JP2003209087A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JP2003209087A JP2003209087A JP2002293790A JP2002293790A JP2003209087A JP 2003209087 A JP2003209087 A JP 2003209087A JP 2002293790 A JP2002293790 A JP 2002293790A JP 2002293790 A JP2002293790 A JP 2002293790A JP 2003209087 A JP2003209087 A JP 2003209087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning
- cleaning liquid
- liquid
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 597
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 423
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 388
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 175
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 173
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 108
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 35
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 28
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims description 8
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 128
- 101100441413 Caenorhabditis elegans cup-15 gene Proteins 0.000 abstract description 15
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000003599 detergent Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 54
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 36
- 239000002585 base Substances 0.000 description 32
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 7
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N nitric acid;hydrate Chemical compound O.O[N+]([O-])=O FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 101000608935 Homo sapiens Leukosialin Proteins 0.000 description 1
- 102100039564 Leukosialin Human genes 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/20—Mixing gases with liquids
- B01F23/21—Mixing gases with liquids by introducing liquids into gaseous media
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
- B01F23/20—Mixing gases with liquids
- B01F23/29—Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
- B01F25/30—Injector mixers
- B01F25/31—Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows
- B01F25/314—Injector mixers in conduits or tubes through which the main component flows wherein additional components are introduced at the circumference of the conduit
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄ミストが基板に吐出されることによって
生じる障害を抑制しつつ、洗浄ミストと洗浄液とが干渉
することによって発生する洗浄ミストの飛散を防止する
ことができる基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 洗浄ミストを吐出するソフトスプレーノ
ズル３０は、鉛直方向に向けられてアーム２１に固設さ
れている。一方、障害を抑制するためのリンス純水を吐
出するリンスノズル４０は、ソフトスプレーノズル３０
から所定の距離をおいてアーム２１に鉛直方向に向けて
固設されている。洗浄処理中は、両ノズル３０，４０は
相対的な配置関係を保持されたまま洗浄液を吐出するこ
ととなる。したがって、吐出される洗浄ミストおよびリ
ンス純水は基板Ｗに着液する以前に干渉することはな
く、使用された洗浄液は全て水平方向へ飛び出しカップ
１５に回収される。これにより、洗浄ミストが飛散して
周囲に付着することが防止される。
生じる障害を抑制しつつ、洗浄ミストと洗浄液とが干渉
することによって発生する洗浄ミストの飛散を防止する
ことができる基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 洗浄ミストを吐出するソフトスプレーノ
ズル３０は、鉛直方向に向けられてアーム２１に固設さ
れている。一方、障害を抑制するためのリンス純水を吐
出するリンスノズル４０は、ソフトスプレーノズル３０
から所定の距離をおいてアーム２１に鉛直方向に向けて
固設されている。洗浄処理中は、両ノズル３０，４０は
相対的な配置関係を保持されたまま洗浄液を吐出するこ
ととなる。したがって、吐出される洗浄ミストおよびリ
ンス純水は基板Ｗに着液する以前に干渉することはな
く、使用された洗浄液は全て水平方向へ飛び出しカップ
１５に回収される。これにより、洗浄ミストが飛散して
周囲に付着することが防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回転基台上に保持
された半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォト
マスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に
「基板」と称する）を略水平面内にて回転させつつ所定
の処理を施す基板処理装置に関する。
された半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォト
マスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に
「基板」と称する）を略水平面内にて回転させつつ所定
の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、上記基板の製造プロセスにおい
ては基板の表面をきわめて高い清浄度に保つ必要がある
ために、製造プロセスにおける種々の工程ごとに、基板
面に付着している微粒子（パーティクル）を除去する等
の洗浄処理がなされている。
ては基板の表面をきわめて高い清浄度に保つ必要がある
ために、製造プロセスにおける種々の工程ごとに、基板
面に付着している微粒子（パーティクル）を除去する等
の洗浄処理がなされている。
【０００３】このような洗浄処理の一方式として、二流
体ノズルを用いて洗浄液と加圧された気体とを混合して
霧状とした洗浄ミストを基板に向けて吐出する洗浄方式
が知られている。
体ノズルを用いて洗浄液と加圧された気体とを混合して
霧状とした洗浄ミストを基板に向けて吐出する洗浄方式
が知られている。
【０００４】この洗浄方式は、基板に直接的に接触する
ことはないため、パターンなどの物理的な損傷を発生さ
せることなく基板を洗浄することが可能である。また、
気体の流量を調節することにより、洗浄ミストの吐出速
度を比較的大きな可変幅（３０ｍ／ｓから音速程度ま
で）でコントロールすることができるため、吐出速度を
コントロールすることにより対象基板に応じた洗浄を行
うことが可能である。
ことはないため、パターンなどの物理的な損傷を発生さ
せることなく基板を洗浄することが可能である。また、
気体の流量を調節することにより、洗浄ミストの吐出速
度を比較的大きな可変幅（３０ｍ／ｓから音速程度ま
で）でコントロールすることができるため、吐出速度を
コントロールすることにより対象基板に応じた洗浄を行
うことが可能である。
【０００５】例えば、洗浄ミストの吐出速度を音速程度
まであげてやれば、酸やアルカリなどを洗浄液として使
用せずとも純水のみを洗浄液として使用するだけで十分
な洗浄効果を得ることができ、逆に、吐出速度を比較的
低下させてやれば、対象基板に与えるダメージを比較的
小さくすることができる。
まであげてやれば、酸やアルカリなどを洗浄液として使
用せずとも純水のみを洗浄液として使用するだけで十分
な洗浄効果を得ることができ、逆に、吐出速度を比較的
低下させてやれば、対象基板に与えるダメージを比較的
小さくすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば対象
基板の表面が疎水性である場合に上記洗浄方式による洗
浄を施すと、ウォーターマーク状の欠陥が発生し、却っ
て異物を増加させてしまうことが判明した。この欠陥
は、回転による遠心力が比較的大きくなる基板の周縁部
となるほど多数発生する。
基板の表面が疎水性である場合に上記洗浄方式による洗
浄を施すと、ウォーターマーク状の欠陥が発生し、却っ
て異物を増加させてしまうことが判明した。この欠陥
は、回転による遠心力が比較的大きくなる基板の周縁部
となるほど多数発生する。
【０００７】この原因につき発明者が鋭意研究したとこ
ろ、洗浄液と加圧された気体とを混合して霧状とした洗
浄ミストを基板に吐出する洗浄方式においては、基板上
に着液した洗浄ミストが跳ね返り、再度基板上に付着
し、この洗浄方式における洗浄液の流量も少ないことも
一つの要因となってそのまま乾燥してしまうことによ
り、ウォーターマーク状の欠陥が発生することをつきと
めた。
ろ、洗浄液と加圧された気体とを混合して霧状とした洗
浄ミストを基板に吐出する洗浄方式においては、基板上
に着液した洗浄ミストが跳ね返り、再度基板上に付着
し、この洗浄方式における洗浄液の流量も少ないことも
一つの要因となってそのまま乾燥してしまうことによ
り、ウォーターマーク状の欠陥が発生することをつきと
めた。
【０００８】そして、このウォーターマーク状の欠陥
は、二流体ノズルから純水ミストを供給する場合に限ら
れず、ポリマー等の反応生成物の除去で使用される除去
液や、基板洗浄において使用されるフッ酸等の酸性溶液
や、アンモニア水と過酸化水素水との混合液等のアルカ
リ性溶液を、洗浄液として二流体ノズルから基板に対し
て供給する場合も同様に発生する。
は、二流体ノズルから純水ミストを供給する場合に限ら
れず、ポリマー等の反応生成物の除去で使用される除去
液や、基板洗浄において使用されるフッ酸等の酸性溶液
や、アンモニア水と過酸化水素水との混合液等のアルカ
リ性溶液を、洗浄液として二流体ノズルから基板に対し
て供給する場合も同様に発生する。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、洗浄ミストを基板に吐出する洗浄方式において、
ウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止できる
基板洗浄装置を提供することを目的とする。
あり、洗浄ミストを基板に吐出する洗浄方式において、
ウォーターマーク状の欠陥が発生することを防止できる
基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
請求項１に記載の発明は、回転基台上に保持された基板
を略水平面内にて回転させつつ洗浄する基板処理装置で
あって、第１の洗浄液を前記基板上に吐出して、前記基
板上に液膜を形成する第１の吐出手段と、移動されつ
つ、前記液膜が形成された前記基板上に、第２の洗浄液
と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを
吐出する第２の吐出手段と、を備えることを特徴とす
る。
請求項１に記載の発明は、回転基台上に保持された基板
を略水平面内にて回転させつつ洗浄する基板処理装置で
あって、第１の洗浄液を前記基板上に吐出して、前記基
板上に液膜を形成する第１の吐出手段と、移動されつ
つ、前記液膜が形成された前記基板上に、第２の洗浄液
と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを
吐出する第２の吐出手段と、を備えることを特徴とす
る。
【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、前記第１の吐出手段は、基板
上の所定の領域に第１の洗浄液の液膜が形成されるよう
に移動され、前記第２の吐出手段は、前記洗浄ミストの
前記基板上の着液地点が前記基板の回転中心を通るよう
に移動されるものであって、前記第１および第２の吐出
手段は、前記第１の洗浄液と前記洗浄ミストとが前記基
板上に着液する以前に干渉することがないように移動さ
れることを特徴とする。
の基板処理装置において、前記第１の吐出手段は、基板
上の所定の領域に第１の洗浄液の液膜が形成されるよう
に移動され、前記第２の吐出手段は、前記洗浄ミストの
前記基板上の着液地点が前記基板の回転中心を通るよう
に移動されるものであって、前記第１および第２の吐出
手段は、前記第１の洗浄液と前記洗浄ミストとが前記基
板上に着液する以前に干渉することがないように移動さ
れることを特徴とする。
【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の基板処理装置において、前記第１および第２の吐出手
段は、それぞれからの前記基板上の着液地点が所定以上
の距離を保持するように移動されることを特徴とする。
の基板処理装置において、前記第１および第２の吐出手
段は、それぞれからの前記基板上の着液地点が所定以上
の距離を保持するように移動されることを特徴とする。
【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記第１の吐出手段は、前記第１の洗浄液を略鉛直方向に
吐出することを特徴とする。
請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記第１の吐出手段は、前記第１の洗浄液を略鉛直方向に
吐出することを特徴とする。
【００１４】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記洗浄ミストおよび前記第１の洗浄液が前記基板に着液
する以前に接触することを防止する遮蔽手段、をさらに
備えることを特徴とする。
請求項４のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記洗浄ミストおよび前記第１の洗浄液が前記基板に着液
する以前に接触することを防止する遮蔽手段、をさらに
備えることを特徴とする。
【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項１ないし
請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記第１および第２の吐出手段の双方を一体的に移動させ
る移動手段、をさらに備え、前記第１および第２の吐出
手段のそれぞれは、前記移動手段によりそれぞれからの
前記基板上の着液地点が所定の距離を保持するように移
動されることを特徴とする。
請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記第１および第２の吐出手段の双方を一体的に移動させ
る移動手段、をさらに備え、前記第１および第２の吐出
手段のそれぞれは、前記移動手段によりそれぞれからの
前記基板上の着液地点が所定の距離を保持するように移
動されることを特徴とする。
【００１６】請求項７に記載の発明は、請求項６に記載
の基板処理装置において、前記移動手段は、前記第２の
吐出手段が少なくとも前記基板の回転中心と前記基板の
周縁部との間を回動するように、前記第１および第２の
吐出手段の双方を回動させるものであって、前記移動手
段によって回動される前記第１および第２の吐出手段の
それぞれの回動軌跡が略同一円周上の円弧となり、か
つ、前記第２の吐出手段が前記基板の周縁部に位置して
いるときに相対的に前記第１の吐出手段が前記基板の回
転中心側に位置するように、前記第１および第２の吐出
手段が配置されることを特徴とする。
の基板処理装置において、前記移動手段は、前記第２の
吐出手段が少なくとも前記基板の回転中心と前記基板の
周縁部との間を回動するように、前記第１および第２の
吐出手段の双方を回動させるものであって、前記移動手
段によって回動される前記第１および第２の吐出手段の
それぞれの回動軌跡が略同一円周上の円弧となり、か
つ、前記第２の吐出手段が前記基板の周縁部に位置して
いるときに相対的に前記第１の吐出手段が前記基板の回
転中心側に位置するように、前記第１および第２の吐出
手段が配置されることを特徴とする。
【００１７】請求項８に記載の発明は、請求項１ないし
請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記第１の洗浄液は、機能水であることを特徴とする。
請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記第１の洗浄液は、機能水であることを特徴とする。
【００１８】請求項９に記載の発明は、請求項１ないし
請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記第１の洗浄液は、純水であることを特徴とする。
請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記第１の洗浄液は、純水であることを特徴とする。
【００１９】請求項１０に記載の発明は、請求項１ない
し請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２の洗浄液は、酸性溶液であることを特徴とす
る。
し請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２の洗浄液は、酸性溶液であることを特徴とす
る。
【００２０】請求項１１に記載の発明は、請求項１ない
し請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２の洗浄液は、アルカリ性溶液であることを特徴
とする。
し請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２の洗浄液は、アルカリ性溶液であることを特徴
とする。
【００２１】請求項１２に記載の発明は、請求項１ない
し請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２の洗浄液は、前記基板に付着した反応生成物を
除去する除去液であることを特徴とする。
し請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２の洗浄液は、前記基板に付着した反応生成物を
除去する除去液であることを特徴とする。
【００２２】請求項１３に記載の発明は、請求項１ない
し請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記第１の洗浄液と前記第２の洗浄液とは同一の洗
浄液であることを特徴とする。
し請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記第１の洗浄液と前記第２の洗浄液とは同一の洗
浄液であることを特徴とする。
【００２３】請求項１４に記載の発明は、回転基台上に
保持された基板を略水平面内にて回転させつつ洗浄する
基板洗浄装置において、第１の洗浄液を前記基板上に吐
出して前記基板上に液膜を形成する第１の吐出手段と、
前記液膜が形成された基板上に、第２の洗浄液と加圧さ
れた気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する
第２の吐出手段と、前記第１および第２の吐出手段が所
定の間隔を隔てて先端に固設されたアームと、前記第１
および第２の吐出手段の双方が前記基板の回転中心を通
るように前記アームを回動させる回動手段と、を備える
ことを特徴とする。
保持された基板を略水平面内にて回転させつつ洗浄する
基板洗浄装置において、第１の洗浄液を前記基板上に吐
出して前記基板上に液膜を形成する第１の吐出手段と、
前記液膜が形成された基板上に、第２の洗浄液と加圧さ
れた気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する
第２の吐出手段と、前記第１および第２の吐出手段が所
定の間隔を隔てて先端に固設されたアームと、前記第１
および第２の吐出手段の双方が前記基板の回転中心を通
るように前記アームを回動させる回動手段と、を備える
ことを特徴とする。
【００２４】請求項１５に記載の発明は、請求項１４に
記載の基板洗浄装置において、前記回動手段は、前記第
２の吐出手段が少なくとも前記基板の回転中心と前記基
板の周縁部との間を回動するように、前記アームを回動
させるものであって、前記回動手段によって回動される
前記第１および第２の吐出手段のそれぞれの回動軌跡が
略同一円周上の円弧となり、かつ、前記第２の吐出手段
が前記基板の周縁部に位置しているときに相対的に前記
第１の吐出手段が前記基板の回転中心側に位置するよう
に、前記第１および第２の吐出手段が配置されることを
特徴とする。
記載の基板洗浄装置において、前記回動手段は、前記第
２の吐出手段が少なくとも前記基板の回転中心と前記基
板の周縁部との間を回動するように、前記アームを回動
させるものであって、前記回動手段によって回動される
前記第１および第２の吐出手段のそれぞれの回動軌跡が
略同一円周上の円弧となり、かつ、前記第２の吐出手段
が前記基板の周縁部に位置しているときに相対的に前記
第１の吐出手段が前記基板の回転中心側に位置するよう
に、前記第１および第２の吐出手段が配置されることを
特徴とする。
【００２５】請求項１６に記載の発明は、請求項１４ま
たは請求項１５に記載の基板洗浄装置において、前記第
１の洗浄液は、純水であり、前記第２の洗浄液は、純水
であることを特徴とする。
たは請求項１５に記載の基板洗浄装置において、前記第
１の洗浄液は、純水であり、前記第２の洗浄液は、純水
であることを特徴とする。
【００２６】請求項１７に記載の発明は、回転基台上に
保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基
板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置におい
て、前記基板に第１の洗浄液と第２の洗浄液とを吐出し
て前記基板に付着した反応生成物を除去する第１の洗浄
液供給手段と、前記基板に第３の洗浄液と第４の洗浄液
とを吐出して前記基板を洗浄する第２の洗浄液供給手段
と、を備え,前記第１の洗浄液供給手段は、前記第１の
洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第１の
洗浄液の液膜を形成する第１の吐出手段と、前記第１の
洗浄液の液膜が形成された基板上に、第２の洗浄液と加
圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出
する第２の吐出手段と、を有し、前記第２の洗浄手段
は、前記第３の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板
上に前記第３の洗浄液の液膜を形成する第３の吐出手段
と、前記第３の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第
４の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗
浄ミストを吐出する第４の吐出手段と、を有することを
特徴とする。
保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基
板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置におい
て、前記基板に第１の洗浄液と第２の洗浄液とを吐出し
て前記基板に付着した反応生成物を除去する第１の洗浄
液供給手段と、前記基板に第３の洗浄液と第４の洗浄液
とを吐出して前記基板を洗浄する第２の洗浄液供給手段
と、を備え,前記第１の洗浄液供給手段は、前記第１の
洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に前記第１の
洗浄液の液膜を形成する第１の吐出手段と、前記第１の
洗浄液の液膜が形成された基板上に、第２の洗浄液と加
圧された気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出
する第２の吐出手段と、を有し、前記第２の洗浄手段
は、前記第３の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板
上に前記第３の洗浄液の液膜を形成する第３の吐出手段
と、前記第３の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第
４の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗
浄ミストを吐出する第４の吐出手段と、を有することを
特徴とする。
【００２７】請求項１８に記載の発明は、請求項１７に
記載の基板処理装置において、前記第１の洗浄液と前記
第２の洗浄液とは同一の洗浄液であることを特徴とす
る。
記載の基板処理装置において、前記第１の洗浄液と前記
第２の洗浄液とは同一の洗浄液であることを特徴とす
る。
【００２８】請求項１９に記載の発明は、請求項１７ま
たは請求項１８に記載の基板処理装置において、前記第
３の洗浄液と前記第４の洗浄液とは同一の洗浄液である
