JP2003258413A - 回路素子の実装装置および実装方法 - Google Patents
回路素子の実装装置および実装方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 7
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/81001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路素子を異方性導電膜を用いて基板に実装
する際、柔軟層を有する加圧型により加圧を行う場合、
柔軟層によって生じる回路素子の実装位置のずれを防止
する。 【解決手段】 多数の細微孔２２を有するテーブル２０
上に、基板１０、異方性導電膜１４および回路素子１６
を載置する。さらに、その上から通気膜２６、シール膜
２８を被せる。シール膜２８の内側の空気を、細微孔２
２を介して吸引ポンプで吸引し、シール膜２８内部を減
圧する。シール膜２８が、回路素子１６を基板１０に押
さえ込み、回路素子１６の横方向のずれを防止する。こ
の状態で、柔軟層２９を有する型により加圧し、また加
熱を行い圧着する。
する際、柔軟層を有する加圧型により加圧を行う場合、
柔軟層によって生じる回路素子の実装位置のずれを防止
する。 【解決手段】 多数の細微孔２２を有するテーブル２０
上に、基板１０、異方性導電膜１４および回路素子１６
を載置する。さらに、その上から通気膜２６、シール膜
２８を被せる。シール膜２８の内側の空気を、細微孔２
２を介して吸引ポンプで吸引し、シール膜２８内部を減
圧する。シール膜２８が、回路素子１６を基板１０に押
さえ込み、回路素子１６の横方向のずれを防止する。こ
の状態で、柔軟層２９を有する型により加圧し、また加
熱を行い圧着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップな
どの回路素子を基板上に実装する装置および方法に関す
る。
どの回路素子を基板上に実装する装置および方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】基板上に回路素子を実装する方法とし
て、基板と回路素子の間に接着性のある材料を配置し、
回路素子を基板に向けて加圧、加熱し、圧着実装する方
法が知られている。接着材として、接着フィルムや熱硬
化性のペーストなどが用いられ、さらに前記接着フィル
ムとして熱硬化性の異方性導電膜を用いることがある。
以下では、接着フィルムとして前記異方性導電膜を例に
挙げて説明する。異方性導電膜を用いた場合、素子の接
着と配線を同時に行うことができる。その工程を説明す
れば、まず、基板上の、回路素子搭載位置に異方性導電
膜を載置し、その上に回路素子を置く。異方性導電膜の
表面は接着性を有しており、回路素子を置く際にわずか
に押圧することによって、回路素子は仮固定または仮圧
着される。回路素子には、外部と電気的な接続を行うた
めのバンプと呼ばれる電極が突設されている。素子を載
置した際の、基板上の前記バンプに対向する位置には、
配線が位置している。回路素子が基板上に載置された状
態で、これを加圧すると、前記バンプと配線は、周囲よ
り飛び出しているために、これらの間の異方性導電膜が
より加圧され、導通する状態となる。また、加熱によっ
て異方性導電膜が基板と回路素子を接着し、本圧着が行
われる。
て、基板と回路素子の間に接着性のある材料を配置し、
回路素子を基板に向けて加圧、加熱し、圧着実装する方
法が知られている。接着材として、接着フィルムや熱硬
化性のペーストなどが用いられ、さらに前記接着フィル
ムとして熱硬化性の異方性導電膜を用いることがある。
以下では、接着フィルムとして前記異方性導電膜を例に
挙げて説明する。異方性導電膜を用いた場合、素子の接
着と配線を同時に行うことができる。その工程を説明す
れば、まず、基板上の、回路素子搭載位置に異方性導電
膜を載置し、その上に回路素子を置く。異方性導電膜の
表面は接着性を有しており、回路素子を置く際にわずか
に押圧することによって、回路素子は仮固定または仮圧
着される。回路素子には、外部と電気的な接続を行うた
めのバンプと呼ばれる電極が突設されている。素子を載
置した際の、基板上の前記バンプに対向する位置には、
配線が位置している。回路素子が基板上に載置された状
態で、これを加圧すると、前記バンプと配線は、周囲よ
り飛び出しているために、これらの間の異方性導電膜が
より加圧され、導通する状態となる。また、加熱によっ
て異方性導電膜が基板と回路素子を接着し、本圧着が行
われる。
【０００３】本圧着の際に回路素子を加圧するのは、加
圧対象となる素子の面とほぼ同じ先端の面積を有する加
圧棒であり、この加圧棒に発熱体を設けることにより、
前記異方性導電膜の加熱も行っている。
圧対象となる素子の面とほぼ同じ先端の面積を有する加
圧棒であり、この加圧棒に発熱体を設けることにより、
前記異方性導電膜の加熱も行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
装置においては、硬質の加圧棒の先端で加圧を行ってお
り、異方性導電膜などの接着フィルムの厚みが均一でな
い場合など回路素子が傾いて置かれ、全体に等しい圧力
で加圧できず、電気的な接続に不良が発生する場合があ
るという問題があった。
装置においては、硬質の加圧棒の先端で加圧を行ってお
り、異方性導電膜などの接着フィルムの厚みが均一でな
い場合など回路素子が傾いて置かれ、全体に等しい圧力
で加圧できず、電気的な接続に不良が発生する場合があ
るという問題があった。
【０００５】このような場合、柔軟な部材を介して加圧
することにより、均一に加圧することが考えられるが、
そのときは前記部材の柔軟性による回路素子の横方向の
ずれが生じる可能性がある。
することにより、均一に加圧することが考えられるが、
そのときは前記部材の柔軟性による回路素子の横方向の
ずれが生じる可能性がある。
【０００６】本発明は、前述の問題点を考慮してなされ
たものであり、均一な加圧を行いつつ、回路素子の横方
向のずれを抑えることを目的とする。
たものであり、均一な加圧を行いつつ、回路素子の横方
向のずれを抑えることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明に係る回路素子の実装装置は、回路素子
と、この回路素子が実装される基板と、これらの回路素
子と基板を接着する接着材とを重ねて置くテーブルと、
さらに重ねて置かれた回路素子等を覆うように配置され
る流体透過性のないシール膜と、テーブルに設けられた
細孔を介して、テーブルとシール膜内側の空間の流体を
吸引する吸引ポンプと、回路素子に対向する面に柔軟性
のある柔軟層を有し、回路素子を基板に対して押圧する
加圧ヘッドと、を有している。柔軟層によって、片寄り
なく回路素子を押圧することができ、圧着不良を防止す
ることができる。また、柔軟層の柔軟性のために、回路
素子が押圧方向に対して横方向に動き、ずれて接着され
る可能性があるが、シール膜で押さえることによりずれ
を防止することができる。
めに、本発明に係る回路素子の実装装置は、回路素子
と、この回路素子が実装される基板と、これらの回路素
子と基板を接着する接着材とを重ねて置くテーブルと、
さらに重ねて置かれた回路素子等を覆うように配置され
る流体透過性のないシール膜と、テーブルに設けられた
細孔を介して、テーブルとシール膜内側の空間の流体を
吸引する吸引ポンプと、回路素子に対向する面に柔軟性
のある柔軟層を有し、回路素子を基板に対して押圧する
加圧ヘッドと、を有している。柔軟層によって、片寄り
なく回路素子を押圧することができ、圧着不良を防止す
ることができる。また、柔軟層の柔軟性のために、回路
素子が押圧方向に対して横方向に動き、ずれて接着され
る可能性があるが、シール膜で押さえることによりずれ
を防止することができる。
【０００８】さらに、シール膜の下に、流体透過性を有
する流体透過膜を設けることができる。流体透過膜を設
けることによって、吸引が促進され、より強く回路素子
の動きを押さえることができる。
する流体透過膜を設けることができる。流体透過膜を設
けることによって、吸引が促進され、より強く回路素子
の動きを押さえることができる。
【０００９】さらに、シール膜は伸縮性を有するものと
することができる。伸縮性により、密着度が高まり、よ
り強く回路素子の動きを押さえることができる。
することができる。伸縮性により、密着度が高まり、よ
り強く回路素子の動きを押さえることができる。
【００１０】また、本発明の他の態様によれば、回路素
子の実装方法が提供される。回路素子と、この回路素子
が実装される基板と、これらの回路素子と基板を接着す
る接着フィルムとを重ねてテーブル上に置き、さらに回
路素子の上からこれを覆うように流体透過性のないシー
ル膜を被せる。そして、テーブルとシール膜の間の空間
を減圧し、接着フィルムを介して基板と回路素子を密
着、固定する。固定された状態で、回路素子に対向する
面に柔軟な層を有する加圧型により加圧を行って、圧着
し、実装を行う。
子の実装方法が提供される。回路素子と、この回路素子
が実装される基板と、これらの回路素子と基板を接着す
る接着フィルムとを重ねてテーブル上に置き、さらに回
路素子の上からこれを覆うように流体透過性のないシー
ル膜を被せる。そして、テーブルとシール膜の間の空間
を減圧し、接着フィルムを介して基板と回路素子を密
着、固定する。固定された状態で、回路素子に対向する
面に柔軟な層を有する加圧型により加圧を行って、圧着
し、実装を行う。
【００１１】さらに、シール膜の下に、これに重ねて流
体透過性のある膜を、回路素子に被せて、減圧を行うよ
うにすることができる。さらに、シール膜を伸縮性を有
するものとすることができる。
体透過性のある膜を、回路素子に被せて、減圧を行うよ
うにすることができる。さらに、シール膜を伸縮性を有
するものとすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（以下
実施形態という）を、図面に従って説明する。図１およ
び図２は、本実施形態の集積回路チップの実装方法を説
明するための図である。図１（ａ）に示すように、基板
１０の表面には、所定の回路パターンで、配線１２が形
成されている。基板１０上に、接着用および配線用とし
ての熱硬化性の異方性導電膜１４と回路素子１６を所定
位置に配置する。回路素子１６の基板１０に対向する面
（図において下面）には、電気的な接点となる隆起、い
わゆるバンプ１８が設けられている。配線１２とバンプ
１８は、異方性導電膜１４を挟んで対向する位置にあ
る。言い換えれば、回路素子１６の実装位置に基づき、
配線１２を設ける位置が決定されている。
実施形態という）を、図面に従って説明する。図１およ
び図２は、本実施形態の集積回路チップの実装方法を説
明するための図である。図１（ａ）に示すように、基板
１０の表面には、所定の回路パターンで、配線１２が形
成されている。基板１０上に、接着用および配線用とし
ての熱硬化性の異方性導電膜１４と回路素子１６を所定
位置に配置する。回路素子１６の基板１０に対向する面
（図において下面）には、電気的な接点となる隆起、い
わゆるバンプ１８が設けられている。配線１２とバンプ
１８は、異方性導電膜１４を挟んで対向する位置にあ
る。言い換えれば、回路素子１６の実装位置に基づき、
配線１２を設ける位置が決定されている。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように、重ねた基
板１０、異方性導電膜１４および回路素子１６をテーブ
ル２０上に載置する。テーブル２０には、多数の細微孔
２２が設けられている。図において、細微孔２２は、模
式的に一本の貫通孔のように示されているが、実際に
は、テーブル２０は、多孔質セラミックや焼結金属の多
孔質材料で構成され、この材料粒子間の隙間（いわゆる
ポーラス）が細微孔２２となる。細微孔２２は、テーブ
ル２０の基板１０等を載置した面から空気が吸引ポンプ
２４に向けて流れる流路の一部を形成している。重ねら
れ、テーブル２０上に載置された基板１０等を覆うよう
に２種類の膜を配置する。下、すなわち基板１０や回路
素子１６に近い方の膜２６は、通気性を有する材料（例
えば多孔紙、多孔フィルム）から構成されている。以
下、この膜を通気膜２６と記す。もう一枚の膜２８は、
通気性のない材料（例えばゴム）で構成され、通気膜２
６よりやや広い範囲を覆う大きさとなっている。以下、
この膜をシール膜２８と記す。
板１０、異方性導電膜１４および回路素子１６をテーブ
ル２０上に載置する。テーブル２０には、多数の細微孔
２２が設けられている。図において、細微孔２２は、模
式的に一本の貫通孔のように示されているが、実際に
は、テーブル２０は、多孔質セラミックや焼結金属の多
孔質材料で構成され、この材料粒子間の隙間（いわゆる
ポーラス）が細微孔２２となる。細微孔２２は、テーブ
ル２０の基板１０等を載置した面から空気が吸引ポンプ
２４に向けて流れる流路の一部を形成している。重ねら
れ、テーブル２０上に載置された基板１０等を覆うよう
に２種類の膜を配置する。下、すなわち基板１０や回路
素子１６に近い方の膜２６は、通気性を有する材料（例
えば多孔紙、多孔フィルム）から構成されている。以
下、この膜を通気膜２６と記す。もう一枚の膜２８は、
通気性のない材料（例えばゴム）で構成され、通気膜２
６よりやや広い範囲を覆う大きさとなっている。以下、
この膜をシール膜２８と記す。
【００１４】吸引ポンプ２４を作動させると、テーブル
２０とシール膜２８で囲われた範囲の空気が細微孔２２
を介して吸引され、この部分が減圧されて大気圧または
周囲の圧力が作用して、シール膜２８が回路素子１６を
基板１０に向けて押さえ込む。
２０とシール膜２８で囲われた範囲の空気が細微孔２２
を介して吸引され、この部分が減圧されて大気圧または
周囲の圧力が作用して、シール膜２８が回路素子１６を
基板１０に向けて押さえ込む。
【００１５】図２（ａ）において、前記の減圧が行わ
れ、シール膜２８および通気膜２６が回路素子１６等に
密着している状態が示されている。このとき、通気膜２
６がシール膜２８の下に介在していることにより、空気
の吸引がより効率よく行われる。すなわち、通気膜２６
を配置することにより、基板１０より外側の範囲Ａより
空気を吸引することが可能となり、十分な減圧を行うこ
とができる。もし、通気膜２６がなかったならば、図中
の範囲Ａにおいて、シール膜２８がテーブル２０の細微
孔２２を塞いだ後の吸引が進まない場合がある。通気膜
２６を設けることにより、シール膜２８が貼り付いた後
も、通気膜２６を通して吸引が行われ、より強い減圧効
果を得ることできる。また、シール膜２８は、通気膜２
６よりやや広い範囲を覆うように構成されているので、
外から空気を吸うことはない。
れ、シール膜２８および通気膜２６が回路素子１６等に
密着している状態が示されている。このとき、通気膜２
６がシール膜２８の下に介在していることにより、空気
の吸引がより効率よく行われる。すなわち、通気膜２６
を配置することにより、基板１０より外側の範囲Ａより
空気を吸引することが可能となり、十分な減圧を行うこ
とができる。もし、通気膜２６がなかったならば、図中
の範囲Ａにおいて、シール膜２８がテーブル２０の細微
孔２２を塞いだ後の吸引が進まない場合がある。通気膜
２６を設けることにより、シール膜２８が貼り付いた後
も、通気膜２６を通して吸引が行われ、より強い減圧効
果を得ることできる。また、シール膜２８は、通気膜２
６よりやや広い範囲を覆うように構成されているので、
外から空気を吸うことはない。
【００１６】減圧によって、回路素子１６が基板１０に
押さえ付けられた状態で、回路素子１６などに対向する
面に柔軟層２９を有する加圧型を回路素子１６等に接触
させる。そして、加圧型をストロークさせ、柔軟層２９
を図中矢印で示すように、回路素子１６や異方性導電膜
１４の側方へと回り込ませる。
押さえ付けられた状態で、回路素子１６などに対向する
面に柔軟層２９を有する加圧型を回路素子１６等に接触
させる。そして、加圧型をストロークさせ、柔軟層２９
を図中矢印で示すように、回路素子１６や異方性導電膜
１４の側方へと回り込ませる。
【００１７】図２（ｂ）には、柔軟層２９が側方に回り
込んで、回路素子１６や異方性導電膜１４の周囲より加
圧を行っている状態が示されている。周囲、すなわち図
において上方および側方より加圧を行う、等方加圧が行
われる。前述にように配線１２およびバンプ１８は、各
々が配置された面より隆起しており、加圧されることに
よって、これらの配線１２、バンプ１８で挟まれた異方
性導電膜１４の部分がより圧縮され、この圧縮された部
分が導電性を有するようになり、配線１２とバンプ１８
の間が導通状態となる。また、加圧型には、ヒータが備
えられており、これからの熱によって異方性導電膜１４
が硬化し、回路素子１６が圧着される。柔軟層２９の柔
軟性のために、加圧する際に、横方向にずれを生じる場
合があるが、本実施形態においてはシール膜２８により
回路素子１６が押さえ込まれているので、加圧時の横方
向のずれが防止できる。
込んで、回路素子１６や異方性導電膜１４の周囲より加
圧を行っている状態が示されている。周囲、すなわち図
において上方および側方より加圧を行う、等方加圧が行
われる。前述にように配線１２およびバンプ１８は、各
々が配置された面より隆起しており、加圧されることに
よって、これらの配線１２、バンプ１８で挟まれた異方
性導電膜１４の部分がより圧縮され、この圧縮された部
分が導電性を有するようになり、配線１２とバンプ１８
の間が導通状態となる。また、加圧型には、ヒータが備
えられており、これからの熱によって異方性導電膜１４
が硬化し、回路素子１６が圧着される。柔軟層２９の柔
軟性のために、加圧する際に、横方向にずれを生じる場
合があるが、本実施形態においてはシール膜２８により
回路素子１６が押さえ込まれているので、加圧時の横方
向のずれが防止できる。
【００１８】図３は、集積回路チップの圧着を行う加圧
装置の概略構成を示す図である。本装置は、上型３０、
下型３２およびサイド型３４によって、加圧対象となる
基板１０、回路素子１６等がその中に載置されるキャビ
ティ３６を形成している。上型３０を下型３２に向けて
移動することによって、キャビティ３６内の加圧対象に
圧力を付与する。すなわち、上型３０と下型３２とで基
板１０およびそれに重ねて載置された異方性導電膜１
４、回路素子１６を、シール膜２８および通気膜２６を
被せた状態で挟持、加圧する。
装置の概略構成を示す図である。本装置は、上型３０、
下型３２およびサイド型３４によって、加圧対象となる
基板１０、回路素子１６等がその中に載置されるキャビ
ティ３６を形成している。上型３０を下型３２に向けて
移動することによって、キャビティ３６内の加圧対象に
圧力を付与する。すなわち、上型３０と下型３２とで基
板１０およびそれに重ねて載置された異方性導電膜１
４、回路素子１６を、シール膜２８および通気膜２６を
被せた状態で挟持、加圧する。
【００１９】上型３０は、図示しない流体圧ピストンに
結合される上型本体４６を含み、上型本体４６の先端に
は、さらに加熱板４８および加圧パッド５０が固定され
ている。加熱板４８は、穴付きボルト５２によって上型
本体４６に固定されている。また、その内部には、ヒー
タ５４が設けられている。ヒータ５４の加熱により加熱
板４８の温度が上昇し、これが加圧パッド５０を介し
て、加圧対象物に伝達される。
結合される上型本体４６を含み、上型本体４６の先端に
は、さらに加熱板４８および加圧パッド５０が固定され
ている。加熱板４８は、穴付きボルト５２によって上型
本体４６に固定されている。また、その内部には、ヒー
タ５４が設けられている。ヒータ５４の加熱により加熱
板４８の温度が上昇し、これが加圧パッド５０を介し
て、加圧対象物に伝達される。
【００２０】加圧パッド５０は、互いに接着固定されて
いる背板５６およびゴム板５８を含む多層構造を有す
る。背板５６には、つり下げピン６２がねじ結合してお
り、つり下げピン６２は、上型４６に形成された穴６４
に挿入され、側方からのボルト６６により固定されてい
る。背板５６の側面のサイド型３４に接する部分には、
キャビティ３６内を減圧するために、型どうしのシール
を行うためのＯリング６３が配置されている。ゴム板５
８は、図２に示した柔軟層２９に対応し、回路素子１６
や異方性導電膜１４を周囲より加圧することができるよ
うな柔軟性を有している。また、ゴム板５８は、その弾
性により、回路素子圧着後、加圧状態から開放される
と、図示するような平板形状に戻り、次回の加圧も同様
に行うことができる。
いる背板５６およびゴム板５８を含む多層構造を有す
る。背板５６には、つり下げピン６２がねじ結合してお
り、つり下げピン６２は、上型４６に形成された穴６４
に挿入され、側方からのボルト６６により固定されてい
る。背板５６の側面のサイド型３４に接する部分には、
キャビティ３６内を減圧するために、型どうしのシール
を行うためのＯリング６３が配置されている。ゴム板５
８は、図２に示した柔軟層２９に対応し、回路素子１６
や異方性導電膜１４を周囲より加圧することができるよ
うな柔軟性を有している。また、ゴム板５８は、その弾
性により、回路素子圧着後、加圧状態から開放される
と、図示するような平板形状に戻り、次回の加圧も同様
に行うことができる。
【００２１】ゴム板５８は、基板１０上に載置された回
路素子１６の上面が基板に対して平行でない場合など、
この歪みを吸収して全体に均一な加圧を行うために機能
する。例えば、回路素子１６の上面が、上型３０の先端
面と平行でなかった場合、ゴム板５８がなく、上型３０
が剛に形成されていれば、回路素子１６の最も高い部分
に大きな圧力が加わることになる。ゴム板５８を設ける
ことによって、回路素子１６の傾きを吸収することがで
きる。すなわち、ゴム板５８は、回路素子１６の傾きを
吸収できる程度に柔軟な層として機能する。したがっ
て、この柔軟な層は、要求される柔軟性を有するもので
あれば、ゴムに代えて、他の材料で構成することができ
る。本実施形態では、特に、耐熱性を考慮してシリコン
ゴムによりゴム板５８を形成しているが、他の種類のゴ
ム、および前述のように他の材料を用いることも可能で
ある。
路素子１６の上面が基板に対して平行でない場合など、
この歪みを吸収して全体に均一な加圧を行うために機能
する。例えば、回路素子１６の上面が、上型３０の先端
面と平行でなかった場合、ゴム板５８がなく、上型３０
が剛に形成されていれば、回路素子１６の最も高い部分
に大きな圧力が加わることになる。ゴム板５８を設ける
ことによって、回路素子１６の傾きを吸収することがで
きる。すなわち、ゴム板５８は、回路素子１６の傾きを
吸収できる程度に柔軟な層として機能する。したがっ
て、この柔軟な層は、要求される柔軟性を有するもので
あれば、ゴムに代えて、他の材料で構成することができ
る。本実施形態では、特に、耐熱性を考慮してシリコン
ゴムによりゴム板５８を形成しているが、他の種類のゴ
ム、および前述のように他の材料を用いることも可能で
ある。
【００２２】サイド型３４は、４個の流体圧シリンダ７
２を介して上型３０につり下げ支持されている。サイド
型３４は、加圧パッド５０およびキャビティ３６の側方
を取り囲むような環形状を有している。流体圧シリンダ
７２は、加圧成形時において、サイド型３４を下型３２
に向けて押し、これらを密着させる。このとき、流体圧
シリンダ７２は、反作用として上型３０を押し上げよう
とするが、上型３０を下方に押すプレス力は、流体圧シ
リンダ７２の力に対して十分大きく、プレス力が実質的
に減少することはない。
２を介して上型３０につり下げ支持されている。サイド
型３４は、加圧パッド５０およびキャビティ３６の側方
を取り囲むような環形状を有している。流体圧シリンダ
７２は、加圧成形時において、サイド型３４を下型３２
に向けて押し、これらを密着させる。このとき、流体圧
シリンダ７２は、反作用として上型３０を押し上げよう
とするが、上型３０を下方に押すプレス力は、流体圧シ
リンダ７２の力に対して十分大きく、プレス力が実質的
に減少することはない。
【００２３】下型３２は、基板１０が載置されるテーブ
ル７８を有し、テーブル７８は基台８０上に固定された
加熱板８２上に載置される。加熱板８２の内部には、ヒ
ータ８４が設けられており、ヒータの８４の発生する熱
が、加熱板８２とテーブル７８を介して基板１０および
異方性導電膜１４に伝達される。テーブル７８は、図１
および図２のテーブル２０に対応し、前述したように細
微孔２２が設けられており、加熱板８２および基台８０
内にも流路８６が形成されている。この流路８６は、テ
ーブルの細微孔２２と共に、シール膜２８で覆われた内
部より、吸引ポンプ２４によって吸引される空気の流路
となる。テーブル７８および加熱板８２は、前述のテー
ブル２０と同様に多孔質材料により形成され、この部分
の流路は実際には、多孔質材料の粒子の隙間である。
ル７８を有し、テーブル７８は基台８０上に固定された
加熱板８２上に載置される。加熱板８２の内部には、ヒ
ータ８４が設けられており、ヒータの８４の発生する熱
が、加熱板８２とテーブル７８を介して基板１０および
異方性導電膜１４に伝達される。テーブル７８は、図１
および図２のテーブル２０に対応し、前述したように細
微孔２２が設けられており、加熱板８２および基台８０
内にも流路８６が形成されている。この流路８６は、テ
ーブルの細微孔２２と共に、シール膜２８で覆われた内
部より、吸引ポンプ２４によって吸引される空気の流路
となる。テーブル７８および加熱板８２は、前述のテー
ブル２０と同様に多孔質材料により形成され、この部分
の流路は実際には、多孔質材料の粒子の隙間である。
【００２４】本実施形態の圧着の手法によれば、一体に
載置された回路素子１６と異方性導電膜１４の周囲より
加圧を行うので、異方性導電膜１４が周囲にはみ出す量
を抑えることができる。また、テーブル２０上に、基板
１０、異方性導電膜１４および回路素子１６を載置した
状態で、その上からシール膜２８を被せ、シール膜２８
の内側を減圧することで、回路素子１６をシール膜２８
で基板に対して押さえ込むことができる。これにより、
横方向のずれを抑制することができる。シール膜２８
は、それ自体に収縮性があるゴムのような材料で構成さ
れることが好ましい。収縮性のない材料の場合、しわ等
が生じて十分に空気を抜くことができない可能性があ
る。
載置された回路素子１６と異方性導電膜１４の周囲より
加圧を行うので、異方性導電膜１４が周囲にはみ出す量
を抑えることができる。また、テーブル２０上に、基板
１０、異方性導電膜１４および回路素子１６を載置した
状態で、その上からシール膜２８を被せ、シール膜２８
の内側を減圧することで、回路素子１６をシール膜２８
で基板に対して押さえ込むことができる。これにより、
横方向のずれを抑制することができる。シール膜２８
は、それ自体に収縮性があるゴムのような材料で構成さ
れることが好ましい。収縮性のない材料の場合、しわ等
が生じて十分に空気を抜くことができない可能性があ
る。
【００２５】さらに、シール膜２８の下に、通気性を有
する通気膜２６を配置した場合、空気をより効率よく抜
くことができる。もちろん、通気膜２６なしで回路素子
１６の横方向の動きを十分に抑えることができるのであ
れば、シール膜２８のみを用いることができる。
する通気膜２６を配置した場合、空気をより効率よく抜
くことができる。もちろん、通気膜２６なしで回路素子
１６の横方向の動きを十分に抑えることができるのであ
れば、シール膜２８のみを用いることができる。
【００２６】また、以上の説明は、空気中で加圧を行う
ことを前提としたものである。よって、吸引ポンプ２４
では、空気を引くとして説明してきたが、他の流体中で
加圧作業が行われる場合など、空気以外の流体を吸引す
ることになる。さらに、１回の加圧で１個の回路素子を
圧着する場合について説明したが、複数の回路素子を同
時に圧着することも可能である。
ことを前提としたものである。よって、吸引ポンプ２４
では、空気を引くとして説明してきたが、他の流体中で
加圧作業が行われる場合など、空気以外の流体を吸引す
ることになる。さらに、１回の加圧で１個の回路素子を
圧着する場合について説明したが、複数の回路素子を同
時に圧着することも可能である。
【００２７】また、テーブル等に多孔質材料を用いる場
合を説明したが、通常の金属板等に機械加工などによっ
て孔を複数あけ、この孔を通して流体の吸引を行うよう
にすることもできる。
合を説明したが、通常の金属板等に機械加工などによっ
て孔を複数あけ、この孔を通して流体の吸引を行うよう
にすることもできる。
【図１】 本実施形態の集積回路チップの実装方法の説
明図である。
明図である。
【図２】 本実施形態の集積回路チップの実装方法の説
明図である。
明図である。
【図３】 集積回路チップ実装に用いる加圧装置の概略
構成を示す図である。
構成を示す図である。
１０ 基板、１２ 配線、１４ 異方性導電膜、１６
回路素子、１８ バンプ、２０ テーブル、２２ 細微
孔、２４ 吸引ポンプ、２６ 通気膜（透過膜）、２８
シール膜、２９ 柔軟層、３０ 上型。
回路素子、１８ バンプ、２０ テーブル、２２ 細微
孔、２４ 吸引ポンプ、２６ 通気膜（透過膜）、２８
シール膜、２９ 柔軟層、３０ 上型。
Claims (6)
- 【請求項１】 回路素子を基板上に実装する装置であっ
て、 前記回路素子と接着材を重ねて載せた前記基板が載置さ
れ、複数の細孔が設けられたテーブルと、 前記重ねて配置された基板、接着材および回路素子を覆
うように配置される流体透過性のないシール膜と、 前記テーブルとシール膜の間の空間の流体を、前記テー
ブルの細孔を介して吸引する吸引ポンプと、 前記基板上に配置された回路素子に対向する面に柔軟性
のある柔軟層を有し、前記回路素子を基板に対して押圧
し、そこに圧着する加圧ヘッドと、を有する回路素子の
実装装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の回路素子の実装装置で
あって、さらに、 前記シール膜の下で、前記重ねて配置された基板、接着
材および回路素子を覆うように配置された流体透過性を
有する透過膜、を有する回路素子の実装装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の回路素子の実
装装置であって、前記シール膜は伸縮性を有している、
回路素子の実装装置。 - 【請求項４】 回路素子を基板上に実装する方法であっ
て、 基板上に接着材と、これに重ねて回路素子とを配置する
工程と、 重ねて配置された基板、接着材および回路素子とを流体
透過性のないシール膜で覆う工程と、 前記膜の内側を減圧する工程と、 前記載置された回路素子を、この素子に対向する面に柔
軟性のある柔軟層を有する加圧型により基板に対し押圧
し、圧着する工程と、を有する回路素子の実装方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の回路素子の実装方法で
あって、さらに、 前記回路素子を配置する工程とシール膜で覆う工程との
間に、重ねて配置された基板、接着材および回路素子を
流体透過性のある透過膜で覆う工程、を有する、回路素
子の実装方法。 - 【請求項６】 請求項４または５に記載の回路素子の実
装方法であって、前記シール膜として伸縮性を有するも
のを用いる、回路素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002059881A JP2003258413A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 回路素子の実装装置および実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002059881A JP2003258413A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 回路素子の実装装置および実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258413A true JP2003258413A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=28669409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002059881A Pending JP2003258413A (ja) | 2002-03-06 | 2002-03-06 | 回路素子の実装装置および実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003258413A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006082744A1 (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 電気部品の実装装置 |
| WO2006103918A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | フリップチップ実装体とフリップチップ実装方法及びフリップチップ実装装置 |
| JP2007189100A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Sony Chemical & Information Device Corp | 圧着装置及び実装方法 |
| JP2007227622A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sony Chemical & Information Device Corp | 実装方法 |
| KR100799858B1 (ko) | 2006-10-26 | 2008-01-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 기판 소성용 가압로더 및 이를 이용한 적층세라믹 기판 제조방법. |
| JP2009016544A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Panasonic Corp | 半導体素子実装装置および実装方法 |
| TWI382478B (zh) * | 2006-04-24 | 2013-01-11 | Sony Chem & Inf Device Corp | 按壓頭及按壓裝置 |
| CN110277323A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-24 | 广东工业大学 | 扇出型模块负压封装工艺、结构以及设备 |
| US11792949B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-10-17 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Device including a circuit member sealed by a film, and method of forming the device |
-
2002
- 2002-03-06 JP JP2002059881A patent/JP2003258413A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7857028B2 (en) | 2005-02-02 | 2010-12-28 | Sony Corporation | Mounting device for electrical component |
| JP4841431B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2011-12-21 | ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 | 電気部品の実装装置 |
| WO2006082744A1 (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 電気部品の実装装置 |
| US8071425B2 (en) | 2005-03-28 | 2011-12-06 | Panasonic Corporation | Flip chip mounting body, flip chip mounting method and flip chip mounting apparatus |
| US7732920B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-06-08 | Panasonic Corporation | Flip chip mounting body, flip chip mounting method and flip chip mounting apparatus |
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| US8011407B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-09-06 | Sony Corporation | Compression bonding device |
| JP2007189100A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Sony Chemical & Information Device Corp | 圧着装置及び実装方法 |
| EP1988570A4 (en) * | 2006-02-23 | 2010-02-10 | Sony Chem & Inf Device Corp | attachment methods |
| JP2007227622A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sony Chemical & Information Device Corp | 実装方法 |
| US8048254B2 (en) | 2006-02-23 | 2011-11-01 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Mounting method |
| EP1988570A1 (en) * | 2006-02-23 | 2008-11-05 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Mounting method |
| TWI382478B (zh) * | 2006-04-24 | 2013-01-11 | Sony Chem & Inf Device Corp | 按壓頭及按壓裝置 |
| KR100799858B1 (ko) | 2006-10-26 | 2008-01-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 기판 소성용 가압로더 및 이를 이용한 적층세라믹 기판 제조방법. |
| JP2009016544A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Panasonic Corp | 半導体素子実装装置および実装方法 |
| CN110277323A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-09-24 | 广东工业大学 | 扇出型模块负压封装工艺、结构以及设备 |
| CN110277323B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-05-11 | 广东工业大学 | 扇出型模块负压封装工艺、结构以及设备 |
| US11792949B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-10-17 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Device including a circuit member sealed by a film, and method of forming the device |
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