-band spectral share)を抑制するために使用
され、また出力マルチプレクサの形のフィルタバンクが、様々な搬送波を共用ア
ンテナ(shared antenna)に集めるために使用される。
よび、移動電話システム、さらには、レーダ、および、航法システムのような通
信システムにおける重要な構成要素を構成する。この場合に、例えば無線受信機
内のフィルタのような個々のフィルタが事前選択機能、すなわち、不要な干渉信
号の抑制を果し、またフィルタバンク(filter bank)が周波数チャネリング機能
を果たす。無線送信機の場合には、個々の帯域フィルタが特に増幅器の出力信号
中の帯域外スペクトル部分(off-band spectral share)を抑制するために使用
され、また出力マルチプレクサの形のフィルタバンクが、様々な搬送波を共用ア
ンテナ(shared antenna)に集めるために使用される。
【0003】
高周波帯域フィルタでは先ず最初に能動設計と受動設計とに分けることが可能
である。直線性および低雑音レベルに関する厳しい要求がある場合には、本明細
書でさらに詳細に検討する受動フィルタだけが可能である。受動電磁フィルタ(
passive electromagnetic filter)の機能は電界および磁界エネルギーの蓄積に
基づいている。ディスクリート構造要素から成るフィルタでは、電界および磁界
エネルギーは、有限な数の空間的に分離されたディスクリート要素の中に、すな
わち、コンデンサとインダクタの中に互いに別々に蓄積される。これらのディス
クリート構造要素の幾何学的寸法は導波長(guided wavelength)の10分の1
よりもはるかに小さくなければならず、一方ではこの構造要素の無負荷Q(unlo
aded Q)が寸法の縮小につれて急激に低下するので、結合された共振器から成る
構造が、約1GHzを超える場合に、相互接続されたディスクリートなコンデン
サおよびインダクタの代わりに、急峻なエッジを有するフィルタ(steep-edged
filter)のために使用されることが好ましい。
である。直線性および低雑音レベルに関する厳しい要求がある場合には、本明細
書でさらに詳細に検討する受動フィルタだけが可能である。受動電磁フィルタ(
passive electromagnetic filter)の機能は電界および磁界エネルギーの蓄積に
基づいている。ディスクリート構造要素から成るフィルタでは、電界および磁界
エネルギーは、有限な数の空間的に分離されたディスクリート要素の中に、すな
わち、コンデンサとインダクタの中に互いに別々に蓄積される。これらのディス
クリート構造要素の幾何学的寸法は導波長(guided wavelength)の10分の1
よりもはるかに小さくなければならず、一方ではこの構造要素の無負荷Q(unlo
aded Q)が寸法の縮小につれて急激に低下するので、結合された共振器から成る
構造が、約1GHzを超える場合に、相互接続されたディスクリートなコンデン
サおよびインダクタの代わりに、急峻なエッジを有するフィルタ(steep-edged
filter)のために使用されることが好ましい。
【0004】
本明細書で検討されている種類のフィルタの基礎的要素を表す共振器の設計に
関しては、様々なタイプが使用可能である。同軸TEM導体セグメントと中空導
体セグメントとが同軸共振器または空洞共振器を作るために使用され、この共振
器では電磁界が導電表面によって完全に包囲される。こうした共振器は、体積を
減少させかつ空間的な電磁界の進行(spatial field progression)を変化させる
ために、低損失の誘電体材料で部分的または完全に充填することができる。誘電
体共振器(dielectric resonator)では、電磁界封入(field inclusion)が主と
して誘電体材料と周囲空気との間の界面(interface)によって生じ、この界面か
ら外側に向かって空間的に減衰する電磁界が、必要に応じて金属ケーシングによ
ってシールドされる。マイクロストリップ・ラインとストリップ・ラインと共平
面共振器とを含む平面共振器は、誘電体基板上の平面プリント導体から成る。
関しては、様々なタイプが使用可能である。同軸TEM導体セグメントと中空導
体セグメントとが同軸共振器または空洞共振器を作るために使用され、この共振
器では電磁界が導電表面によって完全に包囲される。こうした共振器は、体積を
減少させかつ空間的な電磁界の進行(spatial field progression)を変化させる
ために、低損失の誘電体材料で部分的または完全に充填することができる。誘電
体共振器(dielectric resonator)では、電磁界封入(field inclusion)が主と
して誘電体材料と周囲空気との間の界面(interface)によって生じ、この界面か
ら外側に向かって空間的に減衰する電磁界が、必要に応じて金属ケーシングによ
ってシールドされる。マイクロストリップ・ラインとストリップ・ラインと共平
面共振器とを含む平面共振器は、誘電体基板上の平面プリント導体から成る。
【0005】
特に、共振器設計の選択は、フィルタ仕様によって必要とされる共振器の無負
荷Qによって影響される(下記の説明を参照されたい)。従来の技術では、高い
無負荷Qは共振器の比較的大きな幾何学的寸法を意味する。他方、フィルタ中の
すべての共振器全体のために使用可能な体積は、より低いGHz範囲では制限さ
れている。体積を約50%減少させる要求が、共振器を直交モードによって二重
に使用すること(二重モード共振器)によって実現される。高い無負荷Qが大き
な幾何学的寸法を意味するという規則の例外が、高温超伝導体から構成される冷
却平面共振器を使用することによって実現される。コンパクトな高Q共振器に向
けての別の技術的な開発が、誘電体共振器のための高い誘電率を有する極めて低
損失の誘電体材料の開発の進歩によって生じている。必要とされる電力両立性(
加熱、マルチパクティング(multipacting))も、共振器設計の選択に影響する
。
荷Qによって影響される(下記の説明を参照されたい)。従来の技術では、高い
無負荷Qは共振器の比較的大きな幾何学的寸法を意味する。他方、フィルタ中の
すべての共振器全体のために使用可能な体積は、より低いGHz範囲では制限さ
れている。体積を約50%減少させる要求が、共振器を直交モードによって二重
に使用すること(二重モード共振器)によって実現される。高い無負荷Qが大き
な幾何学的寸法を意味するという規則の例外が、高温超伝導体から構成される冷
却平面共振器を使用することによって実現される。コンパクトな高Q共振器に向
けての別の技術的な開発が、誘電体共振器のための高い誘電率を有する極めて低
損失の誘電体材料の開発の進歩によって生じている。必要とされる電力両立性(
加熱、マルチパクティング(multipacting))も、共振器設計の選択に影響する
。
【0006】
帯域フィルタの電気的挙動が、周波数帯域(通過帯域幅)および通過帯域の位
置によって、通過帯域内での最大インサーション・ロス(insertion loss)およ
び最小リターン・ロス(return loss)によって、通過帯域と阻止領域との間の移
行区域(transfer area)の幅によって、および阻止領域内の最小逆減衰(revers
e attenuation)によって特徴付けられる。
置によって、通過帯域内での最大インサーション・ロス(insertion loss)およ
び最小リターン・ロス(return loss)によって、通過帯域と阻止領域との間の移
行区域(transfer area)の幅によって、および阻止領域内の最小逆減衰(revers
e attenuation)によって特徴付けられる。
【0007】
フィルタ構造の特性をさらに量的に記述するために、阻止領域内の有限な周波
数の場合、通過帯域内の減衰ゼロ点(attenuation zero)(反射ゼロ点)の数N
と減衰ピーク(attenuation peak)(伝送ゼロ点(transmission zero))の数M
とを使用する。反射ゼロ点と伝送ゼロ点を使用するこの特徴付けでは、(想像上
の)無損失の場合の挙動が基準として採用され、ゼロ点がその順序に基づいて繰
り返しカウントされる。
数の場合、通過帯域内の減衰ゼロ点(attenuation zero)(反射ゼロ点)の数N
と減衰ピーク(attenuation peak)(伝送ゼロ点(transmission zero))の数M
とを使用する。反射ゼロ点と伝送ゼロ点を使用するこの特徴付けでは、(想像上
の)無損失の場合の挙動が基準として採用され、ゼロ点がその順序に基づいて繰
り返しカウントされる。
【0008】
帯域フィルタを実現するために、NR個の共振器が、結合された共振器のシス
テム全体が通過帯域の区域内に合計N=NRの減衰ゼロ点を有するように、一緒
に結合されることが可能である(共振器の二重使用時にはN=2NR)。さらに
、適切な結合方法(後述の説明をさらに参照されたい)が、合計でM<Nの減衰
ピーク(伝送ゼロ点)が有限な周波数で阻止領域内で生じることを可能にする。
テム全体が通過帯域の区域内に合計N=NRの減衰ゼロ点を有するように、一緒
に結合されることが可能である(共振器の二重使用時にはN=2NR)。さらに
、適切な結合方法(後述の説明をさらに参照されたい)が、合計でM<Nの減衰
ピーク(伝送ゼロ点)が有限な周波数で阻止領域内で生じることを可能にする。
【0009】
必要な減衰ゼロ点の数Nと、したがって必要な共振器の最少数とが、移行幅(
transfer width)の通過帯域に対する比率(「フィルタエッジの相対峻度(rela
tive steepness of filter edges)」)から生じる。
transfer width)の通過帯域に対する比率(「フィルタエッジの相対峻度(rela
tive steepness of filter edges)」)から生じる。
【0010】
通過帯域内の減衰ゼロ点の必要数Nが、設定されたフィルタエッジ相対峻度で
、M/Nの増大と共に単調に減少するということが、本発明によって実現される
利点の後述の説明に対して極めて重要である。M=0のチェビシェフフィルタ(
Chebyshev filter)の代わりにM>0の準楕円フィルタ(quasi-elliptical fil
ter)が使用される場合には、設定されている通過帯域において、必要とされる
エッジ峻度のためには、より小さな数Nの、したがってより小さい数NRの共振
器で十分である。M<N−1の準楕円フィルタの代わりにM=N−1の「真楕円
」フィルタを使用すれば、この必要とされる数Nはさらに減少させられる。
、M/Nの増大と共に単調に減少するということが、本発明によって実現される
利点の後述の説明に対して極めて重要である。M=0のチェビシェフフィルタ(
Chebyshev filter)の代わりにM>0の準楕円フィルタ(quasi-elliptical fil
ter)が使用される場合には、設定されている通過帯域において、必要とされる
エッジ峻度のためには、より小さな数Nの、したがってより小さい数NRの共振
器で十分である。M<N−1の準楕円フィルタの代わりにM=N−1の「真楕円
」フィルタを使用すれば、この必要とされる数Nはさらに減少させられる。
【0011】
フィルタの共振器における抵抗損と誘電体損のために、そのフィルタの周波数
応答が低下させられ、そのためにフィルタエッジの実現可能な峻度が丸め効果(r
ounding effect)によって制限され、通過帯域における散逸インサーション・ロ
