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JP2003257652A - Method of manufacturing electro-luminescence element - Google Patents

Method of manufacturing electro-luminescence element

Info

Publication number
JP2003257652A
JP2003257652A JP2002059908A JP2002059908A JP2003257652A JP 2003257652 A JP2003257652 A JP 2003257652A JP 2002059908 A JP2002059908 A JP 2002059908A JP 2002059908 A JP2002059908 A JP 2002059908A JP 2003257652 A JP2003257652 A JP 2003257652A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
fluorescence
forming
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002059908A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisao Haku
久雄 白玖
Masutaka Inoue
益孝 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2002059908A priority Critical patent/JP2003257652A/en
Publication of JP2003257652A publication Critical patent/JP2003257652A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electro-luminescence element for prematurely evaluating the acceptability of the formed state of a light emitting layer without energization in the production process for an organic EL display device and increasing a production efficiency by omitting wasteful steps after the evaluation when a defect is found. <P>SOLUTION: A substrate having a first electrode formed thereon is inputted into manufacturing equipment (S1), a light emitting layer is formed on the first electrode (S2), exciting light is radiated to a light emitting layer, and fluorescent light from the light emitting layer is measured (S3). Based on the measured results, the acceptability of the formed state of the light emitting layer is evaluated (S4). When the formed state of the light emitting layer is acceptable, a second electrode is formed on the light emitting layers by using a vacuum evaporation method (S5), and sealed by a transparent insulation layer (S6). When the formed state of the light emitting layer is not acceptable, the step is not moved to a second electrode forming step (S5) and the cause of occurrence of a defect in the light emitting layer formation step (S2) is inspected. When the light emitting layers with three colors R, G, B are formed, each time a step for forming each of the light emitting layers with the colors is completed, the fluorescent light measurement (S3) is performed and the acceptability of the formed state for each of the light emitting layers with the colors is evaluated (S4). Then the step is moved to a next one only when the formed state is acceptable. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス(以下、ELと記す。)素子の製造方法にかか
り、特に、有機発光材料を含む発光層を有する有機EL
素子の製造過程における発光層の形成状態の良否を評価
する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an electroluminescence (hereinafter referred to as EL) device, and more particularly to an organic EL having a light emitting layer containing an organic light emitting material.
The present invention relates to a method for evaluating the quality of the formation state of a light emitting layer in the manufacturing process of an element.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴い、一般に
使用されているCRT(陰極線管)に比べて、消費電力
が少ない平面表示素子に対する要求が高まっている。平
面表示素子の一つとして、高効率・薄型・軽量・低視野
角依存性等の特徴を有するエレクトロルミネッセンス
(EL)素子が注目され、このEL素子を用いたディス
プレイの開発が活発に行われている。EL素子は蛍光性
化合物に電場を加えることで発光する自己発光型の素子
であり、硫化亜鉛などの無機化合物を発光層として用い
た無機EL素子と、ジアミン類などの有機化合物を発光
層として用いた有機EL素子とに大別される。なかでも
有機EL素子はカラー化が容易で、無機EL素子よりは
るかに低電圧の直流電流で動作するなどの利点から、近
年特に携帯端末の表示装置などへの応用が期待されてい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, with the diversification of information equipment, there is an increasing demand for a flat display element that consumes less power than a CRT (cathode ray tube) which is generally used. As one of the flat display elements, an electroluminescence (EL) element having characteristics such as high efficiency, thinness, light weight, and low viewing angle dependency has attracted attention, and a display using this EL element has been actively developed. There is. An EL element is a self-luminous element that emits light by applying an electric field to a fluorescent compound, and uses an inorganic EL element using an inorganic compound such as zinc sulfide as a light emitting layer and an organic compound such as a diamine as a light emitting layer. It is roughly divided into the organic EL element that was used. In particular, organic EL elements are expected to be applied to display devices of mobile terminals in particular in recent years because of advantages such as easy colorization and operation at a much lower voltage DC current than inorganic EL elements.

【0003】EL表示装置には、無機発光材料を含む発
光層を有する無機EL表示装置と、有機発光材料を含む
発光層を有する有機EL表示装置とがある。無機EL表
示装置は、電極間に強い電界を発生させ、この電界によ
って発光層中の電子を加速して発光中心に衝突させるこ
とにより、発光中心を励起させて発光させる。
EL display devices include an inorganic EL display device having a light emitting layer containing an inorganic light emitting material and an organic EL display device having a light emitting layer containing an organic light emitting material. In the inorganic EL display device, a strong electric field is generated between the electrodes, and the electric field accelerates the electrons in the light emitting layer to collide with the light emission center to excite the light emission center to emit light.

【0004】一方、有機EL表示装置は、電子注入電極
(陰電極)とホール注入電極(陽電極)とからそれぞれ
電子とホールとを発光層へ注入し、注入された電子とホ
ールとを発光中心で再結合させて、発光中心が励起状態
から基底状態へと戻るときに蛍光を発生させる。従っ
て、有機EL素子は発光層を構成する蛍光物質を選択す
ることにより発光色を変化させることができるので、マ
ルチカラー、フルカラー等の表示装置への応用に対する
期待が高まっている。
On the other hand, the organic EL display device injects electrons and holes into the light emitting layer from the electron injecting electrode (negative electrode) and the hole injecting electrode (positive electrode), respectively, and injects the injected electrons and holes into the emission center. Re-combines with each other to generate fluorescence when the emission center returns from the excited state to the ground state. Therefore, since the organic EL element can change the emission color by selecting the fluorescent substance forming the light emitting layer, there are increasing expectations for application to display devices such as multicolor and full color.

【0005】フルカラー表示が可能な有機EL表示装置
として、図6に示すように、R(赤)、G(緑)、B
(青)の3種類の有機EL素子61R、61G、61B
をガラス基板62上にストライプ状またはドットマトリ
クス状に配設し、それぞれの有機EL素子61R、61
G、61Bを選択的に発光駆動させることにより画素ご
とに任意の色を表示できるようにしたEL表示装置の開
発が進められている。
As an organic EL display device capable of full color display, as shown in FIG. 6, R (red), G (green), B
Three types of (blue) organic EL elements 61R, 61G, 61B
Are arranged in a stripe shape or a dot matrix shape on the glass substrate 62, and each of the organic EL elements 61R, 61R
Development of an EL display device capable of displaying an arbitrary color for each pixel by selectively driving G and 61B to emit light is in progress.

