JP2003331654A - Conductive film and method of manufacturing same - Google Patents
Conductive film and method of manufacturing sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、各種表示装置およ
び各種窓材や包装材料などの透光性電極及び透光性電磁
波遮断膜、および太陽電池用透明電極として有用な、導
電膜及びその製造方法に関する。詳しくは、湿式塗布し
た層の形成時に発生するクラックを利用することによ
り、版及びマスクなどを用いることなく製造可能な導電
膜およびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a conductive film which is useful as a transparent electrode and a transparent electromagnetic wave shielding film for various display devices and various window materials and packaging materials, and a transparent electrode for solar cells, and its production. Regarding the method. More specifically, the present invention relates to a conductive film that can be manufactured without using a plate, a mask, and the like, and a manufacturing method thereof by utilizing a crack generated when a wet-coated layer is formed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、導電メッシュを形成する技術とし
ては、金属ワイヤなどの導電性繊維の織物を用いる技
術、薄い金属板や蒸着した金属薄膜、金属めっき膜など
のエッチングにより形成する技術、導電性ペーストなど
をスクリーン印刷法によりメッシュ状に印刷する技術、
基材に触媒をメッシュ状に印刷し無電解めっき法により
形成する技術、などが用いられてきた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique for forming a conductive mesh, a technique using a conductive fiber woven fabric such as a metal wire, a technique for forming a thin metal plate, a vapor-deposited metal thin film, a metal plating film by etching, a conductive For printing a conductive paste into a mesh by screen printing,
A technique has been used in which a catalyst is printed on a base material in a mesh shape and is formed by an electroless plating method.
【０００３】しかしながら、金属ワイヤなどの導電性繊
維の織物を用いる場合、該織物が伸び縮みし易いために
その取り扱いが難しい。また、一般に、該繊維の線径が
太いものは目が粗く、細いものは目が細かいことから、
透光性を必要とする用途においては、目視による確認が
困難なレベルの細い線径と良好な開口率を両立させるこ
とが非常に難しい。However, when a woven fabric of conductive fibers such as metal wires is used, it is difficult to handle because the woven fabric is likely to expand and contract. Further, in general, a fiber having a large wire diameter has coarse meshes, and a thin fiber has fine meshes.
In applications requiring translucency, it is extremely difficult to achieve both a fine wire diameter that is difficult to visually confirm and a good aperture ratio.
【０００４】薄い金属板や蒸着した金属薄膜、金属めっ
き膜などのエッチングにより導電メッシュを形成する技
術に関しては、多くの場合フォトリソグラフィー法を用
いることから製造工程が煩雑であり、さらに、蒸着工程
やめっき工程に関しても製造工程が煩雑であることか
ら、低い生産性と高い製造コストを伴う。With respect to the technique for forming a conductive mesh by etching a thin metal plate, a vapor-deposited metal thin film, a metal plating film, etc., the photolithography method is often used, and the manufacturing process is complicated. Since the manufacturing process is complicated also in the plating process, low productivity and high manufacturing cost are involved.
【０００５】導電性ペーストなどをスクリーン印刷法に
よりメッシュ状に印刷することにより導電メッシュを形
成する技術に関しては、線幅２０μｍ程度が現在の技術
では限界であり、目視による確認が困難なレベルには至
っていない。Regarding the technique of forming a conductive mesh by printing a conductive paste or the like in a mesh shape by a screen printing method, the line width of about 20 μm is the limit in the present technology, and it is difficult to visually confirm it. I haven't arrived.
【０００６】基材に触媒をメッシュ状に印刷し無電解め
っき法により導電メッシュを形成する技術に関しては、
マイクロコンタクトプリンティング法を用いる微細なパ
ターン形成法が開発されているが、生産技術としては確
立されておらず、また、無電解めっき工程の煩雑さが、
低い生産性と高い製造コストを伴う。Regarding the technique of printing a catalyst on a base material in a mesh shape to form a conductive mesh by electroless plating,
A fine pattern forming method using the microcontact printing method has been developed, but it has not been established as a production technique, and the complexity of the electroless plating process is
With low productivity and high manufacturing cost.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の問題点を鑑みてなされたもので、簡便及び安価に製造
可能、目視での確認が困難、且つ、透光性を有する、導
電膜およびその製造方法を提供しようとするものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and can be manufactured easily and inexpensively, is difficult to visually confirm, and has a translucent conductive film. And a method for manufacturing the same.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】塗膜には種々条件により
クラックが発生することが一般的に知られているが、発
明者は、該クラックがメッシュ状に形成される場合が有
ること、さらに、該クラックの溝内部に導電性物質を充
填することにより、パターニング用の各種版及びマスク
を用いずとも導電メッシュが形成できることを見いだ
し、前記課題を解決するに至った。It is generally known that cracks occur in a coating film under various conditions. However, the inventors have found that the cracks may be formed in a mesh shape. It has been found that by filling the inside of the crack groove with a conductive substance, a conductive mesh can be formed without using various patterning plates and masks, and the problems have been solved.
【０００９】請求項１に記載の発明は、基材と、該基材
上に形成された、溝幅が１０μｍ以下であるメッシュ状
のクラックを有するクラック層と、前記クラックの溝内
部に充填された導電性物質とからなり、可視光透過率が
３０％以上であることを特徴とする導電膜である。According to the first aspect of the present invention, a base material, a crack layer formed on the base material and having a mesh-like crack having a groove width of 10 μm or less, and the inside of the groove of the crack are filled. And a visible light transmittance of 30% or more.
【００１０】請求項２に記載の発明は、前記クラック層
が、粒径１０μｍ以下の微粒子を、５０重量％以上の含
有率であることを特徴とする請求項１記載の導電膜であ
る。The invention according to claim 2 is the conductive film according to claim 1, wherein the crack layer has a content of fine particles having a particle diameter of 10 μm or less of 50% by weight or more.
【００１１】請求項３に記載の発明は、前記クラック層
に含まれている微粒子が、酸化珪素微粒子、酸化アルミ
微粒子、酸化チタン微粒子、インジウム／錫酸化物微粒
子、酸化亜鉛微粒子、酸化アンチモン微粒子、アクリル
樹脂を含む樹脂微粒子およびスチレン樹脂を含む樹脂微
粒子よりなる群から選ばれた１種、もしくは２種以上の
混合物であることを特徴とする請求項２記載の導電膜で
ある。According to a third aspect of the invention, the fine particles contained in the crack layer are silicon oxide fine particles, aluminum oxide fine particles, titanium oxide fine particles, indium / tin oxide fine particles, zinc oxide fine particles, antimony oxide fine particles, The conductive film according to claim 2, which is one kind or a mixture of two or more kinds selected from the group consisting of resin fine particles containing an acrylic resin and resin fine particles containing a styrene resin.
【００１２】請求項４に記載の発明は、前記導電性物質
が、粒径が５μｍ以下の金属および／または金属酸化物
微粒子が５０重量％以上の含有率であることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれか一に記載の導電膜である。The invention according to claim 4 is characterized in that the conductive substance has a content of metal and / or metal oxide fine particles having a particle diameter of 5 μm or less of 50% by weight or more. The conductive film according to any one of 3 to 3.
【００１３】請求項５に記載の発明は、前記金属および
金属酸化物微粒子の金属種が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃ
ｕ、Ｐｔ、ＡｇおよびＡｕよりなる群から選ばれるいず
れか１種、あるいは２種類以上の合金、またはそれらの
混合物であることを特徴とする請求項４記載の導電膜で
ある。According to a fifth aspect of the invention, the metal species of the metal and metal oxide fine particles are Fe, Co, Ni and C.
r, Al, In, Zn, Pd, Sb, Sn, Pb, C
The conductive film according to claim 4, which is any one kind selected from the group consisting of u, Pt, Ag and Au, or an alloy of two or more kinds, or a mixture thereof.
