JP2003322962A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射線に対する透明性が高く、また基板に対
する接着性およびパターンの裾形状も良好でパターン形
状に優れ、露光マージンが広く、しかも感度、解像度に
も優れる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）酸の作用によりアルカリ可溶性と
なるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤、並びに（Ｃ）特定のジカル
ボン酸エステルを含有することを特徴とする感放射線性
樹脂組成物を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＫｒＦエキシマレ
ーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ₂ エキシマレーザ
ー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子
線等の荷電粒子線の如き各種の放射線を使用する微細加
工に有用な化学増幅型レジストとして好適に使用するこ
とができる感放射線性樹脂組成物に関わる。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。従来のリソグ
ラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ線等の近
紫外線が用いられているが、この近紫外線では、サブク
オーターミクロンレベルの微細加工が極めて困難である
と言われている。そこで、０．２０μｍ以下のレベルで
の微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線
の利用が検討されている。このような短波長の放射線と
しては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレ
ーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線等を挙げる
ことができるが、これらのうち、特にＫｒＦエキシマレ
ーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレー
ザー（波長１９３ｎｍ）が注目されている。このような
エキシマレーザーによる照射に適したレジストとして、
酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射（以下、
「露光」という。）により酸を発生する成分（以下、
「感放射線性酸発生剤」という。）とによる化学増幅効
果を利用したレジスト（以下、「化学増幅型レジスト」
という。）が数多く提案されている。化学増幅型レジス
トとしては、例えば、特公平２−２７６６０号公報に
は、カルボン酸のｔ−ブチルエステル基またはフェノー
ルのｔ−ブチルカーボナート基を有する重合体と感放射
線性酸発生剤とを含有するレジストが提案されている。
このレジストは、露光により発生した酸の作用により、
重合体中に存在するｔ−ブチルエステル基あるいはｔ−
ブチルカーボナート基が解離して、該重合体がカルボキ
シル基あるいはフェノール性水酸基からなる酸性基を有
するようになり、その結果、レジスト被膜の露光領域が
アルカリ現像液に易溶性となる現象を利用したものであ
る。

【０００３】ところで、従来の化学増幅型レジストの多
くは、フェノール系樹脂をベースにするものであるが、
このような樹脂の場合、放射線として遠紫外線を使用す
ると、樹脂中の芳香族環に起因して遠紫外線が吸収され
るため、露光された遠紫外線がレジスト被膜の下層部ま
で十分に到達できないという欠点があり、そのため露光
量がレジスト被膜の上層部では多く、下層部では少なく
なり、現像後のレジストパターンが上部が細く下部にい
くほど太い台形状になってしまい、十分な解像度が得ら
れないなどの問題があった。その上、現像後のレジスト
パターンが台形状となった場合、次の工程、即ちエッチ
ングやイオンの打ち込みなどを行う際に、所望の寸法精
度が達成できず、問題となっていた。しかも、レジスト
パターン上部の形状が矩形でないと、ドライエッチング
によるレジストの消失速度が速くなってしまい、エッチ
ング条件の制御が困難になる問題もあった。一方、レジ
ストパターンの形状は、レジスト被膜の放射線透過率を
高めることにより改善することができる。例えば、ポリ
メチルメタクリレートに代表される（メタ）アクリレー
ト系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高く、放射線
透過率の観点から非常に好ましい樹脂であり、例えば特
開平４−２２６４６１号公報には、メタクリレート系樹
脂を使用した化学増幅型レジストが提案されている。し
かしながら、この組成物は、微細加工性能の点では優れ
ているものの、芳香族環をもたないため、ドライエッチ
ング耐性が低いという欠点があり、この場合も高精度の
エッチング加工を行うことが困難であり、放射線に対す
る透明性とドライエッチング耐性とを兼ね備えたものと
は言えない。また、現像工程において、現像液によって
パターンが膨潤し、パターンが倒れたり、パターン形状
が悪くなったりする問題があった。

【０００４】さらに、化学増幅型感放射線性組成物のレ
ジストとしての特性を改良する方策の一つとして、高分
子あるいは低分子の添加剤を配合した３成分以上の多成
分系組成物が多数提案されており、例えば特開平７−２
３４５１１号公報には、親水性基を有する樹脂として、
ｐ−ヒドロキシスチレンと（メタ）アクリル酸テトラヒ
ドロピラニルや（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルとの共重
合体、ｐ−ヒドロキシスチレンとｐ−テトラヒドロピラ
ニルオキシカルボニルオキシスチレンやｐ−ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシスチレンとの共重合体等のｐ−ヒド
ロキシスチレン共重合体を含有するレジストに、疎水性
化合物として３−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブチルを
配合することにより、露光から露光後の加熱処理までの
引き置き時間による影響が少なくなり、あるいは疎水性
の強い基を含むレジストの場合にも安定したパターニン
グが可能となることが開示されている。しかしながら、
特開平７−２３４５１１号公報のものを含む従来の多成
分系化学増幅型感放射線性組成物では、コントラスト、
パターン形状、放射線に対する透明性、感度、解像度
等、露光マージンを含むレジストとしての総合性能の観
点では未だ満足できない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、放射
線に対する透明性が高く、パターン形状に優れ、露光マ
ージンが広く、感度、解像度等のレジストとしての基本
性能に優れた化学増幅型レジストとして好適に使用する
ことができる感放射線性樹脂組成物を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、第一に、（Ａ）下記一般式（１）に示す繰り返し
単位（１）を含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性と
なるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、
（Ｂ）感放射線性酸発生剤、並びに（Ｃ）下記一般式
（Ｉ）で表されるジカルボン酸エステルを含有すること
を特徴とする感放射線性樹脂組成物によって達成され
る。

【０００７】

【化７】

【０００８】〔一般式（１）において、Ｒ¹ は水素原子
あるいはメチル基を示し、Ａは単結合または−Ｘ−ＣＯ
Ｏ−（但し、Ｘはメチレン基、炭素数１０以下の直鎖状
もしくは分岐状のアルキレン基または炭素数１０以下の
非有橋型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素基を示
す。）を示し、各Ｒ² は相互に独立に炭素数１〜４の直
鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数４〜２０
の非有橋型もしくは有橋型の１価の脂環式炭化水素基を
示し、かつ少なくとも１つのＲ² が炭素数１〜４の直鎖
状もしくは分岐状のアルキル基であるか、あるいは何れ
か２つのＲ² が相互に結合して、それぞれが結合してい
る炭素原子と共に炭素数４〜２０の非有橋型もしくは有
橋型の２価の脂環式炭化水素基を形成し、残りのＲ² が
炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示
す。〕

