JP2003323813A

JP2003323813A - 回路接続材料及びそれを用いた回路端子の接続構造

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Publication number: JP2003323813A
Application number: JP2002122699A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Arifuku; 征宏有福; Itsuo Watanabe; 伊津夫渡辺; Yasushi Goto; 泰史後藤; Koji Kobayashi; 宏治小林; Mitsugi Fujinawa; 貢藤縄; Kazuyoshi Kojima; 和良小島; Takashi Nakazawa; 孝中澤
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2002-02-28
Filing date: 2002-04-24
Publication date: 2003-11-14
Anticipated expiration: 2022-04-24
Also published as: JP4154919B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】電気・電子用の回路接続材料とそれを用いた回
路端子の接続構造を提供する。【解決手段】（ａ）導電粒子の直径；５μｍ以上、７μ
ｍ未満の時、導電粒子の硬度が１．９６１ＧＰａ（200k
gf/mm2）〜５．８８４ＧＰａ（600kg/mm2）の範囲、
（ｂ）導電粒子の直径；４μｍ以上５μｍ未満の時、導
電粒子の硬度が２．９４２ＧＰａ（300kgf/mm2）〜６．
３７４ＧＰａ（650kg/mm2）の範囲、（ｃ）導電粒子の
直径；３μｍ以上、４μｍ未満の時、導電粒子の硬度が
３．９２３ＧＰａ（400kgf/mm2）〜６．８６５ＧＰａ
（700kg/mm2）の範囲、（ｄ）導電粒子の直径；２μｍ
以上、３μｍ未満の時、導電粒子の硬度が４．４１３Ｇ
Ｐａ（450kgf/mm2）〜８．３３６ＧＰａ（850kg/mm2）
の範囲、（ｅ）導電粒子の直径；１μｍ以上、２μｍ未
満の時、導電粒子の硬度が４．９０３ＧＰａ（500kgf/m
m2）〜９．８０７ＧＰａ（1000kg/mm2）の範囲、の関係
にある回路接続材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路接続材料及び
回路接続材料を相対峙する回路電極間に介在させ、相対
向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接
続する回路端子の接続構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶ディスプレイとＴＣＰ又はＦ
ＰＣとＴＣＰとの接続、ＦＰＣとプリント配線板との接
続には接着剤中に導電性粒子を分散させた異方導電性接
着剤が使用されている。また、最近では、半導体シリコ
ンチップを基板に実装する場合でも、従来のワイヤーボ
ンドではなく、半導体シリコンチップをフェイスダウン
で基板に直接実装するいわゆるフリップチップ実装が行
われており、ここでも異方導電性接着剤の適用が開始さ
れている（特開昭５９−１２０４３６号、特開昭６０−
１９１２２８号、特開平１−２５１７８７号、特開平７
−９０２３７号公報）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、電子機器の小型
化、薄型化に伴い、回路の高密度化が進んでおり、電極
の間隔や電極幅が非常に狭くなっている。この電極の断
面が狭くなっていることにより回路の抵抗が高くなり、
従来の導電粒子を含む回路接続部材を用いて高密度回路
の接続を行った場合、回路全体の抵抗が高くなりすぎ、
電子機器が正常に動作しない場合がある。また、半導体
チップの接続に関しても、接続に用いられるバンプが小
さくなりバンプ間も非常に狭くなってきている。一般に
導電性粒子を含む回路接続材料を使用して、相対向する
回路を接続する場合、接続抵抗を小さくするためには、
回路またはバンプ上には導電性粒子が１個以上あること
が必要である。しかしながら、回路間の幅やバンプ間の
間隔が狭くなった場合でも回路上に必要とされる数の導
電性粒子を配置するためには、回路接続材料中に含まれ
る導電粒子数を増加させる必要があるが、こうすると回
路間に存在する導電性粒子数も増えてしまうために、絶
縁性が低下する問題がある。このような問題を解決する
ために、導電性粒子の周りを絶縁性樹脂で被覆して粒子
同士が回路間で接触しても絶縁性が保たれるような工夫
がなされている（特開昭６２-４０１８３号公報）。し
かしながら、これらの導電粒子を絶縁樹脂で被覆する方
法では完全に被覆することが困難で、導電性部分が露出
しているため回路スペース間が狭くなったときに絶縁性
の確保が困難になっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、相対向する
高密度回路の接続において良好な電気的接続が得られ、
かつ、従来の回路の接続に対しても良好な電気的接続が
可能な電気・電子用の回路接続材料とそれを用いた回路
端子の接続構造を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］導電粒
子を含有する回路接続材料であって、導電粒子の直径と
硬度が下記の（ａ）から（ｅ）の関係にあることを特徴
とする回路接続材料である。（ａ）導電粒子の直径；５μｍ以上、７μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が１．９６１ＧＰａ（200kgf/mm²）〜
５．８８４ＧＰａ（600kg/mm²）の範囲、（ｂ）導電粒子の直径；４μｍ以上、５μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が２．９４２ＧＰａ（300kgf/mm²）〜
６．３７４ＧＰａ（650kg/mm²）の範囲、（ｃ）導電粒子の直径；３μｍ以上、４μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が３．９２３ＧＰａ（400kgf/mm²）〜
６．８６５ＧＰａ（700kg/mm²）の範囲、（ｄ）導電粒子の直径；２μｍ以上、３μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が４．４１３ＧＰａ（450kgf/mm²）〜
８．３３６ＧＰａ（850kg/mm²）の範囲、（ｅ）導電粒子の直径；１μｍ以上、２μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が４．９０３ＧＰａ（500kgf/mm²）〜
９．８０７ＧＰａ（1000kg/mm²）の範囲。また、本発明は、［２］導電粒子を含有する回路接続材
料であって、その導電粒子が有機高分子からなる核体に
銅、ニッケル又はニッケル合金、若しくは銀又は銀合金
をメッキしたものであり、銅、ニッケル又はニッケル合
金、若しくは銀又は銀合金メッキの厚みが５００〜１５
００Åである上記［１］に記載の回路接続材料である。
また、本発明は、［３］導電粒子の最外層に金またはパ
ラジウムを設けた導電粒子であり、金またはパラジウム
の厚みが１５０〜７００Åである上記［１］または上記
［２］に記載の回路接続材料である。また、本発明は、
［４］（１）エポキシ樹脂、（２）エポキシ樹脂の潜在
性硬化剤を必須成分として含有する上記［１］ないし上
記［３］のいずれかに記載の回路接続材料である。ま
た、本発明は、［５］（３）加熱により遊離ラジカルを
発生する硬化剤、（４）ラジカル重合性物質を必須成分
として含有する上記［１］ないし上記［３］のいずれか
に記載の回路接続材料である。また、本発明は、［６］
回路接続材料の硬化後の４０℃での弾性率が５００〜３
０００ＭＰａであり、かつ、回路接続材料の硬化後のガ
ラス転移温度（Ｔｇ）が６０〜２００℃である上記
［１］ないし上記［５］のいずれかに記載の回路接続材
料である。また、本発明は、［７］上記［１］ないし上
記［３］のいずれかに記載の導電粒子を少なくとも２種
類用いることを特徴とする上記［１］ないし上記［６］
のいずれかに記載の回路接続材料である。また、本発明
は、［８］さらに、フィルム形成材を含有する上記
［４］ないし上記［７］のいずれかに記載の回路接続材
料である。また、本発明は、［９］フィルム形成材がフ
ェノキシ樹脂である上記［８］記載の回路接続材料であ
る。さらに、本発明は、［１０］第一の接続端子を有す
る第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回
路部材とが、第一の接続端子と第二の接続端子を対向し
て配置し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接
続端子の間に上記［１］ないし上記［９］のいずれかに
記載の回路接続材料を介在させ、加熱加圧して前記対向
配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接
続した回路端子の接続構造である。また、本発明は、
［１１］上記［１０］に記載の接続構造において、対向
配置した第一の接続端子と第二の接続端子のうち少なく
とも一方の接続端子の面積が１５０００μｍ^２以下であ
り、かつ、第一の接続端子と第二の接続端子の間に存在
する導電粒子数が３個以上である上記［１０］に記載の
回路端子の接続構造である。また、本発明は、［１２］
少なくとも一方の接続端子の表面が金、銀、錫、白金族
の金属、インジュウム−錫酸化物（ＩＴＯ）から選ばれ
る少なくとも一種で構成される上記［１０］または上記
［１１］に記載の回路端子の接続構造である。また、本
発明は、［１３］少なくとも一方の接続端子を支持する
基板が有機絶縁物質、ガラス、シリコンから選ばれる少
なくとも一種である上記［１０］ないし上記［１２］の
いずれかに記載の回路端子の接続構造である。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明に用いる導電粒子の硬度
は、メッキされている場合、メッキ後の導電粒子を微少
圧縮試験器（株式会社島津製作所製）を用いて、導電粒
子の直径から導電粒子を１０％変形させたときの加重Ｐ
（ＭＰａ，Ｋｇｆ）と導電粒子の半径ｒ（ｍｍ）、圧縮
の際の変位Δ（ｍｍ）から式１により求めることが出来
る。

