JP2003208108A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003208108A JP2003208108A JP2002003082A JP2002003082A JP2003208108A JP 2003208108 A JP2003208108 A JP 2003208108A JP 2002003082 A JP2002003082 A JP 2002003082A JP 2002003082 A JP2002003082 A JP 2002003082A JP 2003208108 A JP2003208108 A JP 2003208108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light emitting
- electrode
- forming
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 スイッチング素子を形成した基板上に発光素
子を形成する表示装置において、製造効率が良くかつス
イッチング素子や駆動配線により有効発光面積が制限さ
れない表示装置を提供する。 【解決手段】 共通透明電極と発光素子と画素電極が形
成された第１の基板と、マトリックス駆動のスイッチン
グ素子および駆動用配線とそれぞれのスイッチング素子
に接続された接続端子が形成された第２の基板を、画素
電極と接続端子を電気接続して重ね合わせた構造とす
る。
子を形成する表示装置において、製造効率が良くかつス
イッチング素子や駆動配線により有効発光面積が制限さ
れない表示装置を提供する。 【解決手段】 共通透明電極と発光素子と画素電極が形
成された第１の基板と、マトリックス駆動のスイッチン
グ素子および駆動用配線とそれぞれのスイッチング素子
に接続された接続端子が形成された第２の基板を、画素
電極と接続端子を電気接続して重ね合わせた構造とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬディスプ
レイに代表される自発光膜を用いたフラット・パネル・
ディスプレイ装置の構成およびその製造方法に関する。
レイに代表される自発光膜を用いたフラット・パネル・
ディスプレイ装置の構成およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フラット・パネル・ディスプレイ
としての有機ＥＬディスプレイが注目されている。その
有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子は形成時の
ダメージ等を回避するために、基板裏面方向へ光を取り
出す方法が一般的によく知られている。
としての有機ＥＬディスプレイが注目されている。その
有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子は形成時の
ダメージ等を回避するために、基板裏面方向へ光を取り
出す方法が一般的によく知られている。
【０００３】図７は、発光素子としての有機ＥＬ素子の
概略構成図であり、図７において、ガラス基板１００上
に透明導電膜よりなるアノード電極膜１０１、Ｐ型有機
薄膜である正孔輸送層１０２、発光層１０３、Ｎ型有機
薄膜である電子輸送層１０４、カソード電極膜１０５が
形成されている。この有機ＥＬ素子のアノード電極膜１
０１とカソード電極膜１０５間に電圧を印加すると正孔
輸送層１０２と電子輸送層１０４との間の発光層１０３
およびその近傍で発光する。
概略構成図であり、図７において、ガラス基板１００上
に透明導電膜よりなるアノード電極膜１０１、Ｐ型有機
薄膜である正孔輸送層１０２、発光層１０３、Ｎ型有機
薄膜である電子輸送層１０４、カソード電極膜１０５が
形成されている。この有機ＥＬ素子のアノード電極膜１
０１とカソード電極膜１０５間に電圧を印加すると正孔
輸送層１０２と電子輸送層１０４との間の発光層１０３
およびその近傍で発光する。
【０００４】ここで、カソード電極膜１０５を形成する
場合にスパッタ法などプラズマ等を用いた成膜方法で
は、電子輸送層１０４にダメージを与えるため、カソー
ド電極膜１０５から電子輸送層１０４への電子の注入効
率が低下し、素子の発光効率が悪くなってしまう。そこ
で、従来方法では抵抗加熱などの真空蒸着等でイオン性
のダメージのない電極を形成しているが、真空蒸着によ
って低ダメージで電子注入可能な透明電極は形成できな
い（電極の抵抗が高い、透過率が低い、電子注入効率が
悪い）ため、一般にアルミニウム膜をカソード電極膜１
０５として用いている。
場合にスパッタ法などプラズマ等を用いた成膜方法で
は、電子輸送層１０４にダメージを与えるため、カソー
ド電極膜１０５から電子輸送層１０４への電子の注入効
率が低下し、素子の発光効率が悪くなってしまう。そこ
で、従来方法では抵抗加熱などの真空蒸着等でイオン性
のダメージのない電極を形成しているが、真空蒸着によ
って低ダメージで電子注入可能な透明電極は形成できな
い（電極の抵抗が高い、透過率が低い、電子注入効率が
悪い）ため、一般にアルミニウム膜をカソード電極膜１
０５として用いている。
【０００５】よって、アルミニウム膜は光の透過率が極
めて悪い（反射する）ので、発光層１０３で発光した光
は直接透明電極であるアノード電極膜１０１を通過して
ガラス基板１００側へ放出、または、カソード電極膜１
０５により反射されてガラス基板１００側へ放出され
る。
めて悪い（反射する）ので、発光層１０３で発光した光
は直接透明電極であるアノード電極膜１０１を通過して
ガラス基板１００側へ放出、または、カソード電極膜１
０５により反射されてガラス基板１００側へ放出され
る。
【０００６】図８は、上述の有機ＥＬ素子を用いた従来
の有機ＥＬディスプレイの概略断面図であり、図８にお
いて、１１０はスイッチング素子としての薄膜トランジ
スタ１１６をマトリックス状に形成したガラス基板であ
り、薄膜トランジスタの出力側に接続されたアノード電
極膜としての透明導電材料（例えばＩＴＯ）よりなる画
素電極１１１、Ｐ型有機薄膜である正孔輸送層１１２、
発光層１１３、Ｎ型有機薄膜である電子輸送層１１４、
カソード電極膜としての（例えばアルミ膜よりなる）共
通電極１１５、対向の裏面ガラス１１７が図示しない封
止手段により空隙を設けて形成されている。
の有機ＥＬディスプレイの概略断面図であり、図８にお
いて、１１０はスイッチング素子としての薄膜トランジ
スタ１１６をマトリックス状に形成したガラス基板であ
り、薄膜トランジスタの出力側に接続されたアノード電
極膜としての透明導電材料（例えばＩＴＯ）よりなる画
素電極１１１、Ｐ型有機薄膜である正孔輸送層１１２、
発光層１１３、Ｎ型有機薄膜である電子輸送層１１４、
カソード電極膜としての（例えばアルミ膜よりなる）共
通電極１１５、対向の裏面ガラス１１７が図示しない封
止手段により空隙を設けて形成されている。
【０００７】ここで、それぞれの薄膜トランジスタ１１
６によりそれぞれの画素電極に電圧を印加して電流を流
すことにより、画素電極ごとに発光させることができ
る。マトリックス状に配置された薄膜トランジスタ１１
６を（図示しない）周辺回路により制御して画素ごとの
電流を制御することで各画素の発光量を制御でき、有機
ＥＬディスプレイを得ることができる。また、発光層１
１３にＲ／Ｇ／Ｂに対応した発光材料を用い、画素をＲ
／Ｇ／Ｂそれぞれに対応して作成・駆動することによっ
て、カラー有機ＥＬディスプレイを得ることができる。
６によりそれぞれの画素電極に電圧を印加して電流を流
すことにより、画素電極ごとに発光させることができ
る。マトリックス状に配置された薄膜トランジスタ１１
６を（図示しない）周辺回路により制御して画素ごとの
電流を制御することで各画素の発光量を制御でき、有機
ＥＬディスプレイを得ることができる。また、発光層１
１３にＲ／Ｇ／Ｂに対応した発光材料を用い、画素をＲ
／Ｇ／Ｂそれぞれに対応して作成・駆動することによっ
て、カラー有機ＥＬディスプレイを得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
有機ＥＬディスプレイでは、以下に記す課題を有してい
る。
有機ＥＬディスプレイでは、以下に記す課題を有してい
る。
【０００９】まず、薄膜トランジスタなどのマトリック
ス状に配置されたスイッチング素子を形成したガラス基
板上に有機ＥＬ素子などの発光素子を形成する必要があ
る。そのため、１枚のガラス基板上に多数のパネルを形
成する場合、スイッチング素子の形成段階で１つまたは
数個のパネルに不良が発生し使用できなくなっても、そ
の後の発光素子の形成は（割断しないで）ガラス基板全
面で行なわれ、不良パネル上にも発光素子を形成するこ
とになり、製造効率が悪いという課題がある。
ス状に配置されたスイッチング素子を形成したガラス基
板上に有機ＥＬ素子などの発光素子を形成する必要があ
る。そのため、１枚のガラス基板上に多数のパネルを形
成する場合、スイッチング素子の形成段階で１つまたは
数個のパネルに不良が発生し使用できなくなっても、そ