【０００９】

【化８】

【００１０】〔一般式（Ｉ）において、Ｒ³ およびＲ⁵
は、各々独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐
状のアルキル基を示し、各Ｒ⁴ は、各々独立に、水素原
子あるいは炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアル
キル基を示し、ｎは１〜１０の整数である。〕

【００１１】以下、本発明について詳細に説明する。（Ａ）成分 本発明における（Ａ）成分は、繰り返し単位（１）を含
有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となるアルカリ不
溶性またはアルカリ難溶性の樹脂（以下、「樹脂
（Ａ）」という。）からなる。

【００１２】本発明でいう「アルカリ不溶性またはアル
カリ難溶性」とは、樹脂（Ａ）を含有する感放射線性樹
脂組成物あるいは樹脂（Ａ１）と樹脂（Ａ２）との混合
物を含有する感放射線性樹脂組成物から形成されたレジ
スト被膜からレジストパターンを形成する際に採用され
るアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わり
に、樹脂（Ａ）あるいは前記混合物のみを用いた被膜を
現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現
像後に残存する性質を意味する。

【００１３】繰り返し単位（１）中のＡの−Ｘ−ＣＯＯ
−において、Ｘの炭素数１０以下の直鎖状もしくは分岐
状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチ
レン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレ
ン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメ
チレン基、デカメチレン基等を挙げることができる。

【００１４】また、Ｘの炭素数１０以下の非有橋型もし
くは有橋型の２価の脂環式炭化水素基としては、例え
ば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、
シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類
に由来する基；ノルボルナン、アダマンタン等の多環型
脂環式炭化水素に由来する基；これらの基を、例えば、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチル
プロピル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状、
分岐状または環状のアルキル基の１種以上あるいは１個
以上で置換した基等を挙げることができる。

【００１５】繰り返し単位（１）において、Ｒ² の炭素
数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基として
は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、
１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げることが
できる。

【００１６】また、Ｒ² の炭素数４〜２０の非有橋型も
しくは有橋型の１価の脂環式炭化水素基および何れか２
つのＲ⁵ が相互に結合して、それぞれが結合している炭
素原子と共に形成した炭素数４〜２０の非有橋型もしく
は有橋型の２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シク
ロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類に由
来する基；ノルボルナン、トリシクロデカン、テトラシ
クロドデカン、アダマンタン等の多環型脂環式炭化水素
に由来する基；これらの基を、例えば、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ
−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状、分岐状または環
状のアルキル基の１種以上あるいは１個以上で置換した
基等を挙げることができる。

【００１７】繰り返し単位（１）における−Ｃ（Ｒ² )₃
で表される基の具体例としては、ｔ−ブトキシカルボ
ニル基や、下記式（４-1) 〜式（４-13)で表される基等
を挙げることができる。

【００１８】

【化９】

【００１９】繰り返し単位（１）において、Ｒ¹ として
は、水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ａとし
ては単結合、アダマンタンに由来する基、ノルボルナン
に由来する基等が好ましく、−Ｃ（Ｒ² )₃ で表される
基としては２−メチル−２−トリシクロデカニル基（式
（４-４）参照）、２−エチル−２−トリシクロデカニ
ル基（式（４-５）参照）、２−メチル−２−アダマン
チル基（式（４-８)参照）、２−エチル−２−アダマン
チル基（式（４-９)参照）、１−メチルシクロペンチル
基（式（４-10)参照）、１−エチルシクロペンチル基
（式（４-11)参照）、１−メチルシクロヘキシル基（式
（４-12)参照）、１−エチルシクロヘキシル基（式（４
-13)参照）等が好ましい。樹脂（Ａ）において、繰り返
し単位（１）は、単独でまたは２種以上が存在すること
ができる。

【００２０】また、本発明における樹脂（Ａ）は、さら
に下記一般式（２）に示す繰り返し単位（２−１）、繰
り返し単位（２−２）および繰り返し単位（２−３）の
群から選ばれるラクトン骨格を有する繰り返し単位の少
なくとも１種を含有することが好ましい。

【００２１】繰り返し単位（２−１）中のＡ³ の−Ｘ³
−ＣＯＯ−において、Ｘ³ の炭素数１０以下の直鎖状も
しくは分岐状のアルキレン基および炭素数１０以下の非
有橋型もしくは有橋型の２価の脂環式炭化水素基として
は、例えば、前記繰り返し単位（１−１）中のＸ¹ につ
いて例示したそれぞれ対応する基を挙げることができ
る。

【００２２】繰り返し単位（２−１）において、Ｒ⁷ の
炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基およ
び炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機
基としては、前記繰り返し単位（１−１）におけるＲ³
について例示したそれぞれ対応する基を挙げることがで
きる。

【００２３】繰り返し単位（２−１）において、Ｒ⁶ と
しては水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ａ³
としては単結合、アダマンタンに由来する基、ノルボル
ナンに由来する基等が好ましく、Ｒ⁷ としては水素原
子、メチル基、エチル基等が好ましく、ｉとしては０ま
たは１が好ましく、ｊとしては０および１がともに好ま
しく、ｋとしては１または２が好ましい。

【００２４】

【化１０】

【００２５】〔一般式（２）において、Ｒ^６ は水素原
子あるいはメチル基を示し、Ｒ^７ は炭素数１〜６の直
鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数１〜６の
直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機基を示し、複数存
在するＲ^７ は相互に同一でも異なってもよく、ｉは０
〜４の整数であり、ｊは０または１であり、ｋは１〜３
の整数であり、Ｒ^８ は水素原子あるいはメチル基を示
し、Ｂはメチレン基、酸素原子または硫黄原子を示し、
Ｒ^９ は水素原子、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐
状のアルキル基または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分
岐状の酸素含有有機基を示し、Ｒ^１０は水素原子あるい
はメチル基をし、Ｒ^１１は水素原子、炭素数１〜６の直
鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数１〜６の
直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機基を示す。〕

【００２６】好ましい繰り返し単位（２−１）の具体例
としては、下記式（２−１−１）、式（２−１−２）、
式（２−１−３）または式（２−１−４）で表される繰
り返し単位を挙げることができる。

【００２７】

【化１１】

【００２８】〔但し、Ｒ⁶ は一般式（２−１）における
Ｒ⁶ と同義である。〕

【００２９】樹脂（Ａ）において、繰り返し単位（２−
１）は、単独でまたは２種以上が存在することができ
る。

【００３０】繰り返し単位（２−２）において、Ｒ⁹ の
炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基とし
ては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル
基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、ｎ−ヘキシル基等を挙げることができる。

