JP2003215255A - Ｘ線検出器 - Google Patents
Ｘ線検出器Info
- Publication number
- JP2003215255A JP2003215255A JP2002016799A JP2002016799A JP2003215255A JP 2003215255 A JP2003215255 A JP 2003215255A JP 2002016799 A JP2002016799 A JP 2002016799A JP 2002016799 A JP2002016799 A JP 2002016799A JP 2003215255 A JP2003215255 A JP 2003215255A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- conversion unit
- electrode
- refractive index
- light conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 解像度特性および輝度特性を向上させたＸ線
検出器を提供すること。 【解決手段】 入射Ｘ線を光に変換するシンチレータ層
３８と、このシンチレータ層３８から上部電極１３ｂを
通して入力する光を信号電荷に変換するフォトダイオー
ド１３と、信号電荷を蓄積する蓄積用コンデンサ１５
と、この蓄積用コンデンサ１５に蓄積された信号電荷の
読み出しを制御する薄膜トランジスタ１４とを具備した
Ｘ線検出器において、シンチレータ層３８と上部電極１
３ｂとの隙間に反射防止部材３９を設けている。
検出器を提供すること。 【解決手段】 入射Ｘ線を光に変換するシンチレータ層
３８と、このシンチレータ層３８から上部電極１３ｂを
通して入力する光を信号電荷に変換するフォトダイオー
ド１３と、信号電荷を蓄積する蓄積用コンデンサ１５
と、この蓄積用コンデンサ１５に蓄積された信号電荷の
読み出しを制御する薄膜トランジスタ１４とを具備した
Ｘ線検出器において、シンチレータ層３８と上部電極１
３ｂとの隙間に反射防止部材３９を設けている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＸ線画像などを検出
するＸ線検出器に関する。
するＸ線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】医療用診断装置などでは、被写体の撮影
にたとえばＸ線が使用され、被写体を撮影したＸ線画像
の検出にＸ線検出器が用いられている。Ｘ線検出器には
たとえばイメージ管が利用されている。近年、新世代の
Ｘ線検出器として、Ｘ線検出用の複数の画素単位を平面
上に二次元的に配置した平面型Ｘ線検出器が注目されて
いる。
にたとえばＸ線が使用され、被写体を撮影したＸ線画像
の検出にＸ線検出器が用いられている。Ｘ線検出器には
たとえばイメージ管が利用されている。近年、新世代の
Ｘ線検出器として、Ｘ線検出用の複数の画素単位を平面
上に二次元的に配置した平面型Ｘ線検出器が注目されて
いる。
【０００３】平面型Ｘ線検出器はＸ線で撮影したＸ線画
像あるいはリアルタイムのＸ線画像をデジタル信号とし
て出力する構成になっている。平面型Ｘ線検出器には固
体素子が用いられ、画質性能の向上や安定性の面でも期
待されている。
像あるいはリアルタイムのＸ線画像をデジタル信号とし
て出力する構成になっている。平面型Ｘ線検出器には固
体素子が用いられ、画質性能の向上や安定性の面でも期
待されている。
【０００４】平面型Ｘ線検出器については、比較的大き
な線量で静止画像を収集する一般撮影用や胸部撮影用の
ものがすでに開発され、商品化もされている。近い将
来、より一層の高性能化によって、たとえば透視線量の
もとで毎秒３０画面以上のリアルタイムのＸ線動画の検
出が実現され、循環器や消化器などの分野に応用した製
品の商品化も予想されている。このようなＸ線動画の検
出については、Ｓ／Ｎの改善や微小信号のリアルタイム
処理技術などの開発が求められている。
な線量で静止画像を収集する一般撮影用や胸部撮影用の
ものがすでに開発され、商品化もされている。近い将
来、より一層の高性能化によって、たとえば透視線量の
もとで毎秒３０画面以上のリアルタイムのＸ線動画の検
出が実現され、循環器や消化器などの分野に応用した製
品の商品化も予想されている。このようなＸ線動画の検
出については、Ｓ／Ｎの改善や微小信号のリアルタイム
処理技術などの開発が求められている。
【０００５】平面型Ｘ線検出器は、大きく分けると直接
方式および間接方式の２つがある。直接方式は、ａ−Ｓ
ｅなどの光導電膜を用いてＸ線を信号電荷に直接変換
し、変換した信号電荷を電荷蓄積用キャパシターに蓄積
する方式である。間接方式はシンチレータ層でＸ線を可
視光に変換し、変換した可視光をさらにａ−Ｓｉフォト
ダイオードやＣＣＤなどで信号電荷に変換し、電荷蓄積
用キャパシターに蓄積する方式である。
方式および間接方式の２つがある。直接方式は、ａ−Ｓ
ｅなどの光導電膜を用いてＸ線を信号電荷に直接変換
し、変換した信号電荷を電荷蓄積用キャパシターに蓄積
する方式である。間接方式はシンチレータ層でＸ線を可
視光に変換し、変換した可視光をさらにａ−Ｓｉフォト
ダイオードやＣＣＤなどで信号電荷に変換し、電荷蓄積
用キャパシターに蓄積する方式である。
【０００６】直接方式は、Ｘ線の入射で発生した信号電
荷を、高電界を利用して電荷蓄積用キャパシターに導く
構成になっている。この構成の場合、その解像度特性は
画素ピッチでほぼ規定される。一方、間接方式は、シン
チレータ層で変換された可視光がフォトダイオードに到
達するまでの間に拡散しあるいは散乱して解像度が劣化
する。したがって、間接方式では解像度特性の改善が求
められる。
荷を、高電界を利用して電荷蓄積用キャパシターに導く
構成になっている。この構成の場合、その解像度特性は
画素ピッチでほぼ規定される。一方、間接方式は、シン
チレータ層で変換された可視光がフォトダイオードに到
達するまでの間に拡散しあるいは散乱して解像度が劣化
する。したがって、間接方式では解像度特性の改善が求
められる。
【０００７】なお、直接方式は、Ｘ線の吸収率を向上さ
せるために、たとえばａ−Ｓｅの光導電膜を１ｍｍ程度
の厚さに形成している。また、Ｘ線フォトン１個あたり
の信号電荷の生成率を上げるため、および、生成した信
号電荷を膜中の欠陥準位にトラップされることなく蓄積
用キャパシターに導くため、さらにバイアス電界と直角
方向への信号電荷の拡散を抑えるため、たとえばａ−Ｓ
ｅの光導電膜の両端に１０Ｖ／μｍの強いバイアス電界
が印加される。したがってａ−Ｓｅ光導電膜の膜厚が１
ｍｍ程度の場合、１０ｋＶ程度の高電圧が印加される。
せるために、たとえばａ−Ｓｅの光導電膜を１ｍｍ程度
の厚さに形成している。また、Ｘ線フォトン１個あたり
