JP2003347321A - ダイアタッチフィルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体組立工程に際して、ダイアタッチフィ
ルムとダイシングフィルムの機能を併せ持つフィルムを
ウエハーに常温もしくは温和な条件で貼付けを行うこと
の出来るダイアタッチフィルムを提供すること。 【解決手段】 ガラス転移温度９０℃以上の熱可塑性ポ
リイミド樹脂、及び熱硬化性樹脂からなるダイボンディ
ング用接着剤、及び光透過性基材からなり、多数の半導
体素子が形成されたウエハー裏面に５０℃以下の低温で
貼付けすることができるダイシングシート機能つきダイ
アタッチフィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明に属する技術分野】本発明は、ダイアタッチフィ
ルム並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導
体装置に関する。さらに詳しくは、シリコン、ガリウ
ム、ヒ素などの半導体ウエハーを加工する際に使用する
ウエハー加工用のダイアタッチフィルム並びにそれを用
いた半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化とモバイル用
途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化
の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進
んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケ
イ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体ウエハーに粘
着シートを貼付し、ダイシングにより個々の半導体素子
に切断分離した後、エキスパンディング、個片チップの
ピックアップを行い、次いで、半導体チップを金属リー
ドフレームあるいはテープ基板または有機硬質基板にダ
イボンディングする半導体装置の組立工程へ移送され
る。

【０００３】ピックアップされた半導体チップは、ダイ
ボンディング工程において、液状エポキシ接着剤などの
ダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に
接着され、半導体装置が製造されている。しかしなが
ら、モバイル用などチップが小さい場合、適量の接着剤
を塗布することが困難であり、チップから接着剤がはみ
出したり、大容量用途向けの大きいチップの場合には、
反対に接着剤量が不足するなど十分な接着力を有するこ
とができないという問題点があった。また、接着剤の塗
布工程は繁雑でもあり、プロセスを簡略化するために
も、改善・改良が要求されている。

【０００４】この問題の解決のため、液状ダイアタッチ
材の代わりに、フィルム状接着剤をダイアタッチ材とし
て使用することが提案され、一部では、既に使用されて
いるが、フィルム状接着剤をウエハーに貼り付ける際加
熱が必要でありウエハーの薄型化に伴いダイアタッチ材
の貼り付け時にウエハーの反りや割れが生じるという問
題が起きる。そのため低温で貼り付けようとすると熱可
塑性樹脂のガラス温度の低いものを用いていた。しかし
ガラス転移温度の低いものであると耐リフロー性の低下
を伴うことがあった。

【０００５】かかる問題を解決する方法として、半導体
ウエハー加工時のウエハー固定機能とダイボンディング
工程のダイアタッチ機能とを同時に兼ね備えたウエハー
貼付用粘接着シートを用い、ガラス転移温度が９０℃以
上の熱可塑性ポリイミド樹脂及び熱硬化性樹脂を用い、
既存のダイシングフィルムのインフラを使い、ウエハー
に室温または温和な条件でダイシングフィルムとダイア
タッチフィルムを複合したフィルムを貼り合わせ、ダイ
シング後基材のみを剥がしとり、耐リフロー性にすぐれ
たダイアタッチフィルム得ようとするものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記のよう
な従来技術を改善・改良するため、ダイアタッチフィル
ムとダイシングフィルムの機能を併せ持つフィルムをウ
エハーに常温もしくは温和な条件で貼付けを行うことの
出来るダイアタッチフィルムを提供するための技術であ
り、耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシン
グシートとしての機能を有し、ダイマウント時には接着
剤として使用することができ、しかも、厚みの均一性、
接着強度、剪断強度特性に優れ、厳しい湿熱条件に耐え
る耐リフロー性に優れたダイアタッチフィルム並びにそ
れを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、（１） ガラ
ス転移温度９０℃以上の熱可塑性ポリイミド樹脂、及び
熱硬化性樹脂を含有してなるダイボンディング用接着
剤、（２）第（１）項記載のダイボンディング用接着
剤、及び光透過性基材からなり、多数の半導体素子が形
成されたウエハー裏面に５０℃以下の低温で貼付けする
ことができるダイシングシート機能つきダイアタッチフ
ィルム、(３)（Ａ）第（２）項記載のダイシングシート
機能つきダイアタッチフィルムでシリコンウェハー裏面
とを５０℃以下で貼り合わせる工程、（Ｂ）該シリコン
ウエハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
（Ｃ）ダイシング後にダイアッタチフィルム面に紫外線
を照射して粘接着層の光透過性基材との接触界面を硬化
させる工程、（Ｄ）粘接着層を紫外線硬化させた後、裏
面にダイアタッチフィルムを残存させたダイを光透過性
基材から剥離し取り出すピックアップ工程、（Ｅ）該ダ
イを、リードフレームまたは基板に、ダイアタッチフィ
ルムを介して加熱接着する工程とを、含んでなる半導体
装置の製造方法、（４）第（１）項記載のダイボンディ
ング用接着剤、又は第（２）項記載のダイシングシート
機能つきダイアタッチフィルムにより、半導体素子とリ
ードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置、で
ある。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は粘接着層、光透過性基材
からなるダイシング機能付きダイアタッチフィルムであ
り、粘接着層は２５℃においてもタック性を有し５０℃
以下の低温でウエハーを貼り付けることを特徴とする。