の後の発光素子の形成は（割断しないで）ガラス基板全
面で行なわれ、不良パネル上にも発光素子を形成するこ
とになり、製造効率が悪いという課題がある。
【００１０】次に、上述した有機ＥＬ素子などの発光素
子を形成する際の制約により、従来の有機ＥＬディスプ
レイでは、スイッチング素子やスイッチング素子の駆動
配線が形成されているガラス基板１１０方向に光を取り
出す必要がある。そのため、ガラス基板上に形成された
スイッチング素子部やスイッチング素子の駆動配線部が
光を遮るため、有効な発光面積を制限し縮小してしまう
という課題がある。
子を形成する際の制約により、従来の有機ＥＬディスプ
レイでは、スイッチング素子やスイッチング素子の駆動
配線が形成されているガラス基板１１０方向に光を取り
出す必要がある。そのため、ガラス基板上に形成された
スイッチング素子部やスイッチング素子の駆動配線部が
光を遮るため、有効な発光面積を制限し縮小してしまう
という課題がある。
【００１１】本発明の目的は、上述の課題に対して、製
造効率の向上とディスプレイの発光面積の拡大を図る表
示装置およびその製造方法を提供することにある。
造効率の向上とディスプレイの発光面積の拡大を図る表
示装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明の表示装置およびその製造方法では、請求項
１〜請求項１２に記載する手段を講じている。
め、本発明の表示装置およびその製造方法では、請求項
１〜請求項１２に記載する手段を講じている。
【００１３】具体的に、請求項１の発明が講じた手段
は、マトリックス駆動により発光素子に電力を供給して
画像を表示する表示装置であって、共通透明電極と前記
共通透明電極上の発光素子と前記発光素子上の画素電極
が形成された第１の基板と、マトリックス駆動のスイッ
チング素子および駆動用配線とそれぞれのスイッチング
素子に接続された接続端子が形成された第２の基板を、
前記画素電極と前記接続端子を電気接続して重ね合わせ
た構成とするものである。
は、マトリックス駆動により発光素子に電力を供給して
画像を表示する表示装置であって、共通透明電極と前記
共通透明電極上の発光素子と前記発光素子上の画素電極
が形成された第１の基板と、マトリックス駆動のスイッ
チング素子および駆動用配線とそれぞれのスイッチング
素子に接続された接続端子が形成された第２の基板を、
前記画素電極と前記接続端子を電気接続して重ね合わせ
た構成とするものである。
【００１４】請求項２の発明が講じた手段は、マトリッ
クス駆動により発光素子に電力を供給して画像を表示す
る表示装置であって、共通透明電極と前記共通透明電極
上の発光素子と前記発光素子上の画素電極が形成された
第１の基板と、マトリックス駆動のスイッチング素子お
よび駆動用配線とそれぞれのスイッチング素子に接続さ
れた接続電極が形成された第２の基板を、異方性導電性
材料を介して電気接続して重ね合わせた構成とするもの
である。
クス駆動により発光素子に電力を供給して画像を表示す
る表示装置であって、共通透明電極と前記共通透明電極
上の発光素子と前記発光素子上の画素電極が形成された
第１の基板と、マトリックス駆動のスイッチング素子お
よび駆動用配線とそれぞれのスイッチング素子に接続さ
れた接続電極が形成された第２の基板を、異方性導電性
材料を介して電気接続して重ね合わせた構成とするもの
である。
【００１５】請求項３の発明が講じた手段は、請求項１
の構成に、接続端子と画素電極の接続は発光素子の形成
されていない領域である構成を付加するものである。
の構成に、接続端子と画素電極の接続は発光素子の形成
されていない領域である構成を付加するものである。
【００１６】請求項４の発明が講じた手段は、請求項１
または請求項２の構成に、発光素子は複数の層からなる
有機ＥＬ層であり、共通透明電極と画素電極はそれぞれ
有機ＥＬ層のアノード電極とカソード電極となる構成を
付加するものである。
または請求項２の構成に、発光素子は複数の層からなる
有機ＥＬ層であり、共通透明電極と画素電極はそれぞれ
有機ＥＬ層のアノード電極とカソード電極となる構成を
付加するものである。
【００１７】請求項５の発明が講じた手段は、請求項１
または請求項２の構成に、第１の基板はフレキシブル・
フィルムである構成を付加するものである。
または請求項２の構成に、第１の基板はフレキシブル・
フィルムである構成を付加するものである。
【００１８】請求項６の発明が講じた手段は、少なくと
も、第１の基板表面に共通透明電極を形成する工程と、
前記共通透明電極上に発光素子を形成する工程と、前記
発光素子上に画素ごとに分割された画素電極を形成する
工程と、第２の基板表面にマトリックス駆動のスイッチ
ング素子および駆動用配線を形成する工程と、前記スイ
ッチング素子の出力側に接続された接続端子を形成する
工程と、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面を対
向させて重ね合わせ前記画素電極と前記接続端子を電気
接続する工程よりなる構成とするものである。
も、第１の基板表面に共通透明電極を形成する工程と、
前記共通透明電極上に発光素子を形成する工程と、前記
発光素子上に画素ごとに分割された画素電極を形成する
工程と、第２の基板表面にマトリックス駆動のスイッチ
ング素子および駆動用配線を形成する工程と、前記スイ
ッチング素子の出力側に接続された接続端子を形成する
工程と、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面を対
向させて重ね合わせ前記画素電極と前記接続端子を電気
接続する工程よりなる構成とするものである。
【００１９】請求項７の発明が講じた手段は、少なくと
も、第１の基板表面に共通透明電極を形成する工程と、
前記共通透明電極上に発光素子を形成する工程と、前記
発光素子上に画素ごとに分割された画素電極を形成する
工程と、第２の基板表面にマトリックス駆動のスイッチ
ング素子および駆動用配線を形成する工程と、前記スイ
ッチング素子の出力側に接続された接続電極を形成する
工程と、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面を対
向させて異方性導電性材料を挟んで重ね合わせることに
より前記画素電極と前記接続電極を電気接続する工程よ
りなる構成とするものである。
も、第１の基板表面に共通透明電極を形成する工程と、
前記共通透明電極上に発光素子を形成する工程と、前記
発光素子上に画素ごとに分割された画素電極を形成する
工程と、第２の基板表面にマトリックス駆動のスイッチ
ング素子および駆動用配線を形成する工程と、前記スイ
ッチング素子の出力側に接続された接続電極を形成する
工程と、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面を対
向させて異方性導電性材料を挟んで重ね合わせることに
より前記画素電極と前記接続電極を電気接続する工程よ
りなる構成とするものである。
【００２０】請求項８の発明が講じた手段は、少なくと
も、第１の基板表面に共通透明電極を形成する工程と、
前記共通透明電極上に発光素子を形成する工程と、前記
発光素子上に画素ごとに分割された画素電極を形成する
工程と、第２の基板表面にマトリックス駆動のスイッチ
ング素子および駆動用配線を形成する工程と、前記スイ
ッチング素子の出力側に接続された接続端子を形成する
工程と、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面を対
向させて重ね合わせ前記画素電極と前記接続端子を電気
接続する工程と、前記第２の基板を除去する工程よりな
る構成とするものである。
も、第１の基板表面に共通透明電極を形成する工程と、
前記共通透明電極上に発光素子を形成する工程と、前記
発光素子上に画素ごとに分割された画素電極を形成する
工程と、第２の基板表面にマトリックス駆動のスイッチ
ング素子および駆動用配線を形成する工程と、前記スイ
ッチング素子の出力側に接続された接続端子を形成する
工程と、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面を対
向させて重ね合わせ前記画素電極と前記接続端子を電気
接続する工程と、前記第２の基板を除去する工程よりな
る構成とするものである。
【００２１】請求項９の発明が講じた手段は、少なくと
も、第１の基板表面に共通透明電極を形成する工程と、
前記共通透明電極上に発光素子を形成する工程と、前記
発光素子上に画素ごとに分割された画素電極を形成する
工程と、第２の基板表面にマトリックス駆動のスイッチ
ング素子および駆動用配線を形成する工程と、前記スイ
ッチング素子の出力側に接続された接続電極を形成する
工程と、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面を対
向させて異方性導電性材料を挟んで重ね合わせることに
より前記画素電極と前記接続電極を電気接続する工程
と、前記第２の基板を除去する工程よりなる構成とする