【数１】導電粒子硬度＝（３／√２）×Ｐ×Δ^{（−３／２）}×ｒ^{（−１／２）}・・式１

【０００７】本発明の回路接続材料にて対向する回路間
を電気的に接続する際、その接続抵抗は回路間に存在す
る導電粒子数と、回路と接している導電粒子の面積に依
存し、この面積は導電粒子の扁平率によって変化する。
回路間に存在する導電粒子数が多いほど接続抵抗は低く
なり、導電粒子の扁平率が大きくなるほど回路と接して
いる導電粒子の面積が広くなるため接続抵抗が低くな
る。ここで、回路間に存在する導電粒子数は回路接続材
料に配合する導電粒子量に依存し、導電粒子の扁平率は
導電粒子の硬度に依存する。所定体積に含まれる導電粒
子の個数は導電粒子の径が小さくなるほど多くなるた
め、接続に寄与する導電粒子数は多くなる。このため導
電粒子の径に対して良好な接続抵抗が得られる導電粒子
の硬度は異なり、（ａ）導電粒子直径；５μｍ以上、７μｍ未満の時、導
電粒子の硬度が１．９６１ＧＰａ（200kgf/mm²）〜５．
８８４ＧＰａ（600kg/mm²）の範囲にある。（ｂ）導電粒子の直径；４μｍ以上、５μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が２．９４２ＧＰａ（300kgf/mm²）〜
６．３７４ＧＰａ（650kg/mm²）の範囲ある。（ｃ）導電粒子の直径；３μｍ以上、４μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が３．９２３ＧＰａ（400kgf/mm²）〜
６．８６５ＧＰａ（700kg/mm²）の範囲にある。（ｄ）導電粒子の直径；２μｍ以上、３μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が４．４１３ＧＰａ（450kgf/mm²）〜
８．３３６ＧＰａ（850kg/mm²）の範囲にある。（ｅ）導電粒子の直径；１μｍ以上、２μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が４．９０３ＧＰａ（500kgf/mm²）〜
９．８０７ＧＰａ（1000kg/mm²）の範囲にある。上記の導電粒子の直径と硬度の関係を満たす導電粒子を
用いることで、良好な接続抵抗が得られる。導電粒子の
硬度が、上記、各導電粒子の直径における硬度の最小値
を下回った場合、導電粒子の復元力が弱く、高温高湿試
験等の信頼性試験後に接続抵抗が上昇してしまうため好
ましくない。また、導電粒子の硬度が、上記、各導電粒
子直径における硬度の最大値を上回った場合、十分な導
電粒子の扁平が得られないため、接触面積の減少等によ
り高温高湿試験等の信頼性試験後に接続抵抗が上昇して
しまうため好ましくない。導電粒子の硬度は導電粒子の
核体の硬度にほぼ支配される。導電粒子の硬度は核体を
構成する分子の構造とその架橋点間距離、架橋度に依存
する。ベンゾグアナミン等は分子中に剛直な構造を有
し、その架橋点間距離も短いため、ベンゾグアナミン等
の分子が核体を構成する分子に占める割合が高くなるほ
ど、硬い導電粒子が得られ、また、導電粒子の核体の架
橋度を高くすることで硬い導電粒子が得られる。アクリ
ル酸エステル、ジアリルフタレート等は架橋点間距離が
長くなるため、アクリル酸エステル、ジアリルフタレー
ト等の分子が核体を構成する分子に占める割合が高くな
るほど柔らかい導電粒子が得られ、また、架橋度を低く
することで柔らかい導電粒子を得ることが出来る。