【００１４】請求項６に記載の発明は、前記基材は、単
位面積あたりの溶媒吸収量が、１ｃｃ／ｍ2以上である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一に記載の導
電膜である。The invention according to claim 6 is characterized in that the substrate has a solvent absorption amount per unit area of 1 cc / m 2 or more. It is a conductive film.
【００１５】請求項７に記載の発明は、基材上に、湿式
塗布法により、粒径１０μｍ以下の微粒子を含んだ塗液
を塗布後、乾燥及び／または硬化させることにより、溝
幅が１０μｍ以下のメッシュ状のクラックを有するクラ
ック層を形成する工程、ついで導電性物質を含んだ溶
液、分散液またはペーストを、クラック層表面に湿式塗
布し、乾燥及び／または硬化させることにより、該クラ
ック層のメッシュ状クラックの溝内部に導電性物質を充
填する工程、を有することを特徴とする導電膜の製造方
法である。According to a seventh aspect of the invention, a groove width of 10 μm is obtained by applying a coating liquid containing fine particles having a particle size of 10 μm or less onto a substrate by a wet coating method, followed by drying and / or curing. The following step of forming a crack layer having a mesh-like crack, then a solution, a dispersion or a paste containing a conductive substance is wet-coated on the surface of the crack layer, and then dried and / or cured to form the crack layer. And a step of filling the inside of the groove of the mesh-like crack with a conductive substance, the method for producing a conductive film.
【００１６】請求項８に記載の発明は、基材上に、湿式
塗布法により、粒径１０μｍ以下の微粒子を含んだ塗液
を塗布後、乾燥及び／または硬化させることにより、溝
幅が１０μｍ以下のメッシュ状のクラックを有するクラ
ック層を形成する工程、ついで導電性物質を含んだ溶
液、分散液またはペーストを、クラック層表面に湿式塗
布し、乾燥及び／または硬化させることにより、該クラ
ック層のメッシュ状クラックの溝内部に導電性物質を充
填後、溝内部以外の導電性物質を物理的及び／または化
学的に取り除く工程、を有することを特徴とする導電膜
の製造方法である。According to the present invention, the groove width is 10 μm by applying a coating liquid containing fine particles having a particle diameter of 10 μm or less on a substrate by a wet coating method and then drying and / or curing the coating liquid. The following step of forming a crack layer having a mesh-like crack, then a solution, a dispersion or a paste containing a conductive substance is wet-coated on the surface of the crack layer, and then dried and / or cured to form the crack layer. And a step of physically and / or chemically removing the conductive material other than the inside of the groove after filling the inside of the groove of the mesh crack with the conductive material.
【００１７】請求項９に記載の発明は、前記基材は、単
位面積あたりの溶媒吸収量が、１ｃｃ／ｍ2以上である
ことを特徴とする請求項７または８に記載の導電膜の製
造方法である。The invention according to claim 9 is characterized in that the substrate has a solvent absorption amount per unit area of 1 cc / m 2 or more, and the production of the conductive film according to claim 7 or 8. Is the way.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明における実施の形態
を具体的に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be specifically described below.
【００１９】本発明は、前述のように、各種表示装置及
び各種窓材や包装材料などの透光性電極および透光性電
磁波遮断膜、および太陽電池用透明電極として有用な導
電膜に関するものである。その際、目視により確認困難
であることを達成するためには、前記クラックの溝幅つ
まり充填された導電性材料からなる導電部の線幅は、１
０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であるこ
とがより好ましく、さらには１μｍ以下であることがよ
り好ましい。また、各種表示装置からの表示内容、各種
窓材外部及び内部の視覚情報および包装されたものの視
覚情報、および太陽電池用電極として太陽光エネルギー
を効率良く得るためには可視光透過率が３０％以上であ
ることが好ましく、５０％以上であることがより好まし
い。As described above, the present invention relates to a transparent electrode and a transparent electromagnetic wave shielding film for various display devices and various window materials and packaging materials, and a conductive film useful as a transparent electrode for solar cells. is there. At that time, in order to achieve that it is difficult to visually confirm, the groove width of the crack, that is, the line width of the filled conductive material is 1
It is preferably 0 μm or less, more preferably 5 μm or less, and further preferably 1 μm or less. Further, in order to efficiently obtain solar energy as display contents from various display devices, visual information of outside and inside of various window materials and visual information of packaged materials, and a visible light transmittance of 30% in order to efficiently obtain solar energy as a solar cell electrode. It is preferably at least 50%, more preferably at least 50%.
【００２０】次に本発明における導電膜の一実施の形態
を、図１、図２をもとに具体的に説明する。ただし、こ
の実施の形態は発明内容を限定するものではない。Next, one embodiment of the conductive film of the present invention will be specifically described with reference to FIGS. However, this embodiment does not limit the content of the invention.
【００２１】図１、図２は基材３の上にメッシュ状のク
ラックを有するクラック層２が形成されており、該クラ
ックの溝内部に導電性物質１が充填されていること示す
模式図である。FIGS. 1 and 2 are schematic views showing that a crack layer 2 having a mesh-like crack is formed on a base material 3, and a conductive substance 1 is filled inside the groove of the crack. is there.
【００２２】基材３は、導電膜とした状態で、可視光透
過率が３０％以上となるものであり、且つ、適当な機械
的強度を持つものであれば特に限定されるものではな
い。具体例としては、ガラス板、アクリル板、ポリエス
テルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレン
フィルム、トリアセチルセルロースフィルム、ポリカー
ボネートフィルム、ナイロンフィルム、セロファンフィ
ルムなどが挙げられる。The substrate 3 is not particularly limited as long as it has a visible light transmittance of 30% or more in the state of being a conductive film and has appropriate mechanical strength. Specific examples include a glass plate, an acrylic plate, a polyester film, a polyethylene film, a polypropylene film, a triacetyl cellulose film, a polycarbonate film, a nylon film, and a cellophane film.
【００２３】また基材３は、導電膜とした状態で、可視
光透過率が３０％以上となるものであり、且つ、適当な
機械的強度を持つものであれば、支持体と、支持体片面
もしくは両面に設けられた１層以上の機能層からなる多
層構成であってもよい。機能層の具体例としては、導電
メッシュを形成した後、他シートなどと張り合わせるた
めの粘着層、導電メッシュ面に対する裏面を保護するた
めのハードコート層、基材とクラック層の密着性を向上
させる易接着層などが挙げられる。Further, the base material 3 has a visible light transmittance of 30% or more in the state of being a conductive film, and if it has an appropriate mechanical strength, it is a support and a support. It may have a multi-layered structure including one or more functional layers provided on one side or both sides. Specific examples of the functional layer include an adhesive layer for forming a conductive mesh and then laminating it with another sheet, a hard coat layer for protecting the back surface against the conductive mesh surface, and improving the adhesion between the base material and the crack layer. An easy-adhesion layer or the like is included.
【００２４】前記粘着層の具体例としては、ジエン系粘
着剤、アクリル酸エステル系粘着剤、ビニルエーテル系
粘着剤、ウレタン系粘着剤などが挙げられる。前記ハー
ドコート層としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂など
が挙げられる。Specific examples of the adhesive layer include diene-based adhesives, acrylate-based adhesives, vinyl ether-based adhesives, urethane-based adhesives and the like. Examples of the hard coat layer include acrylic resin and epoxy resin.
