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JP2003340287A - キラル触媒、接触酸化及び不均化反応並びにエポキシクロマン及びタキソルの製造方法 - Google Patents

キラル触媒、接触酸化及び不均化反応並びにエポキシクロマン及びタキソルの製造方法

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JP2003340287A
JP2003340287A JP2003190489A JP2003190489A JP2003340287A JP 2003340287 A JP2003340287 A JP 2003340287A JP 2003190489 A JP2003190489 A JP 2003190489A JP 2003190489 A JP2003190489 A JP 2003190489A JP 2003340287 A JP2003340287 A JP 2003340287A
Authority
JP
Japan
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group
catalyst
hydrogen
alkyl group
derivative
Prior art date
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Pending
Application number
JP2003190489A
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English (en)
Inventor
Eric N Jacobsen
エリック エヌ ジェイコブソン
Wei Zhang
ウェイ ツァン
Li Deng
リー デン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Research Corp Technologies Inc
Original Assignee
Research Corp Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Research Corp Technologies Inc filed Critical Research Corp Technologies Inc
Publication of JP2003340287A publication Critical patent/JP2003340287A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プロキラルオレフィンをエナンチオ
選択的にエポキシ化するため及びプロキラルスルフィド
をエナンチオ選択的に酸化するための触媒並びにかかる
触媒を用いる方法を提供する。 【解決手段】 本発明は一般構造（Ｉ）を有する
サレン誘導体である触媒を提供する。本発明はまた、ク
ロメン誘導体、酸素原子源及びキラル触媒を、該クロメ
ン誘導体をエポキシ化するのに必要とされる条件下及び
時間反応させる、キラル触媒を用いるエポキシクロマン
の製造方法を提供する。本発明はまた、シス−シンナメ
ート誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化してタキソ
ル又はその類縁体を製造する方法を提供する。さらに本
発明は、本発明の触媒を用いて過酸化水素を不均化する
方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】発明の背景 キラル触媒及び触媒作用 本発明は、不斉触媒作用の分野に関する。更に詳細に
は、本発明は、プロキラルオレフィンをエナンチオ選択
的にエポキシ化するのに有効な有機金属触媒の分野に関
する。 【０００２】 【従来の技術】最近、不斉基移動の触媒作用においてい
くつかの進展があった。その１つは、K.B.Sharpless に
よるエナンチオマー的に純粋な合成構造ブロックが得ら
れるアリルアルコールのエポキシ化の発見である。残念
ながら、Sharpless の接触作用は、エポキシ化されるべ
きオレフィン上に特定の官能基、即ち、アリルアルコー
ルの存在を必要とする。当然のことながら、この要求が
エポキシ化される種々のオレフィンを厳しく制限してい
る。官能化されない不斉触媒作用において、ある成功が
得られている。例えば、K.B.Sharpless は、1988年に、
ある種のキナ皮アルカロイド誘導体がトランス−スチル
ベン及び他の種々のオレフィンのオスミウム触媒不斉ジ
ヒドロキシル化において有効な配位子であることを報告
している。この方法はある種のキラルジオールに対して
は実用となるが、シスオレフィンには不十分な結果を与
えるものである。本明細書に開示された触媒を除いて、
官能化されないオレフィンを不斉エポキシ化するのに実
用的な触媒法は現在存在しないと思われる。キラルポル
フィリン錯体の使用によって、この領域が多少進歩して
きている。特に、J.T.Groves等は、1983年に、キラルイ
オンポルフィリン触媒による不斉エポキシ化を報告して
いる。残念ながら、Groves系にはいくつかの欠点があ
る、即ち、ポルフィリン触媒は比較的調製が困難であ
り、基質低変換に対して酸化剤進行させ、スチレン誘導
体に限定され且つエナンチオマー過剰率(ee)値が約５０
％未満である。 【０００３】エポキシクロマンの合成 エポキシドの幅広い合成用途があるとすれば、単純なオ
レフィンの簡便で信頼でき且つ実用的な不斉エポキシ化
方法が望ましいことは明らかである。合成用途のあるキ
ラルエポキシドの１種は、エポキシクロマンとして一般
に知られる化合物群又はクロメン誘導体のエポキシドで
ある。例えば、６−シアノ−2,２−ジメチルクロメンの
エポキシドは、クマロカリムとして知られる化合物の合
成において有効であることが見出されている。２種類の
クマロカリムが図１３及び１４に示されている。これら
は共に、カリウムチャネル活性化物質であると考えられ
ており、血圧降下剤としてかなり有望であることが示さ
れている。図１２及び１３でわかるように、クロマカリ
ム化合物は２つのエナンチオマーを有する。現在、これ
らのエナンチオマーのうちの１種、即ち、３Ｓ，４Ｒエ
ナンチオマーだけが降圧活性を有すると考えられてい
る。従って、前駆体クロメン誘導体のエナンチオマー的
により純粋なエポキシドを製造する方法が強く望まれて
いる。 【０００４】タキソルの合成 タキソルは臨床予備試験において有望な抗癌剤として出
現した。しかしながら、タキソルは非常に複雑な分子で
あって完全に合成されておらず、不足した状態にある。
タキソルは、２つの基本構造単位、Ｎ−ベンゾイル−３
−フェニル−イソセリン側鎖及び高度に官能化したジテ
ルペン核を有すると考えられる。核の四環状構造ははる
かに大きな合成課題であり、いくつかの主導的な研究室
の一致した努力にもかかわらず現在までのところかなえ
られていない。従って、多数の研究グループがタキソル
又はタキソル様活性を有する類縁体の半合成方法を探索
している。いくつかの新規な方法は、天然ジテルペン核
への側鎖合成及び結合又はタキソル同族体を含むもので
ある。得やすいタキソル同族体１０−デアセチルバッカ
チンIII(１０−ＤＢIII)原料が見出されている。Chauvi
ere, G., Guenard, D.; Picot, F.; Senilh, V.; Potie
r,P.C.R.: Seances Acad. Sci., Ser.2,293: 501-03, 1
981。Denis等(J. Amer. Chem. Soc. 110: 5417, 1988)
は、１０−ＤＢIIIをタキソルに変換する方法を開発
し、タキソルＣ１３側鎖に、保護された形の（２Ｒ，３
Ｓ）−Ｎ−ベンゾイル−Ｏ−（１−エトキシエチル）−
３−フェニル−イソセリンを用いている。Denis, J.-
N.; Greene, A.E.; Serra, A.A.; Luche, M.-J. J. Or
g. Chem. 51: 46-50, 1986。光学的に純粋なタキソルの
Ｃ１３側鎖を合成する効率の良い方法が望まれている。 【０００５】キラル触媒及びスルフィドの酸化 本発明は、また、スルフィドをスルホキシドにエナンチ
オ的に酸化するのに有効な有機金属触媒の分野に関す
る。スルホキシドの幅広い合成用途があるとすれば、ス
ルフィドの簡便で信頼でき且つ実用的な不斉酸化方法が
望ましいことは明らかである。キラルオキサジリジン誘
導体を用いる不斉スルフィド酸化及びオレフィンエポキ
シ化法がDavis等によって開発されており、良好から優
秀までの効果があった。これらの反応（及び化学量論的
不斉エポキシ化）のエナンチオ選択的触媒は、新しい合
成化学において最も興味深い課題になっている。今日ま
でのところ、これらの両過程の場合十分に確立され且つ
広く成功した方法は、末端酸化剤としてアルキルヒドロ
ペルオキシドと密接に関連したチタン−酒石酸塩触媒を
使用しているものしかない。また、末端酸化剤としてヨ
ードシルアレーンを用いて、選択性が適度な両方のタイ
プの酸化過程を触媒する各種キラルポルフィリン錯体も
報告されている。 【０００６】過酸化水素の接触不均化 血液及び種々の組織に存在する酵素カタラーゼは、過酸
化水素を酸素ガス及び水に極めて急速に分解する。この
過酸化水素の接触不均化（カタラーゼ反応としても知ら
れる）は、好気的細胞を酸化ストレスから保護するので
生物学的に重要な過程である。即ち、カタラーゼのよう
に機能することができる化合物を見出すことは望ましい
ことである。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するため
の手段】発明の要約 簡単に述べると、本発明は、キラル触媒及びプロキラル
オレフィンをエナンチオ選択的にエポキシ化するために
該触媒を用いる方法である。 【０００８】本発明の第１態様によれば、キラル触媒は
下記構造を有する： 【化２】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり、Ａはアニオンであ
り、ｎは０、１又は２である。Ｘ１又はＸ２の少なくと
も１種はシリル基、アリール基、第二級アルキル基及び
第三級アルキル基からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４
の少なくとも１種は同じ群より選ばれる。Ｙ１、Ｙ２、
Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル
基、アリール基、シリル基及びヘテロ原子を有するアル
キル基、例えば、アルコキシ又はハライドからなる群よ
り独立して選ばれる。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
の少なくとも１種はＨ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5及び第一級アル
キル基からなる第１群より選ばれる。更に、Ｒ１が該第
１群より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３はアリール
基、ヘテロ原子を有する芳香族基、第二級アルキル基及
び第三級アルキル基からなる第２群より選ばれる。Ｒ２
が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第
２群より選ばれる。Ｒ３が該第１群より選ばれる場合に
は、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれる。Ｒ４が該第
１群より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３は該第２群よ
り選ばれる。 【０００９】本発明の第２態様によれば、キラル触媒は
下記構造を有する： 【化３】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり、Ａはアニオンであ
り；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一
級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及
びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少
なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級
アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる
群より選ばれ；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ７、Ｚ８、Ｚ
９、Ｚ１０、Ｚ１１及びＺ１２は水素、ハライド、アル
キル基、アリール基、ヘテロ原子を有するアルキル基か
らなる群より独立して選ばれる。 【００１０】本発明の第３態様によれば、キラル触媒は
下記構造を有する： 【化４】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり、Ａはアニオンであ
り；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくと
も１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキ
ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より
選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、
第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル
基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又はＹ２
の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第
二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子から
なる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はア
リール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三
級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ
３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からなる群より
独立して選ばれ；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の１又は２
種は水素であり；Ｒ１が水素である場合、Ｒ３は第一級
アルキル基であり；Ｒ２が水素である場合には、Ｒ４は
第一級アルキル基であり；Ｒ３が水素である場合には、
Ｒ１は第一級アルキル基であり；Ｒ４が水素である場合
には、Ｒ２は第一級アルキル基である。 【００１１】本発明の第４態様によれば、キラル触媒は
下記構造を有する： 【化５】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり、Ａはアニオンであ
り；ｎは３、４、５又は６であり；Ｘ１又はＸ２の少な
くとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級ア
ルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群
より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール
基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アル
キル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又は
Ｙ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル
基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原
子からなる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１
種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル
基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選
ばれ；Ｙ３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からな
る群より独立して選ばれ；Ｒ１とＲ４は相互にトランス
であり、Ｒ１及びＲ４の少なくとも１種は第一級アルキ
ル基及び水素からなる群より選ばれ；（Ｃ）n部分の炭
素は水素、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子から
なる群より選ばれた置換基を有する。 【００１２】本発明の方法の態様によれば、プロキラル
オレフィン、酸素原子源及び本発明の４態様の１種のキ
ラル触媒を、該オレフィンをエポキシ化するのに必要と
される条件下及び時間反応させる。 【００１３】本発明の他の方法の態様によれば、ピリジ
ン−Ｎ−オキシド誘導体が用いられる。好ましくは、４
−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド又は４−t-ブチルピ
リジン−Ｎ−オキシドが用いられる。更に好ましくは、
４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドが用いられる。 【００１４】キラル触媒及び触媒作用の本発明は、特定
の利点を提供した。第１に、本発明の触媒は、触媒と相
互作用するオレフィン上に特殊な官能基を必要とせずに
一、二及び三置換オレフィンのエナンチオ選択的エポキ
シ化を触媒するための手段を提供するものである。換言
すれば、本発明の触媒は、官能化されないオレフィンの
不斉エポキシ化を触媒するのに特に適している。これ
は、上記で言及したSharpless触媒のような従来の触媒
と著しく異なっている。 【００１５】第２に、本発明の好ましい触媒は、シス、
二置換オレフィンのエポキシ化を触媒するに当たり著し
いエナンチオ特性を示すものである。下記実施例１を参
照されたい、ここで第１態様の最も好ましい実施態様を
用いて触媒すると、シス−β−メチルスチレンで８５％
のeeが得られている。本発明の第４態様の最も好ましい
触媒を用いる実施例１２のee値も参照されたい。上記の
ように、従来技術の触媒はシス、二置換オレフィンの場
合４０％を超えるee値を生じていない。第３に、本発明
の触媒は、特に従来技術で開示されているポルフィリン
系に比べて合成が相対的に簡便である。 【００１６】簡単に述べると、本発明のまたもう１つの
実施態様は、キラル触媒を用いるエポキシクロマンの製
造方法である。本方法によれば、下記の酸素源及びキラ
ル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに必要
とされる条件下及び時間反応させる。 【００１７】本発明の方法で用いられるクロメン誘導体
は、下記構造を有する： 【化６】式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及び
Ｘ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二
級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からな
る群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でな
い。エポキシクロマンのエナンチオ選択的製造方法は、
特定の利点を提供した。第１に、本発明の好ましい触媒
は、クロメン誘導体のエポキシ化を触媒するに当たり著
しいエナンチオ選択性を示す。下記実施例１７を参照さ
れたい、ここで６−シアノ−2,２−ジメチルクロメン及
び下記で示される最も好ましい触媒を用いて９７％のee
が得られた。上記のように、従来技術の触媒はシス、二
置換オレフィンの場合４０％を超えるee値が得られてい
ない。 【００１８】第２に、本発明は、エナンチオ選択性が非
常に高いエポキシクロマンに対して効果的で簡潔な方法
を提供する。エナンチオマー的に豊富にしたエポキシク
ロマンは、キラルな3,４−二置換クロマンの合成に有効
な中間体である。第３に、本方法は種々の置換クロメン
誘導体について有効である。第４に、本発明の触媒は、
特に従来技術で開示されているポルフィリン系に比べて
合成が相対的に簡便である。 【００１９】本発明のまたもう１つの実施態様は、キラ
ル触媒を用いるシンナメート誘導体のシス−エポキシド
のエナンチオ選択的製造方法である。本方法によれば、
シス−シンナメート誘導体、酸素原子源及び下記のもの
より選ばれたキラル触媒を、該シス−シンナメート誘導
体をエポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反
応させる。反応は、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の存
在下に行われることが更に好ましい。 【００２０】本発明の方法において用いられるシス−シ
ンナメート誘導体は、下記構造を有する： 【化７】 式中、Ａ１−Ａ５は水素、アリール基、第一級アルキル
基、第二級アルキル基、第三級アルキル基、ヒドロキシ
ル基、アルコキシ基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びアミン基
からなる群より選ばれる。 【００２１】本発明のまたもう１つの実施態様は、キラ
ル触媒を用いるタキソル又はその類縁体の側鎖を製造す
る方法である。本方法よれば、シス−シンナメート誘導
体、酸素原子源及び下記のものより選ばれたキラル触媒
を、該シス−シンナメート誘導体をエナンチオ選択的に
エポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反応さ
せる。反応は、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の存在下
に行われることが更に好ましい。このシス−シンナメー
ト誘導体は、上記と同様の構造を有する。 【００２２】次いで、シス−シンナメート誘導体のシス
−エポキシドのエポキシドを位置選択的に開鎖（即ち、
特定の１酸素結合を切断することが好ましい）して３−
フェニルイソセリンアミド誘導体を製造する。この３−
フェニルイソセリンアミド誘導体を加水分解して３−フ
ェニル−イソセリン誘導体を製造し、次いで、塩化ベン
ゾイルと反応させてＮ−ベンゾイル−３−フェニル−イ
ソセリン誘導体を生成する。 【００２３】本発明のまた１つの実施態様においては、
タキソルはキラル触媒を用いて合成される。本方法によ
れば、エチルフェニルプロピオレートを部分的に水素化
してシス−エチルシンナメートを製造する。次いで、シ
ス−エチルシンナメート、酸素原子源及び下記のものよ
り選ばれたキラル触媒を、該シス−エチルシンナメート
をエナンチオ選択的にエポキシ化するのに必要とされる