ことを特徴とする。
たは請求項１８に記載の基板処理装置において、前記第
３の洗浄液と前記第４の洗浄液とは同一の洗浄液である
ことを特徴とする。
【００２９】請求項２０に記載の発明は、請求項１７な
いし請求項１９のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記第１の洗浄液は、ポリマー除去液であり、前記
第３の洗浄液は、純水であることを特徴とする。
いし請求項１９のいずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記第１の洗浄液は、ポリマー除去液であり、前記
第３の洗浄液は、純水であることを特徴とする。
【００３０】請求項２１に記載の発明は、回転基台上に
保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基
板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置におい
て、前記基板に第１の洗浄液を吐出して前記基板に付着
した反応生成物を除去する第１の吐出手段と、前記基板
に第２の洗浄液と第３の洗浄液とを吐出して前記基板を
洗浄する洗浄液供給手段と、を備え,前記洗浄液供給手
段は、前記第２の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基
板上に前記第２の洗浄液の液膜を形成する第２の吐出手
段と、前記第２の洗浄液の液膜が形成された基板上に、
第３の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される
洗浄ミストを吐出する第３の吐出手段と、を有すること
を特徴とする。
保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基
板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置におい
て、前記基板に第１の洗浄液を吐出して前記基板に付着
した反応生成物を除去する第１の吐出手段と、前記基板
に第２の洗浄液と第３の洗浄液とを吐出して前記基板を
洗浄する洗浄液供給手段と、を備え,前記洗浄液供給手
段は、前記第２の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基
板上に前記第２の洗浄液の液膜を形成する第２の吐出手
段と、前記第２の洗浄液の液膜が形成された基板上に、
第３の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される
洗浄ミストを吐出する第３の吐出手段と、を有すること
を特徴とする。
【００３１】請求項２２に記載の発明は、回転基台上に
保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基
板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置におい
て、前記基板に第１の洗浄液と第２の洗浄液とを吐出
し、前記第１の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板
上に前記第１の洗浄液の液膜を形成する第１の吐出手段
と、前記第１の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第
２の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗
浄ミストを吐出する第２の吐出手段と、を有して前記基
板に付着した有機物を除去する洗浄液供給手段と、前記
基板に第３の洗浄液を吐出して前記基板を洗浄する第３
の吐出手段と、を備えることを特徴する。
保持された基板を略水平面内にて回転させつつ、前記基
板に付着した反応生成物を除去する基板処理装置におい
て、前記基板に第１の洗浄液と第２の洗浄液とを吐出
し、前記第１の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板
上に前記第１の洗浄液の液膜を形成する第１の吐出手段
と、前記第１の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第
２の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗
浄ミストを吐出する第２の吐出手段と、を有して前記基
板に付着した有機物を除去する洗浄液供給手段と、前記
基板に第３の洗浄液を吐出して前記基板を洗浄する第３
の吐出手段と、を備えることを特徴する。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００３３】＜１．第１の実施の形態＞図１は、本発明
の第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示
す図である。基板洗浄装置２００は、二流体ノズルを用
いて洗浄液と加圧された気体とを混合して霧状とした洗
浄ミストを基板に向けて吐出する洗浄方式によって、基
板を洗浄する枚葉式の基板洗浄装置である。また、基板
洗浄装置２００は、上述したウォーターマーク状の欠陥
の発生を抑制するために、洗浄ミストが吐出される基板
表面を覆う洗浄液として純水（以下、「リンス純水」と
もいう。）を吐出するようになっている。なお、本明細
書において、洗浄液とは、純水、フッ酸等の酸性溶液、
ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水との混合液）等の
アルカリ性溶液、純水にオゾンや水素を溶解させた機能
水、および、基板に付着したポリマー等の反応生成物を
除去する有機アミン系除去液やフッ化アンモン系除去液
等など、基板表面の浄化に用いられる液体一般を意味す
る。また、以下において、基板に対して吐出される洗浄
ミストおよびリンス純水を総称する場合は「処理液」と
称することとする。
の第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の概略構成を示
す図である。基板洗浄装置２００は、二流体ノズルを用
いて洗浄液と加圧された気体とを混合して霧状とした洗
浄ミストを基板に向けて吐出する洗浄方式によって、基
板を洗浄する枚葉式の基板洗浄装置である。また、基板
洗浄装置２００は、上述したウォーターマーク状の欠陥
の発生を抑制するために、洗浄ミストが吐出される基板
表面を覆う洗浄液として純水（以下、「リンス純水」と
もいう。）を吐出するようになっている。なお、本明細
書において、洗浄液とは、純水、フッ酸等の酸性溶液、
ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水との混合液）等の
アルカリ性溶液、純水にオゾンや水素を溶解させた機能
水、および、基板に付着したポリマー等の反応生成物を
除去する有機アミン系除去液やフッ化アンモン系除去液
等など、基板表面の浄化に用いられる液体一般を意味す
る。また、以下において、基板に対して吐出される洗浄
ミストおよびリンス純水を総称する場合は「処理液」と
称することとする。
【００３４】図に示すように、スピンベース１００の上
面には、複数のチャックピン１０１が立設されている。
複数のチャックピン１０１のそれぞれが基板Ｗの周縁部
を支持することによって、その基板Ｗをスピンベース１
００から所定間隔を隔てた水平姿勢にて保持する。
面には、複数のチャックピン１０１が立設されている。
複数のチャックピン１０１のそれぞれが基板Ｗの周縁部
を支持することによって、その基板Ｗをスピンベース１
００から所定間隔を隔てた水平姿勢にて保持する。
【００３５】スピンベース１００の中心部下面側には回
転軸１１０が垂設されている。回転軸１１０は、図外の
回転駆動機構によって回転自在とされている。回転軸１
１０が回転されることにより、スピンベース１００およ
びそれに保持された基板Ｗも水平面内にて鉛直方向に沿
った軸を中心として回転される。また、スピンベース１
００およびそれに保持された基板Ｗの周囲を取り囲むよ
うにカップ１０３が配置されている。
転軸１１０が垂設されている。回転軸１１０は、図外の
回転駆動機構によって回転自在とされている。回転軸１
１０が回転されることにより、スピンベース１００およ
びそれに保持された基板Ｗも水平面内にて鉛直方向に沿
った軸を中心として回転される。また、スピンベース１
００およびそれに保持された基板Ｗの周囲を取り囲むよ
うにカップ１０３が配置されている。
【００３６】ソフトスプレーノズル３０は、図外の窒素
ガス供給源および純水供給源からそれぞれ供給される窒
素ガス（Ｎ２）および純水を混合することにより洗浄ミ
ストを形成し基板Ｗに対して吐出する二流体ノズルであ
る。
ガス供給源および純水供給源からそれぞれ供給される窒
素ガス（Ｎ２）および純水を混合することにより洗浄ミ
ストを形成し基板Ｗに対して吐出する二流体ノズルであ
る。
【００３７】図２は、ソフトスプレーノズル３０の断面
概略図である。図に示すように、ソフトスプレーノズル
３０は純水Ｓが供給される洗浄液導入管３２内に、窒素
ガスＧが供給されるガス導入管３３が挿入された二重管
構造となっている。また、洗浄液導入管３２内のガス導
入管３３端部より下流側は、窒素ガスＧと純水Ｓとが混
合される混合部３４となっている。
概略図である。図に示すように、ソフトスプレーノズル
３０は純水Ｓが供給される洗浄液導入管３２内に、窒素
ガスＧが供給されるガス導入管３３が挿入された二重管
構造となっている。また、洗浄液導入管３２内のガス導
入管３３端部より下流側は、窒素ガスＧと純水Ｓとが混
合される混合部３４となっている。
【００３８】洗浄ミストＭは、加圧された窒素ガスＧと
純水Ｓとが混合部３４において混合されることにより形
成される。形成された洗浄ミストＭは、混合部３４の下
流側の加速管３５によって加速され、吐出孔３１から吐
出される。
純水Ｓとが混合部３４において混合されることにより形
成される。形成された洗浄ミストＭは、混合部３４の下
流側の加速管３５によって加速され、吐出孔３１から吐
出される。
【００３９】ソフトスプレーノズル３０の周囲には、洗
浄ミストの拡散を防止するための遮蔽板１１３が設けら
れている。ソフトスプレーノズル３０は、図示を省略す
る揺動アームに固設されており、揺動アームによって基
板の回転中心と周縁部との間を揺動される。基板Ｗは回
転しているため、洗浄ミストは基板Ｗの全体に対して吐
出されることとなる。
浄ミストの拡散を防止するための遮蔽板１１３が設けら
れている。ソフトスプレーノズル３０は、図示を省略す
る揺動アームに固設されており、揺動アームによって基
板の回転中心と周縁部との間を揺動される。基板Ｗは回
転しているため、洗浄ミストは基板Ｗの全体に対して吐
出されることとなる。
【００４０】一方、リンスノズル１１２は、基板Ｗの表
面を覆うように基板Ｗに対して純水を吐出するものであ
る。リンスノズル１１２は、図示を省略する支持アーム
によってその吐出孔を基板の回転中心に向けた傾斜姿勢
で支持される。基板の回転中心へ向けて吐出された純水
は着液後、回転の遠心力により基板の周縁部側へ拡がる
ため、基板Ｗの表面全体は純水で覆われる。
面を覆うように基板Ｗに対して純水を吐出するものであ
る。リンスノズル１１２は、図示を省略する支持アーム
によってその吐出孔を基板の回転中心に向けた傾斜姿勢
で支持される。基板の回転中心へ向けて吐出された純水
は着液後、回転の遠心力により基板の周縁部側へ拡がる
ため、基板Ｗの表面全体は純水で覆われる。
【００４１】これにより、洗浄ミストは純水で覆われ
た、即ち純水の液膜が形成された基板Ｗの表面上に吐出
されることとなり、基板上で跳ね返った洗浄ミストが基
板上に直接再付着して乾燥することが防止され、上記の
ウォーターマーク状の欠陥の発生が抑制されることとな
る。
た、即ち純水の液膜が形成された基板Ｗの表面上に吐出
されることとなり、基板上で跳ね返った洗浄ミストが基
板上に直接再付着して乾燥することが防止され、上記の
ウォーターマーク状の欠陥の発生が抑制されることとな
る。
【００４２】＜２．第２の実施の形態＞次に、本発明の
第２の実施の形態に係る基板洗浄装置について、図３に
基づき説明する。なお、第１の実施の形態の基板洗浄装
置２００と同様の構成部分については、同一の符号を付
している。
第２の実施の形態に係る基板洗浄装置について、図３に
基づき説明する。なお、第１の実施の形態の基板洗浄装
置２００と同様の構成部分については、同一の符号を付
している。
【００４３】図に示すように、基板洗浄装置１は、主と
して基板Ｗを洗浄する基板洗浄部５０と、基板洗浄部５
０に対して不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）および洗
浄液となる純水を供給する処理液供給部６０と、基板洗
浄装置１全体を制御するコントローラ７０とを備えてい
る。
して基板Ｗを洗浄する基板洗浄部５０と、基板洗浄部５
０に対して不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）および洗
浄液となる純水を供給する処理液供給部６０と、基板洗
浄装置１全体を制御するコントローラ７０とを備えてい
る。
【００４４】基板洗浄部５０は、主として基板Ｗを保持
して回転させる基板回転機構１０と、基板回転機構１０
に保持された基板Ｗに対して処理液を吐出する処理液吐
出機構２０とから構成される。基板回転機構１０は、基
板Ｗを保持するスピンベース１１と、スピンベース１１
上に設けられた複数のチャックピン１２と、スピンベー
ス１１を回転させる回転モータ１４と、スピンベース１
１に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むカップ１５とを
備えている。
して回転させる基板回転機構１０と、基板回転機構１０
に保持された基板Ｗに対して処理液を吐出する処理液吐
出機構２０とから構成される。基板回転機構１０は、基
板Ｗを保持するスピンベース１１と、スピンベース１１
上に設けられた複数のチャックピン１２と、スピンベー
ス１１を回転させる回転モータ１４と、スピンベース１
１に保持された基板Ｗの周囲を取り囲むカップ１５とを
備えている。
【００４５】スピンベース１１は円盤状の部材であっ
て、その上面にはそれぞれが円形の基板Ｗの周縁部を把
持する複数のチャックピン１２が立設されている。チャ
ックピン１２は円形の基板Ｗを確実に保持するために３
個以上設けてあればよい。なお、図１では図示の便宜
上、２個のチャックピン１２のみを示している。
て、その上面にはそれぞれが円形の基板Ｗの周縁部を把
持する複数のチャックピン１２が立設されている。チャ
ックピン１２は円形の基板Ｗを確実に保持するために３
個以上設けてあればよい。なお、図１では図示の便宜
上、２個のチャックピン１２のみを示している。
【００４６】チャックピン１２のそれぞれは、基板Ｗの
外周端面を押圧して基板Ｗを保持する押圧状態と、基板
Ｗの外周端面への圧力を開放する開放状態との間で切り
替え可能である。スピンベース１１に未洗浄の基板Ｗが
渡されるとき、および、スピンベース１１から洗浄済の
基板Ｗが取り出されるときには、チャックピン１２は開
放状態とされる。一方、基板Ｗに対して洗浄処理が行わ
れるときにはチャックピン１２は押圧状態とされる。チ
ャックピン１２が押圧状態とされることにより、複数の
チャックピン１２が基板Ｗの周縁部を把持してその基板
Ｗをスピンベース１１から所定間隔を隔てた水平姿勢に
て保持する。
外周端面を押圧して基板Ｗを保持する押圧状態と、基板
Ｗの外周端面への圧力を開放する開放状態との間で切り
替え可能である。スピンベース１１に未洗浄の基板Ｗが
渡されるとき、および、スピンベース１１から洗浄済の
基板Ｗが取り出されるときには、チャックピン１２は開
放状態とされる。一方、基板Ｗに対して洗浄処理が行わ
れるときにはチャックピン１２は押圧状態とされる。チ
ャックピン１２が押圧状態とされることにより、複数の
チャックピン１２が基板Ｗの周縁部を把持してその基板
Ｗをスピンベース１１から所定間隔を隔てた水平姿勢に
て保持する。
【００４７】スピンベース１１の中心部下面側には回転
軸１３が垂設され、回転軸１３の下部には回転モータ１
４が連結されている。回転モータ１４が駆動すると、そ
の駆動力は回転軸１３に伝達され、回転軸１３、スピン
ベース１１とともにそれに保持された基板Ｗが水平面内
にて鉛直方向に沿った軸Ｊ１を中心として回転される。
なお以下、この軸Ｊ１は「基板Ｗの回転中心」Ｊ１とも
称する。
軸１３が垂設され、回転軸１３の下部には回転モータ１
４が連結されている。回転モータ１４が駆動すると、そ
の駆動力は回転軸１３に伝達され、回転軸１３、スピン
ベース１１とともにそれに保持された基板Ｗが水平面内
にて鉛直方向に沿った軸Ｊ１を中心として回転される。
なお以下、この軸Ｊ１は「基板Ｗの回転中心」Ｊ１とも
称する。
【００４８】カップ１５は、基板Ｗの洗浄に使用された
処理液を受け止め、図外の排出口へと案内するものであ
る。カップ１５は図示を省略するカップ搬送機構と連結
され、スピンベース１１に対して昇降自在とされてい
る。基板Ｗに対して洗浄処理が行われるときには、カッ
プ１５は基板Ｗの回転によって略水平方向に飛び出す処
理液を受け止められるように、カップ１５の上端が基板
Ｗの表面よりも上となるように配置される。
処理液を受け止め、図外の排出口へと案内するものであ
る。カップ１５は図示を省略するカップ搬送機構と連結
され、スピンベース１１に対して昇降自在とされてい
る。基板Ｗに対して洗浄処理が行われるときには、カッ
プ１５は基板Ｗの回転によって略水平方向に飛び出す処
理液を受け止められるように、カップ１５の上端が基板
Ｗの表面よりも上となるように配置される。
【００４９】処理液吐出機構２０は、主として、純水と
窒素ガスとを混合して霧状の洗浄ミストを形成し該洗浄
ミストを基板Ｗに対して吐出するソフトスプレーノズル
３０と、洗浄ミストが吐出される基板Ｗの表面を覆うよ
うにリンス純水を吐出するリンスノズル４０と、ソフト
スプレーノズル３０およびリンスノズル４０を保持する
アーム２１と、アーム２１を回動させる回動モータ２５
とを備えている。
窒素ガスとを混合して霧状の洗浄ミストを形成し該洗浄
ミストを基板Ｗに対して吐出するソフトスプレーノズル
３０と、洗浄ミストが吐出される基板Ｗの表面を覆うよ
うにリンス純水を吐出するリンスノズル４０と、ソフト
スプレーノズル３０およびリンスノズル４０を保持する
アーム２１と、アーム２１を回動させる回動モータ２５
とを備えている。
【００５０】アーム２１の先端部２２にはソフトスプレ
ーノズル３０およびリンスノズル４０が固設されてお
り、基端部２３には回動軸２４が垂設される。この回動
軸２４の下部には回動モータ２５が連結されている。ア
ーム２１はその長手方向が水平方向に沿うように基板Ｗ
の表面上方に配置されており、回動モータ２５が駆動す
ると、その駆動力は回動軸２４を介してアーム２１に伝
達され、アーム２１が水平面内にて鉛直方向に沿った軸
Ｊ２を中心として回動される。このアーム２１の回動動
作により、ソフトスプレーノズル３０およびリンスノズ
ル４０も、基板Ｗの表面上方を水平面内にて軸Ｊ２を中
心として回動される。なお以下、この軸Ｊ２を「アーム
２１の回動中心」Ｊ２とも称する。
ーノズル３０およびリンスノズル４０が固設されてお
り、基端部２３には回動軸２４が垂設される。この回動
軸２４の下部には回動モータ２５が連結されている。ア
ーム２１はその長手方向が水平方向に沿うように基板Ｗ
の表面上方に配置されており、回動モータ２５が駆動す
ると、その駆動力は回動軸２４を介してアーム２１に伝
達され、アーム２１が水平面内にて鉛直方向に沿った軸
Ｊ２を中心として回動される。このアーム２１の回動動
作により、ソフトスプレーノズル３０およびリンスノズ
ル４０も、基板Ｗの表面上方を水平面内にて軸Ｊ２を中
心として回動される。なお以下、この軸Ｊ２を「アーム
２１の回動中心」Ｊ２とも称する。
【００５１】リンスノズル４０は、開閉制御される制御
弁６５を介して処理液供給部６０の純水供給装置６２と
接続され、該純水供給装置６２から純水が供給される。
したがって、基板Ｗを回転させつつ、制御弁６５を開放
すると、リンスノズル４０から基板Ｗに向けて吐出され
て基板Ｗに着液した除去液は、回転の遠心力によって基
板Ｗの周縁部方向に広がり、基板Ｗの表面の一部の領域
を覆う純水の液膜を形成する。一方、ソフトスプレーノ
ズル３０は、開閉制御される制御弁６６を介して純水供
給装置６２と接続され、開閉制御される制御弁６４と圧
力調整器６３とを介して気体供給装置６１と接続され
る。圧力調整器６３は、窒素ガスの加圧や減圧などの圧
力調整を行うものである。これにより、ソフトスプレー
ノズル３０には、処理液供給部６０の純水供給装置６２
から純水が供給され、気体供給装置６１から圧力調整さ
れた窒素ガスが供給される。
弁６５を介して処理液供給部６０の純水供給装置６２と
接続され、該純水供給装置６２から純水が供給される。
したがって、基板Ｗを回転させつつ、制御弁６５を開放
すると、リンスノズル４０から基板Ｗに向けて吐出され
て基板Ｗに着液した除去液は、回転の遠心力によって基
板Ｗの周縁部方向に広がり、基板Ｗの表面の一部の領域
を覆う純水の液膜を形成する。一方、ソフトスプレーノ
ズル３０は、開閉制御される制御弁６６を介して純水供
給装置６２と接続され、開閉制御される制御弁６４と圧
力調整器６３とを介して気体供給装置６１と接続され
る。圧力調整器６３は、窒素ガスの加圧や減圧などの圧
力調整を行うものである。これにより、ソフトスプレー
ノズル３０には、処理液供給部６０の純水供給装置６２
から純水が供給され、気体供給装置６１から圧力調整さ
れた窒素ガスが供給される。
【００５２】なお、ソフトスプレーノズル３０の構成に
関しては、第１の実施の形態に係るものと同様であり、
図２の断面概略図に示された構成を備えている。
関しては、第１の実施の形態に係るものと同様であり、
図２の断面概略図に示された構成を備えている。
【００５３】コントローラ７０はマイクロコンピュータ
を備えて構成され、基板洗浄装置１の各処理部の動作を
統括的に制御する。コントローラ７０が行う動作制御に
は、上述した回転モータ１４の回転制御、回動モータ２
５の回動制御、制御弁６４〜６６の開閉制御および圧力
調整器６３の圧力調整制御等が含まれる。
を備えて構成され、基板洗浄装置１の各処理部の動作を
統括的に制御する。コントローラ７０が行う動作制御に
は、上述した回転モータ１４の回転制御、回動モータ２
５の回動制御、制御弁６４〜６６の開閉制御および圧力
調整器６３の圧力調整制御等が含まれる。
【００５４】次に、アーム２１の先端部２２に固設され
るソフトスプレーノズル３０およびリンスノズル４０の
配置関係について説明する。図４はアーム２１の先端部
２２を正面から見た一部切欠図であり、図５は先端部２
２を上側から見た図である。図４は、図５においてｙ方
向から見た場合の図に相当し、図５は図４においてｚ方
向から見た場合の図に相当する。なお、アーム２１の回
動中心Ｊ２は図５において−ｙ方向に位置する。
るソフトスプレーノズル３０およびリンスノズル４０の
配置関係について説明する。図４はアーム２１の先端部
２２を正面から見た一部切欠図であり、図５は先端部２
２を上側から見た図である。図４は、図５においてｙ方
向から見た場合の図に相当し、図５は図４においてｚ方
向から見た場合の図に相当する。なお、アーム２１の回
動中心Ｊ２は図５において−ｙ方向に位置する。
【００５５】これらの図に示すように、アーム２１の先
端部２２には、ソフトスプレーノズル３０およびリンス
ノズル４０とともに、上下貫通した筒型形状を有する遮
蔽板２６が設けられている。さらに、ソフトスプレーノ
ズル３０、リンスノズル４０および遮蔽板２６の相対的
な配置関係を固定する固定部材２７が設けられている。
固定部材２７はアーム２１に対して固設されており、こ
れにより、ソフトスプレーノズル３０、リンスノズル４
０および遮蔽板２６は相対的な配置関係を保持するよう
にアーム２１に対して固設されることとなる。
端部２２には、ソフトスプレーノズル３０およびリンス
ノズル４０とともに、上下貫通した筒型形状を有する遮
蔽板２６が設けられている。さらに、ソフトスプレーノ
ズル３０、リンスノズル４０および遮蔽板２６の相対的
な配置関係を固定する固定部材２７が設けられている。
固定部材２７はアーム２１に対して固設されており、こ
れにより、ソフトスプレーノズル３０、リンスノズル４
０および遮蔽板２６は相対的な配置関係を保持するよう
にアーム２１に対して固設されることとなる。
【００５６】遮蔽板２６は、ソフトスプレーノズル３０
の周囲を取り囲み、遮蔽板２６の下端はソフトスプレー
ノズル３０の吐出孔３１よりも下になるように配置され
る。また、リンスノズル４０は遮蔽板２６の筒外側に配
置され、ソフトスプレーノズル３０とリンスノズル４０
とは遮蔽板２６により隔てられた状態となる。これによ
り、ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１から吐出さ
れる洗浄ミストが周囲へ拡散することを防止することが
できる。さらに、ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３
１から吐出されて落下する洗浄ミストが、リンスノズル
４０から吐出されて基板Ｗに到達するまでの純水の経路
Ｐ１（図４参照）上に衝突して干渉することを防止する
ことができる。その結果、基板Ｗ上の純水の液膜が形成
されていない部分に純水ミストが着液することを防止す
ることができるため、基板Ｗ上にウォーターマーク状の
欠陥が発生することを防止することができる。
の周囲を取り囲み、遮蔽板２６の下端はソフトスプレー
ノズル３０の吐出孔３１よりも下になるように配置され
る。また、リンスノズル４０は遮蔽板２６の筒外側に配
置され、ソフトスプレーノズル３０とリンスノズル４０
とは遮蔽板２６により隔てられた状態となる。これによ
り、ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１から吐出さ
れる洗浄ミストが周囲へ拡散することを防止することが
できる。さらに、ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３
１から吐出されて落下する洗浄ミストが、リンスノズル
４０から吐出されて基板Ｗに到達するまでの純水の経路
Ｐ１（図４参照）上に衝突して干渉することを防止する
ことができる。その結果、基板Ｗ上の純水の液膜が形成
されていない部分に純水ミストが着液することを防止す
ることができるため、基板Ｗ上にウォーターマーク状の
欠陥が発生することを防止することができる。
【００５７】ソフトスプレーノズル３０およびリンスノ
ズル４０は、それぞれの吐出孔３１，４１の双方がそれ
ぞれ鉛直方向に向けて固設されている。つまり、洗浄ミ
ストおよびリンス純水の基板Ｗ上における着液地点（正
確には、それぞれの着液地点の集合の中心点）は、それ
ぞれ吐出孔３１，４１の鉛直直下の地点となる。
ズル４０は、それぞれの吐出孔３１，４１の双方がそれ
ぞれ鉛直方向に向けて固設されている。つまり、洗浄ミ
ストおよびリンス純水の基板Ｗ上における着液地点（正
確には、それぞれの着液地点の集合の中心点）は、それ
ぞれ吐出孔３１，４１の鉛直直下の地点となる。
【００５８】また、ソフトスプレーノズル３０およびリ