【0006】この種の有機EL表示装置は、図7にその
断面構造を示すように、有機EL素子61R、61G、
61Bは、ガラス基板62上に、薄膜トランジスタ(T
FT)63R、63G、63B、第1の電極(駆動電
極)64R、64G、64B、発光層65R、65G、
65B、第2の電極66R、66G、66Bを順次形成
してなり、TFT63R、63G、63Bを選択的にオ
ン/オフさせることにより第1の電極(駆動電極)64
R、64G、64Bと第2の電極66R、66G、66
Bとで挟まれた領域に位置する発光層65R、65G、
65Bを選択的に発光させるものである。第2の電極6
6R、66G、66Bは透明材料からなり、発光層65
R、65G、65Bからの光は、第2の電極66R、6
6G、66Bを通して放出される。TFT63R、63
G、63Bはポリシリコン層で形成されたドレインD、
ソースSと、ゲート電極Gとで形成されている、そして
この有機EL素子の第1の電極64R、64G、64B
は層間絶縁膜に形成されたスルーホールを介してドレイ
ンDに接続されている。また、各色領域は、相隣接する
有機発光材料同士が混合するのを防止するためのポリイ
ミドなどの絶縁体からなるバンク67によって分離され
ている。
This type of organic EL display device has organic EL elements 61R, 61G, as shown in the sectional structure of FIG.
61B is a thin film transistor (T
FT) 63R, 63G, 63B, first electrodes (driving electrodes) 64R, 64G, 64B, light emitting layers 65R, 65G,
65B and second electrodes 66R, 66G, 66B are sequentially formed, and the first electrodes (driving electrodes) 64 by selectively turning on / off the TFTs 63R, 63G, 63B.
R, 64G, 64B and second electrodes 66R, 66G, 66
The light emitting layers 65R, 65G located in the region sandwiched between B and
65B selectively emits light. Second electrode 6
6R, 66G, and 66B are made of a transparent material and have a light emitting layer 65.
Light from R, 65G, and 65B is emitted from the second electrodes 66R and 6R.
It is released through 6G and 66B. TFT 63R, 63
G and 63B are drains D formed of a polysilicon layer,
The first electrode 64R, 64G, 64B of the organic EL element is formed of the source S and the gate electrode G.
Is connected to the drain D through a through hole formed in the interlayer insulating film. In addition, each color region is separated by a bank 67 made of an insulating material such as polyimide for preventing adjacent organic light emitting materials from mixing with each other.

【0007】有機EL表示素子には、有機発光材料とし
て高分子系有機材料を用いたものと低分子系有機材料を
用いたものとがあり、高分子系有機材料を用いたものと
低分子系有機材料を用いたものとでは発光層の形成方法
が異なる。
There are two types of organic EL display devices, one using a high molecular weight organic material as an organic light emitting material and the other using a low molecular weight organic material. One using a high molecular weight organic material and the other using a low molecular weight organic material. The method of forming the light emitting layer is different from that using an organic material.

【0008】図8は発光材料として高分子系有機材料を
用いた場合の発光層の形成工程を例示したものである。
高分子系有機材料は有機溶剤を用いて、R、G、Bの3
種類の発光材料溶液を作成し、TFT63R、63G、
63B、第1の電極64R、64G、64Bおよびバン
ク67が形成されたガラス基板62上の第1の電極64
R、64G、64Bの表面に、インクジェット方式によ
り発光材料溶液68をノズル99から吹き付けることに
より、R、G、Bの各発光層70R、70G、70Bが
形成される。
FIG. 8 exemplifies a process of forming a light emitting layer when a high molecular organic material is used as the light emitting material.
Polymer organic materials use R, G, B with organic solvent.
Create different kinds of light emitting material solutions, and use TFT 63R, 63G,
63B, the first electrodes 64R, 64G, 64B and the first electrode 64 on the glass substrate 62 on which the bank 67 is formed.
By spraying the light emitting material solution 68 from the nozzle 99 on the surfaces of R, 64G, and 64B, the R, G, and B light emitting layers 70R, 70G, and 70B are formed.

【0009】また、低分子系有機材料を発光層として用
いる場合には、蒸着法が用いられる。図9(a)〜
(c)は、発光材料として低分子系有機材料を用いた場
合の発光層の形成工程を例示したものである。ガラス基
板62上には、図8と同様TFT、第1の電極およびバ
ンク67が予め形成されている。この場合、シャドウマ
スク71を順次移動させつつ、所望の蒸着源を用いて
R、G、Bの3種類の有機発光材料72R、72G、7
2Bを、ガラス基板62上に順次真空蒸着していくこと
により、R、G、Bの各発光層73R、73G、73B
が形成される。
When a low molecular weight organic material is used as the light emitting layer, a vapor deposition method is used. 9 (a)-
(C) illustrates the step of forming a light emitting layer when a low molecular weight organic material is used as the light emitting material. On the glass substrate 62, the TFT, the first electrode, and the bank 67 are previously formed as in FIG. In this case, three kinds of organic light emitting materials 72R, 72G, 7 of R, G, B are used by sequentially moving the shadow mask 71 and using a desired vapor deposition source.
By sequentially vacuum-depositing 2B on the glass substrate 62, each of the R, G, B light emitting layers 73R, 73G, 73B.
Is formed.

【0010】この種の有機EL素子を用いた表示装置を
量産する場合における従来の製造工程の一例を、図10
に示す。
FIG. 10 shows an example of a conventional manufacturing process for mass-producing a display device using this type of organic EL element.
Shown in.