【０００８】本発明で用いる導電粒子は、有機高分子か
らなる直径１〜７μｍの核体に銅、ニッケル又はニッケ
ル合金を無電解メッキ法にてメッキすることで得ること
が出来る。また、有機高分子からなる直径１〜７μｍの
核体に銀又は銀合金メッキを無電解メッキ法にてメッキ
することで得ることが出来る。銅、ニッケル等または銀
等のメッキ厚みは５００〜１７００Åにおいて良好な接
続抵抗が得られ、より好ましくは５００〜１５００Åで
ある。メッキ厚みが５００Å未満ではメッキの欠損等が
発生し、１７００Åを超えると粒子間で凝結が発生しや
すくなる。また、銅、ニッケル等、銀等の上に最外層と
して金またはパラジウムを置換メッキすることで、より
良好な接続抵抗が得られる。ここで、ニッケル合金は、
メッキ浴中に配合される添加剤により種々のものがあ
り，よく知られているのはニッケル−リン、ニッケル−
ホウ素からなる合金等である。その他の合金も同じであ
り主成分の原子を示してある。導電粒子の最外層に金ま
たはパラジウムをメッキする場合、銅、ニッケル等、銀
等のメッキ厚みは７００〜１７００Åにおいて好適にメ
ッキをすることができる。導電粒子の最外層に金または
パラジウムをメッキする場合、金またはパラジウムメッ
キ厚は１５０〜７００Åにおいて良好な接続抵抗が得ら
れる。メッキ厚が１５０オングストローム未満の場合に
はメッキの欠損により十分な効果が得ることが出来な
い。また、７００オングストローム以上のメッキをして
も良好な接続抵抗は得られるが、必要なメッキ液量が相
乗的に増加するため非常に製造コストが高くなる。

【０００９】本発明に用いる導電粒子の核体は有機高分
子であれば特に制限されないが、アクリル樹脂、スチレ
ン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
ブタジエン樹脂及びこれらの共重合体、また、これらを
架橋したものを好適に使用することが出来る。導電粒子
は、接着剤樹脂成分１００体積部に対して０．１〜３０
体積部の範囲で用途により使い分ける。過剰な導電粒子
による隣接回路の短絡等を防止するためには０．１〜１
０体積部とするのがより好ましい。

【００１０】本発明に用いる（３）加熱により遊離ラジ
カルを発生する硬化剤としては、過酸化化合物、アゾ系
化合物などの加熱により分解して遊離ラジカルを発生す
るものであり、目的とする接続温度、接続時間、ポット
ライフ等により適宜選定されるが、高反応性とポットラ
イフの点から、半減期１０時間の温度が４０℃以上、か
つ、半減期１分の温度が１８０℃以下の有機過酸化物が
好ましく、半減期１０時間の温度が６０℃以上、かつ、
半減期１分の温度が１７０℃以下の有機過酸化物が好ま
しい。接続時間を２５秒以下とした場合、硬化剤の配合
量は十分な反応率を得るために２〜１０重量部程度とす
るのが好ましく４〜８重量部がより好ましい。配合量
は、ラジカル重合性物質と必要により配合されるフィル
ム形成材との和１００重量部に対し０．０５〜２０重量
部が好ましく、０．１〜１０重量部がより好ましい。

【００１１】硬化剤は、ジアシルパーオキサイド、パー
オキシジカーボネート、パーオキシエステルパーオキシ
ケタール、ジアルキルパーオキサイド、ハイドロパーオ
キサイド、シリルパーオキサイドなどから選定できる。
また、回路部材の接続端子の腐食を押さえるために、硬
化剤中に含有される塩素イオンや有機酸は５０００ｐｐ
ｍ以下であることが好ましく、さらに、加熱分解後に発
生する有機酸が少ないものがより好ましい。具体的に
は、パーオキシエステル、ジアルキルパーオキサイド、
ハイドロパーオキサイド、シリルパーオキサイドから選
定され、高反応性が得られるパーオキシエステルから選
定されることがより好ましい。上記硬化剤は、適宜混合
して用いることができる。

【００１２】パーオキシエステルとして、クミルパーオ
キシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチル
ブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシ
ル−１−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、ｔ
−ヘキシルパーオキシネオデカノデート、ｔ−ブチルパ
ーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブ
チルパーオキシ２−エチルヘキサノネート、２，５−ジ
メチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキ
シ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチル
パーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ヘキシル
パーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパ
ーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパー
オキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパー
オキシ）シクロヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソ
プロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−
３，５，５−トリメチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパ
ーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ
（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパ
ーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパ
ーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−
ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキ
シアセテート等が挙げられる。

【００１３】ジアルキルパーオキサイドとして、α，
α’ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベン
ゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブ
チルクミルパーオキサイド等が挙げられる。

【００１４】ハイドロパーオキサイドとして、ジイソプ
ロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイド
ロパーオキサイド等が挙げられる。

【００１５】ジアシルパーオキサイドとして、イソブチ
ルパーオキサイド、２，４―ジクロロベンゾイルパーオ
キサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオ
キサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパ
ーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニ
ックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、
ベンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。

【００１６】パーオキシジカーボネートとしては、ジ−
n−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピ
ルパーオキシジカーボネート、ビス（４−t−ブチルシ
クロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エ
トキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（２−エ
チルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシ
ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３
−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート等が挙げ
られる。

【００１７】パーオキシケタールとして、１，１−ビス
（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチル
シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキ
シ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオ
キシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，
１―（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２
−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）デカン等が挙げられ
る。

【００１８】シリルパーオキサイドとして、ｔ−ブチル
トリメチルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）
ジメチルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビニル
シリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニルシ
リルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニルシリ
ルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパーオ
キサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパーオキ
サイド、トリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオキサ
イド等が挙げられる。これらの遊離ラジカル発生剤は単
独又は混合して使用することができ、分解促進剤、抑制
剤等を混合して用いてもよい。また、これらの硬化剤を
ポリウレタン系、ポリエステル系の高分子物質等で被覆
してマイクロカプセル化したものは、可使時間が延長さ
れるために好ましい。