ンスノズル４０は、それぞれの吐出孔３１，４１が水平
方向に所定の距離Ｄを隔てた状態で配置されている。こ
れにより、洗浄ミストおよびリンス純水の基板Ｗ上にお
ける着液地点の間隔は、吐出孔３１と吐出孔４１との距
離Ｄと同一距離となる。この距離Ｄは、実測等により求
められた洗浄ミストおよびリンス純水が基板Ｗに着液す
る以前に干渉しない距離としている。すなわち、ソフト
スプレーノズル３０の吐出孔３１から吐出されて遮蔽板
２６の下端から基板Ｗに向けて拡散する洗浄ミストが、
リンスノズル４０から吐出される純水の経路Ｐ１（図４
参照）上に衝突して干渉することなく基板Ｗ上に着液す
るように距離Ｄを設定する。これにより、遮蔽板２６の
下端から拡散した洗浄ミストが、純水経路Ｐ１に干渉す
ることも防止することができるため、基板Ｗ上にウォー
ターマーク状の欠陥が発生することをさらに防止するこ
とができる。
ンスノズル４０は、それぞれの吐出孔３１，４１が水平
方向に所定の距離Ｄを隔てた状態で配置されている。こ
れにより、洗浄ミストおよびリンス純水の基板Ｗ上にお
ける着液地点の間隔は、吐出孔３１と吐出孔４１との距
離Ｄと同一距離となる。この距離Ｄは、実測等により求
められた洗浄ミストおよびリンス純水が基板Ｗに着液す
る以前に干渉しない距離としている。すなわち、ソフト
スプレーノズル３０の吐出孔３１から吐出されて遮蔽板
２６の下端から基板Ｗに向けて拡散する洗浄ミストが、
リンスノズル４０から吐出される純水の経路Ｐ１（図４
参照）上に衝突して干渉することなく基板Ｗ上に着液す
るように距離Ｄを設定する。これにより、遮蔽板２６の
下端から拡散した洗浄ミストが、純水経路Ｐ１に干渉す
ることも防止することができるため、基板Ｗ上にウォー
ターマーク状の欠陥が発生することをさらに防止するこ
とができる。
【００５９】図６は、基板洗浄部５０を上方から見た場
合の図である。図６では便宜上、基板回転機構１０は基
板Ｗのみを図示し、処理液吐出機構２０はアーム２１の
先端部２２（ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１、
リンスノズル４０の吐出孔４１および遮蔽板２６）のみ
を図示している。
合の図である。図６では便宜上、基板回転機構１０は基
板Ｗのみを図示し、処理液吐出機構２０はアーム２１の
先端部２２（ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１、
リンスノズル４０の吐出孔４１および遮蔽板２６）のみ
を図示している。
【００６０】アーム２１の回動動作により、アーム２１
の先端部２２は図６中の位置Ａと位置Ｃとの間を回動さ
れる。位置Ａは基板Ｗを移載するときの待避位置であ
り、位置Ｂおよび位置Ｃは基板Ｗを洗浄するときの処理
位置を示している。図に示すように、アーム２１の先端
部２２が位置Ａまたは位置Ｂにあるときは、リンスノズ
ル４０はソフトスプレーノズル３０より基板Ｗの回転中
心Ｊ１側に位置する。
の先端部２２は図６中の位置Ａと位置Ｃとの間を回動さ
れる。位置Ａは基板Ｗを移載するときの待避位置であ
り、位置Ｂおよび位置Ｃは基板Ｗを洗浄するときの処理
位置を示している。図に示すように、アーム２１の先端
部２２が位置Ａまたは位置Ｂにあるときは、リンスノズ
ル４０はソフトスプレーノズル３０より基板Ｗの回転中
心Ｊ１側に位置する。
【００６１】ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１お
よびリンスノズル４０の吐出孔４１は、それぞれアーム
２１の回動中心Ｊ２からの距離が同一距離Ｌとなるよう
に配置されている。すなわち、アーム２１の回動動作に
よりソフトスプレーノズル３０およびリンスノズル４０
が回動されると、それらの吐出孔３１，４１の双方の回
動軌跡は同一円周上の円弧ＣＲ１上を描く。基板回転機
構１０および処理液吐出機構２０は、この円弧ＣＲ１が
基板Ｗの回転中心Ｊ１直上を通るように配置されている
ため、洗浄ミストおよびリンス純水の基板Ｗ上の着液地
点はそれぞれ基板Ｗの回転中心を通ることとなる。
よびリンスノズル４０の吐出孔４１は、それぞれアーム
２１の回動中心Ｊ２からの距離が同一距離Ｌとなるよう
に配置されている。すなわち、アーム２１の回動動作に
よりソフトスプレーノズル３０およびリンスノズル４０
が回動されると、それらの吐出孔３１，４１の双方の回
動軌跡は同一円周上の円弧ＣＲ１上を描く。基板回転機
構１０および処理液吐出機構２０は、この円弧ＣＲ１が
基板Ｗの回転中心Ｊ１直上を通るように配置されている
ため、洗浄ミストおよびリンス純水の基板Ｗ上の着液地
点はそれぞれ基板Ｗの回転中心を通ることとなる。
【００６２】なお、図６中の位置Ｂはソフトスプレーノ
ズル３０の吐出孔３１が基板Ｗの周縁部の直上に位置し
ているときを示し、図６中の位置Ｃは吐出孔３１が基板
Ｗの回転中心Ｊ１の直上に位置しているときを示してい
る。
ズル３０の吐出孔３１が基板Ｗの周縁部の直上に位置し
ているときを示し、図６中の位置Ｃは吐出孔３１が基板
Ｗの回転中心Ｊ１の直上に位置しているときを示してい
る。
【００６３】次に、上記のような構成を有する基板洗浄
装置１における基板Ｗの洗浄動作について説明する。な
お、この動作開始前においては、アーム２１の先端部２
２は待避位置Ａに位置している。
装置１における基板Ｗの洗浄動作について説明する。な
お、この動作開始前においては、アーム２１の先端部２
２は待避位置Ａに位置している。
【００６４】まず、カップ１５を下降させることによっ
て、スピンベース１１をカップ１５から突き出させる。
この状態にて、未洗浄の基板Ｗがスピンベース１１上に
受け渡され、チャックピン１２が基板Ｗの周縁部を把持
することにより水平姿勢にて当該基板Ｗが保持される。
て、スピンベース１１をカップ１５から突き出させる。
この状態にて、未洗浄の基板Ｗがスピンベース１１上に
受け渡され、チャックピン１２が基板Ｗの周縁部を把持
することにより水平姿勢にて当該基板Ｗが保持される。
【００６５】次に、位置Ｂへアーム２１の先端部２２を
移動させる。つまり、ソフトスプレーノズル３０の吐出
孔３１を基板Ｗの周縁部の直上に位置させる。そして、
カップ１５を所定位置まで上昇させた後、スピンベース
１１とともにそれに保持された基板Ｗを一定速度で回転
させる。
移動させる。つまり、ソフトスプレーノズル３０の吐出
孔３１を基板Ｗの周縁部の直上に位置させる。そして、
カップ１５を所定位置まで上昇させた後、スピンベース
１１とともにそれに保持された基板Ｗを一定速度で回転
させる。
【００６６】この状態にて、ソフトスプレーノズル３０
からの洗浄ミストの吐出と、リンスノズル４０からのリ
ンス純水の吐出とが同時に開始される。そして、両ノズ
ル３０，４０がそれぞれ洗浄液を吐出しながら、アーム
２１の先端部２２が位置Ｂから位置Ｃまで移動される。
からの洗浄ミストの吐出と、リンスノズル４０からのリ
ンス純水の吐出とが同時に開始される。そして、両ノズ
ル３０，４０がそれぞれ洗浄液を吐出しながら、アーム
２１の先端部２２が位置Ｂから位置Ｃまで移動される。
【００６７】アーム２１の先端部２２は位置Ｃまで移動
された後は、逆方向に位置Ｂまで移動される。この位置
Ｂと位置Ｃ間の移動動作は、所定の回数繰り返される。
すなわち、ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１が、
基板Ｗの周縁部の直上と基板Ｗの回転中心Ｊ１の直上と
の間を所定の回数回動されることとなる。
された後は、逆方向に位置Ｂまで移動される。この位置
Ｂと位置Ｃ間の移動動作は、所定の回数繰り返される。
すなわち、ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１が、
基板Ｗの周縁部の直上と基板Ｗの回転中心Ｊ１の直上と
の間を所定の回数回動されることとなる。
【００６８】ソフトスプレーノズル３０から吐出される
洗浄ミストは、このようなアーム２１の先端部２２の回
動動作によって、基板Ｗの周縁部および基板Ｗの回転中
心Ｊ１間の円弧ＣＲ１直下に着液する。基板Ｗは回転し
ているため、洗浄ミストは基板Ｗ全体に対して着液する
こととなり基板Ｗの全体が洗浄される。基板Ｗに着液し
た洗浄ミストは、回転の遠心力により基板Ｗから略水平
方向に飛び出してカップ１５に受け止められ排出口へと
案内されて排出される。
洗浄ミストは、このようなアーム２１の先端部２２の回
動動作によって、基板Ｗの周縁部および基板Ｗの回転中
心Ｊ１間の円弧ＣＲ１直下に着液する。基板Ｗは回転し
ているため、洗浄ミストは基板Ｗ全体に対して着液する
こととなり基板Ｗの全体が洗浄される。基板Ｗに着液し
た洗浄ミストは、回転の遠心力により基板Ｗから略水平
方向に飛び出してカップ１５に受け止められ排出口へと
案内されて排出される。
【００６９】一方、リンスノズル４０から吐出されるリ
ンス純水は、吐出孔３１，４１の距離Ｄにより洗浄ミス
トと干渉することなく、洗浄ミストの着液地点から距離
Ｄだけ離れた地点に着液する。基板Ｗに着液した後は、
回転の遠心力によって基板Ｗの周縁部方向（基板Ｗの回
転中心Ｊ１の逆方向）に基板Ｗの表面の所定の領域を覆
って液膜を形成するように拡がる。基板Ｗの周縁部に達
するとそのまま略水平方向に飛び出してカップ１５に受
け止められ排出口へと案内されて排出される。
ンス純水は、吐出孔３１，４１の距離Ｄにより洗浄ミス
トと干渉することなく、洗浄ミストの着液地点から距離
Ｄだけ離れた地点に着液する。基板Ｗに着液した後は、
回転の遠心力によって基板Ｗの周縁部方向（基板Ｗの回
転中心Ｊ１の逆方向）に基板Ｗの表面の所定の領域を覆
って液膜を形成するように拡がる。基板Ｗの周縁部に達
するとそのまま略水平方向に飛び出してカップ１５に受
け止められ排出口へと案内されて排出される。
【００７０】アーム２１の先端部２２が位置Ｂにあると
きには、吐出孔４１が吐出孔３１よりも基板Ｗの回転中
心Ｊ１側に位置しているため、周縁部方向に拡がったリ
ンス純水は洗浄ミストの着液地点を覆う状態となり、ウ
ォーターマーク状の欠陥の発生が抑制される。
きには、吐出孔４１が吐出孔３１よりも基板Ｗの回転中
心Ｊ１側に位置しているため、周縁部方向に拡がったリ
ンス純水は洗浄ミストの着液地点を覆う状態となり、ウ
ォーターマーク状の欠陥の発生が抑制される。
【００７１】アーム２１の先端部２２が位置Ｂから位置
Ｃまで移動される間のうち、吐出孔４１が基板Ｗの回転
中心Ｊ１の直上に位置するまでは、吐出孔４１が吐出孔
３１よりも基板Ｗの回転中心Ｊ１側に位置しているた
め、洗浄ミストの着液地点はリンス純水の液膜で覆われ
た状態のままであり、同様に欠陥の発生が抑制される。
Ｃまで移動される間のうち、吐出孔４１が基板Ｗの回転
中心Ｊ１の直上に位置するまでは、吐出孔４１が吐出孔
３１よりも基板Ｗの回転中心Ｊ１側に位置しているた
め、洗浄ミストの着液地点はリンス純水の液膜で覆われ
た状態のままであり、同様に欠陥の発生が抑制される。
【００７２】吐出孔４１が基板Ｗの回転中心Ｊ１の直上
を越えた後、吐出孔４１と吐出孔３１との中間位置（正
確には、円弧ＣＲ１における中間相当位置）が基板Ｗの
回転中心Ｊ１の直上に位置するまでは、基板Ｗの回転中
心Ｊ１から吐出孔４１までの距離は基板Ｗの回転中心Ｊ
１から吐出孔３１までの距離よりも短くなる。したがっ
て、着液後周縁部方向に拡がるリンス純水は、基板Ｗが
回転することにより流れていき洗浄ミストの着液地点を
液膜で覆う状態となり、同様に欠陥の発生が抑制され
る。
を越えた後、吐出孔４１と吐出孔３１との中間位置（正
確には、円弧ＣＲ１における中間相当位置）が基板Ｗの
回転中心Ｊ１の直上に位置するまでは、基板Ｗの回転中
心Ｊ１から吐出孔４１までの距離は基板Ｗの回転中心Ｊ
１から吐出孔３１までの距離よりも短くなる。したがっ
て、着液後周縁部方向に拡がるリンス純水は、基板Ｗが
回転することにより流れていき洗浄ミストの着液地点を
液膜で覆う状態となり、同様に欠陥の発生が抑制され
る。
【００７３】吐出孔４１と吐出孔３１との中間位置が基
板Ｗの回転中心Ｊ１の直上を越え、アーム２１の先端部
２２が位置Ｃまで移動される間は、基板Ｗの回転中心Ｊ
１から吐出孔４１までの距離は基板Ｗの回転中心Ｊ１か
ら吐出孔３１までの距離よりも長くなり、リンス純水は
洗浄ミストの着液地点を一時的に覆うことはなくなる。
しかしながら、ウォーターマーク状の欠陥は、基板Ｗの
中心部より相対的に回転速度が速く乾燥しやすい基板Ｗ
の周縁部側となるほど多数発生し、基板Ｗの回転中心Ｊ
１付近は発生しないため問題となることはない。
板Ｗの回転中心Ｊ１の直上を越え、アーム２１の先端部
２２が位置Ｃまで移動される間は、基板Ｗの回転中心Ｊ
１から吐出孔４１までの距離は基板Ｗの回転中心Ｊ１か
ら吐出孔３１までの距離よりも長くなり、リンス純水は
洗浄ミストの着液地点を一時的に覆うことはなくなる。
しかしながら、ウォーターマーク状の欠陥は、基板Ｗの
中心部より相対的に回転速度が速く乾燥しやすい基板Ｗ
の周縁部側となるほど多数発生し、基板Ｗの回転中心Ｊ
１付近は発生しないため問題となることはない。
【００７４】このように、アーム２１の先端部２２が位
置Ｂから位置Ｃまで移動される間、いかなる位置にある
ときにおいても、ウォーターマーク状の欠陥の発生は抑
制されることとなる。また、アーム２１の先端部２２が
位置Ｃから位置Ｂまで移動される間においても、吐出孔
４１と吐出孔３１と基板Ｗの相対的な配置関係は同様で
あるため、欠陥の発生は同様に抑制される。すなわち、
アーム２１の先端部２２が回動されるすべてのときにお
いてウォーターマーク状の欠陥の発生が抑制されること
となる。
置Ｂから位置Ｃまで移動される間、いかなる位置にある
ときにおいても、ウォーターマーク状の欠陥の発生は抑
制されることとなる。また、アーム２１の先端部２２が
位置Ｃから位置Ｂまで移動される間においても、吐出孔
４１と吐出孔３１と基板Ｗの相対的な配置関係は同様で
あるため、欠陥の発生は同様に抑制される。すなわち、
アーム２１の先端部２２が回動されるすべてのときにお
いてウォーターマーク状の欠陥の発生が抑制されること
となる。
【００７５】また、アーム２１の先端部２２が回動され
るすべてのときにおいて、ソフトスプレーノズル３０、
リンスノズル４０および遮蔽板２６の相対的な配置関係
が保持されるため、洗浄ミストおよびリンス純水は基板
Ｗの着液前に干渉することが防止される。従って、洗浄
処理に使用された全ての処理液は、広角度にて斜め上方
に飛び出すことなく基板Ｗから略水平方向に飛び出すこ
ととなり、正確にカップ１５に受け止められ排出口へと
案内されて排出される。
るすべてのときにおいて、ソフトスプレーノズル３０、
リンスノズル４０および遮蔽板２６の相対的な配置関係
が保持されるため、洗浄ミストおよびリンス純水は基板
Ｗの着液前に干渉することが防止される。従って、洗浄
処理に使用された全ての処理液は、広角度にて斜め上方
に飛び出すことなく基板Ｗから略水平方向に飛び出すこ
ととなり、正確にカップ１５に受け止められ排出口へと
案内されて排出される。
【００７６】アーム２１の先端部２２が所定の回数回動
されると、洗浄ミストおよびリンス純水の吐出が停止さ
れる。両ノズル３０，４０からの吐出が停止された後も
基板Ｗの回転は継続され、基板Ｗに付着している水滴が
回転の遠心力によって振り切られる乾燥処理（スピンド
ライ処理）が行われる。
されると、洗浄ミストおよびリンス純水の吐出が停止さ
れる。両ノズル３０，４０からの吐出が停止された後も
基板Ｗの回転は継続され、基板Ｗに付着している水滴が
回転の遠心力によって振り切られる乾燥処理（スピンド
ライ処理）が行われる。
【００７７】所定時間のスピンドライ処理が終了する
と、スピンベース１１およびそれに保持された基板Ｗの
回転が停止される。そして、カップ１５を下降させると
ともに、アーム２１の先端部２２が待避位置Ａに移動さ
れる。この状態にて、図示を省略する搬送ロボットが洗
浄済の基板Ｗをスピンベース１１から取り出して搬出す
ることにより一連の洗浄処理が終了する。
と、スピンベース１１およびそれに保持された基板Ｗの
回転が停止される。そして、カップ１５を下降させると
ともに、アーム２１の先端部２２が待避位置Ａに移動さ
れる。この状態にて、図示を省略する搬送ロボットが洗
浄済の基板Ｗをスピンベース１１から取り出して搬出す
ることにより一連の洗浄処理が終了する。
【００７８】以上のように、本実施の形態の基板洗浄装
置１においては、ソフトスプレーノズル３０とリンスノ
ズル４０とは所定の距離を隔てた状態で保持されたまま
それぞれ洗浄ミストおよびリンス純水を吐出することと
なるため、洗浄ミストおよびリンス純水が基板Ｗへの着
液前に干渉することを防止することができる。
置１においては、ソフトスプレーノズル３０とリンスノ
ズル４０とは所定の距離を隔てた状態で保持されたまま
それぞれ洗浄ミストおよびリンス純水を吐出することと
なるため、洗浄ミストおよびリンス純水が基板Ｗへの着
液前に干渉することを防止することができる。
【００７９】また、ソフトスプレーノズル３０とリンス
ノズル４０とは遮蔽板２６により隔てられた状態とされ
るため、洗浄ミストおよびリンス純水が基板Ｗへの着液
前に干渉することをさらに効果的に防止することができ
る。
ノズル４０とは遮蔽板２６により隔てられた状態とされ
るため、洗浄ミストおよびリンス純水が基板Ｗへの着液
前に干渉することをさらに効果的に防止することができ
る。
【００８０】また、ソフトスプレーノズル３０とリンス
ノズル４０とは、それぞれ洗浄液を鉛直方向に向けて吐
出するため、吐出される洗浄液は水平方向の運動エネル
ギーを有さず、基板Ｗへ着液する際における跳ね返り等
による洗浄液の周囲への飛散を抑制することができる。
ノズル４０とは、それぞれ洗浄液を鉛直方向に向けて吐
出するため、吐出される洗浄液は水平方向の運動エネル
ギーを有さず、基板Ｗへ着液する際における跳ね返り等
による洗浄液の周囲への飛散を抑制することができる。
【００８１】これらにより、使用された全ての洗浄液は
カップ１５に正確に回収されることとなり、洗浄液が広
角度にて飛散することを防止することができる。その結
果、飛散した洗浄液が基板Ｗの搬入口や周辺機器等に付
着することに起因するパーティクル発生やデバイス不等
の問題が生じるおそれがなくなる。
カップ１５に正確に回収されることとなり、洗浄液が広
角度にて飛散することを防止することができる。その結
果、飛散した洗浄液が基板Ｗの搬入口や周辺機器等に付
着することに起因するパーティクル発生やデバイス不等
の問題が生じるおそれがなくなる。
【００８２】＜３．第３の実施の形態＞＜３．１．基板
処理装置の全体構成＞ここでは、第３の実施の形態にお
ける基板処理装置の全体構成について説明する。図８
は、本発明の第３の実施の形態における基板処理装置３
００を模式的に示す図である。第３の実施の形態におけ
る基板処理装置３００は、例えば、反応性イオンを使用
したドライエッチングを行う際に、レジストが変質して
生成されたポリマー（反応生成物）が付着した基板Ｗを
洗浄してポリマーを除去するポリマー除去装置であり、
図８に示すように、主として、搬入搬出部ＩＤおよび除
去処理部ＲＭから構成されている。
処理装置の全体構成＞ここでは、第３の実施の形態にお
ける基板処理装置の全体構成について説明する。図８
は、本発明の第３の実施の形態における基板処理装置３
００を模式的に示す図である。第３の実施の形態におけ
る基板処理装置３００は、例えば、反応性イオンを使用
したドライエッチングを行う際に、レジストが変質して
生成されたポリマー（反応生成物）が付着した基板Ｗを
洗浄してポリマーを除去するポリマー除去装置であり、
図８に示すように、主として、搬入搬出部ＩＤおよび除
去処理部ＲＭから構成されている。
【００８３】搬入搬出部ＩＤは、未処理の基板Ｗを複数
収容したキャリア（カセット）Ｃが載置される搬入部２
７１と、処理済みの基板Ｗを複数収容したキャリアＣが
載置される搬出部２７３と、受渡し部３５とを有してい
る。
収容したキャリア（カセット）Ｃが載置される搬入部２
７１と、処理済みの基板Ｗを複数収容したキャリアＣが
載置される搬出部２７３と、受渡し部３５とを有してい
る。
【００８４】搬入部２７１はテーブル状の載置台を有
し、装置外の例えばＡＧＶ(AutomaticGuided Vehicle)
等の搬送機構によって２個のキャリアＣが当該載置台上
に搬入される。キャリアＣは、例えば２５枚の基板Ｗを
水平姿勢にて互いに間隔を隔てて鉛直方向に積層配置し
た状態で保持する。搬出部２７３もテーブル状の載置台
を有し、該載置台に２個のキャリアＣが載置され、該２
個のキャリアＣは装置外の搬送機構によって搬出され
る。
し、装置外の例えばＡＧＶ(AutomaticGuided Vehicle)
等の搬送機構によって２個のキャリアＣが当該載置台上
に搬入される。キャリアＣは、例えば２５枚の基板Ｗを
水平姿勢にて互いに間隔を隔てて鉛直方向に積層配置し
た状態で保持する。搬出部２７３もテーブル状の載置台
を有し、該載置台に２個のキャリアＣが載置され、該２
個のキャリアＣは装置外の搬送機構によって搬出され
る。
【００８５】受渡し部２７５は、搬入部２７１、搬出部
２７３のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキ
ャリアＣに対して基板Ｗを搬入・搬出する搬入搬出機構
２７７と、受渡し台２７９とを有する。搬入搬出機構２
７７は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平
方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や
鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退
動作を行うことができる。これにより、搬入搬出機構２
７７はキャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うととも
に、受渡し台２７９に対して基板Ｗを授受する。
２７３のキャリアＣの並び方向に沿って移動し、かつキ
ャリアＣに対して基板Ｗを搬入・搬出する搬入搬出機構
２７７と、受渡し台２７９とを有する。搬入搬出機構２
７７は、図示を省略する搬入搬出用アームを備え、水平
方向に沿った移動の他に鉛直方向を軸とする回転動作や
鉛直方向に沿った昇降動作や該搬入搬出用アームの進退
動作を行うことができる。これにより、搬入搬出機構２
７７はキャリアＣに対して基板Ｗの搬出入を行うととも
に、受渡し台２７９に対して基板Ｗを授受する。
【００８６】除去処理部ＲＭは、搬入搬出部ＩＤに隣接
して設けられ、基板Ｗを収容してポリマー等の反応生成
物の除去処理を施す４つの枚葉式の除去処理ユニットＳ
Ｒと、受渡し台２７９に対して基板Ｗを授受するととも
に４つの除去処理ユニットＳＲに対して基板Ｗを授受す
る搬送ロボットＴＲ１を有している。
して設けられ、基板Ｗを収容してポリマー等の反応生成
物の除去処理を施す４つの枚葉式の除去処理ユニットＳ
Ｒと、受渡し台２７９に対して基板Ｗを授受するととも
に４つの除去処理ユニットＳＲに対して基板Ｗを授受す
る搬送ロボットＴＲ１を有している。
【００８７】除去処理ユニットＳＲは搬入搬出部ＩＤの
キャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶ
ことで除去処理ユニットＳＲの列を形成し、この除去処
理ユニットＳＲの列が間隔を開けて合計２列、キャリア
Ｃの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記除去処
理ユニットＳＲの列と列との間に挟み込まれた搬送路Ｔ
Ｐ１に搬送ロボットＴＲ１が配置されている。
キャリアＣの並び方向と直交する方向において２つ並ぶ
ことで除去処理ユニットＳＲの列を形成し、この除去処
理ユニットＳＲの列が間隔を開けて合計２列、キャリア
Ｃの並び方向に沿って並んでいる。そして、前記除去処
理ユニットＳＲの列と列との間に挟み込まれた搬送路Ｔ
Ｐ１に搬送ロボットＴＲ１が配置されている。
【００８８】搬送ロボットＴＲ１は、搬送路ＴＰ１の長
手方向（上述した除去処理ユニットＳＲの列の形成方
向）に沿って走行し、４つの除去処理ユニットＳＲのそ
れぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台２
７９に対して基板Ｗを授受する。
手方向（上述した除去処理ユニットＳＲの列の形成方
向）に沿って走行し、４つの除去処理ユニットＳＲのそ
れぞれに対して基板Ｗを授受するとともに、受渡し台２
７９に対して基板Ｗを授受する。
【００８９】＜３．２．除去処理ユニットの構成＞ここ
では、基板処理装置３００の除去処理部ＲＭの構成要素
である除去処理ユニットについて詳細に説明する。図９
は、除去処理ユニットＳＲを模式的に示す図である。除
去処理ユニットＳＲは、１枚の基板Ｗを水平状態に保持
して回転する基板回転機構２１０と、保持された基板Ｗ
の周囲を取り囲むカップ２１５と、保持された基板Ｗに
除去液を供給する除去液吐出機構２２０ａと、保持され
た基板Ｗに純水を供給する純水吐出機構２２０ｂと、後
述する除去液ミストおよび純水ミストの形成に使用され
る窒素ガスを供給する窒素ガス供給部２６３と、チャッ
ク２１１に保持された状態の基板Ｗを収容するチャンバ
２０５とを有する。
では、基板処理装置３００の除去処理部ＲＭの構成要素
である除去処理ユニットについて詳細に説明する。図９
は、除去処理ユニットＳＲを模式的に示す図である。除
去処理ユニットＳＲは、１枚の基板Ｗを水平状態に保持
して回転する基板回転機構２１０と、保持された基板Ｗ
の周囲を取り囲むカップ２１５と、保持された基板Ｗに
除去液を供給する除去液吐出機構２２０ａと、保持され
た基板Ｗに純水を供給する純水吐出機構２２０ｂと、後
述する除去液ミストおよび純水ミストの形成に使用され
る窒素ガスを供給する窒素ガス供給部２６３と、チャッ
ク２１１に保持された状態の基板Ｗを収容するチャンバ
２０５とを有する。
【００９０】チャンバ２０５にはシャッタ２８９（図８
参照）が設けられており、当該シャッタ２８９は、搬送
ロボットＴＲ１がチャンバ２０５内に基板Ｗを搬入また
は搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開
放され、それ以外のときは閉鎖されている。なお、チャ
ンバ２０５内は常に常圧の状態である。また、チャンバ
２０５内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外
の排気ダクトへ排出されている。このため、処理液のミ
ストや蒸気などを含んだ雰囲気がチャンバ２０５から漏
出することが防止されている。
参照）が設けられており、当該シャッタ２８９は、搬送
ロボットＴＲ１がチャンバ２０５内に基板Ｗを搬入また
は搬出する場合には図示を省略する開閉機構によって開
放され、それ以外のときは閉鎖されている。なお、チャ
ンバ２０５内は常に常圧の状態である。また、チャンバ
２０５内の雰囲気は不図示の排気機構によって、装置外
の排気ダクトへ排出されている。このため、処理液のミ
ストや蒸気などを含んだ雰囲気がチャンバ２０５から漏
出することが防止されている。
【００９１】基板回転機構２１０は、基板Ｗを略水平姿
勢に保持し、鉛直方向に沿って配された軸Ｊ３を回転中
心として基板Ｗを回転駆動させる機構であり、主とし
て、チャンバ２０５外に設けられた回転モータ２１４
と、回転軸２１３と介して回転モータ２１４に接続され
て基板Ｗを保持するチャック２１１とから構成される。