の信号電荷の生成率を上げるため、および、生成した信
号電荷を膜中の欠陥準位にトラップされることなく蓄積
用キャパシターに導くため、さらにバイアス電界と直角
方向への信号電荷の拡散を抑えるため、たとえばａ−Ｓ
ｅの光導電膜の両端に１０Ｖ／μｍの強いバイアス電界
が印加される。したがってａ−Ｓｅ光導電膜の膜厚が１
ｍｍ程度の場合、１０ｋＶ程度の高電圧が印加される。
【０００８】直接方式と間接方式を比較すると、直接方
式の方が解像度特性にすぐれている。しかし、動作電圧
が低いＴＦＴを高電圧から保護する必要があり、信頼性
の確保が困難になっている。また、低暗電流特性および
高感度特性、熱的安定性などを備えた光導電材料を容易
に入手できないという問題がある。
式の方が解像度特性にすぐれている。しかし、動作電圧
が低いＴＦＴを高電圧から保護する必要があり、信頼性
の確保が困難になっている。また、低暗電流特性および
高感度特性、熱的安定性などを備えた光導電材料を容易
に入手できないという問題がある。
【０００９】間接方式はフォトダーオードやＣＣＤなど
を用いている。そのため、高電圧の印加が必要とされ
ず、高電圧による絶縁破壊などは発生しない。また、シ
ンチレータ材料やフォトダーオードなどは既知の技術で
あり、直接方式と比較すると製品化が容易である。
を用いている。そのため、高電圧の印加が必要とされ
ず、高電圧による絶縁破壊などは発生しない。また、シ
ンチレータ材料やフォトダーオードなどは既知の技術で
あり、直接方式と比較すると製品化が容易である。
【００１０】しかし、直接方式に比べ解像度特性が劣る
という問題がある。これはシンチレータ層からフォトダ
ーオードなどに到達するまでの光の広がりが１つの原因
になっている。また、シンチレータ層とフォトダーオー
ドとの間に生じる隙間も解像度を劣化させる原因にな
る。
という問題がある。これはシンチレータ層からフォトダ
ーオードなどに到達するまでの光の広がりが１つの原因
になっている。また、シンチレータ層とフォトダーオー
ドとの間に生じる隙間も解像度を劣化させる原因にな
る。
【００１１】たとえば、間接方式の場合、シンチレータ
層とフォトダーオード間の光反射率が両者の距離によっ
て変化するという特性がある。そのため、シンチレータ
層とフォトダーオード間に隙間があると、隙間の大きさ
によって反射率が相違し、輝度が変化し解像度が低下す
る。
層とフォトダーオード間の光反射率が両者の距離によっ
て変化するという特性がある。そのため、シンチレータ
層とフォトダーオード間に隙間があると、隙間の大きさ
によって反射率が相違し、輝度が変化し解像度が低下す
る。
【００１２】ここで、従来のＸ線検出器について図８を
参照して説明する。図８は１つ画素単位部分を抜き出し
た断面図で、ガラスなどの絶縁基板８１上に薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＦＴという）８２および蓄積用キャパシ
タ８３が形成されている。ＴＦＴ８２は、絶縁基板８１
上に形成されたゲート電極Ｇおよびゲート電極Ｇを覆う
絶縁膜８４、絶縁膜８４上に形成された半導体膜８５、
半導体膜８５上に設けられたソース電極Ｓ、ドレイン電
極Ｄなどから構成されている。
参照して説明する。図８は１つ画素単位部分を抜き出し
た断面図で、ガラスなどの絶縁基板８１上に薄膜トラン
ジスタ（以下ＴＦＴという）８２および蓄積用キャパシ
タ８３が形成されている。ＴＦＴ８２は、絶縁基板８１
上に形成されたゲート電極Ｇおよびゲート電極Ｇを覆う
絶縁膜８４、絶縁膜８４上に形成された半導体膜８５、
半導体膜８５上に設けられたソース電極Ｓ、ドレイン電
極Ｄなどから構成されている。
【００１３】蓄積用キャパシタ８３は絶縁基板８１上に
形成された下部電極８６、ゲート電極Ｇ上から下部電極
８４上まで延長する絶縁膜８４、絶縁膜８４上に設けら
れた上部電極８７などから構成されている。上部電極８
７はドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。
形成された下部電極８６、ゲート電極Ｇ上から下部電極
８４上まで延長する絶縁膜８４、絶縁膜８４上に設けら
れた上部電極８７などから構成されている。上部電極８
７はドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。
【００１４】ＴＦＴ８２および蓄積用キャパシタ８３の
上方に樹脂による平坦化層８８が設けられ、平坦化層８
８上にフォトダイオード８９が形成されている。フォト
ダイオード８９は画素単位ごとに設けられている。平坦
化層８８にスルーホール９０が形成され、フォトダイオ
ード８９の図示下方の下面電極８９ａはドレイン電極Ｄ
および蓄積用キャパシタ８３と電気的に接続している。
上方に樹脂による平坦化層８８が設けられ、平坦化層８
８上にフォトダイオード８９が形成されている。フォト
ダイオード８９は画素単位ごとに設けられている。平坦
化層８８にスルーホール９０が形成され、フォトダイオ
ード８９の図示下方の下面電極８９ａはドレイン電極Ｄ
および蓄積用キャパシタ８３と電気的に接続している。
【００１５】フォトダイオード８９の図示上方の上面電
極８９ｂは、たとえばＩＴＯ透明電極膜で形成され、上
面電極８９ｂ上にシンチレータ層９１が形成されてい
る。また、シンチレータ層９１上に光反射部９２が形成
されている。符号９３は上面電極８９ｂとシンチレータ
層９１を密着させた際に、両者の間に発生した隙間を示
している。
極８９ｂは、たとえばＩＴＯ透明電極膜で形成され、上
面電極８９ｂ上にシンチレータ層９１が形成されてい
る。また、シンチレータ層９１上に光反射部９２が形成
されている。符号９３は上面電極８９ｂとシンチレータ
層９１を密着させた際に、両者の間に発生した隙間を示
している。
【００１６】上記した構造の画素単位が縦方向および横
方向の２次元に形成され、平面型Ｘ線検出器が構成され
る。そして、外部から入射するＸ線がシンチレータ層９
１で光に変換される。この光はフォトダイオード８９で
信号電荷に変換され、ドレイン電極Ｄを経て蓄積用キャ
パシタ８３に蓄積される。蓄積用キャパシタ８３に蓄積
された信号電荷は、その後、ＴＦＴ８２のゲート電極Ｇ
にオン信号が加えられると、ソース電極Ｓから電気信号
として出力される。
方向の２次元に形成され、平面型Ｘ線検出器が構成され
る。そして、外部から入射するＸ線がシンチレータ層９
１で光に変換される。この光はフォトダイオード８９で
信号電荷に変換され、ドレイン電極Ｄを経て蓄積用キャ
パシタ８３に蓄積される。蓄積用キャパシタ８３に蓄積
された信号電荷は、その後、ＴＦＴ８２のゲート電極Ｇ
にオン信号が加えられると、ソース電極Ｓから電気信号
として出力される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線検出器の場
合、シンチレータ層は、ＣｓＩ：ＮａやＣｓＩ：Ｔｌな
