JP2003229057A - 構造支持体の製造方法、構造支持体およびそれを備える電子線装置 - Google Patents
構造支持体の製造方法、構造支持体およびそれを備える電子線装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スペーサの電極を高精度かつ容易に形成する
ことができる構造支持体の製造方法を提供する。 【解決手段】 所定の面が厚みの異なる第1および第2
の面からなるスペーサ基板1020aの全面に所定の抵
抗値を有する低抵抗膜1020cを形成する第1の工程
と、上記第1の面(凸部1020d)を研磨(研削)ま
たは切削により所定の厚さだけ削りとることにより、該
第1の面に形成された低抵抗膜1020cを除去する第
2の工程とを含む。
ことができる構造支持体の製造方法を提供する。 【解決手段】 所定の面が厚みの異なる第1および第2
の面からなるスペーサ基板1020aの全面に所定の抵
抗値を有する低抵抗膜1020cを形成する第1の工程
と、上記第1の面(凸部1020d)を研磨(研削)ま
たは切削により所定の厚さだけ削りとることにより、該
第1の面に形成された低抵抗膜1020cを除去する第
2の工程とを含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部から電子が入
射することにより表面の少なくとも一部が帯電する構造
支持体(スペーサ)の製造方法および構造、さらにはそ
のような構造支持体を備える電子線装置(例えば画像表
示装置)に関する。
射することにより表面の少なくとも一部が帯電する構造
支持体(スペーサ)の製造方法および構造、さらにはそ
のような構造支持体を備える電子線装置(例えば画像表
示装置)に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、電子放出素子として熱陰極素
子と冷陰極素子の2種類が知られている。このうち冷陰
極素子として、たとえば表面伝導型放出素子、電界放出
型素子(以下FE型と記す)、金属/絶縁層/金属型放
出素子(以下MIM型と記す)などが知られている。
子と冷陰極素子の2種類が知られている。このうち冷陰
極素子として、たとえば表面伝導型放出素子、電界放出
型素子(以下FE型と記す)、金属/絶縁層/金属型放
出素子(以下MIM型と記す)などが知られている。
【0003】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、たとえば、[M.I.Eli
nson,Radio Eng.Electron P
hys.,10,1290,(1965)]に記載され
ている、SnO2薄膜を用いたものが知られている。こ
の他、Au薄膜によるもの[G.Dittmer:”T
hin Solid Films”,9,317(19
72)]、In2O3/SnO2薄膜によるもの[M.H
artwelland C.G.Fonstad:”I
EEE Trans.ED Conf.”,519(1
975)]、カ−ボン薄膜によるもの[荒木久他:真
空、第26巻、第1号、22(1983)]等が報告さ
れている。
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより
電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面
伝導型放出素子としては、たとえば、[M.I.Eli
nson,Radio Eng.Electron P
hys.,10,1290,(1965)]に記載され
ている、SnO2薄膜を用いたものが知られている。こ
の他、Au薄膜によるもの[G.Dittmer:”T
hin Solid Films”,9,317(19
72)]、In2O3/SnO2薄膜によるもの[M.H
artwelland C.G.Fonstad:”I
EEE Trans.ED Conf.”,519(1
975)]、カ−ボン薄膜によるもの[荒木久他:真
空、第26巻、第1号、22(1983)]等が報告さ
れている。
【0004】上記のような電子放出素子を用いた画像形
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型表示装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置
に置き換わるものとして注目されている。
成装置のうちで、奥行きの薄い平面型表示装置は省スペ
ースかつ軽量であることから、ブラウン管型の表示装置
に置き換わるものとして注目されている。
【0005】図12は平面型の画像表示装置をなす表示
パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示すた
めにパネルの一部を切り欠いて示している。図12中、
3115はリアプレート、3116は側壁、3117は
フェースプレートであり、これらリアプレート311
5、側壁3116およびフュースプレート3117によ
り、表示パネルの内部を真空に維持するための外囲器
(気密容器)を形成している。
パネル部の一例を示す斜視図であり、内部構造を示すた
めにパネルの一部を切り欠いて示している。図12中、
3115はリアプレート、3116は側壁、3117は
フェースプレートであり、これらリアプレート311
5、側壁3116およびフュースプレート3117によ
り、表示パネルの内部を真空に維持するための外囲器
(気密容器)を形成している。
【0006】リアプレート3115には基板3111が
固定されており、この基板3111上には冷陰極素子3
112が、N×M個形成されている。ここで、N、Mは
2以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じ
て適宜設定される。N×M個の冷陰極素子3112は、
図12に示すとおり、M本の行方向配線3113とN本
の列方向配線3114により配線されている。これら行
方向配線3113と列方向配線3114の少なくとも交
差する部分には、両配線間に絶縁層(不図示)が形成され
ており、電気的な絶縁が保たれている。これら基板31
11、冷陰極素子3112、行方向配線3113および
列方向配線3114によって構成される部分をマルチ電
子ビーム源と呼ぶ。
固定されており、この基板3111上には冷陰極素子3
112が、N×M個形成されている。ここで、N、Mは
2以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じ
て適宜設定される。N×M個の冷陰極素子3112は、
図12に示すとおり、M本の行方向配線3113とN本
の列方向配線3114により配線されている。これら行
方向配線3113と列方向配線3114の少なくとも交
差する部分には、両配線間に絶縁層(不図示)が形成され
ており、電気的な絶縁が保たれている。これら基板31
11、冷陰極素子3112、行方向配線3113および
列方向配線3114によって構成される部分をマルチ電
子ビーム源と呼ぶ。
【0007】フェースプレート3117の下面には、蛍
光体からなる蛍光膜3118が形成されており、表示画
素に対応して赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の
蛍光体(不図示)が塗り分けられている。蛍光膜311
8の各色蛍光体の間には黒色体(不図示)が設けてお
り、さらに蛍光膜3118のリアプレート3115側の
面には、Al等からなるメタルバック3119が形成さ
れている。
光体からなる蛍光膜3118が形成されており、表示画
素に対応して赤(R)、緑(G)、青(B)の3原色の
蛍光体(不図示)が塗り分けられている。蛍光膜311
8の各色蛍光体の間には黒色体(不図示)が設けてお
り、さらに蛍光膜3118のリアプレート3115側の
面には、Al等からなるメタルバック3119が形成さ
れている。
【0008】Dx1〜DxmおよびDy1〜Dynおよ
びHvは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気
的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子で
ある。端子Dx1〜Dxmはマルチ電子ビーム源の行方
向配線3113と、Dy1〜Dynはマルチ電子ビーム
源の列方向配線3114と、Hvはメタルバック311
9と各々電気的に接続されている。
びHvは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気
的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子で
ある。端子Dx1〜Dxmはマルチ電子ビーム源の行方
向配線3113と、Dy1〜Dynはマルチ電子ビーム
源の列方向配線3114と、Hvはメタルバック311
9と各々電気的に接続されている。
【0009】上記気密容器の内部は1.33×10-4P
a程度の真空に保持されており、画像表示装置の表示面
積を大きくとる場合、気密容器内部と外部の気圧差によ
るリアプレート3115およびフェースプレート311
7の変形あるいは破壊を防止するための何らかの手段が
必要となる。リアプレート3115およびフェースプレ
ート3116を厚くすることでそのような変形および破
壊を防止することは可能であるが、この場合は、画像表
示装置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見
たときに画像のゆがみや視差が生じる。そこで、図12
に示した例では、比較的薄いガラス板からなる、大気圧
を支えるための構造支持体(スペーサあるいはリブと呼
ばれる)3120が設けられている。この構造支持体3
120を設けたことにより、マルチビーム電子源が形成
された基板3111と蛍光膜3118が形成されたフェ
ースプレート3116の間を、通常サブミリ〜数ミリに
保つことができ、かつ、気密容器内部を高真空に保持す
ることができる。
a程度の真空に保持されており、画像表示装置の表示面
積を大きくとる場合、気密容器内部と外部の気圧差によ
るリアプレート3115およびフェースプレート311
7の変形あるいは破壊を防止するための何らかの手段が
必要となる。リアプレート3115およびフェースプレ
ート3116を厚くすることでそのような変形および破
壊を防止することは可能であるが、この場合は、画像表
示装置の重量を増加させるのみならず、斜め方向から見
たときに画像のゆがみや視差が生じる。そこで、図12
に示した例では、比較的薄いガラス板からなる、大気圧
を支えるための構造支持体(スペーサあるいはリブと呼
ばれる)3120が設けられている。この構造支持体3
120を設けたことにより、マルチビーム電子源が形成
された基板3111と蛍光膜3118が形成されたフェ
ースプレート3116の間を、通常サブミリ〜数ミリに
保つことができ、かつ、気密容器内部を高真空に保持す
ることができる。
【0010】上記のような構造支持体(以下、スペーサ
と記す。)を備える場合、スペーサは、リアプレートと
フェースプレートの間を飛翔する電子の軌道に大きく影
響してはならない。電子軌道に影響を与える原因の1つ
に、スペーサの帯電がある。スペーサの帯電は、電子源
から放出した電子の一部あるいはフェースプレートで反
射した電子がスペーサに入射し、スペーサから二次電子
が放出されることにより、あるいは電子の衝突により電
離したイオンが表面に付着することによるものと考えら
れる。例えばスペーサが正帯電すると、スペーサ近傍を
飛翔する電子がスペーサに引き寄せられるため、スペー
サ近傍で表示画像に歪みを生ずる。このようなスペーサ
の帯電の影響は、リアプレートとフェースプレートの間
隔が大きくなるに従いより顕著に現れる。
と記す。)を備える場合、スペーサは、リアプレートと
フェースプレートの間を飛翔する電子の軌道に大きく影
響してはならない。電子軌道に影響を与える原因の1つ
に、スペーサの帯電がある。スペーサの帯電は、電子源
から放出した電子の一部あるいはフェースプレートで反
射した電子がスペーサに入射し、スペーサから二次電子
が放出されることにより、あるいは電子の衝突により電
離したイオンが表面に付着することによるものと考えら
れる。例えばスペーサが正帯電すると、スペーサ近傍を
飛翔する電子がスペーサに引き寄せられるため、スペー
サ近傍で表示画像に歪みを生ずる。このようなスペーサ
の帯電の影響は、リアプレートとフェースプレートの間
隔が大きくなるに従いより顕著に現れる。
【0011】一般に、帯電を抑制する手法として、帯電
面に導電性を付与して、若干の電流を流すことで電荷を
除去することが行なわれる。この手法をスペーサに応用
したものとして、スペーサ表面を酸化スズで被覆する手
法が特開昭57-118355号公報に開示されている。また、
特開平3-49135号公報には、スペーサ表面をPdO系ガ
ラス材で被覆する手法が開示されている。
面に導電性を付与して、若干の電流を流すことで電荷を
除去することが行なわれる。この手法をスペーサに応用
したものとして、スペーサ表面を酸化スズで被覆する手
法が特開昭57-118355号公報に開示されている。また、
特開平3-49135号公報には、スペーサ表面をPdO系ガ
ラス材で被覆する手法が開示されている。
【0012】上記手法を適用する場合、スペーサとフェ
ースプレートおよびリアプレートとの当接面にそれぞれ
電極を形成し、上記被覆材に均一に電場を印加すること
により、接続不良や電流集中によるスペーサの破壊を防
ぐことができる。その一例を図13に示す。
ースプレートおよびリアプレートとの当接面にそれぞれ
電極を形成し、上記被覆材に均一に電場を印加すること
により、接続不良や電流集中によるスペーサの破壊を防
ぐことができる。その一例を図13に示す。
【0013】図13において、2017はフェースプレ