【００１９】本発明で用いる（４）ラジカル重合性物質
としては、ラジカルにより重合する官能基を有する物質
であり、アクリレート、メタクリレート、マレイミド化
合物、シトラコンイミド樹脂、ナジイミド樹脂等が挙げ
られる。ラジカル重合性物質はモノマー、オリゴマーい
ずれの状態で用いることが可能であり、モノマーとオリ
ゴマーを併用することも可能である。アクリレート（対
応するメタクリレートも含む、以下同じ）の具体例とし
ては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソ
プロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
ジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、２
−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，
２−ビス［４−（アクリロキシメトキシ）フェニル］プ
ロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシポリエトキ
シ）フェニル］プロパン、ジシクロペンテニルアクリレ
ート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アク
リロイロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアク
リレート等がある。これらは単独又は併用して用いるこ
とができ、必要によりハドロキノン、メチルエーテルハ
イドロキノン類などの重合禁止剤を適宜用いてもよい。
また、ジシクロペンテニル基及び／又はトリシクロデカ
ニル基および／またはトリアジン環を有する場合は、耐
熱性が向上するので好ましい。

【００２０】マレイミド化合物としては、分子中にマレ
イミド基を少なくとも２個以上含有するもので、例え
ば、１−メチル−２，４−ビスマレイミドベンゼン、
Ｎ，Ｎ’−m−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−p
−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−m−トルイレ
ンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ビフェニレンビ
スマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジメチ
ルビフェニレン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−
（３，３’−ジメチルジフェニルメタン）ビスマレイミ
ド、Ｎ，Ｎ’−４，４−（３，３’−ジエチルジフェニ
ルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェ
ニルメタンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−ジフェ
ニルプロパンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−３，３’−ジ
フェニルスルホンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−４，４−
ジフェニルエーテルビスマレイミド、２，２−ビス（４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−s−ブチル−４，８−（４−マレイ
ミドフェノキシ）フェニル）プロパン、１，１−ビス
（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）デカ
ン、４，４’−シクロヘキシリデン−ビス（１−（４−
マレイミドフェノキシ）−２−シクロヘキシルベンゼ
ン、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）
フェニル）ヘキサフルオロプロパンなどを挙げることが
できる。これらは単独でもまた組み合わせても使用でき
る。

【００２１】シトラコンイミド樹脂としては、分子中に
シトラコンイミド基を少なくとも１個有しているシトラ
コンイミド化合物を重合させたもので、シトラコンイミ
ド化合物としては、例えば、フェニルシトラコンイミ
ド、１−メチル−２，４−ビスシトラコンイミドベンゼ
ン、N,N'−m−フェニレンビスシトラコンイミド、N,N'
−p−フェニレンビスシトラコンイミド、N,N'−４，４
−ビフェニレンビスシトラコンイミド、N,N'−４，４−
（３，３−ジメチルビフェニレン）ビスシトラコンイミ
ド、N,N'−４，４−（３，３−ジメチルジフェニルメタ
ン）ビスシトラコンイミド、N,N'−４，４−（３，３−
ジエチルジフェニルメタン）ビスシトラコンイミド、N,
N'−４，４−ジフェニルメタンビスシトラコンイミド、
N,N'−４，４−ジフェニルプロパンビスシトラコンイミ
ド、N,N'−４，４−ジフェニルエーテルビスシトラコン
イミド、N,N'−４，４−ジフェニルスルホンビスシトラ
コンイミド、２，２−ビス（４−（４−シトラコンイミ
ドフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３
−ｓ−ブチル−３，４−（４−シトラコンイミドフェノ
キシ）フェニル）プロパン、１，１−ビス（４−（４−
シトラコンイミドフェノキシ）フェニル）デカン、４，
４'−シクロヘキシリデン−ビス（１−（４−シトラコ
ンイミドフェノキシ）フェノキシ）−２−シクロヘキシ
ルベンゼン、２，２−ビス（４−（４−シトラコンイミ
ドフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパンなど
が有り、単独でも２種類以上を混合して使用しても良
い。

【００２２】ナジイミド樹脂としては、分子中にナジイ
ミド基を少なくとも１個有しているナジイミド化合物を
重合したもので、ナジイミド化合物としては、例えば、
フェニルナジイミド、１−メチル−２，４−ビスナジイ
ミドベンゼン、N,N'−m−フェニレンビスナジイミド、
N,N'−p−フェニレンビスナジイミド、N,N'−４，４−
ビフェニレンビスナジイミド、N,N'−４，４−（３，３
−ジメチルビフェニレン）ビスナジイミド、N,N'−４，
４−（３，３−ジメチルジフェニルメタン）ビスナジイ
ミド、N,N'−４，４−（３，３−ジエチルジフェニルメ
タン）ビスナジイミド、N,N'−４，４−ジフェニルメタ
ンビスナジイミド、N,N'−４，４−ジフェニルプロパン
ビスナジイミド、N,N'−４，４−ジフェニルエーテルビ
スナジイミド、N,N'−４，４−ジフェニルスルホンビス
ナジイミド、２，２−ビス（４−（４−ナジイミドフェ
ノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ｓ−
ブチル−３，４−（４−ナジイミドフェノキシ）フェニ
ル）プロパン、１，１−ビス（４−（４−ナジイミドフ
ェノキシ）フェニル）デカン、４，４'−シクロヘキシ
リデン−ビス（１−（４−ナジイミドフェノキシ）フェ
ノキシ）−２−シクロヘキシルベンゼン、２，２−ビス
（４−（４−ナジイミドフェノキシ）フェニル）ヘキサ
フルオロプロパンなどが有り、単独でも２種類以上を混
合して使用しても良い。