ものである。
も、第１の基板表面に共通透明電極を形成する工程と、
前記共通透明電極上に発光素子を形成する工程と、前記
発光素子上に画素ごとに分割された画素電極を形成する
工程と、第２の基板表面にマトリックス駆動のスイッチ
ング素子および駆動用配線を形成する工程と、前記スイ
ッチング素子の出力側に接続された接続電極を形成する
工程と、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面を対
向させて異方性導電性材料を挟んで重ね合わせることに
より前記画素電極と前記接続電極を電気接続する工程
と、前記第２の基板を除去する工程よりなる構成とする
ものである。
【００２２】請求項１０の発明が講じた手段は、請求項
６または請求項８のいずれかに記載の構成に、画素電極
と接続端子を接続する工程は、接続端子近傍に収縮性接
着剤を形成した後、第１の基板と第２の基板を重ね合わ
せ、収縮性接着剤を収縮させることにより画素電極と接
続端子を押圧状態にして電気接続する構成とするもので
ある。
６または請求項８のいずれかに記載の構成に、画素電極
と接続端子を接続する工程は、接続端子近傍に収縮性接
着剤を形成した後、第１の基板と第２の基板を重ね合わ
せ、収縮性接着剤を収縮させることにより画素電極と接
続端子を押圧状態にして電気接続する構成とするもので
ある。
【００２３】請求項１１の発明が講じた手段は、請求項
６〜請求項１０のいずれかに記載の構成に、発光素子は
複数の層からなる有機ＥＬ層であり、共通透明電極と画
素電極はそれぞれ有機ＥＬ層のアノード電極とカソード
電極となる構成を付加するものである。
６〜請求項１０のいずれかに記載の構成に、発光素子は
複数の層からなる有機ＥＬ層であり、共通透明電極と画
素電極はそれぞれ有機ＥＬ層のアノード電極とカソード
電極となる構成を付加するものである。
【００２４】請求項１２の発明が講じた手段は、請求項
６〜請求項１０のいずれかに記載の構成に、第１の基板
がフレキシブル・フィルムである構成を付加するもので
ある。
６〜請求項１０のいずれかに記載の構成に、第１の基板
がフレキシブル・フィルムである構成を付加するもので
ある。
【００２５】以上の表示装置およびその製造方法によ
り、以下のような作用が奏される。
り、以下のような作用が奏される。
【００２６】マトリックス駆動のスイッチング素子に接
続された接続端子または接続電極と発光素子上の画素電
極とを電気接続して重ね合わせた構造にすることによ
り、スイッチング素子により供給される電圧（または電
流）が接続端子または接続電極と画素電極を介して発光
素子に供給され、発光素子が光る。各スイッチング素子
の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）および信号（電圧または電流）
を制御することで、自発光型のディスプレイが構成され
る。
続された接続端子または接続電極と発光素子上の画素電
極とを電気接続して重ね合わせた構造にすることによ
り、スイッチング素子により供給される電圧（または電
流）が接続端子または接続電極と画素電極を介して発光
素子に供給され、発光素子が光る。各スイッチング素子
の駆動（ＯＮ／ＯＦＦ）および信号（電圧または電流）
を制御することで、自発光型のディスプレイが構成され
る。
【００２７】ここで、発光素子は第１の基板上に形成さ
れているため、上述した従来の有機ＥＬ素子と同様に発
光した光は第１の基板側に取り出される。また、スイッ
チング素子などは第１の基板に形成されていないため
に、従来の有機ＥＬ素子等の製造方法を用いても、スイ
ッチング素子やスイッチング素子の駆動用の配線領域が
発光面積に影響せず、発光面積の拡大を図ることができ
る。
れているため、上述した従来の有機ＥＬ素子と同様に発
光した光は第１の基板側に取り出される。また、スイッ
チング素子などは第１の基板に形成されていないため
に、従来の有機ＥＬ素子等の製造方法を用いても、スイ
ッチング素子やスイッチング素子の駆動用の配線領域が
発光面積に影響せず、発光面積の拡大を図ることができ
る。
【００２８】また、第１の基板上への発光素子の形成と
第２の基板上へのスイッチング素子等の形成はそれぞれ
独立して行なえ、不良の発生したそれぞれの基板に対し
て他方の基板を貼り付けることを回避できるので、１枚
の基板上に多数のパネルを製造する場合においても、不
良のパネル部には発光層を形成した第１の基板を貼り付
けないで済むため、製造効率の向上を図ることができ
る。
第２の基板上へのスイッチング素子等の形成はそれぞれ
独立して行なえ、不良の発生したそれぞれの基板に対し
て他方の基板を貼り付けることを回避できるので、１枚
の基板上に多数のパネルを製造する場合においても、不
良のパネル部には発光層を形成した第１の基板を貼り付
けないで済むため、製造効率の向上を図ることができ
る。
【００２９】また、請求項３の発明において、請求項１
の作用に加えて、接続端子と画素電極の接続による加圧
などの影響を発光素子に与えないため発光素子の特性変
動を防ぐことができる。
の作用に加えて、接続端子と画素電極の接続による加圧
などの影響を発光素子に与えないため発光素子の特性変
動を防ぐことができる。
【００３０】また、請求項７または請求項９の発明にお
いて、異方性導電性材料を介して接続電極と画素電極を
接続することで、上述の作用に加えて、簡便に基板の貼
り合わせが行なえる上、画素電極間を短絡することなく
良好な接続が実現できる。
いて、異方性導電性材料を介して接続電極と画素電極を
接続することで、上述の作用に加えて、簡便に基板の貼
り合わせが行なえる上、画素電極間を短絡することなく
良好な接続が実現できる。
【００３１】また、請求項８〜請求項９の発明におい
て、前記第２の基板を除去することにより、表示装置の
軽量化を図ることができる。
て、前記第２の基板を除去することにより、表示装置の
軽量化を図ることができる。
【００３２】また、請求項１０の発明において、請求項
６または請求項８の作用に加えて、収縮性接着剤を用い
て基板を重ね合わせることによって、接続端子と画素電
極を押圧状態にすることができ電気接続をより安定化で
きる。
６または請求項８の作用に加えて、収縮性接着剤を用い
て基板を重ね合わせることによって、接続端子と画素電
極を押圧状態にすることができ電気接続をより安定化で
きる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る表
示装置およびその製造方法について図面を参照しながら
説明する。
示装置およびその製造方法について図面を参照しながら
説明する。
【００３４】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る表示装置を説明するための概略断面図
である。図１において、１３は第１の基板としてのフレ
キシブル基板であり、フレキシブル基板１３の表面（図
中下側）には発光素子としての有機ＥＬ素子が形成され
ており、１４は透明導電材料（例えばＩＴＯ膜）で形成
された共通透明電極であるアノード電極、１５は正孔輸
送層、１６−１、１６−２、１６−３は発光層、１７は
電子輸送層、１８は画素ごとに分割された画素電極とし
てのカソード電極である。１０は第２の基板としてのガ
ラス基板であり、ガラス基板１０の表面（図中上側）に
は、（図示しないが）マトリックス状に配置されたスイ
ッチング素子１１、スイッチング素子の出力側に形成さ
れた接続端子１２、および図示しないスイッチング素子
駆動のための配線が形成されている。
の実施形態に係る表示装置を説明するための概略断面図
である。図１において、１３は第１の基板としてのフレ
キシブル基板であり、フレキシブル基板１３の表面（図
中下側）には発光素子としての有機ＥＬ素子が形成され
ており、１４は透明導電材料（例えばＩＴＯ膜）で形成
された共通透明電極であるアノード電極、１５は正孔輸
送層、１６−１、１６−２、１６−３は発光層、１７は
電子輸送層、１８は画素ごとに分割された画素電極とし
てのカソード電極である。１０は第２の基板としてのガ
ラス基板であり、ガラス基板１０の表面（図中上側）に
は、（図示しないが）マトリックス状に配置されたスイ
ッチング素子１１、スイッチング素子の出力側に形成さ
れた接続端子１２、および図示しないスイッチング素子
駆動のための配線が形成されている。
【００３５】フレキシブル基板１３とガラス基板１０は
カソード電極１８と接続端子１２により電気的に接続さ
れている。
カソード電極１８と接続端子１２により電気的に接続さ
れている。
【００３６】図示しない駆動回路によりマトリックス状
に配置された任意のスイッチング素子１１を選択し、カ
ソード電極１８に電圧（または電流）を供給すること
で、有機ＥＬ素子の発光層１６で発光を生じる。カソー
ド電極１８を反射材料とすることで発光した光をフレキ
シブル基板１３側（図中上方）に取り出すことができ
る。
に配置された任意のスイッチング素子１１を選択し、カ
ソード電極１８に電圧（または電流）を供給すること
で、有機ＥＬ素子の発光層１６で発光を生じる。カソー
