JP2003217854A

JP2003217854A - 発光装置

Info

Publication number: JP2003217854A
Application number: JP2002012638A
Authority: JP
Inventors: Yuji Ichinohe; 裕司一戸
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2002-01-22
Filing date: 2002-01-22
Publication date: 2003-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子のクロストーク現象を防止する。【解決手段】本発明の発光装置１０では、基板１１表面
に配置されたアノード電極１４の表面と側面が有機薄膜
１６に覆われており、該有機薄膜１６の表面はカソード
電極１９によって覆われている。即ち、有機薄膜１６は
カソード電極１９によって封止されるため、本発明では
封止膜を成膜する必要がない。また、カソード電極１９
は封止能力が高いだけではなく、放熱効果も高い。アノ
ード電極１４は封止膜として機能するカソード電極１９
の外部に突き出されておらず、外部からの電力供給は基
板１１に埋設された金属配線１５によって行われるの
で、有機薄膜１６の封止効果がより高くなっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光装置に用いら
れる有機ＥＬ素子の分野にかかり、特に、有機ＥＬ素子
の封止を行う技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、発光装置として、電極間に配置さ
れた有機薄膜を有し、該電極間に電圧を印加することに
よって有機薄膜を発光させる発光装置が注目されてい
る。

【０００３】図１１の符号１１０は従来技術の発光装置
を示している。発光装置１１０は透明な基板１１１と、
基板１１１上に配置された透明なアノード電極１１４
と、少なくとも一部がアノード電極１１４上に配置され
た有機薄膜１１６と、少なくとも一部が有機薄膜１１６
上に配置されたカソード電極１１９とを有しており、有
機薄膜１１６はカソード電極１１９とアノード電極１１
４とで挟まれている。

【０００４】有機薄膜１１６はアノード電極１１４表面
に密着配置されたホール輸送層１１７と、ホール輸送層
１１７表面に配置され、カソード電極１１９に密着され
た電子輸送層１１８とを有しており、アノード電極１１
４が正に、カソード電極１１９が負になるよう電圧が印
加されると、ホール輸送層１１７で正の電荷を持つホー
ルが生成されると同時に電子輸送層１１８に電子が注入
され、ホール輸送層１１７と電子輸送層１１８との界面
でホールと電子が結合して光が発生する。光は透明なア
ノード電極１１４とその下方のガラス基板１１１とを透
過し、発光装置１１０外部へ放射される。

【０００５】有機薄膜１１６が大気中の水や酸素等と接
触すると酸化、分解等の化学的劣化を起こりやすいの
で、発光装置１１０には、絶縁性の封止膜１２５が形成
されており、該封止膜１２５によって少なくとも電極１
１４、１１９間の有機薄膜１１６側面が覆われている。

【０００６】しかしながら、アノード電極１１４やカソ
ード電極１１９を電源に接続し、電極１１４、１１９間
に電圧を印加するために、電極１１４、１１９の互いに
対向しない部分はそれぞれ封止膜１２５の外へ突き出さ
れており、封止膜１２５と各電極１１４、１１９との界
面から封止膜１２５で覆った内部に大気中の水分や酸素
が浸入する場合がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、有機薄膜の化学的劣化の少なく、かつ、光の取
りだし効率が高い発光装置を製造する技術を提供するこ
とである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項１記載の発明は、基板と、アノード電極と、カ
ソード電極と、有機薄膜とを有し、前記アノード電極は
基板上に配置され、前記有機薄膜の少なくとも一部は前
記アノード電極上に配置され、前記カソード電極の少な
くとも一部は前記有機薄膜上に配置され、前記有機薄膜
の少なくとも一部は、前記アノード電極と前記カソード
電極とで挟まれ、前記アノード電極と前記カソード電極
との間に電圧を印加すると前記有機薄膜が発光する発光
装置であって、前記アノード電極表面と側面は前記有機
薄膜によって覆われ、前記有機薄膜表面は前記カソード
電極で覆われた発光装置である。請求項２記載の発明は
請求項１記載の発光装置であって、前記アノード電極を
外部回路に接続する配線を有し、前記配線の少なくとも
一部は前記基板内に配置され、前記配線の第一の端部は
前記アノード電極の裏面に接続された発光装置である。
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発光装置であっ
て、前記配線の第二の端部は、前記基板の表面と、裏面
と、側面とを含む全表面のうち、カソード電極で覆われ
た部分の外部で露出する発光装置である。請求項４記載
の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の
発光装置であって、前記カソード電極の膜厚は１００ｎ
ｍ以上である発光装置である。請求項５記載の発明は、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の発光装置で
あって、前記カソード電極はアルミニウムからなる発光
装置である。