【００２３】また、上記のラジカル重合性物質に下式で
示されるリン酸エステル構造を有するラジカル重合性物
質を併用すると金属等の無機物表面での接着強度が向上
するので好ましい。この配合量はラジカル重合性物質と
必要により配合するフィルム形成材の和１００重量部に
対し０．０１から５０重量部用いるのが好ましく、０．
５〜５重量部がより好ましい。リン酸エステル構造を有
するラジカル重合性物質は、無水リン酸と２−ヒドロキ
シエチル（メタ）アクリレートの反応物として得られ
る。具体的には、モノ（２−メタクリロイルオキシエチ
ル）アシッドフォスフェート、ジ（２−メタクリロイル
オキシエチル）アシッドフォスフェート等がある。これ
らは単独でもまた組み合わせても使用できる。

【００２４】

【化１】本発明の回路接続材料にはアリル（メタ）アクリレート
も添加することができる。配合量は、ラジカル重合性物
質と必要により配合されるフィルム形成材との和１００
重量部に対し０．１〜１０重量部用いるのが好ましく、
０．５〜５重量部がより好ましい。

【００２５】本発明で用いる（１）エポキシ樹脂とし
て、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ
樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダント
イン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹
脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂等があり、これらのエポキ
シ樹脂は、ハロゲン化されていてもよく、水素添加され
ていてもよい。これらのエポキシ樹脂は、２種以上を併
用してもよい。

【００２６】本発明で用いる（２）エポキシ樹脂の潜在
性硬化剤として、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フ
ッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミ
ド、ジアミノマレオニトリル、メラミン及びその誘導
体、ポリアミンの塩、ジシアンジアミド等、及びこれら
の変成物があり、これらは単独あるいは２種以上の混合
体として使用できる。これらはアニオン又はカチオン重
合性の触媒型硬化剤であり、速硬化性を得やすく、また
化学当量的な考慮が少なくて良いことから好ましい。硬
化剤としては、その他にポリアミン類、ポリメルカプタ
ン、ポリフェノール、酸無水物等の重付加型の適用や前
記触媒型硬化剤との併用も可能である。アニオン重合型
の触媒型硬化剤としては、第３級アミン類やイミダゾー
ル類を配合したエポキシ樹脂は、１６０℃〜２００℃程
度の中温で数１０秒〜数時間程度の加熱により硬化する
ために可使時間（ポットライフ）が比較的長い。カチオ
ン重合型の触媒型硬化剤としては、エネルギー線照射に
より樹脂を硬化させる感光性オニウム塩、例えば、芳香
族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩等が主として
用いられる。また、エネルギー線照射以外に加熱によっ
ても活性化してエポキシ樹脂を硬化させるものとして、
脂肪族スルホニウム塩等がある。この種の硬化剤は速硬
化性という特徴を有することから好ましい。これらの硬
化剤をポリウレタン系、ポリエステル系等の高分子物質
や、ニッケル、銅等の金属薄膜及びケイ酸カルシウム等
の無機物で被覆してマイクロカプセル化したものは、可
使時間が延長できるため好ましい。

【００２７】本発明で用いるフィルム形成材しては、フ
ェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリアミド樹脂、キシレン樹脂、ポリウレタン樹脂
等が挙げられる。フィルム形成材とは、液状物を固形化
し、構成組成物をフィルム形状とした場合に、そのフィ
ルムの取扱いが容易で、容易に裂けたり、割れたり、べ
たついたりしない機械特性等を付与するものであり、通
常の状態でフィルムとしての取扱いができるものであ
る。フィルム形成材の中でも接着性、相溶性、耐熱性、
機械強度に優れることからフェノキシ樹脂が好ましい。
フェノキシ樹脂は２官能フェノール類とエピハロヒドリ
ンを高分子量まで反応させるか、又は２官能エポキシ樹
脂と２官能フェノール類を重付加させることにより得ら
れる樹脂である。具体的には、２官能フェノール類１モ
ルとエピハロヒドリン０．９８５〜１．０１５モルとを
アルカリ金属水酸化物等の触媒の存在下において非反応
性溶媒中で４０〜１２０℃の温度で反応させることによ
り得ることができる。また、樹脂の機械的特性や熱的特
性の点からは、特に２官能性エポキシ樹脂と２官能性フ
ェノール類の配合当量比をエポキシ基／フェノール水酸
基＝１／０．９〜１／１．１としアルカリ金属化合物、
有機リン系化合物、環状アミン系化合物等の触媒の存在
下で沸点が１２０℃以上のアミド系、エーテル系、ケト
ン系、ラクトン系、アルコール系等の有機溶剤中で反応
固形分が５０重量部以下で５０〜２００℃に加熱して重
付加反応させて得たものが好ましい。２官能エポキシ樹
脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニ
ルジグリシジルエーテル、メチル置換ビフェニルジグリ
シジルエーテルなどがある。２官能フェノール類は２個
のフェノール性水酸基を持つもので、例えば、ハイドロ
キノン類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビス
フェノールＡＤ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールフ
ルオレン、メチル置換ビスフェノールフルオレン、ジヒ
ドロキシビフェニル、メチル置換ジヒドロキシビフェニ
ル等のビスフェノール類などが挙げられる。フェノキシ
樹脂はラジカル重合性の官能基や、その他の反応性化合
物により変性されていてもよい。フェノキシ樹脂は、単
独で用いても、２種類以上を混合して用いてもよい。フ
ェノキシ樹脂はラジカル重合性の官能基または、エポキ
シ基により変性されていてもよい。