条件下及び時間反応させる。反応は、ピリジン−Ｎ−オ
キシド誘導体の存在下に行われることが更に好ましい。 【００２４】次いで、エチルシンナメートのシス−エポ
キシドのエポキシドを位置選択的に開鎖して３−フェニ
ルイソセリンアミドを製造する。この３−フェニルイソ
セリンアミドを加水分解して３−フェニル−イソセリン
を製造し、次いで、塩化ベンゾイルと反応させてＮ−ベ
ンゾイル−３−フェニル−イソセリンを生成する。次い
で、Ｎ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリンを１−
クロロエチルエーテル及び第三級アミンと塩化メチレン
中で反応させてＮ−ベンゾイル−Ｏ−（１−エトキシエ
チル）−３−フェニル−イソセリンを生成する。次い
で、Ｎ−ベンゾイル−Ｏ−（１−エトキシエチル）−３
−フェニル−イソセリンを下記のアルコールと反応させ
る： 【化８】 この得られた中間体は、保護基を加水分解的に除去する
ことによりタキソルに変換される。 【００２５】タキソルの側鎖をエナンチオ選択的に合成
する本方法は、特定の利点を有する。本発明の好ましい
触媒は、シス−シンナメート誘導体のエポキシ化を触媒
するに当たり著しいエナンチオ選択性を示す。合成は、
比較的安価なエチルフェニルプロピオレートで始められ
る。特に、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を添加する
と、エポキシ化の特異性及び完結性が高まる。簡単に述
べると、本発明のまたもう１つの実施態様は、キラル触
媒を用いてスルフィドをエナンチオ選択的に酸化する方
法である。本方法によれば、スルフィド、酸素原子源及
び下記のものより選ばれたキラル触媒を、該スルフィド
を酸化するのに必要とされる条件下及び時間反応させ
る。スルフィドは、式Ｒ１−Ｓ−Ｒ２（Ｒ１は任意の芳
香族基であり、Ｒ２は任意のアルキル基である）を有す
ることが好ましい。テトラヒドロフラン、アセトン又は
アセトニトリルのような共溶媒を用いることが好まし
い。また、酸素原子源は、過酸化水素又はヨードスチル
ベンであることが好ましい。 【００２６】本発明のまたもう１つの実施態様は、本発
明の触媒を用いて過酸化水素を接触不均化する方法であ
る。本方法によれば、過酸化水素及び下記のものより選
ばれた触媒を、過酸化水素を酸素と水に不均化するのに
必要とされる条件下及び時間反応させる。触媒は、一金
属(サレン）Ｍｎ錯体であることが好ましい。触媒をＥ
ｔＯＨ、アセトン、ＣＨ2Ｃｌ2又はＨ2Ｏのような溶媒
と混合することも好ましい。付随の目的及び利点と共に
本発明は、添付の図面と合わせて読みとられる下記の詳
細な説明によって最も良く理解されるであろう。 【００２７】 【発明の実施の形態】好ましい実施態様の詳細な説明 上記のように、本発明は、キラル触媒並びにプロキラル
オレフィン、クロメン誘導体及びシス−シンナメート誘
導体をエナンチオ選択的にエポキシ化するために該触媒
を使用する方法である。1991年12月16日に出願された米
国特許出願第809,446号及び1991年8月26日に出願された
同第749,460号並びに1990年3月21日に出願された同第49
6,992号の一部継続出願である1991年3月21日に出願され
た同第673,208号の全開示（米国特許第５６３７７３９
号明細書及び米国特許第５６６３３９３号明細書）を参
考として本明細書に引用する。 【００２８】本発明の第１触媒 図１は、本発明の第１態様である好ましいキラル触媒の
構造を示すものである。本発明の好ましい触媒は、金属
イオンのサレン誘導体の錯体である。本明細書で用いら
れる“サレン”は、典型的にはサリチルアルデヒド誘導
体２分子とジアミン誘導体１分子との縮合反応で生成さ
れた配位子を意味する。サレン配位子はエチレンジアミ
ン誘導体から生成され、一方プロピル及びブチルジアミ
ンを用いるとサルピン及びサルベン類縁誘導体が得られ
る。サレン誘導体が好ましく、その一般構造は図１に示
されている。ｎが０であるサレン誘導体は図２に示され
ている。 【００２９】図１でわかるように、２個の窒素と２個の
酸素がサレン配位子の中心の方向にに配位しているので
遷移金属イオンＭに錯体形成位置を与える。この金属イ
オンは、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｒ
ｕ及びＯｓからなる群より選ばれることが好ましい。遷
移金属イオンは、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏから
なる群より選ばれることが更に好ましい。金属イオンは
Ｍｎであることが最も好ましい。アニオンＡの選択は、
触媒の性能に重要であると見られていない。アニオン
は、ＰＦ6、（アリール)4、ＢＦ4、Ｂ（アリール)4、ハ
ライド、アセテート、トリフレート、トシレートからな
る群より選ばれることが好ましく、ハライド又は,ＰＦ6
が更に好ましく、クロリドが最も好ましい。図１は、ま
た、サレン配位子上の置換に用いうる多くの位置を示し
ている。これらの位置のうち、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４
及びＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ３及びＹ６がこの第１
触媒において最も重要であると考えられる。 【００３０】本発明の第１態様によれば、Ｘ１及びＸ２
位の少なくとも１種及びＸ３及びＸ４位の少なくとも１
種は、第二級又は第三級アルキル基、アリール基、シリ
ル基及びアルコキシ又はハライドのようなヘテロ原子置
換基を有するアルキル基からなる群より選ばれた置換基
を包含する。下記で論じられる理由で、これらは“保
護”置換基と言われる。Ｘ１及びＸ３位がこれらの保護
置換基をもつことが好ましい。Ｘ１及びＸ３が同一の置
換基をもつことが更に好ましく、この置換基が第三級ブ
チルのような第三級アルキル基であることが最も好まし
い。Ｘ１及びＸ３が保護置換基をもつ場合には、Ｘ２及
びＸ４はＨ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5及び第一級アルキル基のよ
うな非保護置換基の群より選ばれ、Ｈが最も好ましい。
また、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４の３又は４種は保護置
換基の群より選ばれる。 【００３１】本発明の本第１態様によれば、Ｒ１、Ｒ
２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１種且つ２種以下は、
Ｈ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5及び第一級アルキル基からなる群よ
り選ばれる。便宜上また下記で論じられる本理論と一致
させるために、この群は非保護基と言われる。Ｒ１が非
保護基より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３は保護基よ
り選ばれる。Ｒ２が非保護基より選ばれる場合には、Ｒ
１及びＲ４は保護基より選ばれる。同様に、Ｒ３が非保
護基より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は保護基より
選ばれる。最後に、Ｒ４が非保護基より選ばれる場合に
は、Ｒ２及びＲ３は保護基より選ばれる。 【００３２】言い換えると、本発明の第１態様は、窒素
に隣接した２個の炭素原子上の置換に用いうる４個の位
置のうち、１又は２個が非保護基からの置換基を含むこ
とを必要としている。本発明は、また、残りの位置が保
護基からの置換基を含むことを必要としている。更に、
同一炭素上に２個の非保護置換基がなく、２個の別の炭
素の同じ側に２個の非保護置換基がない、即ち、窒素に
対してシスでないことを必要としている。 【００３３】また言い換えると、非保護置換基が１個だ
けある場合には、その非保護置換基は４置換位置、Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のいずれか１個にあるはずであ
り、他の３位置は保護置換基を含めねばならない。一
方、非保護置換基が２個ある場合には、これらは別の炭
素原子上になければならず、相互にトランスでなければ
ならない。非保護置換基は、水素又はメチルであること
が好ましく、水素が最も好ましい。保護置換基は、フェ
ニル基又は第三級ブチル基であることが好ましく、フェ
ニル基が最も好ましい。 【００３４】Ｙ３及びＹ６位の置換基は、配位子のコン
ホメーションに影響するので、エポキシ化におけるエナ
ンチオ選択性に影響する。Ｙ３及びＹ６は、水素、メチ
ル、アルキル又はアリールであることが好ましい。水素
又はメチルが更に好ましい。水素が最も好ましい。Ｙ
１、Ｙ２、Ｙ４及びＹ５位は、重要でないように見られ
ている。これらの位置は水素によって占められることが
好ましいが、水素、ハライド、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基、ニトロ基からなる群より独立して選
ばれた置換基によって占められてもよい。 【００３５】図２は、本発明の触媒の第１態様の最も好
ましい実施態様の構造を示すものである。わかるよう
に、Ｘ１及びＸ３の最も好ましい置換基はt-ブチルであ
る。また、Ｒ１及びＲ４位が同一の保護基、即ち、フェ
ニル基を有することが最も好ましい。更に、Ｒ２及びＲ
３位が水素によって占められることが最も好ましい。最
後に、Ｘ２、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及び
Ｙ６位もすべて水素によって占められることが最も好ま
しい。 【００３６】特定の理論に縛られることを望まないが、
本発明の触媒の第１態様の著しいエナンチオ選択性を説
明するために下記機構が提案される。最も好ましい触媒
のＲ,Ｒエナンチオマーのその提案されたオキソ中間体
状態における３次元図である図４を参照すると、重要な
別扱いのものと共に、サレン配位子がマンガンイオン１
３と錯体を作り且つその面に大体垂直な軸上に配列して
いる酸素原子１１と大体平面のコンホメーションをとっ
ていることがわかる。別扱いのものは、Ｘ１及びＸ３位
の各々１５及び１７に結合したtert−ブチル保護基及び
Ｒ１及びＲ４位の各々２１及び２３に結合したフェニル
保護基である。２次元で表すことが難しいが、Ｒ４のフ
ェニル保護基２３はＲ１のフェニル保護基２１の後ろに
あり、一方Ｒ４フェニル保護基２３は触媒平面の実質的
に上にあり且つＲ１フェニル保護基２１は触媒平面の実
質的に下にある。 【００３７】図５Ａ−５Ｃは、二重結合のエポキシ化で
起こりうるシス−二置換オレフィン、即ち、シス−メチ
ルスチレンの場合に可能な種々の遷移配向を示すもので
ある。図５Ａは、好ましい配向、即ち、オレフィンと触
媒の保護基との間の立体障害が最も小さい配向を示すも
のである。この配向は、二重結合が前方から接近する際
に生じる（図示されている）。この配向は、シス−β−
メチルスチレンオキシドの１Ｒ，２Ｓエナンチオマーの
生成をもたらす。 【００３８】図５Ｂは、メチルスチレンが１８０°回転
しているのでスチレンのフェニル基がＸ１及びＸ３位の
t-ブチル基１５及び１７に接近する配向を示すものであ
る。スチレンのフェニル基２５とt-ブチル基１５及び１
７との間の立体障害がこの配向を助けないと思われる。
図５Ｃは、酸素原子に後方から接近する二重結合によっ
て生じる配向を示すものである（図示されている）。こ
の配向は、シス−β−メチルスチレンオキシドの１Ｓ，
２Ｒエナンチオマーの生成をもたらす。この配向におい
ては、スチレンのフェニル基２５がＲ４位のフェニル基
２３に接近する。即ち、これらの２つのフェニル基の間
の立体障害が酸素原子の後方からのこの接近を助けない
ので、１Ｓ，２Ｒエナンチオマーの合成が容易でない。 【００３９】対照的に、図５に示される配向は、前方、
即ち、Ｒ１フェニル基２１が触媒平面の下にある位置か
らの接近によって生じるので障害にならない。この理由
で、図５で表された接近が立体的に好ましいので、１
Ｒ，２Ｓエナンチオマーの合成が容易である。上記機構
が本発明の触媒に見られた高度のエナンチオ選択性を正
確に表しているが、この機構が現在理論に過ぎないこと
は留意すべきである。この提案された機構だけで、後記
請求の範囲によって定義された本発明の範囲を決して制
限してはならない。 【００４０】シス−β−メチルスチレンオキシドの１
Ｓ，２Ｒエナンチオマーの合成が触媒のＳ，Ｓエナンチ
オマーを用いることにより助けられることは留意され
る。最も好ましい触媒がＣ2対称、即ち、１８０°回転
すると同一であることも留意される。従って、酸素原子
が、図示されるように触媒の上部か又は触媒の下部に配
列されるかの結果は厳密に同じである。 【００４１】別の実施態様においては、触媒はほぼＣ2
対称である。特に、上記の規則により、１８０°回転す
ると保護基が同じ場所にあり且つ非保護基が同じ場所に
あるように、置換基がＲ１−Ｒ４上に配置される。従っ
て、一方からのプロキラルオレフィンの接近を助けるほ
ぼ同じ立体障害を行いながら、酸素が触媒の両方に錯体
を形成することができるので、触媒のエナンチオ選択性
が維持される。また他の実施態様においては、触媒が１
種の非保護基のみ有する。結果として、酸素が触媒の一
方に配列する場合にのみ好ましい接近がある。即ち、触
媒のエナンチオ選択性が維持される。 【００４２】本発明の第２態様 本発明の第２態様によれば、キラル触媒がビナフチルジ
アミンを用いて製造され、下記一般構造を有する（図３
も参照）。 【化９】本ビナフチル実施態様においては、遷移金属イオンＭ及
びアニオンＡは、図１を用いて上記で述べたものと同様
の群より選ばれることが好ましい。また上記のように、
Ｘ１及びＸ２の少なくとも１種及びＸ３及びＸ４の少な
くとも１種が第二級又は第三級アルキル基、アリール
基、シリル基及びアルコキシ又はハライドのようなヘテ
ロ原子置換基を有するアルキル基からなる保護置換基の
群より選ばれた基によって占められることを必要とす
る。これらの置換基の１種をもつＸ１及びＸ３位である
ことが好ましい。Ｘ１及びＸ３が同一の置換基をもつこ
とが更に好ましく、第三級ブチルのような第三級アルキ
ル基であることが最も好ましい。 【００４３】Ｙ３及びＹ６位の置換基は、配位子のコン
ホメーションに影響するので、エポキシ化においてエナ
ンチオ選択性に影響する。Ｙ３及びＹ６は、水素、メチ
ル基、アルキル基又はアリール基であることが好まし
い。水素又はメチル基が更に好ましい。水素が最も好ま
しい。置換基Ｚ１及びＺ２は、提案された金属オキソ面
の間の識別に影響するので、エポキシ化においてエナン
チオ選択性に影響する。Ｚ１及びＺ２は、水素、エチル
基、アルキル基、シリル基又はアリール基であることが
好ましい。アルキル基又はアリール基が更に好ましい。 【００４４】本第２態様の触媒のＹ１、Ｙ２、Ｙ４及び
Ｙ５位は、重要でないこともわかる。上記にように、こ
れらの位置は水素で占められることが好ましいが、水
素、ハライド、アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、ニトロ基からなる群より独立して選ばれた置換基で
占められてもよい。表されているように、別のビナフチ
ル実施態様は、他の図で示されている好ましい触媒と同
様のエナンチオ選択性を達成する。特に、ビナフチル配
位子の配置は、ナフチル基の１方が触媒の平面より上で
あるようにまたもう一方のナフチル基が触媒の平面より
下であるようにし、これにより一方からの酸素原子への
接近が容易である。 【００４５】本発明の第３態様 図６は、本発明の第３態様の構造を示すものである。本
態様によれば、キラル触媒は下記構造を有する： 【化１０】 第１及び第２態様でのように、Ｍは上記の群から選ばれ
た遷移金属イオンであり、Ｍｎが最も好ましい。同様
に、Ａは上記の群から選ばれたアニオンであり、Ｃｌが
最も好ましい。また、ｎは０、１又は２とすることがで
きるが、０が最も好ましい。第１及び第２態様でのよう
に、Ｘ１又はＸ２か又は双方に保護置換基がある。この
保護置換基は、アリール基、第一級アルキル基、第二級
アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる
群より選ばれる。Ｘ３又はＸ４か又は双方にも同様の群
より選ばれた保護置換基がある。保護置換基はＸ１及び
Ｘ３にあることが好ましい。同一基であることが更に好
ましく、保護置換基がtert−ブチルであることが最も好
ましい。 【００４６】第１態様との相違点として、第３態様は次
の位置：Ｙ１及びＹ２の少なくとも１つ及びＹ４及びＹ
５の少なくとも１つに位置した保護置換基を必要とす
る。これらの保護置換基は、Ｘ１−Ｘ４のような群、即
ち、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル
基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選
ばれる。これらの“側方”保護置換基の重要性は、下記
で論じられる。本第３態様においては、置換基Ｙ３及び
Ｙ６は、水素及び第一級アルキル基からなる群より独立
して選ばれる。Ｙ３及びＹ６は、水素が好ましい。ま
た、本第３態様においては、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
の少なくとも１種は水素である。Ｒ１が水素である場
合、Ｒ３は第一級アルキル基である。Ｒ２が水素である
場合、Ｒ４は第一級アルキル基である。Ｒ３が水素であ
る場合、Ｒ１は第一級アルキル基である。最後に、Ｒ４
が水素である場合、Ｒ２は第一級アルキル基である。Ｒ
１及びＲ４が共に水素であり、Ｒ２及びＲ３が第一級ア
ルキル基であることが好ましい。Ｒ２及びＲ３がメチル
基であることが最も好ましい。わかるように、本第３態
様の触媒は、第３態様が触媒の側方位置、即ち、Ｙ１及
び／又はＹ２並びにＹ４及び／又はＹ５位に保護置換基
を必要とすることを除いて第１態様の触媒と類似してい
る。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の１又は２種は水
素であることを必要とし、Ｒ位の残りの置換基はこの明
示された配置において第一級アルキル基であることを必
要とする。この配置の重要性及び第２触媒で提案された
機構を図１０と共に下記で述べる。 【００４７】本発明の第４態様 図７は、本発明の第４態様の触媒の構造を示すものであ
る。本触媒は下記構造を有する： 【化１１】 本実施態様においては、遷移金属Ｍ及びアニオンＡは、
同様の関係にある上記と同じ群より選ばれる。同様に、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ１、２、Ｙ４及びＹ５の置
換基は、同様の関係にある上記第３触媒と同じ群より選
ばれる。言い換えると、本実施態様は、第３触媒のよう
に“下方”及び“側方”に保護置換基を必要とする。Ｘ
１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４はすべてt-ブチルであることが
好ましい。Ｙ３及びＹ６の必要条件及び意味は、第３触
媒と同様である。Ｙ３及びＹ６は、水素であることが好
ましい。 【００４８】わかるように、本発明の第４態様の触媒は
２個の窒素元素に結合した環を含み、ｎ＋２炭素の長さ
である。本触媒においては、ｎは３、４、５又は６とす
ることができる。“Ｃn”部分の炭素は、水素、アルキ
ル、アリール及びヘテロ原子より選ばれた置換基をもつ
ことができる。“Ｃn”部分の炭素上の置換基は、水素
であることが好ましい。本第４態様においては、Ｒ１と
Ｒ４は相互にトランスであるように配置される。また、
Ｒ１及びＲ４は第一級アルキル基及び水素からなる群よ
り選ばれる。Ｒ１及びＲ４は同一であることが好まし
い。Ｒ１及びＲ４は共に水素であることが最も好まし
い。本触媒は、シス−シンナメート誘導体をエポキシ化
するために用いることが最も好ましい（下記参照）。 【００４９】概念的には、炭素に隣接した、また窒素原
子に隣接した環の炭素は、第３態様のＲ２及びＲ３位と
して示されているものに結合する（図６）。即ち、本第
４態様は、ある点では、ｎ炭素鎖（第一級アルキル基）
の２端がＲ２及びＲ３位に結合している第３態様のサブ
セットである。第３と第４態様間の１つの相違は、第４
態様の触媒が水素又は第一級アルキル基であることがで
きるＲ１及びＲ４を有することができる点である。 【００５０】図８は、本発明の第４態様の好ましい実施
態様を示すものである。本実施態様でわかるように、環
は６員環、即ち、ｎ＝４である。また、Ｒ１とＲ４は相
互にトランスであり、水素である。Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及
びＹ４は、すべてt-ブチルである。他の置換基はすべて
水素である。図９及び１０は、本発明の第１及び第２態
様に提案された機構及び第３及び第４態様に提案された
機構との間の相違を示すものである。第１及び第２態様
を表す図９は、プロキラルオレフィンの提案された好ま
しい接近を示すものである。接近ｃは、かさ高いt-ブチ
ル基により好ましくないと考えられる。接近ｄも同様
に、触媒の立体的にかさ高いフェニル基のために好まし
くない。接近ａ及びｂは触媒の非対称により区別され
る。表した実施態様に示されるように、左のフェニルが
紙面下にあり右のフェニルが紙面上にあることから、接
近ｂはオレフィンとフェニル基との間の立体相互作用の
ため好ましくないと予想される。左（接近ａ）からのよ
り好ましい接近の関係においては、オレフィン上の大き
な置換基が触媒上のt-ブチル基から離れて配向するよう
にオレフィンのオキソ基へのより好ましい接近であるこ
とが予想される。 【００５１】本発明の第３及び第４態様を示す図１０
は、触媒が側方保護基を有する際のオレフィンの本発明
の好ましい接近を示すものである。Ｙ１及びＹ４の側方
t-ブチル基のために、左からの接近ａ及び右からの接近
ｂは好ましくないと考えられる。同様に、Ｘ１及びＸ３
の下方保護基のために、下側からの接近ｃも好ましくな
い。即ち、上方からの接近ｄが好ましい。更に、触媒の
キラリティーのために、プロキラルオレフィンの配向も
影響される。表された本実施態様に示されるように、右
側の立体障害が大きいために、オレフィン自体は左側の
大きな基によって配向すると予想される。接近ｄが好ま
しい接近であると理論づけられることから、Ｒ１及びＲ
４の基は水素及び第一級アルキル基に限定される。言い
換えれば、大きな基は接近ｄを妨害すると考えられる。
上記議論は観察された結果と一致するが、本発明の全４
態様に提案された機構がこの点でのみ理論づけられるこ
とは留意されるべきである。従って、後記請求の範囲で
定義された本発明の範囲を制限するものとして説明を考
えるべきではない。 【００５２】本発明のキラル触媒を調製する好ましい経
路は、置換サリチルアルデヒドと置換ジアミンとの縮合
反応である。一般に、これらの化合物の量は無水エタノ
ール中２：１のモル比で反応させる。これらの溶液を典
型的には１時間還流し、サレン配位子を水の添加により
分析的に純粋な形で沈澱させるか又は金属の添加により
そのアセテート、ハライド又はトリフレート塩として直
接金属錯体を生成させる。 【００５３】下記手順は、次のものを調製するための概
略である： 【化１２】サレン配位子を熱無水エタノールに再溶解して0.１M溶
液を得る。固体Ｍｎ(OＡｃ)2・４Ｈ2Ｏ（2.０当量）を
一度に加え、この溶液を１時間還流する。次いで、約３