【００２５】前記易接着層に関してはクラック層組成お
よびクラック層用塗液に用いる溶媒の種類により選択さ
れ、一般的には、該クラック層組成と密着性が良い材料
および／または該クラック層用塗液に用いる溶媒と親和
性の有る材料を含むことが好ましい。具体的には、クラ
ック層がウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂ま
たはポリビニルアルコール樹脂を含んでいる場合、易接
着層に含有させる成分として、それらと同種の樹脂種、
またはそれらと密着性の良いウレタンアクリレート樹脂
を選択する例が挙げられる。また、クラック層用塗液に
用いる溶媒が芳香族系溶媒を含んでいる場合、易接着層
に含有させる成分としてポリスチレン樹脂またはポリカ
ーボネート樹脂を選択する例や、クラック層用塗液に用
いる溶媒が水系溶媒を含んでいる場合、易接着層に含有
させる成分としてポリビニルアルコール樹脂またはポリ
酢酸ビニル樹脂を選択する例などが挙げられる。The easy-adhesion layer is selected depending on the composition of the crack layer and the type of solvent used in the coating solution for the crack layer. Generally, the material having good adhesion to the crack layer composition and / or the coating for the crack layer is used. It is preferable to include a material having an affinity with the solvent used for the liquid. Specifically, when the crack layer contains a urethane resin, an acrylic resin, an epoxy resin, or a polyvinyl alcohol resin, as the component to be contained in the easily adhesive layer, the same kind of resin as those,
Alternatively, an example of selecting a urethane acrylate resin having good adhesion to them can be given. Further, when the solvent used for the crack layer coating liquid contains an aromatic solvent, an example of selecting a polystyrene resin or a polycarbonate resin as a component to be contained in the easily adhesive layer, or the solvent used for the crack layer coating liquid is an aqueous solvent. When a solvent is contained, an example in which a polyvinyl alcohol resin or a polyvinyl acetate resin is selected as a component to be contained in the easy-adhesion layer may be mentioned.
【００２６】また、基材３は多孔質材、または、支持体
上に多孔質層を設けた基材であることが好ましい。前記
多孔質材としては、多孔質ガラス、プラスチックフォー
ムなどを例示することができ、前記多孔質層としては、
酸化珪素微粒子または酸化アルミ微粒子を含んでいるこ
とにより多孔質となっている層、ガラス繊維を含んでい
ることにより多孔質となっている層などを例示すること
ができる。また、基材は複数層からなるものでも構わな
い。The substrate 3 is preferably a porous material or a substrate having a porous layer provided on a support. Examples of the porous material include porous glass and plastic foam, and the porous layer includes
Examples thereof include a layer made porous by containing silicon oxide fine particles or aluminum oxide fine particles, and a layer made porous by containing glass fibers. Further, the base material may be composed of a plurality of layers.
【００２７】また、後述する導電性物質１が、金属およ
び／または金属酸化物微粒子を含む場合、基材３は多孔
質材、または、支持体上に多孔質層を設けた基材である
ことが好ましい。理由は以下のとおりである。When the conductive substance 1 to be described later contains metal and / or metal oxide fine particles, the base material 3 is a porous material or a base material having a porous layer provided on a support. Is preferred. The reason is as follows.
【００２８】金属及び／または金属酸化物微粒子を含ん
だ溶液を多孔質材または多孔質層へ塗布することによ
り、溶媒の迅速な該多孔質材または該多孔質層への浸透
が起こる。それに伴い、金属及び／または金属酸化物微
粒子を含んだ溶液が濃縮されることにより微粒子同士の
凝集が起こる。凝集した金属及び／または金属酸化物微
粒子が該多孔質材または該多孔質層の細孔より大きくな
ると、溶媒及び、溶媒に溶解している分散剤などや、金
属及び／または金属酸化物微粒子に吸着している分散剤
などが選択的に細孔へ浸透していく。相対して、該多孔
質材または該多孔質層の表面または付近では選択的に金
属及び／または金属酸化物微粒子の凝集体が堆積してい
き、さらに金属及び／または金属酸化物微粒子に比べて
分散剤などの量が十分に少なくなることから金属及び／
または金属酸化物微粒子同士の接触面積が大きくなり、
それに比例して導通パス数が増大し、導電性良好な導電
層が該多孔質材または該多孔質層の表面付近に形成され
る。該多孔質材または該多孔質層の細孔径が金属及び／
または金属酸化物微粒子よりも小さい場合は、溶液の濃
縮などによる金属及び／または金属酸化物微粒子の凝集
が起こらなくても、上述の現象により選択的に該多孔質
材または該多孔質層の表面に良好な導電層が形成され
る。By applying the solution containing the metal and / or metal oxide fine particles to the porous material or the porous layer, rapid penetration of the solvent into the porous material or the porous layer occurs. Along with this, the solution containing the metal and / or metal oxide fine particles is concentrated to cause aggregation of the fine particles. When the aggregated metal and / or metal oxide fine particles become larger than the pores of the porous material or the porous layer, the solvent and the dispersant dissolved in the solvent, the metal and / or metal oxide fine particles become The adsorbed dispersant or the like selectively permeates the pores. In contrast, on the surface of or near the porous material or the porous layer, aggregates of metal and / or metal oxide fine particles are selectively deposited, and compared with metal and / or metal oxide fine particles. Since the amount of dispersant etc. is sufficiently small, it is possible to use metal and / or
Or the contact area between the metal oxide fine particles becomes large,
The number of conduction paths increases in proportion to this, and a conductive layer having good conductivity is formed near the surface of the porous material or the porous layer. The pore diameter of the porous material or the porous layer is metal and / or
Alternatively, when it is smaller than the metal oxide fine particles, the surface of the porous material or the porous layer can be selectively formed by the above-mentioned phenomenon even if the metal and / or metal oxide fine particles do not aggregate due to concentration of the solution. A good conductive layer is formed.
【００２９】さらに、前記多孔質材および前記多孔質層
の、金属及び／または金属酸化物微粒子を含んだ溶液に
用いられている溶媒に対する溶媒吸収量は１ｃｃ／ｍ2
以上であることが好ましい。これは、以下の理由によ
る。溶液全体に対して、２０体積％以上の金属及び／ま
たは金属酸化物微粒子を分散させる場合、多量の分散
剤、例えば櫛形ポリマーなどを含有させなければなら
ず、一般的な濃度としては２０体積％以下である。ま
た、金属及び／または金属酸化物微粒子が２０体積％以
上である溶液を用いると、非常に溶媒吸収能力が良好な
該多孔質材または該多孔質層にその溶液を塗布しても、
多量の分散剤により導通パスが得られにくく、良好な導
電性が得られないことから、導電膜を得るための溶液と
しては不適切である。良好な導電性を有する導電膜とし
ては、１００ｎｍ以上の膜厚が好ましく、金属及び／ま
たは金属酸化物微粒子の濃度が２０体積％以下の溶液の
塗布量としては、１ｃｃ／ｍ2以上が好ましい。Furthermore, the amount of solvent absorbed by the porous material and the porous layer with respect to the solvent used in the solution containing the metal and / or metal oxide fine particles is 1 cc / m 2.