【０００９】本発明は上記のように構成されており、ア
ノード電極と有機薄膜はカソード電極に覆われ、カソー
ド電極の端部の全周は基板と密着している。基板とカソ
ード電極との密着性は、従来用いられる封止膜とカソー
ド電極との密着性よりも高いので、カソード電極の基板
と密着する端部を通って大気中の水分や酸素が、カソー
ド電極で覆われた部分に侵入しない。

【００１０】また、配線の一端からなる第一の端部はカ
ソード電極で覆われたアノード電極に接続され、配線の
他端からなる第二の端部がカソード電極で覆われた部分
の外部に位置し、配線のそれ以外の部分は基板内に配置
されている。配線と基板との密着性は従来の封止膜と電
極との密着性よりも高いので、配線の基板内に配置され
た部分を基板に埋設させておけば、配線の基板に埋設さ
れた部分を通って外部から大気がカソード電極で覆われ
た部分に侵入することがない。

【００１１】第二の端部はカソード電極で覆われた部分
の外部、即ち、基板全表面のうちアノード電極と有機薄
膜とカソード電極のいずれもが密着しない部分に露出し
ている。従って、配線の基板表面に露出した部分を端子
とし、該端子とカソード電極とをそれぞれ外部電源に接
続して電圧を印加すれば、アノード電極とカソード電極
との間に電圧が印加されるので、アノード電極とカソー
ド電極とで挟まれた有機薄膜が発光する。

【００１２】膜厚１００ｎｍ以上のアルミニウム薄膜に
対し、水（水蒸気）は１日当たり１０^-6ｇ／ｍ²以下、
酸素は１日当たり１０^-6ｃｍ³／ｍ²以下しか透過しない
ので、本発明の発光装置では、カソード電極が封止膜と
して機能する。従って、本発明の発光装置では、従来の
ようにカソード電極を封止膜で覆う必要がないので、カ
ソード電極表面と大気とを直接接触させることもでき
る。カソード電極の熱伝導率は、従来の封止膜に用いら
れる酸化シリコンや窒化シリコンに比べて高いので、カ
ソード電極表面から発光装置内の熱を効率良く放熱する
ことができる。

【００１３】また、酸化シリコンや窒化シリコン等から
なる従来の封止膜は、成膜工程に１時間から２時間を要
したが、カソード電極の膜厚を１００ｎｍ以上とした場
合、封止膜を形成する必要がないので、従来に比べて発
光装置の製造に要する時間も大幅に短縮できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の発光装置をその
製造工程と共に説明する。図１（ａ）の符号６は溶融ガ
ラスよりも比重の大きい溶融金属の平面を示しており、
該平面上に溶融ガラスを流し、膜厚の均一な溶融ガラス
の層１２を形成する。

【００１５】次いで、図１（ｂ）に示すように、溶融ガ
ラスの層１２の上方に、導電性の金属からなるＬ字形の
配線１５を配置し、その短辺を上側に向け、長辺を水平
にした状態で、配線１５の長辺を溶融ガラスの層１２内
に埋め込み、溶融ガラスの層１２を冷却して硬化させた
後、矩形に切断して基板を得る。

【００１６】図１（ｃ）の符号１１は上記工程で得られ
た基板を示している。配線１５の短辺と長辺の結合部分
は基板１１に埋め込まれているが、短辺の端部で構成さ
れた第一の端部１５ａは基板１１表面から突き出され、
長辺の端部で構成された第二の端部１５ｂは基板１１の
側面から突き出されている。

【００１７】次に、配線１５の基板１１表面から突き出
された第一の端部１５ａをその先端が基板１１表面と面
一になるように研磨する（図１（ｄ））。図４（ａ）は
研磨後の基板１１を示す平面図であり、図１（ｄ）は図
４（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示している。図４（ａ）の
符号１５ｃは配線１５の基板１１表面と面一にされた先
端を示しており、該先端１５ｃは基板１１の縁よりも内
側に位置し、基板１１表面に露出している。

【００１８】次に、基板１１を不図示のスパッタ装置内
へ搬入し、基板１１の縁とその周辺を覆った状態で、Ｉ
ＴＯ（インジウム錫酸化物）からなるターゲットを用い
てスパッタリングを行い、基板１１の配線１５の先端１
５ｃが露出する面にＩＴＯ薄膜を形成した後、該ＩＴＯ
薄膜の縁部分をエッチングにより除去して矩形のアノー
ド電極１４を形成する（図２（ｅ））。