【００３１】また、Ｒ⁹ の炭素数１〜６の直鎖状もしく
は分岐状の酸素含有有機基としては、例えば、メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキシ
基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペン
チルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等のアルコキシル
基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ
−プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル
基、２−メチルプロポキシカルボニル基、１−メチルプ
ロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ
−ペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカ
ルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等のアル
コキシカルボニル基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシ
エチル基、ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、ヒドロキシ−
ｉ−プロピル基、ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、ヒドロキ
シ−ｎ−ペンチル基、ヒドロキシ−ｎ−ヘキシル基等の
ヒドロキシアルキル基；メトキシメトキシ基、エトキシ
メトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−エトキシエ
トキシ基、３−メトキシ−ｎ−プロポキシ基、４−メト
キシ−ｎ−ブトキシ基、５−メトキシ−ｎ−ペンチルオ
キシ基等のアルコキシアルコキシル基等を挙げることが
できる。

【００３２】繰り返し単位（２−２）において、Ｒ⁸ と
しては水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ｂと
してはメチレン基、酸素原子等が好ましく、Ｒ⁹ として
は水素原子、メチル基、メトキシ基、メトキシカルボニ
ル基等が好ましい。

【００３３】繰り返し単位（２−３）において、Ｒ¹¹の
炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基およ
び炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素含有有機
基としては、前記繰り返し単位（２−１）におけるＲ⁹
について例示したそれぞれ対応する基を挙げることがで
きる。

【００３４】繰り返し単位（２−３）において、Ｒ¹⁰と
しては水素原子およびメチル基がともに好ましく、Ｒ¹¹
としては水素原子等が好ましい。

【００３５】好ましい繰り返し単位（２−２）の具体例
としては、下記式（２−２−１）で表される単位を挙げ
ることができ、また好ましい繰り返し単位（２−３）の
具体例としては、下記式（２−３−１）で表される繰り
返し単位を挙げることができる。

【００３６】

【化１２】 〔但し、Ｒ⁸ は一般式（２−２）におけるＲ⁸ と同義で
あり、Ｒ¹⁰は一般式（２−３）におけるＲ¹⁰と同義であ
る。〕

【００３７】樹脂（Ａ）において、繰り返し単位（２−
２）および繰り返し単位（２−３）はそれぞれ、単独で
または２種以上が存在することができる。

【００３８】本発明において、樹脂（Ａ）におけるラク
トン骨格を有する繰り返し単位としては、特に、前記式
（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、
（２−３−１）で表される繰り返し単位が好ましい。

【００３９】樹脂（Ａ）は、前記以外の繰り返し単位
（以下、「他の繰り返し単位」という。）を有すること
もできる。好ましい他の繰り返し単位としては、例え
ば、下記一般式（３）で表される繰り返し単位（以下、
「繰り返し単位（３）」という。）を挙げることができ
る。

【００４０】

【化１３】 〔一般式（３）において、Ｒ¹²は水素原子あるいはメチ
ル基を示し、Ｙはフッ素原子で置換されてもよい炭素数
１２以下のｍ価の炭化水素基を示し、Ｄは（ｍ−１）価
の極性基を示し、ｍは２または３である。〕

【００４１】一般式（３）において、Ｙの炭素数１２以
下のｍ価の炭化水素基としては、例えば、直鎖状もしく
は分岐状のアルカン類に由来する基、非有橋型もしくは
有橋型の脂環式炭化水素類に由来する基等を挙げること
ができる。

【００４２】前記アルカン類としては、例えば、メタ
ン、エタン、プロパン、ｎ−ブタン、ｉ−ブタン、ｎ−
ペンタン、ｉ−ペンタン、ネオペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デ
カン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン等を挙げることが
できる。

【００４３】また、前記非有橋型もしくは有橋型の脂環
式炭化水素類としては、例えば、シクロブタン、シクロ
ペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオ
クタン等のシクロアルカン類；ノルボルナン、トリシク
ロデカン、テトラシクロドデカン、アダマンタン等の多
環型脂環式炭化水素類；これらのシクロアルカン類ある
いは多環型脂環式炭化水素類を、例えば、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、２−メチルプロピル基、１−メチルプロピル基、ｔ
−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状、分岐状または環
状のアルキル基の１種以上あるいは１個以上で置換した
化合物等を挙げることができる。

【００４４】また、Ｙのフッ素原子で置換された炭素数
１２以下のｍ価の炭化水素基としては、アルカン類また
は非有橋型もしくは有橋型の脂環式炭化水素類に由来す
る基を１個以上のフッ素原子で置換した基を挙げること
ができ、中でもジ（トリフルオロメチル）メチレン構造
を有する基が好ましい。

【００４５】一般式（３）におけるＹとしては、非有橋
型もしくは有橋型の脂環式炭化水素類に由来する基が好
ましく、さらに好ましくはアダマンタン、ノルボルナ
ン、シクロヘキサン、トリシクロデカンや、これらをメ
チル基で置換した化合物等に由来する基が好ましい。

【００４６】一般式（３）において、Ｄの（ｍ−１）価
の極性基としては、例えば、ヒドロキシル基、オキソ基
（即ち、＝Ｏ）、シアノ基等を挙げることができる。一
般式（３）におけるＹがシクロアルカン類やそのフッ素
化物、あるいは多環型脂環式炭化水素類をアルキル基で
置換した化合物やそのフッ素化物に由来する基である場
合、Ｄはこれらの基中の環構造に直接結合しても、また
該アルキル基に結合してもよい。

【００４７】一般式（３）におけるＤとしては、ヒドロ
キシル基およびシアノ基が好ましい。

【００４８】一般式（３）における−Ｙ−Ｄ構造として
は、例えば、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチ
ル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシ−ｎ−
プロピル基、２−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、３−ヒ
ドロキシ−ｎ−プロピル基、１−ヒドロキシ−ｎ−ブチ
ル基、２−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、３−ヒドロキシ
−ｎ−ブチル基、４−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基、３−
ヒドロキシシクロペンチル基、４−ヒドロキシシクロヘ
キシル基、５−ヒドロキシ−２−ノルボルニル基、８−
ヒドロキシ−３−トリシクロデカニル基、８−ヒドロキ
シ−３−テトラシクロドデカニル基、３−ヒドロキシ−
１−アダマンチル基、

【００４９】３−オキソシクロペンチル基、４−オキソ
シクロヘキシル基、５−オキソ−２−ノルボルニル基、
８−オキソ−３−トリシクロデカニル基、８−オキソ−
３−テトラシクロドデカニル基、４−オキソ−１−アダ
マンチル基、