The above is preferable. This is for the following reason. When 20% by volume or more of the metal and / or metal oxide fine particles are dispersed in the entire solution, a large amount of a dispersant, for example, a comb-shaped polymer must be contained, and the general concentration is 20% by volume. It is the following. Further, when a solution containing 20% by volume or more of metal and / or metal oxide fine particles is used, even if the solution is applied to the porous material or the porous layer having a very good solvent absorption capacity,
It is not suitable as a solution for obtaining a conductive film because it is difficult to obtain a conductive path with a large amount of a dispersant and good conductivity cannot be obtained. The conductive film having good conductivity preferably has a film thickness of 100 nm or more, and the coating amount of the solution containing 20% by volume or less of the metal and / or metal oxide fine particles is preferably 1 cc / m 2 or more.
【００３０】さらには、該多孔質材および該多孔質層
の、金属及び／または金属酸化物微粒子を含んだ溶液に
用いられている溶媒に対する溶媒吸収量は、迅速な溶媒
吸収を実現すべく２ｃｃ／ｍ2以上であることがより好
ましく、さらに、金属及び／または金属酸化物微粒子が
２０体積％以上である溶液は保存安定性に乏しい場合が
多く、より希薄な溶液を用いる場合が多いため、それに
伴い、該多孔質材または該多孔質層の溶媒吸収能力とし
ては、５ｃｃ／ｍ2以上であることが好ましい。Furthermore, the solvent absorption amount of the porous material and the porous layer with respect to the solvent used in the solution containing the metal and / or metal oxide fine particles is 2 cc in order to realize rapid solvent absorption. / M 2 or more, more preferably, the solution containing 20% by volume or more of the metal and / or metal oxide fine particles has poor storage stability in many cases, and a dilute solution is often used. Accordingly, the solvent absorption capacity of the porous material or the porous layer is preferably 5 cc / m 2 or more.
【００３１】また、金属及び／または金属酸化物微粒子
の凝集を促進させるため、該多孔質材および該多孔質層
に、金属及び／または金属酸化物微粒子の表面電荷をイ
オン的に中和する機能を持たせても良い。具体的には、
金属及び／または金属酸化物微粒子の表面電荷がマイナ
スの場合、該多孔質材および該多孔質層に、カチオン性
の酸化珪素微粒子または酸化アルミ微粒子を添加する例
が挙げられる。Further, in order to promote aggregation of the metal and / or metal oxide fine particles, the porous material and the porous layer have a function of ionically neutralizing the surface charge of the metal and / or metal oxide fine particles. May have. In particular,
When the surface charge of the metal and / or metal oxide fine particles is negative, an example in which cationic silicon oxide fine particles or aluminum oxide fine particles are added to the porous material and the porous layer can be given.
【００３２】クラック層２は、導電膜とした状態で、可
視光透過率が３０％以上となるもので、且つ、クラック
層用塗液を塗布後、乾燥および／または硬化工程を経
て、溝幅が１０μｍ以下のメッシュ状のクラックが形成
するものであれば特に限定されるものではない。The crack layer 2 has a visible light transmittance of 30% or more in the state of being a conductive film, and after the coating solution for the crack layer is applied, it is dried and / or cured to form a groove width. Is not particularly limited as long as a mesh-like crack having a size of 10 μm or less is formed.
【００３３】クラック層２の組成としては、粒径が１０
μｍ以下の微粒子を５０重量％以上含有していることが
好ましい。微粒子を５０重量％以上含有していることに
よってクラック層用塗液を塗布後の乾燥および／または
硬化時にクラックが発生し易いからであり、また、粒径
が１０μｍ以下の微粒子であることによりクラック溝幅
が微細となり目視で確認困難なレベルを達成するからで
ある。The composition of the crack layer 2 has a grain size of 10
It is preferable to contain 50% by weight or more of fine particles of μm or less. This is because when 50% by weight or more of the fine particles are contained, cracks are likely to occur at the time of drying and / or curing after applying the crack layer coating liquid, and when the fine particles have a particle size of 10 μm or less, This is because the groove width becomes fine and a level that is difficult to visually confirm is achieved.
【００３４】前記クラック層２に含まれる微粒子として
は、粒径が１０μｍ以下であれば特に限定されるもので
はないが、透明性を有するものが好ましい。具体的に
は、酸化珪素微粒子、酸化アルミ微粒子、酸化チタン微
粒子、アクリル樹脂を含む樹脂微粒子、スチレン樹脂を
含む樹脂微粒子などが例示できる。さらに、透明性を有
し、且つ、導電性を有するものが好ましく、具体的に
は、インジウム／錫酸化物微粒子、酸化亜鉛微粒子、酸
化アンチモン微粒子などが例示できる。The fine particles contained in the crack layer 2 are not particularly limited as long as the particle diameter is 10 μm or less, but those having transparency are preferable. Specific examples thereof include silicon oxide fine particles, aluminum oxide fine particles, titanium oxide fine particles, resin fine particles containing acrylic resin, and resin fine particles containing styrene resin. Further, those having transparency and conductivity are preferable, and specific examples thereof include indium / tin oxide fine particles, zinc oxide fine particles, and antimony oxide fine particles.
【００３５】クラック層２に含まれる他の成分としては
特に限定はされないが、膜強度をもたせるために樹脂成
分が含まれていても良い。具体的には、アクリル系樹
脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂などが挙げられる。The other component contained in the crack layer 2 is not particularly limited, but a resin component may be contained in order to have film strength. Specific examples include acrylic resins, epoxy resins, urethane resins, polyvinyl alcohol resins, and the like.
【００３６】クラック層２を形成するための塗液（以
下、クラック層形成溶液）としては、クラック層形成溶
液を塗布後、乾燥および／または硬化工程を経て、溝幅
が１０μｍ以下のメッシュ状のクラックが形成するもの
であれば特に限定されるものではない。ただ、前述した
理由により、形成された層が微粒子を５０重量％以上含
有するような微粒子濃度である塗液が好ましい。さら
に、該微粒子が、酸化珪素微粒子、酸化アルミ微粒子、
酸化チタン微粒子、アクリル樹脂を含む樹脂微粒子、ス
チレン樹脂を含む樹脂微粒子、インジウム／錫酸化物微
粒子、酸化亜鉛微粒子、酸化アンチモン微粒子であるこ
とが好ましい。また、該塗液にアクリル系樹脂またはそ
の前駆体、エポキシ系樹脂またはその前駆体、ウレタン
系樹脂またはその前駆体、ポリビニルアルコール樹脂が
含まれていても良い。The coating liquid for forming the crack layer 2 (hereinafter, referred to as a crack layer forming solution) is a mesh-like having a groove width of 10 μm or less after the crack layer forming solution is applied and then dried and / or cured. The crack is not particularly limited as long as it forms. However, for the reasons described above, a coating liquid having a fine particle concentration such that the formed layer contains fine particles of 50% by weight or more is preferable. Further, the fine particles are silicon oxide fine particles, aluminum oxide fine particles,
Titanium oxide fine particles, resin fine particles containing acrylic resin, resin fine particles containing styrene resin, indium / tin oxide fine particles, zinc oxide fine particles, and antimony oxide fine particles are preferable. Further, the coating liquid may contain an acrylic resin or a precursor thereof, an epoxy resin or a precursor thereof, a urethane resin or a precursor thereof, or a polyvinyl alcohol resin.