スが増大させられる。この低下は第1の近似ではNだけに依存しており、伝送ゼ
ロ点の数Mには存在しないでので、より高いエッジ峻度とより低い散逸インサー
ション・ロスとを有するフィルタが、M/Nを増大させることによって共振器の
設定された無負荷Qにおいて実現されることが可能である。
応答が低下させられ、そのためにフィルタエッジの実現可能な峻度が丸め効果(r
ounding effect)によって制限され、通過帯域における散逸インサーション・ロ
スが増大させられる。この低下は第1の近似ではNだけに依存しており、伝送ゼ
ロ点の数Mには存在しないでので、より高いエッジ峻度とより低い散逸インサー
ション・ロスとを有するフィルタが、M/Nを増大させることによって共振器の
設定された無負荷Qにおいて実現されることが可能である。
【0012】
結合された共振器によって構成されるフィルタにおいて伝送ゼロ点を生じさせ
るために現時点で主に使用されているアプローチは、隣接共振器の直接的な結合
に加えて、直接的には隣接しない共振器の間の結合(「オーバカップリング(ov
ercoupling)」を導入することを含む。従来の通過帯域は共振器のカスケードか
ら成り、内側共振器が少なくともその隣接する2つと結合されており、かつ、2
つの外側共振器がそのフィルタ・ポート(filter port)と結合されている。隣接
していない共振器の間の追加の結合がなければ、有限な周波数において伝送ゼロ
点が生じず、すなわち、M=0が当てはまる。適切な強度と符号とを有するオー
バカップリング、すなわち、隣接していない共振器の間の結合が、阻止領域内で
の伝送ゼロ点をもたらし、結合経路の位置に応じてオーバカップリング1つ当た
りで1つから2つの伝送帯域が生成される。上述の理由の目的が、可能な限り大
きなM/N比と、個々の伝送ゼロ点の周波数位置の選択における最大の自由とを
得ることであるならば、このことは、「標準形結合構造(canonical coupling s
tructure)」と呼ばれる結合方式をもたらし、および、Nが偶数である場合は、
N−2個の異なるオーバカップリングを使用する時にN−2個の自由に配置可能
な伝送ゼロ点をもたらす。通過帯域に対して対称に位置しているM=N−2個の
ゼロ点の場合には、少なくとも(N−2)/2個のオーバカップリングが必要と
される。多数のオーバカップリングを有するこうしたフィルタの実際的な実現は
、一般的に、共振器と結合要素との空間的配置の選択におけるトポロジカルな問
題を生じさせる。標準形結合構造では、第1の共振器と最後の共振器とが結合さ
れなければならず、したがって互いに直ぐ近接して位置していなければならない
ので、高い次数Nを有するフィルタにおいて十分に高い逆減衰を実現することに
は問題が生じることになる。
るために現時点で主に使用されているアプローチは、隣接共振器の直接的な結合
に加えて、直接的には隣接しない共振器の間の結合(「オーバカップリング(ov
ercoupling)」を導入することを含む。従来の通過帯域は共振器のカスケードか
ら成り、内側共振器が少なくともその隣接する2つと結合されており、かつ、2
つの外側共振器がそのフィルタ・ポート(filter port)と結合されている。隣接
していない共振器の間の追加の結合がなければ、有限な周波数において伝送ゼロ
点が生じず、すなわち、M=0が当てはまる。適切な強度と符号とを有するオー
バカップリング、すなわち、隣接していない共振器の間の結合が、阻止領域内で
の伝送ゼロ点をもたらし、結合経路の位置に応じてオーバカップリング1つ当た
りで1つから2つの伝送帯域が生成される。上述の理由の目的が、可能な限り大
きなM/N比と、個々の伝送ゼロ点の周波数位置の選択における最大の自由とを
得ることであるならば、このことは、「標準形結合構造(canonical coupling s
tructure)」と呼ばれる結合方式をもたらし、および、Nが偶数である場合は、
N−2個の異なるオーバカップリングを使用する時にN−2個の自由に配置可能
な伝送ゼロ点をもたらす。通過帯域に対して対称に位置しているM=N−2個の
ゼロ点の場合には、少なくとも(N−2)/2個のオーバカップリングが必要と
される。多数のオーバカップリングを有するこうしたフィルタの実際的な実現は
、一般的に、共振器と結合要素との空間的配置の選択におけるトポロジカルな問
題を生じさせる。標準形結合構造では、第1の共振器と最後の共振器とが結合さ
れなければならず、したがって互いに直ぐ近接して位置していなければならない
ので、高い次数Nを有するフィルタにおいて十分に高い逆減衰を実現することに
は問題が生じることになる。
【0013】
従来の技術では、英語文献で「抽出極構造(extracted-pole-structure)」と
呼ばれる構成が、互いに隣接していない共振器の間のオーバカップリングを有す
る共振器構成を使用する代わりに、伝送ゼロ点を実現するために使用され、この
場合には、追加の共振器が、阻止領域内で伝送ゼロ点を実現するように、有限の
周波数において伝送ゼロ点なし(M=0)に、帯域フィルタの入力および/また
は出力ポートに対する給電リード(supply lead)に結合される。こうした構成の
1つがDE 42 32 054 A1から公知であり、この特許文献では、少なくとも1つの
同軸共振器から成る帯域消去フイルタ(band-stop filter)が、有限の周波数で
伝送ゼロ点がない(M=0)マイクロ波セラミックフィルタに直列に接続されて
いる(M=0の帯域フィルタと帯域消去フィルタとによって構成されたカスケー
ド)。この帯域消去フィルタは、通過帯域の外側に位置している干渉周波数を除
去するために使用される。US 3,747,030 Aでは、約1/4波長の長さの線路共振
器(line resonator)が、M=0の集中素子から成るフィルタの入力または出力
に並列に接続されている。この結果として、帯域消去フィルタはフィルタの2ポ
ート・ネットワークに直列に接続されている。1つの帯域消去フィルタをM=0
を有する帯域フィルタとカスケードにすることに関するこの着想の欠点は、帯域
消去フィルタのために追加の共振器を使用することが必要であること、すなわち
、通過帯域内にN個の減衰ゼロ点を有するフィルタのために合計NR>N個の共
振器を使用することが必要であることにある。
呼ばれる構成が、互いに隣接していない共振器の間のオーバカップリングを有す
る共振器構成を使用する代わりに、伝送ゼロ点を実現するために使用され、この
場合には、追加の共振器が、阻止領域内で伝送ゼロ点を実現するように、有限の
周波数において伝送ゼロ点なし(M=0)に、帯域フィルタの入力および/また
は出力ポートに対する給電リード(supply lead)に結合される。こうした構成の
1つがDE 42 32 054 A1から公知であり、この特許文献では、少なくとも1つの
同軸共振器から成る帯域消去フイルタ(band-stop filter)が、有限の周波数で
伝送ゼロ点がない(M=0)マイクロ波セラミックフィルタに直列に接続されて
いる(M=0の帯域フィルタと帯域消去フィルタとによって構成されたカスケー
ド)。この帯域消去フィルタは、通過帯域の外側に位置している干渉周波数を除
去するために使用される。US 3,747,030 Aでは、約1/4波長の長さの線路共振
器(line resonator)が、M=0の集中素子から成るフィルタの入力または出力
に並列に接続されている。この結果として、帯域消去フィルタはフィルタの2ポ
ート・ネットワークに直列に接続されている。1つの帯域消去フィルタをM=0
を有する帯域フィルタとカスケードにすることに関するこの着想の欠点は、帯域
消去フィルタのために追加の共振器を使用することが必要であること、すなわち
、通過帯域内にN個の減衰ゼロ点を有するフィルタのために合計NR>N個の共
振器を使用することが必要であることにある。
【0014】
関連する周波数範囲内の信号の通過を許容し、かつ、隣接の周波数範囲内の信
号を阻止するという機能のために、2つの別個の阻止領域を有する帯域消去フィ
ルタが帯域フィルタの代わりに使用されることも可能である。この場合には、使
用される通過帯域は帯域消去フィルタの2つの阻止領域の間に位置している。US
5,291,161 Aからこのタイプのフィルタが公知であり、このフィルタは連続した
主線路(continuous main line)とこの主線路にガルバニ的に結合されているス
パー(拍車状突起)線路(spur line)とから成り、各スパー線路が伝送ゼロ点
を発生させる。I.C.HungerおよびJ.R.Rhodesの“Electronically tunable micro
wave bandstop filters”(電子的にチューニング可能なマイクロウェーブ帯域
消去フィルタ), IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vo
l.MTT-30, No.9, 1982年9月、pp.1361〜1367から、静電結合スパー線路も、ガ
ルバニ結合スパー線路の代わりに伝送ゼロ点を生じさせるために使用可能である
ということが公知である。さらに、DE 24 42 618 C2から、スパー線路(分枝線
路)に結合された連続伝送線路が公知である。阻止共振器として、NR個の結合
スパー線路を有する、フィルタ入口からフィルタ出口まで連続した主線路から構
成されているこうしたフィルタ構造を使用することの1つの欠点は、高い逆減衰
が有限な幅の周波数範囲に限定された状態のままであり、したがってこれらの範
囲を越えてこのフィルタが再びスルーになることを可能にするということである
。第2の欠点は、減衰ゼロ点の数Nが、2つの阻止領域の間の使用通過帯域内に
おいて共振器の数よりも少なく、したがって、通過帯域と阻止領域との間におい
ては、設定された共振器の数NRに対してフィルタエッジの実現可能な最大峻度
に達することができないということである。
号を阻止するという機能のために、2つの別個の阻止領域を有する帯域消去フィ
ルタが帯域フィルタの代わりに使用されることも可能である。この場合には、使
用される通過帯域は帯域消去フィルタの2つの阻止領域の間に位置している。US
5,291,161 Aからこのタイプのフィルタが公知であり、このフィルタは連続した
主線路(continuous main line)とこの主線路にガルバニ的に結合されているス
パー(拍車状突起)線路(spur line)とから成り、各スパー線路が伝送ゼロ点
を発生させる。I.C.HungerおよびJ.R.Rhodesの“Electronically tunable micro
wave bandstop filters”(電子的にチューニング可能なマイクロウェーブ帯域
消去フィルタ), IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vo
l.MTT-30, No.9, 1982年9月、pp.1361〜1367から、静電結合スパー線路も、ガ
ルバニ結合スパー線路の代わりに伝送ゼロ点を生じさせるために使用可能である
ということが公知である。さらに、DE 24 42 618 C2から、スパー線路(分枝線
路)に結合された連続伝送線路が公知である。阻止共振器として、NR個の結合
スパー線路を有する、フィルタ入口からフィルタ出口まで連続した主線路から構
成されているこうしたフィルタ構造を使用することの1つの欠点は、高い逆減衰
が有限な幅の周波数範囲に限定された状態のままであり、したがってこれらの範