どのシンチレータ材料およびＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂの粉末
を主成分とするＸ線発光蛍光体樹脂などで構成され、た
とえば真空蒸着法によって形成される。
合、シンチレータ層は、ＣｓＩ：ＮａやＣｓＩ：Ｔｌな
どのシンチレータ材料およびＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂの粉末
を主成分とするＸ線発光蛍光体樹脂などで構成され、た
とえば真空蒸着法によって形成される。
【００１８】なお、Ｘ線検出器のスイッチ部を構成する
ＴＦＴは高温（１４０℃以上）に弱いという特性があ
る。そのため、シンチレータ層を形成する場合、ＴＦＴ
やフォトダイオードなどを形成した光電変換基板上に蒸
着する方法でなく、たとえば光反射部材となる別の基板
上にシンチレータ層を蒸着し、その後、２つの基板を密
着させる方法が用いられる。このとき、基板に凹凸があ
るため、シンチレータ層とフォトダイオードが完全に密
着せず、両者の間に隙間（図８の符号９３）が発生し、
フォトダイオードの上面電極たとえばＩＴＯ透明電極で
の反射率が変化する。
ＴＦＴは高温（１４０℃以上）に弱いという特性があ
る。そのため、シンチレータ層を形成する場合、ＴＦＴ
やフォトダイオードなどを形成した光電変換基板上に蒸
着する方法でなく、たとえば光反射部材となる別の基板
上にシンチレータ層を蒸着し、その後、２つの基板を密
着させる方法が用いられる。このとき、基板に凹凸があ
るため、シンチレータ層とフォトダイオードが完全に密
着せず、両者の間に隙間（図８の符号９３）が発生し、
フォトダイオードの上面電極たとえばＩＴＯ透明電極で
の反射率が変化する。
【００１９】ここで、上記したＸ線検出器の反射特性に
ついて図９で説明する。横軸は隙間たとえば空気層の厚
み（μｍ）、縦軸は反射率（％）で、境界に対し光（波
長５５０ｎｍ）が垂直に入射した場合の特性である。
ついて図９で説明する。横軸は隙間たとえば空気層の厚
み（μｍ）、縦軸は反射率（％）で、境界に対し光（波
長５５０ｎｍ）が垂直に入射した場合の特性である。
【００２０】反射特性Ｐは、シンチレータ材料（Ｃｓ
Ｉ：Ｎａ）の屈折率を１．７〜１．８、蛍光体樹脂（Ｇ
ｄ2 Ｏ2 Ｓ）の屈折率を１．７、ＩＴＯ透明電極の屈折
率を２．０とし、シンチレータ層（屈折率ｎＳ＝１．
７）とＩＴＯ透明電極（屈折率ｎｄ＝２．０）の間に空
気層（屈折率ｎ１＝１．０）が生じた場合の特性で、Ｉ
ＴＯ透明電極での光反射率（波長５５０ｎｍ）の計算結
果を示している。
Ｉ：Ｎａ）の屈折率を１．７〜１．８、蛍光体樹脂（Ｇ
ｄ2 Ｏ2 Ｓ）の屈折率を１．７、ＩＴＯ透明電極の屈折
率を２．０とし、シンチレータ層（屈折率ｎＳ＝１．
７）とＩＴＯ透明電極（屈折率ｎｄ＝２．０）の間に空
気層（屈折率ｎ１＝１．０）が生じた場合の特性で、Ｉ
ＴＯ透明電極での光反射率（波長５５０ｎｍ）の計算結
果を示している。
【００２１】反射特性Ｐから分かるように、空気層の厚
さによって反射率が変化する。したがってシンチレータ
層とＩＴＯ透明電極が密着しない場合、画素単位ごとに
輝度が最大３０％程度も変化する。その結果、解像度特
性が劣化し良好なＸ線画像が得られなくなる。
さによって反射率が変化する。したがってシンチレータ
層とＩＴＯ透明電極が密着しない場合、画素単位ごとに
輝度が最大３０％程度も変化する。その結果、解像度特
性が劣化し良好なＸ線画像が得られなくなる。
【００２２】本発明は、上記した欠点を解決し、解像度
特性および輝度特性を向上させたＸ線検出器を提供する
ことを目的とする。
特性および輝度特性を向上させたＸ線検出器を提供する
ことを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、入射Ｘ線を光
に変換するＸ線光変換部と、このＸ線光変換部から電極
を通して入力する前記光を信号電荷に変換する光電変換
部と、前記信号電荷を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に
蓄積された前記信号電荷の読み出しを制御するスイッチ
ング部とを具備したＸ線検出器において、前記Ｘ線光変
換部と前記電極との間に、前記Ｘ線光変換部および前記
電極のそれぞれと材料が相違する反射防止部材からなる
少なくとも１つの層を設けたことを特徴とする。
に変換するＸ線光変換部と、このＸ線光変換部から電極
を通して入力する前記光を信号電荷に変換する光電変換
部と、前記信号電荷を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に
蓄積された前記信号電荷の読み出しを制御するスイッチ
ング部とを具備したＸ線検出器において、前記Ｘ線光変
換部と前記電極との間に、前記Ｘ線光変換部および前記
電極のそれぞれと材料が相違する反射防止部材からなる
少なくとも１つの層を設けたことを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図１の
模式的な回路構成図を参照して説明する。符号１１は光
電変換部で、光電変換部１１は、ガラスなどの絶縁基板
上に複数の画素単位１２を行方向（たとえば図の横方
向）および列方向（たとえば図の縦方向）に２次元に配
置して構成されている。複数の画素単位１２は同じ構造
に形成され、図１では９個の画素単位１２ａ〜１２ｉが
示されている。
模式的な回路構成図を参照して説明する。符号１１は光
電変換部で、光電変換部１１は、ガラスなどの絶縁基板
上に複数の画素単位１２を行方向（たとえば図の横方
向）および列方向（たとえば図の縦方向）に２次元に配
置して構成されている。複数の画素単位１２は同じ構造
に形成され、図１では９個の画素単位１２ａ〜１２ｉが
示されている。
【００２５】たとえば画素単位１２ｉの場合、光を信号
電荷に変換するフォトダイオード１３およびスイッチン
グ部を構成する薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）
１４、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部たとえば蓄積用キ
ャパシタ１５などから構成されている。ＴＦＴ１４はゲ
ート電極Ｇおよびソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄを有
し、ドレイン電極Ｄはフォトダイオード１３および蓄積
用キャパシタ１５と電気的に接続されている。
電荷に変換するフォトダイオード１３およびスイッチン
グ部を構成する薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴという）
１４、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部たとえば蓄積用キ