【００５０】シアノメチル基、２−シアノエチル基、３
−シアノ−ｎ−プロピル基、４−シアノ−ｎ−ブチル
基、３−シアノシクロペンチル基、４−シアノシクロヘ
キシル基、５−シアノ−２−ノルボルニル基、８−シア
ノ−３−トリシクロデカニル基、８−シアノ−３−テト
ラシクロドデカニル基、３−シアノ−１−アダマンチル
基、

【００５１】２−ヒドロキシ−２，２−ジ（トリフルオ
ロメチル）エチル基、３−ヒドロキシ−３，３−ジ（ト
リフルオロメチル）−ｎ−プロピル基、４−ヒドロキシ
−４，４−ジ（トリフルオロメチル）−ｎ−ブチル基、
５−〔２−ヒドロキシ−２，２−ジ（トリフルオロメチ
ル）エチル〕−２−ノルボルニル基、８−〔２−ヒドロ
キシ−２，２−ジ（トリフルオロメチル）エチル〕−３
−トリシクロデカニル基、８−〔２−ヒドロキシ−２，
２−ジ（トリフルオロメチル）エチル〕−３−テトラシ
クロドデカニル基、３−〔２−ヒドロキシ−２，２−ジ
（トリフルオロメチル）エチル〕−１−アダマンチル基
等を挙げることができる。

【００５２】これらの−Ｙ−Ｄ構造のうち、３−ヒドロ
キシ−１−アダマンチル基、３−シアノ−１−アダマン
チル基、５−ヒドロキシ−２−ノルボルニル基、８−ヒ
ドロキシ−３−トリシクロデカニル基、５−シアノ−２
−ノルボルニル基、８−シアノ−３−トリシクロデカニ
ル基、５−〔２−ヒドロキシ−２，２−ジ（トリフルオ
ロメチル）エチル〕−２−ノルボルニル基、８−〔２−
ヒドロキシ−２，２−ジ（トリフルオロメチル）エチ
ル〕−３−トリシクロデカニル基等が好ましい。

【００５３】さらに、繰り返し単位（３）以外の他の繰
り返し単位を与える重合性不飽和単量体としては、例え
ば、（メタ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリ
ル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカ
ニル、（メタ）アクリル酸テトラシクロデカニル、（メ
タ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル
酸１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−アダマン
チルメチル等の有橋型炭化水素骨格を有する（メタ）ア
クリル酸エステル類；

【００５４】（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アク
リル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メ
タ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−メ
チルプロピル、（メタ）アクリル酸１−メチルプロピ
ル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル
酸シクロプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペンチ
ル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル等の有橋型炭化
水素骨格をもたない（メタ）アクリル酸エステル類；

【００５５】α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、
α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキ
シメチルアクリル酸ｎ−プロピル、α−ヒドロキシメチ
ルアクリル酸ｎ−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアク
リル酸エステル類；（メタ）アクリロニトリル、α−ク
ロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニ
トリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコ
ンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合
物；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミ
ド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミ
ド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物；Ｎ−（メ
タ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニル−ε−カプロ
ラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビ
ニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物；（メ
タ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイ
ン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラ
コン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カル
ボン酸（無水物）類等の単官能性単量体や、

【００５６】１，２−アダマンタンジオールジ（メタ）
アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メ
タ）アクリレート、１，４−アダマンタンジオールジ
（メタ）アクリレート、トリシクロデカニルジメチロー
ルジ（メタ）アクリレート等の有橋型炭化水素骨格を有
する多官能性単量体；

【００５７】メチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロ
ピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジメ
チル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、
１，４−ビス（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼンジ
（メタ）アクリレート、１，３−ビス（２−ヒドロキシ
プロピル）ベンゼンジ（メタ）アクリレート等の有橋型
炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の多官能性単
量体を挙げることができる。本発明において、他の繰り
返し単位は、単独でまたは２種以上が存在することがで
きる。

【００５８】樹脂（Ａ）において、繰り返し単位（１）
の含有率は、全繰り返し単位に対して、通常、１０〜８
０モル％、好ましくは２０〜７０モル％、さらに好まし
くは２０〜６０モル％であり、繰り返し単位（２−
１）、繰り返し単位（２−２）および繰り返し単位（２
−３）の合計含有率は、通常、２０〜８０モル％、好ま
しくは２０〜６０モル％、さらに好ましくは３０〜６０
モル％であり、他の繰り返し単位の含有率は、全繰り返
し単位に対して、通常、５０モル％以下、好ましくは３
０モル％以下である。

【００５９】この場合、繰り返し単位（１）の含有率が
１０モル％未満では、レジストとしての解像性能が劣化
する場合があり、一方８０モル％を超えると、現像性、
基板への密着性が低下する場合がある。また、繰り返し
単位（２−１）〜（２−３）の合計含有率が２０モル％
未満では、現像性、基板への密着性が低下する場合があ
り、一方８０モル％を超えると、組成物の溶剤への溶解
性が低下する場合がある。

【００６０】樹脂（Ａ）は、例えば、その各繰り返し単
位に対応する重合性不飽和単量体を、ヒドロパーオキシ
ド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシ
ド類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必
要に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合す
ることにより製造することができる。前記重合に使用さ
れる溶媒としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デ
カン等のアルカン類；シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシク
ロアルカン類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類；クロロブタン
類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチ
レンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水
素類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、
プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類；メ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプ
タノン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジメトキシ
エタン類、ジエトキシエタン類等のエーエル類等を挙げ
ることができる。これらの溶媒は、単独でまたは２種以
上を混合して使用することができる。また、前記重合に
おける反応温度は、通常、４０〜１２０℃、好ましくは
５０〜９０℃であり、反応時間は、通常、１〜４８時
間、好ましくは１〜２４時間である。

【００６１】樹脂（Ａ）のゲルパーミエーションクロマ
トグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均
分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、通常、１，００
０〜１００，０００、好ましくは１，０００〜５０，０
００、さらに好ましくは２，０００〜５０，０００であ
る。この場合、樹脂（Ａ）のＭｗが１，０００未満で
は、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向があ
り、一方１００，０００を超えると、レジストとしたと
きの現像性が低下する傾向がある。また、樹脂（Ａ）の
Ｍｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰ
Ｃ）によるポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍ
ｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜
５、好ましくは１〜３である。なお、樹脂（Ａ）は、ハ
ロゲン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それに
より、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安
定性、パターン形状等をさらに改善することができる。
樹脂（Ａ）の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出
等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ
過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げ
ることができる。