ート、2018は蛍光膜、2019はメタルバック、2
015はリアプレート、2011は基板であり、これら
は前述の図12に示したものと同様のものである。20
20aはスペーサであって、フェースプレート2017
とリアプレート2015の間に配置されている。スペー
サ2020aは、その表面が高抵抗膜2020bによっ
て被覆されており、フェースプレート側当接面901お
よびリアプレート側当接面902のそれぞれの部分にス
ペーサ電極2020cが形成されている。スペーサ電極
2020cは通常、スパッタ等の方法を用いて形成され
る。
ート、2018は蛍光膜、2019はメタルバック、2
015はリアプレート、2011は基板であり、これら
は前述の図12に示したものと同様のものである。20
20aはスペーサであって、フェースプレート2017
とリアプレート2015の間に配置されている。スペー
サ2020aは、その表面が高抵抗膜2020bによっ
て被覆されており、フェースプレート側当接面901お
よびリアプレート側当接面902のそれぞれの部分にス
ペーサ電極2020cが形成されている。スペーサ電極
2020cは通常、スパッタ等の方法を用いて形成され
る。
【0014】電極の形成方法の一例を簡単に紹介する。
まず、電極形成の対象であるスペーサ基板を台の上に設
置し、その基板上に必要な電極サイズのネガマスクを載
置する。このマスク載置にあたっては、マスクとスペー
サ基板の高精度な位置合わせが行われる。次いで、全面
に所定の電極材料よりなる膜を例えばスパッタリングな
どにより成膜した後、マスクを除去することで、スペー
サ基板の端部に電極膜を形成する。最後に、スペーサ基
板の基板面(電極膜の一部を含む)の全体に高抵抗膜を
形成する。このようにして、上記のようなスペーサ20
20aを得る。
まず、電極形成の対象であるスペーサ基板を台の上に設
置し、その基板上に必要な電極サイズのネガマスクを載
置する。このマスク載置にあたっては、マスクとスペー
サ基板の高精度な位置合わせが行われる。次いで、全面
に所定の電極材料よりなる膜を例えばスパッタリングな
どにより成膜した後、マスクを除去することで、スペー
サ基板の端部に電極膜を形成する。最後に、スペーサ基
板の基板面(電極膜の一部を含む)の全体に高抵抗膜を
形成する。このようにして、上記のようなスペーサ20
20aを得る。
【0015】次に、上述したような表示パネルを備える
画像表示装置の表示動作を、図12を参照して簡単に説
明する。
画像表示装置の表示動作を、図12を参照して簡単に説
明する。
【0016】容器外端子Dx1〜Dxm、Dy1〜Dy
nを通じて各冷陰極素子3112に電圧を印加すると、
各冷陰極素子3112から電子が放出される。これと同
時に、メタルバック3119に容器外端子Hvを通じて
数百[V]〜数[kV]の高圧を印加して、上記放出さ
れた電子を加速し、フェースプレート3117の内面に
衝突させる。これにより、蛍光膜3118をなす各色の
蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。
nを通じて各冷陰極素子3112に電圧を印加すると、
各冷陰極素子3112から電子が放出される。これと同
時に、メタルバック3119に容器外端子Hvを通じて
数百[V]〜数[kV]の高圧を印加して、上記放出さ
れた電子を加速し、フェースプレート3117の内面に
衝突させる。これにより、蛍光膜3118をなす各色の
蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】従来例で示したよう
に、スペーサの表面に高抵抗膜を形成して正帯電を中和
することにより、スペーサの帯電を緩和し、スペーサ近
傍を飛翔する電子がスペーサに引き寄せられるのを防ぐ
ことが可能である。また、上述したようにスペーサの、
フェースプレートおよびリアプレートとの当接面に、そ
れぞれ電極を形成することにより上記被覆材に均一に電
場を印加することができ、これにより、接続不良や電流
集中によるスペーサの破壊を防ぐことができる。
に、スペーサの表面に高抵抗膜を形成して正帯電を中和
することにより、スペーサの帯電を緩和し、スペーサ近
傍を飛翔する電子がスペーサに引き寄せられるのを防ぐ
ことが可能である。また、上述したようにスペーサの、
フェースプレートおよびリアプレートとの当接面に、そ
れぞれ電極を形成することにより上記被覆材に均一に電
場を印加することができ、これにより、接続不良や電流
集中によるスペーサの破壊を防ぐことができる。
【0018】しかしながら、ネガマスクを用いた従来の
スペーサ電極形成手法においては、以下のような問題が
ある。
スペーサ電極形成手法においては、以下のような問題が
ある。
【0019】ネガマスクをスペーサ基板上に載置してス
パッタリングにより電極膜を形成する場合、どうしても
マスクと基板の間に隙間が生じるため、その隙間からマ
スクすべき部分へ回り込みが生じ、スペーサの電極膜が
帯電面にはみ出すことがある。スペーサの電極膜が帯電
面にはみ出すと、スペーサの帯電が電子軌道に影響を及
ぼし、電子ビームを所望の位置に到達させることができ
なくなる。その結果、スペーサ近傍で表示画像に歪みを
生じてしまい、高品位の画像形成が困難になる。
パッタリングにより電極膜を形成する場合、どうしても
マスクと基板の間に隙間が生じるため、その隙間からマ
スクすべき部分へ回り込みが生じ、スペーサの電極膜が
帯電面にはみ出すことがある。スペーサの電極膜が帯電
面にはみ出すと、スペーサの帯電が電子軌道に影響を及
ぼし、電子ビームを所望の位置に到達させることができ
なくなる。その結果、スペーサ近傍で表示画像に歪みを
生じてしまい、高品位の画像形成が困難になる。
【0020】本発明の目的は、上記不都合を解消し、構
造支持体(スペーサ)の電極を高精度かつ容易に形成す
ることができる、安価な構造支持体(スペーサ)および
その製造方法を提供することにある。
造支持体(スペーサ)の電極を高精度かつ容易に形成す
ることができる、安価な構造支持体(スペーサ)および
その製造方法を提供することにある。
【0021】本発明のさらなる目的は、そのような製造
方法により作製された構造支持体(スペーサ)を備える
電子線装置を提供することにある。
方法により作製された構造支持体(スペーサ)を備える
電子線装置を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の構造支持体の製造方法は、所定の面が厚み
方向における高さの異なる第1および第2の面からなる
構造支持体部材の全面に所定の抵抗値を有する低抵抗膜
を形成する第1の工程と、前記第1の面を所定の厚さだ
け削りとることにより、該第1の面に形成された前記低
抵抗膜を除去する第2の工程とを含む。この場合、第2
の工程で低抵抗膜が除去された面を含む所定の面の全体
に、前記低抵抗膜より抵抗値の高い高抵抗膜を形成する
第3の工程をさらに含んでもよい。
め、本発明の構造支持体の製造方法は、所定の面が厚み
方向における高さの異なる第1および第2の面からなる
構造支持体部材の全面に所定の抵抗値を有する低抵抗膜
を形成する第1の工程と、前記第1の面を所定の厚さだ
け削りとることにより、該第1の面に形成された前記低
抵抗膜を除去する第2の工程とを含む。この場合、第2
の工程で低抵抗膜が除去された面を含む所定の面の全体
に、前記低抵抗膜より抵抗値の高い高抵抗膜を形成する
第3の工程をさらに含んでもよい。
【0023】上記のとおりの本発明においては、第1お
よび第2の面の厚み方向における高さが異なることを利
用して、第2の面にのみ低抵抗膜を形成することを特徴
とする。この特徴によれば、例えば、第1の面の厚み方
向における高さが第2の面に比べて大きく、第1および
第2の面に一様に低抵抗膜が形成された場合、第1の面
に形成された低抵抗膜を研削または切削により下地が露
出するまで削りとることで、第2の面にのみ低抵抗膜が
残ることになる。この第2の面に残った低抵抗膜の形成
範囲は、第1および第2の面の境界(段差)までであ
り、低抵抗膜が帯電面にはみ出すことはない。このよう
にして形成された構造支持体の実際の電位規定は、第1
および第2の面の境界(段差)においてなされることか
ら、その境界(段差)を精度良く形成することで、スペ
ーサ電極を高精度に形成することが可能である。
よび第2の面の厚み方向における高さが異なることを利
用して、第2の面にのみ低抵抗膜を形成することを特徴
とする。この特徴によれば、例えば、第1の面の厚み方
向における高さが第2の面に比べて大きく、第1および
第2の面に一様に低抵抗膜が形成された場合、第1の面
に形成された低抵抗膜を研削または切削により下地が露
出するまで削りとることで、第2の面にのみ低抵抗膜が
残ることになる。この第2の面に残った低抵抗膜の形成
範囲は、第1および第2の面の境界(段差)までであ
り、低抵抗膜が帯電面にはみ出すことはない。このよう
にして形成された構造支持体の実際の電位規定は、第1
および第2の面の境界(段差)においてなされることか
ら、その境界(段差)を精度良く形成することで、スペ
ーサ電極を高精度に形成することが可能である。
【0024】本発明による境界(段差)の形成精度は、
前述の課題で説明したマスクを用いる場合の形成精度よ
り高い。例えば、断面形状が目的とする構造支持体部材
の断面形状に相似な母材を所定の速度で加熱延伸するこ
とで、上記のような境界(段差)を形成することがで
き、その形成精度は、マスクを用いる場合の形成精度よ
り高い。
前述の課題で説明したマスクを用いる場合の形成精度よ
り高い。例えば、断面形状が目的とする構造支持体部材
の断面形状に相似な母材を所定の速度で加熱延伸するこ
とで、上記のような境界(段差)を形成することがで
き、その形成精度は、マスクを用いる場合の形成精度よ
り高い。
【0025】また、低抵抗膜の形成にマスクを用いる必
要がない分、製造コストの削減が可能となる。
要がない分、製造コストの削減が可能となる。
【0026】さらに、マスクとの高精度な位置合わせを
行う必要もなくなるので、製造工程が簡単になる。
行う必要もなくなるので、製造工程が簡単になる。
【0027】本発明の構造支持体は、所定の面が厚み方
向における高さの異なる第1および第2の面からなる構
造支持体部材を有し、該構造支持体部材は、少なくとも
1つの端部の端面が前記第2の面に隣接しており、これ
らの面に所定の抵抗値を有する低抵抗膜が形成されてい
ることを特徴とする。この場合、低抵抗膜が形成された
第2の面および第1の面の両面に、前記低抵抗膜より抵
抗値の高い高抵抗膜が形成されてもよい。
向における高さの異なる第1および第2の面からなる構
造支持体部材を有し、該構造支持体部材は、少なくとも
1つの端部の端面が前記第2の面に隣接しており、これ
らの面に所定の抵抗値を有する低抵抗膜が形成されてい
ることを特徴とする。この場合、低抵抗膜が形成された
第2の面および第1の面の両面に、前記低抵抗膜より抵
抗値の高い高抵抗膜が形成されてもよい。
【0028】本発明の電子線装置は、複数の電子放出素
子が形成された第1の基板と、前記第1の基板と対向し
て配置された第2の基板と、前記第1および第2の基板
を所定の間隔で支持する構造支持体とを有し、前記構造
支持体は、所定の面が厚み方向における高さの異なる第
1および第2の面からなる構造支持体部材を有し、該構
造支持体部材は、少なくとも前記第1または第2の基板
に当接される当接面が前記第2の面と隣接しており、こ
られの面に所定の抵抗値を有する低抵抗膜が形成されて
いることを特徴とする。この場合、構造支持体部材は、
低抵抗膜が形成された第2の面および第1の面の両面
に、前記低抵抗膜より抵抗値の高い高抵抗膜が形成され
ていてもよい。
子が形成された第1の基板と、前記第1の基板と対向し
て配置された第2の基板と、前記第1および第2の基板
を所定の間隔で支持する構造支持体とを有し、前記構造
支持体は、所定の面が厚み方向における高さの異なる第
1および第2の面からなる構造支持体部材を有し、該構
造支持体部材は、少なくとも前記第1または第2の基板
に当接される当接面が前記第2の面と隣接しており、こ
られの面に所定の抵抗値を有する低抵抗膜が形成されて
いることを特徴とする。この場合、構造支持体部材は、
低抵抗膜が形成された第2の面および第1の面の両面
に、前記低抵抗膜より抵抗値の高い高抵抗膜が形成され
ていてもよい。
【0029】上記の構造支持体および電子線装置におい
ても、上述の本発明の構造支持体の製造方法における作
用を奏する。したがって、低抵抗膜が帯電面にはみ出す
ことがなく、帯電による電子軌道への影響を抑止するこ
とが可能である。
ても、上述の本発明の構造支持体の製造方法における作
用を奏する。したがって、低抵抗膜が帯電面にはみ出す
ことがなく、帯電による電子軌道への影響を抑止するこ
とが可能である。
【0030】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【0031】図1および図2の(a)〜(f)は、本発
明の一実施形態の構造支持体(スペーサ)の一連の製造
工程を説明するための図である。
明の一実施形態の構造支持体(スペーサ)の一連の製造
工程を説明するための図である。
【0032】まず、図1(a)に示すような、細長い板
状の基板で、長手方向と交差する方向における基板面の
断面形状が凸形状になったスペーサ基板1020aを用
意する。スペーサ基板1020aの凸形状になった部分
が凸部1020dで、この部分が前述の課題で説明した
スペーサの帯電面となる。このような凸部1020dを
有するスペーサ基板1020aは、図3に示すような加
熱延伸装置を用いて以下のような手順(1)〜(3)で
作製することができる。
状の基板で、長手方向と交差する方向における基板面の
断面形状が凸形状になったスペーサ基板1020aを用
意する。スペーサ基板1020aの凸形状になった部分