ャパシタ１５などから構成されている。ＴＦＴ１４はゲ
ート電極Ｇおよびソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄを有
し、ドレイン電極Ｄはフォトダイオード１３および蓄積
用キャパシタ１５と電気的に接続されている。
【００２６】光電変換部１１の外部に、ＴＦＴ１４の動
作状態たとえばオン・オフを制御する制御回路１６が設
けられている。制御回路１６には複数の制御ライン１７
が設けられている。図ではたとえば第１ないし第４の４
個の制御ライン１７１〜１７４が示されている。それぞ
れの制御ライン１７は、同じ行に位置する画素単位１２
のＴＦＴ１４のゲート電極Ｇに接続されている。たとえ
ば第１の制御ライン１７１は画素単位１２ａ〜１２ｃの
ゲート電極Ｇに接続されている。
作状態たとえばオン・オフを制御する制御回路１６が設
けられている。制御回路１６には複数の制御ライン１７
が設けられている。図ではたとえば第１ないし第４の４
個の制御ライン１７１〜１７４が示されている。それぞ
れの制御ライン１７は、同じ行に位置する画素単位１２
のＴＦＴ１４のゲート電極Ｇに接続されている。たとえ
ば第１の制御ライン１７１は画素単位１２ａ〜１２ｃの
ゲート電極Ｇに接続されている。
【００２７】列方向には、複数のデータライン１８が設
けられている。図ではたとえば第１ないし第４の４個の
データライン１８１〜１８４が示されている。それぞれ
のデータライン１８は、同じ列に位置する画素単位１２
のＴＦＴ１４のソース電極Ｓに接続されている。たとえ
ば第１のデータライン１８１は画素単位１２ａ、１２
ｄ、１２ｇのソース電極Ｓに接続されている。また各デ
ータライン１７はそれぞれ対応する電荷増幅器１９に接
続されている。
けられている。図ではたとえば第１ないし第４の４個の
データライン１８１〜１８４が示されている。それぞれ
のデータライン１８は、同じ列に位置する画素単位１２
のＴＦＴ１４のソース電極Ｓに接続されている。たとえ
ば第１のデータライン１８１は画素単位１２ａ、１２
ｄ、１２ｇのソース電極Ｓに接続されている。また各デ
ータライン１７はそれぞれ対応する電荷増幅器１９に接
続されている。
【００２８】電荷増幅器１９はたとえば演算増幅器で構
成され、その一方の入力端子ａ１にデータライン１８が
接続され、他方の入力端子ａ２は接地されている。一方
の入力端子ａ１と出力端子ｂ間にコンデンサＣが接続さ
れ積分機能を有する構成になっている。また、コンデン
サＣに並列にスイッチＳＷが接続され、たとえばスイッ
チＳＷを閉じてコンデンサＣに残った電荷を放電する構
成になっている。
成され、その一方の入力端子ａ１にデータライン１８が
接続され、他方の入力端子ａ２は接地されている。一方
の入力端子ａ１と出力端子ｂ間にコンデンサＣが接続さ
れ積分機能を有する構成になっている。また、コンデン
サＣに並列にスイッチＳＷが接続され、たとえばスイッ
チＳＷを閉じてコンデンサＣに残った電荷を放電する構
成になっている。
【００２９】それぞれの電荷増幅器１９は、並列に入力
する複数の電気信号を直列信号に変換して出力する並列
／直列変換器２０に接続されている。並列／直列変換器
２０は、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナロ
グデジタル変換器２１に接続されている。
する複数の電気信号を直列信号に変換して出力する並列
／直列変換器２０に接続されている。並列／直列変換器
２０は、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナロ
グデジタル変換器２１に接続されている。
【００３０】次に、光導変換部について図２を参照して
説明する。図２は１つの画素単位部分を抜き出した断面
図で、図１に対応する部分に同じ符号を付し重複する説
明を一部省略する。ガラスなどの絶縁基板３１上にＴＦ
Ｔ１４および蓄積用キャパシタ１５が形成されている。
ＴＦＴ１４は、絶縁基板３１上に形成されたゲート電極
Ｇおよびゲート電極Ｇを覆う絶縁膜３２、絶縁膜３２上
に形成された半導体膜３３、半導体膜３３上に設けられ
たソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄなどから構成されてい
る。
説明する。図２は１つの画素単位部分を抜き出した断面
図で、図１に対応する部分に同じ符号を付し重複する説
明を一部省略する。ガラスなどの絶縁基板３１上にＴＦ
Ｔ１４および蓄積用キャパシタ１５が形成されている。
ＴＦＴ１４は、絶縁基板３１上に形成されたゲート電極
Ｇおよびゲート電極Ｇを覆う絶縁膜３２、絶縁膜３２上
に形成された半導体膜３３、半導体膜３３上に設けられ
たソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄなどから構成されてい
る。
【００３１】蓄積用キャパシタ１５は絶縁基板３１上に
形成された下部電極３４、ゲート電極Ｇ上から下部電極
３４上まで延長する絶縁膜３２、絶縁膜３２上に設けら
れた上部電極３５などから構成されている。上部電極３
５はドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。
形成された下部電極３４、ゲート電極Ｇ上から下部電極
３４上まで延長する絶縁膜３２、絶縁膜３２上に設けら
れた上部電極３５などから構成されている。上部電極３
５はドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。
【００３２】ＴＦＴ１４および蓄積用キャパシタ１５の
上方に樹脂の平坦化層３６が設けられ、平坦化層３６上
にフォトダイオード１３が形成されている。フォトダイ
オード１３は、ａ−ＳｉのｐｎダイオードやＰＩＮダイ
オードなどによって画素ごとに設けられる。平坦化層３
６にスルーホール３７が形成され、フォトダイオード１
３の図示下方の下面電極１３ａはドレイン電極Ｄおよび
蓄積用キャパシタ１５と電気的に接続している。
上方に樹脂の平坦化層３６が設けられ、平坦化層３６上
にフォトダイオード１３が形成されている。フォトダイ
オード１３は、ａ−ＳｉのｐｎダイオードやＰＩＮダイ
オードなどによって画素ごとに設けられる。平坦化層３
６にスルーホール３７が形成され、フォトダイオード１
３の図示下方の下面電極１３ａはドレイン電極Ｄおよび
蓄積用キャパシタ１５と電気的に接続している。
【００３３】フォトダイオード１３は、たとえば蓄積用
キャパシタ１５およびＴＦＴ１４に重ならない領域に形
成されている。しかし、フォトダイオード１３の受光面
積を大きくする場合、ＴＦＴ１４および蓄積用キャパシ
タ１５上に絶縁層を設け、画素単位の全域にフォトダイ
オード１３を設ける構造にすることもできる。
キャパシタ１５およびＴＦＴ１４に重ならない領域に形
成されている。しかし、フォトダイオード１３の受光面