【００６２】（Ｂ）成分 本発明における（Ｂ）成分は、露光により酸を発生する
感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ｂ）」とい
う。）からなる。酸発生剤（Ｂ）は、露光により発生し
た酸の作用によって、樹脂（Ａ）中に存在する酸解離性
基を解離させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカ
リ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを
形成する作用を有するものである。上記酸発生剤（Ｂ）
としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生す
ることができる化合物、好ましくは２２０ｎｍ以下の波
長の活性光線又は放射線の照射により酸を発生すること
ができる化合物が挙げられる。上記酸発生剤（Ｂ）とし
て具体的には、例えば、オニウム塩、ハロゲン含有化合
物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物及びスルホン
酸化合物等を挙げることができる。尚、上記酸発生剤
（Ｂ）は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併
用することもできる。

【００６３】 上記酸発生剤（Ｂ）として、トリフェニル
スルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタン
スルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキ
シフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−
４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウム
パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−
ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフ
ェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−
（４−ヒドロキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロ
チオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テ
トラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンス
ルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−
イル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−
オクタンスルホネート、１−（２−ナフタレン−１−イ
ル−２−オキソエチル）テトラヒドロチオフェニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（２−ナフ
タレン−１−イル−２−オキソエチル）テトラヒドロチ
オフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート
等のアリール基を有するスルホニウム塩の１種又は２種
以上を好ましいものとして挙げることができる。

【００６４】 また、上記酸発生剤（Ｂ）のその他の具体
例として、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパー
フルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−
ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウ
ムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−
オクタンスルホネート、シクロヘキシル・２−オキソシ
クロヘキシル・メチルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート、ジシクロヘキシル・２−オキソシクロヘ
キシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
２−オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、Ｎ−トリフルオロメタンス
ルホニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エ
ン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−ノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホニルオキシビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−パ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルオキシビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロ
メタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシ
スクシンイミドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオ
ロメタンスルホネート等の１種又は２種以上を好ましい
ものとして挙げることができる。

【００６５】上記酸発生剤（Ｂ）の含有量については特
に限定はなく、必要に応じて適宜設定することができ
る。好ましくは、上記樹脂（Ａ）１００質量部に対して
０．１〜２０質量部、より好ましくは０．５〜２０質量
部、更に好ましくは０．５〜１０質量部である。上記酸
発生剤（Ｂ）の含有量を０．１質量部以上とすると、感
度及び現像性を向上させることができるので好ましい。
一方、上記酸発生剤（Ｂ）の含有量を２０質量部以下と
すると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジ
ストパターンが得られ難くなる傾向が生じることを防止
することができるので好ましい。

【００６６】（Ｃ）成分 本発明における（Ｃ）成分は、上記一般式（Ｉ）で表さ
れるジカルボン酸エステルからなる。（Ｃ）成分は、得
られるパターンの膨潤を抑え、それによりパターンの矩
形性を向上させ、パターンの倒れをを抑えて露光マージ
ンを向上させる効果を有する。

【００６７】一般式（Ｉ）において、Ｒ³ およびＲ⁵ の
炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ
−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。これらのう
ち、エチル基、ｎ−ブチル基等が好ましい。

【００６８】また、Ｒ⁴ の炭素数１〜４の直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル
基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることが
出来る。Ｒ⁴ としては、水素原子、メチル貴等が好まし
い。また、ｎは１〜１０の整数であり、特に、２〜６の
整数が好ましい。

【００６９】（Ｃ）成分の好ましい具体例としては、ジ
メチルアジペート、ジエチルアジペート、ジ（ｎ−ブチ
ル）アジペート、ジメチルスベレート、ジエチルスベレ
ート、ジ（ｎ−ブチル）スベレート等を挙げることがで
き、特に、ジエチルアジペート、ジ（ｎ−ブチル）アジ
ペート等が好ましい。（Ｃ）成分は、単独でまたは２種
以上を組み合わせて用いることができる。

【００７０】本発明の感放射線性樹脂組成物における
（Ｃ）成分の含有量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対し
て、通常、１〜３０量部、好ましくは１〜１０重量部、
特に好ましくは２〜５重量部である。１重量部未満で
は、パターンの膨潤を抑制する効果が得られ難く、３０
重量部を越えると、パターンがＴ−トップ形状になるお
それがある。

【００７１】添加剤 本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、酸
拡散制御剤、界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を配
合することができる。前記酸拡散制御剤は、露光により
酸発生剤（Ｂ）から生じる酸のレジスト被膜中における
拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化
学反応を抑制する作用を有する成分である。このような
酸拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線
性樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとし
ての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処
理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジスト
パターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定
性に極めて優れた組成物が得られる。前記酸拡散制御剤
としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱
処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ま
しい。このような含窒素有機化合物としては、例えば、
下記一般式（６）

【００７２】

【化１４】 〔一般式（６）において、各Ｒ¹⁶は相互に独立に水素原
子、置換もしくは非置換の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基または
置換もしくは非置換のアラルキル基を示す。〕

【００７３】で表される化合物（以下、「含窒素化合物
（イ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有す
る化合物（以下、「含窒素化合物（ロ）」という。）、
窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体
（以下、これらをまとめて「含窒素化合物（ハ）」とい
う。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複
素環化合物等を挙げることができる。

【００７４】含窒素化合物（イ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；
ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−
ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ
−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デ
シルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリ
エチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−
ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−
ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ
−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ
−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチ
ルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン
等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−
メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチ
ルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリ
ン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェ
ニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類を挙げ
ることができる。

【００７５】含窒素化合物（ロ）としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラメチルエチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニル
アミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフ
ェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−
（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミ
ノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、１，４−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−
メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１−（４−ア
ミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、ビス
（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジ
エチルアミノエチル）エーテル等を挙げることができ
る。含窒素化合物（ハ）としては、例えば、ポリエチレ
ンイミン、ポリアリルアミン、２−ジメチルアミノエチ
ルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。

【００７６】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルア
ミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−
アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テト
ラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジア
ミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル
−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−
ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２
−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカル
ボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ
−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブ
トキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ
−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダ
ゾール等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化
合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プ
ロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチ
ルピロリドン等を挙げることができる。