勢に保持し、鉛直方向に沿って配された軸Ｊ３を回転中
心として基板Ｗを回転駆動させる機構であり、主とし
て、チャンバ２０５外に設けられた回転モータ２１４
と、回転軸２１３と介して回転モータ２１４に接続され
て基板Ｗを保持するチャック２１１とから構成される。
【００９２】チャック２１１は、真空吸着によって基板
Ｗを略水平姿勢にて保持することができるいわゆるバキ
ュームチャックである。チャック２１１が基板Ｗを保持
した状態で回転モータ２１４がチャック２１１を回転さ
せることにより、その基板Ｗも鉛直方向に沿った軸Ｊ３
を中心にして水平面内にて回転する。なお、チャック２
１１はいわゆるバキュームチャックに限定されるもので
はなく、端縁部を機械的に把持して基板Ｗを保持するい
わゆるメカチャックであっても良い。
Ｗを略水平姿勢にて保持することができるいわゆるバキ
ュームチャックである。チャック２１１が基板Ｗを保持
した状態で回転モータ２１４がチャック２１１を回転さ
せることにより、その基板Ｗも鉛直方向に沿った軸Ｊ３
を中心にして水平面内にて回転する。なお、チャック２
１１はいわゆるバキュームチャックに限定されるもので
はなく、端縁部を機械的に把持して基板Ｗを保持するい
わゆるメカチャックであっても良い。
【００９３】カップ２１５は上面視略ドーナツ型で中央
部にチャック２１１が通過可能な開口を有している。ま
た、カップ２１５は回転する基板Ｗから飛散する液体
（例えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設け
られている排液口２１８から捕集した液体を排出する。
排液口２１８にはドレイン２８０へ通ずる配管２８２
（２８２ａ〜２８２ｄ）が設けられ、配管２８２ａと配
管２８２ｂとの間には配管２８２の管路を開閉する制御
弁２８１が設けられている。なお、カップ２１５は不図
示の機構によって昇降する。
部にチャック２１１が通過可能な開口を有している。ま
た、カップ２１５は回転する基板Ｗから飛散する液体
（例えば除去液や純水）を捕集するとともに下部に設け
られている排液口２１８から捕集した液体を排出する。
排液口２１８にはドレイン２８０へ通ずる配管２８２
（２８２ａ〜２８２ｄ）が設けられ、配管２８２ａと配
管２８２ｂとの間には配管２８２の管路を開閉する制御
弁２８１が設けられている。なお、カップ２１５は不図
示の機構によって昇降する。
【００９４】除去液吐出機構２２０ａは、チャンバ２０
５外に設けられた回動モータ２２５ａと、回動モータ２
２５ａと回動軸２２４ａを介して接続されて軸Ｊ４を中
心として回動するアーム２２１ａと、アーム２２１ａの
先端部２２２ａに設けられ、除去液ミストを基板Ｗに向
けて吐出するソフトスプレーノズル２３０ａと、ソフト
スプレーノズル２３０ａから吐出される除去液ミストが
周辺に拡散することを防止する遮蔽板２２６ａと、アー
ム２２１ａの先端部に設けられ除去液ミストが吐出され
る基板Ｗの表面を覆うように除去液を吐出するリンスノ
ズル２４０ａとから構成される。
５外に設けられた回動モータ２２５ａと、回動モータ２
２５ａと回動軸２２４ａを介して接続されて軸Ｊ４を中
心として回動するアーム２２１ａと、アーム２２１ａの
先端部２２２ａに設けられ、除去液ミストを基板Ｗに向
けて吐出するソフトスプレーノズル２３０ａと、ソフト
スプレーノズル２３０ａから吐出される除去液ミストが
周辺に拡散することを防止する遮蔽板２２６ａと、アー
ム２２１ａの先端部に設けられ除去液ミストが吐出され
る基板Ｗの表面を覆うように除去液を吐出するリンスノ
ズル２４０ａとから構成される。
【００９５】なお、ソフトスプレーノズル２３０ａと、
遮蔽板２２６ａと、リンスノズル２４０ａとは、図１
０、図１１に示すように固定部材２２７ａを介してアー
ム２２１ａの先端部２２２ａに固定されている。したが
って、それぞれは、後述するように、相対的な配置関係
を保持しつつ軸Ｊ４を中心として回動することとなる。
遮蔽板２２６ａと、リンスノズル２４０ａとは、図１
０、図１１に示すように固定部材２２７ａを介してアー
ム２２１ａの先端部２２２ａに固定されている。したが
って、それぞれは、後述するように、相対的な配置関係
を保持しつつ軸Ｊ４を中心として回動することとなる。
【００９６】リンスノズル２４０ａは、アーム２２１ａ
の先端部２２２ａに基板Ｗに対して略鉛直に設けられた
ノズルであり、配管２６９（２６９ａ〜２６９ｃ）およ
び制御弁２６８ａを介して除去液供給部２６７と連通接
続されている。したがって、チャック２１１に保持され
た基板Ｗを回転させつつ制御弁２６８ａを開放すると、
洗浄液として除去液がリンスノズル２４０ａから基板Ｗ
に向けて吐出され、基板Ｗに着液した除去液は、回転の
遠心力によって基板Ｗの周縁部方向に広がり、基板Ｗの
表面の所定の領域を覆う除去液の液膜を形成する。
の先端部２２２ａに基板Ｗに対して略鉛直に設けられた
ノズルであり、配管２６９（２６９ａ〜２６９ｃ）およ
び制御弁２６８ａを介して除去液供給部２６７と連通接
続されている。したがって、チャック２１１に保持され
た基板Ｗを回転させつつ制御弁２６８ａを開放すると、
洗浄液として除去液がリンスノズル２４０ａから基板Ｗ
に向けて吐出され、基板Ｗに着液した除去液は、回転の
遠心力によって基板Ｗの周縁部方向に広がり、基板Ｗの
表面の所定の領域を覆う除去液の液膜を形成する。
【００９７】ソフトスプレーノズル２３０ａは、リンス
ノズル２４０ａと同様に、アーム２２１ａの先端部２２
２ａに基板Ｗに対して略鉛直に設けられたノズルであ
り、第１の実施の形態のソフトスプレーノズル３０と同
様な内部構造を有する二流体ノズルである（図２参
照）。図９に示すように、ソフトスプレーノズル２３０
ａは、配管２６９（２６９ａ、２６９ｄ、２６９ｅ）お
よび制御弁２６８ｂを介して除去液供給部２６７と、ま
た、配管２６６（２６６ａ、２６６ｂ、２６６ｅ、２６
６ｆ）、圧力調整器２６４および制御弁２６５ｂを介し
て窒素ガス供給部２６３とそれぞれ連通接続されてい
る。
ノズル２４０ａと同様に、アーム２２１ａの先端部２２
２ａに基板Ｗに対して略鉛直に設けられたノズルであ
り、第１の実施の形態のソフトスプレーノズル３０と同
様な内部構造を有する二流体ノズルである（図２参
照）。図９に示すように、ソフトスプレーノズル２３０
ａは、配管２６９（２６９ａ、２６９ｄ、２６９ｅ）お
よび制御弁２６８ｂを介して除去液供給部２６７と、ま
た、配管２６６（２６６ａ、２６６ｂ、２６６ｅ、２６
６ｆ）、圧力調整器２６４および制御弁２６５ｂを介し
て窒素ガス供給部２６３とそれぞれ連通接続されてい
る。
【００９８】したがって、窒素ガス供給部２６３から供
給され、圧力調整器２６４によって加圧された窒素ガス
と、除去液供給部２６７から供給される除去液とをソフ
トスプレーノズル２３０ａで混合することにより、ソフ
トスプレーノズル２３０ａの吐出口から基板Ｗに向けて
洗浄ミストとして霧状の除去液ミスト（つまり、除去液
の微粒子）を吐出することができる。その結果、（１）
基板Ｗに到達した微粒子状の除去液ミストが、基板Ｗに
形成した除去液の液膜に到達し、続いて、除去液ミスト
が衝突した除去液の液膜上の微小範囲に除去液ミストの
打力を伝達することによって除去液の液膜上の微小範囲
が下方に押され、基板Ｗ上に形成されたトレンチ構造等
の微小パターン内部に除去液が進入することが可能とな
るため、また、（２）微粒子状の除去液ミストが、その
運動エネルギーにより基板Ｗ上に形成された除去液の液
膜を通過し、基板Ｗ上に形成された微細パターン内部に
到達するため、当該微小パターン部に形成されたポリマ
ー等の反応生成物が除去される。
給され、圧力調整器２６４によって加圧された窒素ガス
と、除去液供給部２６７から供給される除去液とをソフ
トスプレーノズル２３０ａで混合することにより、ソフ
トスプレーノズル２３０ａの吐出口から基板Ｗに向けて
洗浄ミストとして霧状の除去液ミスト（つまり、除去液
の微粒子）を吐出することができる。その結果、（１）
基板Ｗに到達した微粒子状の除去液ミストが、基板Ｗに
形成した除去液の液膜に到達し、続いて、除去液ミスト
が衝突した除去液の液膜上の微小範囲に除去液ミストの
打力を伝達することによって除去液の液膜上の微小範囲
が下方に押され、基板Ｗ上に形成されたトレンチ構造等
の微小パターン内部に除去液が進入することが可能とな
るため、また、（２）微粒子状の除去液ミストが、その
運動エネルギーにより基板Ｗ上に形成された除去液の液
膜を通過し、基板Ｗ上に形成された微細パターン内部に
到達するため、当該微小パターン部に形成されたポリマ
ー等の反応生成物が除去される。
【００９９】ここで、除去液とは、基板Ｗに形成したポ
リマー等の反応生成物のみを選択的に除去する処理液で
あり、例えばジメチルスルホキシド、ジメチルホルムア
ミド等、有機アミンを含む有機アミン系除去液、フッ化
アンモンを含むフッ化アンモン系除去液、無機系の除去
液が使用される。
リマー等の反応生成物のみを選択的に除去する処理液で
あり、例えばジメチルスルホキシド、ジメチルホルムア
ミド等、有機アミンを含む有機アミン系除去液、フッ化
アンモンを含むフッ化アンモン系除去液、無機系の除去
液が使用される。
【０１００】遮蔽板２２６ａは、第２の実施の形態の遮
蔽板２６と同様に、ソフトスプレーノズル２３０ａの周
囲を取り囲む上下貫通した筒状体である。図９に示すよ
うに、遮蔽板２２６ａの下端は、ソフトスプレーノズル
２３０ａの吐出口より下になるように配置されている。
これにより、第２の実施の形態の場合と同様に、ソフト
スプレーノズル２３０ａの吐出孔から吐出される除去液
ミストが周囲へ拡散することを防止することができるた
め、基板Ｗ上の除去液の液膜が形成されていない部分に
除去液ミストが着液することを防止することができ、基
板Ｗ上にウォーターマーク状の欠陥が発生することを防
止することができる。
蔽板２６と同様に、ソフトスプレーノズル２３０ａの周
囲を取り囲む上下貫通した筒状体である。図９に示すよ
うに、遮蔽板２２６ａの下端は、ソフトスプレーノズル
２３０ａの吐出口より下になるように配置されている。
これにより、第２の実施の形態の場合と同様に、ソフト
スプレーノズル２３０ａの吐出孔から吐出される除去液
ミストが周囲へ拡散することを防止することができるた
め、基板Ｗ上の除去液の液膜が形成されていない部分に
除去液ミストが着液することを防止することができ、基
板Ｗ上にウォーターマーク状の欠陥が発生することを防
止することができる。
【０１０１】また、遮蔽板２２６ａの下端がソフトスプ
レーノズル２３０ａの吐出口より下に配置されることに
より、ソフトスプレーノズル２３０ａの吐出孔から吐出
されて落下する除去液ミストが、リンスノズル２４０ａ
から吐出されて基板Ｗに到達するまでの除去液の経路Ｐ
２（図１０参照）上に衝突して干渉することを防止する
ことができる。そのため、カップ２１５の範囲外に除去
液が飛散することによってチャンバ２０５内を汚染する
ことを防止できる。
レーノズル２３０ａの吐出口より下に配置されることに
より、ソフトスプレーノズル２３０ａの吐出孔から吐出
されて落下する除去液ミストが、リンスノズル２４０ａ
から吐出されて基板Ｗに到達するまでの除去液の経路Ｐ
２（図１０参照）上に衝突して干渉することを防止する
ことができる。そのため、カップ２１５の範囲外に除去
液が飛散することによってチャンバ２０５内を汚染する
ことを防止できる。
【０１０２】また、ソフトスプレーノズル２３０ａおよ
びリンスノズル２４０ａは、ソフトスプレーノズル２３
０ａの吐出口２３０ａとリンスノズル２４０ａの吐出口
２４１ａとの距離Ｄ２（図１０参照）となるように設定
されている。ここで、距離Ｄ２は、吐出口２３１ａから
吐出されて落下する霧状の除去液ミストが、吐出口２４
１ａから吐出される除去液の経路Ｐ２上に衝突して干渉
することなく基板Ｗ上に着液するように、あらかじめ実
験等により定められた値である。このため、遮蔽板２２
６ａの下端から拡散した除去液ミストが、除去液の経路
Ｐ２に干渉することも防止することができ、基板Ｗ上に
ウォーターマーク状の欠陥が発生することをさらに防止
することができる。
びリンスノズル２４０ａは、ソフトスプレーノズル２３
０ａの吐出口２３０ａとリンスノズル２４０ａの吐出口
２４１ａとの距離Ｄ２（図１０参照）となるように設定
されている。ここで、距離Ｄ２は、吐出口２３１ａから
吐出されて落下する霧状の除去液ミストが、吐出口２４
１ａから吐出される除去液の経路Ｐ２上に衝突して干渉
することなく基板Ｗ上に着液するように、あらかじめ実
験等により定められた値である。このため、遮蔽板２２
６ａの下端から拡散した除去液ミストが、除去液の経路
Ｐ２に干渉することも防止することができ、基板Ｗ上に
ウォーターマーク状の欠陥が発生することをさらに防止
することができる。
【０１０３】アーム２２１ａは、図９に示すように、そ
の長手方向が水平方向に沿うように基板Ｗの表面上方に
配置されている。そして、回動モータ２２５ａが駆動す
ると、その駆動力は回動軸２２４ａを介してアーム２２
１ａに伝達され、アーム２２１ａが水平面内にて鉛直方
向に沿った軸Ｊ４を中心として回動される。したがっ
て、このアーム２２１ａの回動動作により、第２の実施
の形態と同様に、ソフトスプレーノズル２３０ａおよび
リンスノズル２４０ａは、相対的な位置関係を保持しつ
つ基板Ｗの表面上方を水平面内にて軸Ｊ４を中心として
回動される。
の長手方向が水平方向に沿うように基板Ｗの表面上方に
配置されている。そして、回動モータ２２５ａが駆動す
ると、その駆動力は回動軸２２４ａを介してアーム２２
１ａに伝達され、アーム２２１ａが水平面内にて鉛直方
向に沿った軸Ｊ４を中心として回動される。したがっ
て、このアーム２２１ａの回動動作により、第２の実施
の形態と同様に、ソフトスプレーノズル２３０ａおよび
リンスノズル２４０ａは、相対的な位置関係を保持しつ
つ基板Ｗの表面上方を水平面内にて軸Ｊ４を中心として
回動される。
【０１０４】なお、回動モータ２２５ａを昇降させるこ
とでソフトスプレーノズル２３０ａおよびリンスノズル
２４０ａを昇降させる不図示の昇降手段が設けられてい
る。また、この回動モータ２２５ａを駆動することによ
って、ソフトスプレーノズル２３０ａおよびリンスノズ
ル２４０ａは基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカッ
プ２１５外の待機位置との間で往復移動する。
とでソフトスプレーノズル２３０ａおよびリンスノズル
２４０ａを昇降させる不図示の昇降手段が設けられてい
る。また、この回動モータ２２５ａを駆動することによ
って、ソフトスプレーノズル２３０ａおよびリンスノズ
ル２４０ａは基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカッ
プ２１５外の待機位置との間で往復移動する。
【０１０５】純水吐出機構２２０ｂは、チャンバ２０５
外に設けられた回動モータ２２５ｂと、回動モータ２２
５ｂと回動軸２２４ｂを介して接続さた回動するアーム
２２１ｂと、アーム２２１ｂの先端部２２２ｂに設けら
れ、純水ミストを基板Ｗに向けて吐出するソフトスプレ
ーノズル２３０ｂと、ソフトスプレーノズル２３０ｂか
ら吐出される純水ミストが周辺に拡散することを遮蔽す
る遮蔽板２２６ｂと、アーム２２１ｂの先端部に設けら
れ純水ミストが吐出される基板Ｗの表面を覆うように純
水を吐出するリンスノズル２４０ｂとから構成される。
外に設けられた回動モータ２２５ｂと、回動モータ２２
５ｂと回動軸２２４ｂを介して接続さた回動するアーム
２２１ｂと、アーム２２１ｂの先端部２２２ｂに設けら
れ、純水ミストを基板Ｗに向けて吐出するソフトスプレ
ーノズル２３０ｂと、ソフトスプレーノズル２３０ｂか
ら吐出される純水ミストが周辺に拡散することを遮蔽す
る遮蔽板２２６ｂと、アーム２２１ｂの先端部に設けら
れ純水ミストが吐出される基板Ｗの表面を覆うように純
水を吐出するリンスノズル２４０ｂとから構成される。
【０１０６】なお、ソフトスプレーノズル２３０ｂと、
遮蔽板２２６ｂと、リンスノズル２４０ｂとは、図１
２、図１３に示すように、固定部材２２７ｂを介してア
ーム２２１ｂの先端部２２２ｂに固定されている。した
がって、それぞれは、後述するように、相対的な配置関
係を保持しつつ軸Ｊ５を中心として回動することととな
る。
遮蔽板２２６ｂと、リンスノズル２４０ｂとは、図１
２、図１３に示すように、固定部材２２７ｂを介してア
ーム２２１ｂの先端部２２２ｂに固定されている。した
がって、それぞれは、後述するように、相対的な配置関
係を保持しつつ軸Ｊ５を中心として回動することととな
る。
【０１０７】リンスノズル２４０ｂは、アーム２２１ｂ
の先端部２２２ｂに基板Ｗに対して略鉛直に設けられた
ノズルであり、配管２６２（２６２ａ〜２６２ｃ）およ
び制御弁２６１ｂを介して純水供給部２６０と連通接続
されている。したがって、チャック２１１に保持された
基板Ｗを回転させつつ制御弁２６１ｂを開放すると、洗
浄液として純水がリンスノズル２４０ｂから基板Ｗに向
けて吐出され、基板Ｗに着液した純水は、回転の遠心力
によって基板Ｗの周縁部方向に広がり、基板Ｗの表面の
所定の領域を覆う純水の液膜を形成する。
の先端部２２２ｂに基板Ｗに対して略鉛直に設けられた
ノズルであり、配管２６２（２６２ａ〜２６２ｃ）およ
び制御弁２６１ｂを介して純水供給部２６０と連通接続
されている。したがって、チャック２１１に保持された
基板Ｗを回転させつつ制御弁２６１ｂを開放すると、洗
浄液として純水がリンスノズル２４０ｂから基板Ｗに向
けて吐出され、基板Ｗに着液した純水は、回転の遠心力
によって基板Ｗの周縁部方向に広がり、基板Ｗの表面の
所定の領域を覆う純水の液膜を形成する。
【０１０８】ソフトスプレーノズル２３０ｂは、リンス
ノズル２４０ｂと同様に、アーム２２１ｂの先端部２２
２ｂに基板Ｗに対して略鉛直に設けられたノズルであ
り、第１の実施の形態のソフトスプレーノズル３０およ
びソフトスプレーノズル２３０ａと同様な内部構造を有
する二流体ノズルである（図２参照）。図９に示すよう
に、ソフトスプレーノズル２３０ｂは、配管２６２（２
６２ａ、２６２ｄ、２６２ｅ）および制御弁２６１ａを
介して純水供給部２６０と、また、配管２６６（２６６
ａ〜２６６ｄ）、圧力調整器２６４および制御弁２６５
ａを介して窒素ガス供給部２６３とそれぞれ連通接続さ
れている。
ノズル２４０ｂと同様に、アーム２２１ｂの先端部２２
２ｂに基板Ｗに対して略鉛直に設けられたノズルであ
り、第１の実施の形態のソフトスプレーノズル３０およ
びソフトスプレーノズル２３０ａと同様な内部構造を有
する二流体ノズルである（図２参照）。図９に示すよう
に、ソフトスプレーノズル２３０ｂは、配管２６２（２
６２ａ、２６２ｄ、２６２ｅ）および制御弁２６１ａを
介して純水供給部２６０と、また、配管２６６（２６６
ａ〜２６６ｄ）、圧力調整器２６４および制御弁２６５
ａを介して窒素ガス供給部２６３とそれぞれ連通接続さ
れている。
【０１０９】したがって、窒素ガス供給部２６３から供
給され、圧力調整器２６４によって加圧された窒素ガス
と、純水供給部２６０から供給される純水とをソフトス
プレーノズル２３０ｂで混合することにより、ソフトス
プレーノズル２３０ｂの吐出口から基板Ｗに向けて洗浄
ミストとして霧状の純水ミスト（つまり、純水の微粒
子）を吐出することができる。
給され、圧力調整器２６４によって加圧された窒素ガス
と、純水供給部２６０から供給される純水とをソフトス
プレーノズル２３０ｂで混合することにより、ソフトス
プレーノズル２３０ｂの吐出口から基板Ｗに向けて洗浄
ミストとして霧状の純水ミスト（つまり、純水の微粒
子）を吐出することができる。
【０１１０】その結果、（１）基板Ｗに到達した微粒子
状の純水ミストが、基板Ｗに形成した純水の液膜に到達
し、続いて、純水ミストが衝突した除去液の液膜上の微
小範囲に純水ミストの打力を伝達することによって純水
の液膜上の微小範囲が下方に押され、基板Ｗ上に形成さ
れたトレンチ構造等の微小パターン内部に純水が進入す
ることが可能となるため、また、（２）微粒子状の純水
ミストが、その運動エネルギーにより基板Ｗ上に形成さ
れた純水の液膜を通過し、基板Ｗ上に形成された微細パ
ターン内部に到達するため、当該微小パターン部を純水
により洗浄することができる。
状の純水ミストが、基板Ｗに形成した純水の液膜に到達
し、続いて、純水ミストが衝突した除去液の液膜上の微
小範囲に純水ミストの打力を伝達することによって純水
の液膜上の微小範囲が下方に押され、基板Ｗ上に形成さ
れたトレンチ構造等の微小パターン内部に純水が進入す
ることが可能となるため、また、（２）微粒子状の純水
ミストが、その運動エネルギーにより基板Ｗ上に形成さ
れた純水の液膜を通過し、基板Ｗ上に形成された微細パ
ターン内部に到達するため、当該微小パターン部を純水
により洗浄することができる。
【０１１１】遮蔽板２２６ｂは、第２の実施の形態の遮
蔽板２６および遮蔽板２２６ａと同様に、ソフトスプレ
ーノズル２３０ｂの周囲を取り囲む上下貫通した筒状体
である。図９に示すように、遮蔽板２２６ｂの下端は、
ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐出口より下になるよ
うに配置されている。これにより、第２の実施の形態の
場合と同様に、ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐出孔
から吐出される純水ミストが周囲へ拡散することを防止
することができるため、基板Ｗ上の純水の液膜が形成さ
れていない部分に純水ミストが着液することを防止する
ことができ、基板Ｗ上にウォーターマーク状の欠陥が発
生することを防止することができる。
蔽板２６および遮蔽板２２６ａと同様に、ソフトスプレ
ーノズル２３０ｂの周囲を取り囲む上下貫通した筒状体
である。図９に示すように、遮蔽板２２６ｂの下端は、
ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐出口より下になるよ
うに配置されている。これにより、第２の実施の形態の
場合と同様に、ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐出孔
から吐出される純水ミストが周囲へ拡散することを防止
することができるため、基板Ｗ上の純水の液膜が形成さ
れていない部分に純水ミストが着液することを防止する
ことができ、基板Ｗ上にウォーターマーク状の欠陥が発
生することを防止することができる。
【０１１２】また、ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐
出孔から吐出されて落下する純水ミストが、リンスノズ
ル２４０ｂから吐出されて基板Ｗに到達するまでの純水
の経路Ｐ３（図１２参照）上に衝突して干渉することを
防止することができる。その結果、経路Ｐ３上の純水と
純水ミストとが干渉しないため、カップ２１５の範囲外
に純水が飛散することによってチャンバ２０５内を汚染
することがない。
出孔から吐出されて落下する純水ミストが、リンスノズ
ル２４０ｂから吐出されて基板Ｗに到達するまでの純水
の経路Ｐ３（図１２参照）上に衝突して干渉することを
防止することができる。その結果、経路Ｐ３上の純水と
純水ミストとが干渉しないため、カップ２１５の範囲外
に純水が飛散することによってチャンバ２０５内を汚染
することがない。
【０１１３】また、ソフトスプレーノズル２３０ｂおよ
びリンスノズル２４０ｂは、相対的な配置関係を保持す
るようにアーム２２１ｂに対して固定されており、ソフ
トスプレーノズル２３０ｂの吐出口とリンスノズル２４
０ｂの吐出口との距離Ｄ３（図１２参照）となるように
設定されている。ここで、この距離Ｄ３は、ソフトスプ
レーノズル２３０ｂの吐出口から吐出されて落下する霧
状の純水ミストが、リンスノズル２４０ｂの吐出口から
吐出される純水の経路Ｐ３上に衝突して干渉することな
く基板Ｗ上に着液するように、あらかじめ実験等により
定められた値である。このため、遮蔽板２２６ｂの下端
から拡散した純水ミストが、純水の経路Ｐ３に干渉する
ことも防止することができ、基板Ｗ上にウォーターマー
ク状の欠陥が発生することをさらに防止することができ
る。
びリンスノズル２４０ｂは、相対的な配置関係を保持す
るようにアーム２２１ｂに対して固定されており、ソフ
トスプレーノズル２３０ｂの吐出口とリンスノズル２４
０ｂの吐出口との距離Ｄ３（図１２参照）となるように
設定されている。ここで、この距離Ｄ３は、ソフトスプ
レーノズル２３０ｂの吐出口から吐出されて落下する霧
状の純水ミストが、リンスノズル２４０ｂの吐出口から
吐出される純水の経路Ｐ３上に衝突して干渉することな
く基板Ｗ上に着液するように、あらかじめ実験等により
定められた値である。このため、遮蔽板２２６ｂの下端
から拡散した純水ミストが、純水の経路Ｐ３に干渉する
ことも防止することができ、基板Ｗ上にウォーターマー
ク状の欠陥が発生することをさらに防止することができ
る。
【０１１４】アーム２２１ｂは、図９に示すように、そ
の長手方向が水平方向に沿うように基板Ｗの表面上方に
配置されている。そして、回動モータ２２５ｂが駆動す
ると、その駆動力は回動軸２２４ｂを介してアーム２２
１ｂに伝達され、アーム２２１ｂが水平面内にて鉛直方
向に沿った軸Ｊ５を中心として回動される。したあｇっ
て、このアーム２２１ｂの回動動作により、第２の実施
の形態と同様に、ソフトスプレーノズル２３０ｂおよび
リンスノズル２４０ｂは、相対的な位置関係を保持しつ
つ基板Ｗの表面上方を水平面内にて軸Ｊ５を中心として
回動される。
の長手方向が水平方向に沿うように基板Ｗの表面上方に
配置されている。そして、回動モータ２２５ｂが駆動す
ると、その駆動力は回動軸２２４ｂを介してアーム２２
１ｂに伝達され、アーム２２１ｂが水平面内にて鉛直方
向に沿った軸Ｊ５を中心として回動される。したあｇっ
て、このアーム２２１ｂの回動動作により、第２の実施
の形態と同様に、ソフトスプレーノズル２３０ｂおよび
リンスノズル２４０ｂは、相対的な位置関係を保持しつ
つ基板Ｗの表面上方を水平面内にて軸Ｊ５を中心として
回動される。
【０１１５】なお、回動モータ２２５ｂを昇降させるこ
とでソフトスプレーノズル２３０ｂおよびリンスノズル
２４０ｂを昇降させる不図示の昇降手段が設けられてい
る。また、この回動モータ２２５ｂを駆動することによ
って、ソフトスプレーノズル２３０ｂおよびリンスノズ
ル２４０ｂは基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカッ
プ２１５外の待機位置との間で往復移動する。
とでソフトスプレーノズル２３０ｂおよびリンスノズル
２４０ｂを昇降させる不図示の昇降手段が設けられてい
る。また、この回動モータ２２５ｂを駆動することによ
って、ソフトスプレーノズル２３０ｂおよびリンスノズ
ル２４０ｂは基板Ｗの回転中心の上方の吐出位置とカッ
プ２１５外の待機位置との間で往復移動する。
【０１１６】＜３．３．処理内容＞ここでは、基板処理
装置３００を使用して、基板上に付着したポリマー等の
反応生成物を除去する処理方法について説明する。以下
に示すように、本処理方法は、（１）基板処理装置３０
０に搬入されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して除去
処理ユニットＳＲに搬送する基板搬入工程と、（２）除
去処理ユニットＳＲにおいて、除去液を供給して基板上
に付着したポリマーを溶解して除去する除去液供給工程