当量の固体ＬｉＣｌを加え、この混合液を0.５時間更に
加熱還流する。混合液を０℃まで冷却するとＭｎ(III)
錯体１を暗褐色結晶として生じ、これをＨ2Ｏで十分洗
浄し、ろ過により収率〜７５％で単離する。母液にＨ2
Ｏを滴下することにより物質の追加収量を得ることがで
きる。触媒の合計収率が本工程の場合８９−９６％であ
り、光学的に純粋な1,２−ジフェニルエチレンジアミン
からの全体の８１−９３％である。触媒の各々の許容し
うるＣ、Ｈ、Ｎ、Ｃｌ及びＭｎの分析が得られている
（±0.４％）が、これらは粉末生成物中の水及びエタノ
ールの取込みの程度により異なる。エポキシ化反応にお
けるエナンチオ選択性は一定触媒を有する別個のバッチ
で変化せず、触媒の溶媒含量がその有効性に影響しない
ことを示した。 【００５４】触媒を調製する方法のもう１つの例は次の
ように記載される：出発ジアミンはＲ，Ｒ−又はＳ，Ｓ
−1,２−ジアミノ−1,２−ジフェニルエタンであり、出
発サリチルアルデヒドは３−tert−ブチルサリチルアル
デヒドである。３mlの無水エタノール中2.０ミリモルの
３−tert−ブチルサリチルアルデヒドの溶液を５mlのエ
タノール中1.０ミリモルの（Ｒ，Ｒ）−1,２−ジアミノ
−1,２−ジフェニルエタンの溶液に滴下する。この反応
混合液を１時間加熱還流した後、1.０ミリモルのＭｎ
（ＯＡｃ)2・４Ｈ2Ｏを一度に加えて熱（６０℃）溶液
を得る。添加の際に溶液の色は直ちに黄色から褐色にな
る。更に３０分間還流した後、室温に冷却する。次い
で、１０％ＮａＣｌ（５ml）の溶液を滴下し、この混合
液を0.５時間攪拌する。次いで、溶媒を減圧下で除去
し、残留物を５０mlのＣＨ2Ｃｌ2及び５０mlのＨ2Ｏで
摩砕する。有機層を分離し、褐色溶液を飽和ＮａＣlで
洗浄した。有機相を分離し、溶媒を除去すると粗物質を
生じ、これをＣ6Ｈ 6/Ｃ6Ｈ14で再結晶して0.９３８ミリ
モルの上記で示した（Ｒ，Ｒ）-触媒を得た（９3.８
％）。 【００５５】本発明のエポキシ化法態様に従って、プロ
キラルオレフィン、酸素原子源及びキラル触媒を、該オ
レフィンをエポキシ化するのに必要とされる条件下及び
時間反応させる。プロキラルオレフィンは、一置換、1,
１−二置換、シス−1,２−二置換、トランス−1,２−二
置換、三置換及び四置換より選ばれる。これらのうち一
置換及びシス−1,２−二置換が最も高いee値を示した。
エポキシ化されるべきプロキラルオレフィンは、一端に
立体的に必要とする置換基、もう一端に小さな置換基を
もつ環状オレフィンのようなシス−二置換オレフィンか
らなる群より選ばれることが好ましい。このプロキラル
オレフィンは、二重結合の一方に第一級置換基、もう一
方に第二級、第三級又はアリール置換基を有するシス二
置換オレフィンであることが更に好ましい。 【００５６】プロキラルオレフィンは、また、エナミ
ン、エノール及びα，β−不飽和カルボニルからなる群
より選ばれる。このプロキラルオレフィンは、シス−β
−メチル−スチレン、ジヒドロナフタレン、２−シクロ
ヘキセニル−1,１−ジオキソラン、プロピレン、スチレ
ン及び2,２−ジメチルクロメンからなる群より選ばれる
ことが更に好ましい。このプロキラルオレフィンは、シ
ス−β−メチルスチレンであることが最も好ましい。 【００５７】エポキシ化反応に用いられる酸素原子源
は、緩和な条件下オレフィンに対して比較的反応しない
酸化剤でなければならない。酸素原子源は、ＮａＯＣ
ｌ、ヨードシルメシチレン、ＮａＩＯ4、ＮＢｕ4Ｉ
Ｏ4、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフ
タル酸マグネシウム及びヘキサシアノ鉄酸イオンからな
る群より選ばれることが好ましい。酸素原子源は、Ｎａ
ＯＣｌ及びヨードソメシチレンからなる群より選ばれる
ことが更に好ましい。経済的理由で、最も好ましい酸素
原子源はＮａＯＣｌである。 【００５８】好ましい方法は、酸素原子源としてＮａＯ
Ｃｌを用いる。便宜上この方法を方法Ａと称する。方法
Ａの詳細は次の通りである：0.０５MＮａ2Ｂ4Ｏ7１０Ｈ
2Ｏ（1.０ml）の溶液を希釈されない市販の家庭用漂白
剤(Chlorox)の2.５ml溶液に加える。得られた緩衝溶液
のｐＨは約9.５であり、１M ＮａＯＨ溶液を数滴添加す
ることによりこれをｐＨ約１0.５に調整する。この溶液
に2.０mlのＣＨ2Ｃｌ2中0.０２ミリモルの好ましい触媒
及び1.０ミリモルのシスＢメチルスチレンの溶液を加え
る。この２相混合液を室温で攪拌し、反応の進行を毛管
ガスクロマトグラフィーでモニターする。約３時間後、
混合液に１０mlのＣＨ2Ｃｌ2を加え、褐色有機相を分離
し、１０mlのＨ2Ｏで２回、１０mlのＮａＣｌ飽和溶液
で１回洗浄した後、無水物Ｎａ2ＳＯ4で１５分間乾燥す
る。この溶液をろ過し、溶媒を減圧下で除去する。残留
物をシリカゲルによるフラッシュクロマトグラフィーで
溶離溶媒としてＣＨ2Ｃｌ2：ヘキサンの２０：８０混合
液を用いて精製する。生成物含有留分を合わせ、減圧下
で溶媒を除去して純粋なエポキシドを無色の液状物とし
て収率７０％（0.７０ミリモル）で単離する。この物質
の光学純度は下記の方法により８５％eeである。 【００５９】それ程好ましくない実施態様においては、
ヨードシルメシチレンを酸素原子源として用いる。便宜
上、この方法を方法Ｂと称し、次の好ましい詳細を有す
る：固体ヨードシルメシチレンを0.３ミリモルずつ１５
−３０分間隔で加えながら、1.０ミリモルのオレフィ
ン、８mlのＣＨ2Ｃｌ2及び0.０４ミリモルの触媒の溶液
を室温で攪拌する。６回（1.８ミリモル）の全ヨードシ
ルメシチレンを加えた後、出発オレフィンの消失が完了
する。溶媒を減圧下で除去し、残留物をヘキサンで抽出
し、混合液をセライトでろ過して触媒及び他の固形分を
除去した。フラッシュクロマトグラフィー（１０ｇＳｉ
Ｏ2，ＣＨ2Ｃｌ2／ヘキサン２０：８０溶離剤）で純粋
なエポキシドを得た。キラルシフト試薬としてＥｕ(ｈ
ｆｃ)3を用いて1HＮＭＲで又はスチルベンオキシドの場
合には市販の(Regis)共有結合で結合したロイシンPirkl
eカラムによるＨＰＬＣで直接分離することにより、エ
ナンチオマー過剰率を求める。αＤの容認された文献値
との比較により、絶対配置を帰属させた。 【００６０】別法は、また、配位する配位子としてピリ
ジン−Ｎ−オキシド誘導体、更に酸素源としてＮａＯＣ
ｌを用いる。４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド又は
４−t-ブチルピリジン−Ｎ−オキシドを用いることが更
に好ましい。４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドを用
いることがなお更に好ましい。トランス−エポキシド
は、エポキシ化反応のかなりの（約２５％）副生成物で
ある。ジアステレオマー生成物の混合物はフラッシュク
ロマトグラフィーにより所望のシス体を多く含むことが
好ましい。大規模なバッチの場合、クロマトグラフィー
を行うことが更に好ましい。 【００６１】次の工程をスキーム２に示す。 【化１３】 エポキシド混合液をアンモニアとエタノール中で反応さ
せると所望の３−フェニル−イソセリンアミド誘導体に
位置選択的に開環する。1HＮＭＲにより粗アミド混合液
中に位置異性体がほとんど検出されないことが好まし
い。次に、粗生成混合液を再結晶してジアステレオマー
的に純粋な３−フェニル−イソセリンアミドを単離す
る。便宜上、この方法を方法Ｃと称する。方法Ｃの詳細
は次の通りである： 【００６２】0.０５M Ｎａ2Ｂ4Ｏ7・１０Ｈ2Ｏ（1.０m
l）の溶液又はリン酸塩のような他の適切なバッファー
を2.５ml溶液の希釈されない市販の家庭用漂白剤(Chlor
oxＴＭ)に加える。得られた緩衝溶液のｐＨは約9.５で
あり、１M ＮａＯＨ溶液を数滴添加することによりこれ
をｐＨ約１0.５−１1.５に調整し、氷浴で約０−４℃ま
で冷却する。１０ミリモルのアルケン及び2.０ミリモル
（又は２０モル％）のピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の
分離溶液を１０mlのＣＨ2Ｃｌ2に溶解する。次に、0.０
５−0.６ミリモル（0.５−６モル％）の触媒１又は２を
このアルケン溶液に加え、氷浴で別々に冷却した。 【００６３】 【化１４】２溶液が０−４℃になった時に、これらを合わせ、２相
混合液を攪拌した。反応の進行を毛管ガスクロマトグラ
フィーでモニターした。約１〜５時間後、混合液に２０
０mlのヘキサンを加え、有機相を分離し、１００mlのＨ
2Ｏで２回、１００mlのＮａＣｌ飽和溶液で１回洗浄し
た後、無水物Ｎａ2ＳＯ4で１５分間乾燥した。この溶液
をろ過し、溶媒を減圧下で除去する。残留物をクロマト
グラフィー、蒸留又は結晶化で精製する。純粋なエポキ
シドを単離し、この物質の光学純度を下で更に詳細に記
載されるように求めた。 【００６４】クロメンエポキシ化の方法 上記のように、本発明は、クロメン誘導体をエポキシ化
する、即ち、エポキシクロマンを製造するためにキラル
触媒を用いる方法である。クロメン誘導体の構造は、次
の通りである： 【化１５】 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及び
Ｘ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二
級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からな
る群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でな
い。Ｒ１及びＲ２が共に水素である場合、即ち、クロメ
ンがＲ１及びＲ２の位置で置換されない場合、エポキシ
ドが生成されないことが判明した（下記実施例２４参
照）。Ｒ１及びＲ２は同一基であることが好ましい。こ
の状態において、クロメン誘導体はプロキラルである。 【００６５】また、クロメン誘導体は、Ｒ１及びＲ２共
にアルキル基を含むことが好ましい。クロメン誘導体
は、Ｒ１及びＲ２にメチル基を含むことが更に好まし
い。クロメン誘導体は、シアノ−2,２−ジメチルクロメ
ン、即ち、クロマカリムを製造するための前駆体である
ことが最も好ましい。上記のように、この最も好ましい
クロメン誘導体は、エナンチオマー的に純粋なクロマカ
リムを製造するのに有効なエポキシクロマンに著しく高
度のエナンチオ選択性をもってエポキシ化される（下記
実施例１７参照）。 【００６６】上記のように、本発明の実施態様は、クロ
メン誘導体のエポキシ化において著しいエナンチオ選択
性を生じることが判明した。更に、本発明の触媒が著し
く高い収率を与えることが判明した（下記実施例１７−
２３及び２５参照）。上記第４態様の触媒（図８）は、
本方法において用いられる最も好ましい触媒である。実
験は、キラル触媒のラセミ混合物がその反応において用
いられる場合、エポキシクロマンのラセミ混合物の比較
的高い収率が達成されることを示した。従って、本発明
のそれ程好ましくない実施態様によれば、エポキシクロ
マンのラセミ混合物が所望又は許容しうる場合、キラル
触媒のラセミ混合物はクロメン誘導体と共に用いられ
る。しかし、エナンチオマー的に純粋なエポキシクロマ
ンが、典型的には特に合成前駆体として強く望まれるの
で、エナンチオマー的に純粋なキラル触媒が好ましいこ
とは明らかである。 【００６７】本発明のエポキシクロマン合成法によれ
ば、クロメン誘導体、酸素原子源及びキラル触媒を、該
クロメン誘導体をエポキシ化するのに必要とされる条件
下及び時間反応させる。また、ピリジン−Ｎ−オキシド
誘導体が反応混合液に添加される。 【００６８】エポキシ化反応において用いられる酸素原
子源は、緩和な条件下でオレフィンに対して比較的反応
しない酸化剤でなければならない。酸素原子源は、Ｎａ
ＯＣl、ヨードシルメシチレン、ＮａＩＯ4、ＮＢｕ4Ｉ
Ｏ4、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフ
タル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペルオキシ安息香酸誘導
体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる
ことが好ましい。酸素原子源は、ＮａＯＣｌ及びヨード
シルメシチレンからなる群より選ばれることが更に好ま
しい。経済的理由で、最も好ましい酸素原子源はＮａＯ
Ｃｌである。クロメンエポキシ化に最も好ましい方法に
おいては、上記方法Ａで記載したように、ＮａＯＣｌが
酸素原子源である。それ程好ましくない実施態様におい
ては、酸素原子源として上記方法Ｂで記載したように、
ヨードシルメシチレンが用いられる。また、方法Ｃで記
載したように、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体及びＮａ
ＯＣｌも用いられる。 【００６９】シス−シンナメート誘導体のエポキシ化法
及びタキソル中間体及び類縁体の調製 第１工程として、タキソルのＣ−１３側鎖の合成におい
て、市販のエチルフェニルプロピオレートを市販のLind
lar触媒でシス-エチルシンナメートに部分的に水素化す
る（下記スキーム１）。反応がよりエナンチオ選択的で
あることが観察されたので、出発物質としてメチルフェ
ニルプロピオレートよりエチルフェニルプロピオレート
の方が好ましい。 【００７０】スキーム1 【化１６】 このようにして得られたシス−エチルシンナメートは、
少量（約５％）の過剰還元物質及び出発アルキンを含む
ことが観察された。しかしながら、これらの不純物は、
次の工程を妨害しないと思われ、後の合成順序において
容易に除去される。 【００７１】次に、シス−エチルシンナメートを本発明
の第１、第２、第３及び第４実施態様として上記で述べ
たキラル触媒の１種の存在下に市販の漂白剤でエポキシ
化する。本発明の第４実施態様（図８の（Ｒ，Ｒ）５触
媒）を用いることが最も好ましく、下記に示す： 【化１７】 本エナンチオ選択的触媒の存在下に、シス−エチルシン
ナメートがシス−エポキシドの（Ｒ，Ｒ)-(+）エナンチ
オマーにエポキシ化することが観察された。 【００７２】４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドがエ
ポキシ化混合液に添加されることが好ましい。この配位
する配位子は、反応の完結性及びエナンチオ選択性を著
しく高めると思われる。４−フェニルピリジン−Ｎ−オ
キシドを用いたシス−エチルシンナメートの（Ｒ，Ｒ)-
(+）エナンチオマーは過剰率９６−９７％であった。そ
れ程好ましくないピリジン−Ｎ−オキシド誘導体又は４
−t-ブチルピリジン−Ｎ−オキシドを用いてもよいが、
４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドの方が好ましい。 【００７３】トランス−エポキシドは、エポキシ化反応
のかなりの（約２５％）副生成物である。ジアステレオ
マー生成物の混合物はフラッシュクロマトグラフィーに
より所望のシス体を多く含むことが好ましい。大規模な
バッチの場合、クロマトグラフィーを行うことが更に好
ましい。次の工程をスキーム２に示す。 【００７４】 【化１８】 エポキシド混合液をアンモニアとエタノール中で反応さ
せると所望の３−フェニル−イソセリンアミド誘導体に
位置選択的に開環する。1HＮＭＲにより粗アミド混合液
中に位置異性体がほとんど検出されなかった。次に、粗
生成混合液を再結晶してジアステレオマー的に純粋な３
−フェニル−イソセリンアミドを単離した。 【００７５】３−フェニル−イソセリンアミドを加水分
解してアミド基を除去する。加水分解は、エピ化なしに
行われることが好ましい。加水分解は、水中Ｂａ（Ｏ
Ｈ)2を用いて行われることが更に好ましい。次に、加水
分解塩を酸性にし、沈澱させる。Ｂａ（ＯＨ)2塩を加水
分解に用いる場合には、硫酸の添加により溶液から沈澱
させることが好ましい。次に、生成混合液を結晶化する
ことにより、直接３−フェニル−イソセリンが得られ
る。このエナンチオマー的に豊富な３−フェニル−イソ
セリンを用いて種々のタキソル類縁体が調製される。３
−フェニル−イソセリンからタキソル側鎖ベンゾイル誘
導体を調製することが好ましい。 【００７６】上記で生成した３−フェニル−イソセリン
に酸２相反応における塩化ベンゾイル及び重炭酸ナトリ
ウムを加えることにより、タキソル側鎖を調製する。引
き続き、固形生成混合液をエーテル及びエタノールと攪
拌することにより、安息香酸副生成物を抽出的に除去す
る。最後に、純粋なＮ−ベンゾイル−３−フェニル−イ
ソセリンをろ過により集める。このようにして得られた
物質を旋光分析により求めると９７％以上のeeを有し、
天然タキソルの側鎖と同じ絶対配置を有した。Ｎ−ベン
ゾイル−３−フェニル−イソセリンを反応させてＮ−ベ
ンゾイル−Ｏ−（１−エトキシエチル）−３−フェニル
−イソセリンを生成し、次に第三級アミン活性化剤及び
７−トリエチルシリルバッカチンIIIと反応させるとＣ
−２',Ｃ−７保護タキソル誘導体を生成する。この誘導
体を酸とエタノール中で処理するとタキソルを生成す
る。 【００７７】本理論に縛られることを望まないが、４−
フェニルピリジン−Ｎ−オキシドがシス−エポキシドの
（Ｒ，Ｒ)-(+）エナンチオマーに対するシス−エチルシ
ンナメートのエナンチオマー的選択及び完結エポキシ化
の成功を効果的に高めると思われる。４−フェニルピリ
ジン−Ｎ−オキシドが存在しないと、１５−２０モル％
以上の触媒が用いられる場合でさえ、エポキシ化の選択
性が１０−１５％低く且つ完結しない。対照実験は、ピ
リジン−Ｎ−オキシド誘導体が酸素原子源として作用せ
ず、むしろ配位する配位子として作用することを示し
た。ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の緩和なルイス酸Ｍ
ｎ(III)及び／又はＭｎ(V)オキソ中間体への配位が非生
成物配位形態における基質のカルボニル官能性によって
金属中心が錯体を形成したままでないように防止するこ
とを助けると思われる。即ち、ピリジン−Ｎ−オキシド
誘導体は、分解反応を防止し且つすべてのオレフィンで
はないがある種オレフィンとの触媒安定性を改良すると
思われる。 【００７８】反応のエナンチオ選択性は、出発物質のエ
ステル基の同一性に極めて敏感であることも判明し、シ
ス−メチルシンナメートはシス−エチルシンナメートと
同様な条件下でエポキシ化されたが、エナンチオマー過
剰率８７−８９％に過ぎなかった。本合成法の利点は、
市販のエチルフェニルプロピオレートから始まり、水素
ガス、家庭用漂白剤、アンモニア及び化学量論試薬とし
てバリウム塩を用いることである。もう１つの利点は、
Ｎ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリンの光学及び
化学純度が高いことである。下記実施例２９−３９にお
いて明らかになるように、各工程の収率は、完全に最適
化されていなくても商業的に実行可能な方法に許容しう
るものである。触媒の特異性、手順の簡便さ、安価な試
薬及び分取用クロマトグラフィー分離の回避のために、
本合成法がエナンチオマー的に純粋な３−フェニル−イ
ソセリン誘導体に対して最も実用的な経路である。 【００７９】スルフィド酸化の方法 上記のように、本発明は、スルフィドをスルホキシドに
エナンチオ選択的に酸化するためにキラル触媒を用いる
方法である。本方法は、スルフィド、酸素原子源及びキ
ラル触媒を、スルフィドを酸化する適切な条件下で反応
させることを含むものである。スルフィドは、式Ｒ１−
Ｓ−Ｒ２（Ｒ１は任意の芳香族基であり、Ｒ２は任意の
アルキル基である）を有することが好ましい。酸素原子
源は過酸化水素又はヨードシルベンゼンであることが好
ましく、テトラヒドロフラン、アセトン又はアセトニト
リルのような共溶媒を用いることが好ましい。 【００８０】上記（サレン）Ｍｎ触媒によるエナンチオ
選択的エポキシ化の場合のように、化学量論酸化剤とし
て水性次亜塩素酸ナトリウムを用いた。しかしながら、
スルフィドと次亜塩素酸ナトリウムとの間の反応はエナ
ンチオ選択的スルフィド酸化反応に有効な酸化剤には急
速すぎた。ヨードシルアレーンがスルフィドと緩慢に反
応することから、ヨードシルベンゼンを試みた。ヨード
シルベンゼンが有効な酸素原子源として実際に役立つこ
とが判明した。しかしながら、ヨードシルアレーンは、
固体状態における不安定性、溶解性の不足、比較的高コ
スト及び酸素移動の副産物、ヨードアレーンの高分子量
のために、化学量論酸化剤として非実用的である。 【００８１】過酸化水素がスルフィド酸化に良好な酸化
剤であることが決定された。過酸化水素は、スルホキシ
ドの高収率、スルホンへの過剰酸化が最少及びヨードシ
ルベンゼンで見られたものと一致したエナンチオ選択性
を示した。これは、両酸化剤が共通のＭｎ（Ｖ）オキソ
反応性中間体を生成することを示すものである。反応を
促進するために、共溶媒を用いた。共溶媒は過酸化水素
の触媒によるカタラーゼ分解を最少にし、スルフィドの
完全変換を６当量未満の酸化剤で達成した。 【００８２】一般に、1,２−ジアミノシクロヘキサン及
び1,２−ジフェニルエチレンジアミンから誘導された触
媒は、他の合成的に得られにくいジアミンから調製され
たものより選択的であった。図１９及び２０は、好まし
い触媒の構造を示すものである。これらに基づく特定の
触媒を不斉スルフィド酸化について試験し、その試験結
果を実施例４０に示す。 【００８３】過酸化水素の接触不均化 上記のように、過酸化水素を酸素と水に分解すること
は、生物学的に重要な過程である。これまでに記載され
た触媒のすべてが過酸化水素の接触不均化に有効であ
る。しかしながら、この具体的な反応の場合、触媒はキ
ラルでなくてもよい。即ち、下記式を有する任意の触媒
は、分解反応において機能する： 【化１９】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり、Ａはアニオンであ
り、ｎは０、１又は２であり、Ｘ１〜Ｘ１４は水素、ハ
ライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子を有す
るアルキル基からなる群より独立して選択される。 【００８４】本発明の触媒は、安定であり、合成が簡便
であり、低分子量を有し、高触媒活性を有する。実際
に、これらの触媒活性は今日までに開発された任意のカ
タラーゼ合成体に匹敵しうるものである。好ましい触媒
は、図２２及び２３に示される一金属（サレン）Ｍｎ錯
体である。不均化反応を行うために、この触媒をＥｔＯ
Ｈ、アセトン、ＣＨ2Ｃｌ2又はＨ 2Ｏのような溶媒と混
合し、次いで過酸化水素を添加する。 【００８５】本発明はさらに以下の態様を含む。 １．下記構造を有するキラル触媒： 【化２０】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであ
り；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくと
も１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキ
ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より
選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、
第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル
基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１、Ｙ２、
Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル
基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基から
なる群より独立して選ばれ;Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
の少なくとも１種は水素、ＣＨ3及び第一級アルキル基
からなる第１群より選ばれ；Ｒ１が該第１群より選ばれ
る場合には、Ｒ２及びＲ３はアリール基、第二級アルキ
ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子を有するアルキ
ル基からなる第２群より選ばれ；Ｒ２が該第１群より選
ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれ;
Ｒ３が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は
該第２群より選ばれ;Ｒ４が該第１群より選ばれる場合
には、Ｒ２及びＲ３は該第２群より選ばれる。 【００８６】２．遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選
ばれる上記１記載の触媒。 ３．遷移金属イオンが、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣ
ｏからなる群より選ばれる上記１記載の触媒。 ４．金属イオンがＭｎである上記１記載の触媒。 ５．該第１群が水素及びメチルからなる上記１記載の触
媒。 ６．該第１群が水素からなる上記１記載の触媒。 ７．該第２群がt-ブチル及びフェニルからなる上記１記
載の触媒。 ８．該第２群がフェニルからなる上記１記載の触媒。 ９．Ｒ１がＲ３と同一であり、Ｒ２がＲ４と同一である
上記１記載の触媒。 10.該第１群が水素及びメチルからなる上記９記載の触
媒。 11.該第２群がt-ブチル及びフェニルからなる上記９記
載の触媒。 12.Ｘ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記１記載の触媒。 13.Ｘ１及びＸ３が同一である上記12記載の触媒。 14.Ｘ１及びＸ３が共にt-ブチルである上記１記載の触
媒。 【００８７】15.下記構造を有するキラル触媒： 【化２１】 式中、ＭはＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれた遷移金属であり；
Ａはアニオンであり；Ｘ１及びＸ３は同一であり、アリ
ール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級
アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ
２、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水
素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子
を有するアルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ
１及びＲ４は同一であり、Ｈ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5及び第一
級アルキル基からなる第１群より選ばれるか又はアリー
ル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ
原子を有するアルキル基からなる第２群より選ばれ；Ｒ
２及びＲ３は同一であり、Ｒ１及びＲ４が該第１群より
選ばれる場合には該第２群より選ばれるか又はＲ１及び
Ｒ４が該第２群より選ばれる場合には該第１群より選ば
れる。 【００８８】16.金属イオンがマンガンである上記15記
載の触媒。 17.該第１群が水素からなる上記15記載の触媒。 18.該第２群がt-ブチル及びフェニルからなる上記15記
載の触媒。 19.該第２群がフェニルからなる上記15記載の触媒。 【００８９】20.下記構造を有するキラル触媒： 【化２２】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであ
り；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一
級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及
びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少
なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級
アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる
群より選ばれ；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ７、Ｚ８、Ｚ
９、Ｚ１０、Ｚ１１及びＺ１２は水素、ハライド、アル
キル基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基
からなる群より独立して選ばれる。 21.遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれる上記20
記載の触媒。 22.遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏ
からなる群より選ばれる上記20記載の触媒。 23.Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｚ１、Ｚ
２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ７、Ｚ８、Ｚ９、Ｚ１
０、Ｚ１１及びＺ１２が水素である上記20記載の触媒。 24.Ｘ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記20記載の触媒。 25.Ｘ１及びＸ３が同一である上記20記載の触媒。 【００９０】26.下記構造を有するキラル触媒： 【化２３】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであ
り；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくと
も１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキ
ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より
選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、
第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル
基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又はＹ２
の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第
二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子から
なる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はア
リール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三
級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ
３及びＹ６はＨ及び第一級アルキル基からなる群より独
立して選ばれ；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の１又は２種
は水素であり；Ｒ１が水素である場合には、Ｒ３は第一
級アルキル基であり；Ｒ２が水素である場合には、Ｒ４
は第一級アルキル基であり；Ｒ３が水素である場合に
は、Ｒ１は第一級アルキル基であり；Ｒ４が水素である
場合には、Ｒ２は第一級アルキル基である。 27.遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれる上記26
記載の触媒。 【００９１】28.金属イオンがＭｎである上記26記載の
触媒。 29.Ｒ１がＲ３と同一であり、Ｒ２がＲ４と同一である
上記26記載の触媒。 30.Ｘ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記26記載の触媒。 31.Ｘ１及びＸ３が同一である上記30記載の触媒。 32.Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記30記載の触媒。 33.Ｙ１及びＹ４が同一である上記32記載の触媒。 34.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニル
からなる群より独立して選ばれる上記26記載の触媒。 35.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である上記3
4記載の触媒。 36.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてt-ブチルである
上記26記載の触媒。 37.Ｒ１及びＲ４が水素であり、Ｒ２及びＲ３がメチル
である上記26記載の触媒。 【００９２】38.下記構造を有するキラル触媒： 【化２４】式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであ
り；ｎは３、４、５又は６であり；Ｘ１又はＸ２の少な
くとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級ア
ルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群
より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール
基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アル
キル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又は
Ｙ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル
基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原
子からなる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１
種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル
基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選
ばれ；Ｙ３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からな
る群より独立して選ばれ；Ｒ１とＲ４は相互にトランス
であり、Ｒ１及びＲ４の少なくとも１種は第一級アルキ
ル基及び水素からなる群より選ばれ；（Ｃ）n部分の炭
素は水素、アルキル、アリール及びヘテロ原子からなる
群より選ばれた置換基を有する。 39.遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれる上記38
記載の触媒。 【００９３】40.金属イオンがＭｎである上記38記載の
触媒。 41.Ｒ１がＲ４と同一である上記38記載の触媒。 42.Ｘ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記38記載の触媒。 43.Ｘ１及びＸ３が同一である上記42記載の触媒。 44.Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記38記載の触媒。 45.Ｙ１及びＹ４が同一である上記44記載の触媒。 46.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニル
からなる群より独立して選ばれる上記38記載の触媒。 47.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である上記4
6記載の触媒。 48.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてt-ブチルである
上記38記載の触媒。 49.Ｒ１及びＲ４が水素である上記48記載の触媒。 50.Ｒ１及びＲ４が水素及びメチルからなる群より選ば
れる上記38記載の触媒。 51.Ｒ１及びＲ４が水素である上記38記載の触媒。 52.ｎが４である上記38記載の触媒。 【００９４】53.下記構造を有するキラル触媒： 【化２５】 式中、Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、Ｒ１及びＲ
４の少なくとも１種は第一級アルキル基及び水素からな
る群より選ばれる。 54.金属イオンがＭｎである上記53記載の触媒。 55.Ｒ１がＲ４と同一である上記53記載の触媒。 56.Ｒ１及びＲ４が水素である上記55記載の触媒。 57.Ｘ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記53記載の触媒。 58.Ｘ１及びＸ３が同一である上記57記載の触媒。 59.Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記53記載の触媒。 60.Ｙ１及びＹ４が同一である上記59記載の触媒。 61.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニル
からなる群より独立して選ばれる上記53記載の触媒。 62.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である上記6
1記載の触媒。 63.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてt-ブチルである
上記53記載の触媒。 64.Ｒ１及びＲ４が水素である上記63記載の触媒。 65.Ｒ１及びＲ４が水素及びメチルからなる群より選ば
れる上記38記載の触媒。 【００９５】66.キラル触媒を用いてプロキラルオレフ
ィンをエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であっ
て、プロキラルオレフィンを供給し；酸素原子源を供給
し；上記１、15、20、26、38又は53記載のキラル触媒を
供給し；該オレフィン、該酸素原子源及び該キラル触媒
を、該オレフィンをエポキシ化するのに十分な条件下及
び時間反応させる：工程を含む方法。 67.プロキラルオレフィンが一置換及びシス1,２二置換
オレフィンからなる群より選ばれる上記66記載の方法。 68.プロキラルが二重結合の一方に第一級置換基、もう
一方に第二級、第三級又はアリール置換基を有するシス
二置換オレフィンである上記66記載の方法。 69.オレフィンがシス−β−メチルスチレン、ジヒドロ
ナフタレン、２−シクロヘキセニル−1,１−ジオキソラ
ン、2,２−ジメチルクロメン、スチレン及びプロピレン
からなる群より選ばれる上記66記載の方法。 70.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4IＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウム、
モノペルオキシフタル酸マグネシウム及びヘキサシアノ
鉄酸イオンからなる群より選ばれる上記66記載の方法。 71.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレンから
なる群より選ばれる上記6記載の方法。 72.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記66記載の方法。 【００９６】73.キラル触媒を用いてプロキラルオレフ
ィンをエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であっ
て、プロキラルオレフィンを供給し；酸素原子源を供給
し；上記１、15、20、26、38又は53記載のキラル触媒を
供給し；該オレフィン、該酸素原子源、該ピリジン−Ｎ
−オキシド誘導体及び該キラル触媒を、該オレフィンを
エポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させる：
工程を含む方法。 74.プロキラルオレフィンが一置換及びシス1,２二置換
オレフィンからなる群より選ばれる上記73記載の方法。 75.プロキラルが二重結合の一方に第一級置換基、もう
一方に第二級、第三級又はアリール置換基を有するシス
二置換オレフィンである上記73記載の方法。 76.ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が４−フェニル−Ｎ
−オキシド及び４−t-ブチルピリジン−Ｎ−オキシドか
らなる群より選ばれる上記73記載の方法。 77.オレフィンがシス−β−メチルスチレン、ジヒドロ
ナフタレン、２−シクロヘキセニル−1,１−ジオキソラ
ン、2,２−ジメチルクロメン、スチレン及びプロピレン
からなる群より選ばれる上記73記載の方法。 78.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4ＩＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウ
ム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム及びヘキサシ
アノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる上記73記載の方
法。 79.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレンから
なる群より選ばれる上記73記載の方法。 80.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記73記載の方法。 【００９７】81.キラル触媒を用いてクロメン誘導体を
エナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、下記
式を有するクロメン誘導体を供給し： 【化２６】 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及び
Ｘ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二
級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からな
る群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でな
い；酸素原子源を供給し；下記式を有する触媒を供給
し： 【化２７】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであ
り；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくと
も１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキ
ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より
選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、
第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル
基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１、Ｙ２、
Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル
基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基から
なる群より独立して選ばれ;Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
の少なくとも１種は水素、メチル及び第一級アルキル基
からなる第１群より選ばれ；Ｒ１が該第１群より選ばれ
る場合には、Ｒ２及びＲ３はアリール基、第二級アルキ
ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子を有するアルキ
ル基からなる第２群より選ばれ；Ｒ２が該第１群より選
ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれ;
Ｒ３が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は
該第２群より選ばれ;Ｒ４が該第１群より選ばれる場合
には、Ｒ２及びＲ３は該第２群より選ばれる；該クロメ
ン誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該クロメ
ン誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反
応させてエポキシクロマンを製造する：工程を含む方
法。 【００９８】82.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一
である上記81記載の方法。 83.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である
上記81記載の方法。 84.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である上
記81記載の方法。 85.クロメン誘導体が６−シアノ−2,２−ジメチルクロ
メンである上記81記載の方法。 86.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4ＩＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウ
ム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペ
ルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンか
らなる群より選ばれる上記81記載の方法。 87.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記81記載の方法。 88.遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏ
からなる群より選ばれる上記81記載の方法。 89.該第１群が水素及びメチルからなる上記81記載の方