【0011】この工程では、まず、第1の電極(駆動電
極)が形成された基板を製造装置に投入し(S11)、
図8または図9に示した方法を用いてR、G、Bの3種
類の発光層を基板上に形成する(S12)。その後、各
発光層上に真空蒸着法などを用いて透明材料からなる第
2の電極を形成し(S13)、透明絶縁層などで封止す
る(S14)。そして、最終工程で通電テストを行う
(S15)。通電テスト(S15)では、基板上に形成
された各EL素子のTFTを選択的にオン/オフさせ
て、第1の電極と第2の電極との間に電界を発生させる
ことにより、各EL素子を発光させ、光量を測定するこ
とにより、正常に発光するかどうかのテストを行う。そ
してその結果に基づいて、EL表示装置の画素の歩留り
を判定する(S16)。画素の歩留りが所定の値以上で
あれば良品、所定の値未満であれば不良品と判定する。
不良品が発生した場合、生産ラインを停止させ、工程を
遡って原因を究明し対処した後、再び生産ラインを稼働
させる。
In this step, first, the substrate on which the first electrode (driving electrode) is formed is put into a manufacturing apparatus (S11),
Using the method shown in FIG. 8 or 9, three types of light emitting layers of R, G and B are formed on the substrate (S12). After that, a second electrode made of a transparent material is formed on each light emitting layer by using a vacuum deposition method or the like (S13), and is sealed with a transparent insulating layer or the like (S14). Then, the energization test is performed in the final step (S15). In the energization test (S15), the TFTs of each EL element formed on the substrate are selectively turned on / off to generate an electric field between the first electrode and the second electrode, and The device is made to emit light and the amount of light is measured to test whether light is emitted normally. Then, based on the result, the yield of the pixels of the EL display device is determined (S16). If the pixel yield is equal to or higher than a predetermined value, it is determined as a non-defective product, and if it is less than the predetermined value, it is determined as a defective product.
If a defective product occurs, the production line is stopped, the process is traced back to investigate the cause, and the problem is dealt with, and then the production line is operated again.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の製造方法では、有機EL表示装置の各EL素子が正常
に発光するかどうかを各EL素子に通電することによっ
てテストしていたため、少なくとも第2の電極を形成し
た後でなければ、製品の良否(画素の歩留り)を評価す
ることができなかった。このため、R、G、Bの3色の
発光層を形成するいずれかの段階で、発光材料の劣化や
混色などの不良要因が既に発生していた場合でも、その
後の工程が実施されることになる。その結果、材料と時
間の浪費が生じ、生産効率が悪いという問題があった。
However, in the above-described conventional manufacturing method, whether or not each EL element of the organic EL display device normally emits light is tested by energizing each EL element. Only after forming the second electrode, the quality of the product (yield of pixels) could not be evaluated. Therefore, even if a defect factor such as deterioration of the light emitting material or color mixture has already occurred at any stage of forming the R, G, and B light emitting layers, the subsequent steps are performed. become. As a result, materials and time are wasted, resulting in poor production efficiency.

【0013】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、有機EL表示装置の製造過程において、通電を行う
ことなく、発光層の形成状態の良否を早期に評価するこ
とができ、不良が発覚した場合にはその後の無駄な工程
を実施することなく、生産効率を向上することのできる
EL素子の製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and in the manufacturing process of an organic EL display device, the quality of the state of formation of the light emitting layer can be evaluated early without energization, and a defect is found. In that case, it is an object of the present invention to provide an EL element manufacturing method capable of improving the production efficiency without performing the subsequent unnecessary steps.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の有機EL素子の製造方法は、基板表面に第1
の電極を形成する工程と、前記第1の電極の上層に発光
層を形成する工程と、前記発光層の上に、第2の電極を
形成する工程とを含む有機エレクトロルミネッセンス素
子の製造方法において、前記発光層に励起光を照射し、
前記発光層からの蛍光を測定する蛍光測定工程を含むこ
とを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method for manufacturing an organic EL element of the present invention is a method of forming a first surface on a substrate.
In the method for producing an organic electroluminescent device, the method further comprises the steps of: forming an electrode of 1 .; forming a light emitting layer on the first electrode; and forming a second electrode on the light emitting layer. Irradiating the light emitting layer with excitation light,
It is characterized by including a fluorescence measurement step of measuring fluorescence from the light emitting layer.

【0015】かかる構成によれば、発光層を形成した
後、前記発光層に励起光を照射し、前記発光層からの蛍
光を測定することにより、発光層の状態を検知すること
ができるため、電極形成前でも測定可能である上、電界
をかけることなく検知することができ、発光層の劣化を
防ぐことができる。また、測定結果に基づいて前記発光
層の形成状態の良否を評価することができるので、通電
を行うことなく発光層の形成状態の良否を早期に評価す
ることができる。従って、不良が発覚した場合にはその
後の無駄な工程を実施しないようにして生産効率を向上
することができる。
According to this structure, the state of the light emitting layer can be detected by irradiating the light emitting layer with excitation light after forming the light emitting layer and measuring the fluorescence from the light emitting layer. It is possible to measure even before the electrode is formed, and it is possible to detect without applying an electric field, and it is possible to prevent deterioration of the light emitting layer. Further, since the quality of the formation state of the light emitting layer can be evaluated based on the measurement result, the quality of the formation state of the light emitting layer can be evaluated early without energization. Therefore, when a defect is found, it is possible to improve the production efficiency by not performing the unnecessary process thereafter.

【0016】望ましくは、前記蛍光測定工程における測
定結果に基づき、発光層の発光特性を評価する工程を含
み、前記評価工程で良しと判断された場合にのみ、次工
程に進めるようにしたことを特徴とする。
Desirably, the method includes a step of evaluating the light emitting characteristics of the light emitting layer based on the measurement result in the fluorescence measuring step, and proceeds to the next step only when it is judged to be good in the evaluation step. Characterize.

【0017】かかる構成によれば、測定結果に基づいて
前記発光層の形成状態の良否を評価することができるの
で、通電を行うことなく発光層の形成状態の良否を早期
に評価することができる。従って、不良が発覚した場合
にはその後の無駄な工程を実施しないようにして生産効
率を向上することができる。
According to this structure, the quality of the formation state of the light emitting layer can be evaluated based on the measurement result, and therefore the quality of the formation state of the light emitting layer can be evaluated early without energization. . Therefore, when a defect is found, it is possible to improve the production efficiency by not performing the unnecessary process thereafter.

【0018】この蛍光測定工程は、前記発光層形成後、
前記第2の電極を形成するに先立ち、実行されるのが望
ましい。従って測定結果に基づいて前記発光層の形成状
態の良否を評価することができるので、不良が発覚した
場合にはその後の無駄な工程を実施しないようにして生
産効率を向上することができる。
In this fluorescence measurement step, after forming the light emitting layer,
It is preferably performed prior to forming the second electrode. Therefore, it is possible to evaluate the quality of the formation state of the light emitting layer based on the measurement result, and when a defect is found, it is possible to improve the production efficiency by not performing the unnecessary process thereafter.

【0019】望ましくは、前記基板は透明基板であり、
蛍光測定工程は、基板側で蛍光を検出する工程であるこ
とを特徴とする。
Preferably, the substrate is a transparent substrate,
The fluorescence measurement step is a step of detecting fluorescence on the substrate side.

【0020】かかる構成によれば、基板を介して蛍光を
検出することにより、基板と電極あるいは電極と発光層
との界面の汚れによる光量の低下も検出することができ
る。また、基板を介して測定がなされるため、素子の汚
染もなく信頼性の高いEL素子を形成することが可能と
なる。
According to this structure, by detecting the fluorescence through the substrate, it is possible to detect the decrease in the light amount due to the contamination of the interface between the substrate and the electrode or the interface between the electrode and the light emitting layer. Further, since the measurement is performed through the substrate, it is possible to form a highly reliable EL element without contamination of the element.

【0021】望ましくは、前記基板は非透明基板であ
り、蛍光測定工程は、基板と相対向する面側で蛍光を検
出する工程であることを特徴とする。
Preferably, the substrate is a non-transparent substrate, and the fluorescence measuring step is a step of detecting fluorescence on the surface side facing the substrate.

【0022】かかる構成によれば、基板側に光が抜ける
ことなく検出することができ、高精度の検出が可能とな
る。
According to this structure, it is possible to detect light without passing through the substrate side, and it is possible to perform highly accurate detection.

【0023】また望ましくは、前記蛍光測定工程は、前
記発光層を形成しながら、当該発光層に励起光を照射
し、前記発光層からの蛍光を測定する工程であること特
徴とする。
Further preferably, the fluorescence measuring step is a step of irradiating the light emitting layer with excitation light while forming the light emitting layer, and measuring fluorescence from the light emitting layer.

【0024】かかる構成によれば、不良が発生した時点
で一旦作業を停止し、メンテナンスを見直したり、マス
クの洗浄を行ったり、ノズルの洗浄を行ったりするなど
即時に対策を実行することができる。
According to this structure, when a defect occurs, the work can be temporarily stopped, the maintenance can be reviewed, the mask can be cleaned, and the nozzle can be immediately cleaned. .

【0025】また望ましくは、前記発光層を形成する工
程は、異なる波長の光を発する複数種の発光領域を順次
形成する工程を含み、前記蛍光測定工程は、前記発光領
域を形成する際に用いたマスクを配設したまま前記発光
領域層からの蛍光を色毎に測定する工程を含むこと特徴
とする。
Further preferably, the step of forming the light emitting layer includes a step of sequentially forming a plurality of types of light emitting areas emitting light of different wavelengths, and the fluorescence measuring step is used when forming the light emitting area. The method further includes the step of measuring the fluorescence from the light emitting region layer for each color with the mask provided.

【0026】発光層が、それぞれ別の工程で形成される
複数色の発光層からなる場合、各色の発光層毎に前記蛍
光を測定することにより、各色の発光層毎に形成状態の
良否を評価することが望ましい。かかる構成によれば、
成膜時に用いるマスクをそのまま利用して色分離を行う
ようにしているため、何等特別の工程を付加することな
く容易に各色の発光層の光量の測定を行うことが可能と
なる。
When the light emitting layer is composed of a plurality of color light emitting layers formed in different steps, the quality of the formed state is evaluated for each color light emitting layer by measuring the fluorescence for each color light emitting layer. It is desirable to do. According to this configuration,
Since the color separation is performed using the mask used for film formation as it is, it is possible to easily measure the light amount of each color of the light emitting layer without adding any special process.

【0027】また、発光層を形成するに際し、蒸着法に
より有機材料層を形成する工程を用いた場合、蒸着途中
の不良も検出することができる。従ってその時点で再度
付加的に蒸着を行うなどの対策を行うことも可能であ
る。
Further, when the step of forming the organic material layer by the vapor deposition method is used in forming the light emitting layer, it is possible to detect defects during vapor deposition. Therefore, at that time, it is possible to take measures such as additional vapor deposition.

【0028】また、発光層を形成するに際し、塗布法に
より有機材料層を形成する工程を用いた場合、塗布むら
などが発生した場合、その領域に再塗布を行うなどの対
策を施すことが可能である。
Further, when forming a light emitting layer, if a step of forming an organic material layer by a coating method is used, or if coating unevenness occurs, it is possible to take measures such as recoating in that area. Is.

【0029】[0029]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0030】本実施の形態の方法では、図1にフローチ
ャートを示すように、発光層の形成後(S2)、発光層
に励起光を照射し、発光層からの蛍光を測定し(S
3)、発光層の良否を判定する(S4)ようにしたこと
を特徴とする。
In the method of the present embodiment, as shown in the flow chart of FIG. 1, after the light emitting layer is formed (S2), the light emitting layer is irradiated with excitation light and fluorescence from the light emitting layer is measured (S2).
3), the quality of the light emitting layer is determined (S4).

【0031】すなわち、この方法では、第1の電極が形
成された基板を製造装置に投入し(S1)、インクジェ
ット方式または真空蒸着法によって第1の電極上に発光
層を基板上に形成した後(S2)、発光層に励起光を照
射し、発光層からの蛍光を測定する(S3)。
That is, in this method, the substrate on which the first electrode is formed is put into the manufacturing apparatus (S1), and after the light emitting layer is formed on the substrate by the ink jet method or the vacuum deposition method, the light emitting layer is formed on the substrate. (S2), the light emitting layer is irradiated with excitation light, and the fluorescence from the light emitting layer is measured (S3).

【0032】そして、測定結果に基づいて発光層の形成
状態の良否を評価する(S4)。
Then, the quality of the formation state of the light emitting layer is evaluated based on the measurement result (S4).

【0033】その結果、発光層の形成状態が良好であれ
ば、真空蒸着法などを用いて各発光層上に第2の電極を
形成し(S5)、保護膜としての透明絶縁層で封止する
(S6)。
As a result, if the state of formation of the light emitting layer is good, a second electrode is formed on each light emitting layer by using a vacuum vapor deposition method or the like (S5) and sealed with a transparent insulating layer as a protective film. Yes (S6).

【0034】またここで発光層の形成状態が良好でなけ
れば、第2の電極の形成工程(S5)へは進まず、発光
層形成工程(S2)での不良発生の原因を究明する。
If the state of formation of the light emitting layer is not good, the process of forming the second electrode (S5) is not proceeded to, and the cause of the occurrence of defects in the step of forming the light emitting layer (S2) is investigated.

【0035】発光層形成工程(S2)において、R、
G、Bの3色の発光層を形成する場合、各色の発光層の
形成工程が終了する毎に蛍光測定(S3)を行って、各
色の発光層毎に形成状態の良否を評価する(S4)。そ
して、形成状態が良好の場合のみ次工程へ進む。
In the light emitting layer forming step (S2), R,
When the light emitting layers of three colors G and B are formed, the fluorescence measurement (S3) is performed every time the formation process of the light emitting layers of each color is completed, and the quality of the formed state is evaluated for each light emitting layer of each color (S4). ). Then, only when the formation state is good, the process proceeds to the next step.

【0036】図2(a)、(b)に低分子系有機材料を
有機発光材料に用い、真空蒸着により発光層形成工程
(S2)を行うようにした場合の適用例を示す。この場
合真空蒸着装置10内で成膜が行なわれ、成膜と同時に
蛍光測定工程(S3)の実施がなされる。
FIGS. 2A and 2B show an application example in which a low molecular weight organic material is used as an organic light emitting material and the light emitting layer forming step (S2) is performed by vacuum deposition. In this case, the film formation is performed in the vacuum vapor deposition device 10, and the fluorescence measurement step (S3) is performed at the same time as the film formation.

【0037】図2(a)に示すように、真空蒸着装置1
0のチャンバ11内には、ガラス基板20と蒸着源30
とがセットされる。ガラス基板20の表面には、予め、
透明な導電材料からなる多数の第1の電極21とそれ以
外の領域を覆うシャドウマスク22とが形成されてい
る。ガラス基板20は、第1の電極21およびシャドウ
マスク22が形成されている側の面を下に向けてチャン
バ11内の上部に配置される。蒸着源30は、チャンバ
11内の底部に配置される。蒸着源30は、ヒータを内
蔵した有底筒体状の加熱槽31を有しており、加熱槽3
1中には蒸着処理に使用される特定の発光色の有機発光
材料32が入っている。
As shown in FIG. 2A, the vacuum vapor deposition apparatus 1
In the chamber 11 of 0, the glass substrate 20 and the vapor deposition source 30
And are set. In advance on the surface of the glass substrate 20,
A large number of first electrodes 21 made of a transparent conductive material and a shadow mask 22 covering the other regions are formed. The glass substrate 20 is arranged in the upper part of the chamber 11 with the surface on the side where the first electrode 21 and the shadow mask 22 are formed facing downward. The vapor deposition source 30 is arranged at the bottom of the chamber 11. The vapor deposition source 30 has a bottomed cylindrical heating vessel 31 having a built-in heater.
1 contains an organic luminescent material 32 of a specific luminescent color used in the vapor deposition process.

【0038】また、チャンバ11内には、ガラス基板2
0の下面に波長約350nmの紫外線(励起光)を照射
する紫外線ランプ41と、ガラス基板20の上面からの
蛍光を集光するマイクロレンズを内蔵したファイバヘッ
ド42とが配置されている。ファイバヘッド42で集光
された光は光ファイバ43を通してチャンバ11の外部
に設置された分光装置44に送られるようになってい
る。紫外線ランプ41とファイバヘッド42は、互いに
対向させて配置されており、互いの位置関係を保ったま
ま図示しない移動機構によりガラス基板20に沿って移
動できるようになっている。また、蒸着処理中は蒸着材
料によって汚染されない位置に移動し待機できるように
なっている。
Further, in the chamber 11, the glass substrate 2
An ultraviolet lamp 41 for irradiating ultraviolet rays (excitation light) having a wavelength of about 350 nm and a fiber head 42 containing a microlens for condensing fluorescence from the upper surface of the glass substrate 20 are arranged on the lower surface of 0. The light collected by the fiber head 42 is sent through the optical fiber 43 to the spectroscopic device 44 installed outside the chamber 11. The ultraviolet lamp 41 and the fiber head 42 are arranged so as to face each other, and can be moved along the glass substrate 20 by a moving mechanism (not shown) while maintaining their mutual positional relationship. Further, during the vapor deposition process, it is possible to move to a position where it is not contaminated by the vapor deposition material and stand by.

【0039】この実施の形態による発光層の形成工程は
以下のとおりである。
The steps of forming the light emitting layer according to this embodiment are as follows.

【0040】ガラス基板20と加熱槽31とをチャンバ
11内にセットし、チャンバ11内を所定の真空度に保
ちつつ、蒸着源30の加熱槽31を所定の温度に加熱す
ると、加熱槽31内の有機発光材料32が昇華し、昇華
した有機発光材料32がガラス基板20のシャドウマス
ク22の開口部を通して透明電極21の表面に付着す
る。そして、図2(b)に示すように、透明電極21の
表面に堆積した有機発光材料32によって発光層23が
形成される。
When the glass substrate 20 and the heating tank 31 are set in the chamber 11 and the heating tank 31 of the vapor deposition source 30 is heated to a predetermined temperature while the inside of the chamber 11 is maintained at a predetermined vacuum degree, the inside of the heating tank 31 is changed. Of the organic light emitting material 32 is sublimated, and the sublimated organic light emitting material 32 adheres to the surface of the transparent electrode 21 through the opening of the shadow mask 22 of the glass substrate 20. Then, as shown in FIG. 2B, the light emitting layer 23 is formed by the organic light emitting material 32 deposited on the surface of the transparent electrode 21.

【0041】その後、ガラス基板20をチャンバ11内
にセットした状態のまま、紫外線ランプ41とファイバ
ヘッド42を待機位置から測定開始位置に移動させ、紫
外線ランプ41を発光させてガラス基板20の下面に紫
外線を照射する。そして、紫外線照射により発光層23
から発せられる蛍光を、透明電極21およびガラス基板
20を通してファイバヘッド42で集光し、光ファイバ
43を通して分光装置44で測定する。紫外線ランプ4
1とファイバヘッド42とをガラス基板20に沿って移
動させていくことにより、上記の蒸着工程で形成された
全ての発光層23からの蛍光を測定する。
After that, with the glass substrate 20 set in the chamber 11, the ultraviolet lamp 41 and the fiber head 42 are moved from the standby position to the measurement start position, and the ultraviolet lamp 41 is caused to emit light so that the lower surface of the glass substrate 20 is exposed. Irradiate with ultraviolet rays. Then, the light emitting layer 23 is irradiated with ultraviolet rays.
Fluorescence emitted from the light is condensed by the fiber head 42 through the transparent electrode 21 and the glass substrate 20, and measured by the spectroscopic device 44 through the optical fiber 43. UV lamp 4
By moving 1 and the fiber head 42 along the glass substrate 20, the fluorescence from all the light emitting layers 23 formed in the above vapor deposition process is measured.

【0042】そして、測定結果に基づいて各発光層23
の形成状態の良否を評価する。この評価は、予め測定し
ておいた正常な蛍光特性と分光装置44で測定した蛍光
特性とを比較することによって行う。その結果、上記の
蒸着工程で形成された全ての発光層23のうち、不正常
な蛍光特性を示したものの数または割合が所定の値以下
であれば、発光層23の形成が良好になされたと判断
し、次工程へ進む。
Then, based on the measurement results, each light emitting layer 23
The quality of the formation state is evaluated. This evaluation is performed by comparing the normal fluorescence characteristic measured in advance and the fluorescence characteristic measured by the spectroscopic device 44. As a result, it was determined that the light emitting layer 23 was successfully formed if the number or the ratio of all the light emitting layers 23 formed in the above vapor deposition process that exhibited abnormal fluorescent characteristics was equal to or less than a predetermined value. Judge and proceed to the next step.

【0043】次工程が発光層23上に第2の電極を形成
する工程である場合、蒸着源30を電極材料の入った物
に取り替えて真空蒸着処理を行うことにより第2の電極
を形成する。
When the next step is a step of forming the second electrode on the light emitting layer 23, the vapor deposition source 30 is replaced with a material containing an electrode material and a vacuum vapor deposition process is performed to form the second electrode. .

【0044】また、次工程が別の発光層を形成する工程
であれば、所定画素数分だけシャドウマスクを移動さ
せ、蒸着源30を当該別の発光層用の有機発光材料の入
った物に取り替えて真空蒸着処理を行う。そして、上記
の場合と同様にして、新たに形成された全ての発光層の
蛍光測定を行う。測定結果に基づいて形成状態の良否を
評価し、形成状態が良好の場合のみ更に次の工程へ進
む。
If the next step is a step of forming another light emitting layer, the shadow mask is moved by a predetermined number of pixels and the vapor deposition source 30 is changed to a material containing the organic light emitting material for the other light emitting layer. It replaces and a vacuum evaporation process is performed. Then, in the same manner as in the above case, the fluorescence measurement of all newly formed light emitting layers is performed. The quality of the formed state is evaluated based on the measurement result, and only when the formed state is good, the process further proceeds.

【0045】たとえば、R、G、Bの発光層を順次形成
する場合、Rの発光層の真空蒸着処理の直後にRの発光
層の蛍光測定を行い、その測定結果に基づいて形成状態
の良否を評価し、形成状態が良好の場合のみ、Gの発光
層の真空蒸着処理へ進む。そして、Gの発光層の真空蒸
着処理の直後にGの発光層の蛍光測定を行い、その測定
結果に基づいて形成状態の良否を評価し、形成状態が良
好の場合のみ、Bの発光層の真空蒸着処理へ進む。
For example, when the R, G, and B light emitting layers are sequentially formed, the fluorescence of the R light emitting layer is measured immediately after the vacuum deposition process of the R light emitting layer, and the formation state is good or bad based on the measurement result. Only when the formation state is good, the process proceeds to the vacuum deposition process of the G light emitting layer. Immediately after the vacuum deposition process of the G light emitting layer, the fluorescence of the G light emitting layer is measured, and the quality of the formed state is evaluated based on the measurement result. Proceed to vacuum deposition process.

【0046】図3にGの発光層(画素)の蛍光の測定結
果を示す。設計どおりであれば曲線aのような蛍光特性
が観測されるが、蒸着材料の残量減少に伴う蒸着レート
の低下などにより、発光層の厚さが設計値よりも薄くな
った場合には、曲線bのようなピーク高さの低い蛍光特
性が観測される。
FIG. 3 shows the measurement result of the fluorescence of the G light emitting layer (pixel). If it is as designed, the fluorescence characteristic as shown by the curve a is observed, but if the thickness of the light emitting layer becomes thinner than the design value due to a decrease in the vapor deposition rate due to a decrease in the remaining amount of the vapor deposition material, A fluorescent characteristic with a low peak height as shown by the curve b is observed.

【0047】図4にRの発光層(画素)の蛍光の測定結
果を示す。設計どおりであれば曲線aのような蛍光特性
が観測されるが、発光層の厚さが設計値よりも薄くなっ
た場合には、bのような弱い蛍光特性が観測される。B
の発光層の場合も同様である。
FIG. 4 shows the measurement results of the fluorescence of the R light emitting layer (pixel). If it is as designed, a fluorescence characteristic like a curve a is observed, but if the thickness of the light emitting layer becomes thinner than the design value, a weak fluorescence characteristic like b is observed. B
The same applies to the light emitting layer.

【0048】図5にGの発光層(画素)にRの材料が混
じった場合の蛍光特性を示す。図3のaの特性曲線との
比較から、長波長領域(600nm付近)にRの材料の
混入による影響が現れていることがわかる。このような
異種材料の混入は真空蒸着時におけるシャドウマスクの
ずれなどが原因となって生じることが多い。このように
シャドウマスクのずれが生じている場合には、ずれを補
正するようにすればよい。
FIG. 5 shows the fluorescent characteristics when the R material is mixed in the G light emitting layer (pixel). From the comparison with the characteristic curve in FIG. 3A, it can be seen that the influence of the mixture of the R material appears in the long wavelength region (around 600 nm). Such mixing of different materials is often caused by the displacement of the shadow mask during vacuum deposition. When the shift of the shadow mask occurs in this way, the shift may be corrected.

【0049】上記のように、各色の発光層の真空蒸着処
理の直後に蛍光測定を行うことにより、測定結果に基づ
いて各色の発光層の形成状態の良否を評価することがで
きるので、不良が発覚した場合にはその後の無駄な真空
蒸着処理工程や電極形成工程などを実施しないようにし
て、有機EL表示装置の生産効率を向上できる。
As described above, by performing the fluorescence measurement immediately after the vacuum deposition process of the light emitting layers of the respective colors, it is possible to evaluate the quality of the formation state of the light emitting layers of the respective colors based on the measurement results, so that there is a defect. When it is discovered, the production efficiency of the organic EL display device can be improved by avoiding the useless subsequent vacuum deposition processing step and electrode forming step.

【0050】また、蛍光測定の際の紫外線照射を利用し
て、発光層の表面に付着した水分や酸素を検出すること
も可能である。さらに、照射する紫外線の強度によって
は、発光層の表面に付着した水分や酸素を除去すること
も可能である。
Further, it is also possible to detect moisture and oxygen adhering to the surface of the light emitting layer by utilizing the ultraviolet irradiation during the fluorescence measurement. Furthermore, depending on the intensity of the ultraviolet rays applied, it is possible to remove water and oxygen attached to the surface of the light emitting layer.

【0051】なお、上記実施の形態では、蒸着源30が
定位置に固定されているが、移動するように構成しても
よい。
Although the vapor deposition source 30 is fixed at a fixed position in the above embodiment, it may be configured to move.

【0052】また、上記実施の形態では、紫外線ランプ
41がファイバヘッド42とともに移動するようになっ
ているが、紫外線ランプ41は定位置に固定してもよ
い。
In the above embodiment, the ultraviolet lamp 41 moves together with the fiber head 42, but the ultraviolet lamp 41 may be fixed at a fixed position.

【0053】また、上記実施の形態では、全ての発光層
の蛍光測定を行うようにしたが、ガラス基板20上の特
定の領域に形成された1つまたは複数の発光層のみ測定
するようにしてもよい。
Further, in the above embodiment, the fluorescence measurement of all the light emitting layers is performed, but only one or a plurality of light emitting layers formed in a specific region on the glass substrate 20 is measured. Good.

【0054】また、上記実施の形態では、紫外線ランプ
41から発光層に紫外線を照射し、発光層から発せられ
る蛍光を、透明材料からなる第1の電極21およびガラ
ス基板20を通してファイバヘッド42で集光するよう
に構成したが、紫外線ランプ41と同じ側にファイバヘ
ッド42を配置して、発光層からの蛍光を集光するよう
に構成してもよい。図7に示した構造の有機EL表示装
置の場合には、TFT63R、63G、63Bなどによ
って蛍光が遮られるので、発光層からの蛍光を紫外線ラ
ンプ41と同じ側から観測する必要がある。
In the above embodiment, the light emitting layer is irradiated with ultraviolet rays from the ultraviolet lamp 41, and the fluorescence emitted from the light emitting layer is collected by the fiber head 42 through the first electrode 21 and the glass substrate 20 made of a transparent material. Although it is configured to emit light, the fiber head 42 may be disposed on the same side as the ultraviolet lamp 41 to collect the fluorescence from the light emitting layer. In the case of the organic EL display device having the structure shown in FIG. 7, since the fluorescence is blocked by the TFTs 63R, 63G, 63B, etc., it is necessary to observe the fluorescence from the light emitting layer from the same side as the ultraviolet lamp 41.

【0055】また、上記実施の形態では、低分子系有機
材料を有機発光材料に用いた場合について説明したが、
本発明は高分子系有機材料を有機発光材料に用いた場合
にも有効に適用可能である。この場合、図8で説明した
ようにインクジェット方式により第1の電極の表面に発
光材料溶液を吹き付けて発光層を形成し、その直後に蛍
光測定を行い、その測定結果に基づいて形成状態の良否
を評価し、形成状態が良好の場合のみ、次工程へ進む。
In the above embodiment, the case where the low molecular weight organic material is used as the organic light emitting material has been described.
The present invention can be effectively applied when a polymer organic material is used as an organic light emitting material. In this case, as described in FIG. 8, the light emitting material solution is sprayed on the surface of the first electrode by the inkjet method to form the light emitting layer, and immediately after that, the fluorescence measurement is performed, and the quality of the formed state is determined based on the measurement result. Is evaluated, and only when the formation state is good, the process proceeds to the next step.

【0056】また、上記実施の形態では、第2電極を形
成する前に発光層の蛍光測定を行うようにしたが、第2
電極を形成した後で発光層の蛍光測定を行うようにして
もよい。
Further, in the above embodiment, the fluorescence measurement of the light emitting layer is performed before the second electrode is formed.
Fluorescence measurement of the light emitting layer may be performed after forming the electrodes.

【0057】さらにまた、前記実施の形態では、基板と
対向する面側から蛍光測定を行うようにしたが、基板上
の画素領域を除く領域にTFTが形成されているかある
いは、駆動回路が外付けである図9(a)乃至(c)に
示したような構造を形成する工程の場合には、基板62
側から蛍光を測定するようにしてもよい。かかる構成に
よれば、基板を介して蛍光を検出することにより、基板
と電極あるいは電極と発光層との界面の汚れによる光量
の低下も検出することができる。また、基板を介して測
定がなされるため、素子の汚染もなく信頼性の高いEL
素子を形成することが可能となる。
Furthermore, in the above-described embodiment, the fluorescence measurement is performed from the surface side facing the substrate. However, the TFT is formed in the region excluding the pixel region on the substrate, or the driving circuit is externally attached. In the case of the step of forming the structure shown in FIGS. 9A to 9C, the substrate 62
The fluorescence may be measured from the side. According to such a configuration, by detecting the fluorescence through the substrate, it is possible to detect the decrease in the light amount due to the contamination of the interface between the substrate and the electrode or between the electrode and the light emitting layer. In addition, since the measurement is performed through the substrate, there is no contamination of the element and highly reliable EL.
It becomes possible to form an element.

【0058】さらにまた、発光スペクトルを測定するこ
とにより、輝度低下の原因となる、材料組成のずれある
いはドーパント分子のずれなども検出することができ
る。
Furthermore, by measuring the emission spectrum, it is possible to detect the deviation of the material composition or the deviation of the dopant molecule, which causes the decrease in brightness.

【0059】加えて、前記実施の形態では有機EL素子
について説明したがZnS等を用いた無機EL素子にも
適用可能である。
In addition, although the organic EL element has been described in the above embodiment, the present invention is also applicable to an inorganic EL element using ZnS or the like.

【0060】また、励起用の紫外線照射部と、測定部と
を、基板に対して反対側に配置してもよいし、対向面側
に配置してもよい。
Further, the ultraviolet ray irradiating section for excitation and the measuring section may be arranged on the opposite side of the substrate or on the opposite surface side.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上説明したように本発明の製造方法に
よれば、発光層に励起光を照射し、発光層からの蛍光を
測定するようにしたので、通電を行わずに発光層の形成
状態の良否を評価することができる。第2の電極の形成
前に発光層の形成状態の良否を評価することができるの
で、不良が発覚した場合には、第2の電極の形成工程な
どを含むその後の無駄な工程を実施しないようにして、
有機EL表示装置の生産効率を向上できる。
As described above, according to the manufacturing method of the present invention, the light emitting layer is irradiated with excitation light and the fluorescence from the light emitting layer is measured. Therefore, the light emitting layer is formed without energization. The quality of the state can be evaluated. Since it is possible to evaluate the quality of the formation state of the light emitting layer before the formation of the second electrode, when a defect is discovered, it is not necessary to carry out the subsequent unnecessary steps including the step of forming the second electrode. And then
The production efficiency of the organic EL display device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による有機EL表示装置の製造工程の流
れを示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a flow of manufacturing steps of an organic EL display device according to the present invention.

【図2】(a)、(b)は低分子系有機材料を有機発光
材料に用いた場合の発光層形成工程および蛍光測定工程
の実施の形態の一例を示す概念図である。
2A and 2B are conceptual diagrams showing an example of an embodiment of a light emitting layer forming step and a fluorescence measuring step when a low molecular weight organic material is used as an organic light emitting material.

【図3】G(緑)の発光層の蛍光測定結果を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing a fluorescence measurement result of a G (green) light emitting layer.

【図4】R(赤)の発光層の蛍光測定結果を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a fluorescence measurement result of an R (red) light emitting layer.

【図5】G(緑)の発光層にR(赤)の材料が混じった
場合の蛍光特性を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing fluorescence characteristics when an R (red) material is mixed in a G (green) light emitting layer.

【図6】フルカラー表示が可能な有機EL表示装置の平
面図である。
FIG. 6 is a plan view of an organic EL display device capable of full-color display.

【図7】フルカラー表示が可能な有機EL表示装置の断
面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of an organic EL display device capable of full-color display.

【図8】発光材料として高分子系有機材料を用いた場合
の発光層の形成工程を例示した断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a light emitting layer when a polymer organic material is used as a light emitting material.

【図9】発光材料として低分子系有機材料を用いた場合
の発光層の形成工程を例示した工程図である。
FIG. 9 is a process diagram illustrating a process of forming a light emitting layer when a low molecular weight organic material is used as a light emitting material.

【図10】従来の有機EL表示装置の製造工程の流れを
示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a flow of manufacturing steps of a conventional organic EL display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:真空蒸着装置(製造装置) 11:チャンバ 20:ガラス基板 21:第1の電極 22:シャドウマスク 23:発光層 30:蒸着源 32:有機発光材料 41:紫外線ランプ(励起光の光源) 42:ファイバヘッド 44:分光装置(蛍光測定装置) 10: Vacuum deposition apparatus (manufacturing apparatus) 11: Chamber 20: Glass substrate 21: First electrode 22: Shadow mask 23: Light emitting layer 30: evaporation source 32: Organic light emitting material 41: UV lamp (light source of excitation light) 42: Fiber head 44: Spectroscopic device (fluorescence measuring device)

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板表面に第1の電極を形成する工程
と、 前記第1の電極の上層に発光層を形成する工程と、 前記発光層の上に、第2の電極を形成する工程とを含む
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法におい
て、 前記発光層に励起光を照射し、前記発光層からの蛍光を
測定する蛍光測定工程を含むことを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法。
1. A step of forming a first electrode on a surface of a substrate, a step of forming a light emitting layer as an upper layer of the first electrode, and a step of forming a second electrode on the light emitting layer. In the method for producing an organic electroluminescence element, the method for producing an electroluminescence element is characterized by including a fluorescence measurement step of irradiating the light emitting layer with excitation light and measuring fluorescence from the light emitting layer.
【請求項2】 前記蛍光測定工程における測定結果に基
づき、発光層の発光特性を評価する工程を含み、 前記評価工程で良しと判断された場合にのみ、次工程に
進めるようにしたことを特徴とする請求項1に記載のエ
レクトロルミネセンス素子の製造方法。
2. The method includes the step of evaluating the light emission characteristics of the light emitting layer based on the measurement result in the fluorescence measurement step, and the step is advanced to the next step only when the evaluation step determines that the light emission property is good. 3. The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 1.
【請求項3】 前記蛍光測定工程は、前記発光層形成
後、前記第2の電極を形成するに先立ち、実行されるこ
とを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のエ
レクトロルミネセンス素子の製造方法。
3. The electroluminescence according to claim 1, wherein the step of measuring fluorescence is performed after forming the light emitting layer and before forming the second electrode. Device manufacturing method.
【請求項4】 前記基板は透明基板であり、蛍光測定工
程は、基板側で蛍光を検出する工程であることを特徴と
する請求項1乃至3のいずれかに記載のエレクトロルミ
ネセンス素子の製造方法。
4. The manufacturing of the electroluminescent device according to claim 1, wherein the substrate is a transparent substrate, and the fluorescence measuring step is a step of detecting fluorescence on the substrate side. Method.
【請求項5】 前記基板は非透明基板であり、蛍光測定
工程は、基板と相対向する面側で蛍光を検出する工程で
あることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載
のエレクトロルミネセンス素子の製造方法。
5. The substrate according to claim 1, wherein the substrate is a non-transparent substrate, and the fluorescence measuring step is a step of detecting fluorescence on a surface side opposite to the substrate. Manufacturing method of electroluminescent element.
【請求項6】 前記蛍光測定工程は、前記発光層を形成
しながら、当該発光層に励起光を照射し、前記発光層か
らの蛍光を測定する工程であること特徴とする請求項1
乃至5のいずれかに記載のエレクトロルミネセンス素子
の製造方法。
6. The fluorescence measuring step is a step of irradiating the light emitting layer with excitation light while forming the light emitting layer and measuring fluorescence from the light emitting layer.
6. The method for manufacturing an electroluminescent element according to any one of 5 to 5.
【請求項7】 前記発光層を形成する工程は、異なる波
長の光を発する複数種の発光領域を順次形成する工程を
含み、前記蛍光測定工程は、前記発光領域を形成する際
に用いたマスクを配設したまま前記発光領域層からの蛍
光を色毎に測定する工程を含むこと特徴とする請求項1
乃至6のいずれかに記載のエレクトロルミネセンス素子
の製造方法。
7. The step of forming the light emitting layer includes a step of sequentially forming a plurality of types of light emitting regions that emit light of different wavelengths, and the fluorescence measuring step includes a mask used when forming the light emitting region. 2. A step of measuring fluorescence from the light-emitting region layer for each color while arranging the
7. A method for manufacturing an electroluminescent element according to any one of 6 to 6.
【請求項8】 前記蛍光の測定結果に基づいて、 するようにしたことを特徴とする請求項1または2に記
載のエレクトロルミネセンス素子の製造方法。
8. The method for manufacturing an electroluminescent element according to claim 1, wherein the method is based on the measurement result of the fluorescence.
【請求項9】 前記発光層を形成する工程は、蒸着法に
より有機材料層を形成する工程であることを特徴とする
請求項1乃至8のいずれかに記載のエレクトロルミネセ
ンス素子の製造方法。
9. The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 1, wherein the step of forming the light emitting layer is a step of forming an organic material layer by a vapor deposition method.
【請求項10】 前記発光層を形成する工程は、塗布法
により有機材料層を形成する工程であることを特徴とす
る請求項1乃至8のいずれかに記載のエレクトロルミネ
センス素子の製造方法。
10. The method of manufacturing an electroluminescent element according to claim 1, wherein the step of forming the light emitting layer is a step of forming an organic material layer by a coating method.
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