【０００９】本発明に用いられる光透過性基材の膜厚
は、２０〜２００μｍであることが好ましく、特に好ま
しくは２５〜１５０μｍである。

【００１０】本発明に用いる光透過性基材としては、ポ
リプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリブ
タジエンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、等があげ
られるが、３０〜７０重量部、好ましくは４０〜６０重
量部のポリプロピレン樹脂と７０〜３０重量部、好まし
くは６０〜４０重量部のポリスチレンブロックとビニル
イソプレンブロックからなる共重合体との混合物である
ことが好ましい。

【００１１】本発明において、粘接着層に用いる粘接着
剤は、未硬化時に十分な粘接着性を有し、３７０ｎｍ以
下の紫外線を照射することにより硬化する成分を含み、
紫外線照射され硬化した粘接着層と被接着物との界面に
おいて粘着性を持たなくなるという特徴を有することが
好ましい。

【００１２】粘接着層は３７０ｎｍ以下の紫外光の吸収
率が６０％以上であることが好ましく、紫外光照射され
た面のみ硬化が進行する。吸収率は、より好ましくは７
０％以上であり、更に好ましくは８０％以上である。

【００１３】本発明に用いる粘接着剤としては、イミド
環を有する樹脂を含むことが好ましく、イミド環を有す
ることにより、より紫外光の吸収が促進され、紫外光の
吸収率を前記数値以上とすることができ、紫外光照射面
で光が吸収される。

【００１４】また、粘接着剤には、更に紫外線硬化型粘
着成分と、熱硬化型接着成分を含むことが好ましい。

【００１５】本発明に用いるイミド環を有する樹脂とし
ては、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエ
ーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルイミド樹脂な
どを挙げることができ、中でも、ポリイミド樹脂が好ま
しい。

【００１６】また前記ポリイミド樹脂としては、芳香族
テトラカルボン酸二無水物と、一般式（１）で表される
ジアミノポリシロキサンと、芳香族もしくは脂肪族ジア
ミンとを反応させて得られる一般式（２）で表されるポ
リイミド樹脂が、より好ましい。

【００１７】

【化１】

【００１８】

【化２】

【００１９】（式（１）及び式（２）中、Ｒ₁及びＲ₂は
炭素数１〜４で二価の脂肪族基もしくは芳香族基、
Ｒ₃，Ｒ₄，Ｒ₅及びＲ₆は一価の脂肪族基もしくは芳香族
基、Ｒ₇及びＲ₈は四価の脂肪族基もしくは芳香族基、Ｒ
₉は二価の脂肪族もしくは芳香族基を表し、ｍ：ｎは５
〜８０：９５〜２０である。ｋは、１〜５０の整数であ
り、式（１）、式（２）とも同じ整数を示す。）