【００１９】図４（ｂ）の符号１４はエッチングされた
ＩＴＯ薄膜からなる透明なアノード電極を示しており、
図２（ｅ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。図２
（ｅ）を参照し、配線１５の基板１１表面に露出する先
端１５ｃはアノード電極１４裏面に密着しており、配線
１５はアノード電極１４に接続されている。また、アノ
ード電極１４は基板１１の縁よりも内側に位置するの
で、基板１１側面に突き出された第二の端部１５ｂはア
ノード電極１４と接触しない。

【００２０】その状態の基板１１をスパッタ装置から不
図示の真空蒸着装置へ搬入し、アノード電極１４の近傍
にマスク３１を配置する（図２（ｆ））。マスク３１の
開口３３はアノード電極１４の平面形状よりも大きく、
かつ、基板１１の平面形状よりは小さくされており、マ
スク３１の位置合わせをし、マスク３１の遮蔽部３２で
基板１１の縁を覆った後、蒸着材料である有機材料を用
いて真空蒸着を行うと、アノード電極１４よりも大きい
矩形形状のホール輸送層１７が形成される（図２
（ｇ））。

【００２１】アノード電極１４の表面と側面はホール輸
送層１７によって覆われている。ここでは、ホール輸送
層１７の端部の全周は、アノード電極１４の縁よりも外
側の位置で基板１１表面に密着している。図４（ｃ）は
ホール輸送層１７が形成された基板１１を示す平面図で
あり、基板１１の縁部は遮蔽部３２によって覆われてい
たため、基板１１表面の縁部と基板１１の側面にはホー
ル輸送層１７が形成されていない。

【００２２】次いで、ホール輸送層１７の平面形状と同
じか、又はそれよりもやや大きい開口３７を有するマス
ク３５を基板１１上のホール輸送層１７近傍に配置し
（図２（ｈ））、マスク３５の位置合わせをし、該マス
ク３５の遮蔽部３６で基板１１の縁を覆った後、ホール
輸送層１７の場合とは異なる有機材料を蒸着材料として
用いて真空蒸着を行い、電子輸送層１８を形成する（図
３（ｉ））。

【００２３】図５（ｄ）は電子輸送層１８が形成された
状態を示す平面図であり、図３（ｉ）は図５（ｄ）のＡ
−Ａ線に相当する。図５（ｄ）を参照し、電子輸送層１
８の平面形状はホール輸送層１７よりも大きめの矩形に
されている。ホール輸送層１７表面は電子輸送層１８で
覆われており、電子輸送層１８の端部の全周は基板１１
と密着している。

【００２４】同図の符号１６はホール輸送層１７と電子
輸送層１８とで構成される有機薄膜を示しており、アノ
ード電極１４の表面と側面は有機薄膜１６で完全に覆わ
れ、有機薄膜１６の外部に露出しない。また、基板１１
の縁部はマスク３５の遮蔽部３６で覆われていたため、
基板１１表面の縁部と、基板１１の側面には電子輸送層
１８が形成されていない。

【００２５】その状態の基板１１をスパッタ装置に搬入
し、アルミニウムからなるターゲットを用いてスパッタ
リングを行い、有機薄膜１６表面と、基板１１の有機薄
膜１６が形成された面の露出部分に、膜厚が１００ｎｍ
以上のアルミニウム薄膜を成膜した後、基板１１の縁部
上に位置するアルミニウム薄膜をエッチング除去してカ
ソード電極１９を形成する（図３（ｊ））。

【００２６】図５（ｅ）はカソード電極１９が形成され
た状態の発光装置１０を示す平面図であり、図３（ｊ）
は図５（ｅ）のＡ−Ａ線断面図である。カソード電極１
９の平面形状は、有機薄膜１６よりも大きい矩形にされ
ている。有機薄膜１６の表面はカソード電極１９によっ
て覆われており、カソード電極１９の端部の全周は有機
薄膜１６の端部よりも外側の位置で基板１１表面と密着
している。

【００２７】アルミニウム膜等の金属膜と、ガラスとの
密着性は高いので、カソード電極１９の縁部と基板１１
との界面から大気が侵入しない。また、上記エッチング
工程でアルミニウム薄膜の膜厚は減少せず、カソード電
極１９の封止能力は高いまま維持されている。他方、基
板１１表面の縁部にはカソード電極１９が形成されてい
ないので、カソード電極１９と基板１１側面に突き出さ
れた第二の端部１５ｂは接触しない。

【００２８】本発明の発光装置１０は上記のように構成
されており、以下に本発明の発光装置１０を使用する場
合について説明する。基板１１側面に突き出された第二
の端部１５ｂと、カソード電極１９にそれぞれ不図示の
外部電源、即ち外部回路を接続し、該外部電源を起動し
てカソード電極１９が負に、アノード電極１４が正にな
るよう電圧を印加すると、カソード電極１９で覆われた
電子輸送層１８に電子が注入されるとともに、アノード
電極１４を覆うホール輸送層１７で正の電荷を持つホー
ルが生成され、ホール輸送層１７と電子輸送層１８との
界面でホールと電子が結合して光が発生する。

【００２９】有機薄膜１６内で発生した光はアノード電
極１４側だけではなく、カソード電極１９側にも放出さ
れるが、カソード電極１９によって光が外部に漏れない
だけではなく、アルミニウムからなるカソード電極１９
が反射鏡として機能し、光がアノード電極１４側へ反射
される。また、有機薄膜１６の全表面はカソード電極１
９に密着しており、発光装置１０内に光を吸収するもの
が存在しない。

【００３０】即ち、有機薄膜１６で発生した光は発光装
置１０内で吸収されず、全てアノード電極１４へ向かっ
て放射され、透明なアノード電極１４とその下方の基板
１１を通って、基板１１のアノード電極１４側とは反対
側の面（発光面）９から発光装置１０外へ放出されるの
で、発光面９から取り出される光の取りだし効率は高
い。

【００３１】また、有機薄膜１６に電圧が印加されると
光と共に熱も発生する。ここでは、カソード電極１９の
表面には何も形成されず、外部に露出されており、カソ
ード電極１９を構成するアルミニウムの熱伝導率は高い
ので、有機薄膜１６で発生した熱はカソード電極１９を
介して外部に速やかに放出される。従って、本発明の発
光装置１０では、有機薄膜１６の熱による劣化が起こり
難い。

【００３２】次に、本発明の発光装置１０をバックライ
トとして用いた表示装置について説明する。図６の符号
１は表示装置の一例を示しており、表示装置１は本発明
による発光装置１０と、発光装置１０の発光面９上に配
置された光学フィルター２１と、光学フィルター２１上
に配置された第一の偏光板２２と、第一の偏光板２２上
に配置され、２枚のガラス基板２４、２６に挟まれた液
晶２５と、液晶２５上に配置された第二の偏光板２８と
を有している。光学フィルター２１は赤、青、緑の３色
のフィルターを有しており、発光装置１０の発光面９か
ら放射された光は光学フィルター２１で任意の色に着色
された後、第一の偏光板２２と同じ偏光軸の光だけが第
一の偏光板２２を透過する。

【００３３】第二の偏光板２８は、第一の偏光板２２の
偏光軸に対して偏光軸が直交するよう配置されており、
液晶２５に電圧が印加されていない状態では、第一の偏
光板２２を透過した光は液晶分子の配列によって９０°
に曲げられ、第二の偏光板２８をそのまま透過し、表示
装置１外部に放射されるが、液晶２５に電圧を印加した
状態では液晶分子の配列が変化し、第一の偏光板２２を
透過した光は液晶２５内で曲げられないので、第二の偏
光板２８を透過せず、表示装置１外に光が放射されな
い。液晶に電圧を印加する電極はマトリクス状にされて
おり、液晶２５に電圧を印加する電極を選択すること
で、所望の文字や絵を表示可能になっている。

【００３４】以上は、Ｌ字形の配線１５の第二の端部１
５ｂが基板１１側面に突き出された場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではない。例え
ば、図７に示す発光装置５０のように、配線６５が直線
状の場合もある。この配線６５の第一の端部６５ｃは基
板１１表面でアノード電極１４裏面に接続され、第二の
端部６５ｂは基板１１の裏面側で露出している。また、
配線６５の両端部６５ｂ、６５ｃ以外の部分は基板１１
内に埋設されている。

【００３５】以下に、図７に示すような発光装置５０を
製造する工程の一例を説明する。先ず、厚さ０．１ｍｍ
以上０．７ｍｍ以下のガラス板からなる透明な基板６０
を用意する（図８（ａ））。この状態では、基板６０に
は配線が埋設されていない。

【００３６】次いで、基板６０の表面から裏面までを貫
通する貫通孔６１を形成する（図８（ｂ））。ここで
は、直径１ｍｍの直線状の貫通孔６１を形成した。その
状態の基板６０を載置台６９上に配置し、基板６０の裏
面を載置台６９の表面に密着させると、貫通孔６１の下
端の開口が載置台６９で塞がれた状態になる（図８
（ｃ））。

【００３７】その状態で、貫通孔６１の上端の開口から
貫通孔６１内部に、溶融した低融点金属（例えば、鉛−
錫合金はんだ等のはんだ金属）を注入し、冷却すると固
化し、図８（ｄ）に示すように固化したはんだ金属で貫
通孔６１が充填され、配線６５が形成される。

【００３８】注入の際、はんだ金属を表面張力によって
基板６０表面よりも高く盛り上げ、その状態で固化させ
ると、基板６０表面よりも高い突出部６５ａが形成され
る。はんだの固化後、基板６０の表面を研磨して突出部
６５ａを除去すると、配線６５の上端部が基板６０の表
面と面一になる。他方、裏面側では載置台６９と貫通孔
６１の下端が密着しているので、配線６５の下端部は基
板６０の裏面と面一になっている。

【００３９】従って、８（ｅ）に示すように配線６５の
両端部は基板の表面と面一になっている。それら両端部
のうち、基板６０の表面側を第一の端部６５ｃとし、基
板６０の裏面側を第二の端部６５ｂとする。

【００４０】次に、上述した図１（ｄ）、図２（ｅ）の
工程で６０の表面にアノード電極１４を形成すると、１
４は第一の端部６５ｃと密着する。そして、図２（ｆ）
〜（ｈ）、図３（ｉ）の工程でアノード電極１４を覆う
有機薄膜１６を形成し、更に、図３（ｉ）、（ｊ）の工
程で有機薄膜１６を覆うカソード電極１９とを成膜する
と、図７に示すような発光装置５０が得られる。

【００４１】この発光装置５０では、第二の端部６５ｂ
が基板６０の裏面で露出しており、第二の端部６５ｂに
外部電源の接続端子を接続すれば、アノード電極１４に
電圧を印加することができる。また、基板６０の貫通孔
６１は硬化したはんだ金属からなる配線６５で充填され
ているため、外部から大気や水分が貫通孔６１又は配線
６５を通って発光装置５０内に浸入することがない。

【００４２】また、本発明は直接はんだ金属を貫通孔に
注入する場合に限定されるものではない。図９（ａ）は
図８（ｂ）で示した基板６０の貫通孔６１が形成された
部分の拡大断面図を示している。先ず、スパッタ法や真
空蒸着法により、貫通孔６１を塞がず、空間６７が残る
程度の膜厚の金属薄膜６６を貫通孔６１の内壁６３に形
成する（図９（ｂ））。金属薄膜６６は例えば、アルミ
ニウム、銅、ニッケル、又は銅−ニッケル合金等で構成
される。

【００４３】次いで、貫通孔６１内の空間６７に溶融し
たはんだ金属を注入し、冷却すると、図９（ｃ）に示す
ように固化したはんだ金属から配線６５が構成され、貫
通孔６１が金属薄膜６６と配線６５とで隙間なく充填さ
れる。

【００４４】上述したように、金属薄膜６６はスパッタ
法や真空蒸着法で形成されるため、金属薄膜６６と貫通
孔６１の内壁６３との密着性は高い。また、はんだ金属
と金属薄膜６６との密着性は、はんだ金属とガラスとの
密着性よりも高い。従って、金属薄膜６６の空間６７に
形成された配線６５は、貫通孔６１内に直接形成された
場合よりも貫通孔６１内で強固に固定される。

【００４５】以上は配線の形状がＬ字形、又は直線の場
合について説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではない。図１０に示す発光装置５１のように配線５６
がコ形状の場合もあり、この場合も配線５６の第一の端
部の先端５６ｃは基板１１表面でアノード電極１４に接
続され、配線５６の両端部５６ｂ、５６ｃ以外の部分は
基板１１内に埋設されているが、第二の端部５６ｃは基
板１１表面のカソード電極１９で覆われた部分の外部に
突き出されている。

【００４６】いずれの場合にしろ、配線５５、５６の第
二の端部５５ｃ、５６ｃは基板１１全表面のうち、カソ
ード電極１９で覆われた部分の外部に突き出されてお
り、該第二の端部５５ｃ、５６ｃを外部電源に接続する
端子として用いることができる。以上は、配線１５の第
一の端部の先端１５ｃを基板１１表面と面一になるよう
研磨する場合について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、アノード電極１４と配線１５の先
端１５ｃとが密着されていれば、例えば、配線１５の第
一の端部が基板１１表面から突き出されていても、第一
の端部の先端１５ｃが基板１１表面から凹んでいてもよ
い。