ド電極１８を反射材料とすることで発光した光をフレキ
シブル基板１３側（図中上方）に取り出すことができ
る。
【００３７】ここで、駆動回路により、選択するスイッ
チング素子と供給する電圧（または電流）を順次制御す
ることにより二次元画像を構成することができ、有機Ｅ
Ｌディスプレイが得られる。
チング素子と供給する電圧（または電流）を順次制御す
ることにより二次元画像を構成することができ、有機Ｅ
Ｌディスプレイが得られる。
【００３８】また、発光層１６−１、１６−２、１６−
３をＲ／Ｇ／Ｂに対応した材料で形成することで、カラ
ー有機ＥＬディスプレイが得られる。
３をＲ／Ｇ／Ｂに対応した材料で形成することで、カラ
ー有機ＥＬディスプレイが得られる。
【００３９】ここで、図１で示した有機ＥＬディスプレ
イでは、発光素子として従来の有機ＥＬ素子と同様の製
造方法を用いることができ、かつ、スイッチング素子や
スイッチング素子の駆動用の配線領域が発光面積に影響
せず、発光面積の拡大を図ることができる。また、第１
の基板と第２の基板を重ね合わせた構造としているた
め、その製造工程において、不良の発生した基板に対し
て他方の基板を貼り付けることを回避できるので、１枚
の基板上に多数のパネルを製造する場合においても、不
良のパネル部には発光層を形成した第１の基板を貼り付
けないで済むため、製造効率の向上を図ることができ
る。
イでは、発光素子として従来の有機ＥＬ素子と同様の製
造方法を用いることができ、かつ、スイッチング素子や
スイッチング素子の駆動用の配線領域が発光面積に影響
せず、発光面積の拡大を図ることができる。また、第１
の基板と第２の基板を重ね合わせた構造としているた
め、その製造工程において、不良の発生した基板に対し
て他方の基板を貼り付けることを回避できるので、１枚
の基板上に多数のパネルを製造する場合においても、不
良のパネル部には発光層を形成した第１の基板を貼り付
けないで済むため、製造効率の向上を図ることができ
る。
【００４０】尚、第１の実施形態において、カソード電
極１８と接続端子１２を直接接続して説明したが、これ
は、接続端子１２近傍に収縮性接着剤を用いてカソード
電極１８と接続端子１２を重ね合わせた後、収縮性接着
剤を収縮させることで、カソード電極１８と接続端子１
２を押圧状態に保つようにしてもよい。
極１８と接続端子１２を直接接続して説明したが、これ
は、接続端子１２近傍に収縮性接着剤を用いてカソード
電極１８と接続端子１２を重ね合わせた後、収縮性接着
剤を収縮させることで、カソード電極１８と接続端子１
２を押圧状態に保つようにしてもよい。
【００４１】また、図１において、カソード電極１８と
接続端子１２の接続を発光素子（有機ＥＬ素子、特に発
光層１６）の形成されていない領域で行なっている。こ
れは、接続に際して発光素子への圧力印加などによる素
子への悪影響を回避できるため有効であるが、発光素子
へ影響がない場合には発光素子領域上で接続しても問題
ない。
接続端子１２の接続を発光素子（有機ＥＬ素子、特に発
光層１６）の形成されていない領域で行なっている。こ
れは、接続に際して発光素子への圧力印加などによる素
子への悪影響を回避できるため有効であるが、発光素子
へ影響がない場合には発光素子領域上で接続しても問題
ない。
【００４２】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係る表示装置を説明するための概略断面図
である。図２において、ほぼ図１と同様であり、スイッ
チング素子１１の出力側に接続電極２２が形成されてお
り、発光素子として有機ＥＬ素子の形成されたフレキシ
ブル基板１３とスイッチング素子の形成された第２の基
板としてのガラス基板１０は、カソード電極１８と接続
電極２２の間に異方性導電性材料１９を挟んで接続され
ている。
の実施形態に係る表示装置を説明するための概略断面図
である。図２において、ほぼ図１と同様であり、スイッ
チング素子１１の出力側に接続電極２２が形成されてお
り、発光素子として有機ＥＬ素子の形成されたフレキシ
ブル基板１３とスイッチング素子の形成された第２の基
板としてのガラス基板１０は、カソード電極１８と接続
電極２２の間に異方性導電性材料１９を挟んで接続され
ている。
【００４３】異方性導電性材料１９は厚さ方向（図中上
下方向）にのみ電流を通すため、カソード電極１８間や
接続電極２２間を短絡することなくそれぞれのカソード
電極１８と接続電極２２間を簡便に電気接続することが
できる。
下方向）にのみ電流を通すため、カソード電極１８間や
接続電極２２間を短絡することなくそれぞれのカソード
電極１８と接続電極２２間を簡便に電気接続することが
できる。
【００４４】他の効果は上述の第１の実施形態と同様で
ある。
ある。
【００４５】尚、第１の実施形態〜第２の実施形態にお
いて、第２の基板としてガラス基板を用いて説明した
が、これは、無機または有機（樹脂）フィルムであって
も同様であり、透明である必要はない。
いて、第２の基板としてガラス基板を用いて説明した
が、これは、無機または有機（樹脂）フィルムであって
も同様であり、透明である必要はない。
【００４６】また、発光素子として有機ＥＬ素子を用い
て説明したが、これは他の発光素子であっても同様の効
果が得られることは容易に推測できる。
て説明したが、これは他の発光素子であっても同様の効
果が得られることは容易に推測できる。
【００４７】（第３の実施形態）図３は、本発明の第３
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。まず、図３（ａ）に示すよう
に、第１の基板としてのフレキシブル基板１３の表面
（図中下面）に共通透明電極としての透明材料（例えば
ＩＴＯ膜）で形成されたアノード電極１４を形成する。
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。まず、図３（ａ）に示すよう
に、第１の基板としてのフレキシブル基板１３の表面
（図中下面）に共通透明電極としての透明材料（例えば
ＩＴＯ膜）で形成されたアノード電極１４を形成する。
【００４８】次に、図３（ｂ）に示すように、アノード
電極１４の表面に正孔輸送層１５を形成し、正孔輸送層
１５の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されＲ／
Ｇ／Ｂに対応した波長の発光材料である発光層１６−
１、１６−２、１６−３を形成する。その後、発光層１
６−１、１６−２、１６−３を覆うように電子輸送層１
７を形成し、画素ごとに分割されたカソード電極１８を
形成する。
電極１４の表面に正孔輸送層１５を形成し、正孔輸送層
１５の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されＲ／
Ｇ／Ｂに対応した波長の発光材料である発光層１６−
１、１６−２、１６−３を形成する。その後、発光層１
６−１、１６−２、１６−３を覆うように電子輸送層１
７を形成し、画素ごとに分割されたカソード電極１８を
形成する。
【００４９】次に、図３（ｃ）に示すように、第２の基
板としてのガラス基板１０上にマトリックス状に配置さ
れた薄膜トランジスタ等からなるスイッチング素子１１
および図示しないスイッチング素子駆動のための配線と
スイッチング素子や配線を覆う絶縁膜を形成する。
板としてのガラス基板１０上にマトリックス状に配置さ
れた薄膜トランジスタ等からなるスイッチング素子１１
および図示しないスイッチング素子駆動のための配線と
スイッチング素子や配線を覆う絶縁膜を形成する。
【００５０】次に、図３（ｄ）に示すように、スイッチ
ング素子１１の出力側に接続された（例えばアルミニウ
ム材料による）接続端子１２を形成する。
ング素子１１の出力側に接続された（例えばアルミニウ
ム材料による）接続端子１２を形成する。
【００５１】次に、図３（ｅ）に示すように、フレキシ
ブル基板１３とガラス基板１０を重ね合わせ、接続端子
１２によりカソード電極１８とスイッチング素子１１を
電気的に接続する。
ブル基板１３とガラス基板１０を重ね合わせ、接続端子
１２によりカソード電極１８とスイッチング素子１１を
電気的に接続する。
【００５２】以上の工程によりカラー有機ＥＬディスプ
レイを得る。
レイを得る。
【００５３】（第４の実施形態）図４は、本発明の第４
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第４の実施形態は上述の第３の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図４（ａ）に示すよ
うに、第１の基板としてのフレキシブル基板１３の表面
（図中下面）に共通透明電極としての透明材料（例えば
ＩＴＯ膜）で形成されたアノード電極１４を形成する。
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第４の実施形態は上述の第３の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図４（ａ）に示すよ