【００２０】また、前記ジアミノポリシロキサンは、好
ましくは、一般式(1)中のｋとして、１〜９および／ま
たは１０〜５０の繰り返し単位を有するジアミノポリシ
ロキサンである。

【００２１】本発明に用いる芳香族テトラカルボン酸二
無水物としては、３，３，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、３，３’,４，４’−ベンゾフェ
ノンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水
物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、エチレング
リコールビストリトメット酸二無水物、４,４’−（４,
４’−イソプロピデンジフェノキシ）フタル酸二無水物
などが挙げられる。上記の芳香族テトラカルボン酸二無
水物は単独で用いてもよく二種類以上組み合わせてもよ
い。

【００２２】本発明に用いる一般式（１）で表されるジ
アミノポリシロキサンとしては、１，３−ビス（３−ア
ミノプロピル）テトラメチルシロキサンやα，ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン等が挙
げられる。中でも、一般式（１）において、ｋが１〜９
及び／又は１０〜５０であることが好ましい。１〜９の
ものを用いれば密着性が向上し、１０〜５０のものを用
いれば流動性が向上し、目的に応じて選択できるが、両
者を併用すると、より好ましい。

【００２３】本発明に用いる芳香族もしくは脂肪族ジア
ミンとしては、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミ
ノビフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジア
ミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン、
２，４−ジアミノメシチレン、４，４’−メチレンジ−
ｏ−トルイジン、４，４’−メチレンジアミン−２，６
−キシリジン、４，４’−メチレン−２，６−ジエチル
アニリン、２，４−トルエンジアミン、ｍ−フェニレン
ジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミ
ノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニル
プロパン、４，４’−ジアミノジフェニルエタン、３，
３’−ジアミノジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタ
ン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジア
ミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テ
ル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、ベンジジ
ン、３，３’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチ
ル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメト
キシベンジジン、ビス（ｐ−アミノシクロヘキシル）メ
タン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）エ
−テル、ビス（ｐ−β−メチル−δ−アミノペンチル）
ベンゼン、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノペンチ
ル）ベンゼン、１，５−ジアミノナフタレン、２，６−
ジアミノナフタレン、２，４−ビス（β−アミノ−ｔ−
ブチル）トルエン、２，４−ジアミノトルエン、ｍ−キ
シレン−２，５−ジアミン、ｐ−キシレン−２，５−ジ
アミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジア
ミン、２，６−ジアミノピリジン、２，５−ジアミノピ
リジン、２，５−ジアミノ−１，３，４−オキサジアゾ
−ル、１，４−ジアミノシクロヘキサン、ピペラジン、
メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジ
アミン、２，５−ジメチルヘキサメチレンジアミン、３
−メトキシヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジ
アミン、２，５−ジメチルヘプタメチレンジアミン、３
−メチルヘプタメチレンジアミン、４，４−ジメチルヘ
プタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナ
メチレンジアミン、５−メチルノナメチレンジアミン、
デカメチレンジアミン、１，３−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ベンゼン、ビス−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルスルフォン、ビス−４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニルスルフォンなどを挙げることが
できる。上記のジアミンは、単独で用いても良く、２種
類以上を組み合わせて用いてもよい。

【００２４】通常、ポリイミド樹脂を合成する際に、使
用される溶剤は、Ｎ−メチルピロリドンのような、非常
に沸点の高い溶剤であるため、従来、半導体装置の製造
で使用することは困難である。しかし、本発明で用いる
ポリイミド樹脂の溶媒として、アニソールなど低沸点溶
媒を用いることで、フィルム加工時の乾燥温度を低く設
定できる。

【００２５】本発明において、一般式（２）で表される
ポリイミド樹脂のように、シリコーン変性されたポリイ
ミド樹脂が、より好ましいが、アニソールなど低沸点溶
媒に可溶であることが、更に好ましく、シリコーン変性
の割合としては、溶媒への溶解性やフィルム特性から、
一般式（２）におけるｍとｎの割合が、５〜８０：９５
〜２０であることが好ましい。