積を大きくする場合、ＴＦＴ１４および蓄積用キャパシ
タ１５上に絶縁層を設け、画素単位の全域にフォトダイ
オード１３を設ける構造にすることもできる。
【００３４】フォトダイオード１３の図示上方の上面電
極１３ｂは、たとえばＩＴＯ透明電極を成膜して形成さ
れ、上面電極１３ｂ上にシンチレータ層３８が形成され
る。このとき、上面電極１３ｂおよびシンチレータ層３
８間の隙間に反射防止部材３９が充填されている。ま
た、シンチレータ層３８の図示上側の表面に光反射部４
０が形成されている。
極１３ｂは、たとえばＩＴＯ透明電極を成膜して形成さ
れ、上面電極１３ｂ上にシンチレータ層３８が形成され
る。このとき、上面電極１３ｂおよびシンチレータ層３
８間の隙間に反射防止部材３９が充填されている。ま
た、シンチレータ層３８の図示上側の表面に光反射部４
０が形成されている。
【００３５】反射防止部材３９は、たとえば透明接着剤
やパラキシレンなどの誘電体材料で形成される。シンチ
レータ層３８は、たとえばＣｓＩ：ＮａやＣｓＩ：Ｔｌ
などのシンチレータ材料およびＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂの粉
末を主成分とするＸ線発光蛍光体樹脂などの材料で形成
される。光反射部４０は、たとえばＡｌ基板およびこの
Ａｌ基板のシンチレータ層３８側の表面に設けられた反
射膜などから構成され、シンチレータ層３８で発生した
蛍光を反射し、フォトダイオード１３に向わせるように
作用する。
やパラキシレンなどの誘電体材料で形成される。シンチ
レータ層３８は、たとえばＣｓＩ：ＮａやＣｓＩ：Ｔｌ
などのシンチレータ材料およびＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂの粉
末を主成分とするＸ線発光蛍光体樹脂などの材料で形成
される。光反射部４０は、たとえばＡｌ基板およびこの
Ａｌ基板のシンチレータ層３８側の表面に設けられた反
射膜などから構成され、シンチレータ層３８で発生した
蛍光を反射し、フォトダイオード１３に向わせるように
作用する。
【００３６】そして、上記の画素単位が絶縁基板３１上
の縦方向および横方向に２次元に形成され、平面型Ｘ線
検出器が構成される。
の縦方向および横方向に２次元に形成され、平面型Ｘ線
検出器が構成される。
【００３７】上記した構成において、フォトダイオード
１３の上面電極１３ｂと下面電極１３ａとの間にバイア
ス電圧が印加され、外部からＸ線が入射すると、シンチ
レータ層３８で蛍光に変換される。この蛍光はフォトダ
イオード１３で信号電荷に変換され、ドレイン電極Ｄを
経て蓄積用キャパシタ１５に蓄積される。蓄積用キャパ
シタ１５に蓄積された信号電荷は、ＴＦＴ１４のゲート
電極Ｇにオン信号が加えられると、ソース電極Ｓから電
気信号として出力される。
１３の上面電極１３ｂと下面電極１３ａとの間にバイア
ス電圧が印加され、外部からＸ線が入射すると、シンチ
レータ層３８で蛍光に変換される。この蛍光はフォトダ
イオード１３で信号電荷に変換され、ドレイン電極Ｄを
経て蓄積用キャパシタ１５に蓄積される。蓄積用キャパ
シタ１５に蓄積された信号電荷は、ＴＦＴ１４のゲート
電極Ｇにオン信号が加えられると、ソース電極Ｓから電
気信号として出力される。
【００３８】ここで、上面電極１３ｂおよびシンチレー
タ層３８間に反射防止部材３９を設けた場合の反射特性
について図３を参照して説明する。図３の横軸は光透過
膜の厚み（μｍ）、縦軸は反射率（％）である。
タ層３８間に反射防止部材３９を設けた場合の反射特性
について図３を参照して説明する。図３の横軸は光透過
膜の厚み（μｍ）、縦軸は反射率（％）である。
【００３９】反射特性Ｑは、シンチレータ層３８で変換
された光の波長が５５０ｎｍで、シンチレータ層（Ｃｓ
Ｉ：Ｎａ、屈折率ｎｓ＝１．７）とフォトダイオードの
上面電極（以下ＩＴＯ透明電極と表現する。屈折率ｎｄ
＝２．０）との間に、シンチレータ層とほぼ同じ屈折率
をもつ反射防止部材（屈折率ｎ１＝１．７）を満たした
場合の計算結果を示す。反射特性Ｑから分かるように、
ＩＴＯ透明電極での反射率は、反射防止部材の厚さに関
係なくほぼ一定になる。
された光の波長が５５０ｎｍで、シンチレータ層（Ｃｓ
Ｉ：Ｎａ、屈折率ｎｓ＝１．７）とフォトダイオードの
上面電極（以下ＩＴＯ透明電極と表現する。屈折率ｎｄ
＝２．０）との間に、シンチレータ層とほぼ同じ屈折率
をもつ反射防止部材（屈折率ｎ１＝１．７）を満たした
場合の計算結果を示す。反射特性Ｑから分かるように、
ＩＴＯ透明電極での反射率は、反射防止部材の厚さに関
係なくほぼ一定になる。
【００４０】したがって、たとえば基板上に形成された
シンチレータ層と、別の基板上に形成されたフォトダイ
オードとを密着させる際に、シンチレータ層およびフォ
トダイオード間に隙間が発生する場合、その隙間に反射
防止部材を充填する構成にすれば反射率が均一化する。
その結果、画素単位ごとの輝度変化が小さくなり、解像
度特性が向上する。
シンチレータ層と、別の基板上に形成されたフォトダイ
オードとを密着させる際に、シンチレータ層およびフォ
トダイオード間に隙間が発生する場合、その隙間に反射
防止部材を充填する構成にすれば反射率が均一化する。
その結果、画素単位ごとの輝度変化が小さくなり、解像
度特性が向上する。
【００４１】図３の特性は、反射防止部材の屈折率ｎ１
とシンチレータ層の屈折率ｎｓが同じ値の場合である。
しかし、反射防止部材の屈折率ｎ１とＩＴＯ透明電極の
屈折率ｎｄが同じ値の場合も、同様の効果が得られる。
とシンチレータ層の屈折率ｎｓが同じ値の場合である。
しかし、反射防止部材の屈折率ｎ１とＩＴＯ透明電極の
屈折率ｎｄが同じ値の場合も、同様の効果が得られる。
【００４２】また、反射防止部材の屈折率ｎ１を、たと
えば一方の側に隣接するシンチレータ層の屈折率ｎｓよ
りも大きく、他方の側に隣接するＩＴＯ電極の屈折率ｎ
ｄよりも小さい中間の値、たとえば屈折率ｎｓと屈折率
ｎｄとの積の平方根ｎ１＝１．８４（ｎ１2 ＝ｎｓ×ｎ
ｄ）に設定した場合も、反射防止部材の厚さによる反射
率の変化が小さくなる。
えば一方の側に隣接するシンチレータ層の屈折率ｎｓよ
りも大きく、他方の側に隣接するＩＴＯ電極の屈折率ｎ
ｄよりも小さい中間の値、たとえば屈折率ｎｓと屈折率
ｎｄとの積の平方根ｎ１＝１．８４（ｎ１2 ＝ｎｓ×ｎ
ｄ）に設定した場合も、反射防止部材の厚さによる反射
率の変化が小さくなる。
【００４３】次に、本発明の他の実施形態について図４
を参照して説明する。図４は図３に対応する部分に同じ
符号を付し重複する説明を一部省略する。
を参照して説明する。図４は図３に対応する部分に同じ
符号を付し重複する説明を一部省略する。
【００４４】この実施形態は、シンチレータ層（屈折率
ｎｓ＝１．７）３８のＩＴＯ透明電極側の表面に、シン
チレータ層３８と空気の屈折率（屈折率ｎ１＝１）との