【００７７】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−
ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレ
ア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオ
ウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合
物としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダ
ゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベン
ズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等の
イミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−
メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリ
ジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、
２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチ
ン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキ
ノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン
類；ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラ
ジン等のピペラジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、
ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリ
ジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モ
ルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピ
ペラジン、１，４−ジアザビシクロ [２．２．２] オク
タン等を挙げることができる。

【００７８】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（イ）、アミド基含有化合物、含窒素複素環化合
物等が好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。

【００７９】また、前記界面活性剤は、塗布性、ストリ
エーション、現像性等を改良する作用を示す成分であ
る。このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキ
シエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステ
アリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテ
ル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル、
ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレング
リコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほ
か、以下商品名で、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）
製）、ポリフローＮｏ．７５，同Ｎｏ．９５（共栄社化
学（株）製）、エフトップＥＦ３０１，同ＥＦ３０３，
同ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ（株）製）、メガフ
ァックスＦ１７１，同Ｆ１７３（大日本インキ化学工業
（株）製）、フロラードＦＣ４３０，同ＦＣ４３１（住
友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サ
ーフロンＳ−３８２，同ＳＣ−１０１，同ＳＣ−１０
２，同ＳＣ−１０３，同ＳＣ−１０４，同ＳＣ−１０
５，同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）等を挙げること
ができる。これらの界面活性剤は、単独でまたは２種以
上を混合して使用することができる。

【００８０】また、前記増感剤は、放射線のエネルギー
を吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ｂ）に伝達
し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもの
で、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる
効果を有する。このような増感剤としては、アセトフェ
ノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチ
ル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセ
ン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。これ
らの増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用す
ることができる。また、染料あるいは顔料を配合するこ
とにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレ
ーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することに
より、基板との接着性を改善することができる。さら
に、前記以外の添加剤としては、後述するアルカリ可溶
性樹脂、酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶
解性制御剤、ハレーション防止剤、保存安定化剤、消泡
剤等を挙げることができる。

【００８１】組成物溶液の調製 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際
して、全固形分濃度が、通常、５〜５０重量％、好まし
くは１０〜２５重量％となるように、溶剤に溶解したの
ち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過する
ことによって、組成物溶液として調製される。前記組成
物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、２−
ブタノン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタノ
ン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン、３
−メチル−２−ペンタノン、３，３−ジメチル−２−ブ
タノン、２−ヘプタノン、２−オクタノン等の直鎖状も
しくは分岐状のケトン類；シクロペンタノン、３−メチ
ルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メチルシ
クロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、
イソホロン等の環状のケトン類；プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノ−ｉ−プロピルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノ−ｉ−ブチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノ−ｓｅｃ−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｔ−
ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類；２−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−プロピル、２−ヒドロ
キシプロピオン酸ｉ−プロピル、２−ヒドロキシプロピ
オン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−ブ
チル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｓｅｃ−ブチル、２
−ヒドロキシプロピオン酸ｔ−ブチル等の２−ヒドロキ
シプロピオン酸アルキル類；３−メトキシプロピオン酸
メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキ
シプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチ
ル等の３−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、

【００８２】ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルア
ルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、トルエン、キ
シレン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−
ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシブチ
ルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテ
ート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネー
ト、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸
エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ベン
ジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、
１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。

【００８３】これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができるが、就中、直鎖状もしく
は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、２−ヒドロ
キシプロピオン酸アルキル類、３−アルコキシプロピオ
ン酸アルキル類、γ−ブチロラクトン等が好ましい。

【００８４】レジストパターンの形成方法 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジ
ストとして有用である。前記化学増幅型レジストにおい
ては、露光により酸発生剤（Ｂ）から発生した酸の作用
によって、樹脂（Ａ）中の酸解離性基が解離してカルボ
キシル基を生じ、その結果、レジストの露光部のアルカ
リ現像液に対する溶解性が高くなり、該露光部がアルカ
リ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパ
ターンが得られる。本発明の感放射線性樹脂組成物から
レジストパターンを形成する際には、組成物溶液を、回
転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によ
って、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆
されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジ
スト被膜を形成し、場合により予め加熱処理（以下、
「ＰＢ」という。）を行ったのち、所定のレジストパタ
ーンを形成するように該レジスト被膜に露光する。その
際に使用される放射線としては、使用される酸発生剤
（Ｂ）の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、
Ｘ線、荷電粒子線等を適宜選定して使用されるが、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシ
マレーザー（波長１９３ｎｍ）あるいはＦ₂ エキシマレ
ーザー（波長１５７ｎｍ）に代表される遠紫外線が好ま
しい。本発明においては、露光後に加熱処理（以下、
「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。このＰＥ
Ｂにより、酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。Ｐ
ＥＢの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成に
よって変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５
０〜１７０℃である。本発明における樹脂（Ａ）、およ
び樹脂（Ａ１）と樹脂（Ａ２）との混合物は、ＰＥＢの
温度が比較的低い場合でも酸解離性基の解離反応が容易
に進行する特性を有するものであり、その意味で、この
ような樹脂を用いることにより、工業的有利にレジスト
パターンを形成することができる。

【００８５】本発明においては、感放射線性樹脂組成物
の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平６−
１２４５２号公報等に開示されているように、使用され
る基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成し
ておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、例えば特開平５−１８
８５９８号公報等に開示されているように、レジスト被
膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技
術を併用することもできる。次いで、露光されたレジス
ト被膜をアルカリ現像液を用いて現像することにより、
所定のレジストパターンを形成する。前記アルカリ現像
液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナ
トリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピル
アミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ト
リエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチ
ルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、
１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデ
セン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−
ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも１種を溶解し
たアルカリ性水溶液が好ましい。前記アルカリ性水溶液
の濃度は、通常、１０重量％以下である。この場合、ア
ルカリ性水溶液の濃度が１０重量％を超えると、非露光
部も現像液に溶解するおそれがあり好ましくない。

【００８６】また、前記アルカリ性水溶液には、例えば
有機溶媒を添加することもできる。前記有機溶媒として
は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルｉ
−ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノ
ン、３−メチルシクロペンタノン、２，６−ジメチルシ
クロヘキサノン等のケトン類；メチルアルコール、エチ
ルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピル
アルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコ
ール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、１，
４−ヘキサンジオール、１，４−ヘキサンジメチロール
等のアルコール類；テトラヒドロフラン、ジオキサン等
のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−
アミル等のエステル類；トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメ
チルホルムアミド等を挙げることができる。これらの有
機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。有機溶媒の使用量は、アルカリ性水溶液に
対して、１００容量％以下が好ましい。この場合、有機
溶媒の使用量が１００容量％を超えると、現像性が低下
して、露光部の現像残りが多くなるおそれがある。ま
た、前記アルカリ性水溶液には、界面活性剤等を適量添
加することもできる。なお、アルカリ現像液で現像した
のちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。