【００２６】本発明に用いる紫外線硬化型接着成分とし
ては、アクリル系化合物（Ａ−１）が好ましく、例え
ば、アクリル酸もしくはメタクリル酸エステルモノマー
やアクリル酸もしくはメタクリル酸誘導体の共重合体な
どが挙げられる。アクリル酸またはメタクリル酸エステ
ルとしては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸
メチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル等のア
ルキルエステル、ベンジルエステル、シクロアルキルエ
ステル、ジアクリル酸エチレングリコール、ジメタクリ
酸エチレングリコール、ジアクリル酸１，６−ヘキサン
ジオール、ジメタクリル酸１，６−ヘキサンジオール、
ジアクリル酸グリセリン、ジメタクリル酸グリセリン、
ジアクリル酸１，１０−デカンジオール、ジメタクリル
酸１，１０−デカンジオール等の２官能アクリレート、
トリアクリル酸トリメチロールプロパン、トリメタクリ
ル酸トリメチロールプロパン、トリアクリ酸ペンタエリ
スリトール、トリメタクリ酸ペンタエリスリトール、ヘ
キサアクリル酸ジペンタエリスリトール、ヘキサメタク
リル酸ジペンタエリスリトール等の多官能アクリレート
などが挙げられる。これらの内、アルキルエステルが好
ましく、特に好ましくはエステル部位の炭素数が１〜１
５のアクリル酸、メタクリル酸アルキルエステルであ
る。

【００２７】本発明に用いるモノマー以外のアクリル系
化合物（Ａ−１）の分子量は、好ましくは８万以上であ
り、特に好ましくは１５万〜５０万である。また、アク
リル系化合物のガラス転移温度は、通常３０℃以下、好
ましくは−５０〜０℃程度であり、室温近辺の温度領域
で粘着性を示す化合物が良い。

【００２８】本発明に用いるアクリル酸又はメタクリル
酸誘導体を構成単位とする共重合体としては、少なくと
も１種類のアクリル酸またはメタクリル酸アルキルエス
テルと、ビスフェノールＡ型（メタ）アクリル酸エステ
ルとの共重合体が好ましい。また、２官能ジ（メタ）ア
クリル酸エステルと（メタ）アクリル酸グリシジルとの
組み合わせも好ましい。

【００２９】イミド環を有する樹脂１００重量部に対し
て、アクリル酸またはメタクリル酸エステルから誘導さ
れる成分単位の含有量は、通常２０〜５５モル％、好ま
しくは３０〜４０モル％である。またアクリル酸および
メタクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、アク
リル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸ブチ
ル、メタクリル酸ブチル等が挙げられる。２０モル％未
満であると粘着力に乏しくなり５５モル％を超えると保
護フィルムとの密着力が必要以上となる。

【００３０】また、分子内にヒドロキシ基などの水酸基
を有する紫外線硬化型樹脂のアクリル酸又はメタクリル
酸エステルを導入することで被着体との密着性や粘接着
剤の特性を容易に制御することができる。

【００３１】紫外線硬化粘着成分には、更に、光重合開
始剤（Ａ−２）を混在させることにより、紫外線照射時
の硬化時間および光線照射量を減らすことができる。ま
た、基材から剥離し、ダイアタッチフィルムとして使用
するためにも、重要な成分である。

【００３２】このような光重合開始剤（Ａ−２）として
は、具体的にはベンゾフェノン、アセトフェノン、ベン
ゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安
息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチル
エーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、
ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。

【００３３】本発明で用いられる紫外線硬化型粘着成分
は、好ましくは上記成分（Ａ−１）〜（Ａ−２）からな
り、それらの配合比は各成分の特性に応じて、適宜に設
定されるが、一般的には成分（Ａ−１）１００重量部に
対して、成分（Ａ−２）は好ましくは３〜３０重量部、
より好ましくは５〜１５重量部程度で用いることが好ま
しい。３重量部未満であると光開始剤の効果が弱く３０
重量部を超えると反応性が高くなり保存性が悪くなる。

【００３４】本発明に用いる熱硬化型接着成分は、紫外
線照射により硬化しないが、加熱により熱硬化反応が進
行し、三次元網目状化し、被着体である金属リードフレ
ーム及びテープまたは有機硬質基板を強固に接着する。