と、（３）溶解したポリマーや除去液を純水によって洗
浄する純水供給工程と、（４）基板回転機構２１０によ
って基板Ｗを高速に回転させて基板Ｗに付着した純水を
振り切って乾燥させる液切り工程と、（５）除去処理ユ
ニットＳＲから基板Ｗを搬出する基板搬出工程とから構
成される。
装置３００を使用して、基板上に付着したポリマー等の
反応生成物を除去する処理方法について説明する。以下
に示すように、本処理方法は、（１）基板処理装置３０
０に搬入されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して除去
処理ユニットＳＲに搬送する基板搬入工程と、（２）除
去処理ユニットＳＲにおいて、除去液を供給して基板上
に付着したポリマーを溶解して除去する除去液供給工程
と、（３）溶解したポリマーや除去液を純水によって洗
浄する純水供給工程と、（４）基板回転機構２１０によ
って基板Ｗを高速に回転させて基板Ｗに付着した純水を
振り切って乾燥させる液切り工程と、（５）除去処理ユ
ニットＳＲから基板Ｗを搬出する基板搬出工程とから構
成される。
【０１１７】基板搬入工程では、まず、キャリアＣに収
容された基板Ｗが搬入部２７１に搬入される。この基板
Ｗは薄膜を有し、当該薄膜はパターン化されたレジスト
膜をマスクとしてドライエッチングを施されている。こ
れにより、当該基板Ｗにはレジスト膜や薄膜に由来する
反応生成物（ポリマー）が付着している。
容された基板Ｗが搬入部２７１に搬入される。この基板
Ｗは薄膜を有し、当該薄膜はパターン化されたレジスト
膜をマスクとしてドライエッチングを施されている。こ
れにより、当該基板Ｗにはレジスト膜や薄膜に由来する
反応生成物（ポリマー）が付着している。
【０１１８】搬入部２７１のキャリアＣから搬入搬出機
構２７７により基板Ｗが１枚取り出され、受渡し台２７
９に載置される。受渡し台２７９に載置された基板Ｗは
搬送ロボットＴＲ１により持ち出され、４つの除去処理
ユニットＳＲのうちの所定の１つに搬入される。除去処
理ユニットＳＲではシャッタ２８９を下降させて開放
し、搬送ロボットＴＲ１が搬送してきた基板Ｗをチャッ
ク２１１にて受取り保持する。また制御弁２８１は開放
しておく。
構２７７により基板Ｗが１枚取り出され、受渡し台２７
９に載置される。受渡し台２７９に載置された基板Ｗは
搬送ロボットＴＲ１により持ち出され、４つの除去処理
ユニットＳＲのうちの所定の１つに搬入される。除去処
理ユニットＳＲではシャッタ２８９を下降させて開放
し、搬送ロボットＴＲ１が搬送してきた基板Ｗをチャッ
ク２１１にて受取り保持する。また制御弁２８１は開放
しておく。
【０１１９】次に、除去液供給工程が実行される。この
除去液供給工程では、基板Ｗに供給された除去液が基板
Ｗ上に形成されたポリマー等の反応生成物に作用するこ
とにより、当該反応生成物が基板Ｗ上から脱落しやすく
なるため、反応生成物は基板Ｗの回転や除去液の供給に
より、徐々に基板Ｗから除去されていく。
除去液供給工程では、基板Ｗに供給された除去液が基板
Ｗ上に形成されたポリマー等の反応生成物に作用するこ
とにより、当該反応生成物が基板Ｗ上から脱落しやすく
なるため、反応生成物は基板Ｗの回転や除去液の供給に
より、徐々に基板Ｗから除去されていく。
【０１２０】図１４は、除去液供給工程における除去処
理ユニットＳＲの除去液吐出機構２２０ａと純水吐出機
構２２０ｂとの位置関係を模式的に示す図である。な
お、図１４では、便宜上、除去液吐出機構２２０ａにつ
いては、ソフトスプレーノズル２３０ａの吐出口２３１
ａ、リンスノズル２４０ａの吐出口２４１ａおよび遮蔽
板２２６ａを、また、純水吐出機構２２０ｂについて
は、ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐出口２３１ｂ、
リンスノズル２４０ｂの吐出口２４１ｂおよび遮蔽板２
２６ｂのみ図示している。また、除去液供給工程が開始
される前において、除去液吐出機構２２０ａの先端部２
２２ａは、回動モータ２２５ａを回動させて待避位置Ａ
２となるように位置決めされている。さらに、純水吐出
機構２２０ｂの先端部２２２ｂは、回動モータ２２５ｂ
を回動させて待避位置Ａ３となるように位置決めされて
いる。
理ユニットＳＲの除去液吐出機構２２０ａと純水吐出機
構２２０ｂとの位置関係を模式的に示す図である。な
お、図１４では、便宜上、除去液吐出機構２２０ａにつ
いては、ソフトスプレーノズル２３０ａの吐出口２３１
ａ、リンスノズル２４０ａの吐出口２４１ａおよび遮蔽
板２２６ａを、また、純水吐出機構２２０ｂについて
は、ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐出口２３１ｂ、
リンスノズル２４０ｂの吐出口２４１ｂおよび遮蔽板２
２６ｂのみ図示している。また、除去液供給工程が開始
される前において、除去液吐出機構２２０ａの先端部２
２２ａは、回動モータ２２５ａを回動させて待避位置Ａ
２となるように位置決めされている。さらに、純水吐出
機構２２０ｂの先端部２２２ｂは、回動モータ２２５ｂ
を回動させて待避位置Ａ３となるように位置決めされて
いる。
【０１２１】図１４に示すように、ソフトスプレーノズ
ル２３０ａの吐出口２３１ａと、リンスノズル２４０ａ
の吐出口２４１ａとは、それぞれアーム２２１ａの回転
中心Ｊ４からの距離が同一距離Ｌ２となるように配置さ
れている。すなわち、アーム２２１ａの回動動作により
ソフトスプレーノズル２３０ａおよびリンスノズル２４
０ａが回動されると、それらの吐出口２３１ａ、２４１
ａの双方の回動軌跡は同一円周上の円弧ＣＲ２を描く。
また、円弧ＣＲ２は、基板回転機構２１０の回転中心Ｊ
３を通るように配置されている。そのため、吐出口２３
１ａから吐出される除去液ミストおよび吐出口２４１ａ
から吐出される除去液の着液地点の中心位置は、それぞ
れ基板回転機構２１０の回転中心Ｊ３を通ることとな
る。
ル２３０ａの吐出口２３１ａと、リンスノズル２４０ａ
の吐出口２４１ａとは、それぞれアーム２２１ａの回転
中心Ｊ４からの距離が同一距離Ｌ２となるように配置さ
れている。すなわち、アーム２２１ａの回動動作により
ソフトスプレーノズル２３０ａおよびリンスノズル２４
０ａが回動されると、それらの吐出口２３１ａ、２４１
ａの双方の回動軌跡は同一円周上の円弧ＣＲ２を描く。
また、円弧ＣＲ２は、基板回転機構２１０の回転中心Ｊ
３を通るように配置されている。そのため、吐出口２３
１ａから吐出される除去液ミストおよび吐出口２４１ａ
から吐出される除去液の着液地点の中心位置は、それぞ
れ基板回転機構２１０の回転中心Ｊ３を通ることとな
る。
【０１２２】除去液供給工程では、まず、基板回転機構
２１０の回転モータ２１４を回転させて基板Ｗの回転数
を増加させ、所定の回転数Ｒｖ１に達すると、その回転
数Ｒｖ１を維持する。ここで、回転数Ｒｖ１は、ソフト
スプレーノズル２３０ａから吐出される除去液ミストが
基板Ｗ上に到達する範囲に、リンスノズル２４０ａから
吐出される除去液の液膜が形成されるように、予め実験
等により定められる。
２１０の回転モータ２１４を回転させて基板Ｗの回転数
を増加させ、所定の回転数Ｒｖ１に達すると、その回転
数Ｒｖ１を維持する。ここで、回転数Ｒｖ１は、ソフト
スプレーノズル２３０ａから吐出される除去液ミストが
基板Ｗ上に到達する範囲に、リンスノズル２４０ａから
吐出される除去液の液膜が形成されるように、予め実験
等により定められる。
【０１２３】次に、回動モータ２２５ａを回動させて、
アーム２２１ａの先端部２２２ａを待避位置Ａ２から位
置Ｂ２まで移動させる。つまり、ソフトスプレーノズル
２３０ａの吐出口２３１ａを基板Ｗの周縁部の上方に移
動させる。次に、制御弁２６５ｂ、２６８ｂが同時に開
放される。そのため、ソフトスプレーノズル２３０ａに
窒素ガスおよび除去液が供給され、基板Ｗに向かって除
去液ミストが吐出される。また、制御弁２６８ｂが開放
されるのと同時に制御弁２６８ａが開放されて基板Ｗに
除去液が供給されるため、基板Ｗ上の除去液が到達する
位置から基板Ｗ端縁部方向に除去液の液膜が形成され
る。
アーム２２１ａの先端部２２２ａを待避位置Ａ２から位
置Ｂ２まで移動させる。つまり、ソフトスプレーノズル
２３０ａの吐出口２３１ａを基板Ｗの周縁部の上方に移
動させる。次に、制御弁２６５ｂ、２６８ｂが同時に開
放される。そのため、ソフトスプレーノズル２３０ａに
窒素ガスおよび除去液が供給され、基板Ｗに向かって除
去液ミストが吐出される。また、制御弁２６８ｂが開放
されるのと同時に制御弁２６８ａが開放されて基板Ｗに
除去液が供給されるため、基板Ｗ上の除去液が到達する
位置から基板Ｗ端縁部方向に除去液の液膜が形成され
る。
【０１２４】続いて、ソフトスプレーノズル２３０ａお
よびリンスノズル２４０ａから、それぞれ除去液ミスト
および除去液を吐出しながら、アーム２２１ａの先端部
２２２ａを位置Ｂ２から、ソフトスプレーノズル２３０
ａの吐出口２３１ａが基板回転機構２１０の回転中心Ｊ
３の直上となる位置Ｃ２まで移動させる。このとき、基
板Ｗに供給された除去液は基板Ｗの外に落下してカップ
２１５によって集められ、排液口２１８から配管２８２
を介してドレイン２８０に排出される。
よびリンスノズル２４０ａから、それぞれ除去液ミスト
および除去液を吐出しながら、アーム２２１ａの先端部
２２２ａを位置Ｂ２から、ソフトスプレーノズル２３０
ａの吐出口２３１ａが基板回転機構２１０の回転中心Ｊ
３の直上となる位置Ｃ２まで移動させる。このとき、基
板Ｗに供給された除去液は基板Ｗの外に落下してカップ
２１５によって集められ、排液口２１８から配管２８２
を介してドレイン２８０に排出される。
【０１２５】続いて、アーム２２１ａの先端部２２２ａ
が位置Ｃ２まで到達すると、回動モータ２２５ａの逆方
向に回転させ、除去液ミストおよび除去液を吐出しなが
ら、アーム２２１ａの先端部２２２ａを位置Ｃ２から位
置Ｂ２まで移動させる。このときも、基板Ｗに供給され
た除去液は基板Ｗの外に落下してカップ２１５によって
集められ、排液口２１８から配管２８２を介してドレイ
ン２８０に排出される。
が位置Ｃ２まで到達すると、回動モータ２２５ａの逆方
向に回転させ、除去液ミストおよび除去液を吐出しなが
ら、アーム２２１ａの先端部２２２ａを位置Ｃ２から位
置Ｂ２まで移動させる。このときも、基板Ｗに供給され
た除去液は基板Ｗの外に落下してカップ２１５によって
集められ、排液口２１８から配管２８２を介してドレイ
ン２８０に排出される。
【０１２６】そして、以上のような位置Ｂ２から位置Ｃ
２までの移動動作が所定の回数繰り返されることによ
り、基板Ｗ上に付着したポリマーの除去処理が進行す
る。
２までの移動動作が所定の回数繰り返されることによ
り、基板Ｗ上に付着したポリマーの除去処理が進行す
る。
【０１２７】すなわち、吐出口２３１ａおよび吐出口２
４１ａの移動経路ＣＲ２における吐出口２４１ａと吐出
口２３１ａとの中間位置が、基板回転機構２１０の回転
中心Ｊ３から、回転中心Ｊ３を挟んで位置Ｂ２と逆側の
円弧ＣＲ２上に存在する場合を除き、アーム２２１ａの
先端部２２２ａを位置Ｂ２から位置Ｃ２まで回動させつ
つ、基板Ｗを回転させることにより、ソフトスプレーノ
ズル２３０ａから吐出される除去液ミストは、基板Ｗ上
に形成される除去液の液膜に着液する。そのため、除去
液は、基板Ｗ上の微細パターン内部に形成されたポリマ
ーに到達し、当該ポリマーを溶解して除去することがで
きる。
４１ａの移動経路ＣＲ２における吐出口２４１ａと吐出
口２３１ａとの中間位置が、基板回転機構２１０の回転
中心Ｊ３から、回転中心Ｊ３を挟んで位置Ｂ２と逆側の
円弧ＣＲ２上に存在する場合を除き、アーム２２１ａの
先端部２２２ａを位置Ｂ２から位置Ｃ２まで回動させつ
つ、基板Ｗを回転させることにより、ソフトスプレーノ
ズル２３０ａから吐出される除去液ミストは、基板Ｗ上
に形成される除去液の液膜に着液する。そのため、除去
液は、基板Ｗ上の微細パターン内部に形成されたポリマ
ーに到達し、当該ポリマーを溶解して除去することがで
きる。
【０１２８】また、第２の実施の形態の場合と同様に、
吐出口２３１ａおよび吐出口２４１ａの移動経路ＣＲ２
における吐出口２４１ａと吐出口２３１ａとの中間位置
が、基板回転機構２１０の回転中心Ｊ３から、回転中心
Ｊ３を挟んで位置Ｂ２と逆側の円弧ＣＲ２上に存在する
場合、移動経路ＣＲ２に沿った基板Ｗの回転中心Ｊ３か
ら吐出口２４１ａまでの距離は、移動経路ＣＲ２に沿っ
た基板Ｗの回転中心Ｊ３から吐出口２３１ａまでの距離
よりも長くなる。これにより、吐出口２４１ａから吐出
される除去液は吐出口２３１ａから吐出される除去液ミ
ストの着液地点を一時的に覆うことができなくなる。し
かしながら、第２の実施の形態の場合と同様に、ウォー
ターマーク状の欠陥は、基板Ｗの中心部より相対的に回
転速度が速く乾燥しやすい基板Ｗの周縁部側となるほど
多数発生し、基板Ｗの回転中心Ｊ３付近では発生しない
ため問題とならない。
吐出口２３１ａおよび吐出口２４１ａの移動経路ＣＲ２
における吐出口２４１ａと吐出口２３１ａとの中間位置
が、基板回転機構２１０の回転中心Ｊ３から、回転中心
Ｊ３を挟んで位置Ｂ２と逆側の円弧ＣＲ２上に存在する
場合、移動経路ＣＲ２に沿った基板Ｗの回転中心Ｊ３か
ら吐出口２４１ａまでの距離は、移動経路ＣＲ２に沿っ
た基板Ｗの回転中心Ｊ３から吐出口２３１ａまでの距離
よりも長くなる。これにより、吐出口２４１ａから吐出
される除去液は吐出口２３１ａから吐出される除去液ミ
ストの着液地点を一時的に覆うことができなくなる。し
かしながら、第２の実施の形態の場合と同様に、ウォー
ターマーク状の欠陥は、基板Ｗの中心部より相対的に回
転速度が速く乾燥しやすい基板Ｗの周縁部側となるほど
多数発生し、基板Ｗの回転中心Ｊ３付近では発生しない
ため問題とならない。
【０１２９】そして、先端部２２２ａを位置Ｂ２と位置
Ｃ２との間で所定回数移動させた後、制御弁２６５ｂ、
２６８ａ、２６８ｂを閉鎖し、基板Ｗへの除去液ミスト
および除去液の供給を停止し、先端部２２２ａを待避位
置Ａ２に戻す。
Ｃ２との間で所定回数移動させた後、制御弁２６５ｂ、
２６８ａ、２６８ｂを閉鎖し、基板Ｗへの除去液ミスト
および除去液の供給を停止し、先端部２２２ａを待避位
置Ａ２に戻す。
【０１３０】次に、純水供給工程が実行される。純水供
給工程では基板Ｗに供給された純水が除去液や溶解され
た反応生成物などの汚染物質を基板Ｗ上から洗い流す。
図１５は、純水供給工程における除去処理ユニットＳＲ
の除去液吐出機構２２０ａと純水吐出機構２２０ｂとの
位置関係を模式的に示す図である。なお、図１５では、
図１４の場合と同様に、便宜上、除去液吐出機構２２０
ａについては、ソフトスプレーノズル２３０ａの吐出口
２３１ａ、リンスノズル２４０ａの吐出口２４１ａおよ
び遮蔽板２２６ａを、また、純水吐出機構２２０ｂにつ
いては、ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐出口２３１
ｂ、リンスノズル２４０ｂの吐出口２４１ｂおよび遮蔽
板２２６ｂのみ図示している。また、純水供給工程が開
始される前において、除去液吐出機構２２０ａの先端部
２２２ａは、待避位置Ａ２となるように、純水吐出機構
２２０ｂの先端部２２２ｂは、待避位置Ａ３となるよう
に、それぞれ位置決めされている。
給工程では基板Ｗに供給された純水が除去液や溶解され
た反応生成物などの汚染物質を基板Ｗ上から洗い流す。
図１５は、純水供給工程における除去処理ユニットＳＲ
の除去液吐出機構２２０ａと純水吐出機構２２０ｂとの
位置関係を模式的に示す図である。なお、図１５では、
図１４の場合と同様に、便宜上、除去液吐出機構２２０
ａについては、ソフトスプレーノズル２３０ａの吐出口
２３１ａ、リンスノズル２４０ａの吐出口２４１ａおよ
び遮蔽板２２６ａを、また、純水吐出機構２２０ｂにつ
いては、ソフトスプレーノズル２３０ｂの吐出口２３１
ｂ、リンスノズル２４０ｂの吐出口２４１ｂおよび遮蔽
板２２６ｂのみ図示している。また、純水供給工程が開
始される前において、除去液吐出機構２２０ａの先端部
２２２ａは、待避位置Ａ２となるように、純水吐出機構
２２０ｂの先端部２２２ｂは、待避位置Ａ３となるよう
に、それぞれ位置決めされている。
【０１３１】図１５に示すように、ソフトスプレーノズ
ル２３０ｂの吐出口２３１ｂと、リンスノズル２４０ｂ
の吐出口２４１ｂとは、それぞれアーム２２１ｂの回転
中心Ｊ５からの距離が同一距離Ｌ３となるように配置さ
れている。すなわち、アーム２２１ｂの回動動作により
ソフトスプレーノズル２３０ｂおよびリンスノズル２４
０ｂが回動されると、それらの吐出口２３１ｂ、２４１
ｂの双方の回動軌跡は同一円周上の円弧ＣＲ３を描く。
また、円弧ＣＲ３は、基板回転機構２１０の回転中心Ｊ
３を通るように配置されている。そのため、吐出口２３
１ｂから吐出される純水ミストおよび吐出口２４１ｂか
ら吐出される純水の着液地点の中心位置は、それぞれ基
板回転機構２１０の回転中心Ｊ３を通ることとなる。
ル２３０ｂの吐出口２３１ｂと、リンスノズル２４０ｂ
の吐出口２４１ｂとは、それぞれアーム２２１ｂの回転
中心Ｊ５からの距離が同一距離Ｌ３となるように配置さ
れている。すなわち、アーム２２１ｂの回動動作により
ソフトスプレーノズル２３０ｂおよびリンスノズル２４
０ｂが回動されると、それらの吐出口２３１ｂ、２４１
ｂの双方の回動軌跡は同一円周上の円弧ＣＲ３を描く。
また、円弧ＣＲ３は、基板回転機構２１０の回転中心Ｊ
３を通るように配置されている。そのため、吐出口２３
１ｂから吐出される純水ミストおよび吐出口２４１ｂか
ら吐出される純水の着液地点の中心位置は、それぞれ基
板回転機構２１０の回転中心Ｊ３を通ることとなる。
【０１３２】純水供給工程では、まず、基板Ｗの回転数
を所定の回転数Ｒｖ２に変更して維持する。ここで、回
転数Ｒｖ２は、ソフトスプレーノズル２３０ｂから吐出
される純水ミストが基板Ｗ上に到達する範囲に、リンス
ノズル２４０ｂから吐出される純水の液膜が形成される
ように、予め実験等により定められる。
を所定の回転数Ｒｖ２に変更して維持する。ここで、回
転数Ｒｖ２は、ソフトスプレーノズル２３０ｂから吐出
される純水ミストが基板Ｗ上に到達する範囲に、リンス
ノズル２４０ｂから吐出される純水の液膜が形成される
ように、予め実験等により定められる。
【０１３３】次に、回動モータ２２５ｂを回動させて、
アーム２２１ｂの先端部２２２ｂを待避位置Ａ３から位
置Ｂ３まで移動させる。つまり、ソフトスプレーノズル
２３０ｂの吐出口２３１ｂを基板Ｗの周縁部の上方に移
動させる。
アーム２２１ｂの先端部２２２ｂを待避位置Ａ３から位
置Ｂ３まで移動させる。つまり、ソフトスプレーノズル
２３０ｂの吐出口２３１ｂを基板Ｗの周縁部の上方に移
動させる。
【０１３４】続いて、制御弁２６５ａ、２６１ａが同時
に開放される。そのため、ソフトスプレーノズル２３０
ｂに窒素ガスおよび純水が供給され、基板Ｗに向かって
純水ミストが吐出される。また、制御弁２６１ａが開放
されるのと同時に、制御弁２６１ｂが開放されて基板Ｗ
に純水が供給されるため、基板Ｗ上の除去液が到達する
位置から基板Ｗ端縁部方向に除去液の液膜が形成され
る。
に開放される。そのため、ソフトスプレーノズル２３０
ｂに窒素ガスおよび純水が供給され、基板Ｗに向かって
純水ミストが吐出される。また、制御弁２６１ａが開放
されるのと同時に、制御弁２６１ｂが開放されて基板Ｗ
に純水が供給されるため、基板Ｗ上の除去液が到達する
位置から基板Ｗ端縁部方向に除去液の液膜が形成され
る。
【０１３５】続いて、ソフトスプレーノズル２３０ｂお
よびリンスノズル２４０ｂから、それぞれ純水ミストお
よび純水を吐出しながら、アーム２２１ｂの先端部２２
２ｂを位置Ｂ３から、ソフトスプレーノズル２３０ｂの
吐出口２３１ｂが基板回転機構２１０の回転中心Ｊ３の
直上となる位置Ｃ３まで移動させる。このとき、基板Ｗ
に供給された純水は基板Ｗの外に落下してカップ２１５
によって集められ、排液口２１８から配管２８２を介し
てドレイン２８０に排出される。
よびリンスノズル２４０ｂから、それぞれ純水ミストお
よび純水を吐出しながら、アーム２２１ｂの先端部２２
２ｂを位置Ｂ３から、ソフトスプレーノズル２３０ｂの
吐出口２３１ｂが基板回転機構２１０の回転中心Ｊ３の
直上となる位置Ｃ３まで移動させる。このとき、基板Ｗ
に供給された純水は基板Ｗの外に落下してカップ２１５
によって集められ、排液口２１８から配管２８２を介し
てドレイン２８０に排出される。
【０１３６】続いて、アーム２２１ｂの先端部２２２ｂ
が位置Ｃ３まで到達すると、回動モータ２２５ｂを逆方
向に回転させ、純水ミストおよび純水を吐出しながら、
アーム２２１ｂの先端部２２２ｂを位置Ｃ３から位置Ｂ
３まで移動させる。このときも、基板Ｗに供給された純
水は基板Ｗの外に落下してカップ２１５によって集めら
れ、排液口２１８から配管２８２を介してドレイン２８
０に排出される。
が位置Ｃ３まで到達すると、回動モータ２２５ｂを逆方
向に回転させ、純水ミストおよび純水を吐出しながら、
アーム２２１ｂの先端部２２２ｂを位置Ｃ３から位置Ｂ
３まで移動させる。このときも、基板Ｗに供給された純
水は基板Ｗの外に落下してカップ２１５によって集めら
れ、排液口２１８から配管２８２を介してドレイン２８
０に排出される。
【０１３７】そして、以上のような位置Ｂ３から位置Ｃ
３までの移動動作が所定の回数繰り返されることによ
り、基板Ｗの洗浄処理が進行する。
３までの移動動作が所定の回数繰り返されることによ
り、基板Ｗの洗浄処理が進行する。
【０１３８】すなわち、吐出口２３１ｂおよび吐出口２
４１ｂの移動経路ＣＲ３における吐出口２４１ｂと吐出
口２３１ｂとの中間位置が、基板回転機構２１０の回転
中心Ｊ３から、回転中心Ｊ３を挟んで位置Ｂ３と逆側の
円弧ＣＲ３上に存在する場合を除き、アーム２２１ｂの
先端部２２２ｂを位置Ｂ３から位置Ｃ３まで回動させつ
つ、基板Ｗを回転させることによってソフトスプレーノ
ズル２３０ｂから吐出される純水ミストが、基板Ｗ上に
形成される純水の液膜に着液する。そのため、基板Ｗ上
の微細パターン内部に到達して洗浄処理を行うことがで
きる。
４１ｂの移動経路ＣＲ３における吐出口２４１ｂと吐出
口２３１ｂとの中間位置が、基板回転機構２１０の回転
中心Ｊ３から、回転中心Ｊ３を挟んで位置Ｂ３と逆側の
円弧ＣＲ３上に存在する場合を除き、アーム２２１ｂの
先端部２２２ｂを位置Ｂ３から位置Ｃ３まで回動させつ
つ、基板Ｗを回転させることによってソフトスプレーノ
ズル２３０ｂから吐出される純水ミストが、基板Ｗ上に
形成される純水の液膜に着液する。そのため、基板Ｗ上
の微細パターン内部に到達して洗浄処理を行うことがで
きる。
【０１３９】また、除去液供給工程の場合と同様に、吐
出口２３１ｂおよび吐出口２４１ｂの移動経路ＣＲ３に
おける吐出口２４１ｂと吐出口２３１ｂとの中間位置
が、基板回転機構２１０の回転中心Ｊ３から、回転中心
Ｊ３を挟んで位置Ｂ３と逆側の円弧ＣＲ３上に存在する
場合、移動経路ＣＲ３に沿った基板Ｗの回転中心Ｊ３か
ら吐出口２４１ｂまでの距離は移動経路ＣＲ３に沿った
基板Ｗの回転中心Ｊ３から吐出口２３１ｂまでの距離よ
りも長くなる。これにより、吐出口２４１ｂから吐出さ
れて基板Ｗ上に形成される純水の液膜は、吐出口２３１
ａから吐出される純水ミストの着液地点を一時的に覆う
ことができなくなる。しかしながら、除去液供給工程の
場合と同様に、ウォーターマーク状の欠陥は、基板Ｗの
中心部より相対的に回転速度が速く乾燥しやすい基板Ｗ
の周縁部側となるほど多数発生する。したがって、基板
Ｗの回転中心Ｊ３付近では発生しないため問題とならな
い。
出口２３１ｂおよび吐出口２４１ｂの移動経路ＣＲ３に
おける吐出口２４１ｂと吐出口２３１ｂとの中間位置
が、基板回転機構２１０の回転中心Ｊ３から、回転中心
Ｊ３を挟んで位置Ｂ３と逆側の円弧ＣＲ３上に存在する
場合、移動経路ＣＲ３に沿った基板Ｗの回転中心Ｊ３か
ら吐出口２４１ｂまでの距離は移動経路ＣＲ３に沿った
基板Ｗの回転中心Ｊ３から吐出口２３１ｂまでの距離よ
りも長くなる。これにより、吐出口２４１ｂから吐出さ
れて基板Ｗ上に形成される純水の液膜は、吐出口２３１
ａから吐出される純水ミストの着液地点を一時的に覆う
ことができなくなる。しかしながら、除去液供給工程の
場合と同様に、ウォーターマーク状の欠陥は、基板Ｗの
中心部より相対的に回転速度が速く乾燥しやすい基板Ｗ
の周縁部側となるほど多数発生する。したがって、基板
Ｗの回転中心Ｊ３付近では発生しないため問題とならな
い。
【０１４０】そして、先端部２２２ｂを位置Ｂ３と位置
Ｃ３との間で所定回数移動させた後、制御弁２６１ａ、
２６１ｂ、２６５ａを閉鎖し、基板Ｗへの純水ミストお
よび純水の供給を停止し、先端部２２２ｂを待避位置Ａ
３に戻す。
Ｃ３との間で所定回数移動させた後、制御弁２６１ａ、
２６１ｂ、２６５ａを閉鎖し、基板Ｗへの純水ミストお
よび純水の供給を停止し、先端部２２２ｂを待避位置Ａ
３に戻す。
【０１４１】続いて、液切り工程が実行される。液切り
工程では基板Ｗを高速で回転させることにより、基板Ｗ
上にある液体が振りきられるため、基板Ｗが乾燥する。
そして、液切り工程が終了して基板Ｗが乾燥されると、
基板回転機構２１０の回転モータ２１４が停止するとと
もに、カップ２１５が基板Ｗの周辺位置から下降する。
工程では基板Ｗを高速で回転させることにより、基板Ｗ
上にある液体が振りきられるため、基板Ｗが乾燥する。
そして、液切り工程が終了して基板Ｗが乾燥されると、
基板回転機構２１０の回転モータ２１４が停止するとと
もに、カップ２１５が基板Ｗの周辺位置から下降する。
【０１４２】そして、基板搬出工程が実行される。基板
搬出工程では、まず、シャッタ２８９が開放される。続
いて、搬送ロボットＴＲ１が除去処理ユニットＳＲから
ポリマー除去処理済みの基板Ｗを取り出し、搬入搬出部
ＩＤの受渡し台２７９に載置する。受渡し台２７９に載
置された基板Ｗは搬入搬出機構２７７によって持ち出さ
れ、搬出部２７３に載置されているキャリアＣに搬入さ
れる。
搬出工程では、まず、シャッタ２８９が開放される。続
いて、搬送ロボットＴＲ１が除去処理ユニットＳＲから
ポリマー除去処理済みの基板Ｗを取り出し、搬入搬出部
ＩＤの受渡し台２７９に載置する。受渡し台２７９に載
置された基板Ｗは搬入搬出機構２７７によって持ち出さ
れ、搬出部２７３に載置されているキャリアＣに搬入さ
れる。
【０１４３】やがて、所定枚数の処理済基板Ｗがキャリ
アＣに収納されると、そのキャリアＣがＡＧＶやＯＨＴ
(over-head hoist transport)等によって基板処理装置
３００外に搬出される。
アＣに収納されると、そのキャリアＣがＡＧＶやＯＨＴ
(over-head hoist transport)等によって基板処理装置
３００外に搬出される。
【０１４４】＜３．４．第３の実施の形態の基板処理装
置の利点＞以上のように、第３の実施の形態の基板処理
装置３００では、（１）遮蔽板２２６ａによって吐出口
２３１ａを覆い、（２）吐出口２３１ａと吐出口２４１
ａとの距離をＤ２に設定し、（３）基板Ｗを回転させな
がら、二流体ノズルであるソフトスプレーノズル２３０
ａから除去液ミストを、リンスノズル２４０ａから除去
液をそれぞれ吐出する。これにより、除去液ミストは、
リンスノズル２４０ａから吐出される除去液の経路Ｐ２
上に衝突して干渉することなく、基板Ｗ上に形成された
除去液の液膜に着液する。そのため、チャンバ２０５内
を汚染するこ防止し、ウォーターマーク状の欠陥が発生
することを防止しつつ、基板Ｗ上に形成されたトレンチ