中間の値を持つ反射防止部材（屈折率ｎ２＝１．３１：
ｎ２2 ＝ｎｓ×ｎ１）３９を０．１μｍの厚さに形成
し、この反射防止部材３９とＩＴＯ透明電極との間の隙
間が空気層４１になっている場合である。
ｎｓ＝１．７）３８のＩＴＯ透明電極側の表面に、シン
チレータ層３８と空気の屈折率（屈折率ｎ１＝１）との
中間の値を持つ反射防止部材（屈折率ｎ２＝１．３１：
ｎ２2 ＝ｎｓ×ｎ１）３９を０．１μｍの厚さに形成
し、この反射防止部材３９とＩＴＯ透明電極との間の隙
間が空気層４１になっている場合である。
【００４５】この場合の反射特性を図５の符号Ｒで示
す。図５の縦軸は反射率（％）、横軸は隙間たとえば空
気層４１の厚さ（μｍ）で、反射特性Ｒから分かるよう
に、反射率は１０％前後あるものの、シンチレータ層３
８とＩＴＯ電極との間に隙間（空気層）が発生しても、
空気層の厚さによるＩＴＯ透明電極での反射率の変化が
小さくなっている。
す。図５の縦軸は反射率（％）、横軸は隙間たとえば空
気層４１の厚さ（μｍ）で、反射特性Ｒから分かるよう
に、反射率は１０％前後あるものの、シンチレータ層３
８とＩＴＯ電極との間に隙間（空気層）が発生しても、
空気層の厚さによるＩＴＯ透明電極での反射率の変化が
小さくなっている。
【００４６】次に、本発明の他の実施形態について図６
を参照して説明する。図６は図３に対応する部分に同じ
符号を付し重複する説明を一部省略する。
を参照して説明する。図６は図３に対応する部分に同じ
符号を付し重複する説明を一部省略する。
【００４７】この実施形態は、シンチレータ層（屈折率
ｎｓ＝１．７）３８のＩＴＯ電極側の表面に、シンチレ
ータ層３８とＩＴＯ透明電極（ｎｄ＝２．０）との中間
の値の屈折率を持つ材料の第１反射防止層（屈折率ｎ１
＝１．８４：ｎ１2 ＝ｎｓ×ｎｄ）３９ａを０．１μｍ
の厚さに形成し、第１反射防止層３９ａとＩＴＯ透明電
極との隙間を、ＩＴＯ透明電極とほぼ同じ屈折率をもつ
材料の第２反射防止層３９ｂで満たした場合である。
ｎｓ＝１．７）３８のＩＴＯ電極側の表面に、シンチレ
ータ層３８とＩＴＯ透明電極（ｎｄ＝２．０）との中間
の値の屈折率を持つ材料の第１反射防止層（屈折率ｎ１
＝１．８４：ｎ１2 ＝ｎｓ×ｎｄ）３９ａを０．１μｍ
の厚さに形成し、第１反射防止層３９ａとＩＴＯ透明電
極との隙間を、ＩＴＯ透明電極とほぼ同じ屈折率をもつ
材料の第２反射防止層３９ｂで満たした場合である。
【００４８】この場合の反射特性を図７に示す。図７の
縦軸は反射率（％）、横軸は第２反射防止層の厚み（μ
ｍ）で、反射特性Ｓから分かるように、ＩＴＯ透明電極
での反射率はＩＴＯ透明電極上の反射防止層の厚みに関
係なく一定で、図２の構造の場合よりもさらに反射率が
低くなっている。
縦軸は反射率（％）、横軸は第２反射防止層の厚み（μ
ｍ）で、反射特性Ｓから分かるように、ＩＴＯ透明電極
での反射率はＩＴＯ透明電極上の反射防止層の厚みに関
係なく一定で、図２の構造の場合よりもさらに反射率が
低くなっている。
【００４９】図６は第１反射防止層とＩＴＯ透明電極と
の隙間を、ＩＴＯ透明電極と同じ屈折率をもつ第２反射
防止層で満たしている。しかし、シンチレータ層と第１
反射防止層の屈折率を同じ値に設定し、また、第２反射
防止層を、シンチレータ層とＩＴＯ透明電極との中間の
値の屈折率を持つ材料で、ＩＴＯ透明電極上に０．１μ
ｍの厚さに形成しても同様の効果が得られる。
の隙間を、ＩＴＯ透明電極と同じ屈折率をもつ第２反射
防止層で満たしている。しかし、シンチレータ層と第１
反射防止層の屈折率を同じ値に設定し、また、第２反射
防止層を、シンチレータ層とＩＴＯ透明電極との中間の
値の屈折率を持つ材料で、ＩＴＯ透明電極上に０．１μ
ｍの厚さに形成しても同様の効果が得られる。
【００５０】なお、上記の実施形態に使用される反射防
止部材には、たとえばシンチレータ層やＩＴＯ透明電極
と相違する固体あるいは液体、気体の誘電体材料が用い
られる。
止部材には、たとえばシンチレータ層やＩＴＯ透明電極
と相違する固体あるいは液体、気体の誘電体材料が用い
られる。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、良好な反射特性および
解像度特性をもつＸ線検出器を実現できる。
解像度特性をもつＸ線検出器を実現できる。
【図１】本発明の実施形態を説明するための回路構成図
である。
である。
【図２】本発明の実施形態に使用する画素単位を説明す
るための構造図である。
るための構造図である。
【図３】本発明の実施形態の反射特性を説明するための
特性図である。
特性図である。
【図４】本発明の他の実施形態に使用する画素単位を説
明するための構造図である。
明するための構造図である。
【図５】本発明の他の実施形態の反射特性を説明するた
めの特性図である。
めの特性図である。
【図６】本発明の他の実施形態に使用する画素単位を説
明するための構造図である。
明するための構造図である。
【図７】本発明の他の実施形態の反射特性を説明するた
めの特性図である。
めの特性図である。
【図８】従来例に使用する画素単位を説明するための構
造図である。
造図である。
【図９】従来例の反射特性を説明するための特性図であ
る。
る。
１１…光電変換部
１２…画素単位
１３…フォトダイオード
１４…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１５…蓄積用コンデンサ
１６…制御回路
１７…制御ライン
１８…データライン
１９…電荷増幅器
２０…並列／直列変換器
２１…アナログデジタル変換器
３１…絶縁基板
３２…絶縁膜
３３…半導体膜
３４…下部電極
３５…上部電極
３６…平坦化層
３７…スルーホール
３８…シンチレータ層
３９…反射防止部材
４０…光反射部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 JJ05 JJ09
4M118 AA10 AB01 BA05 CA03 CA19
CA40 CB06 CB11 FB03 FB09
FB13 FB16 FB24 FB25
Claims (8)
- 【請求項１】 入射Ｘ線を光に変換するＸ線光変換部
と、このＸ線光変換部から電極部分を通して入力する前
記光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷
を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に蓄積された前記信号
電荷の読み出しを制御するスイッチング部とを具備した
Ｘ線検出器において、前記Ｘ線光変換部と前記電極との
間に、前記Ｘ線光変換部および前記電極のそれぞれと材
料が相違する反射防止部材からなる少なくとも１つの層
を設けたことを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項２】 入射Ｘ線を光に変換するＸ線光変換部