【００３５】このような熱硬化型接着成分としては、一
般的に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、
メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂と、それぞれに対して適
当な硬化促進剤とから形成されている。このような熱硬
化型接着成分は、種々知られていおり、本発明では、特
に制限されることなく、周知の種々の熱硬化型接着成分
を用いることができる。この様な接着成分として、例え
ば、エポキシ樹脂（Ｂ−１）と熱活性型潜在性エポキシ
樹脂硬化剤（Ｂ−２）との樹脂組成物を挙げることがで
きる。

【００３６】エポキシ樹脂（Ｂ−１）としては、周知の
種々のエポキシ樹脂が用いられるが、通常は、分子量３
００〜２０００程度のものが好ましく、特に好ましく
は、分子量３００〜８００の常温液状のエポキシ樹脂
と、分子量４００〜２０００、好ましくは５００〜１５
００の常温固体のエポキシ樹脂とをブレンドした形で用
いるのが望ましい。また、本発明に、特にこのましく使
用されるエポキシ樹脂のエポキシ当量は、通常５０〜８
０００ｇ／ｅｑである。

【００３７】このようなエポキシ樹脂としては、具体的
には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、ポリエチレングリコール型
エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらは、１
種単独で、または２種類以上を組み合わせて用いること
ができる。上記の中でも、ビスフェノール型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂及びフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂が特に好ましい。

【００３８】本発明において、熱活性型潜在性エポキシ
樹脂硬化剤（Ｂ−２）とは、室温ではエポキシ樹脂と反
応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ
樹脂と反応するタイプの硬化剤である。

【００３９】熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ−
２）の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種
（アニオンまたはカチオン）を生成する方法と、室温付
近ではエポキシ樹脂と相溶、溶解し硬化反応を開始する
方法と、モレキュラーシーブ封入するタイプの硬化剤
で、高温で溶出して、硬化反応を開始する方法と、マイ
クロカプセルによる方法などが存在する。

【００４０】熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤として
は、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物や、これら
の混合物が好ましく、２−メチルイミダゾールとイソシ
アネートとの付加物であっても良い。これらは、単独
で、又は２種以上で用いても良い。

【００４１】本発明に用いる熱硬化型接着成分におい
て、上記の熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ−
２）は、エポキシ樹脂（Ｂ−１）１００重量部に対し
て、通常１〜２０重量部が好ましく、５〜１５重量部の
割合が、特に好ましく用いられる。１重量部未満である
と樹脂硬化剤の効果が少なく２０重量部を超えると反応
性が高くなり保存性が悪くなる。

【００４２】本発明の粘接着層には、フィラーを含有し
ていてもよくそのフィラーの平均粒径は０．１〜２５μ
ｍであることが好ましい。平均粒径が０．１μｍ未満で
あるとフィラー添加の効果が少なく、２５μｍを超える
とフィルムとしての接着力の低下をもたらす可能性があ
る。

【００４３】本発明の粘接着層に用いるフィラーとして
は、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等が好ましい。

【００４４】フィラーの含有量は０％〜３０重量％が好
ましく、３０％を超えるとフィルムとしてもろくなり接
着性が低下する。

【００４５】本発明に用いる粘接着剤は、イミド環を有
する樹脂１００重量部に対して、紫外線硬化型粘着成分
を好ましくは２０〜８０重量部、特に好ましくは３０〜
６０重量部添加し、熱硬化型接着成分を好ましくは２０
〜８０重量部、特に好ましくは３０〜５０重量部添加し
て、粘着性、接着性及び耐熱性を発現させることができ
る。

【００４６】本発明のダイシングシート機能つきダイア
タッチフィルムの製造方法としては、先ず離型シート上
に、上記成分からなる粘接着剤樹脂組成物をワニス状
で、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター
など、一般に周知の方法に従って、塗工し、乾燥させて
粘接着剤層を形成する。その後離型シートを除去するこ
とによって粘接着剤フィルムとし、これに光透過性基材
に積層し、更に接着剤フィルムに保護フィルムを積層し
て保護フィルム、粘接着層、及び光透過性基材からなる
ダイシングシート機能つきダイアタッチフィルムを得る
ことができる。又は、離型シート上に形成された粘接着
剤層に、光透過性基材に積層して、保護フィルム（離型
シート）、粘接着層、及び光透過性基材からなるダイシ
ングシート機能つきダイアタッチフィルムを得ることが
できる。