が凸部1020dで、この部分が前述の課題で説明した
スペーサの帯電面となる。このような凸部1020dを
有するスペーサ基板1020aは、図3に示すような加
熱延伸装置を用いて以下のような手順(1)〜(3)で
作製することができる。
【0033】(1)目的とするスペーサ基板(スペーサ
基板1020a)の断面形状と相似な断面形状を有する
スペーサ母材を使用する。目的とするスペーサ基板の断
面積をS1、スペーサ母材の断面積をS2とすると、 S1/S2<1 の条件を満たすようにする。
基板1020a)の断面形状と相似な断面形状を有する
スペーサ母材を使用する。目的とするスペーサ基板の断
面積をS1、スペーサ母材の断面積をS2とすると、 S1/S2<1 の条件を満たすようにする。
【0034】(2)スペーサ母材の両端をそれぞれ搬送
部11、12で挟持(固定)する。これら搬送部11、
12の間には、所定の位置に加熱部13が設けられてお
り、両搬送部によって挟持されたスペーサ母材の一部が
この加熱部13によって軟化点以上の温度に加熱され
る。加熱部13による加熱を行いながら、スペーサ母材
の一方の端部を搬送部11にて速度v1で引き出すとと
もに、もう一方の端部を搬送部12にて速度v2で送り
出す。このとき、速度v1、v2は、S1・v1=S2
・v2の関係を満たすようにする。また、加熱温度は、
用いるスペーサ材料の種類、加工形状によるが、通常、
500〜700℃とする。
部11、12で挟持(固定)する。これら搬送部11、
12の間には、所定の位置に加熱部13が設けられてお
り、両搬送部によって挟持されたスペーサ母材の一部が
この加熱部13によって軟化点以上の温度に加熱され
る。加熱部13による加熱を行いながら、スペーサ母材
の一方の端部を搬送部11にて速度v1で引き出すとと
もに、もう一方の端部を搬送部12にて速度v2で送り
出す。このとき、速度v1、v2は、S1・v1=S2
・v2の関係を満たすようにする。また、加熱温度は、
用いるスペーサ材料の種類、加工形状によるが、通常、
500〜700℃とする。
【0035】(3)冷却後、引き伸ばされたスペーサ材
を切断部14にて所望の長さに切断する。切断の手法と
しては、ダイヤモンドカッターによる切断、砥粒による
切断、レーザーによる切断など様々な手法を用いる事が
できる。
を切断部14にて所望の長さに切断する。切断の手法と
しては、ダイヤモンドカッターによる切断、砥粒による
切断、レーザーによる切断など様々な手法を用いる事が
できる。
【0036】続いて、図1の(b)および(c)に示す
ように、上述のようにして作製したスペーサ基板102
0aの全面に所定の厚さの、所定の材料よりなる低抵抗
膜1020cをスパッタリング等により成膜する。例え
ば、アルゴン雰囲気中で高周波スパッタすることによ
り、厚みが0.1μmのPtよりなる低抵抗膜1020
cをスペーサ基板1020aの全面に成膜する。この低
抵抗膜1020cの形成には、上記のようなスパッタリ
ング等の真空成膜方法の他、印刷等の塗布方法を適用す
ることができる。
ように、上述のようにして作製したスペーサ基板102
0aの全面に所定の厚さの、所定の材料よりなる低抵抗
膜1020cをスパッタリング等により成膜する。例え
ば、アルゴン雰囲気中で高周波スパッタすることによ
り、厚みが0.1μmのPtよりなる低抵抗膜1020
cをスペーサ基板1020aの全面に成膜する。この低
抵抗膜1020cの形成には、上記のようなスパッタリ
ング等の真空成膜方法の他、印刷等の塗布方法を適用す
ることができる。
【0037】続いて、図1(d)に示すように、スペー
サ基板1020aの両基板面の凸部1020dを研磨す
る。この研磨は、凸部1020dに形成された低抵抗膜
1020cが完全に除去されるまで行われる。凸部10
20dは十分な段差を有しているので、スペーサ基板1
020aの長辺側端部に形成された低抵抗膜1020c
がこの研磨により除去されることはなく、凸部1020
dに形成された低抵抗膜1020cのみが除去されるこ
とになる。凸部1020dに形成された低抵抗膜102
0cを完全に除去するために、その低抵抗膜1020c
が形成されているスペーサ基板1020aの基板表面が
研磨によりある程度除去されてもよい。ここでは、一例
として研磨除去を挙げたが、凸部1020dに形成され
た低抵抗膜1020cを完全に除去できるのであれば、
どのような除去手法を用いてよい。例えば、研磨除去
(研削)に代えて、切削などの除去手法を用いてもよ
く、またエッチングなどを併用することもできる。
サ基板1020aの両基板面の凸部1020dを研磨す
る。この研磨は、凸部1020dに形成された低抵抗膜
1020cが完全に除去されるまで行われる。凸部10
20dは十分な段差を有しているので、スペーサ基板1
020aの長辺側端部に形成された低抵抗膜1020c
がこの研磨により除去されることはなく、凸部1020
dに形成された低抵抗膜1020cのみが除去されるこ
とになる。凸部1020dに形成された低抵抗膜102
0cを完全に除去するために、その低抵抗膜1020c
が形成されているスペーサ基板1020aの基板表面が
研磨によりある程度除去されてもよい。ここでは、一例
として研磨除去を挙げたが、凸部1020dに形成され
た低抵抗膜1020cを完全に除去できるのであれば、
どのような除去手法を用いてよい。例えば、研磨除去
(研削)に代えて、切削などの除去手法を用いてもよ
く、またエッチングなどを併用することもできる。
【0038】最後に、図2の(e)および(f)に示す
ように、スペーサ基板1020aの両基板面に所定の厚
さの、所定の材料よりなる高抵抗膜1020bを、例え
ばスパッタ法により成膜する。この高抵抗膜1020b
の形成には、スパッタリング等の真空成膜方法の他、印
刷等の塗布方法を適用することができる。
ように、スペーサ基板1020aの両基板面に所定の厚
さの、所定の材料よりなる高抵抗膜1020bを、例え
ばスパッタ法により成膜する。この高抵抗膜1020b
の形成には、スパッタリング等の真空成膜方法の他、印
刷等の塗布方法を適用することができる。
【0039】図4は、上述の製造工程により作製された
スペーサの一例を示す図で、(a)は斜視図、(b)は
断面図である。
スペーサの一例を示す図で、(a)は斜視図、(b)は
断面図である。
【0040】図4に示すスペーサは、表示パネルを構成
する気密容器のフェースプレートとリアプレートとの間
に配置されるものであって、図1および図2の(a)〜
(f)に示した製造工程に従って、板状のスペーサ基板
1020aに高抵抗膜1020bおよび低抵抗膜102
0cが形成されている(図4(b)参照)。
する気密容器のフェースプレートとリアプレートとの間
に配置されるものであって、図1および図2の(a)〜
(f)に示した製造工程に従って、板状のスペーサ基板
1020aに高抵抗膜1020bおよび低抵抗膜102
0cが形成されている(図4(b)参照)。
【0041】スペーサの長辺側の両端部が低抵抗部10
22であり、図1(a)に示した凸部1020dに対応
する部分が高抵抗部1021である。高抵抗部1021
の厚みは0.3mmで、幅は4.8mmである。各低抵
抗部1022は、同一形状で、厚みは0.16mm、幅
は0.1mmである。スペーサの長さは200mmで、
幅は5mmである。
22であり、図1(a)に示した凸部1020dに対応
する部分が高抵抗部1021である。高抵抗部1021
の厚みは0.3mmで、幅は4.8mmである。各低抵
抗部1022は、同一形状で、厚みは0.16mm、幅
は0.1mmである。スペーサの長さは200mmで、
幅は5mmである。
【0042】上記のように構成されたスペーサでは、実
際の電位規定は、低抵抗部1022と高抵抗部1021
との境界(図1の例で言えば、凸部1020dの段差の
部分)になり、低抵抗部1022が電極として機能す
る。図1および図2の(a)〜(f)の製造工程によれ
ば、低抵抗膜1020c、すなわち、電極膜はこの境界
を越えて帯電面側へはみ出すことはないので、高精度な
電極形成が可能である。
際の電位規定は、低抵抗部1022と高抵抗部1021
との境界(図1の例で言えば、凸部1020dの段差の
部分)になり、低抵抗部1022が電極として機能す
る。図1および図2の(a)〜(f)の製造工程によれ
ば、低抵抗膜1020c、すなわち、電極膜はこの境界
を越えて帯電面側へはみ出すことはないので、高精度な
電極形成が可能である。
【0043】以上説明したスペーサの製造工程によれ
ば、マスクを用いた従来のスペーサの製造手法と比べ
て、スペーサ電極形成を高精度に行うことが可能であ
る。また、マスクを用いないため、マスクの高精度な位
置合わせなどが不要となり、また製造コストも低くでき
る。
ば、マスクを用いた従来のスペーサの製造手法と比べ
て、スペーサ電極形成を高精度に行うことが可能であ
る。また、マスクを用いないため、マスクの高精度な位
置合わせなどが不要となり、また製造コストも低くでき
る。
【0044】なお、図1および図2に示した一連の製造
工程は、本発明の構造支持体の製造方法の一実施形態で
あって、段差を利用した低抵抗膜(電極膜)の形成によ
りスペーサ電極が形成されるのであれば、どのような工
程を経てもよい。例えば、スペーサ基板1020aと低
抵抗膜1020cであるPt膜との密着性を向上させる
ために、下地層としてTi膜を膜厚0.05μmで形成
した後に、Pt膜(Pt電極)を形成してもよい。
工程は、本発明の構造支持体の製造方法の一実施形態で
あって、段差を利用した低抵抗膜(電極膜)の形成によ
りスペーサ電極が形成されるのであれば、どのような工
程を経てもよい。例えば、スペーサ基板1020aと低
抵抗膜1020cであるPt膜との密着性を向上させる
ために、下地層としてTi膜を膜厚0.05μmで形成
した後に、Pt膜(Pt電極)を形成してもよい。
【0045】また、低抵抗膜は、スペーサ基板の一方の
端部にのみ形成されるようにしてもよい。
端部にのみ形成されるようにしてもよい。
【0046】さらに、低抵抗膜は、スペーサ基板の一方
の基板面に形成されるようにしてもよい。
の基板面に形成されるようにしてもよい。
【0047】また、最終的に作製されるスペーサは、図
5(a)に示すように、低抵抗部1022の厚さが高抵
抗部1021の厚さより薄くなるものの他、図5(b)
に示すように低抵抗部1022の厚さが高抵抗部102
1の厚さとほぼ同じになるようにしてもよい。図5
(b)に示すものは、低抵抗膜の膜厚、加熱延伸後のス
ペーサ形状、研磨などにより除去される膜および基板の
厚さが図5(a)に示すものと異なり、スペーサの基板
面は一様な平面となるが、スペーサの特性および効果、
安価な製造プロセスへの影響はない。
5(a)に示すように、低抵抗部1022の厚さが高抵
抗部1021の厚さより薄くなるものの他、図5(b)
に示すように低抵抗部1022の厚さが高抵抗部102
1の厚さとほぼ同じになるようにしてもよい。図5
(b)に示すものは、低抵抗膜の膜厚、加熱延伸後のス
ペーサ形状、研磨などにより除去される膜および基板の
厚さが図5(a)に示すものと異なり、スペーサの基板
面は一様な平面となるが、スペーサの特性および効果、
安価な製造プロセスへの影響はない。
【0048】さらに、高抵抗膜を形成せずに電極付き絶
縁スペーサとして使用してもよい。このような電極付き
絶縁スペーサは、例えば、図1の(a)〜(d)の製造
工程により作製することができる。
縁スペーサとして使用してもよい。このような電極付き
絶縁スペーサは、例えば、図1の(a)〜(d)の製造
工程により作製することができる。
【0049】さらに、上記のように高抵抗膜を持たない
スペーサにおいて、バルク(スペーサ基板の基板表面か
ら数10μm以上の内部のこと)に導電性を持たせるこ
とで、導電スペーサとして使用することもできる。
スペーサにおいて、バルク(スペーサ基板の基板表面か
ら数10μm以上の内部のこと)に導電性を持たせるこ
とで、導電スペーサとして使用することもできる。
【0050】以上説明した構造支持体の製造方法により
作製されるスペーサは、基本的には、電子放出素子(例
えば冷陰極素子)を備えた第1の基板と、この第1の基
板と対向して配置される第2の基板とから気密容器が形
成される電子線装置に適用される。適用可能な電子線装
置に画像形成装置がある。以下、適用可能な画像形成装
置の概要を説明するとともに、そのような画像形成装置
に用いられるスペーサの具体的な構成および製法につい
て説明する。
作製されるスペーサは、基本的には、電子放出素子(例
えば冷陰極素子)を備えた第1の基板と、この第1の基
板と対向して配置される第2の基板とから気密容器が形
成される電子線装置に適用される。適用可能な電子線装
置に画像形成装置がある。以下、適用可能な画像形成装
置の概要を説明するとともに、そのような画像形成装置
に用いられるスペーサの具体的な構成および製法につい
て説明する。
【0051】<画像表示装置概要>図6は、図1および
図2に示した一連の製造工程により作製されたスペーサ
が適用される表示パネルの斜視図であり、内部構造を示
すためにパネルの一部を切り欠いて示している。
図2に示した一連の製造工程により作製されたスペーサ
が適用される表示パネルの斜視図であり、内部構造を示
すためにパネルの一部を切り欠いて示している。
【0052】図6中、1015はリアプレ−ト、101
6は側壁、1017はフェースプレートであり、これら
により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容
器が形成されている。気密容器を組み立てるにあたって
は、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させる
ため封着する必要がある。本実施例では、例えばフリッ
トガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気
中で、摂氏400〜500度で10分以上焼成すること
により封着した。気密容器内部を真空に排気する方法に
ついては、後で詳細に説明する。
6は側壁、1017はフェースプレートであり、これら
により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容
器が形成されている。気密容器を組み立てるにあたって
は、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させる
ため封着する必要がある。本実施例では、例えばフリッ
トガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気
中で、摂氏400〜500度で10分以上焼成すること
により封着した。気密容器内部を真空に排気する方法に
ついては、後で詳細に説明する。
【0053】上記気密容器は、その内部を1.33×1
0-4Pa程度の真空に保持する必要があるため、大気圧
や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的
で、内部にスペーサ1020を設けて耐大気圧構造体と
している。スペーサ1020は上述した実施形態の製造
方法により作製されたものである。スペーサ1020の
詳細な構造については、後で詳細に説明する。
0-4Pa程度の真空に保持する必要があるため、大気圧
や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的
で、内部にスペーサ1020を設けて耐大気圧構造体と
している。スペーサ1020は上述した実施形態の製造
方法により作製されたものである。スペーサ1020の
詳細な構造については、後で詳細に説明する。
【0054】リアプレ−ト1015には、基板1011
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子1012
がN×M個形成されている。ここで、N、Mは2以上の
正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設
定される。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的
とした表示装置においては、N=3000、M=100
0以上の数を設定することが望ましい。N×M個の冷陰
極素子1012は、M本の行方向配線1013とN本の
列方向配線1014により単純マトリクス配線されてい
る。これら基板1011、N×M個の冷陰極素子101
2、M本の行方向配線1013およびN本の列方向配線
1014によって構成される部分をマルチ電子ビーム源
と呼ぶ。
が固定されているが、該基板上には冷陰極素子1012
がN×M個形成されている。ここで、N、Mは2以上の
正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設
定される。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的
とした表示装置においては、N=3000、M=100
0以上の数を設定することが望ましい。N×M個の冷陰
極素子1012は、M本の行方向配線1013とN本の
列方向配線1014により単純マトリクス配線されてい
る。これら基板1011、N×M個の冷陰極素子101
2、M本の行方向配線1013およびN本の列方向配線
1014によって構成される部分をマルチ電子ビーム源
と呼ぶ。
【0055】本実施例の画像表示装置に用いるマルチ電
子ビーム源は、冷陰極素子を単純マトリクス配線した電
子源であれば、冷陰極素子の材料や形状あるいは製法に
制限はない。したがって、例えば表面伝導型放出素子や
FE型、あるいはMIM型などの冷陰極素子を用いるこ
とができる。
子ビーム源は、冷陰極素子を単純マトリクス配線した電
子源であれば、冷陰極素子の材料や形状あるいは製法に
制限はない。したがって、例えば表面伝導型放出素子や
FE型、あるいはMIM型などの冷陰極素子を用いるこ
とができる。
【0056】次に、冷陰極素子として表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。
【0057】図7は、図6に示した表示パネルに用いら
れるマルチ電子ビーム源の平面図である。基板1011
上に表面伝導型放出素子が配列され、これらの素子は行
方向配線電極1013と列方向配線電極1014により
単純マトリクス状に配線されている。表面伝導型放出素
子は、一対の素子電極1040と、これら素子電極10
40に跨るように形成された導電性薄膜1041を有
し、素子電極1040の一方が行方向配線電極1013
と接続され、他方が列方向配線電極1014と接続され
ている。行方向配線電極1013と列方向配線電極10
14の交差する部分には、両電極間に絶縁層(不図示)
が形成されており、電気的な絶縁が保たれている。
れるマルチ電子ビーム源の平面図である。基板1011
上に表面伝導型放出素子が配列され、これらの素子は行
方向配線電極1013と列方向配線電極1014により
単純マトリクス状に配線されている。表面伝導型放出素
子は、一対の素子電極1040と、これら素子電極10
40に跨るように形成された導電性薄膜1041を有
し、素子電極1040の一方が行方向配線電極1013
と接続され、他方が列方向配線電極1014と接続され
ている。行方向配線電極1013と列方向配線電極10
14の交差する部分には、両電極間に絶縁層(不図示)
が形成されており、電気的な絶縁が保たれている。
【0058】上記マルチ電子源の形成に際しては、あら
かじめ基板上に行方向配線電極1013、列方向配線電
極1014、電極間絶縁層(不図示)、および各表面伝
導型放出素子の素子電極1040と導電性薄膜1041
を形成した後、行方向配線電極1013および列方向配
線電極1014を介して各表面伝導型放出素子に給電し
て通電フォ−ミング処理および通電活性化処理を行う。
この通電フォ−ミング処理および通電活性化処理は、周
知の技術であり、本発明の構造支持体の製造方法には実
質的に関係しないので、ここでは、詳細な説明は省略す
る。
かじめ基板上に行方向配線電極1013、列方向配線電
極1014、電極間絶縁層(不図示)、および各表面伝
導型放出素子の素子電極1040と導電性薄膜1041
を形成した後、行方向配線電極1013および列方向配
線電極1014を介して各表面伝導型放出素子に給電し
て通電フォ−ミング処理および通電活性化処理を行う。
この通電フォ−ミング処理および通電活性化処理は、周
知の技術であり、本発明の構造支持体の製造方法には実
質的に関係しないので、ここでは、詳細な説明は省略す
る。
【0059】本実施例においては、気密容器のリアプレ
−ト1015にマルチ電子ビーム源の基板1011を固
定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板101
1が十分な強度を有するものである場合には、気密容器
のリアプレ−トとしてマルチ電子ビーム源の基板101
1自体を用いてもよい。
−ト1015にマルチ電子ビーム源の基板1011を固
定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板101
1が十分な強度を有するものである場合には、気密容器
のリアプレ−トとしてマルチ電子ビーム源の基板101
1自体を用いてもよい。
【0060】図8はフェースプレート上に設けられる蛍
光膜の説明図で、(a)は蛍光体と黒色導電体の配置を
示す模式図、(b)は各色に対応する蛍光体の配置を示
す模式図ある。蛍光膜1018は、モノクロームの場合
は蛍光体のみから成るが、カラー表示の場合は、各蛍光
体1092の間に黒色導電材(低反射材)よりなる黒色
導電体1091が設けられる。この黒色導電体1091
は、蛍光体1092の配列により、黒色導電材がストラ
イプ状に配置されたブラックストライプあるいは黒色導
電材がマトリクス状に配置されたブラックマトリクスな
どと呼ばれる。ブラックストライプ、ブラックマトリク
スが設けられる目的は、カラー表示の場合に必要となる
三原色(R、G、B)の蛍光体1092のそれぞれの間
(塗り分け部)を黒くすることで、各蛍光体から発した
光の混色等を目立たなくすることと、蛍光膜1018に
おける外光反射によるコントラストの低下を抑制するこ
とである。黒色導電体1091は、黒鉛を主成分とする
が、上記の目的に適するものであればこれ以外の材料を
用いても良い。
光膜の説明図で、(a)は蛍光体と黒色導電体の配置を
示す模式図、(b)は各色に対応する蛍光体の配置を示
す模式図ある。蛍光膜1018は、モノクロームの場合
は蛍光体のみから成るが、カラー表示の場合は、各蛍光
体1092の間に黒色導電材(低反射材)よりなる黒色
導電体1091が設けられる。この黒色導電体1091
は、蛍光体1092の配列により、黒色導電材がストラ
イプ状に配置されたブラックストライプあるいは黒色導
電材がマトリクス状に配置されたブラックマトリクスな
どと呼ばれる。ブラックストライプ、ブラックマトリク
スが設けられる目的は、カラー表示の場合に必要となる
三原色(R、G、B)の蛍光体1092のそれぞれの間
(塗り分け部)を黒くすることで、各蛍光体から発した
光の混色等を目立たなくすることと、蛍光膜1018に
おける外光反射によるコントラストの低下を抑制するこ
とである。黒色導電体1091は、黒鉛を主成分とする
が、上記の目的に適するものであればこれ以外の材料を
用いても良い。
【0061】蛍光膜1018のリアプレ−ト側の面に
は、CRTの分野では公知のメタルバック1019を設
けてある。メタルバック1019を設けた目的は、蛍光
膜1018が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を
向上させること、負イオンの衝突から蛍光膜1018を
保護すること、電子ビーム加速電圧を印加するための電
極として作用させること、蛍光膜1018を励起した電
子の導電路として作用させることなどである。
は、CRTの分野では公知のメタルバック1019を設
けてある。メタルバック1019を設けた目的は、蛍光
膜1018が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を
向上させること、負イオンの衝突から蛍光膜1018を
保護すること、電子ビーム加速電圧を印加するための電
極として作用させること、蛍光膜1018を励起した電
子の導電路として作用させることなどである。
【0062】メタルバック1019は、蛍光膜1018
をフェースプレート1017上に形成した後、蛍光膜1
018表面を平滑化処理(通常フィルミングと呼ばれ
る)し、その上にAlを真空蒸着する方法により形成し
た。なお、蛍光膜1018に低電圧用の蛍光体材料を用
いた場合には、メタルバック1019は必要ない。本実
施例では用いなかったが、加速電圧の印加用や蛍光膜の
導電性向上を目的として、フェースプレート1017と
蛍光膜1018との間に、たとえばITOを材料とする
透明電極を設けてもよい。
をフェースプレート1017上に形成した後、蛍光膜1
018表面を平滑化処理(通常フィルミングと呼ばれ
る)し、その上にAlを真空蒸着する方法により形成し
た。なお、蛍光膜1018に低電圧用の蛍光体材料を用
いた場合には、メタルバック1019は必要ない。本実
施例では用いなかったが、加速電圧の印加用や蛍光膜の
導電性向上を目的として、フェースプレート1017と
蛍光膜1018との間に、たとえばITOを材料とする
透明電極を設けてもよい。
【0063】図6に示した表示パネルにおいて、端子D
x1〜Dxm、Dy1〜DynおよびHvは、表示パネ
ルと不図示の電気回路とを電気的に接続するために設け
た気密構造の電気接続用端子である。端子Dx1〜Dx
mは、マルチ電子ビーム源の行方向配線1013と電気
的に接続され、端子Dy1〜Dynはマルチ電子ビーム
源の列方向配線1014と電気的に接続され、端子Hv
はフェースプレート1017のメタルバック1019と
電気的に接続されている。
x1〜Dxm、Dy1〜DynおよびHvは、表示パネ
ルと不図示の電気回路とを電気的に接続するために設け
た気密構造の電気接続用端子である。端子Dx1〜Dx
mは、マルチ電子ビーム源の行方向配線1013と電気
的に接続され、端子Dy1〜Dynはマルチ電子ビーム
源の列方向配線1014と電気的に接続され、端子Hv
はフェースプレート1017のメタルバック1019と
電気的に接続されている。
【0064】また、表示パネルを構成する気密容器内部
を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図
示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を1.
33×10-5Pa程度の真空度まで排気する。その後、
排気管を封止するが、気密容器内の真空度を維持するた
めに、封止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の
位置にゲッター膜(不図示)を形成する。ゲッター膜と
は、たとえばBaを主成分とするゲッター材料をヒータ
ーもしくは高周波加熱により加熱し蒸着した膜であり、
該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は1.33×
10-5〜1.33×10-7Paの真空度に維持される。
を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図
示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を1.