うに、第１の基板としてのフレキシブル基板１３の表面
（図中下面）に共通透明電極としての透明材料（例えば
ＩＴＯ膜）で形成されたアノード電極１４を形成する。
【００５４】次に、図４（ｂ）に示すように、アノード
電極１４の表面に正孔輸送層１５を形成し、正孔輸送層
１５の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されＲ／
Ｇ／Ｂに対応した波長の発光材料である発光層１６−
１、１６−２、１６−３を形成する。その後、発光層１
６−１、１６−２、１６−３を覆うように電子輸送層１
７を形成し、画素ごとに分割されたカソード電極１８を
形成する。
電極１４の表面に正孔輸送層１５を形成し、正孔輸送層
１５の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されＲ／
Ｇ／Ｂに対応した波長の発光材料である発光層１６−
１、１６−２、１６−３を形成する。その後、発光層１
６−１、１６−２、１６−３を覆うように電子輸送層１
７を形成し、画素ごとに分割されたカソード電極１８を
形成する。
【００５５】次に、図４（ｃ）に示すように、第２の基
板としてのガラス基板１０上にマトリックス状に配置さ
れた薄膜トランジスタ等からなるスイッチング素子１１
および図示しないスイッチング素子駆動のための配線と
スイッチング素子や配線を覆う絶縁膜を形成する。
板としてのガラス基板１０上にマトリックス状に配置さ
れた薄膜トランジスタ等からなるスイッチング素子１１
および図示しないスイッチング素子駆動のための配線と
スイッチング素子や配線を覆う絶縁膜を形成する。
【００５６】次に、図４（ｄ）に示すように、スイッチ
ング素子１１の出力側に接続され画素電極に対応した
（例えばアルミニウム材料による）接続電極２２を形成
する。
ング素子１１の出力側に接続され画素電極に対応した
（例えばアルミニウム材料による）接続電極２２を形成
する。
【００５７】次に、図４（ｅ）に示すように異方性導電
性材料１９を挟んでフレキシブル基板１３とガラス基板
１０を重ね合わせる。異方性導電性材料１９により、そ
れぞれの接続電極２２とカソード電極１８と電気接続す
る。
性材料１９を挟んでフレキシブル基板１３とガラス基板
１０を重ね合わせる。異方性導電性材料１９により、そ
れぞれの接続電極２２とカソード電極１８と電気接続す
る。
【００５８】以上の工程によりカラー有機ＥＬディスプ
レイを得る。
レイを得る。
【００５９】（第５の実施形態）図５は、本発明の第５
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第５の実施形態は上述の第３の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図５（ａ）に示すよ
うに、第１の基板としてのフレキシブル基板１３の表面
（図中下面）に共通透明電極としての透明材料（例えば
ＩＴＯ膜）で形成されたアノード電極１４を形成する。
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第５の実施形態は上述の第３の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図５（ａ）に示すよ
うに、第１の基板としてのフレキシブル基板１３の表面
（図中下面）に共通透明電極としての透明材料（例えば
ＩＴＯ膜）で形成されたアノード電極１４を形成する。
【００６０】次に、図５（ｂ）に示すように、アノード
電極１４の表面に正孔輸送層１５を形成し、正孔輸送層
１５の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されＲ／
Ｇ／Ｂに対応した波長の発光材料である発光層１６−
１、１６−２、１６−３を形成する。その後、発光層１
６−１、１６−２、１６−３を覆うように電子輸送層１
７を形成し、画素ごとに分割されたカソード電極１８を
形成する。
電極１４の表面に正孔輸送層１５を形成し、正孔輸送層
１５の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されＲ／
Ｇ／Ｂに対応した波長の発光材料である発光層１６−
１、１６−２、１６−３を形成する。その後、発光層１
６−１、１６−２、１６−３を覆うように電子輸送層１
７を形成し、画素ごとに分割されたカソード電極１８を
形成する。
【００６１】次に、図５（ｃ）に示すように、第２の基
板としてのガラス基板１０上に剥離層２０と保護膜２１
を形成した後、マトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタ等からなるスイッチング素子１１および図示しな
いスイッチング素子駆動のための配線とスイッチング素
子や配線を覆う絶縁膜を形成する。
板としてのガラス基板１０上に剥離層２０と保護膜２１
を形成した後、マトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタ等からなるスイッチング素子１１および図示しな
いスイッチング素子駆動のための配線とスイッチング素
子や配線を覆う絶縁膜を形成する。
【００６２】次に、図５（ｄ）に示すように、スイッチ
ング素子１１の出力側に接続された（例えばアルミニウ
ム材料による）接続端子１２を形成する。
ング素子１１の出力側に接続された（例えばアルミニウ
ム材料による）接続端子１２を形成する。
【００６３】次に、図５（ｅ）に示すように、フレキシ
ブル基板１３とガラス基板１０を重ね合わせ、接続端子
１２によりカソード電極１８とスイッチング素子１１を
電気的に接続する。
ブル基板１３とガラス基板１０を重ね合わせ、接続端子
１２によりカソード電極１８とスイッチング素子１１を
電気的に接続する。
【００６４】次に、図５（ｆ）に示すように、剥離層２
０をエッチングすることによりガラス基板１０を除去す
る。
０をエッチングすることによりガラス基板１０を除去す
る。
【００６５】以上の工程によりカラー有機ＥＬディスプ
レイを得る。
レイを得る。
【００６６】（第６の実施形態）図６は、本発明の第６
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第６の実施形態は上述の第４の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図６（ａ）に示すよ
うに、第１の基板としてのフレキシブル基板１３の表面
（図中下面）に共通透明電極としての透明材料（例えば
ＩＴＯ膜）で形成されたアノード電極１４を形成する。
の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための
概略工程断面図である。第６の実施形態は上述の第４の
実施形態とほぼ同様であり、まず、図６（ａ）に示すよ
うに、第１の基板としてのフレキシブル基板１３の表面
（図中下面）に共通透明電極としての透明材料（例えば
ＩＴＯ膜）で形成されたアノード電極１４を形成する。
【００６７】次に、図６（ｂ）に示すように、アノード
電極１４の表面に正孔輸送層１５を形成し、正孔輸送層
１５の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されＲ／
Ｇ／Ｂに対応した波長の発光材料である発光層１６−
１、１６−２、１６−３を形成する。その後、発光層１
６−１、１６−２、１６−３を覆うように電子輸送層１
７を形成し、画素ごとに分割されたカソード電極１８を
形成する。
電極１４の表面に正孔輸送層１５を形成し、正孔輸送層
１５の表面にマトリックス状の画素ごとに分割されＲ／
Ｇ／Ｂに対応した波長の発光材料である発光層１６−
１、１６−２、１６−３を形成する。その後、発光層１
６−１、１６−２、１６−３を覆うように電子輸送層１
７を形成し、画素ごとに分割されたカソード電極１８を
形成する。
【００６８】次に、図６（ｃ）に示すように、第２の基
板としてのガラス基板１０上に剥離層２０と保護膜２１
を形成した後、マトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタ等からなるスイッチング素子１１および図示しな
いスイッチング素子駆動のための配線とスイッチング素
子や配線を覆う絶縁膜を形成する。
板としてのガラス基板１０上に剥離層２０と保護膜２１
を形成した後、マトリックス状に配置された薄膜トラン
ジスタ等からなるスイッチング素子１１および図示しな
いスイッチング素子駆動のための配線とスイッチング素
子や配線を覆う絶縁膜を形成する。
【００６９】次に、図６（ｄ）に示すように、スイッチ
ング素子１１の出力側に接続され画素電極に対応した
（例えばアルミニウム材料による）接続電極２２を形成
する。
ング素子１１の出力側に接続され画素電極に対応した
（例えばアルミニウム材料による）接続電極２２を形成
する。
【００７０】次に、図６（ｅ）に示すように異方性導電
性材料１９を挟んでフレキシブル基板１３とガラス基板
１０を重ね合わせる。異方性導電性材料１９により、接