【００８７】

【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。こ
こで、部は、特記しない限り重量基準である。実施例お
よび比較例における各測定・評価は、下記の要領で行っ
た。 Ｍｗ：東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００HXL ２
本、Ｇ３０００HXL １本、Ｇ４０００HXL １本）を用
い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィー（ＧＰＣ）により測定した。 放射線透過率（％）：各感放射線性樹脂組成物溶液をス
ピンコートにより石英ガラス上に塗布し、次いで１３０
℃に保持したホットプレート上で９０秒間ＰＢを行って
膜厚０．３４μｍのレジスト被膜を形成した。そして、
このレジスト被膜について、波長１９３ｎｍにおける吸
光度から放射線透過率（％）を算出して、遠紫外線領域
における透明性の尺度とした。

【００８８】感度：基板として、表面に膜厚８２０Åの
ＡＲＣ２５（ブルワー・サイエンス（Brewer Science）
社製）膜を形成したシリコーンウエハー（ＡＲＣ２５）
を用い、各組成物溶液を、基板上にスピンコートにより
塗布し、ホットプレート上にて、表２に示す条件でＰＢ
を行って形成した膜厚０．３４μｍのレジスト被膜に、
（株）ニコン製ＡｒＦエキシマレーザー露光装置（レン
ズ開口数０．５５、露光波長１９３ｎｍ）により、マス
クパターンを介して露光した。その後、表２に示す条件
でＰＥＢを行ったのち、２．３８重量％のテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド水溶液により、２５℃で６０
秒間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型のレジストパタ
ーンを形成した。このとき、線幅０．１６μｍのライン
・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線
幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量
を感度とした。 解像度：最適露光量で解像される最小のレジストパター
ンの寸法を、解像度とした。

【００８９】合成例１ ２−メチル−２−メタクリロイルオキシアダマンタン４
６．０３ｇ、３−メタクリロイルオキシ−１−アダマン
タノール１０．３２ｇおよびメタクリロイルオキシノル
ボルネンブチロラクトン４３．６５ｇを２−ブタノン３
００ｇに溶解して均一溶液としたのち、重合開始剤とし
てアゾビスイソ吉草酸メチル８．０４ｇを加え、窒素雰
囲気下で８０℃に加熱した。その後同温度に保って６時
間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却
し、メタノール２，０００ｇ中に投入し、析出した白色
粉体をろ別し、乾燥して、樹脂７０ｇ（収率７０重量
％）を得た。この樹脂は、Ｍｗが１２，５００であり、
２−メチル−２−メタクリロイルオキシアダマンタンと
３−メタクリロイルオキシ−１−アダマンタノールとメ
タクリロイルオキシノルボルネンブチロラクトンに由来
する各繰り返し単位の含有率がそれぞれ４０モル％、１
２．５モル％および４７．５モル％の共重合体であっ
た。この樹脂を、樹脂（Ａ-1) とする。

【００９０】合成例２ ２−エチル−２−メタクリロイルオキシアダマンタン４
８．５３ｇ、３−メタクリロイルオキシ−１−アダマン
タノール２５．６５ｇおよびメバロニックラクトンメタ
クリレート２５．８２ｇを２−ブタノン１８０ｇに溶解
して均一溶液としたのち、重合開始剤としてアゾビスイ
ソ吉草酸メチル４．０２ｇを加え均一溶液とする。別の
容器に２−ブタノン１２０ｇを加え、窒素雰囲気下で８
０℃に加熱、攪拌した。そこに同温度に保ったまま前述
の均一溶液を滴下漏斗などを用いて３時間かけて滴下を
おこなった。その後、さらに同温度に保って３時間加熱
攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、メ
タノール２，０００ｇ中に投入し、析出した白色粉体を
ろ別し、乾燥して、樹脂７３ｇ（収率７３重量％）を得
た。この樹脂は、Ｍｗが１０，０００であり、２−エチ
ル−２−アダマンチルメタクリレートと３−メタクリロ
イルオキシ−１−アダマンタノールとメバロニックラク
トンメタクリレートに由来する各繰り返し単位の含有率
がそれぞれ４０モル％、２７．５モル％および３２．５
モル％の共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-２)
とする。

【００９１】合成例３ ２−エチル−２−メタクリロイルオキシアダマンタン５
４．１７ｇおよびメバロニックラクトンメタクリレート
４５．８３ｇを２−ブタノン１８０ｇに溶解して均一溶
液としたのち、重合開始剤としてアゾビスイソ吉草酸メ
チル４．２６ｇを加え均一溶液とする。別の容器に２−
ブタノン１２０ｇを加え、窒素雰囲気下で８０℃に加
熱、攪拌した。そこに同温度に保ったまま前述の均一溶
液を滴下漏斗などを用いて３時間かけて滴下をおこなっ
た。その後、さらに同温度に保って３時間加熱攪拌し
た。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、メタノー
ル２，０００ｇ中に投入し、析出した白色粉体をろ別
し、乾燥して、樹脂７７ｇ（収率７７重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが１０，５００であり、２−メチル−
２−アダマンチルメタクリレートとメバロニックラクト
ンメタクリレートに由来する各繰り返し単位の含有率が
それぞれ５０モル％、および５０モル％の共重合体であ
った。この樹脂を、樹脂（Ａ-３) とする。

【００９２】合成例４ ２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート５１．３
２ｇおよびメタクリルオキシノルボルネンブチロラクト
ン４８．６８ｇを２−ブタノン１８０ｇに溶解して均一
溶液としたのち、重合開始剤としてアゾビスイソ吉草酸
メチル４．０２ｇを加え均一溶液とする。別の容器に２
−ブタノン１２０ｇを加え、窒素雰囲気下で８０℃に加
熱、攪拌した。そこに同温度に保ったまま前述の均一溶
液を滴下漏斗などを用いて３時間かけて滴下をおこなっ
た。その後、さらに同温度に保って３時間加熱攪拌し
た。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、メタノー
ル２，０００ｇ中に投入し、析出した白色粉体をろ別
し、乾燥して、樹脂８０ｇ（収率８０重量％）を得た。
この樹脂は、Ｍｗが１３，５００であり、２−メチル−
２−アダマンチルメタクリレートとメタクリルオキシノ
ルボルネンブチロラクトンに由来する各繰り返し単位の
含有率がそれぞれ５０モル％、および５０モル％の共重
合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-４) とする。