【００４７】または、光透過性基材上に、直接、粘接着
剤組成物を同様の方法で塗工し、乾燥させて、接着剤フ
ィルムに保護フィルムを積層して保護フィルム、粘接着
層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機能つ
きダイアタッチフィルムに得ることができる。

【００４８】このようにして形成される粘接着層の厚さ
は、好ましくは３〜１００μｍで、１０〜７５μｍであ
ることがより好ましい。厚さが３μｍ未満であると粘接
着剤としての効果が少なくなり、１００μｍを超えると
製品の作成上難しく厚み精度が悪くなる。

【００４９】本発明の半導体装置の製造方法は、まず、
シリコンウエハーの裏面に本発明のダイシングシート機
能つきダイアタッチフィルムの粘接着層を室温あるいは
温和な条件で貼付した後、ダイアタッチフィルム付きシ
リコンウエハーを、ダイアタッチフィルムをダイシング
フィルムとして介してダイシング装置上に固定し、ダイ
シングソーなどの切断手段を用いて、上記のダイアタッ
チフィルム付きシリコンウエハーを、個片単位に切断し
て個片ダイとした半導体チップを得る。

【００５０】続いて、上記のようにして得られた半導体
チップに貼付したダイアタッチフィルムの光透過性基材
面に、紫外線（中心波長＝約３６５ｎｍ）を照射する。
通常、照度は２０〜５００ｍＪ／ｃｍ²、さらに照射時
間は、５〜６００秒の範囲内に設定される。上記の紫外
線照射の場合準じて諸条件を設定することができる。

【００５１】次いで、ダイアタッチフィルムを半導体チ
ップの裏面に固着残存させたままで、光透過性基材のみ
を剥離する。

【００５２】このようにして、ダイアタッチフィルムの
粘接着層が固着されている半導体チップを、そのまま金
属リードフレームや基板に、粘接着層を介して、加熱・
圧着することで、ダイボンディングすることができる。
加熱・圧着の条件として、通常は、１００〜３００℃の
加熱温度、１〜１０秒の圧着時間であり、好ましくは１
００〜２００℃の加熱、１〜５秒の圧着時間である。つ
づいて、ダイアタッチフィルムに熱硬化型接着成分を含
む場合、後処理として、更に加熱にすることにより、ダ
イアタッチフィルム中の熱硬化型接着成分を硬化させ、
半導体チップとリードフレームや基板等とを、強固に接
着させた半導体装置を得ることができる。この場合の加
熱温度は、通常は１００〜３００℃程度、好ましくは１
５０〜２５０℃程度であり、加熱時間は通常は１〜２４
０分間、好ましくは１０〜６０分間である。

【００５３】最終的に硬化したダイアタッチフィルム
は、高い耐熱性を有するとともに、該ダイアタッチフィ
ルム中に含まれる熱硬化に関与しないイミド環を有する
樹脂成分、例えば、耐熱性の高いポリイミド樹脂の硬化
物は、脆質性が低く、優れた剪断強度と高い耐衝撃性、
耐熱性を有する。

【００５４】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。

【００５５】（Ａ）紫外線硬化型粘着成分 〔（Ａ−１）（メタ）アクリル酸エステルモノマー〕
１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（メーカ
ー：共栄社化学（株）） 〔（Ａ−２）光重合開始剤〕２，２−ジメトキシキ−
１，２−ジフェニルエタン−１−オン（メーカー：チバ
ガイギ（株））

【００５６】（Ｂ）熱硬化型接着成分 〔（Ｂ−１）エポキシ樹脂〕 （Ｂ−１−１）クレゾールノボラックエポキシ樹脂（商
品名：ＥＯＣＮ−１０２０−８０、エポキシ当量：２０
０ｇ／ｅｑ、メーカー：日本化薬（株）） 〔（Ｂ−２）熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤〕 （Ｂ−２−１）イミダゾール化合物（商品名：１Ｂ２Ｍ
Ｚ、メーカー：四国化成）