続電極２２とカソード電極１８と電気接続する。
性材料１９を挟んでフレキシブル基板１３とガラス基板
１０を重ね合わせる。異方性導電性材料１９により、接
続電極２２とカソード電極１８と電気接続する。
【００７１】次に、図６（ｆ）に示すように、剥離層２
０をエッチングすることによりガラス基板１０を除去す
る。
０をエッチングすることによりガラス基板１０を除去す
る。
【００７２】以上の工程によりカラー有機ＥＬディスプ
レイを得る。
レイを得る。
【００７３】第３の実施形態〜第６の実施形態におい
て、図示しない駆動回路によりマトリックス状に配置さ
れた任意のスイッチング素子１１を選択し、カソード電
極１８に任意の電圧（または電流）を供給することで、
有機ＥＬ素子の発光層１６で発光を生じる。カソード電
極１８を反射材料とすることで、発光層で発生した光を
上方に取り出すことができる。
て、図示しない駆動回路によりマトリックス状に配置さ
れた任意のスイッチング素子１１を選択し、カソード電
極１８に任意の電圧（または電流）を供給することで、
有機ＥＬ素子の発光層１６で発光を生じる。カソード電
極１８を反射材料とすることで、発光層で発生した光を
上方に取り出すことができる。
【００７４】よって、第３の実施形態〜第６の実施形態
における表示装置の製造方法によると、発光素子を形成
した第１の基板（フレキシブル基板）をパネルごとに分
割した後に第２の基板（分割されていないガラス基板）
に貼り付けることにより、スイッチング素子の形成工程
において不良（素子や配線の形成不良）の発生したパネ
ルに対して、発光素子を形成した第１の基板（フレキシ
ブル基板）を用いる必要がなく、製造効率の向上を図る
ことができる。
における表示装置の製造方法によると、発光素子を形成
した第１の基板（フレキシブル基板）をパネルごとに分
割した後に第２の基板（分割されていないガラス基板）
に貼り付けることにより、スイッチング素子の形成工程
において不良（素子や配線の形成不良）の発生したパネ
ルに対して、発光素子を形成した第１の基板（フレキシ
ブル基板）を用いる必要がなく、製造効率の向上を図る
ことができる。
【００７５】尚、第３の実施形態または第５の実施形態
において、接続端子１２とカソード電極１８を直接重ね
合わせるよう説明したが、フレキシブル基板１３とガラ
ス基板１０を重ね合わせる際に、接続端子１２近傍に収
縮性接着剤を用いてカソード電極１８と接続端子１２を
重ね合わせた後、収縮性接着剤を収縮させることで、カ
ソード電極１８と接続端子１２を押圧状態に保つように
してもよい。また、カソード電極１８と接続端子１２の
接続は、発光素子（有機ＥＬ素子、特に発光層１６）の
形成されていない領域で行なっている。これは、接続に
際して発光素子への圧力印加などによる素子への悪影響
を回避できるため有効であるが、発光素子へ影響がない
場合には発光素子領域上で接続しても問題ない。
において、接続端子１２とカソード電極１８を直接重ね
合わせるよう説明したが、フレキシブル基板１３とガラ
ス基板１０を重ね合わせる際に、接続端子１２近傍に収
縮性接着剤を用いてカソード電極１８と接続端子１２を
重ね合わせた後、収縮性接着剤を収縮させることで、カ
ソード電極１８と接続端子１２を押圧状態に保つように
してもよい。また、カソード電極１８と接続端子１２の
接続は、発光素子（有機ＥＬ素子、特に発光層１６）の
形成されていない領域で行なっている。これは、接続に
際して発光素子への圧力印加などによる素子への悪影響
を回避できるため有効であるが、発光素子へ影響がない
場合には発光素子領域上で接続しても問題ない。
【００７６】また、第４の実施形態または第６の実施形
態において、接続電極２２をカソード電極１８とほぼ同
様の大きさで説明したが、接続の低抵抗化や信頼性を高
める上で有効であれば、スイッチング素子１１とカソー
ド電極１８を接続できれば小さくてもその効果は同様で
あり、接続電極２２を発光領域以外に形成してカソード
電極１８と接続しても問題ない。
態において、接続電極２２をカソード電極１８とほぼ同
様の大きさで説明したが、接続の低抵抗化や信頼性を高
める上で有効であれば、スイッチング素子１１とカソー
ド電極１８を接続できれば小さくてもその効果は同様で
あり、接続電極２２を発光領域以外に形成してカソード
電極１８と接続しても問題ない。
【００７７】また、第３の実施形態〜第６の実施形態に
おいて、発光層をＲ／Ｇ／Ｂに対応させるために画素ご
とに分割して形成したが、単色の表示の場合には全面に
発光層を形成してもよい。
おいて、発光層をＲ／Ｇ／Ｂに対応させるために画素ご
とに分割して形成したが、単色の表示の場合には全面に
発光層を形成してもよい。
【００７８】また、第５の実施形態〜第６の実施形態に
おいて、剥離層２０を除去することでガラス基板１０を
除去するよう説明したが、ガラス基板１０をエッチング
や研磨によって除去または薄くすることであっても同様
である。
おいて、剥離層２０を除去することでガラス基板１０を
除去するよう説明したが、ガラス基板１０をエッチング
や研磨によって除去または薄くすることであっても同様
である。
【００７９】また、第１の実施形態〜第６の実施形態に
おいて、第１の基板としてフレキシブル基板として説明
したが、これは樹脂基板や樹脂フィルムであり、ガラス
基板等に比べ軽量化や高可動化を図ることができるが、
ガラス基板等の硬質透明基板を用いてもまったく問題は
なく、ほぼ透明であれば他の材料を用いても目的の効果
は同じであることは容易に理解できる。また、第２の基
板としてガラス基板を用いて説明したが、スイッチング
素子等の形成に耐える基板であれば何でもよく、不透明
な基板を用いても問題ない。
おいて、第１の基板としてフレキシブル基板として説明
したが、これは樹脂基板や樹脂フィルムであり、ガラス
基板等に比べ軽量化や高可動化を図ることができるが、
ガラス基板等の硬質透明基板を用いてもまったく問題は
なく、ほぼ透明であれば他の材料を用いても目的の効果
は同じであることは容易に理解できる。また、第２の基
板としてガラス基板を用いて説明したが、スイッチング
素子等の形成に耐える基板であれば何でもよく、不透明
な基板を用いても問題ない。
【００８０】
【発明の効果】以上、本発明の表示装置およびその製造
方法によると、特に自発光素子を有する表示装置におい
て製造効率の向上および有効発光面積の拡大を図ること
ができる。
方法によると、特に自発光素子を有する表示装置におい
て製造効率の向上および有効発光面積の拡大を図ること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る表示装置を説明
するための概略断面図
するための概略断面図
【図２】本発明の第２の実施形態に係る表示装置を説明
するための概略断面図
するための概略断面図
【図３】本発明の第３の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図
方法を説明するための概略工程断面図
【図４】本発明の第４の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図
方法を説明するための概略工程断面図
【図５】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図
方法を説明するための概略工程断面図
【図６】本発明の第６の実施形態に係る表示装置の製造
方法を説明するための概略工程断面図
方法を説明するための概略工程断面図
【図７】発光素子としての有機ＥＬ素子の概略構成図
【図８】従来の有機ＥＬディスプレイの概略断面図
１０ ガラス基板
１１ スイッチング素子
１２ 接続端子
１３ フレキシブル基板
１４ アノード電極
１５ 正孔輸送層
１６−１，１６−２，１６−３ 発光層
１７ 電子輸送層
１８ カソード電極
１９ 異方性導電性材料
２０ 剥離層
２１ 保護膜
２２ 接続電極
１００ ガラス基板
１０１ アノード電極膜
１０２ 正孔輸送層
１０３ 発光層
１０４ 電子輸送層
１０５ カソード電極膜
１１０ ガラス基板
１１１ 画素電極
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 共通電極
１１６ 薄膜トランジスタ
１１７ 裏面ガラス
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/10
33/14 33/14 Ａ
Claims (12)
- 【請求項１】 マトリックス駆動により発光素子に電力
を供給して画像を表示する表示装置であって、共通透明
電極と前記共通透明電極上の発光素子と前記発光素子上
の画素電極が形成された第１の基板と、マトリックス駆
動のスイッチング素子および駆動用配線とそれぞれのス
イッチング素子に接続された接続端子が形成された第２
の基板を、前記画素電極と前記接続端子を電気接続して
重ね合わせた構造であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 マトリックス駆動により発光素子に電力