【００３７】クラック層形成溶液には溶媒が含まれてい
ても良い。該溶媒は特に限定されないが、該塗液中に微
粒子を含む場合は微粒子の分散が良好となる溶媒、該塗
液中に樹脂または樹脂前駆体を含む場合にはそれらが溶
解可能な溶媒が好ましい。具体的には、アルキル基で被
覆された酸化珪素微粒子を含む場合はヘキサンを用い、
ポリビニルアルコール樹脂を用いる場合には水を用いる
例が挙げられる。The crack layer forming solution may contain a solvent. The solvent is not particularly limited, but when the coating liquid contains fine particles, a solvent in which fine particles are well dispersed, and when the coating liquid contains a resin or a resin precursor, a solvent in which they are soluble is preferable. . Specifically, hexane is used when containing silicon oxide fine particles coated with an alkyl group,
When using a polyvinyl alcohol resin, an example of using water is given.
【００３８】また、クラック層形成溶液に樹脂前駆体が
含まれている場合、該樹脂前駆体を重合する効果を持つ
重合開始剤が、該塗液に含まれていても良い。具体的に
は、該樹脂前駆体がアクリル系モノマーであった場合、
ベンゾフェノン系光重合開始剤を含む例が挙げられる。When the crack layer forming solution contains a resin precursor, a polymerization initiator having an effect of polymerizing the resin precursor may be contained in the coating liquid. Specifically, when the resin precursor is an acrylic monomer,
Examples include a benzophenone-based photopolymerization initiator.
【００３９】クラック層形成溶液の塗布法としては特に
限定されるものではなく、グラビアコート法、スピンコ
ート法、インクジェット法、ロールコート法、スプレー
コート法、バーコート法、コンマコート法、カーテンコ
ート法、ディップコート法、スクリーン印刷法などが例
示される。The coating method of the crack layer forming solution is not particularly limited, and is a gravure coating method, a spin coating method, an ink jet method, a roll coating method, a spray coating method, a bar coating method, a comma coating method, a curtain coating method. , A dip coating method, a screen printing method and the like.
【００４０】また、クラック層２を形成するための塗液
を塗布後の後処理を行っても良い。例えば、紫外線硬化
樹脂前駆体や電子線硬化性樹脂前駆体が含まれている場
合は、紫外線または電子線照射を行っても良い。また、
常温での揮発性が迅速でない溶媒や、熱硬化性樹脂また
は樹脂前駆体などが、該塗液中に含まれている場合、加
熱による乾燥を行ってもよい。行わない場合は、常温で
の自然乾燥によりクラック層を形成することができる。Further, a post-treatment may be carried out after applying the coating liquid for forming the crack layer 2. For example, when an ultraviolet curable resin precursor or an electron beam curable resin precursor is contained, ultraviolet ray or electron beam irradiation may be performed. Also,
When a solvent that does not rapidly volatilize at room temperature, a thermosetting resin, a resin precursor, or the like is contained in the coating liquid, drying by heating may be performed. When not performed, the crack layer can be formed by natural drying at room temperature.
【００４１】クラック層２の膜厚は、溝幅が１０μｍ以
下であり、且つ、メッシュ状となっているクラックが発
生する膜厚であれば特に限定はされない。ただ、薄すぎ
るとクラック層用塗液を塗布後の乾燥および／または硬
化時にクラックの発生が起こりにくく、厚過ぎるとクラ
ック溝幅が広くなってしまうので、一般的には、０．５
μｍ〜５０μｍの範囲が好ましい。The film thickness of the crack layer 2 is not particularly limited as long as it has a groove width of 10 μm or less and a mesh-shaped crack is generated. However, if it is too thin, cracks are less likely to occur during drying and / or curing after applying the crack layer coating liquid, and if it is too thick, the crack groove width becomes wide, so that it is generally 0.5
The range of μm to 50 μm is preferable.
【００４２】クラック層２を形成するための塗液の塗布
時および／または塗布後および／または該後処理後に、
塗布機や巻き変え機によりかかるテンションまたは延伸
機による延伸により、クラック層２のクラック形状やク
ラック溝幅を目的に応じて制御しても良い。During and / or after applying the coating liquid for forming the crack layer 2 and / or after the post-treatment,
The crack shape and the crack groove width of the crack layer 2 may be controlled according to the purpose by the tension applied by a coating machine or a rewinding machine or the stretching by a stretching machine.
【００４３】導電性物質１は、導電性を有するものであ
れば特に限定されず、金属、金属酸化物、導電性ポリマ
ーなどの中から適宜選択し使用できる。具体的には、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｓ
ｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｐｔ、ＡｇおよびＡｕよりなる
群から選ばれるいずれか、またはその酸化物、あるいは
２種類以上の合金、チオフェン系ポリマー、フェニレン
ビニレン系ポリマー、フルオレン系ポリマーなどが例示
される。The conductive substance 1 is not particularly limited as long as it has conductivity, and can be appropriately selected and used from metals, metal oxides, conductive polymers and the like. Specifically, F
e, Co, Ni, Cr, Al, In, Zn, Pd, S
Examples thereof include any one selected from the group consisting of b, Sn, Pb, Cu, Pt, Ag, and Au, or an oxide thereof, or an alloy of two or more kinds, a thiophene-based polymer, a phenylenevinylene-based polymer, a fluorene-based polymer, and the like. It
【００４４】導電性物質１をクラック層２のクラック溝
内に充填する方法としては、充填可能な方法であれば特
に限定はされない。具体的には、該導電性物質の微粒子
を乾式によりクラック溝内に刷り込む方法、該導電性物
質が溶解している溶液、または、該導電性物質の微粒子
を含んだ溶液を湿式塗布する方法などが例示される。The method of filling the crack groove of the crack layer 2 with the conductive substance 1 is not particularly limited as long as it can be filled. Specifically, a method of imprinting fine particles of the conductive substance into the crack groove by a dry method, a solution in which the conductive substance is dissolved, or a method of wet coating a solution containing fine particles of the conductive substance, etc. Is exemplified.
【００４５】前記導電性物質の微粒子の作製方法として
は、金属または金属酸化物のガス中蒸発法に代表される
気相法、金属塩の分散剤溶液中での還元法に代表される
液相法、導電性物質の塊を粉砕する粉砕法などの数多く
の公知技術により比較的容易に製造可能である。As the method for producing the fine particles of the conductive substance, a gas phase method typified by a gas or metal oxide method in a gas or a liquid phase typified by a reduction method in a dispersant solution of a metal salt is used. Can be relatively easily manufactured by a number of known techniques such as a crushing method and a crushing method of crushing a lump of a conductive substance.
【００４６】該導電性物質の微粒子を乾式によりクラッ
ク溝内に刷り込む方法の、さらに具体的な例としては、
鉄粉を粉体吐出器によりクラック層２表面に吐出し、布
などにより鉄粉をクラック溝内部へ刷り込む方法が挙げ
られる。A more specific example of a method of imprinting fine particles of the conductive substance into the crack groove by a dry method is as follows.
There is a method in which iron powder is discharged onto the surface of the crack layer 2 with a powder discharging device and the iron powder is imprinted inside the crack groove with a cloth or the like.
【００４７】また、該導電性物質が溶解している溶液を
湿式塗布する方法の、さらに具体的な例としては、チオ
フェン系ポリマーのクロロホルム溶液をスピンコート法
により塗布する方法が挙げられる。Further, as a more specific example of the wet coating method of the solution in which the conductive substance is dissolved, there is a method of coating a chloroform solution of a thiophene-based polymer by a spin coating method.
【００４８】また、該導電性物質の微粒子を含んだ溶液
を湿式塗布する方法の、さらに具体的な例としては、金
微粒子の水分散溶液をインクジェット法により塗布する
方法が挙げられる。Further, as a more specific example of the method of wet-coating the solution containing fine particles of the conductive substance, there is a method of coating an aqueous dispersion solution of gold fine particles by an inkjet method.