【００５７】（Ｃ）イミド基を含む樹脂成分 （Ｃ−１）シリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、
ジアミン成分として、２，２−ビス[４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル]プロパン（０．１５モル）と
α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロ
キサン（平均分子量８３７）（０．１５モル）に対し
て、酸成分に４，４’−オキシジフタル酸二無水物
（０．３０モル）を用いたアニソールに可溶なポリイミ
ド樹脂を得た。分子量はＭｗ＝６００００である。 （Ｃ−２）シリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、
ジアミン成分として２，２−ビス[４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル]プロパン（０．１５モル）とα，
ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサ
ン（平均分子量８３７）（０．１５モル）に対して、酸
成分に４，４’−オキシジフタル酸二無水物（０．１５
モル）３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物を用いたアニソールに可溶なポリイミド樹脂
を得た。分子量はＭｗ＝５００００である。 （Ｃ−３）シリコーン変性ポリイミド樹脂、詳しくは、
ジアミン成分として１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン（０．１５モル）とα，ω−ビス（３−ア
ミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均分子量８
３７）（０．１５モル）に対して酸成分に４，４’−オ
キシジフタル酸二無水物（０．３０モル）を用いたアニ
ソールに可溶なポリイミド樹脂を得た。分子量はＭｗ＝
６００００である。

【００５８】（Ｄ）フィラー （Ｄ−１）シリカフィラーＳＰ−４Ｂ（平均粒径４μ
ｍ）（メーカー：扶桑化学(株) ）

【００５９】光透過性基材 ハイブラ６０重量部ポリプロピレン４０重量部からなる
クリアテックＣＴ−Ｈ８１７（クラレ製）を、押し出し
機で、厚み１００μｍのフィルムを形成した。

【００６０】《実施例１》表１に記載の割合で各成分を
調合し、粘接着剤組成物を得た。この粘接着剤組成物
を、ポリエチレンテレフタレート基材１００μｍに塗布
し、乾燥し粘接着剤フィルムを得た。この粘接着剤フィ
ルムに、光透過性基材を合わせてラミネートすることで
保護フィルム（ポリエチレンテレフタレート基材）、粘
接着層、及び光透過性基材からなるダイシングシート機
能つきダイアタッチフィルムを作製した。このダイアタ
ッチフィルムの保護フィルムを剥離した後、粘接着層面
に半導体ウエハーを貼り付け、固定保持しダイシングソ
ーを用いて、スピンドル回転数５０，０００ｒｐｍ、カ
ッティングスピード５０ｍｍ／secで、５×５ｍｍ角の
チップサイズにカットした。次いで、紫外線を２０秒で
２５０ｍＪ／ｃｍ²の積算光量を照射後ダイアタッチフ
ィルムの残着した半導体チップから、光透過性基材を剥
離し、次いで、半導体チップを粘接着層を介して、４２
−アロイ合金のリードフレームに、１８０℃−１ＭＰａ
−１．０ｓｅｃの条件で圧着して、ダイボンディング
し、ダイシングシート及びダイアタッチフィルムとして
の各項目の評価を行った。結果を表２、３に示す。

【００６１】《実施例２》粘接着剤成分の配合割合を表
１のように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行
った。

【００６２】《比較例１》粘接着剤成分の配合割合を、
表１のように変更した以外は実施例１と同様の操作を行
った。

【００６３】

【表１】

【００６４】

【表２】

【００６５】

【表３】

【００６６】実施例および比較例の評価は、以下の評価
方法を用いた。 （１）接着層剥離率 ウエハー裏面にダイシングシート機能付きダイアタッチ
フィルムを２５℃で貼り付けダイシング後紫外線照射
し、ダイアタッチフィルム付き半導体チップを光透過性
基材からピックアップしリードフレームに温度１８０℃
-１ＭＰa-１ｓでマウントし住友ベークライト株式会社
製封止材でモールドし半導体装置とした。封止後のサン
プルを８５℃/８５％Ｒｈの恒温恒湿器中で１６８時間
処理した後ＩＲリフロー炉で２４０℃で処理した。その
後断面を顕微鏡で観察し接着剤層の剥離率とリフローク
ラックの発生率の評価を行った。 （２） ダイシング後のチップの飛散 半導体ウェハーをダイシングした後に、粘着が弱いため
にダイアタッチフィルム上から剥離する半導体チップの
個数を計測することにより評価した。 （３）チッピング特性 ○：チップのかけの幅が最大で30μｍ以下のもの。 △：チップのかけの幅が最大で30〜50μｍのもの。 ×：チップのかけの幅が最大で50μｍ以上のもの。 （４） ピックアップ性 半導体ウェハーのダイシング後に紫外線照射し、ダイア
タッチフィルム付き半導体チップを光透過性基材から取
り上げること（ピックアップ）ができるかを評価した。 ○：ほぼ全てのチップがピックアップ可能なもの △：ダイシングしたチップの５０〜９０％がピックアッ
プ可能なもの ×：ピックアップが５０％以下のもの （５） ダイアタッチフィルムとしての初期接着性 ダイアタッチフィルム付き半導体チップを４２−アロイ
合金のリードフレームに１８０℃−１ＭＰａ−１．０ｓ
ｅｃの条件でダイボンディングし、そのまま未処理の状
態でチップとリードフレームとの剪断強度を測定し評価
した。 （６） 吸湿後の接着性 上記（３）でダイボンディングした測定サンプルを８５
℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、チップ
とリードフレームとの剪断強度を測定し評価した。 ○：剪断強度が１ＭＰａ以上 △：剪断強度が０．５〜１．０ ×：剪断強度が０．５未満 （７）ＵＶ吸収率 ＵＶ吸収率の測定方法は、紫外光吸収率として、２００
nmから３７５nmの紫外光を粘接着層にあて、吸光度計に
より、その吸収率を測定した。

【００６７】

【発明の効果】本発明によれば、ウエハーを温和な条件
で貼付を行いダイシング時にはダイシングフィルムとし
て耐チッピング特性、クラック特性に優れたダイシング
シートとしての機能を有し、ダイマウント時には接着剤
として使用することができ、しかも、厚みの均一性、接
着強度、剪断強度特性に優れ、９０℃以上の熱可塑性ポ
リイミド樹脂を用いることで厳しい湿熱条件に耐えるダ
イアタッチフィルムを提供できる。また、これを用いた
半導体装置は、これまでの液状エポキシ系のダイアタッ
チ材と同等または、それ以上の耐衝撃性、耐熱性を有す
る。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス転移温度９０℃以上の熱可塑性ポ
   リイミド樹脂、及び熱硬化性樹脂を含有してなることを
   特徴とするダイボンディング用接着剤。
2. 【請求項２】請求項１記載のダイボンディング用接着
   剤、及び光透過性基材からなり、多数の半導体素子が形
   成されたウエハー裏面に５０℃以下の低温で貼付けする
   ことができるダイシングシート機能つきダイアタッチフ
   ィルム。
3. 【請求項３】（Ａ）請求項２記載のダイシングシート機
   能つきダイアタッチフィルムでシリコンウェハー裏面と
   を５０℃以下で貼り合わせる工程、（Ｂ）該シリコンウ
   ェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、（Ｃ）
   ダイシング後にダイアッタチフィルム面に紫外線を照射
   して粘接着層の光透過性基材との接触界面を硬化させる
   工程、（Ｄ）粘接着層を紫外線硬化させた後、裏面にダ
   イアタッチフィルムを残存させたダイを光透過性基材か
   ら剥離し取り出すピックアップ工程、（Ｅ）該ダイを、
   リードフレームまたは基板に、ダイアタッチフィルムを
   介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１記載のダイボンディング用接着
   剤、又は請求項２記載のダイシングシート機能つきダイ
   アタッチフィルムにより、半導体素子とリードフレーム
   又は基板とを接着してなる半導体装置。