33×10-5Pa程度の真空度まで排気する。その後、
排気管を封止するが、気密容器内の真空度を維持するた
めに、封止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の
位置にゲッター膜(不図示)を形成する。ゲッター膜と
は、たとえばBaを主成分とするゲッター材料をヒータ
ーもしくは高周波加熱により加熱し蒸着した膜であり、
該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は1.33×
10-5〜1.33×10-7Paの真空度に維持される。
【0065】以上説明した表示パネルを用いた画像表示
装置は、容器外端子Dx1〜Dxm、Dy1〜Dynを
通じて各冷陰極素子1012に電圧を印加すると、各冷
陰極素子1012から電子が放出される。これと同時に
メタルバック1019に容器外端子Hvを通じて数百
[V]〜数[kV]の高圧を印加して、上記放出された
電子を加速し、フェースプレート1017の内面に衝突
させる。これにより、蛍光膜1018をなす各色の蛍光
体が励起されて発光し、その結果、カラー画像が表示さ
れる。
装置は、容器外端子Dx1〜Dxm、Dy1〜Dynを
通じて各冷陰極素子1012に電圧を印加すると、各冷
陰極素子1012から電子が放出される。これと同時に
メタルバック1019に容器外端子Hvを通じて数百
[V]〜数[kV]の高圧を印加して、上記放出された
電子を加速し、フェースプレート1017の内面に衝突
させる。これにより、蛍光膜1018をなす各色の蛍光
体が励起されて発光し、その結果、カラー画像が表示さ
れる。
【0066】通常、冷陰極素子である表面伝導型放出素
子1012への印加電圧は12〜16[V]程度、メタ
ルバック1019と冷陰極素子1012との距離dは
0.1〜8[mm]程度、メタルバック1019と冷陰
極素子1012間の電圧は0.1〜10[kV]程度で
ある。
子1012への印加電圧は12〜16[V]程度、メタ
ルバック1019と冷陰極素子1012との距離dは
0.1〜8[mm]程度、メタルバック1019と冷陰
極素子1012間の電圧は0.1〜10[kV]程度で
ある。
【0067】<スペーサ>次に、上述の画像表示装置の
表示パネルに用いられるスペーサの構造について説明す
る。
表示パネルに用いられるスペーサの構造について説明す
る。
【0068】図9は、図6のA−A’の断面模式図であ
る。図9中、各部の符号は図6に対応している。スペー
サ1020は、図4に示したものと同様、スペーサ基板
1020aに帯電防止向上のために高抵抗膜1020b
および低抵抗膜1020cがそれぞれ成膜されたもので
あって、前述した耐大気圧構造を実現するのに必要な数
だけ、必要な間隔をおいて配置されている。スペーサ1
020の各長辺側端部に形成された、電極である低抵抗
膜1020cは、それぞれフェースプレート1017の
内側および基板1011の表面に固定部材(不図示)に
より固定されている。本実施例においては、スペーサ1
020は、行方向配線1013に平行に配置され、一方
の電極の低抵抗膜1020cが行方向配線1013に電
気的に接続されている。
る。図9中、各部の符号は図6に対応している。スペー
サ1020は、図4に示したものと同様、スペーサ基板
1020aに帯電防止向上のために高抵抗膜1020b
および低抵抗膜1020cがそれぞれ成膜されたもので
あって、前述した耐大気圧構造を実現するのに必要な数
だけ、必要な間隔をおいて配置されている。スペーサ1
020の各長辺側端部に形成された、電極である低抵抗
膜1020cは、それぞれフェースプレート1017の
内側および基板1011の表面に固定部材(不図示)に
より固定されている。本実施例においては、スペーサ1
020は、行方向配線1013に平行に配置され、一方
の電極の低抵抗膜1020cが行方向配線1013に電
気的に接続されている。
【0069】スペーサ1020は、基板1011上の行
方向配線1013および列方向配線1014とフェース
プレート1017内面のメタルバック1019との間に
印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつス
ペーサ1020の表面への帯電を防止する程度の導電性
を有する必要がある。この点に関しては、既に述べた通
りである。
方向配線1013および列方向配線1014とフェース
プレート1017内面のメタルバック1019との間に
印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつス
ペーサ1020の表面への帯電を防止する程度の導電性
を有する必要がある。この点に関しては、既に述べた通
りである。
【0070】絶縁性部材であるスペーサ基板1020a
としては、例えば石英ガラス、Na等の不純物含有量を
減少したガラス、ソーダライムガラス、アルミナ等のセ
ラミックス部材等が挙げられる。なお、スペーサ基板1
020aは、その熱膨張率が気密容器および基板101
1を成す部材と近いものが好ましい。
としては、例えば石英ガラス、Na等の不純物含有量を
減少したガラス、ソーダライムガラス、アルミナ等のセ
ラミックス部材等が挙げられる。なお、スペーサ基板1
020aは、その熱膨張率が気密容器および基板101
1を成す部材と近いものが好ましい。
【0071】帯電防止膜である高抵抗膜1020bに
は、高電位側のフェースプレート1017(メタルバッ
ク等)に印加される加速電圧Vaを高抵抗膜1020b
の抵抗値Rsで除した電流が流れる。高抵抗膜1020
bの抵抗値Rsは、帯電防止および消費電力を考慮した
範囲に設定することが望ましい。帯電防止の観点から、
高抵抗膜1020bは、その表面抵抗R/□が1012Ω
以下であることが好ましく、十分な帯電防止効果を得る
ためには、表面抵抗R/□は1011Ω以下であることが
好ましい。表面抵抗R/□の下限は、スペーサ形状とス
ペーサ間に印加される電圧により左右されるが、105
Ω以下であることが好ましい。
は、高電位側のフェースプレート1017(メタルバッ
ク等)に印加される加速電圧Vaを高抵抗膜1020b
の抵抗値Rsで除した電流が流れる。高抵抗膜1020
bの抵抗値Rsは、帯電防止および消費電力を考慮した
範囲に設定することが望ましい。帯電防止の観点から、
高抵抗膜1020bは、その表面抵抗R/□が1012Ω
以下であることが好ましく、十分な帯電防止効果を得る
ためには、表面抵抗R/□は1011Ω以下であることが
好ましい。表面抵抗R/□の下限は、スペーサ形状とス
ペーサ間に印加される電圧により左右されるが、105
Ω以下であることが好ましい。
【0072】高抵抗膜1020bは、低抵抗膜1020
cが形成された部分以外では、スペーサ基板1020a
上に直接形成されており、この部分における厚みtは1
0nm〜1μmの範囲が望ましい。材料の表面エネルギ
ーおよび基板との密着性や基板温度によっても異なる
が、膜厚tが10nm以下の場合は、一般的に、薄膜が
島状に形成されるため、抵抗が不安定で再現性に乏し
い。一方、膜厚tが1μm以上の場合は、膜応力が大き
くなって、膜はがれの危険性が高まることに加えて、成
膜に要する時間が長くなるために生産性も悪くなる。こ
のような理由から、高抵抗膜1020bの膜厚tは、5
0〜500nmの範囲が望ましい。
cが形成された部分以外では、スペーサ基板1020a
上に直接形成されており、この部分における厚みtは1
0nm〜1μmの範囲が望ましい。材料の表面エネルギ
ーおよび基板との密着性や基板温度によっても異なる
が、膜厚tが10nm以下の場合は、一般的に、薄膜が
島状に形成されるため、抵抗が不安定で再現性に乏し
い。一方、膜厚tが1μm以上の場合は、膜応力が大き
くなって、膜はがれの危険性が高まることに加えて、成
膜に要する時間が長くなるために生産性も悪くなる。こ
のような理由から、高抵抗膜1020bの膜厚tは、5
0〜500nmの範囲が望ましい。
【0073】表面抵抗R/□は、ρ/tで与えられる
(ρは比抵抗である)。先に述べた表面抵抗R/□と膜
厚tの好ましい範囲から、帯電防止膜である高抵抗膜1
020bの比抵抗ρは0.1〜108[Ωcm]が好ま
しい。さらに、表面抵抗と膜厚のより好ましい範囲を実
現するためには、比抵抗ρは102〜106[Ωcm]と
するのが良い。
(ρは比抵抗である)。先に述べた表面抵抗R/□と膜
厚tの好ましい範囲から、帯電防止膜である高抵抗膜1
020bの比抵抗ρは0.1〜108[Ωcm]が好ま
しい。さらに、表面抵抗と膜厚のより好ましい範囲を実
現するためには、比抵抗ρは102〜106[Ωcm]と
するのが良い。
【0074】スペーサ1020は、高抵抗膜1020b
(帯電防止膜)を電流が流れることにより、あるいは表
示パネル全体が表示動作中に発熱することにより、その
温度が上昇する。また、高抵抗膜1020b(帯電防止
膜)の抵抗温度係数が大きな負の値である場合は、温度
が上昇した時に抵抗値が減少してスペーサに流れる電流
が増加するため、さらに温度が上昇することになる。そ
して、電流は電源の限界を越えるまで増加しつづける。
このような電流の増加(暴走)が発生する抵抗温度係数
の値は、経験的には、負の値で絶対値が1%以上であ
る。よって、高抵抗膜1020b(帯電防止膜)の抵抗
温度係数は、−1%未満であることが望ましい。
(帯電防止膜)を電流が流れることにより、あるいは表
示パネル全体が表示動作中に発熱することにより、その
温度が上昇する。また、高抵抗膜1020b(帯電防止
膜)の抵抗温度係数が大きな負の値である場合は、温度
が上昇した時に抵抗値が減少してスペーサに流れる電流
が増加するため、さらに温度が上昇することになる。そ
して、電流は電源の限界を越えるまで増加しつづける。
このような電流の増加(暴走)が発生する抵抗温度係数
の値は、経験的には、負の値で絶対値が1%以上であ
る。よって、高抵抗膜1020b(帯電防止膜)の抵抗
温度係数は、−1%未満であることが望ましい。
【0075】金属酸化物は、帯電防止特性を有する材料
として優れている。金属酸化物の中でも、クロム、ニッ
ケル、銅の酸化物が好ましい材料である。その理由は、
これらの金属酸化物は二次電子放出効率が比較的小さ
く、電子放出素子から放出された電子がスペーサに当た
った場合においても帯電しにくいためである。金属酸化
物以外としては、二次電子放出効率が小さな炭素があ
る。特に、非晶質カーボンは高抵抗であるため、スペー
サ抵抗を所望の値に制御しやすい。
として優れている。金属酸化物の中でも、クロム、ニッ
ケル、銅の酸化物が好ましい材料である。その理由は、
これらの金属酸化物は二次電子放出効率が比較的小さ
く、電子放出素子から放出された電子がスペーサに当た
った場合においても帯電しにくいためである。金属酸化
物以外としては、二次電子放出効率が小さな炭素があ
る。特に、非晶質カーボンは高抵抗であるため、スペー
サ抵抗を所望の値に制御しやすい。
【0076】しかしながら、上記金属酸化物やカーボン
は、その抵抗値が帯電防止膜として望ましい比抵抗の範
囲に調整することが難しかく、また雰囲気により抵抗が
変化しやすいため、これらの材料のみでは抵抗の制御性
に欠ける。アルミと遷移金属合金の窒化物は、遷移金属
の組成を調整することにより、良伝導体から絶縁体まで
の広い範囲において抵抗値を制御することができる。さ
らには、後述する表示装置作製の工程においても抵抗値
の変化が少なく安定な材料である。また、抵抗温度係数
が−1%未満であり、実用的に使いやすい材料である。
遷移金属元素としてはTi、Cr、Ta等があげられ
る。
は、その抵抗値が帯電防止膜として望ましい比抵抗の範
囲に調整することが難しかく、また雰囲気により抵抗が
変化しやすいため、これらの材料のみでは抵抗の制御性
に欠ける。アルミと遷移金属合金の窒化物は、遷移金属
の組成を調整することにより、良伝導体から絶縁体まで
の広い範囲において抵抗値を制御することができる。さ
らには、後述する表示装置作製の工程においても抵抗値
の変化が少なく安定な材料である。また、抵抗温度係数
が−1%未満であり、実用的に使いやすい材料である。
遷移金属元素としてはTi、Cr、Ta等があげられ
る。
【0077】合金窒化膜は、スパッタ、窒素ガス雰囲気
中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレー
ティング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段によ
り絶縁性部材上に形成することができる。金属酸化膜
も、同様な薄膜形成法で作製することができるが、この
場合は、窒素ガスに代えて酸素ガスを使用する。その
他、CVD法、アルコキシド塗布法でも金属酸化膜を形
成することができる。カーボン膜は基本的に蒸着法、ス
パッタ法、CVD法、プラズマCVD法などで作製する
ことができるが、非晶質カーボンを作製する場合には、
成膜時の雰囲気中に水素を含むようにするか、成膜ガス
に炭化水素ガスを使用する必要がある。
中での反応性スパッタ、電子ビーム蒸着、イオンプレー
ティング、イオンアシスト蒸着法等の薄膜形成手段によ
り絶縁性部材上に形成することができる。金属酸化膜
も、同様な薄膜形成法で作製することができるが、この
場合は、窒素ガスに代えて酸素ガスを使用する。その
他、CVD法、アルコキシド塗布法でも金属酸化膜を形
成することができる。カーボン膜は基本的に蒸着法、ス
パッタ法、CVD法、プラズマCVD法などで作製する
ことができるが、非晶質カーボンを作製する場合には、
成膜時の雰囲気中に水素を含むようにするか、成膜ガス
に炭化水素ガスを使用する必要がある。