法。 90.該第１群が水素からなる上記81記載の方法。 91．該第２群がt-ブチル及びフェニルからなる上記81記
載の方法。 92．該第２群がフェニルからなる上記81記載の方法。 93．触媒のＲ１がＲ３と同一であり、Ｒ２がＲ４と同一
である上記81記載の方法。 94.触媒のＸ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからな
る群より独立して選ばれる上記81記載の方法。 95.Ｘ１及びＸ３が同一である上記81記載の方法。 96.触媒のＸ１及びＸ３が共にt-ブチルである上記81記
載の方法。 97.キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキ
シクロマンのラセミ混合物を製造する上記81記載の方
法。 【００９９】98.キラル触媒を用いてクロメン誘導体を
エナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、下記
式を有するクロメン誘導体を供給し： 【化２８】 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及び
Ｘ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二
級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からな
る群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でな
い；酸素原子源を供給し；下記式を有する触媒を供給
し： 【化２９】 式中、ＭはＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれた遷移金属である；
Ａはアニオンであり；Ｘ１及びＸ３は同一であり、アリ
ール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級
アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ
２、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水
素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子
を有するアルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ
１及びＲ４は同一であり、水素、メチル、ブチル及び第
一級アルキル基からなる第１群より選ばれるか又はアリ
ール基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテ
ロ原子を有するアルキル基からなる第２群より選ばれ；
Ｒ２及びＲ３は同一であり、Ｒ１及びＲ４が該第１群よ
り選ばれる場合には該第２群より選ばれるか又はＲ１及
びＲ４が該第２群より選ばれる場合には該第１群より選
ばれる；該クロメン誘導体、該酸素原子源及び該キラル
触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに十分な
条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。 【０１００】99.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一
である上記98記載の方法。 100.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である
上記98記載の方法。 101.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である上
記98記載の方法。 102.クロメン誘導体が６−シアノ−2,２−ジメチルクロ
メンである上記98記載の方法。 103.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4ＩＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウ
ム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペ
ルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンか
らなる群より選ばれる上記98記載の方法。 104.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記98記載の方法。 105.遷移金属イオンがマンガンである上記98記載の方
法。 106.該第１群が水素からなる上記98記載の方法。 107.該第２群がt-ブチル及びフェニルからなる上記98記
載の方法。 108.該第２群がフェニルからなる上記98記載の方法。 109.キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキ
シクロマンのラセミ混合物を製造する上記98記載の方
法。 【０１０１】110.キラル触媒を用いてクロメン誘導体を
エナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって：下記
式を有するクロメン誘導体を供給し： 【化３０】 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及び
Ｘ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二
級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からな
る群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でな
い；酸素原子源を供給し；下記式を有するキラル触媒を
供給し： 【化３１】式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであ
り；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくと
も１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキ
ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より
選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、
第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル
基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又はＹ２
の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第
二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子から
なる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はア
リール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三
級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ
３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からなる群より
独立して選ばれ；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の１又は２
種は水素であり；Ｒ１が水素である場合には、Ｒ３は第
一級アルキル基であり；Ｒ２が水素である場合には、Ｒ
４は第一級アルキル基であり；Ｒ３が水素である場合に
は、Ｒ１は第一級アルキル基であり；Ｒ４が水素である
場合には、Ｒ２は第一級アルキル基である；該クロメン
誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該クロメン
誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応
させてエポキシクロマンを製造する：工程を含む方法。 【０１０２】111.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一
である上記110記載の方法。 112.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である
上記110記載の方法。 113.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である上
記110記載の方法。 114.クロメン誘導体が６−シアノ−2,２−ジメチルクロ
メンである上記110記載の方法。 115.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4ＩＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウ
ム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペ
ルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンか
らなる群より選ばれる上記110記載の方法。 116.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記110記載の方
法。 117.遷移金属イオンがマンガンである上記110記載の方
法。 118.触媒のＲ１がＲ３と同一であり、Ｒ２がＲ４と同一
である上記110記載の方法。 119.触媒のＸ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからな
る群より独立して選ばれる上記110記載の方法。 120.触媒のＸ１及びＸ３が同一である上記119記載の方
法。 121.Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニルからなる群か
ら独立して選ばれる上記120記載の方法。 122.Ｙ１及びＹ４が同一である上記121記載の方法。 123.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニル
からなる群から独立して選ばれる上記122記載の方法。 124.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である上記
123記載の方法。 125.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてt-ブチルである
上記124記載の方法。 126.触媒のＲ１及びＲ４が水素であり、Ｒ２及びＲ３が
メチルである上記110記載の方法。 【０１０３】127.キラル触媒の反対のエナンチオマーを
含めてエポキシクロマンのラセミ混合物を製造する上記
110記載の方法。 128.キラル触媒を用いてクロメン誘導体をエナンチオ選
択的にエポキシ化する方法であって、下記式を有するク
ロメン誘導体を供給し： 【化３２】 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及び
Ｘ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二
級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からな
る群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でな
い；酸素原子源を供給し；下記式を有するキラル触媒を
供給し： 【化３３】 式中、Ｍは遷移金属であり；Ａはアニオンであり；ｎは
３、４、５又は６であり；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１
種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル
基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選
ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第
一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基
及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又はＹ２の
少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二
級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からな
る群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はアリ
ール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級
アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ３
及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からなる群より独
立して選ばれ；Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、Ｒ
１及びＲ４の少なくとも１種は第一級アルキル基及び水
素からなる群より選ばれ；（Ｃ）n部分の炭素は水素、
アルキル、アリール及びヘテロ原子からなる群より選ば
れた置換基を有する；該クロメン誘導体、該酸素原子源
及び該キラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化す
るのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方
法。 【０１０４】129.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一
である上記128記載の方法。 130.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である
上記128記載の方法。 131.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である上
記128記載の方法。 132.クロメン誘導体が６−シアノ−2,２−ジメチルクロ
メンである上記128記載の方法。 133.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4ＩＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウ
ム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペ
ルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンか
らなる群より選ばれる上記128記載の方法。 134.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記128記載の方
法。 135.遷移金属イオンがマンガンである上記128記載の方
法。 136.触媒のＲ１とＲ４が同一である上記128記載の方
法。 137.触媒のＸ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからな
る群より独立して選ばれる上記128記載の方法。 138.触媒のＸ１及びＸ３が同一である上記137記載の方
法。 139.Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニルからなる群か
ら独立して選ばれる上記128記載の方法。 140.Ｙ１及びＹ４が同一である上記139記載の方法。 141.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニル
からなる群から独立して選ばれる上記128記載の方法。 142.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である上記
141記載の方法。 143.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてt-ブチルである
上記128記載の方法。 144.Ｒ１及びＲ４が水素である上記143記載の方法。 145.Ｒ１及びＲ４が水素及びメチルからなる群より選ば
れる上記143記載の方法。 146.触媒のＲ１及びＲ４が水素である上記128記載の方
法。 147.ｎが４である上記128記載の方法。 148.キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキ
シクロマンのラセミ混合物を製造する上記128記載の方
法。 【０１０５】149.キラル触媒を用いてクロメン誘導体を
エナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、下記
式を有するクロメン誘導体を供給し： 【化３４】 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及び
Ｘ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二
級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からな
る群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でな
い；酸素原子源を供給し；下記式を有するキラル触媒を
供給し： 【化３５】 式中、Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、Ｒ１及びＲ
４の少なくとも１種は第一級アルキル基及び水素からな
る群より選ばれる；該クロメン誘導体、該酸素原子源及
び該キラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化する
のに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方
法。 【０１０６】150.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一
である上記149記載の方法。 151.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である
上記149記載の方法。 152.クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である上
記149記載の方法。 153.クロメン誘導体が６−シアノ−2,２−ジメチルクロ
メンである上記149記載の方法。 154.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4ＩＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウ
ム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペ
ルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンか
らなる群より選ばれる上記149記載の方法。 155.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記149記載の方
法。 156.遷移金属イオンがマンガンである上記149記載の方
法。 157.触媒のＲ１及びＲ４が同一である上記149記載の方
法。 158.Ｒ１及びＲ４が水素である上記157記載の方法。 159.触媒のＸ１及びＸ３がt-ブチル及びフェニルからな
る群より独立して選ばれる上記149記載の方法。 160.Ｘ１及びＸ３が同一である上記159記載の方法。 161.Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニルからなる群よ
り独立して選ばれる上記149記載の方法。 162.Ｙ１及びＹ４が同一である上記161記載の方法。 163.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がt-ブチル及びフェニル
からなる群より独立して選ばれる上記149記載の方法。 164.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である上記
163記載の方法。 165.Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてt-ブチルである
上記149記載の方法。 166.Ｒ１及びＲ４が水素である上記165記載の方法。 167.触媒のＲ１及びＲ４が水素及びメチルからなる群よ
り選ばれる上記149記載の方法。 168.キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキ
シクロマンのラセミ混合物を製造する上記149記載の方
法。 【０１０７】169.キラル触媒を用いてシス−シンナメー
ト誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化して該シンナ
メート誘導体のシス−エポキシドを製造する方法であっ
て、下記式を有するシス−シンナメート誘導体を供給
し： 【化３６】 式中、Ａ１−Ａ５は各々水素、アリール基、第一級アル
キル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂr、Ｉ及びアミ
ン基からなる群より選ばれ；Ｂ１が無置換、一置換アミ
ン及び二置換アミンからなる群より選ばれ；Ｇが水素及
びアリール基からなる群より選ばれる；酸素原子源を供
給し；上記１、20、26、38又は53及び56で定義されたキ
ラル触媒を供給し；該シス−シンナメート誘導体、該酸
素原子源及び該キラル触媒を、該シス−シンナメート誘
導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応さ
せて該シンナメート誘導体のシス−エポキシドを製造す
る：工程を含む方法。 170.ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を供給し；該ピリジ
ン−Ｎ−オキシド誘導体を該シス−シンナメート誘導
体、該酸素原子源及び該キラル触媒と反応させる：工程
を更に含む上記169記載の方法。 171.該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が４−フェニルピ
リジン−Ｎ−オキシド及び４−t-ブチルピリジン−Ｎ−
オキシドからなる群より選ばれる上記170記載の方法。 172.シス−シンナメート誘導体のＡ１−Ａ５基がすべて
同一である上記169記載の方法。 173.シス−シンナメート誘導体のＡ１−Ａ５基が水素で
ある上記169記載の方法。 174.シス−シンナメート誘導体のＲ１がエチル基である
上記169記載の方法。 175.シス−シンナメート誘導体がシス−エチルシンナメ