【００２８】本発明の回路接続材料には、アクリル酸、
アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルまたはアク
リロニトリルのうち少なくとも一つをモノマー成分とし
た重合体又は共重合体を使用することができ、グリシジ
ルエーテル基を含有するグリシジルアクリレートやグリ
シジルメタクリレートを含む共重合体系アクリルゴムを
併用した場合、応力緩和に優れるので好ましい。これら
アクリルゴムの分子量（重量平均）は接着剤の凝集力を
高める点から２０万以上が好ましい。さらに、ゴム微粒
子、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難
燃化剤、チキソトロピック剤、カップリング剤及びフェ
ノール樹脂やメラミン樹脂、イソシアネート類等を含有
することもできる。ゴム微粒子としては、粒子の平均粒
径が配合する導電性粒子の平均粒径の２倍以下であり、
且つ室温での弾性率が導電性粒子及び接着剤の室温での
弾性率の１／２以下であるものであれば材質形状等は特
に限定しない。特に、ゴム微粒子の材質がシリコーン、
アクリルエマルジョン、ＳＢＲ、ＮＢＲ、ポリブタジエ
ンゴム微粒子は単独、または２種以上を混合して好適に
用いることが出来る。また、３次元架橋したこれらゴム
微粒子は耐溶剤性が向上し、接着剤に微粒子を分散させ
やすくなるためより好ましい。充填剤を含有した場合、
接続信頼性等の向上が得られるので好ましい。充填剤の
最大径が導電粒子の粒径未満であれば使用でき、５〜６
０体積部（接着剤樹脂成分１００体積部に対して）の範
囲が好ましい。６０体積部を超えると信頼性向上の効果
が飽和することがあり、５体積部未満では添加の効果が
少ない。カップリング剤としてはビニル基、アクリル
基、エポキシ基及びイソシアネート基含有物が、接着性
の向上の点から好ましい。

【００２９】本発明の回路接続材料は、ＩＣチップとチ
ップ搭載基板との接着や電気回路相互の接着用のフィル
ム状接着剤として使用することもできる。すなわち、第
一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端
子を有する第二の回路部材とを第一の接続端子と第二の
接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接
続端子と第二の接続端子の間に本発明の接続材料（フィ
ルム状接着剤）を介在させ、加熱加圧して前記対向配置
した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接続さ
せることができる。このような回路部材としては半導体
チップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部
品、プリント基板等の基板等が用いられる。これらの回
路部材には接続端子が通常は多数（場合によっては単数
でもよい）設けられており、前記回路部材の少なくとも
１組をそれらの回路部材に設けられた接続端子の少なく
とも一部を対向配置し、対向配置した接続端子間に接着
剤を介在させ、加熱加圧して対向配置した接続端子同士
を電気的に接続して回路板とする。回路部材の少なくと
も１組を加熱加圧することにより、対向配置した接続端
子同士は、直接接触により又は回路接続材料中の導電粒
子を介して電気的に接続することができる。

【００３０】本発明の回路接続材料を用いて対向配置し
た第一の接続端子と第二の接続端子の接続を行う場合、
接続する端子間に存在する導電粒子数が３個以上であ
り、少なくとも一方の接続端子の面積が１５０００μｍ
^２以下の場合でも良好な接続をすることが出来る。接続
する端子間に存在する導電粒子数が６個以上の場合、よ
り低い接続抵抗が得られるためより好ましい。接続する
端子間に存在する導電粒子数が２個以下の場合には接続
抵抗が高くなりすぎ、正常に電子回路が動作しなくなる
おそれがある。

【００３１】本発明の回路接続材料の硬化後の４０℃で
の貯蔵弾性率は５００〜３０００ＭＰａが好ましく、７
００〜２０００ＭＰａの場合は、適当な凝集力が得ら
れ、かつ、回路端子間と回路接続材料界面の応力緩和に
よる高い接着強度が期待できるためより好ましい。ま
た、本発明の回路接続材料の硬化後のガラス転移温度は
６０〜２００℃、好ましくは６０〜１８０℃が好まし
く、６０℃未満の場合には高温における接着強度の低
下、接続抵抗の劣化が顕著になり、２００℃を超えて高
い場合には硬化条件が高温、長時間必要となるため内部
応力が増大することでクラックが発生する恐れがあり、
接続する回路端子との界面応力が大きくなるため接着強
度が低下する。

【００３２】本発明は、相対向する高密度回路の接続に
おいて良好な電気的接続が得られ、且つ従来の回路の接
続に対しても良好な電気的接続が可能な電気・電子用の
回路接続材料とそれを用いた回路端子の接続構造の提供
が可能となる。

【００３３】

【実施例】テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ジビニルベンゼン及びスチレンモノマーの混合比を
変えて、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを
用いて懸濁重合し、分級する事で目的の粒径で、硬度の
異なる導電粒子の核体を得た。得られた各核体を無電解
Niメッキ、若しくは無電解Agメッキした。メッキ処理の
際のメッキ液の仕込量、処理温度、時間によりメッキ厚
を変更し、目的の導電粒子１，３，８〜１０，１３〜１
５，１８，２１，２４を得た。また、Niメッキを行った
導電粒子にさらにAuを置換メッキすることで目的の導電
粒子２，４〜７，１１，１２，１６，１７，１９，２
０，２２，２３，２５，２６を得た。また、Niメッキを
行った導電粒子にさらにPdを置換メッキすることで目的
の導電粒子２７〜２９を得た。このようにして得た導電
粒子をまとめて表１に示した。

【００３４】

【表１】

【００３５】（実施例１）フェノキシ樹脂（ユニオンカ
ーバイド株式会社製、商品名ＰＫＨＣ、平均分子量４５
０００）５０ｇを、重量比でトルエン／酢酸エチル＝５
０／５０の混合溶剤に溶解して、固形分４０重量％の溶
液とした。固形重量比でフェノキシ樹脂３０ｇ、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂３０ｇ、エポキシ樹脂の潜在
性硬化剤としてノバキュア３９４１ＨＰＳ（イミダゾー
ル変性体を核とし、その表面をポリウレタンで被覆して
なる平均粒径５μｍのマイクロカプセル型硬化剤を、液
状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂中に分散したマスタ
ーバッチ型硬化剤、旭チバ株式会社製商品名）４０重量
部となるように配合し、導電粒子１を５体積部配合分散
させ、厚み８０μｍの片面を表面処理したＰＥＴフィル
ムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱風乾
燥により、接着剤層の厚みが２０μｍのフィルム状回路
接続材料１を得た。

【００３６】（実施例２）導電粒子に導電粒子２を用い
た他は実施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２
を得た。（実施例３）導電粒子に導電粒子３を用いた他は実施例
１と同様にしてフィルム状回路接続材料３を得た。（実施例４）導電粒子に導電粒子４を用いた他は実施例
１と同様にしてフィルム状回路接続材料４を得た。（実施例５）導電粒子に導電粒子５を用いた他は実施例
１と同様にしてフィルム状回路接続材料５を得た。（実施例６）導電粒子に導電粒子６を用いた他は実施例
１と同様にしてフィルム状回路接続材料６を得た。（実施例７）導電粒子に導電粒子７を用いた他は実施例
１と同様にしてフィルム状回路接続材料７を得た。（実施例８）導電粒子に導電粒子１を２．５体積部、導
電粒子２を２．５体積部配合分散させた以外は実施例１
と同様にしてフィルム状回路接続材料８を得た。