【００４９】該導電性物質の微粒子を含む場合、微粒子
の粒径としては、前述した理由により、クラックの溝幅
は１０μｍ以下であることが好ましいことから、充填効
率を考慮すると５μｍ以下が好ましく、より好ましくは
１μｍ以下が好ましい。When the fine particles of the conductive substance are contained, the particle diameter of the fine particles is preferably 5 μm or less in consideration of the filling efficiency because the groove width of the crack is preferably 10 μm or less for the above-mentioned reason. More preferably, it is 1 μm or less.
【００５０】該導電性物質の微粒子を含んだ溶液を湿式
塗布する方法を用いる場合、該溶液に用いられる溶媒と
しては、該導電性物質の微粒子を分散させる効果を持つ
ものであれば特に限定はされない。具体的には、該導電
性物質の微粒子としてアルキル基で表面を被覆された酸
化珪素微粒子を用いる場合には、ヘキサンが例示され
る。When the method of wet-coating a solution containing fine particles of the conductive substance is used, the solvent used in the solution is not particularly limited as long as it has an effect of dispersing the fine particles of the conductive substance. Not done. Specifically, when silicon oxide fine particles whose surface is coated with an alkyl group are used as the fine particles of the conductive substance, hexane is exemplified.
【００５１】該導電性物質の微粒子を含んだ溶液を湿式
塗布する方法を用いる場合、該溶液には該導電性物質の
微粒子および該溶媒以外の成分が含まれていても良い。
具体的には、クエン酸ナトリウムなどの分散剤、ポリ酢
酸ビニルなどのバインダ、ウレタン系樹脂などの熱硬化
性樹脂、アクリルモノマーなどの硬化性モノマー、各種
重合開始剤などが挙げられる。When the method of wet-coating a solution containing fine particles of the conductive substance is used, the solution may contain fine particles of the conductive substance and a component other than the solvent.
Specific examples include a dispersant such as sodium citrate, a binder such as polyvinyl acetate, a thermosetting resin such as a urethane resin, a curable monomer such as an acrylic monomer, and various polymerization initiators.
【００５２】該導電性物質が溶解している溶液を湿式塗
布する方法を用いる場合、該溶液に用いられる溶媒とし
ては、該導電性物質を溶解するものであれば特に限定は
されない。具体的には、該導電性物質としてチオフェン
系ポリマーを用いる場合には、クロロホルムが例示され
る。When the method of wet coating a solution in which the conductive substance is dissolved is used, the solvent used in the solution is not particularly limited as long as it dissolves the conductive substance. Specifically, chloroform is exemplified when a thiophene-based polymer is used as the conductive substance.
【００５３】該導電性物質が溶解している溶液を湿式塗
布する方法を用いる場合、該溶液には該導電性物質およ
び該溶媒以外の成分が含まれていても良い。具体的に
は、シリコーンなどの消泡剤、ヨウ素などのドーピング
剤などが例示される。When the method of wet coating a solution in which the conductive substance is dissolved is used, the solution may contain components other than the conductive substance and the solvent. Specific examples thereof include antifoaming agents such as silicone and doping agents such as iodine.
【００５４】また、導電性物質を含んだ塗液を塗布後の
後処理を行っても良い。また、紫外線硬化樹脂前駆体や
電子線硬化性樹脂前駆体が含まれている場合は、紫外線
または電子線照射を行っても良い。また、常温での揮発
性が迅速でない溶媒や、熱硬化性樹脂または樹脂前駆体
などが、該塗液中に含まれている場合、加熱による乾燥
を行ってもよい。また、行わない場合は、自然乾燥させ
ることにより、導電性物質をクラックの溝内部に固定さ
せる。Further, a post-treatment may be carried out after applying a coating liquid containing a conductive substance. Further, when an ultraviolet curable resin precursor or an electron beam curable resin precursor is contained, ultraviolet ray or electron beam irradiation may be performed. Further, when a solvent that does not rapidly volatilize at room temperature, a thermosetting resin, a resin precursor, or the like is contained in the coating liquid, drying by heating may be performed. If not performed, the conductive substance is fixed in the groove of the crack by natural drying.
【００５５】クラック層２のクラック溝以外の該導電性
物質を除去する方法としては、除去可能な方法であれば
特に限定はされない。具体的には、サンドブラスト法、
スキージ法、布などによるワイピング法、酸の水溶液に
よる溶解法、粘着剤による剥離法などが例示される。The method of removing the conductive material other than the crack grooves of the crack layer 2 is not particularly limited as long as it is a removable method. Specifically, the sandblast method,
Examples include a squeegee method, a wiping method using a cloth, a dissolving method using an acid aqueous solution, and a peeling method using an adhesive.
【００５６】クラック層２のクラック溝以外の該導電性
物質を除去するタイミングとしては、除去可能なタイミ
ングであれば特に限定はされず、該導電性物質を含んだ
塗液を塗布後の該後処理の、前であっても後であっても
良い。The timing for removing the conductive substance other than the crack grooves of the crack layer 2 is not particularly limited as long as it is a removable timing, and the time after the coating liquid containing the conductive substance is applied is not limited. It may be before or after the treatment.
【００５７】また、クラック層２のクラック溝内部に導
電性物質３が充填された後、その上層に各種機能層を１
層以上設けてもよい。該機能層の具体例としては、ハー
ドコート層、粘着層、反射防止機能層、アンチグレア機
能層、防汚層などが挙げられる。Further, after the inside of the crack groove of the crack layer 2 is filled with the conductive material 3, various functional layers are formed on the upper layer thereof.
You may provide more than one layer. Specific examples of the functional layer include a hard coat layer, an adhesive layer, an antireflection functional layer, an antiglare functional layer, and an antifouling layer.
【００５８】[0058]
【実施例】（Ａ．銀微粒子水溶液の調製）Ｃａｒｅｙ−
Ｌｅａが１８８９年に発表した方法（Ａｍ．Ｊ．Ｓｃ
ｉ．，ｖｏｌ．３７，ｐｐ．４９１，１８８９）によ
り、銀微粒子分散水溶液を調製した。ＴＥＭ観察により
平均一次粒子径は約７ｎｍであった。さらに、Ａｇ濃度
が７重量％となるように蒸留水にて希釈し調製した。[Example] (A. Preparation of fine silver particle solution) Carey-
The method published by Lea in 1889 (Am. J. Sc
i. , Vol. 37, pp. 491, 1889) to prepare an aqueous silver particle dispersion solution. The average primary particle diameter was about 7 nm by TEM observation. Further, it was prepared by diluting with distilled water so that the Ag concentration became 7% by weight.
【００５９】（Ｂ．多孔質層形成用塗布液の調製）シリ
カゾル水溶液（日産化学工業製 スノーテックスＡｋ、
シリカ分２０重量％）を２０重量部及び、ポリビニルア
ルコール（クラレ製 ＰＶＡ２１７）の１０重量％水溶
液を１０重量部及び、蒸留水を３０重量部の割合で混合
した溶液を３０分間攪拌して調製した。(B. Preparation of coating liquid for forming porous layer) Silica sol aqueous solution (Snowtex Ak manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.,
20 parts by weight of silica content), 10 parts by weight of a 10% by weight aqueous solution of polyvinyl alcohol (PVA217 manufactured by Kuraray), and distilled water at a ratio of 30 parts by weight were prepared by stirring for 30 minutes. .