【００４７】以上は溶融ガラスを溶融金属平面に流す、
所謂、フロート法によって基板１１を製造する場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、通常のガラス板製造に用いられる種々の方法を用い
ることができる。また、基板１１の材質はガラス基板の
ような無機物に限定されず、樹脂フィルムのような有機
物からなるものを用いることもできる。また、本発明に
用いる基板１１には、ガラス板の表面に下地層が形成さ
れたものも含まれる。

【００４８】また、カソード電極１９の表面を絶縁性の
膜で覆うこともできる。この場合、絶縁性の膜の膜厚が
小さければ、カソード電極１９で覆われた部分からの放
熱に支障が起きない。また、アノード電極１４やカソー
ド電極１９の成膜方法はスパッタ法に限定されない。ま
た、アノード電極１４を成膜した後、所望形状にパター
ニングしてもよい。更に、アノード電極１４やカソード
電極１９を成膜する際に、エッチングを行わず、マスク
を用いて電極１４、１９を所望形状に形成する場合も本
発明には含まれる。

【００４９】有機薄膜１６の成膜方法も真空蒸着法に限
定されるものではない。また、アノード電極１４やカソ
ード電極１９と同様に、有機薄膜１６も大きめに成膜し
た後、その周辺をエッチング除去することもできる。ま
た、以上は有機薄膜１６を電子輸送層１８とホール輸送
層１７の２層構造とする場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば、電子輸送
性とホール輸送性の両方の性質を兼ね備えた１層構造の
有機薄膜や、３層以上の有機薄膜を積層したものも本発
明には含まれる。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、有機薄膜の劣化が起こ
り難く、かつ、発光効率の高い発光装置を効率良く生産
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）：本発明の第一例の発光装置の
製造工程の前半を説明する断面図

【図２】（ｅ）〜（ｈ）：本発明の第一例の発光装置の
製造工程の中半を説明する断面図

【図３】（ｉ）、（ｊ）：本発明の第一例の発光装置の
製造工程の後半を説明する断面図

【図４】（ａ）〜（ｃ）：本発明の第一例の発光装置の
製造工程の前半を説明する平面図

【図５】（ｄ）、（ｅ）：本発明の第一例の発光装置の
製造工程の後半を説明する平面図

【図６】本発明の発光装置を用いた表示装置の一例を説
明する断面図

【図７】本発明の第二例の発光装置を説明するための断
面図

【図８】（ａ）〜（ｅ）：本発明の発光装置の製造工程
の他の例を説明する断面図

【図９】（ａ）〜（ｃ）：貫通孔にはんだ金属を注入す
る工程の他の例を説明する拡大断面図

【図１０】本発明の第三例の発光装置を説明するための
断面図

【図１１】従来技術の発光装置を説明するための断面図

【符号の説明】

１０、５０、５１……発光装置１１、６０……基板１４……アノード電極１５、５５、５６……配線１５ａ……配線の一端（第一の端部）１５ｂ……配線の他端（第二の端部）１６……有機薄膜１９……カソード電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、アノード電極と、カソード電極
と、有機薄膜とを有し、前記アノード電極は基板上に配置され、前記有機薄膜の少なくとも一部は前記アノード電極上に
配置され、前記カソード電極の少なくとも一部は前記有機薄膜上に
配置され、前記有機薄膜の少なくとも一部は、前記アノ
ード電極と前記カソード電極とで挟まれ、前記アノード電極と前記カソード電極との間に電圧を印
加すると前記有機薄膜が発光する発光装置であって、前記アノード電極表面と側面は前記有機薄膜によって覆
われ、前記有機薄膜表面は前記カソード電極で覆われた発光装
置。
【請求項２】前記アノード電極を外部回路に接続する配
線を有し、前記配線の少なくとも一部は前記基板内に配置され、前
記配線の第一の端部は前記アノード電極の裏面に接続さ
れた請求項１記載の発光装置。
【請求項３】前記配線の第二の端部は、前記基板の表面
と、裏面と、側面とを含む全表面のうち、カソード電極
で覆われた部分の外部で露出する請求項２記載の発光装
置。
【請求項４】前記カソード電極の膜厚は１００ｎｍ以上
である請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の発光
装置。
【請求項５】前記カソード電極はアルミニウムからなる
請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の発光装置。