【００３７】（実施例９）（ウレタンアクリレートの合成）平均分子量８００のポ
リカプロラクトンジオール４００重量部と、２−ヒドロ
キシプロピルアクリレート１３１重量部、触媒としてジ
ブチル錫ジラウレート０．５重量部、重合禁止剤として
ハイドロキノンモノメチルエーテル１．０重量部を攪拌
しながら５０℃に加熱して混合した。次いで、イソホロ
ンジイソシアネート２２２重量部を滴下し更に攪拌しな
がら８０℃に昇温してウレタン化反応を行った。イソシ
アネート基の反応率が９９％以上になったことを確認
後、反応温度を下げてウレタンアクリレートを得た。

【００３８】加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤
としてｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネ
ートを用いた。固形重量比でフェノキシ樹脂５０ｇ、上
記で得られたウレタンアクリレート４９ｇ、リン酸エス
テル型アクリレート１ｇ、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２
−エチルヘキサノネート５ｇとなるように配合し、導電
粒子７を５体積部配合分散させ、厚み８０μｍの片面を
表面処理したＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フ
ィルムに塗工装置を用いて塗布し、７０℃、１０分の熱
風乾燥により、接着剤層の厚みが２０μｍのフィルム状
回路接続材料９を得た。

【００３９】（比較例１）導電粒子に導電粒子８を用い
た他は実施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１
０を得た。（比較例２）導電粒子に導電粒子９を用いた他は実施例
１と同様にしてフィルム状回路接続材料１１を得た。（比較例３）導電粒子に導電粒子１０を用いた他は実施
例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１２を得た。（比較例４）導電粒子に導電粒子１１を用いた他は実施
例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１３を得た。（比較例５）導電粒子に導電粒子１２を用いた他は実施
例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１４を得た。（比較例６）導電粒子に導電粒子１３を用いた他は実施
例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１５を得た。（比較例７）導電粒子に導電粒子１４を用いた他は実施
例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１６を得た。（比較例８）導電粒子に導電粒子１５を用いた他は実施
例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１７を得た。（比較例９）導電粒子に導電粒子１６を用いた他は実施
例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１８を得た。（比較例１０）導電粒子に導電粒子１７を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料１９を得
た。（比較例１１）導電粒子に導電粒子１８を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２０を得
た。（比較例１２）導電粒子に導電粒子１９を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２１を得
た。（比較例１３）導電粒子に導電粒子２０を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２２を得
た。（比較例１４）導電粒子に導電粒子２１を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２３を得
た。（比較例１５）導電粒子に導電粒子２２を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２４を得
た。（比較例１６）導電粒子に導電粒子２３を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２５を得
た。（比較例１７）導電粒子に導電粒子２４を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２６を得
た。（比較例１８）導電粒子に導電粒子２５を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２７を得
た。（比較例１９）導電粒子に導電粒子２６を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２８を得
た。（比較例２０）導電粒子１を２体積部配合した他は実施
例１と同様にしてフィルム状回路接続材料２９を得た。（比較例２１）導電粒子に導電粒子８を用いた他は実施
例９と同様にしてフィルム状回路接続材料３０を得た。

【００４０】（実施例１０）導電粒子に導電粒子２７を
用いた他は実施例１と同様にしてフィルム状回路接続材
料３１を得た。（比較例２２）導電粒子に導電粒子２８を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料３２を得
た。（比較例２３）導電粒子に導電粒子２９を用いた他は実
施例１と同様にしてフィルム状回路接続材料３３を得
た。

【００４１】（回路の接続）ライン幅９μｍ、ピッチ３
０μｍ、厚み８μｍの銅回路５００本をポリイミドフィ
ルム（厚み４０μｍ）上に形成したフレキシブル回路板
（２層ＦＰＣ）及び、ポリイミドとポリイミドと銅箔を
接着する接着剤及び厚み１８μｍの銅箔からなる３層構
成で、ライン幅７μｍ、ピッチ３０μｍのフレキシブル
回路板（３層ＦＰＣ）と、厚み１．１ｍｍのガラス上に
インジュウム−錫酸化物（ＩＴＯ）を蒸着により形成し
たＩＴＯ基板（表面抵抗＜２０Ω／□）を上記回路接続
材料を用い１８０℃、３ＭＰａで１０秒間加熱加圧して
幅１ｍｍにわたり接続して回路端子の接続構造体を得
た。このとき、あらかじめＩＴＯ基板上に、回路接続材
料の接着面を貼り付けた後、７０℃、０．５ＭＰａで５
秒間加熱加圧して仮接続し、その後、ＰＥＴフィルムを
剥離してもう一方のＦＰＣと接続した。

【００４２】（接続抵抗の測定）回路の接続後、上記接
続部を含むＦＰＣの隣接回路間の抵抗値を、初期と、８
０℃、９５％ＲＨの高温高湿槽中に１０００時間保持し
た後にマルチメータで測定した。抵抗値は隣接回路間の
抵抗１５０点の平均値に標準偏差を３倍した値の和（ｘ
＋３σ）で示した。

【００４３】（接続端子上に存在する導電粒子の計数）
回路の接続後、上記接続部の各接続端子に存在する導電
粒子数を計数した。接続端子上の導電粒子数は１５１端
子上に存在する導電粒子の平均で示した。得られた結果
を表２に示した。

【００４４】

【表２】

【００４５】実施例１〜１０は２層ＦＰＣ、３層ＦＰＣ
の接続において全て良好な接続抵抗を示し、８０℃、９
５％ＲＨ、１０００時間処理後の接続抵抗の上昇もほと
んどないことが分かる。一方、比較例１〜２３は初期接
続抵抗も高く、特に２層ＦＰＣ、３層ＦＰＣ（ピッチ３
０μｍ）の８０℃、９５％ＲＨ１０００時間処理後の
接続抵抗の上昇が顕著である。これは、比較例１、８、
１１、１４、１７は導電粒子のＮｉメッキ厚みが３００
Åと薄いため、回路接続時に導電粒子に圧力が加わった
際にＮｉメッキにひび割れが多数入り、接続抵抗が高く
なったと考えられる。また、高温高湿処理後にはＮｉメ
ッキのひびが拡大することでより接続抵抗が高くなった
と考えられる。比較例２、４、６、９、１２、１５、１
８、２２は導電粒子の硬度が柔らかすぎるため高温高湿
処理による、対向する回路端子間の距離の変動に追随で
きないためと考えられる。また、比較例３、５、７、１
０、１３、１６、１９、２１、２３は導電粒子が硬すぎ
るため、十分な導電粒子の扁平が得られないため、初期
接続抵抗から抵抗値が高めであり、かつ、高温高湿処理
による対向する回路端子間の距離の変動に追随できない
ためと考えられる。比較例２０は回路端子上に存在する
導電粒子数が１個のため端子の形状や高さバラツキの影
響を大きくうけ、接続抵抗、高温高湿処理後接続抵抗が
上昇したと推測される。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、相対向する高密度回路
の接続において良好な電気的接続が得られ、かつ、従来
の回路の接続に対しても良好な電気的接続が可能な電気
・電子用の回路接続材料及びそれを用いた回路端子の接
続構造の提供が可能となる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０９Ｊ 201/00 Ｃ０９Ｊ 201/00 Ｈ０１Ｂ 1/20 Ｈ０１Ｂ 1/20 ＢＤ (72)発明者小林宏治茨城県下館市大字五所宮1150番地日立化成工業株式会社五所宮事業所内 (72)発明者藤縄貢茨城県下館市大字五所宮1150番地日立化成工業株式会社五所宮事業所内 (72)発明者小島和良茨城県下館市大字五所宮1150番地日立化成工業株式会社五所宮事業所内 (72)発明者中澤孝茨城県下館市大字五所宮1150番地日立化成工業株式会社五所宮事業所内Ｆターム(参考） 4J040 DB032 DD072 EC001 EC061 EC071 EC091 EC261 ED002 EE062 EF002 EG002 FA132 KA12 KA16 KA32 LA06 LA09 MA02 NA19 5G301 DA02 DA05 DA10 DA11 DA42 DA57 DA60 DD03 DD08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電粒子を含有する回路接続材料であっ
て、導電粒子の直径と硬度が下記の（ａ）から（ｅ）の
関係にあることを特徴とする回路接続材料。（ａ）導電粒子の直径；５μｍ以上、７μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が１．９６１ＧＰａ（200kgf/mm²）〜
５．８８４ＧＰａ（600kg/mm²）の範囲、（ｂ）導電粒子の直径；４μｍ以上、５μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が２．９４２ＧＰａ（300kgf/mm²）〜
６．３７．４ＧＰａ（650kg/mm²）の範囲、（ｃ）導電粒子の直径；３μｍ以上、４μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が３．９２３ＧＰａ（400kgf/mm²）〜
６．８６５ＧＰａ（700kg/mm²）の範囲、（ｄ）導電粒子の直径；２μｍ以上、３μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が４．４１３ＧＰａ（450kgf/mm²）〜
８．３３６ＧＰａ（850kg/mm²）の範囲、（ｅ）導電粒子の直径；１μｍ以上、２μｍ未満の時、
導電粒子の硬度が４．９０３ＧＰａ（500kgf/mm²）〜
９．８０７ＧＰａ（1000kg/mm²）の範囲、
【請求項２】導電粒子を含有する回路接続材料であっ
て、その導電粒子が有機高分子からなる核体に銅、ニッ
ケル又はニッケル合金、若しくは銀又は銀合金をメッキ
したものであり、銅、ニッケル又はニッケル合金、若し
くは銀又は銀合金メッキの厚みが５００〜１５００Åで
ある請求項１に記載の回路接続材料。
【請求項３】導電粒子の最外層に金、またはパラジウ
ムを設けた導電粒子であり、金、またはパラジウムの厚
みが１５０〜７００Åである請求項１または請求項２に
記載の回路接続材料。
【請求項４】（１）エポキシ樹脂、（２）エポキシ樹
脂の潜在性硬化剤を必須成分として含有する請求項１な
いし請求項３のいずれかに記載の回路接続材料。
【請求項５】（３）加熱により遊離ラジカルを発生す
る硬化剤、（４）ラジカル重合性物質を必須成分として
含有する請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回
路接続材料。
【請求項６】回路接続材料の硬化後の４０℃での弾性
率が５００〜３０００ＭＰａであり、かつ、回路接続材
料の硬化後のガラス転移温度（Ｔｇ）が６０〜２００℃
である請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の回路
接続材料。
【請求項７】請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の導電粒子を少なくとも２種類用いることを特徴とす
る請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の回路接続
材料。
【請求項８】さらに、フィルム形成材を含有する請求
項４ないし請求項７のいずれかに記載の回路接続材料。
【請求項９】フィルム形成材がフェノキシ樹脂である
請求項８記載の回路接続材料。
【請求項１０】第一の接続端子を有する第一の回路部
材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とが、第
一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記
対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に請
求項１ないし請求項９のいずれかに記載の回路接続材料
を介在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続
端子と第二の接続端子を電気的に接続した回路端子の接
続構造。
【請求項１１】請求項１０に記載の回路端子の接続構
造において、対向配置した第一の接続端子と第二の接続
端子のうち少なくとも一方の接続端子の面積が１５００
０μｍ^２以下であり、かつ、第一の接続端子と第二の接
続端子の間に存在する導電粒子数が３個以上である請求
項１０に記載の回路端子の接続構造。
【請求項１２】少なくとも一方の接続端子の表面が
金、銀、錫、白金族の金属、インジュウム−錫酸化物
（ＩＴＯ）から選ばれる少なくとも一種で構成される請
求項１０または請求項１１に記載の回路端子の接続構
造。
【請求項１３】少なくとも一方の接続端子を支持する
基板が有機絶縁物質、ガラス、シリコンから選ばれる少
なくとも一種である請求項１０ないし請求項１２のいず
れかに記載の回路端子の接続構造。