と、このＸ線光変換部から電極部分を通して入力する前
記光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷
を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に蓄積された前記信号
電荷の読み出しを制御するスイッチング部とを具備した
Ｘ線検出器において、前記Ｘ線光変換部と前記電極との
隙間が、前記Ｘ線光変換部の屈折率と前記電極の屈折率
との中間の屈折率をもつ反射防止部材で満たされている
ことを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項３】 入射Ｘ線を光に変換するＸ線光変換部
と、このＸ線光変換部から電極部分を通して入力する前
記光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷
を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に蓄積された前記信号
電荷の読み出しを制御するスイッチング部とを具備した
Ｘ線検出器において、前記Ｘ線光変換部と前記電極との
隙間が、前記Ｘ線光変換部とほぼ同じ屈折率をもつ反射
防止部材で満たされていることを特徴とするＸ線検出
器。 - 【請求項４】 入射Ｘ線を光に変換するＸ線光変換部
と、このＸ線光変換部から電極部分を通して入力する前
記光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷
を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に蓄積された前記信号
電荷の読み出しを制御するスイッチング部とを具備した
Ｘ線検出器において、前記Ｘ線光変換部と前記電極との
隙間が、前記電極とほぼ同じ屈折率をもつ反射防止部材
で満たされていることを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項５】 入射Ｘ線を光に変換するＸ線光変換部
と、このＸ線光変換部から電極部分を通して入力する前
記光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷
を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に蓄積された前記信号
電荷の読み出しを制御するスイッチング部とを具備した
Ｘ線検出器において、前記Ｘ線光変換部の前記電極側の
表面に反射防止層が設けられ、かつ、前記反射防止層の
屈折率が、前記反射防止層および前記電極間の隙間を充
填する材料の屈折率と前記Ｘ線光変換部の屈折率との中
間の値をもつことを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項６】 入射Ｘ線を光に変換するＸ線光変換部
と、このＸ線光変換部から電極部分を通して入力する前
記光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷
を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に蓄積された前記信号
電荷の読み出しを制御するスイッチング部とを具備した
Ｘ線検出器において、前記電極の前記Ｘ線光変換部側の
表面に反射防止層が設けられ、かつ、前記反射防止層の
屈折率が、前記反射防止層および前記Ｘ線光変換部間の
隙間を充填する材料の屈折率と前記電極の屈折率との中
間の値をもつことを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項７】 入射Ｘ線を光に変換するＸ線光変換部
と、このＸ線光変換部から電極部分を通して入力する前
記光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷
を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に蓄積された前記信号
電荷の読み出しを制御するスイッチング部とを具備した
Ｘ線検出器において、前記Ｘ線光変換部の前記電極側の
表面に第１反射防止層が設けられ、かつ、前記第１反射
防止層と前記電極との隙間が前記電極とほぼ同じ屈折率
の第２反射防止層で満たされ、前記第１反射防止層の屈
折率が、前記Ｘ線光変換部の屈折率と前記第２反射防止
層の屈折率との中間の値をもつことを特徴とするＸ線検
出器。 - 【請求項８】 入射Ｘ線を光に変換するＸ線光変換部
と、このＸ線光変換部から電極部分を通して入力する前
記光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記信号電荷
を蓄積する蓄積部と、この蓄積部に蓄積された前記信号
電荷の読み出しを制御するスイッチング部とを具備した
Ｘ線検出器において、前記電極の前記Ｘ線光変換部側の
表面に第１反射防止層が設けられ、かつ、前記第１反射
防止層と前記Ｘ線光変換部との隙間が前記Ｘ線光変換部
とほぼ同じ屈折率の第２反射防止層で満たされ、第１反
射防止層の屈折率が、前記電極の屈折率と前記第２反射
防止層の屈折率との中間の値をもつことを特徴とするＸ
線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002016799A JP2003215255A (ja) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | Ｘ線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002016799A JP2003215255A (ja) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | Ｘ線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003215255A true JP2003215255A (ja) | 2003-07-30 |
Family
ID=27652741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002016799A Pending JP2003215255A (ja) | 2002-01-25 | 2002-01-25 | Ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003215255A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7671435B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| JP2012211781A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Sony Corp | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
| JPWO2016063451A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2017-08-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
| JP2023065433A (ja) * | 2014-06-11 | 2023-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
-
2002
- 2002-01-25 JP JP2002016799A patent/JP2003215255A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7671435B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| US10249677B2 (en) | 2005-09-29 | 2019-04-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| US11094732B2 (en) | 2005-09-29 | 2021-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| US11152419B2 (en) | 2005-09-29 | 2021-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| US11862660B2 (en) | 2005-09-29 | 2024-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Pixel having two semiconductor layers, image sensor including the pixel, and image processing system including the image sensor |
| JP2012211781A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Sony Corp | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム |
| JP2023065433A (ja) * | 2014-06-11 | 2023-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
| JP7406660B2 (ja) | 2014-06-11 | 2023-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
| JPWO2016063451A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2017-08-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6707066B2 (en) | Radiation image pick-up device | |
| US9588235B2 (en) | X-ray imager with CMOS sensor embedded in TFT flat panel | |
| US8785867B2 (en) | Radiation detector, imaging device and electrode structure thereof, and method for acquiring an image | |
| US11504079B2 (en) | Hybrid active matrix flat panel detector system and method | |
| CN108962928B (zh) | 一种探测面板及探测装置 | |
| CN102918418A (zh) | 放射线成像装置 | |
| TWI227562B (en) | Photoelectric conversion device, image scanning apparatus, and manufacturing method of the photoelectric conversion device | |
| US20130048960A1 (en) | Photoelectric conversion substrate, radiation detector, and radiographic image capture device | |
| CN110945659B (zh) | 辐射探测器、操作辐射探测器的方法以及制造辐射探测器的方法 | |
| JPH0210287A (ja) | マトリックス構造を備えた画像検出器 | |
| US6354595B1 (en) | Method for tight sealing of a radiation detector and detector obtained by this method | |
| US20110284749A1 (en) | Radiation detector | |
| JP2004317300A (ja) | 放射線平面検出器及びその製造方法 | |
| JP2002202373A (ja) | 平面検出器及びその製造方法 | |
| JP2003215255A (ja) | Ｘ線検出器 | |
| JP2003167060A (ja) | Ｘ線平面検出器 | |
| JPH0763859A (ja) | 放射線２次元検出器 | |
| JP2005308582A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP2004239722A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP2004163169A (ja) | 放射線検出器 | |
| US20120025190A1 (en) | Radiation detector | |
| JP2005147889A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP2007273576A (ja) | Ｘ線検出器 | |
| JP2005030806A (ja) | 放射線検出器及びその製造方法 | |
| JP2002158343A (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法 |