囲を越えてこのフィルタが再びスルーになることを可能にするということである
。第2の欠点は、減衰ゼロ点の数Nが、2つの阻止領域の間の使用通過帯域内に
おいて共振器の数よりも少なく、したがって、通過帯域と阻止領域との間におい
ては、設定された共振器の数NRに対してフィルタエッジの実現可能な最大峻度
に達することができないということである。
【0015】
したがって、本発明の目的は、オーバカップリングや、「抽出極(extracted-
pole)」共振器や、連続主線路を有する帯域消去フィルタ構造は使用されず、従
って上述のようなこれらの概念の欠点が回避されることが可能であるような、帯
域消去フィルタ内に所望な配置が可能なM=N−1個までの減衰ピークを有する
結合共振器から構成される帯域フィルタを実現するための方法を提示することで
ある。
pole)」共振器や、連続主線路を有する帯域消去フィルタ構造は使用されず、従
って上述のようなこれらの概念の欠点が回避されることが可能であるような、帯
域消去フィルタ内に所望な配置が可能なM=N−1個までの減衰ピークを有する
結合共振器から構成される帯域フィルタを実現するための方法を提示することで
ある。
【0016】
この目的は、特許の請求項に記載されている項目によって本発明にしたがって
実現される。本発明は、各阻止共振器が阻止領域内の所望の伝送ゼロ点の1つと
同様に通過帯域内の減衰ゼロ点の両方を残りのフィルタ構造と一緒になって実現
するように、阻止共振器が帯域フィルタ構造の中に一体化されている帯域フィル
タ構造を提案する。本発明の好適実施態様によるこうした帯域フィルタ構造は下
記の特徴によって特徴付けられる。 (a)この帯域フィルタは、N=2m+1(m=自然数)の極(Pole)とN−1
の伝送ゼロ点とを有する詳細に後述するインピーダンス対称フィルタ要素(imped
ance-symmetrical filter member)によって、または、N=2極とM=2の伝送
ゼロ点とを各々が有する詳細にはさらに後述するインピーダンス対称フィルタ要
素から成るカスケード(cascade)構成によって構成されている。 (b)N=3極とM=2の伝送ゼロ点とを有するインピーダンス対称フィルタ要
素は、主共振器と呼ばれる、2つの切れ目によって境界を接した線路セグメント
から成り、この線路セグメントの中央に1対の阻止共振器が結合されており、そ
こでの主共振器上の縦方向の界分布(field distribution)が、主共振器の共振
周波数(中心周波数)では阻止共振器に対する結合が消失するがしかし、この共
振周波数から外れている周波数では有限の値をとるようにさせる。主共振器の長
さは、帯域フィルタの中心周波数で線路波長の半分に等しいように選択される。
一方の阻止共振器に対して選択された阻止周波数は、中心周波数よりも小さく、
かつ、他方の阻止共振器の阻止周波数は中心周波数よりも大きいので、従って、
これら2つの阻止共振器の各々が、伝送ゼロ点、及び主共振器との相互作用によ
る追加のポートとを生じさせる。単一のインピーダンス対称フィルタ要素が帯域
フィルタとして使用される場合には、主共振器の一端はフィルタ入力に電気的に
、ガルバニ的に、または、磁気的に結合され、その他端はフィルタ出力に結合さ
れる。帯域フィルタが幾つかのインピーダンス対称フィルタ要素のカスケードか
ら構成されている場合には、入力または出力ポートに結合されない互いに隣接す
る主共振器の端部は、電気的に、ガルバニ的に、または、磁気的に互いに結合さ
れる。 (c)N=2m+1の極(mは1よりも大きい自然数)とM=N−1=2mの伝
送ゼロ点とを有する1つのインピーダンス対称フィルタ要素は、主共振器と呼ば
れる、2つの切れ目によって境界を接した線路セグメントから成り、それには中
心周波数波長の約半分の距離で互いに間隔をあけられているm対の阻止共振器が
、主共振器上の縦方向の界分布が主共振器の共振周波数(中心周波数)では阻止
共振器に対する結合が消失するがしかし、上述の周波数から外れている周波数で
は有限の値をとるようにさせるように、結合される。主共振器の長さは、中心周
波数における線路波長の半分のm倍にほぼ相当するように選択され、そして主共
振器の端からの外側の阻止共振器対の距離は線路波長の約1/4の長さになる。
m対の阻止共振器の各々の2つの阻止共振器の阻止周波数が、一方が中心周波数
よりも小さく、他方が中心周波数よりも大きいように選択され、従って、この2
つの阻止共振器の各々が伝送ゼロ点と、主共振器との相互作用によって追加のポ
ートとを生じさせる。単一のインピーダンス対称フィルタ要素が帯域フィルタと
して役立つ場合には、主共振器の一端はフィルタ入力に電気的に、ガルバニ的に
、または、磁気的に結合され、そして主共振器の他端はフィルタ出力に結合され
る。帯域フィルタが幾つかのインピーダンス対称フィルタ要素のカスケードから
構成される場合には、入力または出口ポートに結合されていない互いに隣接する
主共振器の端部は、電気的に、ガルバニ的に、または、磁気的に互いに結合され
る。 (d)インピーダンス対称フィルタ要素に加えて、N=2のポートとM=2の伝
送ゼロ点とを有するインピーダンス非対称フィルタ要素(impedance-unsymmetric
al filter member)の各々が、幾つかのフィルタ要素のカスケードから帯域フィ
ルタを構成するために使用されることが可能である。インピーダンス非対称フィ
ルタ要素は主共振器から成り、その長さは帯域フィルタの中心周波数での線路波
長の約1/4に相当し、その一端は、この線路端が高抵抗終端される(最大の電
界強度である)ように隣接フィルタ要素に結合されており、その他端は、その線
路端が低抵抗終端される(線路端で電流最大である)ようにバンドパスの隣接フ
ィルタ要素または入力もしくは出力ポートに結合され、そしてそこで1対の阻止
共振器が主共振器の低抵抗端に電気的またはガルバニ的に結合される。
実現される。本発明は、各阻止共振器が阻止領域内の所望の伝送ゼロ点の1つと
同様に通過帯域内の減衰ゼロ点の両方を残りのフィルタ構造と一緒になって実現
するように、阻止共振器が帯域フィルタ構造の中に一体化されている帯域フィル
タ構造を提案する。本発明の好適実施態様によるこうした帯域フィルタ構造は下
記の特徴によって特徴付けられる。 (a)この帯域フィルタは、N=2m+1(m=自然数)の極(Pole)とN−1
の伝送ゼロ点とを有する詳細に後述するインピーダンス対称フィルタ要素(imped
ance-symmetrical filter member)によって、または、N=2極とM=2の伝送
ゼロ点とを各々が有する詳細にはさらに後述するインピーダンス対称フィルタ要
素から成るカスケード(cascade)構成によって構成されている。 (b)N=3極とM=2の伝送ゼロ点とを有するインピーダンス対称フィルタ要
素は、主共振器と呼ばれる、2つの切れ目によって境界を接した線路セグメント
から成り、この線路セグメントの中央に1対の阻止共振器が結合されており、そ
こでの主共振器上の縦方向の界分布(field distribution)が、主共振器の共振
周波数(中心周波数)では阻止共振器に対する結合が消失するがしかし、この共
振周波数から外れている周波数では有限の値をとるようにさせる。主共振器の長
さは、帯域フィルタの中心周波数で線路波長の半分に等しいように選択される。
一方の阻止共振器に対して選択された阻止周波数は、中心周波数よりも小さく、
かつ、他方の阻止共振器の阻止周波数は中心周波数よりも大きいので、従って、
これら2つの阻止共振器の各々が、伝送ゼロ点、及び主共振器との相互作用によ
る追加のポートとを生じさせる。単一のインピーダンス対称フィルタ要素が帯域
フィルタとして使用される場合には、主共振器の一端はフィルタ入力に電気的に
、ガルバニ的に、または、磁気的に結合され、その他端はフィルタ出力に結合さ
れる。帯域フィルタが幾つかのインピーダンス対称フィルタ要素のカスケードか
ら構成されている場合には、入力または出力ポートに結合されない互いに隣接す
る主共振器の端部は、電気的に、ガルバニ的に、または、磁気的に互いに結合さ
れる。 (c)N=2m+1の極(mは1よりも大きい自然数)とM=N−1=2mの伝
送ゼロ点とを有する1つのインピーダンス対称フィルタ要素は、主共振器と呼ば
れる、2つの切れ目によって境界を接した線路セグメントから成り、それには中
心周波数波長の約半分の距離で互いに間隔をあけられているm対の阻止共振器が
、主共振器上の縦方向の界分布が主共振器の共振周波数(中心周波数)では阻止
共振器に対する結合が消失するがしかし、上述の周波数から外れている周波数で
は有限の値をとるようにさせるように、結合される。主共振器の長さは、中心周
波数における線路波長の半分のm倍にほぼ相当するように選択され、そして主共
振器の端からの外側の阻止共振器対の距離は線路波長の約1/4の長さになる。
m対の阻止共振器の各々の2つの阻止共振器の阻止周波数が、一方が中心周波数
よりも小さく、他方が中心周波数よりも大きいように選択され、従って、この2
つの阻止共振器の各々が伝送ゼロ点と、主共振器との相互作用によって追加のポ
ートとを生じさせる。単一のインピーダンス対称フィルタ要素が帯域フィルタと
して役立つ場合には、主共振器の一端はフィルタ入力に電気的に、ガルバニ的に
、または、磁気的に結合され、そして主共振器の他端はフィルタ出力に結合され
る。帯域フィルタが幾つかのインピーダンス対称フィルタ要素のカスケードから
構成される場合には、入力または出口ポートに結合されていない互いに隣接する
主共振器の端部は、電気的に、ガルバニ的に、または、磁気的に互いに結合され
る。 (d)インピーダンス対称フィルタ要素に加えて、N=2のポートとM=2の伝
送ゼロ点とを有するインピーダンス非対称フィルタ要素(impedance-unsymmetric
al filter member)の各々が、幾つかのフィルタ要素のカスケードから帯域フィ
ルタを構成するために使用されることが可能である。インピーダンス非対称フィ
ルタ要素は主共振器から成り、その長さは帯域フィルタの中心周波数での線路波
長の約1/4に相当し、その一端は、この線路端が高抵抗終端される(最大の電
界強度である)ように隣接フィルタ要素に結合されており、その他端は、その線
路端が低抵抗終端される(線路端で電流最大である)ようにバンドパスの隣接フ
ィルタ要素または入力もしくは出力ポートに結合され、そしてそこで1対の阻止
共振器が主共振器の低抵抗端に電気的またはガルバニ的に結合される。
【0017】
上で行ったインピーダンス対称フィルタ要素とインピーダンス非対称フィルタ
要素との間の区分は、インピーダンス対称フィルタ要素では、入力と出力のポー
トが同じ終端抵抗に接続されているときに損失がごくわずかであれば電力伝送係
数(power transmission factor)の最大値が1の値に達し、一方、伝送非対称フ
ィルタ要素の場合では、完全な電力伝送は、非常に非対称なポート抵抗の場合に
のみ実現可能であるにすぎないということであるように理解されるべきである。
要素との間の区分は、インピーダンス対称フィルタ要素では、入力と出力のポー
トが同じ終端抵抗に接続されているときに損失がごくわずかであれば電力伝送係
数(power transmission factor)の最大値が1の値に達し、一方、伝送非対称フ
ィルタ要素の場合では、完全な電力伝送は、非常に非対称なポート抵抗の場合に
のみ実現可能であるにすぎないということであるように理解されるべきである。
【0018】
以下に、本発明を、図1から図4に示す基本原理と、図5から図12に示す実
施形態とに基づいてさらに詳細に説明する。
施形態とに基づいてさらに詳細に説明する。
【0019】
図1eは、N=3の極とM=2の伝送ゼロ点とを有する本発明によるインピー
ダンス対称フィルタ要素の基本構造の略図を与えるのに対し、一方、図1aから
図1dは技術の現状を反映する構造の略図を与え、したがって、これらの図は、
図1eに示す通りの本発明による構造の基本原理の段階的な説明を提供する役割
を果たすにすぎない。
ダンス対称フィルタ要素の基本構造の略図を与えるのに対し、一方、図1aから
図1dは技術の現状を反映する構造の略図を与え、したがって、これらの図は、
図1eに示す通りの本発明による構造の基本原理の段階的な説明を提供する役割
を果たすにすぎない。
【0020】
図1aは均一な高周波線路1を象徴的に示し、この図では、この線路が、例え
ば同軸線路のような金属TEM線路、例えばマイクロストリップ・ラインもしく
はストリップ・ライン(strip line)もしくは共平面線路(coplanar line)のよ
うな平面線路、または、中空導体もしくは誘電体線路(dielectric line)として
設計されることが可能である。散逸を無視すれば、電力伝送係数2の周波数応答
、すなわち、無反射終端ポート(reflectior-free terminated port)2に存在す
る電力P2とポート1に到達する電力Pinに対するその間の比の周波数依存性は
、その線路の調べられた動作周波数範囲内では周波数に係わらず1に等しい。
ば同軸線路のような金属TEM線路、例えばマイクロストリップ・ラインもしく
はストリップ・ライン(strip line)もしくは共平面線路(coplanar line)のよ
うな平面線路、または、中空導体もしくは誘電体線路(dielectric line)として
設計されることが可能である。散逸を無視すれば、電力伝送係数2の周波数応答
、すなわち、無反射終端ポート(reflectior-free terminated port)2に存在す
る電力P2とポート1に到達する電力Pinに対するその間の比の周波数依存性は
、その線路の調べられた動作周波数範囲内では周波数に係わらず1に等しい。
【0021】
図1bは、図1aに対して変更された構造の略図を与え、この図では、2つの
切れ目3が線路列中に対称に導入されている。これらの切れ目は有限な長さaの
線路セグメントを規定し、この上に電磁的な固有振動が、長さaが線路波長の1
/2の整数倍に相当する周波数で生じ、こうした固有振動は、その線路に沿って
電界および磁界の強度のノード(node)と波腹(antinode)とを有する定在波に
よって特徴付けられ、電界強度または磁界強度のノードが共振周波数で対称平面
4内に存在する。こうして考案された構造は、先行技術で公知の1極バンドパス
(1-pole bandpass)を表し、これは、周波数f0で最大P2/Pin=1(減衰ゼ
ロ)を有する電力伝送係数5の周波数応答によって特徴付けられる。線路セグメ
ントの境界となる切れ目は、技術的に線路の中断の形をとることも、または、例
えば金属カバーとして設計されることも可能であり、また伝送曲線の周波数帯域
幅Δfが、線路と、共振器として働く線路セグメントの端との間の結合の強度に
よって変えることが可能であることも先行技術で公知である。
切れ目3が線路列中に対称に導入されている。これらの切れ目は有限な長さaの
線路セグメントを規定し、この上に電磁的な固有振動が、長さaが線路波長の1
/2の整数倍に相当する周波数で生じ、こうした固有振動は、その線路に沿って
電界および磁界の強度のノード(node)と波腹(antinode)とを有する定在波に
よって特徴付けられ、電界強度または磁界強度のノードが共振周波数で対称平面
4内に存在する。こうして考案された構造は、先行技術で公知の1極バンドパス
(1-pole bandpass)を表し、これは、周波数f0で最大P2/Pin=1(減衰ゼ
ロ)を有する電力伝送係数5の周波数応答によって特徴付けられる。線路セグメ
ントの境界となる切れ目は、技術的に線路の中断の形をとることも、または、例
えば金属カバーとして設計されることも可能であり、また伝送曲線の周波数帯域
幅Δfが、線路と、共振器として働く線路セグメントの端との間の結合の強度に
よって変えることが可能であることも先行技術で公知である。
【0022】
図1cは、図1aに対して変更された構造を示し、この図では、共振回路6(
「阻止共振器」)が線路に結合され、従って電力伝送係数7の周波数応答が周波
数fsで伝送ゼロ点を有する。この場合、この構造は、先行技術から公知である
1極帯域消去フィルタ(one-pole band-stop filter)(「ノッチフィルタ」)の
構造を表す。
「阻止共振器」)が線路に結合され、従って電力伝送係数7の周波数応答が周波
数fsで伝送ゼロ点を有する。この場合、この構造は、先行技術から公知である
1極帯域消去フィルタ(one-pole band-stop filter)(「ノッチフィルタ」)の
構造を表す。
【0023】
図1dは、図1cに対して変更された構造を示し、この図では、種々の共振周
波数を有する2つの阻止共振器8が1つの阻止共振器の代わりに結合されており
、fs1およびfs2で2つの伝送ゼロ点をもたらす。
波数を有する2つの阻止共振器8が1つの阻止共振器の代わりに結合されており
、fs1およびfs2で2つの伝送ゼロ点をもたらす。
【0024】
本明細書において、本発明に対する1つの重要な側面は、図1bの構造と図1
dの阻止共振器対との組合せから図1eによる構造を形成することを含む。有限
な長さの線路セグメントが、本明細書では主共振器と呼ぶ共振器を形成し、この
主共振器は中央に電界または磁界のノードを有する。本発明の重要な一側面は、
その結合が周波数f0で消滅する阻止共振器と主共振器との間の結合の選択を含
み、これは、例えば、電界のノードが存在すると仮定する場合には主共振器と阻
止共振器との間の電気的結合を選択することによって実現され、また磁界のノー
ドが存在がすると仮定する場合には磁気的結合を選択することによって実現され
る。この処置の結果として、一方では、主共振器の共振が周波数f0で阻止共振
器対によって妨害されることがなく、また他方では、阻止共振器対と主共振器と
の間の結合が、f0とは異なる周波数に対して2つの追加の固有振動を生じさせ
る。したがって、本発明によるこの構造では、2つの阻止共振器が、一方では、
図1dによる構造の場合のように2つの伝送ゼロ点を実現させ、他方では、線路
セグメントと共に合計3つの固有振動(3極)を生じさせるということにおいて
、二重の機能を果たす。したがって、共振周波数と結合の強度との適切な選択を
仮定すれば、図1eによる構造の周波数応答10は、f1とf2とf3での3つの
伝送最大(減衰ゼロ点)と同様に、fs1とfs2での2つの伝送ゼロ点とによって
特徴付けられる。3つの極と2つの伝送ゼロ点とを実現するためのこのフィルタ
要素では、伝送ゼロ点の周波数位置は阻止共振器の共振周波数によって決定され
、また中央の伝送最大の周波数位置は主共振器の長さによって決定される。2つ
の外側の伝送最大の位置は、主共振器と阻止共振器との間の結合の強度によって
変えられることが可能であり、これらの周波数は、結合の増加の場合は、中心周
波数の方にシフトする。
dの阻止共振器対との組合せから図1eによる構造を形成することを含む。有限
な長さの線路セグメントが、本明細書では主共振器と呼ぶ共振器を形成し、この
主共振器は中央に電界または磁界のノードを有する。本発明の重要な一側面は、
その結合が周波数f0で消滅する阻止共振器と主共振器との間の結合の選択を含
み、これは、例えば、電界のノードが存在すると仮定する場合には主共振器と阻
止共振器との間の電気的結合を選択することによって実現され、また磁界のノー
ドが存在がすると仮定する場合には磁気的結合を選択することによって実現され
る。この処置の結果として、一方では、主共振器の共振が周波数f0で阻止共振
器対によって妨害されることがなく、また他方では、阻止共振器対と主共振器と
の間の結合が、f0とは異なる周波数に対して2つの追加の固有振動を生じさせ
る。したがって、本発明によるこの構造では、2つの阻止共振器が、一方では、
図1dによる構造の場合のように2つの伝送ゼロ点を実現させ、他方では、線路
セグメントと共に合計3つの固有振動(3極)を生じさせるということにおいて
、二重の機能を果たす。したがって、共振周波数と結合の強度との適切な選択を
仮定すれば、図1eによる構造の周波数応答10は、f1とf2とf3での3つの
伝送最大(減衰ゼロ点)と同様に、fs1とfs2での2つの伝送ゼロ点とによって
特徴付けられる。3つの極と2つの伝送ゼロ点とを実現するためのこのフィルタ
要素では、伝送ゼロ点の周波数位置は阻止共振器の共振周波数によって決定され
、また中央の伝送最大の周波数位置は主共振器の長さによって決定される。2つ
の外側の伝送最大の位置は、主共振器と阻止共振器との間の結合の強度によって
変えられることが可能であり、これらの周波数は、結合の増加の場合は、中心周
波数の方にシフトする。
【0025】
本発明の別の本質的な側面は、M=2mの伝送ゼロ点とN=M+1=2m+1
の極とを有するフィルタ要素を実現するための、図2aから図2cに示されてい
るような、図1eによる一般化された原理である。図2aはまた図1eによるm
=1の場合を示す。線路セグメントが、中心周波数での波長(「中心周波数線路
波長(middle frequency line wavelength)」)の半分である場合には、阻止共
振器と主共振器の間の結合のタイプは、電界または磁界の最大量が線路セグメン
トの端に位置しているかどうかに依存する。電界の最大がその端に位置している
場合には、電界は周波数f0での対称平面内にノードを有し、したがって、2つ
の阻止共振器は上述の設計規則にしたがって電気的に結合されなければならず、
一方、上記の端での磁界最大は磁界のノードのために磁気結合が存在することを
要求する。磁界最大が上記の端にある場合に阻止共振器と主共振器の間の磁気結
合を使用することが依然として可能であるためには、線路セグメントの長さが、
中心周波数線路波長の半分である代わりに全波長に相当しなければならない。
の極とを有するフィルタ要素を実現するための、図2aから図2cに示されてい
るような、図1eによる一般化された原理である。図2aはまた図1eによるm
=1の場合を示す。線路セグメントが、中心周波数での波長(「中心周波数線路
波長(middle frequency line wavelength)」)の半分である場合には、阻止共
振器と主共振器の間の結合のタイプは、電界または磁界の最大量が線路セグメン
トの端に位置しているかどうかに依存する。電界の最大がその端に位置している
場合には、電界は周波数f0での対称平面内にノードを有し、したがって、2つ
の阻止共振器は上述の設計規則にしたがって電気的に結合されなければならず、
一方、上記の端での磁界最大は磁界のノードのために磁気結合が存在することを
要求する。磁界最大が上記の端にある場合に阻止共振器と主共振器の間の磁気結
合を使用することが依然として可能であるためには、線路セグメントの長さが、
中心周波数線路波長の半分である代わりに全波長に相当しなければならない。
【0026】
図2bは、m=2、すなわち、N=5の極とM=4の伝送ゼロ点との場合に対
する、本発明による一般化を示し、ここで線路波長のほぼ半分の距離だけ互いに
間隔を置いた2対の阻止共振器が使用される。
する、本発明による一般化を示し、ここで線路波長のほぼ半分の距離だけ互いに
間隔を置いた2対の阻止共振器が使用される。
【0027】
図2cは、N=7の極とM=N−1=6の伝送ゼロ点とを有するフィルタ要素
への本発明による拡張を示す。
への本発明による拡張を示す。
【0028】
図2aから図2cに示されている原理によるフィルタ要素の極数Nの増加は、
主共振器のより高い不要な固有振動の周波数位置(frequency position)によっ
て制限され、極数を増加させるための主共振器の延長が、該当する周波数範囲内
の主共振器の固有共振をますます収束させる。この制限にも係わらずより多くの
極数を有するフィルタを実現することが可能であるようにするために、本発明の
別の実施形態が、2つの代案のアプローチ、すなわち、図2aから図2cによる
インピーダンス対称フィルタ要素をカスケードにすることと、フィルタ要素当た
り2つの極と2つの伝送ゼロ点とを有するインピーダンス非対称フィルタ要素を
導入することとを提案する。
主共振器のより高い不要な固有振動の周波数位置(frequency position)によっ
て制限され、極数を増加させるための主共振器の延長が、該当する周波数範囲内
の主共振器の固有共振をますます収束させる。この制限にも係わらずより多くの
極数を有するフィルタを実現することが可能であるようにするために、本発明の
別の実施形態が、2つの代案のアプローチ、すなわち、図2aから図2cによる
インピーダンス対称フィルタ要素をカスケードにすることと、フィルタ要素当た
り2つの極と2つの伝送ゼロ点とを有するインピーダンス非対称フィルタ要素を
導入することとを提案する。
【0029】
図3は、極数N=NgxQとM=N−Qの伝送ゼロ点とを有するフィルタが、
Ng個の極とMg=N−1の伝送ゼロ点とを各々が有するQ個のフィルタ要素のカ
スケードからどのように形成されるかを示す。例として、Ng=3を有する3つ
のフィルタ要素から構成されている6つの伝送ゼロ点を有する9極(9ループ)
フィルタと、Ng=5を有する3つのフィルタ要素から構成される8つの伝送ゼ
ロ点を有する10極フィルタの場合が示されている。
Ng個の極とMg=N−1の伝送ゼロ点とを各々が有するQ個のフィルタ要素のカ
スケードからどのように形成されるかを示す。例として、Ng=3を有する3つ
のフィルタ要素から構成されている6つの伝送ゼロ点を有する9極(9ループ)
フィルタと、Ng=5を有する3つのフィルタ要素から構成される8つの伝送ゼ
ロ点を有する10極フィルタの場合が示されている。
【0030】
インピーダンス非対称フィルタ要素は、図1eによる阻止共振器対を有するイ
ンピーダンス対称フィルタ要素を変更することによって、本発明にしたがって実
現され、この場合に、2つの切れ目の一方が、阻止共振器対が結合されている箇
所の付近に配置される。このことが、中心周波数線路波長の約1/4の長さだけ
阻止共振器の結合箇所から離して間隔をあけられている切れ目2(「高抵抗端」
)と、阻止共振器対の結合箇所の付近に配置されている第2の切れ目(「低抵抗
端」3)とを有する、図4aに示されたT字形構造をもたらす。
ンピーダンス対称フィルタ要素を変更することによって、本発明にしたがって実
現され、この場合に、2つの切れ目の一方が、阻止共振器対が結合されている箇
所の付近に配置される。このことが、中心周波数線路波長の約1/4の長さだけ
阻止共振器の結合箇所から離して間隔をあけられている切れ目2(「高抵抗端」
)と、阻止共振器対の結合箇所の付近に配置されている第2の切れ目(「低抵抗
端」3)とを有する、図4aに示されたT字形構造をもたらす。
【0031】
インピーダンスの非対称性を補償するために、少なくとも1つのインピーダン
ス対称要素が、インピーダンス非対称フィルタ要素から構成されているカスケー
ドの中に追加される。図4bに示すように、インピーダンス対称要素5は、ここ
ではカスケードの一方の端に配置されるか、あるいは中央に挿入される(図4c
参照)ことが可能である。
ス対称要素が、インピーダンス非対称フィルタ要素から構成されているカスケー
ドの中に追加される。図4bに示すように、インピーダンス対称要素5は、ここ
ではカスケードの一方の端に配置されるか、あるいは中央に挿入される(図4c
参照)ことが可能である。
【0032】
図1e、図2aから図2c、図3、および図4に概略的に示されている本発明
によるフィルタ構造に関しては、非常に多くの可能性のある技術的構成が生じ、
これらの構成は特に次の点で互いに区別される。すなわち、 a)主共振器を構成するために使用される線路のタイプ、 b)阻止共振器の設計、 c)阻止共振器と主共振器との間の結合のタイプ、および、 d)カスケード内の主共振器間と主共振器とポートの間の切れ目(結合)の構
成。
によるフィルタ構造に関しては、非常に多くの可能性のある技術的構成が生じ、
これらの構成は特に次の点で互いに区別される。すなわち、 a)主共振器を構成するために使用される線路のタイプ、 b)阻止共振器の設計、 c)阻止共振器と主共振器との間の結合のタイプ、および、 d)カスケード内の主共振器間と主共振器とポートの間の切れ目(結合)の構
成。
【0033】
図5は、6つの伝送ゼロ点を有する7極フィルタが、同軸線路技術に基づいた
図2cに示される原理にしたがって単一のフィルタ要素の形でどのように実現さ
れることが可能であるかの一例を示す。主共振器1は方形内側および内側線路(s
quare inner and inner line)を有し、また中心周波数波長の1.5倍に等しい
長さを有する。線路セグメントに境界を接する切れ目は静電結合器(capacitive
coupler)の形をとる。阻止共振器2は、線路波長の約1/4の長さを有して端
部で短絡された同軸線路セグメントとして実現され、かつ主共振器に静電的に結
合される。
図2cに示される原理にしたがって単一のフィルタ要素の形でどのように実現さ
れることが可能であるかの一例を示す。主共振器1は方形内側および内側線路(s
quare inner and inner line)を有し、また中心周波数波長の1.5倍に等しい
長さを有する。線路セグメントに境界を接する切れ目は静電結合器(capacitive
coupler)の形をとる。阻止共振器2は、線路波長の約1/4の長さを有して端
部で短絡された同軸線路セグメントとして実現され、かつ主共振器に静電的に結
合される。
【0034】
図6は、図5による構造の変型を示し、ここでは、阻止共振器2は主共振器の
内側線路にガルバニ的に結合されているが、その端部では容量性負荷状態に置か
れている。
内側線路にガルバニ的に結合されているが、その端部では容量性負荷状態に置か
れている。
【0035】
図7は、2つのインピーダンス非対称フィルタ要素と1つのインピーダンス対
称要素とから構成されている構造を示し、ここでは9つの極と8つの伝送ゼロ点
とが得られる。
称要素とから構成されている構造を示し、ここでは9つの極と8つの伝送ゼロ点
とが得られる。
【0036】
図8は、5つの極と4つの伝送ゼロ点とを有するインピーダンス対称フィルタ
要素から構成されるフィルタを示し、これはH10波タイプ(H10 wave type)
用の方形の中空線路に基づいて実現されている。主共振器1は両端で短絡された
方形の中空線路から成り、これは中心周波数で中空線路波長に相当する長さを有
する。4つの阻止共振器2が、短絡された1/4中空導体セグメントの形で実現
されている。ポートに対する結合は、例えば同軸接続点(coaxial junction)3
を介して生じることが可能である。
要素から構成されるフィルタを示し、これはH10波タイプ(H10 wave type)
用の方形の中空線路に基づいて実現されている。主共振器1は両端で短絡された
方形の中空線路から成り、これは中心周波数で中空線路波長に相当する長さを有
する。4つの阻止共振器2が、短絡された1/4中空導体セグメントの形で実現
されている。ポートに対する結合は、例えば同軸接続点(coaxial junction)3
を介して生じることが可能である。
【0037】
図9は、2つのインピーダンス対称フィルタ要素から構成されるフィルタの場
合の誘電体共振器による実現の一例を示し、ここでは、各フィルタ要素は3つの
極と2つの伝送ゼロ点とを生じさせ、したがって帯域フィルタは合計で6つの極
と4つの伝送ゼロ点とを有する。適切な誘電体材料、すなわち、可能な限り高い
誘電率(dielectric constant)と、低い損失角(loss angle)と低い温度係数と
を有する材料(例えば、チタン酸ジルコン酸バリウム)から作られる主共振器1
と阻止共振器2とが、例えば石英材料から作られるスペーサ3によって、過剰に
高い抵抗損を回避するのに十分な金属ケーシング5の床からの距離を置いて配置
される。主共振器は、f0で図9bに示されている界分布を伴う固有共振を有す
るように寸法決めされており、また阻止共振器は、4つの阻止周波数f1からf4 で共振するように寸法決めされており、ここでこれらは図9cによる界分布を有
する。この主共振器の空間的な界分布(spatial field distribution)のために
、それはf0で阻止共振器の共振界(resonance field)に結合されない。しかし
、主共振器と阻止共振器との間の結合がf0以外の周波数に対して得られ、その
結果として追加の4つの固有共振が生じる。ポートに対する結合は、例えば、導
体ループ4を使用して生じることが可能である。
合の誘電体共振器による実現の一例を示し、ここでは、各フィルタ要素は3つの
極と2つの伝送ゼロ点とを生じさせ、したがって帯域フィルタは合計で6つの極
と4つの伝送ゼロ点とを有する。適切な誘電体材料、すなわち、可能な限り高い
誘電率(dielectric constant)と、低い損失角(loss angle)と低い温度係数と
を有する材料(例えば、チタン酸ジルコン酸バリウム)から作られる主共振器1
と阻止共振器2とが、例えば石英材料から作られるスペーサ3によって、過剰に
高い抵抗損を回避するのに十分な金属ケーシング5の床からの距離を置いて配置
される。主共振器は、f0で図9bに示されている界分布を伴う固有共振を有す
るように寸法決めされており、また阻止共振器は、4つの阻止周波数f1からf4 で共振するように寸法決めされており、ここでこれらは図9cによる界分布を有
する。この主共振器の空間的な界分布(spatial field distribution)のために
、それはf0で阻止共振器の共振界(resonance field)に結合されない。しかし
、主共振器と阻止共振器との間の結合がf0以外の周波数に対して得られ、その
結果として追加の4つの固有共振が生じる。ポートに対する結合は、例えば、導
体ループ4を使用して生じることが可能である。
【0038】
図10は、誘電体材料から作られるフィルタ要素のための別の実現可能な設計
の一例である。主共振器5は、長さaを有する誘電体長方形から成り、この長さ
はその誘電体長方形(dielectric square)上の表面波の波長にほぼ相当する。こ
れは図10bに相当する主共振器上の界分布を生じさせる。4つの阻止共振器1
〜4も誘電体長方形から成り、この個々の長さb1〜b4は4つの伝送ゼロ点の
周波数位置に影響を与える。誘電体主共振器と4つの誘電体阻止共振器とから構
成されている構造全体が5つの固有振動を実現する。極の周波数位置は、主共振
器と阻止共振器との間の結合の強度によって変更されることが可能である。空気
または比較的低い誘電率を有する誘電体材料で充填されている、幅h1からh4を
有する共振器間の「間隙」が、この結合の強度を変えるために使用される。
の一例である。主共振器5は、長さaを有する誘電体長方形から成り、この長さ
はその誘電体長方形(dielectric square)上の表面波の波長にほぼ相当する。こ
れは図10bに相当する主共振器上の界分布を生じさせる。4つの阻止共振器1
〜4も誘電体長方形から成り、この個々の長さb1〜b4は4つの伝送ゼロ点の
周波数位置に影響を与える。誘電体主共振器と4つの誘電体阻止共振器とから構
成されている構造全体が5つの固有振動を実現する。極の周波数位置は、主共振
器と阻止共振器との間の結合の強度によって変更されることが可能である。空気
または比較的低い誘電率を有する誘電体材料で充填されている、幅h1からh4を
有する共振器間の「間隙」が、この結合の強度を変えるために使用される。
【0039】
本発明による原理は、例えばマイクロストリップ・ライン構造のような平面共
振器構造にも適用されることが可能であり、この場合に、高温超伝導体から作ら
れているマイクロストリップ・ライン構造も、非常に高レベルの小型化にも係わ
らず高い無負荷Qを有するので関心のある構造である。
振器構造にも適用されることが可能であり、この場合に、高温超伝導体から作ら
れているマイクロストリップ・ライン構造も、非常に高レベルの小型化にも係わ
らず高い無負荷Qを有するので関心のある構造である。
【0040】
図11は、マイクロストリップ・ライン技術における本発明によるインピーダ
ンス非対称フィルタ要素の実現を説明する。図11aは、最初に、マイクロスト
リップ・ライン共振器の先行技術における公知の原理を思い出すものである。こ
の構造では、適切な誘電体基板1が、一方の側に連続導体層2を有し、他方の側
に構造化導体層(structured conductor layer)を有する。図11aはマイクロ
ストリップ・ライン共振器3の公知の構造を示し、この端部は給電リード4、5
に静電的に結合されている。電力伝送係数6の周波数応答は周波数f0で最大を
有し、この最大の幅は線路端(切れ目)での結合の強度によって変えられること
が可能である。図11bは、マイクロストリップ・ライン技術においてインピー
ダンス非対称フィルタ要素がどのように実現可能であるかを示す。この目的のた
めにT字形導体構造が使用され、そこでは個々のアームの長さは中心周波数での
線路波長のほぼ1/4に相当し、この場合にサイドアーム3の長さまたは幅にお
ける明確な非対称性がその機能にとって必要である。このサイドアームは阻止共
振器の単純な実現を表し、この場合に阻止周波数はこのアームの長さによって影
響される。第3のアームと共に、このサイドアームは、2つの異なる周波数で共
振する構造を形成し、従ってT字形構造は二重モード共振器(dual-mode resonat
or)の特殊な形態を示す。出力ポートは、図11bに示されている仕方でT字形
構造に静電的に結合されることが可能である。このように形成された二重ポート
(dual port)の周波数応答6は、2つの伝送最大と2つの伝送ゼロ点とによって
特徴付けられ、ここで伝送最大の絶対値は非対称性のために1よりもはるかに下
にあることが可能である。この理由から、単一の非対称フィルタ要素は、インピ
ーダンス対称フィルタ要素とは反対に、使用可能な帯域フィルタには該当しない
。上述の実現例のすべてと同様に、このマイクロストリップ・ライン構造も、例
えば変化する幅を有する不均質な線路セグメントを使用することによって、様々
なやり方で変形されることが可能である。
ンス非対称フィルタ要素の実現を説明する。図11aは、最初に、マイクロスト
リップ・ライン共振器の先行技術における公知の原理を思い出すものである。こ
の構造では、適切な誘電体基板1が、一方の側に連続導体層2を有し、他方の側
に構造化導体層(structured conductor layer)を有する。図11aはマイクロ
ストリップ・ライン共振器3の公知の構造を示し、この端部は給電リード4、5
に静電的に結合されている。電力伝送係数6の周波数応答は周波数f0で最大を
有し、この最大の幅は線路端(切れ目)での結合の強度によって変えられること
が可能である。図11bは、マイクロストリップ・ライン技術においてインピー
ダンス非対称フィルタ要素がどのように実現可能であるかを示す。この目的のた
めにT字形導体構造が使用され、そこでは個々のアームの長さは中心周波数での
線路波長のほぼ1/4に相当し、この場合にサイドアーム3の長さまたは幅にお
ける明確な非対称性がその機能にとって必要である。このサイドアームは阻止共
振器の単純な実現を表し、この場合に阻止周波数はこのアームの長さによって影
響される。第3のアームと共に、このサイドアームは、2つの異なる周波数で共
振する構造を形成し、従ってT字形構造は二重モード共振器(dual-mode resonat
or)の特殊な形態を示す。出力ポートは、図11bに示されている仕方でT字形
構造に静電的に結合されることが可能である。このように形成された二重ポート
(dual port)の周波数応答6は、2つの伝送最大と2つの伝送ゼロ点とによって
特徴付けられ、ここで伝送最大の絶対値は非対称性のために1よりもはるかに下
にあることが可能である。この理由から、単一の非対称フィルタ要素は、インピ
ーダンス対称フィルタ要素とは反対に、使用可能な帯域フィルタには該当しない
。上述の実現例のすべてと同様に、このマイクロストリップ・ライン構造も、例
えば変化する幅を有する不均質な線路セグメントを使用することによって、様々
なやり方で変形されることが可能である。
【0041】
図12は、8つの伝送ゼロ点を有する9極フィルタがどのように4つのインピ
ーダンス非対称フィルタ要素1と従来通りの半波共振器(half-wave resonator)
2とから形成されることが可能であるかの一例を示す。追加の極を備えているこ
とに加えて、カスケード内の共振器2は、ポート2でのインピーダンス(例えば
、50Ω)を、T字形共振器の接続点に対する結合箇所でのより低いインピーダ
ンスレベルに変換する。この場合には、個々のフィルタ要素に対するパラメータ
は、例えば周波数応答に関してカウア(Cauer)特性を実現するように寸法決めさ
れることが可能である。
ーダンス非対称フィルタ要素1と従来通りの半波共振器(half-wave resonator)
2とから形成されることが可能であるかの一例を示す。追加の極を備えているこ
とに加えて、カスケード内の共振器2は、ポート2でのインピーダンス(例えば
、50Ω)を、T字形共振器の接続点に対する結合箇所でのより低いインピーダ
ンスレベルに変換する。この場合には、個々のフィルタ要素に対するパラメータ
は、例えば周波数応答に関してカウア(Cauer)特性を実現するように寸法決めさ
れることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成14年5月14日(2002.5.14)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項1
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0013
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0013】
従来の技術では、英語文献で「抽出極構造(extracted-pole-structure)」と
呼ばれる構成が、互いに隣接していない共振器の間のオーバカップリングを有す
る共振器構成を使用する代わりに、伝送ゼロ点を実現するために使用され、この
場合には、追加の共振器が、阻止領域内で伝送ゼロ点を実現するように、有限の
周波数において伝送ゼロ点なし(M=0)に、帯域フィルタの入力および/また
は出力ポートに対する給電リード(supply lead)に結合される。こうした構成の
1つがDE 42 32 054 A1から公知であり、この特許文献では、少なくとも1つの
同軸共振器から成る帯域消去フイルタ(band-stop filter)が、有限の周波数で
伝送ゼロ点がない(M=0)マイクロ波セラミックフィルタに直列に接続されて
いる(M=0の帯域フィルタと帯域消去フィルタとによって構成されたカスケー
ド)。この帯域消去フィルタは、通過帯域の外側に位置している干渉周波数を除
去するために使用される。US 3,747,030 Aでは、約1/4波長の長さの線路共振
器(line resonator)が、M=0の集中素子から成るフィルタの入力または出力
に並列に接続されている。この結果として、帯域消去フィルタはフィルタの2ポ
ート・ネットワークに直列に接続されている。H.Fechnerの“Cauer Parameter B andpasses in Microstrip Conductor Technology”(マイクロストリップ導体技 術におけるCauerパラメータ・バンドパス)、Frequenz; vol.34 (1980.03), pp. 78-89から、阻止共振器はまた伝送ゼロを達成するために帯域フィルタ構造の内
部に移され得ることが分かる。この刊行物の図6はマイクロストリップ・ライン 技術における5極のバンドパスのレイアウトを示している。4つの伝送ゼロはλ /4のスパー線路(spur line)の形態での4つの追加の共振器によって実現さ
れている。この刊行物の図8は3つの並列結合されたマイクロストリップ・ライ ン共振器から成る3極フィルタを示している。2つの伝送ゼロはスパー線路の形 態の2つの阻止共振器を有する中間共振器(middle resonator)を備えることに よって実現されている。 帯域フィルタ内に追加の阻止共振器を導入することによって伝送ゼロを実現す るこれらの公知の概念は、通過帯域内にN個の減衰ゼロを有するフィルタのため にN個より多い共振器を使用しなければならないという上述の「オーバカップリ ング」の概念に関連する不都合を有する。
呼ばれる構成が、互いに隣接していない共振器の間のオーバカップリングを有す
る共振器構成を使用する代わりに、伝送ゼロ点を実現するために使用され、この
場合には、追加の共振器が、阻止領域内で伝送ゼロ点を実現するように、有限の
周波数において伝送ゼロ点なし(M=0)に、帯域フィルタの入力および/また
は出力ポートに対する給電リード(supply lead)に結合される。こうした構成の
1つがDE 42 32 054 A1から公知であり、この特許文献では、少なくとも1つの
同軸共振器から成る帯域消去フイルタ(band-stop filter)が、有限の周波数で
伝送ゼロ点がない(M=0)マイクロ波セラミックフィルタに直列に接続されて
いる(M=0の帯域フィルタと帯域消去フィルタとによって構成されたカスケー
ド)。この帯域消去フィルタは、通過帯域の外側に位置している干渉周波数を除
去するために使用される。US 3,747,030 Aでは、約1/4波長の長さの線路共振
器(line resonator)が、M=0の集中素子から成るフィルタの入力または出力
に並列に接続されている。この結果として、帯域消去フィルタはフィルタの2ポ
ート・ネットワークに直列に接続されている。H.Fechnerの“Cauer Parameter B andpasses in Microstrip Conductor Technology”(マイクロストリップ導体技 術におけるCauerパラメータ・バンドパス)、Frequenz; vol.34 (1980.03), pp. 78-89から、阻止共振器はまた伝送ゼロを達成するために帯域フィルタ構造の内
部に移され得ることが分かる。この刊行物の図6はマイクロストリップ・ライン 技術における5極のバンドパスのレイアウトを示している。4つの伝送ゼロはλ /4のスパー線路(spur line)の形態での4つの追加の共振器によって実現さ
れている。この刊行物の図8は3つの並列結合されたマイクロストリップ・ライ ン共振器から成る3極フィルタを示している。2つの伝送ゼロはスパー線路の形 態の2つの阻止共振器を有する中間共振器(middle resonator)を備えることに よって実現されている。 帯域フィルタ内に追加の阻止共振器を導入することによって伝送ゼロを実現す るこれらの公知の概念は、通過帯域内にN個の減衰ゼロを有するフィルタのため にN個より多い共振器を使用しなければならないという上述の「オーバカップリ ング」の概念に関連する不都合を有する。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0016】
この目的は、特許の請求項に記載されている項目によって本発明にしたがって
実現される。本発明は、各阻止共振器が阻止領域内の所望の伝送ゼロ点の1つと
同様に通過帯域内の追加の減衰ゼロ点の両方を残りのフィルタ構造と一緒になっ
て実現するように、阻止共振器が帯域フィルタ構造の中に一体化されている帯域
フィルタ構造を提案する。公知の構造(FechnerのFrequenz 1980参照)に対し、 この阻止共振器の2重機能はN極とM=N−1伝送ゼロ点を有するフィルタの実 現のためにN個の共振器しか必要としないのに対し、一方マイクロストリップ・ ラインフィルタ(microstrip line filter)のためのFechnerによって提案され
た構造においてはスパー線路の形態のM+M=2N−1個の共振器が要求される 。 本発明によるこうした帯域フィルタ構造は下記の特徴によって特徴付けられる
。 (a)この帯域フィルタは、N=2m+1(m=自然数)の極(Pole)とN−1
の伝送ゼロ点とを有する詳細に後述するインピーダンス対称フィルタ要素(imped
ance-symmetrical filter member)によって、または、N=2極とM=2の伝送
ゼロ点とを各々が有する詳細にはさらに後述するインピーダンス対称フィルタ要
素から成るカスケード(cascade)構成によって構成されている。 (b)N=3極とM=2の伝送ゼロ点とを有するインピーダンス対称フィルタ要
素は、主共振器と呼ばれる、2つの切れ目によって境界を接した線路セグメント
から成り、この線路セグメントの中央に1対の阻止共振器が結合されており、そ
こでの主共振器上の縦方向の界分布(field distribution)が、主共振器の共振
周波数(中心周波数)では阻止共振器に対する結合が消失するがしかし、この共
振周波数から外れている周波数では有限の値をとるようにさせる。主共振器の長
さは、帯域フィルタの中心周波数で線路波長の半分に等しいように選択される。
一方の阻止共振器に対して選択された阻止周波数は、中心周波数よりも小さく、
かつ、他方の阻止共振器の阻止周波数は中心周波数よりも大きいので、従って、
これら2つの阻止共振器の各々が、伝送ゼロ点、及び主共振器との相互作用によ
る追加のポートとを生じさせる。単一のインピーダンス対称フィルタ要素が帯域
フィルタとして使用される場合には、主共振器の一端はフィルタ入力に電気的に
、ガルバニ的に、または、磁気的に結合され、その他端はフィルタ出力に結合さ
れる。帯域フィルタが幾つかのインピーダンス対称フィルタ要素のカスケードか
ら構成されている場合には、入力または出力ポートに結合されない互いに隣接す
る主共振器の端部は、電気的に、ガルバニ的に、または、磁気的に互いに結合さ
れる。 (c)N=2m+1の極(mは1よりも大きい自然数)とM=N−1=2mの伝
送ゼロ点とを有する1つのインピーダンス対称フィルタ要素は、主共振器と呼ば
れる、2つの切れ目によって境界を接した線路セグメントから成り、それには中
心周波数波長の約半分の距離で互いに間隔をあけられているm対の阻止共振器が
、主共振器上の縦方向の界分布が主共振器の共振周波数(中心周波数)では阻止
共振器に対する結合が消失するがしかし、上述の周波数から外れている周波数で
は有限の値をとるようにさせるように、結合される。主共振器の長さは、中心周
波数における線路波長の半分のm倍にほぼ相当するように選択され、そして主共
振器の端からの外側の阻止共振器対の距離は線路波長の約1/4の長さになる。
m対の阻止共振器の各々の2つの阻止共振器の阻止周波数が、一方が中心周波数
よりも小さく、他方が中心周波数よりも大きいように選択され、従って、この2
つの阻止共振器の各々が伝送ゼロ点と、主共振器との相互作用によって追加のポ
ートとを生じさせる。単一のインピーダンス対称フィルタ要素が帯域フィルタと
して役立つ場合には、主共振器の一端はフィルタ入力に電気的に、ガルバニ的に
、または、磁気的に結合され、そして主共振器の他端はフィルタ出力に結合され
る。帯域フィルタが幾つかのインピーダンス対称フィルタ要素のカスケードから
構成される場合には、入力または出口ポートに結合されていない互いに隣接する
主共振器の端部は、電気的に、ガルバニ的に、または、磁気的に互いに結合され
る。 (d)インピーダンス対称フィルタ要素に加えて、N=2のポートとM=2の伝
送ゼロ点とを有するインピーダンス非対称フィルタ要素(impedance-unsymmetric
al filter member)の各々が、幾つかのフィルタ要素のカスケードから帯域フィ
ルタを構成するために使用されることが可能である。インピーダンス非対称フィ
ルタ要素は主共振器から成り、その長さは帯域フィルタの中心周波数での線路波
長の約1/4に相当し、その一端は、この線路端が高抵抗終端される(最大の電
界強度である)ように隣接フィルタ要素に結合されており、その他端は、その線
路端が低抵抗終端される(線路端で電流最大である)ようにバンドパスの隣接フ
ィルタ要素または入力もしくは出力ポートに結合され、そしてそこで1対の阻止
共振器が主共振器の低抵抗端に電気的またはガルバニ的に結合される。
実現される。本発明は、各阻止共振器が阻止領域内の所望の伝送ゼロ点の1つと
同様に通過帯域内の追加の減衰ゼロ点の両方を残りのフィルタ構造と一緒になっ
て実現するように、阻止共振器が帯域フィルタ構造の中に一体化されている帯域
フィルタ構造を提案する。公知の構造(FechnerのFrequenz 1980参照)に対し、 この阻止共振器の2重機能はN極とM=N−1伝送ゼロ点を有するフィルタの実 現のためにN個の共振器しか必要としないのに対し、一方マイクロストリップ・ ラインフィルタ(microstrip line filter)のためのFechnerによって提案され
た構造においてはスパー線路の形態のM+M=2N−1個の共振器が要求される 。 本発明によるこうした帯域フィルタ構造は下記の特徴によって特徴付けられる
。 (a)この帯域フィルタは、N=2m+1(m=自然数)の極(Pole)とN−1
の伝送ゼロ点とを有する詳細に後述するインピーダンス対称フィルタ要素(imped
ance-symmetrical filter member)によって、または、N=2極とM=2の伝送
ゼロ点とを各々が有する詳細にはさらに後述するインピーダンス対称フィルタ要
素から成るカスケード(cascade)構成によって構成されている。 (b)N=3極とM=2の伝送ゼロ点とを有するインピーダンス対称フィルタ要
素は、主共振器と呼ばれる、2つの切れ目によって境界を接した線路セグメント
から成り、この線路セグメントの中央に1対の阻止共振器が結合されており、そ
こでの主共振器上の縦方向の界分布(field distribution)が、主共振器の共振
周波数(中心周波数)では阻止共振器に対する結合が消失するがしかし、この共
振周波数から外れている周波数では有限の値をとるようにさせる。主共振器の長
さは、帯域フィルタの中心周波数で線路波長の半分に等しいように選択される。
一方の阻止共振器に対して選択された阻止周波数は、中心周波数よりも小さく、
かつ、他方の阻止共振器の阻止周波数は中心周波数よりも大きいので、従って、
これら2つの阻止共振器の各々が、伝送ゼロ点、及び主共振器との相互作用によ
る追加のポートとを生じさせる。単一のインピーダンス対称フィルタ要素が帯域
フィルタとして使用される場合には、主共振器の一端はフィルタ入力に電気的に
、ガルバニ的に、または、磁気的に結合され、その他端はフィルタ出力に結合さ
れる。帯域フィルタが幾つかのインピーダンス対称フィルタ要素のカスケードか
ら構成されている場合には、入力または出力ポートに結合されない互いに隣接す
る主共振器の端部は、電気的に、ガルバニ的に、または、磁気的に互いに結合さ
れる。 (c)N=2m+1の極(mは1よりも大きい自然数)とM=N−1=2mの伝
送ゼロ点とを有する1つのインピーダンス対称フィルタ要素は、主共振器と呼ば
れる、2つの切れ目によって境界を接した線路セグメントから成り、それには中
心周波数波長の約半分の距離で互いに間隔をあけられているm対の阻止共振器が
、主共振器上の縦方向の界分布が主共振器の共振周波数(中心周波数)では阻止
共振器に対する結合が消失するがしかし、上述の周波数から外れている周波数で
は有限の値をとるようにさせるように、結合される。主共振器の長さは、中心周
波数における線路波長の半分のm倍にほぼ相当するように選択され、そして主共
振器の端からの外側の阻止共振器対の距離は線路波長の約1/4の長さになる。
m対の阻止共振器の各々の2つの阻止共振器の阻止周波数が、一方が中心周波数
よりも小さく、他方が中心周波数よりも大きいように選択され、従って、この2
つの阻止共振器の各々が伝送ゼロ点と、主共振器との相互作用によって追加のポ
ートとを生じさせる。単一のインピーダンス対称フィルタ要素が帯域フィルタと
して役立つ場合には、主共振器の一端はフィルタ入力に電気的に、ガルバニ的に
、または、磁気的に結合され、そして主共振器の他端はフィルタ出力に結合され
る。帯域フィルタが幾つかのインピーダンス対称フィルタ要素のカスケードから
構成される場合には、入力または出口ポートに結合されていない互いに隣接する
主共振器の端部は、電気的に、ガルバニ的に、または、磁気的に互いに結合され
る。 (d)インピーダンス対称フィルタ要素に加えて、N=2のポートとM=2の伝
送ゼロ点とを有するインピーダンス非対称フィルタ要素(impedance-unsymmetric
al filter member)の各々が、幾つかのフィルタ要素のカスケードから帯域フィ
ルタを構成するために使用されることが可能である。インピーダンス非対称フィ
ルタ要素は主共振器から成り、その長さは帯域フィルタの中心周波数での線路波
長の約1/4に相当し、その一端は、この線路端が高抵抗終端される(最大の電
界強度である)ように隣接フィルタ要素に結合されており、その他端は、その線
路端が低抵抗終端される(線路端で電流最大である)ようにバンドパスの隣接フ
ィルタ要素または入力もしくは出力ポートに結合され、そしてそこで1対の阻止
共振器が主共振器の低抵抗端に電気的またはガルバニ的に結合される。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0020】
図1aは均一な高周波線路1を象徴的に示し、この図では、この線路が、例え
ば同軸線路のような金属TEM線路、例えばマイクロストリップ・ラインもしく
はストリップ・ライン(strip line)もしくは共平面線路(coplanar line)のよ
うな平面線路、または、中空導体もしくは誘電体線路(dielectric line)として
設計されることが可能である。散逸を無視すれば、電力伝送係数2の周波数応答
、すなわち、無反射終端ポート(reflection-free terminated port)2に存在す
る電力P2とポート1に到達する電力Pinに対するその間の比の周波数依存性は
、その線路の調べられた動作周波数範囲内では周波数に係わらず1に等しい。
ば同軸線路のような金属TEM線路、例えばマイクロストリップ・ラインもしく
はストリップ・ライン(strip line)もしくは共平面線路(coplanar line)のよ
うな平面線路、または、中空導体もしくは誘電体線路(dielectric line)として
設計されることが可能である。散逸を無視すれば、電力伝送係数2の周波数応答
、すなわち、無反射終端ポート(reflection-free terminated port)2に存在す
る電力P2とポート1に到達する電力Pinに対するその間の比の周波数依存性は
、その線路の調べられた動作周波数範囲内では周波数に係わらず1に等しい。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
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,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML,
MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K
E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG
,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,
RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,AT,
AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA,C
H,CN,CR,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ
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HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,K
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MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,S
E,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT
,TZ,UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZA,
ZW
Claims (17)
- 【請求項1】 高周波帯域フィルタ装置であって、主共振器(1)と、前記
主共振器(1)に結合される少なくとも1つの阻止共振器(4、6、8)とから
成り、前記主共振器(1)は、中断部分あるいは金属壁の形の切れ目(図2aか
ら図2cの2と3)によって両側で境を成している線路セグメントによって規定
されており、かつ、中心周波数(f0)で電磁的固有振動を有する高周波帯域フ
ィルタ装置において、前記主共振器に結合される前記阻止共振器(4)は、前記
主共振器(1)の前記線路セグメント上の波に対してその阻止周波数(fs)で
1の反射率を実現することと、前記少なくとも1つの阻止共振器は、前記阻止共
振器と前記主共振器との間の周波数依存結合が前記線路に沿った電界および磁界
の空間的変化のために前記帯域フィルタの前記中心周波数で消滅する、前記線路
セグメントに沿ったそれらの位置で前記主共振器と結合されることと、を特徴と
する高周波帯域フィルタ装置。 - 【請求項2】 前記少なくとも1つの阻止共振器は互いに対称に配置される
1対の阻止共振器によって構成されることを特徴とする請求項1に記載の高周波
帯域フィルタ装置。 - 【請求項3】 前記少なくとも1つの阻止共振器は前記主共振器に電気的に
結合されることを特徴とする請求項1に記載の高周波帯域フィルタ装置。 - 【請求項4】 前記少なくとも1つの阻止共振器は前記主共振器に磁気的に
結合されることを特徴とする請求項1に記載の高周波帯域フィルタ装置。 - 【請求項5】 前記少なくとも1つの阻止共振器は前記主共振器にガルバニ
結合されることを特徴とする請求項1に記載の高周波帯域フィルタ装置。 - 【請求項6】 前記主共振器は前記帯域フィルタの前記中心周波数での線路
波長のほぼ半分に相当する長さを有する線路セグメントによって構成されている
ことと、2つの前記阻止共振器が、前記周波数依存結合が前記中心周波数で消滅
するように前記線路セグメントの中心で前記主共振器に結合されていることと、
前記2つの阻止共振器の一方の阻止周波数が前記帯域フィルタの前記中心周波数
よりも小さく、かつ、他方の前記阻止共振器の阻止周波数が前記帯域フィルタの
前記中心周波数よりも大きいことと、前記2つの阻止共振器の前記阻止周波数は
前記帯域フィルタの伝送ゼロ点が必要とされる阻止領域内で選択されていること
と、通過帯域内の3つの伝送最大が、前記通過帯域内のリターンロスが予め設定
された最小値よりも大きいように、前記阻止共振器と前記主共振器との間の結合
の強度によってシフトされることと、を特徴とする、3つの固有周波数(極)と
2つの伝送ゼロ点とを有する請求項1に記載の帯域フィルタ。 - 【請求項7】 前記主共振器は前記中心周波数でほぼ1線路波長に相当する
長さを有する線路セグメントから形成されることと、前記主共振器の前記線路セ
グメントに沿って中心周波数線路波長の約1/2だけ互いに間隔があけられてお
り、かつ外側の阻止共振器対と前記線路セグメントの端との間で前記線路波長の
約1/4だけ間隔があけられている2対の阻止共振器が、前記周波数依存結合が
前記帯域フィルタの前記中心周波数で消滅するように、前記主共振器に結合され
ていることと、を特徴とする、5つの固有周波数(極)と4つの伝送ゼロ点とを
有する請求項1に記載の帯域フィルタ。 - 【請求項8】 前記主共振器は、中心周波数線路波長の1/2の概ねm倍の
長さを有する線路セグメントによって形成されていることと、前記線路セグメン
トに沿って前記中心周波数線路波長の1/2の距離と、他の阻止共振器対と前記
線路セグメントの端との間の線路波長の約1/4の距離で互いに間隔があけられ
るm対の阻止共振器が、前記周波数依存結合が前記帯域フィルタの前記中心周波
数で消滅するように、前記主共振器に結合されることと、を特徴とする、2m+
1個(mは自然数)の固有周波数(極)と2m個の伝送ゼロ点とを有する請求項
1に記載の帯域フィルタ。 - 【請求項9】 前記主共振器は、中心周波数線路波長の1/2の概ね(m+
1)倍の長さを有する線路セグメントによって形成されることと、前記線路セグ
メントに沿って前記中心周波数線路波長の1/2の距離だけ互いに間隔があけら
れており、かつ外側の阻止共振器対と前記線路セグメントの端との間で前記線路
波長の約1/2だけ互いに間隔があけられているm対の阻止共振器が、前記周波
数依存結合が前記帯域フィルタの前記中心周波数で消滅するように、前記主共振
器に結合されていることと、を特徴とする、2m+1個(mは自然数)の固有周
波数(極)と2m個の伝送ゼロ点とを有する請求項1に記載の帯域フィルタ。 - 【請求項10】 前記主共振器として働くフィルタ要素の前記線路セグメン
トの一方の端が、その次のフィルタ要素の前記線路セグメントの隣接する端と電
気的に、または磁気的に、またはガルバニ的に結合されていることと、外側のフ
ィルタ要素の前記線路セグメントの2つの外側端が入力または出力ポートに結合
されていることとを特徴とする、フィルタ要素(Q個)のカスケードを有し、前
記フィルタ要素は請求項2から5のいずれか1項に記載の帯域フィルタから形成
される請求項1に記載の帯域フィルタ。 - 【請求項11】 一方の端(2)が、電界強度の最大が前記中心周波数で前
記端で生じるように、前記帯域フィルタの入力ポート(ポート1)と電気的に、
磁気的に、またはガルバニ的に結合されており、その他方の端(3)が、電界強
度の最小が前記中心周波数でこの端において生じるように、前記帯域フィルタの
出力ポートと電気的に、磁気的に、またはガルバニ的に結合されることと、1対
の阻止共振器が第2のポート(図4aの3)の付近においてガルバニ的に、電気
的に、または磁気的に結合されることと、前記2つの阻止共振器の選択された阻
止周波数が阻止領域内の伝送ゼロ点の予め設定された周波数に等しいことと、通
過帯域内の2つの伝送最大の周波数位置が、前記阻止共振器と前記の約1/4波
長長さの線路セグメントとの間の結合強度を変更することによって変えられるこ
とが可能であることと、を特徴とする、前記帯域フィルタの前記中心周波数での
線路波長の1/4である線路セグメント(図4aの1)の形の主共振器から成る
、2つの伝送極と2つの伝送ゼロ点(図4a)とを有する、請求項1に記載の帯
域フィルタ。 - 【請求項12】 前記阻止共振器対と前記の約1/4の線路波長長さの線路
セグメントとの間のガルバニ結合を有する帯域フィルタにおいて、該線路セグメ
ントは、前記2つの阻止共振器と共に、2つの異なる固有周波数を有するT字形
の共振器(図11b)を形成することと、前記フィルタ入力は「T」の垂直部分
の下端と電気的に結合されており、かつ、前記フィルタ出力は前記「T」の垂直
部分の上端と電気的に結合されていることとを特徴とする請求項11に記載の帯
域フィルタ。 - 【請求項13】 請求項11または12に記載の帯域通過構造と請求項1か
ら9のいずれか1項に記載の帯域通過構造とから成るフィルタ要素のカスケード
から成る帯域フィルタ。 - 【請求項14】 前記共振器は同軸共振器として設計されることを特徴とす
る請求項1から13のいずれか1項に記載の帯域フィルタ。 - 【請求項15】 前記共振器は中空の空間共振器として設計されることを特
徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載の帯域フィルタ。 - 【請求項16】 前記共振器は誘電体共振器として設計されることを特徴と
する請求項1から13のいずれか1項に記載の帯域フィルタ。 - 【請求項17】 高温超伝導体によって構成されている平面共振器を含む、
平面マイクロストリップ・ライン共振器または共平面共振器を有する請求項1か
ら13のいずれか1項に記載の帯域フィルタ。
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PCT/EP2000/008333 WO2001017057A1 (de) | 1999-08-31 | 2000-08-26 | Hochfrequenz-bandpassfilteranordnung mit dämpfungspolen |
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