ートである上記169記載の方法。 176.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4ＩＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウ
ム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペ
ルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンか
らなる群より選ばれる上記169記載の方法。 177.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記169記載の方
法。 178.遷移金属イオンがマンガンである上記169記載の方
法。 【０１０８】179.タキソル又はタキソル誘導体のＣ−１
３側鎖の生成方法であって、下記式を有するシス−シン
ナメート誘導体を供給し： 【化３７】 式中、Ａ１−Ａ５は各々水素、アリール基、第一級アル
キル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基、ヒドロ
キシル基、アルコキシ基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂr、Ｉ及びアミ
ン基からなる群より選ばれ；該アルコキシ基がアルキル
基、アリール基、アロイル基又はアルカノイル基からな
る群より選ばれ；Ｒ１はアルキル基である；酸素原子源
を供給し；上記53又は56で定義されたキラル触媒を供給
し；該シス−シンナメート誘導体、該酸素原子源及び該
キラル触媒を、該シス−シンナメート誘導体をエポキシ
化するのに十分な条件下及び時間反応させて該シンナメ
ート誘導体のシス−エポキシドを製造し；シンナメート
誘導体の該シス−エポキシドを位置選択的に開鎖して３
−フェニル−イソセリンアミド誘導体を製造し；該３−
フェニル−イソセリンアミド誘導体を加水分解して３−
フェニル−イソセリン誘導体を製造し；重炭酸ナトリウ
ム溶液中塩化ベンゾイルを供給し；該３−フェニル−イ
ソセリン誘導体を該重炭酸ナトリウム中塩化ベンゾイル
と反応させてＮ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリ
ンを生成する：工程を含む方法。 【０１０９】180.ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を供給
し；該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を該シス−シンナ
メート誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒と反応さ
せる：工程を更に含む上記179記載の方法。 181.該ピリジン−Ｎ−オキシドが４−フェニルピリジン
−Ｎ−オキシド及び４−t-ブチルピリジン−Ｎ−オキシ
ドからなる群より選ばれる上記180記載の方法。 182.シス−シンナメート誘導体のＡ１−Ａ５基が同一で
ある上記179記載の方法。 183.シス−シンナメート誘導体のＡ１−Ａ５基が水素で
ある上記179記載の方法。 184.シス−シンナメート誘導体のＲ１がエチル基である
上記179記載の方法。 185.シス−シンナメート誘導体がシス−エチルシンナメ
ートである上記179記載の方法。 186.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4ＩＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウ
ム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペ
ルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンか
らなる群より選ばれる上記179記載の方法。 187.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記179記載の方
法。 188.遷移金属イオンがマンガンである上記179記載の方
法。 【０１１０】189.タキソルの製造方法であって、エチル
フェニルプロピオレートを供給し；エチルフェニルプロ
ピオレートを部分的に水素化してシス−エチルシンナメ
ートを製造し；酸素原子源を供給し；上記１、20、26、
38又は53で定義されたキラル触媒を供給し；該シス−エ
チルシンナメート、該酸素原子源及び該キラル触媒を、
該シス−エチルシンナメートをエポキシ化するのに十分
な条件下及び時間反応させてエチルシンナメートのシス
−エポキシドを製造し；該エチルシンナメートのシス−
エポキシドを位置選択的に開鎖して３−フェニル−イソ
セリンアミドを製造し；該３−フェニル−イソセリンア
ミドを加水分解して３−フェニル−イソセリンを製造
し；重炭酸ナトリウム溶液中塩化ベンゾイルを供給し；
該３−フェニル−イソセリンを該重炭酸ナトリウム中塩
化ベンゾイルと反応させてＮ−ベンゾイル−３−フェニ
ル−イソセリンを生成し；該Ｎ−ベンゾイル−３−フェ
ニル−イソセリンを１−クロロエチルエチルエーテル及
び第三級アミンと塩化メチレン中で反応させてＣ１３側
鎖のＮ−ベンゾイル−Ｏ−（１−エトキシエチル）−３
−フェニル−イソセリンを生成し；下記式を有するアル
コールを供給し： 【化３８】 式中、Ｒはヒドロキシル保護基である；第三級アミン活
性化剤の存在下に該Ｎ−ベンゾイル−Ｏ−（１−エトキ
シエチル）−３−フェニル−イソセリンと該アルコール
を反応させて中間体を生成し；Ｃ１３側鎖のエトキシエ
チル及びＲヒドロキシル保護基を加水分解することによ
り中間体をタキソルに変換する：工程を含む方法。 【０１１１】190.Ｒがエーテル、エステル、カーボネー
ト及びシリル基より選ばれる上記189記載の方法。 191.Ｒがエトキシエチル、トリメチル、アリル又はトリ
エチルシリルより選ばれる上記189記載の方法。 192.第三級アミン活性化剤がトリエチルアミン、ジイソ
プロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルイミダゾ
ール又は４−ジメチルアミノピリジンである上記189記
載の方法。 193.ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を供給し；該ピリジ
ン−Ｎ−オキシド誘導体を該シス−シンナメート誘導
体、該酸素原子源及び該キラル触媒と反応させる：工程
を更に含む上記189記載の方法。 194.該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が４−フェニルピ
リジン−Ｎ−オキシド及び４−t-ブチルピリジン−Ｎ−
オキシドからなる群より選ばれる上記193記載の方法。 195.酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、Ｎ
ａＩＯ4、ＮＢｕ4IＯ4、ペルオキシモノ硫酸カリウム、
モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ2Ｏ2、ペルオ
キシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからな
る群より選ばれる上記189記載の方法。 196.酸素原子源がＮａＯＣｌである上記189記載の方
法。 197.遷移金属イオンがマンガンである上記189記載の方
法。 【０１１２】198.キラル触媒を用いてスルフィドをエナ
ンチオ選択的に酸化する方法であって、プロキラルスル
フィドを供給し；酸素原子源を供給し；上記１、15、2
0、26、38又は53記載のキラル触媒を供給し；該スルフ
ィド、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該スルフィド
を酸化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程
を含む方法。 199.プロキラルスルフィドが下記式を有する上記198記
載の方法：Ｒ１−Ｓ−Ｒ２式中、Ｒ１は任意の芳香族基
であり、Ｒ２は任意のアルキル基である。 200.酸素原子源が過酸化水素及びヨードシルベンゼンか
らなる群より選ばれる上記198記載の方法。 201.テトラヒドロフラン、アセトン及びアセトニトリル
からなる群より選ばれた共溶媒を供給することを更に含
む上記198記載の方法。 【０１１３】202.下記式を有するキラル触媒： 【化３９】式中、Ｙ１はＯ−ＣＨ3、t-ブチル、ＮＯ2及びＨからな
る群より選ばれ；Ａはアニオンである。 203.キラル触媒を用いてスルフィドをエナンチオ選択的
に酸化する方法であって、プロキラルスルフィドを供給
し；酸素原子源を供給し；上記202記載のキラル触媒を
供給し；該スルフィド、該酸素原子源及び該キラル触媒
を、該スルフィドを酸化するのに十分な条件下及び時間
反応させる：工程を含む方法。 204.プロキラルスルフィドが下記式を有する上記203記
載の方法：Ｒ１−Ｓ−Ｒ２式中、Ｒ１は任意の芳香族基
であり、Ｒ２は任意のアルキル基である。 205.酸素原子源が過酸化水素及びヨードシルベンゼンか
らなる群より選ばれる上記203記載の方法。 206.テトラヒドロフラン、アセトン及びアセトニトリル
からなる群より選ばれた共溶媒を供給する工程を更に含
む上記203記載の方法。 【０１１４】207.下記式を有するキラル触媒： 【化４０】 式中、Ｙ１はＯ−ＣＨ3、t-ブチル及びメチルからなる
群より選ばれ；Ａはアニオンである。 208.キラル触媒を用いてスルフィドをエナンチオ選択的
に酸化する方法であって、プロキラルスルフィドを供給
し；酸素原子源を供給し；上記207記載のキラル触媒を
供給し；該スルフィド、該酸素原子源及び該キラル触媒
を、該スルフィドを酸化するのに十分な条件下及び時間
反応させる：工程を含む方法。 209.プロキラルスルフィドが下記式を有する上記208記
載の方法：Ｒ１−Ｓ−Ｒ２式中Ｒ１は任意の芳香族基で
あり、Ｒ２は任意のアルキル基である。 210.酸素原子源が過酸化水素及びヨードシルベンゼンか
らなる群より選ばれる上記208記載の方法。 211.テトラヒドロフラン、アセトン及びアセトニトリル
からなる群より選ばれた共溶媒を供給する工程を更に含
む上記208記載の方法。 【０１１５】212.過酸化水素を接触不均化する方法であ
って、過酸化水素を供給し;下記式を有する触媒を供給
し： 【化４１】 式中、Ｍは遷移金属であり；Ａはアニオンであり；ｎは
０、１又は２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、
Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ
１３及びＸ１４は水素、ハライド、アルキル基、アリー
ル基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる群より
独立して選ばれる；該過酸化水素及び該触媒を、過酸化
水素を酸素と水に不均化するのに十分な条件下及び時間
反応させる：工程を含む方法。 213.過酸化水素を接触不均化する方法であって、過酸化
水素を供給し;上記１、15、20、26、38、53、202又は20
3記載の触媒を供給し；該過酸化水素及び該触媒を、過
酸化水素を酸素と水に不均化するのに十分な条件下及び
時間反応させる：工程を含む方法。 【０１１６】214.過酸化水素を接触不均化する方法であ
って、過酸化水素を供給し;下記式を有する触媒を供給
し： 【化４２】 式中、Ｙはt-ブチル、Ｃｌ、メチル及びＯ−ＣＨ3から
なる群より選ばれる;該過酸化水素及び該触媒を、過酸
化水素を酸素と水に不均化するのに十分な条件下及び時
間反応させる：工程を含む方法。 215.ＣＨ2Ｃｌ2、ＥｔＯＨ、Ｈ2Ｏ及びアセトンからな
る群より選ばれた溶媒を供給することを更に含む上記21
4記載の方法。 【０１１７】216.過酸化水素を接触不均化する方法であ
って、過酸化水素を供給し;下記式を有する触媒を供給
し： 【化４３】該過酸化水素及び該触媒を、過酸化水素を酸素と水に不
均化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を
含む方法。 217.ＣＨ2Ｃｌ2、ＥｔＯＨ、Ｈ2Ｏ及びアセトンからな
る群より選ばれた溶媒を供給することを更に含む上記21
6記載の方法。 【０１１８】実施例 下記実施例は、説明及び例示によって示される。これら
の実施例だけで、後記請求の範囲によって定義された本
発明の範囲を限定するものとして見なすべきではない。触媒の調製 キラルサレン触媒の調製方法 下記錯体の調製： 【化４４】 （Ｒ，Ｒ）−1,２−ジフェニル−1,２−ビス（３−tert
−ブチルサリチリドアミノ）エタン（２）の調製：３ml
のＥｔＯＨ中３６0.５mg（2.０ミリモル）の３−tert−
ブチルサリチルアルデヒドの溶液を５mlのＥｔＯＨ中２
１2.３mg（1.０ミリモル）の（Ｒ，Ｒ）−1,２−ジアミ
ノ−1,２−ジフェニルエタンの溶液に滴下した。この反
応混合液を１時間加熱還流し、水（５ml）を加えた。分
離した油状物が放置時に固化した。ＭｅＯＨ／Ｈ2Ｏで
再結晶すると４８5.８mg（９１％）の黄色粉末、ｍｐ７
３−７４℃を得た。1H NMR(CDCl3)δ1.42(s,18H,CH3),
4.72(s,2H,CHN=C), 6.67-7.27(m,16H,ArH), 8.35(s,2H,
CH=N), 13.79(s,2H,ArOH) ppm;13C NMR(CDCl3)δ29.3,
34.8, 80.1, 117.8, 118.5, 127.5, 128.0, 128.3, 12
9.6, 130.1, 137.1,139.5,160.2, 166.8ppm 。C36H40N2
O2の分析 計算値: C, 81.17; H, 7.57; N, 5.26 実測
値: C, 81.17; H, 7.60; N, 5.25。 【０１１９】((Ｒ，Ｒ）−1,２−ジフェニル−1,２−ビ
ス（３−tert−ブチルサリチリドアミノ）エタン）−マ
ンガン(II)錯体（３）の調製：厳密に空気を含まない条
件下、２mlのＭｅＯＨ中６4.０mg（1.６ミリモル）の溶
液を５mlのＥｔＯＨ中４２6.１mg（0.８ミリモル）の
（２）の溶液に窒素雰囲気下攪拌しながら滴下した。３
mlのＭｅＯＨ中１９6.１mg（0.８ミリモル）のＭn（Ｏ
Ａｃ)2・４Ｈ2Ｏの溶液を速やかに加え、橙色の混合液
を２４時間攪拌した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を
５mlのベンゼンと攪拌し、ろ過してＮａＯＡｃを除去し
た。ろ液を約１mlに濃縮し、３mlのヘキサンを加えた。
この混合液を−３０℃まで冷却し、ろ過により沈澱を集
めて４１0.２mg（８７％）の橙色粉末を得た。C36H38Mn
N2O2-(CH3OH)0.5 の分析 計算値: C, 72.86; H, 6.70;
N, 4.66実測値: C, 73.05; H, 6.76; N, 4.39。 【０１２０】((Ｒ，Ｒ）−1,２−ジフェニル−1,２−ビ
ス（３−tert−ブチルサリチリドアミノ）エタン）−マ
ンガン(III)ヘキサフルオロホスフェート((Ｒ，Ｒ)-1)
の調製 Ｎ2下、２mlのＣＨ3ＣＮ中１６5.５mg（0.５ミリモル）
のフェロセニウムヘキサフルオロホスフェートの溶液を
３mlのＣＨ3ＣＮ中２９2.８mg（0.５ミリモル）の
（３）の溶液に滴下した。この反応混合液を３０分間攪
拌し、溶媒を減圧下で除去した。残留物を５mlのヘキサ
ンと摩砕し、ろ過した。次いで、固形物をろ液が無色に
なるまでヘキサンで洗浄し、減圧下で乾燥して３６0.５
mg（９３％)の（１）を褐色粉末として得た。IR（CH2Cl
2）2955， 1611， 1593， 1545， 1416， 1389, 1198,
841 cm -1 。 C36H38F6MnN2O2P・(H2O)1.5・(CH3CN)0.5
の分析 計算値: C, 56.93; H, 5.30; N, 4.57 実測
値: C, 57.11; H, 5.50; N, 4.50。 【０１２１】下記錯体の調製： 【化４５】 サリチルアルデヒド誘導体（４）を各工程において十分
に確立された方法を用いて下記順序により調製した： 【化４６】（Ｒ，Ｒ）−1,２−ジフェニル−1,２−ビス（３−ジフ
ェニルメチルシリルサリチリドアミノ）エタン（５）の
調製 ５mlのエタノール中３４8.３mg（1.０９ミリモル）の
（４）及び１１6.０mg,（0.５４６ミリモル）の（Ｒ，
Ｒ）−1,２−ジフェニル−1,２−ジフェニルエタンの溶
液を0.５時間加熱還流した。この溶液から鮮黄色の油状
物を分離し、放置時に固化した。この混合液をろ過し、
黄色固形物を２×５mlエタノールで洗浄した。1H ＮＭ
Ｒ解析により純粋な生成物の工程収量は４１６mg（９７
％）であった。1H NMR(CDCl3) 80.95(s,3H), 4.68(s,2
H), 6.72-7.55(m,36H,ArH),8.37(s,2H), 13.34(s,2H)pp
m 。 【０１２２】((Ｒ，Ｒ）−1,２−ジフェニル−1,２−ビ
ス（３−ジフェニルメチルシリルサリチリドアミノ）エ
タン）−マンガン(II)錯体（６）の調製：厳密に空気を
含まない条件下、２mlのエタノール中３2.０mg（0.４８
ミリモル)のＫＯＨの溶液を３mlのエタノール中１９５m
g（0.２４ミリモル）の懸濁液に攪拌しながら滴下し
た。この不均一混合液を２０分間攪拌した後、３mlのＭ
ｅＯＨ中５1.５mg（0.２４ミリモル）のＭｎ（ＯＡｃ)2
・４Ｈ2Ｏの溶液を速やかに加えた。黄−橙色混合液を
室温で８時間攪拌した後、Ｎ2下で４時間還流した。溶
媒を減圧下で除去し、残留物を５mlのメタノール、５ml
のエタノールで洗浄し、ろ過により単離した。橙色生成
物の収量は１８８mg（９０％）であった。この物質を精
製又は分析せずに次の工程で用いた。 【０１２３】((Ｒ，Ｒ）−1,２−ジフェニル−1,２−ビ
ス（３−ジフェニルメチルシリルサリチリドアミノ）エ
タン）−マンガン(III)ヘキサフルオロホスフェート
((Ｒ，Ｒ)−１（７）の調製 Ｎ2下、２mlのＣＨ3ＣＮ中７２mg（0.２１７ミリモル）
のフェロセニウムヘキサフルオロホスフェートの溶液を
３mlのＣＨ3ＣＮ中１８８mg（0.２１７ミリモル）の
（６）の溶液に滴下した。この反応混合液を３０分間攪
拌し、溶媒を減圧下で除去した。固形残留物をろ液が無
色になるまでヘキサンで洗浄した。褐色粉末を減圧下で
乾燥して２０1.３mg（９２％）の（７）を得た。C54H46
F6MnN2O2PSi2・(CH3CN)1.5・(H2O)の分析 計算値: C,
62.77; H, 4.85; N, 4.50 実測値:C, 62.89; H, 4.47;
N, 4.57。 【０１２４】下記錯体の調製： 【化４７】 2,２'-ビス（３−tert−ブチルサリチリドアミノ)-1,
１'-ビナフチルの調製 ６mlのＥｔＯＨ中７２５mg（4.０ミリモル）の３−tert
−ブチル−サリチルアルデヒドの溶液を５mlのＥｔＯＨ
中５６９mg（2.０ミリモル）の（＋)-2,２'-ジアミノ−
1,１−ビナフチルの溶液に滴下した。この反応混合液を
８時間加熱還流した後、揮発性物質を減圧下で除去し
た。残留物を８０ｇのＳｉＯ2によるフラッシュクロマ
トグラフィーで溶離剤としてヘキサン中２０％ＣＨ2Ｃ
ｌ2を用いて精製した。黄色の移動画分を集め、溶媒を
減圧下で除去して７２５mg（1.２０ミリモル、収率５９
％）のジイミンを黄色粉末として得た。 【０１２５】1,１'-ビナフチル−2,２'-ビス（３−tert
−ブチルサリチリドアミノ)-マンガン(II)錯体の調製 厳密に空気を含まない条件下、２mlのＭｅＯＨ中２ミリ
モルのＫＯＨの溶液を５mlのＥｔＯＨ中１ミリモルの2,
２'-ビス（３−tert−ブチルサリチリドアミノ)−1,１'
-ビナフチルの溶媒に窒素雰囲気下攪拌しながら滴下す
る。３mlのＭｅＯＨ中１ミリモルのＭｎ（ＯＡｃ)2・４
Ｈ2Ｏの溶液を速やかに加え、橙色混合液を２４時間攪
拌する。溶媒を減圧下で除去し、残留物を５mlのベンゼ
ンと攪拌し、ろ過してＫＯＡｃを除去した。ろ液を濃縮
乾固してＭｎ(II)錯体を橙色粉末としてＭｎ(II)錯体を
得る。 【０１２６】1,１'-ビナフチル−2,２'-ビス（３−tert
−ブチルサリチリドアミノ)-マンガン(III)ヘキサフル
オロホスフェートの調製 Ｎ2下、２mlのＣＨ3ＣＮ中１６5.５mg（0.５ミリモル）
のフェロセニウムヘキサフルオロホスフェートの溶液を
３mlのＣＨ3ＣＮ中0.５ミリモルの1,１'-ビナフチル−
2,２'-ビス（３−tert−ブチルサリチリドアミノ)-マン
ガン(II)錯体の溶液に滴下する。この反応混合液を３０
分間攪拌し、溶媒を減圧下で除去する。残留物を５mlの
ヘキサンと摩砕し、ろ過する。次いで、固形物をろ液が
無色になるまでヘキサンで洗浄し、減圧下で乾燥してＭ
ｎ(III)塩を深緑色の粉末として得る。 【０１２７】下記錯体の調製： 【化４８】 本方法においては、空気又は水分を取り除く注意が必要
なかった。３mlの無水エタノール中３６0.５mg（2.０ミ
リモル）の３−tert−ブチルサリチルアルデヒドの溶液
を５mlのエタノール中２１2.３mg（1.０ミリモル）の
（Ｒ，Ｒ）−1,２−ジアミノ−1,２−ジフェニルエタン
の溶液に滴下した。この反応混合液を１時間加熱還流し
た後、この熱（６０℃）溶液に２４5.１mg（1.０ミリモ
ル）のＭｎ（ＯＡｃ)2・４Ｈ2Ｏを一度に加えた。添加
の際、溶液の色が直ちに黄色から褐色に変わった。３０
分間更に還流した後、室温まで冷却した。次いで、１０
％ＮaＣｌ（５ml）の溶液を滴下し、この混合液を0.５
時間攪拌した。次いで、溶媒を減圧下で除去し、残留物
を５０mlのＣＨ2Ｃｌ2及び５０mlのＨ2Ｏと摩砕した。
有機層を分離し、褐色溶媒を飽和ＮａＣｌで洗浄した。
有機相を分離し、溶媒を除去して粗物質を得、これをＣ
6Ｈ6/Ｃ6Ｈ14で再結晶して５９１mg（0.９３８ミリモ
ル）の（１）のクロリド塩（９４％）を得た。C36H38Cl
MnN2O2・(H2O)0.5の分析 計算値: C, 68.63; H, 6.24;
N, 4.45 実測値: C, 69.01; H, 6.26; N,4.38。 【０１２８】本発明の第４態様の最も好ましい触媒の調
製方法 （Ｒ，Ｒ)-及び（Ｓ，Ｓ)-1,２−ビス（3,５−ジ−tert
−ブチルサリチリド−アミノ）シクロヘキサン 【化４９】 3,５−ジ−t-ブチルサリチルアルデヒド（2.０当量）を
固体として無水エタノール中（Ｒ，Ｒ）又は（Ｓ，Ｓ）
1,２−ジアミノシクロヘキサン（1.０当量）の0.２M溶
液に加えた。この混合液を１時間加熱還流した後、Ｈ2
Ｏを冷却した鮮黄色溶液に滴下した。得られた黄色の結
晶性固形物をろ過により集め、少量の９５％エタノール
で洗浄した。本方法で得られた分析的に純粋なサレン配
位子の収量は９０−９７％であった。 【０１２９】サレン配位子の分光スペクトル及び分析デ
ータ：1H NMR (CDCl3)δ13.72(s,1H),8.30(S,1H), 7.30
(d,J = 2.3 Hz,1H), 6.98(d,J = 2.3 Hz,1H), 3.32(m,1
H),2.0-1.8(m,2H), 1.8-1.65(m,1H), 1.45(m,1H), 1.41
(s,9H), 1.24(s,9H)。13C NMR（CDCl3）:δ165.8， 15
8.0， 139.8， 136.3， 126.0， 117.8， 72.4， 34.
9， 33.0， 31.4, 29.4, 24.3。C36H54N2O2の分析 計
算値: C, 79.07; H, 9.95;N, 5.12 実測値: C, 79.12;
H, 9.97; N, 5.12。 【０１３０】（Ｒ，Ｒ)-及び（Ｓ，Ｓ)-[1,２−ビス
（3,５−ジ−tert−ブチルサリチリド−アミノ）シクロ
ヘキサン]マンガン(III)クロリドの調製 上記サレン配位子を直ちに熱無水エタノールに再溶解し
て0.１M溶液を得る。固体Ｍｎ（ＯＡｃ)2・４Ｈ2Ｏ（2.
５当量）を一度に加え、この溶液を１時間還流する。次
いで、約５当量の固体ＬｉＣｌを加え、この混合液を0.
５時間更に加熱還流する。この混合液を０℃まで冷却
し、この褐色のエタノール溶液量と同量の水を加えてＭ
ｎ(III)錯体を暗褐色の粉末として得、これをＨ2Ｏで十
分に洗浄し、ろ過により収率８１−９３％で単離する。
触媒の許容しうるＣ、Ｈ、Ｎ、Ｃｌ及びＭｎ分析値が得
られた（±0.４％）が、これらは粉末生成物中の水及び
エタノール取込みの程度により異なる。エポキシ化反応
におけるエナンチオ選択性は一定触媒の別個のバッチに
ついて不変であり、触媒の溶媒含量がその有効性に影響
しないことを示している。本触媒の分析データ：C36H52
ClMnN2O2・C2H5OHの分析 計算値: C, 67.19; H,8.31;
Cl, 5.22; Mn, 8.09; N, 4.12 実測値: C, 67.05; H,
8.34; Cl, 5.48;Mn, 8.31; N, 4.28。 【０１３１】クロメン誘導体の不斉エポキシ化方法方法Ａ（酸素原子源としてＮａＯＣｌ） ：0.０５M Ｎａ
2Ｂ4Ｏ7・１０Ｈ2Ｏ（1.０ml）の溶液を希釈されない市
販の家庭用漂白剤(Chlorox)の2.５ml溶液に加えた。得ら
れた緩衝溶液のｐＨは約9.５であり、１M ＮａＯＨ溶液
を数滴添加することによりこれをｐＨ約１0.５に調整し
た。この溶液に2.０mlのＣＨ2Ｃｌ2中約0.００５〜0.０
２ミリモルの触媒及び約1.０ミリモルのオレフィンの溶
液を加えた。この２相混合液を室温で攪拌し、反応の進
行を毛管ガスクロマトグラフィーでモニターした。反応
は、約１−５時間で完結した。反応が完結した後、この
混合液に１０mlのＣＨ2Ｃｌ2を加え、褐色有機相を分離
し、１０mlのＨ2Ｏで２回、１０mlのＮａＣｌ飽和溶液
で１回洗浄し、次いで無水物Ｎａ2ＳＯ4で１５分間乾燥
した。この溶液をろ過し、溶媒を減圧下で除去した。残
留物を１０ｇのシリカゲルによるフラッシュクロマトグ
ラフィーを用いて溶離溶媒としてＣＨ2Ｃｌ2/ヘキサン
の混合液を用いた標準法で精製した。生成物含有画分を
合わせ、減圧下で溶媒を除去して純粋なエポキシドを単
離した。キラルシフト試薬としてＥｕ（ｈｆｃ）3を用
いて1H ＮＭＲで又はスチルベンオキシドの場合には市
販の(Regis)共有結合で結合したロイシンPirkleカラム
によるＨＰＬＣで直接分離することにより、エナンチオ
マー過剰率を求めた。[α]Ｄの容認された文献値との比
較により、絶対配置を帰属させた。 【０１３２】方法Ｂ（酸素原子源としてヨードシルメシ
チレン） 固体ヨードソメシチレンを0.３ミリモルずつ１５−３０
分間隔で加えながら、1.０ミリモルのオレフィン、８ml
のＣＨ2Ｃｌ2及び0.０４−0.０８ミリモルの触媒の溶液
を室温で攪拌した。４〜１０回（1.２〜３当量）の全ヨ
ードシルメシチレンを加えた後、出発オレフィンの消失
が完了した。溶媒を減圧下で除去し、残留物をヘキサン
で抽出し、混合液をセライトケイソウ土でろ過して触媒
及び他の固形分を除去した。フラッシュクロマトグラフ
ィー（１０ｇＳｉＯ2，ＣＨ2Ｃｌ 2／ヘキサン溶離剤）
で純粋なエポキシドを得た。この物質の光学純度を上記
の方法により求めた。 【０１３３】第１態様の最も好ましい実施態様による代
表的オレフィンの不斉エポキシ化 実施例１−７ 【表１】 a特にことわらない限り25℃で反応を行った。bオレフィ
ンに対する工程収率。c符号は[α]Dに対応する。d反応
を5℃で行った。e絶対配置は未知。 【０１３４】上記の表は、エナンチオマー過剰率(ee)の
最大値が実施例４、５及び６、即ち、シス二置換オレフ
ィンで見られたことを示している。対照的に、実施例
７、1,１二置換オレフィンは、最小値eeであった。実施
例１、トランス二置換オレフィン及び実施例２及び３、
一置換オレフィンは中間ee値であった。 【０１３５】本発明の第１及び第４態様の触媒による代
表的なオレフィンの不斉エポキシ化 実施例８−１６ 種々の触媒を用いた以外は、下記実施例８−１６を実施
例１−７と同様に行った。触媒番号系の解は、図１１に
ある。わかるように、実施例８は第１態様の最も好まし
い実施態様に従って行った。実施例９−１６は第４態様
に従って行い、実施例１２−１６で用いた触媒は第４態
様の最も好ましい実施態様である。実施例８−１６すべ
てが上記方法Ｂにより行ったことも留意される。 【０１３６】 【表２】 a反応を0℃で行った。bオレフィンに対する工程収率。c
Eu(hfc)3の存在下の1H NMR及び市販のキラルカラム(J &
W Scientific Cyclodex-Bカラム,30m×0.25mm I.D.,0.
25μm 膜)を用いた毛管GCにより求めた。d反応はすべて
各触媒の両エナンチオマーを用いて2回行った。(R,R)-5
を用いて行った反応は、表と反対の絶対配置及び同一ee
(±2％)を有するエポキシドを生成した。符号は[α]Dに
対応する。 【０１３７】実施例１２−１５に示されるように、第４
実施態様の最も好ましい触媒は、優れたエナンチオ選択
性をもってシス−二置換オレフィンのエポキシ化を触媒
する。 【０１３８】実施例１７−２４クロメン誘導体のエポキ
シ化 下記実施例１７−２４を行って種々のクロメン誘導体を
エナンチオ選択的にエポキシ化する本方法の有効性を示
した。これらの実施例で用いた触媒は、図８で示されて
いるＲ，Ｒエナンチオマーである。上記方法Ａの方法を
これらの実施例に用いた：結果を表IIIに示す。実施例
２４の無置換クロメンがエポキシクロマンを生成しなか
ったことは留意される。 【０１３９】 【表３】(S,S)-4で行ったエポキシ化は反対配置の生成物を生じ
た。beeは特にことわらない限りGC(図1に対する説明参
照)で求めた。c工程収率は4モル％4について1ミリモル
スケールで行った反応及びフラッシュクロマトグラフィ
ーによる生成物単離に対応する。d(3R,4S)-(+)-2と相関
(9b参照)。e絶対配置はエントリー6と同様に帰属させ
た。feeはキラルシフト試薬としてEu(hfc)3を用いた1H
NMRで求めた。gDrs.R.Gericks,J.Sombrock(E.Merck)の
個人情報。h2:1混合物の工程収率。 【０１４０】実施例２５ 実施例２５は、図２に示されている触媒を用いた以外
は、上記実施例１９と同様に行った。工程収率は７８％
であり、eeは９１％であった。実施例２６ 実施例２６は、上記実施例１７で製造したエポキシクロ
マン、即ち、６−シアノ−2,２−ジメチル−3,４−エポ
キシクロマンの大規模生産として行った。市販の家庭用
漂白剤(CloroxＴＭ)の溶液のｐＨを0.０５M Ｎａ2ＨＰ
Ｏ4及び１N ＮａＯＨでｐＨ＝１1.３に緩衝化した後、
０℃に冷却した。５００mlのこの溶液（ＮａＯＣｌ中約
0.５５M）に１３５mlのＣＨ2Ｃｌ2中６−シアノ−2,２
−ジメチルクロメン及び触媒（3.１ｇ，5.０ミリモル，
3.７モル％）の０℃溶液に加えた。２相系を０℃で機械
的に攪拌し、反応の進行をＨＰＬＣでモニターした。９
時間後、不均一褐色混合液をセライトセイソウ土パッド
でろ過し、有機相を分離し、５００mlのＮａＣｌ飽和溶
液で１回洗浄した後、乾燥した（Ｎａ2ＳＯ4)。溶媒を
除去した後、得られた粗生成物の ee を各例についてＧ
Ｃ分析で求めた。次いで、褐色油状残留物を２００mlの
沸騰無水エタノールに溶解した後、水（２００ml）を熱
溶液に徐々に加えた。熱重力ろ過により薄黄色溶液を
得、これから結晶化エポキシクロマンを単離した。この
工程収率は８１％であり、eeはＧＣ分析により９９％で
あった。 【０１４１】実施例２７（参考例） 実施例２７は、図１３に示されているクロマカリンを製
造するために行った。実施例２６で製造したエポキシク
ロマン、即ち、６−シアノ−2,２−ジメチル−3,４−エ
ポキシクロマン（１ｇ，4.９７ミリモル）、３−ヒドロ
キシ−１−メチル−1,６−ジヒドロピリダジン−６−オ
ン（0.６５２ｇ，5.１７ミリモル）及びピリジン（0.４
９１ｇ，6.２１ミリモル）を共にエタノール（１０ml）
中で８時間還流した。次いで、均一黄色混合液を減圧下
で濃縮し、残留物を７０ｇのシリカ及び溶離剤として酢
酸エチルによるフラッシュクロマトグラフィーで単離し
た。工程収量は、1.３８ｇ（８５％）であった。 【化５０】 【０１４２】実施例２８（参考例） 実施例２８は、図１４に示されているクロマカリンを製
造するために行った。水素化ナトリウム（鉱油中0.１９
９ｇの６０％懸濁液，4.９７ミリモル）をＤＭＳＯ（1.
５ml）に懸濁し、この攪拌混合液に２−ピロリジノン
（0.４２３ｇ，4.９７ミリモル）を乾燥窒素雰囲気下室
温で加えた。次いで、実施例２６で得られたエポキシク
ロマン（１ｇ，4.９７ミリモル）を固形物として灰色の
泡状物に加えた。この混合液を室温で１０時間攪拌し
た。次いで、橙−赤色混合液を１０mlの水で処理し、得
られた濃黄色沈澱を１０mlの酢酸エチルで５回抽出し
た。溶媒を除去し、シリカ（１００ｇ，酢酸エチル溶離
剤）でクロマトグラフィー処理して純粋な生成物を得、
これを酢酸エチルで再結晶した。この工程収量は0.８０
８ｇ（５６％）であった。 【化５１】 【０１４３】タキソル並びにタキソル中間体及び類縁体
の合成 下記一般説明を下記実施例に適用する。Laboratory Dev
ices(Holliston MA)Mel-Temp II融点装置による開放毛
細管で融点を得、補正せずに示す。沸点を補正せずに示
す。1H ＮＭＲスペクトルを General Electric(Schenec
tady NY)QE-300(300MHz)分光計で得た。低分解能EIガス
クロマトグラフィー／質量分光(GC/MS)分析を Hewlett-
Packard 5890ガスクロマトグラフにつなげたHewlett-Pa
ckard(Palo Alto CA)5970 Mass Selective Detectorで
行った。他の質量スペクトルは、イリノイ大学, Urban
a, IllinoisのMass Spectrometry Laboratoryによって
提供された。元素分析は、イリノイ大学のMicroanalyti
cal Laboratoryで行った。シリカゲルクロマトグラフィ
ー精製は、32-64mガラスカラムに充填した Woelmシリカ
(Aldrich Chemical Co., Milwaukee WI)によるフラッシ
ュクロマトグラフィーで行った。シリカゲルの重量は、
下記で特にことわらない限り試料の約５０−１００倍と
した。各精製の溶離溶媒を薄層クロマトグラフィー（Ｔ
ＣＬ）で求めた。分析用ＴＣＬを0.２５mmのシリカゲル
60F254で被覆したメルクガラスプレートで行った。ＴＬ
Ｃプレートを、特にことわらない限り紫外線及び／又は
ヨウ素チャンバで可視化した。気液クロマトグラフィー
（ＧＣ）分析は、次のカラム：Ａ）J & W Scientific(F
olsom CA) 0.32mm×30m DB-5毛管カラム又はＢ）J&WSci
entific CPX-B(β−シクロデキストリン）毛管カラム,3
0mを用いてHewlett-Packard HP 5890ガスクロマトグラ
フで行った。旋光は、ジャスコ(日本スペクトロフォト
メトリック社、東京、日本)Dip-360デジタル旋光計で測
定した。エポキシ化反応で用いた緩衝化漂白剤溶液は、
CloroxＴＭ漂白剤からZhang W.の方法；及びJacobsen,
EN: J. Org. Chem. 56: 2296, 1991に従って調製した。
特にことわらない限り、すべての出発物質はAldrichか
ら購入し、そのまま用いた。 【０１４４】実施例２９ メチル３−フェニルグリシデートの調製 シス−メチルシンナメート（4.５mg，2.５ミリモル）量
を６mlのＣＨ2Ｃｌ2に溶解した。次いで、この溶液に3,
５−ジメチルピリジン−Ｎ−オキシド（１２５mg，４０
モル％）を加えた後、触媒（Ｓ，Ｓ）−４（１５０mg，
１０モル％）を加えた。得られた溶液を０℃まで冷却
し、４℃に予め冷却した漂白剤溶液（ｐＨ１1.２５の１
５ml）と混合した。反応混合液を４℃で３時間攪拌し
た。次いで、反応混合液にヘキサン（６０ml）を加え
た。有機相を３０mlの水で１回、３mlの食塩水で２回洗
浄し、Ｎａ2ＳＯ4で乾燥した。溶媒を減圧下で除去し、
残留物をクロマトグラフィー（ＥｔＯＡｃ／ヘキサン＝
７：９３,v/v)で精製してシス：トランス比が４：１で
ある分離できない混合物シス及びトランス−メチル−３
−フェニルグリシデートを得た。収量は３５６mg、即
ち、８０％であった。立体異性体の帰属及び立体異性体
比の決定は、シス−メチル−３−フェニルグリシデート
の1H ＮＭＲの文献値によった。Denis，J.N.; Greene，
A.E.; Serra，A.A.; Luche,M.-J.: J.Org.Chem. 51:46,
1986。シス及びトランス−エポキシドの eeをＧＣ分析
（上記カラムＢを用いた）により求めると、各々８７−
８９％及び, ６０％であった。 【０１４５】実施例３０ シス−エチルシンナメートの調製 エチルフェニルプロピオレート（１0.８ｇ，0.０６２モ
ル）をヘキサン（５４０ml）に溶解し、キノリン（１1.
２ｇ）及びパラジウム／炭酸カルシウム(Lindlar触媒,
3.６ｇ）を加えた。得られた反応混合液を水素（１気
圧）下室温で攪拌し、反応の進行をＧＣ分析により厳密
にモニターした。水素の吸収速度が急激に減少すること
が見られたら、水素雰囲気を窒素に置き換えて反応を停
止させた。得られた混合液をケイソウ土のパッドでろ過
し、ろ液をＮａ2ＳＯ4で乾燥した。溶媒を減圧下で除去
した。次いで、残留物を減圧蒸留（2.５mmＨｇ，９８−
１００℃）して１0.０８ｇのシス−エチルシンナメート
を収率約９５％として得た。ＧＣ分析により、この生成
混合液は5.７％の過剰還元アルカン及び3.５％のトラン
ス−エチルシンナメートを含んでおり、これを精製せず
に用いた。 【０１４６】実施例３１ （２Ｒ，３Ｒ）−エチル−３−フェニルグリシデートの
調製 実施例３０で記載したように調製した1.７６ｇ、即ち１
０ミリモルのシス−エチルシンナメートと４−フェニル
ピリジン−Ｎ−オキシド（４２０mg，2.５ミリモル）と
をＣＨ2Ｃｌ2（２０ml）に溶解した。この溶液に触媒
（図８のＲ，Ｒ−エナンチオマー)(３６０mg，0.６ミリ
モル）を加えた。この溶液と緩衝化漂白剤溶液（２５m
l，ｐＨ＝１1.２５）を氷浴中で別々に冷却した後、４
℃で合わせた。２相混合液を２時間又はＴＬＣ分析によ
りシス−エチルシンナメートの消失から完結したことが
判断されるまで攪拌した。次いで、この溶液に酢酸エチ
ル（２００ml）を加え、有機相を分離し、水（２×１０
０ml）及び食塩水（１×１００ml）で洗浄した。次い
で、有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥した。溶媒を減圧下で除
去し、残留物をＧＣ分析に供し、シス及びトランス−エ
ポキシドの存在が３：１比で示された。残留物を蒸留
（２mmＨｇ．７５−７７℃）してＧＣ分析により求めた
７５％のシス−エポキシド、１８％のトランス−エポキ
シド及び少量の各不純物を有する1.６ｇ（収率８０％）
の粗混合液を得た。シス−エポキシドのeeをキラルシフ
ト試薬としてEu(hfc)3を用いた1H ＮＭＲシフト実験に
より求めると９６−９７％であった。トランス−エポキ
シドのeeを同様の方法により測定すると７８％であっ
た。この混合液を精製せずに次の反応で用いた。シス−
エチル−３−フェニルグリシデートの場合、次のものが
得られた：1H NMR(CDCl3) δ1.02(t,J=7.2Hz,3H), 3.83
(d,J=4.8Hz,1H), 3.9-4.1(m,2H), 4.27(d,J=4.8Hz, 1
H), 7.2-7.5 (芳香族,5H)。トランス−エチル−３−フ
ェニルグリシデートの場合、次のものが得られた：1H N
MR(CDCl3) δ1.33(t,J=7.2Hz,3H),3.51(d,J=2.1Hz,1H),
4.09(d,J=1.8Hz,1H), 4.2-4.4(m,2H), 7.2-7.5 (芳香
族,5H)。 【０１４７】実施例３２ （２Ｒ，３Ｓ）−３−フェニル−イソセリンアミドの調
製 まず、実施例３１で記載したように調製した９００mg、
即ち4.２２ミリモルの（２Ｒ，３Ｒ）−３−フェニルグ
リシデートをアンモニアで飽和した２０mlのエタノール
の溶液（アンモニアをエタノールに−１５℃で１５分間
通過させて調製した）に溶解した。この溶液をオートク
レーブに入れ、外部攪拌しながら１００℃まで１６時間
加熱した。この溶液を室温まで冷却した後、攪拌を更に
８時間続けた。溶媒を減圧下で除去し、残留物をエタノ
ールで再結晶した。重量５４０mgの結晶性生成物をろ過
により収率７１％として単離した。融点は、１７２−１
７３℃であった。この化合物に対して次の 1H ＮＭＲ
（ＤＭＳＯ−ｄ6/Ｄ2O)データが得られた：δ3.87(d,J=
3.3Hz,1H), 4.08(d,J=3.3Hz,1H), 7.0-7.5(芳香族,5
H)。 C9H12O2N2の分析：計算値: C, 60.00; H, 6.67;
N, 15.55 実測値: C,59.90; H, 6.71; N, 15.25。図８
の（Ｓ，Ｓ）触媒を用いて調製したエポキシドを用いた
類似の順序で対応するラセミ化合物を合成した。ラセミ
化合物の融点は１９２−１９３℃であり、文献値１８７
−１８８℃にうまく匹敵した。Kamandi，E.; Frahm，A.