構造等の微細パターン内部に付着したポリマー等の反応
生成物に除去液を供給し、反応生成物を除去することが
できる。
置の利点＞以上のように、第３の実施の形態の基板処理
装置３００では、（１）遮蔽板２２６ａによって吐出口
２３１ａを覆い、（２）吐出口２３１ａと吐出口２４１
ａとの距離をＤ２に設定し、（３）基板Ｗを回転させな
がら、二流体ノズルであるソフトスプレーノズル２３０
ａから除去液ミストを、リンスノズル２４０ａから除去
液をそれぞれ吐出する。これにより、除去液ミストは、
リンスノズル２４０ａから吐出される除去液の経路Ｐ２
上に衝突して干渉することなく、基板Ｗ上に形成された
除去液の液膜に着液する。そのため、チャンバ２０５内
を汚染するこ防止し、ウォーターマーク状の欠陥が発生
することを防止しつつ、基板Ｗ上に形成されたトレンチ
構造等の微細パターン内部に付着したポリマー等の反応
生成物に除去液を供給し、反応生成物を除去することが
できる。
【０１４５】また、第３の実施の形態の基板処理装置３
００では、（１）遮蔽板２２６ｂによって吐出口２３１
ｂを覆い、（２）吐出口２３１ｂと吐出口２４１ｂとの
距離をＤ３に設定し、（３）基板Ｗを回転させながら、
二流体ノズルであるソフトスプレーノズル２３０ｂから
純水ミストを、リンスノズル２４０ｂから純水をそれぞ
れ吐出する。これにより、純水ミストは、リンスノズル
２４０ｂから吐出される除去液の経路Ｐ３上に衝突して
干渉することなく、基板Ｗ上に形成された除去液の液膜
に着液する。そのため、チャンバ２０５内を汚染するこ
防止し、ウォーターマーク状の欠陥が発生することを防
止しつつ、基板Ｗ上に形成されたトレンチ構造等の微細
パターン内部に純水を供給し、溶解したポリマーや除去
液を洗浄することができる。
００では、（１）遮蔽板２２６ｂによって吐出口２３１
ｂを覆い、（２）吐出口２３１ｂと吐出口２４１ｂとの
距離をＤ３に設定し、（３）基板Ｗを回転させながら、
二流体ノズルであるソフトスプレーノズル２３０ｂから
純水ミストを、リンスノズル２４０ｂから純水をそれぞ
れ吐出する。これにより、純水ミストは、リンスノズル
２４０ｂから吐出される除去液の経路Ｐ３上に衝突して
干渉することなく、基板Ｗ上に形成された除去液の液膜
に着液する。そのため、チャンバ２０５内を汚染するこ
防止し、ウォーターマーク状の欠陥が発生することを防
止しつつ、基板Ｗ上に形成されたトレンチ構造等の微細
パターン内部に純水を供給し、溶解したポリマーや除去
液を洗浄することができる。
【０１４６】＜４．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に
限定されるものではなく様々な変形が可能である。
について説明してきたが、この発明は上記実施の形態に
限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１４７】（１）例えば、第１および第２の実施形態
のソフトスプレーノズル３０と、第３の実施の形態のソ
フトスプレーノズル２３０ｂとでは、洗浄液として純水
を供給して純水のミストを、また、第３の実施の形態の
ソフトスプレーノズル２３０ａでは、洗浄液として除去
液を供給して除去液ミストを、基板Ｗに向けてそれぞれ
吐出しているが、これに限定されるものでなく、洗浄液
として、例えば、硝酸水、塩酸水、フッ酸水、混合フッ
酸水（過水をフッ酸に混合）、バッファードフッ酸（フ
ッ酸水とフッ化アンモニウムとを混合）等の酸性溶液、
アンモニア水、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と
の混合液）等のアルカリ性溶液、純水にオゾンや水素を
溶解させた機能水、温水（好ましくは１５〜８０℃）を
使用し、これらの洗浄液ミストを使用して基板処理を行
ってもよい。
のソフトスプレーノズル３０と、第３の実施の形態のソ
フトスプレーノズル２３０ｂとでは、洗浄液として純水
を供給して純水のミストを、また、第３の実施の形態の
ソフトスプレーノズル２３０ａでは、洗浄液として除去
液を供給して除去液ミストを、基板Ｗに向けてそれぞれ
吐出しているが、これに限定されるものでなく、洗浄液
として、例えば、硝酸水、塩酸水、フッ酸水、混合フッ
酸水（過水をフッ酸に混合）、バッファードフッ酸（フ
ッ酸水とフッ化アンモニウムとを混合）等の酸性溶液、
アンモニア水、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と
の混合液）等のアルカリ性溶液、純水にオゾンや水素を
溶解させた機能水、温水（好ましくは１５〜８０℃）を
使用し、これらの洗浄液ミストを使用して基板処理を行
ってもよい。
【０１４８】（２）また、第１および第２の実施形態の
リンスノズル４０と、第３の実施の形態のリンスノズル
２４０ｂとでは、基板Ｗに洗浄液として純水を供給し、
純水の液膜を、また、第３の実施の形態のリンスノズル
２４０ａでは、基板Ｗに洗浄液として除去液を供給し、
基板Ｗ上に除去液の液膜をそれぞれ形成しているが、洗
浄ミストの場合と同様に、これに限定されるものでな
く、洗浄液として、例えば、硝酸水、塩酸水、フッ酸
水、混合フッ酸水（過水をフッ酸に混合）、バッファー
ドフッ酸（フッ酸水とフッ化アンモニウムとを混合）等
の酸性溶液、アンモニア水、ＳＣ１（アンモニア水と過
酸化水素水との混合液）等のアルカリ性溶液、純水にオ
ゾンや水素を溶解させた機能水、温水（好ましくは１５
〜８０℃）を使用し、これらの洗浄液ミストを使用して
基板処理を行ってもよい。
リンスノズル４０と、第３の実施の形態のリンスノズル
２４０ｂとでは、基板Ｗに洗浄液として純水を供給し、
純水の液膜を、また、第３の実施の形態のリンスノズル
２４０ａでは、基板Ｗに洗浄液として除去液を供給し、
基板Ｗ上に除去液の液膜をそれぞれ形成しているが、洗
浄ミストの場合と同様に、これに限定されるものでな
く、洗浄液として、例えば、硝酸水、塩酸水、フッ酸
水、混合フッ酸水（過水をフッ酸に混合）、バッファー
ドフッ酸（フッ酸水とフッ化アンモニウムとを混合）等
の酸性溶液、アンモニア水、ＳＣ１（アンモニア水と過
酸化水素水との混合液）等のアルカリ性溶液、純水にオ
ゾンや水素を溶解させた機能水、温水（好ましくは１５
〜８０℃）を使用し、これらの洗浄液ミストを使用して
基板処理を行ってもよい。
【０１４９】（３）さらに、第１〜第３の実施の形態に
おいて、洗浄ミストの形成に使用する気体を窒素ガスと
していたが、空気など通常の二流体ノズルで用いられる
気体であればどのような気体であってもよい。
おいて、洗浄ミストの形成に使用する気体を窒素ガスと
していたが、空気など通常の二流体ノズルで用いられる
気体であればどのような気体であってもよい。
【０１５０】（４）さらに、第１および第２の実施の形
態のソフトスプレーノズル３０およびリンスノズル４０
とはそれぞれからの洗浄液の吐出の開始および停止は同
時に行われるものとして説明を行ったが、リンス純水の
吐出を洗浄ミストの吐出よりも先行して開始させ、洗浄
ミストの吐出を停止した後に遅れてリンス純水の吐出を
停止するようにしてもよい。また、第３の実施の形態に
おけるソフトスプレーノズル２３０ａおよびリンスノズ
ル２４０ａ、ソフトスプレーノズル２３０ｂおよびリン
スノズル２４０ｂの場合も同様である。これによれば、
洗浄ミストの着液地点は確実に洗浄液の液膜で覆われた
状態となり、より効果的にウォーターマーク状の欠陥の
発生を抑制することができる。
態のソフトスプレーノズル３０およびリンスノズル４０
とはそれぞれからの洗浄液の吐出の開始および停止は同
時に行われるものとして説明を行ったが、リンス純水の
吐出を洗浄ミストの吐出よりも先行して開始させ、洗浄
ミストの吐出を停止した後に遅れてリンス純水の吐出を
停止するようにしてもよい。また、第３の実施の形態に
おけるソフトスプレーノズル２３０ａおよびリンスノズ
ル２４０ａ、ソフトスプレーノズル２３０ｂおよびリン
スノズル２４０ｂの場合も同様である。これによれば、
洗浄ミストの着液地点は確実に洗浄液の液膜で覆われた
状態となり、より効果的にウォーターマーク状の欠陥の
発生を抑制することができる。
【０１５１】（５）さらに、第１から第３の実施の形態
において、リンスノズルから吐出されるリンス純水の基
板Ｗ上の着液地点が、基板Ｗの回転中心を含むように構
成されていたが、これに限られるものではなく、ウォー
ターマーク状の欠陥を抑制するのに必要な範囲に純水の
液膜を形成できるような構成であればよい。
において、リンスノズルから吐出されるリンス純水の基
板Ｗ上の着液地点が、基板Ｗの回転中心を含むように構
成されていたが、これに限られるものではなく、ウォー
ターマーク状の欠陥を抑制するのに必要な範囲に純水の
液膜を形成できるような構成であればよい。
【０１５２】（６）第１および第２の実施の形態におい
て一つのリンスノズルのみが設けられていたが、複数の
リンスノズルが設けられてもよい。複数のリンスノズル
を設ける場合は、洗浄ミストの着液地点付近を覆うこと
ができるような位置（例えば、基板Ｗの回転上流側とな
る位置）に設置することにより、効果的にウォーターマ
ーク状の欠陥の発生を抑制することができる。
て一つのリンスノズルのみが設けられていたが、複数の
リンスノズルが設けられてもよい。複数のリンスノズル
を設ける場合は、洗浄ミストの着液地点付近を覆うこと
ができるような位置（例えば、基板Ｗの回転上流側とな
る位置）に設置することにより、効果的にウォーターマ
ーク状の欠陥の発生を抑制することができる。
【０１５３】（７）また、第１および第２の実施の形態
においては、ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１お
よびリンスノズル４０の吐出孔４１は同一のアーム２１
に対して所定の距離Ｄを隔てて固設されるものとして説
明を行ったが、少なくとも吐出孔３１および吐出孔４１
が所定以上の距離を保持するように、ソフトスプレーノ
ズル３０およびリンスノズル４０が移動されるようにな
っていればよい。例えば、ソフトスプレーノズル３０と
リンスノズル４０とが別々のアームに固設され、それぞ
れが独立して移動されるようになっていてもよい。
においては、ソフトスプレーノズル３０の吐出孔３１お
よびリンスノズル４０の吐出孔４１は同一のアーム２１
に対して所定の距離Ｄを隔てて固設されるものとして説
明を行ったが、少なくとも吐出孔３１および吐出孔４１
が所定以上の距離を保持するように、ソフトスプレーノ
ズル３０およびリンスノズル４０が移動されるようにな
っていればよい。例えば、ソフトスプレーノズル３０と
リンスノズル４０とが別々のアームに固設され、それぞ
れが独立して移動されるようになっていてもよい。
【０１５４】図７はこのような場合の基板洗浄装置の基
板洗浄部５０を上方から見た場合の図である。図６と同
様に便宜上、基板Ｗ、ソフトスプレーノズル３０の吐出
孔３１、リンスノズル４０の吐出孔４１および遮蔽板２
６のみを図示し、上記実施の形態と同様の機能を有する
ものに関しては同一符号を付している。
板洗浄部５０を上方から見た場合の図である。図６と同
様に便宜上、基板Ｗ、ソフトスプレーノズル３０の吐出
孔３１、リンスノズル４０の吐出孔４１および遮蔽板２
６のみを図示し、上記実施の形態と同様の機能を有する
ものに関しては同一符号を付している。
【０１５５】ソフトスプレーノズル３０および遮蔽板２
６は上記実施の形態と同様に相対的な配置関係を保持す
るように、図中符号Ｊ３で示す軸を中心として回動され
るアーム（以下、「第１アーム」という。）に固設され
る。第１アームの回動動作は、上記実施の形態のアーム
２１の回動動作と同様である。
６は上記実施の形態と同様に相対的な配置関係を保持す
るように、図中符号Ｊ３で示す軸を中心として回動され
るアーム（以下、「第１アーム」という。）に固設され
る。第１アームの回動動作は、上記実施の形態のアーム
２１の回動動作と同様である。
【０１５６】一方、リンスノズル４０は、第１アームに
は固設されず、別途設けられ図中符号Ｊ４で示す軸を中
心として回動されるアーム（以下、「第２アーム」とい
う。）の先端部に、その吐出孔４１を鉛直方向に向けて
固設される。第２アームの回動動作により、リンスノズ
ル４０の吐出孔４１の回動軌跡は円弧ＣＲ２上を描くこ
ととなる。
は固設されず、別途設けられ図中符号Ｊ４で示す軸を中
心として回動されるアーム（以下、「第２アーム」とい
う。）の先端部に、その吐出孔４１を鉛直方向に向けて
固設される。第２アームの回動動作により、リンスノズ
ル４０の吐出孔４１の回動軌跡は円弧ＣＲ２上を描くこ
ととなる。
【０１５７】洗浄処理においては、まず、ソフトスプレ
ーノズル３０の吐出孔３１が基板Ｗの周縁部に位置する
ように第１アームが移動される（位置Ｂへ移動される）
とともに、リンスノズル４０の吐出孔４１が基板Ｗの回
転中心Ｊ１直上に位置するように第２アームが移動され
る。
ーノズル３０の吐出孔３１が基板Ｗの周縁部に位置する
ように第１アームが移動される（位置Ｂへ移動される）
とともに、リンスノズル４０の吐出孔４１が基板Ｗの回
転中心Ｊ１直上に位置するように第２アームが移動され
る。
【０１５８】この状態にて、両ノズル３０，４０から洗
浄液の吐出が開始される。リンス純水は基板の回転中心
Ｊ１に着液後、回転の遠心力により基板全体に拡がる。
このため、洗浄ミストはリンス純水の液膜で覆われた基
板に対して吐出されることとなり、ウォーターマーク状
の欠陥の発生が抑制される。
浄液の吐出が開始される。リンス純水は基板の回転中心
Ｊ１に着液後、回転の遠心力により基板全体に拡がる。
このため、洗浄ミストはリンス純水の液膜で覆われた基
板に対して吐出されることとなり、ウォーターマーク状
の欠陥の発生が抑制される。
【０１５９】第１アームの先端部が位置Ｃへ近づくと、
第２アームの先端部がそれに連動して図中の矢印ＡＲ１
方向へ移動される。具体的には、吐出孔３１と吐出孔４
１との間隔が所定以上の距離となるように第２アームの
先端部が回動される。また、第１アームの先端部が位置
Ｂへ移動するときは、それに連動して第２アームの先端
部が図中の矢印ＡＲ２方向へ移動され、吐出孔４１が基
板の回転中心Ｊ１の直上に位置することとなる。
第２アームの先端部がそれに連動して図中の矢印ＡＲ１
方向へ移動される。具体的には、吐出孔３１と吐出孔４
１との間隔が所定以上の距離となるように第２アームの
先端部が回動される。また、第１アームの先端部が位置
Ｂへ移動するときは、それに連動して第２アームの先端
部が図中の矢印ＡＲ２方向へ移動され、吐出孔４１が基
板の回転中心Ｊ１の直上に位置することとなる。
【０１６０】このような基板洗浄装置においても、洗浄
ミストが基板に吐出されることによって生じるウォータ
ーマーク状の欠陥の発生を抑制しつつ、洗浄ミストと洗
浄液とが干渉することによって発生する処理液の飛散を
防止することが可能である。
ミストが基板に吐出されることによって生じるウォータ
ーマーク状の欠陥の発生を抑制しつつ、洗浄ミストと洗
浄液とが干渉することによって発生する処理液の飛散を
防止することが可能である。
【０１６１】なお、このような基板洗浄装置は、それぞ
れのノズル３０，４０に対してアームを設けなければな
らず、また、それぞれのアームの回動動作を独立して制
御する必要があることからその構成が複雑化する。この
ため、一つのアームに両ノズル３０，４０を固設すると
いう簡易な構成となる点で、上記実施の形態の基板洗浄
装置の構成がより好ましい。
れのノズル３０，４０に対してアームを設けなければな
らず、また、それぞれのアームの回動動作を独立して制
御する必要があることからその構成が複雑化する。この
ため、一つのアームに両ノズル３０，４０を固設すると
いう簡易な構成となる点で、上記実施の形態の基板洗浄
装置の構成がより好ましい。
【０１６２】（８）第２および第３の実施の形態におい
て、図４および図５に示すように、洗浄ミストを供給す
るノズル（例えば、ソフトスプレーノズル３０）と、液
膜を形成する洗浄液を供給するノズル（例えば、リンス
ノズル４０）とは、それぞれ基板Ｗの主面に対して略鉛
直となるようにアーム先端部（例えば、アーム２１の先
端部２２）に取り付けられているが、これに限定される
ものではない。例えば、図１６および図１７に示すよう
に、基板Ｗの主面に対して略鉛直となるように設けられ
たリンスノズル３４０と、リンスノズル３４０に対して
傾きをもって設けられたソフトスプレーノズル３３０と
によって基板処理を行ってもよい。
て、図４および図５に示すように、洗浄ミストを供給す
るノズル（例えば、ソフトスプレーノズル３０）と、液
膜を形成する洗浄液を供給するノズル（例えば、リンス
ノズル４０）とは、それぞれ基板Ｗの主面に対して略鉛
直となるようにアーム先端部（例えば、アーム２１の先
端部２２）に取り付けられているが、これに限定される
ものではない。例えば、図１６および図１７に示すよう
に、基板Ｗの主面に対して略鉛直となるように設けられ
たリンスノズル３４０と、リンスノズル３４０に対して
傾きをもって設けられたソフトスプレーノズル３３０と
によって基板処理を行ってもよい。
【０１６３】図１６、図１７のアーム３２１は、第２お
よび第３の実施の形態と同様に、その長手方向が水平方
向に沿うように基板Ｗの表面上方に配置されており、図
示しない回動モータが駆動し、その駆動力がアーム３２
１に伝達されることによって、アーム３２１が水平面内
にて回動される。また、アーム３２１の先端部３２２に
は、リンスノズル３４０と、固定部材３２７を介してソ
フトスプレーノズル３３０とが、設置されている。その
ため、アーム３２１の回動動作によってソフトスプレー
ノズル３３０およびリンスノズル３４０は、相対的な位
置関係を保持しつつ基板Ｗの表面上方を水平面内にて回
動される。
よび第３の実施の形態と同様に、その長手方向が水平方
向に沿うように基板Ｗの表面上方に配置されており、図
示しない回動モータが駆動し、その駆動力がアーム３２
１に伝達されることによって、アーム３２１が水平面内
にて回動される。また、アーム３２１の先端部３２２に
は、リンスノズル３４０と、固定部材３２７を介してソ
フトスプレーノズル３３０とが、設置されている。その
ため、アーム３２１の回動動作によってソフトスプレー
ノズル３３０およびリンスノズル３４０は、相対的な位
置関係を保持しつつ基板Ｗの表面上方を水平面内にて回
動される。
【０１６４】リンスノズル３４０は、第２の実施の形態
のリンスノズル４０や、第３の実施の形態のリンスノズ
ル２４０ａ、２４０ｂと同様に、基板Ｗに対して略鉛直
となるように設置されたノズルであり、基板Ｗを回転し
つつ基板Ｗに対して純水や除去液等の洗浄液を吐出する
ことにより、基板Ｗ上の所定の領域に洗浄液の液膜を形
成することができる。なお、基板Ｗの回転数は、後述す
るソフトスプレーノズル３３０から吐出される洗浄ミス
トがリンスノズル３４０から吐出される洗浄液の液膜に
着液するように予め実験等により求める。
のリンスノズル４０や、第３の実施の形態のリンスノズ
ル２４０ａ、２４０ｂと同様に、基板Ｗに対して略鉛直
となるように設置されたノズルであり、基板Ｗを回転し
つつ基板Ｗに対して純水や除去液等の洗浄液を吐出する
ことにより、基板Ｗ上の所定の領域に洗浄液の液膜を形
成することができる。なお、基板Ｗの回転数は、後述す
るソフトスプレーノズル３３０から吐出される洗浄ミス
トがリンスノズル３４０から吐出される洗浄液の液膜に
着液するように予め実験等により求める。
【０１６５】また、リンスノズル３４０は、アーム３２
１を回動させた場合、リンスノズル３４０から吐出され
る洗浄液が基板Ｗに着液する地点の中心位置の軌跡が、
基板Ｗの中心位置を通過するように配置されている。
１を回動させた場合、リンスノズル３４０から吐出され
る洗浄液が基板Ｗに着液する地点の中心位置の軌跡が、
基板Ｗの中心位置を通過するように配置されている。
【０１６６】ソフトスプレーノズル３３０は、第２の実
施の形態のソフトスプレーノズル３０や、第３の実施の
形態のソフトスプレーノズル２３０ａ、２３０ｂと同様
の二流体ノズルであり（図２参照）、ソフトスプレーノ
ズル３３０にて窒素ガスと、純水や除去液等の洗浄液と
を混合することにより、基板Ｗに対して洗浄ミストを吐
出することができる。また、図１６、図１７に示すよう
に、ソフトスプレーノズル３３０は、鉛直面内にてソフ
トスプレーノズル３３０の中心線とリンスノズル３４０
の中心線とがゼロでなく有限の値を有する角度θで交わ
るように、固定部材３２７を介してアーム３２１のアー
ム３２１に設置されている。さらに、ソフトスプレーノ
ズル３３０は、リンスノズル３４０と同様に、アーム３
２１を回動させた場合、ソフトスプレーノズル３３０か
ら吐出される洗浄ミストが基板Ｗに着液する地点の中心
位置の軌跡が、基板Ｗの中心位置を通過するように配置
されている。
施の形態のソフトスプレーノズル３０や、第３の実施の
形態のソフトスプレーノズル２３０ａ、２３０ｂと同様
の二流体ノズルであり（図２参照）、ソフトスプレーノ
ズル３３０にて窒素ガスと、純水や除去液等の洗浄液と
を混合することにより、基板Ｗに対して洗浄ミストを吐
出することができる。また、図１６、図１７に示すよう
に、ソフトスプレーノズル３３０は、鉛直面内にてソフ
トスプレーノズル３３０の中心線とリンスノズル３４０
の中心線とがゼロでなく有限の値を有する角度θで交わ
るように、固定部材３２７を介してアーム３２１のアー
ム３２１に設置されている。さらに、ソフトスプレーノ
ズル３３０は、リンスノズル３４０と同様に、アーム３
２１を回動させた場合、ソフトスプレーノズル３３０か
ら吐出される洗浄ミストが基板Ｗに着液する地点の中心
位置の軌跡が、基板Ｗの中心位置を通過するように配置
されている。
【０１６７】以上のように、第２および第３の実施の形
態と異なり、ソフトスプレーノズル３３０の中心線とリ
ンスノズル３４０の中心線とは、平行とならず鉛直面内
にて角度θで交わる。これにより、ソフトスプレーノズ
ル３３０から吐出される洗浄ミストの吐出方向とリンス
ノズル３４０から吐出される洗浄液の吐出方向とは、平
行とならず、ゼロでない有限の値となる角度θの傾きを
有する。その結果、固定部材３２７によってソフトスプ
レーノズル３０とリンスノズル３４０とを隔てることに
よって、第２および第３の実施の形態のような筒状の遮
蔽板を使用しなくとも洗浄ミストと洗浄液とを遮蔽して
洗浄液の経路に洗浄ミストが干渉することを防止でき、
基板Ｗ上の純水の液膜が形成されていない部分に純水ミ
ストが着液することを防止することができる。そのた
め、筒状の遮蔽板を設けることなく基板Ｗ上にウォータ
ーマーク状の欠陥が発生することを防止することができ
る。
態と異なり、ソフトスプレーノズル３３０の中心線とリ
ンスノズル３４０の中心線とは、平行とならず鉛直面内
にて角度θで交わる。これにより、ソフトスプレーノズ
ル３３０から吐出される洗浄ミストの吐出方向とリンス
ノズル３４０から吐出される洗浄液の吐出方向とは、平
行とならず、ゼロでない有限の値となる角度θの傾きを
有する。その結果、固定部材３２７によってソフトスプ
レーノズル３０とリンスノズル３４０とを隔てることに
よって、第２および第３の実施の形態のような筒状の遮
蔽板を使用しなくとも洗浄ミストと洗浄液とを遮蔽して
洗浄液の経路に洗浄ミストが干渉することを防止でき、
基板Ｗ上の純水の液膜が形成されていない部分に純水ミ
ストが着液することを防止することができる。そのた
め、筒状の遮蔽板を設けることなく基板Ｗ上にウォータ
ーマーク状の欠陥が発生することを防止することができ
る。
【０１６８】
【発明の効果】以上、説明したように、請求項１ないし
請求項７の発明によれば、第１の吐出手段から吐出され
た第１の洗浄液の液膜が形成された基板上に第２の吐出
手段から洗浄ミストを吐出するように構成されるため、
基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じることを防止
することができる。
請求項７の発明によれば、第１の吐出手段から吐出され
た第１の洗浄液の液膜が形成された基板上に第２の吐出
手段から洗浄ミストを吐出するように構成されるため、
基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じることを防止
することができる。
【０１６９】また特に、請求項２ないし請求項７の発明
によれば、洗浄ミストと第１の洗浄液とが基板に着液す
る以前に干渉しないように第１および第２の吐出手段の
それぞれが移動されるため、洗浄ミストと第１の洗浄液
とが干渉することによって発生する洗浄ミストの飛散を
防止することができる。
によれば、洗浄ミストと第１の洗浄液とが基板に着液す
る以前に干渉しないように第１および第２の吐出手段の
それぞれが移動されるため、洗浄ミストと第１の洗浄液
とが干渉することによって発生する洗浄ミストの飛散を
防止することができる。
【０１７０】また特に、請求項３の発明によれば、第１
および第２の吐出手段はそれぞれの基板上の着液地点が
所定以上の距離を保持するように移動されるため、洗浄
ミストと第１の洗浄液とが基板に着液する以前に干渉す
ることを防ぐことができ、その結果、洗浄ミストの飛散
を防止することができる。
および第２の吐出手段はそれぞれの基板上の着液地点が
所定以上の距離を保持するように移動されるため、洗浄
ミストと第１の洗浄液とが基板に着液する以前に干渉す
ることを防ぐことができ、その結果、洗浄ミストの飛散
を防止することができる。
【０１７１】また特に、請求項４の発明によれば、第１
の洗浄液を略鉛直方向に吐出するため、基板の回転中心
に向けた傾斜姿勢から第１の洗浄液を吐出する場合と比
較して、吐出された第１の洗浄液が有する水平方向の運
動エネルギーを低下させることができ、洗浄ミストの飛
散をさらに防止することができる。
の洗浄液を略鉛直方向に吐出するため、基板の回転中心
に向けた傾斜姿勢から第１の洗浄液を吐出する場合と比
較して、吐出された第１の洗浄液が有する水平方向の運
動エネルギーを低下させることができ、洗浄ミストの飛
散をさらに防止することができる。
【０１７２】また特に、請求項５の発明によれば、洗浄
ミストおよび第１の洗浄液が基板に着液する以前に接触
することを防止する遮蔽手段を備えるため、洗浄ミスト
と第１の洗浄液とが干渉することを効果的に防ぐことが
できる。
ミストおよび第１の洗浄液が基板に着液する以前に接触
することを防止する遮蔽手段を備えるため、洗浄ミスト
と第１の洗浄液とが干渉することを効果的に防ぐことが
できる。
【０１７３】また特に、請求項６の発明によれば、第１
および第２の吐出手段が一体的に移動され、かつ、それ
ぞれの基板上の着液地点が所定の距離に保持されるた
め、移動手段を複数設ける必要はなく簡易な構成で洗浄
ミストと第１の洗浄液とが干渉することを防ぐことがで
きる。
および第２の吐出手段が一体的に移動され、かつ、それ
ぞれの基板上の着液地点が所定の距離に保持されるた
め、移動手段を複数設ける必要はなく簡易な構成で洗浄
ミストと第１の洗浄液とが干渉することを防ぐことがで
きる。
【０１７４】また特に、請求項７の発明によれば、第１
の洗浄液の基板上の着液地点は、洗浄ミストの基板上の
着液地点に対して比較的長時間基板の回転中心側とな
る。このため、回転中心側に着液した第１の洗浄液は基
板の回転による遠心力により、洗浄ミストの着液地点を
含む基板周縁部側に拡がることとなり、洗浄ミストが基
板に吐出されることによって生じる障害を効果的に抑制
することができる。
の洗浄液の基板上の着液地点は、洗浄ミストの基板上の