を供給して画像を表示する表示装置であって、共通透明
電極と前記共通透明電極上の発光素子と前記発光素子上
の画素電極が形成された第１の基板と、マトリックス駆
動のスイッチング素子および駆動用配線とそれぞれのス
イッチング素子に接続された接続電極が形成された第２
の基板を、異方性導電性材料を介して電気接続して重ね
合わせた構造であることを特徴とする表示装置。 - 【請求項３】 接続端子と画素電極の接続は発光素子の
形成されていない領域であることを特徴とする請求項１
に記載の表示装置。 - 【請求項４】 発光素子は複数の層からなる有機ＥＬ層
であり、共通透明電極と画素電極はそれぞれ有機ＥＬ層
のアノード電極とカソード電極となることを特徴とする
請求項１または請求項２のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項５】 第１の基板はフレキシブル・フィルムで
あることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれ
かに記載の表示装置。 - 【請求項６】 少なくとも、第１の基板表面に共通透明
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、前記発光素子上に画素ごとに分割さ
れた画素電極を形成する工程と、第２の基板表面にマト
リックス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形
成する工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続さ
れた接続端子を形成する工程と、前記第１の基板表面と
前記第２の基板表面を対向させて重ね合わせ前記画素電
極と前記接続端子を電気接続する工程よりなる表示装置
の製造方法。 - 【請求項７】 少なくとも、第１の基板表面に共通透明
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、前記発光素子上に画素ごとに分割さ
れた画素電極を形成する工程と、第２の基板表面にマト
リックス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形
成する工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続さ
れた接続電極を形成する工程と、前記第１の基板表面と
前記第２の基板表面を対向させて異方性導電性材料を挟
んで重ね合わせることにより前記画素電極と前記接続電
極を電気接続する工程よりなる表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 少なくとも、第１の基板表面に共通透明
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、前記発光素子上に画素ごとに分割さ
れた画素電極を形成する工程と、第２の基板表面にマト
リックス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形
成する工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続さ
れた接続端子を形成する工程と、前記第１の基板表面と
前記第２の基板表面を対向させて重ね合わせ前記画素電
極と前記接続端子を電気接続する工程と、前記第２の基
板を除去する工程よりなる表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 少なくとも、第１の基板表面に共通透明
電極を形成する工程と、前記共通透明電極上に発光素子
を形成する工程と、前記発光素子上に画素ごとに分割さ
れた画素電極を形成する工程と、第２の基板表面にマト
リックス駆動のスイッチング素子および駆動用配線を形
成する工程と、前記スイッチング素子の出力側に接続さ
れた接続電極を形成する工程と、前記第１の基板表面と
前記第２の基板表面を対向させて異方性導電性材料を挟
んで重ね合わせることにより前記画素電極と前記接続電
極を電気接続する工程と、前記第２の基板を除去する工
程よりなる表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 画素電極と接続端子を接続する工程
は、接続端子近傍に収縮性接着剤を形成した後、第１の
基板と第２の基板を重ね合わせ、収縮性接着剤を収縮さ
せることにより画素電極と接続端子を押圧状態にして電
気接続することを特徴とする請求項６または請求項８の
いずれかに記載の表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 発光素子は複数の層からなる有機ＥＬ
層であり、共通透明電極と画素電極はそれぞれ有機ＥＬ
層のアノード電極とカソード電極となることを特徴とす
る請求項６〜請求項１０のいずれかに記載の表示装置の
製造方法。 - 【請求項１２】 第１の基板がフレキシブル・フィルム
であることを特徴とする請求項６〜請求項１０のいずれ
かに記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003082A JP2003208108A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002003082A JP2003208108A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003208108A true JP2003208108A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27642764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002003082A Withdrawn JP2003208108A (ja) | 2002-01-10 | 2002-01-10 | 表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003208108A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005114916A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Seiko Epson Corp | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置 |
| JP2005182061A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| JP2005197203A (ja) * | 2003-12-29 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス表示素子及びその製造方法 |
| JP2005301124A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2006128057A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| US7312568B2 (en) | 2003-12-29 | 2007-12-25 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electro luminescence device having TFT with protrusions |
| US7759860B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
| JP2011028283A (ja) * | 2010-09-14 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431299U (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-13 | ||
| JPH0618933A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Rohm Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH11126039A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Seiko Instruments Inc | 表示装置 |
| JP2001053290A (ja) * | 1995-02-16 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜集積回路の作製方法 |
| JP2001118674A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 有機ｅｌ表示装置 |
-
2002
- 2002-01-10 JP JP2002003082A patent/JP2003208108A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431299U (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-13 | ||
| JPH0618933A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Rohm Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2001053290A (ja) * | 1995-02-16 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜集積回路の作製方法 |
| JPH11126039A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Seiko Instruments Inc | 表示装置 |
| JP2001118674A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 有機ｅｌ表示装置 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7354803B2 (en) | 2003-10-06 | 2008-04-08 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing substrate conjugate, substrate conjugate, method for manufacturing electro-optical apparatus, and electro optical apparatus |
| JP2005114916A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Seiko Epson Corp | 基板接合体の製造方法、基板接合体、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置 |
| JP2005182061A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子とその製造方法 |
| US8097882B2 (en) | 2003-12-22 | 2012-01-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic EL display and method of fabricating comprising plural TFTs and with connection electrode wrapped on organic pattern |
| JP2005197203A (ja) * | 2003-12-29 | 2005-07-21 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス表示素子及びその製造方法 |
| US7312568B2 (en) | 2003-12-29 | 2007-12-25 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electro luminescence device having TFT with protrusions |
| JP2005301124A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP4691898B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| US7759860B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-07-20 | Lg Display Co., Ltd. | Dual panel-type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same |
| KR101001423B1 (ko) | 2004-04-30 | 2010-12-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| JP4742588B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2006128057A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2011028283A (ja) * | 2010-09-14 | 2011-02-10 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10741739B2 (en) | Micro LED transferring method, micro LED display panel and micro LED display device | |
| US5399936A (en) | Organic electroluminescent device | |
| TWI245580B (en) | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same | |
| US9214501B2 (en) | In-cell OLED touch display panel structure | |
| TWI280545B (en) | Display and array substrate | |
| CN108400154B (zh) | Oled面板 | |
| JP2004111369A (ja) | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| WO2000001204A1 (fr) | Ecran electroluminescent | |
| CN107170900B (zh) | Oled基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP4626649B2 (ja) | 有機発光装置の製造方法 | |
| JP2011066017A (ja) | 有機電界発光表示素子及びその製造方法 | |
| WO2001078463A1 (fr) | Afficheur organique a electroluminescence | |
| TW201017876A (en) | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
| JP2003208108A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JP2000021566A (ja) | エレクトロルミネセンス | |
| JP2003059649A (ja) | 静電誘導駆動型有機エレクトロルミネッセンス表示パネル | |
| JPH01313892A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
| CN107799660A (zh) | 显示基板及其制作方法、驱动方法、显示面板和显示装置 | |
| JP2003208105A (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| JP3992450B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
| JP2016170935A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
| TWI363578B (en) | Method of manufacturing organic el element | |
| TW202203450A (zh) | 發光顯示裝置及製造其之方法 | |
| KR100631121B1 (ko) | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP4826079B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041220 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050704 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060824 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060829 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060925 |