W. Zymalzowski,F.: Arch.Parmaz.307:871,1974。 【０１４８】実施例３３ （２Ｒ，３Ｓ）−３−フェニル−イソセリン 実施例３２で調製した（２Ｒ，３Ｓ）−３−フェニルイ
ソセリンアミド（２００mg，1.１１ミリモル）を３５４
mg（1.１２ミリモル）のＢａ（ＯＨ)2・８Ｈ2Ｏ及び水
（２ml）と混合した。得られた懸濁液を９時間加熱還流
した。反応混合液を８０℃まで冷却した後、この溶液に
１５mlの水を加えた。この溶液の温度を８０℃で２０分
間維持した後、１mlの水中１１０mg，1.１１ミリモルの
濃硫酸の溶液を加えた。ｐＨ５〜７であった溶液に白色
沈澱が生じた。８０℃に加熱して更に２０分間維持した
後、この混合液を室温まで冷却した。得られた沈澱（Ｂ
ａＳＯ4)を容器の底に遠心させ、上澄み液を分離し、溶
媒を減圧下で除去した。得られた白色沈澱をアセトンで
抽出し、ろ過により集めて１４８mgの標記化合物を収率
７４％として得た。この物質を溶融すると２３８℃で分
解した。1HＮＭＲ（Ｄ2O／ＮａＯＤ)データは次の通り
であった：δ3.94(d,J=3.9Hz,1H), 4.01（d，J=3.9Hz，
1H）， 7.0-7.5（芳香族，5H）。 C9H11NO3 の分析：計
算値: C，59.66; H, 6.07; N, 7.73 実測値: C, 59.1
0; H, 6.11; N, 7.61。 【０１４９】実施例３４ Ｎ−ベンゾイル−（２Ｒ，３Ｓ）−３−フェニル−イソ
セリン まず、実施例３３で調製した６０mg（0.３３ミリモル）
の（２Ｒ，３Ｓ）−３−フェニル−イソセリンを１０％
水性ＮａＨＣＯ3(８ml）に溶解した。この溶液を４℃ま
で冷却した後、１４３mg（1.０ミリモル）の塩化ベンゾ
イルの１２０mlの水溶液を加えた。この混合液を４℃で
６時間攪拌した後、希ＨＣｌ溶液を加えてｐＨ１に酸性
にした。得られた白色沈澱をろ過により集めた。ろ液容
量を２mlまで減少させ、第２沈澱を集め、第１生成物と
合わせた。この物質は、所望の生成物と安息香酸を共に
含有した。エタノールを数滴含むエーテル（３ml）中で
６時間攪拌することにより安息香酸を除去した。次に、
６０mgの得られた生成物をろ過により白色沈澱として収
率７０％で単離した。この化合物は1H ＮＭＲにより純
度９５％以上であった。融点が１７７−１７９℃であ
り、文献値１６７−１６９℃に匹敵するものであった。
FABMS: m/e 286(M+ +1)。1H ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6)値
は次の通りであった：δ4.37(d,J=4.5Hz,1H), 5.46(dd,
J=8.7Hz及び4.5Hz,1H), 5.3-5.7(b,1H), 7.2-7.6(m,9
H), 7.84(d,J=7.5Hz,1H), 8.58(d,J=9.0Hz,1H), 12.5-1
3.0(br,1H)。C16H16NO4の FABHRMS：計算値: 286.1079
実測値:286.1068。 [α]25D-35.9 °(c 0.565, EtOH);
(2S,3R)- 異性体 [α]25D-36.5°(c 1.45, EtOH)及び
(2R,3S)-異性体[α]25D-37.78°(c 0.9, EtOH)の文献値
に匹敵した。Ojima I.等, J.Org.Chem. 56:1681,1991。 【０１５０】実施例３５ タキソル 実施例３４で調製したＮ−ベンゾイル−（２Ｒ，３Ｓ）
−３−フェニル−イソセリンを第三級アミンの存在下に
１−クロロエチルエチル−エーテルで処理して光学的に
純粋な（２Ｒ，３Ｓ）−Ｎ−ベンゾイル−Ｏ−（１−エ
トキシエチル）−３−フェニル−イソセリン（２）を製
造する。Denis等(J.Amer.Chem.Soc.110:5417,1988)に従
って合成した７−トリ−エチルシリルバッカチンIII
(１）を６当量の光学的に純粋な（２Ｒ，３Ｓ）−Ｎ−
ベンゾイル−Ｏ−（１−エトキシエチル）−３−フェニ
ル−イソセリン（２）、６当量のジ−２−ピリジルカー
ボネート（ＤＰＣ）及び２当量の４−（ジメチルアミ
ノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）のトルエン溶液（0.０２M）
に加える。この混合液を７３℃で１００時間反応させて
Ｃ−２',Ｃ−７保護タキソル誘導体（３）を製造する。
（３）におけるＣ−２’及びＣ−７の保護基の付随的除
去をエタノール中0.５％ＨＣｌを用いて０℃で３０時間
行なってタキソルを生成し、その同定及び純度を天然産
物の融点、旋光並びにスペクトル（ＩＲ，ＭＮＲ，ＦＡ
ＢＭＳ）及びクロマトグラフ（ＴＬＣ，ＨＰＬＣ）特性
を比較することにより決定する。 【化５２】 【０１５１】実施例３６−３９ ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体のエポキシ化に関する効
果 下記表ＩＶに示されている４種のアルケンを下記の方法
においてピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を存在させてエ
ポキシ化した。１０ミリモルのアルケン及び2.０ミリモ
ル（２０モル％）のピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の溶
液を１０mlのＣＨ2Ｃｌ2に溶解した。４−フェニルピリ
ジン（表のＡ）又は４−t-ブチルピリジン−Ｎ−オキシ
ド（表のＢ）を用いた。次いで、このアルケン溶液に0.
０８−1.０ミリモル（0.８−１０モル％）の触媒１又は
２（下記参照）を加えた。各実施例において用いた触媒
量を表に示す。この溶液と緩衝化漂白剤溶液（ｐＨ＝１
1.２５）を氷浴中で別々に冷却した後、０−４℃で混合
した。この２相混合液を１〜５時間攪拌した。次いで、
この溶液に２００mlのヘキサンを加え、有機相を分離
し、１００mlの水で１回、１００mlの食塩水で１回洗浄
した。次いで、有機相をＮａ2ＳＯ4で乾燥した。溶媒を
減圧下で除去した。残留物を精製蒸留に供したが、クロ
マトグラフィー又は結晶化で精製することができなかっ
た。エポキシドのエナンチオマー組成をキラル毛管カラ
ムによるＧＣ及びキラルシフト試薬（Ｅｕ（ｈｆｃ)3)
を用いた1H ＮＭＲで決定した。 【０１５２】 【表４】【０１５３】議論の大部分がサレン誘導体（エチレンジ
アミンから製造）の使用を含むものであったが、サルピ
ン誘導体（プロピレンジアミンから製造）及びサルベン
誘導体（ブチレンジアミンから製造）も本発明の範囲内
であることは留意されるべきである。これらが、後記請
求の範囲で定義された本発明の範囲内にあるとみなされ
ることは確かである。 【０１５４】スルフィドの不斉酸化 実施例４０ 上記と同様の方法を用いて、下記触媒を調製した。図１
９及び２０並びに下記表Ｖは、触媒の一般構造を示すも
のである。 【０１５５】 【表５】 a収率はすべてフラッシュクロマトグラフィーで単離し
た純粋な生成物に対応する。beeはキラルセルODカラム
を用いたHPLCで求めた。c絶対配置は[α]Dの符号を文献
値と比較して帰属させた。 【０１５６】これらの７種の触媒をチオアニソールと反
応させてそれらのee値を測定した。エポキシ化において
最適なエナンチオ選択性に重要であることが証明された
配位子特性は、スルフィド酸化にも重要であったことは
意味のあることである。例えば、サレン配位子の3,３’
及び5,５’位にかさ高い置換基が存在するために選択性
に著しい効果があり、これらの基が不斉ジイミン橋近傍
に基質接近を導入することによりオキソ移動を生じる遷
移状態において立体化学を改良することを示した。エナ
ンチオ選択性に関する電子効果も（サレン）Ｍｎ触媒を
用いたスルフィド酸化において極めて顕著であった。エ
ポキシ化反応において示したように、電子求引性置換基
をもつ触媒は、電子を多く含んだ類縁体よりエナンチオ
選択性が低い（表Ｖのエントリー１、３及び４）。この
効果は、電子求引基をもつ高原子価中間体の高い反応性
及び低い付随的選択性によるものである。表Ｖの触媒１
が試験した触媒の中で最も選択的であることが明らかと
なった。従って、プロキラルスルフィドの不斉酸化を試
験するために、触媒１を用いた。これらの試験結果を下
記表ＶＩに示す。 【０１５７】（Ｒ，Ｒ)-１又は（Ｓ，Ｓ)-１を用いたプ
ロキラルスルフィドの不斉酸化 【表６】 aスルフィドに対する工程収率、純粋なスルホキシド(GC
分析より>99％)をフラッシュクロマトグラフィーで単離
した。beeはキラルセルODカラムを用いたHPLCで求めた
が、エントリー8,9,10は(R)-(-)-2,2,2-トリフルオロ-1
-(9-アンソリル)エタノールの存在下1H NMRで求めた。c
絶対配置は特にことわらない限り[α]Dの符号を文献値
と比較して決定した。d絶対配置はエントリー1-6の類推
により([α]Dの符号)帰属させた。 【０１５８】これらの場合の選択性は中程度であるが、
基質の著しい電子効果を認めることができた。より反応
性の電子を多く含んだスルフィドは低い選択性で酸化さ
れた（例えば、表ＶＩ、エントリー７）が、ハライド又
はニトロ基をもつ基質で選択性６０％以上eeが得られた
（表ＶＩ、エントリー２、８−１１）。スルフィド酸化
反応における面選択性は、アルケンエポキシ化と同様で
ある（図２１参照)。これは、この２過程の遷移状態の
種類が類似していることを示すものである。過酸化水素
の接触不均化 【０１５９】実施例４１−下記錯体の調製： 【化５３】 ８０mlのＥｔＯＨ中サリチルアルデヒド（２4.４２ｇ，
0.２００モル）の溶液を５０mlのＥｔＯＨと５０mlのＨ
2Ｏの混合液中エチレンジアミン（6.０７０g,0.１００
モル）の攪拌溶液に５分間かけて加えた。この反応混合
液を１時間還流し、室温で一晩攪拌した。黄色結晶性生
成物をろ過により分離し、２×３０mlの６０％冷ＥｔＯ
Ｈで洗浄し、風乾してサレン２5.７３３ｇ（９5.９％）
を得た。Ｍｎ（ＯＡｃ)2（２4.５０９ｇ，0.１００モ
ル）を１０００mlの９５％ＥｔＯＨ中１3.４１６ｇのサ
レンの攪拌溶液に加え、直ちに黄色から暗褐色に変色し
た。得られた混合液を３時間還流した。溶媒を減圧下で
除去し、得られた残留物を１２５０mlの熱湯（６０℃）
で抽出し、ろ過した。ろ液に固体ＮａＣｌ（５8.４４
ｇ，1.０００モル）を加え、直ちに褐色沈澱が生じた。
沈澱をろ過により集め、乾燥した。粗生成物をアセトン
／エーテルで再結晶して9.６７２ｇの生成物（収率５4.
２％）を得た。 【０１６０】実施例４２−反応手順 隔膜を備えた小さな丸底フラスコに触媒（0.１モル％）
及び１mlの溶媒を充填した。この溶液にＨ2Ｏ2の緩衝溶
液を加えた。反応から発生したＯ2を捕捉することによ
り、反応の速度及び変換をモニターした。下記表ＶII
は、各種触媒の回転置換値を示すものであり、これらの
一般構造は図２２及び２３に示されている。回転置換
は、触媒１モルに対して破壊されたＨ2Ｏ2モルとして定
義される。 【０１６１】 【表７】【０１６２】 【表８】 【０１６３】 【表９】
【図面の簡単な説明】 【図１】図１は、本発明の第１態様の触媒の２次元一般
構造を示すものである。 【図２】図２は、本発明の第１態様の最も好ましい触媒
の２次元構造を示すものである。 【図３】図３は、本発明の第２態様の触媒の２次元一般
構造を示すものである。 【図４】図４は、本発明の最も好ましい触媒のその提案
されたオキソ中間体状態におけるコンピューター作成の
３次元図である。 【図５Ａ】図５Ａは、本発明の好ましい触媒による好ま
しい基質の１種のエポキシ化において観察された高エナ
ンチオ選択性に関与すると考えられる立体障害を示す図
４と同様の図である。 【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の好ましい触媒による好ま
しい基質の１種のエポキシ化において観察された高エナ
ンチオ選択性に関与すると考えられる立体障害を示す図
４と同様の図である。 【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の好ましい触媒による好ま
しい基質の１種のエポキシ化において観察された高エナ
ンチオ選択性に関与すると考えられる立体障害を示す図
４と同様の図である。 【図６】図６は、本発明の第３態様の触媒の２次元一般
構造を示すものである。 【図７】図７は、本発明の第４態様の触媒の２次元一般
構造を示すものである。 【図８】図８は、本発明の第４態様の好ましい触媒の２
次元構造を示すものである。 【図９】図９は、本発明の第１態様の好ましい触媒に対
するプロキラルオレフィンの好ましい理論接近の２次元
式である。 【図１０】図１０は、本発明の第４態様の好ましい触媒
に対するプロキラルオレフィンの好ましい理論接近の２
次元式である。 【図１１】図１１は、実施例８−１６で用いた番号系を
含む本発明の種々の実施態様の２次元構造を示すもので
ある。 【図１２】図１２は、本方法で用いたクロメン誘導体の
構造を示すものである。 【図１３】図１３は、１クロマカリム化合物の３Ｓ，４
Ｒエナンチオマーの構造を示すものである。 【図１４】図１４は、もう１つのクロマカリム化合物の
３Ｓ，４Ｒエナンチオマーの構造を示すものである。 【図１５】図１５は、６−シアノ−2,２−ジメチル−3,
４−エポキシクロマンの構造を示すものである。 【図１６】図１６は、タキソルの構造を示すものであ
る。 【図１７】図１７は、本方法で用いたシンナメート誘導
体の構造を示すものである。 【図１８】図１８は、タキソルのＣ−１３側鎖の３Ｓ，
４Ｒエナンチオマーの一般構造及び類縁体を示すもので
ある。 【図１９】図１９は、不斉スルフィド酸化で用いた好ま
しいキラル触媒の構造を示すものである。 【図２０】図２０は、不斉スルフィド酸化で用いたもう
１つの好ましいキラル触媒の構造を示すものである。 【図２１】図２１は、スルフィド酸化反応における面選
択性を示すものである。 【図２２】図２２は、過酸化水素の接触不均化において
用いた好ましい触媒の一般構造である。 【図２３】図２３は、過酸化水素の接触不均化において
用いたもう１つの好ましい触媒の一般構造である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイコブソン エリック エヌ アメリカ合衆国 イリノイ州 61853 モ ハメット リヴァーヴィュー レーン 19 (72)発明者 ツァン ウェイ アメリカ合衆国 ペンシルバニア州 19454 ノース ウェールズ ロワー ス テイト ロード 700 ビルディング 11 シー８ (72)発明者 デン リー アメリカ合衆国 イリノイ州 61801 ア ーバーン オーチャード ストリート 2002ビー Ｆターム(参考） 4G069 AA01 AA02 AA08 AA11 BA27A BA27B BC62B BD12B BE14A BE14B BE37A BE37B BE41A BE46B CB07 CB41 CB67 CB73 CB81 DA02 FA01 FB05

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 下記構造を有するキラル触媒： 【化１】 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであ
    り；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくと
    も１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキ
    ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より
    選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、
    第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル
    基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１、Ｙ２、
    Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル
    基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基から
    なる群より独立して選ばれ;Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４
    の少なくとも１種は水素、ＣＨ3及び第一級アルキル基
    からなる第１群より選ばれ；Ｒ１が該第１群より選ばれ
    る場合には、Ｒ２及びＲ３はアリール基、第二級アルキ
    ル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子を有するアルキ
    ル基からなる第２群より選ばれ；Ｒ２が該第１群より選
    ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれ;
    Ｒ３が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は
    該第２群より選ばれ;Ｒ４が該第１群より選ばれる場合
    には、Ｒ２及びＲ３は該第２群より選ばれる。
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