【００９３】

【実施例】実施例１〜６および比較例１ 表１に示す成分からなる各組成物溶液について、各種評
価を行った。評価条件を表２に、評価結果を表３に示
す。表１における重合体（Ａ−１)〜（Ａ−４)以外の成
分は、以下の通りである。 他の樹脂 a-1：メタクリル酸ｔ−ブチル／メタクリル酸メチル／
メタクリル酸共重合体（共重合モル比＝４５／４０／１
５、Ｍｗ＝９，０００） 酸発生剤（Ｂ） Ｂ-1：トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタン
スルホネート Ｂ-2：トリフェニルスルフォニウムノナフルオロ−ｎ−
ブタンスルホネート Ｂ-3：１−（４−ブトキシナフタレン−１−イル）テト
ラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート Ｂ-4：１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート

【００９４】（Ｃ）成分 Ｃ-1：ジ（ｎ−ブチル）アジペート Ｃ-2：ジエチルアジペート Ｃ-3：ジエチルスベレート 酸拡散制御剤 Ｄ-1：トリ−ｎ−オクチルアミン Ｄ-2：２−フェニルベンズイミダゾール Ｄ-3：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルア
ミン Ｄ-4：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベン
ズイミダゾール 溶剤 Ｅ-1：２−ヘプタノン Ｅ-2：シクロヘキサノン Ｅ-3：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート

【００９５】

【表１】

【００９６】

【表２】

【００９７】

【表３】

【００９８】

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、活性
光線、例えばＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）に代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジス
トとして、放射線に対する透明性が高く、また基板に対
する接着性およびパターンの裾形状も良好でパターン形
状に優れ、露光マージンが広く、しかも感度、解像度に
も優れ、今後ますます微細化が進行すると予想される集
積回路素子の製造に極めて好適に使用できる。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）に示す繰り返し
   単位（１）を含有し、酸の作用によりアルカリ可溶性と
   なるアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂、
   （Ｂ）感放射線性酸発生剤、並びに（Ｃ）下記一般式
   （Ｉ）で表されるジカルボン酸エステルを含有すること
   を特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ は水素原子あるいはメチ
   ル基を示し、Ａは単結合または−Ｘ−ＣＯＯ−（但し、
   Ｘはメチレン基、炭素数１０以下の直鎖状もしくは分岐
   状のアルキレン基または炭素数１０以下の非有橋型もし
   くは有橋型の２価の脂環式炭化水素基を示す。）を示
   し、各Ｒ² は相互に独立に炭素数１〜４の直鎖状もしく
   は分岐状のアルキル基または炭素数４〜２０の非有橋型
   もしくは有橋型の１価の脂環式炭化水素基を示し、かつ
   少なくとも１つのＲ² が炭素数１〜４の直鎖状もしくは
   分岐状のアルキル基であるか、あるいは何れか２つのＲ
   ² が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原子
   と共に炭素数４〜２０の非有橋型もしくは有橋型の２価
   の脂環式炭化水素基を形成し、残りのＲ² が炭素数１〜
   ４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示す。〕 【化２】 〔一般式（Ｉ）において、Ｒ³ およびＲ⁵ は、各々独立
   に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル
   基を示し、各Ｒ⁴ は、各々独立に、水素原子あるいは炭
   素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示
   し、ｎは１〜１０の整数である。〕
2. 【請求項２】 （Ａ）成分の樹脂が、さらに下記一般式
   （２）に示す繰り返し単位（２−１）、繰り返し単位
   （２−２）および繰り返し単位（２−３）の群から選ば
   れるラクトン骨格を有する繰り返し単位の少なくとも１
   種を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。 【化３】 〔一般式（２）において、Ｒ^６ は水素原子あるいはメ
   チル基を示し、Ｒ^７ は炭素数１〜６の直鎖状もしくは
   分岐状のアルキル基または炭素数１〜６の直鎖状もしく
   は分岐状の酸素含有有機基を示し、複数存在するＲ^７
   は相互に同一でも異なってもよく、ｉは０〜４の整数で
   あり、ｊは０または１であり、ｋは１〜３の整数であ
   り、Ｒ^８ は水素原子あるいはメチル基を示し、Ｂはメ
   チレン基、酸素原子または硫黄原子を示し、Ｒ^９ は水
   素原子、炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキ
   ル基または炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐状の酸素
   含有有機基を示し、Ｒ^１０は水素原子あるいはメチル基
   をし、Ｒ^１１は水素原子、炭素数１〜６の直鎖状もしく
   は分岐状のアルキル基または炭素数１〜６の直鎖状もし
   くは分岐状の酸素含有有機基を示す。〕
3. 【請求項３】 繰り返し単位（１）中の−Ｃ（Ｒ²)₃ 構
   造が２−メチル−２−トリシクロデカニル基、２−エチ
   ル−２−トリシクロデカニル基、２−メチル−２−アダ
   マンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、１−メ
   チルシクロペンチル基、１−エチルシクロペンチル基、
   １−メチルシクロヘキシル基または１−エチルシクロヘ
   キシル基であることを特徴とする請求項１または請求項
   ２に記載の感放射線性樹脂組成物。
4. 【請求項４】 繰り返し単位（２−１）が下記式（２−
   １−１）、式（２−１−２）、式（２−１−３）または
   式（２−１−４）で表される繰り返し単位からなり、繰
   り返し単位（２−２）が下記式（２−２−１）で表され
   る繰り返し単位からなり、繰り返し単位（２−３）が下
   記式（２−３−１）で表される繰り返し単位からなるこ
   とを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の感放射線
   性樹脂組成物。 【化４】 〔但し、Ｒ⁶ は一般式（２−１）におけるＲ⁶ と同義で
   ある。〕 【化５】 〔但し、Ｒ⁸ は一般式（２−２）におけるＲ⁸ と同義で
   あり、Ｒ¹⁰は一般式（２−３）におけるＲ¹⁰と同義であ
   る。〕
5. 【請求項５】 （Ａ）成分の樹脂が、さらに下記一般式
   （３）で表される繰り返し単位を含有することを特徴と
   する請求項１〜５の何れかに記載の感放射線性樹脂組成
   物。 【化６】 〔一般式（３）において、Ｒ¹²は水素原子あるいはメチ
   ル基を示し、Ｙはフッ素原子で置換されてもよい炭素数
   １２以下のｍ価の炭化水素基を示し、Ｄは（ｍ−１）価
   の極性基を示し、ｍは２または３である。〕