【００６０】（Ｃ．クラック層形成用塗布液（ａ）の調
製）シリカゾル水溶液（日産化学工業製 スノーテック
スＣ、シリカ分２０重量％）を１０重量部及び、ポリビ
ニルアルコール（クラレ製 ＰＶＡ２１７）の１０重量
％水溶液を１重量部、及び蒸留水を１１重量部の割合で
混合した溶液を３０分間攪拌して調製した。(C. Preparation of coating liquid (a) for forming crack layer) 10 parts by weight of a silica sol aqueous solution (Snowtex C manufactured by Nissan Chemical Industries, silica content 20% by weight) and 10 parts by weight of polyvinyl alcohol (PVA217 manufactured by Kuraray). A solution prepared by mixing 1 part by weight of a 1% by weight aqueous solution and 11 parts by weight of distilled water was prepared by stirring for 30 minutes.
【００６１】（Ｄ．クラック層形成用塗布液（ｂ）の調
製）アンチモン複酸化物微粒子水溶液（日産化学工業製
ＣＸ−Ｚ３００Ｈ、アンチモン複酸化物分３０重量
％）を７重量部及び、ポリビニルアルコール（クラレ製
ＰＶＡ２１７）の１０重量％水溶液を１重量部、及び
蒸留水を１０重量部の割合で混合した溶液を３０分間攪
拌して調製した。(D. Preparation of coating liquid (b) for forming crack layer) 7 parts by weight of an antimony complex oxide fine particle aqueous solution (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., CX-Z300H, antimony complex oxide content: 30% by weight) and polyvinyl alcohol. A solution prepared by mixing 1 part by weight of a 10% by weight aqueous solution of (PVA217 manufactured by Kuraray) and 10 parts by weight of distilled water was prepared by stirring for 30 minutes.
【００６２】（Ｅ．評価方法）表面抵抗は、三菱化学
（株）製の表面抵抗計ロレスタＡＰ（ＭＣＰ−Ｔ４０
０）を用い測定した。可視光透過率測定は、反射・透過
率計（村上色彩技術研究所製 ＨＲ−１００）を用い測
定した。(E. Evaluation method) The surface resistance is a surface resistance meter Loresta AP (MCP-T40 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
0) was used for measurement. The visible light transmittance was measured using a reflection / transmittance meter (HR-100 manufactured by Murakami Color Research Laboratory).
【００６３】＜実施例１＞ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡績製 Ａ４３００）上に、
ディップコート法により、乾燥後の膜厚が２０μｍとな
るよう多孔質層形成用塗布液を塗布せしめ、１２０℃で
１分間乾燥させ、多孔質層を形成した。なお、この多孔
質層の溶媒吸収量は、１０ｃｃ／ｍ2であった。この多
孔質層上に、ディップコート法により、乾燥後の膜厚が
４μｍとなるようクラック層形成用塗布液（ａ）を塗布
せしめ、１２０℃で１分間乾燥させ、クラック層を形成
した。このクラック層表面を光学顕微鏡により観察した
ところ、塗布面の全面に、線幅０．５〜１．０μｍ、開
口部が３０μｍ×３０μｍ〜７０μｍ×７０μｍのクラ
ックを有していることがわかった。さらにこのクラック
層上に銀微粒子水溶液をワイヤーバーコート法により、
ウェット膜厚で７μｍとなるよう塗布せしめた後、１２
０℃で１分間乾燥させ、その後、表面を綿布により拭き
取ることにより、導電メッシュ付き透光性シートを作成
することができた。この導電メッシュ付き透光性シート
の表面抵抗値は３０Ω／□、可視光透過率は８０％であ
った。また、目視ではメッシュ構造の確認ができなかっ
た。Example 1 On a polyethylene terephthalate (PET) film (A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd.),
A coating solution for forming a porous layer was applied by a dip coating method so that the film thickness after drying was 20 μm, and dried at 120 ° C. for 1 minute to form a porous layer. The solvent absorption of this porous layer was 10 cc / m 2 . The crack layer-forming coating liquid (a) was applied onto the porous layer by a dip coating method so that the film thickness after drying was 4 μm, and dried at 120 ° C. for 1 minute to form a crack layer. When the surface of the crack layer was observed with an optical microscope, it was found that the entire coated surface had cracks having a line width of 0.5 to 1.0 μm and openings of 30 μm × 30 μm to 70 μm × 70 μm. Furthermore, an aqueous silver fine particle solution is applied to the crack layer by a wire bar coating method,
After applying so that the wet film thickness is 7 μm, 12
A transparent sheet with a conductive mesh could be prepared by drying at 0 ° C. for 1 minute and then wiping the surface with a cotton cloth. The translucent sheet with a conductive mesh had a surface resistance value of 30 Ω / □ and a visible light transmittance of 80%. Moreover, the mesh structure could not be visually confirmed.
【００６４】＜実施例２＞ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡績製 Ａ４３００）上に、
ディップコート法により、乾燥後の膜厚が２０μｍとな
るよう多孔質層形成用塗布液を塗布せしめ、１２０℃で
１分間乾燥させ、多孔質層を形成した。なお、この多孔
質層の溶媒吸収量は、１０ｃｃ／ｍ2であった。この多
孔質層上に、ディップコート法により、乾燥後の膜厚が
６μｍとなるようクラック層形成用塗布液（ｂ）を塗布
せしめ、１２０℃で１分間乾燥させ、クラック層を形成
した。このクラック層表面を光学顕微鏡により観察した
ところ、塗布面の全面に、線幅２．０〜３．０μｍ、開
口部が５０μｍ×５０μｍ〜１００μｍ×１００μｍの
クラックを有していることがわかった。さらにこのクラ
ック層上に銀微粒子水溶液をワイヤーバーコート法によ
り、ウェット膜厚で７μｍとなるよう塗布せしめた後、
１２０℃で１分間乾燥させ、その後、表面を綿布により
拭き取ることにより、導電メッシュ付き透光性シートを
作成することができた。この導電メッシュ付き透光性シ
ートの表面抵抗値は５Ω／□、可視光透過率は５０％で
あった。また、目視ではメッシュ構造の確認ができなか
った。Example 2 On a polyethylene terephthalate (PET) film (A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd.),
A coating solution for forming a porous layer was applied by a dip coating method so that the film thickness after drying was 20 μm, and dried at 120 ° C. for 1 minute to form a porous layer. The solvent absorption of this porous layer was 10 cc / m 2 . The crack layer-forming coating liquid (b) was applied onto the porous layer by a dip coating method so that the film thickness after drying was 6 μm, and dried at 120 ° C. for 1 minute to form a crack layer. When the surface of the crack layer was observed with an optical microscope, it was found that the entire coated surface had cracks with a line width of 2.0 to 3.0 μm and openings of 50 μm × 50 μm to 100 μm × 100 μm. Further, after applying an aqueous solution of silver fine particles on the crack layer by a wire bar coating method so as to have a wet film thickness of 7 μm,
By drying at 120 ° C. for 1 minute and then wiping the surface with a cotton cloth, a translucent sheet with a conductive mesh could be prepared. The translucent sheet with a conductive mesh had a surface resistance value of 5Ω / □ and a visible light transmittance of 50%. Moreover, the mesh structure could not be visually confirmed.
【００６５】[0065]
【発明の効果】本発明によれば、導電性が良好であり、
メッシュ状の導電部が微細なため目視困難、すなわち視
認性良好であり、可視光透過性が良好である導電膜を提
供可能としている。さらには、該導電膜の、安価および
簡便な製造方法の提供も可能としている。According to the present invention, the conductivity is good,
Since the mesh-shaped conductive portion is fine, it is difficult to see, that is, the visibility is good, and it is possible to provide a conductive film having good visible light transmittance. Further, it is possible to provide an inexpensive and simple manufacturing method of the conductive film.
【００６６】[0066]
【図１】本発明の導電膜の１例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a conductive film of the present invention.
【図２】本発明の導電膜の１例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an example of a conductive film of the present invention.
１ 導電性物質 ２ クラック層 ３ 基材 ３ａ 支持体 ３ｂ 多孔質層 1 Conductive substance 2 crack layer 3 base materials 3a support 3b porous layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｍ 14/00 Ｐ // Ｈ０１Ｍ 14/00 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ Ｍ Ｆターム(参考） 4F100 AA17B AA19B AA20B AA21B AA25B AA28B AA29B AB01B AB02B AB10B AB13B AB15B AB16B AB17B AB18B AB21B AB22B AB23B AB24B AK12B AK25B AT00A BA02 BA07 DD02B DE01B GB90 JG01 JG01B JN01 YY00B 5F051 CB13 CB27 FA02 FA03 FA04 FA06 FA10 GA03 5G307 FA01 FA02 FB01 FB02 FC03 FC09 5G323 BA01 BA02 BB02 BC01 CA02 5H032 AA06 AS06 AS16 BB02 BB05 CC11 EE02 EE07 HH01 HH04 HH07 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 31/04 H01M 14/00 P // H01M 14/00 H01L 31/04 HM F term (reference) 4F100 AA17B AA19B AA20B AA21B AA25B AA28B AA29B AB01B AB02B AB10B AB13B AB15B AB16B AB17B AB18B AB21B AB22B AB23B AB24B AK12B AK25B AT00A BA02 BA07 DD02B DE01B GB90 JG01 JG01B JN01 YY00B 5F051 CB13 CB27 FA02 FA03 FA04 FA06 FA10 GA03 5G307 FA01 FA02 FB01 FB02 FC03 FC09 5G323 BA01 BA02 BB02 BC01 CA02 5H032 AA06 AS06 AS16 BB02 BB05 CC11 EE02 EE07 HH01 HH04 HH07
Claims (9)
０μｍ以下であるメッシュ状のクラックを有するクラッ
ク層と、前記クラックの溝内部に充填された導電性物質
とからなり、可視光透過率が３０％以上であることを特
徴とする導電膜。1. A base material and a groove width formed on the base material of 1.
A conductive film comprising a crack layer having a mesh-like crack having a size of 0 μm or less and a conductive substance filled in the groove of the crack, and having a visible light transmittance of 30% or more.
粒子を、５０重量％以上の含有率であることを特徴とす
る請求項１記載の導電膜。2. The conductive film according to claim 1, wherein the crack layer has a content of fine particles having a particle diameter of 10 μm or less of 50% by weight or more.
酸化珪素微粒子、酸化アルミ微粒子、酸化チタン微粒
子、インジウム／錫酸化物微粒子、酸化亜鉛微粒子、酸
化アンチモン微粒子、アクリル樹脂を含む樹脂微粒子お
よびスチレン樹脂を含む樹脂微粒子よりなる群から選ば
れた１種、もしくは２種以上の混合物であることを特徴
とする請求項２記載の導電膜。3. The fine particles contained in the crack layer,
One selected from the group consisting of silicon oxide fine particles, aluminum oxide fine particles, titanium oxide fine particles, indium / tin oxide fine particles, zinc oxide fine particles, antimony oxide fine particles, resin fine particles containing acrylic resin, and resin fine particles containing styrene resin, Alternatively, the conductive film according to claim 2, which is a mixture of two or more kinds.
属および／または金属酸化物微粒子が５０重量％以上の
含有率であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
一に記載の導電膜。4. The conductive material according to claim 1, wherein the content of the metal and / or metal oxide fine particles having a particle size of 5 μm or less is 50% by weight or more. The conductive film described.
が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｐ
ｄ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｐｔ、ＡｇおよびＡｕよ
りなる群から選ばれるいずれか１種、あるいは２種類以
上の合金、またはそれらの混合物であることを特徴とす
る請求項４記載の導電膜。5. The metal species of the metal and metal oxide fine particles are Fe, Co, Ni, Cr, Al, In, Zn, P.
The conductive material according to claim 4, which is any one kind selected from the group consisting of d, Sb, Sn, Pb, Cu, Pt, Ag and Au, or an alloy of two or more kinds, or a mixture thereof. film.
が、１ｃｃ／ｍ2以上であることを特徴とする請求項１
〜５のいずれか一に記載の導電膜。6. The solvent absorption amount per unit area of the base material is 1 cc / m 2 or more.
5. The conductive film according to any one of 5 to 5.
ｍ以下の微粒子を含んだ塗液を塗布後、乾燥及び／また
は硬化させることにより、溝幅が１０μｍ以下のメッシ
ュ状のクラックを有するクラック層を形成する工程、つ
いで導電性物質を含んだ溶液、分散液またはペースト
を、クラック層表面に湿式塗布し、乾燥及び／または硬
化させることにより、該クラック層のメッシュ状クラッ
クの溝内部に導電性物質を充填する工程、を有すること
を特徴とする導電膜の製造方法。7. A particle size of 10 μm is formed on a substrate by a wet coating method.
a step of forming a crack layer having a mesh-shaped crack having a groove width of 10 μm or less by applying and then curing a coating solution containing fine particles of m or less, then a solution containing a conductive substance, A step of filling a conductive material into the groove of the mesh-like cracks in the crack layer by wet-coating the dispersion or paste on the surface of the crack layer, and drying and / or curing the conductive material. Membrane manufacturing method.
ｍ以下の微粒子を含んだ塗液を塗布後、乾燥及び／また
は硬化させることにより、溝幅が１０μｍ以下のメッシ
ュ状のクラックを有するクラック層を形成する工程、つ
いで導電性物質を含んだ溶液、分散液またはペースト
を、クラック層表面に湿式塗布し、乾燥及び／または硬
化させることにより、該クラック層のメッシュ状クラッ
クの溝内部に導電性物質を充填後、溝内部以外の導電性
物質を物理的及び／または化学的に取り除く工程、を有
することを特徴とする導電膜の製造方法。8. A particle size of 10 μm is applied on a substrate by a wet coating method.
a step of forming a crack layer having a mesh-shaped crack having a groove width of 10 μm or less by applying and then curing a coating solution containing fine particles of m or less, then a solution containing a conductive substance, The dispersion or paste is wet-coated on the surface of the crack layer, dried and / or cured to fill the inside of the groove of the mesh crack of the crack layer with a conductive substance, and then the conductive substance other than the inside of the groove is physically removed. And / or chemically removing the conductive film.
が、１ｃｃ／ｍ2以上であることを特徴とする請求項７
または８に記載の導電膜の製造方法。9. The substrate has a solvent absorption amount per unit area of 1 cc / m 2 or more.
Alternatively, the method for manufacturing a conductive film according to Item 8.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002132451A JP4273702B2 (en) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | Manufacturing method of conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002132451A JP4273702B2 (en) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | Manufacturing method of conductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003331654A true JP2003331654A (en) | 2003-11-21 |
| JP4273702B2 JP4273702B2 (en) | 2009-06-03 |
Family
ID=29696039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002132451A Expired - Fee Related JP4273702B2 (en) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | Manufacturing method of conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4273702B2 (en) |
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|---|---|
| JP4273702B2 (en) | 2009-06-03 |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 3 |
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