【0078】以上、本発明の構造支持体の製造方法によ
り作製されたスペーサが適用される気密容器により表示
パネルが構成された平面型の表示装置の概要およびその
スペーサの具体的な構成について説明したが、本発明に
よる構造支持体はこれに限らず、他の用途における構成
として使用することができる。
り作製されたスペーサが適用される気密容器により表示
パネルが構成された平面型の表示装置の概要およびその
スペーサの具体的な構成について説明したが、本発明に
よる構造支持体はこれに限らず、他の用途における構成
として使用することができる。
【0079】
【実施例】次に、本発明の構造支持体の製造方法の具体
的な手順および条件を、図6に示した表示パネルに用い
られるスペーサを例に挙げて具体的に説明するととも
に、その作製されたスペーサの具体的な機能を説明す
る。以下の説明は、マルチ電子ビーム源として、電極間
の導電性微粒子膜に電子放出部を有するタイプのN×M
個(N=3072、M=1024)の表面伝導型放出素
子を、M本の行方向配線とN本の列方向配線とによりマ
トリクス配線したマルチ電子ビーム源を用いた場合の例
である。
的な手順および条件を、図6に示した表示パネルに用い
られるスペーサを例に挙げて具体的に説明するととも
に、その作製されたスペーサの具体的な機能を説明す
る。以下の説明は、マルチ電子ビーム源として、電極間
の導電性微粒子膜に電子放出部を有するタイプのN×M
個(N=3072、M=1024)の表面伝導型放出素
子を、M本の行方向配線とN本の列方向配線とによりマ
トリクス配線したマルチ電子ビーム源を用いた場合の例
である。
【0080】本実施例においても、図1および図2に示
した一連の製造工程にしたがって以下のような手順でス
ペーサを形成する。
した一連の製造工程にしたがって以下のような手順でス
ペーサを形成する。
【0081】(工程1:図1(a))スペーサ基板10
20aの母材(絶縁性部材)として、幅50mm、厚み
2mmの、リアプレートと同質のガラス母材を用意し、
これを前述の図3に示した加熱延伸装置にかけて、図4
に示したような形状(長さ200mm、幅5mm、厚み
0.3mm)のスペーサ基板1020aを作製する。
20aの母材(絶縁性部材)として、幅50mm、厚み
2mmの、リアプレートと同質のガラス母材を用意し、
これを前述の図3に示した加熱延伸装置にかけて、図4
に示したような形状(長さ200mm、幅5mm、厚み
0.3mm)のスペーサ基板1020aを作製する。
【0082】特に、この時点では、厚みを0.3mmと
して加工し、最終目標板厚0.2mmまでの加工する際
の表面削除のための削りしろを確保しておく。通常のガ
ラス研磨方法による表面削除加工の場合は、0.05m
m以上の厚み(削りしろ)を確保する必要がある。
して加工し、最終目標板厚0.2mmまでの加工する際
の表面削除のための削りしろを確保しておく。通常のガ
ラス研磨方法による表面削除加工の場合は、0.05m
m以上の厚み(削りしろ)を確保する必要がある。
【0083】また、低抵抗部となる部分の端面形状を高
精度に加工しておく必要がある。ただし、加熱延伸加工
のため、加熱延伸前の母材を最終のスペーサ形状を考慮
した必要な形状に加工しておくことで、最終的寸法精度
を向上させることができ、作製および形状操作が容易と
なる。
精度に加工しておく必要がある。ただし、加熱延伸加工
のため、加熱延伸前の母材を最終のスペーサ形状を考慮
した必要な形状に加工しておくことで、最終的寸法精度
を向上させることができ、作製および形状操作が容易と
なる。
【0084】(工程2:図1の(b)および(c))上
記工程1で作製されたスペーサ基板の全面に膜厚が0.
1μmのAu膜よりなる低抵抗膜1020cを真空スパ
ッタにより形成する。図1の(b)および(c)では、
片面ずつ別々に低抵抗膜1020cを形成しているが、
同時に両面に低抵抗膜1020cを形成してもよい。ま
た、真空スパッタに代えて、低抵抗膜1020cとなる
材料をコートする手法(ディップ、スプレー、スピンな
ど)や鍍金などを用いてもよい。
記工程1で作製されたスペーサ基板の全面に膜厚が0.
1μmのAu膜よりなる低抵抗膜1020cを真空スパ
ッタにより形成する。図1の(b)および(c)では、
片面ずつ別々に低抵抗膜1020cを形成しているが、
同時に両面に低抵抗膜1020cを形成してもよい。ま
た、真空スパッタに代えて、低抵抗膜1020cとなる
材料をコートする手法(ディップ、スプレー、スピンな
ど)や鍍金などを用いてもよい。
【0085】また、図1の(b)および(c)では、低
抵抗部と高抵抗部(図4の低抵抗部1022と高抵抗部
1021)の双方の領域全体に低抵抗膜1020cを形
成しているが、基本的には、低抵抗膜は低抵抗部に形成
されていれば良く、高抵抗部への低抵抗膜の形成はさほ
ど重要ではない。
抵抗部と高抵抗部(図4の低抵抗部1022と高抵抗部
1021)の双方の領域全体に低抵抗膜1020cを形
成しているが、基本的には、低抵抗膜は低抵抗部に形成
されていれば良く、高抵抗部への低抵抗膜の形成はさほ
ど重要ではない。
【0086】(工程3:図1(d))上記工程2で形成
された低抵抗膜1020cのうち、高抵抗部の低抵抗膜
を除去する。このとき、スペーサ基板1020aの表面
も同時に予めとっておいた削りしろ分(0.05mm)
だけ除去する。この低抵抗膜および削りしろの除去に
は、通常のガラス研磨が、加工が容易で最も有効であ
る。
された低抵抗膜1020cのうち、高抵抗部の低抵抗膜
を除去する。このとき、スペーサ基板1020aの表面
も同時に予めとっておいた削りしろ分(0.05mm)
だけ除去する。この低抵抗膜および削りしろの除去に
は、通常のガラス研磨が、加工が容易で最も有効であ
る。
【0087】スペーサ基板1020aの各除去面(両
面)は、研磨加工により平滑面となるが、適当な凹凸形
状にすることで、次工程で形成される高抵抗膜の特性を
良好なものとすることができる。例えば、スペーサ基板
1020aの除去面を、バイトによる切削または研削に
より規則性を有する凹凸形状(ストライプ状の凹凸パタ
ーン)形状にしたり、サンドブラスト処理によりランダ
ムな凹凸形状にしたりしてもよい。スペーサ基板102
0aの除去面をランダムな凹凸形状にする場合は、#1
000〜#4000の粗さで仕上げることが望ましい。
これまでの研究により得られた知見では、凹凸表面は平
滑表面よりも、実効的な二次電子放出係数が小さいた
め、スペーサ表面に凹凸を形成することによって、スペ
ーサ表面の帯電を押さえることができるようになる。即
ち、高抵抗膜による帯電防止能力を向上させる事が出来
る。
面)は、研磨加工により平滑面となるが、適当な凹凸形
状にすることで、次工程で形成される高抵抗膜の特性を
良好なものとすることができる。例えば、スペーサ基板
1020aの除去面を、バイトによる切削または研削に
より規則性を有する凹凸形状(ストライプ状の凹凸パタ
ーン)形状にしたり、サンドブラスト処理によりランダ
ムな凹凸形状にしたりしてもよい。スペーサ基板102
0aの除去面をランダムな凹凸形状にする場合は、#1
000〜#4000の粗さで仕上げることが望ましい。
これまでの研究により得られた知見では、凹凸表面は平
滑表面よりも、実効的な二次電子放出係数が小さいた
め、スペーサ表面に凹凸を形成することによって、スペ
ーサ表面の帯電を押さえることができるようになる。即
ち、高抵抗膜による帯電防止能力を向上させる事が出来
る。
【0088】図10は、スペーサ基板の除去面の凹凸形
状の一例を示す模式図である。このスペーサ基板の除去
面には、基板の長手方向と交差する方向における断面形
状が凹凸形状になった凹凸部1020eが形成されてい
る。
状の一例を示す模式図である。このスペーサ基板の除去
面には、基板の長手方向と交差する方向における断面形
状が凹凸形状になった凹凸部1020eが形成されてい
る。
【0089】(工程4:図2の(e)および(f))上
記工程3により得られたスペーサ基板の各除去面(両
面)に、高抵抗膜1020bをスパッタ法により形成す
る。この高抵抗膜1020bは、帯電防止膜であり、本
例では、酸化クロム膜を厚さ50nmで積層した。高抵
抗膜1020bは、この酸化クロム膜に限られることは
なく、帯電防止効果を得られるのであれば、どのような
材料の膜を積層してもよい。
記工程3により得られたスペーサ基板の各除去面(両
面)に、高抵抗膜1020bをスパッタ法により形成す
る。この高抵抗膜1020bは、帯電防止膜であり、本
例では、酸化クロム膜を厚さ50nmで積層した。高抵
抗膜1020bは、この酸化クロム膜に限られることは
なく、帯電防止効果を得られるのであれば、どのような
材料の膜を積層してもよい。
【0090】以上の(工程1)〜(工程4)により、寸
法精度の高い低抵抗膜をスペーサ端部に形成することが
できる。このスペーサの両端部に形成された低抵抗膜1
020cは、高電位側のフェースプレート1017(メ
タルバック1019等)及び低電位側の基板1011
(配線1013、1014等)とそれぞれ電気的に接続
される。以下の説明では、この低抵抗膜1020cを電
極(中間層)と呼ぶ場合もある。
法精度の高い低抵抗膜をスペーサ端部に形成することが
できる。このスペーサの両端部に形成された低抵抗膜1
020cは、高電位側のフェースプレート1017(メ
タルバック1019等)及び低電位側の基板1011
(配線1013、1014等)とそれぞれ電気的に接続
される。以下の説明では、この低抵抗膜1020cを電
極(中間層)と呼ぶ場合もある。
【0091】電極(中間層)は以下に列挙する複数の機
能を有する。
能を有する。
【0092】高抵抗膜1020bをフェースプレート
1017及び基板1011と電気的に接続する。
1017及び基板1011と電気的に接続する。
【0093】既に説明したように、高抵抗膜1020b
はスペーサ1020表面での帯電を防止する目的で設け
られたものであるが、高抵抗膜1020bをフェースプ
レート1017(メタルバック1019等)及び基板1
011(配線1013、1014等)と直接に接続した
場合、その接続部界面において大きな接触抵抗が発生
し、スペーサ表面に発生した電荷を速やかに除去できな
い場合がある。これを避ける為に、フェースプレート1
017、基板1011との接触面に低抵抗の中間層を設
けている。
はスペーサ1020表面での帯電を防止する目的で設け
られたものであるが、高抵抗膜1020bをフェースプ
レート1017(メタルバック1019等)及び基板1
011(配線1013、1014等)と直接に接続した
場合、その接続部界面において大きな接触抵抗が発生
し、スペーサ表面に発生した電荷を速やかに除去できな
い場合がある。これを避ける為に、フェースプレート1
017、基板1011との接触面に低抵抗の中間層を設
けている。
【0094】帯電防止膜である高抵抗膜1020bの
電位分布を均一化する。
電位分布を均一化する。
【0095】冷陰極素子1012より放出された電子
は、フェースプレート1017と基板1011の間に形
成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ1
020の近傍で電子軌道に乱れが生じないようにする為
には、高抵抗膜1020bの電位分布を全域にわたって
制御する必要がある。高抵抗膜1020bをフェースプ
レート1017(メタルバック1019等)及び基板1
011(配線1013、1014等)と直接に接続した
場合、接続部界面にて生じる大きな接触抵抗の為に、接
続状態にむらが発生し、高抵抗膜1020bの電位分布
が所望の値からずれてしまう可能性がある。これを避け
る為に、スペーサ1020がフェースプレート1017
及び基板1011と当接するスペーサ端部の全長域に電
極(中間層)である低抵抗膜1020cを設け、この中
間層部に所望の電位を印加することによって、高抵抗膜
1020b全体の電位を制御可能としている。
は、フェースプレート1017と基板1011の間に形
成された電位分布に従って電子軌道を成す。スペーサ1
020の近傍で電子軌道に乱れが生じないようにする為
には、高抵抗膜1020bの電位分布を全域にわたって
制御する必要がある。高抵抗膜1020bをフェースプ
レート1017(メタルバック1019等)及び基板1
011(配線1013、1014等)と直接に接続した
場合、接続部界面にて生じる大きな接触抵抗の為に、接
続状態にむらが発生し、高抵抗膜1020bの電位分布
が所望の値からずれてしまう可能性がある。これを避け
る為に、スペーサ1020がフェースプレート1017
及び基板1011と当接するスペーサ端部の全長域に電
極(中間層)である低抵抗膜1020cを設け、この中
間層部に所望の電位を印加することによって、高抵抗膜
1020b全体の電位を制御可能としている。
【0096】放出電子の軌道を制御する。
【0097】上記のとおり、冷陰極素子1012より放
出された電子は、フェースプレート1017と基板10
11の間に形成された電位分布に従って電子軌道を成
す。スペーサ近傍の冷陰極素子から放出された電子に関
しては、スペーサを設置することに伴う制約(配線、素
子位置の変更等)が生じる場合がある。このような場
合、歪みやむらの無い画像を形成する為には、放出され
た電子の軌道を制御してフェースプレート1017上の
所望の位置に電子を照射する必要がある。フェースプレ
ート1017及び基板1011と当接する面の側面部に
低抵抗の中間層を設けることにより、スペーサ1020
近傍の電位分布に所望の特性を持たせ、放出された電子
の軌道を制御することができる。
出された電子は、フェースプレート1017と基板10
11の間に形成された電位分布に従って電子軌道を成