着液地点に対して比較的長時間基板の回転中心側とな
る。このため、回転中心側に着液した第１の洗浄液は基
板の回転による遠心力により、洗浄ミストの着液地点を
含む基板周縁部側に拡がることとなり、洗浄ミストが基
板に吐出されることによって生じる障害を効果的に抑制
することができる。
【０１７５】また特に、請求項８の発明によれば、第１
の洗浄液として機能水を使用することができ、基板上に
機能水の液膜を形成することができる。
の洗浄液として機能水を使用することができ、基板上に
機能水の液膜を形成することができる。
【０１７６】また特に、請求項９の発明によれば、第１
の洗浄液として純水を使用することができ、基板上に純
水の液膜を形成することができる。
の洗浄液として純水を使用することができ、基板上に純
水の液膜を形成することができる。
【０１７７】また特に、請求項１０の発明によれば、第
２の洗浄液として酸性溶液を使用することができ、基板
に対して酸性溶液のミストを供給して基板処理を行うこ
とができる。
２の洗浄液として酸性溶液を使用することができ、基板
に対して酸性溶液のミストを供給して基板処理を行うこ
とができる。
【０１７８】また特に、請求項１１の発明によれば、第
２の洗浄液としてアルカリ性溶液を使用することがで
き、基板に対してアルカリ性溶液のミストを供給して基
板処理を行うことができる。
２の洗浄液としてアルカリ性溶液を使用することがで
き、基板に対してアルカリ性溶液のミストを供給して基
板処理を行うことができる。
【０１７９】また特に、請求項１２の発明によれば、第
２の洗浄液として除去液を使用することができるため、
基板に対して除去液を供給し、当該基板上に付着した反
応生成物を除去することができる。
２の洗浄液として除去液を使用することができるため、
基板に対して除去液を供給し、当該基板上に付着した反
応生成物を除去することができる。
【０１８０】また特に、請求項１３の発明によれば、洗
浄ミストと液膜とを同一の洗浄液とすることができるた
め、基板処理に使用する洗浄液の種類を削減することが
できる。
浄ミストと液膜とを同一の洗浄液とすることができるた
め、基板処理に使用する洗浄液の種類を削減することが
できる。
【０１８１】また、請求項１４および請求項１５の発明
によれば、基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じる
ことを防止することができるとともに、第１および第２
の吐出手段が、所定の間隔を隔てて固設されるため、洗
浄ミストと第１の洗浄液とが基板に着液する以前に干渉
することを防ぐことができる。その結果、洗浄ミストと
第１の洗浄液とが干渉することによって生じる洗浄ミス
トの飛散を防止することができる。
によれば、基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じる
ことを防止することができるとともに、第１および第２
の吐出手段が、所定の間隔を隔てて固設されるため、洗
浄ミストと第１の洗浄液とが基板に着液する以前に干渉
することを防ぐことができる。その結果、洗浄ミストと
第１の洗浄液とが干渉することによって生じる洗浄ミス
トの飛散を防止することができる。
【０１８２】また特に、請求項１５の発明によれば、第
１の洗浄液の基板上の着液地点は、洗浄ミストの基板上
の着液地点に対して比較的長時間基板の回転中心側とな
る。このため、回転中心側に着液した第１の洗浄液は基
板の回転による遠心力により、洗浄ミストの着液地点を
含む基板周縁部側に拡がることとなり、洗浄ミストが基
板に吐出されることによって生じる障害を効果的に抑制
することができる。
１の洗浄液の基板上の着液地点は、洗浄ミストの基板上
の着液地点に対して比較的長時間基板の回転中心側とな
る。このため、回転中心側に着液した第１の洗浄液は基
板の回転による遠心力により、洗浄ミストの着液地点を
含む基板周縁部側に拡がることとなり、洗浄ミストが基
板に吐出されることによって生じる障害を効果的に抑制
することができる。
【０１８３】また特に、請求項１６の発明によれば、洗
浄ミストと液膜とを同一の洗浄液とすることができるた
め、基板の洗浄処理に使用する洗浄液の種類を削減する
ことができる。
浄ミストと液膜とを同一の洗浄液とすることができるた
め、基板の洗浄処理に使用する洗浄液の種類を削減する
ことができる。
【０１８４】特に、請求項１７から請求項２０の発明に
よれば、基板上に形成される第１の洗浄液の液膜に、第
２の洗浄液から形成される洗浄ミストを吐出することが
できるため、基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じ
ることを防止しつつ、基板に付着した反応生成物を除去
することができる。また、基板上に形成される第３の洗
浄液の液膜に、第４の洗浄液から形成される洗浄ミスト
を吐出することができるため、基板上のウォーターマー
ク状の欠陥が生じるの防止しつつ、基板上を洗浄するこ
とができる。
よれば、基板上に形成される第１の洗浄液の液膜に、第
２の洗浄液から形成される洗浄ミストを吐出することが
できるため、基板上にウォーターマーク状の欠陥が生じ
ることを防止しつつ、基板に付着した反応生成物を除去
することができる。また、基板上に形成される第３の洗
浄液の液膜に、第４の洗浄液から形成される洗浄ミスト
を吐出することができるため、基板上のウォーターマー
ク状の欠陥が生じるの防止しつつ、基板上を洗浄するこ
とができる。
【０１８５】また特に、請求項１８の発明によれば、第
１の洗浄液と第２の洗浄液とを同一の洗浄液とすること
ができるため、使用する洗浄液の種類を削減することが
できる。
１の洗浄液と第２の洗浄液とを同一の洗浄液とすること
ができるため、使用する洗浄液の種類を削減することが
できる。
【０１８６】また特に、請求項１９の発明によれば、第
３の洗浄液と第４の洗浄液とを同一の洗浄液とすること
ができるため、使用する洗浄液の種類を削減することが
できる。
３の洗浄液と第４の洗浄液とを同一の洗浄液とすること
ができるため、使用する洗浄液の種類を削減することが
できる。
【０１８７】また特に、請求項２０の発明によれば、ポ
リマ除去液によって基板に付着した反応生成物を除去
し、純水によって基板を洗浄することができる。
リマ除去液によって基板に付着した反応生成物を除去
し、純水によって基板を洗浄することができる。
【０１８８】特に、請求項２１の発明によれば、基板上
に形成される第２の洗浄液の液膜に、第３の洗浄液から
形成される洗浄ミストを吐出することができるため、基
板上のウォーターマーク状の欠陥が生じるの防止しつ
つ、基板上を洗浄することができる。
に形成される第２の洗浄液の液膜に、第３の洗浄液から
形成される洗浄ミストを吐出することができるため、基
板上のウォーターマーク状の欠陥が生じるの防止しつ
つ、基板上を洗浄することができる。
【０１８９】特に、請求項２２の発明によれば、基板上
に形成される第１の洗浄液の液膜に、第２の洗浄液から
形成される洗浄ミストを吐出することができるため、基
板上にウォーターマーク状の欠陥が生じることを防止し
つつ、基板に付着した反応生成物を除去することができ
る。
に形成される第１の洗浄液の液膜に、第２の洗浄液から
形成される洗浄ミストを吐出することができるため、基
板上にウォーターマーク状の欠陥が生じることを防止し
つつ、基板に付着した反応生成物を除去することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板洗浄装置
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図２】ソフトスプレーノズルの断面概略図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る基板洗浄装置
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係るアームの先端
部を正面から見た一部切欠図である。
部を正面から見た一部切欠図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るアームの先端
部を上側から見た図である。
部を上側から見た図である。
【図６】基板洗浄部を上方から見た場合の図である。
【図７】アームを複数設けた場合の基板洗浄装置におけ
る基板洗浄部を上方から見た場合の図である。
る基板洗浄部を上方から見た場合の図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置
を模式的に示す平面図である。
を模式的に示す平面図である。
【図９】図８の基板処理装置の除去処理ユニットの構成
を模式的に示す図である。
を模式的に示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係るアームの先
端部を正面から見た一部切欠図である。
端部を正面から見た一部切欠図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態に係るアームの先
端部を上側から見た図である。
端部を上側から見た図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係るアームの先
端部を正面から見た一部切欠図である。
端部を正面から見た一部切欠図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係るアームの先
端部を上側から見た図である。
端部を上側から見た図である。
【図１４】第３の実施の形態の除去液供給工程における
除去処理ユニットの除去液吐出機構と純水吐出機構との
位置関係を模式的に示す図である。
除去処理ユニットの除去液吐出機構と純水吐出機構との
位置関係を模式的に示す図である。
【図１５】第３の実施の形態の除去液供給工程における
除去処理ユニットの除去液吐出機構と純水吐出機構との
位置関係を模式的に示す図である。
除去処理ユニットの除去液吐出機構と純水吐出機構との
位置関係を模式的に示す図である。
【図１６】アームの先端部を正面から見た図である。
【図１７】アームの先端部を上側から見た図である。
１，２００ 基板洗浄装置
１１，１００ スピンベース
１５，１０３，２１５ カップ
２１、２２１ａ，２２１ｂ アーム
２６，１１３ 遮蔽板
３０、２３０ａ，２３０ｂ ソフトスプレーノズル
３１、２３１ａ，２３１ｂ 吐出孔
４０，１１２，２４０ａ，２４０ｂ リンスノズル
４１、２４１ａ，２４１ｂ 吐出孔
６０ 処理液供給部
３００ 基板処理装置
２１１ 基板保持部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｒ
(72)発明者 佐藤 雅伸
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 杉本 洋昭
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 橋詰 彰夫
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 辻川 裕貴
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA21 FA30 HA01 MA20
3B201 AA01 AB33 AB47 BB38 BB42
BB90 BB93 BB95 BB98 CC13
CD43
5F043 AA37 BB27 DD12 DD13 DD15
EE07 EE08
Claims (22)
- 【請求項１】 回転基台上に保持された基板を略水平面
内にて回転させつつ洗浄する基板処理装置であって、 第１の洗浄液を前記基板上に吐出して、前記基板上に液
膜を形成する第１の吐出手段と、 移動されつつ、前記液膜が形成された前記基板上に、第
２の洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗
浄ミストを吐出する第２の吐出手段と、を備えることを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記第１の吐出手段は、基板上の所定の領域に第１の洗
浄液の液膜が形成されるように移動され、 前記第２の吐出手段は、前記洗浄ミストの前記基板上の
着液地点が前記基板の回転中心を通るように移動される
ものであって、 前記第１および第２の吐出手段は、前記第１の洗浄液と
前記洗浄ミストとが前記基板上に着液する以前に干渉す
ることがないように移動されることを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理装置におい
て、 前記第１および第２の吐出手段は、それぞれからの前記
基板上の着液地点が所定以上の距離を保持するように移
動されることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記第１の吐出手段は、前記第１の洗浄液を略鉛直方向
に吐出することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記洗浄ミストおよび前記第１の洗浄液が前記基板に着
液する以前に接触することを防止する遮蔽手段、をさら
に備えることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記第１および第２の吐出手段の双方を一体的に移動さ
せる移動手段、をさらに備え、 前記第１および第２の吐出手段のそれぞれは、前記移動
手段によりそれぞれからの前記基板上の着液地点が所定
の距離を保持するように移動されることを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の基板処理装置におい
て、 前記移動手段は、前記第２の吐出手段が少なくとも前記
基板の回転中心と前記基板の周縁部との間を回動するよ
うに、前記第１および第２の吐出手段の双方を回動させ
るものであって、 前記移動手段によって回動される前記第１および第２の
吐出手段のそれぞれの回動軌跡が略同一円周上の円弧と
なり、かつ、 前記第２の吐出手段が前記基板の周縁部に位置している
ときに相対的に前記第１の吐出手段が前記基板の回転中
心側に位置するように、前記第１および第２の吐出手段
が配置されることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記第１の洗浄液は、機能水であることを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項７のいずれかに記
載の基板処理装置において、 前記第１の洗浄液は、純水であることを特徴とする基板
処理装置。 - 【請求項１０】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
記載の基板処理装置において、 前記第２の洗浄液は、酸性溶液であることを特徴とする
基板処理装置。 - 【請求項１１】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
記載の基板処理装置において、 前記第２の洗浄液は、アルカリ性溶液であることを特徴
とする基板処理装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
記載の基板処理装置において、 前記第２の洗浄液は、前記基板に付着した反応生成物を
除去する除去液であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１３】 請求項１ないし請求項１２のいずれか
に記載の基板処理装置において、 前記第１の洗浄液と前記第２の洗浄液とは同一の洗浄液
であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１４】 回転基台上に保持された基板を略水平
面内にて回転させつつ洗浄する基板洗浄装置において、 第１の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に液膜
を形成する第１の吐出手段と、 前記液膜が形成された基板上に、第２の洗浄液と加圧さ
れた気体とを混合して形成される洗浄ミストを吐出する
第２の吐出手段と、 前記第１および第２の吐出手段が所定の間隔を隔てて先
端に固設されたアームと、 前記第１および第２の吐出手段の双方が前記基板の回転
中心を通るように前記アームを回動させる回動手段と、
を備えることを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載の基板洗浄装置にお
いて、 前記回動手段は、前記第２の吐出手段が少なくとも前記
基板の回転中心と前記基板の周縁部との間を回動するよ
うに、前記アームを回動させるものであって、 前記回動手段によって回動される前記第１および第２の
吐出手段のそれぞれの回動軌跡が略同一円周上の円弧と
なり、かつ、 前記第２の吐出手段が前記基板の周縁部に位置している
ときに相対的に前記第１の吐出手段が前記基板の回転中
心側に位置するように、前記第１および第２の吐出手段
が配置されることを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項１６】 請求項１４または請求項１５に記載の
基板洗浄装置において、 前記第１の洗浄液は、純水であり、前記第２の洗浄液
は、純水であることを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項１７】 回転基台上に保持された基板を略水平
面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物
を除去する基板処理装置において、 前記基板に第１の洗浄液と第２の洗浄液とを吐出して前
記基板に付着した反応生成物を除去する第１の洗浄液供
給手段と、 前記基板に第３の洗浄液と第４の洗浄液とを吐出して前
記基板を洗浄する第２の洗浄液供給手段と、を備え, 前記第１の洗浄液供給手段は、 前記第１の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に
前記第１の洗浄液の液膜を形成する第１の吐出手段と、 前記第１の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第２の
洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミ
ストを吐出する第２の吐出手段と、を有し、 前記第２の洗浄手段は、 前記第３の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に
前記第３の洗浄液の液膜を形成する第３の吐出手段と、 前記第３の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第４の
洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミ
ストを吐出する第４の吐出手段と、を有することを特徴
とする基板処理装置。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載の基板処理装置にお
いて、 前記第１の洗浄液と前記第２の洗浄液とは同一の洗浄液
であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１９】 請求項１７または請求項１８に記載の
基板処理装置において、 前記第３の洗浄液と前記第４の洗浄液とは同一の洗浄液
であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２０】 請求項１７ないし請求項１９のいずれ
かに記載の基板処理装置において、 前記第１の洗浄液は、ポリマー除去液であり、前記第３
の洗浄液は、純水であることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項２１】 回転基台上に保持された基板を略水平
面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物
を除去する基板処理装置において、 前記基板に第１の洗浄液を吐出して前記基板に付着した
反応生成物を除去する第１の吐出手段と、 前記基板に第２の洗浄液と第３の洗浄液とを吐出して前
記基板を洗浄する洗浄液供給手段と、を備え,前記洗浄
液供給手段は、 前記第２の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に
前記第２の洗浄液の液膜を形成する第２の吐出手段と、 前記第２の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第３の
洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミ
ストを吐出する第３の吐出手段と、を有することを特徴
とする基板処理装置。 - 【請求項２２】 回転基台上に保持された基板を略水平
面内にて回転させつつ、前記基板に付着した反応生成物
を除去する基板処理装置において、 前記基板に第１の洗浄液と第２の洗浄液とを吐出し、 前記第１の洗浄液を前記基板上に吐出して前記基板上に
前記第１の洗浄液の液膜を形成する第１の吐出手段と、 前記第１の洗浄液の液膜が形成された基板上に、第２の
洗浄液と加圧された気体とを混合して形成される洗浄ミ
ストを吐出する第２の吐出手段と、を有して前記基板に
付着した有機物を除去する洗浄液供給手段と、 前記基板に第３の洗浄液を吐出して前記基板を洗浄する
第３の吐出手段と、を備えることを特徴する基板処理装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002293790A JP3892792B2 (ja) | 2001-11-02 | 2002-10-07 | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
| TW091124070A TW583732B (en) | 2001-11-02 | 2002-10-18 | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
| KR10-2002-0065771A KR100498626B1 (ko) | 2001-11-02 | 2002-10-28 | 기판세정장치 및 방법 |
| US10/286,873 US7422641B2 (en) | 2001-11-02 | 2002-10-30 | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
| US11/026,246 US7314529B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-12-29 | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-337738 | 2001-11-02 | ||
| JP2001337738 | 2001-11-02 | ||
| JP2002293790A JP3892792B2 (ja) | 2001-11-02 | 2002-10-07 | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209087A true JP2003209087A (ja) | 2003-07-25 |
| JP3892792B2 JP3892792B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=26624313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002293790A Expired - Lifetime JP3892792B2 (ja) | 2001-11-02 | 2002-10-07 | 基板処理装置および基板洗浄装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7422641B2 (ja) |
| JP (1) | JP3892792B2 (ja) |
| KR (1) | KR100498626B1 (ja) |
| TW (1) | TW583732B (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340248A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2006286665A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Corp | 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置 |
| KR100901459B1 (ko) * | 2007-10-11 | 2009-06-08 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 |
| JP2009246308A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| JP2011029315A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JP2012019156A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JP2013207303A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR20140043676A (ko) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 세정 장치 및 연마 장치 |
| KR101422621B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2014-07-24 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 화학 물질 분사 방법 및 장치 |
| KR20140113348A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체 |
| KR101486165B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2015-01-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 및 노즐 |
| JP2015198217A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置及びワークの洗浄方法 |
| KR20160033606A (ko) | 2014-09-18 | 2016-03-28 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2016072344A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20170085115A (ko) | 2015-03-30 | 2017-07-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| US10211075B2 (en) | 2016-03-22 | 2019-02-19 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating a substrate |