す。スペーサ近傍の冷陰極素子から放出された電子に関
しては、スペーサを設置することに伴う制約(配線、素
子位置の変更等)が生じる場合がある。このような場
合、歪みやむらの無い画像を形成する為には、放出され
た電子の軌道を制御してフェースプレート1017上の
所望の位置に電子を照射する必要がある。フェースプレ
ート1017及び基板1011と当接する面の側面部に
低抵抗の中間層を設けることにより、スペーサ1020
近傍の電位分布に所望の特性を持たせ、放出された電子
の軌道を制御することができる。
【0098】上記のような機能を有する低抵抗膜102
0cとしては、高抵抗膜1020bに比べ十分に低い抵
抗値を有する材料を選択すればよい。例えば低抵抗膜1
020cとして、Ni、Cr、Au、Mo、W、Pt、
Ti、Al、Cu、Pd等の金属あるいは合金、及びP
d、Ag、Au、RuO2、Pd−Ag等の金属や金属
酸化物とガラス等から構成される印刷導体、あるいはI
n2O3−SnO2等の透明導体及びポリシリコン等の半
導体材料等から適宜選択される。
0cとしては、高抵抗膜1020bに比べ十分に低い抵
抗値を有する材料を選択すればよい。例えば低抵抗膜1
020cとして、Ni、Cr、Au、Mo、W、Pt、
Ti、Al、Cu、Pd等の金属あるいは合金、及びP
d、Ag、Au、RuO2、Pd−Ag等の金属や金属
酸化物とガラス等から構成される印刷導体、あるいはI
n2O3−SnO2等の透明導体及びポリシリコン等の半
導体材料等から適宜選択される。
【0099】次に、上述したスペーサ1020の表示パ
ネルへの組み付けについて図6を参照して説明する。
ネルへの組み付けについて図6を参照して説明する。
【0100】まず、あらかじめ基板上に行方向配線電極
1013、列方向配線電極1014、電極間絶縁層(不
図示)、および表面伝導型放出素子の素子電極と導電性
薄膜を形成した基板1011を、リアプレート1015
に固定した。次に、前述のスペーサ1020を基板10
11の行方向配線1013(線幅300[μm])上に
等間隔で、行方向配線1013と平行に固定冶具(不図
示)を用いて固定した。その後、基板1011の5mm
上方に、内面に蛍光膜1018とメタルバック1019
が付設されたフェースプレート1017を側壁1016
を介し配置し、リアプレ一卜1015、フェースプレー
ト1017および側壁1016の各接合部を固定した。
基板1011とリアプレート1015の接合部、リアプ
レート1015と側壁1016の接合部、およびフェー
スプレート1017と10側壁1016の接合部は、フ
リットガラス(不図示)を塗布し、大気中で、400℃
〜500℃で10分以上焼成することで封着した。
1013、列方向配線電極1014、電極間絶縁層(不
図示)、および表面伝導型放出素子の素子電極と導電性
薄膜を形成した基板1011を、リアプレート1015
に固定した。次に、前述のスペーサ1020を基板10
11の行方向配線1013(線幅300[μm])上に
等間隔で、行方向配線1013と平行に固定冶具(不図
示)を用いて固定した。その後、基板1011の5mm
上方に、内面に蛍光膜1018とメタルバック1019
が付設されたフェースプレート1017を側壁1016
を介し配置し、リアプレ一卜1015、フェースプレー
ト1017および側壁1016の各接合部を固定した。
基板1011とリアプレート1015の接合部、リアプ
レート1015と側壁1016の接合部、およびフェー
スプレート1017と10側壁1016の接合部は、フ
リットガラス(不図示)を塗布し、大気中で、400℃
〜500℃で10分以上焼成することで封着した。
【0101】なお、本実施例においては、蛍光膜101
8として、図8(b)に示すような、各色蛍光体1092
が列方向(Y方向)に延びるストライプ形状のもので、
黒色の導電体1091が各色蛍光体(R、G、B)10
92間だけでなく、Y方向の各画素間をも分離するよう
に配置されたものを採用した。スペーサ1020は、行
方向(X方向)に平行な黒色導電体1091領域(線幅
300[μm])内においてメタルバック1019を介
して配置した。上述の封着を行う際には、各色蛍光体1
092と基板1011上に配置された各素子とを対応さ
せる必要があるため、リアプレート1015、フェース
プレート1017およびスペーサ1020は十分な位置
合わせを行った。
8として、図8(b)に示すような、各色蛍光体1092
が列方向(Y方向)に延びるストライプ形状のもので、
黒色の導電体1091が各色蛍光体(R、G、B)10
92間だけでなく、Y方向の各画素間をも分離するよう
に配置されたものを採用した。スペーサ1020は、行
方向(X方向)に平行な黒色導電体1091領域(線幅
300[μm])内においてメタルバック1019を介
して配置した。上述の封着を行う際には、各色蛍光体1
092と基板1011上に配置された各素子とを対応さ
せる必要があるため、リアプレート1015、フェース
プレート1017およびスペーサ1020は十分な位置
合わせを行った。
【0102】以上のようにして完成した気密容器内を排
気管(不図示)を通じて真空ポンプにて排気し、十分な
真空度に達した後、容器外端子Dx1〜Dxm、Dy1
〜Dynを通じて、行方向配線電極1013および列方
向配線電極1014を介して各素子に給電して前述の通
電フォ−ミング処理と通電活性化処理を行うことにより
マルチ電子ビーム源を製造した。
気管(不図示)を通じて真空ポンプにて排気し、十分な
真空度に達した後、容器外端子Dx1〜Dxm、Dy1
〜Dynを通じて、行方向配線電極1013および列方
向配線電極1014を介して各素子に給電して前述の通
電フォ−ミング処理と通電活性化処理を行うことにより
マルチ電子ビーム源を製造した。
【0103】次に、気密容器内を1.33×10-4Pa
程度の真空度とした状態で、上記不図示の排気管をガス
バーナーで熱することで溶着し、外囲器(気密容器)の
封止を行った。
程度の真空度とした状態で、上記不図示の排気管をガス
バーナーで熱することで溶着し、外囲器(気密容器)の
封止を行った。
【0104】最後に、封止後の真空度を維持するため
に、前述したゲッター処理を行った。
に、前述したゲッター処理を行った。
【0105】以上のような手順を経て完成した、図6に
示されるような表示パネルを用いた画像表示装置におい
て、不図示の信号発生手段から供給された走査信号及び
変調信号をそれぞれ容器外端子Dx1〜Dxm、Dy1
〜Dynに印加することにより各冷陰極素子(表面伝導
型放出素子)1012から電子を放出させた。同時にメ
タルバック1019に、高圧端子Hvを通じて高圧を印
加することにより、各冷陰極素子(表面伝導型放出素
子)1012から放出された電子を加速して蛍光膜10
18に衝突させ、各色蛍光体1092(図8のR、G、
B)を励起・発光させて画像表示を行った。なお、この
ときの高圧端子Hvへの印加電圧Vaは3〜10[k
V]で、各配線1013、1014間への印加電圧Vf
は14[V]である。
示されるような表示パネルを用いた画像表示装置におい
て、不図示の信号発生手段から供給された走査信号及び
変調信号をそれぞれ容器外端子Dx1〜Dxm、Dy1
〜Dynに印加することにより各冷陰極素子(表面伝導
型放出素子)1012から電子を放出させた。同時にメ
タルバック1019に、高圧端子Hvを通じて高圧を印
加することにより、各冷陰極素子(表面伝導型放出素
子)1012から放出された電子を加速して蛍光膜10
18に衝突させ、各色蛍光体1092(図8のR、G、
B)を励起・発光させて画像表示を行った。なお、この
ときの高圧端子Hvへの印加電圧Vaは3〜10[k
V]で、各配線1013、1014間への印加電圧Vf
は14[V]である。
【0106】表示パネルには、スペーサ1020に近い
位置にある冷陰極素子1012からの放出電子による発
光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポット列
が形成される。したがって、歪のない、鮮明で色再現性
のよいカラー画像表示を行うことができた。このこと
は、スペーサ1020を設置しても電子軌道に影響を及
ぼすような電界の乱れは発生しなかったことを示してい
る。
位置にある冷陰極素子1012からの放出電子による発
光スポットも含め、2次元状に等間隔の発光スポット列
が形成される。したがって、歪のない、鮮明で色再現性
のよいカラー画像表示を行うことができた。このこと
は、スペーサ1020を設置しても電子軌道に影響を及
ぼすような電界の乱れは発生しなかったことを示してい
る。
【0107】以上の説明では、本発明の構造支持体の製
造方法が適用されるスペーサとして板状のものを挙げた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、表示パネ
ルを耐大気圧構造体とすることができ、かつ、前述の研
磨除去(研削)や切削などを利用した電極形成を行うこ
とができるのであれば、どのような形状のものであって
もよい。例えば、図11に示すように、円柱状のスペー
サにも適用することができる。この場合は、スペーサ基
板として、長手方向に切断した場合の円柱側面の断面形
状が凸形状になった円柱部材を使用する。円柱部材の全
面に低抵抗膜を形成した後、円柱の中心軸を回転軸とし
て円柱部材を回転させながら側面の凸部に形成された低
抵抗膜を研削により除去した後、その除去面を含む側面
全面に高抵抗膜1020bを形成する。これにより円柱
部材の両端部に、低抵抗膜1020cからなる電極を高
精度に形成することができ、前述した板状のスペーサと
同様な特徴を有する円柱スペーサを得られる。
造方法が適用されるスペーサとして板状のものを挙げた
が、本発明はこれに限定されるものではなく、表示パネ
ルを耐大気圧構造体とすることができ、かつ、前述の研
磨除去(研削)や切削などを利用した電極形成を行うこ
とができるのであれば、どのような形状のものであって
もよい。例えば、図11に示すように、円柱状のスペー
サにも適用することができる。この場合は、スペーサ基
板として、長手方向に切断した場合の円柱側面の断面形
状が凸形状になった円柱部材を使用する。円柱部材の全
面に低抵抗膜を形成した後、円柱の中心軸を回転軸とし
て円柱部材を回転させながら側面の凸部に形成された低
抵抗膜を研削により除去した後、その除去面を含む側面
全面に高抵抗膜1020bを形成する。これにより円柱
部材の両端部に、低抵抗膜1020cからなる電極を高
精度に形成することができ、前述した板状のスペーサと
同様な特徴を有する円柱スペーサを得られる。
【0108】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構造支持
体の製造方法によれば、従来に比べて、構造支持体(ス
ペーサ)の電極形成を高精度に行うことができ、また、
構造支持体(スペーサ)を安価に製造することができ
る。
体の製造方法によれば、従来に比べて、構造支持体(ス
ペーサ)の電極形成を高精度に行うことができ、また、
構造支持体(スペーサ)を安価に製造することができ
る。
【0109】本発明の構造支持体(スペーサ)およびそ
れを用いた電子線装置(画像形成装置)によれば、構造
支持体(スペーサ)の帯電の、電子の軌道への影響を大
きく低減することができる。これにより、例えば画像形
成装置の場合であれば、従来生じていたスペーサによる
画像歪を改善することができ、従来のものより高画質な
表示画像を提供することができる。
れを用いた電子線装置(画像形成装置)によれば、構造
支持体(スペーサ)の帯電の、電子の軌道への影響を大
きく低減することができる。これにより、例えば画像形
成装置の場合であれば、従来生じていたスペーサによる
画像歪を改善することができ、従来のものより高画質な
表示画像を提供することができる。
【図1】(a)〜(d)は、本発明の一実施形態の構造
支持体の一連の製造工程を説明するための図である。
支持体の一連の製造工程を説明するための図である。
【図2】(e)および(f)は、本発明の一実施形態の
構造支持体の一連の製造工程を説明するための図であ
る。
構造支持体の一連の製造工程を説明するための図であ
る。
【図3】本発明の構造支持体の製造方法に用いられる構
造支持体部材を作製するための加熱延伸装置の一例を示
す模式図である。
造支持体部材を作製するための加熱延伸装置の一例を示
す模式図である。
【図4】本発明の構造支持体の製造方法により作製され
るスペーサの一例を示す図で、(a)は斜視図、(b)
は断面図である。
るスペーサの一例を示す図で、(a)は斜視図、(b)
は断面図である。
【図5】(a)および(b)は、本発明の構造支持体の
製造方法により作製されるスペーサの一例を示す断面図
である。
製造方法により作製されるスペーサの一例を示す断面図
である。
【図6】本発明の構造支持体の製造方法により作製され
たスペーサが適用される表示パネルの斜視図である。
たスペーサが適用される表示パネルの斜視図である。
【図7】図6に示す表示パネルに用いられるマルチ電子
ビーム源の平面図である。
ビーム源の平面図である。
【図8】図6に示す表示パネルのフェースプレート上に
設けられる蛍光膜の説明図で、(a)は蛍光体と黒色導
電体の配置を示す模式図、(b)は各色に対応する蛍光
体の配置を示す模式図ある。
設けられる蛍光膜の説明図で、(a)は蛍光体と黒色導
電体の配置を示す模式図、(b)は各色に対応する蛍光
体の配置を示す模式図ある。
【図9】図6のA−A’の断面模式図である。
【図10】本発明の構造支持体の製造方法により作製さ
れるスペーサ基板の除去面の凹凸形状の一例を示す模式
図である。
れるスペーサ基板の除去面の凹凸形状の一例を示す模式
図である。
【図11】本発明の構造支持体の製造方法により作製さ
れる円柱スペーサの一例を模式的に示す斜視図である。
れる円柱スペーサの一例を模式的に示す斜視図である。
【図12】従来の構造支持体が用いられる平面型画像表
示装置の表示パネル部の一例を示す斜視図である。
示装置の表示パネル部の一例を示す斜視図である。
【図13】図12に示す平面型画像表示装置の部分断面
図である。
図である。
11、12 搬送部
13 加熱部
14 切断部
1011、2011、3111 基板
1012、3112 冷陰極素子
1013、2013、3113 行方向配線
1014、3114 列方向配線
1015、2015、3115 リアプレート
1016、3116 側壁
1017、2017、3117 フェースプレート
1018、2018、3118 蛍光膜
1019、2019、3119 メタルバック
1020、2020a、3120 構造支持体(スペー
サ) 1020a スペーサ基板 1020b、2020b 高抵抗膜 1020c、2020c 低抵抗膜(スペーサ電極) 1020d 凸部 1020e 凹凸部 1021 高抵抗部 1022 低抵抗部 1040、2040 素子電極 1041 導電性薄膜 1091 黒色導電体 1092 蛍光体 Dx1〜Dxm、Dy1〜Dyn、Hv 容器外端子
サ) 1020a スペーサ基板 1020b、2020b 高抵抗膜 1020c、2020c 低抵抗膜(スペーサ電極) 1020d 凸部 1020e 凹凸部 1021 高抵抗部 1022 低抵抗部 1040、2040 素子電極 1041 導電性薄膜 1091 黒色導電体 1092 蛍光体 Dx1〜Dxm、Dy1〜Dyn、Hv 容器外端子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 清水 康志
東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ
ノン株式会社内
(72)発明者 伏見 正弘
東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ
ノン株式会社内
Fターム(参考) 5C012 AA01 BB07
5C032 AA01 CC10 CD04
5C036 EE09 EF01 EF06 EG31 EH01
EH08
Claims (37)
- 【請求項1】 所定の面が厚み方向における高さの異な
る第1および第2の面からなる構造支持体部材の全面に
所定の抵抗値を有する低抵抗膜を形成する第1の工程
と、 前記第1の面を所定の厚さだけ削りとることにより、該
第1の面に形成された前記低抵抗膜を除去する第2の工
程とを含むことを特徴とする構造支持体の製造方法。 - 【請求項2】 第2の工程で低抵抗膜が除去された面を
含む所定の面の全体に、前記低抵抗膜より抵抗値の高い
高抵抗膜を形成する第3の工程をさらに含むことを特徴
とする請求項1に記載の構造支持体の製造方法。 - 【請求項3】 第1の面の厚み方向における高さが第2
の面に比べて大きいことを特徴とする請求項1または2
に記載の構造支持体の製造方法。 - 【請求項4】 構造支持体部材は、少なくとも1つの端
部の端面が第2の面に隣接していることを特徴とする請
求項3に記載の構造支持体の製造方法。 - 【請求項5】 構造支持体部材が、板状の基板であるこ
とを特徴とする請求項1または2に記載の構造支持体の
製造方法。 - 【請求項6】 所定の面が、板状の基板の一方の基板面
であることを特徴とする請求項3に記載の構造支持体の
製造方法。 - 【請求項7】 構造支持体部材が、円柱状の部材である
ことを特徴とする請求項1または2に記載の構造支持体
の製造方法。 - 【請求項8】 第1の工程における低抵抗膜の形成が、
真空成膜または塗布により行われることを特徴とする請
求項1または2に記載の構造支持体の製造方法。 - 【請求項9】 第2の工程における低抵抗膜の除去が、
研削または切削により行われることを特徴とする請求項
1または2に記載の構造支持体の製造方法。 - 【請求項10】 第1の工程の低抵抗膜の形成の前に、
前記低抵抗膜の構造支持体部材への密着性を高めるため
の所定の材料よりなる下地層を形成する工程をさらに含
むことを特徴とする請求項1または2に記載の構造支持
体の製造方法。 - 【請求項11】 低抵抗膜がPt膜であり、下地層がT
i膜であることを特徴とする請求項10に記載の構造支
持体の製造方法。 - 【請求項12】 第3の工程の高抵抗膜の形成の前に、
第2の工程で低抵抗膜が除去された面を凹凸形状にする
工程を含むことを特徴とする請求項2に記載の構造支持
体の製造方法。 - 【請求項13】 所定の面が厚み方向における高さの異
なる第1および第2の面からなる構造支持体部材を有
し、該構造支持体部材は、少なくとも1つの端部の端面
が前記第2の面に隣接しており、これら端面および第2
の面に所定の抵抗値を有する低抵抗膜が形成されている
ことを特徴とする構造支持体。 - 【請求項14】 低抵抗膜が形成された第2の面および
第1の面の両面に、前記低抵抗膜より抵抗値の高い高抵
抗膜が形成されていることを特徴とする請求項13に記
載の構造支持体。 - 【請求項15】 第1の面の厚み方向における高さが第
2の面に比べて大きいことを特徴とする請求項13また
は14に記載の構造支持体。 - 【請求項16】 第2の面が、構造支持体部材の両端部
側にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項1
3または14に記載の構造支持体。 - 【請求項17】 構造支持体部材が、板状の基板である
ことを特徴とする請求項13または14に記載の構造支
持体。 - 【請求項18】 所定の面が、板状の基板の一方の基板
面であることを特徴とする請求項17に記載の構造支持
体。 - 【請求項19】 構造支持体部材が、円柱状の部材であ
ることを特徴とする請求項13または14に記載の構造
支持体。 - 【請求項20】 第2の面に、低抵抗膜の構造支持体部
材への密着性を高めるための所定の材料よりなる下地層
が形成されていることを特徴とする請求項13または1
4に記載の構造支持体。 - 【請求項21】 低抵抗膜がPt膜であり、下地層がT
i膜であることを特徴とする請求項20に記載の構造支
持体。 - 【請求項22】 構造支持体部材は、第1の面が凹凸形
状になっていることを特徴とする請求項14に記載の構
造支持体。 - 【請求項23】 構造支持体部材のバルクに導電性を有
することを特徴とする請求項13に記載の構造支持体。 - 【請求項24】 複数の電子放出素子が形成された第1
の基板と、 前記第1の基板と対向して配置された第2の基板と、 前記第1および第2の基板を所定の間隔で支持する構造
支持体とを有し、 前記構造支持体は、 所定の面が厚み方向における高さの異なる第1および第
2の面からなる構造支持体部材を有し、該構造支持体部
材は、少なくとも前記第1または第2の基板に当接され
る当接面が前記第2の面と隣接しており、こられの面に
所定の抵抗値を有する低抵抗膜が形成されていることを
特徴とする電子線装置。 - 【請求項25】 構造支持体部材は、低抵抗膜が形成さ
れた第2の面および第1の面の両面に、前記低抵抗膜よ
り抵抗値の高い高抵抗膜が形成されていることを特徴と
する請求項24に記載の電子線装置。 - 【請求項26】 第1の基板は、複数の電子放出素子に
電気的に接続された配線を有し、 構造支持体部材は、前記第1の基板に当接される当接面
に形成された低抵抗膜が前記配線の一部に電気的に接続
されていることを特徴とする請求項24または25に記
載の電子線装置。 - 【請求項27】 第2の基板は、第1の基板に形成され
た複数の電子放出素子から放出された電子の軌道を制御
するための電極を有し、 構造支持体部材は、前記第2の基板に当接される当接面
に形成された低抵抗膜が前記電極の一部に電気的に接続
されていることを特徴とする請求項24乃至26のいず
れか1項に記載の電子線装置。 - 【請求項28】 第2の基板の電極は、第1の基板に形
成された複数の電子放出素子から放出された電子を加速
する加速電極であることを特徴とする請求項27に記載
の電子線装置。 - 【請求項29】 外部からの入力信号に応じて、第1の
基板に形成された複数の電子放出素子における電子の放
出を制御する制御手段をさらに有し、 第2の基板は、前記複数の電子放出素子に対応して設け
られ、対応する電子放出素子からの電子が入射すること
で発光する複数の蛍光体を有することを特徴とする請求
項27に記載の電子線装置。 - 【請求項30】 第1の面の厚み方向における高さが第
2の面に比べて大きいことを特徴とする請求項24また
は25に記載の電子線装置。 - 【請求項31】 構造支持体部材が、板状の基板である
ことを特徴とする請求項24または25に記載の電子線
装置。 - 【請求項32】 所定の面が、板状の基板の一方の基板
面であることを特徴とする請求項31に記載の電子線装
置。 - 【請求項33】 構造支持体部材が、円柱状の部材であ
ることを特徴とする請求項24または25に記載の電子
線装置。 - 【請求項34】 第2の面に、低抵抗膜の構造支持体部
材への密着性を高めるための所定の材料よりなる下地層
が形成されていることを特徴とする請求項24または2
5に記載の電子線装置。 - 【請求項35】 低抵抗膜がPt膜であり、下地層がT
i膜であることを特徴とする請求項34に記載の電子線
装置。 - 【請求項36】 第1の面が、凹凸形状になっているこ
とを特徴とする請求項24に記載の電子線装置。 - 【請求項37】 構造支持体部材は、バルクに導電性を
有することを特徴とする請求項25に記載の電子線装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002023557A JP2003229057A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 構造支持体の製造方法、構造支持体およびそれを備える電子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002023557A JP2003229057A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 構造支持体の製造方法、構造支持体およびそれを備える電子線装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003229057A true JP2003229057A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27746237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002023557A Pending JP2003229057A (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 構造支持体の製造方法、構造支持体およびそれを備える電子線装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003229057A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100347806C (zh) * | 2004-01-22 | 2007-11-07 | 佳能株式会社 | 电子束装置、图象显示装置、电视装置和隔离片 |
US7719176B2 (en) | 2005-10-31 | 2010-05-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Spacer configured to prevent electric charges from being accumulated on the surface thereof and electron emission display including the spacer |
-
2002
- 2002-01-31 JP JP2002023557A patent/JP2003229057A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN100347806C (zh) * | 2004-01-22 | 2007-11-07 | 佳能株式会社 | 电子束装置、图象显示装置、电视装置和隔离片 |
US7459841B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-12-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam apparatus, display apparatus, television apparatus, and spacer |
US7719176B2 (en) | 2005-10-31 | 2010-05-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Spacer configured to prevent electric charges from being accumulated on the surface thereof and electron emission display including the spacer |
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