| CN111921395A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-11-13 | 武汉大学 | 一种溶气式水射流装置及溶气式水射流发生方法 |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060118132A1 (en) * | 2004-12-06 | 2006-06-08 | Bergman Eric J | Cleaning with electrically charged aerosols |
| CN100424822C (zh) * | 2003-06-06 | 2008-10-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板的处理膜表面粗糙度的改善方法及基板的处理装置 |
| KR100772469B1 (ko) * | 2003-11-18 | 2007-11-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 컴퓨터 판독 가능한기록 매체 |
| US20050211267A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Yao-Hwan Kao | Rinse nozzle and method |
| US20050274393A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer clean process |
| TW200703482A (en) * | 2005-03-31 | 2007-01-16 | Toshiba Kk | Method and apparatus for cleaning electronic device |
| KR101316769B1 (ko) * | 2005-04-01 | 2013-10-15 | 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 | 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치 |
| JP2007220956A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| CN101389415A (zh) * | 2006-02-22 | 2009-03-18 | 赛迈有限公司 | 单侧工件处理 |
| CN104319249B (zh) | 2006-07-07 | 2017-11-07 | Tel Fsi股份有限公司 | 用于处理微电子工件的设备 |
| WO2008090019A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Sez Ag | Method for cleaning a surface |
| JP5063138B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2012-10-31 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板現像方法および現像装置 |
| KR101060664B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2011-08-31 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치 |
| US8235062B2 (en) | 2008-05-09 | 2012-08-07 | Fsi International, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| JP5355951B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
| JP5650896B2 (ja) * | 2009-09-03 | 2015-01-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| TWI421927B (zh) * | 2010-03-09 | 2014-01-01 | Dainippon Screen Mfg | 基板清洗方法及基板清洗裝置 |
| US8501025B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-08-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method |
| JP5852898B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2016-02-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5829082B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2015-12-09 | オリンパス株式会社 | 洗浄装置 |
| US9005877B2 (en) | 2012-05-15 | 2015-04-14 | Tokyo Electron Limited | Method of forming patterns using block copolymers and articles thereof |
| US9393579B2 (en) | 2012-10-03 | 2016-07-19 | The Boeing Company | Cleaning apparatus and method of cleaning a contaminated surface |
| KR101536722B1 (ko) * | 2012-11-06 | 2015-07-15 | 세메스 주식회사 | 기판처리방법 |
| US9147574B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-09-29 | Tokyo Electron Limited | Topography minimization of neutral layer overcoats in directed self-assembly applications |
| US8975009B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-10 | Tokyo Electron Limited | Track processing to remove organic films in directed self-assembly chemo-epitaxy applications |
| US20140273534A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Tokyo Electron Limited | Integration of absorption based heating bake methods into a photolithography track system |
| US8980538B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-03-17 | Tokyo Electron Limited | Chemi-epitaxy in directed self-assembly applications using photo-decomposable agents |
| US9136110B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-09-15 | Tokyo Electron Limited | Multi-step bake apparatus and method for directed self-assembly lithography control |
| WO2015034690A1 (en) | 2013-09-04 | 2015-03-12 | Tokyo Electron Limited | Uv-assisted stripping of hardened photoresist to create chemical templates for directed self-assembly |
| US9793137B2 (en) | 2013-10-20 | 2017-10-17 | Tokyo Electron Limited | Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines |
| US9349604B2 (en) | 2013-10-20 | 2016-05-24 | Tokyo Electron Limited | Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications |
| CN105563348B (zh) * | 2015-12-28 | 2017-10-31 | 北京科技大学 | 一种后混合磨料水射流除鳞喷嘴 |
| JP6726430B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2020-07-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US9947597B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-04-17 | Tokyo Electron Limited | Defectivity metrology during DSA patterning |
| US11355366B2 (en) * | 2018-08-30 | 2022-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for shuttered wafer cleaning |
| CN109878404A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-14 | 贵州黎阳天翔科技有限公司 | 一种燃气射流洗消车 |
| JP2022189496A (ja) * | 2021-06-11 | 2022-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US12019370B2 (en) * | 2021-08-31 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for manufacturing a semiconductor device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19522525A1 (de) * | 1994-10-04 | 1996-04-11 | Kunze Concewitz Horst Dipl Phy | Verfahren und Vorrichtung zum Feinstreinigen von Oberflächen |
| US6247479B1 (en) * | 1997-05-27 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Washing/drying process apparatus and washing/drying process method |
| JP3626610B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2005-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| KR100726015B1 (ko) * | 1999-10-06 | 2007-06-08 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판세정방법 및 그 장치 |
| US6387822B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-05-14 | Texas Instruments Incorporated | Application of an ozonated DI water spray to resist residue removal processes |
| JP3939077B2 (ja) | 2000-05-30 | 2007-06-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄装置 |
| US6951221B2 (en) * | 2000-09-22 | 2005-10-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| US6858091B2 (en) * | 2001-07-13 | 2005-02-22 | Lam Research Corporation | Method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system |
| TW561516B (en) * | 2001-11-01 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP3993048B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-10-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2002
- 2002-10-07 JP JP2002293790A patent/JP3892792B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-18 TW TW091124070A patent/TW583732B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-28 KR KR10-2002-0065771A patent/KR100498626B1/ko active IP Right Grant
- 2002-10-30 US US10/286,873 patent/US7422641B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-29 US US11/026,246 patent/US7314529B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4488497B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-06-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2005340248A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2006286665A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Corp | 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置 |
| KR100901459B1 (ko) * | 2007-10-11 | 2009-06-08 | 세메스 주식회사 | 약액 공급 장치 |
| US7900853B2 (en) | 2007-10-11 | 2011-03-08 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for supplying chemical liquid |
| JP2009246308A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| JP2011029315A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| JP2012019156A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
| KR101422621B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2014-07-24 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 화학 물질 분사 방법 및 장치 |
| KR101486165B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2015-01-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 및 노즐 |
| KR101491881B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2015-02-09 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US9539589B2 (en) | 2011-08-30 | 2017-01-10 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, and nozzle |
| JP2013207303A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR102076753B1 (ko) | 2012-10-02 | 2020-02-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 세정 장치 및 연마 장치 |
| KR20140043676A (ko) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 세정 장치 및 연마 장치 |
| US11495475B2 (en) | 2012-10-02 | 2022-11-08 | Ebara Corporation | Method of cleaning a substrate |
| JP2014075388A (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-24 | Ebara Corp | 基板洗浄装置および研磨装置 |
| KR20140113348A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체 |
| JP2014199917A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体 |
| KR102159840B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2020-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체 |
| JP2015198217A (ja) * | 2014-04-03 | 2015-11-09 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置及びワークの洗浄方法 |
| JP2016063073A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US9805938B2 (en) | 2014-09-18 | 2017-10-31 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| KR20160033606A (ko) | 2014-09-18 | 2016-03-28 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2016072344A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20170085115A (ko) | 2015-03-30 | 2017-07-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| US10211075B2 (en) | 2016-03-22 | 2019-02-19 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating a substrate |
| CN111921395A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-11-13 | 武汉大学 | 一种溶气式水射流装置及溶气式水射流发生方法 |
| CN111921395B (zh) * | 2020-07-30 | 2022-01-07 | 武汉大学 | 一种溶气式水射流装置及溶气式水射流发生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7314529B2 (en) | 2008-01-01 |
| KR20030038377A (ko) | 2003-05-16 |
| US20030084925A1 (en) | 2003-05-08 |
| US7422641B2 (en) | 2008-09-09 |
| KR100498626B1 (ko) | 2005-07-01 |
| JP3892792B2 (ja) | 2007-03-14 |
| TW583732B (en) | 2004-04-11 |
| US20050115596A1 (en) | 2005-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003209087A (ja) | 基板処理装置 | |
| US7803230B2 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and medium for recording program used for the method | |
| US20090070946A1 (en) | Apparatus for and method of processing substrate | |
| US8147153B2 (en) | Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium | |
| US6605153B2 (en) | Coating film forming apparatus | |
| JP3834542B2 (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| JP7197376B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| TWI728346B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| KR20120007452A (ko) | 기판 세정 장치, 이를 구비하는 도포 현상 장치 및 기판 세정 방법 | |
| KR20150005491A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| US20090038641A1 (en) | Substrate Cleaning Apparatus, Substrate Cleaning Method, Substrate Processing System, and Storage Medium | |
| CN109390252B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 | |
| KR20030036087A (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
| TWI753789B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| TWI687971B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| JP5726686B2 (ja) | 液処理装置、及び液処理装置の制御方法 | |
| JP3573445B2 (ja) | 現像装置及び洗浄装置 | |
| JP7203685B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム | |
| JPH0747324A (ja) | 塗布方法及びその装置 | |
| JPH1174195A (ja) | 液処理装置 | |
| JP2000183020A (ja) | 洗浄装置 | |
| TWI708641B (zh) | 基板處理方法 | |
| TWI808813B (zh) | 基板洗淨裝置、基板洗淨系統、基板處理系統、基板洗淨方法及基板處理方法 | |
| JP7372084B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP4286822B2 (ja) | 洗浄処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060623 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060801 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061002 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061205 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061207 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3892792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091215 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111215 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121215 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131215 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |